JP7451085B2 - チップスケール線状発光装置 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本願は、２０１８年３月２３日出願の台湾特許出願第１０７１１０３９０号、および、２０１８年３月２６日出願の中国特許出願第２０１８１０２５４４６７．７号の優先権およびその利益を主張するものであり、それら出願の全体を参照することにより、それらの開示事項を本開示に取り込む。

（技術分野）
本開示は、発光装置、特に、一様に分布する線状の放射パターンを有する、チップスケール線状発光装置に関する。

テレビやスマートフォン向けの液晶表示装置（ＬＣＤ）の、エッジライト型のバックライトモジュールや直下型のバックライトモジュールに、発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられている。エッジライト型のバックライトモジュールは、一般に、導光板とＬＥＤライトバーを含む。ＬＥＤライトバーは、導光板の１つの側面（以降、光入射面と呼ぶ）の傍らに配置されている。ＬＥＤライトバーは、導光板の光入射面に向けて、光線を出射することができる。具体的には、ＬＥＤライトバーは、線状のプリント回路基板（ＰＣＢ）のような線状のサブマウント基板、および、サブマウント基板上に配置される複数のＬＥＤを含む。ＬＥＤは、サブマウント基板と電気的に接続されており、相互に所定のピッチ距離で保持されている。ＬＥＤがサブマウント基板上に不連続に配置されるため、線状のライトバーは、ＬＥＤの間隙でより弱い光線強度を有する。言い換えれば、ＬＥＤライトバーによって提供される光線の強度は、ライトバーの長さ方向に沿って、連続的ではなく、均一に分布していない。そのため、暗領域または暗点が、導光板上に生じる。暗領域は、導光板の光強度の均一性に影響を与える。

導光板の暗領域を改善するために、ＬＥＤライトバーと有効表示領域の境界との間の距離（たとえば、光ミキシング距離）は、十分に大きくすべきである。しかし、電気製品のディスプレイは、より薄くそしてベゼルのないディスプレイを目指して設計されるため、バックライトモジュール向けの光ミキシング距離は制限されうる。ＬＥＤライトバーと有効表示領域の境界との間の光ミキシング距離を小さくすれば、導光板の暗領域は、より目立つようになる。

一方、バックライトモジュールの厚みは、ますます薄くなるよう要求されている。より薄いバックライトモジュールのためには、ＬＥＤライトバーに含まれるＬＥＤ半導体チップがトップビュー構造（たとえば、その主発光面と電極面とが相互に平行になるように配置されている）である場合、ＬＥＤ半導体チップは、トップビュー型のＬＥＤ半導体チップの主発光上面が、薄い導光板の光入射面と対面するような向きで配置されるべきである。この構成では、小型化されたＬＥＤライトバーモジュールを、薄い導光板の光入射面に正確に位置合わせすることは困難であり、結果として光漏れが生じる。

この観点から、ベゼルのないディスプレイ向けのより薄いバックライトモジュールに使われる際に、ＬＥＤライトバーを、線状で均一な光線分布を有する小型のＬＥＤライトバーに維持し、かつ、導光板の暗領域を改善するための、有効な解決法が、ＬＥＤ産業では依然として望まれている。

本開示のいくつかの実施形態の１つの目的は、線状で均一に分布する光放射パターンをもつ光を出射するように構成されるチップスケール線状発光装置を提供することにある。本開示のいくつかの実施形態の他の目的は、線状発光装置がバックライトモジュールの光源として使われるときに、導光板上の暗領域の発生を効果的に最小化し、または、低減することにある。本開示のいくつかの実施形態の他の目的は、線状発光装置がサイドビュー型の発光装置となるように、線状発光装置の主発光面をＬＥＤ半導体チップの一組の電極と直交するように構成することにある。これにより、サイドビュー型の線状発光装置と導光板とを、容易に、バックライトモジュールに配置して、光漏れを避けることができる。

上記目的を達成するために、サイドビュー型のチップスケール線状発光装置は、サブマウント基板と、サブマウント基板上に配置される複数のフリップチップ型のＬＥＤ半導体チップと、チップスケールパッケージ構造体と、反射構造体と、を含む。サブマウント基板は基板上面を含み、相互に直交する第１および第２の水平方向が当該基板上面に規定される。複数のフリップチップ型のＬＥＤ半導体チップは、第１の水平方向に沿って、サブマウント基板の基板上面上に配置される。ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、チップ上面に対向するチップ下面、第１チップ端面、第２チップ端面、および、一組の電極、を含む。第１チップ端面および第２チップ端面は、ほぼ平行に、相互に対向または相対して配置され、そして、第２の水平方向に沿って離間される。チップ端面各々は、チップ上面およびチップ下面とつながっている。一組の電極は、チップ下面に接して、または、その近くに配置される。チップスケールパッケージ構造体は、サブマウント基板の基板上面上に配置され、ＬＥＤ半導体チップの第２チップ端面を覆っている。そのパッケージ構造体は、パッケージ上面および主発光側面を含む。主発光側面およびＬＥＤ半導体チップの第２チップ端面は、ほぼ平行に、第２水平方向に沿って配置され、互いに対向または相対し、相互に離間され、ＬＥＤ半導体チップの電極とほぼ直交している。反射構造体は、サブマウント基板の基板上面上に配置され、ＬＥＤ半導体チップの第１チップ端面およびチップ上面、ならびに、チップスケールパッケージ構造体のパッケージ上面を覆っている。しかし、ＬＥＤ半導体チップの第２チップ端面およびチップスケールパッケージ構造体の主発光側面は、反射構造体から露出している。

上記目的を達成するために、本開示のいくつかの実施形態によるバックライトモジュールは、上記のサイドビュー型のチップスケール線状発光装置と導光板とを含む。導光板は、光入射面、光出射面、導光裏面、および、反射層、を含む。光入射面は、チップスケール線状発光装置の主発光側面と向かい合っており、光出射面および導光裏面とつながっている。反射層は、導光裏面上に配置されている。

上記目的を達成するために、本開示のいくつかの実施形態による、他のトップビュー型のチップスケール線状発光装置は、サブマウント基板と、サブマウント基板上に配置される複数のフリップチップ型のＬＥＤ半導体チップと、チップスケールパッケージ構造体と、反射構造体と、を含む。サブマウント基板は、相互に直交する第１および第２の水平方向、ならびに、法線方向を規定する基板上面を含む。複数のフリップチップ型のＬＥＤ半導体チップは、第１の水平方向に沿って、サブマウント基板の基板上面上に配置される。ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、チップ上面と対向するチップ下面、複数のチップ端面、および、一組の電極、を有する。チップ端面は、チップ上面およびチップ下面とつながっている。一組の電極は、チップ下面に接して、または、その近くに配置される。チップスケールパッケージ構造体は、サブマウント基板の基板上面上に配置され、ＬＥＤ半導体チップのチップ上面および／またはチップ端面を覆っている。チップスケールパッケージ構造体は、主発光上面および複数のパッケージ側面を含む。その主発光上面、ＬＥＤ半導体チップのチップ上面、および、一組の電極は、法線方向に沿ってほぼ平行に配置され、互いに対向または相対し、相互に離間される。反射構造体は、サブマウント基板の基板上面上に配置され、第１および第２の水平方向に沿って、ＬＥＤ半導体チップのチップ端面およびチップスケールパッケージ構造体を覆うが、ＬＥＤ半導体チップのチップ上面およびチップスケールパッケージ構造体の主発光上面を露出する。

上記目標を達成するために、本開示のいくつかの実施形態によるバックライトモジュールは、上記のトップビュー型のチップスケール線状発光装置と導光板とを含む。導光板は、光入射面、光出射面、導光裏面、および、反射層、を含む。光入射面は、チップスケール線状発光装置の主発光上面と向い合い、光出射面および導光裏面とつながっている。反射層は、導光裏面上に配置されている。

これにより、ＬＥＤ半導体チップから発せられる一次光が反射構造体により反射され、ＬＥＤ半導体チップの間の領域に向かうように、反射構造体の間に、連続的で線状の光ミキシング光学的空間が形成される。このため、主発光側面（または主発光上面）が均一に放射され、線状に分布する光放射パターンをもつ、均一な光線を生成することができる。線状発光装置が導光板と組み合わせて用いられ、バックライトモジュールを構成するとき、線状に分布する光放射パターンをもつ光線は、導光板の光入射面により均一に到達し、光入射面の暗領域の発生を減小、または改善することができる。

一方、線状発光装置は、主発光側面から光線を放射する、サイドビュー型のチップスケール線状発光装置となり、サイドビュー型のバックライトモジュール向けに用いられる可能性がある。最小化されたＬＥＤライトバーおよび薄い導光板は、正確に配置することができ、光漏れを防ぐことができる。

本開示のその他の態様および実施形態を考慮することもできる。前述の概要および以下の詳細な説明は、本開示を特定の実施形態に限定することを意味するものではなく、単に本開示のいくつかの実施形態を説明することを意味するものである。

図１Ａは、本開示の第１の実施形態によるチップスケール線状発光装置の側面図である。 図１Ｂは、本開示の第１の実施形態によるチップスケール線状発光装置の正面図である。 図１Ｃは、図１Ａに示されるチップスケール線状発光装置の断面図である。 図１Ｄは、本開示の第１の実施形態によるチップスケール線状発光装置の、他の変形例の実施形態を示している断面図である。 図１Ｅは、本開示の第１の実施形態によるチップスケール線状発光装置の、他の変形例の実施形態を示している正面図である。 図１Ｆは、本開示の第１の実施形態によるチップスケール線状発光装置の、他の変形例の実施形態を示している断面図である。 図２Ａは、図１Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図２Ｂは、図１Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図２Ｃは、図１Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図２Ｄは、図１Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図２Ｅは、図１Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図３Ａは、本開示の第２の実施形態によるチップスケール線状発光装置の側面図である。 図３Ｂは、本開示の第２の実施形態によるチップスケール線状発光装置の正面図である。 図３Ｃは、本開示の第２の実施形態によるチップスケール線状発光装置の、他の変形例の実施形態を示している正面図である。 図４は、図３Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図５Ａは、本開示の第３の実施形態によるチップスケール線状発光装置の側面図である。 図５Ｂは、本開示の第３の実施形態によるチップスケール線状発光装置の断面図である。 図５Ｃは、本開示の第３の実施形態によるチップスケール線状発光装置の、他の変形例の実施形態を示している断面図である。 図６Ａは、図５Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図６Ｂは、図５Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図６Ｃは、図５Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図６Ｄは、図５Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図６Ｅは、図５Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図７Ａは、本開示の第４の実施形態によるチップスケール線状発光装置の側面図である。 図７Ｂは、本開示の第４の実施形態によるチップスケール線状発光装置の断面図である。 図８Ａは、図７Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図８Ｂは、図７Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図８Ｃは、図７Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図８Ｄは、図７Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図９Ａは、本開示の第５の実施形態によるチップスケール線状発光装置の上面図である。 図９Ｂは、本開示の第５の実施形態によるチップスケール線状発光装置の側面図である。 図９Ｃは、本開示の第５の実施形態によるチップスケール線状発光装置の断面図である。 図９Ｄは、本開示の第５の実施形態によるチップスケール線状発光装置の、他の変形例の実施形態を示している断面図である。 図９Ｅは、本開示の第５の実施形態によるチップスケール線状発光装置の、他の変形例の実施形態を示している断面図である。 図１０Ａは、図９Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図１０Ｂは、図９Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図１０Ｃは、図９Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図１１Ａは、本開示の第６の実施形態によるチップスケール線状発光装置の側面図である。 図１１Ｂは、本開示の第６の実施形態によるチップスケール線状発光装置の上面図である。 図１１Ｃは、本開示の第６の実施形態によるチップスケール線状発光装置の断面図である。 図１２は、図１１Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図１３Ａは、本開示の第７の実施形態によるチップスケール線状発光装置の断面図である。 図１３Ｂは、本開示の第７の実施形態によるチップスケール線状発光装置の断面図である。 図１４Ａは、図１３Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図１４Ｂは、図１３Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図１４Ｃは、図１３Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図１４Ｄは、図１３Ａに示されるチップスケール線状発光装置の作製段階を示している概略図である。 図１５Ａは、本開示の実施形態によるバックライトモジュールの側面図である。 図１５Ｂは、本開示の実施形態によるバックライトモジュールの上面図である。 図１６Ａは、本開示の他の実施形態による他のバックライトモジュールの側面図である。 図１６Ｂは、本開示の他の実施形態による他のバックライトモジュールの上面図である。

以下の定義は、本開示のいくつかの実施形態に関して記載された技術的側面のいくつかに適用される。これらの定義は、本明細書の中でも、詳説されるかもしれない。

本明細書で使用されるとき、単数の用語は、文脈上他に明確に指示されない限り、複数の指示対象を含んでいてもよい。したがって、例えば、単一の層への言及は、文脈が明らかに他のことを指示しない限り、複数の層を含みうる。

本明細書で使用されるとき、用語「一組」は、１つ以上の構成要素の集合を指す。したがって、例えば、一組の層は、単一の層または複数の層を含みうる。ひとまとまりの構成要素は、そのまとまりのメンバーと呼ぶこともできる。ひとまとまりの構成要素は、同じものでも異なっていてもよい。場合によっては、ひとまとまりの構成要素は、１つ以上の共通の特性を有していてもよい。

本明細書で使用されるとき、用語「隣接」は、近接していることまたは隣接していることを指す。隣接する構成要素は、互いに、離間されていてもよいし、実質的に、または、直接的に、接触していてもよい。場合によって、隣接する構成要素は、互いに、接続していてもよいし、一体的に形成されていてもよい。いくつかの実施形態の説明において、一方の構成要素の「上」に供される他方の構成要素とは、当該一方の構成要素が、当該他方の構成要素の上に直接存在する（たとえば物理的に直接接する）場合も、それらの構成要素の間に、１つ以上の介在構成要素が配置される場合も、含んでよい。いくつかの実施形態の説明において、一方の構成要素の「下」に供される他方の構成要素とは、当該一方の構成要素が、当該他方の構成要素の下に直接存在する（たとえば物理的に直接接する）場合も、それらの構成要素の間に、１つ以上の介在構成要素とが配置される場合も、含んでよい。

本明細書で使用されるとき、用語「接続する」、「接続された」および「接続」は、操作可能な結合ないし連結を指す。接続された構成要素は、互いに、直接的に結合していてもよいし、他の構成要素を介在させるなどして、間接的に結合していてもよい。

本明細書で使用されるとき、用語「約」、「実質的に（ほぼ）」および「実質的な」は、考慮すべき程度または限度を指す。ある事象または状況、たとえば、本明細書に記載される製造方法について典型的な許容誤差レベルを説明するような事象または状況、に関連して用いられる際に、それらの用語は、その事象または状況が誤差なしに実現した場合、または、だいたい近い範囲で実現した場合、を意味しうる。たとえば、数値に関連して用いられる際には、それらの用語は、その数値の±１０％以下の変動範囲を含みうる。たとえば、±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、または±０．０５％以下を含んでいる。たとえば、「実質的に（ほぼ）」透明とは、可視光領域の少なくとも一部または全体にわたって、少なくとも７０％以上の光透過率を意味しうる。たとえば、少なくとも７５％以上、８０％以上、８５％以上、または９０％以上の光透過率を意味している。また、「実質的に（ほぼ）」平坦とは、同一平面上に並べられた、２０μｍ以内の２つの表面を意味しうる。たとえば、同一平面上に並べられた、１０μｍ以内または５μｍ以内の表面段差を意味している。また、「実質的に（ほぼ）」平行とは、０°に対して角度誤差±１０°以内の範囲を意味し得る。たとえば、±５°、±４°、±３°、±２°、±１°、±０．５°、±０．１°、または±０．０５°以内の範囲を意味している。また、「実質的に（ほぼ）」直交とは、９０°に対して角度誤差±１０°以内の範囲を意味しうる。たとえば、±５°、±４°、±３°、±２°、±１°、±０．５°、±０．１°、または±０．０５°以内の範囲を意味している。

フォトルミネセンスに関して本明細書で使用されるとき、用語「効率」または「量子効率」は、入力光子の数に対する出力光子の数の比を指す。

本明細書で使用されるとき、用語「サイズ」は、特徴的な寸法を指す。球形の物体（例えば粒子）の場合、物体の大きさはその直径を指しうる。非球形の物体の場合、非球形の物体の大きさは、対応する球形の物体の直径を指しうる。ここで、対応する球状の物体は、特定の組の、計算可能で測定可能な特性であって、非球形の物体の特性とほぼ同じ特性を示し、または有する。一組の物体を特定のサイズを有するものとして指すとき、それらの物体は、当該サイズの周辺のサイズの分布を有しうると考えられる。したがって、本明細書で使用されるとき、一組の物体のサイズは、平均サイズ、中央サイズまたは最頻サイズのような、サイズの分布の典型サイズを意味しうる。

図１Ａ～図１Ｃに示されるものは、本開示の第１の実施形態によるチップスケール線状発光装置１０Ａの、側面断面図、正面図および正面断面図である。線状発光装置１０Ａは、導光板２０（図１５Ａ，図１５Ｂ，図１６Ａおよび図１６Ｂに示されるような）の光入射面２１上にできる暗領域を減らすために、線状で均一に分布する光放射パターンを提供することができる。線状発光装置１０Ａは、線状で矩形のサブマウント基板１１、複数のＬＥＤ半導体チップ１２、チップスケールパッケージ構造体１３（以降、パッケージ構造体１３として参照される）、および、反射構造体１４、を含みうる。各構成要素の技術的詳細は、次の順番で説明される。

サブマウント基板１１は、線状発光装置１０Ａの他の構成要素をその上に配置できるように供される。また、光線がサブマウント基板１１を通って漏出するのを防ぐために良好な反射器になっていてもよい。サブマウント基板１１は、ＰＣＢ、セラミック基板、ガラス基板、または、メタルコアＰＣＢのような基板タイプを含んでいてよく、本実施形態のサブマウント基板１１は、たとえば、ＰＣＢである。サブマウント基板１１の形状は、長い帯状の基板であってよく、矩形状の基板上面１１１を含みうる。第１の水平方向Ｄ_１（以降、水平方向Ｄ_１として参照される）および第２の水平方向Ｄ_２（以降、水平方向Ｄ_２として参照される）が、基板上面１１１上に規定される。また、水平方向Ｄ_１，Ｄ_２は、相互に直交している。水平方向Ｄ_１は、基板上面１１１の長さ方向に沿う。水平方向Ｄ_２は、基板上面１１１の幅方向に沿う。さらに、水平方向Ｄ_１，Ｄ_２は、ともに、基板上面１１１の法線方向（厚み方向）Ｄ_３と直交する。

複数のＬＥＤ半導体チップ１２は、基板上面１１１に、水平方向Ｄ_１に沿って、相互に隣接して配置され、また、互いに離間されて、線状のＬＥＤ半導体チップアレイを構成する。ＬＥＤ半導体チップ１２の各々は、フリップチップ型のＬＥＤ半導体チップであってよく、チップ上面１２１、チップ下面１２２、複数のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４、および、一組の電極１２４からなる。具体的に、チップ端面は、第１チップ端面１２３１、第２チップ端面１２３２、第３チップ端面１２３３、第４チップ端面１２３４を含む。ＬＥＤ半導体チップ１２のエレクトロルミネッセント層（不図示）は、チップ下面１２２の近くであって一組の電極１２４の上方に配置される。エレクトロルミネッセント層、チップ上面１２１およびチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４によって画定される空間には、光学的に透明な基板材料（たとえばサファイア）が含まれる。フリップチップ型のＬＥＤ半導体チップ１２の高さ（チップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４の高さに対応する）は、約０．３ｍｍ、約０．２ｍｍまたは約０．１ｍｍのチップスケールサイズ以下である。

チップ上面１２１およびチップ下面１２２は、対向して配置される。また、チップ上面１２１およびチップ下面１２２は、長方形か正方形であってよい。２つのチップ端面１２３１，１２３２は、水平方向Ｄ_１に沿って、相互にほぼ平行に並べられる。また、互いに対向し、または向かい合い、水平方向Ｄ_２に沿って相互に離間されている。他の２つのチップ端面１２３３，１２３４は、水平方向Ｄ_１に沿って、対向して配置されるか、または互いに向かい合っている。チップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４は、相互につながって、環状（たとえば矩形リング）を構成する。また、チップ上面１２１およびチップ下面１２２につながって、それらの間に延在している。言い換えれば、チップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４は、チップ上面１２１の縁およびチップ下面１２２の縁に沿って形成されている。

