JP7200127B2 - 層特定的照明スペクトルによる計量システム及び方法 - Google Patents
層特定的照明スペクトルによる計量システム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7200127B2 JP7200127B2 JP2019554788A JP2019554788A JP7200127B2 JP 7200127 B2 JP7200127 B2 JP 7200127B2 JP 2019554788 A JP2019554788 A JP 2019554788A JP 2019554788 A JP2019554788 A JP 2019554788A JP 7200127 B2 JP7200127 B2 JP 7200127B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging
- specimen
- illumination
- layer
- metrology
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 343
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims description 82
- 238000005303 weighing Methods 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 317
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 83
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 41
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 38
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 10
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 28
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000013442 quality metrics Methods 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 238000011895 specific detection Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000012880 independent component analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000012706 support-vector machine Methods 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2823—Imaging spectrometer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
- G01B11/0633—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection using one or more discrete wavelengths
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
- G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
- G01N2021/8438—Mutilayers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8835—Adjustable illumination, e.g. software adjustable screen
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8845—Multiple wavelengths of illumination or detection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
- G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)
Description
本出願は、「諸プロセス層が相異なるスペクトルにより照明されるオーバレイ計量」(OVERLAY METROLOGY WITH PROCESS LAYERS ILLUMINATED BY DIFFERENT SPECTRA)と題しAmnon Manassen、Daria Negri、Andrew Hill、Ohad Bachar、Vladimir Levinski及びYuri Paskoverを発明者とする2017年4月5日付米国仮特許出願62/481685号に基づき米国特許法第119条(e)の規定による利益を主張する出願であるので、この参照によりその全体を本願に繰り入れることにする。
以上
Claims (90)
- スペクトル可調照明装置、並びに
2個以上の標本層上に計量ターゲット要素が備わる標本の画像を、そのスペクトル可調照明装置からの照明に応じその標本から発せられる輻射に基づき生成するよう構成された検出器、
を有するイメージング装置と、
そのイメージング装置に可通信結合されたコントローラであり、プログラム命令を実行するよう構成された1個又は複数個のプロセッサを有するコントローラと、
を備え、前記1個又は複数個のプロセッサが、
前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素が指定画質公差内でイメージングされるよう前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを決定し、各層特定的イメージングコンフィギュレーションが前記スペクトル可調照明装置からの照明スペクトルを含み、
それら層特定的イメージングコンフィギュレーションを用い生成された、前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の1枚又は複数枚の画像を、前記イメージング装置から受け取り、且つ
前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像に基づき計量計測を行うよう、
前記プログラム命令が構成されており、
前記スペクトル可調照明装置が、
2個以上の狭帯域照明源と、
それら2個以上の狭帯域照明源のうち少なくとも1個からの照明を選択して前記標本のイメージングに供する選択装置と、
を備える計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、前記検出器の画像捕捉パラメタを含む計量システム。
- 請求項2に記載の計量システムであって、前記検出器の前記画像捕捉パラメタが、利得及び積分時間のうち少なくとも一方を含む計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、前記イメージング装置が、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリック照明が行われるポジションを含む計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、前記イメージング装置が、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリックイメージングが行われるポジションを含む計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、前記イメージング装置が、前記標本を自イメージング装置の可調焦点位置に位置決めするステージを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その標本の焦点位置を含む計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調照明装置が、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションに係る二通り以上の照明スペクトルを順次供給し、前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像が、それら2個以上の標本層に係る別々の画像を含み、前記検出器が、当該二通り以上の照明スペクトルに基づきそれら2個以上の標本層に関し当該別々の画像を順次生成する計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調照明装置が、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションに係る二通り以上の空間分離照明スペクトルを同時供給することで前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素向けに別々の照明スペクトルを供給し、前記検出器により生成された、それら2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像が、単一の画像を含む計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調照明装置が、
