JP6858112B2 - 発光ダイオード及びそれを製造する方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光ダイオードに関し、特に、改善された発光効率を有するフリップチップ型の発光ダイオードに関する。

窒化ガリウム（ＧａＮ）系列の発光ダイオードが開発されて以来、ＧａＮ系列のＬＥＤは、現在、天然色ＬＥＤ表示素子、ＬＥＤ交通信号機、白色ＬＥＤなどの多様な応用に使用されている。

窒化ガリウム系列の発光ダイオードは、一般にサファイアなどの基板上に各エピ層を成長させて形成され、Ｎ型半導体層、Ｐ型半導体層及びこれらの間に介在した活性層を含む。一方、前記Ｎ型半導体層上にＮ―電極パッドが形成され、前記Ｐ型半導体層上にＰ―電極パッドが形成される。前記発光ダイオードは、前記各電極パッドを介して外部電源に電気的に連結されて駆動される。このとき、電流は、Ｐ―電極パッドから前記各半導体層を経てＮ―電極パッドに流れる。

一方、Ｐ―電極パッドによる光損失を防止して放熱効率を高めるために、フリップチップ構造の発光ダイオードが使用されており、大面積のフリップチップ構造の発光ダイオードにおける電流分散を助けるための多様な電極構造が提案されている（米国特許第６４８６４９９号明細書参照）。例えば、Ｐ型半導体層上に反射電極を形成し、Ｐ型半導体層と活性層をエッチングすることによって露出したＮ型半導体層上に電流分散のための各延長部を形成している。

Ｐ型半導体層上に形成された反射電極は、活性層で生成された光を反射させ、光取り出し効率を向上させると共に、Ｐ型半導体層内の電流分散を助ける。一方、Ｎ型半導体層に接続された各延長部は、Ｎ型半導体層内の電流分散を助け、広い活性領域で均一に光を生成させる。特に、高出力のために使用される約１ｍｍ^２以上の大面積の発光ダイオードにおいて、Ｐ型半導体層内の電流分散だけでなくＮ型半導体層内の電流分散も要求される。

しかし、従来技術は、線状の各延長部を使用することから各延長部の抵抗が大きいので、電流を分散させるのに限界を有する。さらに、反射電極がＰ型半導体層上にのみ配置されるので、反射電極によって反射されず、各パッド及び各延長部によって損失される光が相当発生する。

また、フリップチップタイプの場合、基板を通して光が放出されるという特徴を有する。したがって、基板上に半導体層が形成された後、反射層から光が反射されるように、半導体層または電流拡散層の上部に金属の反射層が配置される。

図１は、従来技術によって反射層が導入された発光ダイオードの部分断面図である。

図１を参照すると、メサ層１１の上部にオーミック層１２と反射層１３が備えられる。また、バリア層１４は、オーミック層１２の側面を覆い、反射層１３の上部と側面を覆う。

メサ層１０は、エピタキシャル成長した半導体領域であって、オーミック層１２は、導電性金属または導電性酸化物で構成される。また、反射層１３は、メサ層１０またはその下部の積層構造で発生する光を反射させる。反射層１３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）で形成される。

反射層１３の上部と側壁を覆うバリア層１４は、第１のバリア層１４Ａと第２のバリア層１４Ｂが交互に形成された構造を有する。第１のバリア層１４Ａはニッケルを含み、第２のバリア層１４Ｂはタングステン（Ｗ）またはチタンタングステン（ＴｉＷ）を含む。バリア層１４は、反射層１３を構成する金属元素の拡散を防止する。ただ、反射層１３は、バリア層１４に比べて高い熱膨張係数を有する。例えば、Ａｇの熱膨張係数は常温で１８．９ｕｍ・ｍ^−１・Ｋ^−１で、Ｗの熱膨張係数は常温で４．５ｕｍ・ｍ^−１・Ｋ^−１である。すなわち、反射層１３とバリア層１４との間の熱膨張係数の差が相当大きい。

このような反射層１３とバリア層１４との間の熱膨張係数の差に起因して、反射層１３に応力が誘発される。したがって、同一の温度条件で反射層１３に誘発された応力により、反射層１３がオーミック層１２または下部のメサ層１０から離脱するという問題が発生する。

一方、発光ダイオードの性能、すなわち、内部量子効率及び外部量子効率を向上させるための技術開発が活発に進められている。前記外部量子効率を高めるために多様な方法が研究されているが、特に、光取り出し効率を向上させるための技術開発が多くなされている実情にある。

米国特許第６４８６４９９号明細書

本発明が解決しようとする課題は、電流分散性能を改善した発光ダイオードを提供することにある。

本発明が解決しようとする他の課題は、反射率を高め、光取り出し効率を改善できる発光ダイオードを提供することにある。

本発明が解決しようとする更に他の課題は、製造工程が複雑になることを防止しながら、電流分散性能を改善できる発光ダイオードの製造方法を提供することにある。

本発明が解決しようとする更に他の課題は、反射層に誘発される応力を緩和できる発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。

本発明が解決しようとする更に他の課題は、安価で簡単な工程で表面テクスチャリング（ｓｕｒｆａｃｅ ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）を行い、光取り出し効率を高める技術を提供することにある。

本発明の一態様に係る発光ダイオードは、第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に互いに離隔して配置され、それぞれ活性層及び第２の導電型半導体層を含む複数のメサと、それぞれ前記複数のメサ上に位置し、第２の導電型半導体層にオーミック接触する反射電極と、前記複数のメサ及び前記第１の導電型半導体層を覆い、前記各メサから電気的に絶縁され、前記それぞれのメサの上部領域内に前記反射電極を露出させる第１の開口部を含み、前記第１の導電型半導体層にオーミック接触する電流分散層（ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｐｒｅａｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含む。

前記電流分散層が複数のメサ及び第１の導電型半導体層を覆うので、電流分散層を通して電流分散性能が向上する。

前記第１の導電型半導体層は連続的に形成される。さらに、前記複数のメサは、基板の一側方向に互いに平行に延びた細長い形状を有し、前記第１の開口部は、前記複数のメサの同一の端部側に偏って位置し得る。したがって、電流分散層の各開口部に露出した反射電極を連結するパッドを容易に形成することができる。

前記電流分散層は、Ａｌなどの反射金属を含むことができる。これによって、反射電極による光反射だけでなく、電流分散層による光反射も得ることができ、その結果、複数のメサの側壁及び第１の導電型半導体層を通して進行する光を反射させることができる。

一方、前記反射電極は、それぞれ反射金属層とバリア金属層を含むことができる。さらに、前記バリア金属層が前記反射金属層の上面及び側面を覆うことができる。その結果、反射金属層が外部に露出することを防止することができ、反射金属層の劣化を防止することができる。

前記反射電極は、前記反射金属層と前記バリア金属層との間に、前記反射金属層の熱膨張係数と前記バリア金属層の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する応力緩和層をさらに含むことができる。前記応力緩和層により、前記反射金属層に印加される応力を緩和し、反射金属層が第２の導電型半導体層から剥離されることを防止することができる。

前記発光ダイオードは、前記電流分散層の少なくとも一部を覆い、前記それぞれのメサの上部領域内に前記反射電極を露出させる第２の開口部を有する上部絶縁層と、及び前記上部絶縁層上に位置し、前記第１の開口部及び前記第２の開口部を通して露出した反射電極に電気的に接続する第２のパッドとをさらに含むことができ、さらに、前記電流分散層に接続する第１のパッドを含むことができる。前記第１のパッド及び第２のパッドは、同一の形状及びサイズに形成することができ、その結果、フリップチップボンディングを容易に行うことができる。

また、前記発光ダイオードは、前記複数のメサと前記電流分散層との間に位置し、前記電流分散層を前記複数のメサから電気的に絶縁させる下部絶縁層をさらに含むことができる。前記下部絶縁層は、前記それぞれのメサの上部領域内に前記反射電極を露出させる第３の開口部を有することができる。

さらに、前記第１の開口部は、それぞれ前記第３の開口部が全て露出するように前記第３の開口部より広い幅を有することができる。すなわち、前記第１の開口部の側壁は前記下部絶縁層上に位置する。これに加えて、前記発光ダイオードは、前記電流分散層の少なくとも一部を覆い、前記反射電極を露出させる第２の開口部を有する上部絶縁層をさらに含むことができる。前記上部絶縁層は、前記第１の開口部の各側壁を覆うことができる。

前記下部絶縁層は、反射性誘電層、例えば、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ：ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）であり得る。

前記発光ダイオードは、一方の表面上に前記第１の導電型半導体を備えており、他方の表面にはグラインディングテクスチャ（ｇｒｏｕｎｄ ｔｅｘｔｕｒｅ）を含む基板をさらに含むことができる。

前記グラインディングテクスチャは、前記基板の前記他方の表面をグラインディングした後、リン酸または硫リン酸処理して形成することができる。

前記基板は、前記他方の表面のコーナーに面取り構造を含むことができる。また、前記基板は、前記他方の表面に反射防止層をさらに含むことができる。

一方、前記反射金属層は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ及びＡｇ合金のうちいずれか一つで形成することができ、前記バリア金属層は、Ｗ、ＴｉＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＮｉのうちいずれか一つを含んで形成することができる。また、前記応力緩和層は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、ＰｄもしくはＣｒの単一層に形成し、またはＣｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＡｕから選択された複数の金属の複合層に形成することができる。

一実施例において、前記反射金属層はＡｌ及びＡｌ合金のうちいずれか一つで形成し、前記バリア金属層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＮｉのうちいずれか一つを含んで形成し、前記応力緩和層は、ＡｇもしくはＣｕの単一層に形成し、またはＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇから選択された複数の金属の複合層に形成することができる。

他の実施例において、前記反射金属層は、Ａｇ及びＡｇ合金のうちいずれか一つで形成し、前記バリア金属層は、Ｗ、ＴｉＷまたはＭｏを含んで形成し、前記応力緩和層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、ＰｄもしくはＣｒの単一層に形成し、またはＣｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｒ及びＡｕから選択された複数の金属の複合層に形成することができる。

更に他の実施例において、前記反射金属層は、Ａｇ及びＡｇ合金のうちいずれか一つで形成し、前記バリア金属層は、ＰｔまたはＮｉを含んで形成し、前記応力緩和層は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＴｉＷもしくはＴｉの単一層に形成し、またはＮｉ、Ａｕ及びＣｕから選択された複数の金属の複合層に形成することができる。

本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、基板上に第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む半導体積層構造物を形成し、前記第２の導電型半導体層及び活性層をパターニングして、前記第１の導電型半導体層上に複数のメサを形成した後に、前記複数のメサ上に反射電極を形成し、前記複数のメサ及び前記第１の導電型半導体層を覆い、前記複数のメサから電気的に絶縁され、前記反射電極の少なくとも一部を露出させる電流分散層を形成することを含む。

前記反射電極の形成は、第２の半導体層上に反射金属層を形成し、前記反射金属層の上面及び側面を覆うようにバリア金属層を形成することを含むことができる。

前記反射電極は、複数のメサを形成した後で形成できるが、これに限定されることはなく、先に反射電極を形成し、その後で各メサを形成することもできる。

また、前記反射電極の形成は、前記バリア金属層を形成する前に、前記反射金属層の熱膨張係数と前記バリア金属層の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する応力緩和層を形成することをさらに含むことができる。

前記発光ダイオードの製造方法は、前記電流分散層を形成する前に、前記複数のメサと前記電流分散層との間に前記反射電極の少なくとも一部を露出させ、前記複数のメサと前記反射電極から前記電流分散層を電気的に絶縁させる下部絶縁層を形成することをさらに含むことができる。

前記発光ダイオードの製造方法は、基板の表面にグラインディングテクスチャを形成することをさらに含むことができるが、前記基板は、一方の表面及び他方の表面を含み、前記半導体積層構造物は前記基板の一方の表面上に形成され、前記グラインディングテクスチャは前記基板の他方の表面に形成される。

前記グラインディングテクスチャの形成は、前記基板の他方の表面をグラインディングし、前記のグラインディングした他方の表面にリン酸処理または硫リン酸処理をすることを含むことができる。

本発明の各実施例によると、電流分散性能が改善された発光ダイオード、特に、フリップチップ型発光ダイオードを提供することができる。また、反射率が改善され、光取り出し効率が向上した発光ダイオードを提供することができる。さらに、複数のメサ構造を簡単にすることによって発光ダイオードの製造工程を単純化させることができる。

また、反射金属層より小さな熱膨張係数を有し、バリア金属層より大きい熱膨張係数を有する応力緩和層を用いることによって、反射金属層とバリア金属層との間の熱膨張係数の差によって発生する応力を緩和することができ、その結果、反射金属層が半導体層またはオーミック層から離脱することを防止することができる。

一方、逆傾斜を有するフォトレジストパターンを用いて反射金属層、応力緩和層及びバリア金属層を連続的に形成することができ、プロセスコストを削減することができる。

さらに、簡単な工程及び低費用で表面テクスチャリングを行い、光取り出し効率を高めることができる発光ダイオードを提供することができる。

本発明の技術的効果は、以上で言及したものに制限されなく、言及していない他の技術的効果は、下記の記載から当業者に明確に理解されるだろう。

従来技術に係る反射層が導入された発光ダイオードの部分断面図である。 本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造に使用可能な基板の断面図である。 図２に示したパターン化された基板の製造方法を説明するための断面図である。 図２に示したパターン化された基板の製造方法を説明するための断面図である。 図２に示したパターン化された基板の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＡ―Ａ線断面図である。 本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＡ―Ａ線断面図である。 本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＡ―Ａ線断面図である。 本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＡ―Ａ線断面図である。 本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＡ―Ａ線断面図である。 メサ構造の変形例を説明するための平面図である。 応力緩和層を含む反射電極を有する発光ダイオードの部分断面図である。 本発明の一実施例において、図１２の発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例において、図１２の発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例において、図１２の発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例において、図１２の発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例において、図１２の発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例において、図１２の発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図及び断面図である。 本発明の他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図及び断面図である。 本発明の他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図及び断面図である。 本発明の他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図である。 本発明の他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の更に他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図及び断面図である。 本発明の更に他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図及び断面図である。 本発明の更に他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図及び断面図である。 本発明の更に他の実施例に係る発光素子を説明するための断面図である。 図２７の発光素子を製造する方法を説明するための断面図である。 図２７の発光素子を製造する方法を説明するための断面図である。 図２７の発光素子を製造する方法を説明するための断面図である。 図２７の発光素子を製造する方法を説明するための断面図である。 図２７の発光素子を製造する方法を説明するための断面図である。 図２７の発光素子を製造する方法を説明するための断面図である。 図２７の発光素子を製造する方法を説明するための断面図である。 グラインディング処理された基板表面を示す写真である。 反射防止層を採択することによる透過率の変化を示すグラフである。

以下、添付の各図面を参照して本発明の各実施例を詳細に説明する。次に紹介する各実施例は、当業者に本発明の思想を十分に伝達するために例として提供されるものである。したがって、本発明は、以下で説明する各実施例に限定されなく、他の形態に具体化することもできる。そして、各図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは、便宜上、誇張して表現する場合がある。明細書全体にわたって同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。

本明細書において、一つの層が他の層または基板"上"にあると言及される場合、それは、一つの層が前記他の層または前記基板上に直接形成されたり、またはそれらの間に第３の層が介在したりする場合もある。また、本明細書において、上側、上（部）、上面などの方向的な表現は、下側、下（部）、下面などの意味と理解することができる。すなわち、空間的な方向の表現は、相対的な方向に理解しなければならなく、絶対的な方向を意味するものと限定的に理解してはならない。

本実施例において、"第１"、"第２"、または"第３"は、各構成要素に何ら限定を加えようとするものではなく、ただ、各構成要素を区別するための用語として理解すべきである。

図２は、本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造に使用可能な基板の断面図である。

図２を参照すると、本実施例に係る基板は、パターン化された基板１９である。パターン化された基板１９は、基板１５及び反射防止膜１６を有する。

前記基板１５は、リセスされた陥没部１７を有する。前記陥没部１７は、ほぼ円状または楕円状であり得る。特に、陥没部１７は規則的なパターンで形成することができる。例えば、前記陥没部１７は、隣接した各陥没部間の距離が一定のアイランドタイプ（ｉｓｌａｎｄ ｔｙｐｅ）またはラインタイプ（ｌｉｎｅ ｔｙｐｅ）であり得る。

前記基板１５は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）基板、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、ガリウム酸化物（Ｇａ_２Ｏ_３）基板またはシリコン基板であり得る。具体的に、前記基板１５はサファイア基板であり得る。

各陥没部１７間には反射防止膜１６が配置される。前記反射防止膜１６は、基板１５に向かって入射される光の反射を最小化するために採択される。基板１５がサファイア材質で形成される場合、前記反射防止膜１６は、屈折率が１．７ないし２．２の材質で形成される。特に、前記反射防止膜１６は、２．０ないし２．１の屈折率を有するシリコン窒化膜であり得る。

また、入射される光の波長がλである場合、前記反射防止膜１６の厚さはλ／４の整数倍に設定することができる。ただ、反射防止膜１６の厚さはλ／４の整数倍から±３０％の偏差を有することができる。

図３ないし図５は、図２に示したパターン化された基板１９の製造方法を説明するための断面図である。

図３を参照すると、基板１５上に反射防止膜１６が形成される。前記反射防止膜１６はシリコン窒化膜であって、波長がλである場合、λ／４の整数倍の厚さで形成される。ただ、反射防止膜１６の厚さはλ／４の整数倍から±３０％の偏差を有することができる。

図４を参照すると、形成された反射防止膜１６上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン１８を形成する。形成されたフォトレジストパターン１８は、ほぼ半球状を有することができる。フォトレジストパターン１８の形状を通して、図２に示した陥没部１７の形状を調節することができる。半球状のフォトレジストパターン１８を形成するために、反射防止膜１６上に塗布されたフォトレジストに対する露光及び現像工程が行われる。その結果、断面図上でほぼ四角形状の、フォトレジストパターンが形成される。続いて、フォトレジストに対するリフロー工程が実施される。リフローを通して、粘度を有するフォトレジストは、各分子同士の凝集力によってほぼ半球状のフォトレジストパターン１８に形成される。

続いて、半球状のフォトレジストパターン１８をエッチングマスクとしてエッチング工程が行われる。前記エッチング工程では、異方性ドライエッチングを用いることが望ましい。この結果として、フォトレジストパターン１８によって開放された領域でエッチングが強化される。但し、フォトレジストパターン１８が半球状を有するので、半球状のエッジ部分から半球状の中心部領域に行くほどエッチングの程度は弱化される。また、エッチングの進行と共に、半球状のフォトレジストパターン１８は漸進的に除去される。その結果、基板の上部面に半球状のパターンを形成することができる。

あるいは、基板１５上の反射防止膜１６または他の犠牲層に等方性エッチングなどを用いて半球状の陥没部を形成し、前記反射防止膜１６または犠牲層をエッチングマスクとして使用して基板１５を異方性エッチングすることによって、基板１５の表面から半球状に陥没した陥没部１７を形成することができる。

図５を参照すると、上述したように、エッチング工程を通して半球状の陥没部１７を有するパターン化された基板１９が形成される。形成された陥没部１７の内部に基板１５の表面が露出し、各陥没部１７間には反射防止膜１６が位置する。図４のエッチング工程で残留し得るフォトレジストパターンは除去することができ、その結果、反射防止膜１６を露出させることができる。

また、必要に応じて、残留する反射防止膜１６は除去することもできる。

上述したプロセスを通して、規則的なパターンを有し、表面から陥没した陥没部１７を有する基板を形成することができる。

また、本実施例では、フォトレジストパターンの形状に従って多様な形状を有する陥没部の製作が可能である。例えば、フォトレジストを塗布し、露光の角度を調節することによって、フォトレジストパターンのそれぞれの形状を半球状ではなく、三角形状または台形状にすることができる。三角形状または台形状を有するフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いてエッチング工程が行われる場合、基板上には、表面から逆三角形状または逆台形状に陥没した陥没部が形成される。

本実施例では、基板の表面からリセスされた多様な形状の陥没部を形成することができ、各陥没部が規則的な配列を有するパターンの形状を有する。

図６ないし図１０は、本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための図であって、各図面において、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＡ―Ａ線断面図である。

まず、図６を参照すると、基板２１上に第１の導電型半導体層２１が形成され、前記第１の導電型半導体層２１上に互いに離隔した複数のメサＭが形成される。複数のメサＭは、それぞれ活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含む。活性層２５は、第１の導電型半導体層２３と第２の導電型半導体層２７との間に位置する。また、前記複数のメサＭ上には、それぞれ反射電極３０が位置する。

前記複数のメサＭは、基板２１上に第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含むエピ層を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用いて成長させた後、第１の導電型半導体層２３が露出するように第２の導電型半導体層２７及び活性層２５をパターニングすることによって形成することができる。前記複数のメサＭの側面は、フォトレジストリフローなどの技術を用いて傾斜するように形成することができる。メサＭの側面の傾斜したプロファイルは、活性層２５で生成された光の抽出効率を向上させる。

複数のメサＭは、図示したように、基板の一側方向に互いに平行に延びた細長い形状を有することができる。このような形状は、基板２１上で複数のチップ領域に同一の形状の複数のメサＭを形成することを簡単にする。

複数のメサＭを形成した後、前記反射電極３０は、各メサＭ上に形成することができるが、これに限定されることはない。第２の導電型半導体層２７を成長させ、各メサＭを形成する前に、第２の導電型半導体層２７上に前記反射電極３０を予め形成することもできる。反射電極３０は、メサＭの上面をほとんど覆い、平面形状においてメサＭと略同一の形状を有する。

反射電極３０は、反射層２８及びバリア層２９を含むことができ、バリア層２９は、反射層２８の上面及び側面を覆うことができる。例えば、反射層２８のパターンを形成し、その上にバリア層２９を形成することによって、バリア層２９が反射層２８の上面及び側面を覆うように形成することができる。また、反射層２８は、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｎｉ／Ａｇ、ＮｉＺｎ／Ａｇ、ＴｉＯ／Ａｇ層を蒸着及びパターニングして形成することができる。一方、前記バリア層２９は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔまたはその複合層に形成することができ、反射層２８の金属物質が拡散又は汚染されることを防止する。前記複数のメサＭを形成した後、前記第１の導電型半導体層２３の縁部もエッチングすることができる。その結果、基板２１の上部面が露出し得る。前記第１の導電型半導体層２３の側面も傾斜するように形成することができる。

前記複数のメサＭは、図６に示したように、第１の導電型半導体層２３の上部領域の内部に限定されて位置するように形成することができる。すなわち、複数のメサＭが第１の導電型半導体層２３の上部領域上にアイランド状に位置し得る。これと異なり、図１１に示したように、一側方向に延びる各メサＭを、前記第１の導電型半導体層２３の上部の縁部に到逹するように形成することができる。すなわち、複数のメサＭの下部面の前記一側方向の縁部は、第１の導電型半導体層２３の一側方向の縁部と一致する。その結果、前記第１の導電型半導体層２３の上部面は前記複数のメサＭによって区画される。

図７を参照すると、複数のメサＭ及び第１の導電型半導体層２３を覆う下部絶縁層３１が形成される。下部絶縁層３１は、特定領域で第１の導電型半導体層２３及び第２の導電型半導体層２７への電気的接続を許容するための各開口部３１ａ、３１ｂを有する。例えば、下部絶縁層３１は、第１の導電型半導体層２３を露出させる各開口部３１ａと、反射電極３０を露出させる各開口部３１ｂとを有することができる。

前記各開口部３１ａは、各メサＭ間の領域及び基板２１の縁部付近に位置することができ、各メサＭに沿って延びる長い形状を有することができる。一方、各開口部３１ｂは、メサＭの上部に限定されて位置し、各メサの同一の端部側に偏って位置する。

前記下部絶縁層３１は、化学気相蒸着（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの技術を用いてＳｉＯ_２などの酸化膜、ＳｉＮｘなどの窒化膜、ＭｇＦ_２などの絶縁膜で形成することができる。前記下部絶縁層３１は、単一層に形成できるが、これに限定されることはなく、多重層に形成することもできる。さらに、下部絶縁層３１は、低屈折物質層と高屈折物質層が交互に積層された分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）に形成することができる。例えば、ＳｉＯ_２／ＴｉＯ_２やＳｉＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５などの層を積層することによって、反射率の高い絶縁反射層を形成することができる。

図８を参照すると、前記下部絶縁層３１上に電流分散層３３が形成される。前記電流分散層３３は、前記複数のメサＭ及び前記第１の導電型半導体層２３を覆う。また、電流分散層３３は、前記それぞれのメサＭの上部領域内に位置し、前記反射電極を露出させる各開口部３３ａを有する。前記電流分散層３３は、下部絶縁層３１の各開口部３１ａを通して前記第１の導電型半導体層２３にオーミック接触することができる。電流分散層３３は、下部絶縁層３１によって複数のメサＭ及び反射電極３０から絶縁される。

前記電流分散層３３の各開口部３３ａは、電流分散層３３が反射電極３０に接続することを防止するために、それぞれ下部絶縁層３１の各開口部３１ｂより広い面積を有する。したがって、前記各開口部３３ａの側壁は下部絶縁層３１上に位置する。

前記電流分散層３３は、各開口部３３ａを除いた基板３１のほぼ全領域の上部に形成される。したがって、前記電流分散層３３を通して電流を容易に分散させることができる。電流分散層３３は、Ａｌ層などの高反射金属層を含むことができ、高反射金属層は、Ｔｉ、ＣｒまたはＮｉなどの接着層上に形成することができる。また、前記高反射金属層上には、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕなどの単層または複合層構造の保護層を形成することができる。前記電流分散層３３は、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構造を有することができる。

図９を参照すると、前記電流分散層３３上に上部絶縁層３５が形成される。上部絶縁層３５は、電流分散層３３を露出させる開口部３５ａと共に、反射電極３０を露出させる各開口部３５ｂを有する。前記開口部３５ａは、メサＭの長さ方向に対して垂直な方向に長い形状を有することができ、各開口部３５ｂより相対的に広い面積を有する。各開口部３５ｂは、電流分散層３３の各開口部３３ａ及び下部絶縁層３１の各開口部３１ｂを通して露出した反射電極３０を露出させる。各開口部３５ｂは、電流分散層３３の各開口部３３ａより狭い面積を有する一方、下部絶縁層３１の各開口部３１ｂより広い面積を有することができる。その結果、前記電流分散層３３の各開口部３３ａの各側壁は上部絶縁層３５によって覆うことができる。

前記上部絶縁層３５は、酸化物絶縁層、窒化物絶縁層、またはポリイミド、テフロン（登録商標）、パリレン（登録商標）などのポリマーを用いて形成することができる。

図１０を参照すると、前記上部絶縁層３５上には第１のパッド３７ａ及び第２のパッド３７ｂが形成される。第１のパッド３７ａは、上部絶縁層３５の開口部３５ａを通して電流分散層３３に接続し、第２のパッド３７ｂは、上部絶縁層３５の各開口部３５ｂを通して反射電極３０に接続する。前記第１のパッド３７ａ及び第２のパッド３７ｂは、発光ダイオードをサブマウント、パッケージまたは印刷回路ボードなどに実装するためのバンプの接続又はＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃ−ｍｏｕｎｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）のためのパッドとして使用することができる。

前記第１の及び第２のパッド３７ａ、３７ｂは、同一の工程で共に形成することができ、例えば、フォトリソグラフィまたはリフトオフ技術を用いて形成することができる。前記第１の及び第２のパッド３７ａ、３７ｂは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉなどの接着層と、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇまたはＡｕなどの高伝導金属層とを含むことができる。

その後、基板２１を個別発光ダイオードチップ単位に分割することによって、発光ダイオードが完成する。前記基板２１は、個別発光ダイオードチップ単位に分割される前にまたは個別発光ダイオードチップ単位に分割された後で発光ダイオードチップから除去することもできる。

以下では、本発明の一実施例に係る発光ダイオードの構造について図１０を参照して詳細に説明する。

前記発光ダイオードは、基板２１、第１の導電型半導体層２３、各メサＭ、反射電極３０、下部絶縁層３１、電流分散層３３、上部絶縁層３５、第１のパッド３７ａ及び第２のパッド３７ｂを含むことができる。

基板２１は、窒化ガリウム系の各エピ層を成長させるための成長基板、例えば、サファイア、炭化シリコン、シリコン、窒化ガリウム基板であり得る。また、前記基板２１は、図２を参照して説明したようなパターン化された基板であり得る。

第１の導電型半導体層２３は連続的であり、第１の導電型半導体層２３上に複数のメサＭが互いに離隔して配置される。各メサＭは、図６を参照して説明したように、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含み、一側に向かって平行に延びる長い形状を有する。ここで、各メサＭは、窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造を有する。前記各メサＭは、図６に示したように、第１の導電型半導体層２３の上部領域内に限定されて位置し得る。これと異なり、前記各メサＭは、図１１に示したように、一側方向に沿って第１の導電型半導体層２３の上部面の縁部まで延ばすことができ、これによって、第１の導電型半導体層２３の上部面を複数の領域に区画することができる。その結果、各メサＭのコーナー付近に電流が集中することを緩和し、電流分散性能をさらに強化することができる。

反射電極３０は、それぞれ前記複数のメサＭ上に位置し、第２の導電型半導体層２７にオーミック接触する。反射電極３０は、図６を参照して説明したように反射層２８とバリア層２９を含むことができ、バリア層２９が反射層２８の上面及び側面を覆うことができる。

電流分散層３３は、前記複数のメサＭ及び前記第１の導電型半導体層２３を覆う。前記電流分散層３３は、前記それぞれのメサＭの上部領域内に位置し、前記反射電極３０を露出させる各開口部３３ａを有する。また、電流分散層３３は、前記第１の導電型半導体層２３にオーミック接触し、前記複数のメサＭから絶縁される。前記電流分散層３３は、Ａｌなどの反射金属を含むことができる。

前記電流分散層３３は、下部絶縁層３１によって複数のメサＭから絶縁させることができる。例えば、下部絶縁層３１は、前記複数のメサＭと前記電流分散層３３との間に位置し、前記電流分散層３３を前記複数のメサＭから絶縁させることができる。また、前記下部絶縁層３１は、前記それぞれのメサＭの上部領域内に位置し、前記反射電極３０を露出させる各開口部３１ｂを有することができ、第１の導電型半導体層２３を露出させる各開口部３１ａを有することができる。前記電流分散層３３は、各開口部３１ａを通して第１の導電型半導体層２３に接続することができる。前記下部絶縁層３１の各開口部３１ｂは、電流分散層３３の各開口部３３ａより狭い面積を有し、各開口部３３ａによって全て露出する。

上部絶縁層３５は、前記電流分散層３３の少なくとも一部を覆う。また、上部絶縁層３５は、前記反射電極３０を露出させる各開口部３５ｂを有する。さらに、上部絶縁層３５は、電流分散層３３を露出させる各開口部３５ａを有することができる。前記上部絶縁層３５は、前記電流分散層３３の各開口部３３ａの各側壁を覆うことができる。

第１のパッド３７ａは、電流分散層３３上に位置することができ、例えば、上部絶縁層３５の開口部３５ａを通して電流分散層３３に接続することができる。また、第２のパッド３７ｂは、各開口部３５ｂを通して露出した反射電極３０に接続する。

本発明によると、電流分散層３３が各メサＭ及び各メサＭ間の第１の導電型半導体層２３のほぼ全領域を覆う。その結果、電流を電流分散層３３を通して容易に分散させることができる。

さらに、前記電流分散層２３がＡｌなどの反射金属層を含むか、下部絶縁層を絶縁反射層に形成することによって、各反射電極３０によって反射されない光を電流分散層２３または下部絶縁層３１を用いて反射させることができ、光取り出し効率を向上させることができる。

一方、反射電極３０を熱膨張係数差の大きい反射層２８とバリア層２９で形成する場合、反射層２８に応力が誘発され、その結果、反射層２８がメサＭから離脱し得る。したがって、反射層２８とバリア層２９との間の熱膨張係数の差による応力を緩和するために、これらの間に応力緩和層が介在し得る。

図１２は、応力緩和層を含む反射電極を有する発光ダイオードの部分断面図である。

図１２を参照すると、基板１００上には、第１の半導体層１１０、活性層１２０、第２の半導体層１３０及び反射電極１４０が形成される。

前記基板１００は、第１の半導体層１１０を成長させ得るものであれば特別に限定されない。例えば、前記基板１００は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）基板、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、ガリウム酸化物（Ｇａ_２Ｏ_３）基板またはシリコン基板であり得る。具体的に、前記基板１００はサファイア基板であり得る。

また、前記基板１００は、表面がパターニングされていない基板であるか、または図２を参照して説明したパターン化された基板であり得る。

また、前記基板１００上には第１の半導体層１１０が備えられる。第１の半導体層１１０は、例えばｎ型であってもよい。

また、前記第１の半導体層１１０上に形成される活性層１２０は、井戸層とバリア層が積層された単一量子井戸構造であるか、井戸層とバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造（ｍｕｌｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）であり得る。

活性層１２０上には第２の半導体層１３０が備えられる。第２の半導体層１３０は、例えばｐ型であってもよい。

また、前記第１の半導体層１１０、活性層１２０及び第２の半導体層１３０は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＮを含むことができる。第１の半導体層１１０がＧａＮを含む場合、活性層１２０及び第２の半導体層１３０もＧａＮを含むことが望ましい。

第２の半導体層１３０の場合、第１の半導体層１１０と相補的な導電型を有するので、第１の半導体層１１０と異なるドーパントが注入される。すなわち、第１の半導体層１１０にドナーとしての機能を有するドーパントが注入される場合、第２の半導体層１３０にはアクセプタとしての機能を有するドーパントが注入される。また、活性層１２０には、バリア層と井戸層の形成のためにバンドギャップが形成される物質が含まれることが望ましい。

前記第２の半導体層１３０上に反射電極１４０が形成される。

反射電極１４０は、オーミック接合層１４１、反射金属層１４２、応力緩和層１４３及びバリア金属層１４４を有する。

オーミック接合層１４１は、反射金属層１４２と第２の半導体層１３０とのオーミック接合を実現できる物質であれば、いずれの物質によっても形成可能である。したがって、前記オーミック接合層１４１は、ＮｉまたはＰｔを含む金属物を含むことができ、ＩＴＯまたはＺｎＯなどの導電性酸化物を含むことができる。但し、前記オーミック接合層１４１は、実施の形態によって省略可能である。

前記オーミック接合層１４１上には反射金属層１４２が形成される。前記反射金属層１４２は、活性層１２０で形成された光を反射させる。したがって、前記反射金属層１４２は、導電性を有すると共に、光に対する高い反射度を有する物質で形成される。前記反射金属層１４２は、Ａｇ、Ａｇ合金、ＡｌまたはＡｌ合金を含む。

また、前記反射金属層１４２上には応力緩和層１４３が形成される。前記応力緩和層１４３の熱膨張係数は、バリア金属層１４４の熱膨張係数以上で、反射金属層１４２の熱膨張係数以下の値を有する。これを通して、反射金属層１４２とバリア金属層１４４との間の熱膨張係数の差によって発生する応力を緩和させることができる。したがって、前記応力緩和層１４３の材質は、反射金属層１４２とバリア金属層１４４の材質に応じて選ばれる。

応力緩和層１４３上にはバリア金属層１４４が形成される。前記バリア金属層１４４は、少なくとも反射金属層１４２の側面を覆い、応力緩和層１４３の上部と側面を覆いながら形成される。したがって、バリア金属層１４２を構成する金属原子またはイオンの拡散は防止される。また、バリア金属層１４４と反射金属層１４２との間の熱膨張係数の差によって発生する応力は応力緩和層１４３で吸収される。

例えば、前記反射金属層１４２がＡｌまたはＡｌ合金で、バリア金属層１４４がＷ、ＴｉＷまたはＭｏを含む場合、前記応力緩和層１４３は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、ＰｄまたはＣｒの単一層であるか、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、ＰｄまたはＡｕの複合層であり得る。また、前記反射金属層１４２がＡｌまたはＡｌ合金で、バリア金属層１４４がＣｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＰｄまたはＮｉである場合、前記応力緩和層１４３は、ＡｇまたはＣｕの単一層であるか、Ｎｉ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇの複合層であり得る。

また、前記反射金属層１４２がＡｇまたはＡｇ合金で、バリア金属層１４４がＷ、ＴｉＷまたはＭｏを含む場合、前記応力緩和層１４３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、ＰｄまたはＣｒの単一層であるか、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＣｒまたはＡｕの複合層であり得る。また、前記反射金属層１４２がＡｇまたはＡｇ合金で、バリア金属層１４４がＣｒまたはＮｉである場合、前記応力緩和層１４３は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＴｉＷ、Ｔｉの単一層であるか、Ｎｉ、ＡｕまたはＣｕの複合層であり得る。

図１３ないし図１８は、本発明の一実施例において図１２の発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。

図１３を参照すると、基板１００上に第１の半導体層１１０、活性層１２０及び第２の半導体層１３０が順次形成され、半導体積層構造体が形成される。

前記基板１００は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）基板、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、ガリウム酸化物（Ｇａ_２Ｏ_３）基板またはシリコン基板であり得る。具体的に、前記基板１００はサファイア基板であり得る。また、前記基板１００は、図２を参照して説明したパターン化された基板であり得る。

また、前記基板１００上には第１の半導体層１１０が備えられる。第１の半導体層１１０はｎ型であってもよい。

また、前記第１の半導体層１１０上に形成される活性層１２０は、井戸層とバリア層が積層された単一量子井戸構造であるか、井戸層とバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造であり得る。

活性層１２０上には第２の半導体層１３０が備えられる。第２の半導体層１３０はｐ型であってもよい。

また、前記第１の半導体層１１０、活性層１２０及び第２の半導体層１３０の材質及び構成は、図１２を参照して説明した通りであるので、それについての詳細な説明は省略する。

また、前記第１の半導体層１１０、活性層１２０及び第２の半導体層１３０は、エピタキシャル成長を通して形成される。例えば、ＭＯＣＶＤ工程を通して第１の半導体層１１０、活性層１２０及び第２の半導体層１３０を形成することができる。

図１４を参照すると、通常のエッチング工程によって活性層１２０及び第２の半導体層１３０の一部が除去される。これを通して、第１の半導体層１１０の一部が露出する。エッチング工程を通して第１の半導体層１１０の上部表面が露出し、活性層１２０及び第２の半導体層１３０の側面が露出する。したがって、前記エッチングを通して活性層１２０及び第２の半導体層１３０の一部の除去されたトレンチを形成することができ、ホールを形成することができる。すなわち、図１３の第２の半導体層１３０の表面から第１の半導体層１１０の表面までエッチングされたメサエッチング領域１５０は、トレンチ状のストライプタイプを有することができ、あるいはホールタイプでもあり得る。

また、メサエッチング領域１５０がストライプタイプである場合、第１の半導体層１１０の表面から垂直プロファイルまたは傾斜したプロファイルを有することができる。望ましくは、第１の半導体層１１０の表面から２０°ないし７０°の角度で傾斜したプロファイルを有することができる。また、メサエッチング領域１５０がほぼ円状のホールタイプである場合、第１の半導体層１１０の表面から垂直プロファイルまたは傾斜したプロファイルを有し得るが、第１の半導体層１１０の表面から２０°ないし７０°の角度で傾斜したプロファイルを有することが望ましい。プロファイルが２０°未満であると、メサエッチング領域１５０は、上部に行くほど間隔が非常に広くなる。したがって、発光構造上、発生する光の集中度が低下するという問題が発生する。また、プロファイルが７０°を上回る場合、メサエッチング領域１５０は、垂直に近いプロファイルを有する。したがって、発生する光をメサエッチング領域の側壁で反射する効果が微々たるものになる。

図１５を参照すると、メサエッチング領域１５０に露出した第１の半導体層１１０上にフォトレジストパターン１６０が形成される。前記第１の半導体層１１０は、メサエッチング領域１５０の底面を形成する。前記フォトレジストパターン１６０は、第１の半導体層１１０の表面から垂直なプロファイルを有することができ、実施の形態に応じて底面の幅が上面の幅より狭いオーバーハング構造で形成することができる。前記フォトレジストパターン１６０は、ネガティブタイプのフォトレジストを用いて形成することができる。したがって、露光部位が架橋結合されるという特性を有する。オーバーハング構造の形成のために、フォトレジストパターン１６０は、所定の傾斜を有する状態で露光されることが望ましい。オーバーハング構造の場合、各フォトレジストパターン１６０の各底面間の隔離距離が各上面間の隔離距離に比べて１μｍ以上になるように設定することができる。

図１６を参照すると、第２の半導体層１３０上に反射金属層１４２及び応力緩和層１４３が順次積層される。

前記反射金属層１４２は、Ａｌ、Ａｌ合金、ＡｇまたはＡｇ合金を含む。反射金属層１４２は、通常の金属物蒸着法を通して形成することができ、望ましくは、第２の半導体層１３０の表面上にほとんどの金属原子またはイオンが垂直な方向に移動し得る電子ビーム蒸着法（ｅ―ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）を用いて形成することができる。これを通して、金属原子またはイオンが各フォトレジストパターン１６０間の離隔空間内に異方性の特性を有して進入することによって、反射金属層１４２を形成することができる。

前記反射金属層１４２の厚さは１００ｎｍないし１μｍであることが望ましい。反射金属層１４２の厚さが１００ｎｍ未満であると、活性層１２０で形成された光の反射が円滑に行われないという問題が発生する。また、反射金属層１４２の厚さが１μｍを上回ると、過度な工程時間による工程上の損失が発生する。

必要に応じて、反射金属層１４２の形成前にオーミック接合層１４１を形成することができる。前記オーミック接合層１４１は、Ｎｉ、Ｐｔ、ＩＴＯまたはＺｎＯを含むことができる。また、前記オーミック接合層１４１の厚さは０．１ｎｍないし２０ｎｍの範囲であり得る。オーミック接合層１４１の厚さが０．１ｎｍ未満であると、非常に薄い薄膜によって十分なオーミック特性を確保することができない。また、オーミック接合層１４１の厚さが２０ｎｍを上回ると、光の透過量が減少し、上部の反射金属層１４２から反射される光量が減少するという問題が発生する。

反射金属層１４２の上部には応力緩和層１４３が形成される。応力緩和層１４３は、通常の金属蒸着法を通して形成することができ、望ましくは、蒸着工程で高い方向性を有する電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。すなわち、電子ビームによって蒸発される金属原子またはイオンは、方向性を有し、各フォトレジストパターン１６０間の離隔空間の内部で異方性を有し、金属膜質に形成することができる。また、応力緩和層１４３は、前記反射金属層１４２より低い熱膨張係数を有し、図１２のバリア金属層１４４より高い熱膨張係数を有する。したがって、応力緩和層１４３の材質は、反射金属層１４２とバリア金属層１４４の材質の選択に応じて選択される。応力緩和層１４３の材質については、後で説明する。

