JP7239239B2 - 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関するものである。

積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ；ＭＬＣＣ）は、小型でありながらも高容量が保障され、且つ実装が容易であるという利点から、通信、コンピュータ、家電、自動車などの産業に用いられる重要なチップ部品であり、特に、携帯電話、コンピュータ、デジタルＴＶなど各種の電気・電子機器、情報通信機器に用いられる核心受動素子である。

最近では、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、積層セラミックキャパシタも小型化及び高容量化する傾向にあるため、積層セラミックキャパシタの高信頼性の確保に対する重要度が高まっている。

かかる積層セラミックキャパシタの高信頼性を確保するための方案としては、機械的又は熱的環境において発生する引張ストレス（ｓｔｒｅｓｓ）を吸収して、ストレスによるクラック（ｃｒａｃｋ）の発生を防止するために、外部電極に導電性樹脂層を適用する技術が開示されている。

このような導電性樹脂層は、Ｃｕ、ガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いて形成され、積層セラミックキャパシタの外部電極における焼結電極層とめっき層との間を電気的及び機械的に接合させる役割を果たし、回路基板への実装中に発生する工程温度による機械的及び熱的応力、並びに基板の曲げ衝撃から積層セラミックキャパシタを保護する役割を果たす。

しかしながら、Ｃｕ、ガラスフリット、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いる場合は、素材の基本的な物性によって曲げ衝撃や熱衝撃、水分又は塩素水などの吸湿によって信頼性項目に対する物性が変化する可能性がある。

即ち、Ｃｕ、ガラスフリット、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いる場合は、チップの内部に残留応力が存在する可能性があり、曲げ衝撃をそのままセラミック本体に伝達するようになり、ガラスフリットの成分によって耐化学特性が低下することがあるという問題点がある。

韓国公開特許第２０１５－００８６３４３号公報

本発明は、耐湿信頼性に優れるとともに、内部等価直列抵抗（ＥＳＲ；Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）が低く、さらに機械的応力に対する抵抗性に優れた積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面は、誘電体層と、第１及び第２内部電極を含む本体と、上記本体に配置される外部電極と、を含み、上記外部電極は、上記第１又は第２内部電極と接触する電極層と、上記電極層上に配置され、第１金属間化合物を含む中間層と、上記中間層上に配置され、複数の金属粒子、第２金属間化合物、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。

本発明の他の一側面は、内部電極が印刷されたグリーンシートを複数層積層して積層体を設ける段階と、上記積層体を焼成して本体を設けた後、上記内部電極の一端と電気的に連結され、上記本体の一面を覆うように電極層を形成する段階と、上記電極層上に低融点のペーストを塗布及び乾燥した後、硬化熱処理して中間層及び導電性樹脂層を形成する段階と、を含む積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。

本発明の一実施形態によると、電極層、中間層、及び導電性樹脂層が順次に積層された構造を有することで、サンドブラスト（Ｓａｎｄｂｌａｓｔｅｒ）方法を代替することができ、耐湿信頼性を向上させるとともに、低ＥＳＲで、曲げ強度などの機械的応力に対する抵抗性及び耐化学特性を向上させることができるという効果がある。

本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。 図１のＩ－Ｉ'の線に沿った断面図である。 図２のＢ領域を拡大して示した断面図である。 本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタのＢ領域周りの断面を顕微鏡によって撮影した写真である。 積層体を焼成した後、Ｂ領域を示した断面図である。 図５における焼成後、サンドブラスト法を用いて積層体の突出した部分を取り除いた断面図である。 図５における焼成後、無電解めっきによって積層体に電極層を形成した後の断面図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す断面図である。 発明例及び比較例に対する容量及びＤｆ値を測定して示したグラフである。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。

なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に反対である記載がない限り、他の構成要素を除去するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。

図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。図２は図１のＩ－Ｉ'の線に沿った断面図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、本体１１０と、第１及び第２外部電極１３０、１４０と、を含む。

本体１１０は、キャパシタの容量の形成に寄与する部分としての活性領域と、活性領域の上下部にそれぞれ形成される上下マージン部としての上部及び下部カバー１１２、１１３と、を含むことができる。

本発明の一実施形態において、本体１１０の形状は特に制限されないが、実質的に六面体形状であることができる。

即ち、本体１１０は、内部電極の配置による厚さの差及び角部の研磨により、完全な六面体形状ではないが、実質的に六面体に近い形状を有することができる。

本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図面上において、Ｘ方向は第１方向又は長さ方向を示し、Ｙ方向は第２方向又は幅方向を示し、Ｚ方向は第３方向、厚さ方向又は積層方向を示すことができる。

