JP7576461B2 - 太陽電池の製造方法および太陽電池 - Google Patents

Description

本発明は、裏面電極型（バックコンタクト型）の太陽電池の製造方法、および裏面電極型の太陽電池に関する。

特許文献１～３には、裏面電極型の太陽電池における２つの極性の電極と配線部材との接続に関する技術が開示されている。特許文献１および２には、裏面電極型の太陽電池において、
・第１電極および第２電極に交差する第１配線および第２配線を有し、
・第１配線は、第１電極と交差する点で第１電極と接続され、第２電極と交差する点で絶縁層によって第２電極と絶縁され、
・第２配線は、第２電極と交差する点で第２電極と接続され、第１電極と交差する点で絶縁層によって第１電極と絶縁される、
ことが記載されている。

また、特許文献３には、裏面電極型の太陽電池セルにおいて、
・ｐ電極およびｎ電極に交差するｐ電極用配線およびｎ電極用配線を有し、
・裏面に絶縁樹脂が形成され、
・ｐ電極用配線は、ｐ電極と交差する点で絶縁樹脂の孔部の導電部材によってｐ電極と接続され、ｎ電極と交差する点で絶縁樹脂によってｎ電極と絶縁され、
・ｎ電極用配線は、ｎ電極と交差する点で絶縁樹脂の孔部の導電部材によってｎ電極と接続され、ｐ電極と交差する点で絶縁樹脂によってｐ電極と絶縁される、
ことが記載されている。

特開２０１８－１３３５６７号公報 特開２０１５－１５９２８６号公報 特開２０１４－１２７５５０号公報

本願発明者（ら）は、このような太陽電池の低コスト化の目的で、金属電極層の材料として、比較的に高価な公知のＡｇペーストに代えて、比較的に安価な金属、例えばＣｕ（例えば、スパッタリング等のＰＶＤ法またはめっき法を用いて製膜後、ウエットエッチング）を用いることを考案している。なお、配線部材とのコンタクトを行う部分のみに、Ａｇペーストからなるコンタクト電極を用いる。

また、本願発明者（ら）は、このような太陽電池の製造プロセスの簡略化の目的で、配線部材との絶縁およびコンタクトを確保するための絶縁層およびコンタクト電極（Ａｇペースト）を、金属電極層（例えばＣｕ）および透明電極層のウエットエッチングのレジストとして兼用することを考案している。

しかし、本願発明者（ら）の知見によれば、このような太陽電池およびその製造方法では、太陽電池の性能が低下してしまうことがある。これは以下のように考察される。

金属電極層および透明電極層のウエットエッチングの際に、エッチング溶液がＡｇペーストからなるコンタクト電極に浸入する。その後、アニールまたは使用環境下において加熱されると、コンタクト電極に浸入したエッチング溶液が、Ｃｕからなる金属電極層および透明電極層を溶かす。すると、Ｃｕが、何らかの要因により半導体層を介して（例えば局所的な欠陥等を介して）、半導体基板に拡散する。これにより、半導体基板にダメージが生じ、太陽電池の性能が低下してしまうことが考えられる（信頼性）。

本発明は、太陽電池の低コスト化を図っても、太陽電池の性能低下の抑制が可能な太陽電池の製造方法および太陽電池を提供することを目的とする。

本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の前記一方主面側における前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の上に、一連の透明電極層材料膜を形成する透明電極層材料膜形成工程と、前記透明電極層材料膜の上に、一連の金属電極層材料膜であって、銅を含む前記金属電極層材料膜を形成する金属電極層材料膜形成工程と、前記第１領域における前記金属電極層材料膜を第１非絶縁領域を除いて全体的に覆う第１絶縁層、および、前記第２領域における前記金属電極層材料膜を第２非絶縁領域を除いて全体的に覆う第２絶縁層であって、互いに離間する前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をマスクとするエッチング法を用いて、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間における、および前記第１非絶縁領域および前記第２非絶縁領域における、前記金属電極層材料膜の露出部分を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１金属電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２金属電極層を形成し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を除去せずに残す金属電極層形成工程と、前記第１非絶縁領域における前記透明電極層材料膜の上に、前記第１金属電極層の側面および前記第１絶縁層の側面と接するように第１コンタクト電極を形成し、前記第２非絶縁領域における前記透明電極層材料膜の上に、前記第２金属電極層の側面および前記第２絶縁層の側面と接するように第２コンタクト電極を形成するコンタクト電極形成工程と、前記第１絶縁層および前記第１コンタクト電極、および前記第２絶縁層および前記第２コンタクト電極をマスクとするエッチング法を用いて、前記透明電極層材料膜の露出部分を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１透明電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２透明電極層を形成し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を除去せずに残す透明電極層形成工程と、を含む。

本発明に係る太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池であって、前記第１金属電極層を第１非絶縁領域を除いて全体的に覆うように前記第１領域に形成された第１絶縁層と、前記第２金属電極層を第２非絶縁領域を除いて全体的に覆うように前記第２領域に形成された第２絶縁層と、前記第１非絶縁領域に形成された第１コンタクト電極と、前記第２非絶縁領域に形成された第２コンタクト電極と、を備える。前記第１金属電極層および前記第２金属電極層は、銅を含み、前記第１非絶縁領域には、前記第１透明電極層が形成されており、前記第１金属電極層が形成されておらず、前記第２非絶縁領域には、前記第２透明電極層が形成されており、前記第２金属電極層が形成されておらず、前記第１コンタクト電極は、前記第１透明電極層の主面、前記第１金属電極層の側面および前記第１絶縁層の側面と接しており、前記第２コンタクト電極は、前記第２透明電極層の主面、前記第２金属電極層の側面および前記第２絶縁層の側面と接している。

本発明に係る別の太陽電池の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の前記一方主面側における前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の上に、一連の透明電極層材料膜を形成する透明電極層材料膜形成工程と、前記透明電極層材料膜の上に、一連の金属電極層材料膜であって、銅を含む前記金属電極層材料膜を形成する金属電極層材料膜形成工程と、前記第１領域における前記金属電極層材料膜を全体的に覆う第１絶縁層、および、前記第２領域における前記金属電極層材料膜を全体的に覆う第２絶縁層であって、互いに離間する前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をマスクとするエッチング法を用いて、前記金属電極層材料膜の露出部分を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１金属電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２金属電極層を形成し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を除去する金属電極層形成工程と、前記第１金属電極層の上に、第１コンタクト電極層を形成し、前記第２金属電極層の上に、第２コンタクト電極層を形成するコンタクト電極層形成工程と、前記第１コンタクト電極層および前記第１金属電極層、および前記第２コンタクト電極層および前記第２金属電極層をマスクとするエッチング法を用いて、前記透明電極層材料膜の露出部分を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１透明電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、を含む。

本発明に係る別の太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池であって、前記第１金属電極層の上に積層された第１コンタクト電極層と、前記第２金属電極層の上に積層された第２コンタクト電極層と、を備える。前記第１金属電極層および前記第２金属電極層は、銅を含む。

本発明によれば、太陽電池の低コスト化を図っても、太陽電池の性能低下を抑制することができる。

第１実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。 図１の太陽電池におけるIIA－IIA線断面図である。 図１の太陽電池におけるIIB－IIB線断面図である。 第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における半導体層形成工程を示す図である。 第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層材料膜形成工程、すなわち透明電極層材料膜形成工程および金属電極層材料膜形成工程を示す図である。 第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における絶縁層形成工程を示す図である。 第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程（電極層形成工程）を示す図である。 第１実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極形成工程を示す図である。 第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程（電極層形成工程）を示す図である。 比較例１に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIA－IIA線相当の断面図である。 比較例１に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIB－IIB線相当の断面図である。 比較例１に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程、金属電極層材料膜形成工程および絶縁層形成工程を示す図である。 比較例１に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極形成工程を示す図である。 比較例１に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。 第２実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。 図６の太陽電池におけるVII－VII線断面図である。 第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における半導体層形成工程を示す図である。 第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層材料膜形成工程、すなわち透明電極層材料膜形成工程および金属電極層材料膜形成工程を示す図である。 第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における絶縁層形成工程を示す図である。 第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程（電極層形成工程）を示す図である。 第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における絶縁層除去形成工程を示す図である。 第２実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極層形成工程を示す図である。 第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程（電極層形成工程）を示す図である。 比較例２に係る太陽電池の断面図であって、図６におけるVII－VII線相当の断面図である。 比較例２に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程、金属電極層材料膜形成工程およびコンタクト電極層形成工程を示す図である。 比較例２に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。

（第１実施形態の太陽電池）
図１は、第１実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。図２Ａは、図１の太陽電池におけるIIA－IIA線断面図であり、図２Ｂは、図１の太陽電池におけるIIB－IIB線断面図である。図１、図２Ａおよび図２Ｂに示す太陽電池１は、裏面電極型（バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。）であってヘテロ接合型の太陽電池である。

太陽電池１は、２つの主面を備える半導体基板１１を備え、半導体基板１１の主面において第１領域７と第２領域８とを有する。以下では、半導体基板１１の主面のうちの受光する側の主面を受光面とし、半導体基板１１の主面のうちの受光面の反対側の主面（一方主面）を裏面とする。

第１領域７は、帯状の形状をなし、Ｙ方向（第２方向）に延在する。同様に、第２領域８は、帯状の形状をなし、Ｙ方向に延在する。第１領域７と第２領域８とは、Ｙ方向に交差するＸ方向（第１方向）に交互に設けられている。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、太陽電池１は、半導体基板１１の受光面側に順に積層されたパッシベーション層１３および光学調整層１５を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面側の一部（第１領域７）に順に積層されたパッシベーション層２３、第１導電型半導体層２５、第１電極層２７および第１絶縁層４１を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面側の他の一部（第２領域８）に順に積層されたパッシベーション層３３、第２導電型半導体層３５、第２電極層３７および第２絶縁層４２を備える。また、太陽電池１は、第１電極層２７に対応する第１コンタクト電極５１と、第２電極層３７に対応する第２コンタクト電極５２とを備える。

半導体基板１１は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶シリコン材料で形成される。半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｎ型ドーパントがドープされたｎ型の半導体基板である。なお、半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｐ型ドーパントがドープされたｐ型の半導体基板であってもよい。ｎ型ドーパントとしては、例えばリン（Ｐ）が挙げられる。ｐ型ドーパントとしては、例えばホウ素（Ｂ）が挙げられる。半導体基板１１は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア（電子および正孔）を生成する光電変換基板として機能する。

半導体基板１１の材料として結晶シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力（照度によらず安定した出力）が得られる。

パッシベーション層１３は、半導体基板１１の受光面側に形成されている。パッシベーション層２３は、半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。パッシベーション層３３は、半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。パッシベーション層１３，２３，３３は、例えば真性（ｉ型）アモルファスシリコン材料を主成分とする材料で形成される。パッシベーション層１３，２３，３３は、半導体基板１１で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。

光学調整層１５は、半導体基板１１の受光面側のパッシベーション層１３上に形成されている。光学調整層１５は、入射光の反射を防止する反射防止層として機能するとともに、半導体基板１１の受光面側およびパッシベーション層１３を保護する保護層として機能する。光学調整層１５は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等の絶縁体材料で形成される。

第１導電型半導体層２５は、パッシベーション層２３上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。一方、第２導電型半導体層３５は、パッシベーション層３３上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。すなわち、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５は、帯状の形状をなし、Ｙ方向に延在する。第１導電型半導体層２５と第２導電型半導体層３５とは、Ｘ方向に交互に並んでいる。第２導電型半導体層３５の一部は、隣接する第１導電型半導体層２５の一部の上に重なっていてもよい（図示省略）。

第１導電型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第１導電型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料にｐ型ドーパント（例えば、上述したホウ素（Ｂ））がドープされたｐ型の半導体層である。

第２導電型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第２導電型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料にｎ型ドーパント（例えば、上述したリン（Ｐ））がドープされたｎ型の半導体層である。なお、第１導電型半導体層２５がｎ型の半導体層であり、第２導電型半導体層３５がｐ型の半導体層であってもよい。

第１電極層２７は、第１導電型半導体層２５上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。一方、第２電極層３７は、第２導電型半導体層３５上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。すなわち、第１電極層２７および第２電極層３７は、帯状の形状をなし、Ｙ方向に延在する。第１電極層２７と第２電極層３７とは、Ｘ方向に交互に設けられている。

第１電極層２７は、第１導電型半導体層２５上に順に積層された第１透明電極層２８および第１金属電極層２９を有する。一方、第２電極層３７は、第２導電型半導体層３５上に順に積層された第２透明電極層３８および第２金属電極層３９を有する。

第１透明電極層２８および第２透明電極層３８は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物）、ＺｎＯ（Zinc Oxide：酸化亜鉛）等が挙げられる。

第１金属電極層２９および第２金属電極層３９は、金属材料として、公知のＡｇ粉末を含有する導電性ペースト材料と比較して安価なＣｕを含む。例えば、第１金属電極層２９および第２金属電極層３９は、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法を用いて形成される。

第１絶縁層４１は、第１金属電極層２９上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。第２絶縁層４２は、第２金属電極層３９上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。すなわち、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２は、図１に示すように、帯状の形状をなし、Ｙ方向に延在する。第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とは、Ｘ方向に交互に設けられている。

第１絶縁層４１は、第１非絶縁領域４１ａを除いて、第１金属電極層２９を全体的に覆う。同様に、第２絶縁層４２は、第２非絶縁領域４２ａを除いて、第２金属電極層３９を全体的に覆う。

第１非絶縁領域４１ａには、第１絶縁層４１および第１金属電極層２９が形成されていない。すなわち、第１非絶縁領域４１ａは、第１透明電極層２８の表面および第１金属電極層２９の側面を露出する開孔で構成される。第１非絶縁領域４１ａは、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１直線Ｘ１上に配置されている。

同様に、第２非絶縁領域４２ａには、第２絶縁層４２および第２金属電極層３９が形成されていない。すなわち、第２非絶縁領域４２ａは、第２透明電極層３８の表面および第２金属電極層３９の側面を露出する開孔で構成される。第２非絶縁領域４２ａは、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１直線Ｘ１と異なる第２直線Ｘ２上に配置されている。

第１直線Ｘ１および第２直線Ｘ２は、第１電極層２７および第２電極層３７と交差し、Ｙ方向（第２方向）に交互に並んでいる。

第１絶縁層４１および第２絶縁層４２の材料としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等が挙げられる。また、例えばスクリーン印刷によって塗布し、焼成することができるエポキシ樹脂系またはレジンエステル系などの熱硬化性樹脂を用いることもできる。これらの樹脂に対して、印刷性向上または耐薬品性向上の目的で、シリカまたはタルクなどの無機系の粒子を混合してもよい。

第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａには、第１コンタクト電極５１が形成されており、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａには、第２コンタクト電極５２が形成されている。すなわち、第１コンタクト電極５１は、第１直線Ｘ１上に配置されており、第２コンタクト電極５２は、第２直線Ｘ２上に配置されている。

第１コンタクト電極５１は、第１透明電極層２８の表面、第１金属電極層２９の側面および第１絶縁層４１の側面と接触している。一方、第２コンタクト電極５２は、第２透明電極層３８の表面、第２金属電極層３９の側面および第２絶縁層４２の側面と接触している。

第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の粒子状の金属材料、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して硬化させてなる。これらの中でも、印刷材料としては、配線部材との接続のための半田とのコンタクト性の観点で、Ａｇペースト材料が好ましい。

第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａのＹ方向（第２方向）の幅、すなわち第１コンタクト電極５１のＹ方向（第２方向）の幅は、第１配線部材９１の幅よりも大きい。同様に、第２非絶縁領域４２ａのＹ方向（第２方向）の幅、すなわち第２コンタクト電極５２のＹ方向（第２方向）の幅は、第２配線部材９２の幅よりも大きい。例えば、第１非絶縁領域４１ａおよび第２非絶縁領域４２ａの幅、すなわち第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２の幅は、１ｍｍ以上５０ｍｍ以下である。これによれば、配線部材接続時のアライメントのクリアランスを確保することができる。

図１、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１電極層２７と第２電極層３７とは、第１領域７と第２領域８との境界において分離している。すなわち、第１透明電極層２８と第２透明電極層３８とは離間しており、第１金属電極層２９と第２金属電極層３９とは離間している。また、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とは分離している。

第１透明電極層２８と第２透明電極層３８との間の領域、すなわち第１金属電極層２９と第２金属電極層３９との間の領域は、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２で覆われていない。

第１金属電極層２９では、第１透明電極層２８と接する主面と反対側の主面は第１絶縁層４１で覆われている。同様に、第２金属電極層３９では、第２透明電極層３８と接する主面と反対側の主面は第２絶縁層４２で覆われている。

一方、第１金属電極層２９の側面および第１透明電極層２８の側面は第１絶縁層４１で覆われていない。同様に、第２金属電極層３９の側面および第２透明電極層３８の側面は第２絶縁層４２で覆われていない。

図１に示すように、第１配線部材９１は、第１直線Ｘ１に沿ってＸ方向（第１方向）に延在する。同様に、第２配線部材９２は、第２直線Ｘ２に沿ってＸ方向（第１方向）に延在する。すなわち、第１配線部材９１および第２配線部材９２は、第１電極層２７および第２電極層３７と交差し、Ｙ方向（第２方向）に交互に並んでいる。

第１配線部材９１は、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａにおける第１コンタクト電極５１によって第１電極層２７に電気的に接続され、第２絶縁層４２によって第２電極層３７と電気的に絶縁される。同様に、第２配線部材９２は、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａにおける第２コンタクト電極５２によって第２電極層３７に電気的に接続され、第１絶縁層４１によって第１電極層２７と電気的に絶縁される。

第１配線部材９１と第２配線部材９２とのＹ方向の中心間隔（ピッチ）は、第１電極層２７と第２電極層３７とのＸ方向の中心間隔（ピッチ）よりも大きい。例えば、第１配線部材９１と第２配線部材９２との中心間隔（ピッチ）は、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下である。これによれば、電極層を流れる電流経路を短くすることができ、電極抵抗に起因する出力ロスを低減することができ、太陽電池の発電効率を向上することができる。

第１配線部材９１および第２配線部材９２としては、公知のタブ線等が挙げられる。

ここで、本願発明者（ら）は、このような太陽電池の低コスト化の目的で、金属電極層２９，３９の材料として、比較的に高価な公知のＡｇペーストに代えて、比較的に安価な金属、例えばＣｕ（例えば、スパッタリング等のＰＶＤ法またはめっき法を用いて製膜後、ウエットエッチング）を用いることを考案している。なお、配線部材９１，９２とのコンタクトを行う部分のみに、Ａｇペーストからなるコンタクト電極５１，５２を用いる。

また、本願発明者（ら）は、このような太陽電池の製造プロセルの簡略化の目的で、配線部材９１，９２との絶縁およびコンタクトを確保するための絶縁層４１，４２およびコンタクト電極５１，５２（Ａｇペースト）を、金属電極層２９，３９（例えばＣｕ）および透明電極層２８，３８のウエットエッチングのレジストとして兼用することを考案している。以下に、このような本願発明者（ら）の考案の太陽電池およびその製造方法について、比較例１として説明する。

（比較例１の太陽電池）
図４Ａは、比較例１に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIA－IIA線相当の断面図であり、図４Ｂは、比較例１に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIB－IIB線相当の断面図である。図４Ａおよび図４Ｂに示す比較例１の太陽電池１Ｘは、図２Ａおよび図２Ｂに示す太陽電池１と比較して、主に、第１絶縁層４１Ｘの第１非絶縁領域４１ａにも、第１電極層２７Ｘ、すなわち第１透明電極層２８Ｘおよび第１金属電極層２９Ｘ、が形成されており、第１コンタクト電極５１Ｘが第１非絶縁領域４１ａにおける第１電極層２７Ｘの第１金属電極層２９Ｘ上に形成されている点、および第２絶縁層４２Ｘの第２非絶縁領域４２ａにも、第２電極層３７Ｘ、すなわち第２透明電極層３８Ｘおよび第２金属電極層３９Ｘ、が形成されており、第２コンタクト電極５２Ｘが第２非絶縁領域４２ａにおける第２電極層３７Ｘの第２金属電極層３９Ｘ上に形成されている点で、第１実施形態と異なる。

（比較例１の太陽電池の製造方法）
以下では、図５Ａ～図５Ｃを参照して、比較例１の太陽電池の製造方法における電極層２７Ｘ，３７Ｘの製造プロセスについて主に説明する。比較例１の電極層２７Ｘ，３７Ｘの製造プロセスでは、絶縁層４１Ｘ，４２Ｘを形成した後に、コンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘを形成し、その後、絶縁層４１Ｘ，４２Ｘおよびコンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘをマスクとして、電極層２７Ｘ，３７Ｘ、すなわち金属電極層２９Ｘ，３９Ｘおよび透明電極層２８Ｘ，３８Ｘ、の同時パターニングを行う。

図５Ａは、比較例１に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程、金属電極層材料膜形成工程および絶縁層形成工程を示す図であり、図５Ｂは、比較例１に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極形成工程を示す図である。また、図５Ｃは、比較例１に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。図５Ａ～図５Ｃでは、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。

まず、図５Ａに示すように、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って一連の透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。次に、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法を用いて、透明電極層材料膜２８Ｚ上に、すなわち第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５に跨って一連の金属電極層材料膜２９Ｚを形成する（金属電極層材料膜形成工程）。

次に、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第１導電型半導体層２５上に、すなわち第１領域７に、第１非絶縁領域４１ａを除いて第１絶縁層４１Ｘを形成する。また、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第２導電型半導体層３５上に、すなわち第２領域８に、第２非絶縁領域４２ａを除いて第２絶縁層４２Ｘを形成する（絶縁層形成工程）。なお、第１絶縁層４１Ｘと第２絶縁層４２Ｘとは、互いに離間するように形成される。

例えば、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１絶縁層４１Ｘおよび第２絶縁層４２Ｘを形成する。

次に、図５Ｂに示すように、第１絶縁層４１Ｘの第１非絶縁領域４１ａに第１コンタクト電極５１Ｘを形成し、第２絶縁層４２Ｘの第２非絶縁領域４２ａに第２コンタクト電極５２Ｘを形成する（コンタクト電極形成工程）。例えば、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、Ａｇ粒子、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料、すなわちＡｇペースト材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１コンタクト電極５１Ｘおよび第２コンタクト電極５２Ｘを形成する。

次に、図５Ｃに示すように、第１絶縁層４１Ｘおよび第１コンタクト電極５１Ｘ、および第２絶縁層４２Ｘおよび第２コンタクト電極５２Ｘをマスクとするエッチング法を用いて、金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚを同時にパターニングすることにより、互いに分離された第１透明電極層２８Ｘおよび第２透明電極層３８Ｘ、および、互いに分離された第１金属電極層２９Ｘおよび第２金属電極層３９Ｘを形成する（電極層形成工程）。これにより、第１電極層２７Ｘおよび第２電極層３７Ｘが形成される。このとき、第１絶縁層４１Ｘおよび第２絶縁層４２Ｘを除去せずに残す。

金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚの同時エッチングのエッチング溶液としては、過硫酸アンモニウム（過硫安）等の酸化剤と塩酸（ＨＣｌ）との混合溶液が挙げられる。

本願発明者（ら）の知見によれば、この比較例１の太陽電池１Ｘの製造方法では、太陽電池１Ｘの性能が低下してしまうことがある。これは以下のように考察される。

第一に、金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚのウエットエッチングの際に、エッチング溶液がＡｇペーストからなるコンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘに浸入する。その後、アニールまたは使用環境下において加熱されると、コンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘに浸入したエッチング溶液が、Ｃｕからなる金属電極層２９Ｘ，３９Ｘおよび透明電極層２８Ｘ，３８Ｘを溶かす。すると、Ｃｕが、何らかの要因により半導体層２５，２３，３５，３３を介して（例えば局所的な欠陥等を介して）、半導体基板１１に拡散する。これにより、半導体基板１１にダメージが生じ、太陽電池１Ｘの性能が低下してしまうことが考えられる（信頼性）。

第二に、金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚのエッチング溶液として酸化剤と塩酸との混合溶液が用いられるが、このエッチング溶液において、酸化剤の還元反応により塩酸から塩素が生成される。すると、この塩素によりＡｇペーストからなるコンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘが塩化銀に変性される。これにより、配線部材に対するコンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘのコンタクト性が低下し、太陽電池１Ｘの性能が低下してしまうことが考えられる（コンタクト性）。

この点に関し、本願発明者（ら）は、酸化剤と塩酸との混合溶液を用いる必要がある、Ｃｕからなる金属電極層のエッチングを行った後に、Ａｇからなるコンタクト電極を形成し、その後、塩酸のみを用いて透明電極層のエッチングを行うことを考案する。

（第１実施形態の太陽電池の製造方法）
以下では、図３Ａ～図３Ｆを参照して、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。図３Ａは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における半導体層形成工程を示す図であり、図３Ｂは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程および金属電極層材料膜形成工程（電極層材料膜形成工程）を示す図である。また、図３Ｃは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における絶縁層形成工程を示す図であり、図３Ｄは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程（電極層形成工程）を示す図である。また、図３Ｅは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極形成工程を示す図であり、図３Ｆは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程（電極層形成工程）を示す図である。図３Ａ～図３Ｆでは、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。

まず、図３Ａに示すように、半導体基板１１の裏面側の一部に、具体的には第１領域７に、パッシベーション層２３および第１導電型半導体層２５を形成する（半導体層形成工程）。例えば、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全てにパッシベーション層材料膜および第１導電型半導体層材料膜を製膜した後、フォトリソグラフィ技術または印刷技術を用いて生成するレジスト、またはメタルマスク、を利用したエッチング法を用いて、パッシベーション層２３および第１導電型半導体層２５をパターニングしてもよい。

なお、ｐ型半導体層材料膜に対するエッチング溶液としては、例えばオゾンを含有するフッ酸、または硝酸とフッ酸の混合液のような酸性溶液が挙げられ、ｎ型半導体層材料膜に対するエッチング溶液としては、例えば水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ性溶液が挙げられる。

または、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側にパッシベーション層および第１導電型半導体層を積層する際に、マスクを用いて、パッシベーション層２３および第１導電型半導体層２５の製膜およびパターニングを同時に行ってもよい。

次に、半導体基板１１の裏面側の他の一部に、具体的には第２領域８に、パッシベーション層３３および第２導電型半導体層３５を形成する（半導体層形成工程）。例えば、上述同様に、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全てにパッシベーション層材料膜および第２導電型半導体層材料膜を製膜した後、フォトリソグラフィ技術または印刷技術を用いて生成するレジスト、またはメタルマスク、を利用したエッチング法を用いて、パッシベーション層３３および第２導電型半導体層３５をパターニングしてもよい。

または、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側にパッシベーション層および第２導電型半導体層を積層する際に、マスクを用いて、パッシベーション層３３および第２導電型半導体層３５の製膜およびパターニングを同時に行ってもよい。

なお、この半導体層形成工程において、半導体基板１１の受光面側の全面に、パッシベーション層１３を形成してもよい（図示省略）。

次に、図３Ｂに示すように、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って一連の透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。透明電極層材料膜２８Ｚの形成方法としては、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法等が用いられる。

次に、透明電極層材料膜２８Ｚ上に、すなわち第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５に跨って一連の金属電極層材料膜２９Ｚ（例えばＣｕ）を形成する（金属電極層材料膜形成工程）。金属電極層材料膜２９Ｚの形成方法としては、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法が用いられる。

次に、図３Ｃに示すように、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第１導電型半導体層２５上に、すなわち第１領域７に、第１非絶縁領域４１ａを除いて第１絶縁層４１を形成する。また、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第２導電型半導体層３５上に、すなわち第２領域８に、第２非絶縁領域４２ａを除いて第２絶縁層４２を形成する（絶縁層形成工程）。なお、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とは、互いに離間するように形成される。

第１絶縁層４１および第２絶縁層４２の形成方法としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スクリーン印刷法、インクジェット法、グラビアコーティング法、またはディスペンサー法等が挙げられる。これらの中でも、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２を形成するとよい。

次に、図３Ｄに示すように、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２をマスクとするエッチング法を用いて、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２との間における、および第１非絶縁領域４１ａおよび第２非絶縁領域４２ａにおける、金属電極層材料膜２９Ｚの露出部分を除去することにより、第１領域７にパターン化された第１金属電極層２９を形成し、第２領域８にパターン化された第２金属電極層３９を形成する（金属電極層形成工程：電極層形成工程）。

金属電極層材料膜２９Ｚのエッチングのエッチング溶液としては、過硫酸アンモニウム（過硫安）等の酸化剤と塩酸（ＨＣｌ）との混合溶液が挙げられる。このとき、Ａｇからなるコンタクト電極が形成されていないため、コンタクト電極にエッチング溶液が含まれることがない。また、コンタクト電極が変性することがない。

次に、図３Ｅに示すように、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａに第１コンタクト電極５１を形成し、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａに第２コンタクト電極５２を形成する（コンタクト電極形成工程）。これにより、第１コンタクト電極５１は、第１透明電極層２８の表面、第１金属電極層２９の側面および第１絶縁層４１の側面と接触する。また、第２コンタクト電極５２は、第２透明電極層３８の表面、第２金属電極層３９の側面および第２絶縁層の側面と接触する。

第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２の形成方法としては、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法が挙げられる。パターン印刷法では、Ａｇ粒子、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料、すなわちＡｇペースト材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２を形成する。

次に、図３Ｆに示すように、第１絶縁層４１および第１コンタクト電極５１、および第２絶縁層４２および第２コンタクト電極５２をマスクとするエッチング法を用いて、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２との間における透明電極層材料膜２８Ｚの露出部分を除去することにより、第１領域７にパターン化された第１透明電極層２８を形成し、第２領域８にパターン化された第２透明電極層３８を形成する（電極層形成工程：透明電極層形成工程）。これにより、第１電極層２７および第２電極層３７が形成される。このとき、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２を除去せずに残す。

透明電極層材料膜２８Ｚのエッチング溶液としては、塩酸（ＨＣｌ）が挙げられる。このとき、酸化剤と塩酸との混合溶液が用いられないため、Ｃｕからなる金属電極層２９，３９を溶かすことがなく、Ｃｕが、何らかの要因により半導体層２５，２３，３５，３３を介して（例えば局所的な欠陥等を介して）、半導体基板１１に拡散することがない。そのため、半導体基板１１にダメージが生じることがない。また、コンタクト電極５１，５２が変性することがない。

その後、半導体基板１１の受光面側の全面に、光学調整層１５を形成する（図示省略）。以上の工程により、図１、図２Ａおよび図２Ｂに示す本実施形態の裏面電極型の太陽電池１が得られる。

以上説明したように、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、金属電極層２９，３９の材料として、比較的に高価な公知のＡｇペーストに代えて、比較的に安価な金属、例えばＣｕ（例えば、スパッタリング等のＰＶＤ法またはめっき法を用いて製膜後、ウエットエッチング）を用いる。これにより、太陽電池１の低コスト化が可能である。

また、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、配線部材９１，９２との絶縁およびコンタクトを確保するための絶縁層４１，４２およびコンタクト電極５１，５２（Ａｇペースト）を、金属電極層２９，３９（例えばＣｕ）および透明電極層２８，３８のウエットエッチングのレジストとして兼用する。これにより、金属電極層２９，３９および透明電極層２８，３８のウエットエッチングのレジストの形成および除去の工程を削減することができ、太陽電池の製造プロセルの簡略化が可能である。

更に、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、酸化剤と塩酸との混合溶液を用いる必要がある、Ｃｕからなる金属電極層２９，３９のエッチングを行った後に、Ａｇからなるコンタクト電極５１，５２を形成し、その後、塩酸のみを用いて透明電極層２８，３８のエッチングを行う。これにより、以下に詳説するように、太陽電池１の性能の低下を抑制することができる。

第一に、金属電極層２９，３９のウエットエッチングのための酸化剤と塩酸との混合溶液に、Ａｇペーストからなるコンタクト電極５１，５２が触れることがない。その結果、上述した比較例１のように、Ａｇペーストからなるコンタクト電極５１，５２に浸入するエッチング溶液に起因する、Ｃｕの半導体基板１１への拡散がない。これにより、Ｃｕに起因する半導体基板１１のダメージが生じず、これに起因する太陽電池１の性能の低下を抑制することができる（信頼性）。

第二に、Ａｇからなるコンタクト電極５１，５２が、酸化剤と塩酸との混合溶液に触れることがなく、変性することがない。これにより、Ａｇからなるコンタクト電極５１，５２の変性に起因する、配線部材に対するコンタクト電極５１，５２のコンタクト性の低下がなく、これに起因する太陽電池１の性能の低下を抑制することができる（コンタクト性）。

このように、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、製造プロセスの簡略化および太陽電池の低コスト化を図っても、太陽電池の性能低下を抑制することができる。

（第２実施形態の太陽電池）
第１実施形態では、太陽電池の裏面上に配線部材が配置される形態について説明した。第２実施形態では、太陽電池の裏面上に配線部材が配置されない形態、すなわち太陽電池の裏面に絶縁層を配置せずともよい形態について説明する。

図６は、第２実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図であり、図７は、図６の太陽電池におけるVII－VII線断面図である。図６および図７に示す太陽電池１Ａも、裏面電極型（バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。）であってヘテロ接合型の太陽電池である。

太陽電池１Ａは、２つの主面を備える半導体基板１１を備え、半導体基板１１の主面（受光面および裏面）において第１領域７と第２領域８とを有する。

第１領域７は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部７ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部７ｂとを有する。バスバー部７ｂは、半導体基板１１の一方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部７ｆは、バスバー部７ｂから、第１方向に交差する第２方向（Ｙ方向）に延在する。

同様に、第２領域８は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部８ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部８ｂとを有する。バスバー部８ｂは、半導体基板１１の一方の辺部に対向する他方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部８ｆは、バスバー部８ｂから、第２方向（Ｙ方向）に延在する。

フィンガー部７ｆとフィンガー部８ｆとは、第２方向（Ｙ方向）に延在する帯状をなしており、第１方向（Ｘ方向）に交互に設けられている。

図７に示すように、太陽電池１Ａは、半導体基板１１の受光面側に順に積層されたパッシベーション層１３および光学調整層１５を備える。また、太陽電池１Ａは、半導体基板１１の裏面側の一部（第１領域７）に順に積層されたパッシベーション層２３、第１導電型半導体層２５および第１電極層２７Ａを備える。また、太陽電池１Ａは、半導体基板１１の裏面側の他の一部（第２領域８）に順に積層されたパッシベーション層３３、第２導電型半導体層３５および第２電極層３７Ａを備える。また、太陽電池１Ａは、第１電極層２７Ａに対応する第１コンタクト電極層５１Ａと、第２電極層３７Ａに対応する第２コンタクト電極層５２Ａとを備える。

第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部と、櫛歯の支持部に相当するバスバー部とを有する。バスバー部は、半導体基板１１の一方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部は、バスバー部から、第１方向に交差する第２方向（Ｙ方向）に延在する。

第１電極層２７Ａは、第１導電型半導体層２５上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。一方、第２電極層３７Ａは、第２導電型半導体層３５上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。すなわち、第１電極層２７Ａおよび第２電極層３７Ａは、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部と、櫛歯の支持部に相当するバスバー部とを有する。バスバー部は、半導体基板１１の一方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部は、バスバー部から、第１方向に交差する第２方向（Ｙ方向）に延在する。

第１電極層２７Ａは、第１導電型半導体層２５上に順に積層された第１透明電極層２８Ａおよび第１金属電極層２９Ａを有する。一方、第２電極層３７Ａは、第２導電型半導体層３５上に順に積層された第２透明電極層３８Ａおよび第２金属電極層３９Ａを有する。

第１透明電極層２８Ａおよび第２透明電極層３８Ａは、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物）、ＺｎＯ（Zinc Oxide：酸化亜鉛）等が挙げられる。

第１金属電極層２９Ａおよび第２金属電極層３９Ａは、金属材料として、公知のＡｇ粉末を含有する導電性ペースト材料と比較して安価なＣｕを含む。例えば、第１金属電極層２９Ａおよび第２金属電極層３９Ａは、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法を用いて形成される。

第１コンタクト電極層５１Ａは、第１金属電極層２９Ａ上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。第２コンタクト電極層５２Ａは、第２金属電極層３９Ａ上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。すなわち、第１コンタクト電極層５１Ａおよび第２コンタクト電極層５２Ａは、図６に示すように、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部と、櫛歯の支持部に相当するバスバー部とを有する。バスバー部は、半導体基板１１の一方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部は、バスバー部から、第１方向に交差する第２方向（Ｙ方向）に延在する。

第１コンタクト電極層５１Ａおよび第２コンタクト電極層５２Ａは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の粒子状の金属材料、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して硬化させてなる。これらの中でも、印刷材料としては、配線部材との接続のための半田とのコンタクト性の観点で、Ａｇペースト材料が好ましい。

図６に示すように、第１配線部材９１は、第１コンタクト電極層５１Ａを介して第１電極層２７Ａのバスバー部に電気的に接続される。一方、第２配線部材９２は、第２コンタクト電極層５２Ａを介して第２電極層３７Ａのバスバー部に電気的に接続される。

ここで、本願発明者（ら）は、このような太陽電池の低コスト化の目的で、金属電極層２９Ａ，３９Ａの材料として、比較的に高価な公知のＡｇペーストに代えて、比較的に安価な金属、例えばＣｕ（例えば、スパッタリング等のＰＶＤ法またはめっき法を用いて製膜後、ウエットエッチング）を用いることを考案している。なお、配線部材９１，９２とのコンタクト性を考慮し、金属電極層２９Ａ，３９Ａ上に、Ａｇペーストからなるコンタクト電極層５１Ａ，５２Ａを用いる。

また、本願発明者（ら）は、このような太陽電池の製造プロセルの簡略化の目的で、配線部材９１，９２とのコンタクトを確保するためのコンタクト電極層５１Ａ，５２Ａ（Ａｇペースト）を、金属電極層２９Ａ，３９Ａ（例えばＣｕ）および透明電極層２８Ａ，３８Ａのウエットエッチングのレジストとして兼用することを考案している。以下に、このような本願発明者（ら）の考案の太陽電池およびその製造方法について、比較例２として説明する。

（比較例２の太陽電池）
図９は、比較例２に係る太陽電池の断面図であって、図６におけるVII－VII線相当の断面図である。図９に示す比較例２の太陽電池１Ｙは、図７に示す太陽電池１Ａと比較して、主に、第１電極層２７Ｙの幅、すなわち第１金属電極層２９Ｙおよび第１透明電極層２８Ｙの幅が、第１コンタクト電極層５１Ｙの幅と同一または狭い点、および、第２電極層３７Ｙの幅、すなわち第２金属電極層３９Ｙおよび第２透明電極層３８Ｙの幅が、第２コンタクト電極層５２Ｙの幅と同一または狭い点で、第２実施形態と異なる。

（比較例２の太陽電池の製造方法）
以下では、図１０Ａ～図１０Ｂを参照して、比較例２の太陽電池の製造方法における電極層２７Ｙ，３７Ｙの製造プロセスについて主に説明する。比較例２の電極層２７Ｙ，３７Ｙの製造プロセスでは、コンタクト電極層５１Ｙ，５２Ｙを形成し、その後、コンタクト電極層５１Ｙ，５２Ｙをマスクとして、電極層２７Ｙ，３７Ｙ、すなわち金属電極層２９Ｙ，３９Ｙおよび透明電極層２８Ｙ，３８Ｙ、の同時パターニングを行う。

図１０Ａは、比較例２に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程、金属電極層材料膜形成工程およびコンタクト電極層形成工程を示す図であり、図１０Ｂは、比較例２に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。図１０Ａ～図１０Ｂでは、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。

まず、図１０Ａに示すように、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って一連の透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。次に、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法を用いて、透明電極層材料膜２８Ｚ上に、すなわち第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５に跨って一連の金属電極層材料膜２９Ｚを形成する（金属電極層材料膜形成工程）。

次に、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第１導電型半導体層２５上に、すなわち第１領域７に、第１コンタクト電極層５１Ｙを形成する。また、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第２導電型半導体層３５上に、すなわち第２領域８に、第２コンタクト電極層５２Ｙを形成する（コンタクト電極層形成工程）。なお、第１コンタクト電極層５１Ｙと第２コンタクト電極層５２Ｙとは、互いに離間するように形成される。

例えば、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、Ａｇ粒子、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料、すなわちＡｇペースト材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１コンタクト電極層５１Ｙおよび第２コンタクト電極層５２Ｙを形成する。

次に、図１０Ｂに示すように、第１コンタクト電極層５１Ｙおよび第２コンタクト電極層５２Ｙをマスクとするエッチング法を用いて、金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚを同時にパターニングすることにより、互いに分離された第１透明電極層２８Ｙおよび第２透明電極層３８Ｙ、および、互いに分離された第１金属電極層２９Ｙおよび第２金属電極層３９Ｙを形成する（透明電極層形成工程、金属電極層形成工程）。これにより、第１電極層２７Ｙおよび第２電極層３７Ｙが形成される。

金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚの同時エッチングのエッチング溶液としては、過硫酸アンモニウム（過硫安）等の酸化剤と塩酸（ＨＣｌ）との混合溶液が挙げられる。

本願発明者（ら）の知見によれば、この比較例２の太陽電池１Ｙの製造方法でも、太陽電池１Ｘの性能が低下してしまうことがある。これは以下のように考察される。

第一に、比較例１と同様に、金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚのウエットエッチングの際に、エッチング溶液がＡｇペーストからなるコンタクト電極層５１Ｙ，５２Ｙに浸入する。その後、アニールまたは使用環境下において加熱されると、コンタクト電極層５１Ｙ，５２Ｙに浸入したエッチング溶液が、Ｃｕからなる金属電極層２９Ｙ，３９Ｙおよび透明電極層２８Ｙ，３８Ｙを溶かす。すると、Ｃｕが、何らかの要因により半導体層２５，２３，３５，３３を介して（例えば局所的な欠陥等を介して）、半導体基板１１に拡散する。これにより、半導体基板１１にダメージが生じ、太陽電池１Ｙの性能が低下してしまうことが考えられる（信頼性）。

第二に、比較例１と同様に、金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚのエッチング溶液として酸化剤と塩酸との混合溶液が用いられるが、このエッチング溶液において、酸化剤の還元反応により塩酸から塩素が生成される。すると、この塩素によりＡｇペーストからなるコンタクト電極層５１Ｙ，５２Ｙが塩化銀に変性される。これにより、配線部材に対するコンタクト電極層５１Ｙ，５２Ｙのコンタクト性が低下し、太陽電池１Ｙの性能が低下してしまうことが考えられる（コンタクト性）。

この点に関し、本願発明者（ら）は、酸化剤と塩酸との混合溶液を用いる必要がある、Ｃｕからなる金属電極層のエッチングを行った後に、Ａｇからなるコンタクト電極層を形成し、その後、塩酸のみを用いて透明電極層のエッチングを行うことを考案する。

（第２実施形態の太陽電池の製造方法）
以下では、図８Ａ～図８Ｇを参照して、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。図８Ａは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における半導体層形成工程を示す図であり、図８Ｂは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程および金属電極層材料膜形成工程（電極層材料膜形成工程）を示す図である。また、図８Ｃは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における絶縁層形成工程を示す図であり、図８Ｄは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程（電極層形成工程）を示す図であり、図８Ｅは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における絶縁層除去工程を示す図である。また、図８Ｆは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極層形成工程を示す図であり、図８Ｇは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程（電極層形成工程）を示す図である。図８Ａ～図８Ｇでも、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。

まず、図８Ａに示すように、上述同様に、半導体基板１１の裏面側の一部に、具体的には第１領域７に、パッシベーション層２３および第１導電型半導体層２５を形成する（半導体層形成工程）。次に、上述同様に、半導体基板１１の裏面側の他の一部に、具体的には第２領域８に、パッシベーション層３３および第２導電型半導体層３５を形成する（半導体層形成工程）。なお、この半導体層形成工程において、半導体基板１１の受光面側の全面に、パッシベーション層１３を形成してもよい（図示省略）。

次に、図８Ｂに示すように、上述同様に、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って一連の透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。透明電極層材料膜２８Ｚの形成方法としては、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法等が用いられる。

次に、上述同様に、透明電極層材料膜２８Ｚ上に、すなわち第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５に跨って一連の金属電極層材料膜２９Ｚ（例えばＣｕ）を形成する（金属電極層材料膜形成工程）。金属電極層材料膜２９Ｚの形成方法としては、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法が用いられる。

次に、図８Ｃに示すように、上述同様に、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第１導電型半導体層２５上に、すなわち第１領域７に、第１絶縁層４１Ａを形成する。また、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第２導電型半導体層３５上に、すなわち第２領域８に、第２絶縁層４２Ａを形成する（絶縁層形成工程）。なお、第１絶縁層４１Ａと第２絶縁層４２Ａとは、互いに離間するように形成される。

第１絶縁層４１Ａおよび第２絶縁層４２Ａの形成方法としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スクリーン印刷法、インクジェット法、グラビアコーティング法、またはディスペンサー法等が挙げられる。これらの中でも、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１絶縁層４１Ａおよび第２絶縁層４２Ａを形成するとよい。

次に、図８Ｄに示すように、第１絶縁層４１Ａおよび第２絶縁層４２Ａをマスクとするエッチング法を用いて、第１絶縁層４１Ａと第２絶縁層４２Ａとの間における金属電極層材料膜２９Ｚの露出部分を除去することにより、第１領域７にパターン化された第１金属電極層２９Ａを形成し、第２領域８にパターン化された第２金属電極層３９Ａを形成する（金属電極層形成工程：電極層形成工程）。

金属電極層材料膜２９Ｚのエッチングのエッチング溶液としては、過硫酸アンモニウム（過硫安）等の酸化剤と塩酸（ＨＣｌ）との混合溶液が挙げられる。このとき、Ａｇからなるコンタクト電極層が形成されていないため、コンタクト電極層にエッチング溶液が含まれることがない。また、コンタクト電極層が変性することがない。

次に、図８Ｅに示すように、第１絶縁層４１Ａおよび第２絶縁層４２Ａを除去する。除去溶液としては、アセトンなどの有機溶剤または水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ溶液が挙げられる。

次に、図８Ｆに示すように、第１絶縁層４１Ａ上に第１コンタクト電極層５１Ａを形成し、第２絶縁層４２Ａ上に第２コンタクト電極層５２Ａを形成する（コンタクト電極層形成工程）。

第１コンタクト電極層５１Ａおよび第２コンタクト電極層５２Ａの形成方法としては、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法が挙げられる。パターン印刷法では、Ａｇ粒子、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料、すなわちＡｇペースト材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１コンタクト電極層５１Ａおよび第２コンタクト電極層５２Ａを形成する。

次に、図８Ｇに示すように、第１コンタクト電極層５１Ａおよび第１金属電極層２９Ａ、および第２コンタクト電極層５２Ａおよび第２金属電極層３９Ａをマスクとするエッチング法を用いて、第１金属電極層２９Ａと第２金属電極層３９Ａとの間における透明電極層材料膜２８Ｚの露出部分を除去することにより、第１領域７にパターン化された第１透明電極層２８Ａを形成し、第２領域８にパターン化された第２透明電極層３８Ａを形成する（透明電極層形成工程：電極層形成工程）。これにより、第１電極層２７Ａおよび第２電極層３７Ａが形成される。

透明電極層材料膜２８Ｚのエッチング溶液としては、塩酸（ＨＣｌ）が挙げられる。このとき、酸化剤と塩酸との混合溶液が用いられないため、Ｃｕからなる金属電極層２９Ａ，３９Ａを溶かすことがなく、Ｃｕが、何らかの要因により半導体層２５，２３，３５，３３を介して（例えば局所的な欠陥等を介して）、半導体基板１１に拡散することがない。そのため、半導体基板１１にダメージが生じることがない。また、コンタクト電極層５１Ａ，５２Ａが変性することがない。

その後、半導体基板１１の受光面側の全面に、光学調整層１５を形成する（図示省略）。以上の工程により、図６および図７に示す本実施形態の裏面電極型の太陽電池１Ａが得られる。

以上説明したように、本実施形態の太陽電池の製造方法でも、金属電極層２９Ａ，３９Ａの材料として、比較的に高価な公知のＡｇペーストに代えて、比較的に安価な金属、例えばＣｕ（例えば、スパッタリング等のＰＶＤ法またはめっき法を用いて製膜後、ウエットエッチング）を用いる。これにより、太陽電池１Ａの低コスト化が可能である。

更に、本実施形態の太陽電池の製造方法でも、酸化剤と塩酸との混合溶液を用いる必要がある、Ｃｕからなる金属電極層２９Ａ，３９Ａのエッチングを行った後に、Ａｇからなるコンタクト電極層５１Ａ，５２Ａを形成し、その後、塩酸のみを用いて透明電極層２８Ａ，３８Ａのエッチングを行う。これにより、以下に詳説するように、太陽電池１Ａの性能の低下を抑制することができる。

第一に、金属電極層２９Ａ，３９Ａのウエットエッチングのための酸化剤と塩酸との混合溶液に、Ａｇペーストからなるコンタクト電極層５１Ａ，５２Ａが触れることがない。その結果、上述した比較例２のように、Ａｇペーストからなるコンタクト電極層５１Ａ，５２Ａに浸入するエッチング溶液に起因する、Ｃｕの半導体基板１１への拡散がない。これにより、Ｃｕに起因する半導体基板１１のダメージが生じず、これに起因する太陽電池１Ａの性能の低下を抑制することができる（信頼性）。

第二に、Ａｇからなるコンタクト電極層５１Ａ，５２Ａが、酸化剤と塩酸との混合溶液に触れることがなく、変性することがない。これにより、Ａｇからなるコンタクト電極層５１Ａ，５２Ａの変性に起因する、配線部材に対するコンタクト電極層５１Ａ，５２Ａのコンタクト性の低下がなく、これに起因する太陽電池１Ａの性能の低下を抑制することができる（コンタクト性）。

このように、本実施形態の太陽電池の製造方法でも、太陽電池の低コスト化を図っても、太陽電池の性能低下を抑制することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、結晶シリコン系材料を用いた太陽電池１，１Ａの製造方法について例示した。しかし、本発明はこれに限定されず、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の種々の材料を用いた太陽電池の製造方法に適用可能である。

また、上述した実施形態では、ヘテロ接合型の太陽電池１，１Ａの製造方法について例示した。しかし、本発明はこれに限定されず、ホモ接合型の太陽電池等の種々の太陽電池の製造方法に適用可能である。

１，１Ａ，１Ｘ，１Ｙ 太陽電池
７ 第１領域
８ 第２領域
１１ 半導体基板
１３，２３，３３ パッシベーション層
１５ 光学調整層
２５ 第１導電型半導体層
２７，２７Ａ，２７Ｘ，２７Ｙ 第１電極層
２８，２８Ａ，２８Ｘ，２８Ｙ 第１透明電極層
２８Ｚ 透明電極層材料膜
２９，２９Ａ，２９Ｘ，２９Ｙ 第１金属電極層
２９Ｚ 金属電極層材料膜
３５ 第２導電型半導体層
３７，３７Ａ，３７Ｘ，３７Ｙ 第２電極層
３８，３８Ａ，３８Ｘ，３８Ｙ 第２透明電極層
３９，３９，３９Ｘ，３９Ｙ 第２金属電極層
４１，４１Ａ，４１Ｘ 第１絶縁層
４１ａ 第１非絶縁領域
４２，４２Ａ，４２Ｘ 第２絶縁層
４２ａ 第２非絶縁領域
５１，５１Ａ，５１Ｘ，５１Ｙ 第１コンタクト電極
５１Ａ，５１Ｙ 第１コンタクト電極層
５２，５２Ａ，５２Ｘ，５２Ｙ 第２コンタクト電極
５２Ａ，５２Ｙ 第２コンタクト電極層
９１，９１Ａ 第１配線部材
９２，９２Ａ 第２配線部材
Ｘ１ 第１直線
Ｘ２ 第２直線

Claims (10)

1. 半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、
   前記半導体基板の前記一方主面側における前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の上に、一連の透明電極層材料膜を形成する透明電極層材料膜形成工程と、
   前記透明電極層材料膜の上に、一連の金属電極層材料膜であって、銅を含む前記金属電極層材料膜を形成する金属電極層材料膜形成工程と、
   前記第１領域における前記金属電極層材料膜を第１非絶縁領域を除いて全体的に覆う第１絶縁層、および、前記第２領域における前記金属電極層材料膜を第２非絶縁領域を除いて全体的に覆う第２絶縁層であって、互いに離間する前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をマスクとするエッチング法を用いて、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間における、および前記第１非絶縁領域および前記第２非絶縁領域における、前記金属電極層材料膜の露出部分を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１金属電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２金属電極層を形成し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を除去せずに残す金属電極層形成工程と、
   前記第１非絶縁領域における前記透明電極層材料膜の上に、前記第１金属電極層の側面および前記第１絶縁層の側面と接するように第１コンタクト電極を形成し、前記第２非絶縁領域における前記透明電極層材料膜の上に、前記第２金属電極層の側面および前記第２絶縁層の側面と接するように第２コンタクト電極を形成するコンタクト電極形成工程と、
   前記第１絶縁層および前記第１コンタクト電極、および前記第２絶縁層および前記第２コンタクト電極をマスクとするエッチング法を用いて、前記透明電極層材料膜の露出部分を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１透明電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２透明電極層を形成し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を除去せずに残す透明電極層形成工程と、
   を含む、太陽電池の製造方法。
2. 前記コンタクト電極形成工程では、粒子状の金属材料、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して硬化させることにより、前記第１コンタクト電極および前記第２コンタクト電極を形成する、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
3. 前記印刷材料は、粒子状の銀材料を含む銀ペーストである、請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
4. 前記金属電極層形成工程では、エッチング溶液として酸化剤と塩酸との混合溶液を用い、
   前記透明電極層形成工程では、エッチング溶液として塩酸を用いる、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
5. 半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池であって、
   前記第１金属電極層を第１非絶縁領域を除いて全体的に覆うように前記第１領域に形成された第１絶縁層と、
   前記第２金属電極層を第２非絶縁領域を除いて全体的に覆うように前記第２領域に形成された第２絶縁層と、
   前記第１非絶縁領域に形成された第１コンタクト電極と、
   前記第２非絶縁領域に形成された第２コンタクト電極と、
   を備え、
   前記第１金属電極層および前記第２金属電極層は、銅を含み、
   前記第１非絶縁領域には、前記第１透明電極層が形成されており、前記第１金属電極層が形成されておらず、
   前記第２非絶縁領域には、前記第２透明電極層が形成されており、前記第２金属電極層が形成されておらず、
   前記第１コンタクト電極は、前記第１透明電極層の主面、前記第１金属電極層の側面および前記第１絶縁層の側面と接しており、
   前記第２コンタクト電極は、前記第２透明電極層の主面、前記第２金属電極層の側面および前記第２絶縁層の側面と接している、
   太陽電池。
6. 前記第１コンタクト電極および前記第２コンタクト電極は、粒子状の銀を含む、請求項５に記載の太陽電池。
7. 半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、
   前記半導体基板の前記一方主面側における前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の上に、一連の透明電極層材料膜を形成する透明電極層材料膜形成工程と、
   前記透明電極層材料膜の上に、一連の金属電極層材料膜であって、銅を含む前記金属電極層材料膜を形成する金属電極層材料膜形成工程と、
   前記第１領域における前記金属電極層材料膜を全体的に覆う第１絶縁層、および、前記第２領域における前記金属電極層材料膜を全体的に覆う第２絶縁層であって、互いに離間する前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をマスクとするエッチング法を用いて、前記金属電極層材料膜の露出部分を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１金属電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２金属電極層を形成し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を除去する金属電極層形成工程と、
   前記第１金属電極層の上に、第１コンタクト電極層を形成し、前記第２金属電極層の上に、第２コンタクト電極層を形成するコンタクト電極層形成工程と、
   前記第１コンタクト電極層および前記第１金属電極層、および前記第２コンタクト電極層および前記第２金属電極層をマスクとするエッチング法を用いて、前記透明電極層材料膜の露出部分を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１透明電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、
   を含む、太陽電池の製造方法。
8. 前記コンタクト電極層形成工程では、粒子状の金属材料、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して硬化させることにより、前記第１コンタクト電極層および前記第２コンタクト電極層を形成する、請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
9. 前記印刷材料は、粒子状の銀材料を含む銀ペーストである、請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
10. 前記金属電極層形成工程では、エッチング溶液として酸化剤と塩酸との混合溶液を用い、
    前記透明電極層形成工程では、エッチング溶液として塩酸を用いる、
    請求項７～９のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。

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