反射金属層１４２及び応力緩和層１４３が電子ビーム蒸着法によって形成される場合、反射金属層１４２の側面と応力緩和層１４３の側面が露出する。また、異方性蒸着により、フォトレジストパターン１６０の上部の開放された領域に相応する反射金属層１４２及び応力緩和層１４３が形成される。

また、図１６は、反射金属層１４２及び応力緩和層１４３の形成過程で金属物がフォトレジストパターン１６０の上部に形成されたことが省略された状態を示す。

図１７を参照すると、フォトレジストパターン１６０の開放された領域を通してバリア金属層１４４が形成される。

前記バリア金属層１４４は、Ｗ、ＴｉＷ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＰｄまたはＴｉを含む。特に、前記バリア金属層１４４を構成する物質は、反射金属層１４２及び応力緩和層１４３の物質の選択に応じて変更可能になる。

前記バリア金属層１４４は、応力緩和層１４３上に形成され、反射金属層１４２及び応力緩和層１４３の側面を遮蔽する。したがって、反射金属層１４２を構成する金属元素が側面拡散を通して第２の半導体層１３０に拡散される現像は防止される。バリア金属層１４４の形成は、通常の金属蒸着工程を通して実現される。ただ、前バリア金属層１４４は、等方性蒸着を通して形成されることが望ましい。これは、バリア金属層１４４が応力緩和層１４３及び反射金属層１４２の側面を覆う構成を有するためである。例えば、前記バリア金属層１４４はスパッタリングを通して形成することができる。

また、前記バリア金属層１４４は、特定の金属を選択して１００ｎｍ以上の単一層に形成することができる。また、前記バリア金属層１４４は、２以上金属物を交互に形成し、それぞれの層の厚さを２０ｎｍ以上に設定することもできる。例えば、前記バリア金属層１４４は、５０ｎｍの厚さを有するＴｉＷと５０ｎｍの厚さを有するＮｉ層またはＴｉ層を交互に蒸着して形成することができる。

また、前記バリア金属層１４４上には、後の物質との安定的な接触のためにＮｉ／Ａｕ／Ｔｉ層をさらに形成することができる。

上述したように、応力緩和層１４３の材質は、反射金属層１４２及びバリア金属層１４４の材質に応じて選ばれる。これは、応力緩和層１４３の熱膨張係数がバリア金属層１４４より高く、反射金属層１４２より低い値を有するためである。したがって、反射金属層１４２がＡｌまたはＡｌ合金で、バリア金属層１４４がＷ、ＴｉＷまたはＭｏを含む場合、前記応力緩和層１４３は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、ＰｄまたはＣｒの単一層であるか、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、ＰｄまたはＡｕの複合層であり得る。また、反射金属層１４２がＡｌまたはＡｌ合金で、バリア金属層１４４がＴｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＰｄまたはＮｉを含む場合、前記応力緩和層１４３は、ＡｇまたはＣｕの単一層であるか、Ｎｉ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇの複合層であり得る。また、反射金属層１４２がＡｇまたはＡｇ合金で、バリア金属層１４４がＷ、ＴｉＷまたはＭｏを含む場合、前記応力緩和層１４３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、ＰｄまたはＣｒの単一層であるか、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＣｒまたはＡｕの複合層であり得る。また、反射金属層１４２がＡｇまたはＡｇ合金で、バリア金属層１４４がＰｔまたはＮｉを含む場合、前記応力緩和層１４３は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＴｉＷまたはＴｉの単一層であるか、Ｎｉ、ＡｕまたはＣｕの複合層であり得る。

図１８を参照すると、フォトレジストパターンのリフトオフを通してフォトレジストパターンが除去される。その結果、下部の第１の半導体層１１０及び上部の反射電極１４０が露出する。また、フォトレジストパターンの除去を通してメサエッチング領域１５０が露出する。既に説明したように、メサエッチング領域１５０は、ストライプタイプであり得、またホールタイプでもあり得る。

上述した過程を通して、第２の半導体層１３０上に反射電極１４０が形成される。反射電極１４０は、反射金属層１４２、応力緩和層１４３及びバリア金属層１４４を含む。応力緩和層１４３は、反射金属層１４２より小さい熱膨張係数を有し、バリア金属層１４３より大きい熱膨張係数を有する。したがって、反射金属層１４２とバリア金属層１４４との間の熱膨張係数の差によって発生する応力は応力緩和層１４３で吸収される。

図１９ないし図２３は、本発明の他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図及び断面図である。

図１９を参照し、図１８におけるメサエッチング領域１５０は、ストライプ状にエッチングされた領域であると仮定する。続いて、図１８の構造物全面に下部絶縁層２００が形成される。下部絶縁層２００は、前記反射電極１４０の上部表面の一部を露出させ、第１の半導体層１３０の表面を露出させる。下部絶縁層２００の形成のために、ＳｉＯ_２などの酸化膜、ＳｉＮなどの窒化膜、ＭｇＦ_２などの絶縁膜またはＳｉＯ_２／ＴｉＯ_２などのＤＢＲ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層が図１８の構造物上に形成される。続いて、通常のフォトリソグラフィ工程を通して反射電極１４０の一部及び第１の半導体層１１０の表面が露出する。

図１９の平面図の下部にある図面は、図１９の平面図をＡ―Ａ'線方向に切断した断面図である。前記断面図において、Ａ―Ａ'線は不連続的であり、点線で表示された部分は断面図上に反映されない。ただ、不連続線は、断面図上では連続して記述されている。以下、図２１まで同様である。

また、本実施例では、反射電極１４０が３個露出した場合を記述するが、これは例示に過ぎなく、露出する反射電極１４０の個数は十分に変更可能である。

一部の領域で反射電極１４０が露出し、メサエッチング領域１５０では第１の半導体層１１０が露出する。また、反射電極１４０が露出しない領域では、下部絶縁層２００が反射電極１４０を完全に遮蔽する。

図２０を参照すると、電流分散層２１０が下部絶縁層２００上に形成される。電流分散層２１０は導電性材質で形成される。また、電流分散層２１０は、反射電極１４０の一部を露出させる。

前記電流分散層２１０はＡｌを含むことができる。したがって、第１の半導体層１１０と電流分散層２１０は電気的に連結され、反射電極１４０は、下部絶縁層２００によって電流分散層２１０と電気的に絶縁される。

下部の断面図を見ると理解できる。すなわち、Ａ―Ａ'線で２個の露出した反射電極１４０を横切る断面では反射電極１４０が露出し、電流分散層２１０のみで埋め込まれた領域を横切る断面では、反射電極１４０上に下部絶縁層２００が形成され、下部絶縁層２００上に電流分散層２１０が形成された状態になる。また、図１９において、ストライプ状に露出した第１の半導体層１１０の表面には電流分散層２１０が形成される。

前記電流分散層２１０は、Ａｌ材質を含むので、活性層で形成された光を反射させることができる。したがって、電流分散層２１０は、第１の半導体層１１０との電気的接触を達成しながら光を反射させる反射層としての機能を有する。

前記電流分散層２１０の形成前に、前記電流分散層２１０と同一の形状を有する接合層を別途に形成することができる。接合層は、Ｔｉ、ＣｒまたはＮｉを含む。接合層を採択することによって、電流分散層２１０と第１の半導体層１１０との間のオーミック接合が容易に形成される。

また、電流分散層２１０の上部にパッシベーション層を形成することができる。前記パッシベーション層は、Ｎｉ、ＣｒまたはＡｕの単一層であるか、これらの複合層であり得る。前記パッシベーション層は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの複合層であることが望ましい。

図２１を参照すると、図２０の構造物上に上部絶縁層２２０が形成される。上部絶縁層２２０を通して電流分散層２１０の一部は露出し、反射電極１４０の一部も露出する。反射電極１４０は、第２の半導体層１３０と電気的に連結された状態であり、電流分散層２１０は、第１の半導体層１１０と電気的に連結された状態である。したがって、上部絶縁層２２０を通して、第１の半導体層１１０と第２の半導体層１３０の電気的経路はオープンにされている。

前記上部絶縁層２２０の材質は、絶縁性材質であれば特別に限定されなく、例えば、酸化物系絶縁物、窒化物系絶縁物、高分子系列であるポリイミド、テプロンまたはパリレンなどを前記上部絶縁層２２０に使用することができる。

図２２を参照すると、図２１の構造物上に第１のパッド２３０及び第２のパッド２４０が形成される。前記第１のパッド２３０は、図２１で露出した電流分散層２１０と電気的に連結される。したがって、第１のパッド２３０と第１の半導体層１１０は電気的に連結される。これは、第１の半導体層１１０が第１のパッド２３０を通して外部の電源または電力供給線と電気的に連結されることを意味する。また、前記第２のパッド２４０は、図２１で露出した反射電極１４０と電気的に連結される。したがって、第２のパッド２４０と第２の半導体層１３０は電気的に連結される。これは、第２の半導体層１３０が第２のパッド２４０を通して外部の電源または電力供給線と電気的に連結されることを意味する。

前記第１のパッド２３０及び第２のパッド２４０は、Ｔｉ、ＣｒまたはＮｉの層と、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇまたはＡｕの層とを含む２重層構造で形成することができる。また、第１のパッド２３０及び第２のパッド２４０は、フォトレジストをパターニングし、パターニングされた各離隔空間の間を金属物で蒸着した後、フォトレジストパターンを除去するリフトオフ工程を用いて形成することができる。また、第１のパッド２３０及び第２のパッド２４０は、二重層または単一層の金属膜を形成した後、通常のフォトリソグラフィ工程を通してパターンを形成し、これをエッチングマスクとして用いたドライエッチングまたはウェットエッチングを通して形成することができる。ただ、ドライエッチング及びウェットエッチング時のエッチャントは、エッチングされる金属物の材質に応じて異なる形に設定することができる。

図２３は、図２２のＢ―Ｂ'線断面図及びＣ―Ｃ'線断面図である。

まず、Ｂ―Ｂ'線は、第１のパッド２３０が形成された領域を切断する。第１のパッド２３０は、露出した電流分散層２１０と電気的に連結される。

また、Ｃ―Ｃ'線は、第２のパッド２４０が形成された領域を切断する。第２のパッド２４０は、露出した反射電極１４０と電気的に連結される。

その結果、第１のパッド２３０は第１の半導体層１１０と電気的に連結され、第２のパッド２４０は第２の半導体層１３０と電気的に連結されることが分かる。

図２４ないし図２６は、本発明の更に他の実施例において、図１２の構造が適用された発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図及び断面図である。

図２４ないし図２６は、本発明の第４の実施例によって図１２の構造が適用された発光ダイオードモジュールを示した平面図及び断面図である。

図２４を参照すると、本実施例において、図１８のメサエッチング領域１５０がホールタイプに形成される。したがって、ほぼ円状に第１の半導体層１１０が露出する。

続いて、図１８の構造物全面に対して下部絶縁層２００が形成される。下部絶縁層２００は、前記反射電極１４０の上部表面の一部を露出させ、第１の半導体層１１０の表面を露出させる。前記下部絶縁層２００の形成は、図１９を参照して説明した通りであるので、それについての詳細な説明は省略する。

図２４の平面図の下部にある図面は、図２４の平面図をＤ―Ｄ'線方向に沿って切断した断面図である。前記断面図において、Ｄ―Ｄ'線は、点線上では不連続的であり、実線を連結して構成したものである。したがって、点線部分は断面図に反映されなく、実線部分のみが断面図に反映される。

一部の領域で反射電極１４０が露出して、メサエッチング領域１５０では第１の半導体層１１０が露出する。また、反射電極１４０が露出していない領域では、下部絶縁層２００が反射電極１４０を完全に遮蔽する。

また、図２４において、ホールタイプのメサエッチング領域１５０は、説明の便宜上、誇張して記述する。したがって、実施の形態に応じてホールタイプのメサエッチング領域１５０の個数及び形態を変更することができる。

図２５を参照すると、電流分散層２１０が下部絶縁層２００上に形成される。電流分散層２１０は導電性材質で形成される。また、電流分散層２１０は、反射電極１４０の一部を露出させる。

前記電流分散層２１０はＡｌを含むことができる。したがって、第１の半導体層１１０と電流分散層２１０は電気的に連結され、反射電極１４０は、下部絶縁層２００によって電流分散層２１０と電気的に絶縁される。

これは、下部の断面図見ると理解できる。すなわち、Ｄ―Ｄ'線において、２個の露出した反射電極１４０を横切る断面では反射電極１４０が露出し、電流分散層２１０のみで埋め込まれた領域を横切る断面では反射電極１４０上に下部絶縁層２００が形成され、下部絶縁層２００上に電流分散層２１０が形成された状態になる。また、図２５において、ホール状に露出した第１の半導体層１１０の表面には電流分散層２１０が形成される。

前記電流分散層２１０は、Ａｌ材質を含むので、活性層で形成された光を反射させることができる。したがって、電流分散層２１０は、第１の半導体層１１０との電気的接触を達成しながら、光を反射させる反射層としての機能を有する。

前記電流分散層２１０の形成前に、前記電流分散層２１０と同一の形状を有する接合層を別途に形成することができる。接合層は、Ｔｉ、ＣｒまたはＮｉを含む。接合層を採択することによって、電流分散層２１０と第１の半導体層１１０との間にオーミック接合を容易に形成することができる。

また、電流分散層２１０の上部にパッシベーション層を形成することができる。前記パッシベーション層は、Ｎｉ、ＣｒまたはＡｕの単一層であるか、これらの複合層であり得る。前記パッシベーション層は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの複合層であることが望ましい。

図２６を参照すると、上部絶縁層２２０が形成される。上部絶縁層２２０を通して電流分散層２１０の一部は露出し、反射電極１４０の一部も露出する。反射電極１４０は第２の半導体層１３０と電気的に連結された状態であり、電流分散層２１０は第１の半導体層１１０と電気的に連結された状態である。したがって、上部絶縁層２２０を通して、第１の半導体層１１０と第２の半導体層１３０の電気的経路はオープンされる。

前記上部絶縁層２２０の材質及び形成は、図２１を参照して説明した通りであるので、それについての詳細な説明は省略する。

続いて、図２２を参照して説明したように、第１のパッド２３０及び第２のパッド２４０が形成される。前記第１のパッド２３０は、図２６で露出した電流分散層２１０と電気的に連結される。したがって、第１のパッド２３０と第１の半導体層１１０は電気的に連結される。これは、第１の半導体層１１０が第１のパッド２３０を通して外部の電源または電力供給線と電気的に連結されることを意味する。また、前記第２のパッド２４０は、図２６で露出した反射電極１４０と電気的に連結される。したがって、第２のパッド２４０と第２の半導体層１３０は電気的に連結される。これは、第２の半導体層１３０が第２のパッド２４０を通して外部の電源または電力供給線と電気的に接続されることを意味する。

図２７は、本発明の更に他の実施例に係る発光素子を説明するための断面図である。上述した各実施例においては、半導体積層構造体が形成される基板の一方の表面に対向する基板の他方の表面をテクスチャリングすることについては説明していない。本実施例においては、基板の他方の表面をテクスチャリングし、光取り出し効率を改善することについて詳細に説明する。このような基板の表面テクスチャリングは、フリップチップタイプの発光ダイオードに適用することができ、上述した各実施例にも適用することができる。

図２７を参照すると、本実施例に係る発光素子３００は、基板３１０、発光構造体３２０、パッシベーション層３３０、各パッド３４０、各バンプ３５０及びサブマウント３６０を含むことができる。

前記基板３１０は成長基板であり、前記成長基板は、特別に限定されることはなく、例えば、サファイア基板、炭化シリコン基板またはシリコン基板などであり得る。

前記基板３１０は、その一方の表面上には発光構造体３２０を備えることができる。

前記基板３１０は、その他方の表面にはグラインディングテクスチャ（ｇｒｉｎｄｉｎｇ ｔｅｘｔｕｒｅ）３１２を備えており、その一方の表面には逆ＰＳＳ（Ｃｏｎｖｅｒｓｅ Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）パターン３１４を備えることができる。

また、前記基板３１０は、その他方の表面上には反射防止層３１６を備えることができ、前記基板３１０は、面取りしたコーナー３１８を備えることができる。

前記グラインディングテクスチャ３１２は、前記基板３１０の他方の表面に備えられ、前記基板３１０の他方の表面をグラインダー（図示せず）でグラインディングした後、前記グラインディングによって粗くなった表面をリン酸または硫リン酸処理して他方の表面のパーティクルなどを除去し、鋭いコーナーを丸く処理して形成された構造であり得る。そのため、前記グラインディングテクスチャ３１２は、不規則な形態の粗さを有する表面を備えることができ、リン酸または硫リン酸処理によって丸く処理されたコーナーまたは突出部を備えることができる。

前記逆ＰＳＳパターン３１４は、前記基板３１０の一方の表面に備えることができる。前記逆ＰＳＳパターン３１４は、半球状、円錐状または多角錐状の溝を複数備えた形態で備えることができる。すなわち、前記逆ＰＳＳパターン３１４は、前記基板３１０の一方の表面に半球状の溝を複数備えたり、前記円錐状の溝を複数備えたり、前記多角錐状の溝を複数備えた構造で備えることができる。

このとき、前記逆ＰＳＳパターン３１４は、その内部、すなわち、溝の内部を後で説明するバッファー層（図示せず）または第１の導電型半導体層３２２によって充填することができ、また、図２７には示していないが、前記ＰＳＳパターン３１４の各溝がシリコン酸化物またはシリコン窒化物などの絶縁物で充填されるので、前記基板３１０上に形成された各半導体層は、望ましくは、エピタキシャル成長する発光構造体３２０をなして選択的に成長し、転位密度を低下させることができる。

前記反射防止層３１６は、シリコン酸化物、ＴｉＯ_２、ＡｌＴｉＯ_２またはＣｅＯ_２などの酸化物、シリコン窒化物などの窒化物またはＭｇＦ_２などの絶縁物を含む絶縁物質からなり、また、これらを少なくとも一つ含む多層構造からなり得る。

このとき、図２７において、前記反射防止層３１６は、前記グラインディングテクスチャ３１２のみならず、面取りしたコーナー３１８上にも備えられている場合を示しているが、前記面取りしたコーナー３１８上には備えず、前記グラインディングテクスチャ３１２上のみに備えることができる。

前記面取りしたコーナー３１８は、前記基板３１０のコーナーが面取りされた形態で備えることができる。

そのため、本発明の一実施例に係る発光素子３００は、その一方の表面には逆ＰＳＳパターン３１４を備えており、その他方の表面にはグラインディングテクスチャ３１２、反射防止層３１６及び面取りしたコーナー３１８を備えた基板３１０を含み、前記基板３１０の一方の表面上に備えられた発光構造体３２０から発生した光を前記基板３１０の他方の表面に効率的に放出させることができる。

すなわち、前記グラインディングテクスチャ３１２は、光が前記基板３１０の内部から外部に進行するとき、光を前記基板３１０の内部に再び反射させず、外部に円滑に進行させる役割をする。前記逆ＰＳＳパターン３１４は、前記発光構造体３２０で発生した光が前記基板３１０の内部に進行するとき、光を前記発光構造体３２０の方向に反射させず、前記基板３１０の内部に円滑に進行させる役割をする。また、前記反射防止層３１６は、前記基板３１０と外部、すなわち、空気との屈折率差を緩和させ、前記基板３１０の全反射を減少させる役割をする。一方、前記面取りしたコーナー３１８は、前記基板３１０の側面に進行する光を外部に円滑に放出させる役割をする。

このとき、図３６に示すように、前記基板３１０上に反射防止層３１６がない場合、光の透過率は、広い波長帯域にわたって８０％台中盤を示す。その一方、前記基板３１０上に反射防止層３１６がある場合、光の透過率は、基本的に８０％台中盤を示すが、波長に応じて変動性が大きく、特定波長帯、例えば、約３１０ｎｍ、約４００ｎｍまたは約５５０ｎｍ付近の波長帯では透過率が９０％以上と遥かに良くなる。

このとき、前記反射防止層３１６は、発光構造体３２０で発光される光の波長または要求される波長に合わせてその材料及び厚さを変更することができ、その結果、該当の波長での最大の透過率、最大の光効率を得ることができる。

前記発光構造体３２０は、第１の導電型半導体層３２２、活性層３２４、第２の導電型半導体層３２６及び透明電極層３２８を含むことができる。また、前記発光構造体３２０は、バッファー層（図示せず）、超格子層（図示せず）または電子ブロッキング層（図示せず）をさらに含むことができる。

また、前記発光構造体３２０は、少なくとも前記第２の導電型半導体層３２６及び活性層３２４の一部がメサエッチングされ、前記第１の導電型半導体層３２２の一部が露出した形態で備えることができる。

前記第１の導電型半導体層３２２は、第１の導電型不純物、例えば、Ｎ型不純物がドーピングされたIII―Ｎ系列の化合物半導体、例えば、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ系列のIII族窒化物半導体層であり得る。前記第１の導電型半導体層３２２は、Ｎ型不純物がドーピングされたＧａＮ層、すなわち、Ｎ―ＧａＮ層であり得る。また、前記第１の導電型半導体層３２２は単一層または多重層であり、例えば、前記第１の導電型半導体層３２２が多重層からなる場合、超格子構造からなり得る。

前記活性層３２４は、III―Ｎ系列の化合物半導体、例えば、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体層からなり、前記活性層３２４は、単一層または複数層からなり、少なくとも一定波長の光を発光することができる。また、前記活性層３２４は、一つの井戸層（図示せず）を含む単一量子井戸構造からなるか、井戸層（図示せず）とバリア層（図示せず）が交互に繰り返されて積層された構造である多重量子井戸構造で備えることができる。このとき、前記井戸層（図示せず）またはバリア層（図示せず）は、それぞれまたは二つとも超格子構造からなり得る。

前記第２の導電型半導体層３２６は、第２の導電型不純物、例えば、Ｐ型不純物がドーピングされたIII―Ｎ系列の化合物半導体、例えば、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ系列のIII族窒化物半導体であり得る。前記第２の導電型半導体層３２６は、Ｐ型不純物がドーピングされたＧａＮ層、すなわち、Ｐ―ＧａＮ層であり得る。また、前記第２の導電型半導体層３２６は、単一層または多重層からなり得る。例えば、前記第２の導電型半導体層３２６は、超格子構造からなり得る。

前記透明電極層３２８は、ＩＴＯ、ＺｎＯまたはＩＺＯなどのＴＣＯ、またはＮｉ／Ａｕなどのコンタクト物質を含んで構成することができ、前記第２の導電型半導体層３２６とはオーミック接触をなす。

前記バッファー層（図示せず）は、前記基板３１０と前記第１の導電型半導体層３２２との間の格子不整合を緩和するために備えることができる。また、前記バッファー層（図示せず）は、単一層または複数層からなり、複数層からなる場合、低温バッファー層及び高温バッファー層からなり得る。前記バッファー層（図示せず）はＡｌＮからなり得る。

前記超格子層（図示せず）は、前記第１の導電型半導体層３２２と活性層３２４との間に備えることができ、III―Ｎ系列の化合物半導体、例えば、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体層が複数層で積層された層である。例えば、ＩｎＮ層とＩｎＧａＮ層が繰り返して積層された構造である。前記超格子層（図示せず）は、前記活性層３２４の形成前に形成されることによって前記活性層３２４に転位または欠陥などが伝達されることを防止し、前記活性層３２４の転位または欠陥などの形成を緩和させ、前記活性層３２４の結晶化度を改善することができる。

前記電子ブロッキング層（図示せず）は、前記活性層３２４と第２の導電型半導体層３２６との間に備えることができる。前記電子ブロッキング層は、電子及び正孔の再結合効率を高めるために備えることができ、相対的に広いバンドギャップを有する物質で備えることができる。前記電子ブロッキング層（図示せず）は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ系列のIII族窒化物半導体で形成することができ、ＭｇがドーピングされたＰ―ＡｌＧａＮ層からなり得る。

前記パッシベーション層３３０は、前記発光構造体３２０を備えた基板３１０上に備えることができる。前記パッシベーション層３３０は、その下部の前記発光構造体３２０を外部環境から保護する役割をし、シリコン酸化膜を含む絶縁膜で形成することができる。

前記パッシベーション層３３０は、メサエッチングによって露出した前記第１の導電型半導体層３２２の表面の一部を露出させる第１の開口部３３２と、前記第２の導電型半導体層３２６の表面の一部を露出させる第２の開口部３３４とを備えることができる。

前記各パッド３４０は、第１のパッド３４２及び第２のパッド３４４を含むことができる。前記第１のパッド３４２は、前記パッシベーション層３３０が形成された基板３１０上に備えて、前記第１の開口部３３２を通して露出した前記第１の導電型半導体層３２２と接触するように備えることができる。前記第２のパッド３４４は、前記パッシベーション層３３０が形成された基板３１０上に備えて、前記第２の開口部３３４を通して露出した前記第２の導電型半導体層３２６と接触するように備えることができる。

前記各パッド３４０は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕなどを含むことができる。

前記各バンプ１５０は、第１のバンプ３５２及び第２のバンプ３５４を含むことができる。前記第１のバンプ３５２は前記第１のパッド３４２上に備えることができ、前記第２のバンプ３５４は前記第２のパッド３４４上に備えることができる。前記各バンプ３５０は、前記発光構造体３２０が形成された前記基板３１０をサブマウント３６０上に実装して支持する役割をし、前記サブマウント３６０と前記発光構造体３２０との間に位置し、前記発光構造体３２０及び基板を前記サブマウント３６０から離隔させる役割をする。前記各バンプ３５０は、Ａｕを含んで形成することができる。

前記サブマウント３６０は、その一方の表面上に備えられた第１の電極３６２及び第２の電極３６４を含むことができる。前記第１の電極３６２及び第２の電極３６４のそれぞれは、前記サブマウント３６０上に前記発光構造体３２０を含む前記基板３１０を実装するとき、前記第１のパッド３４２及び第２のパッド３４４と接続することができる。

図２８ないし図３４は、図２７の発光素子を製造する方法を説明するための断面図である。

図２８を参照すると、まず、基板３１０を準備する。

このとき、前記基板３１０は成長基板であり、前記成長基板は、サファイア基板、炭化シリコン基板またはシリコン基板などであり得るが、本実施例では、前記基板３１０はサファイア基板であり得る。

続いて、前記基板３１０の一方の表面上に複数の半導体層を形成する。前記複数の半導体層は、第１の導電型半導体層３２２、活性層３２４及び第２の導電型半導体層３２６を含むことができる。

このとき、前記複数の半導体層は、ＭＯＣＶＤなどの化学気相蒸着でエピタキシャル成長させることによって形成することができる。

前記基板３１０上に前記複数の半導体層を形成する前に、まず、前記基板３１０の一方の表面に逆ＰＳＳパターン３１４を形成することができる。前記逆ＰＳＳパターン３１４を備えた前記基板３１０上に前記複数の半導体層を形成する場合、前記逆ＰＳＳパターン３１４が形成されていない領域、すなわち、前記基板３１０の表面の一定領域で選択的に前記各半導体層を成長させることができ、前記各半導体層内に形成される転位密度を制御することもできる。

前記逆ＰＳＳパターン３１４は、前記基板３１０の一方の表面上に一定領域を露出させる複数のオープン領域を備えたフォトレジストパターン（図示せず）を形成し、前記フォトレジストパターン（図示せず）をマスクとして前記基板３１０の一方の表面を一定深さにエッチングすることによって形成することができる。前記基板３１０のエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングを通して行うことができる。前記ウェットエッチングは、硫酸とリン酸が混合されたウェットエッチング溶液を用いて行うことができ、前記ドライエッチングは、ＩＣＰ装置を用いたＩＣＰエッチングを通して行うことができる。

前記フォトレジストパターン（図示せず）のオープン領域の形状に応じて、前記逆ＰＳＳパターン３１４の形状を決定することができる。すなわち、前記フォトレジストパターン（図示せず）のオープン領域の形状が円状である場合、前記逆ＰＳＳパターン３１４は、半球状または円錐状の溝が複数備えられた形態で備えることができ、前記フォトレジストパターン（図示せず）のオープン領域の形状が三角形を含む多角形状である場合、前記逆ＰＳＳパターン３１４は、三角錐を含む多角錐状の溝が複数備えられた形態で備えることができる。

図２９を参照すると、続いて、前記複数の半導体層上に保護層３７２を形成する。前記保護層３７２は、後で説明するグラインディング処理またはリン酸または硫リン酸処理で前記複数の半導体層を保護する。前記保護層３７２は、フォトレジストなどの合成樹脂からなり、シリコン酸化物またはシリコン窒化物などの絶縁物質からなり得る。

続いて、前記基板３１０の他方の表面をグラインダーでグラインディング処理する。

このとき、前記基板３１０は、前記グラインディング処理で一定厚さに削り取る。すなわち、前記基板３１０は、図２８に示した基板３１０に比べてその厚さが減少する。例えば、図２８に示した前記基板３１０が約４５０μｍである場合、前記グラインディング処理後の前記基板３１０の厚さは３００μｍ以下、望ましくは２００μｍにすることができる。図２８を参照して説明した基板３１０は、前記基板３１０の一方の表面上に複数の半導体層を形成するにおいて発生する熱衝撃または前記複数の半導体層の形成による応力などの変形力に耐えられなければならないので、その厚さが厚いことが望ましい。しかし、前記発光素子３００に備えられた基板３１０は、光が進行するためには相対的にその厚さが薄いことが望ましい。これが、前記基板３１０の厚さを減少させる理由である。

続いて、前記グラインディング処理した前記基板３１０の他方の表面を、リン酸を含む溶液でリン酸処理したり、または硫リン酸を含む溶液で硫リン酸処理したりすることによって、図２９に示したように、前記基板３１０が他方の表面にグラインディングテクスチャ３１２を形成する。そのため、前記グラインディングテクスチャ３１２は、前記基板３１０の他方の表面をグラインディングした後、リン酸または硫リン酸でリン酸または硫リン酸処理して形成された表面の形状を意味する。

このとき、前記グラインディングテクスチャ３１２の表面粗さは、前記グラインディング処理とリン酸または硫リン酸処理のための条件を適宜調節することによって調節することができる。

すなわち、前記グラインディング処理された基板３１０の他方の表面には、図３５に示したように不規則な凹凸が形成される。このとき、前記グラインダーの刃またはパッドの粗さを調節したり、前記グラインディング処理時間を調節したりすることによって、前記グラインディング処理された基板３１０の表面粗さを調節することができる。また、前記グラインディング処理された基板３１０をリン酸または硫リン酸処理するにおいて、処理時間を調節することによって表面粗さを調節することができる。例えば、粗さが大きいグラインダーパッドを使用し、リン酸または硫リン酸処理時間を短くする場合は、表面粗さの大きいグラインディングテクスチャ３１２が形成される。これと異なり、前記グラインダーパッドの粗さが小さく、前記リン酸または硫リン酸処理時間が長い場合は、相対的に表面粗さの小さいグラインディングテクスチャ３１２が形成される。

図３０を参照すると、続いて、前記基板３１０の他方の表面上にフォトレジストパターン１７４を形成する。

前記フォトレジストパターン３７４は、前記基板３１０の他方の表面の一定領域を露出させるオープン領域３７４ａを複数備えることができる。前記フォトレジストパターン３７４は、ハードマスク（図示せず）に変更することができる。すなわち、前記基板３１０の他方の表面上には、シリコン酸化膜、窒化膜、金属膜などを含んで構成されたハードマスク（図示せず）を形成することができる。

続いて、前記フォトレジストパターン３７４またはハードマスク（図示せず）を用いて、前記基板３１０の他方の表面に分離溝３７６を複数形成する。このとき、前記フォトレジストパターン３７４は、フォトレジストを用いて形成することができる。

前記各分離溝３７６は、後で前記基板３１０を分離する領域を定義する役割をするので、後で説明する各発光構造体３２０間の領域に対応するように位置することが望ましい。

このとき、前記各分離溝３７６は、その側壁が傾斜した形態で備えられることが望ましい。これは、前記分離溝３７６の各側壁が前記基板３１０を分離した後、面取りしたコーナー３１８を形成するためである。

前記各分離溝３７６は、ウェットエッチングまたはドライエッチングで形成することができ、前記ウェットエッチングは、リン酸または硫リン酸を含むエッチング溶液を用いて行うことができ、前記ドライエッチングはＩＣＰ装置を用いて行うことができる。

図３１を参照すると、前記基板３１０の一方の表面上に備えられた前記保護層３７２を除去し、前記複数の半導体層をエッチングすることによって発光構造体３２０を形成することができる。

