JP6699161B2 - 立体造形装置、立体造形装置の制御方法及びプログラム - Google Patents
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Description
立体造形システム1は、立体造形装置(以下、造形装置と略記する)11、情報処理端末12及びネットワーク13を備える。
図3は、第1の態様にかかる造形装置のハードウェア構成の一部の一例の側面図である。
図4は、第1の態様にかかる造形装置のハードウェア構成の一部の一例の斜視図である。
図5は、第1の態様にかかる造形装置が動作している状態の一例の説明図である。
NVRAM104は、装置の電源が遮断されている間もデータを保持するためのメモリである。ASIC105は、立体造形データに対する画像処理、その他装置全体を制御するための入出力信号の処理等を行う。外部I/F106は、情報処理端末12から出力される制御信号を受信する。I/O107は、温湿度センサ122等の各種センサの検知信号を取り込む。
制御部100は、キャリッジ61をX方向に移動させるX方向走査機構131を駆動するモータ駆動部110、キャリッジ61をY方向に移動させるY方向走査機構132を駆動するモータ駆動部111及びキャリッジ61をZ方向に移動させるZ方向昇降機構133を駆動するモータ駆動部112を備えている。
図7は、第1の態様にかかる造形装置において粉体の層上に造形液が吐出されている状態の説明図である。
図8においては、造形液55が吐出された部分が固化して造形層36が形成された状態が示されている。
図9においては、供給ユニット22内の粉体27が造形槽31内に供給されている状態が示されている。このとき、造形ステージ32は、造形層36を含む層35の上面から造形槽31の上端部までの長さがtとなるように、矢印Z1方向へ下降する。ここでtは、1つの層35の厚さである。その後、供給ユニット22は粉体27を落下させながら図中右方向へ移動する。ローラ33は造形ステージ32の上端部に当接した状態で造形ステージ32内の粉体27の上面を平坦に均すために回転しながら造形槽31の上面を図中右方向へ移動する。この結果、造形ステージ32の上端部まで粉体27が供給された状態となる。
図10において、ローラ33が造形槽31の上面を図中右端まで移動することにより、造形層36を含む層上に新たな層35がリコートされた状態が示されている。
図11の例では、300×300dpi(約85μm相当)のピッチで二次元画像データを作成し、当該データに基づいて粉体27に造形液55の液滴29を吐出して着弾させたときの浸透状態を示している。1滴の液滴29の量は1層の層35の厚さt(例えば100μm)にちょうど浸透する量であることが好ましい。この液滴29の量は実験的に求めることが可能である。例えば、ガラス基板上に100μmの厚さで敷き詰めた粉体27上に液滴29を滴下する。このとき、滴下された面とは反対側の面をカメラで観察することにより、液滴29対応する造形液55が100μmの厚さに浸透したか否かを判断することができる。このような実験を、液滴29の量を変化させて繰り返すことにより、100μmの厚さにちょうど浸透する液滴29の量を求めることができる。
図12に示す第2の態様と図2〜図5に示す第1の態様とでは、粉体27を造形槽93に供給する機構が異なっている。第2の態様にかかる構成は、貯留・供給ユニット91を備えている。
造形槽93は、供給槽92から搬送された粉体27を貯留し、内部で立体造形物が形成される部材である。
余剰受け槽94は、供給槽92及び造形槽93からこぼれた余剰の粉体27を受ける部材である。
情報処理端末12は、CPU201、ROM202、RAM203、入力デバイス204、出力デバイス205、通信I/F206、及びバス207を備えている。CPU201は、ROM202に記憶された制御プログラムに従ってRAM203をワーキングエリアとして所定の演算処理を行う。入力デバイス204は、外部から情報を入力するためのデバイスであり、例えばキーボード、マウス、タッチパネル等である。出力デバイス205は、内部で生成した情報を外部に出力するためのデバイスであり、例えばディスプレイ等である。通信I/F206は、ネットワーク13を介して造形装置11等との間で信号の送受信を可能にするデバイスである。
造形装置11は、貯留部501、供給部502、及び吐出部503を備えている。情報処理端末12は、生成部511、補正部512、及び記憶部513を備えている。
情報処理端末12は目的とする立体造形物の造形データ510を読み込み(S101)、使用する粉体27に適合する粉体情報521を抽出する(S102)。情報処理端末12は粉体情報521に基づいて、造形液55の吐出後における層35の縮小量を補うように造形データ510を補正する(S103)。
理想的には、貯留部501内の粉体27に造形液55が滴下されることで、造形物の厚さが所定の厚さt=100μmとなるのが理想的である。そしてこのような造形が、例えば、10回繰り返されることで、1000μmの厚さをもつ造形物が形成されることになる。
しかしながら、実際にはこのようにはならないことが一般的である。
以下、実際の造形状態について説明する。
第1の状態601は、リコートされた粉体27の第1層目の層35Aの厚さが100μmであることを示している。以下、同様に図16の例では、1回のリコート時に積層される粉体27の層の厚さの設計値tを100μmとしている。
したがって、このフリーな状態の粉体27に造形液55を滴下すると、液架橋力により、平面方向にも粉体27が凝集し、図16に示すように、隙間が生じることとなる。
図16においては、模式的に左右方向に隙間ができている状態を示していたが、図16における状態を平面視すると、Z軸に垂直な方向でランダムに隙間が生じ、図17に示すように、網目状(あるいは斑模様状)に粉体27が凝集しているのがわかる。
すなわち、第3の状態603は、第2の状態602の層35A上に粉体27の第2層目の層35Bをリコートした状態である。このリコート時において、第1の浸透部651Aにおいては、厚さの縮小分33.3μmについても粉体27が補われることにより、第1層目の層35A及び第2層目の層35Bの合計の厚さは200μmとなる。
図18は、粉体27としてステンレス粉末を用いた場合のものである。
粉体27としては、ステンレス粉末(山陽特殊製鋼社製ガスアトマイズ粉PSS316L−20μmグレード)に有機材料のバインダ(アセトアセチル基変性ポリビニルアルコール(日本合成化学工業株式会社製、ゴーセネックスZ−100))をコーティングした粉末を用いた。
また、図18において、第1の漸近線701は階層数と浸透部651A〜651Nの厚さとの関係を示し、第2の漸近線702は階層数とリコート時に実際に増加する層35A〜35Nの厚さとの関係を示している。
図19において、mは、総積層数を示し、本例では10層である。tは、リコート時に増加させる1層の厚さの設計値(1層厚)を示し、本例では100μmである。設計厚mtは、目的とする立体造形物全体の設計上の厚さを示し、本例では10×100=1000μmである。tiは、厚さtの層に造形液55を吐出した後の厚さ(実際の厚さ)を示し、本例では66.6μmである。kは、造形液55の浸透による層の収縮率を示し、本例ではti/t=0.666である。nは、階層数を示す。tnは、各階層における浸透部651A〜651Nの厚さの近似値である。trは、立体造形物全体の実際の厚さを示し、式(2)により算出される値である。trの第二項は、各階層における式(2)の第二項の値を示す。trの第一項は、式(2)の第一項の値を示し、本例では5500である。trの第二項の和は、式(2)の第二項の和の値を示し、本例では4074である。
図21は、第1層目の造形前に粉体が設置されている場合の説明図(その2)である。
図20に示すように、第1の状態801は、第1層目に対応する造形液55を滴下する前に、造形物一層の厚さtnよりも十分厚い第1の層35Aが積層されている状態を示している。例えば、本実施形態の場合、第1の層35Aは、およそ300μmとしている。
上述したように、造形物の初期層(図20の例の場合、第1層目〜第4層目)、特に第1層目は、造形液55が浸透しておらず、粉体27を構成している粉末同士の摩擦が少ないために、液架橋力によって粉末同士が容易に移動するため造形品質が安定しない。
この場合において、第1層目の層35Aを構成している粉体27は、造形液55が一切塗布されていないために、粉末同士の摩擦が比較的小さく、フリーな状態となっている。
さらに、第2層目以降の粉体27は、下層(例えば、第2層の場合、第1層)の造形液55の影響をうけ、平面方向の粉末の移動に対する摩擦が大きくなるため、重力の影響を受ける積層方向(鉛直方向)への粉末移動が支配的になる。
第3の状態803においては、リコートされた粉体27の第2層目の層35Bの厚さが100μmであることを示している。
この第5の状態805においても、リコートされた粉体27の第3層目の層35Cの厚さが100μmであることを示している。このリコート時において、第2の浸透部651Bにおいては、厚さの縮小分33.3μmについても粉体27が補われることにより、第2層目の層35B及び第3層目の層35Cの合計の厚さは200μmとなる。
この第7の状態807においても、リコートされた粉体27の第4層目の層35Dの厚さが100μmであることを示している。このリコート時において、第3の浸透部651Cにおいては、厚さの縮小分44.5μmについても粉体27が補われることにより、第2層目の層35B乃至第4層目の層35Dの合計の厚さは300μmとなる。
この第9の状態809においても、リコートされた粉体27の第5層目の層35Eの厚さが100μmであることを示している。このリコート時において、第4の浸透部651Dにおいては、厚さの縮小分48.1μmについても粉体27が補われることにより、第2層目の層35B乃至第5層目の層35Eの合計の厚さは400μmとなる。
この第11の状態811においても、リコートされた粉体27の第6層目の層35Fの厚さが100μmであることを示している。このリコート時において、第5の浸透部651Eにおいては、厚さの縮小分49.8μmについても粉体27が補われることにより、第2層目の層35B乃至第6層目の層35Fの合計の厚さは500μmとなる。
この第7層目の層35Gは、本実施形態において、特別な役割を持つ層である。
このため、犠牲層分の厚さを設計データの補正値として、造形開始前にデータに反映する。
この第14の状態814においても、リコートされた粉体27の第8層目の層35Hの厚さが100μmであることを示している。このリコート時においては、第2層目の層35B乃至第8層目の層35Hの合計の厚さは700μmとなる。
この結果、第8層目の層35Hに形成された浸透部651Gの厚さは設計厚さtにほぼ等しくなっている。第9層目の層以降も同様である。
図22(A)に示すように、積層体TDは、犠牲層として形成された犠牲体SAと、立体造形物MDと、が積層された状態で形成されている。
そして、例えば、図22(b)に示すように、分離層として形成された第7層目の層35Gにより、第6層目と第7層目との境界で、犠牲体SAと立体造形物MDとに分離される。
図22(B)の例の場合、1層(本実施形態の場合、100μm)分だけ造形物が厚くなるので、あらかじめ設計データを、犠牲層の厚さ分だけ補正して造形を行うとともに、1層分(本実施形態の場合、100μm)薄く設定して造形を行うようにすればよい。
図23は、粉体としてジルコニア粉末を用いた場合の説明図である。
図23においては、階層数と浸透部651A〜651Nの厚さとの関係及び階層数とリコート時に実際に増加する層35A〜35Nの厚さとの関係が表されている。
また、図24は、粉体としてジルコニア粉末を用いた場合における粉体情報の一例の説明図である。
図24の例の場合には、差分180μmを設計厚mt:1500μmに加算するように、造形データ510が補正される。
すなわち、収縮率k=0.357となる。
以上のように、本実施形態によれば、粉体を構成している粉末の収縮率をあらかじめ把握しておき、プログラムに組み込むなどすることで、狙いの厚さの犠牲層を得ることができる。
以上の説明においては、理解の容易のため、犠牲層の厚さを立体造形物層と同じ厚さとしていたが、犠牲層の各層の厚さを薄く設定して積層し1層当たりの厚さが所定の厚さとなるまで積層を行うようにすれば、同様の効果を得ることが可能となる。さらに犠牲層を形成するための粉体及び造形液の消費量を抑制することが可能となる。
11 立体造形装置(造形装置)
12 情報処理端末
13 ネットワーク
21 貯留ユニット
22 供給ユニット
23 造形液貯蔵ユニット
24 吐出ユニット
25 メンテナンスユニット
27 粉体
31、93 造形槽
32、96 造形ステージ
33、97 ローラ
35、35A、35B、35C、35N 層
36 造形層
41 収容器
42 シャッタ
43 開口
51 タンク装着部材
52 タンク
55 造形液
61 キャリッジ
62 吐出ヘッド
64 ノズル
71 第1のレール
72 側板
73 スライダ
74 第2のレール
81 キャップ
82 ワイパ
91 貯留・供給ユニット
92 供給槽
94 余剰受け槽
95 供給ステージ
100 制御部
100A 主制御部
101、201 CPU
102、202 ROM
103、203 RAM
104 NVRAM
105 ASIC
106 外部I/F
107 I/O
108 ヘッド駆動制御部
110〜116 モータ駆動部
117 メンテナンス駆動部
118 供給駆動部
131 X方向走査機構
132 Y方向走査機構
133 Z方向昇降機構
134〜136 モータ
204 入力デバイス
205 出力デバイス
206 通信I/F
207 バス
501 貯留部
502 供給部
503 吐出部
510 造形データ
511 生成部(制御部)
512 補正部
513 記憶部
521、521A、521B 粉体情報
651A、651B、651C、651N 浸透部
701 第1の漸近線
702 第2の漸近線
MD 立体造形物(造形物層)
SA 犠牲体(犠牲層)
Claims (8)
- 粉体を貯留する貯留部と、
前記粉体を前記貯留部に層状に供給する供給部と、
前記粉体を固化させる造形液を前記粉体に吐出する吐出部と、
立体造形物の形状を示す造形データに基づいて、前記供給部及び前記吐出部を制御するための制御信号を生成する制御部と、を備えた立体造形装置であって、
前記制御部は、前記立体造形物に対応する造形物層の積層に先立って、前記造形液の吐出後における一層の厚さが所定の厚さとなるまでの層を、前記造形物層と分離可能な犠牲層として積層するための前記制御信号を生成する、
立体造形装置。 - 前記制御部は、前記犠牲層と一体となって前記造形物層と分離される分離層、あるいは、前記造形物層と一体となって前記犠牲層と分離される分離層を前記犠牲層と前記造形物層との間に積層するための前記制御信号を生成する、
請求項1記載の立体造形装置。 - 前記制御部は、前記分離層を積層するに際し、前記吐出部における前記造形液の吐出を禁止する、
請求項2記載の立体造形装置。 - 前記制御部は、前記犠牲層の積層に先立って、前記貯留部に前記分離層の1層分に相当する厚さよりも十分に厚い厚さの前記粉体を前記供給部により供給するための前記制御信号を生成する、
請求項2又は請求項3記載の立体造形装置。 - 前記造形データは、前記立体造形物の設計上の厚さを含み、
前記制御部は、前記造形液の浸透により縮小される前記立体造形物の実際の厚さを算出し、前記設計上の厚さと前記実際の厚さとの差分を前記設計上の厚さに加算する、
請求項1乃至請求項3のいずれか一項記載の立体造形装置。 - 粉体を貯留する貯留部と、前記粉体を前記貯留部に層状に供給する供給部と、前記粉体を固化させる造形液を前記粉体に吐出する吐出部とを備える立体造形装置を制御する制御方法であって、
前記造形液の吐出後における一層の厚さが所定の厚さとなるまでの層を、立体造形物に対応する造形物層と分離可能な犠牲層として前記造形物層の下層となる位置に積層する工程と、
前記犠牲層と一体となって前記造形物層と分離される分離層、あるいは、前記造形物層と一体となって前記犠牲層と分離される分離層を前記犠牲層上に積層する工程と、
前記分離層上に前記造形物層を形成する工程と、
を備えた制御方法。 - 粉体を貯留する貯留部と、前記粉体を前記貯留部に層状に供給する供給部と、前記粉体を固化させる造形液を前記粉体に吐出する吐出部とを備える立体造形装置をコンピュータにより制御するためのプログラムであって、
前記コンピュータを、
前記造形液の吐出後における一層の厚さが所定の厚さとなるまでの層を、立体造形物に対応する造形物層と分離可能な犠牲層として前記造形物層の下層となる位置に積層させる手段と、
前記犠牲層と一体となって前記造形物層と分離される分離層、あるいは、前記造形物層と一体となって前記犠牲層と分離される分離層を前記犠牲層上に積層させる手段と、
前記分離層上に前記造形物層を形成させる手段と、
して機能させるプログラム。
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