広帯域照明源と、
その広帯域照明源のスペクトルを修正する1個又は複数個の分光フィルタと、
を備える計量システム。 - 請求項9に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の分光フィルタが、
ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ及びバンドリジェクトフィルタのうち少なくとも1個を含む計量システム。 - 請求項9に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の分光フィルタが、
その分光透過率が固定な1個又は複数個の分光フィルタリング特性固定型分光フィルタを含む計量システム。 - 請求項11に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調照明装置が、更に、
前記1個又は複数個の分光フィルタリング特性固定型分光フィルタを、前記広帯域照明源からの照明路のうち前記標本より前のところに選択的に挿入する、少なくとも1個のフィルタ挿入装置を備える計量システム。 - 請求項12に記載の計量システムであって、前記フィルタ挿入装置が、
フィルタホイール、直線並進装置及びフリッパ装置のうち少なくとも1個を備える計量システム。 - 請求項9に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の分光フィルタが、
1個又は複数個の分光フィルタリング特性可調型分光フィルタを含む計量システム。 - 請求項14に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の分光フィルタリング特性可調型分光フィルタが、
前記広帯域照明源からの照明の入射角に基づき分光フィルタリング特性が調整される1個又は複数個の角度可調分光フィルタを備え、前記スペクトル可調照明装置が、更に、その広帯域照明源からの照明の当該1個又は複数個の角度可調分光フィルタ上への入射角を調整する回動装置を備える計量システム。 - 請求項14に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の分光フィルタリング特性可調型分光フィルタが、
可調ダブルモノクロメータを備える計量システム。 - 請求項9に記載の計量システムであって、前記広帯域照明源が、
超連続体レーザ光源を備える計量システム。 - 請求項9に記載の計量システムであって、前記広帯域照明源が、
レーザ励起プラズマ照明源及びランプ型照明源のうち少なくとも一方を備える計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、前記2個以上の狭帯域照明源のうちある狭帯域照明源が、
レーザ光源及び分光フィルタ付広帯域照明源のうち少なくとも一方を備える計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、前記指定画質公差が、
コントラスト、解像度、輝度及びノイズ許容度のうち少なくとも一つを含む計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、前記検出器が、
電荷結合デバイス型検出器及び相補金属酸化物半導体型検出器のうち少なくとも一方を備える計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、前記計量計測が、
前記2個以上の標本層間のオーバレイの計測を含む計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、前記計量計測が、
前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の限界寸法を含む計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを決める際に、
前記2個以上の標本層それぞれの上の計量ターゲット要素の画像を、様々なイメージングコンフィギュレーションを用い前記イメージング装置で以て生成し、
前記2個以上の標本層それぞれに関し、前記様々なイメージングコンフィギュレーションの中から、前記指定画質公差と合致する画像を提供する層特定的イメージングコンフィギュレーションを選択する、
計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを決める際に、
前記2個以上の標本層それぞれの上の計量ターゲット要素の画像を、様々なイメージングコンフィギュレーションを用いシミュレーションし、
前記2個以上の標本層それぞれに関し、前記様々なイメージングコンフィギュレーションの中から、前記指定画質公差と合致する画像を提供する層特定的イメージングコンフィギュレーションを選択する、
計量システム。 - 広帯域照明源、
その広帯域照明源からの照明に応じ標本から発せられる輻射を分光フィルタリングするスペクトル可調フィルタ、並びに
2個以上の標本層を有する前記標本の画像を、その標本から発せられ前記スペクトル可調フィルタによりフィルタリングされた輻射に基づき生成する検出器、
を有するイメージング装置と、
そのイメージング装置に可通信結合されたコントローラであり、プログラム命令を実行するよう構成された1個又は複数個のプロセッサを有するコントローラと、
を備え、前記1個又は複数個のプロセッサが、
前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素が指定画質公差内でイメージングされるよう、また個々の層特定的イメージングコンフィギュレーションが前記スペクトル可調フィルタによりフィルタリングされた前記標本からの輻射のスペクトルを含むよう、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを決め、
それら層特定的イメージングコンフィギュレーションを用い生成された、前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の1枚又は複数枚の画像を、前記検出器から受け取り、且つ
前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像に基づき計量計測を行うよう、
前記プログラム命令が構成されており、
前記広帯域照明源が、
2個以上の狭帯域照明源と、
それら2個以上の狭帯域照明源のうち少なくとも1個からの照明を選択して前記標本のイメージングに供する選択装置と、
を備える計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、前記検出器の画像捕捉パラメタを含む計量システム。
- 請求項27に記載の計量システムであって、前記検出器の前記画像捕捉パラメタが、利得及び積分時間のうち少なくとも一方を含む計量システム。
- 請求項26に記載の計量システムであって、前記イメージング装置が、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリック照明が行われるポジションを含む計量システム。
- 請求項26に記載の計量システムであって、前記イメージング装置が、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリックイメージングが行われるポジションを含む計量システム。
- 請求項26に記載の計量システムであって、前記イメージング装置が、前記標本を自イメージング装置の可調焦点位置に位置決めするステージを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その標本の焦点位置を含む計量システム。
- 請求項26に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調フィルタが、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションに係る二通り以上のフィルタリング済スペクトルを順次供給し、前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像がそれら2個以上の標本層に係る別々の画像を含み、前記検出器が、当該二通り以上のフィルタリングされたスペクトルに基づき当該2個以上の標本層に係る当該別々の画像を順次生成する計量システム。
- 請求項26に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調フィルタが、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションに係る二通り以上の空間分離照明スペクトルを同時供給することで前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素向けに別々の照明スペクトルを供給し、前記検出器により生成された、それら2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像が、単一の画像を含む計量システム。
- 請求項26に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調フィルタが、
ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ及びバンドリジェクトフィルタのうち少なくとも1個を含む計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調フィルタが、
その分光透過率が固定な1個又は複数個の分光フィルタリング特性固定型分光フィルタを含む計量システム。 - 請求項35に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調フィルタが、更に、
前記1個又は複数個の分光フィルタリング特性固定型分光フィルタを、前記標本に発する輻射路のうち前記標本より前のところに選択的に挿入する、少なくとも1個のフィルタ挿入装置を備える計量システム。 - 請求項36に記載の計量システムであって、前記フィルタ挿入装置が、
フィルタホイール、直線並進装置及びフリッパ装置のうち少なくとも1個を備える計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記スペクトル可調フィルタが、
1個又は複数個の分光フィルタリング特性可調型分光フィルタを含む計量システム。 - 請求項38に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の分光フィルタリング特性可調型分光フィルタが、
前記広帯域照明源からの照明の入射角に基づき分光フィルタリング特性が調整される1個又は複数個の角度可調分光フィルタを備え、前記イメージング装置が、更に、その広帯域照明源からの照明の当該1個又は複数個の角度可調分光フィルタ上への入射角を調整する回動装置を備える計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記広帯域照明源が、
超連続体レーザ光源を備える計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記広帯域照明源が、
レーザ励起プラズマ照明源及びランプ型照明源のうち少なくとも一方を備える計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記指定画質公差が、
コントラスト、解像度、輝度及びノイズ許容度のうち少なくとも一つを含む計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記検出器が、
電荷結合デバイス型検出器及び相補金属酸化物半導体型検出器のうち少なくとも一方を備える計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記計量計測が、
前記2個以上の標本層間のオーバレイの計測を含む計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記計量計測が、
前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の限界寸法を含む計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを決める際に、
前記2個以上の標本層それぞれの上の計量ターゲット要素の画像を、様々なイメージングコンフィギュレーションを用い前記イメージング装置で以て生成し、
前記2個以上の標本層それぞれに関し、前記様々なイメージングコンフィギュレーションの中から、前記指定画質公差と合致する画像を提供する層特定的イメージングコンフィギュレーションを選択する、
計量システム。 - 請求項26に記載の計量システムであって、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを決める際に、
前記2個以上の標本層それぞれの上の計量ターゲット要素の画像を、様々なイメージングコンフィギュレーションを用いシミュレーションし、
前記2個以上の標本層それぞれに関し、前記様々なイメージングコンフィギュレーションの中から、前記指定画質公差と合致する画像を提供する層特定的イメージングコンフィギュレーションを選択する、
計量システム。 - 標本に備わる2個以上の標本層上の計量ターゲット要素が指定画質公差内でイメージングされるようイメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを1個又は複数個のプロセッサで決定するステップであって、各層特定的イメージングコンフィギュレーションがイメージングスペクトルを含むステップと、
それら層特定的イメージングコンフィギュレーションを用い生成された、前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の1枚又は複数枚の画像を、前記イメージング装置から受け取るステップと、
前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像に基づき計量計測を行うステップと、
を有し、
前記イメージング装置が、
2個以上の狭帯域照明源と、
それら2個以上の狭帯域照明源のうち少なくとも1個からの照明を選択して前記標本のイメージングに供する選択装置と、
を備える、方法。 - 請求項48に記載の方法であって、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションのうちイメージングスペクトルが、前記標本上に入射する照明のスペクトルを含む方法。
- 請求項48に記載の方法であって、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションのうちイメージングスペクトルが、前記イメージング装置に備わる検出器上に入射する輻射のうち、前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像を生成するスペクトルを含む方法。
- 請求項50に記載の方法であって、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、前記検出器の画像捕捉パラメタを含む方法。
- 請求項51に記載の方法であって、前記検出器の前記画像捕捉パラメタが、利得及び積分時間のうち少なくとも一方を含む方法。
- 請求項48に記載の方法であって、前記イメージング装置が、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリックイメージングが行われるポジションを含む方法。
- 請求項48に記載の方法であって、前記イメージング装置が、前記標本を自イメージング装置の可調焦点位置に位置決めするステージを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その標本の焦点位置を含む方法。
- 請求項48に記載の方法であって、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを決めるステップが、
前記2個以上の標本層それぞれの上の計量ターゲット要素の画像を、様々なイメージングコンフィギュレーションを用い前記イメージング装置で以て生成するステップと、
前記2個以上の標本層それぞれに関し、前記様々なイメージングコンフィギュレーションの中から、前記指定画質公差と合致する画像を提供する層特定的イメージングコンフィギュレーションを選択するステップと、
を含む方法。 - 請求項48に記載の方法であって、前記イメージング装置の層特定的イメージングコンフィギュレーションを決めるステップが、
前記2個以上の標本層それぞれの上の計量ターゲット要素の画像を、様々なイメージングコンフィギュレーションを用いシミュレーションするステップと、
前記2個以上の標本層それぞれに関し、前記様々なイメージングコンフィギュレーションの中から、前記指定画質公差と合致する画像を提供する層特定的イメージングコンフィギュレーションを選択するステップと、
を含む方法。 - 1つまたは複数のレンズ、並びに
2個以上の標本層上に計量ターゲット要素を含む標本を、照明源からの照明に基づきイメージングするよう構成された検出器、
を有するイメージングサブシステムと、
そのイメージングサブシステムに可通信結合されたコントローラであり、プログラム命令を実行するよう構成された1個又は複数個のプロセッサを有するコントローラと、
を備え、前記1個又は複数個のプロセッサが、
前記2個以上の標本層上の前記計量ターゲット要素が指定画質公差内でイメージングされるよう前記イメージングサブシステムの層特定的イメージングコンフィギュレーションを決定し、各層特定的イメージングコンフィギュレーションが前記イメージングサブシステムの1つまたは複数のコンポーネントの選択されたコンフィグレーションを含み、
それら層特定的イメージングコンフィギュレーションを用い生成された、前記2個以上の標本層上の前記計量ターゲット要素の1枚又は複数枚の画像を、前記イメージングサブシステムから受け取り、且つ
前記2個以上の標本層上の前記計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像に基づき計量計測を行うよう、
前記プログラム命令が構成されており、
前記イメージングサブシステムが、
2個以上の狭帯域照明源と、
それら2個以上の狭帯域照明源のうち少なくとも1個からの照明を選択して前記標本のイメージングに供する選択装置と、
を備える計量システム。 - 請求項57に記載の計量システムであって、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、前記検出器の画像捕捉パラメタを含む計量システム。
- 請求項58に記載の計量システムであって、前記検出器の前記画像捕捉パラメタが、利得及び積分時間のうち少なくとも一方を含む計量システム。
- 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムが、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリック照明が行われるポジションを含む計量システム。
- 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムが、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリックイメージングが行われるポジションを含む計量システム。
- 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムが、前記標本を自イメージングサブシステムの可調焦点位置に位置決めするステージを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その標本の焦点位置を含む計量システム。
- 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムが偏光子を備えて前記照明源からの照明の偏光を調整し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、前記標本における照明の偏光を含む計量システム。
- 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムが、前記イメージングサブシステムの前記層特定的イメージングコンフィギュレーションに係る二通り以上の照明スペクトルを順次供給し、前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像が、それら2個以上の標本層に係る別々の画像を含み、前記検出器が、当該二通り以上の照明スペクトルに基づきそれら2個以上の標本層に関し当該別々の画像を順次生成する計量システム。
- 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムが、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションに係る二通り以上の空間分離照明スペクトルを同時供給し、前記検出器により生成された、それら2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像が、単一の画像を含む計量システム。
- 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムが、
広帯域照明源と、
その広帯域照明源のスペクトルを修正する1個又は複数個の分光フィルタと、
を備える計量システム。 - 請求項66に記載の計量システムであって、前記広帯域照明源が、
超連続体レーザ光源を備える計量システム。 - 請求項66に記載の計量システムであって、前記広帯域照明源が、
レーザ励起プラズマ照明源及びランプ型照明源のうち少なくとも一方を備える計量システム。 - 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムが、さらに、
2個以上の狭帯域照明源と、
それら2個以上の狭帯域照明源のうち少なくとも1個からの照明を選択して前記標本のイメージングに供するビーム結合器と1つまたは複数のシャッタの少なくとも一方と、
を備える計量システム。 - 請求項69に記載の計量システムであって、前記2個以上の狭帯域照明源のうちある狭帯域照明源が、
レーザ光源及び分光フィルタ付広帯域照明源のうち少なくとも一方を備える計量システム。 - 請求項57に記載の計量システムであって、前記指定画質公差が、
コントラスト、解像度、輝度及びノイズ許容度のうち少なくとも一つを含む計量システム。 - 請求項57に記載の計量システムであって、前記検出器が、
電荷結合デバイス型検出器及び相補金属酸化物半導体型検出器のうち少なくとも一方を備える計量システム。 - 請求項57に記載の計量システムであって、前記計量計測が、
前記2個以上の標本層間のオーバレイの計測を含む計量システム。 - 請求項57に記載の計量システムであって、前記計量計測が、
前記2個以上の標本層のうち少なくとも1個の標本層上の少なくとも1つの計量ターゲット要素の限界寸法を含む計量システム。 - 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムの前記層特定的イメージングコンフィギュレーションを決める際に、
前記2個以上の標本層それぞれの上の計量ターゲット要素の画像を、様々なイメージングコンフィギュレーションを用い前記イメージングサブシステムで生成し、
前記2個以上の標本層それぞれに関し、前記様々なイメージングコンフィギュレーションの中から、前記指定画質公差と合致する画像を提供する層特定的イメージングコンフィギュレーションを選択する、
計量システム。 - 請求項57に記載の計量システムであって、前記イメージングサブシステムの前記層特定的イメージングコンフィギュレーションを決める際に、
前記2個以上の標本層それぞれの上の計量ターゲット要素の画像を、様々なイメージングコンフィギュレーションを用いシミュレーションし、
前記2個以上の標本層それぞれに関し、前記様々なイメージングコンフィギュレーションの中から、前記指定画質公差と合致する画像を提供する層特定的イメージングコンフィギュレーションを選択する、
計量システム。 - 照明ビームを生成するように構成された照明源と、
1つまたは複数の並進ステージを含み、2個以上の標本層を有する標本の位置を選択的に調整する、標本ステージと、
前記照明ビームを前記標本に方向付けるように構成された1つまたは複数の照明光学系であって、前記照明ビームの偏光を選択的に調整する偏光子を含む、1つまたは複数の照明光学系と、
前記照明ビームに応答して前記標本から発せられる輻射を収集するように構成された1つまたは複数の収集光学系と、
前記標本の画像を、その標本から発せられ前記1つまたは複数の収集光学系により収集された輻射に基づき生成する検出器と、
前記照明源、前記1つまたは複数の照明光学系のいずれか、前記1つまたは複数の収集光学系のいずれか、または前記検出器のうちの少なくとも1つに可通信結合されたコントローラであり、プログラム命令を実行するよう構成された1個又は複数個のプロセッサを有するコントローラと、
を備え、前記1個又は複数個のプロセッサが、
前記2個以上の標本層に対する層特定的イメージングコンフィギュレーションを受け取り、各層特定的イメージングコンフィギュレーションが、前記2個以上の標本層のうち特定の標本層をイメージングするために、前記照明源のスペクトル、前記照明ビームの偏光、または前記標本の位置の少なくともいずれかの、選択されたコンフィグレーションを含み、
それら層特定的イメージングコンフィギュレーションを用いて、前記2個以上の標本層に対する画像を生成し、
前記2つ以上の画像に基づき計量計測を行うよう、
前記プログラム命令が構成されており、
前記照明源が、
2個以上の狭帯域照明源と、
それら2個以上の狭帯域照明源のうち少なくとも1個からの照明を選択して前記標本のイメージングに供する選択装置と、
を備えるイメージングシステム。 - 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、前記検出器の画像捕捉パラメタを含むイメージングシステム。
- 請求項78に記載のイメージングシステムであって、前記検出器の前記画像捕捉パラメタが、利得及び積分時間のうち少なくとも一方を含むイメージングシステム。
- 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記1つまたは複数の照明光学系が、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリック照明が行われるポジションを含むイメージングシステム。
- 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記1つまたは複数の収集光学系が、そのポジションが可調な開口絞りを有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その開口絞りのポジションのうち、指定テレセントリシティ公差内で前記標本のテレセントリックイメージングが行われるポジションを含むイメージングシステム。
- 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記1つまたは複数の収集光学系が偏光子を有し、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが、更に、その標本から発せられ前記検出器に入射する輻射の偏光を含むイメージングシステム。
- 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションが前記照明源の前記スペクトルを含み、前記照明源が、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションに係る二通り以上の照明スペクトルを順次供給し、前記検出器が、当該二通り以上の照明スペクトルに基づき当該2個以上の標本層に係る別々の画像を順次生成するイメージングシステム。
- 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記照明源が、前記層特定的イメージングコンフィギュレーションに係る二通り以上の空間分離照明スペクトルを同時供給し、前記検出器により生成された、前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の1枚又は複数枚の画像が、単一の画像を含むイメージングシステム。
- 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記照明源が、
広帯域照明装置と、
前記広帯域照明装置の前記スペクトルを修正する1つまたは複数の分光フィルタと、
を備える、イメージングシステム。 - 請求項77に記載のイメージングシステムであって、さらに、
2個以上の狭帯域照明源と、
それら2個以上の狭帯域照明源のうち少なくとも1個からの照明を選択して前記標本をイメージングするビーム結合器と1つまたは複数のシャッタの少なくとも一方と、
を備えるイメージングシステム。 - 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記計量計測が、
前記2個以上の標本層間のオーバレイの計測を含むイメージングシステム。 - 請求項77に記載のイメージングシステムであって、前記計量計測が、
前記2個以上の標本層のうち少なくとも1個の標本層上の少なくとも1つの計量ターゲット要素の限界寸法を含む、イメージングシステム。 - 標本の2個以上の標本層上の計量ターゲット要素が指定画質公差内でイメージングされるようイメージングサブシステムの層特定的イメージングコンフィギュレーションを決定するステップであって、各層特定的イメージングコンフィギュレーションが前記イメージングサブシステムの1つまたは複数のコンポーネントの選択されたコンフィグレーションを含む、ステップと、
それら層特定的イメージングコンフィギュレーションを用いて、前記2個以上の標本層上の前記計量ターゲット要素の1枚又は複数枚の画像を、前記イメージングサブシステムで生成するステップと、
前記2個以上の標本層上の計量ターゲット要素の前記1枚又は複数枚の画像に基づき計量計測を行うステップと、
を有し、
前記イメージングサブシステムが、
2個以上の狭帯域照明源と、
それら2個以上の狭帯域照明源のうち少なくとも1個からの照明を選択して前記標本のイメージングに供する選択装置と、
を備える方法。 - 請求項89に記載の方法であって、各層特定的イメージングコンフィギュレーションが、前記照明源のスペクトル、前記照明源からの照明ビームの偏光、テレセントリック照明、テレセントリックイメージング、または前記標本の位置の少なくともいずれかの、選択されたコンフィグレーションを含む、方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762481685P | 2017-04-05 | 2017-04-05 | |
| US62/481,685 | 2017-04-05 | ||
| US15/608,766 US10444161B2 (en) | 2017-04-05 | 2017-05-30 | Systems and methods for metrology with layer-specific illumination spectra |
| US15/608,766 | 2017-05-30 | ||
| PCT/US2018/024702 WO2018187108A1 (en) | 2017-04-05 | 2018-03-28 | Systems and methods for metrology with layer-specific illumination spectra |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020517096A JP2020517096A (ja) | 2020-06-11 |
| JP2020517096A5 JP2020517096A5 (ja) | 2021-05-06 |
| JP7200127B2 true JP7200127B2 (ja) | 2023-01-06 |
Family
ID=63711466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019554788A Active JP7200127B2 (ja) | 2017-04-05 | 2018-03-28 | 層特定的照明スペクトルによる計量システム及び方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10444161B2 (ja) |
| EP (1) | EP3593377A4 (ja) |
| JP (1) | JP7200127B2 (ja) |
| KR (1) | KR102589611B1 (ja) |
| CN (2) | CN110494966B (ja) |
| SG (1) | SG11201907747XA (ja) |
| TW (2) | TWI780141B (ja) |
| WO (1) | WO2018187108A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2559164B (en) | 2017-01-27 | 2021-11-10 | Teraview Ltd | Method and system for measuring coating thicknesses |
| US10444161B2 (en) * | 2017-04-05 | 2019-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for metrology with layer-specific illumination spectra |
| US10401738B2 (en) * | 2017-08-02 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Overlay metrology using multiple parameter configurations |
| US10677588B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Localized telecentricity and focus optimization for overlay metrology |
| EP3572881A1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-27 | ASML Netherlands B.V. | Bandwidth calculation system and method for determining a desired wavelength bandwidth for a measurement beam in a mark detection system |
| EP3667420A1 (en) * | 2018-12-13 | 2020-06-17 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a parameter of a lithographic process, metrology apparatus |
| US12013647B2 (en) * | 2018-12-31 | 2024-06-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method |
| JP7481090B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2024-05-10 | 株式会社ディスコ | 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置 |
| WO2020168140A1 (en) | 2019-02-14 | 2020-08-20 | Kla Corporation | Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers |
| EP3783438A1 (en) | 2019-08-21 | 2021-02-24 | ASML Netherlands B.V. | Wavelength selection module, illumination system and metrology system |
| US11933717B2 (en) * | 2019-09-27 | 2024-03-19 | Kla Corporation | Sensitive optical metrology in scanning and static modes |
| TWI730486B (zh) * | 2019-11-01 | 2021-06-11 | 財團法人工業技術研究院 | 流場可視化觀測裝置與流場可視化觀測方法 |
| US11309202B2 (en) * | 2020-01-30 | 2022-04-19 | Kla Corporation | Overlay metrology on bonded wafers |
| KR102817032B1 (ko) * | 2020-04-05 | 2025-06-04 | 케이엘에이 코포레이션 | 웨이퍼 틸트가 오정합 측정에 끼친 영향을 보정하기 시스템 및 방법 |
| US11355375B2 (en) * | 2020-07-09 | 2022-06-07 | Kla Corporation | Device-like overlay metrology targets displaying Moiré effects |
| US12111580B2 (en) | 2021-03-11 | 2024-10-08 | Kla Corporation | Optical metrology utilizing short-wave infrared wavelengths |
| US12188818B2 (en) | 2021-06-18 | 2025-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Spectrometer, metrology system, and semiconductor inspection method |
| US11531275B1 (en) * | 2021-08-25 | 2022-12-20 | Kla Corporation | Parallel scatterometry overlay metrology |
| US12455509B2 (en) * | 2022-02-24 | 2025-10-28 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor structure and system for manufacturing the same |
| WO2023230123A1 (en) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | Quality Vision International Inc. | Method for field-dependent alignment of imaging optics to similar-aperture illumination system |
| US12481224B2 (en) * | 2022-06-10 | 2025-11-25 | Nanya Technology Corporation | Method and system for overlay measurement |
| CN118746557B (zh) * | 2024-07-11 | 2025-02-11 | 东莞城市学院 | 基于多光谱成像的屏蔽罩缺陷检测系统 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218799A (ja) | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Topcon Corp | 表面検査方法及び装置 |
| JP2016516307A (ja) | 2013-04-03 | 2016-06-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 垂直スタックメモリにおいて欠陥深さを決定するための装置および方法 |
| WO2016164372A1 (en) | 2015-04-06 | 2016-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Feed forward of metrology data in a metrology system |
| WO2016187139A1 (en) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Kla-Tencor Corporation | System and method for imaging a sample with an illumination source modified by a spatial selective wavelength filter |
| WO2017044283A1 (en) | 2015-09-09 | 2017-03-16 | Kla-Tencor Corporation | New approaches in first order scatterometry overlay based on introduction of auxiliary elecromagnetic fields |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6612159B1 (en) * | 1999-08-26 | 2003-09-02 | Schlumberger Technologies, Inc. | Overlay registration error measurement made simultaneously for more than two semiconductor wafer layers |
| US7541201B2 (en) * | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
| US7068833B1 (en) | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
| US6678046B2 (en) | 2001-08-28 | 2004-01-13 | Therma-Wave, Inc. | Detector configurations for optical metrology |
| US8634607B2 (en) * | 2003-09-23 | 2014-01-21 | Cambridge Research & Instrumentation, Inc. | Spectral imaging of biological samples |
| TW200525141A (en) * | 2003-12-26 | 2005-08-01 | Nikon Corp | Defect inspection device and defect inspection method |
| JP2007537455A (ja) * | 2004-05-14 | 2007-12-20 | ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション | 試験体の測定または分析のためのシステムおよび方法 |
| JP4826750B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-11-30 | オムロン株式会社 | 欠陥検査方法およびその方法を用いた欠陥検査装置 |
| EP2597457B1 (en) * | 2005-07-28 | 2018-03-14 | Bioptigen, Inc. | Frequency-domain optical coherence tomography imaging system |
| KR100714280B1 (ko) * | 2006-04-27 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 계측설비 및 그를 이용한 오버레이 계측방법 |
| KR20080087216A (ko) * | 2007-03-26 | 2008-10-01 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 계측설비 및 그의 오버레이 계측방법 |
| FR2933234B1 (fr) * | 2008-06-30 | 2016-09-23 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Substrat bon marche a structure double et procede de fabrication associe |
| NL2004400A (en) | 2009-04-09 | 2010-10-12 | Asml Holding Nv | Tunable wavelength illumination system. |
| US20110242312A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Lasertec Corporation | Inspection system and inspection method |
| CN102466520B (zh) * | 2010-11-11 | 2014-12-17 | 香港纺织及成衣研发中心 | 多光谱成像颜色测量系统及其成像信号处理方法 |
| US9400246B2 (en) * | 2011-10-11 | 2016-07-26 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology tool equipped with modulated illumination sources |
| US9228943B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-01-05 | Kla-Tencor Corporation | Dynamically adjustable semiconductor metrology system |
| US9151718B2 (en) | 2012-03-19 | 2015-10-06 | Kla-Tencor Corporation | Illumination system with time multiplexed sources for reticle inspection |
| US10242290B2 (en) * | 2012-11-09 | 2019-03-26 | Kla-Tencor Corporation | Method, system, and user interface for metrology target characterization |
| US9341769B2 (en) * | 2012-12-17 | 2016-05-17 | Kla-Tencor Corporation | Spectral control system |
| US10769320B2 (en) | 2012-12-18 | 2020-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Integrated use of model-based metrology and a process model |
| KR20140122608A (ko) * | 2013-04-10 | 2014-10-20 | 삼성전자주식회사 | 디펙의 깊이 정보 추출 장치 및 방법과 그 디펙의 깊이 정보를 이용한 반도체 공정 개선방법 |
| KR102216201B1 (ko) * | 2013-09-16 | 2021-02-15 | 케이엘에이 코포레이션 | 반도체 샘플의 계측을 수행하기 위한 타원편광 측정기 장치 |
| EP3051351B1 (en) * | 2013-09-24 | 2019-06-12 | Institute of Optics and Electronics Chinese Academy of Sciences | Super-resolution image photoetching |
| US9134633B2 (en) * | 2013-12-23 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for dark field inspection |
| WO2015143378A1 (en) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Kla-Tencor Corporation | Compressive sensing with illumination patterning |
| US9401016B2 (en) * | 2014-05-12 | 2016-07-26 | Kla-Tencor Corp. | Using high resolution full die image data for inspection |
| US9599573B2 (en) | 2014-12-02 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and techniques with enhanced detection |
| US9970863B2 (en) * | 2015-02-22 | 2018-05-15 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology with reduced focus error sensitivity |
| KR20170042432A (ko) * | 2015-10-08 | 2017-04-19 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 패턴의 검사 방법 |
| US10422508B2 (en) * | 2016-03-28 | 2019-09-24 | Kla-Tencor Corporation | System and method for spectral tuning of broadband light sources |
| US10371626B2 (en) * | 2016-08-17 | 2019-08-06 | Kla-Tencor Corporation | System and method for generating multi-channel tunable illumination from a broadband source |
| US11815347B2 (en) * | 2016-09-28 | 2023-11-14 | Kla-Tencor Corporation | Optical near-field metrology |
| US10444161B2 (en) * | 2017-04-05 | 2019-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for metrology with layer-specific illumination spectra |
| US10677588B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Localized telecentricity and focus optimization for overlay metrology |
| GB2580858B (en) * | 2018-09-07 | 2021-07-21 | Memsstar Ltd | A method for detecting defects in thin film layers |
-
2017
- 2017-05-30 US US15/608,766 patent/US10444161B2/en active Active
-
2018
- 2018-03-28 JP JP2019554788A patent/JP7200127B2/ja active Active
- 2018-03-28 EP EP18781359.7A patent/EP3593377A4/en active Pending
- 2018-03-28 CN CN201880023805.4A patent/CN110494966B/zh active Active
- 2018-03-28 CN CN202210942537.4A patent/CN115307735A/zh active Pending
- 2018-03-28 KR KR1020197032504A patent/KR102589611B1/ko active Active
- 2018-03-28 SG SG11201907747X patent/SG11201907747XA/en unknown
- 2018-03-28 WO PCT/US2018/024702 patent/WO2018187108A1/en not_active Ceased
- 2018-04-03 TW TW107111743A patent/TWI780141B/zh active
- 2018-04-03 TW TW111109564A patent/TWI809762B/zh active
-
2019
- 2019-08-27 US US16/552,107 patent/US11852590B1/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218799A (ja) | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Topcon Corp | 表面検査方法及び装置 |
| JP2016516307A (ja) | 2013-04-03 | 2016-06-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 垂直スタックメモリにおいて欠陥深さを決定するための装置および方法 |
| WO2016164372A1 (en) | 2015-04-06 | 2016-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Feed forward of metrology data in a metrology system |
| WO2016187139A1 (en) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Kla-Tencor Corporation | System and method for imaging a sample with an illumination source modified by a spatial selective wavelength filter |
| WO2017044283A1 (en) | 2015-09-09 | 2017-03-16 | Kla-Tencor Corporation | New approaches in first order scatterometry overlay based on introduction of auxiliary elecromagnetic fields |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018187108A1 (en) | 2018-10-11 |
| KR20190128090A (ko) | 2019-11-14 |
| EP3593377A1 (en) | 2020-01-15 |
| JP2020517096A (ja) | 2020-06-11 |
| US11852590B1 (en) | 2023-12-26 |
| CN110494966A (zh) | 2019-11-22 |
| TWI809762B (zh) | 2023-07-21 |
| CN115307735A (zh) | 2022-11-08 |
| US20180292326A1 (en) | 2018-10-11 |
| TWI780141B (zh) | 2022-10-11 |
| KR102589611B1 (ko) | 2023-10-13 |
| US10444161B2 (en) | 2019-10-15 |
| CN110494966B (zh) | 2022-07-29 |
| EP3593377A4 (en) | 2020-12-23 |
| TW202225667A (zh) | 2022-07-01 |
| TW201903386A (zh) | 2019-01-16 |
| SG11201907747XA (en) | 2019-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7200127B2 (ja) | 層特定的照明スペクトルによる計量システム及び方法 | |
| KR102347059B1 (ko) | 다수의 파라미터 구성들을 사용한 오버레이 계측 | |
| JP6830492B2 (ja) | 分光ビームプロファイルオーバーレイ計測 | |
| TWI714716B (zh) | 用於超光譜成像計量之系統及方法 | |
| TWI659204B (zh) | 光譜光束分佈度量 | |
| US10067072B2 (en) | Methods and apparatus for speckle suppression in laser dark-field systems | |
| CN114341594B (zh) | 用于叠对测量的光栅目标结构的暗场成像 | |
| KR102823725B1 (ko) | 본딩된 웨이퍼의 오버레이 계측 | |
| CN103453845B (zh) | 一种散射计量的装置和测量方法 | |
| US20250251283A1 (en) | Metrology with parallel subsystems and mueller signals training |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210329 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220517 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220816 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221005 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221129 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221221 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7200127 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |