JP6500891B2 - 高分子化合物およびそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物およびそれを用いた発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が低いことから、ディスプレイの用途に好適に使用することが可能であり、近年注目されている。発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層を備える。高分子化合物を用いることで、インクジェット印刷法に代表される塗布法により有機層を形成することができるため、発光素子の製造に用いる高分子化合物が検討されている。
フルオレンは、発光素子の有機層に用いる材料の骨格として有用であり、フルオレンから誘導された構成単位を含む高分子化合物は、発光素子の発光層および正孔輸送層に用いる材料として特に有用であることが知られている。例えば、特許文献１には、アリールアミンから誘導された構成単位と、ベンゾシクロブタン構造を有するフルオレンから誘導された下記式（００１）で表される構成単位とを含む高分子化合物を、発光素子の正孔輸送層に用いることが記載されている。ベンゾシクロブタンは架橋基として機能する。特許文献２には、アリールアミンから誘導された構成単位と、スチレン構造を有するフルオレンから誘導された下記式（００２）で表される構成単位とを含む高分子化合物を、発光素子の正孔輸送層に用いることが記載されている。スチレンは架橋基として機能する。そのため、塗布法により高分子化合物を成膜後、加熱等によりベンゾシクロブタンまたはスチレンを架橋させることにより、溶媒に対して実質的に不溶な正孔輸送層を形成することが可能である。そして、該正孔輸送層には、発光層等を塗布法により積層することが可能である。

特開２００８−１０６２４１号公報 特表２００７−５２８９１６号公報

しかしながら、上記のフルオレンから誘導された構成単位を含む高分子化合物を用いて製造される発光素子は、その発光効率が必ずしも十分ではなかった。
そこで、本発明は、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することを目的とする。本発明はまた、該高分子化合物を含有する組成物、および、該高分子化合物を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。本発明は更に、該高分子化合物の製造に有用な化合物を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［１１］を提供する。
［１］ 下記式（１）で表される基を有する構成単位を含む高分子化合物。

［式中、
環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。
ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎＢは１〜５の整数を表す。
Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂは、それぞれ独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｑ^１は、下記架橋基Ａ’群から選ばれる架橋基を表す。］
（架橋基Ａ’群）

［式中、
Ｒ^ＸＬは、メチレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、ｎ^ＸＬは、０〜５の整数を表す。Ｒ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
＊は結合位置を表す。
これらの架橋基は置換基を有していてもよい。］
［２］ 前記式（１）で表される基を有する構成単位が、下記式（２）で表される構成単位である、［１］に記載の高分子化合物。

［式中、
Ａｒ^１は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎは１〜４の整数を表す。
Ｑ^２は、前記式（１）で表される基を表す。Ｑ^２が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［３］ 更に、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含む、［１］または［２］に記載の高分子化合物。

［式中、
ａ^１およびａ^２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［４］ 更に、下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の高分子化合物。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［５］ 前記の環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａが、置換基を有していてもよいベンゼン環である、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の高分子化合物。
［６］ 前記Ａｒ^１が、置換基を有していてもよいベンゼン環、置換基を有していてもよいフルオレン環、置換基を有していてもよいナフタレン環、置換基を有していてもよいフェナントレン環、または、置換基を有していてもよいジヒドロフェナントレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（２＋ｎ）個を除いた基である、［２］〜［５］のいずれか一項に記載の高分子化合物。
［７］ 前記式（Ｙ）で表される構成単位が、下記式（Ｙ−１）で表される構成単位または下記式（Ｙ−２）で表される構成単位である、［４］〜［６］のいずれか一項に記載の高分子化合物。

［式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−または−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
［８］ 前記式（２）で表される構成単位の含有量が、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、３〜９０モル％である、［２］〜［７］のいずれか一項に記載の高分子化合物。
［９］ 下記式（２Ｍ）で表される化合物。

［式中、
環Ｒ^１Ａ、環Ｒ^２Ａ、ｎＡ、ｎＢ、Ｌ^Ａ、Ｌ^ＢおよびＱ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ａｒ^１は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎは１〜４の整数を表す。
Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ独立に、下記の置換基Ａ群または置換基Ｂ群から選ばれる基を表す。］
＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ_３Ｑ’（式中、Ｑ’は、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子またはセシウム原子を表す。）で表される基；
−ＭｇＹ’（式中、Ｙ’は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ’’（式中、Ｙ’’は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基；および、
−Ｓｎ（Ｒ^Ｃ３）_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。
［１０］ ［１］〜［８］のいずれか一項に記載の高分子化合物と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
［１１］ ［１］〜［８］のいずれか一項に記載の高分子化合物を用いて得られる発光素子。

本発明によれば、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することができる。また、本発明によれば、該高分子化合物を含有する組成物、および、該高分子化合物を用いて得られる発光素子を提供することができる。更に、本発明によれば、該高分子化合物の製造に有用な化合物を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３〜１×１０^８である重合体を意味する。
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシル−デシル基、ドデシル基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。
「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。］
「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、架橋基Ａ群の式（ＸＬ−１）〜（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。
（架橋基Ａ群）

［式中、
Ｒ^ＸＬは、メチレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、ｎ^ＸＬは、０〜５の整数を表す。Ｒ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
＊は結合位置を表す。
これらの架橋基は置換基を有していてもよい。］
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
＜高分子化合物＞
［式（１）で表される基］
本発明の高分子化合物は、式（１）で表される基を有する構成単位を含む。
環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａは、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環である。
環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａで表される芳香族炭化水素環としては、好ましくは６員環の芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環またはフルオレン環であり、更に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａで表される複素環としては、好ましくは５員環または６員環の芳香族複素環であり、より好ましくはチオフェン環、フラン環、ピロール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、ピリジン環またはピリミジン環であり、更に好ましくはチオフェン環、カルバゾール環またはピリジン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａで表される環が有していてもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基である。
環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａは、本発明の高分子化合物の製造が容易になるので、好ましくは同一の環である。
式（１）で表される基を有する構成単位の含有量は、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、３〜９０モル％であることが好ましく、３〜７０モル％であることがより好ましく、３〜５０モル％であることが更に好ましい。
環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａは、特に好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環である。
ｎＡは、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０または１であり、更に好ましくは０である。
ｎＢは、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１または２であり、更に好ましくは１である。
Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂは、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくはアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基または２価の複素環基であり、より好ましくはアルキレン基またはアリーレン基であり、更に好ましくはアルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂで表されるアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜１０であり、好ましくは１〜８であり、より好ましくは１〜６である。Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂで表されるシクロアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜１０である。
アルキレン基およびシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。
Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂで表されるアリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基が挙げられる。
Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂで表される基が有していてもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基である。
Ｌ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよいが、本発明の高分子化合物の製造が容易になるので、好ましくは同一の基または原子である。
Ｌ^Ｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよいが、本発明の高分子化合物の製造が容易になるので、好ましくは同一の基または原子である。
Ｌ^Ａが複数存在する場合、２個以上のＬ^Ａが−ＮＲ’−で表される基であってもよいが、−ＮＲ’−で表される基は隣り合わないことが好ましい。
Ｌ^Ｂが複数存在する場合、２個以上のＬ^Ｂが−ＮＲ’−で表される基であってもよいが、−ＮＲ’−で表される基は隣り合わないことが好ましい。
Ｌ^Ａが複数存在する場合、２個以上のＬ^Ａが酸素原子または硫黄原子であってもよいが、これらの原子は隣り合わないことが好ましい。
Ｌ^Ｂが複数存在する場合、２個以上のＬ^Ｂが酸素原子または硫黄原子であってもよいが、これらの原子は隣り合わないことが好ましい。
Ｑ^１は、通常、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基であり、本発明の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは架橋基Ａ’群から選ばれる架橋基であり、より好ましくは式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−５）、式（ＸＬ−７）、式（ＸＬ−１６）または式（ＸＬ−１７）で表される架橋基であり、更に好ましくは式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−５）、式（ＸＬ−７）または式（ＸＬ−１７）で表される架橋基であり、特に好ましくは式（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。
式（１）で表される基としては、例えば、式（１−１）〜式（１−２２）で表される基が挙げられ、好ましくは、式（１−１）〜式（１−１４）または式（１−１９）〜式（１−２１）で表される構成単位であり、より好ましくは、式（１−１）〜式（１−６）、式（１−１９）または式（１−２０）で表される基である。

［式中、＊は結合位置を表す。］
式（１）で表される基を有する構成単位は、後述する式（２）で表される構成単位であることが好ましいが、下記式で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｑ^２は、前記式（１）で表される基を表す。Ａｒは前記式Ａｒ^Ｘ１と同じ意味を表し、Ｒは前記と同じ意味を表す。］
式（１）で表される基を有する構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
［式（２）で表される構成単位］
式（１）で表される基を有する構成単位は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、式（２）で表される構成単位であることが好ましい。
Ａｒ^１は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
Ａｒ^１で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^１で表される芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）または式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、または式（Ａ−９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^１で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^１で表される複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。
Ａｒ^１は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率が優れるので、好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環、置換基を有していてもよいフルオレン環、置換基を有していてもよいナフタレン環、置換基を有していてもよいフェナントレン環、または、置換基を有していてもよいジヒドロフェナントレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（２＋ｎ）個を除いた基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環、置換基を有していてもよいフルオレン環、置換基を有していてもよいナフタレン環、置換基を有していてもよいフェナントレン環、または、置換基を有していてもよいジヒドロフェナントレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（２＋ｎ）個を除いた基であり、更に好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（２＋ｎ）個を除いた基である。
Ａｒ^１で表される芳香族炭化水素基および複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基およびシアノ基が挙げられる。
ｎは、本発明の高分子化合物の合成が容易になるので、かつ、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは１または２である。
Ｑ^２は、前記式（１）で表される基を表す。Ｑ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよいが、本発明の高分子化合物の製造が容易になるので、好ましくは同一の基である。
式（２）で表される構成単位の含有量は、本発明の高分子化合物の安定性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、好ましくは３〜９０モル％であり、より好ましくは３〜７０モル％であり、更に好ましくは３〜５０モル％である。
式（２）で表される構成単位としては、例えば、式（２−１）〜式（２−２０）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（２−１）〜式（２−９）または式（２−１３）〜式（２−１８）で表される構成単位であり、より好ましくは、式（２−１）〜式（２−３）または式（２−１３）〜式（２−１７）で表される構成単位であり、更に好ましくは、式（２−１）または式（２−１３）〜式（２−１７）で表される構成単位である。

［式中、Ｑ^２は前記と同じ意味を表す。］
式（２）で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
［その他の構成単位］
本発明の高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。
ａ^Ｘ１は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは０〜２の整数（２以下）であり、より好ましくは１である。
ａ^Ｘ２は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは０〜２の整数（２以下）であり、より好ましくは０である。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）または式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基は、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）または式（ＡＡ−７）〜式（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^ＸＸは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−３）〜（Ｘ−７）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）〜（Ｘ−６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
式（Ｘ）で表される構成単位の含有量は、正孔輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、好ましくは０．１〜９０モル％であり、より好ましくは１〜７０モル％であり、更に好ましくは５〜５０モル％である。
式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）〜（Ｘ１−１９）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−６）〜（Ｘ１−１４）で表される構成単位である。

本発明の高分子化合物において、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
本発明の高分子化合物は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、更に、式（Ｙ）で表される構成単位を含むことが好ましい。
本発明の高分子化合物は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより優れるので、更に、式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位を含むことが好ましい。
Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）、式（Ａ−１３）または式（Ａ−１９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基は、より好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１３）、式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）または式（ＡＡ−２０）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１８）または式（ＡＡ−２０）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｘ）のＡｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）〜（Ｙ−７）で表される構成単位が挙げられ、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）または（Ｙ−２）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−３）または（Ｙ−４）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−５）〜（Ｙ−７）で表される構成単位である。
Ｒ^Ｙ１は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（Ｙ−１）で表される構成単位は、好ましくは、式（Ｙ−１’）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^Ｙ１１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ２は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基もしくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）〜（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基は、好ましくは式（Ｙ−Ｂ１）〜（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。］
式（Ｙ−２）で表される構成単位は、式（Ｙ−２’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１およびＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１１）〜（Ｙ−５５）で表される構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位の含有量は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、好ましくは０．５〜８０モル％であり、より好ましくは３０〜６０モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位の含有量は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、好ましくは０．５〜３０モル％であり、より好ましくは３〜４０モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
本発明の高分子化合物は、架橋性が優れるので、更に、式（３）で表される構成単位および式（３’）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましい。
［式（３）で表される構成単位］

［式中、
ｎＣは０〜５の整数を表し、ｐは１または２の整数を表す。
Ａｒ^２は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^Ｃは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｃが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｑ^３は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｑ^３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
ｎＣは、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。
ｐは、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは１または２であり、より好ましくは２である。
Ａｒ^２は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
Ａｒ^２で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^２で表される芳香族炭化水素基のｐ個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）または式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^２で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^２で表される複素環基のｐ個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。
Ａｒ^２で表される芳香族炭化水素基および複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基およびシアノ基が挙げられる。
Ｌ^Ｃで表されるアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜１０であり、好ましくは１〜５であり、より好ましくは１〜３である。Ｌ^Ｃで表されるシクロアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜１０である。
アルキレン基およびシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。
Ｌ^Ｃで表されるアルキレン基およびシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基およびシクロアルキレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子およびシアノ基が挙げられる。
Ｌ^Ｃで表されるアリーレン基は、置換基を有していてもよい。アリーレン基としては、ｏ−フェニレン、ｍ−フェニレン、ｐ−フェニレンが挙げられる。アリール基が有してもよい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、シアノ基および架橋基Ａ群から選ばれる架橋基が挙げられる。
Ｌ^Ｃは、本発明の高分子化合物の製造が容易になるため、好ましくはフェニレン基またはアルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ^３で表される架橋基としては、本発明の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式（ＸＬ−１）、（ＸＬ−３）、（ＸＬ−５）または（ＸＬ−７）で表される架橋基であり、より好ましくは式（ＸＬ−１）で表される架橋基である。
式（３）で表される構成単位の含有量は、本発明の高分子化合物の安定性および架橋性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは３〜２０モル％である。

［式中、
ｍＣは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｍ’は０または１を表す。ｍＣが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^４は、芳香族炭化水素基、複素環基、または、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^３およびＡｒ^５は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^３、Ａｒ^４およびＡｒ^５はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接または酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
Ｋ^Ｃは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｋ^Ｃが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｑ^４は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、少なくとも１つのＱ^４は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
ｍＣは、本発明の発光素子の発光効率がより優れるため、０または１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
ｍは、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、２であることが好ましい。
ｍ’は、本発明の高分子化合物の合成が容易となり、かつ、本発明の発光素子の発光効率がより優れるため、０であることが好ましい。
Ａｒ^４は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
Ａｒ^４で表される芳香族炭化水素基のｍ個の置換基を除いたアリーレン基部分の定義や例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表されるアリーレン基の定義や例と同じである。
Ａｒ^４で表される複素環基のｍ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の定義や例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表される２価の複素環基部分の定義や例と同じである。
Ａｒ^５で表される少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基のｍ個の置換基を除いた２価の基の定義や例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義や例と同じである。
Ａｒ^３およびＡｒ^５は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、アリーレン基であることが好ましい。
Ａｒ^３およびＡｒ^５で表されるアリーレン基の定義や例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基の定義や例と同じである。
Ａｒ^３およびＡｒ^５で表される２価の複素環基の定義や例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基の定義や例と同じである。
Ａｒ^３、Ａｒ^４およびＡｒ^５で表される基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基およびシアノ基が挙げられる。
Ｋ^Ｃで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｌ^Ｃで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義や例と同じである。
Ｋ^Ｃは、本発明の高分子化合物の合成が容易となるため、フェニレン基またはメチレン基であることが好ましい。
Ｑ^４で表される架橋基としては、本発明の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−５）、式（ＸＬ−７）、式（ＸＬ−１６）または式（ＸＬ−１７）で表される架橋基であり、より好ましくは式（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。
式（３’）で表される構成単位の含有量は、本発明の高分子化合物の安定性および架橋性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、０．５〜５０モル％であることが好ましく、３〜３０モル％であることがより好ましく、３〜２０モル％であることが更に好ましい。
式（３）で表される構成単位および式（３’）で表される構成単位は、それぞれ、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
式（３）で表される構成単位としては、例えば、式（３−１）〜式（３−２０）で表される構成単位が挙げられ、式（３’）で表される構成単位としては、例えば、式（３’−１）〜式（３’−１３）で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、本発明の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは、式（３−１）〜式（３−７）、式（３−１１）、式（３−１２）または式（３−１５）〜式（３−２０）で表される構成単位であり、より好ましくは、式（３−１）〜式（３−４）、式（３−７）、式（３−１１）、式（３−１２）、式（３−１５）または式（３−１７）で表される構成単位であり、更に好ましくは、式（３−１）〜式（３−４）、式（３−１１）または式（３−１５）で表される構成単位である。

本発明の高分子化合物としては、例えば、表４に示す高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−１０が挙げられる。ここで、「その他の構成単位」とは、式（２）、式（Ｘ）、式（Ｙ）、式（３）および式（３’）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕおよびｖは、各構成単位のモル比率を表す。ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１００であり、かつ、７０≦ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｖ≦１００である。］
高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−１０における、式（２）、式（Ｘ）、式（Ｙ）、式（３）および式（３’）で表される構成単位の例および好ましい範囲は、上述のとおりである。
本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
本発明の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
＜高分子化合物の製造方法＞
次に、本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子化合物は、例えば、式（２Ｍ）で表される化合物を縮合重合させることにより、あるいは、式（２Ｍ）で表される化合物と、式（Ｍ−１）で表される化合物および／または式（Ｍ−２）で表される化合物と、他の化合物（例えば、式（Ｍ−３）および／または式（３’）で表される化合物）を縮合重合させることにより製造することができる。本明細書において、本発明の高分子化合物の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。

［式中、
ａ^Ｘ１、ａ^Ｘ２、Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４、Ｒ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３、Ａｒ^Ｙ１、ｎＣ、ｐ、Ｌ^Ｃ、Ｑ^３、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ｋ^Ｃ、Ｑ^４、ｍ、ｍ’およびｍＣは、前記と同じ意味を表す。
Ｚ^３〜Ｚ^１０は、それぞれ独立に、置換基Ａ群および置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。］
例えば、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^５およびＺ^６が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^７、Ｚ^８、Ｚ^９およびＺ^１０は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。
例えば、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^５およびＺ^６が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^７、Ｚ^８、Ｚ^９およびＺ^１０は、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。
＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ_３Ｑ’（式中、Ｑ’は、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子またはセシウム原子を表す。）で表される基；
−ＭｇＹ’（式中、Ｙ’は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ’’（式中、Ｙ’’は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基；および、
−Ｓｎ（Ｒ^Ｃ３）_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。
−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基としては、下記式で表される基が例示される。

置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基および置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合する。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物と、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。
縮合重合は、通常、触媒、塩基および溶媒の存在下で行なわれるが、必要に応じて、相間移動触媒を共存させて行ってもよい。
触媒としては、例えば、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［トリス（ジベンジリデンアセトン）］ジパラジウム、パラジウムアセテート等のパラジウム錯体、ニッケル［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル、［ビス（１，４−シクロオクタジエン）］ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、更にトリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、０．００００１〜３モル当量である。
塩基および相間移動触媒としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基；塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の相間移動触媒が挙げられる。塩基および相間移動触媒は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
塩基および相間移動触媒の使用量は、それぞれ、原料モノマーの合計モル数に対して、通常０．００１〜１００モル当量である。
溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計１００重量部に対して、１０〜１０００００重量部である。
縮合重合の反応温度は、通常−１００〜２００℃である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独、または組み合わせて行う。高分子化合物の純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
［式（２Ｍ）で表される化合物］
本発明の化合物は、式（２Ｍ）で表される化合物であり、上記の本発明の高分子化合物の製造方法において、好適に使用することができる。
Ｚ^１およびＺ^２は、本発明の化合物の製造が容易になるので、好ましくは同一の基である。
［式（２Ｍ）で表される化合物の製造方法］
式（２Ｍ）で表される化合物は、例えば、下記スキーム１〜５に記載の方法で製造することができる。

スキーム１中、
Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ、Ｑ^１、Ｌ^Ａ、ｎＡ、Ａｒ^１、Ｌ^Ｂ、ｎＢおよびｎは、前記を同じ意味を表す。
Ｚ^Ｄ１は、アルカリ金属原子、または、−Ｍ^１０Ｚ^１Ｈで表される基を表す。Ｍ^１０は、マグネシウム原子または亜鉛原子を表し、Ｚ^１Ｈは、ハロゲン原子を表す。
Ｚ^Ｅ１は、置換基Ａ群から選ばれる基を表す。
Ｚ^１ａおよびＺ^２ａは、それぞれ独立に、水素原子または置換基Ａ群から選ばれる基を表す。
Ｚ^Ｄ１で表されるアルカリ金属原子としては、リチウム原子、カリウム原子が挙げられる。
Ｚ^１Ｈで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が挙げられる。
スキーム１において、まず、式（２Ｍ−１−１）で表される化合物と、式（２Ｍ−１−２）で表される化合物とを求核付加反応させることにより、式（２Ｍ−１−３）で表される化合物を合成する。次に、式（２Ｍ−１−３）で表される化合物を、水素添加反応、トリエチルシランを使用した還元反応等の公知の反応により水酸基を水素原子に変換することで、式（２Ｍ−１−４）で表される化合物を合成する。次に、塩基の存在下において、式（２Ｍ−１−５）で表される化合物と、式（２Ｍ−１−４）で表される化合物とを求核置換反応させることにより、式（２Ｍ−１−６）で表される化合物を合成することができる。

スキーム２中、
Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ、Ｑ^１、Ｌ^Ａ、ｎＡ、Ａｒ^１、Ｌ^Ｂ、ｎＢおよびｎは、前記と同じ意味を表す。
Ｚ^Ｅ２およびＺ^Ｅ３は、それぞれ独立に、置換基Ａ群から選ばれる基を表す。
Ｚ^１ｂおよびＺ^２ｂは、それぞれ独立に、水素原子または置換基Ａ群から選ばれる基を表す。
スキーム２において、まず、塩基の存在下において、式（２Ｍ−２−１）で表される化合物と、式（２Ｍ−２−２）で表される化合物とを求核置換反応させることにより、式（２Ｍ−２−３）で表される化合物を合成する。次に、塩基の存在下において、式（２Ｍ−２−４）で表される化合物と、式（２Ｍ−２−３）で表される化合物とを求核置換反応させることにより、式（２Ｍ−２−５）で表される化合物を合成することができる。

スキーム３中、
Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ、Ｑ^１、Ｌ^Ａ、ｎＡ、Ａｒ^１、Ｌ^Ｂ、ｎＢおよびｎは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ｚ１は、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
Ｚ^Ｄ２およびＺ^Ｄ３は、それぞれ独立に、アルカリ金属原子、または、−Ｍ^１１Ｚ^２Ｈで表される基を表す。Ｍ^１１は、マグネシウム原子または亜鉛原子を表し、Ｚ^２Ｈは、ハロゲン原子を表す。
Ｚ^１ｃおよびＺ^２ｃは、それぞれ独立に、水素原子または置換基Ａ群から選ばれる基を表す。
Ｚ^Ｄ２およびＺ^Ｄ３で表されるアルカリ金属原子としては、リチウム原子、カリウム原子が挙げられる。
Ｚ^２Ｈで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が挙げられる。
スキーム３において、まず、式（２Ｍ−３−１）で表される化合物と、式（２Ｍ−３−２）で表される化合物とを求核置換反応させることにより、式（２Ｍ−３−３）で表される化合物を合成する。次に、式（２Ｍ−３−３）で表される化合物と、式（２Ｍ−３−４）で表される化合物とを求核付加反応させることにより、式（２Ｍ−３−５）で表される化合物を合成する。次に、式（２Ｍ−３−５）で表される化合物を、酸存在下においてカチオンを発生させ分子内閉環させる等の公知の反応により閉環反応させることで、式（２Ｍ−３−６）で表される化合物を合成することができる。

スキーム４中、
Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ、Ｑ^１、Ｌ^Ａ、ｎＡ、Ａｒ^１、Ｌ^Ｂ、ｎＢおよびｎは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ｚ２は、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
Ｚ^Ｄ４およびＺ^Ｄ５は、それぞれ独立に、アルカリ金属原子、または、−Ｍ^１２Ｚ^３Ｈで表される基を表す。Ｍ^１２は、マグネシウム原子または亜鉛原子を表し、Ｚ^３Ｈは、ハロゲン原子を表す。
Ｚ^１ｄおよびＺ^２ｄは、それぞれ独立に、水素原子または置換基Ａ群から選ばれる基を表す。
Ｚ^Ｄ４およびＺ^Ｄ５で表されるアルカリ金属原子としては、リチウム原子、カリウム原子が挙げられる。
Ｚ^３Ｈで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が挙げられる。
スキーム４において、まず、式（２Ｍ−４−１）で表される化合物と、式（２Ｍ−４−２）で表される化合物とを求核置換反応させることにより、式（２Ｍ−４−３）で表される化合物を合成する。次に、式（２Ｍ−４−３）で表される化合物と、式（２Ｍ−４−４）で表される化合物とを求核付加反応させることにより、式（２Ｍ−４−５）で表される化合物を合成する。次に、式（２Ｍ−４−５）で表される化合物を、酸存在下においてカチオンを発生させ分子内閉環させる等の公知の反応により閉環反応させることで、式（２Ｍ−４−６）で表される化合物を合成することができる。

スキーム５中、
Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ、Ｑ^１、Ｌ^Ａ、ｎＡ、Ａｒ^１、Ｌ^Ｂ、ｎＢおよびｎは、前記と同じ意味を表す。
Ｚ^Ｅ４およびＺ^Ｅ５は、それぞれ独立に、置換基Ａ群から選ばれる基を表す。
Ｚ^Ｆ１は、置換基Ａ群から選ばれる基、または、置換基Ｂ群から選ばれる基を表す。
Ｚ^１ｅおよびＺ^２ｅは、それぞれ独立に、水素原子または置換基Ａ群から選ばれる基を表す。
スキーム５において、まず、式（２Ｍ−５−１）で表される化合物と、式（２Ｍ−５−２）で表される化合物とを、塩基の存在下において、求核置換反応させることにより、式（２Ｍ−５−３）で表される化合物を合成する。次に、式（２Ｍ−５−３）で表される化合物と、式（２Ｍ−５−４）で表される化合物とを、アルキル化反応、鈴木反応に代表されるクロスカップリング反応等の公知の反応により反応させることで、式（２Ｍ−５−５）で表される化合物を合成することができる。
なお、式（２Ｍ−５−１）で表される化合物は、式（２Ｍ−１−４）で表される化合物および式（２Ｍ−２−３）で表される化合物と同様の方法で合成することができる。
Ｚ^１ａおよびＺ^２ａが水素原子である式（２Ｍ−１−６）で表される化合物、Ｚ^１ｂおよびＺ^２ｂが水素原子である式（２Ｍ−２−５）で表される化合物、Ｚ^１ｃおよびＺ^２ｃが水素原子である式（２Ｍ−３−６）で表される化合物、Ｚ^１ｄおよびＺ^２ｄが水素原子である式（２Ｍ−４−６）で表される化合物、並びに、Ｚ^１ｅおよびＺ^２ｅが水素原子である式（２Ｍ−５−５）で表される化合物は、ブロモ化反応等の反応により、水素原子を置換基Ａ群から選ばれる基に変換することができる。
Ｚ^１ａおよびＺ^２ａが置換基Ａ群から選ばれる基である式（２Ｍ−１−６）で表される化合物、Ｚ^１ｂおよびＺ^２ｂが置換基Ａ群から選ばれる基である式（２Ｍ−２−５）で表される化合物、Ｚ^１ｃおよびＺ^２ｃが置換基Ａ群から選ばれる基である式（２Ｍ−３−６）で表される化合物、Ｚ^１ｄおよびＺ^２ｄが置換基Ａ群から選ばれる基である式（２Ｍ−４−６）で表される化合物、並びに、Ｚ^１ｅおよびＺ^２ｅが置換基Ａ群から選ばれる基である式（２Ｍ−５−５）で表される化合物は、ビスピナコラートジボロンや２−アルコキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランを使用したボロン酸エステル化等の公知の反応により、置換基Ａ群から選ばれる基を置換基Ｂ群から選ばれる基に変換することができる。
＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の高分子化合物とを含有する。
本発明の高分子化合物および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。
インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。
インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、１０００〜１０００００重量部であり、好ましくは２０００〜２００００重量部である。
［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられ、好ましくはフラーレンである。
本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン、および、ジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、および、ポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。
［発光材料］
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
発光材料は、低分子化合物および高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。
三重項発光錯体としては、式Ｉｒ−１〜Ｉｒ−５で表される金属錯体等のイリジウム錯体が好ましい。

［式中、
Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ８、Ｒ^Ｄ１１〜Ｒ^Ｄ２０、Ｒ^Ｄ２１〜Ｒ^Ｄ２６およびＲ^Ｄ３１〜Ｒ^Ｄ３７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ８、Ｒ^Ｄ１１〜Ｒ^Ｄ２０、ＲＤ^２１〜Ｒ^Ｄ２６およびＲ^Ｄ３１〜Ｒ^Ｄ３７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
−Ａ^Ｄ１−−−Ａ^Ｄ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^Ｄ１およびＡ^Ｄ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−Ａ^Ｄ１−−−Ａ^Ｄ２−が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ_Ｄ１は、１、２または３を表し、ｎ_Ｄ２は、１または２を表す。］
式Ｉｒ−１で表される三重項発光錯体において、Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ８の少なくとも１つは、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）で表される基である。

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０または１である。ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、同一の整数であることが好ましい。
Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊、＊＊および＊＊＊は、各々、Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３との結合を表す。
Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）−（ＡｒＤＡ−３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜（ＴＤＡ−３）で表される基である。

［式中、Ｒ^ＤＡおよびＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。］
式Ｉｒ−２において、好ましくはＲ^Ｄ１１〜Ｒ^Ｄ２０の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
式Ｉｒ−３において、好ましくはＲ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ８およびＲ^Ｄ１１〜Ｒ^Ｄ２０の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
式Ｉｒ−４において、好ましくはＲ^２１〜Ｒ^Ｄ２６の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
式Ｉｒ−５において、好ましくはＲ^Ｄ３１〜Ｒ^Ｄ３７の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。
−Ａ^Ｄ１−−−Ａ^Ｄ２−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。］
式Ｉｒ−１で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ−１１〜Ｉｒ−１３で表される金属錯体である。式Ｉｒ−２で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ−２１で表される金属錯体である。式Ｉｒ−３で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ−３１〜Ｉｒ−３３で表される金属錯体である。式Ｉｒ−４で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ−４１〜Ｉｒ−４３で表されるイリジウム錯体である。式Ｉｒ−５で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ−５１〜Ｉｒ−５３で表されるイリジウム錯体である。

［式中、Ｄは、式（Ｄ−Ａ）で表される基を表す。複数存在するＤは、同一でも異なっていてもよい。ｎ_Ｄ２は、１または２を表す。Ｒ^ＤＣは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ＤＣは、同一でも異なっていてもよい。Ｒ^ＤＤは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ＤＤは、同一でも異なっていてもよい。］
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられ、ＣＯＭ−４が好ましい。