このとき、前記複数の半導体層をエッチングする工程は、二つの工程、すなわち、前記複数の半導体層をエッチングして複数の発光構造体３２０に分離する分離エッチングと、前記第１の導電型半導体層を露出させるメサエッチングとを含むことができる。

前記分離エッチングは、前記複数の半導体層を全てエッチングして複数の発光構造体３２０に分離させるエッチングを意味する。そして、前記メサエッチングは、前記第１の導電型半導体層３２２が露出するように前記第２の導電型半導体層３２６と活性層３２４の一部をエッチングすることを意味する。このとき、前記分離エッチングとメサエッチングは、前記分離エッチングを先に実施し、その後で前記メサエッチングを実施してもよく、前記メサエッチングを先に実施し、その後で前記分離エッチングを実施してもよい。

前記各半導体層の前記分離エッチングにおいて、前記分離溝３７６に対応する領域上の前記各半導体層がエッチングされる。

一方、前記透明電極層３２８は、前記分離エッチングとメサエッチングを実施した後、前記第２の導電型半導体層３２６上に形成してもよく、前記分離エッチングとメサエッチングの前に前記第２の導電型半導体層３２６上に先に形成した後、前記分離エッチングとメサエッチング時に前記第２の導電型半導体層３２６と共ににエッチングして形成してもよい。

図３２を参照すると、前記発光構造体３２０を形成するエッチング工程を実施した後、前記発光構造体３２０を保護するためのパッシベーション層３３０を形成する。

前記パッシベーション層３３０は、シリコン窒化物またはシリコン酸化物を含む絶縁物質で形成することができる。

前記パッシベーション層３３０は、前記発光構造体３２０の第１の導電型半導体層３２２と透明電極層３２８のそれぞれの一部領域を露出させる第１の開口部３３２及び第２の開口部３３４を含むことができる。

続いて、前記パッシベーション層３３０上には、前記第１の導電型半導体層３２２と連結される第１のパッド３４２及び第２のパッド３４４を形成する。

前記第１のパッド３４２及び第２のパッド３４４は、前記パッシベーション層３３０上にパッド形成物質を形成した後、これをパターニングすることによって形成することができる。

一方、前記基板３１０の他方の表面上に反射防止層３１６を形成することができる。本実施例では、前記基板３１０の他方の表面上に前記分離溝３７６を形成した後、前記反射防止層３１６を形成する場合を説明しているが、前記反射防止層３１６は、前記グラインディングテクスチャ３１２を形成した後、いつでも形成することができる。すなわち、図２９を参照して説明した前記グラインディングテクスチャ３１２を形成した後、図３３を参照して第１のバンプ３５２及び第２のバンプ３５４を形成する前ならいつでも形成することができる。

このとき、本発明の実施例に係る発光素子の製造方法では、前記基板３１０の他方の表面をリン酸または硫リン酸処理して前記基板３１０の他方の表面にグラインディングテクスチャ３１２を形成した後、前記複数の半導体層をエッチングして発光構造体３２０を形成する場合を説明している。しかし、前記複数の半導体層をエッチングして前記発光構造体３２０を先に形成し、その後で前記基板３１０の他方の表面をリン酸または硫リン酸処理して前記基板３１０の他方の表面にグラインディングテクスチャ３１２を形成する工程を進めることもできる。

図３３を参照すると、前記第１のパッド３４２及び第２のパッド３４４を形成した後、前記第１のパッド３４２及び第２のパッド３４４上にそれぞれ第１のバンプ３５２及び第２のバンプ３５４を形成するバンプ形成工程、及び前記基板３１０を分離する分離工程を実施する。

前記バンプ形成工程を先に実施し、その後で前記分離工程を進めることもでき、前記分離工程を先に実施し、その後で前記バンプ形成工程を進めることもできる。

前記分離溝３７６は、ダイヤモンドホイールまたはレーザーを用いたスクライビング工程を用いて前記基板３１０を分離することができる。

図３４を参照すると、一方の表面に第１の電極３６２及び第２の電極３６４を備えたサブマウント３６０を準備する。

続いて、前記第１のバンプ３５２と第１の電極３６２が対面し、前記第２のバンプ３５４と第２の電極３６４が対面するように前記サブマウント３６０と前記基板３１０をアラインした後、前記第１のバンプ３５２と第１の電極３６２及び前記第２のバンプ３５４と第２の電極３６４をボンディングする。その結果、フリップチップボンディングされた複数の発光素子３００が提供される。

以上では、本発明の多様な実施例について説明したが、本発明は、特定の実施例に限定されるものではない。また、特定の実施例で説明した技術的特徴は、本発明の技術的思想を逸脱しない限り、他の実施例にも同一に適用することができる。

Claims (19)

1. 第１の導電型半導体層と、
   前記第１の導電型半導体層の上にアイランド状に設けられ、活性層と第２の導電型半導体層とを有するメサと、
   前記メサの上で前記第２の導電型半導体層とオーミック接触する反射電極と、
   前記メサを覆う絶縁層と、
   前記第１の導電型半導体層、前記メサ、及び前記反射電極と重ねて配置され、前記第１の導電型半導体層とオーミック接触する第１の領域を含む電流分散層と、
   を有し、
   前記第１の領域は、前記アイランド状の前記メサの外側から前記メサを挟み、相互に離間して配置された第１のコンタクト領域と第２のコンタクト領域とを含み、
   前記絶縁層は、前記反射電極を露出させる第１の開口部と、前記第１のコンタクト領域と前記第２のコンタクト領域とに対応する位置で前記第１の導電型半導体層を露出させる第２の開口部と、を有し、
   前記電流分散層は、前記第１の導電型半導体層の上面の周縁部でオーミック接触し、
   前記第１の開口部は、前記第１のコンタクト領域と前記第２のコンタクト領域との間に設けられている発光ダイオード。
2. 前記絶縁層は、
   前記反射電極の一部を覆う下部絶縁層と、
   前記第１の導電型半導体層を覆う上部絶縁層と、を含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
3. 前記下部絶縁層と前記上部絶縁層とは、二酸化シリコンと窒化シリコンの少なくとも一種を含む、請求項２に記載の発光ダイオード。
4. 前記絶縁層は、
   前記メサと前記電流分散層との間、及び前記反射電極と前記電流分散層との間に配置され、前記電流分散層を前記メサと前記反射電極から絶縁するように配置された下部絶縁層と、
   前記電流分散層を覆い、前記メサの上部に配置される前記電流分散層の第２の領域を露出させる第３の開口部を有する上部絶縁層と、を有する、請求項１に記載の発光ダイオード。
5. 前記下部絶縁層は、二酸化シリコンと窒化シリコンの少なくとも一種を含み、
   前記上部絶縁層は、二酸化シリコンと窒化シリコンの少なくとも一種を含む、請求項４に記載の発光ダイオード。
6. 前記上部絶縁層の前記第３の開口部は、前記下部絶縁層を含み前記メサの側壁に配置される前記電流分散層の第３の領域を露出させ、
   前記下部絶縁層は、前記電流分散層の前記第３の領域と前記メサの側壁との間に配置される、請求項４に記載の発光ダイオード。
7. 前記電流分散層の前記第１の領域は、前記第１の導電型半導体層の周縁部に沿ってオーミック接触する、請求項４に記載の発光ダイオード。
8. 前記上部絶縁層は、前記電流分散層の前記第１の領域と前記第１の導電型半導体層の周縁部を覆う、請求項４に記載の発光ダイオード。
9. 前記下部絶縁層は、前記第１の導電型半導体層の周縁部の一部を覆う、請求項８に記載の発光ダイオード。
10. 前記メサの上に配置され、前記電流分散層の前記第２の領域と前記上部絶縁層の前記第３の開口部を介してオーミック接触するように前記電流分散層の上に配置された第１のパッドをさらに有する、請求項４に記載の発光ダイオード。
11. 前記上部絶縁層は、前記反射電極を露出させる第４の開口部を有し、
    前記下部絶縁層は、前記反射電極を露出させる第５の開口部を有し、
    前記第４の開口部と前記第５の開口部とは面積が異なる、請求項１０に記載の発光ダイオード。
12. 前記下部絶縁層の前記第５の開口部と前記上部絶縁層の前記第４の開口部とを介して露出された前記反射電極の上に配置された第２のパッドと、をさらに有する、請求項１１に記載の発光ダイオード。
13. 前記反射電極は、反射金属を含む、請求項４に記載の発光ダイオード。
14. 前記反射電極は、反射金属層と、前記反射金属層の上部と側面とを覆うバリア層とを有する、請求項１２に記載の発光ダイオード。
15. 前記反射電極は、前記反射金属層の上部と前記バリア層との間に配置された応力緩和層をさらに有する、請求項１４に記載の発光ダイオード。
16. 第１の導電型半導体層と、
    前記第１の導電型半導体層の上にそれぞれアイランド状に設けられ、活性層と第２の導電型半導体層とを有する第１のメサと第２のメサと、
    前記第１のメサと前記第２のメサの上で前記第２の導電型半導体層とそれぞれオーミック接触する反射電極と、
    前記第１のメサと前記第２のメサとをそれぞれ覆う絶縁層と、
    前記第１の導電型半導体層、前記第１のメサ又は前記第２のメサ、及び前記反射電極と重ねて配置され、前記第１の導電型半導体層とオーミック接触する第１の領域を含む電流分散層と、
    前記第１のメサの前記第１の領域を覆い、前記第１の導電型半導体層と電気的に接続される第１のパッドと、
    前記第２のメサの上部に配置される前記電流分散層の第２の領域を覆い、前記第２の導電型半導体層と電気的に接続される第２のパッドと、
    を有し、
    前記第１の領域は、前記アイランド状の前記第１のメサ及び前記第２のメサの外側から前記第１のメサと前記第２のメサとをそれぞれ挟み、相互に離間して配置された第１のコンタクト領域と第２のコンタクト領域とを含み、
    前記絶縁層は、前記反射電極を露出させる第１の開口部と、前記第１のコンタクト領域と前記第２のコンタクト領域とに対応する位置で前記第１の導電型半導体層を露出させる第２の開口部と、を有し、
    前記電流分散層は、前記第１の導電型半導体層の上面の周縁部でオーミック接触し、
    前記第１の開口部は、前記第１のコンタクト領域と前記第２のコンタクト領域との間に設けられている発光ダイオードパッケージ。
17. 前記第１のパッドは、前記第２の開口部を介して前記第１のコンタクト領域と前記第２のコンタクト領域の少なくとも一つで前記電流分散層と接触し、
    前記第２のパッドは、前記第１の開口部を介して前記反射電極と接触する、請求項１６に記載の発光ダイオードパッケージ。
18. 前記第１のパッドは、前記第２の開口部を介して前記電流分散層の前記第１のコンタクト領域と前記第２のコンタクト領域に接触する、請求項１７に記載の発光ダイオードパッケージ。
19. 前記第１のパッドと前記第２のパッドの少なくとも一つは、略矩形の形状を有する、請求項１８に記載の発光ダイオードパッケージ。

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