JP6915675B2 - 粘着テープおよび粘着テープ用基材 - Google Patents

Description

本発明は、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いられる粘着テープおよび粘着テープ用基材に関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、まず、基板としての半導体基板（半導体ウエハ）に粘着テープを貼付し、半導体基板の周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断分離（個片化）する。次いで、ウエハリングを用いて粘着テープを放射状に伸ばすことで、隣接する半導体素子同士の間に間隙を形成するエキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態で、ピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、このピックアップした半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するための搭載工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、例えば、アンダーフィル材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、その後、リードフレームあるいは基板上で半導体素子を封止部により封止することで半導体装置が製造される。

このような半導体装置の製造に用いられる粘着テープについて、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。

この粘着テープは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体基板が固定される。また、半導体基板のダイシング工程後に半導体素子のピックアップが実現できるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、そのため、ピックアップ工程において、半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた際に、半導体素子から粘着テープを剥離させることができ、その結果、半導体素子のピックアップが実現できるようになっている。

しかしながら、この粘着テープを用いた半導体装置の製造の際に、粘着テープを放射状に伸ばすエキスパンディング工程において、隣接する半導体素子同士の間に、十分な大きさの間隙を形成することができず、これに起因して、次工程である、ピックアップ工程において、半導体素子を優れた精度でピックアップすることができなくなると言う問題があった。

また、このような問題は、基板としての半導体基板（半導体用ウエハ）を個片化することで、部品としての半導体素子を得る場合に限らず、ガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板のような各種基板を個片化して、個片化された部品を得る場合等においても同様に生じている。

特開２００９−２４５９８９号公報

本発明は、粘着テープを放射状に伸ばすエキスパンディングにより隣接する部品同士の間に十分な大きさの間隙を形成しつつ、ニードルにより部品を突き上げた状態で、部品をピックアップする際に、優れた精度で部品をピックアップすることができる粘着テープ、および、この粘着テープを得る際に用いる粘着テープ用基材を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（６）に記載の本発明により達成される。
（１） 基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層とを備える粘着テープであって、
前記粘着層上に、基板を前記粘着層に接触させて固定した状態で、前記基板を、該基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して個片化することで複数の部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記部品を、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられ、
前記基材は、ポリオレフィン系樹脂を含み、伸長前の前記基材の大きさを１００％とし、前記基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さず、
前記基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したときに測定される応力−ひずみ曲線における、接線弾性係数は、０ＭＰａ以上８０ＭＰａ以下であり、
下記要件Ａを満足することを特徴とする粘着テープ。
要件Ａ：シリコン基板を当該粘着テープに固定し、その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、前記シリコン基板を厚さ方向に前記基材の途中に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、６０℃で前記基材の面方向に前記基材を１２０％の大きさにまで伸長したとき、隣接する前記シリコンチップ同士において、対向する辺の間に形成される間隙の幅は、４６０μｍ以上５４０μｍ未満であること

（２） 前記ポリオレフィン系樹脂は、低密度ポリエチレンおよびエチレン共重合体のうちの少なくとも１種である上記（１）に記載の粘着テープ。

（３） 前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、
前記粘着層にエネルギーを付与して前記粘着層が硬化することにより、その粘着力が低下するものである上記（１）または（２）に記載の粘着テープ。

（４） 前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の粘着テープ。

（５）前記基材は、その厚さが３０μｍ以上１５０μｍ以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の粘着テープ。

（６） 粘着テープ用基材と、当該粘着テープ用基材の一方の面に積層された粘着層とを備える粘着テープに適用される前記粘着テープ用基材であって、
前記粘着テープは、前記粘着層上に、基板を前記粘着層に接触させて固定した状態で、前記基板を、該基板から当該粘着テープ用基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して個片化することで複数の部品を形成し、その後、前記粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、該粘着テープ基材側から突き上げた状態で、前記部品を、該粘着テープ基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられ、
当該粘着テープ用基材は、ポリオレフィン系樹脂を含み、
前記粘着テープ用基材は、その一方の面に前記粘着層が積層して用いられ、伸長前の当該粘着テープ用基材の大きさを１００％とし、当該粘着テープ用基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さず、
前記粘着テープ用基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したときに測定される応力−ひずみ曲線における、接線弾性係数は、０ＭＰａ以上８０ＭＰａ以下であり、
下記要件Ａを満足することを特徴とする粘着テープ用基材。
要件Ａ：シリコン基板を当該粘着テープに固定し、その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、前記シリコン基板を厚さ方向に前記基材の途中に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、６０℃で前記基材の面方向に前記基材を１２０％の大きさにまで伸長したとき、隣接する前記シリコンチップ同士において、対向する辺の間に形成される間隙の幅は、４６０μｍ以上５４０μｍ未満であること

本発明によれば、粘着テープが備える基材を、伸長前の基材の大きさを１００％としたとき、６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとしても降伏点を有さないことから、粘着テープを放射状に伸ばすエキスパンディングにより、隣接する部品同士の間に十分な大きさの間隙を形成することができる。そのため、隣接する部品同士の間に、十分な大きさの間隙を形成しつつ、ニードルにより部品を突き上げた状態で、部品をピックアップする際に、優れた精度で部品をピックアップすることができる。

本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。 図４に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）１７とを有している。

インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。

インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。

バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。

このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。

また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。

なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。

さらに、インターポーザー３０の上側には、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように形成されたモールド部１７が半導体封止材料の硬化物（封止材）で構成されており、これにより、半導体装置１０内において半導体チップ２０が封止され、半導体チップ２０に対する異物や水分等の浸入が防止される。

半導体チップ２０（半導体素子）は、図３に示すように、半導体チップ本体部２３（半導体素子本体部）と、半導体チップ本体部２３の下面側から突出して設けられた端子２１とを有している。半導体チップ本体部２３は、その上面側に回路（図示せず）が作り込まれており、主としてＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはＧａ_２Ｏ_３のような半導体材料で構成されている。

かかる構成の半導体装置１０および半導体チップ２０は、例えば、粘着テープを用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
図２、図３は、図１に示す半導体装置を、粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ａ］まず、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する積層体により構成された粘着テープ１００（以下、単に「粘着テープ１００」ということもある。）を用意し、その後、図２（ａ）に示すように、この粘着テープ１００をダイサーテーブル２００の上に設置する。
なお、この粘着テープ１００に関する詳細な説明は後に行うこととする。

［２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、その中心部１２２に半導体基板７（半導体用ウエハ）を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体基板７を積層（貼付）する（貼付工程）。

なお、半導体基板７には、その上面に個片化することで形成される半導体チップ２０（半導体チップ本体部２３）が備える回路が予め形成され、また、下面には端子２１が予め形成されており、半導体基板７は、回路が形成されている側の上面を粘着層２側にして粘着テープ１００に貼付されている。

また、粘着テープ１００に半導体基板７を予め貼着した後に、ダイサーテーブル２００に設置しても良い。

［３Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて基板としての半導体基板７を切断（ダイシング）して半導体基板７を個片化することで粘着テープ１００上に部品としての半導体チップ２０を得る（個片化工程；図２（ｃ）参照）。

この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、半導体基板７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。

また、ブレードを用いた半導体基板７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施する。これにより、半導体基板の個片化を確実に実施することができる。

なお、この際、半導体基板７の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体基板７が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体基板７には切削水を供給しつつ、半導体基板７が切断される。

［４Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１におけるウエハリング９による固定を維持した状態で、ダイサーテーブル２００の外周部２２０に対して、その中心部２１０を上方に突き上げることで、粘着テープ１００を放射状に伸ばし、これにより、個片化した半導体基板７すなわち部品としての半導体チップ２０同士の間に、一定の間隔を有する間隙を形成する（エキスパンディング工程；図２（ｄ）参照。）。そして、この間隙が形成された状態で、半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（ピックアップ工程；図２（ｅ）参照。）。

この半導体チップ２０のピックアップは、粘着テープ１００を放射状に伸ばす前記エキスパンディング工程の後に、粘着層２にエネルギーを付与することで粘着層２を硬化させて、粘着層２の粘着力を低下させる。そして、ダイサーテーブル２００に設けられたニードル（図示せず）を厚さ方向にダイサーテーブル２００から突出させることで、粘着テープ１００に貼付された半導体チップ２０を、ニードルを用いて突き上げ、これにより、粘着テープ１００から剥離させた状態として実施される。なお、粘着層２に対するエネルギーの付与は、上記の通り、エキスパンディング工程の後であってもよいし、エキスパンディング工程に先立って実施してもよい。

この本工程［４Ａ］において、隣接する半導体チップ２０同士の間に間隙を形成しつつ、ニードルにより半導体チップ２０を突き上げた状態として、半導体チップ２０をピックアップする際に、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［４Ａ］における半導体チップ２０のピックアップの際に、粘着テープ１００として、基材４と粘着層２とを備え、基材４が、ポリオレフィン系樹脂を含み、伸長前の基材４の大きさを１００％とし、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さないものが用いられる。

そのため、本工程［４Ａ］において、ダイサーテーブル２００を用いて粘着テープ１００を放射状に伸ばす際に、隣接する半導体チップ２０同士の間に十分な大きさの間隙を形成し得ることから、半導体チップ２０を優れた精度でピックアップすることができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

以上のような工程［１Ａ］〜工程［４Ａ］を経ることにより、粘着テープ１００を用いて、半導体基板７から半導体チップ２０が分離（個片化）される。すなわち、粘着テープ１００が備える粘着層２上に、半導体基板７を固定した状態で、半導体基板７から基材４の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、半導体基板７を個片化することで複数の半導体チップ２０を形成する。その後、半導体チップ２０同士の間に一定間隔の間隙を形成した状態で、粘着層２にエネルギーを付与することで粘着層２を硬化させた後、さらに、基材４側から半導体チップ２０を突き上げた状態として、基材４の反対側から引き抜くことにより、半導体チップ２０が粘着層２から分離される。

［５Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図３（ａ）に示すように、この半導体チップ２０が備える端子２１と、インターポーザー３０が備える端子４１とを、端子４１上に設けられた半田バンプ８５を介して対向させて、インターポーザー３０上に載置する。すなわち、半導体チップ２０の端子２１が形成された面を下側にして、半導体チップ２０（半導体素子）をインターポーザー３０（基板）上に載置する。

［６Ａ］次に、図３（ｂ）に示すように、端子２１と端子４１との間に介在した半田バンプ８５を加熱しつつ、インターポーザー３０と半導体チップ２０とを接近させる。

これにより、溶融した半田バンプ８５が端子２１および端子４１の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部８１が形成され、その結果、接続部８１を介して、端子２１と端子４１とが電気的に接続される（搭載工程；図３（ｃ）参照。）。

［７Ａ］次に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材（封止材）を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層８０を形成する（封止層形成工程；図３（ｄ）参照。）。

［８Ａ］次に、インターポーザー３０の上側に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように、モールド部１７（封止部）を形成することで、半導体チップ２０をインターポーザー３０とモールド部１７とで封止するとともに、インターポーザー３０が備えるビアを介して端子４１の一部に電気的に接続された、バンプ７０をインターポーザー３０の下側から突出するように形成する（図３（ｅ）参照。）。

ここで、モールド部１７による封止は、例えば、形成すべきモールド部１７の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０とインターポーザー３０とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られる。より詳しくは、前記工程［１Ａ］〜［８Ａ］を実施した後に、前記工程［４Ａ］〜［８Ａ］を繰り返して実施することで、１つの半導体基板７から複数の半導体装置１０を一括して製造することができる。

以下、このような半導体装置１０の製造方法に用いられる、本発明の粘着テープ１００について説明する。

＜粘着テープ＞
図４は、粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

粘着テープ１００は、本発明では、基材４と、この基材４の上面（一方の面）に積層された粘着層２とを備える積層体により構成され、半導体基板７を仮固定して用いられるものであり、前述したように、基材４は、ポリオレフィン系樹脂を含み、伸長前の基材４の大きさを１００％とし、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さないものである。

ここで、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、基材４が降伏点を有さないとは、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとしても、基材４が塑性変形しないことを示している。そのため、本工程［４Ａ］において、図２（ｄ）に示すように、ダイサーテーブル２００を用いて粘着テープ１００を放射状に伸ばす際に、基材４が塑性変形するのを的確に抑制または防止することができる。そのため、隣接する半導体チップ２０同士の間に十分な大きさの間隙を形成することができる。

したがって、隣接する半導体チップ２０同士の間に間隙を形成しつつ、ニードルにより半導体チップ２０を突き上げた状態として、半導体チップ２０をピックアップする際に、ニードルによる半導体チップ２０の突き上げを、安定的に実施することができるため、半導体チップ２０のピックアップを優れた精度で実施することができる。

以下、このような粘着テープ１００（ダイシングテープ）が有する、基材４および粘着層２について、詳述する。

＜基材４＞
基材４は、主としてポリオレフィン系樹脂を含み、この基材４上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。また、前記工程［４Ａ］におけるダイサーテーブル２００を用いた粘着テープ１００の放射状の延伸、すなわち粘着テープ１００の面方向に対する伸長を実現させるためのものであり、前述の通り、本発明では、伸長前の基材４の大きさを１００％とし、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さないものである。

かかるポリオレフィン系樹脂としては、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したときに降伏点を有さないものであれば、特に限定されないが、例えば、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ）、エチレン−メタクリレート共重合体（ＥＭＡＡ）や、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体またはカリウムイオン架橋体としてのエチレン系アイオノマー等のアイオノマーのようなエチレン共重合体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に、比重が０．９４ｇ／ｃｍ^３以上０．９６ｇ／ｃｍ^３以下のアイオノマー、または、０．９２ｇ／ｃｍ^３以下の低密度ポリエチレンもしくは超低密度ポリエチレンであることが好ましい。これにより、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したときに確実に降伏点を有さないものとし得る。

また、基材４は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［４Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。

永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのＩＤＰを用いることができる。

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。

これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、基材４が加熱されたとしても、その表面抵抗値の変化量を小さくすることができる。

さらに、基材４は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

基材４の厚さは、例えば、３０μｍ以上１６０μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であるのがより好ましい。基材４の厚さがこの範囲内であると、基材４としての機能をより確実に発揮させて、前記工程［３Ａ］における半導体基板７のダイシングおよび前記工程［４Ａ］における半導体チップ２０のピックアップを、優れた作業性により実施することができる。

さらに、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。

また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

以上のような基材４は、前述の通り、伸長前の基材４の大きさを１００％とし、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さないものであればよいが、基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したときに測定される応力−ひずみ曲線における、直線部分の傾きを表す接線弾性係数が０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であることが好ましく、０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下であることがより好ましい。接線弾性係数の大きさが前記範囲内であることを満足することで、基材４は、このものを６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとしても、塑性変形することなくより線形的に伸張するものであると言うことができる。したがって、本工程［４Ａ］において、図２（ｄ）に示すように、ダイサーテーブル２００を用いて粘着テープ１００を放射状に伸ばす際に、隣接する半導体チップ２０同士の間に十分な大きさの間隙を形成することができる。

さらに、粘着テープ１００を放射状に伸ばす際に、隣接する半導体チップ２０同士の間に形成される間隙は、具体的には、以下に示すような大きさ（幅）となっていることが好ましい。すなわち、シリコン基板を粘着テープ１００に固定し、その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、シリコン基板を厚さ方向に基材４の途中に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、６０℃で基材４の面方向に基材４を１２０％の大きさにまで伸長したとき、隣接するシリコンチップ同士において、対向する辺の間に形成される間隙の幅は、２００μｍ以上であることが好ましく、２５０μｍ以上１０００μｍ以下であることがより好ましい。シリコン基板を上記のようにして縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを設けた際に形成される間隙の幅が前記範囲内であることで、図２（ｄ）に示すように、隣接する半導体チップ２０同士の間に間隙を形成した際に、十分な大きさの間隙が形成されていると言え、半導体チップ２０のピックアップを優れた精度で実施することができる。

なお、十分な大きさの間隙が形成されていないときに、半導体チップ２０のピックアップ性が低下するのは、十分な大きさの間隙が形成されていないと、半導体チップ２０のピックアップ時に、目的とする半導体チップ２０だけでなく、周辺に位置する半導体チップ２０も粘着テープ１００からその一部剥がれ、その結果、半導体チップ２０の位置ズレが生じることに起因する。このような位置ズレが生じると、位置ズレした半導体チップ２０をピックアップする際に、この半導体チップ２０を突き上げるニードルとの位置が合わず、その結果、この半導体チップ２０のピックアップミスが生じたり、隣接する半導体チップ２０と干渉して半導体チップ２０の破損を招くおそれがあるという問題点を有する。

これに対して、本発明では、半導体チップ２０同士の間に、十分な大きさの間隙が形成されていると言え、半導体チップ２０のピックアップを優れた精度で実施することができるため、かかる問題点を確実に解消することができる。

＜粘着層＞
粘着層２は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、半導体基板７を粘着して支持し、かつ、前記工程［４Ａ］において、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２が硬化することにより、半導体基板７を個片化して得られた半導体チップ２０をピックアップし得る程度の粘着性を有するものである。

かかる機能を備える粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体基板７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルピリミジン、Ｎ−ビニルピペラジン、Ｎ−ビニルピラジン、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルオキサゾール、Ｎ−ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６−ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エチレン−酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。

なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

アクリル系樹脂は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、アクリル系樹脂による半導体基板７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万〜５００万に設定され、より好ましくは５０万〜５００万に設定され、さらに好ましくは８０万〜３００万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体基板７等に対する汚染防止性が低下し、その結果、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル系樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層２の半導体基板７に対する粘着性が確実に低下される。

（２）硬化性樹
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチル ビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル）２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレートのような炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート、ビスフェノールＡ系のエポキシアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、このような硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートであることが好ましい。これにより、粘着層２に適度な柔軟性を付与することができる。そのため、ピックアップ時に半導体チップ２０を突き上げる際に、粘着層２に糊割れが生じるのを的確に抑制または防止することができる。

なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程［５Ａ］における半導体チップ本体部２３（半導体チップ２０）のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。

硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００〜１０００程度であることが好ましく、２００〜５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００〜３００００程度であることが好ましく、１０００〜１００００程度であることがより好ましく、２０００〜５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１〜５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して５０重量部以上２００重量部以下で配合されることが好ましく、１００重量部以上１８０重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、樹脂組成物中に、硬化性樹脂およびベース樹脂を、それぞれ添加することにより発揮される機能を、硬化性樹脂とベース樹脂との双方に確実に発揮させることができる。

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素−炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することによる。

（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体基板７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。

光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。

光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、樹脂組成物中に、光重合開始剤を添加することにより発揮される機能を、光重合開始剤に確実に発揮させることができる。

（４）架橋剤
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、５重量部以上５０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することで、樹脂組成物中に、架橋剤を添加することにより発揮される機能を、架橋剤に確実に発揮させることができる。

（５）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）〜（４）の他に他の成分として、導電性材料、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材４に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。

このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［４Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生が的確に抑制または防止される。

基材４および粘着層２のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材４に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ２０に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

また、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であるのがより好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２を、前記個片化工程［３Ａ］において、半導体基板７に対する良好な粘着力を発揮し、かつ、前記ピックアップ工程［４Ａ］において、粘着層２と半導体基板７との間において、良好な剥離性を発揮する程度の粘着性を備えるものとできる。

さらに、粘着層２は、粘着層２を硬化させた後（硬化後）の２５℃における貯蔵弾性率が１．０ｘ１０＾８Ｐａ以上１．０ｘ１０＾１０Ｐａ以下であることが好ましく、５．０ｘ１０＾８Ｐａ以上５．０ｘ１０＾９Ｐａ未満であることがより好ましい。これにより、前記ピックアップ工程［４Ａ］において、半導体チップ２０を突き上げる際に、粘着層２がクッション層としての機能を発揮することから、粘着層２に糊割れが生じるのを的確に抑制または防止することができる。

なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

次に、かかる構成の粘着テープ１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。

＜粘着テープの製造方法＞
図５は、図４に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ｂ］まず、基材４を用意する（図５（ａ）参照。）
基材４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材４が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材４の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。

また、基材４は、無延伸で用いることができ、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。

［２Ｂ］次に、基材４の上面に粘着層２を形成する（図５（ｂ）参照。）。
基材４の表面（上面）には、基材４と粘着層２との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。

また、粘着層２は、基材４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層２を形成することにより得ることができる。

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。

［３Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする（図５（ｃ）参照。）。

粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。

また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。

なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。

［４Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、セパレーター１を積層することにより、粘着層２がセパレーター１で被覆された粘着テープ１００を得る（図５（ｄ）参照。）。

粘着層２にセパレーター１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。

なお、セパレーター１としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

また、セパレーター１は、粘着テープ１００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター１表面にコーティングする処理や、セパレーター１表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

以上のような工程を経て、セパレーター１で被覆された粘着テープ１００を形成することができる。

なお、本実施形態で製造されたセパレーター１で被覆された粘着テープ１００は、前述した粘着テープ１００を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ１００をセパレーター１から剥離した後に使用される。

また、セパレーター１が被覆する粘着層２から、このセパレーター１を剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーター１を９０°以上１８０°以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター１を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーター１との界面以外での剥離を確実に防止することができる。

以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、１層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。

また、粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。

さらに、粘着テープを用いて形成する半導体装置の構成によっては、半導体装置１０が備えるモールド部１７の形成を省略することもできる。

また、粘着テープが貼付された半導体基板をダイシングすることで、切断片として半導体チップを得る場合に限らず、放射状に伸ばすエキスパンディングにより隣接する部品同士の間に十分な大きさの間隙を形成する必要が生じる基板加工用途にも、本発明の粘着テープを適用することができる。本発明の粘着テープにより貼付される基板としては、上述した半導体基板（半導体用ウエハ）の他に、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラス基板、アルミナ、窒化ケイ素、酸化チタンなどのセラミック基板、アクリル、ポリカーボネート、ゴムなどの樹脂材料基板、金属材料基板等が挙げられる。

＜粘着テープ用基材＞
本発明の粘着テープ用基材は、図４の粘着テープ１００を構成する基材４であり、この基材４の一方の面に積層された粘着層２と組み合わせて使用される。

基材４は、ポリオレフィン系樹脂を含み、伸長前の前記基材の大きさを１００％とし、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さないことを特徴とする。

このように、基材４を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、基材４が降伏点を有しないことから、前記工程［４Ａ］において、ダイサーテーブル２００を用いて粘着テープ１００を放射状に伸ばす際に、基材４が塑性変形するのを的確に抑制または防止することができる。そのため、隣接する半導体チップ２０同士の間に十分な大きさの間隙を形成することができる。したがって、隣接する半導体チップ２０同士の間に間隙を形成しつつ、ニードルにより半導体チップ２０を突き上げた状態として、半導体チップ２０をピックアップする際に、ニードルによる半導体チップ２０の突き上げを、安定的に実施することができるため、半導体チップ２０のピックアップを優れた精度で実施することができる。

本発明の粘着テープ用基材の樹脂材料・製造方法等は、前記基材４と同様のものを使用することができ、前記記載内容を準用するものとする。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。

（ポリオレフィン系樹脂１〜７）
ポリオレフィン系樹脂１〜７として、それぞれ、以下に示すものを用意した。
ポリオレフィン系樹脂１：
超低密度ポリエチレン（超低密度、東ソー社製、製品番号LUMITAC 12-1、
比重：０．９０ｇ／ｃｍ^３）
ポリオレフィン系樹脂２：
低密度ポリエチレン（低密度、住友化学社製、製品番号スミカセンF200-0、
比重：０．９２ｇ／ｃｍ^３）
ポリオレフィン系樹脂３：
アイオノマー（Ｎａ^＋架橋体、三井・デュポンポリケミカル社製、
ハイミラン１６０１、比重：０．９４ｇ／ｃｍ^３）
ポリオレフィン系樹脂４：
アイオノマー（Ｚｎ^２＋架橋体、三井・デュポンポリケミカル社製、
ハイミラン１６５０、比重：０．９５ｇ／ｃｍ^３）
ポリオレフィン系樹脂５：
アイオノマー（Ｚｎ^２＋架橋体、三井・デュポンポリケミカル社製、
ハイミラン１７０６、比重：０．９６ｇ／ｃｍ^３）
ポリオレフィン系樹脂６：
スチレン系エラストマー（水添ＳＩＳ、クラレ社製、
ハイブラー７１７５、比重：０．７ｇ／ｃｍ^３）
ポリオレフィン系樹脂７：
ポリプロピレン（ＰＰ、住友化学社製、
ＦＳ２０１１ＤＧ−２、比重：２．０ｇ／ｃｍ^３）

（ベース樹脂１）
ベース樹脂１として、アクリル酸ブチル、アクリル酸、メタクリル酸ブチル、２−エチルヘキシルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドのうちの少なくとも２種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて生成されたアクリル共重合体を用意した。

なお、ベース樹脂（アクリル共重合体）１におけるガラス転移点および重量平均分子量は、以下に示す通りであった。
ベース樹脂１（ガラス転移点：−１４℃、重量平均分子量：５０万）

（硬化性樹脂１）
硬化性樹脂１として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ ＳＣ２１５２）を用意した。

（架橋剤１）
架橋剤１として、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（光重合開始剤１）
光重合開始剤１として、ベンジルジメチルケタール（チバスペシャルティケミカルズ社製、品番：イルガキュア６５１）を用意した。

２．粘着テープの作製
［実施例１］
ポリオレフィン系樹脂１を押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。

次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して８５重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが２０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、基材４の上面（一方の面）に粘着層２を形成した。

［実施例２〜５、比較例１〜３］
基材４を作製する際に用いたポリオレフィン系樹脂として、表１に示すものを用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして粘着テープを作製した。

３．評価
得られた各実施例および各比較例の粘着テープを、以下の方法で評価した。

３−１．降伏点の有無の確認、および接線弾性係数の算出
各実施例および各比較例の粘着テープ１００が備える基材４について、それぞれ、表１に記載のポリオレフィン系樹脂を、押出し機で押し出して、厚さ８０μｍのものを作製した。

そして、作製した基材４について、それぞれ、引張試験装置（エー・アンド・デイ社製、「テンシロンＲＴＣ−１２５０」）を用いて、応力−ひずみ曲線（温度６０℃、引張速度２００ｍｍ／分）を取得し、伸長前の基材４の大きさを１００％とし１５０％の大きさにまで伸長したときの降伏点の有無を確認するとともに、接線弾性係数［ＭＰａ］を算出した。

３−２．エキスパンディング時における、間隙の幅の測定
シリコンで構成されるシリコン基板（ＳＵＭＣＯ社製、６５０μｍ）を用意し、＃３２０番手のホイールにて厚さ２３０μｍのこのシリコン基板を得た後、厚さ２００μｍに＃２０００番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、粘着層２をシリコン基板側にして固定した。その後、シリコン基板を、厚さ３０μｍのブレードを用いて、厚さ方向に基材４の途中に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た。

次いで、６０℃で基材４の面方向に粘着テープ１００を、それぞれ、１２０％の大きさにまで放射状に伸長したとき、隣接するシリコンチップ同士において、対向する辺の間に形成される間隙の幅を測定した。

３−３．シリコンチップのピックアップ性の評価
シリコンで構成されるシリコン基板（ＳＵＭＣＯ社製）を用意し、常法により削りして厚さ２３０μｍのこのシリコン基板を得た後、厚さ２００μｍに＃２０００番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、粘着層２をシリコン基板側にして固定した。その後、シリコン基板を厚さ方向に基材４の途中に到達するまで切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た後、６０℃で基材４の面方向に粘着テープ１００を１２０％の大きさにまで、粘着テープ１００を放射状に伸ばした状態で、粘着層２に紫外線を照射することでエネルギーを付与して粘着層２を硬化させた。

次いで、シリコンチップを、ニードルを用いてニードルの突き上げ量を２０００［μｍ］として、突き上げた。

次いで、ニードルによるシリコンチップの突き上げを維持した状態で、真空コレットによる吸着により、シリコンチップをピックアップした。

以上のような、吸着によるシリコンチップのピックアップを、各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、それぞれ、５０個ずつ繰り返して実施した。

そして、各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、それぞれ、シリコンチップの吸着によるピックアップの成否から、以下の基準にしたがって評価した。

◎：５０個のシリコンチップについて、
周辺のシリコンチップが剥離することなくピックアップすることができた
〇：４８個以上５０個未満のシリコンチップについて、
周辺のシリコンチップが剥離することなくピックアップすることができた
△：４５個以上４８個未満のシリコンチップについて、
周辺のシリコンチップが剥離することなくピックアップすることができた
×：４５個未満のシリコンチップについて、
周辺のシリコンチップが剥離することなくピックアップすることができた
以上のようにして実施した、各種評価の評価結果を表１に示す。

表１に示したように、各実施例の半導体用ウエハ加工用粘着テープでは、半導体用ウエハ加工用粘着テープを伸長したときに降伏点を有さないことから、エキスパンディング時において、シリコンチップ同士間に十分な大きさの間隙を形成することができ、その結果、優れたピックアップ性をもってシリコンチップをピックアップすることができた。

これに対して、各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープでは、半導体用ウエハ加工用粘着テープを伸長したときに降伏点を有し、これにより、エキスパンディング時において、シリコンチップ同士間に十分な大きさの間隙を形成することができず、これに起因して、シリコンチップのピックアップ性が低下する結果を示した。

１ セパレーター
２ 粘着層
４ 基材
７ 半導体基板
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
１７ モールド部
２０ 半導体チップ
２１ 端子
２３ 半導体チップ本体部
３０ インターポーザー
４１ 端子
７０ バンプ
８０ 封止層
８１ 接続部
８５ 半田バンプ
１００ 粘着テープ
１２１ 外周部
１２２ 中心部
２００ ダイサーテーブル
２１０ 中心部
２２０ 外周部

Claims (6)

1. 基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層とを備える粘着テープであって、
   前記粘着層上に、基板を前記粘着層に接触させて固定した状態で、前記基板を、該基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して個片化することで複数の部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記部品を、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられ、
   前記基材は、ポリオレフィン系樹脂を含み、伸長前の前記基材の大きさを１００％とし、前記基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さず、
   前記基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したときに測定される応力−ひずみ曲線における、接線弾性係数は、０ＭＰａ以上８０ＭＰａ以下であり、
   下記要件Ａを満足することを特徴とする粘着テープ。
   要件Ａ：シリコン基板を当該粘着テープに固定し、その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、前記シリコン基板を厚さ方向に前記基材の途中に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、６０℃で前記基材の面方向に前記基材を１２０％の大きさにまで伸長したとき、隣接する前記シリコンチップ同士において、対向する辺の間に形成される間隙の幅は、４６０μｍ以上５４０μｍ未満であること
2. 前記ポリオレフィン系樹脂は、低密度ポリエチレンおよびエチレン共重合体のうちの少なくとも１種である請求項１に記載の粘着テープ。
3. 前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、
   前記粘着層にエネルギーを付与して前記粘着層が硬化することにより、その粘着力が低下するものである請求項１または２に記載の粘着テープ。
4. 前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の粘着テープ。
5. 前記基材は、その厚さが３０μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の粘着テープ。
6. 粘着テープ用基材と、当該粘着テープ用基材の一方の面に積層された粘着層とを備える粘着テープに適用される前記粘着テープ用基材であって、
   前記粘着テープは、前記粘着層上に、基板を前記粘着層に接触させて固定した状態で、前記基板を、該基板から当該粘着テープ用基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して個片化することで複数の部品を形成し、その後、前記粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、該粘着テープ基材側から突き上げた状態で、前記部品を、該粘着テープ基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられ、
   当該粘着テープ用基材は、ポリオレフィン系樹脂を含み、
   前記粘着テープ用基材は、その一方の面に前記粘着層が積層して用いられ、伸長前の当該粘着テープ用基材の大きさを１００％とし、当該粘着テープ用基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したとき、降伏点を有さず、
   前記粘着テープ用基材を６０℃で面方向に１５０％の大きさにまで伸長したときに測定される応力−ひずみ曲線における、接線弾性係数は、０ＭＰａ以上８０ＭＰａ以下であり、
   下記要件Ａを満足することを特徴とする粘着テープ用基材。
   要件Ａ：シリコン基板を当該粘着テープに固定し、その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、前記シリコン基板を厚さ方向に前記基材の途中に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、６０℃で前記基材の面方向に前記基材を１２０％の大きさにまで伸長したとき、隣接する前記シリコンチップ同士において、対向する辺の間に形成される間隙の幅は、４６０μｍ以上５４０μｍ未満であること

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