本発明の組成物において、発光材料の含有量とは、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、０．１〜４００重量部である。
［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、０．００１〜１０重量部である。
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
＜膜＞
膜は、本発明の高分子化合物を含有する膜と、本発明の高分子化合物を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜とに分類される。不溶化膜は、本発明の高分子化合物を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、発光効率が良好になるので、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。
膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
膜は、発光素子における正孔輸送層または正孔注入層として好適である。
膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。
膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。
＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の高分子化合物を用いて得られる有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子であり、該発光素子には、例えば、本発明の高分子化合物を含む発光素子、本発明の高分子化合物が分子内、分子間、または、それらの両方で架橋した発光素子がある。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の高分子化合物を用いて得られる層とを有する。
［層構成］
本発明の高分子化合物を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、正孔輸送層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。
発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層、および、電子注入層の材料としては、本発明の高分子化合物の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料、および、電子注入材料が挙げられる。
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料、および、発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層、および、発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
積層する層の順番、数、および、厚さは、発光効率および素子寿命を勘案して調整すればよい。
［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源、および、表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）およびポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、次のとおりである。
［測定条件］
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でＴＨＦに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてＴＨＦを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。
液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ−ＭＳ）は、下記の方法で行った。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはＴＨＦに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレントテクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリルおよびＴＨＦの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。
ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ_８）、重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ_６）、または重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ ３００）を用いて測定した。
化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにＴＨＦまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびＴＨＦを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／ＴＨＦ＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。
＜合成例１＞ 化合物Ｍａ３の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍａ２（６４．６ｇ）およびテトラヒドロフラン（６１５ｍｌ）を加え、−７０℃に冷却した。そこへ、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６Ｍ、２１８ｍｌ）を１時間かけて滴下した後、−７０℃で２時間撹拌した。そこへ、化合物Ｍａ１（４２．１ｇ）を数回に分けて加えた後、−７０℃で２時間撹拌した。そこへ、メタノール（４０ｍｌ）を１時間かけて滴下した後、室温まで昇温した。その後、減圧濃縮して溶媒を留去し、トルエンおよび水を加えた。その後、水層を分離し、得られた有機層を水で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮して、得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒 ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、無色油状物として化合物Ｍａ３を７１ｇ得た。化合物Ｍａ３のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９７．５％であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍａ３の必要量を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：２．４３（１Ｈ，ｓ），３．０７−３．１３（４Ｈ，ｍ），６．９５（１Ｈ，ｄ），７．０７（１Ｈ．ｓ），７．１８−７．２８（３Ｈ，ｍ），７．２８−７．４０（４Ｈ，ｍ），７．６６（２Ｈ，ｓ）．
＜合成例２＞ 化合物Ｍａ４の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍａ３（７２．３ｇ）、トルエン（７２３ｍｌ）およびトリエチルシラン（１１８．０ｇ）を加え、７０℃に昇温した。そこへ、メタンスルホン酸（９７．７ｇ）を１．５時間かけて滴下した後、７０℃で０．５時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、トルエン（１Ｌ）および水（１Ｌ）を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を、水、５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順番で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮して、得られた粗生成物をトルエンおよびエタノールの混合溶液で再結晶することで、白色固体として化合物Ｍａ４を５１．８ｇ得た。化合物Ｍａ４のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍａ４の必要量を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：３．０３−３．１４（４Ｈ，ｍ），４．９９（１Ｈ，ｓ），６．６８（１Ｈ，ｓ），６．９２−７．０１（２Ｈ，ｍ），７．２０−７．２８（２Ｈ，ｍ），７．２９−７．３８（４Ｈ，ｍ），７．７８（２Ｈ，ｄ）．
＜合成例３＞ 化合物Ｍｂ３の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ１（１８５．０ｇ）、化合物Ｍｂ２（１２１．１ｇ）、ヨウ化銅（Ｉ）（３．２ｇ）、ジクロロメタン（１８５ｍｌ）およびトリエチルアミン（２．５９Ｌ）を加え、還流温度に昇温した。その後、還流温度で０．５時間撹拌し、室温まで冷却した。そこへ、ジクロロメタン（１．８５Ｌ）を加えた後、セライトを敷き詰めたろ過器でろ過した。得られたろ液に１０重量％炭酸水素ナトリウム水溶液を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を水で２回洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒 クロロホルムと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、粗生成物を得た。得られた粗生成物をエタノール（１．４Ｌ）に溶解させた後、活性炭（５ｇ）を加え、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮して、得られた残渣をヘキサンで再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ３を９９．０ｇ得た。化合物Ｍｂ３のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍｂ３の必要量を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．５２−１．５５（８Ｈ，ｍ），２．４２（４Ｈ，ｔ），３．３８−３．４４（４Ｈ，ｍ），４．３９−４．４３（２Ｈ，ｍ），７．３１（４Ｈ，ｓ）．
＜合成例４＞ 化合物Ｍｂ４の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ３（１１０．０ｇ）、エタノール（１．６５Ｌ）およびパラジウム／炭素（パラジウム重量１０％）（１１．０ｇ）を加え、３０℃まで昇温した。その後、フラスコ内の気体を水素ガスで置換した。その後、フラスコ内に水素ガスを供給しながら、３０℃で３時間撹拌した。その後、フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒 クロロホルムと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、粗生成物を得た。得られた粗生成物をヘキサンで再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ４を９３．４ｇ得た。化合物Ｍｂ４のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．３％であった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．３０−１．４０（８Ｈ，ｍ），１．５５−１．６５（８Ｈ，ｍ），２．５８（４Ｈ，ｔ），３．６４（４Ｈ，ｔ），７．０９（４Ｈ，ｓ）．
^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，７５ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：２５．５３，２８．９９，３１．３９，３２．６２，３５．３７，６２．９０，１２８．１８，１３９．８５．
＜合成例５＞ 化合物Ｍｂ５の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ４（６１．０ｇ）、ピリジン（０．９ｇ）およびトルエン（７３２ｍｌ）を加え、６０℃に昇温した。そこへ、塩化チオニル（９１．４ｇ）を１．５時間かけて滴下した後、６０℃で５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒 ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、無色油状物として化合物Ｍｂ５を６４．３ｇ得た。化合物Ｍｂ５のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９７．２％であった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．３５−１．４０（４Ｈ，ｍ），１．４１−１．５０（４Ｈ，ｍ），１．６０−１．６８（４Ｈ，ｍ），１．７５−１．８２（４Ｈ，ｍ），２．６０（４Ｈ，ｔ），３．５５（４Ｈ，ｔ），７．１１（４Ｈ，ｓ）．
＜合成例６＞ 化合物Ｍｂ６の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ５（４２．０ｇ）、鉄粉（１．７ｇ）、ヨウ素（０．３ｇ）およびジクロロメタン（８００ｍｌ）を加えた。その後、フラスコ全体を遮光し、０〜５℃に冷却した。そこへ、臭素（４４．７ｇ）およびジクロロメタン（２００ｍｌ）の混合液を１時間かけて滴下した後、０〜５℃にて一晩撹拌した。得られた混合液を、０〜５℃に冷却した水（１．２Ｌ）に加えた後、有機層を分離した。得られた有機層を１０重量％チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、更に、飽和塩化ナトリウム水溶液、水の順番で洗浄した。得られた有機層に硫酸ナトリウムを加えた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣を、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン）を用いて精製することで、粗生成物を得た。得られた粗生成物をヘキサンで再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ６を４７．０ｇ得た。化合物Ｍｂ６のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．３％であった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．３８−１．４５（４Ｈ，ｍ），１．４７−１．５５（４Ｈ，ｍ），１．５７−１．６７（４Ｈ，ｍ），１．７７−１．８４（４Ｈ，ｍ），２．６６（４Ｈ，ｔ），３．５５（４Ｈ，ｔ），７．３６（２Ｈ，ｓ）．
＜合成例７＞ 化合物Ｍｂ７の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、ヨウ化ナトリウム（１５２．１ｇ）およびアセトン（６００ｍｌ）を加え、室温で０．５時間撹拌した。そこへ、化合物Ｍｂ６（４０．０ｇ）を加えた後、還流温度まで昇温し、還流温度で２４時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、得られた混合液を水（１．２Ｌ）に加えた。析出した固体をろ別した後、水で洗浄することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエンおよびメタノールの混合液で再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ７を４６．０ｇ得た。化合物Ｍｂ７のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍｂ７の必要量を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．３５−１．５０（８Ｈ，ｍ），１．５７−１．６５（４Ｈ，ｍ），１．８０−１．８９（４Ｈ，ｍ），２．６５（４Ｈ，ｔ），３．２０（４Ｈ，ｔ），７．３６（２Ｈ，ｓ）．
＜実施例１＞ 化合物Ｍｂ８の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、水素化ナトリウム（６０重量％、流動パラフィンに分散）（９．４ｇ）、テトラヒドロフラン（１１０ｍｌ）および化合物Ｍｂ７（６３．２ｇ）を加えた。そこへ、化合物Ｍａ４（５５．０ｇ）を数回に分けて加えた後、１２時間撹拌した。そこへ、トルエン（４４０ｍｌ）および水（２２０ｍｌ）を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合液をろ過して、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒 ヘキサンとトルエンの混合溶媒）を用いて精製した。その後、ヘプタンで再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ８を８４．１ｇ得た。化合物Ｍｂ８のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．７０−０．７６（４Ｈ，ｍ），１．１０−１．２１（８Ｈ，ｍ），１．３２−１．４４（４Ｈ，ｍ），２．３９−２．５８（８Ｈ，ｍ），３．００−３．１２（８Ｈ，ｍ），６．８２−６．９４（４Ｈ，ｍ），７．００−７．０５（２Ｈ，ｍ），７．１７−７．２８（１０Ｈ，ｍ），７．３０−７．３８（４Ｈ，ｍ），７．７１−７．７７（４Ｈ，ｍ）．
＜実施例２＞ 化合物ＭＭ１の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ８（８４．０ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、２．２ｇ）、ビスピナコラートジボロン（６８．３ｇ）、酢酸カリウム（５２．８ｇ）およびシクロペンチルメチルエーテル（８４０ｍｌ）を加え、還流温度まで昇温した後、還流温度で５時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、トルエン（５００ｍｌ）および水（３００ｍｌ）を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、活性炭（１８．５ｇ）を加えた。得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒 ヘキサンとトルエンの混合溶媒）を用いて精製した。その後、トルエンおよびアセトニトリルの混合液で再結晶する操作を繰り返すことで、白色固体として化合物ＭＭ１を４５．８ｇ得た。化合物ＭＭ１のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％であった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．７０−０．７６（４Ｈ，ｍ），１．２４−１．４０（３６Ｈ，ｍ），２．３９−２．４８（４Ｈ，ｍ），２．６６−２．７５（４Ｈ，ｍ），３．００−３．１０（８Ｈ，ｍ），６．７６−６．９０（４Ｈ，ｍ），７．００−７．０５（２Ｈ，ｍ），７．１９−７．３０（８Ｈ，ｍ），７．３０−７．３６（４Ｈ，ｍ），７．４３（２Ｈ，ｓ），７．７２（４Ｈ，ｄ）．
＜合成例８＞ 化合物Ｍｃ１の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、水素化ナトリウム（６０重量％、流動パラフィンに分散）（１０．９ｇ）、テトラヒドロフラン（２６８ｍｌ）および１−ブロモ−６−クロロヘキサン（１９８．３ｇ）を加えた。その後、フラスコ全体を遮光し、０〜５℃に冷却した。そこへ、化合物Ｍａ４（６７．０ｇ）およびテトラヒドロフラン（３３０ｍｌ）の混合液を２．５時間かけて加えた後、５０℃まで昇温し、５０℃で６時間撹拌した。そこへ、ヘプタン（５３６ｍｌ）および水（２６８ｍｌ）を加え、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合液をろ過して、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をイソプロパノールで再結晶した後、得られた結晶をトルエンおよびヘプタンの混合液に溶解させ、活性炭（９．６ｇ）を加えた。得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣を、トルエンおよびヘプタンの混合液で再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｃ１を８１．０ｇ得た。化合物Ｍｃ１のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍｃ１の必要量を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．７１−０．８３（２Ｈ，ｍ），１．２７（４Ｈ，ｔ），１．５８−１．６８（２Ｈ，ｍ），２．４９−２．５４（２Ｈ，ｍ），３．０８−３．１９（４Ｈ，ｍ），３．４９（２Ｈ，ｔ），６．８９（１Ｈ，ｓ），６．９４（１Ｈ，ｄ），７．０７（１Ｈ，ｄ），７．２５−７．４４（６Ｈ，ｍ），７．８３（２Ｈ，ｄ）．
＜合成例９＞ 化合物Ｍｃ２の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｃ１（１２４．４ｇ）、ヨウ化ナトリウム（３８５．５ｇ）およびアセトン（７８６ｍｌ）を加えた後、還流温度まで昇温し、還流温度で３４時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、得られた混合液にヘプタン、トルエンおよび水を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を、ヘプタンおよびイソプロパノールの混合液で再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｃ２を１４３ｇ得た。化合物Ｍｃ２のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％であった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．７１−０．８３（２Ｈ，ｍ），１．２０−１．３６（４Ｈ，ｍ），１．６０−１．７０（２Ｈ，ｍ），２．４８−２．５４（２Ｈ，ｍ），３．１３−３．１８（６Ｈ，ｍ），６．８９（１Ｈ，ｓ），６．９４（１Ｈ，ｄ），７．０７（１Ｈ，ｄ），７．２５−７．４３（６Ｈ，ｍ），７．８３（２Ｈ，ｄ）．
＜実施例３＞ 化合物ＭＭ２の合成

撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、水素化ナトリウム（６０重量％、流動パラフィンに分散）（１．０ｇ）、テトラヒドロフラン（４２．５ｍｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（４２．５ｍｌ）およびＭｃ２（１０．８ｇ）を加えた。その後、フラスコ全体を遮光し、０〜５℃に冷却した。そこへ、特表２０１４−５０６６０９号公報記載の合成法に従い合成した化合物Ｍｃ３（１０．６ｇ）およびテトラヒドロフラン（４２．５ｍｌ）の混合液を１時間かけて加えた後、０〜５℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで昇温した後、トルエン（１０６ｍｌ）および水（１０６ｍｌ）を加え、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムを加えた。得られた混合液を、シリカゲルを敷き詰めたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を、酢酸エチルおよびアセトニトリルの混合液で再結晶する操作を繰り返すことで、白色固体として化合物ＭＭ２を１４．３ｇ得た。化合物ＭＭ２のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。
ＬＣ−ＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ） ｍ／ｚ：９５５（［Ｍ＋Ｋ］^＋）
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．５６−０．６５（４Ｈ，ｍ），０．９０−１．３２（２２Ｈ，ｍ），１．５４−１．５８（４Ｈ，ｍ），２．３４−２．４２（４Ｈ，ｍ），２．５２（４Ｈ，ｔ），３．１２（４Ｈ，ｄ），６．７４（２Ｈ，ｓ），６．８５（１Ｈ，ｓ），６．９２（２Ｈ，ｄ），７．００−７．０５（１Ｈ，ｍ），７．１９（２Ｈ，ｄ），７．２６−７．４１（６Ｈ，ｍ），７．５３（２Ｈ，ｄ），７．６５（２Ｈ，ｄ），７．８０（２Ｈ，ｄ）．
＜合成例１０＞ 化合物ＭＭ１０〜ＭＭ１７の合成
化合物ＭＭ１０は、国際公開第２００５／０４９５４６号記載の合成法に従い合成した。
化合物ＭＭ１１は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の合成法に従い合成した。
化合物ＭＭ１２は、特開２０１０−２１５８８６号公報記載の合成法に従い合成した。
化合物ＭＭ１３は、国際公開第２０１３／１９１０８８号記載の合成法に従い合成した。
化合物ＭＭ１４は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の合成法に従い合成した。
化合物ＭＭ１５は、国際公開第２００９／１３１２５５号記載の合成法に従い合成した。
化合物ＭＭ１６は、国際公開第２０１３／１４６８０６号記載の合成法に従い合成した。
化合物ＭＭ１７は、特表２００７−５２８９１６号公報記載の合成法に従い合成した。

＜合成例１１＞金属錯体Ｃａ１の合成
金属錯体Ｃａ１は、国際公開第２００９／１３１２５５号記載の合成法に従い合成した。

＜実施例４＞ 高分子化合物１の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１０（９１８．４ｍｇ）、化合物ＭＭ１１（４９３．３ｍｇ）、化合物ＭＭ１２（１１５．６ｍｇ）、化合物ＭＭ１（２５７．８ｍｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６ｍｇ）およびトルエン（７１ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。
（工程２）反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０ｍＬ）を滴下し、５時間還流させた。
（工程３）反応後、そこに、フェニルボロン酸（３６．６ｍｇ）およびジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６ｍｇ）を加え、１６．５時間還流させた。
（工程４）反応後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１を１．１０ｇ得た。高分子化合物１のＭｎは３．３×１０^４であり、Ｍｗは３．２×１０^５であった。
高分子化合物１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１０から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位とを、４０：４０：１０：１０のモル比で有する共重合体である。
＜合成例１２＞ 高分子化合物２の合成
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物ＭＭ１１（８２２．２ｍｇ）、化合物ＭＭ１５（８５０．７ｍｇ）、化合物ＭＭ１４（２０９．７ｍｇ）およびトルエン（３７ｍｌ）を加え、８０℃に加熱した。その後、そこへ、酢酸パラジウム（０．４１ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２．３０ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．８ｇ）を加え、還流下で４時間攪拌した。その後、そこへ、フェニルボロン酸（４０．６ｍｇ）を加え、還流下で２時間攪拌した。その後、そこへ、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．４６ｇ）をイオン交換水（９ｍｌ）に溶解した溶液を加え、８５℃で２時間攪拌した。得られた有機層を、３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で５回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下したところ沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥した。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ沈殿が生じた。得られた沈殿をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物２（１．１１ｇ）を得た。高分子化合物２のＭｎは８．７×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。
高分子化合物２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１４から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１５から誘導される構成単位とを、５０：１０：４０のモル比で有する共重合体である。
＜比較例Ｃ１＞ 高分子化合物３の合成
高分子化合物１の合成における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１０（９１８．４ｍｇ）、化合物ＭＭ１１（４９１．４ｍｇ）、化合物ＭＭ１２（１１５．６ｍｇ）、化合物ＭＭ１３（１５６．９ｍｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６ｍｇ）およびトルエン（７１ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。」とする以外は、高分子化合物１の合成と同様にすることで、高分子化合物３を０．９５ｇ得た。高分子化合物３のＭｎは３．５×１０^４であり、Ｍｗは３．４×１０^５であった。
高分子化合物３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１０から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１３から誘導される構成単位とを、４０：４０：１０：１０のモル比で有する共重合体である。
＜実施例５＞ 高分子化合物４の合成
高分子化合物１の合成における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１０（９１７．２ｍｇ）、化合物ＭＭ１１（４９９．６ｍｇ）、化合物ＭＭ１（２５９．２ｍｇ）、化合物ＭＭ２（２３０．１ｍｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６ｍｇ）およびトルエン（７１ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。」とする以外は、高分子化合物１の合成と同様にすることで、高分子化合物４を１．０５ｇ得た。高分子化合物４のＭｎは４．０×１０^４であり、Ｍｗは２．８×１０^５であった。
高分子化合物４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１０から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ２から誘導される構成単位とを、４０：４０：１０：１０のモル比で有する共重合体である。
＜実施例６＞ 高分子化合物５の合成
高分子化合物１の合成における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１０（９１７．２ｍｇ）、化合物ＭＭ１６（４９．６ｍｇ）、化合物ＭＭ１（９２３．０ｍｇ）ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６ｍｇ）およびトルエン（７１ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。」とする以外は、高分子化合物１の合成と同様にすることで、高分子化合物５を１．２３ｇ得た。高分子化合物５のＭｎは２．３×１０^４であり、Ｍｗは１．２×１０^５であった。
高分子化合物５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１０から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１６から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位とを、５０：５：４５のモル比で有する共重合体である。
＜実施例７＞ 高分子化合物６の合成
高分子化合物１の合成における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１０（９１７．２ｍｇ）、化合物ＭＭ１６（４９．６ｍｇ）、化合物ＭＭ１１（１９４．８ｍｇ）、化合物ＭＭ１（５１８．５ｍｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６ｍｇ）およびトルエン（７１ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。」とする以外は、高分子化合物１の合成と同様にすることで、高分子化合物６を１．２３ｇ得た。高分子化合物６のＭｎは２．５×１０^４であり、Ｍｗは３．０×１０^５であった。
高分子化合物６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１０から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１６から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位とを、５０：５：２０：２５のモル比で有する共重合体である。
＜比較例Ｃ２＞ 高分子化合物７の合成
高分子化合物１の合成における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１０（９１８．４ｍｇ）、化合物ＭＭ１１（５０２．３ｍｇ）、化合物ＭＭ１２（１１６．０ｍｇ）、化合物ＭＭ１７（１６３．９ｍｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６ｍｇ）およびトルエン（７１ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。」とする以外は、高分子化合物１の合成と同様にすることで、高分子化合物７を０．９２ｇ得た。高分子化合物７のＭｎは３．３×１０^４であり、Ｍｗは２．２×１０^５であった。
高分子化合物７は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１０から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ１７から誘導される構成単位とを、４０：４０：１０：１０のモル比で有する共重合体である。
＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製と評価
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、正孔注入材料としてポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚さで成膜し、これを大気雰囲気中において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱した。
次に、高分子化合物１をキシレンに溶解させ０．７重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いてスピンコートにより２０ｎｍの厚さで成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱した。
次に、高分子化合物２および金属錯体Ｃａ１をそれぞれキシレンに溶解させ、１．８重量％のキシレン溶液を調製した。次に、高分子化合物２および金属錯体Ｃａ１の固形分の重量比が７０：３０となるように、高分子化合物２のキシレン溶液と金属錯体Ｃａ１のキシレン溶液を混合した。このキシレン溶液を用いてスピンコートにより８０ｎｍの厚さで成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱した。その後、陰極としてフッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いでアルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着して、発光素子Ｄ１を作製した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
発光素子Ｄ１に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は８１．２ｃｄ／Ａであった。
＜実施例Ｄ２＞ 発光素子Ｄ２の作製と評価
実施例Ｄ１における高分子化合物１に代えて高分子化合物４を用い、０．７重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子Ｄ２を作製した。
発光素子Ｄ２に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は８３．２ｃｄ／Ａであった。
＜実施例Ｄ３＞ 発光素子Ｄ３の作製と評価
実施例Ｄ１における高分子化合物１に代えて高分子化合物５を用い、０．７重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子Ｄ３を作製した。
発光素子Ｄ３に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は７７．０ｃｄ／Ａであった。
＜実施例Ｄ４＞ 発光素子Ｄ４の作製と評価
実施例Ｄ１における高分子化合物１に代えて高分子化合物６を用い、０．７重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子Ｄ４を作製した。
発光素子Ｄ４に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は７４．９ｃｄ／Ａであった。
＜比較例ＣＤ１＞ 発光素子ＣＤ１の作製と評価
実施例Ｄ１における高分子化合物１に代えて高分子化合物３を用い、０．７重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子ＣＤ１を作製した。
発光素子ＣＤ１に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は６６．０ｃｄ／Ａであった。
＜比較例ＣＤ２＞ 発光素子ＣＤ２の作製と評価
実施例Ｄ１における高分子化合物１に代えて高分子化合物７を用い、０．７重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子ＣＤ２を作製した。
発光素子ＣＤ２に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は６０．３ｃｄ／Ａであった。

本発明の発光素子は発光効率に優れる。また、本発明の高分子化合物および組成物は、該発光素子の製造に有用である。

Claims (8)

1. 下記式（２）で表される構成単位、下記式（Ｘ）で表される構成単位及び下記式（Ｙ）で表される構成単位からなる高分子化合物。
   

   

   ［式中、
   Ａｒ^１は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ｎは１〜４の整数を表す。
   Ｑ^２は、下記式（１）で表される基を表す。Ｑ^２が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。
   ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎＢは１〜５の整数を表す。
   Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂは、それぞれ独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｑ^１は、下記式（ＸＬ−１７）で表される架橋基を表す。］
   

   

   ［式中、＊は結合位置を表す。この架橋基は置換基を有していてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ａ ¹ およびａ ² は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ａｒ ^X1 およびＡｒ ^X3 は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ ^X2 およびＡｒ ^X4 は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｒ ^X1 、Ｒ ^X2 およびＲ ^X3 は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   

   

   ［式中、Ａｒ ^Y1 は、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の芳香族複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
2. 前記の環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａが、置換基を有していてもよいベンゼン環である、請求項１に記載の高分子化合物。
3. 前記Ａｒ^１が、置換基を有していてもよいベンゼン環、置換基を有していてもよいフルオレン環、置換基を有していてもよいナフタレン環、置換基を有していてもよいフェナントレン環、または、置換基を有していてもよいジヒドロフェナントレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（２＋ｎ）個を除いた基である、請求項１又は２に記載の高分子化合物。
4. 前記式（Ｙ）で表される構成単位が、下記式（Ｙ−１）で表される構成単位または下記式（Ｙ−２）で表される構成単位である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
   

   

   ［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−または−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
5. 前記式（２）で表される構成単位の含有量が、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、３〜９０モル％である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
6. 下記式（２Ｍ）で表される化合物。
   

   

   ［式中、
   環Ｒ^１Ａおよび環Ｒ^２Ａは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。
   ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎＢは１〜５の整数を表す。
   Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂは、それぞれ独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^ＡおよびＬ^Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｑ^１は、下記式（ＸＬ−１７）で表される架橋基を表す。
   Ａｒ^１は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ｎは１〜４の整数を表す。
   Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ独立に、下記の置換基Ａ群または置換基Ｂ群から選ばれる基を表す。］
   

   

   ［式中、＊は結合位置を表す。この架橋基は置換基を有していてもよい。］
   
   ＜置換基Ａ群＞
   塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ)₂Ｒ^C1（式中、Ｒ^C1は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
   ＜置換基Ｂ群＞
   −Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
   −ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子またはセシウム原子を表す。）で表される基；
   −ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基；
   −ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基；および、
   −Ｓｎ(Ｒ^C3)₃（式中、Ｒ^C3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C3は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。
7. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物と、
   正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
8. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物を用いて得られる発光素子。