JP6981545B2 - 高周波モジュール - Google Patents

Description

本発明は、配線基板の一方主面上に部品が実装され、部品が封止樹脂層で被覆された高周波モジュールに関する。

従来、図１０に示すモジュール１００のように、配線基板１０１の上面１０１ａに第２樹脂層１０３で被覆された複数のチップ部品１０２が実装され、配線基板１０１の下面１０１ｂに第１樹脂層１０６で被覆された半導体基板１０４と接続端子１０５とが実装された高周波モジュールが提案されている。このようなモジュール１００において、第１樹脂層１０６の表面１０６ａを研磨して半導体基板１０４および接続端子１０５を第１樹脂層１０６から露出させることがある。これにより、一方の封止樹脂層の厚さを薄くしてモジュール１００の低背化を実現することができる。

このように、一方の樹脂層の厚さが他方の樹脂層の厚さよりも薄くなる場合、両樹脂層にかかる応力の大きさが異なるため、モジュール１００の反りが発生しやすくなる。そこで、第２樹脂層１０３よりも薄い第１樹脂層１０６の樹脂として、第２樹脂層１０３の樹脂よりも線膨張係数の大きい樹脂を採用する。これにより、応力のバランスを保つことができるため、モジュール１００の反りを低減することができる。

国際公開第２０１４／０１７１５９号（段落００３３〜００４８、図４等参照）

しかしながら、モジュール１００の製造工程において、半導体基板１０４の厚さを精度よく研削することが重要であり、厚さばらつき要因を極力排除した状態で研削する必要がある。このため、半導体基板１０４の研削は、第２樹脂層１０３が形成される前の、第１樹脂層１０６のみが形成された状態で行われる。このとき、第１樹脂層１０６には線膨張係数の大きい樹脂が使用されるため、第１樹脂層１０６だけが形成された状態の半製品の反りが大きくなってしまう。特に、モジュール１００を集合基板により製造する場合には、面積が大きいため反りが大きくなる傾向にある。集合基板に反りが発生することにより、半導体基板１０４の研削精度にも悪影響が及ぼされる。さらに、半導体基板１０４は研削されて薄くなるため剛性が低下するが、半導体基板１０４の線膨張係数は、樹脂よりも小さいため、半導体基板１０４と第１樹脂層１０６との線膨張係数の差に伴う応力が大きくなり、半導体基板１０４の破損が発生しやすくなるという問題がある。

本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、部品が封止樹脂層から露出した状態にあって、当該封止樹脂層の線膨張係数が小さく、ガラス転移温度が高いおよび／または弾性率の高いものを使用することにより、半製品の反りを低減し、封止樹脂層に被覆された部品の破損を防止した高周波モジュールを提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された第１部品と、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士をつなぐ側面とを有し、前記第１部品を封止する第１封止樹脂層と、前記配線基板の他方主面に実装された第２部品と、前記配線基板の前記他方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士をつなぐ側面とを有し、前記第２部品を封止する第２封止樹脂層とを備え、前記第１部品の少なくとも一部は、前記第１封止樹脂層の前記対向面から露出されており、前記第１封止樹脂層の樹脂の線膨張係数は、前記第２封止樹脂層の樹脂の線膨張係数よりも小さく、前記第１封止樹脂層の樹脂のガラス転移温度が、前記第２封止樹脂層の樹脂のガラス転移温度よりも高い、および／または前記第１封止樹脂層の樹脂の弾性率が前記第２封止樹脂層の樹脂の弾性率よりも大きいことを特徴としている。

この構成によれば、第１封止樹脂層形成後の半製品の反りを低減することができるため、第１部品の研削工程が容易になり研削精度を向上させることができる。また、第１封止樹脂層には、線膨張係数の小さい樹脂を使用することにより、研削して剛性が低下した第１部品と第１封止樹脂層との線膨張係数の差が小さくなるため、線膨張係数の差に伴う応力を低減することができ、第１部品の破損を防止することができる。

また、前記第１部品が半導体素子であってもよい。この場合、第１封止樹脂層とともに第１部品を研磨することができるため、高周波モジュールの低背化を図ることができる。

また、前記配線基板の前記一方主面から前記第１封止樹脂層の前記対向面までの高さは、前記配線基板の前記他方主面から前記第２封止樹脂層の前記対向面までの高さよりも低くてもよい。この場合、第１封止樹脂層と第２封止樹脂層の厚さの違いに起因する応力による反りを防止することができる。

また、前記第１封止樹脂層に埋設された接続端子をさらに備え、前記接続端子は、一方端部が前記配線基板の前記一方主面に接続され、他方端部が前記第１封止樹脂層の前記対向面から露出していてもよい。この構成によると、接続端子によりモジュールを外部に接続することができる。また、接続端子の他方端部をマザー基板に接続すると、マザー基板のグランド電極を介して、第１部品で発生した熱を放熱することができる。

また、前記接続端子はバンプであるとしてもよい。

また、前記第１封止樹脂層の前記側面と、前記配線基板の側面と、前記第２封止樹脂層の前記側面および前記対向面とを少なくとも被覆するシールド膜をさらに備えていてもよい。この場合、第１部品および第２部品に対するシールド性能を向上させることができる。

本発明によれば、第１封止樹脂層形成後の半製品の反りを低減することができるため、第１部品の研削工程が容易になり、第１部品の研削精度を向上させることができる。また、第１封止樹脂層に線膨張係数の小さな樹脂を使用するため、第１部品と第１封止樹脂層との線膨張係数の差に伴う応力を低減することができ、第１部品の破損を防止することができる。

本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図１の高周波モジュールの平面図である。 ガラス転移温度と線膨張係数（ひずみ）および弾性率の関係を示すグラフである。 図１の高周波モジュールの製造工程を示す図である。 図１の高周波モジュールの製造工程を示す図である。 本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図６の高周波モジュールの平面図である。 本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図８の高周波モジュールの平面図である。 従来の高周波モジュールの断面図である。

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュール１ａの構成について、図１ないし図５を参照して説明する。なお、図１は高周波モジュール１ａの断面図、図２は高周波モジュール１ａの第１封止樹脂層５の下面５ａを示す平面図、図３はガラス転移温度と線膨張係数および弾性率の関係を示すグラフ、図４および図５は高周波モジュール１ａの製造工程を示す図である。

この実施形態にかかる高周波モジュール１ａは、図１および図２に示すように、配線基板２と、該配線基板２の下面２ａに実装された第１部品３ａおよび複数の接続端子４と、第１部品３ａおよび接続端子４とを封止する第１封止樹脂層５と、配線基板２の上面２ｂに実装された複数の第２部品３ｂと、第２部品３ｂを封止する第２封止樹脂層６と、第１封止樹脂層５の側面５ｃと第２封止樹脂層６の側面６ｃおよび上面６ａと配線基板２の側面２ｃとを被覆するシールド膜７とを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載される。

配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミック、高温同時焼成セラミックやガラスエポキシ樹脂などで形成された複数の絶縁層が積層されてなる。配線基板２の上面２ｂ（本発明の「他方主面」に相当する）および下面２ａ（本発明の「一方主面」に相当する）には各部品３ａ、３ｂまたは接続端子４の実装用の実装電極８が形成される。また、下面２ａには、外部接続用の複数の接続端子４が実装される。また、隣接する絶縁層間それぞれに、各種の内部配線電極（図示省略）やグランド電極９が形成される。さらに、配線基板２の内部には、内部配線電極同士を接続するための複数のビア導体（図示省略）が形成される。なお、実装電極８および内部配線電極は、いずれもＣｕやＡｇ、Ａｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各実装電極８には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。

第１部品３ａは、IＣやＰＡ（パワーアンプ）などの半導体素子で構成され、半田接合などの一般的な表面実装技術により配線基板２に実装される。また、高周波モジュール１ａの低背化のため、第１部品３ａは下面３０ａが第１封止樹脂層５の下面５ａとともに研磨され、第１部品３ａの下面３０ａが第１封止樹脂層５の下面５ａから露出している。なお、第１部品３ａの研磨は、配線基板２の下面２ａに実装された後に行う。

第２部品３ｂは、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品、ＩＣなどの半導体素子で構成される。

接続端子４は、外部基板との入出力に使用され、図２に示すように、高周波モジュール１ａの外周に沿って配置される。この実施形態では、高周波モジュール１ａの外周に沿って１列に配列されているが、場所により、複数列に並列配置されていてもよい。また、接続端子４は、たとえば、金属ピンを実装電極８に搭載して半田接合してもよいし、あらかじめ、実装電極８上にめっきで形成したポスト電極でもよい。また、バンプであってもよい。なお、接続端子４の下面４ａには、めっきにより金属皮膜が形成されていてもよい。

第１封止樹脂層５および第２封止樹脂層６は、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成され、それぞれ、第１部品３ａおよび第２部品３ｂを封止する。また、第１封止樹脂層５は、配線基板２の下面２ａに当接する上面５ｂ（本発明の「封止樹脂層の当接面」に相当する）と、該上面５ｂに対向する下面５ａ（本発明の「封止樹脂層の対向面」に相当する）と、側面５ｃとを有する。同様に、第２封止樹脂層６は、配線基板２の上面２ｂに当接する下面６ｂと、該下面６ｂに対向する上面６ａと、側面６ｃとを有する。また、第１封止樹脂層５の配線基板２の下面２ａからの高さは、第２封止樹脂層６の配線基板２の上面２ｂからの高さよりも低く形成される。また、熱伝導率を高めるために、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラーを使用してもよい。

なお、線膨張係数、ガラス転移温度、および弾性率の値を変えるために、第１封止樹脂層５と第２封止樹脂層６とでは、樹脂の材料定数やフィラーの含有量が異なっており、次の２つの条件を満たすように両封止樹脂層５、６の樹脂が選定される。１つめの条件は、第１封止樹脂層５の樹脂の線膨張係数が第２封止樹脂層６の樹脂の線膨張係数よりも小さいことであり、２つめの条件は、第１封止樹脂層の樹脂のガラス転移温度が第２封止樹脂層の樹脂のガラス転移温度よりも高いこと、および／または、第１封止樹脂層の樹脂の弾性率が第２封止樹脂層の弾性率よりも大きいことである。これらの条件を満たす樹脂を使用することにより、半導体素子である第１部品３ａの下面３０ａを露出させる研削を精度よく行うことができ、さらに、第１封止樹脂層５と第２封止樹脂層６の厚さの違いによる応力の差によって発生する高周波モジュール１ａの反りを緩和することができる。

ここで、第２封止樹脂層６の樹脂の線膨張係数を第１封止樹脂層の樹脂よりも大きくすることにより、高周波モジュール１ａへの応力が増大するにもかかわらず、反りを緩和することができる理由について説明する。

図３（ａ）のひずみ温度特性のグラフに示すように、ガラス転移温度Ｔ_ｇより低い温度（低温）Ｔ_Ｌにおける線膨張係数α１と、ガラス転移温度Ｔ_ｇより高い温度（高温）Ｔ_Ｈにおける線膨張係数α２とを比較すると、線膨張係数は、ガラス転移温度Ｔ_ｇを境に約５倍の大きさになっている。すなわち、線膨張係数α２は線膨張係数α１の約５倍である。また、図３（ｂ）の弾性率温度特性のグラフに示すように、ガラス転移温度Ｔ_ｇより低い温度（低温）Ｔ_Ｌにおける弾性率Ｅ１と、ガラス転移温度より高い温度（高温）Ｔ_Ｈにおける弾性率Ｅ２とを比較すると、弾性率は、ガラス転移温度Ｔ_ｇを境に約１００分の１の大きさになっている。すなわち、弾性率Ｅ２は弾性率Ｅ１の約１００分の１である。

一方、樹脂の応力σと線膨張係数α１、α２および弾性率Ｅ１、Ｅ２について、数１の（１）式の関係がある。上記したように、線膨張係数α１から線膨張係数α２の変化量と、弾性率Ｅ１から弾性率Ｅ２への変化量を比較した場合、弾性率の変化量の方が大きいことから、樹脂の応力σに対して、数１の（１）式の第２項の影響度が高く、樹脂の応力σと線膨張係数α１、α２および弾性率Ｅ１、Ｅ２の関係は、数１の（２）式のように簡略化することができる。ここで、数１の（２）式によると、ガラス転移温度Ｔ_ｇが低いほど温度変動幅が小さくなって、温度変動による応力σの累積値が小さくなる。また、弾性率Ｅ１が低いほど応力σが小さくなる。したがって、第２封止樹脂層６の樹脂の線膨張係数を第１封止樹脂層の樹脂よりも大きくしたことにより増加した応力は、第２封止樹脂層６の樹脂のガラス転移温度Ｔ_ｇを低くすること、および第２封止樹脂層６の樹脂の弾性率Ｅ１を低くすることにより低減することができる。なお、ガラス転移温度Ｔ_ｇと弾性率Ｅ１の両方を小さくしてもよいし、どちらか一方を小さくしてもよい。

シールド膜７は、第１封止樹脂層５の側面５ｃと第２封止樹脂層６の側面６ｃおよび上面６ａと配線基板２の側面２ｃとを被覆する。また、シールド膜７は、配線基板２の側面２ｃに露出したグランド電極９に接続される。

シールド膜７は、第１封止樹脂層５の側面５ｃと配線基板２の側面２ｃと第２封止樹脂層６の側面６ｃおよび上面６ａとに積層された密着膜と、密着膜に積層された導電膜と、導電膜に積層された防錆膜とを有する多層構造で形成することができる。ここで、密着膜は、導電膜と両封止樹脂層５、６との密着強度を高めるために設けられたものであり、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、ＳＵＳなどの不動態を形成する材料で形成することができる。また、導電膜は、シールド膜７の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。防錆膜は、導電膜が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳで形成することができる。

（高周波モジュールの製造方法）
次に、図４および図５を参照して、高周波モジュール１ａの製造方法について説明する。この第１実施形態では、複数の高周波モジュール１ａの集合体を形成した後に個片化することにより、高周波モジュール１ａを製造する。なお、必要に応じて、各工程の順序を入れ替えてもよいし、新規の工程を追加しても構わない。

まず、図４（ａ）に示すように、配線基板２の下面２ａに第１部品３ａを周知の表面実装技術を用いて実装して接続端子４を形成する。接続端子４は、金属ピンを実装電極８に搭載して半田接合してもよいし、あらかじめ実装電極８上にめっきで形成してもよい。その後、図４（ｂ）に示すように、第１部品３ａおよび接続端子４を覆うように第１封止樹脂層５を形成する。このとき、第１封止樹脂層５は第２封止樹脂層６よりも線膨張係数が小さくなるような樹脂により形成する。第１封止樹脂層５の線膨張係数は、たとえば、シリカフィラーの含有量を多くすることで調整することができる。第１封止樹脂層５は、たとえば、トランスファーモールド方式、コンプレッションモールド方式、樹脂ディスペンス法等周知の技術を用いて形成することができる。なお、第１封止樹脂層５には、一般的なシリカフィラー入りのエポキシ樹脂を用いることができる。また、第１封止樹脂層５に高い熱伝導性を持たせるために、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラー入りのエポキシ樹脂を用いることもできる。

第１封止樹脂層５の形成後、図４（ｃ）に示すように、研磨等により、第１部品３ａの下面３０ａ、接続端子４の下面４ａを露出させる。研磨後、接続端子４の下面４ａにめっき等により金属皮膜を形成する。めっき処理の前にエッチングなどの表面処理を行ってもよい。このように、第２封止樹脂層６を形成する前に第１封止樹脂層を形成した状態で研磨を行うと、第１部品３ａの研削精度を向上させることができる。しかし、第１封止樹脂層５の形成後の半製品集合基板に反りが発生しやすくなってしまう。この実施形態では、第１封止樹脂層５の樹脂に線膨張係数の小さいものを採用しているため、半製品集合基板の反りを抑制することができ、製造が容易になる。また、第１封止樹脂層５を線膨張係数の小さい樹脂で形成することにより、第１部品３ａと第１封止樹脂層５との線膨張係数の差が小さくなるため、線膨脹係数の差に伴う応力を低減することができ、第１部品３ａの破損を防止することができる。

その後、図４（ｄ）に示すように、配線基板２の上面２ｂに第２部品３ｂを周知の実装技術を用いて実装する。次に、図５（ａ）に示すように、第２部品３ｂを覆うように第２封止樹脂層６を形成する。第２封止樹脂層６は、第１封止樹脂層５と同様に、トランスファーモールド方式、コンプレッションモールド方式、樹脂ディスペンス法等周知の技術を用いて形成することができる。また、第２封止樹脂層６には、一般的なシリカフィラー入りのエポキシ樹脂を用いることができる。また、第１封止樹脂層５に高い熱伝導性を持たせるために、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラー入りのエポキシ樹脂を用いることもできる。第２封止樹脂層６を形成後、高周波モジュール１ａの製品厚さを薄くするため、第２封止樹脂層６を上面６ａ側から研削してもよい。

次に、図５（ｂ）に示すように、集合基板として製造してきた高周波モジュール１ａをダイシングやレーザー加工などによりカットして個片化する。さらに、図５（ｃ）に示すように、配線基板２の側面２ｃと第１封止樹脂層５の側面５ｃと第２封止樹脂層６の側面６ｃおよび上面６ａとにシールド膜７を形成する。シールド膜７の形成には、スパッタ、真空蒸着、めっき、導電性樹脂塗布等の周知の方法を用いることができる。また、シールド膜７の形成前に、プラズマ洗浄、ドライエッチング、イオンミリング等のドライプロセスによる残留成分の除去工程をさらに追加してもよい。

したがって、上記した実施形態によれば、先に形成する第１封止樹脂層５の樹脂の線膨張係数を小さくすることにより、第１封止樹脂層５の形成後の半製品集合基板の反りを低減することができるため、製造が容易になり、第１部品３ａの研削精度を向上させることができる。また、第１部品３ａの線膨張係数は２．４〜６ｐｐｍ／℃であり、樹脂材料よりも小さいが、上記した実施形態のように、第１封止樹脂層５の線膨張係数を小さくすることにより、第１部品３ａと第１封止樹脂層５との線膨張係数の差を小さくすることができるため、線膨張係数の差による応力を低減することができる。

また、第１封止樹脂層５と第２封止樹脂層６との厚さの違いに伴う応力により、第１封止樹脂層５の樹脂の線膨張係数を小さくした場合には、高周波モジュール１ａの反りが大きくなってしまう恐れがあるが、第１封止樹脂層５および第２封止樹脂層６の樹脂のガラス転移温度と弾性率を調整することにより、反りの発生しにくい高周波モジュール１ａを提供することができる。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュール１ｂについて、図６および図７を参照して説明する。なお、図６は高周波モジュール１ｂの断面図、図７は高周波モジュール１ｂの第１封止樹脂層５の下面５ａを示す平面図である。

この実施形態にかかる高周波モジュール１ｂが、図１および図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図６および図７に示すように、配線基板２の下面２ａに複数の第１部品３ａが実装され、隣接する第１部品３ａの間に接続端子４が配置されている点である。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一記号を付すことにより説明を省略する。

この実施形態では、配線基板２の下面２ａに２つの第１部品３ａが実装されている。また、接続端子４が高周波モジュール１ｂの外周に沿った部分だけではなく、２つの第１部品３ａに挟まれた部分にも配置されている。なお、配線基板２の下面２ａに実装された第１部品３ａは３つ以上でもよく、また、接続端子４は複数列に配列されていてもよい。

この構成によれば、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同様の効果に加えて、高周波モジュール１ｂにより多くの第１部品３ａを搭載することができるため、高周波モジュール１ｂの高機能化を実現することができる。

＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュール１ｃについて、図８および図９を参照して説明する。なお、図８は高周波モジュール１ｃの断面図、図９は高周波モジュール１ｃの第１封止樹脂層５の下面５ａを示す平面図である。

この実施形態にかかる高周波モジュール１ｃが、図１および図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図８および図９に示すように、外部接続用の複数の接続端子４０をバンプとしている点である。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一記号を付すことにより説明を省略する。

この実施形態では、接続端子４０を実装電極８上に例えば半田バンプや金バンプなどのバンプとしている。この接続端子４０は、外部基板との入出力に使用され、図９に示すように、高周波モジュール１ｃの外周に沿って配置される。この実施形態では、高周波モジュール１ｃの外周に沿って１列に配列されているが、場所により、複数列に並列配置されていてもよい。

なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態や変形例の構成を組み合わせてもよい。

たとえば、配線基板２の下面２ａに第２部品３ｂやその他の部品が実装されていてもよい。このとき、配線基板２の下面２ａに実装される第２部品３ｂまたはその他の部品の高さは、研磨後の第１封止樹脂層５の高さよりも低いことが望ましい。

また、シールド膜７が形成されていなくてもよい。この場合、配線基板２の側面２ｃにグランド電極９が露出しない構成であってもよい。

本発明は、半導体部品を備える種々の高周波モジュールに適用することができる。

１ａ、１ｂ、１ｃ 高周波モジュール
２ 配線基板
３ａ 第１部品
３ｂ 第２部品
５ 第１封止樹脂層
６ 第２封止樹脂層

Claims (6)

1. 配線基板と、
   前記配線基板の一方主面に実装された第１部品と、
   前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士をつなぐ側面とを有し、前記第１部品を封止する第１封止樹脂層と、
   前記配線基板の他方主面に実装された第２部品と、
   前記配線基板の前記他方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士をつなぐ側面とを有し、前記第２部品を封止する第２封止樹脂層とを備え、
   前記第１部品の少なくとも一部は、前記第１封止樹脂層の前記対向面から露出されており、
   前記第１封止樹脂層の樹脂の線膨張係数は、前記第２封止樹脂層の樹脂の線膨張係数よりも小さく、
   前記第１封止樹脂層の樹脂のガラス転移温度が、前記第２封止樹脂層の樹脂のガラス転移温度よりも高い、および／または前記第１封止樹脂層の樹脂の弾性率が、前記第２封止樹脂層の樹脂の弾性率よりも大きい
   ことを特徴とする高周波モジュール。
2. 前記第１部品が半導体素子であることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記配線基板の前記一方主面から前記第１封止樹脂層の前記対向面までの高さは、前記配線基板の前記他方主面から前記第２封止樹脂層の前記対向面までの高さよりも低いことを特徴とする請求項１または２に記載の高周波モジュール。
4. 前記第１封止樹脂層に埋設された接続端子をさらに備え、
   前記接続端子は、一方端部が前記配線基板の前記一方主面に接続され、他方端部が前記第１封止樹脂層の前記対向面から露出していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
5. 前記接続端子はバンプであることを特徴とする請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 前記第１封止樹脂層の前記側面と、前記配線基板の側面と、前記第２封止樹脂層の前記側面および前記対向面とを少なくとも被覆するシールド膜をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
   

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