JP7015215B2 - 弾性表面波デバイス、無線周波数モジュール及び無線通信デバイス - Google Patents

Description

本開示の複数の実施形態は、弾性表面波デバイスに関する。

優先権出願の相互参照
本願とともに提出された出願データシートにおいて外国又は国内の優先権主張が特定されている任意かつすべての出願は、米国特許法セクション１．５７のとおり、ここに参照により組み入れられる。本願は、２０１７年６月２０日に出願された「熱伝導層を備えた弾性表面波デバイス」との名称の米国仮特許出願第６２／５２２，６０３号の、米国特許法セクション１１９（ｅ）による優先権の利益を主張し、その開示は全体がここに参照により組み入れられる。本願は、２０１７年６月２０日に出願された「熱伝導層を備えた弾性表面波フィルタ」との名称の米国仮特許出願第６２／５２２，５８８号の、米国特許法セクション１１９（ｅ）による優先権の利益を主張し、その開示は全体がここに参照により組み入れられる。

弾性表面波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された複数の共振器を含み得る。各共振器は弾性表面波デバイスを含み得る。弾性表面波フィルタは、無線周波数電子システムに実装することができる。例えば、携帯電話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、弾性表面波フィルタを含み得る。２つの弾性表面波フィルタはデュプレクサとして配列することができる。電力レベルが相対的に高い信号をフィルタリングすることにより熱が生じ得る。

特許請求の範囲に記載のイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、その単独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。特許請求の範囲を制限することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が以下に記載される。

本開示の一側面は、弾性表面波デバイスであって、圧電層と、当該圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、当該弾性表面波デバイスの熱を散逸させるべく構成された熱伝導層とを含む弾性表面波デバイスである。熱伝導層は圧電層よりも薄い。

熱伝導層とインターデジタルトランスデューサ電極とは、圧電基板の対向側に存在し得る。熱伝導層はまた、圧電層に物理的に接触し得る。

熱伝導層は電気絶縁層としてよい。熱伝導層は無毒性としてよい。熱伝導層の熱伝導率は、圧電層の熱伝導率の少なくとも５倍としてよい。熱伝導層の熱伝導率は、少なくとも２３Ｗ／ｍＫとしてよい。例えば、熱伝導層の熱伝導率は、２３Ｗ／ｍＫから３００Ｗ／ｍＫの範囲としてよい。

熱伝導層の厚さは、圧電層の厚さの半分未満としてよい。熱伝導層の厚さは、６．３マイクロメートルよりも大きくてよい。

熱伝導層は窒化アルミニウムを含み得る。熱伝導層は窒化シリコンを含み得る。熱伝導層は、シリコン又は窒化物の少なくとも一方を含み得る。

圧電層はタンタル酸リチウムを含み得る。圧電層はニオブ酸リチウムを含み得る。圧電層の厚さは３００マイクロメートル未満としてよい。

弾性表面波デバイスはさらに、インターデジタルトランスデューサ電極を覆うように二酸化シリコンを含み得る。

本開示の一側面は、ニオブ酸リチウム層と、当該ニオブ酸リチウム層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、当該インターデジタルトランスデューサ電極の当該ニオブ酸リチウム層を挟んで反対側にある窒化アルミニウム層とを含む弾性表面波デバイスである。窒化アルミニウム層は、弾性表面波デバイスの熱を散逸させるように構成される。窒化アルミニウム層はニオブ酸リチウム層よりも薄い。

ニオブ酸リチウム層の厚さは、窒化アルミニウム層の厚さの少なくとも２倍としてよい。窒化アルミニウム層の厚さは、少なくとも６．３マイクロメートルとしてよい。

窒化アルミニウム層は、ニオブ酸リチウム層に物理的に接触し得る。

弾性表面波デバイスはさらに、インターデジタルトランスデューサ電極を覆うように二酸化シリコン層を含み得る。

本開示の他側面は、圧電層と、当該圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、弾性表面波デバイスの熱を散逸させるべく構成された熱伝導層とを含む弾性表面波フィルタである。熱伝導層は圧電層よりも薄い。弾性表面波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするように構成される。

弾性表面波フィルタは、ここに説明される複数の弾性表面波デバイスのいずれかの一以上の適切な特徴を含み得る。

本開示の他側面は、無線周波数信号を与えるべく構成された電力増幅器と、当該無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性表面波フィルタとを含む無線周波数モジュールである。弾性表面波フィルタは、圧電層と、当該圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、当該弾性表面波デバイスの熱を散逸させるべく構成された熱伝導層とを含む。熱伝導層は圧電層よりも薄い。

弾性表面波フィルタは、第２の弾性表面波フィルタとともに単一のダイに実装することができる。熱伝導層は、第２の弾性表面波フィルタの一領域の第１の弾性波フィルタからの熱を散逸させるように構成することができる。

無線周波数モジュールは、ここに説明される複数の弾性表面波デバイス及び／又は複数の弾性表面波フィルタのいずれかの一以上の適切な特徴を含み得る。

本開示の他側面は、フィルタリングされた無線周波数信号を与えるべく構成された弾性表面波フィルタと、当該フィルタリングされた無線周波数信号を送信するべく構成されたアンテナとを含む携帯デバイスである。弾性表面波フィルタは、圧電層と、当該圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、当該弾性表面波デバイスの熱を散逸させるべく構成された熱伝導層とを含む。熱伝導層は圧電層よりも薄い。

携帯デバイスは、ここに説明される複数の弾性表面波デバイス、複数の弾性表面波フィルタ、及び／又は複数の無線周波数モジュールのいずれかの一以上の適切な特徴を含み得る。

本開示の他側面は、圧電層を含む第１の弾性表面波フィルタと、第２の弾性表面波フィルタと、第２の弾性表面波フィルタに対応する一領域において第１の弾性表面波フィルタからの熱を散逸させるべく構成された熱伝導シートとを含む弾性表面波フィルタチップである。熱伝導シートは圧電層よりも薄い。

第１の弾性表面波フィルタを送信フィルタとし、第２の弾性表面波フィルタを受信フィルタとしてよい。第１の弾性表面波フィルタをデュプレクサの送信フィルタとし、第２の弾性表面波フィルタをデュプレクサの受信フィルタとしてよい。第１の弾性表面波フィルタを第１の送信フィルタとし、第２の弾性表面波フィルタを第２の送信フィルタとしてよい。ここで、第１の送信フィルタと第２の送信フィルタとは、異なる時刻にアクティブになるように配列される。

第１の弾性表面波フィルタは、圧電層上の第１のインターデジタルトランスデューサ電極を含み、第２の弾性波フィルタは第２のインターデジタルトランスデューサ電極を含み得る。熱伝導層は、第１のインターデジタルトランスデューサ電極の、圧電層を挟んで対向側にあり、第１のインターデジタルトランスデューサ電極及び第２のインターデジタルトランスデューサ電極の下において延びる。熱伝導シートは窒化アルミニウム層としてよい。弾性表面波フィルタチップはさらに、第１のインターデジタルトランスデューサ電極及び第２のインターデジタルトランスデューサ電極を覆う二酸化シリコン層を含み得る。

熱伝導シートは、第１の弾性表面波フィルタのインターデジタルトランスデューサ電極とともに、圧電層の対向側に存在し得る。熱伝導シートは、圧電層に物理的に接触し得る。

熱伝導シートは無毒性電気絶縁層としてよい。

熱伝導シートの厚さは、圧電層の厚さの半分未満としてよい。熱伝導シートの厚さは、６．３マイクロメートルよりも大きくてよい。

熱伝導層は窒化アルミニウムを含み得る。圧電層はニオブ酸リチウムを含み得る。圧電層の厚さは、３００マイクロメートル未満としてよい。

弾性表面波フィルタチップはさらに、第１の弾性表面波フィルタのインターデジタルトランスデューサ電極を覆う二酸化シリコンを含み得る。

本開示の他側面は、ニオブ酸リチウム層を含む第１の弾性表面波フィルタと、第２の弾性表面波フィルタと、第２の弾性表面波フィルタに対応する一領域において第１の弾性表面波フィルタからの熱を散逸させるべく構成された窒化アルミニウム層とを含む弾性表面波フィルタチップである。窒化アルミニウム層はニオブ酸リチウム層よりも薄い。

第１の弾性表面波フィルタを送信フィルタとし、第２の弾性表面波フィルタを受信フィルタとしてよい。第１の弾性表面波フィルタをデュプレクサの送信フィルタとし、第２の弾性表面波フィルタをデュプレクサの受信フィルタとしてよい。第１の弾性表面波フィルタを第１の送信フィルタとし、第２の弾性表面波フィルタを第２の送信フィルタとしてよい。ここで、第１の送信フィルタと第２の送信フィルタとは、異なる時刻にアクティブになるように配列される。

第１の弾性表面波フィルタは、圧電層上の第１のインターデジタルトランスデューサ電極を含み、第２の弾性波フィルタは第２のインターデジタルトランスデューサ電極を含み得る。窒化アルミニウム層は、第１のインターデジタルトランスデューサ電極の、圧電層を挟んで対向側にあり、第１のインターデジタルトランスデューサ電極及び第２のインターデジタルトランスデューサ電極の下において延びる。

ニオブ酸リチウム層の厚さは、窒化アルミニウム層の厚さの少なくとも２倍としてよい。窒化アルミニウム層の厚さは、少なくとも６．３マイクロメートルとしてよい。

窒化アルミニウム層は、ニオブ酸リチウム層に物理的に接触し得る。

弾性表面波チップはさらに、第１の弾性表面波フィルタのインターデジタルトランスデューサ電極を覆う二酸化シリコン層を含み得る。

本開示の他側面は、圧電層と、第２の弾性表面波フィルタと、第１の弾性波フィルタに対する第１の領域及び第２の弾性波フィルタに対応する第２の領域を覆うように延びる熱伝導シートとを含む第１の弾性表面波フィルタを含む弾性表面波フィルタ組付体である。熱伝導シートは、第２の領域を覆う第１の弾性表面波フィルタから熱を散逸させるように構成される。熱伝導シートは圧電層よりも薄い。

弾性表面波フィルタ組付体は、ここに説明される弾性表面波チップの一以上の適切な特徴を含み得る。

本開示の他側面は、無線周波数信号を与えるべく構成された電力増幅器と、ここに説明される弾性表面波フィルタの一以上の適切な特徴を含む弾性表面波フィルタ組付体とを含む無線周波数モジュールである。

本開示の他側面は、ここに説明される弾性表面波デバイスの一以上の適切な特徴を含む弾性表面波フィルタ組付体と、当該弾性表面波フィルタ組付体から無線周波数信号を送信するべく構成されたアンテナとを含む携帯デバイスである。

本開示を要約する目的で、本イノベーションの所定の側面、利点、及び新規な特徴がここに記載されている。理解すべきことだが、そのような利点のすべてが、任意の特定の実施形態により必ずしも達成されるわけではない。すなわち、本イノベーションは、ここに教示される一つの利点又は利点群を達成又は最適化する態様で、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成することはなく具体化又は実行することができる。

本開示は、同日付の「熱伝導シートを備えた弾性波フィルタ」との名称の米国特許出願第＿＿＿＿＿＿号［代理人整理番号ＳＫＹＷＲＫＳ．８１９Ａ２］に関連し、その開示全体がここに参照により組み入れられる。

本開示の複数の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して以下に記載される。

一実施形態に係る、インターデジタルトランスデューサ電極側に熱伝導層を備えた弾性表面波デバイスの断面を例示する。 一実施形態に係る、裏側に熱伝導層を備えた弾性表面波デバイスの断面を例示する。 図１Ａの弾性表面波デバイス及び図１Ｂの弾性表面波デバイスの複数の実施形態に対する、シミュレーションされた最大チップ温度と、窒化アルミニウム熱伝導層の厚さとの関係を例示するグラフである。 図１Ｂの弾性表面波デバイスの一実施形態に対する、異なる圧電層厚さの窒化アルミニウム熱伝導層の、温度と厚さとの関係を例示するグラフである。 図３Ａは、熱伝導層を備えない弾性表面波チップのシミュレーションされたヒートマップである。図３Ｂは、一実施形態に係る、インターデジタルトランスデューサ電極側に窒化アルミニウム層を備えた弾性表面波チップのシミュレーションされたヒートマップである。 図３Ｃは、一実施形態に係る、裏側に窒化アルミニウム層を備えた弾性表面波チップのシミュレーションされたヒートマップである。 図４Ａは、熱伝導層を備えた別個のチップ上に実装されたフィルタのブロック図である。図４Ｂは、図４Ａの断面図である。図４Ｃは、図４Ａのチップの、位置に対する温度を例示する。 図５Ａは、共通熱伝導層を備えた別個のチップに実装されたフィルタのブロック図である。図５Ｂは、図５Ａの断面図である。図５Ｃは、図５Ａのチップの、位置に対する温度を例示する。 図６Ａは、熱伝導層を備えた単一チップ上に実装された送信フィルタ及び受信フィルタのブロック図である。図６Ｂは、図６Ａの断面図である。図６Ｃは、図６Ａのチップの、位置に対する温度を例示する。 図７Ａは、熱伝導層を備えた単一チップ上に実装された送信フィルタのブロック図である。図７Ｂは、図７Ａの断面図である。図７Ｃは、図７Ａのチップの、位置に対する温度を例示する。 一の電力増幅器と、一のスイッチと、一以上の実施形態に係る複数のフィルタとを含むモジュールの模式的なブロック図である。 複数の電力増幅器と、複数のスイッチと、一以上の実施形態に係る複数のフィルタとを含むモジュールの模式的なブロック図である。 複数の電力増幅器と、複数のスイッチと、一以上の実施形態に係る複数のフィルタと、一のアンテナスイッチとを含むモジュールの模式的なブロック図である。 一以上の実施形態に係るフィルタを含む無線通信デバイスの模式的なブロック図である。

所定の実施形態の以下の記載は、特定の実施形態の様々な記載を表す。しかしながら、ここに記載の新機軸は、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバーされる多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において参照される図面では、同じ参照番号が同一の又は機能的に類似の要素を示し得る。理解されることだが、図面に例示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施形態は、図面に例示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び／又は図面に例示される要素の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、２以上の図面からの特徴の任意の適切な組み合わせを組み入れてよい。

所定のアプリケーションにおいて、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタデバイスの耐電力性が著しく増大している。本開示は、ＳＡＷフィルタデバイスの耐電力性を改善し得る技術的な解決策を与える。ＳＡＷフィルタを、直列弾性表面波デバイス共振器及びシャント弾性表面波デバイス共振器を含むラダー型フィルタとして配列することができる。

熱伝導層を備えたＳＡＷデバイスが開示される。熱伝導層は、相対的に高い熱伝導率を有し得る。熱伝導層の伝導性は、ＳＡＷデバイスの圧電層よりも高い。例えば、熱伝導層の熱伝導率は、ＳＡＷデバイスの圧電層の熱伝導率よりも少なくとも５倍高い。この例では、圧電層を、熱伝導率が４．６Ｗ／ｍＫのニオブ酸リチウム層、又は熱伝導率が４．２４Ｗ／ｍＫのタンタル酸リチウム層とするとともに、熱伝導層の熱伝導率を少なくとも２３Ｗ／ｍＫとすることができる。熱伝導層の熱伝導率は、例えば１４０Ｗ／ｍＫから３００Ｗ／ｍＫの範囲のような、２３Ｗ／ｍＫから３００Ｗ／ｍＫの範囲とすることができる。一定の例では、熱伝導層の熱伝導率は、ＳＡＷデバイスの圧電層の熱伝導率よりも少なくとも２５倍高くてよい。熱伝導層は、窒化物及び／又はシリコンを含む熱伝導層のような、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層、窒化シリコン（ＳｉＮ）層又は任意の他の適切な熱伝導層としてよい。

熱伝導層は圧電層に結合することができる。熱伝導層は、ＳＡＷデバイスのインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極の対向側において圧電基板と物理的に接触し得る。

熱伝導層は圧電層よりも薄く、少なくとも６．３マイクロメートル（μｍ）の厚さを有し得る。熱伝導シートの厚さは、圧電層の厚さ未満としてよい。熱伝導層は、熱伝導シートと称してもよい。圧電層は３００μｍよりも薄い。圧電層は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）層又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）層としてよい。

単一チップは、ここに説明される原理及び利点に係る熱伝導層を含む２以上のＳＡＷフィルタを含み得る。

図１Ａは、一実施形態に係る、インターデジタルトランスデューサ電極側に熱伝導層を備えた弾性表面波デバイス１０の断面を例示する。例示の弾性表面波デバイス１０は、窒化アルミニウム層１２、ニオブ酸リチウム層１４、インターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１６、及び二酸化シリコン層１８を含む。窒化アルミニウム層１２は熱伝導層である。窒化アルミニウム層１２はヒートシンクとして機能することができる。窒化アルミニウム層１２は、多結晶窒化アルミニウムセラミックとしてよい。

図１Ａにおいて、窒化アルミニウム層１２は、ニオブ酸リチウム層１４のＩＤＴ側に形成される。例示のように、窒化アルミニウム層１２は、ＩＤＴ電極１６の上方の一領域を除いてニオブ酸リチウム層１４を覆うように形成される。これにより、弾性表面波デバイス１０の機能に対する窒化アルミニウム層１２の音響効果を、回避及び／又は実質的に低減することができる。図１Ａにおいて、二酸化シリコン層１８は、ＩＤＴ電極１６を覆い、ニオブ酸リチウム層１４と窒化アルミニウム層１２との間に存在する。ＩＤＴ電極１６は、アルミニウムＩＤＴ電極としてよい。ＩＤＴ電極の材料は、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、又はこれらの任意の適切な組み合わせが含み得る。例えば、ＩＤＴ電極１６は、所定のアプリケーションにおいて、アルミニウム及びモリブデンを含み得る。

図１Ｂは、一実施形態に係る、裏側に熱伝導層を備えた弾性表面波デバイス１９の断面を例示する。例示の弾性表面波デバイス１９は、窒化アルミニウム層１２、ニオブ酸リチウム層１４、ＩＤＴ電極１６、及び二酸化シリコン層１８を含む。図１Ｂにおいて、窒化アルミニウム層１２は、ニオブ酸リチウム層１４の、ＩＤＴ電極１６に対向する側に形成される。ニオブ酸リチウム層１４の、ＩＤＴ電極１６に対向する側は、弾性表面波デバイス１９の裏側と称してもよい。例示のように、窒化アルミニウム層１２は、ニオブ酸リチウム層１４に物理的に接触する。窒化アルミニウム層１２は、ニオブ酸リチウム層１４に接合され得る。図１Ａにおいて、二酸化シリコン層１８は、ニオブ酸リチウム層１４の、窒化アルミニウム層１４に対向する側においてＩＤＴトランスデューサ電極１６を覆う。

図１Ｂにおいて、窒化アルミニウム層１２の厚さはｈとして標識され、ニオブ酸リチウム層１４の厚さはＨとして標識される。図１Ａ及び図１Ｂ双方に示されるように、窒化アルミニウム層１２は相対的に薄くしてよい。窒化アルミニウム層１２の厚さｈは、ニオブ酸リチウム層１４の厚さＨよりも小さい。窒化アルミニウム層１２の厚さｈは、例示のように、ニオブ酸リチウム層１４の厚さＨの半分未満である。

窒化アルミニウム層１２は、熱伝導層を実装するのに望ましい特性を有する。窒化アルミニウムは電気絶縁性である。窒化アルミニウムは無毒性である。窒化アルミニウムは相対的に高い熱伝導率を有する。例えば、窒化アルミニウムの熱伝導率は、約１４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）（ワット毎メートル毎ケルビン）から２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の範囲としてよい。そのような熱伝導率は、絶縁性セラミックに対して相対的に高い。窒化アルミニウムの熱伝導率は、ニオブ酸リチウムの熱伝導率の２５倍を超える大きさである。ニオブ酸リチウムの熱伝導率は約４．６Ｗ／（ｍ・Ｋ）となり、タンタル酸リチウムは、約４．２４Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率を有し得る。窒化アルミニウムの粒界に存在する不純物を減少させることは、窒化アルミニウムの熱伝導率を増加させる一つの方法と考えられる。

図１Ａの弾性表面波デバイス１０、及び図１Ｂの弾性表面波デバイス１９は、弾性表面波デバイスの例である。これらの表面波デバイスは、弾性表面波を生成するべく配列された複数の共振器である。これらの弾性表面波デバイスにおいて、ニオブ酸リチウム層は圧電層であり、窒化アルミニウム層は熱伝導層である。いくつかの他の実施形態において、タンタル酸リチウムのような、異なる圧電層を使用してよい。代替的又は付加的に、窒化物及び／又はシリコンを含む熱伝導層のような任意の他の適切な熱伝導層のような、例えば窒化シリコンのような他の適切な熱伝導層を実装することもできる。熱伝導層は、電気伝導性又は半導体というよりはむしろ電気絶縁性である。熱伝導層は無毒性としてよい。

図１Ａ及び１Ｂのこれらの弾性表面波デバイスにおいて、二酸化シリコン層は、弾性表面波デバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）をゼロ近くにすることができる温度補償層である。いくつかの他の実施形態において、異なる温度補償層を実装することができる。温度補償層は、正のＴＣＦを有してよい。いくつかの温度補償層の例には、二酸化テルル（ＴｅＯ_２）層又はシリコンオキシフルオライド（ＳｉＯＦ）層が含まれる。図１Ａの弾性表面波デバイス１０及び図１Ｂの弾性表面波デバイス１９が二酸化シリコン層を含むにもかかわらず、ここに説明される原理及び利点のいずれかに係る弾性表面波デバイスは、所定の実施形態においてＩＤＴ電極を覆う二酸化シリコン層なしで実装することができる。

図１Ｃは、図１Ａの弾性表面波デバイス１０及び図１Ｂ弾性表面波デバイス１９の実施形態に対する、シミュレーションされた最大チップ温度と窒化アルミニウム層の厚さとの関係を例示するグラフである。窒化アルミニウム層の厚さは、図１Ｂにおいてｈとして示される。これらのシミュレーションにおいて、窒化アルミニウムの０．７１×１０^３Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）の比熱が使用され、窒化アルミニウムの３．２６×１０^３ｋｇ／ｍ^３の密度が使用され、窒化アルミニウムの１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率が使用された。図１Ｃに示されるように、窒化アルミニウムの厚さは、最大チップ温度に著しい影響を与え得る。

図２は、図１Ｂの弾性表面波デバイス１９の複数の実施形態の異なる圧電層厚さに対する、窒化アルミニウム熱伝導層の、温度と厚さとの関係を例示するグラフである。図２の曲線は、ニオブ酸リチウム層１４の異なる厚さＨ対最大チップ温度に対応する。これらの曲線が示すのは、弾性表面波デバイス１９における、厚さが少なくとも６．３マイクロメートル（μｍ）の窒化アルミニウム層１２が、熱性能を著しく改善することができ、厚さが２０μｍから３００μｍの範囲のニオブ酸リチウム層の望ましい熱性能をもたらし得るということである。したがって、相対的に薄い窒化アルミニウム層が、熱的改善をもたらし得る。図２における曲線は、望ましい熱的改善が、ニオブ酸リチウム層の厚さの半分未満となる厚さを有する窒化アルミニウム層によって達成可能なことを示す。所定のニオブ酸リチウム厚さに対し、窒化アルミニウム層の厚さが当該ニオブ酸リチウム層の厚さの１０分の１以下となると、望ましい熱的改善が達成することができる。窒化アルミニウム層の厚さが６．３μｍから１００μｍの範囲にあると、図２に示されるような望ましい熱的改善がもたらされる。

相対的に薄い熱伝導層は、様々なアプリケーションにおいて有利である。相対的に厚い熱伝導層と比べ、相対的に薄い熱伝導層によれば、薄い部品が得られ、使用する材料が少なくて済み、安価に実装でき、及び／又は少ない時間で製造できる。熱伝導層の堆積は、ウェハに内部応力及び／又は反りを引き起こし得る。相対的に厚い熱伝導層と比べて相対的に薄い熱伝導層によれば、割れ及び／又は反りが少なくなり得る。

図３Ａは、熱伝導層なしの弾性表面波チップのシミュレーションされたヒートマップである。シミュレーションされたチップは、図１Ａの弾性表面波デバイス１０及び図１Ｂの弾性表面波デバイス１９と同様の弾性表面波デバイスを含むが、窒化アルミニウム層が含まれない点で異なる。図３Ａのヒートマップに示されるように、このシミュレーションにおいて最大チップ温度は９３℃であった。図３Ａ～３Ｃにおけるシミュレーションは、１７８５ＭＨｚの周波数において３０ｄＢｍの入力電力に対応する。

図３Ｂ及び３Ｃは、熱を散逸させるべく配列された窒化アルミニウム層を備えた弾性表面波デバイスのシミュレーションのヒートマップを示す。図３Ｂ及び３Ｃのシミュレーションにおいて、窒化アルミニウムの０．７１×１０^３Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）の比熱が使用され、窒化アルミニウムの３．２６×１０^３ｋｇ／ｍ^３の密度が使用され、窒化アルミニウムの１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率が使用された。

図３Ｂは、一実施形態に係る、インターデジタルトランスデューサ電極側に窒化アルミニウム層を備えた弾性表面波チップのシミュレーションされたヒートマップである。図３Ｂのヒートマップは、３μｍ窒化アルミニウム層１２を備えた図１Ａの弾性表面波デバイス１０に対応する。図３Ｂのヒートマップに示されるように、シミュレーションにおいて最大チップ温度は８３℃であった。したがって、このシミュレーションは、図３に対応するシミュレーションと比べて１０℃の最大チップ温度改善を代表する。

図３Ｃは、一実施形態に係る、裏側に窒化アルミニウム層を備えた弾性表面波チップのシミュレーションされたヒートマップである。図３Ｂのヒートマップは、５μｍ窒化アルミニウム層１２を備えた図１Ｂの弾性表面波デバイス１９に対応する。図３Ｃのヒートマップに示されるように、このシミュレーションにおいて最大チップ温度は７３℃であった。したがって、このシミュレーションは、図３Ａに対応するシミュレーションと比べて２０℃の最大チップ温度改善を代表する。

ここに説明される熱伝導層は、様々なフィルタ組付体に実装することができる。弾性表面波フィルタ組付体は弾性表面波フィルタを含む。図４Ａ～７Ｃは、複数のフィルタ組付体の例及びそれに関連するグラフを例示する。これらのフィルタ組付体の任意の適切な原理及び利点は、互いに実装し合い及び／又はここに説明される他の特徴とともに実装することができる。複数の実施形態が弾性表面波フィルタを参照して説明されてよいが、熱伝導層に関する任意の適切な原理及び利点は、弾性表面波フィルタ及び他の弾性波フィルタを含む弾性波フィルタ組付体に実装することができる。例えば、一の弾性波フィルタ組付体が、弾性表面波フィルタと、バルク弾性波フィルタと、当該フィルタの一方からの熱を他方のフィルタに対応する一領域へと散逸させるべく配列された共通熱伝導層とを含み得る。他例として、一の弾性波フィルタ組付体が、弾性表面波フィルタと、ラム波フィルタと、当該フィルタの一方からの熱を他方のフィルタに対応する一領域へと散逸させるべく配列された共通熱伝導層とを含み得る。もう一つの例として、一の弾性波フィルタ組付体が、弾性表面波フィルタと、弾性境界波フィルタと、当該フィルタの一方から他方のフィルタに対応する一領域へと熱を散逸させるべく配列された共通熱伝導層とを含み得る。

図４Ａは、別個の熱伝導層を備えた別個のチップに実装されたフィルタを含むフィルタ組付体４０のブロック図である。図４Ａは、送信フィルタ４３を含む第１のチップ４２、及び受信フィルタ４５を含む第２のチップ４４を例示する。送信フィルタ４３及び受信フィルタ４５は、デュプレクサ又は他のマルチプレクサ（例えばクワッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクトプレクサ等）に含まれ得る。送信フィルタ４３及び受信フィルタ４５はそれぞれが、図１Ｂの弾性表面波フィルタ１９の原理及び利点に従って実装された弾性表面波デバイスを含み得る。いくつかの例において、送信フィルタ４３及び／又は受信フィルタ４５はまた、図１Ａの弾性表面波フィルタ１０の任意の適切な原理及び利点、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う任意の適切な熱伝導層、任意の適切な圧電層、又はこれらの任意の適切な組み合わせに従って実装されてよい。

図４Ｂは、図４Ａの断面図である。送信フィルタ４３は、相対的に高い電力信号をフィルタリングするので、発熱が相対的に大きい。相対的に高い電力信号は、電力増幅器により与えられる無線周波数信号としてよい。受信フィルタ４５は、相対的に低い電力信号をフィルタリングするので、送信フィルタ４３と比べて発熱が相対的に小さい。図４Ｂは、熱の流れ及び大きさを例示する矢印を含む。図４Ｂに示されるように、相対的に大量の熱が、送信フィルタ４３のＩＤＴ電極１６Ａから、ニオブ酸リチウム層１４Ａを経由して窒化アルミニウム層１２Ａへと流れ、相対的に少量の熱が、受信フィルタ４５のＩＤＴ電極１６Ｂから、ニオブ酸リチウム層１４Ｂを経由して窒化アルミニウム層１２Ｂへと流れる。

図４Ｃは、図４Ａのチップの、位置に対する温度を例示する。図４Ｃは、チップ４２及び４４の熱の流れの大部分が第１のチップ４２に存在することを例示する。これは、この例において送信信号が受信信号よりも高い電力を有することに起因する。窒化アルミニウム層１２Ａは、第１のチップ４２の最大温度を、窒化アルミニウム層なしの対応チップよりも低下させる熱拡散を実行する。

図５Ａは、共通熱伝導層を備えた別個のチップに実装されたフィルタを含むフィルタ組付体５０のブロック図である。フィルタ組付体５０は、図４Ａのフィルタ組付体４０と同様であるが、フィルタ組付体５０においてチップ４２及び４４の下に共通窒化アルミニウム層１２が実装される点が異なる。

図５Ｂは、図５Ａの断面図である。図５Ｂは、熱の流れ及び大きさを例示する矢印を含む。図５Ｂに示されるように、窒化アルミニウム層１２は、送信フィルタ４３からの熱を拡散させることができるので、この熱を、受信フィルタ４５に対応する一領域において散逸させることができる。送信フィルタ４３からの熱は、窒化アルミニウム層１２全体に、さらには受信フィルタ４５のニオブ酸リチウム層１４Ｂへと拡散され得る。

図５Ｃは、図５Ａのチップの、位置に対する温度を例示する。図５Ｃに示されるように、窒化アルミニウム層は、送信フィルタ４３からの熱を受信フィルタ領域に分配することができる。これにより、送信フィルタ領域における熱が、図４Ａのフィルタ組付体４０よりも低減され得るので、最大チップ温度が低下し得る。

図６Ａは、熱伝導層を備えた単一チップ６２に送信フィルタ４３及び受信フィルタ４５が実装されたフィルタ組付体６０のブロック図である。上述したように、送信フィルタ４３及び受信フィルタ４５は、デュプレクサ又は他のマルチプレクサ（例えばクワッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクトプレクサ等）に含まれ得る。フィルタ組付体６０において、そのようなデュプレクサ又は他のマルチプレクサが単一チップに実装される。フィルタ組付体６０は、図５Ａのフィルタ組付体５０と同様であるが、フィルタ４３及び４５が単一チップ６２に実装される点が異なる。送信フィルタ４３及び受信フィルタ４５は単一チップ６２上において、例えば図５Ａのフィルタ組付体５０において別個のチップに存在する場合よりも、互いに近くに実装することができる。これにより、所定のアプリケーションにおける熱の散逸がさらに改善され得る。

図６Ｂは、図６Ａの断面図である。図６Ｂは、熱の流れ及び大きさを例示する矢印を含む。図６Ｂに例示のように、窒化アルミニウム層１２は、送信フィルタ４３からの熱を、単一チップ６２の受信フィルタ領域に有効に拡散させることができる。

図６Ｃは、図６Ａのチップの、位置に対する温度を例示する。図６Ｃは、図４Ａのフィルタ組付体４０と比べ、窒化アルミニウム層を備えた単一チップ上に送信フィルタ４３及び受信フィルタ４５を含むことによる最大チップ温度の著しい改善を示す。

図７Ａは、熱伝導層を備えた単一チップ７２上に実装された送信フィルタ４３Ａ及び４３Ｂを含むフィルタ組付体７０のブロック図である。フィルタ組付体７０は、図６Ａのフィルタ組付体６０と同様であるが、図６Ａの受信フィルタ４５の代わりに第２の送信フィルタ４３Ｂが実装される点が異なる。図７Ａ～７Ｃは、図６Ａ～６Ｃを参照して説明された原理及び利点が、単一チップ上に複数のフィルタを備えて一つのフィルタが相対的に大量の熱を生成している一方で他のフィルタが相対的に少量の熱を生成している任意の適切なマルチフィルタチップに適用できることを例示する。例えば、フィルタ組付体７０において、一方の送信フィルタがアクティブであるが、他方の送信フィルタは非アクティブである。アクティブな送信フィルタからの熱を、非アクティブな送信フィルタの一領域に拡散及び散逸させることができる。

図７Ｂは図７Ａの断面図である。図７Ｂは、熱の流れ及び大きさを例示する矢印を含む。図７Ｂに示されるように、窒化アルミニウム層１２は、チップ７２のアクティブな送信フィルタ４３Ａから非アクティブな送信フィルタ領域へと熱を拡散させることができる。図７Ｃは、図７Ａのチップ７２の、位置に対する温度を例示する。図７Ｃは、図４Ａのフィルタ組付体４０と比べ、窒化アルミニウム層を備えた単一チップ上に送信フィルタ４３Ａ及び４３Ｂを含むことによる最大チップ温度の著しい改善を示す。チップ７２の最大温度は、同様の電力を有する送信信号に対し、図６Ａのチップ６２の最大温度に匹敵し得る。

シミュレーション結果は、弾性表面波デバイス１９の窒化アルミニウム層１２のような相対的に高い熱伝導率を備えた熱伝導層が、最大チップ温度を低下させ得ることを示す。シミュレーション結果はまた、そのような熱伝導層を備えた（例えば図６Ａ～６Ｃ又は７Ａ～７Ｃに従う）単一チップ上の複数の弾性表面波フィルタが、さらに最大チップ温度を低下させ得ることを示す。そのような最大チップ温度改善は、例えば、上に説明された任意の適切な原理及び利点に従う相対的に薄い熱伝導層によって実現することができる。

図５Ａ～７Ｃは、相対的に高い電力の無線周波数信号のフィルタリングによる熱を散逸させ得るフィルタ組付体を例示する。弾性表面波フィルタの熱を散逸させる方法は、これらのフィルタ組付体のいずれかを使用して行うことができる。電力増幅器は、無線周波数信号を増幅することにより、増幅された無線周波数信号を生成することができる。弾性表面波デバイスは、増幅された無線周波数信号をフィルタリングすることができる。フィルタリングに関連する熱は、他の弾性波フィルタに対応する一領域において散逸されるように、熱伝導シートを使用して散逸させることができる。熱伝導シートは相対的に薄くしてよい。例えば、熱伝導シートは、弾性表面波フィルタの圧電層よりも薄くしてよい。

複数の弾性表面波デバイスを一のフィルタに含めることができる。一以上の弾性表面波デバイスを含むフィルタを、弾性表面波フィルタと称してもよい。複数の弾性表面波デバイスが、直列共振器及びシャント共振器として配列されて一のラダー型フィルタを形成する。いくつかの例において、フィルタは、弾性表面波共振器と、一以上の他の共振器（例えば一以上の他のバルク弾性波共振器）とを含み得る。

ここに説明されるフィルタは、様々なパッケージモジュールに実装することができる。ここに説明されるフィルタの任意の適切な原理及び利点が実装可能ないくつかのパッケージモジュールの例が、ここで説明される。図８、９及び１０は、所定の実施形態に係るパッケージモジュールを例示する模式的なブロック図である。無線周波数信号を処理するべく配列されたモジュールは、無線周波数モジュールと称してもよい。

図８は、電力増幅器８２と、スイッチ８４と、一以上の実施形態に係るフィルタ８６とを含むモジュール８０の模式的なブロック図である。モジュール８０は、例示の要素を包囲するパッケージを含み得る。電力増幅器８２と、スイッチ８４と、フィルタ８６とは、共通のパッケージ基板に配置することができる。パッケージ基板は、例えば積層基板としてよい。電力増幅器８２は、無線周波数信号を増幅することができる。電力増幅器８２は、所定のアプリケーションにおいて、ガリウムヒ素バイポーラトランジスタを含み得る。スイッチ８４は多投無線周波数スイッチとしてよい。スイッチ８４は、電力増幅器８２の出力を、フィルタ８６の選択されたフィルタに電気的に結合することができる。フィルタ８６は、任意の適切な数の弾性表面波フィルタ及び／又は他の弾性波フィルタを含み得る。フィルタ８６の弾性表面波フィルタの一以上を、ここに説明される弾性表面波デバイスの任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。

図９は、電力増幅器８２Ａ及び８２Ｂと、スイッチ８４Ａ及び８４Ｂと、一以上の実施形態に係るフィルタ８６’とを含むモジュール９０の模式的なブロック図である。モジュール９０は、図８のモジュール８０と同様であるが、モジュール９０が付加電力増幅器８２Ｂ及び付加スイッチ８４Ｂを含み、フィルタ８６’が、複数の電力増幅器８２Ａ及び８２Ｂに関連付けられた信号経路のための信号をフィルタリングする点で異なる。異なる信号経路は、異なる周波数帯域及び／又は異なる動作モード（例えば異なる電力モード、異なる信号伝達モード等）に関連付けてよい。

図１０は、電力増幅器８２Ａ及び８２Ｂと、スイッチ８４Ａ及び８４Ｂと、一以上の実施形態に係るフィルタ８６Ａ及び８６Ｂと、アンテナスイッチ１０２とを含むモジュール１００の模式的なブロック図である。モジュール１００は、図９のモジュール９０と同様であるが、モジュール１００が、フィルタ８６Ａ又はフィルタ８６Ｂからアンテナノードへの信号を選択的に結合するべく配列されたアンテナスイッチ１０２を含む点で異なる。フィルタ８６Ａ及び８６Ｂは、図９のフィルタ８６’に対応し得る。

図１１は、一以上の実施形態に係るフィルタ８６を含む無線通信デバイス１１０の模式的なブロック図である。無線通信デバイス１１０は、任意の適切な無線通信デバイスとしてよい。例えば、無線通信デバイス１１０は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。例示のように、無線通信デバイス１１０は、アンテナ１１１、ＲＦフロントエンド１１２、ＲＦ送受信器１１４、プロセッサ１１５及びメモリ１１６を含む。アンテナ１１１は、ＲＦフロントエンド１１２により与えられたＲＦ信号を送信することができる。アンテナ１１１は、受信したＲＦ信号を、処理を目的としてＲＦフロントエンド１１２に与え得る。

ＲＦフロントエンド１１２は、一以上の電力増幅器、一以上の低ノイズ増幅器、一以上のＲＦスイッチ、一以上の受信フィルタ、一以上の送信フィルタ、一以上のデュプレクサ、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。ＲＦフロントエンド１１２は、任意の適切な通信規格に関連付けられたＲＦ信号を送信及び受信することができる。ここに説明される弾性表面波デバイス及び／又はフィルタ組付体及び／又は無線周波数モジュールのいずれも、ＲＦフロントエンド１１２に実装することができる。

ＲＦ送受信器１１４は、増幅及び／又は他の処理を目的としてＲＦ信号をＲＦフロントエンド１１２に与えることができる。ＲＦ送受信器１１４はまた、ＲＦフロントエンド１１２の低ノイズ増幅器が与えるＲＦ信号を処理することができる。ＲＦ送受信器１１４はプロセッサ１１５と通信する。プロセッサ１１５はベース帯域プロセッサとしてよい。プロセッサ１１５は、無線通信デバイス１１０のための任意の適切なベース帯域処理機能を与えることができる。メモリ１１６には、プロセッサ１１５がアクセス可能である。メモリ１１６は、無線通信デバイス１１０のための任意の適切なデータを記憶することができる。

ここに説明される原理及び利点のいずれも、上に説明されたシステム、モジュール、フィルタ、マルチプレクサ、無線通信デバイス及び方法に限られない他のシステム、モジュール、チップ、弾性表面波デバイス、フィルタ、デュプレクサ、マルチプレクサ、無線通信デバイス及び方法に適用することができる。上述した様々な実施形態の要素及び動作は、さらなる実施形態を与えるように組み合わせることができる。ここに説明される原理及び利点のいずれも、周波数の範囲が約３０ｋＨｚ～３００ＧＨｚ、例えば約４５０ＭＨｚ～６ＧＨｚの範囲の信号を処理するべく構成された無線周波数回路に関連付けて実装することができる。例えば、ここに説明されるフィルタのいずれも、周波数の範囲が約３０ｋＨｚ～３００ＧＨｚ、例えば約４５０ＭＨｚ～６ＧＨｚの範囲の信号をフィルタリングすることができる。

本開示の複数の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例は、消費者用電子製品、チップ及び／又はパッケージ無線周波数モジュールのような消費者用電子製品の部品、電子試験機器、アップリンク無線通信デバイス、パーソナルエリアネットワーク通信デバイス等を含むがこれらに限られない。消費者用電子製品の例は、スマートフォンのような携帯電話機、スマートウォッチ又はイヤーピースのような装着可能コンピューティングデバイス、電話機、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、ルータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、自動車電子システムのような車両電子システム、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、デジタル音楽プレーヤ、デジタルカメラのようなカメラ、携帯型メモリチップ、家電製品等を含んでよいがこれらに限られない。さらに、電子デバイスは、未完成の製品を含んでよい。

さらに、とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特徴、要素及び／又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるように意図される。ここで一般に使用される用語「結合」は、互いに直接結合されるか又は一以上の中間要素を介して結合されるかのいずれかとなり得る２以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される用語「接続」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２以上の要素を言及する。加えて、用語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の用語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の固有部分を言及するわけではない。

所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例示により提示されたにすぎないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載の新規なデバイス、チップ、方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載の方法、装置及びシステムの形態における様々な省略及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。例えば、ここに記載される回路ブロックは、削除、移動、追加、細分化、結合、及び／又は修正することができる。これらの回路ブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まる任意のそのような形態又は修正をカバーすることが意図される。

Claims (19)

1. 弾性表面波デバイスであって、
   圧電層と、
   前記圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、
   前記インターデジタルトランスデューサ電極を覆って前記インターデジタルトランスデューサ電極に物理的に接触する温度補償層であって、正の周波数温度係数を有する温度補償層と、
   前記弾性表面波デバイスの熱を散逸させるべく構成された熱伝導層と
   を含み、
   前記熱伝導層は、少なくとも６．３マイクロメートルの厚さを有して前記圧電層よりも薄く、
   前記熱伝導層と前記インターデジタルトランスデューサ電極との間に前記圧電層が存在し、
   前記弾性表面波デバイスは弾性表面波を生成するように構成され、
   前記熱伝導層は前記圧電層に物理的に接触し、
   前記熱伝導層は電気絶縁層である、弾性表面波デバイス。
2. 前記熱伝導層は窒化アルミニウム層であり、
   前記温度補償層は二酸化シリコン層である、請求項１の弾性表面波デバイス。
3. 前記圧電層の厚さは３００マイクロメートル未満である、請求項２の弾性表面波デバイス。
4. 前記熱伝導層の熱伝導率は、前記圧電層の熱伝導率の少なくとも５倍である、請求項１の弾性表面波デバイス。
5. 前記熱伝導層の熱伝導率は２３Ｗ／ｍＫから３００Ｗ／ｍＫの範囲にある、請求項１の弾性表面波デバイス。
6. 前記熱伝導層の厚さは、前記圧電層の厚さの半分未満である、請求項１の弾性表面波デバイス。
7. 前記熱伝導層は窒化物を含む、請求項１の弾性表面波デバイス。
8. 前記熱伝導層は窒化アルミニウムを含む、請求項７の弾性表面波デバイス。
9. 前記圧電層はニオブ酸リチウムを含む、請求項１の弾性表面波デバイス。
10. 前記圧電層の厚さは３００マイクロメートル未満である、請求項１の弾性表面波デバイス。
11. 前記温度補償層は二酸化シリコン層である、請求項１の弾性表面波デバイス。
12. 無線周波数モジュールであって、
    無線周波数信号を与えるべく構成された電力増幅器と、
    前記無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性表面波フィルタと
    を含み、
    前記弾性表面波フィルタは、
    圧電層と、
    前記圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、
    前記インターデジタルトランスデューサ電極を覆って正の周波数温度係数を有する温度補償層と、
    前記弾性表面波フィルタの熱を散逸させるべく構成された熱伝導層と
    を含み、
    前記熱伝導層と前記インターデジタルトランスデューサ電極との間に前記圧電層が存在し、
    前記熱伝導層は、少なくとも６．３マイクロメートルの厚さを有して前記圧電層よりも薄く、
    前記熱伝導層は前記圧電層に物理的に接触し、
    前記熱伝導層は電気絶縁層である、無線周波数モジュール。
13. 前記弾性表面波フィルタと第２弾性表面波フィルタとが単一ダイ上に実装され、
    前記熱伝導層は、前記弾性表面波フィルタからの熱を前記第２弾性表面波フィルタの一領域にわたって散逸させるように構成される、請求項１２の無線周波数モジュール。
14. 前記電力増幅器と前記弾性表面波フィルタとの間の信号経路に無線周波数スイッチをさらに含む、請求項１２の無線周波数モジュール。
15. 前記熱伝導層の熱伝導率は、前記圧電層の熱伝導率の少なくとも２５倍である、請求項１２の無線周波数モジュール。
16. 前記熱伝導層の熱伝導率は１４０Ｗ／ｍＫから３００Ｗ／ｍＫの範囲にある、請求項１２の無線周波数モジュール。
17. 前記圧電層の厚さは、３００マイクロメートル未満である、請求項１２の無線周波数モジュール。
18. 無線通信デバイスであって、
    フィルタリングされた無線周波数信号を与えるべく構成された弾性表面波フィルタと、
    前記フィルタリングされた無線周波数信号を送信するべく構成されたアンテナと
    を含み、
    前記弾性表面波フィルタは、
    圧電層と、
    前記圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、
    前記インターデジタルトランスデューサ電極を覆う温度補償層と、
    熱を散逸させるべく構成された熱伝導層と
    を含み、
    前記熱伝導層は６．３マイクロメートルよりも大きな厚さを有し、
    前記熱伝導層は前記圧電層よりも薄く、
    前記熱伝導層と前記インターデジタルトランスデューサ電極との間に前記圧電層が存在し、
    前記熱伝導層は前記圧電層に物理的に接触し、
    前記熱伝導層は電気絶縁層である、無線通信デバイス。
19. 前記弾性表面波フィルタを含む無線周波数フロントエンドと通信する送受信器をさらに含む、請求項１８の無線通信デバイス。

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