また、本体１１０において、Ｚ方向に互いに対向する両面を第１及び第２面１、２と定義し、第１及び第２面１、２と連結され、Ｘ方向に互いに対向する両面を第３及び第４面３、４と定義し、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、且つＹ方向に互いに対向する両面を第５及び第６面５、６と定義する。このとき、第１面１は実装面となり得る。

上記活性領域は、複数の誘電体層１１１と、該誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２と、が交互に積層される構造からなることができる。

誘電体層１１１は、高誘電率を有するセラミック粉末、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系、若しくは、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）系粉末を含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

このとき、誘電体層１１１の厚さは、積層セラミックキャパシタ１００の容量設計に応じて任意に変更することができ、本体１１０のサイズ及び容量を考慮して、焼成後の一層の厚さが０．１～１０μｍとなるように構成することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

第１及び第２内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置されることができる。

第１及び第２内部電極１２１、１２２は、互いに異なる極性を有する一対の電極であり、誘電体層１１１上に導電性金属を含む導電性ペーストを所定の厚さに印刷することで、誘電体層１１１を挟んで誘電体層１１１の積層方向に沿って本体１１０の第３及び第４面３、４に交互に露出するように形成されることができ、このとき、中間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に絶縁されることができる。

またこのとき、積層後の焼成過程において、内部電極１２１、１２２は、誘電体層と内部電極の収縮率の差によって、本体の第３及び第４面３、４と一定の間隔離れて本体の内部に形成されるが、交互に露出するように配置されることができる。

上記第１及び第２内部電極１２１、１２２は、上記一定の間隔離れた部分、及び上記本体の第３及び第４面３、４に形成された電極層１３１、１４１を介して第１及び第２外部電極１３０、１４０とそれぞれ電気的に連結されることができる。

したがって、第１及び第２外部電極１３０、１４０に電圧を印加すると、互いに対向する第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に電荷が蓄積されるようになるが、このとき、積層セラミックキャパシタ１００の静電容量は、第１及び第２内部電極１２１、１２２の互いに重なり合う領域の面積と比例するようになる。

このような第１及び第２内部電極１２１、１２２の厚さは、用途に応じて決定されることができ、例えば、セラミック本体１１０のサイズ及び容量を考慮して、０．２～１．０μｍの範囲内にあるように決定されることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

また、第１及び第２内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、又はこれらの合金であることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

上部及び下部カバー１１２、１１３は、内部電極を含まないこと以外は、上記活性領域の誘電体層１１１と同様の材質及び構成を有することができる。

即ち、上部及び下部カバー１１２、１１３は、単一の誘電体層又は二層以上の誘電体層を上記活性領域の上面及び下面のそれぞれにＺ方向に積層して形成されたものと見なすことができ、基本的には、物理的又は化学的なストレスによる第１及び第２内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

第１及び第２外部電極１３０、１４０は、電極層１３１、１４１と、中間層１３２、１４２と、導電性樹脂層１３３、１４３と、第１めっき層１３４、１４４と、第２めっき層１３５、１４５と、をそれぞれ含むことができる。

第１めっき層１３４、１４４はニッケルめっき層であってもよく、第２めっき層１３５、１４５はスズめっき層であってもよい。

電極層１３１、１４１は、本体と外部電極を機械的に接合させる役割を果たし、さらに、内部電極と外部電極を電気的及び機械的に接合させる役割を果たす。

図５に示したように、内部電極１２１、１２２は、積層後の焼成過程における誘電体層と内部電極の収縮率の差によって、本体の第３及び第４面３、４と一定の間隔離れて本体の内部に形成され、交互に露出するように配置されることができる。内部電極１２１、１２２が本体の第３及び第４面３、４と一定の間隔離れて本体の内部に形成され、交互に露出すると、内部電極及び外部電極との電気的連結性が低下することがある。

従来は、図６に示したように、サンドブラスト法などを用いて誘電体層の突出した部分を取り除く工程をさらに行うことによって、このような問題点を解決しようとしていた。

しかし、本発明では、図７に示したように、電極層１３１、１４１が上記一定の間隔離れた部分と、上記本体の第３及び第４面３、４とに形成されるため、サンドブラスト法を用いて誘電体層の突出した部分を取り除くという工程が不要となる。

