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JP7021781B2 - Electrolytic nickel (alloy) plating solution - Google Patents

Electrolytic nickel (alloy) plating solution Download PDF

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JP7021781B2 JP2018552620A JP2018552620A JP7021781B2 JP 7021781 B2 JP7021781 B2 JP 7021781B2 JP 2018552620 A JP2018552620 A JP 2018552620A JP 2018552620 A JP2018552620 A JP 2018552620A JP 7021781 B2 JP7021781 B2 JP 7021781B2
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electrolytic
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Description

本発明は、電解ニッケルめっき液や電解ニッケル合金めっき液(以下、これらを総称して「電解ニッケル(合金)めっき液」という場合がある。また、電解ニッケル(合金)めっき液を使用することで析出する「ニッケル又はニッケル合金」を「ニッケル(合金)」という場合がある。)に関し、更に詳しくは、電子部品内の微小孔や微小凹部のめっき充填用、2個以上の電子部品同士を重ねた際に生じる微小間隙部のめっき充填用に特に適した電解ニッケル(合金)めっき液に関する。
また、本発明は、かかる電解ニッケル(合金)めっき液を使用した微小孔や微小凹部のめっき充填方法や、微小三次元構造体の製造方法、電子部品接合体やその製造方法等に関する。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention may be an electrolytic nickel plating solution or an electrolytic nickel alloy plating solution (hereinafter, these may be collectively referred to as "electrolytic nickel (alloy) plating solution". Further, by using an electrolytic nickel (alloy) plating solution. The “nickel or nickel alloy” that precipitates may be referred to as “nickel (alloy)”). The present invention relates to an electrolytic nickel (alloy) plating solution particularly suitable for plating and filling of minute gaps generated at the time.
The present invention also relates to a method for plating and filling minute pores and minute recesses using such an electrolytic nickel (alloy) plating solution, a method for manufacturing a minute three-dimensional structure, an electronic component joint and a method for manufacturing the same.

半導体やプリント基板に代表される電子回路部品(以下、単に「電子部品」という場合がある。)は、配線形成のためのビア、スルーホール、トレンチ等の微小孔や微小凹部を有している。従来複数の回路基板を積層させた多層プリント基板の製造においては、ビアの壁面をコンフォーマル銅めっき(追従めっき)した後に、食い違い配列で他層と接続させるスタガードビア構造が主流であった。しかし、近年の電子機器の小型化、高機能化に伴い、ビアを銅めっきで充填し、そのまま他層を重ねて層間接続させるスタックビア構造による省スペース化が必要不可欠なものとなっている。 Electronic circuit components typified by semiconductors and printed circuit boards (hereinafter, may be simply referred to as "electronic components") have minute holes and minute recesses such as vias, through holes, and trenches for forming wiring. .. Conventionally, in the manufacture of a multilayer printed circuit board in which a plurality of circuit boards are laminated, a staggered via structure in which the wall surface of the via is subjected to conformal copper plating (follow-up plating) and then connected to other layers in a staggered arrangement has been the mainstream. However, with the recent miniaturization and higher functionality of electronic devices, it is indispensable to save space by a stack via structure in which vias are filled with copper plating and other layers are layered and connected as they are.

電解銅めっきによる充填技術は半導体製造技術にも適用され、ダマシンプロセスやシリコン貫通電極(TSV:Through Silicon Via)と呼ばれる技術が登場し、ビアを電解銅めっきで充填させて三次元的に配線構造を形成することが可能となってきている。 Filling technology by electrolytic copper plating is also applied to semiconductor manufacturing technology, and technology called damascene process and through silicon via (TSV: Through Silicon Via) has appeared, and vias are filled with electrolytic copper plating to create a three-dimensional wiring structure. It has become possible to form.

微小孔や微小凹部の充填用の電解銅めっき液は、複数の添加剤を含有させ、それらの濃度バランスを最適にコントロールすることでビアを充填しているが、数μm程度のマクロボイドがなく充填できたとしても、添加剤の副作用としてnmオーダーのマイクロボイドが残留するという問題があった。銅は融点がそれほど高くない金属であり(1083℃)、電解銅めっき後の室温放置においても再結晶が起こることは良く知られている。この再結晶過程においてnmオーダーのマイクロボイドが凝集した結果、マクロなボイドを形成してしまうという問題があった。
例えば、非特許文献1には、添加剤であるポリエチレングリコール(PEG)が銅皮膜中に一部取り込まれ、銅皮膜中にnmオーダーのマイクロボイドが生じ、銅の再結晶過程において、室温放置により、直径70nmに達する大きなボイドを形成することが記載されている。
The electrolytic copper plating solution for filling micropores and microrecesses contains multiple additives and fills vias by optimally controlling the concentration balance between them, but there are no macrovoids of about several μm. Even if it could be filled, there was a problem that microvoids on the order of nm remained as a side effect of the additive. Copper is a metal whose melting point is not so high (1083 ° C.), and it is well known that recrystallization occurs even when it is left at room temperature after electrolytic copper plating. As a result of the aggregation of nm-order microvoids in this recrystallization process, there is a problem that macrovoids are formed.
For example, in Non-Patent Document 1, polyethylene glycol (PEG), which is an additive, is partially incorporated into a copper film, and nm-order microvoids are generated in the copper film, which is left at room temperature in the copper recrystallization process. , Forming large voids up to 70 nm in diameter.

従って、電解銅めっき液を使用した銅充填方法はこのような課題を潜在的に抱えていることになり、配線の更なる微細化が進んだ際にはマイクロボイド凝集に伴うボイド成長やボイド移動により、配線信頼性の低下が顕在化するおそれがある。 Therefore, the copper filling method using the electrolytic copper plating solution potentially has such a problem, and when the wiring is further miniaturized, the void growth and the void movement due to the microvoid aggregation As a result, the deterioration of wiring reliability may become apparent.

そこで、めっき添加剤起因のマイクロボイドが残留したとしても、室温再結晶が起こりにくい高融点金属、特に電子部品の下地めっきとして一般的なニッケル(融点:1455℃)で微小孔や微小凹部を充填することができれば、ボイドの凝集が起きず信頼性の高い配線になり得ると本発明者は推測した。 Therefore, even if microvoids caused by the plating additive remain, the micropores and recesses are filled with a refractory metal that is unlikely to recrystallize at room temperature, especially nickel (melting point: 1455 ° C.), which is common as a base plating for electronic components. The present inventor speculates that if this can be done, void aggregation will not occur and the wiring can be highly reliable.

電解ニッケルめっきで凹部を充填する試みも検討はされている。
非特許文献2では、電解ニッケルめっき液に、様々な添加剤を加えた場合のトレンチ内の充填性を検討し、チオ尿素を添加することで微小凹部(トレンチ)が充填されるとしている。
しかしながら、本発明者らの追試(後述の実施例)によると、非特許文献2に記載の電解ニッケルめっき液での充填性は未だ不十分でありボイドの発生を抑制できず、また、析出物にクラックが入り、構造体として不良であることが判明した。
Attempts to fill the recesses with electrolytic nickel plating are also being considered.
In Non-Patent Document 2, the filling property in the trench when various additives are added to the electrolytic nickel plating solution is examined, and it is stated that the minute recesses (trench) are filled by adding thiourea.
However, according to a follow-up test by the present inventors (examples described later), the filling property with the electrolytic nickel plating solution described in Non-Patent Document 2 is still insufficient, the generation of voids cannot be suppressed, and the precipitate is formed. It was found that the structure was defective due to cracks in the structure.

電子回路の微細化は、益々進行しており、かかる公知技術では、微小孔・微小凹部の充填性が不十分であり、ボイド等の欠陥やクラック等が発生しないニッケル充填方法の開発が望まれていた。 The miniaturization of electronic circuits is progressing more and more, and it is desired to develop a nickel filling method in which the filling properties of micropores and recesses are insufficient with such known technology and defects such as voids and cracks do not occur. Was there.

表面技術 Vol.52, No.1, pp.34-38(2001)Surface Technology Vol.52, No.1, pp.34-38 (2001) エレクトロニクス実装学会誌, Vol.17, No.2, pp.143-148(2014)Journal of Electronics Packaging Society, Vol.17, No.2, pp.143-148 (2014)

本発明は上記背景技術に鑑みてなされたものであり、その課題は、電子回路部品内の微小孔や微小凹部をニッケル又はニッケル合金で充填するに際し、ボイドやシーム等の欠陥を発生させることなく充填することのできる電解ニッケル(合金)めっき液を提供することにあり、また、かかる電解ニッケル(合金)めっき液を用いたニッケル又はニッケル合金めっき充填方法や、微小三次元構造体の製造方法を提供することにある。
また、本発明の課題は、2個以上の電子部品同士を重ねた際に生じる微小間隙部を充填することができ、電子部品同士を強固に接合することのできる電解ニッケル(合金)めっき液や、それを使用した電子部品接合体の製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above background technique, and the problem thereof is that when the micropores and microrecesses in the electronic circuit parts are filled with nickel or a nickel alloy, defects such as voids and seams are not generated. The present invention is to provide an electrolytic nickel (alloy) plating solution that can be filled, and also to provide a nickel or nickel alloy plating filling method using such an electrolytic nickel (alloy) plating solution, and a method for manufacturing a micro three-dimensional structure. To provide.
Further, an object of the present invention is an electrolytic nickel (alloy) plating solution capable of filling minute gaps generated when two or more electronic components are overlapped with each other and firmly joining the electronic components to each other. , To provide a method for manufacturing an electronic component junction using it.

本発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のN置換ピリジニウム化合物を含有させた電解ニッケルめっき液を使用して電解めっきすることによって、微小孔や微小凹部内に、ボイド等の欠陥を発生させることなくニッケルを充填することができることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of diligent studies to solve the above problems, the present inventor has performed electrolytic plating using an electrolytic nickel plating solution containing a specific N-substituted pyridinium compound in micropores and microrecesses. , And have found that nickel can be filled without causing defects such as voids, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は、ニッケル塩と、pH緩衝剤と、下記一般式(A)で表されるN置換ピリジニウム化合物を含有することを特徴とする電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を提供するものである。 That is, the present invention provides an electrolytic nickel plating solution or an electrolytic nickel alloy plating solution, which comprises a nickel salt, a pH buffer, and an N-substituted pyridinium compound represented by the following general formula (A). It is a thing.

Figure 0007021781000001
Figure 0007021781000001

[一般式(A)において、-Rは、炭素数1~6のアルキル基、アルキルアミノ基若しくはシアノアルキル基、アミノ基(-NH)又はシアノ基である。-Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基若しくはヒドロキシアルキル基、ビニル基、メトキシカルボニル基(-CO-O-CH)、カルバモイル基(-CO-NH)、ジメチルカルバモイルオキシ基(-O-CO-N(CH)又はアルドキシム基(-CH=NOH)である。Xは任意の陰イオンである。][In the general formula (A), -R 1 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkylamino group or a cyanoalkyl group, an amino group (-NH 2 ) or a cyano group. -R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group or hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyl group, a methoxycarbonyl group (-CO-O-CH 3 ), a carbamoyl group (-CO-NH 2 ), and a dimethylcarbamoyloxy. It is a group (-O-CO-N (CH 3 ) 2 ) or an aldoxime group (-CH = NOH). X - is any anion. ]

また、本発明は、ニッケル塩と、pH緩衝剤と、下記一般式(B)で表されるN置換ピリジニウム化合物を含有することを特徴とする電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を提供するものである。 The present invention also provides an electrolytic nickel plating solution or an electrolytic nickel alloy plating solution, which comprises a nickel salt, a pH buffer, and an N-substituted pyridinium compound represented by the following general formula (B). It is a thing.

Figure 0007021781000002
Figure 0007021781000002

[一般式(B)において、-Rは、水素原子又はヒドロキシル基(-OH)である。-Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ビニル基又はカルバモイル基(-CO-NH)である。mは0、1又は2である。][In the general formula (B), -R 3 is a hydrogen atom or a hydroxyl group (-OH). -R 4 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyl group or a carbamoyl group (-CO-NH 2 ). m is 0, 1 or 2. ]

また、本発明は、上記の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を使用して電解めっきを行うことを特徴とするニッケル析出物又はニッケル合金析出物の製造方法を提供するものである。 The present invention also provides a method for producing a nickel precipitate or a nickel alloy precipitate, which comprises performing electrolytic plating using the above-mentioned electrolytic nickel plating solution or electrolytic nickel alloy plating solution.

また、本発明は、上記の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を使用して電解めっきを行うことを特徴とする、微小孔又は微小凹部にニッケル析出物又はニッケル合金析出物が充填されている電子部品の製造方法を提供するものである。 Further, the present invention is characterized in that electrolytic plating is performed using the above-mentioned electrolytic nickel plating solution or electrolytic nickel alloy plating solution, and the micropores or microrecesses are filled with nickel precipitates or nickel alloy precipitates. It provides a method for manufacturing electronic parts.

また、本発明は、電子部品内に形成された微小孔又は微小凹部の表面に予め電解めっき用シード層を施した後、該電子部品を上記の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液に浸漬し、外部電源を使用して電解めっきをすることを特徴とする、微小孔又は微小凹部にニッケル析出物又はニッケル合金析出物が充填されている電子部品の製造方法を提供するものである。 Further, in the present invention, after a seed layer for electrolytic plating is previously applied to the surface of micropores or microrecesses formed in an electronic component, the electronic component is immersed in the above-mentioned electrolytic nickel plating solution or electrolytic nickel alloy plating solution. Further, the present invention provides a method for manufacturing an electronic component in which a nickel precipitate or a nickel alloy precipitate is filled in a micropore or a microrecess, which is characterized by electrolytic plating using an external power source.

また、本発明は、上記の製造方法により、微小孔又は微小凹部にめっき充填する工程を含むことを特徴とする微小三次元構造体の製造方法を提供するものである。 The present invention also provides a method for manufacturing micro-three-dimensional structures, which comprises a step of plating and filling micropores or microrecesses by the above-mentioned manufacturing method.

また、本発明は、2個以上の電子部品を重ねて、電子部品同士の間に微小間隙部が形成された状態で、該2個以上の電子部品を上記の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液に浸漬し、外部電源を使用して電解めっきすることで該微小間隙部を充填することを特徴とする電子部品接合体の製造方法を提供するものである。 Further, in the present invention, in a state where two or more electronic parts are stacked and a minute gap is formed between the electronic parts, the two or more electronic parts are subjected to the above-mentioned electrolytic nickel plating solution or electrolytic nickel alloy. The present invention provides a method for manufacturing an electronic component bonded body, which comprises immersing in a plating solution and electrolytically plating using an external power source to fill the minute gaps.

また、本発明は、2個以上の電子部品がニッケル又はニッケル合金により接合されている電子部品接合体であって、電子部品同士の間に形成された微小間隙部付近には、他の部位よりも多くのニッケル又はニッケル合金が析出していることを特徴とする電子部品接合体を提供するものである。 Further, the present invention is an electronic component joint in which two or more electronic components are joined by nickel or a nickel alloy, and the vicinity of the minute gap formed between the electronic components is larger than that of other portions. Also provides an electronic component junction characterized by the precipitation of a large amount of nickel or nickel alloy.

また、本発明は、ニッケル又はニッケル合金で構成されている電子部品接合用端子であって、厚さ1mm以下の基材の中に、該基材の基材面に対して略垂直方向に該基材を貫通しないように埋め込まれたプラグ部と、該プラグ部の外径よりも大きい外径を持ち該プラグ部と当接しているキャップ部とを備え、該キャップ部の外径は200μm以下であり、該キャップ部は該基材の基材面より突出した形状となっていることを特徴とする片面の電子部品接合用端子を提供するものである。 Further, the present invention is a terminal for joining electronic components made of nickel or a nickel alloy, which is contained in a base material having a thickness of 1 mm or less in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material. A plug portion embedded so as not to penetrate the base material and a cap portion having an outer diameter larger than the outer diameter of the plug portion and in contact with the plug portion are provided, and the outer diameter of the cap portion is 200 μm or less. The cap portion provides a terminal for joining electronic components on one side, which is characterized in that the cap portion has a shape protruding from the base material surface of the base material.

また、本発明は、ニッケル又はニッケル合金で構成されている電子部品接合用端子であって、厚さ1mm以下の基材の中に、該基材の基材面に対して略垂直方向に該基材を貫通するように埋め込まれたプラグ部と、該プラグ部の外径よりも大きい外径を持ち該プラグ部の両端とそれぞれ当接している2つのキャップ部とを備え、2つのキャップ部の外径は何れも200μm以下であり、2つのキャップ部は該基材のそれぞれの基材面より突出した形状となっていることを特徴とする両面の電子部品接合用端子を提供するものである。 Further, the present invention is a terminal for joining electronic components made of nickel or a nickel alloy, which is contained in a base material having a thickness of 1 mm or less in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material. The two cap portions are provided with a plug portion embedded so as to penetrate the base material and two cap portions having an outer diameter larger than the outer diameter of the plug portion and in contact with both ends of the plug portion. Both have an outer diameter of 200 μm or less, and the two cap portions provide terminals for joining electronic components on both sides, which are characterized in that the two cap portions have a shape protruding from the respective substrate surfaces of the substrate. be.

また、本発明は、ニッケル又はニッケル合金で構成されている電子部品接合用端子であって、厚さ1mm以下の基材の中に、該基材の基材面に対して略垂直方向に該基材を貫通しないように埋め込まれたプラグ部からなり、該プラグ部の外径は100μm以下であることを特徴とする片面の電子部品接合用端子を提供するものである。 Further, the present invention is a terminal for joining electronic components made of nickel or a nickel alloy, which is contained in a base material having a thickness of 1 mm or less in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material. It comprises a plug portion embedded so as not to penetrate the base material, and provides a single-sided electronic component joining terminal characterized in that the outer diameter of the plug portion is 100 μm or less.

また、本発明は、ニッケル又はニッケル合金で構成されている電子部品接合用端子であって、厚さ1mm以下の基材の中に、該基材の基材面に対して略垂直方向に該基材を貫通するように埋め込まれたプラグ部からなり、該プラグ部の外径は100μm以下であることを特徴とする両面の電子部品接合用端子を提供するものである。 Further, the present invention is a terminal for joining electronic components made of nickel or a nickel alloy, which is contained in a base material having a thickness of 1 mm or less in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material. It comprises a plug portion embedded so as to penetrate a base material, and provides a terminal for joining electronic components on both sides, characterized in that the outer diameter of the plug portion is 100 μm or less.

本発明によれば、ニッケルめっき又はニッケル合金めっきを使用することにより、電子回路部品内の微小孔又は微小凹部を、ボイドやシーム等の欠陥を発生させることなく充填することができる。 According to the present invention, by using nickel plating or nickel alloy plating, it is possible to fill micropores or microrecesses in an electronic circuit component without causing defects such as voids and seams.

本発明では、融点が高く、室温再結晶が起こりにくいニッケルで微小孔や微小凹部を充填できるので、配線の更なる微細化が進んでも、ボイドの凝集に伴う不具合が起こりにくく、微細化が進んでいる三次元配線形成や三次元MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)部品等に広く応用することができる。 In the present invention, since nickel having a high melting point and difficult to recrystallize at room temperature can be filled with micropores and microrecesses, even if the wiring is further miniaturized, problems due to the aggregation of voids are less likely to occur and the miniaturization progresses. It can be widely applied to 3D wiring formation and 3D MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) parts.

また、本発明では、微小部分にニッケルを析出させることができるので、電子部品同士を重ねた際に生じる微小間隙部のニッケル析出量を多くすることができ、電子部品同士を強固に接合することができる。 Further, in the present invention, since nickel can be deposited in the minute portion, the amount of nickel deposited in the minute gap portion generated when the electronic parts are overlapped with each other can be increased, and the electronic parts can be firmly bonded to each other. Can be done.

実施例で使用した評価用プリント基板の被めっき部周辺の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section around the plated part of the evaluation printed circuit board used in an Example. 実施例で使用した評価用プリント基板の表面の配線パターンの写真である。It is a photograph of the wiring pattern of the surface of the evaluation printed circuit board used in the Example. 実施例で使用した評価用電子部品(銅線と銅板)の接合前の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section before joining of the electronic component for evaluation (copper wire and copper plate) used in an Example. めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(実施例1)。It is a micrograph of the cross section of a substrate after plating filling (Example 1). めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(実施例2)。It is a micrograph of the cross section of a substrate after plating filling (Example 2). めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(実施例3)。It is a micrograph of the cross section of a substrate after plating filling (Example 3). めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(実施例4)。It is a micrograph of the cross section of a substrate after plating filling (Example 4). めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(実施例5)。It is a micrograph of the cross section of a substrate after plating filling (Example 5). めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(実施例6)。It is a micrograph of the cross section of a substrate after plating filling (Example 6). めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(比較例1)。It is a micrograph of the cross section of a substrate after plating filling (Comparative Example 1). めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(比較例2)。It is a micrograph of the cross section of the substrate after plating filling (Comparative Example 2). めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真である(比較例3)。It is a micrograph of the cross section of a substrate after plating filling (Comparative Example 3). めっき充填後の銅線と銅板の断面の顕微鏡写真である(実施例7)。It is a micrograph of the cross section of a copper wire and a copper plate after plating filling (Example 7). めっき充填後の銅線と銅板の断面の顕微鏡写真である(実施例8)。It is a micrograph of the cross section of a copper wire and a copper plate after plating filling (Example 8). めっき充填後の銅線と銅板の断面の顕微鏡写真である(比較例4)。It is a micrograph of a cross section of a copper wire and a copper plate after plating filling (Comparative Example 4). 本発明の方法で微小孔又は微小凹部にニッケル(合金)析出物を充填する際の基材断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section of a base material at the time of filling a nickel (alloy) precipitate in a micropore or a microrecess by the method of this invention. 本発明の片面の電子部品接合用端子の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the terminal for joining an electronic component on one side of this invention. 本発明の両面の電子部品接合用端子の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the terminal for joining electronic parts on both sides of this invention. 本発明の片面の電子部品接合用端子の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the terminal for joining an electronic component on one side of this invention. 本発明の両面の電子部品接合用端子の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the terminal for joining electronic parts on both sides of this invention.

以下、本発明について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、任意に変形して実施することができる。 Hereinafter, the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following embodiments, and can be arbitrarily modified and carried out.

<電解ニッケル(合金)めっき液>
本発明の電解ニッケル(合金)めっき液(以下、単に「本発明のめっき液」と略記する場合がある。)は、ニッケル塩と、pH緩衝剤と、下記一般式(A)又は下記一般式(B)で表されるN置換ピリジニウム化合物を含有する。
<Electrolytic nickel (alloy) plating solution>
The electrolytic nickel (alloy) plating solution of the present invention (hereinafter, may be simply abbreviated as "plating solution of the present invention") includes a nickel salt, a pH buffer, and the following general formula (A) or the following general formula. It contains an N-substituted pyridinium compound represented by (B).

Figure 0007021781000003
Figure 0007021781000003

[一般式(A)において、-Rは、炭素数1~6のアルキル基、アルキルアミノ基若しくはシアノアルキル基、アミノ基(-NH)又はシアノ基である。-Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基若しくはヒドロキシアルキル基、ビニル基、メトキシカルボニル基(-CO-O-CH)、カルバモイル基(-CO-NH)、ジメチルカルバモイルオキシ基(-O-CO-N(CH)又はアルドキシム基(-CH=NOH)である。Xは任意の陰イオンである。][In the general formula (A), -R 1 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkylamino group or a cyanoalkyl group, an amino group (-NH 2 ) or a cyano group. -R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group or hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyl group, a methoxycarbonyl group (-CO-O-CH 3 ), a carbamoyl group (-CO-NH 2 ), and a dimethylcarbamoyloxy. It is a group (-O-CO-N (CH 3 ) 2 ) or an aldoxime group (-CH = NOH). X - is any anion. ]

Figure 0007021781000004
Figure 0007021781000004

[一般式(B)において、-Rは、水素原子又はヒドロキシル基(-OH)である。-Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ビニル基又はカルバモイル基(-CO-NH)である。mは0、1又は2である。][In the general formula (B), -R 3 is a hydrogen atom or a hydroxyl group (-OH). -R 4 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyl group or a carbamoyl group (-CO-NH 2 ). m is 0, 1 or 2. ]

本発明のめっき液に含有させるニッケル塩としては、水溶性や充填性の観点から、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッケル、炭酸ニッケル、硝酸ニッケル、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル、クエン酸ニッケル、ホウフッ化ニッケル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
The nickel salt contained in the plating solution of the present invention includes nickel sulfate, nickel sulfamate, nickel chloride, nickel bromide, nickel carbonate, nickel nitrate, nickel formate, nickel acetate, and citric acid from the viewpoint of water solubility and filling property. Examples thereof include nickel and nickel borofluoride, but the present invention is not limited thereto.
These may be used individually by 1 type, or may be used by mixing 2 or more types.

上記ニッケル塩の合計含有量は、ニッケルイオンとして、10g/L以上180g/L以下が好ましく、50g/L以上130g/L以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、ニッケルの析出速度を十分にすることができ、また、ボイドを発生することなく微小孔や微小凹部を充填することができる。
The total content of the nickel salts is preferably 10 g / L or more and 180 g / L or less, and particularly preferably 50 g / L or more and 130 g / L or less as nickel ions.
Within the above range, the precipitation rate of nickel can be made sufficient, and micropores and recesses can be filled without generating voids.

本発明のめっき液に含有させるpH緩衝剤としては、ホウ酸、メタホウ酸、酢酸、酒石酸、クエン酸や、それらの塩等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
Examples of the pH buffering agent contained in the plating solution of the present invention include, but are not limited to, boric acid, metaboric acid, acetic acid, tartaric acid, citric acid, and salts thereof.
These may be used individually by 1 type, or may be used by mixing 2 or more types.

pH緩衝剤の合計含有量は、1g/L以上100g/L以下が好ましく、5g/L以上50g/L以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、上記一般式(A)又は一般式(B)で表されるN置換ピリジニウム化合物(以下、「特定N置換ピリジニウム化合物」という場合がある。)の作用を阻害しにくく、本発明の効果が保たれる。
The total content of the pH buffer is preferably 1 g / L or more and 100 g / L or less, and particularly preferably 5 g / L or more and 50 g / L or less.
Within the above range, the action of the N-substituted pyridinium compound represented by the general formula (A) or the general formula (B) (hereinafter, may be referred to as “specific N-substituted pyridinium compound”) is less likely to be inhibited. The effect of the present invention is maintained.

本発明のめっき液は、特定N置換ピリジニウム化合物を含有する。
特定N置換ピリジニウム化合物の作用により、本発明のめっき液は、微小孔や微小凹部をボイドの発生なく充填することができる。
The plating solution of the present invention contains a specific N-substituted pyridinium compound.
Due to the action of the specific N-substituted pyridinium compound, the plating solution of the present invention can fill micropores and microrecesses without generating voids.

上記一般式(A)及び上記一般式(B)のR、R、Rが、炭素数1~6のアルキル基、アルキルアミノ基、シアノアルキル基又はヒドロキシアルキル基である場合は、該R、R、Rは互いに異なっていてもよい。また、R、R、Rの炭素数は、1~4が好ましく、1~3がより好ましく、1又は2が特に好ましい。When R 1 , R 2 , and R 4 of the general formula (A) and the general formula (B) are an alkyl group, an alkylamino group, a cyanoalkyl group, or a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the said. R 1 , R 2 , and R 4 may be different from each other. The carbon number of R 1 , R 2 , and R 4 is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and particularly preferably 1 or 2.

上記一般式(A)において、-Rの具体例としては、-CH、-CHCH、-CHCN等が挙げられる。
-Rの具体例としては、-H、-CH、-C、-CHOH、-CH=CH、-CONH、-CH=NOH等が挙げられる。
の具体例としては、ハロゲン化物イオン(塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン)等が挙げられる。
In the above general formula (A), specific examples of -R 1 include -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CN and the like.
Specific examples of -R 2 include -H, -CH 3 , -C 2 H 5 , -CH 2 OH, -CH = CH 2 , -CONH 2 , -CH = NOH and the like.
Specific examples of X include halide ions (chloride ion, bromide ion, iodide ion) and the like.

上記一般式(A)で表される特定N置換ピリジニウム化合物の具体例としては、1-メチルピリジニウム、1-エチルピリジニウム、1-プロピルピリジニウム、1-ブチルピリジニウム、1-ペンチルピリジニウム、1-ヘキシルピリジニウム、1-エチル-3-(ヒドロキシメチル)ピリジニウム、1-エチル-4-(メトキシカルボニル)ピリジニウム、1-ブチル-4-メチルピリジニウム、1-ブチル-3-メチルピリジニウム、1-メチルピリジニウム-2-アルドキシム、3-カルバモイル-1-メチルピリジニウム、3-(ジメチルカルバモイルオキシ)-1-メチルピリジニウム(ピリドスチグミン)、1-(シアノメチル)ピリジニウム等のハロゲン化物(塩化物、臭化物、ヨウ化物)等が挙げられる。 Specific examples of the specific N-substituted pyridinium compound represented by the above general formula (A) include 1-methylpyridinium, 1-ethylpyridinium, 1-propylpyridinium, 1-butylpyridinium, 1-pentylpyridinium, and 1-hexylpyridinium. , 1-Ethyl-3- (hydroxymethyl) pyridinium, 1-ethyl-4- (methoxycarbonyl) pyridinium, 1-butyl-4-methylpyridinium, 1-butyl-3-methylpyridinium, 1-methylpyridinium-2- Examples thereof include halides (chloride, bromide, iodide) such as aldoxime, 3-carbamoyl-1-methylpyridinium, 3- (dimethylcarbamoyloxy) -1-methylpyridinium (pyridostigmin), 1- (cyanomethyl) pyridinium. ..

上記一般式(B)において、-Rの具体例としては、-Rと同様のものが挙げられる。In the above general formula (B), as a specific example of −R4 , the same as that of −R2 can be mentioned.

上記一般式(B)で表される特定N置換ピリジニウム化合物の具体例としては、1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、1-(2-スルホナトエチル)ピリジニウム、1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、2-ビニル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-ビニル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-ビニル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-メチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-メチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-メチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-エチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-エチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-エチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-ビニル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、3-ビニル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、4-ビニル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、2-メチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、3-メチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、4-メチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、2-エチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、3-エチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、4-エチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、4-tert-ブチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2,6-ジメチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-(アミノカルボニル)-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-ビニル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-ビニル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-ビニル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-メチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-メチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-メチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-エチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-エチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-エチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム等が挙げられる。 Specific examples of the specific N-substituted pyridinium compound represented by the above general formula (B) include 1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 1- (2-sulfonateethyl) pyridinium, and 1- (4-sulfonatebutyl). Pyridinium, 2-vinyl-1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium, 3-vinyl-1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium, 4-vinyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 2-methyl -1- (3-Sulphonatopropyl) pyridinium, 3-methyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 4-methyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 2-ethyl-1- (3) -Sulfonatopropyl) pyridinium, 3-ethyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 4-ethyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 2-vinyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 3-Vinyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 4-vinyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 2-methyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 3-methyl-1- (4-sulfonatebutyl) Pyridinium, 4-Methyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 2-ethyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 3-ethyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 4-ethyl-1- (4-ethyl-1- (4-) Sulfonatobutyl) pyridinium, 4-tert-butyl-1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium, 2,6-dimethyl-1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium, 3- (aminocarbonyl) -1- (3-) Sulfonatopropyl) pyridinium, 1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 2-vinyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 3-vinyl-1- (2-hydroxy) -3-Sulphonatopropyl) pyridinium, 4-vinyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 2-methyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 3-methyl -1- (2-Hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 4-methyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 2-ethyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonato) Propyl) pyridinium, 3-ethyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonato) Examples thereof include propyl) pyridinium and 4-ethyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium.

「1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム」は、一般式(B)において、-Rが水素原子、-Rが水素原子、mが1の化合物であり、「1-(3-スルホプロピル)ピリジニウムヒドロキシド分子内塩」、「1-(3-スルホプロピル)ピリジニウム」、「PPS」等の別名がある。
「2-ビニル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム」は、一般式(B)において、-Rが水素原子、-Rがオルト位に結合したビニル基、mが1の化合物であり、「1-(3-スルホプロピル)-2-ビニルピリジニウムヒドロキシド分子内塩」、「1-(3-スルホプロピル)-2-ビニルピリジニウムベタイン」、「PPV」等の別名がある。
「1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム」は、一般式(B)において、-Rがヒドロキシル基、-Rが水素原子、mが1の化合物であり、「1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウムヒドロキシド分子内塩」、「1-(2-ヒドロキシ-3-スルホプロピル)ピリジニウムベタイン」、「PPSOH」等の別名がある。
"1- (3-Sulphonatopropyl) pyridinium" is a compound in the general formula (B) in which -R 3 is a hydrogen atom, -R 4 is a hydrogen atom, and m is 1. There are other names such as "propyl) pyridinium hydroxide intramolecular salt", "1- (3-sulfopropyl) pyridinium", and "PPS".
"2-Vinyl-1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium" is a compound in the general formula (B) in which -R 3 is a hydrogen atom, -R 4 is a vinyl group bonded to the ortho position, and m is 1. There are other names such as "1- (3-sulfopropyl) -2-vinylpyridinium hydroxide intramolecular salt", "1- (3-sulfopropyl) -2-vinylpyridinium betaine", and "PPV".
"1- (2-Hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium" is a compound in the general formula (B) in which -R 3 is a hydroxyl group, -R 4 is a hydrogen atom, and m is 1. There are other names such as (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium hydroxide intramolecular salt, "1- (2-hydroxy-3-sulfopropyl) pyridinium betaine", and "PPSOH".

特定N置換ピリジニウム化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
また、本発明のめっき液における特定N置換ピリジニウム化合物の合計含有量は、0.01g/L以上100g/L以下が好ましく、0.1g/L以上10g/L以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、微小孔や微小凹部の外部のニッケル析出量を多くすることができ、微小孔や微小凹部にボイドを発生させることなく充填することができる。
The specific N-substituted pyridinium compound may be used alone or in combination of two or more.
The total content of the specific N-substituted pyridinium compound in the plating solution of the present invention is preferably 0.01 g / L or more and 100 g / L or less, and particularly preferably 0.1 g / L or more and 10 g / L or less.
Within the above range, the amount of nickel deposited outside the micropores and microrecesses can be increased, and the micropores and microrecesses can be filled without generating voids.

本発明のめっき液が、電解ニッケル合金めっき液である場合、ニッケルとの合金用の金属イオンについては、例えば、タングステン、モリブデン、コバルト、マンガン、鉄、亜鉛、錫、銅、パラジウム、金等が挙げられる。これらの金属源としては、公知の化合物を使用できる。
また、金属ではないものの、ニッケル又はニッケル合金皮膜に、炭素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、塩素、臭素等を含有してもよい。
When the plating solution of the present invention is an electrolytic nickel alloy plating solution, the metal ions for alloying with nickel include, for example, tungsten, molybdenum, cobalt, manganese, iron, zinc, tin, copper, palladium, gold and the like. Can be mentioned. Known compounds can be used as these metal sources.
Further, although it is not a metal, carbon, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, chlorine, bromine and the like may be contained in the nickel or nickel alloy film.

本発明のめっき液には、本発明の効果を阻害しない範囲内で、ピット防止剤、1次光沢剤、2次光沢剤、界面活性剤等を必要に応じて添加することができる。 A pit inhibitor, a primary brightener, a secondary brightener, a surfactant and the like can be added to the plating solution of the present invention as necessary, as long as the effects of the present invention are not impaired.

本発明のめっき液は、電子回路部品内に形成された微小孔又は微小凹部の充填用として使用するのに特に適しているが、通常のニッケル(合金)析出物の製造用にも使用することができる。
すなわち、本発明は、上記の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を使用して電解めっきを行うことを特徴とするニッケル析出物又はニッケル合金析出物の製造方法にも関する。
The plating solution of the present invention is particularly suitable for use in filling micropores or microdents formed in electronic circuit components, but is also used for producing ordinary nickel (alloy) precipitates. Can be done.
That is, the present invention also relates to a method for producing a nickel precipitate or a nickel alloy precipitate, which comprises performing electrolytic plating using the above-mentioned electrolytic nickel plating solution or electrolytic nickel alloy plating solution.

後述の実施例のように、本発明のめっき液により、微小孔や微小凹部を充填した場合、微小孔や微小凹部の内部の析出量が、微小孔や微小凹部の外部の析出量よりも多くなり、微小孔や微小凹部にニッケル(又はニッケル合金)を十分に埋め込むことができる。また、微小孔や微小凹部の内部にボイド(穴)やシーム(溝)が発生しにくい。
このため、ニッケルの融点の高さも相俟って、本発明のめっき液により微小孔や微小凹部を充填した電子回路部品は、高い信頼性を持つことが期待される。
When the micropores and microrecesses are filled with the plating solution of the present invention as in the examples described later, the amount of precipitation inside the micropores and microrecesses is larger than the amount of precipitation outside the micropores and microrecesses. Therefore, nickel (or nickel alloy) can be sufficiently embedded in the micropores and the microrecesses. In addition, voids (holes) and seams (grooves) are less likely to occur inside the micropores and recesses.
Therefore, in combination with the high melting point of nickel, it is expected that the electronic circuit component in which the micropores and the microrecesses are filled with the plating solution of the present invention has high reliability.

<ニッケル(合金)充填電子部品の製造方法・微小三次元構造体の製造方法>
本発明は、前記の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を使用して電解めっきを行うことを特徴とする、微小孔又は微小凹部にニッケル析出物又はニッケル合金析出物が充填されている電子部品の製造方法(すなわち、ニッケル析出物又はニッケル合金析出物の充填方法)にも関する。
また、本発明は、電子部品内に形成された微小孔又は微小凹部の表面に予め電解めっき用シード層を施した後、該電子部品を前記の電解ニッケル(合金)めっき液に浸漬し、外部電源を使用して電解めっきをすることを特徴とする、微小孔又は微小凹部にニッケル析出物又はニッケル合金析出物が充填されている電子部品の製造方法でもある。
更に、本発明は、上記製造方法により微小孔又は微小凹部にめっき充填する工程を含むことを特徴とする微小三次元構造体の製造方法でもある。
<Manufacturing method of nickel (alloy) filled electronic parts / Manufacturing method of micro-three-dimensional structure>
The present invention is characterized in that electrolytic plating is performed using the electrolytic nickel plating solution or the electrolytic nickel alloy plating solution, wherein the micropores or microrecesses are filled with nickel precipitates or nickel alloy precipitates. It also relates to a method of manufacturing parts (ie, a method of filling nickel precipitates or nickel alloy precipitates).
Further, in the present invention, after a seed layer for electrolytic plating is previously applied to the surface of micropores or microrecesses formed in an electronic component, the electronic component is immersed in the electrolytic nickel (alloy) plating solution to the outside. It is also a method for manufacturing an electronic component in which nickel precipitates or nickel alloy precipitates are filled in micropores or recesses, which is characterized by electrolytic plating using a power source.
Further, the present invention is also a method for manufacturing micro-three-dimensional structures, which comprises a step of plating and filling micropores or microrecesses by the above-mentioned manufacturing method.

「微小孔又は微小凹部」とは、半導体やプリント基板等の電子回路部品内に形成されたビア、スルーホール、トレンチ等の微小な窪んだ部分であり、電解めっき等により、金属を充填されることにより、配線部として機能する部分をいい、上から見た形状は限定されない。また、「微小孔」に関しては、貫通していてもいなくてもよい。 The "micropores or microrecesses" are minute recessed portions such as vias, through holes, and trenches formed in electronic circuit parts such as semiconductors and printed circuit boards, and are filled with metal by electrolytic plating or the like. As a result, it refers to a part that functions as a wiring part, and the shape seen from above is not limited. Further, the "micropores" may or may not penetrate.

本発明を実施するには、電子回路部品内の被めっき基板上に、微小孔や微小凹部を形成することが必要である。 In order to carry out the present invention, it is necessary to form minute holes and minute recesses on the substrate to be plated in the electronic circuit component.

被めっき基材に特に制限はなく、具体的には電子回路部品として多用されるガラスエポキシ材、BT(Bismaleimide-Triazine)レジン材、ポリプロピレン材、ポリイミド材、セラミック材、シリコン材、金属材、ガラス材等が挙げられる。 The base material to be plated is not particularly limited, and specifically, glass epoxy material, BT (Bismaleimide-Triazine) resin material, polypropylene material, polyimide material, ceramic material, silicon material, metal material, and glass, which are often used as electronic circuit parts. Materials and the like can be mentioned.

被めっき基材に微小孔や微小凹部を形成する方法に制限はなく、公知の方法が適宜使用できる。例えば、レーザー加工やイオンエッチングによる方法が挙げられ、開口部が100μm以下、アスペクト比が0.5以上の深さで微小凹部を形成させることができる。
その後必要に応じてフォトレジスト等で被めっき基材表面にパターンを形成させる。
There is no limitation on the method of forming micropores or microrecesses on the substrate to be plated, and a known method can be appropriately used. For example, a method by laser processing or ion etching can be mentioned, and a minute recess can be formed at a depth of 100 μm or less and an aspect ratio of 0.5 or more.
Then, if necessary, a pattern is formed on the surface of the substrate to be plated with a photoresist or the like.

微小凹部を形成した被めっき基材が絶縁基材の場合には、基材表面と微小凹部の内表面に電解めっき用シード層を形成させる。シード層の形成方法に制限はないが、具体的にはスパッタリングによる金属堆積や無電解めっき法等が挙げられる。
シード層を構成する金属としては特に制限はなく、銅、ニッケル、パラジウム等が例示できる。
When the base material to be plated on which the micro-recesses are formed is an insulating base material, a seed layer for electrolytic plating is formed on the surface of the base material and the inner surface of the micro-recesses. The method for forming the seed layer is not limited, and specific examples thereof include metal deposition by sputtering and electroless plating.
The metal constituting the seed layer is not particularly limited, and copper, nickel, palladium and the like can be exemplified.

電解めっき用シード層を形成した後に、本発明の電解ニッケル(合金)めっき液に被めっき基材を浸漬し、外部電源を用いて電解ニッケル(合金)めっきを実施し、微小孔や微小凹部に、ニッケル又はニッケル合金を充填する。
なお、シード層形成後に一度乾燥した被めっき基材にめっきする場合は、常法に従って脱脂、酸洗浄を行った後に、本発明のめっき液を用いて電解めっきすればよい。
After forming the seed layer for electrolytic plating, the base material to be plated is immersed in the electrolytic nickel (alloy) plating solution of the present invention, and electrolytic nickel (alloy) plating is performed using an external power source to form micropores and concave portions. , Nickel or nickel alloy.
When plating the substrate to be plated once dried after forming the seed layer, it may be subjected to degreasing and pickling according to a conventional method, and then electroplated using the plating solution of the present invention.

ここで、微小孔や微小凹部の「充填」とは、大きなボイド(穴)を生じることなく微小孔や微小凹部を埋め込むことを意味するが、微小孔や微小凹部が完全には埋まっていない場合(例えば、図16(b)や図19(c)等に示すように、微小孔や微小凹部にニッケル(合金)が析出しているものの、窪んでいる部分が存在する場合)や、微小孔や微小凹部の外側の周縁部にまでニッケル又はニッケル合金が析出する場合(図16(a)等の場合)も「充填」に含まれる。 Here, "filling" of micropores and microrecesses means embedding micropores and microrecesses without forming large voids (holes), but when the micropores and microrecesses are not completely filled. (For example, as shown in FIGS. 16 (b) and 19 (c), nickel (alloy) is deposited in the micropores and the microrecesses, but there is a recessed portion) or the micropores. The case where nickel or nickel alloy is deposited even on the outer peripheral edge of the micro-recess (in the case of FIG. 16A or the like) is also included in "filling".

本発明の充填方法では、外部電源を使用して電解めっきする際に、微小孔又は微小凹部30内部の最小めっき断面膜厚(図16におけるX)が、微小孔又は微小凹部30の外側の周縁部31のめっき最大断面膜厚(図16におけるX)よりも大きくなるようにすることが可能である。
すなわち、本発明の充填方法では、微小孔又は微小凹部30内部において、ニッケル(合金)の析出量を多くすることが可能である。
In the filling method of the present invention, when electrolytic plating is performed using an external power source, the minimum plating cross-sectional thickness inside the micropores or microrecesses 30 (X2 in FIG . 16) is outside the micropores or microrecesses 30. It is possible to make the peripheral portion 31 larger than the maximum plating cross - sectional thickness (X1 in FIG. 16).
That is, in the filling method of the present invention, it is possible to increase the amount of nickel (alloy) deposited in the micropores or the microrecesses 30.

本発明の充填方法で、微小孔又は微小凹部30内部にニッケル(合金)を充填する際には、図16(a)に示すように、微小孔又は微小凹部30が完全にニッケル(合金)で埋まっていてもよいし、図16(b)に示すように、一部埋まっていなくても(逆凸型の形状となっていても)よい。 When nickel (alloy) is filled inside the micropores or microrecesses 30 by the filling method of the present invention, as shown in FIG. 16A, the micropores or microrecesses 30 are completely made of nickel (alloy). It may be buried, or as shown in FIG. 16B, it may not be partially buried (it may have an inverted convex shape).

本発明のニッケル又はニッケル合金めっき充填方法により、微小孔又は微小凹部にめっき充填する工程を含む方法により、微小孔や微小凹部がニッケル又はニッケル合金で充填された微小三次元回路配線又は微小三次元構造体を製造することができる。 By the method including the step of plating and filling the micropores or the microrecesses by the nickel or nickel alloy plating filling method of the present invention, the micropores or the microrecesses are filled with nickel or nickel alloy. The structure can be manufactured.

めっき温度は、30℃以上が好ましく、40℃以上が特に好ましい。また、70℃以下が好ましく、60℃以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、微小孔や微小凹部の充填性に優れ、コスト的にも有利である。
The plating temperature is preferably 30 ° C. or higher, and particularly preferably 40 ° C. or higher. Further, 70 ° C. or lower is preferable, and 60 ° C. or lower is particularly preferable.
When it is within the above range, the filling property of the minute holes and the minute recesses is excellent, and it is advantageous in terms of cost.

めっきの際の電流密度は、0.1A/dm以上が好ましく、1A/dm以上が特に好ましい。また、10A/dm以下が好ましく、5A/dm以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、微小孔や微小凹部の充填性に優れ、コスト的にも有利である。
The current density during plating is preferably 0.1 A / dm 2 or more, and particularly preferably 1 A / dm 2 or more. Further, 10 A / dm 2 or less is preferable, and 5 A / dm 2 or less is particularly preferable.
When it is within the above range, the filling property of the minute holes and the minute recesses is excellent, and it is advantageous in terms of cost.

また、電流密度は、めっき充填中に常に一定にしてもよいし、一定でなくてもよい(例えば、初期の電流密度を低くし、徐々に電流密度を上げていく;パルス電流とする;等)。
電流密度は、めっき充填中に常に一定(又は、めっき充填中の大半の時間において一定)とした方が、ボイドを生ずることなく充填しやすく、好ましい。
Further, the current density may or may not be constant during plating filling (for example, the initial current density is lowered and the current density is gradually increased; the pulse current is used; etc.). ).
It is preferable that the current density is always constant during plating filling (or constant during most of the plating filling) because it is easy to fill without forming voids.

めっき時間は、5分以上が好ましく、10分以上が特に好ましい。また、360分以下が好ましく、60分以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、微小孔や微小凹部の充填性に優れ、コスト的にも有利である。
The plating time is preferably 5 minutes or more, and particularly preferably 10 minutes or more. Further, 360 minutes or less is preferable, and 60 minutes or less is particularly preferable.
When it is within the above range, the filling property of the minute holes and the minute recesses is excellent, and it is advantageous in terms of cost.

<電子部品接合体及びその製造方法>
本発明は、2個以上の電子部品を重ねて、電子部品同士の間に微小間隙部が形成された状態で、該2個以上の電子部品を前記の電解ニッケル(合金)めっき液に浸漬し、外部電源を使用して電解めっきすることで該微小間隙部を充填することを特徴とする電子部品接合体の製造方法でもある。
<Electronic component joints and their manufacturing methods>
In the present invention, two or more electronic components are stacked, and the two or more electronic components are immersed in the electrolytic nickel (alloy) plating solution in a state where a minute gap is formed between the electronic components. It is also a method for manufacturing an electronic component joint, which is characterized in that the minute gaps are filled by electrolytic plating using an external power source.

「電子部品」とは、電子回路上に表面実装される部品をいう。「電子部品接合体」とは、2個以上の電子部品が接合して一体となったものをいう。 "Electronic component" means a component that is surface-mounted on an electronic circuit. The "electronic component joint" means a body in which two or more electronic components are joined and integrated.

電子部品表面をめっきし、複数の電子部品を接合する(電子部品接合体を作製する)場合、均一にめっき成長してしまうと、電子部品同士の間の微小間隙部付近において、強度が不十分となり、不具合を生じる場合がある。 When the surface of an electronic component is plated and a plurality of electronic components are joined (to produce an electronic component joint), if the plating grows uniformly, the strength is insufficient in the vicinity of the minute gap between the electronic components. And may cause problems.

本発明の電解ニッケル(合金)めっき液によってめっきした場合、このような微小間隙部付近において、ニッケル又はニッケル合金の析出量が多くなる。
すなわち、本発明によれば、2個以上の電子部品がニッケル又はニッケル合金により接合されている電子部品接合体であって、電子部品同士の間に形成された微小間隙部付近には、他の部位よりも多くのニッケル又はニッケル合金が析出していることを特徴とする電子部品接合体を得ることができる。
When plated with the electrolytic nickel (alloy) plating solution of the present invention, the amount of nickel or nickel alloy deposited increases in the vicinity of such minute gaps.
That is, according to the present invention, it is an electronic component junction in which two or more electronic components are joined by nickel or a nickel alloy, and another electronic component is formed in the vicinity of a minute gap formed between the electronic components. It is possible to obtain an electronic component junction characterized by the precipitation of more nickel or nickel alloy than the site.

本発明の電子部品接合体は、微小間隙部付近において、ニッケル又はニッケル合金の析出量が多いので、電子部品同士の接合部分において、十分な強度を有し、信頼性が高い。 Since the electronic component joint of the present invention has a large amount of nickel or nickel alloy deposited in the vicinity of the minute gap, it has sufficient strength and high reliability at the junction between the electronic components.

本発明により、電子部品接合体を製造する際のめっき温度は、30℃以上が好ましく、40℃以上が特に好ましい。また、70℃以下が好ましく、60℃以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、微小間隙部付近のニッケル又はニッケル合金の析出量が十分になり、接合強度が向上しやすい。
According to the present invention, the plating temperature at the time of manufacturing the electronic component joint is preferably 30 ° C. or higher, and particularly preferably 40 ° C. or higher. Further, 70 ° C. or lower is preferable, and 60 ° C. or lower is particularly preferable.
Within the above range, the amount of nickel or nickel alloy deposited in the vicinity of the minute gaps is sufficient, and the bonding strength is likely to be improved.

本発明により、電子部品接合体を製造する際の電流密度は、0.1A/dm以上が好ましく、1A/dm以上が特に好ましい。また、10A/dm以下が好ましく、5A/dm以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、微小間隙部付近のニッケル又はニッケル合金の析出量が十分になり、接合強度が向上しやすい。
According to the present invention, the current density when manufacturing the electronic component joint is preferably 0.1 A / dm 2 or more, and particularly preferably 1 A / dm 2 or more. Further, 10 A / dm 2 or less is preferable, and 5 A / dm 2 or less is particularly preferable.
Within the above range, the amount of nickel or nickel alloy deposited in the vicinity of the minute gaps is sufficient, and the bonding strength is likely to be improved.

また、電流密度は、めっき充填中に常に一定にしてもよいし、一定でなくてもよい(例えば、初期の電流密度を低くし、徐々に電流密度を上げていく;パルス電流とする;等)。
電流密度は、めっき充填中に常に一定(又は、めっき充填中の大半の時間において一定)とした方が、接合強度の点から好ましい。
Further, the current density may or may not be constant during plating filling (for example, the initial current density is lowered and the current density is gradually increased; the pulse current is used; etc.). ).
It is preferable that the current density is always constant during plating filling (or constant during most of the plating filling) from the viewpoint of bonding strength.

めっき時間は、5分以上が好ましく、10分以上が特に好ましい。また、360分以下が好ましく、60分以下が特に好ましい。
上記範囲内であると、接合強度に優れ、コスト的にも有利である。
The plating time is preferably 5 minutes or more, and particularly preferably 10 minutes or more. Further, 360 minutes or less is preferable, and 60 minutes or less is particularly preferable.
When it is within the above range, the bonding strength is excellent and it is advantageous in terms of cost.

<電子部品接合用端子>
本発明は、微小孔や微小凹部を有する基材の中に、基材11の基材面に対して略垂直方向(60°~90°方向)に埋め込まれた、ボイド(穴)の少ない電子部品接合用端子にも関する。
<Terminal for joining electronic components>
In the present invention, electrons having few voids (holes) are embedded in a base material having micropores or microrecesses in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material 11 (60 ° to 90 ° direction). It is also related to the terminals for joining parts.

本発明の電子部品接合用端子40は、ニッケル又はニッケル合金で構成されている。前記した本発明の電解ニッケル(合金)めっき液を用いることにより、本発明の電子部品接合用端子を形成しやすい。 The terminal 40 for joining electronic components of the present invention is made of nickel or a nickel alloy. By using the electrolytic nickel (alloy) plating solution of the present invention described above, it is easy to form the terminal for joining electronic components of the present invention.

本発明の電子部品接合用端子40は、厚さ1mm以下の基材11の中に埋め込まれている。
電子部品接合用端子40は、図17や図19に示すような片面の(基材11を貫通しない)電子部品接合用端子であってもよいし、図18や図20に示すような両面の(基材11を貫通する)電子部品接合用端子であってもよい。
The terminal 40 for joining electronic components of the present invention is embedded in a base material 11 having a thickness of 1 mm or less.
The electronic component joining terminal 40 may be a single-sided (not penetrating the base material 11) electronic component joining terminal as shown in FIGS. 17 and 19, or both sides as shown in FIGS. 18 and 20. It may be a terminal for joining electronic components (penetrating the base material 11).

図17に示すのは、基材11の基材面に対して略垂直方向に基材11を貫通しないように埋め込まれたプラグ部41と、プラグ部41と当接しているキャップ部42とを備えた片面の電子部品接合用端子40である。
キャップ部42は、基材11の基材面より突出した形状となっており、その外径はプラグ部41の外径よりも大きく、かつ、200μm以下である。
なお、プラグ部41やキャップ部42の基材面に平行な断面は、通常は円形状であるが、円形状でない場合、「外径」とは等面積の円の外径を意味する(以下、図18~20に示す電子部品接合用端子40においても同様)。
FIG. 17 shows a plug portion 41 embedded so as not to penetrate the base material 11 in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material 11, and a cap portion 42 in contact with the plug portion 41. It is a single-sided electronic component joining terminal 40 provided.
The cap portion 42 has a shape protruding from the substrate surface of the substrate 11, and its outer diameter is larger than the outer diameter of the plug portion 41 and is 200 μm or less.
The cross section of the plug portion 41 and the cap portion 42 parallel to the base material surface is usually circular, but when it is not circular, the "outer diameter" means the outer diameter of a circle having an equal area (hereinafter referred to as "outer diameter"). The same applies to the terminal 40 for joining electronic parts shown in FIGS. 18 to 20).

図18に示すのは、基材11の基材面に対して略垂直方向に基材11を貫通するように埋め込まれたプラグ部41と、プラグ部41の両端とそれぞれ当接している2つのキャップ部42とを備えた両面の電子部品接合用端子40である。
2つのキャップ部42はそれぞれ、基材11のそれぞれの基材面より突出した形状となっている。2つのキャップ部42の外径は何れも、プラグ部41の外径よりも大きく、かつ、200μm以下である。
FIG. 18 shows a plug portion 41 embedded so as to penetrate the base material 11 in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material 11, and two portions in contact with both ends of the plug portion 41. A terminal 40 for joining electronic components on both sides provided with a cap portion 42.
Each of the two cap portions 42 has a shape protruding from the surface of each base material of the base material 11. The outer diameters of the two cap portions 42 are both larger than the outer diameter of the plug portion 41 and 200 μm or less.

図19に示すのは、基材11の基材面に対して略垂直方向に基材11を貫通しないように埋め込まれたプラグ部41からなる片面の電子部品接合用端子40である。プラグ部41の外径は100μm以下である。
プラグ部41の端部は、図19(a)に示すように基材11の基材面から突き出ていてもよいし、図19(b)に示すように基材11の基材面と同じ高さになっていてもよいし、図19(c)に示すように基材11の基材面よりも埋まっていてもよい。
FIG. 19 shows a single-sided electronic component joining terminal 40 composed of a plug portion 41 embedded so as not to penetrate the base material 11 in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material 11. The outer diameter of the plug portion 41 is 100 μm or less.
The end portion of the plug portion 41 may protrude from the base material surface of the base material 11 as shown in FIG. 19 (a), or may be the same as the base material surface of the base material 11 as shown in FIG. 19 (b). It may be at a height, or may be buried in the base material surface of the base material 11 as shown in FIG. 19 (c).

図20に示すのは、基材11の基材面に対して略垂直方向に基材11を貫通するように埋め込まれたプラグ部41からなる両面の電子部品接合用端子40である。プラグ部41の外径は100μm以下である。
プラグ部41の端部は、図20(a)に示すように基材11の基材面から突き出ていてもよいし、図20(b)に示すように基材11の基材面と同じ高さになっていてもよいし、図20(c)に示すように基材11の基材面よりも埋まっていてもよい。
FIG. 20 shows a terminal 40 for joining electronic components on both sides, which is composed of a plug portion 41 embedded so as to penetrate the base material 11 in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material 11. The outer diameter of the plug portion 41 is 100 μm or less.
The end portion of the plug portion 41 may protrude from the base material surface of the base material 11 as shown in FIG. 20 (a), or may be the same as the base material surface of the base material 11 as shown in FIG. 20 (b). It may be at a height, or may be buried in the base material surface of the base material 11 as shown in FIG. 20 (c).

1mm以下というという厚さの基材の中に埋め込まれた、プラグ部41の外径100μm以下、又は、キャップ部42の外径200μm以下というサイズのニッケル(合金)製の電子部品接合用端子を製造するのは、従来の技術では不可能であった。前記した本発明の電解ニッケル(合金)めっき液を使用してめっきを行うことにより、ニッケル(合金)析出物中におけるボイドの発生が抑制され、このようなサイズの電子部品接合用端子を歩留まり良く製造することができる。 A nickel (alloy) electronic component joining terminal with a size of 100 μm or less in the outer diameter of the plug portion 41 or 200 μm or less in the outer diameter of the cap portion 42 embedded in a base material having a thickness of 1 mm or less. It was impossible to manufacture with conventional technology. By performing plating using the electrolytic nickel (alloy) plating solution of the present invention described above, the generation of voids in the nickel (alloy) precipitate is suppressed, and the terminal for joining electronic parts of such a size has a good yield. Can be manufactured.

本発明の電解ニッケル(合金)めっき液を使用して電子部品接合用端子の製造を行う場合、0.8mm以下というより薄い基板や、0.5mm以下という更に薄い基板にも電子部品接合用端子を埋め込みやすい。
また、より外径の小さい70μm以下、更に外径の小さい50μm以下というプラグ部を有する電子部品接合用端子や、より外径の小さい150μm以下、更に外径の小さい100μm以下というキャップ部を有する電子部品接合用端子を製造しやすい。
When manufacturing terminals for joining electronic components using the electrolytic nickel (alloy) plating solution of the present invention, terminals for joining electronic components can be used on thinner substrates of 0.8 mm or less and thinner substrates of 0.5 mm or less. Easy to embed.
Further, an electronic component joining terminal having a plug portion having a smaller outer diameter of 70 μm or less and a smaller outer diameter of 50 μm or less, and an electron having a cap portion having a smaller outer diameter of 150 μm or less and a smaller outer diameter of 100 μm or less. Easy to manufacture terminals for joining parts.

電子部品接合用端子40のプラグ部41の中には、最大幅が10μmよりも大きいボイドが存在しないことが好ましい。
前記した本発明の電解ニッケル(合金)めっき液を用いることにより、このような大きいボイドの無いプラグ部を形成しやすい。
It is preferable that there is no void having a maximum width of more than 10 μm in the plug portion 41 of the terminal 40 for joining electronic components.
By using the electrolytic nickel (alloy) plating solution of the present invention described above, it is easy to form a plug portion without such a large void.

本発明の電解ニッケル(合金)めっき液を使用してめっきを行うことにより上記の電子部品接合用端子を製造する際の好ましい条件(めっき温度、電流密度等)は前記した<ニッケル(合金)充填電子部品の製造方法・微小三次元構造体の製造方法>の項で述べた条件とほぼ同じである。 Preferred conditions (plating temperature, current density, etc.) for manufacturing the above-mentioned terminal for joining electronic parts by performing plating using the electrolytic nickel (alloy) plating solution of the present invention are the above-mentioned <nickel (alloy) filling. The conditions are almost the same as those described in the section of "Manufacturing method of electronic parts / Manufacturing method of micro three-dimensional structure>".

以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限りこれらの実施例及び比較例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples and Comparative Examples as long as the gist thereof is not exceeded.

[微小凹部の充填]
実施例1~6、比較例1~3
微小凹部のモデルとして、アスペクト比0.88(φ45μm×40μmD)のレーザービアを有した12mm角の評価用プリント基板(日本サーキット株式会社製)を使用した。
[Filling of minute recesses]
Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 to 3
As a model of the minute recess, a 12 mm square evaluation printed circuit board (manufactured by Nippon Circuit Co., Ltd.) having a laser via with an aspect ratio of 0.88 (φ45 μm × 40 μm D) was used.

被めっき部周辺10の断面図を図1に示す。厚さ0.4mmのBT(Bismaleimide-Triazine)製の基材11のビアホール形成部分に厚さ12μmの銅箔13を張り付けた上で、厚さ60μmのプリプレグタイプのビルドアップ樹脂12を積層後、レーザーにてφ45μm、深さ40μmのブラインドビアホール(以下、単に「ビアホール」又は「ビア」と略記する場合がある。)14を作成し、基板外表面(ビルドアップ樹脂12の表面)及びビア14内壁面に、無電解銅めっきで、シード層15を約1μm形成した。
更に、厚さ25μmのドライフィルムレジスト(DFR)16にて、図2に示す配線パターンを形成し、ビア14を有するパッド(開口部)17(φ190μm)を開口させたものを評価用プリント基板1とした。
FIG. 1 shows a cross-sectional view of the area around the portion to be plated 10. A copper foil 13 having a thickness of 12 μm is attached to a via hole forming portion of a base material 11 made of BT (Bismaleimide-Triazine) having a thickness of 0.4 mm, and a prepreg type build-up resin 12 having a thickness of 60 μm is laminated. A blind via hole (hereinafter, may be simply abbreviated as "via hole" or "via") 14 having a diameter of 45 μm and a depth of 40 μm is created by a laser, and the outer surface of the substrate (the surface of the build-up resin 12) and the inside of the via 14 are created. A seed layer 15 was formed on the wall surface by electroless copper plating in an amount of about 1 μm.
Further, a printed circuit board 1 for evaluation is obtained by forming the wiring pattern shown in FIG. 2 with a dry film resist (DFR) 16 having a thickness of 25 μm and opening a pad (opening) 17 (φ190 μm) having a via 14. And said.

図2において、白色部が銅めっき部で、黒色部がドライフィルムレジスト部である。白色部のうち、配線が接続されている最もサイズの大きい円形部分が図1の円形パッド17(φ190μm)に相当する。円形パッド17の全てに、図1に示した微小凹部であるビアホール14が形成されている。 In FIG. 2, the white portion is the copper-plated portion and the black portion is the dry film resist portion. Of the white portions, the largest circular portion to which the wiring is connected corresponds to the circular pad 17 (φ190 μm) in FIG. 1. Via holes 14, which are minute recesses shown in FIG. 1, are formed in all of the circular pads 17.

<電解ニッケルめっき液の調製>
スルファミン酸ニッケルを600g/L、塩化ニッケルを10g/L、ホウ酸を30g/Lとなるように脱イオン水に溶解し、電解ニッケルめっき液を調製した。
上記電解ニッケルめっき液に対し、表1に示す添加剤を、表1に示す添加量となるように添加し、溶解した。
次いで100g/Lのスルファミン酸水溶液を適量加えてpHを3.6に調整し、本発明の電解ニッケルめっき液を調製した。
<Preparation of electrolytic nickel plating solution>
An electrolytic nickel plating solution was prepared by dissolving nickel sulfamate at 600 g / L, nickel chloride at 10 g / L, and boric acid at 30 g / L in deionized water.
The additives shown in Table 1 were added to the electrolytic nickel plating solution in the amount shown in Table 1 and dissolved.
Next, an appropriate amount of 100 g / L of a sulfamic acid aqueous solution was added to adjust the pH to 3.6 to prepare the electrolytic nickel plating solution of the present invention.

Figure 0007021781000005
Figure 0007021781000005

<電解ニッケルめっきによるビアの充填>
上記評価用プリント基板1に対して、表2に示す工程で、電解ニッケルめっきを行なった。電解ニッケルめっき工程では、外部電源を使用して電流密度1.0A/dmとなるようにした。
なお、めっき面積は、ビア14の側面を含んだ表面積として計算した。
<filling of vias by electrolytic nickel plating>
The evaluation printed circuit board 1 was subjected to electrolytic nickel plating in the steps shown in Table 2. In the electrolytic nickel plating step, an external power source was used to achieve a current density of 1.0 A / dm 2 .
The plating area was calculated as the surface area including the side surface of the via 14.

Figure 0007021781000006
Figure 0007021781000006

<めっき充填性評価試験>
めっき後の基板を研磨用の樹脂に埋没固定後に断面研磨し、金属顕微鏡にてビアの充填具合を観察した。
充填性について、ビアホール内部の析出量がビアホール外部の析出量よりも多い状態で、ビアホール内部にボイド(穴)やシーム(溝)が観測されない場合を「○」、それ以外の場合を「×」とした。
また、ビアホール外部におけるクラック(亀裂)の発生の有無を観測した。
充填性が「○」で、クラックの発生が無い場合を「良好」、それ以外の場合を「不良」と評価した。
<Plating fillability evaluation test>
The substrate after plating was embedded and fixed in a resin for polishing, and then the cross section was polished, and the filling condition of vias was observed with a metallurgical microscope.
Regarding the filling property, when the amount of precipitation inside the via hole is larger than the amount of precipitation outside the via hole, no voids (holes) or seams (grooves) are observed inside the via hole, "○", otherwise "×". And said.
In addition, the presence or absence of cracks outside the via hole was observed.
When the filling property was "◯" and no cracks were generated, it was evaluated as "good", and when it was not, it was evaluated as "poor".

めっき充填後の基板断面の顕微鏡写真を、図4~12に示す。また、評価結果を表3に示す。 Micrographs of the cross section of the substrate after plating filling are shown in FIGS. 4 to 12. The evaluation results are shown in Table 3.

Figure 0007021781000007
Figure 0007021781000007

実施例1~6では、析出ニッケル18の量は、ビアホール外部よりも微小凹部であるビアホールの内部の方が多く、ボイドやシームがなく良好に充填されていた。また、ビアホールの外部にクラックは観察されなかった。 In Examples 1 to 6, the amount of precipitated nickel 18 was larger in the inside of the via hole, which is a minute recess, than in the outside of the via hole, and was well filled without voids or seams. No cracks were observed outside the via hole.

比較例1では、ビアホールの内部と外部で、析出ニッケル18の量が同程度なコンフォーマルめっき(追従めっき)であり、充填性は不良であった。 In Comparative Example 1, conformal plating (follow-up plating) in which the amount of precipitated nickel 18 was about the same inside and outside the via hole, and the filling property was poor.

比較例2では、ビアの内部に最大幅14μmのボイドVが有り、充填性は不良であった。 In Comparative Example 2, there was a void V having a maximum width of 14 μm inside the via, and the filling property was poor.

比較例3では、ビアの内部にボイドはなく、充填性は良好であるが、析出部が非常に脆く、クラックが発生しており、研磨後にビア上部で析出ニッケル18の著しい剥離が見られた。従って、微小三次元構造体としては不良であった。 In Comparative Example 3, there were no voids inside the via and the filling property was good, but the precipitated portion was very brittle and cracks were generated, and remarkable peeling of the precipitated nickel 18 was observed at the upper part of the via after polishing. .. Therefore, it was poor as a micro-three-dimensional structure.

実施例1~6、比較例1~3の結果が示すように、一般式(A)又は一般式(B)で表されるN置換ピリジニウム化合物を含有する電解ニッケルめっき液で電解めっきすることにより、電子部品内に形成された微小孔をニッケルで良好に充填することができ、微小三次元構造体を作成することが可能となった。 As the results of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 show, by electrolytic plating with an electrolytic nickel plating solution containing an N-substituted pyridinium compound represented by the general formula (A) or the general formula (B). , The micropores formed in the electronic component could be satisfactorily filled with nickel, and it became possible to create a microthree-dimensional structure.

[電子部品の接合]
実施例7~8、比較例4
接合される電子部品のモデルとして、銅線(φ0.9mm)と裏面をマスキングした銅板(20mm×20mm×0.3mmt)を使用した。
[Joining electronic components]
Examples 7-8, Comparative Example 4
As a model of the electronic component to be joined, a copper wire (φ0.9 mm) and a copper plate (20 mm × 20 mm × 0.3 mmt) with a masked back surface were used.

図3に示すように、裏面側をマスキング材22aによりマスキングした銅板22を2枚用意し、2枚の銅板22のマスキングしていない方の面で銅線21を挟み、治具23で固定し、銅線21と銅板22の間に微小間隙部24が形成された電子部品サンプル20を作製した。 As shown in FIG. 3, two copper plates 22 whose back surface side is masked with the masking material 22a are prepared, and the copper wire 21 is sandwiched between the two unmasked surfaces of the copper plates 22 and fixed by the jig 23. , An electronic component sample 20 in which a minute gap portion 24 was formed between the copper wire 21 and the copper plate 22 was produced.

<電解ニッケルめっき液の調製>
スルファミン酸ニッケルを600g/L、塩化ニッケルを10g/L、ホウ酸を30g/Lとなるように脱イオン水に溶解し、電解ニッケルめっき液を調製した。
上記電解ニッケルめっき液に対し、表4に示す添加剤を、表4に示す添加量となるように添加し、溶解した。
次いで100g/Lのスルファミン酸水溶液を適量加えてpHを3.6に調整し、本発明の電解ニッケルめっき液を調製した。
<Preparation of electrolytic nickel plating solution>
An electrolytic nickel plating solution was prepared by dissolving nickel sulfamate at 600 g / L, nickel chloride at 10 g / L, and boric acid at 30 g / L in deionized water.
The additives shown in Table 4 were added to the electrolytic nickel plating solution in the amount shown in Table 4 and dissolved.
Next, an appropriate amount of 100 g / L of a sulfamic acid aqueous solution was added to adjust the pH to 3.6 to prepare the electrolytic nickel plating solution of the present invention.

Figure 0007021781000008
Figure 0007021781000008

<電解ニッケルめっきによる銅線と銅板の接合>
上記電子部品サンプルを銅線21の線方向とめっき液面が垂直になるよう上記電解ニッケルめっき液に浸漬し、表5に示す工程で、電解ニッケルめっきを行なった。ニッケル陽極は、マスキング材22aの外側に各1枚ずつ対向させた。電解ニッケルめっき工程では、外部電源を使用して電流密度1.0A/dmとなるようにした。
なお、めっき面積は、銅板22の表面積のみとした。
<Joining copper wire and copper plate by electrolytic nickel plating>
The electronic component sample was immersed in the electrolytic nickel plating solution so that the line direction of the copper wire 21 and the plating solution surface were perpendicular to each other, and electrolytic nickel plating was performed in the process shown in Table 5. One nickel anode was opposed to the outside of the masking material 22a. In the electrolytic nickel plating step, an external power source was used to achieve a current density of 1.0 A / dm 2 .
The plating area was only the surface area of the copper plate 22.

Figure 0007021781000009
Figure 0007021781000009

<接合性評価試験>
めっき後の電子部品サンプル(接合体)を研磨用の樹脂に埋没固定後に断面研磨し、金属顕微鏡にて銅線21と銅板22の接合状態を観察した。
接合性について、銅線21と銅板22が接する微小間隙部24のニッケルめっき厚が他の部分より厚い場合を「○」、それ以外の場合を「×」とした。
<Joinability evaluation test>
The plated electronic component sample (bonded body) was embedded and fixed in a resin for polishing, and then the cross section was polished, and the bonded state of the copper wire 21 and the copper plate 22 was observed with a metallurgical microscope.
Regarding the bondability, the case where the nickel plating thickness of the minute gap portion 24 where the copper wire 21 and the copper plate 22 are in contact is thicker than the other portions is marked with “◯”, and the other cases are marked with “x”.

めっき充填後の電子部品サンプル(接合体)の断面の顕微鏡写真を、図13~15に示す。また、評価結果を表6に示す。 Micrographs of cross sections of electronic component samples (joints) after plating filling are shown in FIGS. 13 to 15. The evaluation results are shown in Table 6.

Figure 0007021781000010
Figure 0007021781000010

実施例7~8では、析出ニッケル18の量は、銅線21と銅板22が接する微小間隙部24が他の部位より多く、より強固に接合されていた。 In Examples 7 to 8, the amount of the precipitated nickel 18 was such that the minute gap portion 24 in which the copper wire 21 and the copper plate 22 were in contact was larger than the other portions, and the bonded nickel 18 was more firmly bonded.

比較例4では、全ての部位でほぼ均一の厚さのめっきであり、接合性は不良であった。 In Comparative Example 4, the plating had a substantially uniform thickness at all the sites, and the bondability was poor.

実施例7~8、比較例4の結果が示すように、一般式(A)又は一般式(B)で表されるN置換ピリジニウム化合物を含有する電解ニッケルめっき液で電解めっきすることにより、微小部品の接合部位がより厚いニッケルでめっきされ、より強固に接合を行うことが可能となった。 As the results of Examples 7 to 8 and Comparative Example 4 show, microscopic plating is performed with an electrolytic nickel plating solution containing an N-substituted pyridinium compound represented by the general formula (A) or the general formula (B). The joints of the parts are plated with thicker nickel, making it possible to join more firmly.

本発明の特定N置換ピリジニウム化合物を含有する電解ニッケル(合金)めっき液は、電子回路部品内の微小孔又は微小凹部を信頼性高く充填することができ、また、電子部品同士を強固に接合することができることから、配線の更なる微細化に対応できるため、三次元配線形成や三次元MEMS部品等に広く応用することができる。 The electrolytic nickel (alloy) plating solution containing the specific N-substituted pyridinium compound of the present invention can reliably fill micropores or microrecesses in electronic circuit components, and firmly joins electronic components to each other. Since it can be used, it can be widely applied to three-dimensional wiring formation, three-dimensional MEMS parts, and the like because it can cope with further miniaturization of wiring.

1 評価用プリント基板
10 被めっき部周辺
11 基材
12 ビルドアップ樹脂
13 銅箔
14 ブラインドビアホール
15 シード層
16 ドライフィルムレジスト
17 パッド
18 析出ニッケル(合金)
V ボイド
20 電子部品サンプル
21 銅線
22 銅板
22a マスキング材
23 治具
24 微小間隙部
30 微小孔・微小凹部
31 周縁部
40 電子部品接合用端子
41 プラグ部
42 キャップ部
1 Printed circuit board for evaluation 10 Peripheral area to be plated 11 Base material 12 Build-up resin 13 Copper foil 14 Blind via hole 15 Seed layer 16 Dry film resist 17 Pad 18 Precipitated nickel (alloy)
V-void 20 Electronic component sample 21 Copper wire 22 Copper plate 22a Masking material 23 Jig 24 Micro gap 30 Micro hole / micro recess 31 Peripheral 40 Electronic component joining terminal 41 Plug 42 Cap

Claims (23)

ニッケル塩と、pH緩衝剤と、下記一般式(A)で表されるN置換ピリジニウム化合物を含有することを特徴とする電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液。
Figure 0007021781000011
[一般式(A)において、-Rは、炭素数1~のアルキル基、アルキルアミノ基若しくはシアノアルキル基、アミノ基(-NH)又はシアノ基である。-Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基若しくはヒドロキシアルキル基、ビニル基、メトキシカルボニル基(-CO-O-CH)、カルバモイル基(-CO-NH)、ジメチルカルバモイルオキシ基(-O-CO-N(CH)又はアルドキシム基(-CH=NOH)である。Xは任意の陰イオンである。]
(但し、一般式(A)が下記式(A1)である場合、及び、下記式(A2)である場合を除く。)
Figure 0007021781000012
Figure 0007021781000013
An electrolytic nickel plating solution or an electrolytic nickel alloy plating solution, which comprises a nickel salt, a pH buffer, and an N-substituted pyridinium compound represented by the following general formula (A).
Figure 0007021781000011
[In the general formula (A), -R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkylamino group or a cyanoalkyl group, an amino group (-NH 2 ) or a cyano group. -R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group or hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyl group, a methoxycarbonyl group (-CO-O-CH 3 ), a carbamoyl group (-CO-NH 2 ), and a dimethylcarbamoyloxy. It is a group (-O-CO-N (CH 3 ) 2 ) or an aldoxime group (-CH = NOH). X - is any anion. ]
(However, this excludes the case where the general formula (A) is the following formula (A1) and the case where the following formula (A2) is used.)
Figure 0007021781000012
Figure 0007021781000013
がハロゲン化物イオンである請求項1に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液。 The electrolytic nickel plating solution or the electrolytic nickel alloy plating solution according to claim 1, wherein X is a halide ion. 一般式(A)で表されるN置換ピリジニウム化合物が、1-メチルピリジニウムのハロゲン化物、1-エチルピリジニウムのハロゲン化物、1-プロピルピリジニウムのハロゲン化物、1-ブチルピリジニウムのハロゲン化物、1-エチル-3-(ヒドロキシメチル)ピリジニウムのハロゲン化物、1-エチル-4-(メトキシカルボニル)ピリジニウムのハロゲン化物、1-ブチル-4-メチルピリジニウムのハロゲン化物、1-ブチル-3-メチルピリジニウムのハロゲン化物、1-メチルピリジニウム-2-アルドキシムのハロゲン化物、3-カルバモイル-1-メチルピリジニウムのハロゲン化物、3-(ジメチルカルバモイルオキシ)-1-メチルピリジニウムのハロゲン化物及び1-(シアノメチル)ピリジニウムのハロゲン化物からなる群より選ばれた1種以上の化合物である請求項2に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液。 The N-substituted pyridinium compound represented by the general formula (A) is a halide of 1-methylpyridinium, a halide of 1-ethylpyridinium, a halide of 1-propylpyridinium, a halide of 1-butylpyridinium, or 1 -ethyl. -3- (Hydroxymethyl) pyridinium halide, 1-ethyl-4- (methoxycarbonyl) pyridinium halide, 1-butyl-4-methylpyridinium halide, 1-butyl-3-methylpyridinium halide , 1-Methylpyridinium-2-aldoxime halide, 3-carbamoyl-1-methylpyridinium halide, 3- (dimethylcarbamoyloxy) -1-methylpyridinium halide and 1- (cyanomethyl) pyridinium halide The electrolytic nickel plating solution or the electrolytic nickel alloy plating solution according to claim 2, which is one or more compounds selected from the group consisting of. ニッケル塩と、pH緩衝剤と、下記一般式(B)で表されるN置換ピリジニウム化合物を含有することを特徴とする電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液(但しニッケル-コバルト-ホウ素の三元合金用の電解ニッケル合金めっき液である場合を除く)
Figure 0007021781000014
[一般式(B)において、-Rは、水素原子又はヒドロキシル基(-OH)である。-Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ビニル基又はカルバモイル基(-CO-NH)である。mは0、1又は2である。]
An electrolytic nickel plating solution or an electrolytic nickel alloy plating solution (provided as nickel-cobalt-boron ) containing a nickel salt, a pH buffer, and an N-substituted pyridinium compound represented by the following general formula (B). (Except when it is an electrolytic nickel alloy plating solution for the original alloy) .
Figure 0007021781000014
[In the general formula (B), -R 3 is a hydrogen atom or a hydroxyl group (-OH). -R 4 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyl group or a carbamoyl group (-CO-NH 2 ). m is 0, 1 or 2. ]
ニッケル塩と、pH緩衝剤と、下記一般式(B)で表されるN置換ピリジニウム化合物を含有する電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液であって、電解ニッケル合金めっき液である場合、ニッケルとの合金用の金属イオンが、タングステン、モリブデン、マンガン、鉄、亜鉛、錫、銅、パラジウム又は金であることを特徴とする電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液。
Figure 0007021781000015
[一般式(B)において、-Rは、水素原子又はヒドロキシル基(-OH)である。-Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ビニル基又はカルバモイル基(-CO-NH)である。mは0、1又は2である。]
An electrolytic nickel plating solution or an electrolytic nickel alloy plating solution containing a nickel salt, a pH buffer, and an N-substituted pyridinium compound represented by the following general formula (B), in the case of an electrolytic nickel alloy plating solution, nickel. An electrolytic nickel plating solution or an electrolytic nickel alloy plating solution, wherein the metal ion for alloying with is tungsten, molybdenum, manganese, iron, zinc, tin, copper, palladium or gold .
Figure 0007021781000015
[In the general formula (B), -R 3 is a hydrogen atom or a hydroxyl group (-OH). -R 4 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyl group or a carbamoyl group (-CO-NH 2 ). m is 0, 1 or 2. ]
一般式(B)で表されるN置換ピリジニウム化合物が、1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、1-(2-スルホナトエチル)ピリジニウム、1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、2-ビニル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-ビニル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-ビニル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-メチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-メチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-メチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-エチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-エチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-エチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-ビニル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、3-ビニル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、4-ビニル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、2-メチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、3-メチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、4-メチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、2-エチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、3-エチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、4-エチル-1-(4-スルホナトブチル)ピリジニウム、4-tert-ブチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2,6-ジメチル-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-(アミノカルボニル)-1-(3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-ビニル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-ビニル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-ビニル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-メチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-メチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、4-メチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、2-エチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム、3-エチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウム及び4-エチル-1-(2-ヒドロキシ-3-スルホナトプロピル)ピリジニウムからなる群より選ばれた1種以上の化合物である請求項4又は請求項5に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液。 The N-substituted pyridinium compound represented by the general formula (B) is 1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 1- (2-sulfonateethyl) pyridinium, 1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 2-vinyl- 1- (3-Sulphonatopropyl) pyridinium, 3-vinyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 4-vinyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 2-methyl-1- (3-) Sulfonatopropyl) pyridinium, 3-methyl-1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium, 4-methyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 2-ethyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium , 3-Ethyl-1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium, 4-ethyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 2-vinyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 3-vinyl-1- (4-Sulfonatobutyl) pyridinium, 4-vinyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 2-methyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 3-methyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 4-methyl- 1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 2-ethyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 3-ethyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 4-ethyl-1- (4-sulfonatebutyl) pyridinium, 4- tert-butyl-1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium, 2,6-dimethyl-1- (3-sulfonatepropyl) pyridinium, 3- (aminocarbonyl) -1- (3-sulfonatopropyl) pyridinium, 1- (2-Hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 2-vinyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 3-vinyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) ) Pyridinium, 4-vinyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 2-methyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 3-methyl-1- (2-) Hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 4-methyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 2-ethyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium, 3- Ethyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium The electrolytic nickel plating solution or electrolytic nickel according to claim 4 or 5, which is one or more compounds selected from the group consisting of 4-ethyl-1- (2-hydroxy-3-sulfonatopropyl) pyridinium. Alloy plating solution. 上記ニッケル塩が、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッケル、炭酸ニッケル、硝酸ニッケル、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル、クエン酸ニッケル及びホウフッ化ニッケルからなる群より選ばれた1種以上である請求項1ないし請求項の何れかの請求項に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液。 The nickel salt is at least one selected from the group consisting of nickel sulfate, nickel sulfamate, nickel chloride, nickel bromide, nickel carbonate, nickel nitrate, nickel formate, nickel acetate, nickel citrate and nickel borofluoride. The electrolytic nickel plating solution or the electrolytic nickel alloy plating solution according to any one of claims 1 to 6 . 上記pH緩衝剤が、ホウ酸、メタホウ酸、酢酸、酒石酸及びクエン酸、並びにそれらの塩からなる群より選ばれた1種以上である請求項1ないし請求項の何れかの請求項に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液。 The invention according to any one of claims 1 to 7 , wherein the pH buffering agent is at least one selected from the group consisting of boric acid, metaboric acid, acetic acid, tartaric acid and citric acid, and salts thereof. Electrolytic nickel plating solution or electrolytic nickel alloy plating solution. 電子部品内に形成された微小孔若しくは微小凹部、又は電子部品同士を重ねた際に生じる微小間隙部の充填用である請求項1ないし請求項の何れかの請求項に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液。 The electrolytic nickel plating according to any one of claims 1 to 8 , which is for filling micropores or recesses formed in electronic parts or microgaps generated when electronic parts are overlapped with each other. Liquid or electrolytic nickel alloy plating liquid. 請求項1ないし請求項の何れかの請求項に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を使用して電解めっきを行うことを特徴とするニッケル析出物又はニッケル合金析出物の製造方法。 A method for producing a nickel precipitate or a nickel alloy precipitate, which comprises performing electrolytic plating using the electrolytic nickel plating solution or the electrolytic nickel alloy plating solution according to any one of claims 1 to 9 . .. 請求項1ないし請求項の何れかの請求項に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を使用して電解めっきを行うことを特徴とする、微小孔又は微小凹部にニッケル析出物又はニッケル合金析出物が充填されている電子部品の製造方法。 Nickel precipitates or nickel precipitates in micropores or recesses, characterized in that electrolytic plating is performed using the electrolytic nickel plating solution or the electrolytic nickel alloy plating solution according to any one of claims 1 to 9 . A method for manufacturing electronic parts filled with nickel alloy precipitates. 電子部品内に形成された微小孔又は微小凹部の表面に予め電解めっき用シード層を施した後、該電子部品を請求項1ないし請求項の何れかの請求項に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液に浸漬し、外部電源を使用して電解めっきをすることを特徴とする、微小孔又は微小凹部にニッケル析出物又はニッケル合金析出物が充填されている電子部品の製造方法。 The electrolytic nickel plating solution according to any one of claims 1 to 9, wherein a seed layer for electrolytic plating is previously applied to the surface of micropores or microrecesses formed in the electronic component, and then the electronic component is subjected to the electrolytic nickel plating solution according to any one of claims 1 to 9 . Alternatively, a method for manufacturing an electronic component in which a nickel precipitate or a nickel alloy precipitate is filled in a micropore or a microrecess, which comprises immersing in an electrolytic nickel alloy plating solution and performing electrolytic plating using an external power source. .. 外部電源を使用して電解めっきする際に、微小孔又は微小凹部内部の最小めっき断面膜厚Xが、微小孔又は微小凹部の外側の周縁部のめっき最大断面膜厚Xよりも大きくなるようにする請求項12に記載の微小孔又は微小凹部にニッケル析出物又はニッケル合金析出物が充填されている電子部品の製造方法。 When electrolytic plating is performed using an external power source, the minimum plating cross-sectional thickness X 2 inside the micropores or microrecesses becomes larger than the maximum plating cross - sectional thickness X1 at the outer peripheral edge of the micropores or microrecesses. The method for manufacturing an electronic component, wherein the micropores or the microrecesses according to claim 12 are filled with nickel precipitates or nickel alloy precipitates. 請求項11ないし請求項13の何れかの請求項に記載の製造方法により、微小孔又は微小凹部にめっき充填する工程を含むことを特徴とする微小三次元構造体の製造方法。 A method for manufacturing micro-three-dimensional structures, which comprises a step of plating and filling micropores or microrecesses by the manufacturing method according to any one of claims 11 to 13 . 2個以上の電子部品を重ねて、電子部品同士の間に微小間隙部が形成された状態で、該2個以上の電子部品を請求項1ないし請求項の何れかの請求項に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液に浸漬し、外部電源を使用して電解めっきすることで該微小間隙部を充填することを特徴とする電子部品接合体の製造方法。 The claim according to any one of claims 1 to 9 , wherein the two or more electronic components are stacked and a minute gap is formed between the electronic components. A method for manufacturing an electronic component bonded body, which comprises immersing in an electrolytic nickel plating solution or an electrolytic nickel alloy plating solution and electrolytically plating using an external power source to fill the minute gaps. 2個以上の電子部品がニッケル又はニッケル合金により接合されている電子部品接合体であって、線状の電子部品と板状の電子部品との間に形成された微小間隙部付近には、他の部位よりも多くのニッケル又はニッケル合金が析出していることを特徴とする電子部品接合体。 An electronic component junction in which two or more electronic components are joined by nickel or a nickel alloy, and the vicinity of the minute gap formed between the linear electronic component and the plate-shaped electronic component is the other. An electronic component junction characterized in that more nickel or nickel alloy is deposited than the site of. 前記線状の電子部品が銅線であり、前記板状の電子部品が銅板である請求項15に記載の電子部品接合体。The electronic component joint according to claim 15, wherein the linear electronic component is a copper wire and the plate-shaped electronic component is a copper plate. ニッケル又はニッケル合金で構成されている電子部品接合用端子であって、厚さ1mm以下の基材の中に、該基材の基材面に対して略垂直方向に該基材を貫通しないように埋め込まれたプラグ部と、該プラグ部の外径よりも大きい外径を持ち該プラグ部と当接しているキャップ部とを備え、該キャップ部の外径は200μm以下であり、該キャップ部は該基材の基材面より突出した形状となっていることを特徴とする片面の電子部品接合用端子。 A terminal for joining electronic components made of nickel or nickel alloy so that the base material does not penetrate the base material having a thickness of 1 mm or less in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material. It is provided with a plug portion embedded in the plug portion and a cap portion having an outer diameter larger than the outer diameter of the plug portion and in contact with the plug portion, and the outer diameter of the cap portion is 200 μm or less, and the cap portion is provided. Is a single-sided electronic component joining terminal characterized in that it has a shape protruding from the base material surface of the base material. ニッケル又はニッケル合金で構成されている電子部品接合用端子であって、厚さ1mm以下の基材の中に、該基材の基材面に対して略垂直方向に該基材を貫通するように埋め込まれたプラグ部と、該プラグ部の外径よりも大きい外径を持ち該プラグ部の両端とそれぞれ当接している2つのキャップ部とを備え、2つのキャップ部の外径は何れも200μm以下であり、2つのキャップ部は該基材のそれぞれの基材面より突出した形状となっていることを特徴とする両面の電子部品接合用端子。 A terminal for joining electronic components made of nickel or nickel alloy, which penetrates the base material in a base material having a thickness of 1 mm or less in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material. It is provided with a plug portion embedded in the plug and two cap portions having an outer diameter larger than the outer diameter of the plug portion and in contact with both ends of the plug portion, and the outer diameters of the two cap portions are both. A terminal for joining electronic components on both sides, which is 200 μm or less and has a shape in which the two cap portions protrude from the respective substrate surfaces of the substrate. ニッケル又はニッケル合金で構成されている電子部品接合用端子であって、厚さ1mm以下の基材の中に、該基材の基材面に対して略垂直方向に該基材を貫通しないように埋め込まれたプラグ部からなり、該プラグ部の外径は100μm以下であることを特徴とする片面の電子部品接合用端子。 A terminal for joining electronic components made of nickel or nickel alloy so that the base material does not penetrate the base material having a thickness of 1 mm or less in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material. A terminal for joining electronic components on one side, which is composed of a plug portion embedded in the plug portion and has an outer diameter of 100 μm or less. ニッケル又はニッケル合金で構成されている電子部品接合用端子であって、厚さ1mm以下の基材の中に、該基材の基材面に対して略垂直方向に該基材を貫通するように埋め込まれたプラグ部からなり、該プラグ部の外径は100μm以下であることを特徴とする両面の電子部品接合用端子。 A terminal for joining electronic components made of nickel or nickel alloy, which penetrates the base material in a base material having a thickness of 1 mm or less in a direction substantially perpendicular to the base material surface of the base material. A terminal for joining electronic components on both sides, which comprises a plug portion embedded in the plug portion and has an outer diameter of 100 μm or less. 上記プラグ部の中に最大幅が10μmよりも大きいボイドが存在しない請求項18ないし請求項21の何れかの請求項に記載の電子部品接合用端子。 The terminal for joining electronic components according to any one of claims 18 to 21 , wherein no void having a maximum width of more than 10 μm is present in the plug portion. 請求項1ないし請求項の何れかの請求項に記載の電解ニッケルめっき液又は電解ニッケル合金めっき液を用いて形成したものである請求項18ないし請求項22の何れかの請求項に記載の電子部品接合用端子。 The claim according to any one of claims 18 to 22 , which is formed by using the electrolytic nickel plating solution or the electrolytic nickel alloy plating solution according to any one of claims 1 to 9 . Terminal for joining electronic components.
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