一組の電極１２４は、チップ下面１２２に配置され、一組の電極１２４およびチップ下面１２２は、ＬＥＤ半導体チップ１２の下部電極面を構成しうる。一組の電極１２４は、正極および負極を含む、少なくとも２つの電極を含む。これによって、電気エネルギーが、電極を通して、ＬＥＤ半導体チップ１２に供給され、一次光（たとえば青色光）を発することができる。さらに、ＬＥＤ半導体チップ１２がフリップチップ型であるため、チップ上面１２１が電極で構成されない。また、ＬＥＤ半導体チップ１２によって発せられた一次光が、チップ上面１２１およびチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４のいずれかから外部に放射されうる。つまり、ＬＥＤ半導体チップ１２は、５面発光源である。また、一組の電極１２４は、たとえば、サブマウント基板１１の基板上面１１１上の金属ワイヤや導電ビアなど（不図示）を通して、基板上面１１１上のボンディングパッドに電気的に接続される。

パッケージ構造体１３は、サブマウント基板１１の基板上面１１１に配置され、少なくともＬＥＤ半導体チップ１２の第２チップ端面１２３２を覆っている。言い換えれば、パッケージ構造体１３は、少なくとも第２チップ端面１２３２の側方に形成され、チップ端面１２３２と接するか、または離間されている。パッケージ構造体１３の高さは、チップ端面１２３２の高さ以上である。本実施形態において、パッケージ構造体１３は、直接に接して、チップ端面１２３２を覆っている。さらに、ＬＥＤ半導体チップ１２の他のチップ端面１２３１，１２３３，１２３４も覆っていてよい（図１Ｄに示されるように）。言い換えれば、パッケージ構造体１３は、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１およびチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を覆ってよく、それら表面を直接覆ってよい。さらに、水平方向Ｄ_１に沿う左右側に位置する２つのＬＥＤ半導体チップ１２（もっとも左のＬＥＤ半導体チップ１２ともっとも右のＬＥＤ半導体チップ１２）のチップ端面１２３３，１２３４は、後述されるようにパッケージ構造体１３によって覆われておらず、反射構造体１４によって覆われていてもよい。

パッケージ構造体１３は、パッケージ上面１３１および主発光側面１３２（以降、発光側面１３２として参照される）を含む。ＬＥＤ半導体チップ１２によって発せられた一次光は、パッケージ構造体１３を透過し、発光側面１３２を通って外部に出射される。発光側面１３２およびＬＥＤ半導体チップ１２の第２チップ端面１２３２は、水平方向Ｄ_１に沿って相互にほぼ平行に配置される。また、互いに対向し、または、向かい合い、水平方向Ｄ_２に沿って相互に離間されている。言い換えれば、水平方向Ｄ_２に沿って、発光側面１３２が、チップ端面１２３２に直接接することなく、その外側に位置づけられる。発光側面１３２は、チップ端面１２３２とほぼ平行であり、つまり、その２つの表面は、相互に平行になるように設計される。しかし、作製工程の精度や誤差によって、その２つの表面は多少傾いていてもよい。多少の傾きがあっても、発光側面１３２およびチップ端面１２３２は、相互にほぼ平行と考えられる。

また、発光側面１３２は、ＬＥＤ半導体チップ１２の下部電極面（一組の電極１２４またはチップ下面１２２）またはサブマウント基板１１の基板上面１１１とほぼ直交している。つまり、発光側面１３２および下部電極面（または基板上面１１１）は、垂直に作製されるように設計される。しかし、作製工程の精度や誤差のような要因によって、発光側面１３２は、下部電極面に対して多少傾いていてもよい。そのような多少の傾きがあっても、発光側面１３２および下部電極面は、相互にほぼ垂直と見なされる。

さらに、パッケージ構造体１３のサイズは、チップスケール程度であり、つまり、ＬＥＤ半導体チップアレイのサイズ程度である。たとえば、パッケージ構造体１３の発光側面１３２の高さ（垂直方向Ｄ_３に沿う寸法）は、ＬＥＤ半導体チップアレイの高さ以上である（たとえば上限約６倍まで、上限約３倍まで、上限約２倍まで、または、上限約１．２倍まで）。パッケージ構造体１３の発光側面１３２の高さは、約１ｍｍ以下、約０．５ｍｍ以下、約０．３ｍｍ以下、または約０．２ｍｍ以下である。

ＬＥＤ半導体チップ１２の数が多くなる（たとえば３つ以上）場合、Ｄ_１方向における発光側面１３２の長さは、Ｄ_３方向における高さよりもだいぶ大きく、（図１Ｂに示すように）発光側面１３２は長細い長方形となる。

パッケージ構造体１３は、ＬＥＤ半導体チップ１２によって発せられた一次光（たとえば青色光）の一部を二次光および／または三次光（たとえば緑色光および／または赤色光）に変換することができるフォトルミネッセント要素１３Ａを含みうる。フォトルミネッセント要素１３Ａは、たとえば、透光性樹脂材料と、フォトルミネッセント材料（蛍光体粉末または量子ドット）と、を含みうる。フォトルミネッセント要素１３Ａは、ＬＥＤ半導体チップ１２の第２チップ端面１２３２を直接覆っていてよい。

反射構造体１４は、ＬＥＤ半導体チップ１２によって発せられた一次光を反射・遮光し、一次光をパッケージ構造体１３の発光側面１３２の方へ導光することができる。反射構造体１４は、材料組成として、光散乱粒子を分散させた透光性樹脂材料から構成されうる。透光性樹脂材料は、たとえば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）、エポキシモールドコンパウンド（ＥＭＣ）、シリコーンゴム等でありうる。また、光散乱粒子は、たとえば、二酸化チタン、窒化ホウ素、二酸化ケイ素もしくは酸化アルミニウム、または他のセラミック粒子でありうる。

反射構造体１４は、サブマウント基板１１の基板上面１１１上に配置され、ＬＥＤ半導体チップアレイ１２の複数の第１チップ端面１２３１および複数のチップ上面１２１を覆う。また、パッケージ構造体１３のパッケージ上面１３１も覆うが、ＬＥＤ半導体チップ１２の第２チップ端面１２３２およびパッケージ構造体１３の発光側面１３２を露出する。言い換えれば、反射構造体１４は、それら表面を、直接または間接に覆っていてよく、それら覆われた表面に向かって出射された一次光を反射・遮光することができる。ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３２およびパッケージ構造体１３の発光側面１３２は、反射構造体１４によって覆われていない。一次光および／またはパッケージ構造体１３によって波長変換された二次光は、発光側面１３２から出射され、線状発光装置１０Ａにより外部に放射される光線Ｌを有する線状光源を構成しうる。

この実施形態において、パッケージ構造体１３はＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を覆わず、反射構造体１４が、チップ上面１２１およびパッケージ構造体１３のパッケージ上面１３１を直接覆っている。図１Ｄに示されるような他の変形例の実施形態において、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１が、パッケージ構造体１３に直接覆われており、反射構造体１４が、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を間接に覆っている。他の変形例の実施形態（不図示）において、パッケージ構造体１３は、複数の第２チップ端面１２３２に一斉に形成される。反射構造体１４は、パッケージ構造体１３のパッケージ上面１３１およびＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を直接覆い、同じように、第１チップ端面１２３１も直接覆う。一方で、水平方向Ｄ_１において、反射構造体１４は、直接または間接に、ＬＥＤ半導体チップアレイの左側および右側における２つのＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３３，１２３４を覆う。

これによって、ＬＥＤ半導体チップ１２によって発せられた一次光（たとえば青色光）がパッケージ構造体１３（フォトルミネッセント要素１３Ａ）に達した後、一次光の一部の波長はフォトルミネッセント要素１３Ａを介して変換され（たとえば黄色光）、一次光の他の部分の波長は同じままである。２種の光線（青と黄）は合成され、白色光線Ｌ（図１Ａにおいて破線の矢印によって表される）を構成する。さらに、ＬＥＤ半導体チップ１２からチップ上面１２１およびチップ端面１２３１，１２３３，１２３４に向かって出射される一次光は、反射構造体１４によって反射して戻され、反射構造体１４によって覆われていない発光側面１３２に導光される。言い換えれば、チップ端面１２３２から出射された合成された一次光およびパッケージ構造体１３を介した波長変換された二次光は、発光側面１３２から外部に放射される。

ＬＥＤ半導体チップ１２からの一次光および／またはパッケージ構造体１３により変換された二次光が、反射構造体１４およびサブマウント基板１１によって覆われていない発光側面１３２から選択的に出ていけることがわかる。言い換えれば、線状発光装置１０Ａによって放射される光線Ｌは、主に、横方向に出射される。これにより、線状の放射パターンを有する、サイドビュー型の線状発光装置を形成することができる。

一方で、反射構造体１４は、一次光の一部が、水平方向Ｄ_１に沿う２つの隣接するＬＥＤ半導体チップ１２の間から出射するように導光する。つまり、一次光は、第３および第４チップ端面１２３３，１２３４を通して外部へ出射される。したがって、光線Ｌは、チップ端面１２３２と向い合う発光側面１３２に対応する領域、そしてまた、２つの隣接するＬＥＤ半導体チップ１２のいずれかの間の発光側面１３２に対応する領域、から外部に放射される。このため、２つの隣接するＬＥＤ半導体チップ１２のいずれかの間の領域からも、合成光による光線Ｌが出射する。言い換えれば、発光側面１３２から光線Ｌを出射させ、ほぼ均一な分布の、線状の光放射パターンを形成するよう、ＬＥＤ半導体チップ１２により発せられる一次光の光合成のための光学的空間が、反射構造体１４によって形成されうる。

図１Ｅおよび図１Ｆに示されるように、線状発光装置１０Ａの、他の変形例の実施形態において、線状発光装置１０Ａは、高反射性金属材料、樹脂材料、または、反射構造体１４と同じ材料からなりうる、反射層１５を含んでよい。ＬＥＤ半導体チップ１２をサブマウント基板１１の基板上面１１１上に配置したあとに、反射層１５をサブマウント基板１１の基板上面１１１上に形成することができる。このため、反射層１５は、ＬＥＤ半導体チップ１２の一組の電極１２４と、サブマウント基板１１のボンディングパッドとの間の電気的接続性に影響を及ぼさない。反射層１５は、各ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を部分的に覆ってよい。言い換えれば、反射層１５は、チップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４に隣接して配置される。そして、パッケージ構造体１３は、反射層１５上に配置され（サブマウント基板１１の表面に間接的に配置され）、パッケージ構造体１３の発光側面１３２は、反射層１５の表面にほぼ垂直に、かつ、接触して配置される。これにより、反射構造体１４および反射層１５は、ＬＥＤ半導体チップ１２の一次光をパッケージ構造体１３の発光側面１３２に向かって効果的に導光する光学的空間を形成し、線状発光装置１０Ａの発光効率をさらに向上することができる。

図２Ａ～図２Ｆを示しながら、上記の線状発光装置１０Ａの作製方法を説明する。作製方法の技術的仕様のいくつかは、上述の線状発光装置１０Ａの技術的仕様を参照することができる。

最初に、図２Ａに示されるように、複数のＬＥＤ半導体チップ１２を、サブマウント基板１１上に、ほぼ等間隔に離して配置して、ＬＥＤ半導体チップアレイを形成する。以下の説明では、水平方向Ｄ_２に沿って離れている２列のＬＥＤ半導体チップアレイを例として挙げる。その例は、図２Ｃに示されている。図１Ｅや図１Ｆに示されるような反射層１５を望む場合、反射層１５を、サブマウント基板１１上に、吹付け法、印刷法または型成形法によって形成することができる。その後、図２Ｂおよび図２Ｃに示されるように、パッケージ構造体１３を、サブマウント基板１１上に形成する。つまり、パッケージ構造体１３の構成材料（たとえばフォトルミネッセント材料が混合された透光性樹脂材料）を、吹付け、印刷、型成形などし、そしてその構成材料を固めてパッケージ構造体１３とする。形成されたパッケージ構造体１３は、少なくとも、ＬＥＤ半導体チップ１２の第２チップ端面１２３２を覆う。他のチップ端面１２３１，１２３３，１２３４も同様に覆われてよい。なお、パッケージ構造体１３は、そのパッケージ上面１３１が、チップ上面１２１を覆わずに、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１とほぼ面を同一にするように形成されてもよい。あるいは、パッケージ構造体１３は、そのパッケージ上面１３１がチップ上面１２１より高くなるように形成される。これにより、チップ上面１２１が覆われて、図１Ｄに示されるような線状発光装置１０Ａが形成される。

次に、図２Ｄに示されるように、パッケージ構造体１３の一部（図２Ｃに示される２本の破線の間）を、水平方向Ｄ_１に沿って除去する。その部分は、ＬＥＤ半導体チップ１２の第１チップ端面１２３１の近くに位置づけられる。凹状溝１３３が、第１チップ端面１２３１のわきに形成される。凹状溝１３３は、水平方向Ｄ_１に沿って延伸する細長い溝である。凹状溝１３３が形成されたあと、後に反射構造体１４によって覆われることになる第１チップ端面１２３１は、一時的に露出されてもよい。チップ端面１２３１は、パッケージ構造体１３に覆われても、部分的に覆われても、または、覆われていなくてもよい。

次に、図２Ｅに示されるように、反射構造体１４を、サブマウント基板１１、ＬＥＤ半導体チップ１２およびパッケージ構造体１３の上に配置する。つまり、反射構造体１４を、反射性組成材料（たとえば、光散乱粒子が分散された透光性樹脂材料）を使って、吹付け法、印刷法または型成形法によって形成する。凹状溝１３３があることにより、形成された反射構造体１４は、直接または間接に、ＬＥＤ半導体チップ１２の第１チップ端面１２３１および第２チップ端面１２３２、さらには、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１およびパッケージ構造体１３のパッケージ上面１３１を覆う。さらに、形成された反射構造体１４は、水平方向Ｄ_２に沿ってチップ端面１２３１から離れる反射側面１４１を含んでよい。他の変形例の実施形態において、反射側面１４１は、チップ端面１２３１を直接覆ってよい（チップ端面１２３１に厳密に一致する）。つまり、凹状溝１３３を形成する前段階の製造工程にて、チップ端面１２３１のわきのパッケージ構造体１３を完全に取り除く。なお、反射構造体１４を形成するに際し、反射構造体１４が、水平方向Ｄ_１の、２つの隣接するＬＥＤ半導体チップ１２の第３および第４チップ端面１２３３，１２３４を覆っていてもよい。

反射構造体１４が完成すると、２列のＬＥＤ半導体チップアレイが、２つの線状発光装置１０Ａを構成しうる。２つの線状発光装置１０Ａの間の反射構造体１４がまだつながっているため、さらなる切断段階が実行される。つまり、第２チップ端面１２３２の外側に位置する、反射構造体１４の一部およびパッケージ構造体１３の一部を、図２Ｅに示される破線にしたがって、水平方向Ｄ_１に沿って除去する。サブマウント基板１１の一部も、個片化により、同時に除去する。このようにして、２つの線状発光装置１０Ａが相互に分離され、同時に、線状発光装置１０Ａ各々のパッケージ構造体１３の発光側面１３２が露出される。

以上が、線状発光装置１０Ａの技術的仕様の説明である。次に、本開示の他の実施形態による線状発光装置の技術的仕様を説明する。線状発光装置の各実施形態の技術的仕様（作製方法を含む）は相互に参照され、同じ構成要素の説明は省略されるか、または簡略化される。さらなる実施形態が得られるように、実施形態各々の技術的仕様は、相互に組み合わせても、置き換えてもよい。

図３Ａおよび図３Ｂに示されるものは、それぞれ、本開示の第２の実施形態によるチップスケール線状発光装置１０Ｂの、側面図および正面断面図である。線状発光装置１０Ｂは、白色光等を発するため、一次光および波長変換された二次光を合成することにより線状光線を供するよう規定された、上述の線状発光装置１０Ａと、以下の点で異なる。その点とは、パッケージ構造体１３が、ＬＥＤ半導体チップ１２の第２チップ端面１２３２を直接覆うよう規定された透光要素１３Ｂであるか、またはそれを含むという点である。

具体的には、パッケージ構造体１３は、光線の波長を変換することができるフォトルミネッセント要素１３Ａのような色変換材料を含まず、ＬＥＤ半導体チップ１２から放射される一次光の波長にほとんど影響を与えない透光要素１３Ｂを含む。透光要素１３Ｂは、ＰＰＡ，ＰＣＴ，ＥＭＣのような透光性樹脂材料、またはシリコーンゴムから構成されうる。したがって、ＬＥＤ半導体チップ１２から放出される一次光は、パッケージ構造体１３（線状発光装置１０Ｂでは透光要素１３Ｂ）を透過する。パッケージ構造体１３によってその波長が変換されないので、線状発光装置１０Ｂは、赤色光、緑色光、青色光、赤外光、または紫外光のような様々な単色光を発する、線状で均一な分布の光源を供するよう規定されうる。

図３Ｃに示されるように、他の変形例の実施形態において、パッケージ構造体１３はＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を直接覆ってよい。これにより、パッケージ構造体１３は相対的に厚くなり、より広い発光側面１３２を提供する。

次に、線状発光装置１０Ｂの作製方法を説明する。上述した線状発光装置１０Ａの作製方法と同様に、図４に示すように、この作製方法は、上述の方法と、パッケージ構造体１３を形成する作製段階において異なる。ここで、パッケージ構造体１３の構成材料は、透光性樹脂材料のような透光材料であるか、またはそれを含み、一次光の波長を変換するフォトルミネッセント材料は、構成材料に含まれない。そのため、形成されたパッケージ構造体１３は、透光要素１３Ｂであるか、またはそれを含む。その後、パッケージ構造体１３の凹状溝１３３と反射構造体１４を形成し、パッケージ構造体１３、反射構造体１４、サブマウント基板１１などを切断して、線状発光装置１０Ｂを個片化する。

図５Ａおよび図５Ｂに示されるものは、それぞれ、本開示の第３の実施形態によるチップスケール線状発光装置１０Ｃの側面断面図および正面断面図である。線状発光装置１０Ｃも、白色光等を供するように構成されている。線状発光装置１０Ｃ，１０Ａは、線状発光装置１０Ｃのパッケージ構造体１３がフォトルミネッセント要素１３Ａおよび透光要素１３Ｂを含むという点で少なくとも構造的に異なっている。ここで、透光要素１３Ｂは、ＬＥＤ半導体チップ１２の第２チップ端面１２３２を直接覆い、フォトルミネッセント要素１３Ａは、透光要素１３Ｂの１つの透光要素側面１３Ｂ１（たとえば外側面）を直接覆って、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３２を間接的に覆う。透光要素側面１３Ｂ１およびチップ端面１２３２は、水平方向Ｄ_１に沿って相互にほぼ平行であり、互いに対向し、または向かい合い、水平方向Ｄ_２に沿って離間されている。

より具体的には、透光要素１３Ｂおよびフォトルミネッセント要素１３Ａは、チップ端面１２３２の法線方向に沿って順番に配置される。ここで、透光要素１３Ｂは、チップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を覆い囲み、フォトルミネッセント要素１３Ａは、透光要素１３Ｂの透光要素側面１３Ｂ１を覆う。このため、フォトルミネッセント要素１３Ａの外側面は、発光側面１３２である。なお、フォトルミネッセント要素１３Ａは、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１および透光要素１３Ｂの上面を覆っていてよい（図５Ｃに示すように）。これにより、パッケージ構造体１３は、図５Ｃの断面図に示すような、少なくとも２層の積層構造体を含み、より広い発光側面１３２を提供する。透光要素１３Ｂは、まず、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を覆い、そして、連続して、フォトルミネッセント要素１３Ａが、透光要素１３Ｂの上面を覆っていてもよい（不図示）。

線状発光装置１０Ｃのフォトルミネッセント要素１３Ａは、線状発光装置１０Ａのフォトルミネッセント要素１３Ａと同じ構成材料で構成されてよい。そして、線状発光装置１０Ｃの透光要素１３Ｂは、線状発光装置１０Ｂの透光要素１３Ｂと同じ構成材料で構成されてよい。

この構造において、ＬＥＤ半導体チップ１２の一次光は、透光要素１３Ｂを透過したあと、フォトルミネッセント要素１３Ａを透過して、発光側面１３２から外部へ放射される。これにより、線状発光装置１０Ｃは、白色光のような合成された光線を提供することができる。

図６Ａ～図６Ｅを示しながら、線状発光装置１０Ｃを作製する方法を説明する。線状発光装置１０Ａおよび線状発光装置１０Ｃを作製するための主な違いは、パッケージ構造体１３を形成する作製段階にある。具体的には、図６Ａに示されるように、まず、透光要素１３Ｂを、サブマウント基板１１上に形成する。図６Ｂに示されるように、水平方向Ｄ_１に沿って、透光要素１３Ｂの２箇所を各々除去する。２つの除去された箇所は、ＬＥＤ半導体チップ１２の第１チップ端面１２３１および第２チップ端面１２３２に隣接して配置され、それぞれ凹状溝１３３Ａと他の凹状溝１３３Ｂを構成する。凹状溝１３３Ａ，１３３Ｂを形成するために、チップ端面１２３１，１２３２に隣接する透光要素１３Ｂを、完全に除去してもよい。あるいは、少量の透光要素１３Ｂを、チップ端面１２３１，１２３２を覆うように残してもよい。

図６Ｃに示されるように、フォトルミネッセント要素１３Ａを、ＬＥＤ半導体チップ１２の第２チップ端面１２３２を覆うように凹状溝１３３Ｂ内に形成する。図６Ｄに示されるように、次に、反射構造体１４を、ＬＥＤ半導体チップ１２の第１チップ端面１２３１を覆い、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１およびパッケージ構造体１３のパッケージ上面１３１を覆うように、凹状溝１３３Ａ内に形成する。さらに、図６Ｄおよび図６Ｅに示されるように、線状発光素子１０Ｃ各々の透光要素１３Ｂ、反射構造体１４およびサブマウント基板１１を、図６Ｄの破線に従って、水平方位Ｄ_１に沿って部分的に除去する。これによって、２つの線状発光装置１０Ｃが相互に分離され、線状発光装置１０Ｃの作製が完成する。

図７Ａおよび図７Ｂに示されるものは、それぞれ本開示の第４の実施形態によるチップスケール線状発光装置１０Ｄの側面断面図および正面断面図である。線状発光装置１０Ｄは、その反射構造体１４がＬＥＤ半導体チップ１２の第３チップ端面１２３３および第４チップ端面１２３４を直接覆っていることを除いて、線状発光装置１０Ａ，１０Ｃと同様に、白色光のような合成された光線を供するように構成されている。また、反射構造体１４は、直接、ＬＥＤ半導体チップ１２の第１チップ端面１２３１を覆っている。言い換えれば、第２チップ端面１２３２（および下部電極面）を除いて、ＬＥＤ半導体チップ１２の他のチップ端面は、直接、反射構造体１４に覆われている。一方、第２チップ端面１２３２は、直接、パッケージ構造体１３（たとえば、フォトルミネッセント要素１３Ａ、透光要素１３Ｂ、または、その両方）に覆われている。

図８Ａ～図８Ｄを示しながら、線状発光装置１０Ｄの作製方法を説明する。この作製方法の、線状発光装置１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの作製方法との主な違いは、次のとおりである。図８Ａに示されるように、ＬＥＤ半導体チップ１２をブマウント基板１１上に配置したあと、まず、サブマウント基板１１上に、ＬＥＤ半導体チップ１２を覆うように、反射構造体１４を形成する。次に、図８Ｂに示されるように、凹状溝１４２を形成するために、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３２に隣接する反射構造体１４を、水平方向Ｄ_１に沿って部分的に除去し、第２チップ端面１２３２を凹状溝１４２に対して完全に露出させる。つまり、第２チップ端面１２３２は、凹状溝１４２の２つの端面のうちの一方である。次に、図８Ｃに示されるように、凹状溝１４２内にパッケージ構造体１３を形成する。形成したパッケージ構造体１３は、第２チップ端面１２３２を直接覆い、そのパッケージ上面１３１は、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１よりも低くなく、それらの２つの表面は、ほぼ同じ高さである。言い換えれば、形成されたパッケージ構造体１３は、凹状溝１４２を埋めきらない。

図８Ｄに示されるように、反射構造体１４の一部を、パッケージ構造体１３のパッケージ上面１３１上に再度形成し、凹状溝１４２を埋めきる。これによって、パッケージ構造体１３のパッケージ上面１３１は、露出しない。形成された部分は、反射構造体１４の以前に形成された部分と実質的に同じ平面を構成しうる。最後に、パッケージ構造体１３の発光側面１３２に隣接する反射構造体１４およびサブマウント基板１１の対応部分を、図８Ｄに示される破線に従って、水平方向Ｄ_１に沿って、部分的に除去して、線状発光装置１０Ｄを作製する。

本開示の実施形態１０Ａ～１０Ｄによるチップスケール線状発光装置は、サイドビュー型のチップスケール線状発光装置である。本開示の他の実施形態によるチップスケール線状発光装置は、トップビュー型の線状発光装置とすることができる。

図９Ａ，図９Ｂおよび図９Ｃに示されるものは、それぞれ、本開示の第５の実施形態によるチップスケール線状発光装置１０Ｅの側面断面図、上面図および正面断面図である。線状発光装置１０Ｅは、チップスケールパッケージ構造体１３´および反射構造体１４´という別の構成を含む点を除いて、上述の線状発光装置１０Ａ～１０Ｄと同様に、サブマウント基板１１と、サブマウント基板１１上に配置される複数のＬＥＤ半導体チップ１２と、を含む。

具体的には、パッケージ構造体１３´が、サブマウント基板１１の基板上面１１１上に配置され、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を覆っている。言い換えれば、サブマウント基板１１の基板上面１１１の法線方向Ｄ_３に沿って、サブマウント基板１１、ＬＥＤ半導体チップ１２およびパッケージ構造体１３´が、順番に積層状に配置される。パッケージ構造体１３´は、さらに、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を覆うように規定されうる。パッケージ構造体１３´は、主発光上面１３１´（発光上面１３１´として参照されうる）および複数のパッケージ側面１３２´を含む。ＬＥＤ半導体チップ１２から発せられた一次光および波長変換された二次光は、パッケージ側面１３２´からではなく、パッケージ構造体１３´の発光上面１３１´から放射される。発光上面１３１´は、ＬＥＤ半導体チップアレイの上面全体よりも小さくなく、発光上面１３１´の形状は、長細い長方形であってよい。発光上面１３１´は、水平方向Ｄ_１に沿って、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１とほぼ平行に配置される。また、ＬＥＤ半導体チップ１２の電極１２４（およびチップ下面１２２）とほぼ平行に配置される。発光上面１３１´は、法線方向Ｄ_３に沿って、サブマウント基板１１の基板上面１１１と離間される。発光上面１３１´、ならびに、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１および電極１２４（およびチップ下面１２２）は、互いに対向配置され、または互いに向かい合っている。

パッケージ構造体１３´は、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１およびチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を直接覆うフォトルミネッセント要素１３Ａ´であってもよいし、それを含んでいてもよい。図９Ｄに示されるような他の変形例の実施形態では、パッケージ構造体１３´は、フォトルミネッセント層であってもかまわない。サブマウント基板１１上に直接形成されるフォトルミネッセント要素１３Ａ´とは対照的に、フォトルミネッセント層は予め形成され、そしてＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１上に配置（たとえば積層）される。したがって、この構成では、フォトルミネッセント層は、チップ上面１２１を覆うが、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を覆わない。

反射構造体１４´は、サブマウント基板１１の基板上面１１１上に配置され、水平方向Ｄ_１，Ｄ_２に沿って、パッケージ側面１３２´およびチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を覆う。しかし、発光上面１３１´およびＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１は、反射構造体１４´から露出している。言い換えれば、図９Ｂに示されるように、反射構造体１４´は、ＬＥＤ半導体チップ１２およびパッケージ構造体１３´を囲み、チップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４およびパッケージ側面１３２´を覆う、反射壁のように見える。

これによって、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４から発せられる一次光は、反射構造体１４´により反射されうる。そして、最終的には、反射構造体１４´によって覆われていない発光上面１３１´に向かって導光され、そこから出射する。線状発光装置１０Ｅが、主に、パッケージ構造体１３´の発光上面１３１´から光線Ｌを放射することが見て取れる。主発光側面１３２がＬＥＤ半導体チップ１２の一組の電極１２４に対してほぼ垂直に配置される、線状発光装置１０Ａ～１０Ｄと比較すると、発光上面１３１´はＬＥＤ半導体チップ１２の一組の電極１２４とほぼ平行に配置される。そのため、線状発光装置１０Ｅは、トップビュー型の線状発光装置である。さらに、反射構造体１４´は、一次光の一部を、２つの隣接するＬＥＤ半導体チップ１２の第３チップ端面１２３３と第４チップ端面１２３４との間の光学空間に出射し、そして、２つの隣接するＬＥＤ半導体チップ１２の第３チップ端面１２３３と第４チップ端面１２３４との間の発光上面１３１´の領域のほうへ出射するように導光することができる。言い換えれば、発光上面１３１´は、均一に放射する光線Ｌを有し、線状に分布する放射パターンを有する光源を構成しうる。

図９Ｅに示されるように、他の変形例の実施形態において、線状発光装置１０Ｅは、ＬＥＤ半導体チップ１２の一組の電極１２４とサブマウント基板１１のボンディングパッド（不図示）との間の電気的な接続に影響を与えることなく、サブマウント基板１１の基板上面１１１上に配置される反射層１５を含んでいてよい。そして、反射層１５は、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を部分的に覆っていてもよい。パッケージ構造体１３´は、反射層１５上に一体的に配置されている。発光上面１３１´は、発光層１５とほぼ平行に、かつ、離間して構成される。あるいは、反射構造体１４´は、反射層１５とつながって、光学空間を構成してもよい。これによって、反射層１５は、効果的に、ＬＥＤ半導体チップ１２から発せられる一次光をパッケージ構造体１３´に導光し、発光効率を増加することができる。ここで、一次光の一部は、二次光に変換されうる。そして、発光上面１３１´から出射されうる。

図１０Ａ～図１０Ｃを示しながら、線状発光装置１０Ｅを作製する方法を説明する。図１０Ａに示されるように、複数のＬＥＤ半導体チップ１２をサブマウント基板１１上に配置した後、パッケージ構造体１３´（たとえばフォトルミネッセント要素１３Ａ）を、ＬＥＤ半導体チップ１２を覆うように、サブマウント基板１１上に形成する。次に、図１０Ｂに示されるように、パッケージ構造体１３´の２箇所を、水平方向Ｄ_１に沿って、部分的に除去し、第１チップ端面１２３１に隣接する凹状溝１３３Ａと、第２チップ端面１２３２に隣接する別の凹状溝１３３Ｂを形成する。第１チップ端面１２３１および第２チップ端面１２３２に近いパッケージ構造体１３´のそれらの箇所を部分的に除去するとき、それらの箇所を完全に除去してもよいし、パッケージ構造体１３´をわずかに残してもよい。

図１０Ｃに示されるように、凹状溝１３３Ａ，１３３Ｂを形成した後、反射構造体１４´を、ＬＥＤ半導体チップ１２の第１，第２チップ端面１２３１，１２３２を覆うように、凹状溝１３３Ａ，１３３Ｂ内に形成する。反射構造体１４´の上面は、パッケージ構造体１３´の発光上面１３１´とほぼ同一平面となるように形成される（反射構造体１４´の上面は、パッケージ構造体１３´の発光上面１３１´よりもわずかに高いか低くてもよい）。最後に、線状発光装置１０Ｅ各々のパッケージ構造体１３´およびその下のサブマウント基板１１を、図１０Ｃの点線に従い、水平方向Ｄ_１に沿って部分的に除去する。これにより、線状発光装置１０Ｅが個片化・分離され、チップスケール線状発光装置１０Ｅの作製が完了する。

図１１Ａ～図１１Ｃに示されるものは、それぞれ、本開示の第６の実施形態によるチップスケール線状発光装置１０Ｆの側面断面図、上面図、および、正面断面図である。上述した線状発光装置１０Ｅと同様に、光線Ｌがパッケージ構造体１３´の発光上面１３１´から放射される。したがって、線状発光装置１０Ｆも、トップビュー型の線状発光装置である。上述した線状発光装置と比較した線状発光装置１０Ｆの違いは、パッケージ構造体１３´が透光要素１３Ｂ´であるということである。透光要素１３Ｂ´は、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４およびチップ上面１２１を覆っていてよい。このため、図１１Ｂに示すように、線状発光装置１０ＦのＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１は、上面から視認可能である。他の変形例の実施形態（不図示）では、パッケージ構造体１３´の発光上面１３１´の高さは、チップ上面１２１の高さとほぼ同じであってよい。言い換えれば、透光要素１３Ｂ´は、チップ上面１２１を覆っていなくてよい。

これによって、線状発光装置１０Ｆを用いて、赤色光、緑色光、青色光、赤外光または紫外光のような様々な単色光のトップビュー型線状光源を提供することができる。その光は、線状に分布する光放射パターンで、発光上面１３１´から出射される。

図１２を示しながら、線状発光装置１０Ｆの作製方法を説明する。その作製方法は、サブマウント基板１１上にパッケージ構造体１３´を形成する際に、パッケージ構造体１３の構成材料にフォトルミネッセント材料を含ませない、という点を除いて、線状発光装置１０Ｅの作製方法と同様である。そのため、形成されたパッケージ構造体１３´は、透光要素１３Ｂ´であるか、または、それを含む。

次に、図１３Ａおよび図１３Ｂに示されるものは、それぞれ、本開示の第７の実施形態によるチップスケール線状発光装置１０Ｇの側面断面図および正面断面図である。上述した線状発光装置１０Ｅ，１０Ｆと同様に、線状発光装置１０Ｇの光線Ｌも、パッケージ構造体１３´の発光上面１３１´から出射される。そのため、線状発光装置１０Ｇも、トップビュー型の線状発光装置である。線状発光装置１０Ｅ，１０Ｆとは異なり、線状発光装置１０Ｇのパッケージ構造体１３´は、フォトルミネッセント要素１３Ａ´および透光要素１３Ｂ´を含む積層体である。フォトルミネッセント要素１３Ａ´の上面が、発光上面１３１´である。

具体的には、透光要素１３Ｂ´は、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を覆う。透光要素１３Ｂ´の上面は、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１とほぼ同一平面である。そして、フォトルミネッセント要素１３Ａ´は、透光要素１３Ｂ´の上面上およびＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１上に配置され、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を覆っている。他の変形例の実施形態において、透光要素１３Ｂ´も、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を覆っていてよく、そうすると、ＬＥＤ半導体チップ１２は透光要素１３Ｂ´に完全に覆われる。

これにより、ＬＥＤ半導体チップ１２の一次光は、フォトルミネッセント要素１３Ａ´を透過し、発光上面１３１´から外部に出射される。また、線状発光装置１０Ｇは、一次光および波長変換された二次光の合成により、白色光などの光線Ｌを提供する。

図１４Ａ～図１４Ｄを示しながら、上述した線状発光装置１０Ｇの作製方法を説明する。この作製方法は、パッケージ構造体１３´を形成する工程段階が２つの作製段階を含む点において、線状発光装置１０Ｅ，１０Ｆの作製方法と異なる。

具体的には、図１４Ａに示されるように、ＬＥＤ半導体チップ１２をサブマウント基板１１上に配置したあと、透光要素１３Ｂ´を、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２，１２３３，１２３４を覆うように、サブマウント基板１１上に形成する。そして、図１４Ｂに示されるように、フォトルミネッセント要素１３Ａ´を、透光要素１３Ｂ´およびＬＥＤ半導体チップ１２のチップ上面１２１を覆うように形成する。そして、図１４Ｃに示されるように、パッケージ構造体１３´の２箇所を、水平方向Ｄ_１に沿って部分的に除去し、２つの凹状溝１３３Ａ，１３３Ｂを形成する（除去された部分は、フォトルミネッセント要素１３Ａ´および透光要素１３Ｂ´を含む）。最後に、図１４Ｄに示されるように、反射構造体１４´を、ＬＥＤ半導体チップ１２のチップ端面１２３１，１２３２を覆うように、凹状溝１３３Ａ，１３３Ｂ内に形成する。そして、図１４Ｄの破線に従って、線状発光装置１０Ｇのパッケージ構造体１３´およびその下のサブマウント基板１１を、水平方向Ｄ_１に沿って部分的に除去する。これによって、線状発光装置１０Ｇは個片化、分離され、線状発光装置１０Ｇの作製方法が完了する。

次に、本開示によるチップスケール線状発光装置の上述の実施形態のいずれかを含む、バックライトモジュールを説明する。図１５Ａ，図１５Ｂ，図１６Ａおよび図１６Ｂに示されるものは、それぞれ異なる実施形態のバックライトモジュール１Ａ，１Ｂである。ここで、バックライトモジュール１Ａは、サイドビュー型の線状発光装置１０Ａ～１０Ｄのいずれか一つを含むように規定され、バックライトモジュール１Ｂは、トップビュー型の線状発光装置１０Ｅ～１０Ｇのいずれか一つを含むように規定される。

図１５Ａおよび図１５Ｂに示されるように、バックライトモジュール１Ａは、サイドビュー型の線状発光装置（線状発光装置１０Ａを例とする）と導光板２０とを含む。第２の水平方向Ｄ_２に沿って、線状発光装置１０Ａが、導光板２０と並んで配置される。導光板２０は、光入射面２１、光出射面２２、導光裏面２３、および、反射層２４を含む。光入射面２１は、線状発光装置１０の発光側面１３２と向かい合ってほぼ平行に配置される。また、光入射面２１は、光出射面２２および導光裏面２３とつながっている。光出射面２２および導光裏面２３は、サブマウント基板１１の法線方向Ｄ_３に沿って離間して配置される。反射層２４は、導光裏面２３上に配置され、たとえば、高反射材料から構成されていてよい。

これによって、線状発光装置１０Ａの発光側面１３２から出射した光線Ｌは、導光板２０の光入射面２１に導光され、そして、導光板２０の反射層２４に反射され、最終的に、光出射面２２から一様に放射されうる。これにより、均一な平面バックライト光源が提供される。線状発光装置１０Ａの発光側面１３２が、第２の水平方向Ｄ_２において光入射面２１に導光される、均一でかつ連続的に分布する線状光線Ｌを出射するため、光入射面２１の暗領域を低減することができる。したがって、導光板２０の光入射面２１と、有効表示領域の境界との間の距離（光ミキシング距離）を小さくすることができ、ほぼベゼルのないディプレイを実現することができる。

線状発光装置１０Ａの発光側面１３２の面積は、導光板２０の光入射面２１の面積よりも大きくないことが望ましい。これにより、光線Ｌが、光漏れなしに、光入射面２１を介して導光板２０に効率的に導光されうる。さらに、水平方向Ｄ_２に沿って、線状発光装置１０Ａのサブマウント基板１１が、導光板２０のほうに、発光側面１３２を超えて延伸されてもよい。結果、サブマウント基板１１の基板上面１１１は、反射構造体１４よりも大きい。基板上面１１１は、そこに上に乗せられる導光板２０のための付加領域を有する。このことは、組み立て工程中の、線状発光装置１０Ａおよび導光板２０の位置合わせや配置を容易にする。

図１６Ａおよび図１６Ｂに示されるように、バックライトモジュール１Ｂは、トップビュー型の線状発光装置（線状発光装置１０Ｅを例とする）と、上述したような導光板２０と、を含む。線状発光装置１０Ｅのサブマウント基板１１の法線方向Ｄ_３に沿って、線状発光装置１０Ｅが、導光板２０と並んで配置される。導光板２０の光入射面２１は、線状発光装置１０Ｅの発光上面１３１´とほぼ平行に向い合って配置される。

これによって、線状発光装置１０Ｅの発光上面１３１´から放射された光線Ｌは、導光板２０の光入射面に導光され、そして、導光板２０の反射層２４に反射され、最終的に、光出射面２２から一様に放射される。さらに、線状発光装置１０Ｅの発光上面１３１´は、均一に分布する線状の光線Ｌを提供することができる。このため、他にも利点がある中で、光入射面２１はより少ししか暗領域を有さず、光入射面２１と有効表示領域の境界との間の光ミキシング領域をより小さくすることができる。

線状発光装置１０Ｅの発光上面１３１´の面積は、導光板２０の光入射面２１の面積よりも大きくないことが望ましい。これにより、光線Ｌは、光入射面２１を介して、導光板２０に効率的に導光されうる。さらに、線状発光装置１０Ｅのサブマウント基板１１は、垂直部および水平部を有するように、Ｌ字状に折り曲げられていてよい。Ｌ字状のサブマウント基板１１の水平部は、その垂直部の法線方向Ｄ_３に沿って伸長されており、発光上面１３１´を超えて伸長されている。導光板２０の一部は、サブマウント基板１１の、発光上面１３１´よりも突出している水平部に乗せられていてもよい。言い換えれば、サブマウント基板１１は、基板上面１１１が垂直部分の基板上面および水平部分の基板上面を含むような垂直部および水平部を含む。

さらに、線状発光装置１０Ａまたは１０Ｅの場合、反射構造体１４（または１４´）は、線状発光装置１０Ａまたは１０Ｅの左側および右側の、ＬＥＤ半導体チップ１２の第３チップ端面１２３３および第４チップ端面１２３４を覆っていなくてよい。これによって、水平方向Ｄ_１に沿って、左側および右側のＬＥＤ半導体チップ１２から出射される光線Ｌは、パッケージ構造体１３（または１３´）により直接出射され、反射構造体１４（または１４´）によって制限されない。したがって、線状発光装置１０Ａ（または１０Ｅ）は、水平方向Ｄ_１に沿って、より大きな視野角の光線を提供することができる。

いくつかの実施形態を要約すると、チップスケール線状発光装置は、均一に分布する線状光線を提供し、導光板の光入射面近くの領域が暗くなる現象を低減または改善しうる。さらに、チップスケール線状発光装置は、サイドビュー型にも、トップビュー型にもすることができる。両方とも極薄の導光板と一緒に用いて、バックライトモジュールの全体的な厚みを低減することができる。

上記開示について特定の実施形態を参照して説明してきたが、当業者であれば、添付の特許請求の範囲に規定する開示の真の趣旨および範囲から逸脱することなく、様々に変更が可能であり、均等物に置換可能であることは理解されよう。加えて、様々な改良を行って、本開示の目的、趣旨および範囲に対する特定の状況、材料、物の組成、方法、または工程に適合させてもよい。このような改良はいずれも、添付の特許請求の範囲内で行うことを意図する。詳細には、本明細書中に開示した方法について、特定の順序で行われる特定の動作を参照して述べてきたが、これらの動作を組み合わせたり、細分化したり、あるいは順序を入れ替えることにより、本開示の教示内容から逸脱することなく均等な方法を構成してもよいことを理解されたい。したがって、本明細書中に特に明記しない限り、動作の順序およびグループ分けは、本開示を限定するものではない。

［付記］
［付記１］
基板上面を含むサブマウント基板であって、該基板上面上に、相互に直交する第１の水平方向および第２の水平方向が規定されるサブマウント基板と、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に、前記第１の水平方向に沿って配置される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体チップであって、該ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、該チップ上面に対向するチップ下面、第１チップ端面、第２チップ端面、および、一組の電極、を含み、該第１チップ端面および該第２チップ端面は、相互に対向して配置され、前記第２の水平方向に沿って離間され、前記チップ上面および前記チップ下面の各々とつながっており、前記一組の電極は、前記チップ下面に隣接して配置される、複数のＬＥＤ半導体チップと、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を覆うチップスケールパッケージ構造体であって、パッケージ上面および主発光側面を含み、該主発光側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面が、前記第２の水平方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間される、チップスケールパッケージ構造体と、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第１チップ端面および前記チップ上面、ならびに、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ上面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を露わにする、反射構造体と、
を含む線状発光装置。

［付記２］
前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を直接覆うフォトルミネッセント要素である、付記１の線状発光装置。

［付記３］
前記フォトルミネッセント要素は、さらに、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、付記２の線状発光装置。

［付記４］
前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を直接覆う透光要素である、付記１の線状発光装置。

［付記５］
前記透光要素は、さらに、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、付記４の線状発光装置。

［付記６］
前記チップスケールパッケージ構造体は、さらに、透光要素とフォトルミネッセント要素とを含み、前記透光要素は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を直接覆い、前記フォトルミネッセント要素は、前記透光要素の一側面を直接覆い、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を間接的に覆い、前記透光要素の前記一側面と前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面とは、前記第２の水平方向に沿って対向配置され、かつ離間されている、付記１の線状発光装置。

［付記７］
前記フォトルミネッセント要素は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、付記６の線状発光装置。

［付記８］
前記反射構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、付記２，４，６のいずれか１つの線状発光装置。

［付記９］
前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、さらに、第３チップ端面および第４チップ端面を含み、該第３チップ端面および該第４チップ端面は、前記チップ上面および前記チップ下面の間に延伸し、前記第１の水平方向に沿って離間されており、
前記反射構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第３チップ端面および前記第４チップ端面を直接覆い、かつ、前記第１チップ端面を直接覆う、付記１の線状発光装置。

［付記１０］
前記チップスケールパッケージ構造体または前記反射構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第１チップ端面を直接覆う、付記１～７のいずれか１つの線状発光装置。

［付記１１］
前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置された反射層をさらに含み、前記チップスケールパッケージ構造体は、前記反射層上に配置される、付記１～７のいずれか１つの線状発光装置。

［付記１２］
付記１～７のいずれか１つの線状発光装置と、
光入射面、光出射面、導光裏面、および、反射層を含む導光板であって、前記光出射面は、前記線状発光装置の前記主発光側面と向かい合って配置され、前記光出射面および前記導光裏面とつながっており、前記反射層は、前記導光裏面上に配置される、導光板と、
を含むバックライトモジュール。

［付記１３］
前記導光板は、前記線状発光装置の前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置されている、付記１２のバックライトモジュール。

［付記１４］
前記主発光側面の面積は、前記導光板の前記光入射面の面積よりも大きくない、付記１２のバックライトモジュール。

［付記１５］
基板上面を含むサブマウント基板であって、前記基板上面上に、相互に直交する、第１の水平方向、第２の水平方向および法線方向が規定されるサブマウント基板と、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に、前記第１の水平方向に沿って配置される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体チップであって、前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、該チップ上面に対向するチップ下面、複数のチップ端面、および、一組の電極、を含み、前記チップ端面は、前記チップ上面および前記チップ下面の間に伸長しており、前記一組の電極は、前記チップ下面に隣接して配置される、複数のＬＥＤ半導体チップと、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を覆うチップスケールパッケージ構造体であって、主発光上面、および、複数のパッケージ側面を含み、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面が、前記法線方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間される、チップスケールパッケージ構造体と、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記第１および第２の水平方向に沿う、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を露わにする反射構造体と、
を含む線状発光装置。

［付記１６］
前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面および前記チップ端面を直接覆うフォトルミネッセント要素を含む、付記１５の線状発光装置。

［付記１７］
前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面および前記チップ端面を直接覆う透光要素を含む、付記１５の線状発光装置。

［付記１８］
前記チップスケールパッケージ構造体は、透光要素とフォトルミネッセント要素とを含み、該透光要素は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を直接覆い、該フォトルミネッセント要素は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、付記１５の線状発光装置。

［付記１９］
前記チップスケールパッケージ構造体は、フォトルミネッセント層を含み、該フォトルミネッセント層は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を露わにする、付記１５の線状発光装置。

［付記２０］
前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置される反射層をさらに含み、該反射層上に前記チップスケールパッケージ構造体が配置される、付記１５～１９のいずれか１つの線状発光装置。

［付記２１］
付記１５～１９のいずれか１つの線状発光装置と、
光入射面、光出射面、導光裏面、および、反射層、を含む導光板であって、前記光出射面は、前記線状発光装置の前記主発光上面と向かい合って配置され、前記光出射面および前記導光裏面とつながっており、前記反射層は、前記導光裏面上に配置されている、導光板と、
を含むバックライトモジュール。

［付記２２］
前記サブマウント基板の前記基板上面は、垂直部と水平部とを含み、前記導光板は、前記サブマウント基板の前記水平部に配置される、付記２１のバックライトモジュール。

［付記２３］
前記主発光上面の面積は、前記導光板の前記光入射面の面積よりも大きくない、付記２１のバックライトモジュール。

［付記２４］
基板上面を含むサブマウント基板であって、前記基板上面上に、相互に直交する、第１の水平方向、第２の水平方向および法線方向が規定されるサブマウント基板と、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に、前記第１の水平方向に沿って配置される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体チップであって、前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、該チップ上面に対向するチップ下面、複数のチップ端面、および、一組の電極、を含み、前記チップ端面は、前記チップ上面および前記チップ下面の間に伸長しており、前記一組の電極は、前記チップ下面に隣接して配置される、複数のＬＥＤ半導体チップと、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップ各々の前記チップ上面か、または、前記チップ端面の少なくとも一つを覆うチップスケールパッケージ構造体であって、前記チップスケールパッケージ構造体は、主発光面を含み、前記主発光面と前記チップスケールパッケージ構造体に覆われる前記ＬＥＤ半導体チップの表面とは、相互に対向配置され、かつ、離間されている、チップスケールパッケージ構造体と、
前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップおよび前記チップスケールパッケージ構造体を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光面を露わにする反射構造体と、
を含む線状発光装置。

［付記２５］
前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、第１チップ端面および第２チップ端面を含み、前記第１チップ端面および前記第２チップ端面は、相互に対向配置され、前記第２の水平方向に沿って離間されており、前記チップ上面および前記チップ下面の各々につながっており、
前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を覆い、前記チップスケールパッケージ構造体は、パッケージ上面と、主発光側面である前記主発光面と、を含み、前記主発光側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面は、前記第２の水平方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間されており、
前記反射構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第１チップ端面および前記チップ上面、ならびに、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ上面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を露わにする、
付記２４の線状発光装置。

［付記２６］
前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を覆い、前記チップスケールパッケージ構造体は、複数のパッケージ側面と、主発光上面である前記主発光面と、を含み、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面は、前記法線方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間されており、
前記反射構造体は、前記第１および第２の水平方向に沿う、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を露わにする、
付記２４の線状発光装置。

Claims (22)

1. 基板上面を含むサブマウント基板であって、該基板上面上に、相互に直交する第１の水平方向および第２の水平方向が規定されるサブマウント基板と、
   前記サブマウント基板の前記基板上面上に、前記第１の水平方向に沿って配置される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体チップであって、該ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、該チップ上面に対向するチップ下面、第１チップ端面、第２チップ端面、および、一組の電極、を含み、該第１チップ端面および該第２チップ端面は、相互に対向して配置され、前記第２の水平方向に沿って離間され、前記チップ上面および前記チップ下面の各々とつながっており、前記一組の電極は、前記チップ下面に隣接して配置される、複数のＬＥＤ半導体チップと、
   前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を覆うチップスケールパッケージ構造体であって、パッケージ上面および主発光側面を含み、前記主発光側面が、全ての前記ＬＥＤ半導体チップを覆う単一且つ連続する表面であり、前記主発光側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面が、前記第２の水平方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間される、チップスケールパッケージ構造体と、
   前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第１チップ端面および前記チップ上面、ならびに、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ上面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を露わにする、反射構造体と、
   を含み、
   前記サブマウント基板、前記反射構造体および前記チップスケールパッケージ構造体は、線状に分布する光放射パターンを有する光線が前記主発光側面から均一に照射されるように、連続的で線状の光ミキシング光学空間を形成するように構成される、チップスケール線状発光装置。
2. 前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を直接覆うフォトルミネッセント要素である、請求項１のチップスケール線状発光装置。
3. 前記フォトルミネッセント要素は、さらに、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、請求項２のチップスケール線状発光装置。
4. 前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を直接覆う透光要素である、請求項１のチップスケール線状発光装置。
5. 前記透光要素は、さらに、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、請求項４のチップスケール線状発光装置。
6. 前記チップスケールパッケージ構造体は、さらに、透光要素とフォトルミネッセント要素とを含み、前記透光要素は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を直接覆い、前記フォトルミネッセント要素は、前記透光要素の一側面を直接覆い、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面を間接的に覆い、前記透光要素の前記一側面と前記ＬＥＤ半導体チップの前記第２チップ端面とは、前記第２の水平方向に沿って対向配置され、かつ離間されている、請求項１のチップスケール線状発光装置。
7. 前記フォトルミネッセント要素は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、請求項６のチップスケール線状発光装置。
8. 前記反射構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、請求項２，４，６のいずれか１項のチップスケール線状発光装置。
9. 前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、さらに、第３チップ端面および第４チップ端面を含み、該第３チップ端面および該第４チップ端面は、前記チップ上面および前記チップ下面の間に延伸し、前記第１の水平方向に沿って離間されており、
   前記反射構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第３チップ端面および前記第４チップ端面を直接覆い、かつ、前記第１チップ端面を直接覆う、請求項１のチップスケール線状発光装置。
10. 前記チップスケールパッケージ構造体または前記反射構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記第１チップ端面を直接覆う、請求項１～７のいずれか１項のチップスケール線状発光装置。
11. 前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置された反射層をさらに含み、前記チップスケールパッケージ構造体は、前記反射層上に配置される、請求項１～７のいずれか１項のチップスケール線状発光装置。
12. 請求項１～７のいずれか１項のチップスケール線状発光装置と、
    光入射面、光出射面、導光裏面、および、反射層を含む導光板であって、前記光入射面は、前記チップスケール線状発光装置の前記主発光側面と向かい合って配置され、前記光出射面および前記導光裏面とつながっており、前記反射層は、前記導光裏面上に配置される、導光板と、
    を含むバックライトモジュール。
13. 前記導光板は、前記チップスケール線状発光装置の前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置されている、請求項１２のバックライトモジュール。
14. 前記主発光側面の面積は、前記導光板の前記光入射面の面積よりも大きくない、請求項１２のバックライトモジュール。
15. 基板上面を含むサブマウント基板であって、前記基板上面上に、相互に直交する、第１の水平方向、第２の水平方向および法線方向が規定されるサブマウント基板と、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に、前記第１の水平方向に沿って配置される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体チップであって、前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、該チップ上面に対向するチップ下面、複数のチップ端面、および、一組の電極、を含み、前記チップ端面は、前記チップ上面および前記チップ下面の間に伸長しており、前記一組の電極は、前記チップ下面に隣接して配置される、複数のＬＥＤ半導体チップと、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を覆うチップスケールパッケージ構造体であって、主発光上面、および、複数のパッケージ側面を含み、前記主発光上面が、全ての前記ＬＥＤ半導体チップを覆う単一且つ連続する表面であり、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面が、前記法線方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間される、チップスケールパッケージ構造体と、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記第１および第２の水平方向に沿う、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を露わにする反射構造体と、
    を含み、
    前記サブマウント基板、前記反射構造体および前記チップスケールパッケージ構造体は、線状に分布する光放射パターンを有する光線が前記主発光上面から均一に照射されるように、連続的で線状の光ミキシング光学空間を形成するように構成され、
    前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面および前記チップ端面を直接覆うフォトルミネッセント要素を含む、チップスケール線状発光装置。
16. 基板上面を含むサブマウント基板であって、前記基板上面上に、相互に直交する、第１の水平方向、第２の水平方向および法線方向が規定されるサブマウント基板と、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に、前記第１の水平方向に沿って配置される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体チップであって、前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、該チップ上面に対向するチップ下面、複数のチップ端面、および、一組の電極、を含み、前記チップ端面は、前記チップ上面および前記チップ下面の間に伸長しており、前記一組の電極は、前記チップ下面に隣接して配置される、複数のＬＥＤ半導体チップと、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を覆うチップスケールパッケージ構造体であって、主発光上面、および、複数のパッケージ側面を含み、前記主発光上面が、全ての前記ＬＥＤ半導体チップを覆う単一且つ連続する表面であり、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面が、前記法線方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間される、チップスケールパッケージ構造体と、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記第１および第２の水平方向に沿う、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を露わにする反射構造体と、
    を含み、
    前記サブマウント基板、前記反射構造体および前記チップスケールパッケージ構造体は、線状に分布する光放射パターンを有する光線が前記主発光上面から均一に照射されるように、連続的で線状の光ミキシング光学空間を形成するように構成され、
    前記チップスケールパッケージ構造体は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面および前記チップ端面を直接覆う透光要素を含む、チップスケール線状発光装置。
17. 基板上面を含むサブマウント基板であって、前記基板上面上に、相互に直交する、第１の水平方向、第２の水平方向および法線方向が規定されるサブマウント基板と、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に、前記第１の水平方向に沿って配置される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体チップであって、前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、該チップ上面に対向するチップ下面、複数のチップ端面、および、一組の電極、を含み、前記チップ端面は、前記チップ上面および前記チップ下面の間に伸長しており、前記一組の電極は、前記チップ下面に隣接して配置される、複数のＬＥＤ半導体チップと、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を覆うチップスケールパッケージ構造体であって、主発光上面、および、複数のパッケージ側面を含み、前記主発光上面が、全ての前記ＬＥＤ半導体チップを覆う単一且つ連続する表面であり、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面が、前記法線方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間される、チップスケールパッケージ構造体と、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記第１および第２の水平方向に沿う、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を露わにする反射構造体と、
    を含み、
    前記サブマウント基板、前記反射構造体および前記チップスケールパッケージ構造体は、線状に分布する光放射パターンを有する光線が前記主発光上面から均一に照射されるように、連続的で線状の光ミキシング光学空間を形成するように構成され、
    前記チップスケールパッケージ構造体は、透光要素とフォトルミネッセント要素とを含み、該透光要素は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を直接覆い、該フォトルミネッセント要素は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を直接覆う、チップスケール線状発光装置。
18. 基板上面を含むサブマウント基板であって、前記基板上面上に、相互に直交する、第１の水平方向、第２の水平方向および法線方向が規定されるサブマウント基板と、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に、前記第１の水平方向に沿って配置される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体チップであって、前記ＬＥＤ半導体チップ各々は、チップ上面、該チップ上面に対向するチップ下面、複数のチップ端面、および、一組の電極、を含み、前記チップ端面は、前記チップ上面および前記チップ下面の間に伸長しており、前記一組の電極は、前記チップ下面に隣接して配置される、複数のＬＥＤ半導体チップと、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を覆うチップスケールパッケージ構造体であって、主発光上面、および、複数のパッケージ側面を含み、前記主発光上面が、全ての前記ＬＥＤ半導体チップを覆う単一且つ連続する表面であり、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面が、前記法線方向に沿って、相互に対向配置され、かつ、離間される、チップスケールパッケージ構造体と、
    前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置され、前記第１および第２の水平方向に沿う、前記チップスケールパッケージ構造体の前記パッケージ側面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を覆うが、前記チップスケールパッケージ構造体の前記主発光上面および前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面を露わにする反射構造体と、
    を含み、
    前記サブマウント基板、前記反射構造体および前記チップスケールパッケージ構造体は、線状に分布する光放射パターンを有する光線が前記主発光上面から均一に照射されるように、連続的で線状の光ミキシング光学空間を形成するように構成され、
    前記チップスケールパッケージ構造体は、フォトルミネッセント層を含み、該フォトルミネッセント層は、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ上面上に配置され、前記ＬＥＤ半導体チップの前記チップ端面を露わにする、チップスケール線状発光装置。
19. 前記サブマウント基板の前記基板上面上に配置される反射層をさらに含み、該反射層上に前記チップスケールパッケージ構造体が配置される、請求項１５～１８のいずれか１項のチップスケール線状発光装置。
20. 請求項１５～１８のいずれか１項のチップスケール線状発光装置と、
    光入射面、光出射面、導光裏面、および、反射層、を含む導光板であって、前記光入射面は、前記チップスケール線状発光装置の前記主発光上面と向かい合って配置され、前記光出射面および前記導光裏面とつながっており、前記反射層は、前記導光裏面上に配置されている、導光板と、
    を含むバックライトモジュール。
21. 前記サブマウント基板の前記基板上面は、垂直部と水平部とを含み、前記導光板は、前記サブマウント基板の前記水平部に配置される、請求項２０のバックライトモジュール。
22. 前記主発光上面の面積は、前記導光板の前記光入射面の面積よりも大きくない、請求項２０のバックライトモジュール。