電極層１３１、１４１を形成する方法としては、上記一定の間隔離れた部分、及び上記本体の第３及び第４面３、４に電極層が形成可能であれば、特に制限されない。例えば、電極層１３１、１４１は、緻密で耐食性が高く、且つ均一な厚さの電極層を形成できる無電解めっき法又はスパッタリング工法を用いて形成された無電解めっき層又はスパッタリング層であることができる。

無電解めっき法を用いる場合は、本体において誘電体層からなる部分にも電極層１３１、１４１を形成でき、さらに、上記一定の間隔離れた部分にも電極層１３１、１４１を容易に形成できるため、電極層１３１、１４１を本体の一面を覆うように形成することができる。

より具体的には、例えば、無電解めっき法を用いる場合、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法、又は次リン酸ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いることができる。但し、Ｐ成分が多く含有されると、中間層１３２、１４２をなす第１金属間化合物の形成が遅くなったり、妨害を受けたりすることもあるため、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いることがより好ましい。

水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いる場合、電極層１３１、１４１はＮｉ及びＢを含む。

一方、電極層の厚さは、特に制限されないが、０．５～５μｍであってもよい。

このとき、電極層１３１、１４１は、本体１１０の第３及び第４面３、４から本体１１０の第１及び第２面１、２の一部までそれぞれ延長するように形成されることができる。

また、電極層１３１、１４１は、本体１１０の第３及び第４面３、４から本体の第５及び第６面５、６の一部までそれぞれ延長するように形成されることができる。

尚、他の実施例として、図８に示したように、積層セラミックキャパシタ１００'の第１及び第２外部電極１３０、１４０は、電極層１３１'、１４１'が本体１１０の第１及び第２面１、２には延長されずに、第３及び第４面３、４のみにそれぞれ形成されることができる。

このとき、積層セラミックキャパシタ１００'の曲げ強度及びＥＳＲをさらに向上させることができる。

中間層１３２、１４２は、第１金属間化合物を含み、耐湿信頼性及び電気的連結性を向上させる役割を果たす。また、中間層１３２、１４２は、上記電極層１３１、１４１を覆うように配置されることができる。中間層１３２、１４２は、第１金属間化合物からなってもよい。

従来は、誘電体層の突出した部分が取り除かれた後に、第３及び第４面３、４に導電性ペーストを塗布及び焼成して外部電極を形成していたが、焼成過程において、内部電極に含まれた金属粒子と導電性ペーストに含まれた金属粒子とが相互拡散し、導電性ペーストと内部電極が接触する部位に金属間化合物を形成させて電気的連結性を確保していた。図５に示したように、積層後の焼成過程における誘電体層と内部電極の収縮率の差によって誘電層が突出形状を有すると、導電性ペーストと内部電極が接しにくくなり、このような金属間化合物が形成されにくくなるため、従来はサンドブラスト法などを用いて誘電体層の突出した部分を取り除く工程が必要とされていた。

しかしながら、本発明では、電極層１３１、１４１を形成し、電極層１３１、１４１上に低融点のペーストを塗布及び焼成して外部電極１３０、１４０を形成するため、サンドブラスト法などを用いて誘電体層の突出した部分を取り除くという工程が不要となる。また、電極層１３１、１４１に含まれた金属粒子とペーストに含まれた低融点の金属粒子とが相互拡散して第１金属間化合物を形成し、電極層１３１、１４１と導電性樹脂層１３３、１４３との間に第１金属間化合物が層（ｌａｙｅｒ）状に形成されるため、耐湿信頼性及び電気的連結性が向上するようになる。

このとき、第１金属間化合物はＮｉ_３Ｓｎ_４であってもよい。即ち、電極層１３１、１４１に含まれた金属粒子であるＮｉとペーストに含まれた低融点の金属粒子であるＳｎとが結合して形成されたＮｉ_３Ｓｎ_４であってもよい。

図３は図２のＢ領域を拡大して示した断面図である。

上記Ｂ領域は、第１外部電極１３０の一部を拡大して示しているが、第１外部電極１３０は第１内部電極１２１と電気的に接続され、第２外部電極１３０は第２内部電極１２２と接続されるという点における相違があるだけで、第１外部電極１３０と第２外部電極１４０の構成は類似している。以下、第１外部電極１３０に基づいて説明するが、これは第２外部電極１４０に関する説明を含むものと見なす。

導電性樹脂層１３３は、中間層１３２上に配置され、複数の金属粒子１３３ａと、第２金属間化合物１３３ｂと、ベース樹脂１３３ｃと、を含む。導電性樹脂層は、中間層と第１めっき層を電気的及び機械的に接合させる役割を果たし、積層セラミックキャパシタを基板に実装する際に、機械的又は熱的環境において発生する引張ストレスを吸収することでクラックの発生を防止するとともに、基板の曲げ衝撃から積層セラミックキャパシタを保護する役割を果たすことができる。第２金属間化合物１３３ｂは、複数の金属粒子１３３ａの少なくとも一部を取り囲むように配置されてもよい。

金属粒子１３３ａは、Ａｇ及びＣｕのいずれか１種以上を含んでもよく、より好ましくは、Ａｇからなってもよい。

第２金属間化合物１３３ｂは、溶融した状態で複数の金属粒子１３３ａを取り囲んで互いに連結させる役割を果たし、これにより、本体１１０の内部の応力を最小化させ、高温負荷と耐湿負荷特性を向上させることができるようになる。

このとき、第２金属間化合物１３３ｂは、ベース樹脂１３３ｃの硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むことができる。

即ち、第２金属間化合物１３３ｂがベース樹脂１３３ｃの硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むため、ベース樹脂１３３ｃの硬化温度よりも低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と第２金属間化合物１３３ｂを形成することで、金属粒子１３３ａを取り囲むようになる。このとき、第２金属間化合物１３３ｂは、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象によって浸すようになり、Ａｇ又はＣｕ金属粒子の一部と反応して、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの第２金属間化合物１３３ｂを形成するようになる。反応に参加していないＡｇ又はＣｕは、図３に示したように、金属粒子１３３ａ形態で残るようになる。

ベース樹脂１３３ｃは、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂を含むことができる。

このとき、上記熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂であってもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。

ベース樹脂１３３ｃは、中間層１３２と第１めっき層１３４との間を機械的に接合させる役割を果たす。

従来のＣｕ、ガラスフリット、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いて導電性樹脂層を形成すると、ガラスフリット成分がＣｕ粒子とＮｉ内部電極間を合金形成させ、バインダー（ｂｉｎｄｅｒ）としてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）する役割を果たす。即ち、ガラスフリット成分の融解温度とＣｕの焼結温度、及びＣｕとＮｉとの合金形成温度がほぼ同じ場合に銅粒子の焼結が生じ、緻密化が行われ、ＣｕとＮｉの合金形成によって内部電極との連結が金属結合へ進行し、ガラスフリット成分はその空き空間を埋める役割を果たすようになる。しかしながら、その形成温度が７００～９００℃で行われる上、残留応力が残るようになるため、放射状クラックなどが発生する恐れがある。また、ガラスフリット成分に応じてめっき液への耐化学特性が低下することがあるという問題も発生する。

これに対し、本発明では、ベース樹脂１３３ｃの硬化温度よりも低い融点を有する金属を含む低融点のペーストを用い、エポキシ硬化によって導電性樹脂層を形成するため、残留応力の発生が相対的に少なく、第２金属間化合物の形成によって体積が減少するため、体積が膨張するＣｕ－Ｎｉの合金よりも残留応力の発生を効果的に抑制できるようになる。

また、導電性樹脂層の形成過程において、電極層と導電性樹脂層との間に第１金属間化合物が層状に形成された中間層が形成されることによって、耐湿信頼性及び電気的連結性が向上するようになる。

図９は、従来のＣｕ、ガラスフリット、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いて導電性樹脂層を形成した比較例と本発明の一実施形態とによって、電極層１３１、１４１と、中間層１３２、１４２と、導電性樹脂層１３３、１４３とを有する発明例の容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ，μＦ）及びＤｆ（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）値を測定して示したグラフである。これによって、発明例が比較例と比較してＤｆ値が低く、エネルギー損失が低くなることが分かる。

以下、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法について具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本実施形態の積層セラミックキャパシタの製造方法に関する説明のうち上述の積層セラミックキャパシタと重複する説明は省略する。

本実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法としては、先ず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末を含んで形成されたスラリーを、キャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥することで、複数のセラミックグリーンシートを設ける。

上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、バインダー、及び溶剤を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法などによって数μｍの厚さを有するシート状に製作したものである。

次に、上記グリーンシート上に、スクリーン印刷工法などによってニッケル粉末などの導電性金属を含む内部電極用導電性ペーストを塗布することで、内部電極を形成する。

その後、内部電極が印刷されたグリーンシートを複数層積層して積層体を設ける。このとき、積層体の上面及び下面に内部電極が印刷されていないグリーンシートを複数層積層することで、カバーを形成することができる。

次に、積層体を焼成して本体を設けた後、上記第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結されるように、上記本体の第３及び第４面のそれぞれに電極層を形成する。

上記本体は、誘電体層、内部電極、及びカバーを含む。ここで、上記誘電体層は、内部電極が印刷されたグリーンシートを焼成して形成され、上記カバーは、内部電極が印刷されていないグリーンシートを焼成して形成される。

上記内部電極は、互いに異なる極性を有する第１及び第２内部電極として形成されることができる。

上述したように、本発明によると、誘電体層と内部電極の収縮率の差によって突出した誘電体層を、サンドブラスト法などを用いて取り除く工程が不要となるため、本体を設けてから、すぐ電極層を形成できるようになる。

電極層を形成する方法としては、誘電体層と内部電極の収縮率の差によって形成された本体の第３及び第４面から離れた空間、本体の第３面及び第４面に電極層が形成可能であれば、特に制限されるものではない。例えば、緻密で耐食性が高く、且つ均一な厚さの電極層を形成できる無電解めっき法又はスパッタリング工法を用いて電極層を形成することができる。

より具体的には、例えば、無電解めっき法を用いる場合、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法、又は次リン酸ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いることができる。但し、Ｐ成分が多く含有されると、中間層をなす第１金属間化合物の形成が遅くなったり、妨害を受けたりすることもあるため、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いることがより好ましい。

次に、電極層上に低融点のペーストを塗布及び乾燥した後、硬化熱処理して中間層及び導電性樹脂層を形成する。

低融点のペーストは、金属粒子、熱硬化性樹脂、及び該熱硬化性樹脂よりも低い融点を有する低融点金属を含むことができる。例えば、上記ペーストは、Ａｇ粉末、Ｓｎ系はんだ粉末、及び熱硬化性樹脂を混合した後、３－ロールミル（３－ｒｏｌｌ ｍｉｌｌ）を用いて分散させることによって製造することができる。Ｓｎ系はんだ粉末は、Ｓｎ、Ｓｎ_９６．５Ａｇ_３．０Ｃｕ_０．５、Ｓｎ_４２Ｂｉ_５８、及びＳｎ_７２Ｂｉ_２８から選択された１種以上を含んでもよく、Ａｇ粉末に含まれたＡｇの粒子径は０．５～３μｍであってもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。

また、上記電極層の外側に上記低融点のペーストを塗布し、乾燥及び硬化することで、中間層及び導電性樹脂層を形成することができる。

上記熱硬化性樹脂は、一例としてエポキシ樹脂を含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではなく、ビスフェノールＡ樹脂、グリコールエポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、又はこれらの誘導体のうち分子量が少ないため、常温で液状である樹脂であってもよい。

また、上記導電性樹脂層上に第１めっき層及び第２めっき層を形成する段階をさらに含んでもよい。

例えば、導電性樹脂層上に第１めっき層であるニッケルめっき層を形成し、ニッケルめっき層上に第２めっき層であるスズめっき層を形成してもよい。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

１００、１００' 積層セラミックキャパシタ
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３０、１４０ 第１及び第２外部電極
１３１、１３１'、１４１、１４１' 電極層
１３２、１４２ 中間層
１３３、１４３ 導電性樹脂層
１３４、１４４ 第１めっき層
１３５、１４５ 第２めっき層
１３３ａ 金属粒子
１３３ｂ 第２金属間化合物
１３３ｃ ベース樹脂

Claims (24)

1. 誘電体層と、第１及び第２内部電極を含む本体と、前記本体に配置される外部電極と、を含み、
   前記外部電極は、
   前記第１又は第２内部電極と接触する電極層と、
   前記電極層上に配置され、第１金属間化合物を含む中間層と、
   前記中間層上に配置され、複数の金属粒子、第２金属間化合物、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、
   前記第１又は第２内部電極は、前記本体の一面から離れて前記本体の内部に形成され、
   前記電極層は、前記本体の一面から離れた部分、及び前記本体の一面に形成され、前記内部電極と連結され、
   前記第２金属間化合物は前記中間層と不連続的に接する、積層セラミックキャパシタ。
2. 前記電極層は、前記本体の一面を覆うように配置される、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
3. 前記電極層は、無電解めっき層である、請求項１又は２に記載の積層セラミックキャパシタ。
4. 前記電極層は、スパッタリング層である、請求項１又は２に記載の積層セラミックキャパシタ。
5. 前記電極層は、Ｎｉ及びＢを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
6. 前記中間層は、前記電極層を覆うように配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
7. 前記中間層は、前記第１金属間化合物が層状に形成されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
8. 前記第１金属間化合物はＮｉ及びＳｎを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
9. 前記第１金属間化合物はＮｉ_３Ｓｎ_４である、請求項１から８のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
10. 前記複数の金属粒子はＡｇ及びＣｕのいずれか１種以上を含み、
    前記第２金属間化合物はＡｇ_３Ｓｎ、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、及びＣｕ_３Ｓｎのいずれか１種以上を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
11. 前記導電性樹脂層上に配置される第１めっき層及び第２めっき層をさらに含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
12. 前記本体は、互いに対向する第１及び第２面、前記第１及び第２面と連結され、互いに対向する第３及び第４面、第１及び第２面と連結され、第３及び第４面と連結され、互いに対向する第５及び第６面を含み、
    前記内部電極が前記本体の第３及び第４面と一定の間隔離れて前記本体の内部に形成され、交互に露出するように配置され、
    前記電極層が前記一定の間隔離れた部分、及び前記本体の第３及び第４面に形成され、前記内部電極と連結されている、請求項１から１１のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
13. 前記電極層は、前記本体の第３及び第４面から第１及び第２面の一部まで延長するように形成される、請求項１２に記載の積層セラミックキャパシタ。
14. 前記第２金属間化合物は、前記複数の金属粒子の少なくとも一部を取り囲む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
15. 前記電極層は、前記第１又は第２内部電極と直接接触するように配置される、請求項１から１４のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
16. 内部電極が印刷されたグリーンシートを複数層積層して積層体を設ける段階と、
    前記積層体を焼成して本体を設けた後、前記内部電極の一端と電気的に連結され、前記本体の一面を覆うように電極層を形成する段階と、
    前記電極層上に３００℃以下の低融点金属を含む低融点のペーストを塗布及び乾燥した後、硬化熱処理して中間層及び導電性樹脂層を形成する段階と、を含み、
    前記内部電極は、前記本体の一面から離れて前記本体の内部に形成され、
    前記電極層は、前記本体の一面から離れた部分、及び前記本体の一面に形成され、前記内部電極と連結され、
    前記導電性樹脂層は複数の金属粒子、第２金属間化合物、及びベース樹脂を含み、前記第２金属間化合物は前記中間層と不連続的に接する、積層セラミックキャパシタの製造方法。
17. 前記電極層を形成する段階は、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉを用いる無電解めっき法によって行われる、請求項１６に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
18. 前記電極層を形成する段階は、スパッタリング工法によって行われる、請求項１６に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
19. 前記ペーストは、Ａｇ粉末、Ｓｎ系はんだ粉末、及びエポキシ樹脂を含む、請求項１６から１８のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
20. 前記導電性樹脂層上に第１及び第２めっき層を形成する段階をさらに含む、請求項１６から１９のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
21. 誘電体層及び内部電極を含む本体と、前記内部電極と接触する電極層と、前記本体に配置される外部電極と、を含み、
    前記内部電極は、前記本体の一面から離れて前記本体の内部に形成され、
    前記電極層は、前記本体の一面から離れた部分、及び前記本体の一面に形成され、前記内部電極と連結され、
    前記外部電極は、
    第１金属間化合物を含む中間層と、
    前記中間層上に配置され、複数の金属粒子、第２金属間化合物、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、
    前記第１金属間化合物は前記第２金属間化合物に含まれた金属を含み、前記第２金属間化合物は前記複数の金属粒子に含まれた金属を含み、
    前記第２金属間化合物は前記中間層と不連続的に接する、電子部品。
22. 前記第２金属間化合物は、前記複数の金属粒子の少なくとも一部を取り囲む、請求項２１に記載の電子部品。
23. 前記中間層は前記電極層上に配置される、請求項２１又は２２に記載の電子部品。
24. 前記第１金属間化合物はＮｉ及びＳｎを含み、
    前記複数の金属粒子はＡｇ及びＣｕのいずれか１種以上を含み、
    前記第２金属間化合物はＡｇ_３Ｓｎ、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、及びＣｕ_３Ｓｎのいずれか１種以上を含む、請求項２１から２３のいずれか一項に記載の電子部品。

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