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JP7305178B2 - Polishing equipment - Google Patents

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JP7305178B2
JP7305178B2 JP2019170282A JP2019170282A JP7305178B2 JP 7305178 B2 JP7305178 B2 JP 7305178B2 JP 2019170282 A JP2019170282 A JP 2019170282A JP 2019170282 A JP2019170282 A JP 2019170282A JP 7305178 B2 JP7305178 B2 JP 7305178B2
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Description

本発明は、研磨装置に関する。 The present invention relates to a polishing apparatus.

特許文献1には、光電センサを用いてウェハの飛び出しを検知する研磨装置が開示されている。 Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-100002 discloses a polishing apparatus that detects the protrusion of a wafer using a photoelectric sensor.

特許第3761673号Patent No. 3761673

ヘッドでウェハを保持する研磨装置においては、何らかの拍子でウェハの保持が外れてウェハがヘッドから飛び出してしまう(スリップアウト)場合がある。スリップアウトが発生すると、装置を構成する各種部品やウェハの破損につながるおそれがあるため、スリップアウトを検出する必要がある。 In a polishing apparatus that holds a wafer by a head, the wafer may slip out of the head (slip-out) when the wafer is released from the holding for some reason. If a slip-out occurs, it may lead to damage to various parts and wafers that make up the apparatus, so it is necessary to detect the slip-out.

しかしながら、光電センサを用いる場合には、研磨パッド上に存在する流体を検知してしまうため、スリップアウトが発生していないにもかかわらずスリップアウトが発生したと誤って検出するおそれがある。 However, when the photoelectric sensor is used, it detects the fluid present on the polishing pad, so there is a risk of erroneously detecting that slip-out has occurred even though slip-out has not occurred.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、誤検出を減らし、精度よくスリップアウトを検出することができる研磨装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a polishing apparatus capable of reducing erroneous detection and accurately detecting slip-out.

上記課題を解決するために、本発明に係る研磨ヘッドは、例えば、上面に研磨パッドが設けられ、第1方向に回転可能に設けられた定盤と、ウェハの裏面を保持しながら、前記研磨パッドに前記ウェハの表面を押圧して前記ウェハを研磨する研磨ヘッドであって、前記第1方向に回転可能に設けられた研磨ヘッドと、前記ウェハの前記研磨ヘッドからの飛び出しを検出するスリップアウトセンサであって、静電容量型の近接センサであるスリップアウトセンサと、を備え、前記スリップアウトセンサは、前記研磨ヘッドの外側かつ前記研磨ヘッドの外周面に隣接する位置のうちの前記定盤の回転方向下流側に設けられていることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the polishing head according to the present invention includes, for example, a polishing head provided with a polishing pad on its upper surface and a surface plate provided rotatably in a first direction; A polishing head for polishing the wafer by pressing the surface of the wafer against a pad, the polishing head being rotatable in the first direction, and a slip-out detecting the protrusion of the wafer from the polishing head. a slip-out sensor, which is a capacitive proximity sensor, and the slip-out sensor is positioned outside the polishing head and adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head, the surface plate is provided on the downstream side in the direction of rotation of the

本発明に係る研磨ヘッドによれば、ウェハの研磨ヘッドからの飛び出しを検出するスリップアウトセンサは、静電容量型の近接センサであり、研磨ヘッドの外側かつ研磨ヘッドの外周面に隣接する位置のうちの定盤の回転方向下流側に設けられている。これにより、誤検出を減らし、精度よくスリップアウトを検出することができる。 According to the polishing head of the present invention, the slip-out sensor for detecting the protrusion of the wafer from the polishing head is a capacitive proximity sensor located outside the polishing head and adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head. It is provided on the downstream side in the rotation direction of the surface plate. As a result, erroneous detection can be reduced and slip-out can be detected with high accuracy.

ここで、前記研磨ヘッドは、第1研磨ヘッド及び第2研磨ヘッドを有し、前記スリップアウトセンサは、第1スリップアウトセンサ及び第2スリップアウトセンサを有し、前記第1研磨ヘッドに隣接して前記第1スリップアウトセンサが設けられており、前記第2研磨ヘッドに隣接して前記第2スリップアウトセンサが設けられており、平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第1スリップアウトセンサと、前記第2研磨ヘッド及び前記第2スリップアウトセンサは、前記定盤の中心に対して点対称な位置に配置されてもよい。これにより、2つのスリップアウトセンサを同条件下に配置して、2つのスリップアウトセンサの検出精度を略一致させることができる。 Here, the polishing head has a first polishing head and a second polishing head, and the slip-out sensor has a first slip-out sensor and a second slip-out sensor adjacent to the first polishing head. The first slip-out sensor is provided at the first polishing head, and the second slip-out sensor is provided adjacent to the second polishing head. Further, the second polishing head and the second slip-out sensor may be arranged at point-symmetrical positions with respect to the center of the platen. Thereby, the two slip-out sensors can be arranged under the same conditions, and the detection accuracies of the two slip-out sensors can be substantially matched.

