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JP7111989B2 - 波長変換部品、波長変換部品の製造方法、及び、発光装置 - Google Patents

波長変換部品、波長変換部品の製造方法、及び、発光装置 Download PDF

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Description

本発明は、波長変換部品、波長変換部品の製造方法、及び、波長変換部品を有する発光装置に関する。
特許文献１には、蛍光体を含む透光部材と、透光部材を取り囲む光反射部材と、が一体的に形成された光学部品が開示されている。この光学部品は、セラミックを主材料とする透光部材及び光反射部材を一体的に焼結して形成されることも開示されている。また、この光学部品が、放熱部材の上に設けられる発光装置の形態も開示されている。
特開２０１９－９４０６
しかしながら、放熱性の観点でみれば、特許文献１に記載されたような光学部品には改善の余地がある。
本明細書において開示される波長変換部品は、セラミックを主材料として形成される波長変換部材と、セラミックを主材料として形成され、前記波長変換部材の側面を囲う包囲部材と、上面が前記波長変換部材及び前記包囲部材の下面と対向して固定される放熱部材と、を有し、前記波長変換部材の下面は、前記包囲部材の下面よりも前記放熱部材の側に突出している。
また、本明細書において開示される発光装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が底面に配され、前記半導体レーザ素子を囲う枠部を有する基部と、前記半導体レーザ素子の上方に配される、本明細書において開示される波長変換部品と、を有し、前記波長変換部品における放熱部材は、前記半導体レーザ素子からの光が透過する透過領域を有し、前記透過領域を透過した光が前記波長変換部品における波長変換部材に入射する。
また、本明細書において開示される波長変換部品の製造方法は、いずれもセラミックを主材料とする波長変換部材及び包囲部材であって、それぞれに気体の含有率が異なる前記波長変換部材と前記包囲部材とが固定された一体焼結体を用意する工程と、下面において、前記波長変換部材が前記包囲部材よりも突出するように、前記一体焼結体の下面を研磨する工程と、を有する。
本明細書に基づき開示される発明によれば、放熱性に優れた波長変換部品を実現することができる。また、放熱性に優れた発光装置を実現することができる。
図１は、第１実施形態乃至第３実施形態に係る波長変換部品の斜視図である。 図２は、図１に対応する上面図である。 図３Ａは、図２のIIIA-IIIA線における第１実施形態に係る波長変換部品の断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態に係る波長変換部品が有する複合部材と放熱部材とが固定される前の断面図である。 図４Ａは、図２のIIIA-IIIA線と同じ位置における第２実施形態に係る波長変換部品の断面図である。 図４Ｂは、第２実施形態に係る波長変換部品が有する複合部材と放熱部材とが固定される前の断面図である。 図５Ａは、図２のIIIA-IIIA線と同じ位置における第３実施形態に係る波長変換部品の断面図である。 図５Ｂは、第３実施形態に係る波長変換部品が有する複合部材と放熱部材とが固定される前の断面図である。 図６は、第４実施形態に係る波長変換部品の斜視図である。 図７は、図６に対応する上面図である。 図８Ａは、図７のVIIIA-VIIIA線における第４実施形態に係る波長変換部品の断面図である。 図８Ｂは、第４実施形態に係る波長変換部品が有する複合部材と放熱部材とが固定される前の断面図である。 図９は、実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図１０は、図９に対応する上面図である。 図１１は、実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図１２は、図１１に対応する上面図である。 図１３は、実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図１４は、図１３に対応する上面図である。 図１５Ａは、実施形態に係る発光装置における波長変換部品の断面図である。 図１５Ｂは、実施形態に係る発光装置における波長変換部品が有する構成要素の分解図である。
本明細書または特許請求の範囲において、構造や形状などを三角形や四角形などの多角形で表現する場合は、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースにして加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈は加工された部分も含む。なお、意図的な加工が加えられていない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当するものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合は、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。このとき、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象や観点が異なっていれば、本明細書における付記の態様と、特許請求の範囲における付記の態様と、が一致しないことがある。
以下に、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、示される形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
＜波長変換部品の第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る波長変換部品１０の斜視図である。図２は、波長変換部品１０の上面図である。図３Ａは、図２のIIIA-IIIA線における波長変換部品１０の断面図である。図３Ｂは、複合部材と放熱部材１３が固定される前の断面図である。
波長変換部品１０は、構成要素として、波長変換部材１１、包囲部材１２、放熱部材１３、及び、接着剤１４を有する。
波長変換部材１１は、上面、下面、及び、側面を有する。また、波長変換部材１１は、直方体の形状で形成される。なお、形状は、直方体に限らなくてよい。上面及び下面の形状は矩形でなくてもよい。上面及び側面は平面でなくてもよい。下面は、平面であることが好ましい。
波長変換部材１１は、波長変換部材１１に入射した光を波長の異なる光に変換する。また、波長変換部材１１の主材料には、無機材料を用いることができる。無機材料は光の照射により分解されにくいため好ましい。なお、無機材料でなくてもよい。
具体的には、セラミックスを主材料とし、蛍光体を含有させて波長変換部材１１を形成することができる。具体的な主材料として、例えば、酸化アルミニウムを挙げることができる。なお、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウムなどを主材料に用いてもよい。また、これに限らず、ガラスを主材料にして、あるいは、蛍光体の単結晶で、波長変換部材１１が形成されてもよい。
蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2）、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4）、αサイアロン蛍光体、βサイアロン蛍光体等が挙げられる。なかでも、耐熱性が良好な蛍光体であるＹＡＧ蛍光体を用いることが好ましい。なお、波長変換部材１１には、１種類の蛍光体に限らず、２種類以上の蛍光体を含有させてもよい。
包囲部材１２は、上面、下面、外側面、及び、内側面を有する。また、包囲部材１２は、直方体の平板の外形の中央部分に貫通孔を有した形状で形成される。貫通孔を形成する側面が、内側面に相当する。なお、外形の形状は直方体に限らなくてよい。また、貫通孔の形状は、波長変換部材１１の形状に依存し、内側面の形状は、波長変換部材１１の側面の形状に依存する。上面及び側面は平面でなくてもよい。下面は、平面であることが好ましい。
包囲部材１２の主材料には、セラミックスを用いることができる。具体的に、例えば、酸化アルミニウムを用いることができる。なお、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタンなどを用いてもよい。また、これに限らず、金属や、セラミックスと金属の複合体などを主材料に用いてもよい。
なお、包囲部材１２の主材料には、反射材料を用いるのが好ましい。反射材料としては、例えば、酸化アルミニウムを用いることができる。なお、酸化ジルコニウム、酸化チタンなどを用いてもよい。また、主材料の他に、これと異なる材料で光透過率を低減する作用を有する添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素 、酸化ルテチウム、酸化ランタンなどが挙げられる。
このようにして高反射性を有する包囲部材１２が形成される場合、包囲部材１２を光反射部材と捉えることができる。なお、高反射性を有するとは、光に対する反射率が８０％以上から１００％以下であることとする。
放熱部材１３は、下面、上面、及び、側面を有する。また、放熱部材１３は、直方体の平板形状で形成される。なお、外形の形状は直方体に限らなくてよい。下面及び側面は平面でなくてもよい。上面は、平面であることが好ましい。
放熱部材１３の主材料には、例えば、サファイアを用いることができる。なお、石英、炭化ケイ素、又は、ガラスなどを用いてもよい。また、放熱部材１３の主材料には、透光性の材料を用いることができる。この場合、放熱部材１３は、上面から下面にかけて光が透過する透光領域を有するのが好ましい。ここで、透光性とは、入射光に対する透過率が８０％以上であることとする。具体的には、透光性の材料としてサファイアを用いることができる。
接着剤１４としては、例えば、Ａｕ－Ｓｎなどの金属接着剤を用いることができる。また、これに限らず、硬化性樹脂を主材料とする樹脂接着剤や、セラミック系接着剤を用いることができる。また、接着剤１４としてガラスを用いて、ガラス融着により包囲部材１２と放熱部材１３を接着してもよい。
次に、波長変換部品１０の製造方法の一例を説明する。波長変換部品１０は、例えば、以下の工程により製造することができる。
まず、波長変換部材１１の側面と、包囲部材１２の内側面とが接するように、波長変換部材１１と包囲部材１２とを固定する工程が実行される。ここでは、波長変換部材１１と包囲部材１２とを一体的に焼結した焼結体を形成することで、波長変換部材１１と包囲部材１２とを固定する。
波長変換部材１１には、蛍光体部と透光性部とを有する蛍光体セラミックが用いられる。蛍光体部はＹＡＧ系蛍光体で構成されており、透光性部は主材料として酸化アルミニウムを含む。また、包囲部材１２には、添加剤としての酸化イットリウムを含み主材料を酸化アルミニウムとするセラミックが用いられる。
焼結により波長変換部材１１を成形し、この波長変換部材１１を囲むようにして包囲部材１２の粉末材料を設けて焼結することで、波長変換部材１１と包囲部材１２とが一体となった焼結体（以下、一体焼結体と呼ぶ）を形成することができる。
また、この方法に限らず、包囲部材１２を焼結により成形し、波長変換部材１１の粉末材料を設けて焼結する等、異なる方法によって波長変換部材１１と包囲部材１２との一体焼結体を形成してもよい。なお、焼結には、例えば、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ法）、ホットプレス焼結法（ＨＰ法）、常圧焼結法、ガス圧焼結法等を用いることができる。
一体焼結体は平板形状で形成される。波長変換部材１１の側面は包囲部材１２の内側面に囲われるが、波長変換部材１１の上面及び下面と包囲部材１２の上面及び下面とは露出する。あるいは、波長変換部材１１の上面及び／又は下面は包囲部材１２に囲まれていてもよい。この場合は、後で研磨等により波長変換部材１１の上面及び下面を包囲部材１２から露出させる工程を行う。
また、一体焼結体の上面から下面までの厚みは１００μｍ以上１０００μｍ以下となるように調整される。また、波長変換部材１１と包囲部材１２とは同じ厚みを有する。なお、より大きな波長変換部品１０を製造するのであれば、この厚みの範囲内でなくてもよい。
また、波長変換部材１１と包囲部材１２とは、同じセラミック焼結体であるが、波長変換部材１１の方が包囲部材１２よりも密度が大きい。また、波長変換部材１１の方が包囲部材１２よりも、焼結体を形成する主材料の平均粒子径が大きい。また、波長変換部材１１の方が包囲部材１２よりも、気体の含有率が小さい。また、波長変換部材１１の方が包囲部材１２よりも強度が高い。波長変換部材１１と包囲部材１２とは、これらの大小関係のうち少なくとも１以上を満たすことが好ましく、すべての大小関係を満たしてもよい。
例えば、焼結における温度、圧力、熱処理時間の条件を調整することで、波長変換部材１１と包囲部材１２とに上記の差異を持たせることができる。例えば、圧力を低くすることで、焼結体は空隙を含みやすくなり、気体の含有率（ここでは焼結体の気孔率）が大きくなる。また、高温で短時間の熱処理により焼結することで、粒子径は小さくなり、平均粒子径が小さくなる。
波長変換部材１１は、気体の含有率が０％以上５％以下となるように形成される。また、包囲部材１２は、気体の含有率が５％以上１５％以下となるように形成される。また、波長変換部材１１は、包囲部材１２よりも、気体の含有率が５％以上小さい。また、波長変換部材１１と包囲部材１２との接触面、つまり、波長変換部材１１の側面の近傍領域は、包囲部材１２の内側面の近傍領域よりも、気体の含有率が５％以上小さい。なお、波長変換部材１１及び包囲部材１２の気体の含有率は、例えば、アルキメデス法によって測定できる。
次に、下面において、波長変換部材１１を包囲部材１２よりも突出させる工程が実行される。ここでは、一体焼結体の下面を研磨することで、波長変換部材１１を包囲部材１２よりも突出させる。
研磨のための砥石に砥粒を結合剤で固定し、そこに一体焼結体を当てて研磨を行う。例えば、砥粒にはダイヤを、結合剤にはレジノイドを用いることができる。波長変換部材１１と包囲部材１２とは、気体の含有率等が異なることから強度が異なる。これを研磨することで、強度の異なる波長変換部材１１と包囲部材１２とで削られ方が異なり、包囲部材１２の方をより深くまで削ることができる。なお、結合剤にレジノイドを使用することで砥粒を強く固定しすぎず、効果的に波長変換部材１１と包囲部材１２との削られ方を異ならせることができる。
波長変換部材１１の下面は、包囲部材１２の内側面の近傍における包囲部材１２の下面よりも、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲で突出する。あるいは、波長変換部材１１の下面は、包囲部材１２の内側面から、内側面と外側面の中間までの領域における包囲部材１２の下面よりも、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲で突出する。なお、包囲部材１２の外側面の近傍は、部材の反りの影響を最も受けるため、突出の比較対象としていない。
このようにして、下面において波長変換部材１１が包囲部材１２よりも突出した、波長変換部材１１と包囲部材１２の複合部材を形成することができる（図３Ａ参照）。
なお、波長変換部材１１と包囲部材１２とを固定する工程に替えて、波長変換部材１１と包囲部材１２とが固定された複合部材（一体焼結体）を用意する工程が実行されてもよい。また、固定する工程の後に突出させる工程を実行する手順に替えて、下面において波長変換部材１１が包囲部材１２よりも突出するように、波長変換部材１１と包囲部材１２とを固定する工程が実行されてもよい。
いずれにしても、波長変換部材１１と包囲部材１２とが固定され、かつ、下面において波長変換部材１１が包囲部材１２よりも突出した複合部材を形成する工程が実行される。
なお、下面だけでなく、一体焼結体の上面を研磨してもよい。下面と同様に、上面も波長変換部材１１を包囲部材１２より突出させることができる。また、上面を研磨するときの研磨条件を、下面の研磨とは異ならせ、上面は波長変換部材１１を突出させないようにしてもよい。例えば、結合剤にレジンボンド（レジノイド）ではなくメタルボンドやビトリファイドボンドを用いて、砥粒を固定して研磨を行ってもよい。
いずれにしても、波長変換部材１１の側面のおよそ全面が包囲部材１２の内側面と接し、かつ、包囲部材１２の内側面のおよそ全面が波長変換部材１１の側面と接する。およそ全面とは、例えば、９５％以上１００％未満の範囲とすることができる。互いの側面がこの範囲で接していることを、互いの側面の主要部分が接しているというものとする。
次に、波長変換部材１１及び包囲部材１２の下面と、放熱部材１３の上面とが対向するように、複合部材と放熱部材１３とを固定する。ここでは、包囲部材１２の下面と、放熱部材１３の上面との間に接着剤１４を設けて接合することで、複合部材と包囲部材１２とを固定する。複合部材と放熱部材１３とが固定されることで、波長変換部材１１の下面は、包囲部材１２の下面よりも、放熱部材１３の側に突出する。
なお、放熱性の観点から、波長変換部材１１の下面と放熱部材１３の上面とが当接した状態で接合される。そのため、波長変換部材１１が包囲部材１２から突出する長さよりも厚くならない接着剤１４を用いるとよい。このようにして、波長変換部品１０を製造することができる（図３Ｂ参照）。
なお、波長変換部材１１の下面と放熱部材１３の上面とを当接させなくてもよい。この場合でも、波長変換部材１１を包囲部材１２から突出させることで、放熱性に優れた波長変換部品１０を実現することができる。
第１実施形態の波長変換部品１０は、波長変換部材１１を突出させて放熱部材１３と固定することで、波長変換部材１１と放熱部材１３の間の距離を短くすることができ、放熱性に優れた波長変換部品を実現することができる。
＜波長変換部品の第２実施形態＞
次に、波長変換部品の第２実施形態について説明する。第２実施形態に係る波長変換部品２０の斜視図は図１と同様である。波長変換部品２０の上面図は、図２と同様である。図４Ａは、図２のIIIA-IIIA線と同じ位置における波長変換部品２０の断面図である。図４Ｂは、複合部材と放熱部材１３が固定される前の断面図である。
波長変換部品２０は、さらに、光学膜１５及び導通部材１６を有している点が、波長変換部品１０と異なる。
光学膜１５は、光に対する特定の優れた作用を与える。作用としては、例えば、反射する、透過する、反射を防止する、遮光するなどの光学特性が挙げられる。また、光学膜１５によって作用する光学特性はこれに限らない。
なお、優れた作用とは、反射においては８０％以上１００％以下の反射率であることを、透過においては９０％以上１００％以下の透過率であることを、反射の防止においては０％以上１０％以下の反射率であることを、遮光においては０％以上５％以下の透過率であることをいうものとする。これらの反射率や透過率はいずれも、光学膜１５によって効果を及ぼしたい光の波長における反射率や透過率を指す。
なお、光学膜１５は、特定の波長範囲の光に対してのみ特定の優れた作用を与えるものであってもよい。また、適当な複数の光学特性において優れた作用を有するものであってもよい。例えば、特定の波長範囲の光のみに対して優れた反射作用を有し、これと異なる波長範囲の光に対して優れた透過作用を有するような光学膜１５であってもよい。
光学膜１５は、複数種類の誘電体層を積層して多層膜に形成した誘電体多層膜で構成される。なお、多層膜でなく、単層でもよい。また、誘電体層でなくてもよい。誘電体層としては、酸化ケイ素、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル等を採用することができる。これらを適当に組み合わせて、目的に応じた誘電体多層膜を作成することができる。
導通部材１６は、電気的な接続のために設けられる金属膜である。金属膜には、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ（Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕの順で積層した金属膜）を用いることができる。また、これに限らず、例えば、Ｔｉに替えてＮｉやＣｒを、Ｐｔに替えてＲｕを用いることなどもできる。
次に、波長変換部品２０の製造方法の一例を説明する。波長変換部品２０の製造方法は、複合部材の下面に光学膜１５を設ける工程を有する点で、また、複合部材における包囲部材１２の下面及び放熱部材１３の上面に導通部材１６を設ける工程を有する点で、また、複合部材と放熱部材１３とを固定する工程において、接着剤１４により包囲部材１２及び放熱部材１３に設けられた導通部材１６を電気的に接続する点で、波長変換部品１０の製造方法と異なる。
複合部材の下面に光学膜１５を設ける工程は、下面において波長変換部材１１が包囲部材１２よりも突出した複合部材が形成された後に実行される。光学膜１５は、波長変換部材１１の下面に設けられる。また、光学膜１５は、包囲部材１２の下面に設けられる。なお、波長変換部材１１または包囲部材１２のいずれか一方にのみ設けられてもよい。
複合部材における包囲部材１２の下面及び放熱部材１３の上面に導通部材１６を設ける工程において、複合部材に光学膜１５が形成された後に包囲部材１２の下面に導通部材１６が設けられる。また、放熱部材１３を用意してその上面に導通部材１６を設けてられる。なお、導通部材１６が設けられた放熱部材１３を用意してもよい。
複合部材と放熱部材１３とが固定されたときに、上面視または下面視で、包囲部材１２と放熱部材１３の導通部材１６は部分的に、あるいは、全面的に重なるように設けられる。複合部材と放熱部材１３とを固定する工程では、この重なる領域に接着剤１４が設けられ、複合部材と放熱部材１３とが固定される。接着剤１４には、導電性を有する材料が用いられ、例えば金属接着剤が用いられる。
第２実施形態の波長変換部品２０は、光学膜１５を有することで、特定の光学作用を与えることのできる波長変換部品を実現することができる。また、波長変換部材１１と放熱部材１３に導通部材１６を設けることを避けて導通を図ることで、波長変換部材１１で発生する熱を適当に放熱することができる。
なお、波長変換部品２０では導通部材１６を設けているが、導通部材１６以外の部材であっても同様に、波長変換部材１１及び放熱部材１３に接して介在させるのではなく、包囲部材１２と放熱部材１３に接して介在させる方がよい。導通部材１６は、複合部材と放熱部材１３の間に介在する介在部材の一例であるといえる。波長変換部品では、介在部材は、対向する波長変換部材１１と放熱部材１３の間ではなく、対向する包囲部材１２と放熱部材１３の間に介在する。
なお、波長変換部材１１の下面と放熱部材１３の上面とが当接するとは、波長変換部材１１の下面と放熱部材１３の上面とが薄膜を介して当接する場合も含むものとする。ここで、薄膜とは５．０μｍ以下の厚みの部材をいうものとする。波長変換部品２０では、薄膜の光学膜１５が設けられ、波長変換部材１１の下面と放熱部材１３の上面とが当接した状態で接合される。なお、波長変換部材１１の下面と放熱部材１３の上面とを当接させなくてもよい。
また、下面において波長変換部材１１が包囲部材１２よりも突出するとは、光学膜１５が包囲部材１２にのみ設けられる場合、下面において、波長変換部材１１が包囲部材１２に設けられた光学膜１５よりも突出することをいうものとする。なお、第１実施形態と同様に、包囲部材１２の外側面の近傍は、部材の反りの影響を最も受けるため、突出の比較対象としない。
＜波長変換部品の第３実施形態＞
次に、波長変換部品の第３実施形態について説明する。図１は、第３実施形態に係る波長変換部品３０の斜視図である。図２は、波長変換部品３０の上面図である。図５Ａは、図２のIIIA-IIIA線と同じ位置における波長変換部品３０の断面図である。図５Ｂは、複合部材と放熱部材１３が固定される前の断面図である。
波長変換部品３０は、放熱部材１３の形状が異なる点で、波長変換部品１０と異なる。
波長変換部品３０においては、放熱部材１３は、上面側に凸部を有する。この凸部は、中央部分に設けられる。
次に、波長変換部品３０の製造方法の一例を説明する。波長変換部品３０の製造方法は、複合部材と放熱部材１３とを固定する工程において、上面視または下面視で、複合部材における波長変換部材１１の下面と、放熱部材１３の凸部上面（突出する上面）と、が部分的に、あるいは、全面的に重なるように配されて固定される点で、波長変換部品１０の製造方法と異なる。
また、放熱部材１３の凸部上面が、波長変換部材１１の下面を覆うようにして配される。また、波長変換部材１１の下面が、放熱部材１３の凸部上面と当接して固定される。
第３実施形態の波長変換部品３０は、放熱部材１３が凸部を有することで、放熱部材１３の側面近傍に反りが生じる場合であっても、より確実に、波長変換部材１１と放熱部材１３とを当接させることができ、放熱性に優れた波長変換部品を実現することができる。
＜波長変換部品の第４実施形態＞
次に、波長変換部品の第４実施形態について説明する。図６は、第４実施形態に係る波長変換部品４０の斜視図である。図７は、波長変換部品４０の上面図である。図８Ａは、図７のVIIIA-VIIIA線における波長変換部品４０の断面図である。図８Ｂは、複合部材と放熱部材１３が固定される前の断面図である。
波長変換部品４０は、上側押さえ部材１７、下側押さえ部材１８、及び、留め具１９を有している点が、波長変換部品１０と異なる。また、接着剤１４に替えて、上側押さえ部材１７、下側押さえ部材１８、及び、留め具１９により、複合部材と放熱部材１３を固定する点が、波長変換部品１０と異なる。
上側押さえ部材１７は、上面、下面、外側面、及び、内側面を有する。また、上側押さえ部材１７は、直方体の平板の外形の中央部分に上面視で円形の貫通孔を有した形状で形成される。貫通孔を形成する側面が、内側面に相当する。なお、外形の形状は直方体に限らなくてよい。また、貫通孔の形状は円形に限らなくてよい。また、上側押さえ部材１７は、上面視で四隅に、上面から下面まで貫通する留め具穴を有する。
下側押さえ部材１８は、下面、上面、及び、側面を有する。また、下側押さえ部材１８は、直方体の平板形状で形成される。なお、外形の形状は直方体に限らなくてよい。また、下側押さえ部材１８は、上面視で四隅に留め具穴を有する。留め具穴は下面まで貫通していない。なお、貫通していてもよい。
上側押さえ部材１７及び下側押さえ部材１８の主材料には、金属を用いることができる。また、熱伝導率の高い材料を採用するのが好ましく、例えば、銅、アルミニウムなどの金属を用いることができる。なお、主材料が金属でなくてもよい。
留め具１９は、例えば螺子であり、この場合、上側押さえ部材１７及び下側押さえ部材１８の留め具穴はネジ穴となる。
次に、波長変換部品４０の製造方法の一例を説明する。波長変換部品４０の製造方法は、複合部材と放熱部材１３とを固定する工程において、上側押さえ部材１７と下側押さえ部材１８を留め具１９で留めることにより固定する点で、波長変換部品１０の製造方法と異なる。
複合部材と放熱部材１３とを固定する工程では、接着剤は使用せず、複合部材と放熱部材１３を上下から挟んで留めることで固定する。従って、波長変換部材１１の下面が、放熱部材１３の上面と当接する。
第４実施形態の波長変換部品４０は、押さえ部材を用いて固定するため、例えば、留め具１９を外して複合部材または放熱部材１３を交換するといった作業を簡便に行うことができる。また、波長変換部材１１と放熱部材１３とを当接させることができ、放熱性に優れた波長変換部品を実現することができる。
以上、波長変換部品のいくつかの実施形態を説明したが、波長変換部品は厳密な意味でこれらの実施形態に限定されはしない。例えば、第１実施形態の波長変換部品１０に、第２実施形態乃至第４実施形態の一部の構成または工程を採用した形態であってもよい。また例えば、第１実施形態乃至第４実施形態のいずれかにおける波長変換部品に、他の実施形態で開示された一部あるいは全部の構成または工程を採用した形態であってもよい。例えば、第４実施形態の波長変換部品４０をベースに、第３実施形態のように凸部を有する放熱部材で構成された波長変換部品であってもよい。
＜発光装置の実施形態＞
次に、波長変換部品を有する発光装置の一実施形態を例示して説明する。図９は、実施形態に係る発光装置１００の斜視図である。図１０は、発光装置１００の上面図である。図１１は、内部構造を説明するために発光装置１００から遮光部材１９０を除いた状態の斜視図である。図１２は、図１１と同様の状態における上面図である。図１３は、内部構造を説明するために発光装置１００からさらに波長変換部品１６０を除いた状態の斜視図である。図１４は、図１３と同様の状態における上面図である。図１５Ａは、波長変換部品１６０の断面図である。図１５Ｂは、波長変換部品１６０の分解図である。
発光装置１００は、構成要素として、基部１１０、２つの半導体レーザ素子１２０、２つのサブマウント１３０、２つの光反射部材１４０、配線１５０、波長変換部品１６０、及び、遮光部材１９０を有する。
基部１１０は、上面から下面の方向に窪んだ凹形状を有する。また、上面視で外形が矩形であり、窪みはこの外形の内側に形成される。基部１１０は、上面、底面１１１、下面、内側面、及び、外側面を有しており、内側面と底面１１１とが窪んだ空間を作り上げる。また、上面視で、上面と交わる内側面によって矩形の枠が形成され、窪んだ空間がこの枠に囲まれる。
また、基部１１０は、枠の内側において２つの段差部１１２を形成する。ここで、段差部１１２は、上面と、この上面と交わり下方に進む側面と、で構成される部分を指すものとする。そのため、基部１１０の内側面は、基部１１０の上面と交わる側面と、段差部の側面と、を含んで構成される。
ここでは、２つの段差部１１２を、底面１１１に近い方から第１段差部１１３、第２段差部１１４、と呼ぶものとする。なお、基部１１０において、２つの段差部１１２を有していなくてもよい。例えば、段差部１１２は１つであってもよい。
面と面との交差については、図面から特定することができる。例えば、外側面は、上面及び下面と交わる、といえる。また例えば、第１段差部１１３の上面は、この上面から上方に進む側面として、一部において第２段差部１１４の側面と交わり、他の一部において上面に交わる側面と交わる、といえる。なお、辺と辺との交差についても同様である。
基部１１０は、セラミックを主材料として形成することができる。例えば、セラミックとして、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素を用いることができる。なお、セラミックに限らず、絶縁性を有する他の材料を主材料に用いて形成してもよい。また、基部１１０には複数の金属膜が設けられる。基部１１０の上面に複数の金属膜が、凹形状の窪みの内部に複数の金属膜が設けられる。
半導体レーザ素子１２０は、上面視で長方形の外形を有する。また、長方形の２つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、半導体レーザ素子１２０から放射される光の出射端面となる。また、半導体レーザ素子１２０の上面及び下面は、出射端面よりも面積が大きい。
なお、半導体レーザ素子から放射される光（レーザ光）は拡がりを有し、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ここで、ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布を示す。
半導体レーザ素子１２０から出射される光のＦＦＰの形状は、活性層を含む複数の半導体層の層方向よりも、それに垂直な積層方向の方が長い楕円形状である。この層方向をＦＦＰの水平方向、積層方向をＦＦＰの垂直方向というものとする。
また、半導体レーザ素子１２０のＦＦＰの光強度分布に基づいて、ピーク強度値に対する１／ｅ２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶものとする。また、この光強度分布の半値全幅に相当する角度を拡がり角と呼ぶものとする。ＦＦＰの垂直方向における拡がり角は垂直方向の拡がり角と呼び、ＦＦＰの水平方向における拡がり角は水平方向の拡がり角と呼ぶものとする。
半導体レーザ素子１２０には、例えば、青色の光を放射する半導体レーザ素子を採用することができる。ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。なお、半導体レーザ素子１２０は、青色の光以外の光を放射してもよい。
青色の光を発する半導体レーザ素子として、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮを用いることができる。
サブマウント１３０は、直方体の形状で構成され、下面、上面、及び、側面を有する。また、サブマウント１３０は上下方向の幅が最も小さい。なお、形状は直方体に限らなくてよい。サブマウント１３０は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成される。なお、他の材料を用いてもよい。また、サブマウント１３０の上面には金属膜が設けられている。
光反射部材１４０は、光を反射する光反射面１４１を有する。光反射面１４１には、例えば、照射された光のピーク波長に対する光反射率が９９％以上となる面が設けられる。ここでの光反射率は１００％以下とすることができる。なお、光反射面１４１は、１または複数の平面形状で構成することができる。また、曲面形状で構成することができる。また、これらに限らず、光反射面１４１の形状は目的に応じて適宜設計されればよい。
光反射部材１４０は、その外形を形成する主材料に、ガラスや金属などを用いることができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉを用いることができる。また、光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。
配線１５０は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子）の電気的な接続に用いられる。配線１５０としては、例えば、金属のワイヤを用いることができる。
波長変換部品１６０は、複合部材１８０を構成する波長変換部材１８１及び包囲部材１８２、光学膜１８３、導電膜１８４、金属膜１８５、放熱部材１７０、光学膜１７１、金属膜１７２、及び、接着剤１７３を有する。
波長変換部材１８１の主材料には、酸化アルミニウムが用いられる。また、波長変換部材１８１には、ＹＡＧ蛍光体が含まれる。酸化アルミニウムに対する蛍光体の重量比率は２０重量％である。また、波長変換部材１８１の気孔率は、２％以下である。
包囲部材１８２の主材料には、酸化アルミニウムが用いられる。また、添加剤として酸化イットリウムが含まれる。酸化アルミニウムに対する添加剤の重量比率は１重量％である。
光学膜１８３は、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲の厚みで形成される。光学膜１８３として、反射防止膜（ＡＲ膜）が複合部材１８０の下面に形成される。
導電膜１８４は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下の範囲の厚みで形成される。また、導電膜１８４は、波長変換部材１８１に近い位置に設けられる。また、導電膜１８４は波長変換部材１８１を囲うように設けられる。導電膜１８４は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を用いて形成される。ＩＴＯは可視光による透過率が高く、透光性を有する。この観点から透光性の導電部材と捉えることができる。
金属膜１８５は、Ｔｉ／Ｒｕ／Ａｕを用いて形成される。また、金属膜１８５は、０．３μｍ以上３．５μｍ以下の範囲の厚みで形成される。また、金属膜１８５は、導電膜１８４と繋がる。金属膜１８５は、導電膜１８４よりも厚く形成される。
なお、薄く形成されることから、導電膜１８４は、波長変換部材１８１の下面にまで及んでもよい。つまり、波長変換部材１８１は、導電膜１８４、または、光学膜１８３及び導電膜１８４、を含む薄膜を介して、放熱部材１７０と接してもよい。
放熱部材１７０の主材料には、比較的屈折率が高く、比較的強度も高い材料であるサファイアが用いられる。また、放熱部材１７０は透光性を有する。また、放熱部材１７０の上面には、光学膜１７１と、２つの金属膜１７２と、が設けられる。
光学膜１７１は、２．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲の厚みで形成される。なお、この範囲に限らなくてもよい。光学膜１７１として、特定の波長の光を反射し、その他の波長の光を透過する光学膜が、放熱部材１７０の上面に形成される。このような光学膜として、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜が用いられる。光学膜１７１によって、放熱部材１７０の凸部が形成される。
金属膜１７２は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを用いて形成される。また、金属膜１７２は、０．２μｍ以上３．５μｍ以下の範囲の厚みで形成される。金属膜１７２の厚みは、光学膜１７１の厚みよりも小さい。金属膜１７２の厚みは、光学膜１７１の厚みの１／５以下とすることができる。
接着剤１７３には、Ａｕ－Ｓｎなどの金属接着剤を用いる。また、接着剤１７３は、金属膜１７２の上に設けられる。また、接着剤１７３は、３．５μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲の厚みで形成される。接着剤１７３の厚みは、光学膜１７１の厚みよりも大きい。接着剤１７３の厚みは、光学膜１７１の厚みの１．５倍以上とすることができる。
波長変換部材１８１の直下に光学膜１７１が位置する状態で、複合部材１８０の金属膜１８５と、放熱部材１７０の金属膜１７２とが、接着剤１７３を介して接合される。従って、光学膜１７１と、波長変換部材１８１とは、直接的には接合しない。放熱部材１７０と複合部材１８０との接合により、金属膜１７２と導電膜１８４は電気的に接続する。
導電膜１８４は、波長変換部材１８１の近傍でその周りを囲っており、波長変換部材１８１に割れなどの異常が発生すると、その衝撃に対応して導電膜１８４にも亀裂が入るなどして電気的な接続状態に変化が生じる。この変化（例えば、抵抗値の大幅な上昇）を検知することで波長変換部材１８１の異常を検知することができる。導電膜１８４は、波長変換部材１８１の異常を検知するセンサである異常検知素子といえる。
放熱部材１７０の凸部を光学膜１７１で形成することにより、波長変換部材１８１から光学膜１７１の方向に向かう蛍光が反射され、波長変換部材１８１で波長変換された光を効果的に上方に出射させることができる。なお、波長変換部材１８１に直接光学膜１７１を接合せずに当接させることで、光学膜１７１による反射率が向上する。
また、放熱部材１７０の凸部を、上面視で、複合部材１８０の金属膜１８５と重ならないように設けることで、放熱部材１７０の凸部と波長変換部材１８１とを安定して当接させることができる。
遮光部材１９０は、発光装置１００において、基部１１０と波長変換部品１６０の隙間を埋めるようにして形成される。そのため遮光部材１９０の形状は、遮光部材１９０が設けられていない状態の隙間の形状に依存する。
また、遮光部材１９０は、遮光性を有する樹脂によって形成される。ここで、遮光性とは光を透過しない性質を示し、光を遮る性質の他、吸収する性質や反射する性質などを利用して、遮光性を実現してもよい。例えば、樹脂に、光拡散材及び／又は光吸収材等のフィラーを含有させることで形成できる。
遮光部材１９０を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ＢＴレジン等が挙げられる。また、光吸収性のフィラーとしては、カーボンブラック等の暗色系の顔料等が挙げられる。なお、遮光部材１９０はこれら以外の材料で形成されてもよい。
次に、これらの構成要素を有する発光装置１００の製造方法について説明する。
まず、基部１１０の底面１１１に２つの光反射部材１４０が配置される。基部１１０の底面１１１は構成要素が配置される配置面といえる。２つの光反射部材１４０は点対称に配置される。また、２つの光反射部材１４０は、上面視で、光反射面１４１の上端が、基部１１０の内側面または外側面と平行あるいは垂直である。
次に、基部１１０の底面１１１に２つのサブマウント１３０が配置される。２つのサブマウント１３０は、それぞれ異なる金属膜の上に配置され、その下面が基部１１０の底面１１１に接合される。
次に、半導体レーザ素子１２０がサブマウント１３０に配置される。２つの半導体レーザ素子１２０は、それぞれ異なるサブマウント１３０の上面に配置され、その下面が接合される。また、２つの半導体レーザ素子１２０は、点対称に配置される。この対称となる点が、２つの光反射部材１４０が対称となる点と同じ位置にくるように配置される。以降の説明では、この点を、対称点と呼ぶものとする。
２つの半導体レーザ素子１２０は、上面視で、出射端面が、基部１１０の内側面または外側面と平行及び垂直にならない。そのため、光反射面１４１の上端とも、平行及び垂直にならない。つまり、半導体レーザ素子１２０は、上面視で、基部１１０の内側面及び外側面、または、光反射面１４１の上端、に対して出射端面が斜めになるように配置される。
なお、半導体レーザ素子１２０を斜めに配置する代わりに、光反射部材１４０を斜めに配置するようにしてもよい。つまり、半導体レーザ素子１２０を、基部１１０の内側面または外側面と平行あるいは垂直に配置し、光反射部材１４０を平行及び垂直にならないように配置してもよい。
２つの半導体レーザ素子１２０は、それぞれ、異なる光反射部材１４０に向けて光を出射する。言い換えると、１つの半導体レーザ素子１２０に対応する光反射部材１４０に、その半導体レーザ素子１２０からの光が照射される。また、少なくとも主要部分の光が光反射面１４１に照射されるように、半導体レーザ素子１２０は配置される。
対応する半導体レーザ素子１２０と光反射部材１４０との間で、光反射部材１４０よりも半導体レーザ素子１２０の方が対称点から遠い位置にある。従って、半導体レーザ素子１２０から出射された光は、対称点に近付く方向に進む。
半導体レーザ素子１２０が配されたサブマウント１３０は、発光装置１００において、半導体レーザ素子１２０から発生した熱を逃がす放熱部材としての役割を果たしている。サブマウント１３０を放熱部材として機能させるには、半導体レーザ素子１２０よりも熱伝導率の良い材料で形成すればよい。
また、サブマウント１３０は、発光装置１００において、半導体レーザ素子の光の出射位置を調整する役割を果たすことができる。例えば、光軸を通る光が底面１１１と水平になるようにし、かつ、光反射面１４１の所定の位置に照射させたい場合に、サブマウントを調整部材として用いられる。
次に、底面１１１に配された各構成要素を電気的に接続するため、配線１５０が接合される。また、配線１５０は、底面１１１に設けられた金属膜と各構成要素とが電気的に接続するように配される。配線１５０によって、２つの半導体レーザ素子が直列に接続する。
次に、波長変換部品１６０が基部１１０の上面に配置される。波長変換部品１６０は、その下面が基部１１０の段差部１１２の上面に配置され接合される。より詳細には、第１段差部１１３の上面に接合される。波長変換部品１６０は、放熱部材１７０の下面の外周領域に設けられた金属膜と、第１段差部１１３の上面に設けられた金属膜と、がＡｕ－Ｓｎ等を介して接合し固定される。
波長変換部品１６０が基部１１０に接合されることで、半導体レーザ素子１２０が配された閉空間が形成される。発光装置１００では、波長変換部品１６０あるいは放熱部材１７０は、蓋部材としての役割を果たすことができる。また、この閉空間は気密封止された状態で形成される。気密封止されることで、半導体レーザ素子１２０の光の出射端面に有機物等が集塵することを抑制できる。
また、２つの半導体レーザ素子１２０より出射された光、特に主要部分の光は、それぞれに対応する光反射部材１４０の光反射面１４１によって反射され、上方に配された放熱部材１７０を透過し、波長変換部材１８１の下面に入射する。
波長変換部材１８１に入射した光の一部あるいは全部は、波長変換部材１８１によって異なる波長の光に変換される。レーザ光または波長変換された光が、波長変換部材１８１の上面から発光装置１００の外部に出射される。また、波長変換された光は、光学膜１７１によって反射され、発光装置１００の外部に出射される。つまり、波長変換部材１８１の上面が、発光装置１００の光取出面となる。
なお、２つの半導体レーザ素子から出射された光軸を通る光は、それぞれ、波長変換部材１８１の下面の中心を通らない。また、それぞれの半導体レーザ素子から出射された光軸を通る光は、波長変換部材１８１の入射面（下面）において重ならない。
次に、異常検知素子を電気的に接続するための配線１５０が接合される。配線１５０は、基部１１０の第２段差部１１４に設けられた金属膜と、放熱部材１７０の金属膜１７２の金属膜１７２と、に接合される。
次に、遮光部材１９０が、基部１１０の上面によって形成される枠の内側に設けられる。遮光部材１９０は、樹脂を流し込み、これを熱で硬化させることで形成できる。なお、半導体レーザ素子１２０が配される閉空間には樹脂は侵入しない。
また、遮光部材１９０は、第２段差部１１４に配された配線１５０を内包する。つまり、遮光部材１９０が形成された時点で、発光装置１００において配線１５０は露出しない。これにより、配線１５０を水滴等の付着から保護することができる。なお、必ずしも内包していなくてよい。
以上、発光装置の例示的な一つの実施形態を説明したが、波長変換部品を有する発光装置の形態はこれに限定されない。実施形態に開示のない構成要素を有する発光装置であってもよい。例えば、基部１１０の底面１１１に保護素子が配置される発光装置であってもよい。また例えば、基部１１０の底面１１１に温度測定素子が配置される発光装置であってもよい。
以上、技術的特徴を有する本発明を、明細書を通して開示してきたが、本発明の適用範囲は明細書に記載の実施形態の構造に限られない。例えば、実施形態に開示のない構成要素を有する波長変換部品や発光装置においても本発明は適用され得るものであり、開示された構造と部分的に違いがあることは本発明を適用できないことの根拠とはならない。
このことはつまり、本発明が、実施形態により開示された全ての構成要素を必要十分に備えることを必須とせず、適用され得ることを示す。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の一部の構成要素が記載されていなかった場合、その構成要素については、本実施形態に開示されたものに限らず、代替、省略、形状の変形、材料の変更などといった当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを請求するものである。
各実施形態に記載の発光装置は、車載ヘッドライト、照明、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、その他ディスプレイのバックライト等の光源に使用することができる。
１０、２０、３０、４０ 波長変換部品
１１ 波長変換部材
１２ 包囲部材
１３ 放熱部材
１４ 接着剤
１５ 光学膜
１６ 導通部材
１７ 上側押さえ部材
１８ 下側押さえ部材
１９ 留め具
１００ 発光装置
１１０ 基部
１１１ 底面
１１２ 段差部
１１３ 第１段差部
１１４ 第２段差部
１２０ 半導体レーザ素子
１３０ サブマウント
１４０ 光反射部材
１４１ 光反射面
１５０ 配線
１６０ 波長変換部品
１７０ 放熱部材
１７１ 光学膜
１７２ 金属膜
１７３ 接着剤
１８０ 複合部材
１８１ 波長変換部材
１８２ 包囲部材
１８３ 光学膜
１８４ 導電膜
１８５ 金属膜
１９０ 遮光部材

Claims (17)

  1. セラミックを主材料として形成される波長変換部材と、
    セラミックを主材料として形成され、前記波長変換部材の側面を囲う包囲部材と、
    上面が前記波長変換部材及び前記包囲部材の下面と対向して固定される放熱部材と、
    を有し、
    前記波長変換部材の下面は、前記包囲部材の下面よりも前記放熱部材の側に突出し、
    前記包囲部材の下面と前記放熱部材との間には、空間が設けられている波長変換部品。
  2. 対向する前記包囲部材と前記放熱部材の間に介在する介在部材を有する請求項１に記載の波長変換部品。
  3. セラミックを主材料として形成される波長変換部材と、
    セラミックを主材料として形成され、前記波長変換部材の側面を囲う包囲部材と、
    上面が前記波長変換部材及び前記包囲部材の下面と対向して固定される放熱部材と、
    対向する前記包囲部材と前記放熱部材の間に介在する介在部材と、を有し、
    前記波長変換部材の下面は、前記包囲部材の下面よりも前記放熱部材の側に１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の長さで突出している波長変換部品。
  4. セラミックを主材料として形成される波長変換部材と、
    セラミックを主材料として形成され、前記波長変換部材の側面を囲う包囲部材と、
    上面が前記波長変換部材及び前記包囲部材の下面と対向して固定される放熱部材と、
    対向する前記包囲部材と前記放熱部材の間に介在する介在部材と、を有し、
    前記波長変換部材の下面は、前記包囲部材の下面よりも前記放熱部材の側に突出し、
    前記波長変換部材の下面と、前記波長変換部材の下面に対向する前記放熱部材の上面の間に接合材は設けられない波長変換部品。
  5. 前記介在部材は、
    前記包囲部材の下面に設けられる第１介在部材を有する請求項２乃至４のいずれか一項に記載の波長変換部品。
  6. 前記介在部材は、
    前記放熱部材の上面に設けられる第２介在部材を有する請求項５に記載の波長変換部品。
  7. 前記第１介在部材と前記第２介在部材とが接着剤を介して接合される請求項６に記載の波長変換部品。
  8. 前記第１介在部材及び前記第２介在部材は、導電部材であり、
    前記接着剤は、導電材料を含む接着剤であり、
    前記接着剤を介して接合されることで、前記第１介在部材と前記第２介在部材とが電気的に接続される請求項７に記載の波長変換部品。
  9. 前記介在部材は、前記包囲部材と前記放熱部材の間に、部分的に設けられる請求項２乃至８のいずれか一項に記載の波長変換部品。
  10. 前記波長変換部材と前記放熱部材とが当接する請求項１乃至９のいずれか一項に記載の波長変換部品。
  11. 前記波長変換部材は、下面に反射防止膜を有し、
    前記反射防止膜を介して、前記波長変換部材と前記放熱部材とが当接する請求項１０に記載の波長変換部品。
  12. 前記放熱部材は、上面に凸部を有し、
    前記波長変換部材の下面と前記放熱部材の凸部上面とが当接する請求項１０または１１に記載の波長変換部品。
  13. 前記包囲部材は、反射材料を主材料とする、請求項1乃至１２のいずれか一項に記載の波長変換部品。
  14. 前記包囲部材は、前記波長変換部材の側面と９５％以上接する内側面を有する、請求項1乃至１３のいずれか一項に記載の波長変換部品。
  15. 前記包囲部材の下面と対向する前記放熱部材の上面は、前記波長変換部材の下面よりも下方に存在する、請求項1乃至１４のいずれか一項に記載の波長変換部品。
  16. 半導体レーザ素子と、
    前記半導体レーザ素子が底面に配され、前記半導体レーザ素子を囲う枠部を有する基部と、
    前記半導体レーザ素子の上方に配される、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の波長変換部品と、
    を有し、
    前記波長変換部品における放熱部材は、
    前記半導体レーザ素子からの光が透過する透過領域を有し、
    前記透過領域を透過した光が前記波長変換部品における波長変換部材に入射する発光装置。
  17. 波長変換部品を製造する製造方法であって、
    いずれもセラミックを主材料とする波長変換部材及び包囲部材であって、それぞれに気体の含有率が異なる前記波長変換部材と前記包囲部材とが固定された一体焼結体を用意する工程と、
    前記一体焼結体を用意する工程により用意された前記一体焼結体に比して、下面において、前記波長変換部材が前記包囲部材よりも突出するように、前記一体焼結体の下面を研磨する工程と、
    を有する製造方法。
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