JP6908121B2 - プログラマブル集積回路および制御装置 - Google Patents
プログラマブル集積回路および制御装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6908121B2 JP6908121B2 JP2019543613A JP2019543613A JP6908121B2 JP 6908121 B2 JP6908121 B2 JP 6908121B2 JP 2019543613 A JP2019543613 A JP 2019543613A JP 2019543613 A JP2019543613 A JP 2019543613A JP 6908121 B2 JP6908121 B2 JP 6908121B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- input
- output
- output buffer
- logic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/003—Cell access
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/90—Masterslice integrated circuits
- H10D84/903—Masterslice integrated circuits comprising field effect technology
- H10D84/907—CMOS gate arrays
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/32—Circuit design at the digital level
- G06F30/327—Logic synthesis; Behaviour synthesis, e.g. mapping logic, HDL to netlist, high-level language to RTL or netlist
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/34—Circuit design for reconfigurable circuits, e.g. field programmable gate arrays [FPGA] or programmable logic devices [PLD]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/34—Circuit design for reconfigurable circuits, e.g. field programmable gate arrays [FPGA] or programmable logic devices [PLD]
- G06F30/347—Physical level, e.g. placement or routing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5614—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using conductive bridging RAM [CBRAM] or programming metallization cells [PMC]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0011—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising conductive bridging RAM [CBRAM] or programming metallization cells [PMCs]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/173—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
- H03K19/177—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components arranged in matrix form
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/173—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
- H03K19/177—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components arranged in matrix form
- H03K19/17736—Structural details of routing resources
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/77—Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/017509—Interface arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/90—Masterslice integrated circuits
- H10D84/903—Masterslice integrated circuits comprising field effect technology
- H10D84/907—CMOS gate arrays
- H10D84/983—Levels of metallisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
まず、本発明の第1の実施形態に係るプログラマブル論理回路について図面を参照しながら説明する。
次に、プログラマブル出力バッファ110の回路構成について一例を挙げて説明する。図3は、プログラマブル出力バッファ110の一例の回路構成である。なお、図3は、プログラマブル出力バッファ110の回路構成の一例であって、プログラマブル出力バッファ110の回路構成を限定するものではない。
ここで、抵抗変化型素子15の具体例について例を挙げて説明する。
図10は、図1のクロスバスイッチ12の出力線14および論理回路群16の容量について説明するための概念図である。
ここで、本実施形態の変形例について図面を参照しながら説明する。図12は、駆動力が異なる値に固定された複数の出力バッファを組み合わせた出力バッファ群11bを用いる構成例である。
次に、本発明の第2の実施形態に係るプログラマブル論理回路について図面を参照しながら説明する。本実施形態は、論理回路群を構成する論理回路の出力をクロスバスイッチ回路にフィードバックしてクラスタ構造を構成する点で第1の実施形態とは異なる。以下において、第1の実施形態と同様の構成については、適宜説明を省略する。
図14は、本実施形態のプログラマブル論理回路2の構成を有するクラスタ構造200をアレイ状に配列したプログラマブル論理回路20の構成を示す概念図である。
次に、本発明の第3の実施形態に係るプログラマブル論理回路について図面を参照しながら説明する。本実施形態は、論理回路群を構成する論理回路の構成が第2の実施形態とは異なる。以下において、第2の実施形態と同様の構成については、適宜説明を省略する。
次に、本発明の第4の実施形態に係るプログラマブル論理回路について図面を参照しながら説明する。本実施形態は、出力バッファ群を構成する出力バッファの駆動力が固定されている点で第3の実施形態とは異なる。なお、以下において、第3の実施形態と同様の構成については、適宜説明を省略する。
次に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について図面を参照しながら説明する。本実施形態の半導体装置は、第1〜第4の実施形態のプログラマブル論理回路が構成されるプログラマブル集積回路である。
次に、本発明の第6の実施形態の制御装置について図面を参照しながら説明する。本実施形態の制御装置は、第3の実施形態のプログラマブル論理回路3のコンフィグレーションデータを生成し、生成したコンフィグレーションデータに基づいてプログラマブル論理回路3をプログラマブル論理回路に実装する。
図20は、本実施形態の制御装置60の構成を示すブロック図である。図20のように、制御装置60は、入力部61、論理合成部62、マッピング部63、クラスタ部64、レイアウト部65、駆動力決定部66、記憶部67、データ生成部68、回路設定部69を備える。制御装置60は、第5の実施形態の半導体装置5と同様の構成を有する半導体装置6(プログラマブル集積回路とも呼ぶ)に接続される。
図21は、本実施形態の制御装置60の動作について説明するためのフローチャートである。図21のフローチャートに沿った説明においては、制御装置60を動作主体として説明する。
次に、本発明の第7の実施形態の制御装置について図面を参照しながら説明する。本実施形態の制御装置は、第4の実施形態のプログラマブル論理回路4のコンフィグレーションデータを生成し、生成したコンフィグレーションデータに基づいてプログラマブル論理回路4をプログラマブル論理回路に実装する。
図22は、本実施形態の制御装置70の構成を示すブロック図である。図22のように、制御装置70は、入力部71、論理合成部72、マッピング部73、クラスタ部74、割当部75、レイアウト部76、データ生成部77、回路設定部78を備える。制御装置60は、第5の実施形態の半導体装置5と同様の構成を有する半導体装置7(プログラマブル集積回路とも呼ぶ)に接続される。
図23は、本実施形態の制御装置70の動作について説明するためのフローチャートである。図23のフローチャートに沿った説明においては、制御装置70を動作主体として説明する。
ここで、本発明の第6および第7の実施形態に係る制御装置を実現するハードウェア構成について、図24の情報処理装置90を一例として挙げて説明する。なお、図24の情報処理装置90は、各実施形態の制御装置を実現するための構成例であって、本発明の範囲を限定するものではない。
5、6、7 半導体装置
11、51 出力バッファ群
12、22、32、42、52 クロスバスイッチ
13、23a、23b、33a、33b、43a、43b 入力線
14、24a、24b、34a、34b、44a、44b 出力線
15、25、35、45 抵抗変化型素子
16、26、36、46、56 論理回路群
21a、31a、41a 第1の出力バッファ群
21b、31b、41b 第2の出力バッファ群
21c、31c、41c 第3の出力バッファ群
110 プログラマブル出力バッファ
111 バッファ回路
112 トライステートバッファ回路
117 入力端子
118 出力端子
119 駆動力設定端子
140 容量
160 入力容量
151 ユニポーラ型素子
152 バイポーラ型素子
153 抵抗変化型素子
200 クラスタ構造
201、301、401 フィードバック配線
203、303、403 外部出力線
210 セグメント配線網
220 スイッチボックス
225 抵抗変化型素子
226 ビア
360 論理回路
361 ルックアップテーブル回路
362 フリップフロップ回路
363 マルチプレクサ回路
Claims (10)
- 第1の方向に配列された複数の第1の配線と、前記第1の方向に交差する第2の方向に配列された複数の第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線とを接続する抵抗変化型素子とによって構成されるクロスバスイッチと、
異なる駆動力で動作する少なくとも二つの出力バッファによって構成される出力バッファ群と、
前記第2の配線の出力側に接続される少なくとも一つの論理回路によって構成される論理回路群とを備え、
前記出力バッファ群を構成する前記出力バッファは、
複数の前記第1の配線のうちいずれかの入力側に接続されるプログラマブル集積回路。 - 複数の前記第2の配線は、
前記論理回路群を構成するいずれかの前記論理回路に接続されるフィードバック配線によって構成される内向き配線群と、隣接する回路に接続される配線によって構成される外向き配線群とを含み、
前記出力バッファ群は、
隣接する回路の出力を入力とする第1の出力バッファ群と、
前記フィードバック配線を介して、前記論理回路群を構成するいずれかの前記論理回路の出力を入力とする第2の出力バッファ群とを含む請求項1に記載のプログラマブル集積回路。 - 前記論理回路は、
前記内向き配線群から入力される複数の入力信号の組を入力とし、
内部メモリの値を参照して一つの信号を出力するルックアップテーブルと、
前記ルックアップテーブルの出力を入力とし、いずれかの信号を出力するフリップフロップと、
前記ルックアップテーブルおよび前記フリップフロップの出力を入力とし、いずれかの信号を選択して出力するマルチプレクサとによって構成される基本論理要素を含み、
前記マルチプレクサによって選択される信号を、前記フィードバック配線を介して前記第2の出力バッファ群に出力する請求項2に記載のプログラマブル集積回路。 - 異なる駆動力で動作する少なくとも二つの前記出力バッファによって構成される第3の出力バッファ群を含み、
前記第3の出力バッファ群を構成する前記出力バッファは、
前記外向き配線群を構成するいずれかの配線に接続される請求項2または3に記載のプログラマブル集積回路。 - 前記出力バッファは、
入力信号が入力される入力端子と、
前記第1の配線に接続される出力端子と、
前記出力バッファの駆動力の値を設定するための制御信号を入力とするイネーブル端子とを有する請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプログラマブル集積回路。 - 前記出力バッファは、
少なくとも一つのバッファ回路と、
前記バッファ回路と入力および出力を共通とし、前記イネーブル端子から入力される前記制御信号に応じた駆動力が設定される少なくとも一つのトライステートバッファ回路とを含む請求項5に記載のプログラマブル集積回路。 - 前記出力バッファ群は、
異なる駆動力に固定された前記出力バッファを組み合わせた構成を有する請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプログラマブル集積回路。 - 請求項3乃至7のいずれか一項に記載されたプログラマブル集積回路に構成されるユーザ回路の構成を有する複数のクラスタ構造を、交点にスイッチボックスが配置されたセグメント配線網にアレイ状に配置することによって構成される回路。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載のプログラマブル集積回路にユーザ回路をプログラムする制御装置であって、
前記ユーザ回路の動作記述ファイルを入力とする入力手段と、
前記動作記述ファイルを論理合成して第1レベルのネットリストを作成する論理合成手段と、
前記第1レベルのネットリストをマッピングして第2レベルのネットリストに変換するマッピング手段と、
前記第2レベルのネットリストに含まれる複数の論理要素をグループ化し、クラスタ化された基本論理要素の構成に即した第3レベルのネットリストを生成するクラスタ手段と、
クラスタ化された前記基本論理要素のアレイに対して前記第3レベルのネットリストの最適配置を計算し、クラスタ化された前記基本論理要素に接続された前記クロスバスイッチを結線してクラスタの内部および外部の配線を行うことによって前記ユーザ回路の構成情報を作成するレイアウト手段と、
前記クロスバスイッチのファンアウト数に対応する前記出力バッファの駆動力の値が格納される参照テーブルを記憶する記憶手段と、
前記ユーザ回路の前記構成情報に基づいて前記クロスバスイッチの入力ごとに前記ファンアウト数を計算し、前記参照テーブルを参照して前記ファンアウト数に対応する前記出力バッファの駆動力を決定する駆動力決定手段と、
前記出力バッファの駆動力を含めた前記ユーザ回路の前記構成情報に基づいて、前記プログラマブル集積回路に前記ユーザ回路をプログラムするためのコンフィグレーションデータを生成するデータ生成手段と、
前記コンフィグレーションデータに基づいて、前記プログラマブル集積回路に前記ユーザ回路をプログラムする回路設定手段とを有する制御装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載のプログラマブル集積回路にユーザ回路をプログラムする制御装置であって、
前記ユーザ回路の動作記述ファイルを入力とする入力手段と、
前記動作記述ファイルを論理合成して第1レベルのネットリストを作成する論理合成手段と、
前記第1レベルのネットリストをマッピングして第2レベルのネットリストに変換するマッピング手段と、
前記第2レベルのネットリストに含まれる複数の論理要素をグループ化し、クラスタ化された基本論理回路の構成に即した第3レベルのネットリストを生成するクラスタ手段と、
前記第3レベルのネットリストに基づいて前記クロスバスイッチの入力ごとにファンアウト数を計算し、ファンアウト数の大きい順に駆動力の高い前記出力バッファを前記クロスバスイッチの入力に割り当てて前記基本論理回路を再クラスタ化する割当手段と、
再クラスタ化された前記基本論理回路のアレイに対して前記第3レベルのネットリストの最適配置を計算し、再クラスタ化された前記基本論理回路に接続された前記クロスバスイッチを結線してクラスタの内部および外部の配線を行うことによって前記ユーザ回路の構成情報を作成するレイアウト手段と、
前記出力バッファの割り当てを含めた前記ユーザ回路の構成情報に基づいて、前記プログラマブル集積回路に前記ユーザ回路をプログラムするためのコンフィグレーションデータを生成するデータ生成手段と、
前記コンフィグレーションデータに基づいて、前記プログラマブル集積回路に前記ユーザ回路をプログラムする回路設定手段とを有する制御装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017182576 | 2017-09-22 | ||
| JP2017182576 | 2017-09-22 | ||
| PCT/JP2018/034151 WO2019059119A1 (ja) | 2017-09-22 | 2018-09-14 | プログラマブル集積回路および制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019059119A1 JPWO2019059119A1 (ja) | 2020-10-22 |
| JP6908121B2 true JP6908121B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=65809759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019543613A Active JP6908121B2 (ja) | 2017-09-22 | 2018-09-14 | プログラマブル集積回路および制御装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200251496A1 (ja) |
| JP (1) | JP6908121B2 (ja) |
| WO (1) | WO2019059119A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025050388A1 (zh) * | 2023-09-08 | 2025-03-13 | 声龙(新加坡)私人有限公司 | 加法器电路结构及处理器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2859234B2 (ja) * | 1996-12-26 | 1999-02-17 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| JP5699666B2 (ja) * | 2011-02-16 | 2015-04-15 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP2016129081A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 株式会社東芝 | 再構成可能な回路 |
-
2018
- 2018-09-14 WO PCT/JP2018/034151 patent/WO2019059119A1/ja not_active Ceased
- 2018-09-14 US US16/648,757 patent/US20200251496A1/en not_active Abandoned
- 2018-09-14 JP JP2019543613A patent/JP6908121B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2019059119A1 (ja) | 2020-10-22 |
| WO2019059119A1 (ja) | 2019-03-28 |
| US20200251496A1 (en) | 2020-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Xie et al. | A mapping methodology of boolean logic circuits on memristor crossbar | |
| JP5859089B2 (ja) | プログラマブル論理の特定用途向け集積回路等価物および関連の方法 | |
| Patel et al. | An architectural exploration of via patterned gate arrays | |
| Yang et al. | Review of advanced FPGA architectures and technologies | |
| US9276573B2 (en) | High-performance low-power near-Vt resistive memory-based FPGA | |
| US9257986B2 (en) | Rescaling | |
| CN107122565A (zh) | 基于非易失性存储器的fpga bram架构与设计方法 | |
| Xie et al. | Boolean logic gate exploration for memristor crossbar | |
| Hung et al. | A detailed delay path model for FPGAs | |
| Yazdanshenas et al. | Automatic circuit design and modelling for heterogeneous FPGAs | |
| WO2013153852A1 (ja) | 再構成可能な半導体装置の配置配線方法、そのプログラム、及び配置配線装置 | |
| Aslam et al. | Exploring the effect of LUT size on the area and power consumption of a novel memristor-transistor hybrid FPGA architecture | |
| JP6908121B2 (ja) | プログラマブル集積回路および制御装置 | |
| Tung et al. | Simulation of a QCA-based CLB and a multi-CLB application | |
| CN114550765A (zh) | 记忆体阵列与记忆体系统 | |
| US8788987B2 (en) | Rescaling | |
| US7260804B1 (en) | Method for circuit block routing based on switching activity | |
| Srinivasa et al. | Improving FPGA design with monolithic 3D integration using high dense inter-stack via | |
| CN1862968B (zh) | 集成电路以及设计集成电路的方法 | |
| Thangkhiew et al. | Fast in-memory computation of Boolean functions in memristive crossbar array | |
| WO2020095347A1 (en) | Reconfigurable circuit | |
| US10720925B2 (en) | Integrated circuit | |
| WO2017038095A1 (ja) | プログラマブル論理集積回路と半導体装置およびキャラクタライズ方法 | |
| JP7324520B2 (ja) | 論理集積回路、構成情報設定方法、および記録媒体 | |
| Xifan | Circuit design, architecture and CAD for RRAM-based FPGAs |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201027 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210601 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210614 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6908121 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S801 | Written request for registration of abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311801 |
|
| ABAN | Cancellation due to abandonment | ||
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |