JP7380951B2 - フェノール性水酸基含有樹脂 - Google Patents
フェノール性水酸基含有樹脂 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7380951B2 JP7380951B2 JP2023520934A JP2023520934A JP7380951B2 JP 7380951 B2 JP7380951 B2 JP 7380951B2 JP 2023520934 A JP2023520934 A JP 2023520934A JP 2023520934 A JP2023520934 A JP 2023520934A JP 7380951 B2 JP7380951 B2 JP 7380951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- phenolic hydroxyl
- hydroxyl group
- resin
- containing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
以上のように、最先端のウェハレベルパッケージング用途においては、より高解像度で厚膜形成が可能なフォトレジスト膜が求められている。
R2は水素原子、脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基又はハロゲン原子である。
lは0又は1であり、mは1又は2である。
式(B)中、R3は炭素原子数6~18の脂肪族炭化水素基である。)
本発明の一実施形態に係るフェノール性水酸基含有樹脂は、下記式(A)で表される構造単位Aと、下記式(B)で表される構造単位Bと、を含む。
R2は水素原子、脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基又はハロゲン原子である。
lは0又は1であり、mは1又は2である。
式(B)中、R3は炭素原子数6~18の脂肪族炭化水素基である。)
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、シクロへキシル基が挙げられる。炭素原子数は、例えば1~9が好ましい。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、へキシルオキシ基、シクロへキシルオキシ基が挙げられる。炭素原子数は、例えば1~9が好ましい。
ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が挙げられる。
また、R2は水素原子又は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基である。好ましくは、水素原子である。
また、mは1が好ましい。
存在比(A:B)は、原料化合物の仕込み比により調整できる。
・工程1:
下記式(1)で表される化合物(以下、化合物1という。)と、下記式(2)で表される化合物(以下、化合物2という。)から、中間体を重合する工程。
式(2)中、R2は水素原子、脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基又はハロゲン原子である。)
工程1で得た中間体と、下記式(3)で表される化合物(以下、化合物3という。)を、重合させる工程。
R3-CHO (3)
(式(3)中、R3は炭素原子数6~18の脂肪族炭化水素基である。)
化合物1としては、例えば、フェノール、ジヒドロキシベンゼン、クレゾールが挙げられる。
化合物2としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、n-ブチルアルデヒド、t-ブチルアルデヒド、ペンチルアルデヒド等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いてもよく、また、2種類以上を併用してもよい。中でも、反応性に優れることからホルムアルデヒドを用いることが好ましい。ホルムアルデヒドは水溶液の状態であるホルマリンを用いてもよく、また、固形の状態であるパラホルムアルデヒドとして用いてもよい。
ホルムアルデヒドとその他のアルデヒド化合物とを併用する場合には、ホルムアルデヒド1モルに対して、その他のアルデヒド化合物を0.05~1モルの割合で用いることが好ましい。
なお、酸触媒を使用した場合、本発明のフェノール性水酸基含有樹脂はノボラック型フェノール樹脂であり、レゾール型フェノール樹脂ではない。
反応終了後は、反応生成物に水を加えて再沈殿操作を行う等して、中間体を得ることができる。このようにして得られる中間体の重量平均分子量(Mw)は、現像性、耐熱性及び耐クラック性のバランスに優れ、レジスト材料に好適なフェノール性水酸基含有樹脂が得られることから500~5,000の範囲であることが好ましくい。また、中間体の多分散度(Mw/Mn)は1.2~5.0の範囲であることが好ましい。
なお、本発明において重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)は、実施例に示す条件のGPCにて測定される値である。
化合物3としては、ヘプタナール、オクタナール、ノナナール、デカナール、ウンデカナール、ドデカナール(ラウリルアルデヒド)、トリデカナール、ノナデカナール等が挙げられる。
本工程も工程1と同様に、酸触媒条件下で行うことが好ましい。触媒、溶媒、及び反応条件の例示は、上述した工程1と同様である。
R2はそれぞれ、水素原子、脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基又はハロゲン原子である。
R3は炭素原子数6~18の脂肪族炭化水素基である。
lはそれぞれ0又は1であり、mはそれぞれ1又は2である。)
なお、本発明において重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)は、実施例に示す条件のGPCにて測定される値である。
以下、用途の一例について説明する。
本発明の一実施形態である感光性樹脂組成物は、本発明のフェノール性水酸基含有樹脂と、感光剤と、を含む。
感光剤としては、例えば、キノンジアジド基を有する化合物が挙げられる。キノンジアジド基を有する化合物の具体例としては、例えば、芳香族(ポリ)ヒドロキシ化合物と、ナフトキノン-1,2-ジアジド-5-スルホン酸、ナフトキノン-1,2-ジアジド-4-スルホン酸、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸等のキノンジアジド基を有するスルホン酸との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物又は部分アミド化物が挙げられる。
フェニルメタン、ビス(3-シクロヘキシル-2-ヒドロキシフェニル)-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5-シクロヘキシル-2-ヒドロキシ-4-メチルフェニル)-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5-シクロヘキシル-2-ヒドロキシ-4-メチルフェニル)-4-ヒドロキシフェニルメタン等の、ビス(シクロヘキシルヒドロキシフェニル)(ヒドロキシフェニル)メタン化合物又はそのメチル置換体等が挙げられる。
これらの感光剤はそれぞれ単独で用いてもよく、また、2種類以上を併用してもよい。
これらのフェノール性化合物は、それぞれ単独で用いてもよく、また、2種以上を併用してもよい。その他のフェノール性化合物を用いる場合、その使用量は、クレゾール原料の合計1モルに対し、その他のフェノール性化合物が0.05~1モルの範囲となる割合であることが好ましい。
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールアルキルエーテルアセテート;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン化合物;ジオキサン等の環式エーテル;2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のエステル化合物が挙げられる、これらはそれぞれ単独で用いてもよく、また、2種類以上を併用してもよい。
本発明の一実施形態である硬化性組成物は、上述した本発明のフェノール性水酸基含有樹脂と、硬化剤と、を含有する、。
本実施形態で用いる硬化剤は、本発明のフェノール性水酸基含有樹脂と硬化反応を生じ得る化合物であれば特に限定なく、様々な化合物を用いることができる。また、硬化性組成物の硬化方法は特に限定されず、硬化剤の種類や、硬化促進剤の種類等に応じて熱硬化や光硬化など、適当な方法で硬化させることができる。熱硬化における加熱温度や時間、光硬化における光線の種類や露光時間等の硬化条件は、硬化剤の種類や、後述する硬化促進剤の種類等に応じて適宜調節される。
本発明の硬化性組成物をレジスト下層膜(BARC膜)用途に用いる場合には、本発明のフェノール性水酸基含有樹脂、硬化剤の他、更に必要に応じてその他の樹脂(Y)、界面活性剤、染料、充填材、架橋剤、溶解促進剤等の各種添加剤を加え、有機溶剤に溶解することによりレジスト下層膜用組成物とすることができる。
[GPCの測定条件]
測定装置:東ソー株式会社製「HLC-8220 GPC」
カラム:昭和電工株式会社製「Shodex KF802」:8.0mmФ×300mm
+昭和電工株式会社製「Shodex KF802」:8.0mmФ×300mm
+昭和電工株式会社製「Shodex KF803」:8.0mmФ×300mm
+昭和電工株式会社製「Shodex KF804」:8.0mmФ×300mm
カラム温度:40℃
検出器:RI(示差屈折計)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC-8020モデルIIバージョン4.30」
展開溶媒:テトラヒドロフラン
流速:1.0mL/分
試料:樹脂固形分換算で0.5質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの
注入量:0.1mL
標準試料:下記単分散ポリスチレン
(標準試料:単分散ポリスチレン)
東ソー株式会社製「A-500」
東ソー株式会社製「A-2500」
東ソー株式会社製「A-5000」
東ソー株式会社製「F-1」
東ソー株式会社製「F-2」
東ソー株式会社製「F-4」
東ソー株式会社製「F-10」
東ソー株式会社製「F-20」
実施例1
(1)中間体の合成
冷却管を設置した2000mLの4口フラスコに、フェノール690g(7.3mol)と、41%ホルマリン540gとを仕込んだ。蓚酸68gを添加した後、マントルヒーターで100℃に加熱し、2時間撹拌して反応させた。反応後、180℃で減圧蒸留し、加熱した状態で固形物を取り出し、フェノール樹脂(C-1)832gを得た。
フェノール樹脂(C-1)の数平均分子量(Mn)は686、重量平均分子量(Mw)は1056、多分散度(Mw/Mn)は1.54であった。中間体のGPCチャートを図1に示す。
冷却管を設置した250mlの4口フラスコに上記(1)で得られた中間体50gと、ラウリルアルデヒド(花王株式会社製)10.0gを仕込んだ後、さらにエチルセロソルブ(エチレングリコールモノエチルエーテル、山一化学工業株式会社製)92gを仕込んだ。硫酸2.5gを添加した後、マントルヒーターで80℃に加熱し、8時間反応させた。反応後、得られた溶液を水で再沈殿操作を行い粗生成物を得た。粗生成物をアセトンに再溶解し、さらに水で再沈殿操作を行った後、得られた生成物を濾別し、真空乾燥することにより、橙色粉末のフェノール性水酸基含有樹脂55gを得た。
フェノール性水酸基含有樹脂のMnは1239、Mwは3419、Mw/Mnは2.40であった。フェノール性水酸基含有樹脂のGPCチャートを図2に示す。構造単位Aと構造単位Bの存在比(A:B、モル比)は、88:12であった。
ラウリルアルデヒドの仕込量を12.5gに変更した以外は、実施例1と同様の手順で合成し、フェノール性水酸基含有樹脂の粉末57gを得た。フェノール性水酸基含有樹脂Mnは1352、Mwは3852、Mw/Mnは2.85であった。フェノール性水酸基含有樹脂のGPCチャートを図3に示す。構造単位Aと構造単位Bの存在比(A:B、モル比)は、90:10であった。
ラウリルアルデヒドの仕込量を15gに変更した以外は、実施例1と同様の手順で合成し、フェノール性水酸基含有樹脂の粉末60gを得た。フェノール性水酸基含有樹脂のMnは1521、Mwは5614、Mw/Mnは3.69であった。フェノール性水酸基含有樹脂のGPCチャートを図4に示す。構造単位Aと構造単位Bの存在比(A:B、モル比)は、86:14であった。
