JP7290065B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7290065B2 JP7290065B2 JP2019101756A JP2019101756A JP7290065B2 JP 7290065 B2 JP7290065 B2 JP 7290065B2 JP 2019101756 A JP2019101756 A JP 2019101756A JP 2019101756 A JP2019101756 A JP 2019101756A JP 7290065 B2 JP7290065 B2 JP 7290065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitance
- antenna conductor
- variable capacitor
- fixed electrode
- movable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 112
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 112
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 92
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 16
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 15
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
そのうえ、可動電極が、可変コンデンサの静電容量を一定以上に保つ容量保持部を有しているので、容量変更部により静電容量を変化させた場合のリアクタンスの変化量を小さくすることができ、リアクタンスの安定した調整が可能となる。
しかも、容量保持部が、可変コンデンサの静電容量を一定以上に保つので、可変コンデンサのリアクタンスを一定以上にすることができ、別途コンデンサを追加接続することなく、アンテナ導体とのインピーダンスを調整することができ、アンテナ導体との接続の複雑化や装置の大型化を避けられる。
このような構成であれば、容量保持部により保持する静電容量を変動させることなく一定に保つことができ、可変コンデンサのリアクタンスを精度良く調整することができる。
このような構成であれば、静電容量を一定に保つことができるうえ、容量保持部を簡単な構成にすることができる。
この構成であれば、可動電極に外部の回路要素(例えばアンテナ導体や接地)を接続する必要がない。その結果、可動電極と外部の回路要素とを接触させる摺動子(ブラシ)を用いたコネクタを不要にすることができ、摺動子を用いたコネクタにより生じる接続不良を低減することができる。
本実施形態のプラズマ処理装置100は、誘導結合型のプラズマPを用いて基板Wに処理を施すものである。ここで、基板Wは、例えば、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(FPD)用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。また、基板Wに施す処理は、例えば、プラズマCVD法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。
次に接続導体12について、図3~図7を参照して詳細に説明する。なお、図3及び図4などにおいて一部のシール部材などは記載を省略している。
このように構成した本実施形態のプラズマ処理装置100によれば、アンテナ導体3を冷却液CLにより冷却することができるので、プラズマPを安定して発生させることができる。また、可変コンデンサ13の誘電体をアンテナ導体3を流れる冷却液CLにより構成しているので、可変コンデンサ13を冷却しつつその静電容量の不意の変動を抑えることができる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
W・・・基板
P・・・誘導結合プラズマ
2・・・真空容器
3・・・アンテナ導体
3S・・・流路
CL・・・冷却液
13・・・可変コンデンサ
16・・・第1の固定電極
161・・・固定金属板
17・・・第2の固定電極
171・・・固定金属板
18・・・可動電極
18A・・・容量変更部
18B・・・容量保持部
C・・・回転軸
182・・・第1の可動金属板
183・・・第2の可動金属板
184・・・第3の可動金属板
161a、171a・・・縮小する端辺
161b、171b・・・先端辺
19・・・収容容器
P1・・・導入ポート
P2・・・導出ポート
Claims (4)
- 真空容器内にプラズマを発生させて、当該プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置であって、
高周波電流が流されて、プラズマを発生させるためのアンテナ導体と、
前記アンテナ導体に電気的に接続される可変コンデンサとを備え、
前記アンテナ導体は、内部に冷却液が流れる流路を有しており、
前記可変コンデンサの誘電体は、前記アンテナ導体を流れる冷却液により構成されており、
前記可変コンデンサは、
前記アンテナ導体に電気的に接続される固定電極と、
前記固定電極との間でコンデンサを形成する可動電極とを有し、
前記可動電極は、
前記固定電極との対向面積が変化するように移動し、前記可変コンデンサの静電容量を変化させる容量変更部と、
前記容量変更部の移動に関わらず、前記固定電極との対向面積を一定以上に保持しながら移動し、前記固定電極との間で前記可変コンデンサの静電容量を一定以上に保つ容量保持部とを有する、プラズマ処理装置。 - 前記容量保持部は、平面視において、全体として円形状をなす1又は複数の金属板を有する、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記容量保持部を構成する複数の金属板それぞれが、円盤形状である、請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記可変コンデンサは、前記アンテナ導体とは別のアンテナ導体に電気的に接続され、又は接地される第2の固定電極を有し、
前記容量変更部は、前記固定電極との間で第1のコンデンサを形成するとともに、前記第2の固定電極との間で第2のコンデンサを形成する可動電極とを有する、請求項1乃至3のうち何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019101756A JP7290065B2 (ja) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019101756A JP7290065B2 (ja) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020198148A JP2020198148A (ja) | 2020-12-10 |
| JP7290065B2 true JP7290065B2 (ja) | 2023-06-13 |
Family
ID=73648489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019101756A Active JP7290065B2 (ja) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7290065B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4253431A4 (en) | 2020-11-30 | 2024-05-29 | Kureha Corporation | VINYLIDENE FLUORIDE COPOLYMER COMPOSITION AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, POLYMER DISPERSION SOLUTION, ELECTRODE FOR NON-AQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, ELECTROLYTE LAYER FOR NON-AQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, AND NON-AQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY UX |
| JP2024068522A (ja) * | 2022-11-08 | 2024-05-20 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208538A (ja) | 2000-09-29 | 2002-07-26 | Eni Technologies Inc | 液体可変コンデンサ |
| JP2003524286A (ja) | 2000-02-24 | 2003-08-12 | シー シー アール ゲゼルシャフト ミト ベシュンクテル ハフツング | 高周波整合ネットワーク |
| JP2011119659A (ja) | 2009-10-27 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2018156929A (ja) | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナ、それを備えるプラズマ処理装置及びアンテナ構造 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3565309B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2004-09-15 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2019
- 2019-05-30 JP JP2019101756A patent/JP7290065B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524286A (ja) | 2000-02-24 | 2003-08-12 | シー シー アール ゲゼルシャフト ミト ベシュンクテル ハフツング | 高周波整合ネットワーク |
| JP2002208538A (ja) | 2000-09-29 | 2002-07-26 | Eni Technologies Inc | 液体可変コンデンサ |
| JP2011119659A (ja) | 2009-10-27 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2018156929A (ja) | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナ、それを備えるプラズマ処理装置及びアンテナ構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020198148A (ja) | 2020-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6988411B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US11140766B2 (en) | Plasma control system and plasma control system program | |
| JP6341329B1 (ja) | プラズマ発生用のアンテナ及びそれを備えるプラズマ処理装置 | |
| JP7290065B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2021088727A (ja) | 成膜方法 | |
| JP7460938B2 (ja) | プラズマ制御システム及びプラズマ制御プログラム | |
| CN110291847A (zh) | 等离子体产生用的天线、具有所述天线的等离子体处理装置以及天线构造 | |
| JP2021002474A (ja) | アンテナおよびプラズマ処理装置 | |
| JP7290080B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US11615922B2 (en) | Capacitive element and plasma processing device | |
| JP7022313B2 (ja) | 容量素子及びプラズマ処理装置 | |
| JP7448769B2 (ja) | 可変コンデンサ及びプラズマ処理装置 | |
| JP7298320B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置用プログラム | |
| JP2018156763A (ja) | プラズマ発生用のアンテナ及びそれを備えるプラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220428 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230502 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230515 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7290065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |