JP7305178B2 - Polishing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、研磨装置に関する。 The present invention relates to a polishing apparatus.
特許文献1には、光電センサを用いてウェハの飛び出しを検知する研磨装置が開示されている。 Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-100002 discloses a polishing apparatus that detects the protrusion of a wafer using a photoelectric sensor.
ヘッドでウェハを保持する研磨装置においては、何らかの拍子でウェハの保持が外れてウェハがヘッドから飛び出してしまう(スリップアウト)場合がある。スリップアウトが発生すると、装置を構成する各種部品やウェハの破損につながるおそれがあるため、スリップアウトを検出する必要がある。 In a polishing apparatus that holds a wafer by a head, the wafer may slip out of the head (slip-out) when the wafer is released from the holding for some reason. If a slip-out occurs, it may lead to damage to various parts and wafers that make up the apparatus, so it is necessary to detect the slip-out.
しかしながら、光電センサを用いる場合には、研磨パッド上に存在する流体を検知してしまうため、スリップアウトが発生していないにもかかわらずスリップアウトが発生したと誤って検出するおそれがある。 However, when the photoelectric sensor is used, it detects the fluid present on the polishing pad, so there is a risk of erroneously detecting that slip-out has occurred even though slip-out has not occurred.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、誤検出を減らし、精度よくスリップアウトを検出することができる研磨装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a polishing apparatus capable of reducing erroneous detection and accurately detecting slip-out.
上記課題を解決するために、本発明に係る研磨ヘッドは、例えば、上面に研磨パッドが設けられ、第1方向に回転可能に設けられた定盤と、ウェハの裏面を保持しながら、前記研磨パッドに前記ウェハの表面を押圧して前記ウェハを研磨する研磨ヘッドであって、前記第1方向に回転可能に設けられた研磨ヘッドと、前記ウェハの前記研磨ヘッドからの飛び出しを検出するスリップアウトセンサであって、静電容量型の近接センサであるスリップアウトセンサと、を備え、前記スリップアウトセンサは、前記研磨ヘッドの外側かつ前記研磨ヘッドの外周面に隣接する位置のうちの前記定盤の回転方向下流側に設けられていることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the polishing head according to the present invention includes, for example, a polishing head provided with a polishing pad on its upper surface and a surface plate provided rotatably in a first direction; A polishing head for polishing the wafer by pressing the surface of the wafer against a pad, the polishing head being rotatable in the first direction, and a slip-out detecting the protrusion of the wafer from the polishing head. a slip-out sensor, which is a capacitive proximity sensor, and the slip-out sensor is positioned outside the polishing head and adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head, the surface plate is provided on the downstream side in the direction of rotation of the
本発明に係る研磨ヘッドによれば、ウェハの研磨ヘッドからの飛び出しを検出するスリップアウトセンサは、静電容量型の近接センサであり、研磨ヘッドの外側かつ研磨ヘッドの外周面に隣接する位置のうちの定盤の回転方向下流側に設けられている。これにより、誤検出を減らし、精度よくスリップアウトを検出することができる。 According to the polishing head of the present invention, the slip-out sensor for detecting the protrusion of the wafer from the polishing head is a capacitive proximity sensor located outside the polishing head and adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head. It is provided on the downstream side in the rotation direction of the surface plate. As a result, erroneous detection can be reduced and slip-out can be detected with high accuracy.
ここで、前記研磨ヘッドは、第1研磨ヘッド及び第2研磨ヘッドを有し、前記スリップアウトセンサは、第1スリップアウトセンサ及び第2スリップアウトセンサを有し、前記第1研磨ヘッドに隣接して前記第1スリップアウトセンサが設けられており、前記第2研磨ヘッドに隣接して前記第2スリップアウトセンサが設けられており、平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第1スリップアウトセンサと、前記第2研磨ヘッド及び前記第2スリップアウトセンサは、前記定盤の中心に対して点対称な位置に配置されてもよい。これにより、2つのスリップアウトセンサを同条件下に配置して、2つのスリップアウトセンサの検出精度を略一致させることができる。 Here, the polishing head has a first polishing head and a second polishing head, and the slip-out sensor has a first slip-out sensor and a second slip-out sensor adjacent to the first polishing head. The first slip-out sensor is provided at the first polishing head, and the second slip-out sensor is provided adjacent to the second polishing head. Further, the second polishing head and the second slip-out sensor may be arranged at point-symmetrical positions with respect to the center of the platen. Thereby, the two slip-out sensors can be arranged under the same conditions, and the detection accuracies of the two slip-out sensors can be substantially matched.
ここで、平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドの中心は、前記定盤の中心を中心とした第1円と重なり、平面視において、前記第1スリップアウトセンサは、前記第1研磨ヘッドの中心における前記第1円の接線上に配置されており、平面視において、前記第2スリップアウトセンサは、前記第2研磨ヘッドの中心における前記第1円の接線上に配置されていてもよい。これにより、ウェハのスリップアウトが検出しやすくなる。 Here, in plan view, the centers of the first polishing head and the second polishing head overlap with a first circle centered on the center of the surface plate, and in plan view, the first slip-out sensor The second slip-out sensor is arranged tangent to the first circle at the center of the first polishing head, and in plan view, the second slip-out sensor is arranged tangent to the first circle at the center of the second polishing head. may be This makes it easier to detect wafer slip-out.
ここで、平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドの中心は、前記定盤の中心を中心とした第1円と重なり、平面視において、前記第1スリップアウトセンサ及び前記第2スリップアウトセンサは、前記第1円上に配置されていてもよい。これにより、ウェハのスリップアウトが検出しやすくなる。 Here, in plan view, the centers of the first polishing head and the second polishing head overlap with a first circle centered on the center of the surface plate, and in plan view, the first slip-out sensor and the second polishing head overlap each other. Two slip-out sensors may be arranged on the first circle. This makes it easier to detect wafer slip-out.
ここで、前記研磨ヘッドは、前記ウェハが前記研磨パッド上にあるか否かを検出する置き忘れ防止センサを有し、前記置き忘れ防止センサは、静電容量型の近接センサであり、前記スリップアウトセンサに隣接して設けられており、前記スリップアウトセンサと前記置き忘れ防止センサは、前記研磨ヘッドの前記定盤と対向する面からの距離が異なるように配置されていてもよい。これにより、スリップアウトだけでなく、ウェハが研磨パッド上にあるか否か(すなわち、置き忘れ)についても検出することができる。 Here, the polishing head has a misplacement prevention sensor that detects whether or not the wafer is on the polishing pad, the misplacement prevention sensor is a capacitive proximity sensor, and the slip-out sensor and the slip-out sensor and the misplacement prevention sensor may be arranged at different distances from the surface of the polishing head facing the surface plate. This allows detection not only of slip-outs, but also of whether the wafer is on the polishing pad (ie misplaced).
本発明によれば、誤検出を減らし、精度よくスリップアウトを検出することができる。 According to the present invention, erroneous detection can be reduced and slip-out can be detected with high accuracy.
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明は、例えば、化学的機械的研磨、いわゆるCMP(Chemical Mecanical Polishing)技術により、ウェハ(基板)を研磨する研磨装置である。化学機械研磨においては、ウェハの表面を機械的に削ると同時に、研磨液がウェハの表面と化学反応して研磨を行う。また、本発明のウェハは、シリコンウェハ、GaN(窒化ガリウム)SiC(シリコンカーバイド)ウェハ、GaAs(ヒ化ガリウム)ウェハ、GaP(リン化ガリウム)ウェハ等様々な材料で形成されたウェハを含む。なお、CMPは一例であり、本発明は、例えば、通常の研磨を方法によりウェハを研磨する研磨装置であってもよい。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is, for example, a polishing apparatus that polishes a wafer (substrate) by chemical mechanical polishing, so-called CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology. In chemical-mechanical polishing, the surface of the wafer is mechanically scraped, and at the same time, the polishing solution chemically reacts with the surface of the wafer to perform polishing. Wafers of the present invention include wafers made of various materials such as silicon wafers, GaN (gallium nitride) SiC (silicon carbide) wafers, GaAs (gallium arsenide) wafers, and GaP (gallium phosphide) wafers. Note that CMP is just an example, and the present invention may be, for example, a polishing apparatus that polishes a wafer by a normal polishing method.
<第1の実施の形態>
図1は、研磨装置1の概略を示す斜視図である。研磨装置1は、主として、ウェハW(図1では図示せず)の裏面を保持する研磨ヘッド10と、定盤20と、スラリ供給部30を有する。
<First embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a
定盤20の上面には、ウェハWを研磨するための研磨パッド21が設けられている。スラリ供給部30は、研磨パッド21上にスラリ(研磨粒子を含んだ研磨液)を供給するものであり、定盤20と共に回転する。
A
研磨装置1は、4個の定盤20を有する。また、1つの定盤20に対して、2個の研磨ヘッド10及びスラリ供給部30が設けられている。なお、研磨装置1が有する定盤20の数は4個に限られず、また、1つの定盤20に対して設けられている研磨ヘッド10及びスラリ供給部30の数も2個に限られない。
The
研磨ヘッド10及び定盤20は、時計回り又は反時計回りに回転可能に設けられている。本実施の形態では、平面視において研磨ヘッド10及び定盤20は反時計回りに回転する(図1の矢印参照)。
The polishing
図2は、研磨ヘッド10及び定盤20の概略を示す断面図である。研磨ヘッド10は、主として、ヘッド本体部11と、リテーナリング12と、チャックプレート13と、バッキング材14と、スリップアウトセンサ15(図3参照)と、を有する。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of the
ヘッド本体部11の内部には、エア室11aが設けられている。圧縮空気は、図示しないエア供給源からエア室11aに供給される。圧縮空気がエア室11aに滞留することで、圧縮空気がウェハWの全面を均一に押圧する。
An
リテーナリング12は、ヘッド本体部11の下方に設けられた略円環形状の部材である。リテーナリング12の中空部は、バッキング材14及びウェハWが収容される凹部12aである。
The
チャックプレート13は、金属(例えば、ステンレス)又はセラミックにより形成された略円板形状の板状部であり、バッキング材14のウェハWが当接しない面に当接する。
The
バッキング材14は、略円板形状の薄膜状(シート状)の部材であり、可撓性及び弾性を有する。バッキング材14は、チャックプレート13の下側(定盤20側)の面に当接しており、凹部12aの内部に設けられている。バッキング材14には、例えば、スエードや、発泡ポリウレタン製のシートを用いることができる。バッキング材14は、加圧により厚さが微小に変化する。バッキング材14は、例えば発泡ポリウレタン製のシートを薄くスライスすることにより形成され、表面に微小な空洞が多数存在する。バッキング材14の表面に水を塗布し、ウェハWをバッキング材14に押圧すると、空洞内の水が外部に排出されたときに生じる陰圧及び水の表面張力により、ウェハWがバッキング材14に固定される。
The
研磨装置1においては、研磨パッド21を貼り付けた定盤20を回転させ、研磨パッド21上にスラリを供給しつつ、研磨ヘッド10に保持されたウェハWを回転させながら研磨パッド21にウェハWの表面を押圧して、ウェハWやウェハWの表面に形成された絶縁膜や金属膜の層を研磨する。
In the
次に、スリップアウトセンサ15について説明する。図3は、研磨ヘッド10及びスリップアウトセンサ15の概略を示す側面図である。
Next, the slip-out
スリップアウトセンサ15は、ウェハWの研磨ヘッド10からの飛び出しを検出するセンサである。スリップアウトセンサ15には、静電容量型の近接センサが用いられる。
The slip-out
スリップアウトセンサ15は、研磨ヘッド10の外周面に隣接して設けられている。また、スリップアウトセンサ15は、先端が、研磨ヘッド10(ここでは、リテーナリング12)の下側の面12b(定盤20と対向する面)から突出しないように設けられている。本実施の形態では、リテーナリング12の厚さが略20mmであり、スリップアウトセンサ15と面12bとの距離h1は約5mm~略8mmである。なお、距離h1は、スリップアウトセンサ15の種類等により変化する。
A slip-out
図4は、研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す斜視図である。図4では、スラリ供給部30の図示を省略している。
FIG. 4 is a perspective view showing an outline of the polishing
研磨ヘッド10は、研磨ヘッド10A及び研磨ヘッド10Bを有し、スリップアウトセンサ15は、スリップアウトセンサ15A及びスリップアウトセンサ15Bを有する。研磨ヘッド10Aに隣接してスリップアウトセンサ15Aが設けられており、研磨ヘッド10Bに隣接してスリップアウトセンサ15Bが設けられている。
The polishing
スリップアウトセンサ15Aは、取付部材17Aにより、研磨装置1の筐体31に固定されている。また、スリップアウトセンサ15Bは、取付部材17Bにより筐体31に固定されている。つまり、研磨ヘッド10A、10Bが回転しても、スリップアウトセンサ15A、15Bは回転しない。
The slip-out
スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、研磨ヘッド10A、10Bの外側かつ研磨ヘッド10A、10Bの外周面に隣接して設けられている。また、スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、定盤20の回転方向下流側に設けられている。定盤20は反時計回りに回転しているため、スリップアウトセンサ15Aは、図4において、研磨ヘッド10Aの奥側に設けられており、スリップアウトセンサ15Bは、図4において、研磨ヘッド10Bの手前側に設けられている。
The slip-out
ウェハWが研磨ヘッド10から飛び出すときは、定盤20の回転に沿って、定盤20の回転方向下流側に飛び出す。したがって、スリップアウトセンサ15A、15Bを、研磨ヘッド10A、10Bの定盤20の回転方向下流側に設けるようにしている。
When the wafer W pops out of the polishing
図5は、研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す平面図である。研磨ヘッド10A、10Bは、平面視において、研磨ヘッド10A、10Bの中心axA、axBが、定盤20の中心20axを中心とする円Sと重なるように配置されている。
FIG. 5 is a plan view schematically showing the polishing
スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、定盤20の回転方向下流側に設けられている。定盤20は反時計回りに回転しているため、図5に示す平面視において、研磨ヘッド10Aを示す円のうち、定盤20の中心20axと研磨ヘッド10Aの中心axAを通る線(線L)よりも上側の半円部分が定盤20の回転方向下流側に相当し、研磨ヘッド10Bを示す円のうち、定盤20の中心20axと研磨ヘッド10Bの中心axBを通る線(線L)よりも下側の半円部分が定盤20の回転方向下流側に相当する。
The slip-out
また、スリップアウトセンサ15Aは、平面視において、研磨ヘッド10Aの中心axAにおける円Sの接線TA上に配置されている。また、スリップアウトセンサ15Bは、平面視において、研磨ヘッド10Bの中心axBにおける円Sの接線TB上に配置されている。接線TA、TBに沿ってウェハWが研磨ヘッド10から飛び出しやすいため、スリップアウトセンサ15A、15Bをそれぞれ接線TA、TB上に設けることにより、ウェハWのスリップアウトが検出しやすくなる。
Further, the slip-out
また、研磨ヘッド10A及びスリップアウトセンサ15Aと、研磨ヘッド10B及びスリップアウトセンサ15Bとは、平面視において、定盤20の中心20axに対して点対称な位置に配置される。これにより、研磨ヘッド10A及びスリップアウトセンサ15Aと、研磨ヘッド10B及びスリップアウトセンサ15Bとが同条件下に配置され、スリップアウトセンサ15Aでの検出精度とスリップアウトセンサ15Bでの検出精度とが略一致する。
Also, the polishing
本実施の形態によれば、静電容量型の近接センサをスリップアウトセンサ15に用い、研磨ヘッド10の外側かつ研磨ヘッド10の外周面に隣接する位置のうちの定盤20の回転方向下流側にスリップアウトセンサ15を設けることで、誤検出を防ぎ、精度よくウェハWのスリップアウトを検出することができる。
According to the present embodiment, a capacitive proximity sensor is used as the slip-out
例えば、スリップアウトセンサに光電センサを用いる場合には、誤って流体を検知してしまう。また、スリップアウトセンサを研磨ヘッドの内側に設ける場合には、外乱の影響により誤って流体を検知してしまう。それに対し、スリップアウトセンサに静電容量型の近接センサを用い、スリップアウトセンサを研磨ヘッドの外側に設けることで、外乱の影響を受け難くし、誤検出を防ぐことができる。特に、スラリの供給量と定盤20の回転数を一定とし、流体の流れを安定させることで、外乱の影響をより受け難くすることができる。
For example, when a photoelectric sensor is used as the slip-out sensor, the fluid is erroneously detected. Further, when the slip-out sensor is provided inside the polishing head, the fluid is erroneously detected due to the influence of disturbance. On the other hand, by using a capacitive proximity sensor as the slip-out sensor and providing the slip-out sensor outside the polishing head, it is possible to reduce the influence of disturbance and prevent erroneous detection. In particular, by making the supply amount of slurry and the number of rotations of the
また、本実施の形態では、平面視においてスリップアウトセンサ15A、15Bをそれぞれ接線TA、TB上に設けることで、ウェハWが研磨ヘッド10から飛び出したことをより確実に検出することができる。
Further, in the present embodiment, by providing the slip-out
<第2の実施の形態>
本発明の第1の実施の形態は、スリップアウトセンサ15A、15Bを、研磨ヘッド10A、10Bの中心axA、axBにおける円Sの接線TA、TB上に配置したが、スリップアウトセンサ15A、15Bの配置はこれに限られない。
<Second Embodiment>
In the first embodiment of the present invention, the slip-out
本発明の第2の実施の形態は、スリップアウトセンサ15A、15Bを円S上に配置する形態である。以下、第2の実施の形態にかかる研磨装置2について説明する。なお、第1の実施の形態と同一の部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
2nd Embodiment of this invention is a form which arrange|positions slip-out
図6は、研磨装置2における研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び定盤20の概略を示す平面図である。研磨ヘッド10は、研磨ヘッド10A及び研磨ヘッド10Bを有する。スリップアウトセンサ15は、スリップアウトセンサ15A及びスリップアウトセンサ15Bを有する。研磨ヘッド10Aに隣接してスリップアウトセンサ15Aが設けられており、研磨ヘッド10Bに隣接してスリップアウトセンサ15Bが設けられている。スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、研磨ヘッド10A、10Bの外側かつ研磨ヘッド10A、10Bの外周面に隣接した位置に設けられている。
FIG. 6 is a plan view schematically showing the polishing
研磨ヘッド10A及びスリップアウトセンサ15Aと、研磨ヘッド10B及びスリップアウトセンサ15Bとは、平面視において、定盤20の中心20axに対して点対称な位置に配置される。
The polishing
スリップアウトセンサ15A、15Bは、それぞれ、定盤20の回転方向下流側に設けられている。定盤20は反時計回りに回転しているため、図6に示す平面視において、研磨ヘッド10Aについては、線Lよりも上側の半円部分が定盤20の回転方向下流側に相当し、研磨ヘッド10Bについては、線Lよりも下側の半円部分が定盤20の回転方向下流側に相当する。また、スリップアウトセンサ15A、15Bは、平面視において、それぞれ円S上に配置されている。定盤20の回転数によっては、円Sに沿ってウェハWが研磨ヘッド10から飛び出しやすいため、スリップアウトセンサ15A、15Bをそれぞれ円S上に設けることにより、ウェハWのスリップアウトが検出しやすくなる。
The slip-out
<第3の実施の形態>
本発明の第3の実施の形態は、置き忘れ防止センサをさらに備えた形態である。以下、第3の実施の形態にかかる研磨装置3について説明する。なお、第1の実施の形態と同一の部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
<Third Embodiment>
A third embodiment of the present invention further includes a misplacement prevention sensor. A polishing
図7は、研磨装置3における研磨ヘッド10、スリップアウトセンサ15及び置き忘れ防止センサ16の概略を示す側面図である。研磨ヘッド10に隣接して、スリップアウトセンサ15と、置き忘れ防止センサ16とが設けられている。
FIG. 7 is a side view schematically showing the polishing
置き忘れ防止センサ16は、ウェハWが研磨パッド21上にあるか否かを検出するセンサである。ウェハWが研磨パッド21上にある場合とは、例えば、研磨終了後にウェハWが取り出されずに研磨パッド21上に置き忘れられた場合である。置き忘れ防止センサ16には、スリップアウトセンサ15と同様、静電容量型の近接センサが用いられる。
The
スリップアウトセンサ15及び置き忘れ防止センサ16は、研磨ヘッド10の外周面に隣接して設けられている。また、スリップアウトセンサ15及び置き忘れ防止センサ16は、先端が面12bから突出しないように設けられている。
The slip-out
また、スリップアウトセンサ15と置き忘れ防止センサ16は、研磨ヘッド10の定盤20と対向する面(面12b)からの距離が異なる。スリップアウトセンサ15と面12bとの距離h1は約5mm~略8mmであり、置き忘れ防止センサ16と面12bとの距離h2は、スリップアウトセンサ15と面12bとの距離h1より小さい。
Further, the slip-out
本実施の形態によれば、スリップアウトだけでなく、ウェハWが研磨パッド21上にあるか否かについても検出することができる。
According to the present embodiment, it is possible to detect whether or not the wafer W is on the
以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to these embodiments, and design changes and the like are also included within the scope of the gist of the present invention. .
また、本発明において、「略」とは、厳密に同一である場合のみでなく、同一性を失わない程度の誤差や変形を含む概念である。例えば、略平行とは、厳密に平行の場合には限られない。また、例えば、略矩形形状とは、厳密に矩形形状の場合には限られない。また、例えば、単に平行、直交、同一等と表現する場合において、厳密に平行、直交、同一等の場合のみでなく、略平行、略直交、略同一等の場合を含むものとする。 In addition, in the present invention, the term "substantially" is not limited to the case of being exactly the same, but is a concept that includes errors and deformations to the extent that the identity is not lost. For example, "substantially parallel" is not limited to being strictly parallel. Further, for example, the substantially rectangular shape is not limited to a strictly rectangular shape. Further, for example, when simply expressing parallel, orthogonal, identical, etc., not only strictly parallel, orthogonal, identical, etc., but also approximately parallel, approximately orthogonal, approximately identical, etc. are included.
1、2、3:研磨装置
10、10A、10B:研磨ヘッド
11 :ヘッド本体部
11a :エア室
12 :リテーナリング
12a :凹部
12b :面
13 :チャックプレート
14 :バッキング材
15、15A、15B:スリップアウトセンサ
16 :置き忘れ防止センサ
17A、17B:取付部材
20 :定盤
21 :研磨パッド
30 :スラリ供給部
31 :筐体
1, 2, 3: polishing
Claims (4)
ウェハの裏面を保持しながら、前記研磨パッドに前記ウェハの表面を押圧して前記ウェハを研磨する研磨ヘッドであって、前記第1方向に回転可能に設けられた研磨ヘッドと、
前記ウェハの前記研磨ヘッドからの飛び出しを検出するスリップアウトセンサであって、静電容量型の近接センサであるスリップアウトセンサと、
を備え、
前記スリップアウトセンサは、前記研磨ヘッドの外側かつ前記研磨ヘッドの外周面に隣接する位置のうちの前記定盤の回転方向下流側に設けられており、
前記研磨ヘッドは、第1研磨ヘッド及び第2研磨ヘッドを有し、
前記スリップアウトセンサは、第1スリップアウトセンサ及び第2スリップアウトセンサを有し、
前記第1研磨ヘッドに隣接して前記第1スリップアウトセンサが設けられており、前記第2研磨ヘッドに隣接して前記第2スリップアウトセンサが設けられており、
平面視において、前記第1研磨ヘッド及び前記第1スリップアウトセンサと、前記第2研磨ヘッド及び前記第2スリップアウトセンサは、前記定盤の中心に対して点対称な位置に配置される
ことを特徴とする研磨装置。 a surface plate provided with a polishing pad on its upper surface and provided rotatably in a first direction;
a polishing head for polishing the wafer by pressing the front surface of the wafer against the polishing pad while holding the rear surface of the wafer, the polishing head being rotatable in the first direction;
a slip-out sensor that detects the protrusion of the wafer from the polishing head, the slip-out sensor being a capacitive proximity sensor;
with
The slip-out sensor is provided outside the polishing head and at a position adjacent to the outer peripheral surface of the polishing head on the downstream side in the rotation direction of the surface plate ,
The polishing head has a first polishing head and a second polishing head,
The slip-out sensor has a first slip-out sensor and a second slip-out sensor,
The first slip-out sensor is provided adjacent to the first polishing head, and the second slip-out sensor is provided adjacent to the second polishing head,
In a plan view, the first polishing head and the first slip-out sensor, and the second polishing head and the second slip-out sensor are arranged at point-symmetrical positions with respect to the center of the platen.
A polishing apparatus characterized by:
心を中心とした第1円と重なり、
平面視において、前記第1スリップアウトセンサは、前記第1研磨ヘッドの中心におけ
る前記第1円の接線上に配置されており、
平面視において、前記第2スリップアウトセンサは、前記第2研磨ヘッドの中心におけ
る前記第1円の接線上に配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。 In plan view, the centers of the first polishing head and the second polishing head overlap with a first circle centered on the center of the surface plate,
In plan view, the first slip-out sensor is arranged on a tangent line of the first circle at the center of the first polishing head,
2. The polishing apparatus according to claim 1 , wherein the second slip-out sensor is arranged on a tangent line of the first circle at the center of the second polishing head in plan view.
心を中心とした第1円と重なり、
平面視において、前記第1スリップアウトセンサ及び前記第2スリップアウトセンサは
、前記第1円上に配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。 In plan view, the centers of the first polishing head and the second polishing head overlap with a first circle centered on the center of the surface plate,
The polishing apparatus according to claim 1 , wherein the first slip-out sensor and the second slip-out sensor are arranged on the first circle in plan view.
止センサを有し、
前記置き忘れ防止センサは、静電容量型の近接センサであり、前記スリップアウトセン
サに隣接して設けられており、
前記スリップアウトセンサと前記置き忘れ防止センサは、前記研磨ヘッドの前記定盤と
対向する面からの距離が異なるように配置されている
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing head has a misplacement prevention sensor that detects whether the wafer is on the polishing pad;
The misplacement prevention sensor is a capacitive proximity sensor and is provided adjacent to the slip-out sensor,
4. The method according to any one of claims 1 to 3 , wherein the slip-out sensor and the misplacement prevention sensor are arranged at different distances from the surface of the polishing head facing the surface plate. polishing equipment.
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