JP7152805B1 - 化合物、組成物、ホスト材料、電子障壁材料および有機発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】ホスト材料や電子障壁材料として有用な化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式の化合物。Ｒ1～Ｒ5は重水素原子またはアルキル基だが、Ｒ4とＲ5のうちの１～２個はアルキル基で置換されていてもよいフェニル基である。ｎ１とｎ３～５は０～４、ｎ２は０～３である。
【解決手段】下記一般式の化合物。Ｒ1～Ｒ5は重水素原子またはアルキル基だが、Ｒ4とＲ5のうちの１～２個はアルキル基で置換されていてもよいフェニル基である。ｎ１とｎ３～５は０～４、ｎ２は０～３である。
Description
本発明は、ホスト材料や電子障壁材料として有用な化合物と、その化合物を用いた組成物と有機発光素子に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）などの発光素子の発光効率を高める研究が盛んに行われている。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する電子輸送材料、ホール輸送材料、発光材料、ホスト材料などを新たに開発して組み合わせることにより、発光効率を高める工夫が種々なされてきている。その中で、遅延蛍光材料を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子が開発され、注目を集めている（非特許文献１参照）。
遅延蛍光材料は、励起状態において、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を生じた後、その励起一重項状態から基底状態へ戻る際に蛍光を放射する材料である。こうした経路による蛍光は、基底状態から直接生じた励起一重項状態からの蛍光（通常の蛍光）よりも遅れて観測されるため、遅延蛍光と称されている。ここで、例えば、発光性化合物をキャリアの注入により励起した場合、励起一重項状態と励起三重項状態の発生確率は統計的に２５％：７５％であるため、直接生じた励起一重項状態からの蛍光のみでは、発光効率の向上に限界がある。一方、遅延蛍光材料では、励起一重項状態のみならず、励起三重項状態も上記の逆項間交差を介した経路により蛍光発光に利用することができるため、通常の蛍光材料に比べて高い発光効率が得られることになる。このような特徴を有する遅延蛍光材料は、一般に有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層にホスト材料とともに用いられ、実際に発光効率の向上に寄与している。
Uoyama et al, Nature, 492, 234-238 (2012)
遅延蛍光材料と組み合わせるホスト材料には、遅延蛍光材料よりも最低励起一重項エネルギーがより大きな化合物が選択される。しかしながら、遅延蛍光を放射しない従来の蛍光材料と組み合わせて使用されてきたホスト材料を、そのまま遅延蛍光材料と組み合わせても十分な発光性能を実現することはできない。特に遅延蛍光材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子では、駆動電圧や発光寿命の点で改善の余地がある。このため、遅延蛍光材料を用いた有機発光素子において、高い発光効率を達成しつつ、駆動電圧を抑え、発光寿命を長くすることを目的として本発明者らは検討を行った。
鋭意検討を進めた結果、本発明者らは、特定の構造を有するホスト材料を遅延蛍光材料と組み合わせて用いれば、駆動電圧を抑えながら長寿命化を達成し、高い発光効率を実現できることを見いだした。本発明は、こうした知見に基づいて提案されたものであり、具体的に以下の構成を有する。
［１］ 下記一般式（１）で表される化合物。
［式中、Ｒ1～Ｒ3は各々独立に重水素原子、または重水素化されていてもよいアルキル基を表し、Ｒ4およびＲ5は各々独立に重水素原子、重水素化されていてもよいアルキル基、または重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基を表す。ただし、Ｒ4とＲ5のうちの１個または２個は、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。Ｒ1～Ｒ5は、他のＲ1～Ｒ5と結合して環状構造を形成することはなく、隣り合うＲ1同士、隣り合うＲ2同士、隣り合うＲ3同士が互いに結合して環状構造を形成することもない。隣り合うＲ4同士は互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成してもよく、隣り合うＲ5同士は互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成してもよい。ｎ１、ｎ３、ｎ４、ｎ５は各々独立に０～４のいずれかの整数を表し、ｎ２は０～３のいずれかの整数を表す。］
［２］ １個のＲ4と１個のＲ5だけが、各々独立に、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、［１］に記載の化合物。
［３］ １個のＲ4だけが、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、［１］に記載の化合物。
［４］ 隣り合うＲ5同士は互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成している、［３］に記載の化合物。
［５］ Ｒ1～Ｒ3が重水素原子である、［１］～［４］のいずれか１つに記載の化合物。
［６］ Ｒ4の少なくとも１個が重水素原子であり、Ｒ5の少なくとも１個が重水素原子である、［１］～［５］のいずれか１つに記載の化合物。
［７］ ｎ１～ｎ３が０である、［１］～［６］のいずれか１つに記載の化合物。
［８］ 前記化合物が下記一般式（２）で表される、［１］～［７］のいずれか１つに記載の化合物。
［一般式（２）において、Ｒ2は重水素化されていてもよいアルキル基を表し、ｎ２は０～３の整数を表す。Ｒ11～Ｒ18は各々独立に水素原子、重水素原子、または重水素化されていてもよいアルキル基を表す。Ｒ19～Ｒ26は各々独立に水素原子、重水素原子、重水素化されていてもよいアルキル基、または重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基を表す。ただし、Ｒ19～Ｒ26のうちの１個または２個は、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。Ｒ19とＲ20、Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ24とＲ25、Ｒ25とＲ26は、互いに結合して、ベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成していてもよい。］
［９］ Ｒ21およびＲ24の少なくとも一方が、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、［８］に記載の化合物。
［１０］ ［１］～［９］のいずれか１つに記載の化合物を含むホスト材料。
［１１］ 遅延蛍光材料とともに用いるための［１０］に記載のホスト材料。
［１２］ ［１］～［９］のいずれか１つに記載の化合物を含む電子障壁材料。
［１３］ ［１］～［９］のいずれか１つに記載のホスト材料に遅延蛍光材料をドープした組成物。
［１４］ 膜状である、［１３］に記載の組成物。
［１５］ 前記遅延蛍光材料が、ベンゼン環に置換しているシアノ基の数が１つであるシアノベンゼン構造を有する化合物である、［１３］または［１４］に記載の組成物。
［１６］ 前記遅延蛍光材料が、ベンゼン環に置換しているシアノ基の数が２つであるジシアノベンゼン構造を有する化合物である、［１３］または［１４］に記載の組成物。
［１７］ 前記ホスト材料および前記遅延蛍光材料よりも最低励起一重項エネルギーが低い蛍光性化合物をさらに含む、［１３］～［１６］のいずれか１つに記載の組成物。
［１８］ ［１３］～［１７］のいずれか１つに記載の組成物からなる層を有する有機発光素子。
［１９］ 前記層が、炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子およびハロゲン原子からなる群より選択される原子のみからなる、［１８］に記載の有機発光素子。
［２０］ 前記層が、炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子のみからなる、［１９］に記載の有機発光素子。
［２１］ 有機エレクトロルミネッセンス素子である、［１８］～［２０］のいずれか１つに記載の有機発光素子。
［２２］ 前記組成物が前記蛍光性化合物を含んでおらず、前記素子からの発光の最大成分は前記遅延蛍光材料からの発光である、［１８］～［２１］のいずれか１つに記載の有機発光素子。
［２３］ 前記組成物が前記蛍光性化合物を含んでおり、前記素子からの発光の最大成分は前記蛍光性化合物からの発光である、［１８］～［２１］のいずれか１つに記載の有機発光素子。
［２］ １個のＲ4と１個のＲ5だけが、各々独立に、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、［１］に記載の化合物。
［３］ １個のＲ4だけが、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、［１］に記載の化合物。
［４］ 隣り合うＲ5同士は互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成している、［３］に記載の化合物。
［５］ Ｒ1～Ｒ3が重水素原子である、［１］～［４］のいずれか１つに記載の化合物。
［６］ Ｒ4の少なくとも１個が重水素原子であり、Ｒ5の少なくとも１個が重水素原子である、［１］～［５］のいずれか１つに記載の化合物。
［７］ ｎ１～ｎ３が０である、［１］～［６］のいずれか１つに記載の化合物。
［８］ 前記化合物が下記一般式（２）で表される、［１］～［７］のいずれか１つに記載の化合物。
［９］ Ｒ21およびＲ24の少なくとも一方が、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、［８］に記載の化合物。
［１０］ ［１］～［９］のいずれか１つに記載の化合物を含むホスト材料。
［１１］ 遅延蛍光材料とともに用いるための［１０］に記載のホスト材料。
［１２］ ［１］～［９］のいずれか１つに記載の化合物を含む電子障壁材料。
［１３］ ［１］～［９］のいずれか１つに記載のホスト材料に遅延蛍光材料をドープした組成物。
［１４］ 膜状である、［１３］に記載の組成物。
［１５］ 前記遅延蛍光材料が、ベンゼン環に置換しているシアノ基の数が１つであるシアノベンゼン構造を有する化合物である、［１３］または［１４］に記載の組成物。
［１６］ 前記遅延蛍光材料が、ベンゼン環に置換しているシアノ基の数が２つであるジシアノベンゼン構造を有する化合物である、［１３］または［１４］に記載の組成物。
［１７］ 前記ホスト材料および前記遅延蛍光材料よりも最低励起一重項エネルギーが低い蛍光性化合物をさらに含む、［１３］～［１６］のいずれか１つに記載の組成物。
［１８］ ［１３］～［１７］のいずれか１つに記載の組成物からなる層を有する有機発光素子。
［１９］ 前記層が、炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子およびハロゲン原子からなる群より選択される原子のみからなる、［１８］に記載の有機発光素子。
［２０］ 前記層が、炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子のみからなる、［１９］に記載の有機発光素子。
［２１］ 有機エレクトロルミネッセンス素子である、［１８］～［２０］のいずれか１つに記載の有機発光素子。
［２２］ 前記組成物が前記蛍光性化合物を含んでおらず、前記素子からの発光の最大成分は前記遅延蛍光材料からの発光である、［１８］～［２１］のいずれか１つに記載の有機発光素子。
［２３］ 前記組成物が前記蛍光性化合物を含んでおり、前記素子からの発光の最大成分は前記蛍光性化合物からの発光である、［１８］～［２１］のいずれか１つに記載の有機発光素子。
本発明の化合物を用いれば、低電圧で駆動し、寿命が長い有機発光素子を提供することができる。
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本発明に用いられる化合物の分子内に存在する水素原子の同位体種は特に限定されない。
（一般式（１）で表される化合物）
本発明では、下記一般式（１）で表される化合物を用いる。
本発明では、下記一般式（１）で表される化合物を用いる。
一般式（１）において、Ｒ1～Ｒ3は各々独立に重水素原子、または重水素化されていてもよいアルキル基を表し、Ｒ4およびＲ5は各々独立に重水素原子、重水素化されていてもよいアルキル基、または重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基を表す。ｎ１、ｎ３、ｎ４、ｎ５は各々独立に０～４のいずれかの整数を表し、ｎ２は０～３のいずれかの整数を表す。
本願における「アルキル基」は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、直鎖部分と環状部分と分枝部分のうちの２種以上が混在していてもよい。アルキル基の炭素数は、例えば１以上、２以上、４以上とすることができる。また、炭素数は３０以下、２０以下、１０以下、６以下、４以下とすることができる。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、tert－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基を挙げることができる。本発明の一態様では、アルキル基の炭素数は１～４である。本発明の一態様では、アルキル基はメチル基である。本発明の一態様では、アルキル基はイソプロピル基である。本発明の一態様では、アルキル基はtert－ブチル基である。一般式（１）で表される分子内にアルキル基が複数存在するとき、それらのアルキル基は互いに同一であっても異なっていてもよい。本発明の一態様では、一般式（１）で表される分子内のアルキル基はすべて同一である。一般式（１）で表される分子内のアルキル基の数は０以上、１以上、２以上、４以上、８以上とすることができる。一般式（１）で表される分子内のアルキル基の数は、２０以下、１０以下、５以下、３以下としてもよい。一般式（１）で表される分子内のアルキル基の数は０であってもよい。なお、ここでいうアルキル基の数には、フェニル基に置換されているアルキル基の数も含まれる。
Ｒ4およびＲ5が採りうる「アルキル基で置換されていてもよいフェニル基」は、フェニル基に存在する５個の水素原子のうちの少なくとも１個がアルキル基で置換されていてもよいことを意味する。本発明の一態様では、フェニル基は０～３個のアルキル基で置換されている。例えば０～２個のアルキル基で置換されている。本発明の一態様では、フェニル基はアルキル基で置換されていない。フェニル基に置換されているアルキル基の炭素数は１～６であることが好ましく、１～４であることがより好ましい。例えば、４－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、３，５－ジメチルフェニル基、２，４，６－トリメチルフェニル基、２，３，４，５，６－ヘプタメチルフェニル基、４－イソプロピルフェニル基、３－イソプロピルフェニル基、３，５－ジイソプロピルフェニル基、４－tert－ブチルフェニル基、３－tert－ブチルフェニル基、３，５－ジtert－ブチルフェニル基を挙げることができる。また、これらの具体例の中のアルキル置換基に存在する水素原子がすべて重水素原子に置換された基も例示することができる。さらに、これらの具体例中に存在するすべての水素原子が重水素原子に置換された基も例示することができる。
本願における「重水素化されていてもよいアルキル基」は、アルキル基の水素原子のうちの少なくとも１つが重水素原子に置換されていてもよいことを意味する。アルキル基の水素原子はすべてが重水素原子に置換されていてもよい。例えば、重水素化されていてもよいメチル基には、ＣＨ3、ＣＤＨ2、ＣＤ2Ｈ、ＣＤ3が含まれる。「重水素化されていてもよいアルキル基」は、まったく重水素化されていないアルキル基か、すべての水素原子が重水素原子に置換されているアルキル基であることが好ましい。本発明の一態様では、「重水素化されていてもよいアルキル基」として、まったく重水素化されていないアルキル基を選択する。本発明の一態様では、「重水素化されていてもよいアルキル基」として、すべての水素原子が重水素原子に置換されているアルキル基を選択する。
本願における「アルキル基」は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、直鎖部分と環状部分と分枝部分のうちの２種以上が混在していてもよい。アルキル基の炭素数は、例えば１以上、２以上、４以上とすることができる。また、炭素数は３０以下、２０以下、１０以下、６以下、４以下とすることができる。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、tert－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基を挙げることができる。本発明の一態様では、アルキル基の炭素数は１～４である。本発明の一態様では、アルキル基はメチル基である。本発明の一態様では、アルキル基はイソプロピル基である。本発明の一態様では、アルキル基はtert－ブチル基である。一般式（１）で表される分子内にアルキル基が複数存在するとき、それらのアルキル基は互いに同一であっても異なっていてもよい。本発明の一態様では、一般式（１）で表される分子内のアルキル基はすべて同一である。一般式（１）で表される分子内のアルキル基の数は０以上、１以上、２以上、４以上、８以上とすることができる。一般式（１）で表される分子内のアルキル基の数は、２０以下、１０以下、５以下、３以下としてもよい。一般式（１）で表される分子内のアルキル基の数は０であってもよい。なお、ここでいうアルキル基の数には、フェニル基に置換されているアルキル基の数も含まれる。
Ｒ4およびＲ5が採りうる「アルキル基で置換されていてもよいフェニル基」は、フェニル基に存在する５個の水素原子のうちの少なくとも１個がアルキル基で置換されていてもよいことを意味する。本発明の一態様では、フェニル基は０～３個のアルキル基で置換されている。例えば０～２個のアルキル基で置換されている。本発明の一態様では、フェニル基はアルキル基で置換されていない。フェニル基に置換されているアルキル基の炭素数は１～６であることが好ましく、１～４であることがより好ましい。例えば、４－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、３，５－ジメチルフェニル基、２，４，６－トリメチルフェニル基、２，３，４，５，６－ヘプタメチルフェニル基、４－イソプロピルフェニル基、３－イソプロピルフェニル基、３，５－ジイソプロピルフェニル基、４－tert－ブチルフェニル基、３－tert－ブチルフェニル基、３，５－ジtert－ブチルフェニル基を挙げることができる。また、これらの具体例の中のアルキル置換基に存在する水素原子がすべて重水素原子に置換された基も例示することができる。さらに、これらの具体例中に存在するすべての水素原子が重水素原子に置換された基も例示することができる。
本願における「重水素化されていてもよいアルキル基」は、アルキル基の水素原子のうちの少なくとも１つが重水素原子に置換されていてもよいことを意味する。アルキル基の水素原子はすべてが重水素原子に置換されていてもよい。例えば、重水素化されていてもよいメチル基には、ＣＨ3、ＣＤＨ2、ＣＤ2Ｈ、ＣＤ3が含まれる。「重水素化されていてもよいアルキル基」は、まったく重水素化されていないアルキル基か、すべての水素原子が重水素原子に置換されているアルキル基であることが好ましい。本発明の一態様では、「重水素化されていてもよいアルキル基」として、まったく重水素化されていないアルキル基を選択する。本発明の一態様では、「重水素化されていてもよいアルキル基」として、すべての水素原子が重水素原子に置換されているアルキル基を選択する。
一般式（１）におけるｎ１とｎ２の和は０～７であり、例えば１～７の範囲内としてもよい。例えば１～４の範囲内としてもよい。本発明の一態様では、ｎ１は０～２の整数であり、ｎ２は０～２の整数である。本発明の一態様では、ｎ１は０または１であり、ｎ２は０または１である。本発明の一態様では、ｎ１とｎ２はいずれも０である。本発明の一態様では、Ｒ1およびＲ2は各々独立に重水素原子、または重水素化されていてもよい炭素数１～６のアルキル基であり、好ましくはＲ1およびＲ2は各々独立に重水素原子、または重水素化されていてもよい炭素数１～４のアルキル基である。本発明の一態様では、Ｒ1およびＲ2は各々独立に重水素原子、または重水素化されたアルキル基である。本発明の一態様では、Ｒ1およびＲ2は重水素原子である。本発明の一態様では、ｎ１とｎ２の和が７であり、Ｒ1およびＲ2は重水素原子である。
一般式（１）における、（Ｒ1）n1と（Ｒ2）n2が置換しているジベンゾフラニル基の具体例を以下に挙げる。ただし、本発明で採用することができる構造はこれらの具体例によって限定的に解釈されることはない。本願において、＊はメタフェニレン基への結合位置を示す。メチル基についてはＣＨ3と表記せず、ＣＨ3を省略している。このため、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ６、Ｂ８はそれぞれメチル基を有している。
一般式（１）における、（Ｒ1）n1と（Ｒ2）n2が置換しているジベンゾフラニル基の具体例を以下に挙げる。ただし、本発明で採用することができる構造はこれらの具体例によって限定的に解釈されることはない。本願において、＊はメタフェニレン基への結合位置を示す。メチル基についてはＣＨ3と表記せず、ＣＨ3を省略している。このため、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ６、Ｂ８はそれぞれメチル基を有している。
上記Ｂ１～Ｂ８の水素原子をすべて重水素原子に置換したものを、それぞれＢ１（Ｄ）～Ｂ８（Ｄ）としてここに例示する。
一般式（１）におけるｎ３は０～４である。本発明の一態様では、ｎ３は０である。本発明の一態様では、ｎ３は１～４である。本発明の一態様では、Ｒ3は重水素原子、または重水素化されていてもよい炭素数１～６のアルキル基であり、好ましくはＲ3は各々独立に重水素原子、または重水素化されていてもよい炭素数１～４のアルキル基である。本発明の一態様では、Ｒ3は重水素原子、または重水素化されたアルキル基である。本発明の一態様では、Ｒ3は重水素原子である。本発明の一態様では、ｎ３は４であり、Ｒ3は重水素原子である。
一般式（１）における、（Ｒ3）n3が置換しているメタフェニレン基の具体例を以下に挙げるが、本発明で採用することができる構造はこれらの具体例によって限定的に解釈されることはない。以下の具体例において、＊の一方は一般式（１）のカルバゾールに結合する位置を表し、他方はジベンゾフランに結合する位置を表す。本願においてメチル基についてはＣＨ3と表記せずに記載を省略している。例えば、Ａｒ２～Ａｒ６はそれぞれメチル基で置換されており、Ａｒ７はエチル基で置換されており、Ａｒ８はイソプロピル基で置換されている。なお、ｔ－Ｂｕはtert－ブチル基を示し、Ｄは重水素原子を示す。
一般式（１）における、（Ｒ3）n3が置換しているメタフェニレン基の具体例を以下に挙げるが、本発明で採用することができる構造はこれらの具体例によって限定的に解釈されることはない。以下の具体例において、＊の一方は一般式（１）のカルバゾールに結合する位置を表し、他方はジベンゾフランに結合する位置を表す。本願においてメチル基についてはＣＨ3と表記せずに記載を省略している。例えば、Ａｒ２～Ａｒ６はそれぞれメチル基で置換されており、Ａｒ７はエチル基で置換されており、Ａｒ８はイソプロピル基で置換されている。なお、ｔ－Ｂｕはtert－ブチル基を示し、Ｄは重水素原子を示す。
上記Ａｒ１～Ａｒ１０の水素原子をすべて重水素原子に置換したものを、それぞれＡｒ１（Ｄ）～Ａｒ１０（Ｄ）としてここに例示する。
一般式（１）におけるＲ4とＲ5のうちの１個または２個は、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、ここでいうフェニル基は、重水素化されていてもよいアルキル基だけで置換されている。本発明の一態様では、ここでいうフェニル基は少なくとも１つの水素原子が重水素原子で置換されたフェニル基である。本発明の一態様では、ここでいうフェニル基は、重水素化されていてもよいアルキル基とともに、重水素原子でも置換されているフェニル基である。本発明の一態様では、ここでいうフェニル基は無置換のフェニル基である。本発明の一態様では、Ｒ4の１個だけが、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、Ｒ5の１個だけが、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、１個のＲ4と１個のＲ5が、各々独立に、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、Ｒ4の少なくとも１個が重水素原子であり、Ｒ5の少なくとも１個が重水素原子である。
一般式（１）におけるｎ４とｎ５は、それぞれ０～４であり、例えば１～４であり、例えば１～３であり、例えば１または２である、ｎ４とｎ５の和は１～８であり、例えば１～４としてもよい。本発明の一態様では、ｎ４とｎ５の和は１または２である。本発明の一態様では、ｎ４とｎ５の和は３または４である。
一般式（１）におけるｎ４とｎ５は、それぞれ０～４であり、例えば１～４であり、例えば１～３であり、例えば１または２である、ｎ４とｎ５の和は１～８であり、例えば１～４としてもよい。本発明の一態様では、ｎ４とｎ５の和は１または２である。本発明の一態様では、ｎ４とｎ５の和は３または４である。
一般式（１）におけるＲ1～Ｒ5は、他のＲ1～Ｒ5と結合して環状構造を形成することはない。すなわち、Ｒ1はＲ2～Ｒ5と結合して環状構造を形成することはなく、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5についても同じである。また、隣り合うＲ1同士が互いに結合して環状構造を形成することはなく、隣り合うＲ2同士が互いに結合して環状構造を形成することはなく、隣り合うＲ3同士が互いに結合して環状構造を形成することもない。一方、隣り合うＲ4同士は互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格に限って形成してもよく、また、隣り合うＲ5同士は互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格に限って形成してもよい。隣り合うＲ4同士が互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成し、Ｒ4同士は互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成していないとき、一般式（１）の化合物は下記一般式（１ａ）で表される構造を有する。また、隣り合うＲ4同士が互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成し、隣り合うＲ5同士が互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成しているとき、一般式（１）の化合物は下記一般式（１ｂ）で表される構造を有する。一般式（１ａ）および一般式（１ｂ）において、Ｘ、Ｘ1、Ｘ2は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ4a、Ｒ5aは各々独立に重水素原子、重水素化されていてもよいアルキル基、または重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基を表す。ｎ４ａおよびｎ５ａは各々独立に０～２のいずれかの整数であるが、ｎ４ａとｎ５ａの和は１以上である。また、Ｒ4aとＲ5aのうちの１個または２個は、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。Ｒ6およびＲ7は、各々独立に重水素原子、または置換基（ここでいう置換基は水素原子および重水素原子以外の原子および原子団を意味する）を表す。好ましいＲ6およびＲ7は、各々独立に重水素原子、重水素化されていてもよいアルキル基、または重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。隣り合うＲ6同士、隣り合うＲ6同士が互いに結合して環状構造を形成することはない。ｎ６およびｎ７は各々独立に０～４の整数を表す。Ｒ1～Ｒ3、Ｒ5、ｎ１～ｎ３、ｎ５の説明については一般式（１）の対応する説明を参照することができる。
一般式（１ａ）では、Ｘの上方に結合しているベンゼン環のオルト位から単結合が左下方向に伸長している。この単結合は、カルバゾール構造の１～４位のいずれに結合してもよい。また、Ｘもカルバゾール構造の１～４位のいずれに結合してもよい。ただし、単結合とＸは、カルバゾール構造の骨格を構成する隣り合う炭素原子にそれぞれ結合する。このため、単結合が２位に結合しているときは、Ｘは１位か３位に結合する。単結合が３位に結合しているときは、Ｘは２位か４位に結合する。単結合が１位に結合しているときはＸは２位に結合する。単結合が４位に結合しているときはＸは３位に結合する。一般式（１ａ）では単結合よりもＸが右に記載されているが、一般式（１ａ）は単結合がＸよりも左に位置する構造も包含しているものとする。一般式（１ｂ）におけるＸ1とＸ2についても、一般式（１ａ）のＸと同じである。
一般式（１ａ）のベンゾフロカルバゾール－９－イル基として、置換もしくは無置換のベンゾフロ［２，３－ａ］カルバゾール－９－イル基を採用することができる。また、置換もしくは無置換のベンゾフロ［３，２－ａ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾフロ［２，３－ｂ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾフロ［３，２－ｂ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾフロ［２，３－ｃ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾフロ［３，２－ｃ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。
一般式（１ａ）のＡｒに結合するベンゾチエノカルバゾール－９－イル基として、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［２，３－ａ］カルバゾール－９－イル基を採用することができる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［３，２－ａ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［２，３－ｂ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［３，２－ｂ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［２，３－ｃ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［３，２－ｃ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。
一般式（１ａ）のＡｒに結合するベンゾチエノカルバゾール－９－イル基として、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［２，３－ａ］カルバゾール－９－イル基を採用することができる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［３，２－ａ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［２，３－ｂ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［３，２－ｂ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［２，３－ｃ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のベンゾチエノ［３，２－ｃ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。
一般式（１ｂ）のビスベンゾフロカルバゾール－９－イル基として、置換もしくは無置換のビスベンゾフロ［２，３－ａ：２’，３’－ｆ］カルバゾール－９－イル基を採用することができる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾフロ［３，２－ａ：３’、２’－ｆ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾフロ［２，３－ｂ：２’、３’－ｅ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾフロ［３，２－ｂ：３’，２’－ｅ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾフロ［２，３－ｃ：２’、３’－ｄ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾフロ［３，２－ｃ：３’、２’－ｄ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。
一般式（１ｂ）のビスベンゾチエノカルバゾール－９－イル基として、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［２，３－ａ：２’，３’－ｆ］カルバゾール－９－イル基を採用することができる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［３，２－ａ：３’、２’－ｆ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［２，３－ｂ：２’、３’－ｅ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［３，２－ｂ：３’，２’－ｅ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［２，３－ｃ：２’、３’－ｄ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［３，２－ｃ：３’、２’－ｄ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。
一般式（１ｂ）のビスベンゾチエノカルバゾール－９－イル基として、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［２，３－ａ：２’，３’－ｆ］カルバゾール－９－イル基を採用することができる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［３，２－ａ：３’、２’－ｆ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［２，３－ｂ：２’、３’－ｅ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［３，２－ｂ：３’，２’－ｅ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［２，３－ｃ：２’、３’－ｄ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。また、置換もしくは無置換のビスベンゾチエノ［３，２－ｃ：３’、２’－ｄ］カルバゾール－９－イル基を採用することもできる。
本発明の一態様では、一般式（１ａ）のｎ４ａが０である。本発明の一態様では、ｎ４ａが０、ｎ５が１または２であって、２個のＲ5のうちの少なくとも１個が、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、ｎ６は０であるか、ｎ６が４であって４個のＲ6が重水素原子である。本発明の一態様では、ｎ６が１または２であって、少なくとも１個のＲ6が重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、Ｘが酸素原子である。本発明の一態様では、Ｘが硫黄原子である。
本発明の一態様では、一般式（１ｂ）のｎ４ａとｎ５ａの和が１または２である。本発明の一態様では、Ｒ4aとＲ5aのうちの１個だけが、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、ｎ６は０であるか、ｎ６が４であって４個のＲ6が重水素原子である。本発明の一態様では、ｎ７は０であるか、ｎ７が４であって４個のＲ7が重水素原子である。本発明の一態様では、ｎ６が１または２であって、少なくとも１個のＲ6が重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、ｎ７が１または２であって、少なくとも１個のＲ7が重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、Ｘが酸素原子である。本発明の一態様では、Ｘが硫黄原子である。
本発明の一態様では、一般式（１ｂ）のｎ４ａとｎ５ａの和が１または２である。本発明の一態様では、Ｒ4aとＲ5aのうちの１個だけが、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、ｎ６は０であるか、ｎ６が４であって４個のＲ6が重水素原子である。本発明の一態様では、ｎ７は０であるか、ｎ７が４であって４個のＲ7が重水素原子である。本発明の一態様では、ｎ６が１または２であって、少なくとも１個のＲ6が重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、ｎ７が１または２であって、少なくとも１個のＲ7が重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の一態様では、Ｘが酸素原子である。本発明の一態様では、Ｘが硫黄原子である。
一般式（１ａ）のベンゾフロカルバゾール－９－イル基とベンゾチエノカルバゾール－９－イル基、一般式（１ｂ）のビスベンゾフロカルバゾール－９－イル基とビスベンゾチエノカルバゾール－９－イル基、およびこれらの置換体の具体例を以下に挙げる。ただし、本発明で採用することができる構造はこれらの具体例によって限定的に解釈されることはない。＊は、一般式（１ａ）および一般式（１ｂ）のメタフェニレンへの結合位置を示す。Ｐｈは無置換のフェニル基を示す。また、本願においてメチル基についてはＣＨ3と表記せず、ＣＨ3を省略して表示している。例えばＤ７はメチル基を有する。
上記Ｄ７～Ｄ１８、Ｄ３７～Ｄ４８のメチル基に存在するすべての水素原子を重水素原子に置換した基を、Ｄ７（ｄ）～Ｄ１８（ｄ）、Ｄ３７（ｄ）～Ｄ４８（ｄ）としてここに開示する。また、Ｄ１９～Ｄ３０、Ｄ４９～Ｄ６０のフェニル基に存在するすべての水素原子を重水素原子に置換した基を、Ｄ１９（ｄ）～Ｄ３０（ｄ）、Ｄ４９（ｄ）～Ｄ６０（ｄ）としてここに開示する。さらに、Ｄ１～Ｄ６２に存在するすべての水素原子を重水素原子に置換した基を、Ｄ１（Ｄ）～Ｄ６２（Ｄ）としてここに開示する。
一般式（１）の左側に表記されるジベンゾフランは、１～４位のいずれでメタニフェレン基に結合してもよい。本発明の好ましい一態様ではジベンゾフランは２位でメタニフェレン基に結合する。本発明の一態様ではジベンゾフランは１位でメタニフェレン基に結合する。本発明の一態様ではジベンゾフランは３位でメタニフェレン基に結合する。本発明の一態様ではジベンゾフランは４位でメタニフェレン基に結合する。なお、ジベンゾフランの１～４位は下記の通りである。
一般式（１）中には、シアノ基は存在しない。本発明の好ましい一態様では、一般式（１）は炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子のみからなる。本発明の好ましい一態様では、一般式（１）は炭素原子、水素原子、窒素原子および酸素原子のみからなる。一般式（１）で表される化合物の分子量は４９９以上であり、８００以下であることが好ましく、７００以下であることがより好ましく、６００以下であることがさらにより好ましく、例えば５５０以下であってもよく、５３０以下であってもよい。
一般式（１）で表される化合物として、下記一般式（２）で表される化合物を好ましく例示することができる。
一般式（２）において、Ｒ2は重水素化されていてもよいアルキル基を表し、ｎ２は０～３の整数を表す。Ｒ11～Ｒ18は各々独立に水素原子、重水素原子、または重水素化されていてもよいアルキル基を表す。Ｒ19～Ｒ26は各々独立に水素原子、重水素原子、重水素化されていてもよいアルキル基、または重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基を表す。ただし、Ｒ19～Ｒ26のうちの１個または２個は、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。Ｒ19とＲ20、Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ24とＲ25、Ｒ25とＲ26は、互いに結合して、ベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成していてもよい。
本発明の好ましい一態様では、Ｒ21とＲ24のうちの少なくとも一方が、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ21とＲ24の両方が、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。例えば、Ｒ21とＲ24の少なくとも一方が無置換のフェニル基である。例えば、Ｒ21とＲ24の両方が無置換のフェニル基である。本発明の一態様では、Ｒ19とＲ20、Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ24とＲ25、Ｒ25とＲ26は、いずれも互いに結合して環状構造を形成していない。本発明の一態様では、Ｒ19とＲ20、Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ24とＲ25、Ｒ25とＲ26のうちの１組だけが、互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成している。本発明の一態様では、Ｒ19とＲ20、Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22のうちの１組と、Ｒ23とＲ24、Ｒ24とＲ25、Ｒ25とＲ26のうちの１組が、互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成している。本発明の一態様では、Ｒ12が重水素化されていてもよいアルキル基を表す。
本発明の好ましい一態様では、Ｒ21とＲ24のうちの少なくとも一方が、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ21とＲ24の両方が、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である。例えば、Ｒ21とＲ24の少なくとも一方が無置換のフェニル基である。例えば、Ｒ21とＲ24の両方が無置換のフェニル基である。本発明の一態様では、Ｒ19とＲ20、Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ24とＲ25、Ｒ25とＲ26は、いずれも互いに結合して環状構造を形成していない。本発明の一態様では、Ｒ19とＲ20、Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ24とＲ25、Ｒ25とＲ26のうちの１組だけが、互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成している。本発明の一態様では、Ｒ19とＲ20、Ｒ20とＲ21、Ｒ21とＲ22のうちの１組と、Ｒ23とＲ24、Ｒ24とＲ25、Ｒ25とＲ26のうちの１組が、互いに結合してベンゾフロ骨格またはベンゾチエノ骨格を形成している。本発明の一態様では、Ｒ12が重水素化されていてもよいアルキル基を表す。
以下に、一般式（１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明で用いることができる化合物はこれらの具体例により限定的に解釈されることはない。以下の各構造について、ジベンゾフランの結合位置によって４種類の化合物を特定している。
一般式（１）で表される化合物は、発光材料をドープするためのホスト材料として有用である。特に遅延蛍光材料をドープするためのホスト材料として有用である。ドープする材料は１種のみならず、複数種であってもよい。ドープする材料は、一般式（１）で表される化合物よりも、最低励起一重項エネルギーが低いものの中から選択する。
一般式（１）で表される化合物は、電子障壁材料としても有用である。有機エレクトロルミネッセンス素子などの有機発光素子において電子障壁層に効果的に用いることができる。
一般式（１）の類似化合物として、一般式（１）のメタフェニレン連結構造をビフェニレン連結構造に置換した下記一般式（３）で表される化合物がある。一般式（３）で表される化合物もホスト材料として有用であり、また、電子障壁材料として有用であるが、一般式（１）で表される化合物は一般式（３）で表される化合物よりもさらにホスト材料や電子障壁材料としての効果が優れており、有用性が高い。なお、下記一般式（３）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、ｎ１、ｎ２、ｎ４、ｎ５の説明については一般式（１）の対応する説明を参照することができる。一般式（３）におけるＲ3a、Ｒ3bについては一般式（１）のＲ3の説明を参照することができる。また、一般式（３）の具体例については、一般式（１）の具体例のフェニレン連結構造をビフェニレン連結構造に置換したものを挙げることができる。
一般式（１）で表される化合物は、電子障壁材料としても有用である。有機エレクトロルミネッセンス素子などの有機発光素子において電子障壁層に効果的に用いることができる。
一般式（１）の類似化合物として、一般式（１）のメタフェニレン連結構造をビフェニレン連結構造に置換した下記一般式（３）で表される化合物がある。一般式（３）で表される化合物もホスト材料として有用であり、また、電子障壁材料として有用であるが、一般式（１）で表される化合物は一般式（３）で表される化合物よりもさらにホスト材料や電子障壁材料としての効果が優れており、有用性が高い。なお、下記一般式（３）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、ｎ１、ｎ２、ｎ４、ｎ５の説明については一般式（１）の対応する説明を参照することができる。一般式（３）におけるＲ3a、Ｒ3bについては一般式（１）のＲ3の説明を参照することができる。また、一般式（３）の具体例については、一般式（１）の具体例のフェニレン連結構造をビフェニレン連結構造に置換したものを挙げることができる。
（遅延蛍光材料）
一般式（１）で表される化合物は、遅延蛍光材料とともに用いるためのホスト材料として有用である。
ここでいう「遅延蛍光材料」とは、励起状態において、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を生じ、その励起一重項状態から基底状態へ戻る際に遅延蛍光を放射する有機化合物である。本発明では、蛍光寿命測定システム（浜松ホトニクス社製ストリークカメラシステム等）により発光寿命を測定したとき、発光寿命が１００ｎｓ（ナノ秒）以上の蛍光が観測されるものを遅延蛍光材料と言う。
一般式（１）で表される化合物と遅延蛍光材料を組み合わせて用いたとき、遅延蛍光材料は、励起一重項状態の一般式（１）で表される化合物からエネルギーを受け取って励起一重項状態に遷移する。また、遅延蛍光材料は、励起三重項状態の一般式（１）で表される化合物からエネルギーを受け取って励起三重項状態に遷移してもよい。遅延蛍光材料は励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーの差（ΔＥST）が小さいことから、励起三重項状態の遅延蛍光材料は励起一重項状態の遅延蛍光材料へ逆項間交差しやすい。これらの経路により生じた励起一重項状態の遅延蛍光材料が発光に寄与する。
一般式（１）で表される化合物は、遅延蛍光材料とともに用いるためのホスト材料として有用である。
ここでいう「遅延蛍光材料」とは、励起状態において、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を生じ、その励起一重項状態から基底状態へ戻る際に遅延蛍光を放射する有機化合物である。本発明では、蛍光寿命測定システム（浜松ホトニクス社製ストリークカメラシステム等）により発光寿命を測定したとき、発光寿命が１００ｎｓ（ナノ秒）以上の蛍光が観測されるものを遅延蛍光材料と言う。
一般式（１）で表される化合物と遅延蛍光材料を組み合わせて用いたとき、遅延蛍光材料は、励起一重項状態の一般式（１）で表される化合物からエネルギーを受け取って励起一重項状態に遷移する。また、遅延蛍光材料は、励起三重項状態の一般式（１）で表される化合物からエネルギーを受け取って励起三重項状態に遷移してもよい。遅延蛍光材料は励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーの差（ΔＥST）が小さいことから、励起三重項状態の遅延蛍光材料は励起一重項状態の遅延蛍光材料へ逆項間交差しやすい。これらの経路により生じた励起一重項状態の遅延蛍光材料が発光に寄与する。
遅延蛍光材料は、最低励起一重項エネルギーと７７Ｋの最低励起三重項エネルギーの差ΔＥSTが０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２５ｅＶ以下であることがより好ましく、０．２ｅＶ以下であることがより好ましく、０．１５ｅＶ以下であることがより好ましく、０．１ｅＶ以下であることがさらに好ましく、０．０７ｅＶ以下であることがさらにより好ましく、０．０５ｅＶ以下であることがさらにまた好ましく、０．０３ｅＶ以下であることがさらになお好ましく、０．０１ｅＶ以下であることが特に好ましい。
ΔＥSTが小さければ、熱エネルギーの吸収によって励起一重項状態から励起三重項状態に逆項間交差しやすいため、熱活性化型の遅延蛍光材料として機能する。熱活性化型の遅延蛍光材料は、デバイスが発する熱を吸収して励起三重項状態から励起一重項へ比較的容易に逆項間交差し、その励起三重項エネルギーを効率よく発光に寄与させることができる。
ΔＥSTが小さければ、熱エネルギーの吸収によって励起一重項状態から励起三重項状態に逆項間交差しやすいため、熱活性化型の遅延蛍光材料として機能する。熱活性化型の遅延蛍光材料は、デバイスが発する熱を吸収して励起三重項状態から励起一重項へ比較的容易に逆項間交差し、その励起三重項エネルギーを効率よく発光に寄与させることができる。
本発明における、化合物の最低励起一重項エネルギー（ＥS1）と最低励起三重項エネルギー（ＥT1）は、下記の手順により求めた値である。ΔＥSTはＥS1－ＥT1を計算することにより求めた値である。
（１）最低励起一重項エネルギー（ＥS1）
測定対象化合物の薄膜もしくはトルエン溶液（濃度１０-5ｍｏｌ／Ｌ）を調製して試料とする。常温（３００Ｋ）でこの試料の蛍光スペクトルを測定する。蛍光スペクトルは、縦軸を発光、横軸を波長とする。この発光スペクトルの短波側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値 λedge［ｎｍ］を求める。この波長値を次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をＥS1とする。
換算式：ＥS1［ｅＶ］＝１２３９．８５／λedge
後述の実施例における発光スペクトルの測定は、励起光源にＬＥＤ光源（Thorlabs社製、M300L4）を用いて検出器（浜松ホトニクス社製、PMA-12マルチチャンネル分光器 C10027-01）により行った。
（２）最低励起三重項エネルギー（ＥT1）
最低励起一重項エネルギー（ＥS1）の測定で用いたのと同じ試料を、液体窒素によって７７［Ｋ］に冷却し、励起光（３００ｎｍ）を燐光測定用試料に照射し、検出器を用いて燐光を測定する。励起光照射後から１００ミリ秒以降の発光を燐光スペクトルとする。この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λedge［ｎｍ］を求める。この波長値を次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をＥT1とする。
換算式：ＥT1［ｅＶ］＝１２３９．８５／λedge
燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１０％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
（１）最低励起一重項エネルギー（ＥS1）
測定対象化合物の薄膜もしくはトルエン溶液（濃度１０-5ｍｏｌ／Ｌ）を調製して試料とする。常温（３００Ｋ）でこの試料の蛍光スペクトルを測定する。蛍光スペクトルは、縦軸を発光、横軸を波長とする。この発光スペクトルの短波側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値 λedge［ｎｍ］を求める。この波長値を次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をＥS1とする。
換算式：ＥS1［ｅＶ］＝１２３９．８５／λedge
後述の実施例における発光スペクトルの測定は、励起光源にＬＥＤ光源（Thorlabs社製、M300L4）を用いて検出器（浜松ホトニクス社製、PMA-12マルチチャンネル分光器 C10027-01）により行った。
（２）最低励起三重項エネルギー（ＥT1）
最低励起一重項エネルギー（ＥS1）の測定で用いたのと同じ試料を、液体窒素によって７７［Ｋ］に冷却し、励起光（３００ｎｍ）を燐光測定用試料に照射し、検出器を用いて燐光を測定する。励起光照射後から１００ミリ秒以降の発光を燐光スペクトルとする。この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λedge［ｎｍ］を求める。この波長値を次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をＥT1とする。
換算式：ＥT1［ｅＶ］＝１２３９．８５／λedge
燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１０％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
本発明の好ましい一態様では、遅延蛍光材料として、ベンゼン環に置換しているシアノ基の数が１つであるシアノベンゼン構造を有する化合物（シアノベンゼン誘導体）を用いる。本発明の別の好ましい一態様では、遅延蛍光材料として、ベンゼン環に置換しているシアノ基の数が２つであるジシアノベンゼン構造を有する化合物（ジシアノベンゼン誘導体）を用いる。本発明の別の好ましい一態様では、遅延蛍光材料として、ベンゼン環の環骨格構成炭素原子の少なくとも１つが窒素原子に置換したアザベンゼン構造を有する化合物（アザベンゼン誘導体）を用いる。
本発明の好ましい一態様では、遅延蛍光材料として下記一般式（４）で表される化合物を用いる。
一般式（４）において、Ｒ21～Ｒ23のうち１つはシアノ基または下記一般式（５）で表される基を表し、Ｒ21～Ｒ23の残りの２つとＲ24およびＲ25のうちの少なくとも１つは下記一般式（６）で表される基を表し、Ｒ21～Ｒ25の残りは水素原子または置換基（ただしここでいう置換基はシアノ基、下記一般式（５）で表される基、下記一般式（６）で表される基ではない）を表す。
一般式（５）において、Ｌ1は単結合もしくは２価の連結基を表し、Ｒ31およびＲ32は各々独立に水素原子または置換基を表し、＊は結合位置を表す。
一般式（６）において、Ｌ2は単結合または２価の連結基を表し、Ｒ33およびＲ34は各々独立に水素原子または置換基を表し、＊は結合位置を表す。
本発明の好ましい一態様では、Ｒ22がシアノ基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ22が一般式（５）で表される基である。本発明の一態様では、Ｒ21がシアノ基または一般式（５）で表される基である。本発明の一態様では、Ｒ23がシアノ基または一般式（５）で表される基である。本発明の一態様では、Ｒ21～Ｒ23のうち１つがシアノ基である。本発明の一態様では、Ｒ21～Ｒ23のうち１つが一般式（５）で表される基である。
本発明の好ましい一態様では、一般式（５）におけるＬ1は単結合である。本発明の一態様では、Ｌ1は２価の連結基であり、好ましくは置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基であり、より好ましくは置換もしくは無置換のアリーレン基であり、さらに好ましくは置換もしくは無置換の１，４－フェニレン基（置換基として例えば炭素数１～３のアルキル基）である。
本発明の一態様では、一般式（５）におけるＲ31およびＲ32は各々独立に、アルキル基（例えば炭素数１～４０）、アリール基（例えば炭素数６～３０）、ヘテロアリール基（例えば環骨格構成原子数５～３０）、アルケニル基（例えば炭素数１～４０）およびアルキニル基（例えば炭素数１～４０）からなる群より選択される１つの基または２つ以上を組み合わせた基である（以下においてこれらの基を「置換基群Ａの基」という）。本発明の好ましい一態様では、Ｒ31およびＲ32は各々独立に、置換もしくは無置換のアリール基（例えば炭素数６～３０）であり、アリール基の置換基としては置換基群Ａの基を挙げることができる。本発明の好ましい一態様では、Ｒ31およびＲ32は同一である。
本発明の一態様では、一般式（５）におけるＲ31およびＲ32は各々独立に、アルキル基（例えば炭素数１～４０）、アリール基（例えば炭素数６～３０）、ヘテロアリール基（例えば環骨格構成原子数５～３０）、アルケニル基（例えば炭素数１～４０）およびアルキニル基（例えば炭素数１～４０）からなる群より選択される１つの基または２つ以上を組み合わせた基である（以下においてこれらの基を「置換基群Ａの基」という）。本発明の好ましい一態様では、Ｒ31およびＲ32は各々独立に、置換もしくは無置換のアリール基（例えば炭素数６～３０）であり、アリール基の置換基としては置換基群Ａの基を挙げることができる。本発明の好ましい一態様では、Ｒ31およびＲ32は同一である。
本発明の好ましい一態様では、一般式（６）におけるＬ2は単結合である。本発明の一態様では、Ｌ2は２価の連結基であり、好ましくは置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基であり、より好ましくは置換もしくは無置換のアリーレン基であり、さらに好ましくは置換もしくは無置換の１，４－フェニレン基（置換基として例えば炭素数１～３のアルキル基）である。
本発明の一態様では、一般式（６）におけるＲ33およびＲ34は各々独立に、置換もしくは無置換のアルキル基（例えば炭素数１～４０）、置換もしくは無置換のアルケニル基（例えば炭素数１～４０）、置換もしくは無置換のアリール基（例えば炭素数６～３０）、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基（例えば炭素数５～３０）を表す。ここでいうアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基の置換基としては、ヒドロキシル基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（例えば炭素数１～４０）、アルコキシ基（例えば炭素数１～４０）、アルキルチオ基（例えば炭素数１～４０）、アリール基（例えば炭素数６～３０）、アリールオキシ基（例えば炭素数６～３０）、アリールチオ基（例えば炭素数６～３０）、ヘテロアリール基（例えば環骨格構成原子数５～３０）、ヘテロアリールオキシ基（例えば環骨格構成原子数５～３０）、ヘテロアリールチオ基（例えば環骨格構成原子数５～３０）、アシル基（例えば炭素数１～４０）、アルケニル基（例えば炭素数１～４０）、アルキニル基（例えば炭素数１～４０）、アルコキシカルボニル基（例えば炭素数１～４０）、アリールオキシカルボニル基（例えば炭素数１～４０）、ヘテロアリールオキシカルボニル基（例えば炭素数１～４０）、シリル基（例えば炭素数１～４０のトリアルキルシリル基）、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される１つの基または２つ以上を組み合わせた基を挙げることができる（以下においてこれらの基を「置換基群Ｂの基」という）。
Ｒ33とＲ34は、互いに単結合または連結基を介して結合して環状構造を形成してもよい。特にＲ33とＲ34がアリール基である場合は、互いに単結合または連結基を介して結合して環状構造を形成することが好ましい。ここでいう連結基としては－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ35）－、－Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）－、－Ｃ（＝Ｏ）－を挙げることができ、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ35）－、－Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）－が好ましく、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ35）－がより好ましい。Ｒ35～Ｒ37は各々独立に水素原子または置換基を表す。置換基としては、上記置換基群Ａの基を選択したり、下記置換基群Ｂの基を選択したりすることができ、好ましくは炭素数１～１０のアルキル基および炭素数６～１４のアリール基からなる群より選択される１つの基または２つ以上を組み合わせた基である。
本発明の一態様では、一般式（６）におけるＲ33およびＲ34は各々独立に、置換もしくは無置換のアルキル基（例えば炭素数１～４０）、置換もしくは無置換のアルケニル基（例えば炭素数１～４０）、置換もしくは無置換のアリール基（例えば炭素数６～３０）、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基（例えば炭素数５～３０）を表す。ここでいうアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基の置換基としては、ヒドロキシル基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（例えば炭素数１～４０）、アルコキシ基（例えば炭素数１～４０）、アルキルチオ基（例えば炭素数１～４０）、アリール基（例えば炭素数６～３０）、アリールオキシ基（例えば炭素数６～３０）、アリールチオ基（例えば炭素数６～３０）、ヘテロアリール基（例えば環骨格構成原子数５～３０）、ヘテロアリールオキシ基（例えば環骨格構成原子数５～３０）、ヘテロアリールチオ基（例えば環骨格構成原子数５～３０）、アシル基（例えば炭素数１～４０）、アルケニル基（例えば炭素数１～４０）、アルキニル基（例えば炭素数１～４０）、アルコキシカルボニル基（例えば炭素数１～４０）、アリールオキシカルボニル基（例えば炭素数１～４０）、ヘテロアリールオキシカルボニル基（例えば炭素数１～４０）、シリル基（例えば炭素数１～４０のトリアルキルシリル基）、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される１つの基または２つ以上を組み合わせた基を挙げることができる（以下においてこれらの基を「置換基群Ｂの基」という）。
Ｒ33とＲ34は、互いに単結合または連結基を介して結合して環状構造を形成してもよい。特にＲ33とＲ34がアリール基である場合は、互いに単結合または連結基を介して結合して環状構造を形成することが好ましい。ここでいう連結基としては－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ35）－、－Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）－、－Ｃ（＝Ｏ）－を挙げることができ、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ35）－、－Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）－が好ましく、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ35）－がより好ましい。Ｒ35～Ｒ37は各々独立に水素原子または置換基を表す。置換基としては、上記置換基群Ａの基を選択したり、下記置換基群Ｂの基を選択したりすることができ、好ましくは炭素数１～１０のアルキル基および炭素数６～１４のアリール基からなる群より選択される１つの基または２つ以上を組み合わせた基である。
一般式（６）で表される基は、下記一般式（７）で表される基であることが好ましい。
一般式（７）のＬ11は単結合もしくは２価の連結基を表す。Ｌ11の説明と好ましい範囲については、上記のＬ2の説明と好ましい範囲を参照することができる。
一般式（７）のＲ41～Ｒ48は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ41とＲ42、Ｒ42とＲ43、Ｒ43とＲ44、Ｒ44とＲ45、Ｒ45とＲ46、Ｒ46とＲ47、Ｒ47とＲ48は、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。互いに結合して形成する環状構造は芳香環であっても脂肪環であってもよく、またヘテロ原子を含むものであってもよく、さらに環状構造は２環以上の縮合環であってもよい。ここでいうヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択されるものであることが好ましい。形成される環状構造の例として、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、イミダゾリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、シクロヘキサジエン環、シクロヘキセン環、シクロペンタエン環、シクロヘプタトリエン環、シクロヘプタジエン環、シクロヘプタエン環、フラン環、チオフェン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノリン環などを挙げることができる。例えばフェナントレン環やトリフェニレン環のように多数の環が縮合した環を形成してもよい。一般式（７）で表される基に含まれる環の数は３～５の範囲内から選択してもよく、５～７の範囲内から選択してもよい。
Ｒ41～Ｒ48が採りうる置換基として、上記の置換基群Ｂの基を挙げることができ、好ましくは炭素数１～１０の無置換のアルキル基、または炭素数１～１０の無置換のアルキル基で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ41～Ｒ48は水素原子または炭素数１～１０の無置換のアルキル基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ41～Ｒ48は水素原子または炭素数６～１０の無置換のアリール基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ41～Ｒ48はすべてが水素原子である。
一般式（７）において、＊は結合位置を表す。
一般式（７）のＲ41～Ｒ48は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ41とＲ42、Ｒ42とＲ43、Ｒ43とＲ44、Ｒ44とＲ45、Ｒ45とＲ46、Ｒ46とＲ47、Ｒ47とＲ48は、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。互いに結合して形成する環状構造は芳香環であっても脂肪環であってもよく、またヘテロ原子を含むものであってもよく、さらに環状構造は２環以上の縮合環であってもよい。ここでいうヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択されるものであることが好ましい。形成される環状構造の例として、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、イミダゾリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、シクロヘキサジエン環、シクロヘキセン環、シクロペンタエン環、シクロヘプタトリエン環、シクロヘプタジエン環、シクロヘプタエン環、フラン環、チオフェン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノリン環などを挙げることができる。例えばフェナントレン環やトリフェニレン環のように多数の環が縮合した環を形成してもよい。一般式（７）で表される基に含まれる環の数は３～５の範囲内から選択してもよく、５～７の範囲内から選択してもよい。
Ｒ41～Ｒ48が採りうる置換基として、上記の置換基群Ｂの基を挙げることができ、好ましくは炭素数１～１０の無置換のアルキル基、または炭素数１～１０の無置換のアルキル基で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ41～Ｒ48は水素原子または炭素数１～１０の無置換のアルキル基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ41～Ｒ48は水素原子または炭素数６～１０の無置換のアリール基である。本発明の好ましい一態様では、Ｒ41～Ｒ48はすべてが水素原子である。
一般式（７）において、＊は結合位置を表す。
本発明の好ましい一態様では、遅延蛍光材料としてアザベンゼン誘導体を用いる。本発明の好ましい一態様では、アザベンゼン誘導体は、ベンゼン環の環骨格構成炭素原子の３つが窒素原子に置換したアザベンゼン構造を有する。例えば、１，３，５－トリアジン構造を有するアザベンゼン誘導体を好ましく選択することができる。本発明の好ましい一態様では、アザベンゼン誘導体は、ベンゼン環の環骨格構成炭素原子の２つが窒素原子に置換したアザベンゼン構造を有する。例えば、ピリダジン構造、ピリミジン構造、ピラジン構造を有するアザベンゼン誘導体を挙げることができ、ピリミジン構造を有するアザベンゼン誘導体を好ましく選択することができる。本発明の一態様では、アザベンゼン誘導体は、ベンゼン環の環骨格構成炭素原子の１つが窒素原子に置換したピリジン構造を有する。
本発明の好ましい一態様では、遅延蛍光材料として下記一般式（８）で表される化合物を用いる。
一般式（８）において、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3は、少なくとも１つが窒素原子で残りがメチン基を表す。本発明の一態様では、Ｙ1が窒素原子で、Ｙ2およびＹ3がメチン基である。好ましくはＹ1およびＹ2が窒素原子で、Ｙ3がメチン基である。より好ましくは、Ｙ1～Ｙ3のすべてが窒素原子である。
一般式（８）において、Ｚ1～Ｚ3は、各々独立に水素原子または置換基を表すが、少なくとも１つはドナー性の置換基である。ドナー性の置換基は、ハメットのσｐ値が負の基を意味する。好ましくは、Ｚ1～Ｚ3の少なくとも１つは、ジアリールアミノ構造（窒素原子に結合する２つのアリール基は互いに結合していてもよい）を含む基であり、より好ましくは上記一般式（６）で表される基であり、例えば上記一般式（７）で表される基である。本発明の一態様では、Ｚ1～Ｚ3の１つだけが一般式（６）または（７）で表される基である。本発明の一態様では、Ｚ1～Ｚ3の２つだけが各々独立に一般式（６）または（７）で表される基である。本発明の一態様では、Ｚ1～Ｚ3のすべてが各々独立に一般式（６）または（７）で表される基である。一般式（６）および一般式（７）の詳細と好ましい範囲については、上記の対応する記載を参照することができる。一般式（６）および一般式（７）で表される基ではない、残りのＺ1～Ｚ3は、置換もしくは無置換のアリール基（例えば炭素数６～４０、好ましくは６～２０）であることが好ましく、ここでいうアリール基の置換基としては、アリール基（例えば炭素数６～２０、好ましくは６～１４）およびアルキル基（例えば炭素数１～２０、好ましくは１～６）からなる群より選択される１つの基または２つ以上を組み合わせた基を例示することができる。本発明の一態様では、一般式（８）はシアノ基を含まない。
一般式（８）において、Ｚ1～Ｚ3は、各々独立に水素原子または置換基を表すが、少なくとも１つはドナー性の置換基である。ドナー性の置換基は、ハメットのσｐ値が負の基を意味する。好ましくは、Ｚ1～Ｚ3の少なくとも１つは、ジアリールアミノ構造（窒素原子に結合する２つのアリール基は互いに結合していてもよい）を含む基であり、より好ましくは上記一般式（６）で表される基であり、例えば上記一般式（７）で表される基である。本発明の一態様では、Ｚ1～Ｚ3の１つだけが一般式（６）または（７）で表される基である。本発明の一態様では、Ｚ1～Ｚ3の２つだけが各々独立に一般式（６）または（７）で表される基である。本発明の一態様では、Ｚ1～Ｚ3のすべてが各々独立に一般式（６）または（７）で表される基である。一般式（６）および一般式（７）の詳細と好ましい範囲については、上記の対応する記載を参照することができる。一般式（６）および一般式（７）で表される基ではない、残りのＺ1～Ｚ3は、置換もしくは無置換のアリール基（例えば炭素数６～４０、好ましくは６～２０）であることが好ましく、ここでいうアリール基の置換基としては、アリール基（例えば炭素数６～２０、好ましくは６～１４）およびアルキル基（例えば炭素数１～２０、好ましくは１～６）からなる群より選択される１つの基または２つ以上を組み合わせた基を例示することができる。本発明の一態様では、一般式（８）はシアノ基を含まない。
本発明の好ましい一態様では、遅延蛍光材料として下記一般式（９）で表される化合物を用いる。
一般式（９）において、Ａｒ1は、下記Ａ1およびＤ1に置換されていてもよい環状構造を形成し、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、またはフェナントレン環を表す。Ａｒ2、Ａｒ3は、それぞれ環状構造を形成していてもよく、環状構造を形成している場合はベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、またはシアノ基で置換されたベンゼン環を表す。ｍ１は０～２のいずれかの整数を表し、ｍ２は０～１のいずれかの整数を表す。Ａ1はシアノ基、フェニル基、ピリミジル基、トリアジル基、もしくはベンゾニトリル基を表す。Ｄ1は、置換もしくは無置換の５Ｈ－インドロ［３，２，１－ｄｅ］フェナジンー５－イル基、またはナフタレン構造を含まない置換もしくは無置換のヘテロ環縮合カルバゾリル基を表し、一般式（９）中に複数のＤ1が存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。また、Ｄ1の置換基は、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。
以下に、遅延蛍光材料として用いることができる好ましい化合物を挙げるが、本発明で用いることができる遅延蛍光材料はこれらの具体例により限定的に解釈されることはない。
本発明では、上記以外にも公知の遅延蛍光材料を一般式（１）で表される化合物と適宜組み合わせて用いることができる。また、知られていない遅延蛍光材料であっても、用いることが可能である。
遅延蛍光材料として、ＷＯ２０１３／１５４０６４号公報の段落０００８～００４８および００９５～０１３３、ＷＯ２０１３／０１１９５４号公報の段落０００７～００４７および００７３～００８５、ＷＯ２０１３／０１１９５５号公報の段落０００７～００３３および００５９～００６６、ＷＯ２０１３／０８１０８８号公報の段落０００８～００７１および０１１８～０１３３、特開２０１３－２５６４９０号公報の段落０００９～００４６および００９３～０１３４、特開２０１３－１１６９７５号公報の段落０００８～００２０および００３８～００４０、ＷＯ２０１３／１３３３５９号公報の段落０００７～００３２および００７９～００８４、ＷＯ２０１３／１６１４３７号公報の段落０００８～００５４および０１０１～０１２１、特開２０１４－９３５２号公報の段落０００７～００４１および００６０～００６９、特開２０１４－９２２４号公報の段落０００８～００４８および００６７～００７６、特開２０１７－１１９６６３号公報の段落００１３～００２５、特開２０１７－１１９６６４号公報の段落００１３～００２６、特開２０１７－２２２６２３号公報の段落００１２～００２５、特開２０１７－２２６８３８号公報の段落００１０～００５０、特開２０１８－１００４１１号公報の段落００１２～００４３、ＷＯ２０１８／０４７８５３号公報の段落００１６～００４４に記載される一般式に包含される化合物、特に例示化合物であって、遅延蛍光を放射するものを挙げることができる。また、特開２０１３－２５３１２１号公報、ＷＯ２０１３／１３３３５９号公報、ＷＯ２０１４／０３４５３５号公報、ＷＯ２０１４／１１５７４３号公報、ＷＯ２０１４／１２２８９５号公報、ＷＯ２０１４／１２６２００号公報、ＷＯ２０１４／１３６７５８号公報、ＷＯ２０１４／１３３１２１号公報、ＷＯ２０１４／１３６８６０号公報、ＷＯ２０１４／１９６５８５号公報、ＷＯ２０１４／１８９１２２号公報、ＷＯ２０１４／１６８１０１号公報、ＷＯ２０１５／００８５８０号公報、ＷＯ２０１４／２０３８４０号公報、ＷＯ２０１５／００２２１３号公報、ＷＯ２０１５／０１６２００号公報、ＷＯ２０１５／０１９７２５号公報、ＷＯ２０１５／０７２４７０号公報、ＷＯ２０１５／１０８０４９号公報、ＷＯ２０１５／０８０１８２号公報、ＷＯ２０１５／０７２５３７号公報、ＷＯ２０１５／０８０１８３号公報、特開２０１５－１２９２４０号公報、ＷＯ２０１５／１２９７１４号公報、ＷＯ２０１５／１２９７１５号公報、ＷＯ２０１５／１３３５０１号公報、ＷＯ２０１５／１３６８８０号公報、ＷＯ２０１５／１３７２４４号公報、ＷＯ２０１５／１３７２０２号公報、ＷＯ２０１５／１３７１３６号公報、ＷＯ２０１５／１４６５４１号公報、ＷＯ２０１５／１５９５４１号公報に記載される発光材料であって、遅延蛍光を放射するものを採用することもできる。なお、この段落に記載される上記の公報は、本明細書の一部としてここに引用している。
遅延蛍光材料として、ＷＯ２０１３／１５４０６４号公報の段落０００８～００４８および００９５～０１３３、ＷＯ２０１３／０１１９５４号公報の段落０００７～００４７および００７３～００８５、ＷＯ２０１３／０１１９５５号公報の段落０００７～００３３および００５９～００６６、ＷＯ２０１３／０８１０８８号公報の段落０００８～００７１および０１１８～０１３３、特開２０１３－２５６４９０号公報の段落０００９～００４６および００９３～０１３４、特開２０１３－１１６９７５号公報の段落０００８～００２０および００３８～００４０、ＷＯ２０１３／１３３３５９号公報の段落０００７～００３２および００７９～００８４、ＷＯ２０１３／１６１４３７号公報の段落０００８～００５４および０１０１～０１２１、特開２０１４－９３５２号公報の段落０００７～００４１および００６０～００６９、特開２０１４－９２２４号公報の段落０００８～００４８および００６７～００７６、特開２０１７－１１９６６３号公報の段落００１３～００２５、特開２０１７－１１９６６４号公報の段落００１３～００２６、特開２０１７－２２２６２３号公報の段落００１２～００２５、特開２０１７－２２６８３８号公報の段落００１０～００５０、特開２０１８－１００４１１号公報の段落００１２～００４３、ＷＯ２０１８／０４７８５３号公報の段落００１６～００４４に記載される一般式に包含される化合物、特に例示化合物であって、遅延蛍光を放射するものを挙げることができる。また、特開２０１３－２５３１２１号公報、ＷＯ２０１３／１３３３５９号公報、ＷＯ２０１４／０３４５３５号公報、ＷＯ２０１４／１１５７４３号公報、ＷＯ２０１４／１２２８９５号公報、ＷＯ２０１４／１２６２００号公報、ＷＯ２０１４／１３６７５８号公報、ＷＯ２０１４／１３３１２１号公報、ＷＯ２０１４／１３６８６０号公報、ＷＯ２０１４／１９６５８５号公報、ＷＯ２０１４／１８９１２２号公報、ＷＯ２０１４／１６８１０１号公報、ＷＯ２０１５／００８５８０号公報、ＷＯ２０１４／２０３８４０号公報、ＷＯ２０１５／００２２１３号公報、ＷＯ２０１５／０１６２００号公報、ＷＯ２０１５／０１９７２５号公報、ＷＯ２０１５／０７２４７０号公報、ＷＯ２０１５／１０８０４９号公報、ＷＯ２０１５／０８０１８２号公報、ＷＯ２０１５／０７２５３７号公報、ＷＯ２０１５／０８０１８３号公報、特開２０１５－１２９２４０号公報、ＷＯ２０１５／１２９７１４号公報、ＷＯ２０１５／１２９７１５号公報、ＷＯ２０１５／１３３５０１号公報、ＷＯ２０１５／１３６８８０号公報、ＷＯ２０１５／１３７２４４号公報、ＷＯ２０１５／１３７２０２号公報、ＷＯ２０１５／１３７１３６号公報、ＷＯ２０１５／１４６５４１号公報、ＷＯ２０１５／１５９５４１号公報に記載される発光材料であって、遅延蛍光を放射するものを採用することもできる。なお、この段落に記載される上記の公報は、本明細書の一部としてここに引用している。
本発明で用いる遅延蛍光材料は金属原子を含まないことが好ましい。例えば、遅延蛍光材料として、炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子からなる化合物を選択することができる。例えば、遅延蛍光材料として、炭素原子、水素原子、窒素原子および酸素原子からなる群より選択される原子からなる化合物を選択することができる。例えば、遅延蛍光材料として、炭素原子、水素原子および窒素原子からなる化合物を選択することができる。
なお、本明細書におけるアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基等は、他に断りがない限り下記の内容を表す。
「アルキル基」は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、直鎖部分と環状部分と分枝部分のうちの２種以上が混在していてもよい。アルキル基の炭素数は、例えば１以上、２以上、４以上とすることができる。また、炭素数は３０以下、２０以下、１０以下、６以下、４以下とすることができる。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、tert－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、イソヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ｎ－ノニル基、イソノニル基、ｎ－デカニル基、イソデカニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基を挙げることができる。置換基たるアルキル基は、さらにアリール基で置換されていてもよい。「アルコキシ基」、「アルキルチオ基」、「アシル基」および「アルコキシカルボニル基」のアルキル部分についても、ここでいう「アルキル基」の説明を参照することができる。
「アルケニル基」は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、直鎖部分と環状部分と分枝部分のうちの２種以上が混在していてもよい。アルケニル基の炭素数は、例えば２以上、４以上とすることができる。また、炭素数は３０以下、２０以下、１０以下、６以下、４以下とすることができる。アルケニル基の具体例として、エテニル基、ｎ－プロペニル基、イソプロペニル基、ｎ－ブテニル基、イソブテニル基、ｎ－ペンテニル基、イソペンテニル基、ｎ－ヘキセニル基、イソヘキセニル基、２－エチルヘキセニル基を挙げることができる。置換基たるアルケニル基は、さらに置換基で置換されていてもよい。
「アリール基」および「ヘテロアリール基」は、単環であってもよいし、２つ以上の環が縮合した縮合環であってもよい。縮合環である場合、縮合している環の数は２～６であることが好ましく、例えば２～４の中から選択することができる。環の具体例として、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、キノリン環、ピラジン環、キノキサリン環、ナフチリジン環を挙げることができる。アリール基またはヘテロアリール基の具体例として、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、２－ピリジル基、３－ピリジル基、４－ピリジル基を挙げることができる。「アリーレン基」および「ヘテロアリール基」は、アリール基およびヘテロアリール基の説明における価数を１から２へ読み替えたものとすることができる。「アリールオキシ基」、「アリールチオ基」および「アリールオキシカルボニル基」のアリール部分についても、ここでいう「アリール基」の説明を参照することができる。「ヘテロアリールオキシ基」、「ヘテロアリールチオ基」および「ヘテロアリールオキシカルボニル基」のヘテロアリール部分についても、ここでいう「ヘテロアリール基」の説明を参照することができる。
「アルキル基」は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、直鎖部分と環状部分と分枝部分のうちの２種以上が混在していてもよい。アルキル基の炭素数は、例えば１以上、２以上、４以上とすることができる。また、炭素数は３０以下、２０以下、１０以下、６以下、４以下とすることができる。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、tert－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、イソヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ｎ－ノニル基、イソノニル基、ｎ－デカニル基、イソデカニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基を挙げることができる。置換基たるアルキル基は、さらにアリール基で置換されていてもよい。「アルコキシ基」、「アルキルチオ基」、「アシル基」および「アルコキシカルボニル基」のアルキル部分についても、ここでいう「アルキル基」の説明を参照することができる。
「アルケニル基」は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、直鎖部分と環状部分と分枝部分のうちの２種以上が混在していてもよい。アルケニル基の炭素数は、例えば２以上、４以上とすることができる。また、炭素数は３０以下、２０以下、１０以下、６以下、４以下とすることができる。アルケニル基の具体例として、エテニル基、ｎ－プロペニル基、イソプロペニル基、ｎ－ブテニル基、イソブテニル基、ｎ－ペンテニル基、イソペンテニル基、ｎ－ヘキセニル基、イソヘキセニル基、２－エチルヘキセニル基を挙げることができる。置換基たるアルケニル基は、さらに置換基で置換されていてもよい。
「アリール基」および「ヘテロアリール基」は、単環であってもよいし、２つ以上の環が縮合した縮合環であってもよい。縮合環である場合、縮合している環の数は２～６であることが好ましく、例えば２～４の中から選択することができる。環の具体例として、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、キノリン環、ピラジン環、キノキサリン環、ナフチリジン環を挙げることができる。アリール基またはヘテロアリール基の具体例として、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、２－ピリジル基、３－ピリジル基、４－ピリジル基を挙げることができる。「アリーレン基」および「ヘテロアリール基」は、アリール基およびヘテロアリール基の説明における価数を１から２へ読み替えたものとすることができる。「アリールオキシ基」、「アリールチオ基」および「アリールオキシカルボニル基」のアリール部分についても、ここでいう「アリール基」の説明を参照することができる。「ヘテロアリールオキシ基」、「ヘテロアリールチオ基」および「ヘテロアリールオキシカルボニル基」のヘテロアリール部分についても、ここでいう「ヘテロアリール基」の説明を参照することができる。
（組成物）
本発明の組成物は、一般式（１）で表される化合物と遅延蛍光材料を含む。本発明の一態様では、組成物は、１種以上の一般式（１）で表される化合物と、１種以上の遅延蛍光材料だけで構成される。本発明の一態様では、組成物は、１種の一般式（１）で表される化合物と、１種の遅延蛍光材料だけで構成される。本発明の一態様では、組成物は一般式（１）で表される化合物と遅延蛍光材料以外に第３の成分を含む。ここでいう第３の成分は、一般式（１）で表される化合物ではなく、また、遅延蛍光材料でもない。第３の成分は１種のみ含まれていてもよいし、２種以上が含まれていてもよい。組成物における第３の成分の含有量は、３０重量％以下の範囲内で選択してもよいし、１０重量％以下の範囲内で選択してもよいし、１重量％以下の範囲内で選択してもよいし、０．１重量％以下の範囲内で選択してもよい。本発明の一態様では、第３成分は発光しない。本発明の一態様では、第３成分は蛍光を発光する。本発明の好ましい一態様では、本発明組成物からの発光の最大成分は蛍光（遅延蛍光を含む）である。
本発明の組成物において、一般式（１）で表される化合物は遅延蛍光材料よりも重量基準の含有量が多い。一般式（１）で表される化合物の含有量は、遅延蛍光材料の含有量の３重量倍以上の範囲内で選択してもよいし、１０重量倍以上の範囲内で選択してもよいし、１００重量倍以上の範囲内で選択してもよいし、１０００重量倍以上の範囲内で選択してもよく、また、例えば１００００重量倍以下の範囲内で選択してもよい。
本発明の組成物では、一般式（１）で表される化合物の励起一重項エネルギーよりも小さい励起一重項エネルギーを有する遅延蛍光材料を選択することが好ましい。励起一重項エネルギーの差は、０．１ｅＶ以上としたり、０．３ｅＶ以上としたり、０．５ｅＶ以上としたりしてもよく、２ｅＶ以下としたり、１．５ｅＶ以下としたり、１．０ｅＶ以下としたりしてもよい。
本発明の組成物は、金属元素を含まないことが好ましい。本発明の一態様では、本発明の組成物は炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子およびハロゲン原子からなる群より選択される原子のみからなる。本発明の一態様では、本発明の組成物は炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子のみからなる。
本発明の組成物は、一般式（１）で表される化合物と遅延蛍光材料を含む。本発明の一態様では、組成物は、１種以上の一般式（１）で表される化合物と、１種以上の遅延蛍光材料だけで構成される。本発明の一態様では、組成物は、１種の一般式（１）で表される化合物と、１種の遅延蛍光材料だけで構成される。本発明の一態様では、組成物は一般式（１）で表される化合物と遅延蛍光材料以外に第３の成分を含む。ここでいう第３の成分は、一般式（１）で表される化合物ではなく、また、遅延蛍光材料でもない。第３の成分は１種のみ含まれていてもよいし、２種以上が含まれていてもよい。組成物における第３の成分の含有量は、３０重量％以下の範囲内で選択してもよいし、１０重量％以下の範囲内で選択してもよいし、１重量％以下の範囲内で選択してもよいし、０．１重量％以下の範囲内で選択してもよい。本発明の一態様では、第３成分は発光しない。本発明の一態様では、第３成分は蛍光を発光する。本発明の好ましい一態様では、本発明組成物からの発光の最大成分は蛍光（遅延蛍光を含む）である。
本発明の組成物において、一般式（１）で表される化合物は遅延蛍光材料よりも重量基準の含有量が多い。一般式（１）で表される化合物の含有量は、遅延蛍光材料の含有量の３重量倍以上の範囲内で選択してもよいし、１０重量倍以上の範囲内で選択してもよいし、１００重量倍以上の範囲内で選択してもよいし、１０００重量倍以上の範囲内で選択してもよく、また、例えば１００００重量倍以下の範囲内で選択してもよい。
本発明の組成物では、一般式（１）で表される化合物の励起一重項エネルギーよりも小さい励起一重項エネルギーを有する遅延蛍光材料を選択することが好ましい。励起一重項エネルギーの差は、０．１ｅＶ以上としたり、０．３ｅＶ以上としたり、０．５ｅＶ以上としたりしてもよく、２ｅＶ以下としたり、１．５ｅＶ以下としたり、１．０ｅＶ以下としたりしてもよい。
本発明の組成物は、金属元素を含まないことが好ましい。本発明の一態様では、本発明の組成物は炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子およびハロゲン原子からなる群より選択される原子のみからなる。本発明の一態様では、本発明の組成物は炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子のみからなる。
また、本発明の一態様では、一般式（１）で表される化合物は、遅延蛍光材料および蛍光性化合物とともに用いるためのホスト材料として有用である。このため、本発明の一態様では、本発明の組成物は一般式（１）で表される化合物と遅延蛍光材料の他に蛍光性化合物も含む。
蛍光性化合物は、一般式（１）で表される化合物および遅延蛍光材料よりも最低励起一重項エネルギー（ＥS1）が小さいことが好ましい。蛍光性化合物は、励起一重項状態の一般式（１）で表される化合物および遅延蛍光材料と、励起三重項状態から逆項間交差して励起一重項状態になった遅延蛍光材料からエネルギーを受け取って一重項励起状態に遷移し、その後基底状態に戻るときに蛍光を放射する。蛍光性化合物としては、このように一般式（１）で表される化合物および遅延蛍光材料からエネルギーを受け取って蛍光を放射し得るものであれば特に限定されず、発光は蛍光であっても、遅延蛍光であっても構わない。中でも、蛍光性化合物として用いる発光体は、最低励起一重項エネルギー準位から基底エネルギー準位に戻るときに蛍光を放射するものであることが好ましい。蛍光性化合物は、２種以上を用いてもよい。例えば、発光色が異なる２種以上の蛍光性化合物を併用することにより、所望の色を発光させることが可能になる。
蛍光性化合物としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、クリセン誘導体、ルブレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、スチルベン誘導体、フルオレン誘導体、アントリル誘導体、ピロメテン誘導体、ターフェニル誘導体、ターフェニレン誘導体、フルオランテン誘導体、アミン誘導体、キナクリドン誘導体、オキサジアゾール誘導体、マロノニトリル誘導体、ピラン誘導体、カルバゾール誘導体、ジュロリジン誘導体、チアゾール誘導体、金属（Al,Zn）を有する誘導体、ジアザボラナフトアントラセン等の含ホウ素多環芳香族骨格を持つ化合物等の多重共鳴効果を有する化合物等を用いることが可能である。これらの例示骨格には置換基を有してもよいし、置換基を有していなくてもよい。また、これらの例示骨格どうしを組み合わせてもよい。
蛍光性化合物としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、クリセン誘導体、ルブレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、スチルベン誘導体、フルオレン誘導体、アントリル誘導体、ピロメテン誘導体、ターフェニル誘導体、ターフェニレン誘導体、フルオランテン誘導体、アミン誘導体、キナクリドン誘導体、オキサジアゾール誘導体、マロノニトリル誘導体、ピラン誘導体、カルバゾール誘導体、ジュロリジン誘導体、チアゾール誘導体、金属（Al,Zn）を有する誘導体、ジアザボラナフトアントラセン等の含ホウ素多環芳香族骨格を持つ化合物等の多重共鳴効果を有する化合物等を用いることが可能である。これらの例示骨格には置換基を有してもよいし、置換基を有していなくてもよい。また、これらの例示骨格どうしを組み合わせてもよい。
蛍光性化合物の具体例としては、遅延蛍光材料の具体例として挙げた化合物を挙げることができる。このとき、本発明の組成物には２種以上の遅延蛍光材料が含まれることになるが、最低励起一重項エネルギーがより高い方がアシストドーパントとして機能し、最低励起一重項エネルギーがより低い方が主として発光する蛍光性化合物として機能する。蛍光性化合物として用いられる化合物は、６０％以上のＰＬ発光量子収率を示すことが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。また、蛍光性化合物として用いられる化合物は、５０ｎｓ以下の瞬時蛍光寿命を示すことが好ましく、２０ｎｓ以下であることがより好ましい。この時の瞬時蛍光寿命とは、熱活性型遅延蛍光を示す化合物について、発光寿命測定を行った時に観測される複数の指数減衰成分のうち最も早く減衰する成分の発光寿命のことである。また、第３化合物として用いられる化合物は、最低励起一重項（Ｓ１）から基底状態への蛍光放射速度がＳ１から最低励起三重項（Ｔ１）への項間交差速度よりも大きいことが好ましい。化合物の速度定数の算出方法については、熱活性型遅延蛍光材料に関する公知の文献（H. Uoyama, et al., Nature 492, 234 (2012)やK. Masui, et al., Org. Electron. 14, 2721, (2013)等）を参照することができる。
以下に、遅延蛍光材料とともに用いる蛍光性化合物として用いることができる好ましい化合物を挙げるが、本発明で用いることができる蛍光性化合物はこれらの具体例により限定的に解釈されることはない。
また、ＷＯ２０１５／０２２９７４号公報の段落０２２０～０２３９に記載の化合物も、本発明の蛍光性化合物として、特に好ましく採用することができる。
また、本発明の一態様では、一般式（１）で表される化合物を他のホスト材料とともに用いて、複数のホスト材料を含む発光層（組成物）として用いることができる。すなわち、本発明の一態様では、本発明の組成物は一般式（１）で表される化合物を含む複数のホスト材料を含有する。本発明の組成物には、一般式（１）で表される複数種の化合物を用いてもよいし、一般式（１）で表される化合物と一般式（１）で表されないホスト材料を組み合わせて用いてもよい。
以下に、一般式（１）で表される化合物とともに用いられる第二のホスト材料として用いることができる好ましい化合物を挙げるが、本発明で用いることができる第二のホスト材料はこれらの具体例により限定的に解釈されることはない。
以下に、一般式（１）で表される化合物とともに用いられる第二のホスト材料として用いることができる好ましい化合物を挙げるが、本発明で用いることができる第二のホスト材料はこれらの具体例により限定的に解釈されることはない。
本発明の組成物の形態は特に制限されない。本発明の特に好ましい一態様では、本発明の組成物は膜（フィルム）状である。本発明の組成物からなる膜は湿式工程で形成してもよいし、乾式工程で形成してもよい。
湿式工程では、本発明の組成物を溶解した溶液を面に塗布し、溶媒の除去後に発光層を形成する。湿式工程として、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法（スプレー法）、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。湿式工程では、本発明の組成物を溶解することができる適切な有機溶媒を選択して用いる。ある実施形態では、本発明の組成物に含まれる化合物に、有機溶媒に対する溶解性を上げる置換基（例えばアルキル基）を導入することができる。
乾式工程としては真空蒸着法を好ましく採用することができる。真空蒸着法を採用する場合は、本発明の組成物を構成する各化合物を個別の蒸着源から共蒸着させてもよいし、全化合物を混合した単一の蒸着源から共蒸着させてもよい。単一の蒸着源を用いる場合は、全化合物の粉末を混合した混合粉を用いてもよいし、その混合粉を圧縮した圧縮成形体を用いてもよいし、各化合物を加熱溶融して混合した後に冷却した混合物を用いてもよい。ある実施形態では、単一の蒸着源に含まれる複数の化合物の蒸着速度（重量減少速度）が一致ないしほぼ一致する条件で共蒸着を行うことにより、蒸着源に含まれる複数の化合物の組成比に対応する組成比の膜を形成することができる。形成される膜の組成比と同じ組成比で複数の化合物を混合して蒸着源とすれば、所望の組成比を有する膜を簡便に形成することができる。ある実施形態では、共蒸着される各化合物が同じ重量減少率になる温度を特定して、その温度を共蒸着時の温度として採用することができる。膜を蒸着法により製膜する場合は、組成物を構成する各化合物の分子量は１５００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましく、９００以下であることがさらにより好ましい。分子量の下限値は、例えば４５０であったり、５００であったり、６００であったりしてもよい。
湿式工程では、本発明の組成物を溶解した溶液を面に塗布し、溶媒の除去後に発光層を形成する。湿式工程として、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法（スプレー法）、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。湿式工程では、本発明の組成物を溶解することができる適切な有機溶媒を選択して用いる。ある実施形態では、本発明の組成物に含まれる化合物に、有機溶媒に対する溶解性を上げる置換基（例えばアルキル基）を導入することができる。
乾式工程としては真空蒸着法を好ましく採用することができる。真空蒸着法を採用する場合は、本発明の組成物を構成する各化合物を個別の蒸着源から共蒸着させてもよいし、全化合物を混合した単一の蒸着源から共蒸着させてもよい。単一の蒸着源を用いる場合は、全化合物の粉末を混合した混合粉を用いてもよいし、その混合粉を圧縮した圧縮成形体を用いてもよいし、各化合物を加熱溶融して混合した後に冷却した混合物を用いてもよい。ある実施形態では、単一の蒸着源に含まれる複数の化合物の蒸着速度（重量減少速度）が一致ないしほぼ一致する条件で共蒸着を行うことにより、蒸着源に含まれる複数の化合物の組成比に対応する組成比の膜を形成することができる。形成される膜の組成比と同じ組成比で複数の化合物を混合して蒸着源とすれば、所望の組成比を有する膜を簡便に形成することができる。ある実施形態では、共蒸着される各化合物が同じ重量減少率になる温度を特定して、その温度を共蒸着時の温度として採用することができる。膜を蒸着法により製膜する場合は、組成物を構成する各化合物の分子量は１５００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましく、９００以下であることがさらにより好ましい。分子量の下限値は、例えば４５０であったり、５００であったり、６００であったりしてもよい。
（有機発光素子）
本発明の組成物からなる発光層を形成することにより、有機フォトルミネッセンス素子（有機ＰＬ素子）や有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）などの優れた有機発光素子を提供することができる。本発明の有機発光素子は蛍光発光素子であり、素子からの発光の最大成分は蛍光である（ここでいう蛍光には遅延蛍光が含まれる）。
発光層の厚さは例えば１～１５ｎｍとしたり、２～１０ｎｍとしたり、３～７ｎｍとすることができる。
有機フォトルミネッセンス素子は、基材上に少なくとも発光層を形成した構造を有する。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも陽極、陰極、および陽極と陰極の間に有機層を形成した構造を有する。有機層は、少なくとも発光層を含むものであり、発光層のみからなるものであってもよいし、発光層の他に１層以上の有機層を有するものであってもよい。そのような他の有機層として、正孔輸送層、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層、電子注入層、電子輸送層、励起子障壁層などを挙げることができる。正孔輸送層は正孔注入機能を有した正孔注入輸送層でもよく、電子輸送層は電子注入機能を有した電子注入輸送層でもよい。具体的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を図１に示す。図１において、１は基材、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を表わす。
本発明の有機発光素子が多波長発光型の有機発光素子であるとき、最も短波長な発光が遅延蛍光を含むものとすることができる。また、最も短波長な発光が遅延蛍光を含まないものとすることもできる。
本発明の組成物を用いた有機発光素子は、熱的または電子的手段で励起されるとき、紫外領域、可視スペクトルのうち青色、緑色、黄色、オレンジ色、赤色領域（例えば４２０～５００ｎｍ、５００～６００ｎｍまたは６００～７００ｎｍ）または近赤外線領域で光を発することができる。例えば有機発光素子は赤色またはオレンジ色領域（例えば６２０～７８０ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子はオレンジ色または黄色領域（例えば５７０～６２０ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子は緑色領域（例えば４９０～５７５ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子は青色領域（例えば４００～４９０ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子は紫外スペクトル領域（例えば２８０～４００ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子は赤外スペクトル領域（例えば７８０ｎｍ～２μｍ）で光を発することができる。
本発明の組成物を用いた有機発光素子からの発光の最大成分は、本発明の組成物に含まれる遅延蛍光材料からの発光であることが好ましい。一般式（１）で表される化合物からの発光は、有機発光素子からの発光の１０％未満であることが好ましく、例えば１％未満、０．１％未満、０．０１％未満、検出限界以下であってもよい。遅延蛍光材料からの発光は、有機発光素子からの発光の例えば５０％超、９０％超、９９％超であってもよい。本発明の組成物を含む層（発光層）が第３成分として蛍光材料を含む場合は、有機発光素子からの発光の最大成分はその蛍光材料からの発光であってもよい。その場合は、発光材料からの発光は有機発光素子からの発光の例えば５０％超、９０％超、９９％超であってもよい。
本発明の組成物からなる発光層を形成することにより、有機フォトルミネッセンス素子（有機ＰＬ素子）や有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）などの優れた有機発光素子を提供することができる。本発明の有機発光素子は蛍光発光素子であり、素子からの発光の最大成分は蛍光である（ここでいう蛍光には遅延蛍光が含まれる）。
発光層の厚さは例えば１～１５ｎｍとしたり、２～１０ｎｍとしたり、３～７ｎｍとすることができる。
有機フォトルミネッセンス素子は、基材上に少なくとも発光層を形成した構造を有する。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも陽極、陰極、および陽極と陰極の間に有機層を形成した構造を有する。有機層は、少なくとも発光層を含むものであり、発光層のみからなるものであってもよいし、発光層の他に１層以上の有機層を有するものであってもよい。そのような他の有機層として、正孔輸送層、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層、電子注入層、電子輸送層、励起子障壁層などを挙げることができる。正孔輸送層は正孔注入機能を有した正孔注入輸送層でもよく、電子輸送層は電子注入機能を有した電子注入輸送層でもよい。具体的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を図１に示す。図１において、１は基材、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を表わす。
本発明の有機発光素子が多波長発光型の有機発光素子であるとき、最も短波長な発光が遅延蛍光を含むものとすることができる。また、最も短波長な発光が遅延蛍光を含まないものとすることもできる。
本発明の組成物を用いた有機発光素子は、熱的または電子的手段で励起されるとき、紫外領域、可視スペクトルのうち青色、緑色、黄色、オレンジ色、赤色領域（例えば４２０～５００ｎｍ、５００～６００ｎｍまたは６００～７００ｎｍ）または近赤外線領域で光を発することができる。例えば有機発光素子は赤色またはオレンジ色領域（例えば６２０～７８０ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子はオレンジ色または黄色領域（例えば５７０～６２０ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子は緑色領域（例えば４９０～５７５ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子は青色領域（例えば４００～４９０ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子は紫外スペクトル領域（例えば２８０～４００ｎｍ）で光を発することができる。例えば有機発光素子は赤外スペクトル領域（例えば７８０ｎｍ～２μｍ）で光を発することができる。
本発明の組成物を用いた有機発光素子からの発光の最大成分は、本発明の組成物に含まれる遅延蛍光材料からの発光であることが好ましい。一般式（１）で表される化合物からの発光は、有機発光素子からの発光の１０％未満であることが好ましく、例えば１％未満、０．１％未満、０．０１％未満、検出限界以下であってもよい。遅延蛍光材料からの発光は、有機発光素子からの発光の例えば５０％超、９０％超、９９％超であってもよい。本発明の組成物を含む層（発光層）が第３成分として蛍光材料を含む場合は、有機発光素子からの発光の最大成分はその蛍光材料からの発光であってもよい。その場合は、発光材料からの発光は有機発光素子からの発光の例えば５０％超、９０％超、９９％超であってもよい。
以下において、有機エレクトロルミネッセンス素子の各部材および発光層以外の各層について説明する。
基材：
いくつかの実施形態では、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は基材により保持され、当該基材は特に限定されず、有機エレクトロルミネッセンス素子で一般的に用いられる、例えばガラス、透明プラスチック、クォーツおよびシリコンにより形成されたいずれかの材料を用いればよい。
いくつかの実施形態では、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は基材により保持され、当該基材は特に限定されず、有機エレクトロルミネッセンス素子で一般的に用いられる、例えばガラス、透明プラスチック、クォーツおよびシリコンにより形成されたいずれかの材料を用いればよい。
陽極：
いくつかの実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス装置の陽極は、金属、合金、導電性化合物またはそれらの組み合わせから製造される。いくつかの実施形態では、前記の金属、合金または導電性化合物は高い仕事関数（４ｅＶ以上）を有する。いくつかの実施形態では、前記金属はＡｕである。いくつかの実施形態では、導電性の透明材料は、ＣｕＩ、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2およびＺｎＯから選択される。いくつかの実施形態では、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3－ＺｎＯ）などの、透明な導電性フィルムを形成できるアモルファス材料を使用する。いくつかの実施形態では、前記陽極は薄膜である。いくつかの実施形態では、前記薄膜は蒸着またはスパッタリングにより作製される。いくつかの実施形態では、前記フィルムはフォトリソグラフィー方法によりパターン化される。いくつかの実施形態では、パターンが高精度である必要がない（例えば約１００μｍ以上）場合、当該パターンは、電極材料への蒸着またはスパッタリングに好適な形状のマスクを用いて形成してもよい。いくつかの実施形態では、有機導電性化合物などのコーティング材料を塗布しうるとき、プリント法やコーティング法などの湿式フィルム形成方法が用いられる。いくつかの実施形態では、放射光が陽極を通過するとき、陽極は１０％超の透過度を有し、当該陽極は、単位面積あたり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは１０～１，０００ｎｍである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは１０～２００ｎｍである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは用いる材料に応じて変動する。
いくつかの実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス装置の陽極は、金属、合金、導電性化合物またはそれらの組み合わせから製造される。いくつかの実施形態では、前記の金属、合金または導電性化合物は高い仕事関数（４ｅＶ以上）を有する。いくつかの実施形態では、前記金属はＡｕである。いくつかの実施形態では、導電性の透明材料は、ＣｕＩ、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2およびＺｎＯから選択される。いくつかの実施形態では、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3－ＺｎＯ）などの、透明な導電性フィルムを形成できるアモルファス材料を使用する。いくつかの実施形態では、前記陽極は薄膜である。いくつかの実施形態では、前記薄膜は蒸着またはスパッタリングにより作製される。いくつかの実施形態では、前記フィルムはフォトリソグラフィー方法によりパターン化される。いくつかの実施形態では、パターンが高精度である必要がない（例えば約１００μｍ以上）場合、当該パターンは、電極材料への蒸着またはスパッタリングに好適な形状のマスクを用いて形成してもよい。いくつかの実施形態では、有機導電性化合物などのコーティング材料を塗布しうるとき、プリント法やコーティング法などの湿式フィルム形成方法が用いられる。いくつかの実施形態では、放射光が陽極を通過するとき、陽極は１０％超の透過度を有し、当該陽極は、単位面積あたり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは１０～１，０００ｎｍである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは１０～２００ｎｍである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは用いる材料に応じて変動する。
陰極：
いくつかの実施形態では、前記陰極は、低い仕事関数を有する金属（４ｅＶ以下）（電子注入金属と称される）、合金、導電性化合物またはその組み合わせなどの電極材料で作製される。いくつかの実施形態では、前記電極材料は、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム－銅混合物、マグネシウム－銀混合物、マグネシウム－アルミニウム混合物、マグネシウム－インジウム混合物、アルミニウム－酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム－アルミニウム混合物および希土類元素から選択される。いくつかの実施形態では、電子注入金属と、電子注入金属より高い仕事関数を有する安定な金属である第２の金属との混合物が用いられる。いくつかの実施形態では、前記混合物は、マグネシウム－銀混合物、マグネシウム－アルミニウム混合物、マグネシウム－インジウム混合物、アルミニウム－酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム－アルミニウム混合物およびアルミニウムから選択される。いくつかの実施形態では、前記混合物は電子注入特性および酸化に対する耐性を向上させる。いくつかの実施形態では、陰極は、蒸着またはスパッタリングにより電極材料を薄膜として形成させることによって製造される。いくつかの実施形態では、前記陰極は単位面積当たり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は１０ｎｍ～５μｍである。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は５０～２００ｎｍである。いくつかの実施形態では、放射光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極および陰極のいずれか１つは透明または半透明である。いくつかの実施形態では、透明または半透明のエレクトロルミネッセンス素子は光放射輝度を向上させる。
いくつかの実施形態では、前記陰極を、前記陽極に関して前述した導電性の透明な材料で形成されることにより、透明または半透明の陰極が形成される。いくつかの実施形態では、素子は陽極と陰極とを含むが、いずれも透明または半透明である。
いくつかの実施形態では、前記陰極は、低い仕事関数を有する金属（４ｅＶ以下）（電子注入金属と称される）、合金、導電性化合物またはその組み合わせなどの電極材料で作製される。いくつかの実施形態では、前記電極材料は、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム－銅混合物、マグネシウム－銀混合物、マグネシウム－アルミニウム混合物、マグネシウム－インジウム混合物、アルミニウム－酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム－アルミニウム混合物および希土類元素から選択される。いくつかの実施形態では、電子注入金属と、電子注入金属より高い仕事関数を有する安定な金属である第２の金属との混合物が用いられる。いくつかの実施形態では、前記混合物は、マグネシウム－銀混合物、マグネシウム－アルミニウム混合物、マグネシウム－インジウム混合物、アルミニウム－酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム－アルミニウム混合物およびアルミニウムから選択される。いくつかの実施形態では、前記混合物は電子注入特性および酸化に対する耐性を向上させる。いくつかの実施形態では、陰極は、蒸着またはスパッタリングにより電極材料を薄膜として形成させることによって製造される。いくつかの実施形態では、前記陰極は単位面積当たり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は１０ｎｍ～５μｍである。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は５０～２００ｎｍである。いくつかの実施形態では、放射光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極および陰極のいずれか１つは透明または半透明である。いくつかの実施形態では、透明または半透明のエレクトロルミネッセンス素子は光放射輝度を向上させる。
いくつかの実施形態では、前記陰極を、前記陽極に関して前述した導電性の透明な材料で形成されることにより、透明または半透明の陰極が形成される。いくつかの実施形態では、素子は陽極と陰極とを含むが、いずれも透明または半透明である。
注入層：
注入層は、電極と有機層との間の層である。いくつかの実施形態では、前記注入層は駆動電圧を減少させ、光放射輝度を増強する。いくつかの実施形態では、前記注入層は、正孔注入層と電子注入層とを含む。前記注入層は、陽極と発光層または正孔輸送層との間、並びに陰極と発光層または電子輸送層との間に配置することがきる。いくつかの実施形態では、注入層が存在する。いくつかの実施形態では、注入層が存在しない。
以下に、正孔注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
注入層は、電極と有機層との間の層である。いくつかの実施形態では、前記注入層は駆動電圧を減少させ、光放射輝度を増強する。いくつかの実施形態では、前記注入層は、正孔注入層と電子注入層とを含む。前記注入層は、陽極と発光層または正孔輸送層との間、並びに陰極と発光層または電子輸送層との間に配置することがきる。いくつかの実施形態では、注入層が存在する。いくつかの実施形態では、注入層が存在しない。
以下に、正孔注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
次に、電子注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
障壁層：
障壁層は、発光層に存在する電荷（電子または正孔）および／または励起子が、発光層の外側に拡散することを阻止できる層である。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層と正孔輸送層との間に存在し、電子が発光層を通過して正孔輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層と電子輸送層との間に存在し、正孔が発光層を通過して電子輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、障壁層は、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層および正孔障壁層は励起子障壁層を構成する。本明細書で用いる用語「電子障壁層」または「励起子障壁層」には、電子障壁層の、および励起子障壁層の機能の両方を有する層が含まれる。
障壁層は、発光層に存在する電荷（電子または正孔）および／または励起子が、発光層の外側に拡散することを阻止できる層である。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層と正孔輸送層との間に存在し、電子が発光層を通過して正孔輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層と電子輸送層との間に存在し、正孔が発光層を通過して電子輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、障壁層は、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層および正孔障壁層は励起子障壁層を構成する。本明細書で用いる用語「電子障壁層」または「励起子障壁層」には、電子障壁層の、および励起子障壁層の機能の両方を有する層が含まれる。
正孔障壁層：
正孔障壁層は、電子輸送層として機能する。いくつかの実施形態では、電子の輸送の間、正孔障壁層は正孔が電子輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。正孔障壁層に用いる材料は、電子輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
以下に、正孔障壁層に用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
正孔障壁層は、電子輸送層として機能する。いくつかの実施形態では、電子の輸送の間、正孔障壁層は正孔が電子輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。正孔障壁層に用いる材料は、電子輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
以下に、正孔障壁層に用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
電子障壁層：
電子障壁層は、正孔を輸送する。いくつかの実施形態では、正孔の輸送の間、電子障壁層は電子が正孔輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。電子障壁層に用いる材料は、正孔輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
以下に電子障壁材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
電子障壁層は、正孔を輸送する。いくつかの実施形態では、正孔の輸送の間、電子障壁層は電子が正孔輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。電子障壁層に用いる材料は、正孔輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
以下に電子障壁材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
励起子障壁層：
励起子障壁層は、発光層における正孔と電子との再結合を通じて生じた励起子が電荷輸送層まで拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、発光層における励起子の有効な閉じ込め（confinement）を可能にする。いくつかの実施形態では、装置の光放射効率が向上する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、陽極の側と陰極の側のいずれかで、およびその両側の発光層に隣接する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陽極側に存在するとき、当該層は、正孔輸送層と発光層との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陰極側に存在するとき、当該層は、発光層と陰極との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層または同様の層は、陽極と、陽極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層または同様の層は、陰極と、陰極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーを含み、その少なくとも１つが、それぞれ、発光材料の励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーより高い。
励起子障壁層は、発光層における正孔と電子との再結合を通じて生じた励起子が電荷輸送層まで拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、発光層における励起子の有効な閉じ込め（confinement）を可能にする。いくつかの実施形態では、装置の光放射効率が向上する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、陽極の側と陰極の側のいずれかで、およびその両側の発光層に隣接する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陽極側に存在するとき、当該層は、正孔輸送層と発光層との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陰極側に存在するとき、当該層は、発光層と陰極との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層または同様の層は、陽極と、陽極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層または同様の層は、陰極と、陰極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーを含み、その少なくとも１つが、それぞれ、発光材料の励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーより高い。
正孔輸送層：
正孔輸送層は、正孔輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は、正孔の注入または輸送特性および電子の障壁特性のうちの１つの特性を有する。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は有機材料である。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は無機材料である。本発明で使用できる公知の正孔輸送材料の例としては、限定されないが、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導剤、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導剤、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導剤、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリンコポリマーおよび導電性ポリマーオリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）、またはその組合せが挙げられる。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料はポルフィリン化合物、芳香族三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物から選択される。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は芳香族三級アミン化合物である。以下に正孔輸送材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
正孔輸送層は、正孔輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は、正孔の注入または輸送特性および電子の障壁特性のうちの１つの特性を有する。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は有機材料である。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は無機材料である。本発明で使用できる公知の正孔輸送材料の例としては、限定されないが、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導剤、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導剤、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導剤、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリンコポリマーおよび導電性ポリマーオリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）、またはその組合せが挙げられる。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料はポルフィリン化合物、芳香族三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物から選択される。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は芳香族三級アミン化合物である。以下に正孔輸送材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
電子輸送層：
電子輸送層は、電子輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、電子輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、電子輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、電子輸送材料は、陰極から注入された電子を発光層に輸送する機能さえあればよい。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はまた、正孔障壁材料としても機能する。本発明で使用できる電子輸送層の例としては、限定されないが、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アゾール誘導体、アジン誘導体またはその組合せ、またはそのポリマーが挙げられる。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はチアジアゾール誘導剤またはキノキサリン誘導体である。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はポリマー材料である。以下に電子輸送材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げ
る。
電子輸送層は、電子輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、電子輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、電子輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、電子輸送材料は、陰極から注入された電子を発光層に輸送する機能さえあればよい。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はまた、正孔障壁材料としても機能する。本発明で使用できる電子輸送層の例としては、限定されないが、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アゾール誘導体、アジン誘導体またはその組合せ、またはそのポリマーが挙げられる。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はチアジアゾール誘導剤またはキノキサリン誘導体である。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はポリマー材料である。以下に電子輸送材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げ
る。
さらに、各有機層に添加可能な材料として好ましい化合物例を挙げる。例えば、安定化材料として添加すること等が考えられる。
有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることができる好ましい材料を具体的に例示したが、本発明において用いることができる材料は、以下の例示化合物によって限定的に解釈されることはない。また、特定の機能を有する材料として例示した化合物であっても、その他の機能を有する材料として転用することも可能である。
デバイス：
いくつかの実施形態では、発光層はデバイス中に組み込まれる。例えば、デバイスには、ＯＬＥＤバルブ、ＯＬＥＤランプ、テレビ用ディスプレイ、コンピューター用モニター、携帯電話およびタブレットが含まれるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を有するＯＬＥＤを含む。
いくつかの実施形態では、本願明細書に記載の構成物は、ＯＬＥＤまたは光電子デバイスなどの、様々な感光性または光活性化デバイスに組み込まれうる。いくつかの実施形態では、前記構成物はデバイス内の電荷移動またはエネルギー移動の促進に、および／または正孔輸送材料として有用でありうる。前記デバイスとしては、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機集積回線（ＯＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ－ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ－ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ－ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ－ＳＣ）、有機光学検出装置、有機光受容体、有機磁場クエンチ（ｆｉｅｌｄ－ｑｕｅｎｃｈ）装置（Ｏ－ＦＱＤ）、発光燃料電池（ＬＥＣ）または有機レーザダイオード（Ｏ－レーザー）が挙げられる。
いくつかの実施形態では、発光層はデバイス中に組み込まれる。例えば、デバイスには、ＯＬＥＤバルブ、ＯＬＥＤランプ、テレビ用ディスプレイ、コンピューター用モニター、携帯電話およびタブレットが含まれるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を有するＯＬＥＤを含む。
いくつかの実施形態では、本願明細書に記載の構成物は、ＯＬＥＤまたは光電子デバイスなどの、様々な感光性または光活性化デバイスに組み込まれうる。いくつかの実施形態では、前記構成物はデバイス内の電荷移動またはエネルギー移動の促進に、および／または正孔輸送材料として有用でありうる。前記デバイスとしては、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機集積回線（ＯＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ－ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ－ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ－ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ－ＳＣ）、有機光学検出装置、有機光受容体、有機磁場クエンチ（ｆｉｅｌｄ－ｑｕｅｎｃｈ）装置（Ｏ－ＦＱＤ）、発光燃料電池（ＬＥＣ）または有機レーザダイオード（Ｏ－レーザー）が挙げられる。
バルブまたはランプ：
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を含むＯＬＥＤを含む。
いくつかの実施形態では、デバイスは色彩の異なるＯＬＥＤを含む。いくつかの実施形態では、デバイスはＯＬＥＤの組合せを含むアレイを含む。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、３色の組合せ（例えばＲＧＢ）である。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、赤色でも緑色でも青色でもない色（例えばオレンジ色および黄緑色）の組合せである。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、２色、４色またはそれ以上の色の組合せである。
いくつかの実施形態では、デバイスは、
取り付け面を有する第１面とそれと反対の第２面とを有し、少なくとも１つの開口部を画定する回路基板と、
前記取り付け面上の少なくとも１つのＯＬＥＤであって、当該少なくとも１つのＯＬＥＤが、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を含む、発光する構成を有する少なくとも１つのＯＬＥＤと、
回路基板用のハウジングと、
前記ハウジングの端部に配置された少なくとも１つのコネクターであって、前記ハウジングおよび前記コネクターが照明設備への取付けに適するパッケージを画定する、少なくとも１つのコネクターと、を備えるＯＬＥＤライトである。
いくつかの実施形態では、前記ＯＬＥＤライトは、複数の方向に光が放射されるように回路基板に取り付けられた複数のＯＬＥＤを有する。いくつかの実施形態では、第１方向に発せられた一部の光は偏光されて第２方向に放射される。いくつかの実施形態では、反射器を用いて第１方向に発せられた光を偏光する。
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を含むＯＬＥＤを含む。
いくつかの実施形態では、デバイスは色彩の異なるＯＬＥＤを含む。いくつかの実施形態では、デバイスはＯＬＥＤの組合せを含むアレイを含む。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、３色の組合せ（例えばＲＧＢ）である。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、赤色でも緑色でも青色でもない色（例えばオレンジ色および黄緑色）の組合せである。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、２色、４色またはそれ以上の色の組合せである。
いくつかの実施形態では、デバイスは、
取り付け面を有する第１面とそれと反対の第２面とを有し、少なくとも１つの開口部を画定する回路基板と、
前記取り付け面上の少なくとも１つのＯＬＥＤであって、当該少なくとも１つのＯＬＥＤが、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を含む、発光する構成を有する少なくとも１つのＯＬＥＤと、
回路基板用のハウジングと、
前記ハウジングの端部に配置された少なくとも１つのコネクターであって、前記ハウジングおよび前記コネクターが照明設備への取付けに適するパッケージを画定する、少なくとも１つのコネクターと、を備えるＯＬＥＤライトである。
いくつかの実施形態では、前記ＯＬＥＤライトは、複数の方向に光が放射されるように回路基板に取り付けられた複数のＯＬＥＤを有する。いくつかの実施形態では、第１方向に発せられた一部の光は偏光されて第２方向に放射される。いくつかの実施形態では、反射器を用いて第１方向に発せられた光を偏光する。
ディスプレイまたはスクリーン：
いくつかの実施形態では、本発明の発光層はスクリーンまたはディスプレイにおいて使用できる。いくつかの実施形態では、本発明に係る化合物は、限定されないが真空蒸発、堆積、蒸着または化学蒸着（ＣＶＤ）などの工程を用いて基材上へ堆積させる。いくつかの実施形態では、前記基材は、独特のアスペクト比のピクセルを提供する２面エッチングにおいて有用なフォトプレート構造である。前記スクリーン（またマスクとも呼ばれる）は、ＯＬＥＤディスプレイの製造工程で用いられる。対応するアートワークパターンの設計により、垂直方向ではピクセルの間の非常に急な狭いタイバーの、並びに水平方向では大きな広範囲の斜角開口部の配置を可能にする。これにより、ＴＦＴバックプレーン上への化学蒸着を最適化しつつ、高解像度ディスプレイに必要とされるピクセルの微細なパターン構成が可能となる。
ピクセルの内部パターニングにより、水平および垂直方向での様々なアスペクト比の三次元ピクセル開口部を構成することが可能となる。更に、ピクセル領域中の画像化された「ストライプ」またはハーフトーン円の使用は、これらの特定のパターンをアンダーカットし基材から除くまで、特定の領域におけるエッチングが保護される。その時、全てのピクセル領域は同様のエッチング速度で処理されるが、その深さはハーフトーンパターンにより変化する。ハーフトーンパターンのサイズおよび間隔を変更することにより、ピクセル内での保護率が様々異なるエッチングが可能となり、急な垂直斜角を形成するのに必要な局在化された深いエッチングが可能となる。
蒸着マスク用の好ましい材料はインバーである。インバーは、製鉄所で長い薄型シート状に冷延された金属合金である。インバーは、ニッケルマスクとしてスピンマンドレル上へ電着することができない。蒸着用マスク内に開口領域を形成するための適切かつ低コストの方法は、湿式化学エッチングによる方法である。
いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、基材上のピクセルマトリックスである。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、リソグラフィー（例えばフォトリソグラフィーおよびｅビームリソグラフィー）を使用して加工される。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、湿式化学エッチングを使用して加工される。更なる実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、プラズマエッチングを使用して加工される。
いくつかの実施形態では、本発明の発光層はスクリーンまたはディスプレイにおいて使用できる。いくつかの実施形態では、本発明に係る化合物は、限定されないが真空蒸発、堆積、蒸着または化学蒸着（ＣＶＤ）などの工程を用いて基材上へ堆積させる。いくつかの実施形態では、前記基材は、独特のアスペクト比のピクセルを提供する２面エッチングにおいて有用なフォトプレート構造である。前記スクリーン（またマスクとも呼ばれる）は、ＯＬＥＤディスプレイの製造工程で用いられる。対応するアートワークパターンの設計により、垂直方向ではピクセルの間の非常に急な狭いタイバーの、並びに水平方向では大きな広範囲の斜角開口部の配置を可能にする。これにより、ＴＦＴバックプレーン上への化学蒸着を最適化しつつ、高解像度ディスプレイに必要とされるピクセルの微細なパターン構成が可能となる。
ピクセルの内部パターニングにより、水平および垂直方向での様々なアスペクト比の三次元ピクセル開口部を構成することが可能となる。更に、ピクセル領域中の画像化された「ストライプ」またはハーフトーン円の使用は、これらの特定のパターンをアンダーカットし基材から除くまで、特定の領域におけるエッチングが保護される。その時、全てのピクセル領域は同様のエッチング速度で処理されるが、その深さはハーフトーンパターンにより変化する。ハーフトーンパターンのサイズおよび間隔を変更することにより、ピクセル内での保護率が様々異なるエッチングが可能となり、急な垂直斜角を形成するのに必要な局在化された深いエッチングが可能となる。
蒸着マスク用の好ましい材料はインバーである。インバーは、製鉄所で長い薄型シート状に冷延された金属合金である。インバーは、ニッケルマスクとしてスピンマンドレル上へ電着することができない。蒸着用マスク内に開口領域を形成するための適切かつ低コストの方法は、湿式化学エッチングによる方法である。
いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、基材上のピクセルマトリックスである。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、リソグラフィー（例えばフォトリソグラフィーおよびｅビームリソグラフィー）を使用して加工される。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、湿式化学エッチングを使用して加工される。更なる実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、プラズマエッチングを使用して加工される。
デバイスの製造方法：
ＯＬＥＤディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース／ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、前記ＴＦＴに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
ＯＬＥＤディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース／ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、前記ＴＦＴに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
ＯＬＥＤディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース／ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、前記ＴＦＴに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
ＯＬＥＤディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース／ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、前記ＴＦＴに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
本発明の他の態様では、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイの製造方法を提供し、当該方法は、
マザーパネルのベース基材上に障壁層を形成する工程と、
前記障壁層上に、セルパネル単位で複数のディスプレイユニットを形成する工程と、
前記セルパネルのディスプレイユニットのそれぞれの上にカプセル化層を形成する工程と、
前記セルパネル間のインタフェース部に有機フィルムを塗布する工程と、を含む。
いくつかの実施形態では、障壁層は、例えばＳｉＮｘで形成された無機フィルムであり、障壁層の端部はポリイミドまたはアクリルで形成された有機フィルムで被覆される。いくつかの実施形態では、有機フィルムは、マザーパネルがセルパネル単位で軟らかく切断されるように補助する。
いくつかの実施形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層は、発光層と、ゲート電極と、ソース／ドレイン電極と、を有する。複数のディスプレイユニットの各々は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層と、ＴＦＴ層上に形成された平坦化フィルムと、平坦化フィルム上に形成された発光ユニットと、を有してもよく、前記インタフェース部に塗布された有機フィルムは、前記平坦化フィルムの材料と同じ材料で形成され、前記平坦化フィルムの形成と同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記発光ユニットは、不動態化層と、その間の平坦化フィルムと、発光ユニットを被覆し保護するカプセル化層と、によりＴＦＴ層と連結される。前記製造方法のいくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、ディスプレイユニットにもカプセル化層にも連結されない。
マザーパネルのベース基材上に障壁層を形成する工程と、
前記障壁層上に、セルパネル単位で複数のディスプレイユニットを形成する工程と、
前記セルパネルのディスプレイユニットのそれぞれの上にカプセル化層を形成する工程と、
前記セルパネル間のインタフェース部に有機フィルムを塗布する工程と、を含む。
いくつかの実施形態では、障壁層は、例えばＳｉＮｘで形成された無機フィルムであり、障壁層の端部はポリイミドまたはアクリルで形成された有機フィルムで被覆される。いくつかの実施形態では、有機フィルムは、マザーパネルがセルパネル単位で軟らかく切断されるように補助する。
いくつかの実施形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層は、発光層と、ゲート電極と、ソース／ドレイン電極と、を有する。複数のディスプレイユニットの各々は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層と、ＴＦＴ層上に形成された平坦化フィルムと、平坦化フィルム上に形成された発光ユニットと、を有してもよく、前記インタフェース部に塗布された有機フィルムは、前記平坦化フィルムの材料と同じ材料で形成され、前記平坦化フィルムの形成と同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記発光ユニットは、不動態化層と、その間の平坦化フィルムと、発光ユニットを被覆し保護するカプセル化層と、によりＴＦＴ層と連結される。前記製造方法のいくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、ディスプレイユニットにもカプセル化層にも連結されない。
前記有機フィルムと平坦化フィルムの各々は、ポリイミドおよびアクリルのいずれか１つを含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記障壁層は無機フィルムであってもよい。いくつかの実施形態では、前記ベース基材はポリイミドで形成されてもよい。前記方法は更に、ポリイミドで形成されたベース基材の１つの表面に障壁層を形成する前に、当該ベース基材のもう１つの表面にガラス材料で形成されたキャリア基材を取り付ける工程と、インタフェース部に沿った切断の前に、前記キャリア基材をベース基材から分離する工程と、を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記ＯＬＥＤディスプレイはフレキシブルなディスプレイである。
いくつかの実施形態では、前記不動態化層は、ＴＦＴ層の被覆のためにＴＦＴ層上に配置された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、不動態化層上に形成された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、障壁層の端部に形成された有機フィルムと同様、ポリイミドまたはアクリルで形成される。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤディスプレイの製造の際、前記平坦化フィルムおよび有機フィルムは同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、障壁層の端部に形成されてもよく、それにより、当該有機フィルムの一部が直接ベース基材と接触し、当該有機フィルムの残りの部分が、障壁層の端部を囲みつつ、障壁層と接触する。
いくつかの実施形態では、前記不動態化層は、ＴＦＴ層の被覆のためにＴＦＴ層上に配置された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、不動態化層上に形成された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、障壁層の端部に形成された有機フィルムと同様、ポリイミドまたはアクリルで形成される。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤディスプレイの製造の際、前記平坦化フィルムおよび有機フィルムは同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、障壁層の端部に形成されてもよく、それにより、当該有機フィルムの一部が直接ベース基材と接触し、当該有機フィルムの残りの部分が、障壁層の端部を囲みつつ、障壁層と接触する。
いくつかの実施形態では、前記発光層は、ピクセル電極と、対電極と、当該ピクセル電極と当該対電極との間に配置された有機発光層と、を有する。いくつかの実施形態では、前記ピクセル電極は、ＴＦＴ層のソース／ドレイン電極に連結している。
いくつかの実施形態では、ＴＦＴ層を通じてピクセル電極に電圧が印加されるとき、ピクセル電極と対電極との間に適切な電圧が形成され、それにより有機発光層が光を放射し、それにより画像が形成される。以下、ＴＦＴ層と発光ユニットとを有する画像形成ユニットを、ディスプレイユニットと称する。
いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットを被覆し、外部の水分の浸透を防止するカプセル化層は、有機フィルムと無機フィルムとが交互に積層する薄膜状のカプセル化構造に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、前記カプセル化層は、複数の薄膜が積層した薄膜状カプセル化構造を有する。いくつかの実施形態では、インタフェース部に塗布される有機フィルムは、複数のディスプレイユニットの各々と間隔を置いて配置される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、一部の有機フィルムが直接ベース基材と接触し、有機フィルムの残りの部分が障壁層の端部を囲む一方で障壁層と接触する態様で形成される。
いくつかの実施形態では、ＴＦＴ層を通じてピクセル電極に電圧が印加されるとき、ピクセル電極と対電極との間に適切な電圧が形成され、それにより有機発光層が光を放射し、それにより画像が形成される。以下、ＴＦＴ層と発光ユニットとを有する画像形成ユニットを、ディスプレイユニットと称する。
いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットを被覆し、外部の水分の浸透を防止するカプセル化層は、有機フィルムと無機フィルムとが交互に積層する薄膜状のカプセル化構造に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、前記カプセル化層は、複数の薄膜が積層した薄膜状カプセル化構造を有する。いくつかの実施形態では、インタフェース部に塗布される有機フィルムは、複数のディスプレイユニットの各々と間隔を置いて配置される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、一部の有機フィルムが直接ベース基材と接触し、有機フィルムの残りの部分が障壁層の端部を囲む一方で障壁層と接触する態様で形成される。
一実施形態では、ＯＬＥＤディスプレイはフレキシブルであり、ポリイミドで形成された柔軟なベース基材を使用する。いくつかの実施形態では、前記ベース基材はガラス材料で形成されたキャリア基材上に形成され、次に当該キャリア基材が分離される。
いくつかの実施形態では、障壁層は、キャリア基材の反対側のベース基材の表面に形成される。一実施形態では、前記障壁層は、各セルパネルのサイズに従いパターン化される。例えば、ベース基材がマザーパネルの全ての表面上に形成される一方で、障壁層が各セルパネルのサイズに従い形成され、それにより、セルパネルの障壁層の間のインタフェース部に溝が形成される。各セルパネルは、前記溝に沿って切断できる。
いくつかの実施形態では、障壁層は、キャリア基材の反対側のベース基材の表面に形成される。一実施形態では、前記障壁層は、各セルパネルのサイズに従いパターン化される。例えば、ベース基材がマザーパネルの全ての表面上に形成される一方で、障壁層が各セルパネルのサイズに従い形成され、それにより、セルパネルの障壁層の間のインタフェース部に溝が形成される。各セルパネルは、前記溝に沿って切断できる。
いくつかの実施形態では、前記の製造方法は、更にインタフェース部に沿って切断する工程を含み、そこでは溝が障壁層に形成され、少なくとも一部の有機フィルムが溝で形成され、当該溝がベース基材に浸透しない。いくつかの実施形態では、各セルパネルのＴＦＴ層が形成され、無機フィルムである不動態化層と有機フィルムである平坦化フィルムが、ＴＦＴ層上に配置され、ＴＦＴ層を被覆する。例えばポリイミドまたはアクリル製の平坦化フィルムが形成されるのと同時に、インタフェース部の溝は、例えばポリイミドまたはアクリル製の有機フィルムで被覆される。これは、各セルパネルがインタフェース部で溝に沿って切断されるとき、生じた衝撃を有機フィルムに吸収させることによってひびが生じるのを防止する。すなわち、全ての障壁層が有機フィルムなしで完全に露出している場合、各セルパネルがインタフェース部で溝に沿って切断されるとき、生じた衝撃が障壁層に伝達され、それによりひびが生じるリスクが増加する。しかしながら、一実施形態では、障壁層間のインタフェース部の溝が有機フィルムで被覆されて、有機フィルムがなければ障壁層に伝達されうる衝撃を吸収するため、各セルパネルをソフトに切断し、障壁層でひびが生じるのを防止してもよい。一実施形態では、インタフェース部の溝を被覆する有機フィルムおよび平坦化フィルムは、互いに間隔を置いて配置される。例えば、有機フィルムおよび平坦化フィルムが１つの層として相互に接続している場合には、平坦化フィルムと有機フィルムが残っている部分とを通じてディスプレイユニットに外部の水分が浸入するおそれがあるため、有機フィルムおよび平坦化フィルムは、有機フィルムがディスプレイユニットから間隔を置いて配置されるように、相互に間隔を置いて配置される。
いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットは、発光ユニットの形成により形成され、カプセル化層は、ディスプレイユニットを被覆するためディスプレイユニット上に配置される。これにより、マザーパネルが完全に製造された後、ベース基材を担持するキャリア基材がベース基材から分離される。いくつかの実施形態では、レーザー光線がキャリア基材へ放射されると、キャリア基材は、キャリア基材とベース基材との間の熱膨張率の相違により、ベース基材から分離される。
いくつかの実施形態では、マザーパネルは、セルパネル単位で切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルは、カッターを用いてセルパネル間のインタフェース部に沿って切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルが沿って切断されるインタフェース部の溝が有機フィルムで被覆されているため、切断の間、当該有機フィルムが衝撃を吸収する。いくつかの実施形態では、切断の間、障壁層でひびが生じるのを防止できる。
いくつかの実施形態では、前記方法は製品の不良率を減少させ、その品質を安定させる。
他の態様は、ベース基材上に形成された障壁層と、障壁層上に形成されたディスプレイユニットと、ディスプレイユニット上に形成されたカプセル化層と、障壁層の端部に塗布された有機フィルムと、を有するＯＬＥＤディスプレイである。
いくつかの実施形態では、マザーパネルは、セルパネル単位で切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルは、カッターを用いてセルパネル間のインタフェース部に沿って切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルが沿って切断されるインタフェース部の溝が有機フィルムで被覆されているため、切断の間、当該有機フィルムが衝撃を吸収する。いくつかの実施形態では、切断の間、障壁層でひびが生じるのを防止できる。
いくつかの実施形態では、前記方法は製品の不良率を減少させ、その品質を安定させる。
他の態様は、ベース基材上に形成された障壁層と、障壁層上に形成されたディスプレイユニットと、ディスプレイユニット上に形成されたカプセル化層と、障壁層の端部に塗布された有機フィルムと、を有するＯＬＥＤディスプレイである。
以下に合成例と実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下に示す材料、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。なお、発光特性の評価は、ソースメータ（ケースレー社製：２４００シリーズ）、半導体パラメータ・アナライザ（アジレント・テクノロジー社製：Ｅ５２７３Ａ）、光パワーメータ測定装置（ニューポート社製：１９３０Ｃ）、光学分光器（オーシャンオプティクス社製：ＵＳＢ２０００）、分光放射計（トプコン社製：ＳＲ－３）およびストリークカメラ（浜松ホトニクス（株）製Ｃ４３３４型）を用いて行った。また、ＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギーの測定は大気中光電子分光法（理研計器社製ＡＣ－３等）により行った。
以下の合成例において、一般式（１）に含まれる化合物を合成した。
以下の合成例において、一般式（１）に含まれる化合物を合成した。
（合成例１）化合物２の合成
窒素雰囲気化、２－（３－ブロモフェニル）ジベンゾフラン（２０ｇ，６１．９ｍｍｏｌ）、３，６－ジフェニルカルバゾール（１９．８ｇ，６１．９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（５．６７ｇ，６．１９ｍｍｏｌ）、トリ－tert－ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（３．５９ｇ，１２．４ｍｍｏｌ）およびナトリウムtert－ブトキシド（１１．９ｇ，１２３．８ｍｍｏｌ）を４００ｍｌのトルエンに加え、２４時間還流した。反応溶液を室温まで冷却し、クロロホルムを加えた。得られた有機層を水で２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を除去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝３：７）により精製した。さらに再結晶（トルエン／メタノール）により白色固体を得た（２０ｇ，５８％）。
1H NMR (400MHz, CDCl3, δ): 8.43(s,2H), 8.22(s,1H), 7.99(d,J=8Hz,1H), 7.94(s,1H), 7.84-7.57(m,14H), 7.49(m,5H), 7.37(m,3H).
MS (ASAP): 562.32 (M+H+). Calcd for C42H27NO: 561.21.
1H NMR (400MHz, CDCl3, δ): 8.43(s,2H), 8.22(s,1H), 7.99(d,J=8Hz,1H), 7.94(s,1H), 7.84-7.57(m,14H), 7.49(m,5H), 7.37(m,3H).
MS (ASAP): 562.32 (M+H+). Calcd for C42H27NO: 561.21.
（合成例２）化合物１０の合成
窒素雰囲気化、２－（３－ブロモフェニル）ジベンゾフラン（１．９６ｇ，６．０７ｍｍｏｌ）、３，６－ジ（フェニル－２，３，４，５，６－ｄ５）－９Ｈ－カルバゾール（２ｇ，６．０７ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．５６ｇ，０．６１ｍｍｏｌ）、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（０．３５ｇ，１．２１ｍｍｏｌ）およびナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（１．１７ｇ，１２．１ｍｍｏｌ）を４０ｍｌのトルエンに加え、２４時間還流した。反応溶液を室温まで冷却し、クロロホルムを加えた。得られた有機層を水で２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を除去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝３：７）により精製した。さらに再結晶（トルエン／メタノール）により白色固体を得た（２．５５ｇ，７３％）。
1H NMR (400MHz, CDCl3, δ): 8.43(s,2H), 8.22(s,1H), 7.99(d,J=8Hz,1H), 7.94(s,1H), 7.84-7.56(m,10H), 7.49(t,J=8Hz,1H), 7.37(t,J=8Hz,1H).
MS (ASAP): 572.40 (M+H+). Calcd for C42H17D10NO: 571.27.
1H NMR (400MHz, CDCl3, δ): 8.43(s,2H), 8.22(s,1H), 7.99(d,J=8Hz,1H), 7.94(s,1H), 7.84-7.56(m,10H), 7.49(t,J=8Hz,1H), 7.37(t,J=8Hz,1H).
MS (ASAP): 572.40 (M+H+). Calcd for C42H17D10NO: 571.27.
（実施例１）
膜厚５０ｎｍのインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極が形成されたガラス基板上に、以下の各薄膜を真空蒸着法にて、真空度５．０×１０-5Ｐａで積層することにより有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
まず、ＩＴＯ上にＨＡＴ－ＣＮを１０ｎｍの厚さに形成し、その上に、ＮＰＤを３０ｎｍの厚さに形成し、さらにその上にＥＢＬ１を１０ｎｍの厚さに形成した。次に、遅延蛍光材料（ＴＡＤＦ２１）と化合物２を異なる蒸着源から共蒸着し、４０ｎｍの厚さの層を形成して発光層とした。このとき遅延蛍光材料の含有量は３５質量％、化合物２の含有量は６５質量％とした。次に、ＳＦ３－ＴＲＺを１０ｎｍの厚さに形成した後、ＬｉｑとＳＦ３－ＴＲＺを異なる蒸着源から共蒸着し、３０ｎｍの厚さの層を形成した。この層におけるＬｉｑとＳＦ３－ＴＲＺの含有量はそれぞれ３０質量％と７０質量％とした。さらにＬｉｑを２ｎｍの厚さに形成し、次いでアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子をＥＬ素子１とした。
また、化合物２の代わりに比較化合物Ａを用いて、比較ＥＬ素子１を作製した。
作製した各有機エレクトロルミネッセンス素子の電流密度６．３ｍＡ／ｃｍ2における駆動電圧を測定したところ、ＥＬ素子１（本発明）は比較ＥＬ素子１（比較例）よりも０．３Ｖ低かった。このことから一般式（１）で表される化合物を遅延蛍光材料のホスト材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、良好な電気伝導性を有することが確認された。
膜厚５０ｎｍのインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極が形成されたガラス基板上に、以下の各薄膜を真空蒸着法にて、真空度５．０×１０-5Ｐａで積層することにより有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
まず、ＩＴＯ上にＨＡＴ－ＣＮを１０ｎｍの厚さに形成し、その上に、ＮＰＤを３０ｎｍの厚さに形成し、さらにその上にＥＢＬ１を１０ｎｍの厚さに形成した。次に、遅延蛍光材料（ＴＡＤＦ２１）と化合物２を異なる蒸着源から共蒸着し、４０ｎｍの厚さの層を形成して発光層とした。このとき遅延蛍光材料の含有量は３５質量％、化合物２の含有量は６５質量％とした。次に、ＳＦ３－ＴＲＺを１０ｎｍの厚さに形成した後、ＬｉｑとＳＦ３－ＴＲＺを異なる蒸着源から共蒸着し、３０ｎｍの厚さの層を形成した。この層におけるＬｉｑとＳＦ３－ＴＲＺの含有量はそれぞれ３０質量％と７０質量％とした。さらにＬｉｑを２ｎｍの厚さに形成し、次いでアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子をＥＬ素子１とした。
また、化合物２の代わりに比較化合物Ａを用いて、比較ＥＬ素子１を作製した。
作製した各有機エレクトロルミネッセンス素子の電流密度６．３ｍＡ／ｃｍ2における駆動電圧を測定したところ、ＥＬ素子１（本発明）は比較ＥＬ素子１（比較例）よりも０．３Ｖ低かった。このことから一般式（１）で表される化合物を遅延蛍光材料のホスト材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、良好な電気伝導性を有することが確認された。
（実施例２）
実施例１におけるＥＬ素子１で用いたＴＡＤＦ２１のかわりにＴＡＤＦ１８を用いた点だけを変更して、実施例１と同様の手順により有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子をＥＬ素子２とした。
ＥＬ素子２で用いた化合物２のかわりに比較化合物Ｂを用いて、同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子を比較ＥＬ素子２とした。
作製した各有機エレクトロルミネッセンス素子を電流密度１２．６ｍＡ／ｃｍ2で駆動させて、発光強度が駆動開始時の９５％になるまでの時間（ＬＴ９５）を測定した。その結果、ＥＬ素子２のＬＴ９５を１としたとき、比較ＥＬ素子２のＬＴ９５は０．６であった。このことから一般式（１）で表される化合物を用いた場合は素子寿命が長くなることが確認された。
実施例１におけるＥＬ素子１で用いたＴＡＤＦ２１のかわりにＴＡＤＦ１８を用いた点だけを変更して、実施例１と同様の手順により有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子をＥＬ素子２とした。
ＥＬ素子２で用いた化合物２のかわりに比較化合物Ｂを用いて、同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子を比較ＥＬ素子２とした。
作製した各有機エレクトロルミネッセンス素子を電流密度１２．６ｍＡ／ｃｍ2で駆動させて、発光強度が駆動開始時の９５％になるまでの時間（ＬＴ９５）を測定した。その結果、ＥＬ素子２のＬＴ９５を１としたとき、比較ＥＬ素子２のＬＴ９５は０．６であった。このことから一般式（１）で表される化合物を用いた場合は素子寿命が長くなることが確認された。
（実施例３）
実施例１におけるＥＬ素子１で用いたＴＡＤＦ２１のかわりにＴＡＤＦ２を用いた点だけを変更して、実施例１と同様の手順により有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子をＥＬ素子３とした。
ＥＬ素子３で用いた化合物２のかわりに比較化合物Ｂを用いて、同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子を比較ＥＬ素子３とした。
作製した各有機エレクトロルミネッセンス素子を電流密度５．５ｍＡ／ｃｍ2で駆動させて、発光強度が駆動開始時の９５％になるまでの時間（ＬＴ９５）を測定した。その結果、ＥＬ素子３のＬＴ９５を１としたとき、比較ＥＬ素子３のＬＴ９５は０．８であった。このことから一般式（１）で表される化合物を用いた場合は素子寿命が長くなることが確認された。
実施例１におけるＥＬ素子１で用いたＴＡＤＦ２１のかわりにＴＡＤＦ２を用いた点だけを変更して、実施例１と同様の手順により有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子をＥＬ素子３とした。
ＥＬ素子３で用いた化合物２のかわりに比較化合物Ｂを用いて、同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子を比較ＥＬ素子３とした。
作製した各有機エレクトロルミネッセンス素子を電流密度５．５ｍＡ／ｃｍ2で駆動させて、発光強度が駆動開始時の９５％になるまでの時間（ＬＴ９５）を測定した。その結果、ＥＬ素子３のＬＴ９５を１としたとき、比較ＥＬ素子３のＬＴ９５は０．８であった。このことから一般式（１）で表される化合物を用いた場合は素子寿命が長くなることが確認された。
（実施例４）
実施例１における比較ＥＬ素子１（比較例）で用いたＥＢＬ１のかわりに化合物２を用いた点だけを変更して、実施例１と同様の手順により有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子をＥＬ素子４として、実施例１と同様に電流密度６．３ｍＡ／ｃｍ2における駆動電圧を測定した。ＥＬ素子４（本発明）の駆動電圧は比較ＥＬ素子１（比較例）の駆動電圧よりも０．２３Ｖ低かった。このことから一般式（１）で表される化合物は電子障壁材料としても有用であることが確認された。
なお、実施例１における比較ＥＬ素子１（比較例）で用いたＥＢＬ１のかわりに参考化合物ａを用いた点だけを変更して、実施例１と同様の手順により作製した有機エレクトロルミネッセンス素子も比較ＥＬ素子１より駆動電圧は低かったが、ＥＬ素子４には及ばず、明らかな差があった。
実施例１における比較ＥＬ素子１（比較例）で用いたＥＢＬ１のかわりに化合物２を用いた点だけを変更して、実施例１と同様の手順により有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。この素子をＥＬ素子４として、実施例１と同様に電流密度６．３ｍＡ／ｃｍ2における駆動電圧を測定した。ＥＬ素子４（本発明）の駆動電圧は比較ＥＬ素子１（比較例）の駆動電圧よりも０．２３Ｖ低かった。このことから一般式（１）で表される化合物は電子障壁材料としても有用であることが確認された。
なお、実施例１における比較ＥＬ素子１（比較例）で用いたＥＢＬ１のかわりに参考化合物ａを用いた点だけを変更して、実施例１と同様の手順により作製した有機エレクトロルミネッセンス素子も比較ＥＬ素子１より駆動電圧は低かったが、ＥＬ素子４には及ばず、明らかな差があった。
１ 基材
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 陰極
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 陰極
Claims (21)
- 下記一般式（１）で表される化合物。
- Ｒ ４ およびＲ ５ が、各々独立に重水素原子、または重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、請求項１に記載の化合物。
- １個のＲ４と１個のＲ５だけが、各々独立に、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、請求項１に記載の化合物。
- １個のＲ４だけが、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、請求項１に記載の化合物。
- Ｒ４の少なくとも１個が重水素原子であり、Ｒ５の少なくとも１個が重水素原子である、請求項１～４のいずれか１項に記載の化合物。
- ｎ１～ｎ３が０である、請求項１～５のいずれか１項に記載の化合物。
- 一般式（１）中のジベンゾフランが２位で一般式（１）中のフェニレン基に結合している、請求項１～６のいずれか１項に記載の化合物。
- 前記化合物が下記一般式（２）で表される、請求項１～７のいずれか１項に記載の化合物。
- Ｒ２１およびＲ２４の少なくとも一方が、重水素化されていてもよいアルキル基あるいは重水素原子で置換されていてもよいフェニル基である、請求項８に記載の化合物。
- Ｒ１２が重水素化されていてもよいアルキル基である、請求項６～９のいずれか１項に記載の化合物。
- 下記のいずれかの構造を有する、請求項１に記載の化合物。
- 請求項１～１１のいずれか１項に記載の化合物を含むホスト材料。
- 遅延蛍光材料とともに用いるための請求項１２に記載のホスト材料。
- 請求項１～１１のいずれか１項に記載の化合物を含む電子障壁材料。
- 請求項１～１１のいずれか１項に記載の化合物に遅延蛍光材料をドープした組成物。
- 前記遅延蛍光材料が、ベンゼン環に置換しているシアノ基の数が１つであるシアノベンゼン構造を有する化合物である、請求項１５に記載の組成物。
- 前記遅延蛍光材料が下記構造を有する化合物である、請求項１６に記載の組成物。
- 前記遅延蛍光材料が、ベンゼン環に置換しているシアノ基の数が２つであるジシアノベンゼン構造を有する化合物である、請求項１５に記載の組成物。
- 前記遅延蛍光材料が下記構造を有する化合物である、請求項１８に記載の組成物。
- 請求項１～１１のいずれか１項に記載の化合物を含む層を有する有機発光素子。
- 請求項１５～１９のいずれか１項に記載の組成物からなる層を有する有機発光素子。
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| US20150115205A1 (en) | 2012-05-02 | 2015-04-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Novel organic electroluminescence compounds and organic electroluminescence device containing the same |
| CN105906612A (zh) | 2016-04-28 | 2016-08-31 | 中节能万润股份有限公司 | 一种含有咔唑和亚氨基芪结构的有机光电材料及其应用 |
| US20170346020A1 (en) | 2015-05-22 | 2017-11-30 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Compound for organic optoelectronic device, composition for organic optoelectronic device, and organic optoelectronic device and display device comprising same |
| WO2021157642A1 (ja) | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 株式会社Ｋｙｕｌｕｘ | ホスト材料、組成物および有機発光素子 |
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2021
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|---|---|---|---|---|
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| WO2021157642A1 (ja) | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 株式会社Ｋｙｕｌｕｘ | ホスト材料、組成物および有機発光素子 |
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| WO2023053835A1 (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 株式会社Kyulux | 化合物、組成物、ホスト材料、電子障壁材料および有機発光素子 |
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