ここで、平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドの中心は、前記定盤の中心を中心とした第1円と重なり、平面視において、前記第1スリップアウトセンサは、前記第1研磨ヘッドの中心における前記第1円の接線上に配置されており、平面視において、前記第2スリップアウトセンサは、前記第2研磨ヘッドの中心における前記第1円の接線上に配置されていてもよい。これにより、ウェハのスリップアウトが検出しやすくなる。 Here, in plan view, the centers of the first polishing head and the second polishing head overlap with a first circle centered on the center of the surface plate, and in plan view, the first slip-out sensor The second slip-out sensor is arranged tangent to the first circle at the center of the first polishing head, and in plan view, the second slip-out sensor is arranged tangent to the first circle at the center of the second polishing head. may be This makes it easier to detect wafer slip-out.

ここで、平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドの中心は、前記定盤の中心を中心とした第1円と重なり、平面視において、前記第1スリップアウトセンサ及び前記第2スリップアウトセンサは、前記第1円上に配置されていてもよい。これにより、ウェハのスリップアウトが検出しやすくなる。 Here, in plan view, the centers of the first polishing head and the second polishing head overlap with a first circle centered on the center of the surface plate, and in plan view, the first slip-out sensor and the second polishing head overlap each other. Two slip-out sensors may be arranged on the first circle. This makes it easier to detect wafer slip-out.

ここで、前記研磨ヘッドは、前記ウェハが前記研磨パッド上にあるか否かを検出する置き忘れ防止センサを有し、前記置き忘れ防止センサは、静電容量型の近接センサであり、前記スリップアウトセンサに隣接して設けられており、前記スリップアウトセンサと前記置き忘れ防止センサは、前記研磨ヘッドの前記定盤と対向する面からの距離が異なるように配置されていてもよい。これにより、スリップアウトだけでなく、ウェハが研磨パッド上にあるか否か(すなわち、置き忘れ)についても検出することができる。 Here, the polishing head has a misplacement prevention sensor that detects whether or not the wafer is on the polishing pad, the misplacement prevention sensor is a capacitive proximity sensor, and the slip-out sensor and the slip-out sensor and the misplacement prevention sensor may be arranged at different distances from the surface of the polishing head facing the surface plate. This allows detection not only of slip-outs, but also of whether the wafer is on the polishing pad (ie misplaced).

本発明によれば、誤検出を減らし、精度よくスリップアウトを検出することができる。 According to the present invention, erroneous detection can be reduced and slip-out can be detected with high accuracy.

研磨装置1の概略を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an outline of a polishing apparatus 1; FIG. 研磨ヘッド10及び定盤20の概略を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing an outline of a polishing head 10 and a surface plate 20; FIG. 研磨ヘッド10及びスリップアウトセンサ15の概略を示す側面図である。FIG. 2 is a side view schematically showing a polishing head 10 and a slip-out sensor 15; 研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す斜視図である。2 is a perspective view showing an outline of a polishing head 10, a slip-out sensor 15 and a surface plate 20; FIG. 研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す平面図である。2 is a plan view showing an outline of a polishing head 10, a slip-out sensor 15 and a surface plate 20; FIG. 研磨装置2における研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す平面図である。2 is a plan view schematically showing a polishing head 10, a slip-out sensor 15, and a platen 20 in the polishing apparatus 2; FIG. 研磨装置3における研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び置き忘れ防止センサ16の概略を示す側面図である。3 is a side view schematically showing the polishing head 10, the slip-out sensor 15, and the misplacement prevention sensor 16 in the polishing apparatus 3. FIG.

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明は、例えば、化学的機械的研磨、いわゆるCMP(Chemical Mecanical Polishing)技術により、ウェハ(基板)を研磨する研磨装置である。化学機械研磨においては、ウェハの表面を機械的に削ると同時に、研磨液がウェハの表面と化学反応して研磨を行う。また、本発明のウェハは、シリコンウェハ、GaN(窒化ガリウム)SiC(シリコンカーバイド)ウェハ、GaAs(ヒ化ガリウム)ウェハ、GaP(リン化ガリウム)ウェハ等様々な材料で形成されたウェハを含む。なお、CMPは一例であり、本発明は、例えば、通常の研磨を方法によりウェハを研磨する研磨装置であってもよい。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is, for example, a polishing apparatus that polishes a wafer (substrate) by chemical mechanical polishing, so-called CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology. In chemical-mechanical polishing, the surface of the wafer is mechanically scraped, and at the same time, the polishing solution chemically reacts with the surface of the wafer to perform polishing. Wafers of the present invention include wafers made of various materials such as silicon wafers, GaN (gallium nitride) SiC (silicon carbide) wafers, GaAs (gallium arsenide) wafers, and GaP (gallium phosphide) wafers. Note that CMP is just an example, and the present invention may be, for example, a polishing apparatus that polishes a wafer by a normal polishing method.

<第1の実施の形態>
図1は、研磨装置1の概略を示す斜視図である。研磨装置1は、主として、ウェハW(図1では図示せず)の裏面を保持する研磨ヘッド10と、定盤20と、スラリ供給部30を有する。
<First embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a polishing apparatus 1. FIG. The polishing apparatus 1 mainly has a polishing head 10 that holds the back surface of a wafer W (not shown in FIG. 1), a platen 20 and a slurry supply section 30 .

定盤20の上面には、ウェハWを研磨するための研磨パッド21が設けられている。スラリ供給部30は、研磨パッド21上にスラリ(研磨粒子を含んだ研磨液)を供給するものであり、定盤20と共に回転する。 A polishing pad 21 for polishing the wafer W is provided on the upper surface of the platen 20 . The slurry supply unit 30 supplies slurry (polishing liquid containing abrasive particles) onto the polishing pad 21 and rotates together with the surface plate 20 .

研磨装置1は、4個の定盤20を有する。また、1つの定盤20に対して、2個の研磨ヘッド10及びスラリ供給部30が設けられている。なお、研磨装置1が有する定盤20の数は4個に限られず、また、1つの定盤20に対して設けられている研磨ヘッド10及びスラリ供給部30の数も2個に限られない。 The polishing apparatus 1 has four surface plates 20 . Also, two polishing heads 10 and a slurry supply section 30 are provided for one surface plate 20 . The number of surface plates 20 included in the polishing apparatus 1 is not limited to four, and the number of polishing heads 10 and slurry supply units 30 provided for one surface plate 20 is not limited to two. .

研磨ヘッド10及び定盤20は、時計回り又は反時計回りに回転可能に設けられている。本実施の形態では、平面視において研磨ヘッド10及び定盤20は反時計回りに回転する(図1の矢印参照)。 The polishing head 10 and the platen 20 are rotatable clockwise or counterclockwise. In this embodiment, the polishing head 10 and the platen 20 rotate counterclockwise in plan view (see the arrow in FIG. 1).

図2は、研磨ヘッド10及び定盤20の概略を示す断面図である。研磨ヘッド10は、主として、ヘッド本体部11と、リテーナリング12と、チャックプレート13と、バッキング材14と、スリップアウトセンサ15(図3参照)と、を有する。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of the polishing head 10 and the surface plate 20. As shown in FIG. The polishing head 10 mainly includes a head main body 11, a retainer ring 12, a chuck plate 13, a backing material 14, and a slip-out sensor 15 (see FIG. 3).

ヘッド本体部11の内部には、エア室11aが設けられている。圧縮空気は、図示しないエア供給源からエア室11aに供給される。圧縮空気がエア室11aに滞留することで、圧縮空気がウェハWの全面を均一に押圧する。 An air chamber 11 a is provided inside the head body portion 11 . Compressed air is supplied to the air chamber 11a from an air supply source (not shown). The compressed air presses the entire surface of the wafer W uniformly because the compressed air stays in the air chamber 11a.

リテーナリング12は、ヘッド本体部11の下方に設けられた略円環形状の部材である。リテーナリング12の中空部は、バッキング材14及びウェハWが収容される凹部12aである。 The retainer ring 12 is a substantially annular member provided below the head body portion 11 . A hollow portion of the retainer ring 12 is a recess 12a in which the backing material 14 and the wafer W are accommodated.

チャックプレート13は、金属(例えば、ステンレス)又はセラミックにより形成された略円板形状の板状部であり、バッキング材14のウェハWが当接しない面に当接する。 The chuck plate 13 is a substantially disc-shaped plate-like portion made of metal (for example, stainless steel) or ceramic, and contacts the surface of the backing material 14 that the wafer W does not contact.

バッキング材14は、略円板形状の薄膜状(シート状)の部材であり、可撓性及び弾性を有する。バッキング材14は、チャックプレート13の下側(定盤20側)の面に当接しており、凹部12aの内部に設けられている。バッキング材14には、例えば、スエードや、発泡ポリウレタン製のシートを用いることができる。バッキング材14は、加圧により厚さが微小に変化する。バッキング材14は、例えば発泡ポリウレタン製のシートを薄くスライスすることにより形成され、表面に微小な空洞が多数存在する。バッキング材14の表面に水を塗布し、ウェハWをバッキング材14に押圧すると、空洞内の水が外部に排出されたときに生じる陰圧及び水の表面張力により、ウェハWがバッキング材14に固定される。 The backing material 14 is a substantially disk-shaped thin film (sheet-like) member having flexibility and elasticity. The backing material 14 is in contact with the lower side (surface plate 20 side) of the chuck plate 13, and is provided inside the recess 12a. For the backing material 14, for example, suede or a polyurethane foam sheet can be used. The thickness of the backing material 14 is minutely changed by pressurization. The backing material 14 is formed by thinly slicing a foamed polyurethane sheet, for example, and has a large number of minute cavities on its surface. When water is applied to the surface of the backing material 14 and the wafer W is pressed against the backing material 14 , the wafer W is pressed against the backing material 14 by the negative pressure generated when the water in the cavity is discharged to the outside and the surface tension of the water. Fixed.

研磨装置1においては、研磨パッド21を貼り付けた定盤20を回転させ、研磨パッド21上にスラリを供給しつつ、研磨ヘッド10に保持されたウェハWを回転させながら研磨パッド21にウェハWの表面を押圧して、ウェハWやウェハWの表面に形成された絶縁膜や金属膜の層を研磨する。 In the polishing apparatus 1, while rotating the surface plate 20 to which the polishing pad 21 is adhered, slurry is supplied onto the polishing pad 21, and the wafer W held by the polishing head 10 is rotated, the wafer W is placed on the polishing pad 21. By pressing the surface of the wafer W, the insulating film and the metal film layer formed on the surface of the wafer W are polished.

次に、スリップアウトセンサ15について説明する。図3は、研磨ヘッド10及びスリップアウトセンサ15の概略を示す側面図である。 Next, the slip-out sensor 15 will be explained. FIG. 3 is a side view schematically showing the polishing head 10 and the slip-out sensor 15. FIG.

スリップアウトセンサ15は、ウェハWの研磨ヘッド10からの飛び出しを検出するセンサである。スリップアウトセンサ15には、静電容量型の近接センサが用いられる。 The slip-out sensor 15 is a sensor that detects the slip-out of the wafer W from the polishing head 10 . A capacitive proximity sensor is used as the slip-out sensor 15 .

スリップアウトセンサ15は、研磨ヘッド10の外周面に隣接して設けられている。また、スリップアウトセンサ15は、先端が、研磨ヘッド10(ここでは、リテーナリング12)の下側の面12b(定盤20と対向する面)から突出しないように設けられている。本実施の形態では、リテーナリング12の厚さが略20mmであり、スリップアウトセンサ15と面12bとの距離h1は約5mm~略8mmである。なお、距離h1は、スリップアウトセンサ15の種類等により変化する。 A slip-out sensor 15 is provided adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head 10 . The tip of the slip-out sensor 15 is provided so as not to protrude from the lower surface 12b (the surface facing the platen 20) of the polishing head 10 (here, the retainer ring 12). In this embodiment, the thickness of the retainer ring 12 is approximately 20 mm, and the distance h1 between the slip-out sensor 15 and the surface 12b is approximately 5 mm to approximately 8 mm. Note that the distance h1 changes depending on the type of the slip-out sensor 15 and the like.

図4は、研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す斜視図である。図4では、スラリ供給部30の図示を省略している。 FIG. 4 is a perspective view showing an outline of the polishing head 10, the slip-out sensor 15 and the platen 20. FIG. In FIG. 4, illustration of the slurry supply unit 30 is omitted.

研磨ヘッド10は、研磨ヘッド10A及び研磨ヘッド10Bを有し、スリップアウトセンサ15は、スリップアウトセンサ15A及びスリップアウトセンサ15Bを有する。研磨ヘッド10Aに隣接してスリップアウトセンサ15Aが設けられており、研磨ヘッド10Bに隣接してスリップアウトセンサ15Bが設けられている。 The polishing head 10 has a polishing head 10A and a polishing head 10B, and the slip-out sensor 15 has a slip-out sensor 15A and a slip-out sensor 15B. A slip-out sensor 15A is provided adjacent to the polishing head 10A, and a slip-out sensor 15B is provided adjacent to the polishing head 10B.

スリップアウトセンサ15Aは、取付部材17Aにより、研磨装置1の筐体31に固定されている。また、スリップアウトセンサ15Bは、取付部材17Bにより筐体31に固定されている。つまり、研磨ヘッド10A、10Bが回転しても、スリップアウトセンサ15A、15Bは回転しない。 The slip-out sensor 15A is fixed to the housing 31 of the polishing apparatus 1 by a mounting member 17A. Moreover, the slip-out sensor 15B is fixed to the housing 31 by a mounting member 17B. That is, even if the polishing heads 10A and 10B rotate, the slip-out sensors 15A and 15B do not rotate.

スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、研磨ヘッド10A、10Bの外側かつ研磨ヘッド10A、10Bの外周面に隣接して設けられている。また、スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、定盤20の回転方向下流側に設けられている。定盤20は反時計回りに回転しているため、スリップアウトセンサ15Aは、図4において、研磨ヘッド10Aの奥側に設けられており、スリップアウトセンサ15Bは、図4において、研磨ヘッド10Bの手前側に設けられている。 The slip-out sensors 15A and 15B are provided outside the polishing heads 10A and 10B and adjacent to the outer peripheral surfaces of the polishing heads 10A and 10B, respectively. Moreover, the slip-out sensors 15A and 15B are provided on the downstream side of the surface plate 20 in the rotational direction. Since the surface plate 20 rotates counterclockwise, the slip-out sensor 15A is provided behind the polishing head 10A in FIG. It is located on the front side.

ウェハWが研磨ヘッド10から飛び出すときは、定盤20の回転に沿って、定盤20の回転方向下流側に飛び出す。したがって、スリップアウトセンサ15A、15Bを、研磨ヘッド10A、10Bの定盤20の回転方向下流側に設けるようにしている。 When the wafer W pops out of the polishing head 10 , it pops out to the downstream side in the rotation direction of the surface plate 20 along with the rotation of the surface plate 20 . Therefore, the slip-out sensors 15A and 15B are provided on the downstream side of the polishing heads 10A and 10B in the rotation direction of the surface plate 20 .

図5は、研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す平面図である。研磨ヘッド10A、10Bは、平面視において、研磨ヘッド10A、10Bの中心axA、axBが、定盤20の中心20axを中心とする円Sと重なるように配置されている。 FIG. 5 is a plan view schematically showing the polishing head 10, the slip-out sensor 15 and the platen 20. FIG. The polishing heads 10A and 10B are arranged so that the centers axA and axB of the polishing heads 10A and 10B overlap a circle S centered at the center 20ax of the platen 20 in plan view.

スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、定盤20の回転方向下流側に設けられている。定盤20は反時計回りに回転しているため、図5に示す平面視において、研磨ヘッド10Aを示す円のうち、定盤20の中心20axと研磨ヘッド10Aの中心axAを通る線(線L)よりも上側の半円部分が定盤20の回転方向下流側に相当し、研磨ヘッド10Bを示す円のうち、定盤20の中心20axと研磨ヘッド10Bの中心axBを通る線(線L)よりも下側の半円部分が定盤20の回転方向下流側に相当する。 The slip-out sensors 15A and 15B are provided on the downstream side of the surface plate 20 in the rotational direction. Since the surface plate 20 rotates counterclockwise, in the plan view shown in FIG. 5, a line (line L ) corresponds to the downstream side in the rotation direction of the surface plate 20, and a line (line L) passing through the center 20ax of the surface plate 20 and the center axB of the polishing head 10B in the circle indicating the polishing head 10B. The lower semicircular portion corresponds to the downstream side of the surface plate 20 in the rotation direction.

また、スリップアウトセンサ15Aは、平面視において、研磨ヘッド10Aの中心axAにおける円Sの接線TA上に配置されている。また、スリップアウトセンサ15Bは、平面視において、研磨ヘッド10Bの中心axBにおける円Sの接線TB上に配置されている。接線TA、TBに沿ってウェハWが研磨ヘッド10から飛び出しやすいため、スリップアウトセンサ15A、15Bをそれぞれ接線TA、TB上に設けることにより、ウェハWのスリップアウトが検出しやすくなる。 Further, the slip-out sensor 15A is arranged on the tangent line TA of the circle S at the center axA of the polishing head 10A in plan view. Further, the slip-out sensor 15B is arranged on the tangent line TB of the circle S at the center axB of the polishing head 10B in plan view. Since the wafer W tends to jump out of the polishing head 10 along the tangent lines TA and TB, slip-out of the wafer W can be easily detected by providing the slip-out sensors 15A and 15B on the tangent lines TA and TB, respectively.

また、研磨ヘッド10A及びスリップアウトセンサ15Aと、研磨ヘッド10B及びスリップアウトセンサ15Bとは、平面視において、定盤20の中心20axに対して点対称な位置に配置される。これにより、研磨ヘッド10A及びスリップアウトセンサ15Aと、研磨ヘッド10B及びスリップアウトセンサ15Bとが同条件下に配置され、スリップアウトセンサ15Aでの検出精度とスリップアウトセンサ15Bでの検出精度とが略一致する。 Also, the polishing head 10A and the slip-out sensor 15A, and the polishing head 10B and the slip-out sensor 15B are arranged at point-symmetrical positions with respect to the center 20ax of the platen 20 in plan view. Thereby, the polishing head 10A and the slip-out sensor 15A and the polishing head 10B and the slip-out sensor 15B are arranged under the same conditions, and the detection accuracy of the slip-out sensor 15A and the detection accuracy of the slip-out sensor 15B are substantially equal. match.

本実施の形態によれば、静電容量型の近接センサをスリップアウトセンサ15に用い、研磨ヘッド10の外側かつ研磨ヘッド10の外周面に隣接する位置のうちの定盤20の回転方向下流側にスリップアウトセンサ15を設けることで、誤検出を防ぎ、精度よくウェハWのスリップアウトを検出することができる。 According to the present embodiment, a capacitive proximity sensor is used as the slip-out sensor 15, and the position adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head 10 outside the polishing head 10 and downstream in the rotation direction of the surface plate 20 is detected. By providing the slip-out sensor 15 at , erroneous detection can be prevented and the slip-out of the wafer W can be detected with high accuracy.

例えば、スリップアウトセンサに光電センサを用いる場合には、誤って流体を検知してしまう。また、スリップアウトセンサを研磨ヘッドの内側に設ける場合には、外乱の影響により誤って流体を検知してしまう。それに対し、スリップアウトセンサに静電容量型の近接センサを用い、スリップアウトセンサを研磨ヘッドの外側に設けることで、外乱の影響を受け難くし、誤検出を防ぐことができる。特に、スラリの供給量と定盤20の回転数を一定とし、流体の流れを安定させることで、外乱の影響をより受け難くすることができる。 For example, when a photoelectric sensor is used as the slip-out sensor, the fluid is erroneously detected. Further, when the slip-out sensor is provided inside the polishing head, the fluid is erroneously detected due to the influence of disturbance. On the other hand, by using a capacitive proximity sensor as the slip-out sensor and providing the slip-out sensor outside the polishing head, it is possible to reduce the influence of disturbance and prevent erroneous detection. In particular, by making the supply amount of slurry and the number of rotations of the surface plate 20 constant and by stabilizing the flow of fluid, it is possible to further reduce the influence of disturbances.

また、本実施の形態では、平面視においてスリップアウトセンサ15A、15Bをそれぞれ接線TA、TB上に設けることで、ウェハWが研磨ヘッド10から飛び出したことをより確実に検出することができる。 Further, in the present embodiment, by providing the slip-out sensors 15A and 15B on the tangential lines TA and TB in plan view, it is possible to more reliably detect that the wafer W has jumped out of the polishing head 10 .

<第2の実施の形態>
本発明の第1の実施の形態は、スリップアウトセンサ15A、15Bを、研磨ヘッド10A、10Bの中心axA、axBにおける円Sの接線TA、TB上に配置したが、スリップアウトセンサ15A、15Bの配置はこれに限られない。
<Second Embodiment>
In the first embodiment of the present invention, the slip-out sensors 15A and 15B are arranged on the tangent lines TA and TB of the circle S at the centers axA and axB of the polishing heads 10A and 10B. The arrangement is not limited to this.

本発明の第2の実施の形態は、スリップアウトセンサ15A、15Bを円S上に配置する形態である。以下、第2の実施の形態にかかる研磨装置2について説明する。なお、第1の実施の形態と同一の部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。 2nd Embodiment of this invention is a form which arrange|positions slip-out sensors 15A and 15B on the circle S. FIG. A polishing apparatus 2 according to the second embodiment will be described below. The same reference numerals are assigned to the same parts as in the first embodiment, and the description thereof is omitted.

図6は、研磨装置2における研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す平面図である。研磨ヘッド10は、研磨ヘッド10A及び研磨ヘッド10Bを有する。スリップアウトセンサ15は、スリップアウトセンサ15A及びスリップアウトセンサ15Bを有する。研磨ヘッド10Aに隣接してスリップアウトセンサ15Aが設けられており、研磨ヘッド10Bに隣接してスリップアウトセンサ15Bが設けられている。スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、研磨ヘッド10A、10Bの外側かつ研磨ヘッド10A、10Bの外周面に隣接した位置に設けられている。 FIG. 6 is a plan view schematically showing the polishing head 10, the slip-out sensor 15 and the platen 20 in the polishing apparatus 2. FIG. The polishing head 10 has a polishing head 10A and a polishing head 10B. The slip-out sensor 15 has a slip-out sensor 15A and a slip-out sensor 15B. A slip-out sensor 15A is provided adjacent to the polishing head 10A, and a slip-out sensor 15B is provided adjacent to the polishing head 10B. The slip-out sensors 15A and 15B are provided outside the polishing heads 10A and 10B and adjacent to the outer peripheral surfaces of the polishing heads 10A and 10B, respectively.

研磨ヘッド10A及びスリップアウトセンサ15Aと、研磨ヘッド10B及びスリップアウトセンサ15Bとは、平面視において、定盤20の中心20axに対して点対称な位置に配置される。 The polishing head 10A and the slip-out sensor 15A, and the polishing head 10B and the slip-out sensor 15B are arranged at point-symmetrical positions with respect to the center 20ax of the platen 20 in plan view.

スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、定盤20の回転方向下流側に設けられている。定盤20は反時計回りに回転しているため、図6に示す平面視において、研磨ヘッド10Aについては、線Lよりも上側の半円部分が定盤20の回転方向下流側に相当し、研磨ヘッド10Bについては、線Lよりも下側の半円部分が定盤20の回転方向下流側に相当する。また、スリップアウトセンサ15A、15Bは、平面視において、それぞれ円S上に配置されている。定盤20の回転数によっては、円Sに沿ってウェハWが研磨ヘッド10から飛び出しやすいため、スリップアウトセンサ15A、15Bをそれぞれ円S上に設けることにより、ウェハWのスリップアウトが検出しやすくなる。 The slip-out sensors 15A and 15B are provided on the downstream side of the surface plate 20 in the rotational direction. Since the surface plate 20 rotates counterclockwise, in the plan view shown in FIG. 6, the semicircular portion above the line L corresponds to the downstream side of the surface plate 20 in the rotation direction. As for the polishing head 10B, the semicircular portion below the line L corresponds to the downstream side of the surface plate 20 in the rotation direction. Also, the slip-out sensors 15A and 15B are arranged on a circle S in plan view. Depending on the rotational speed of the platen 20, the wafer W tends to pop out of the polishing head 10 along the circle S. Therefore, by providing the slip-out sensors 15A and 15B on the circle S, the slip-out of the wafer W can be easily detected. Become.

<第3の実施の形態>
本発明の第3の実施の形態は、置き忘れ防止センサをさらに備えた形態である。以下、第3の実施の形態にかかる研磨装置3について説明する。なお、第1の実施の形態と同一の部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
<Third Embodiment>
A third embodiment of the present invention further includes a misplacement prevention sensor. A polishing apparatus 3 according to the third embodiment will be described below. The same reference numerals are assigned to the same parts as in the first embodiment, and the description thereof is omitted.

図7は、研磨装置3における研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び置き忘れ防止センサ16の概略を示す側面図である。研磨ヘッド10に隣接して、スリップアウトセンサ15と、置き忘れ防止センサ16とが設けられている。 FIG. 7 is a side view schematically showing the polishing head 10, the slip-out sensor 15, and the misplacement prevention sensor 16 in the polishing apparatus 3. FIG. A slip-out sensor 15 and a misplacement prevention sensor 16 are provided adjacent to the polishing head 10 .

置き忘れ防止センサ16は、ウェハWが研磨パッド21上にあるか否かを検出するセンサである。ウェハWが研磨パッド21上にある場合とは、例えば、研磨終了後にウェハWが取り出されずに研磨パッド21上に置き忘れられた場合である。置き忘れ防止センサ16には、スリップアウトセンサ15と同様、静電容量型の近接センサが用いられる。 The misplacement prevention sensor 16 is a sensor that detects whether or not the wafer W is on the polishing pad 21 . The case where the wafer W is on the polishing pad 21 is, for example, the case where the wafer W is left on the polishing pad 21 without being taken out after polishing. Like the slip-out sensor 15, the misplacement prevention sensor 16 is a capacitive proximity sensor.

スリップアウトセンサ15及び置き忘れ防止センサ16は、研磨ヘッド10の外周面に隣接して設けられている。また、スリップアウトセンサ15及び置き忘れ防止センサ16は、先端が面12bから突出しないように設けられている。 The slip-out sensor 15 and the misplacement prevention sensor 16 are provided adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head 10 . Further, the slip-out sensor 15 and the misplacement prevention sensor 16 are provided so that their tips do not protrude from the surface 12b.

また、スリップアウトセンサ15と置き忘れ防止センサ16は、研磨ヘッド10の定盤20と対向する面(面12b)からの距離が異なる。スリップアウトセンサ15と面12bとの距離h1は約5mm~略8mmであり、置き忘れ防止センサ16と面12bとの距離h2は、スリップアウトセンサ15と面12bとの距離h1より小さい。 Further, the slip-out sensor 15 and the misplacement prevention sensor 16 are different in distance from the surface (surface 12b) facing the surface plate 20 of the polishing head 10 . The distance h1 between the slip-out sensor 15 and the surface 12b is about 5 mm to about 8 mm, and the distance h2 between the misplacement prevention sensor 16 and the surface 12b is smaller than the distance h1 between the slip-out sensor 15 and the surface 12b.

本実施の形態によれば、スリップアウトだけでなく、ウェハWが研磨パッド21上にあるか否かについても検出することができる。 According to the present embodiment, it is possible to detect whether or not the wafer W is on the polishing pad 21 as well as the slip-out.

以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to these embodiments, and design changes and the like are also included within the scope of the gist of the present invention. .

また、本発明において、「略」とは、厳密に同一である場合のみでなく、同一性を失わない程度の誤差や変形を含む概念である。例えば、略平行とは、厳密に平行の場合には限られない。また、例えば、略矩形形状とは、厳密に矩形形状の場合には限られない。また、例えば、単に平行、直交、同一等と表現する場合において、厳密に平行、直交、同一等の場合のみでなく、略平行、略直交、略同一等の場合を含むものとする。 In addition, in the present invention, the term "substantially" is not limited to the case of being exactly the same, but is a concept that includes errors and deformations to the extent that the identity is not lost. For example, "substantially parallel" is not limited to being strictly parallel. Further, for example, the substantially rectangular shape is not limited to a strictly rectangular shape. Further, for example, when simply expressing parallel, orthogonal, identical, etc., not only strictly parallel, orthogonal, identical, etc., but also approximately parallel, approximately orthogonal, approximately identical, etc. are included.

1、2、3:研磨装置
10、10A、10B:研磨ヘッド
11 :ヘッド本体部
11a :エア室
12 :リテーナリング
12a :凹部
12b :面
13 :チャックプレート
14 :バッキング材
15、15A、15B:スリップアウトセンサ
16 :置き忘れ防止センサ
17A、17B:取付部材
20 :定盤
21 :研磨パッド
30 :スラリ供給部
31 :筐体

1, 2, 3: polishing apparatus 10, 10A, 10B: polishing head 11: head body 11a: air chamber 12: retainer ring 12a: recess 12b: surface 13: chuck plate 14: backing material 15, 15A, 15B: slip Out sensor 16: Misplacement prevention sensor 17A, 17B: Mounting member 20: Surface plate 21: Polishing pad 30: Slurry supply unit 31: Housing

Claims (4)

上面に研磨パッドが設けられ、第1方向に回転可能に設けられた定盤と、
ウェハの裏面を保持しながら、前記研磨パッドに前記ウェハの表面を押圧して前記ウェハを研磨する研磨ヘッドであって、前記第1方向に回転可能に設けられた研磨ヘッドと、
前記ウェハの前記研磨ヘッドからの飛び出しを検出するスリップアウトセンサであって、静電容量型の近接センサであるスリップアウトセンサと、
を備え、
前記スリップアウトセンサは、前記研磨ヘッドの外側かつ前記研磨ヘッドの外周面に隣接する位置のうちの前記定盤の回転方向下流側に設けられており、
前記研磨ヘッドは、第1研磨ヘッド及び第2研磨ヘッドを有し、
前記スリップアウトセンサは、第1スリップアウトセンサ及び第2スリップアウトセンサを有し、
前記第1研磨ヘッドに隣接して前記第1スリップアウトセンサが設けられており、前記第2研磨ヘッドに隣接して前記第2スリップアウトセンサが設けられており、
平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第1スリップアウトセンサと、前記第2研磨ヘッド及び前記第2スリップアウトセンサは、前記定盤の中心に対して点対称な位置に配置される
ことを特徴とする研磨装置。
a surface plate provided with a polishing pad on its upper surface and provided rotatably in a first direction;
a polishing head for polishing the wafer by pressing the front surface of the wafer against the polishing pad while holding the rear surface of the wafer, the polishing head being rotatable in the first direction;
a slip-out sensor that detects the protrusion of the wafer from the polishing head, the slip-out sensor being a capacitive proximity sensor;
with
The slip-out sensor is provided outside the polishing head and at a position adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head on the downstream side in the rotation direction of the surface plate ,
The polishing head has a first polishing head and a second polishing head,
The slip-out sensor has a first slip-out sensor and a second slip-out sensor,
The first slip-out sensor is provided adjacent to the first polishing head, and the second slip-out sensor is provided adjacent to the second polishing head,
In a plan view, the first polishing head and the first slip-out sensor, and the second polishing head and the second slip-out sensor are arranged at point-symmetrical positions with respect to the center of the platen.
A polishing apparatus characterized by:
平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドの中心は、前記定盤の中
心を中心とした第1円と重なり、
平面視において、前記第1スリップアウトセンサは、前記第1研磨ヘッドの中心におけ
る前記第1円の接線上に配置されており、
平面視において、前記第2スリップアウトセンサは、前記第2研磨ヘッドの中心におけ
る前記第1円の接線上に配置されている
ことを特徴とする請求項に記載の研磨装置。
In plan view, the centers of the first polishing head and the second polishing head overlap with a first circle centered on the center of the surface plate,
In plan view, the first slip-out sensor is arranged on a tangent line of the first circle at the center of the first polishing head,
2. The polishing apparatus according to claim 1 , wherein the second slip-out sensor is arranged on a tangent line of the first circle at the center of the second polishing head in plan view.
平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドの中心は、前記定盤の中
心を中心とした第1円と重なり、
平面視において、前記第1スリップアウトセンサ及び前記第2スリップアウトセンサは
、前記第1円上に配置されている
ことを特徴とする請求項に記載の研磨装置。
In plan view, the centers of the first polishing head and the second polishing head overlap with a first circle centered on the center of the surface plate,
The polishing apparatus according to claim 1 , wherein the first slip-out sensor and the second slip-out sensor are arranged on the first circle in plan view.
前記研磨ヘッドは、前記ウェハが前記研磨パッド上にあるか否かを検出する置き忘れ防
止センサを有し、
前記置き忘れ防止センサは、静電容量型の近接センサであり、前記スリップアウトセン
サに隣接して設けられており、
前記スリップアウトセンサと前記置き忘れ防止センサは、前記研磨ヘッドの前記定盤と
対向する面からの距離が異なるように配置されている
ことを特徴とする請求項1からのいずれか一項に記載の研磨装置。
the polishing head has a misplacement prevention sensor that detects whether the wafer is on the polishing pad;
The misplacement prevention sensor is a capacitive proximity sensor and is provided adjacent to the slip-out sensor,
4. The method according to any one of claims 1 to 3 , wherein the slip-out sensor and the misplacement prevention sensor are arranged at different distances from the surface of the polishing head facing the surface plate. polishing equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7305178B2 (en) * 2019-09-19 2023-07-10 株式会社ブイ・テクノロジー Polishing equipment
CN113579989B (en) * 2021-08-13 2024-01-26 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 Slide detection device and polishing system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001096455A (en) 1999-09-28 2001-04-10 Ebara Corp Polishing equipment
JP2003236744A (en) 2002-02-19 2003-08-26 Ebara Corp Polishing device
JP2004195629A (en) 2002-12-20 2004-07-15 Ebara Corp Polishing device
JP2016087713A (en) 2014-10-30 2016-05-23 信越半導体株式会社 Polishing equipment

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008142892A (en) * 2008-01-29 2008-06-26 Ebara Corp Polishing device
US9067295B2 (en) * 2012-07-25 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Monitoring retaining ring thickness and pressure control
JP6554392B2 (en) * 2015-11-12 2019-07-31 株式会社ディスコ Spinner device
JP7305178B2 (en) * 2019-09-19 2023-07-10 株式会社ブイ・テクノロジー Polishing equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001096455A (en) 1999-09-28 2001-04-10 Ebara Corp Polishing equipment
JP2003236744A (en) 2002-02-19 2003-08-26 Ebara Corp Polishing device
JP2004195629A (en) 2002-12-20 2004-07-15 Ebara Corp Polishing device
JP2016087713A (en) 2014-10-30 2016-05-23 信越半導体株式会社 Polishing equipment

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