撹拌機及び温度計を備えた2Lの4つ口フラスコに、m-クレゾール648g(6mol)、p-クレゾール432g(4mol)、シュウ酸2.5g(0.2mol)及び42%ホルムアルデヒド492gを仕込んだ。内容物を100℃に加熱して反応させた後、常圧で200℃に加熱して脱水及び蒸留した。さらに230℃で6時間減圧蒸留して、淡黄色固形のフェノール性水酸基含有樹脂736gを得た。フェノール性水酸基含有樹脂のMnは1,450、Mwは10,316、Mw/Mnは7.12であった。フェノール性水酸基含有樹脂のGPCチャートを図5に示す。
実施例4~6
表1に示す実施例で合成したフェノール性水酸基含有樹脂の粉末20gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)80gに溶解させてレジスト樹脂組成物を得た。
フェノール性水酸基含有樹脂の代りに、実施例1(1)で得た中間体の粉末20gを使用した他は、実施例4と同様にしてレジスト樹脂組成物を得た。
比較合成例1のフェノール性水酸基含有樹脂の粉末20gを使用した他は、実施例4と同様にしてレジスト樹脂組成物を得た。
(1)アルカリ現像性
各例で調製したレジスト樹脂組成物を5インチシリコンウェハ上に約1μmの厚さになるようにスピンコーターで塗布し、110℃のホットプレート上で60秒乾燥させた。得られたウェハを現像液(2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)に60秒間浸漬後、110℃のホットプレート上で60秒乾燥させた。現像液浸漬前後の膜厚を測定し、その差分を60で除した値をアルカリ現像性ADR1(Å/s)とした。
レジスト樹脂組成物を5インチシリコンウェハ上に約50μmと約100μmの厚さになるようにスピンコーターで塗布した。110℃のホットプレート上で300秒乾燥させる操作を数回繰り返して試料を得た。試料の表面をレーザーマイクロスコープVK-X200(キーエンス製)で観察することにより、塗膜表面のクラックの有無を評価した。表1中、〇はクラック無であり、×はクラック有である。
実施例7~9
表2に示す実施例で合成したフェノール性水酸基含有樹脂の粉末20g及び1,2-ナフトキノンジアジド(P-200:東洋合成株式会社製)の粉末5gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)75gに溶解させて、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
フェノール性水酸基含有樹脂の代りに、実施例1(1)で得た中間体の粉末20gを使用した他は、実施例7と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得た。
比較合成例1のフェノール性水酸基含有樹脂の粉末20gを使用した他は、実施例7と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得た。
現像コントラストは、感光剤を配合していないレジスト樹脂組成物(実施例4~6、比較例1及び2)のアルカリ現像性ADR1(Å/s)と、感光剤を配合したポジ型感光性樹脂組成物(実施例7~9、比較例3及び4)のアルカリ現像性ADR2(Å/s)の比(ADR1/ADR2)とした。なお、ADR2はADR1と同様にして求めた。評価は以下のとおりとした。
〇:現像コントラストが10以上
×:現像コントラストが10未満
実施例10
実施例1で合成したフェノール性水酸基含有樹脂の粉末3g、エポキシ樹脂(硬化剤:EPICLON 850S:DIC株式会社製)4.4g、10質量%の2-エチル-4-メチルイミダゾール(硬化触媒:関東化学製)のPGMEA溶液0.37g、及びPGMEA4.58gを混合して、固形分濃度60質量%のレジスト永久膜用組成物を得た。
実施例2で合成したフェノール性水酸基含有樹脂の粉末3g、エポキシ樹脂(EPICLON 850S:DIC株式会社製)4.13g、10質量%の2-エチル-4-メチルイミダゾール(関東化学製)PGMEA溶液0.36g、及びPEGMEA4.43gを混合し、固形分濃度60質量%のレジスト永久膜用組成物を得た。
実施例3で合成したフェノール性水酸基含有樹脂の粉末3g、エポキシ樹脂(EPICLON 850S:DIC株式会社製)4.03g、10質量%の2-エチル-4-メチルイミダゾール(関東化学製)のPGMEA溶液0.35g、及びPEGMEA4.37gを混合し、固形分濃度60質量%のレジスト永久膜用組成物を得た。
実施例1(1)で得た中間体の粉末3g、エポキシ樹脂(EPICLON 850S:DIC株式会社製)4.1g、10質量%の2-エチル-4-メチルイミダゾール(関東化学製)のPGMEA溶液0.34g、及びPEGMEA4.72gを混合して、固形分濃度60質量%のレジスト永久膜用組成物を得た。
比較合成例1のフェノール性水酸基含有樹脂の粉末3g、エポキシ樹脂(EPICLON 850S:DIC株式会社製)4.2g、10質量%の2-エチル-4-メチルイミダゾール(関東化学製)のPGMEA溶液0.35g、及びPEGMEA4.71gを混合して、固形分濃度60質量%のレジスト永久膜用組成物を得た。
硬化膜は、各例の組成物を、アプリケータで鏡面アルミ上に塗布及び製膜し、175℃で1時間、加熱硬化して得た(厚さ80μm程度)。
得られた硬化膜を短冊状に切り出し、Texture Analyzer TA.XT Plus(英弘精機製)を用いて、柔軟性(伸び)試験を実施した。評価は以下のとおりとした。
〇:硬化膜の伸びが5%以上
×:硬化膜の伸びが5%未満
Claims (9)
- 下記式(A)で表される構造単位Aと、下記式(B)で表される構造単位Bと、を含む、フェノール性水酸基含有樹脂であって、
前記構造単位Aと前記構造単位Bの存在比(A:B、モル比)が70:30~98:2であり、
下記式(A)で表される構造単位Aを繰り返し単位とするノボラック樹脂が、下記式(C)で表される架橋構造で架橋しているフェノール性水酸基含有樹脂。
(式中、
R1は脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基又はハロゲン原子である。
R2は水素原子又は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基である。
lは0又は1であり、mは1又は2である。
R3は炭素原子数6~18の脂肪族炭化水素基である。) - R1は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基であり、mは1である、請求項1に記載のフェノール性水酸基含有樹脂。
- R3は炭素原子数8~12の脂肪族炭化水素基である、請求項1又は2に記載のフェノール性水酸基含有樹脂。
- 請求項1又は2に記載のフェノール性水酸基含有樹脂と、感光剤と、を含む、感光性樹脂組成物。
- 請求項4に記載の感光性樹脂組成物から得られるレジスト膜。
- 請求項1又は2に記載のフェノール性水酸基含有樹脂と、硬化剤と、を含有する、硬化性組成物。
- 請求項6に記載の硬化性組成物の硬化物。
- レジスト下層膜又はレジスト永久膜である、請求項7に記載の硬化物。
- 下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物から、中間体を重合する工程と、
前記中間体と、下記式(3)で表される化合物とを、前記中間体と前記式(3)で表される化合物のモル比(中間体:式(3)で表される化合物)が70:30~98:2となる範囲で重合させる工程と、を含む、フェノール性水酸基含有樹脂の製造方法。
(式(1)中、R1は脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基又はハロゲン原子である。lは0又は1であり、mは1又は2である。
式(2)中、R2は水素原子又は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基である。
式(3)中、R3は炭素原子数6~18の脂肪族炭化水素基である。)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021082506 | 2021-05-14 | ||
| JP2021082506 | 2021-05-14 | ||
| PCT/JP2022/017764 WO2022239597A1 (ja) | 2021-05-14 | 2022-04-14 | フェノール性水酸基含有樹脂 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022239597A1 JPWO2022239597A1 (ja) | 2022-11-17 |
| JPWO2022239597A5 JPWO2022239597A5 (ja) | 2023-06-22 |
| JP7380951B2 true JP7380951B2 (ja) | 2023-11-15 |
Family
ID=84028213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023520934A Active JP7380951B2 (ja) | 2021-05-14 | 2022-04-14 | フェノール性水酸基含有樹脂 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7380951B2 (ja) |
| KR (1) | KR102804147B1 (ja) |
| CN (1) | CN117321109A (ja) |
| TW (1) | TWI864366B (ja) |
| WO (1) | WO2022239597A1 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120264864A1 (en) | 2009-10-20 | 2012-10-18 | C.N.R.S. | Modified polyamide composition containing at least one phenolic compound |
| WO2016185865A1 (ja) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Dic株式会社 | ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜 |
| WO2017029935A1 (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Dic株式会社 | ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜 |
| JP2018532027A (ja) | 2015-10-29 | 2018-11-01 | ヘキシオン・インコーポレイテッド | 新規なアルキルフェノール樹脂及びこの調製方法 |
| WO2020153048A1 (ja) | 2019-01-21 | 2020-07-30 | Dic株式会社 | フェノール性水酸基含有樹脂、感光性組成物、レジスト膜、硬化性組成物及び硬化物 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2231860A (en) * | 1937-09-27 | 1941-02-11 | Monsanto Chemicals | Phenol-butyraldehyde-formaldehyde resins |
| JP2559245B2 (ja) * | 1987-10-14 | 1996-12-04 | 富士写真フイルム株式会社 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
| FR2642078B1 (fr) * | 1989-01-25 | 1992-08-28 | Ceca Sa | Resines formophenoliques de type novolaque resultant de la condensation de phenols et d'aldehydes lourds. leur preparation. leur application au renforcement du caoutchouc |
| FR2665165B1 (fr) * | 1990-07-25 | 1995-02-24 | Ceca Sa | Nouvelles resines novolaques de para-alkylphenols. leur procede de preparation. |
| JP3710717B2 (ja) | 2001-03-06 | 2005-10-26 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法 |
| US7074861B2 (en) * | 2003-02-18 | 2006-07-11 | Indspec Chemical Corporation | Modified resorcinol resins and applications thereof |
| JP2008088197A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フォトレジスト用フェノール樹脂とその製造方法、及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
-
2022
- 2022-02-18 TW TW111105946A patent/TWI864366B/zh active
- 2022-04-14 CN CN202280034951.3A patent/CN117321109A/zh active Pending
- 2022-04-14 JP JP2023520934A patent/JP7380951B2/ja active Active
- 2022-04-14 KR KR1020237035247A patent/KR102804147B1/ko active Active
- 2022-04-14 WO PCT/JP2022/017764 patent/WO2022239597A1/ja not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120264864A1 (en) | 2009-10-20 | 2012-10-18 | C.N.R.S. | Modified polyamide composition containing at least one phenolic compound |
| WO2016185865A1 (ja) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Dic株式会社 | ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜 |
| WO2017029935A1 (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Dic株式会社 | ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜 |
| JP2018532027A (ja) | 2015-10-29 | 2018-11-01 | ヘキシオン・インコーポレイテッド | 新規なアルキルフェノール樹脂及びこの調製方法 |
| WO2020153048A1 (ja) | 2019-01-21 | 2020-07-30 | Dic株式会社 | フェノール性水酸基含有樹脂、感光性組成物、レジスト膜、硬化性組成物及び硬化物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI864366B (zh) | 2024-12-01 |
| CN117321109A (zh) | 2023-12-29 |
| JPWO2022239597A1 (ja) | 2022-11-17 |
| WO2022239597A1 (ja) | 2022-11-17 |
| KR102804147B1 (ko) | 2025-05-09 |
| TW202244094A (zh) | 2022-11-16 |
| KR20230156418A (ko) | 2023-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10414850B2 (en) | Resin containing phenolic hydroxyl groups, and resist film | |
| JP6123967B1 (ja) | ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜 | |
| JP6156591B2 (ja) | ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜 | |
| JP5939450B1 (ja) | フェノール性水酸基含有樹脂、その製造方法、感光性組成物、レジスト材料、塗膜、硬化性組成物とその硬化物、及びレジスト下層膜 | |
| JP6269904B1 (ja) | ノボラック型樹脂の製造方法 | |
| JP6274366B1 (ja) | ノボラック型樹脂及びレジスト材料 | |
| JP7380951B2 (ja) | フェノール性水酸基含有樹脂 | |
| JP6590085B2 (ja) | フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト材料 | |
| JP6328350B2 (ja) | ノボラック型樹脂及びレジスト材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230406 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230406 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230406 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230620 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230905 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230921 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231016 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7380951 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |