[go: up one dir, main page]

JP6548149B2 - 共振子及び共振装置 - Google Patents

共振子及び共振装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6548149B2
JP6548149B2 JP2017515533A JP2017515533A JP6548149B2 JP 6548149 B2 JP6548149 B2 JP 6548149B2 JP 2017515533 A JP2017515533 A JP 2017515533A JP 2017515533 A JP2017515533 A JP 2017515533A JP 6548149 B2 JP6548149 B2 JP 6548149B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base
arm
vibrating
holding
resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017515533A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016175161A1 (ja
Inventor
和香奈 廣田
和香奈 廣田
ヴィレ カーヤカリ
ヴィレ カーヤカリ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2016175161A1 publication Critical patent/JPWO2016175161A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6548149B2 publication Critical patent/JP6548149B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/24Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/0072Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06BMETHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0603Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a piezoelectric bender, e.g. bimorph
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06BMETHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0607Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/0072Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
    • H03H3/0076Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficients
    • H03H3/0077Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficients by tuning of resonance frequency
    • H03H3/0078Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficients by tuning of resonance frequency involving adjustment of the transducing gap
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders or supports
    • H03H9/0595Holders or supports the holder support and resonator being formed in one body
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders or supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1057Mounting in enclosures for microelectro-mechanical devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/24Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • H03H9/2405Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
    • H03H9/2468Tuning fork resonators
    • H03H9/2478Single-Ended Tuning Fork resonators
    • H03H9/2489Single-Ended Tuning Fork resonators with more than two fork tines
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414Resonance frequency
    • H03H2003/0421Modification of the thickness of an element
    • H03H2003/0435Modification of the thickness of an element of a piezoelectric layer
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02244Details of microelectro-mechanical resonators
    • H03H2009/02488Vibration modes
    • H03H2009/02511Vertical, i.e. perpendicular to the substrate plane

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

本発明は、複数の振動腕が面外の屈曲振動モードで振動する共振子及び共振装置に関する。
従来、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いた共振装置が例えばタイミングデバイスとして用いられている。この共振装置は、スマートフォンなどの電子機器内に組み込まれるプリント基板上に実装される。共振装置は、下側基板と、下側基板との間でキャビティを形成する上側基板と、下側基板及び上側基板の間でキャビティ内に配置された共振子と、を備えている。
例えば特許文献1には、複数の振動腕を備えた共振子が開示されている。この共振子では、振動腕はその固定端で基部の前端に接続されており、基部は、前端とは反対側の後端で支持部に接続されている。支持部は、例えば下側基板及び上側基板の間に挟み込まれる基台に接続されている。特許文献1の図1の例では、振動腕に印加される電界が互いに逆方向に設定されることによって、内側の振動腕と外側の2本の振動腕との間で互いに逆位相の振動が実現される。
特許第5071058号公報 特開昭56−085921号公報
逆位相の振動時、特許文献1の図1(c)に示されるように、Y軸に平行に延びる中心軸回りで各振動腕に捩れモーメントが発生する。この捩れモーメントによって、共振子の基部では、隣接する逆位相で振動する振動腕の中心軸同士の間で、当該中心軸に平行に規定される回転軸回りに屈曲振動が発生する。この振動は基部から支持部を通じて基台に伝達される。基台は下側基板及び上側基板の間に保持されているので、基台である程度の振動が減衰される。本発明者らは、この振動の減衰が、振動腕の振動の振幅が大きい場合に、共振波形を歪ませ、共振周波数をシフトさせることを発見した。共振周波数のシフトは共振特性や位相ノイズへの影響が大きいため、改善が求められている。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、共振子において、共振周波数のシフトを抑制することを目的とする。
本発明の一側面に係る共振子は、前端及び当該前端に対向する後端を有する基部と、固定端が基部の前端に接続され、前端から離れる方向に延びている複数の振動腕と、を有する振動部と、振動部の周囲の少なくとも一部に設けられた保持部と、振動部と保持部との間に設けられ、一端が基部に接続され、他端が保持部における、基部の後端よりも前端側の領域に接続された保持腕と、を備える。
本発明によれば、共振子において、共振周波数のシフトを抑制することができる。
本発明の第1実施形態に係る共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。 本発明の第1実施形態に係る共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。 上側基板を取り外した本発明の第1実施形態に係る共振子の平面図である。 図1のA−A´線に沿った断面図である。 図3のB−B´線に沿った断面図である。 基部に対する保持腕の接続位置とDLDとの関係を示すグラフである。 本発明の第1実施形態に係る共振子の振動の変位量の分布を示す図である。 図3に対応し、上側基板を取り外した本発明の第2実施形態に係る共振子の平面図である。 図3に対応し、上側基板を取り外した本発明の第3実施形態に係る共振子の平面図である。 図3に対応し、上側基板を取り外した本発明の第4実施形態に係る共振子の平面図である。 図3に対応し、上側基板を取り外した本発明の第5実施形態に係る共振子の平面図である。 図7に対応し、本発明の第5実施形態に係る共振子の振動の変位の分布を示す図である。 図3に対応し、上側基板を取り外した本発明の第6実施形態に係る共振子の平面図である。 図3に対応し、上側基板を取り外した本発明の第7実施形態に係る共振子の平面図である。 図3に対応し、上側基板を取り外した本発明の第8実施形態に係る共振子の平面図である。
[第1の実施形態]
以下、添付の図面を参照して本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る共振装置1の外観を概略的に示す斜視図である。また、図2は、本発明の第1実施形態に係る共振装置1の構造を概略的に示す分解斜視図である。また、図3は、図1のAA´断面図である。
この共振装置1は、共振子10と、共振子10を挟んで封止するとともに、共振子10が振動する振動空間を形成する上蓋13及び下蓋14と、を備えている。共振装置1は、下蓋14と、共振子10と、上蓋13とがこの順で積層され、接合されて構成されている。
共振子10は、MEMS技術を用いて製造されるMEMS共振子である。
共振子10と上蓋13とが接合され、これにより、共振子10の振動空間が形成され、また、共振子10が封止される。共振子10、上蓋13及び下蓋14は、それぞれSi基板を用いて形成されており、Si基板同士が互いに接合されて、共振子10の振動空間が形成される。共振子10及び下蓋14は、SOI基板を用いて形成されてもよい。
以下、共振装置1の各構成について詳細に説明する。
(1.上蓋13)
図2は、本発明の第1実施形態に係る共振装置1の構造を概略的に示す分解斜視図である。上蓋13はXY平面に沿って平板状に広がっており、その裏面に例えば平たい直方体形状の凹部が形成されている。凹部は共振子10の振動空間の一部を形成する。
(2.下蓋14)
下蓋14は、XY平面に沿って設けられる矩形平板状の底板19と、底板19の周縁部からZ軸方向に延びる側壁20とを有している。下蓋14の内面、すなわち底板19の表面と側壁20の内面とによって凹部21が形成される。凹部21は共振子10の振動空間の一部を形成する。
上述した上蓋13と下蓋14とによってこの振動空間は気密に封止され、真空状態が維持されている。また、この振動空間には、例えば不活性ガス等の気体が充填されてもよい。
(3.共振子10)
図3は、本実施形態に係る、共振子10の構造を概略的に示す平面図である。図3を用いて本実施形態に係る共振子10の各構成について説明する。共振子10は、振動部120と、保持部11と、1対の保持腕18とを備えている。
(a)振動部120
振動部120は、図3の直交座標系におけるXY平面に沿って平板状に広がる板状の輪郭を有している。振動部120は、保持部11の内側に設けられており、振動部120と保持部11との間には、所定の間隔で空間が形成されている。図3の例では、振動部120は、基部15と4本の振動腕16a〜16dとを有している。なお、振動腕の数は、4本に限定されず、例えば3本以上の任意の数に設定される。
基部15は、X軸方向に長辺15a(前端の一例である。)、長辺15aに対向する長辺15b(後端の一例である。)、Y軸方向に短辺15c、15cを有する、略直方体の板である。図3の例では、基部15は、長辺15bにおいて、後述する保持腕18によって保持部11に接続され、保持されている。基部15は、例えば、X軸方向の幅が250μm程度、Y軸方向の長さが100μm程度である。なお、基部15は略直方体に限定されず、長辺15aの垂直二等分線に沿って規定される平面に対して略面対称に形成されていればよい。基部15は、例えば、長辺15bが15aより短い台形や、長辺15aを直径とする半円の形状であってもよい。また、長辺15a、15b、短辺15c、15は直線に限定されず、曲線であってもよい。
振動腕16a〜16dは、それぞれが基部15と保持部11との間にY軸方向に平行に設けられる。振動腕16a〜16dの一端は、基部15の一方の長辺15aと接続されて固定端となっており、基部15の長辺15aから離れる方向に延び、他端は自由端(開放端の一例である。)となっている。なお、振動腕16a〜16dが延びる方向は、後述する保持部11の枠体11c、11dに沿った方向に限らない。例えば、振動腕16a〜16dは、枠体11c、11dに対して斜めに延びても良い。本実施形態において、各振動腕16a〜16dは、基部15と一体に形成されている。また、各振動腕16a〜16dは、Y軸方向に延びる角柱形状に形成され、それぞれ同一のサイズを有している。振動腕16a〜16dは、例えばX軸方向の幅が50μm程度、Y軸方向の長さが480μm程度、Z軸方向の厚みが6μm程度である。
図3に示すように、本実施形態の振動部120では、X軸方向において、外側に2本の振動腕16a、16dが配置されており、内側に2本の振動腕16b、16cが配置されている。X軸方向における、振動腕16bと16cとの間隔W1は、X軸方向における、外側の振動腕16a(16d)(第1振動腕の一例である。)と当該外側の振動腕16a(16d)に隣接する内側の振動腕16b(16c)(第2振動腕の一例である。)との間の間隔W2よりも大きく設定される。間隔W1は例えば30μ程度、間隔W2は例えば10μm程度である。間隔W1は間隔W2より大きく設定することにより、振動特性が改善される。また、共振装置1の小型化できるように、間隔W1を間隔W2と同じかW2よりも小さく設定してもよい。
(b)保持部11
保持部11は、XY平面に沿って矩形の枠状に形成される。なお、保持部11は、振動部120の周囲の少なくとも一部に設けられていればよく、枠状の形状に限定されない。本実施形態では、保持部11は、XY平面に沿って振動部120の外側を囲むように設けられる。保持部11は、角柱形状の枠体11a(第1固定部の一例である。)、11b、11c(第2固定部の一例である。)、11d(第2固定部の一例である。)からなる。なお、枠体11a〜11dは、一体に形成されている。
枠体11aは、振動腕16a〜16dの自由端に対向して、X軸方向に設けられる。枠体11bは、基部15の長辺15bに対向して、X軸方向に設けられる。枠体11cは、振動腕16aの長辺に対向してY軸方向に設けられ、その両端で枠体11a、11bの一端にそれぞれ接続される。枠体11dは、振動腕16dの長辺に対向してY軸方向に設けられ、その両端で枠体11a、11bの他端にそれぞれ接続される。
なお、以下の説明では、枠体11a側を共振子10の上側、枠体11b側を共振子10の下側として説明する。
(c)保持腕18
1対の保持腕18は、保持部11の内側に設けられ、基部15の長辺15bと枠体11aとを接続する。保持腕18は、一端が基部15に接続され、他端が保持部11における、基部15の長辺15bよりも長辺15a側の領域に接続される。
図3に示すように、1対の保持腕18は、基部15のX軸方向の中心線に沿ってYZ平面に平行に規定される仮想平面Pに対して略面対称に形成される。1対の保持腕18はそれぞれ、腕18a、18b、18cを有している。一対の保持腕18は、一端が基部15の長辺15bに接続されており、そこから枠体11bに向かって延びている。そして、一対の保持腕18は、それぞれ枠体11c又は11dに向かう方向(すなわち、X軸方向)に屈曲し、さらに枠体11aに向かう方向(すなわち、Y軸方向)に屈曲して、他端が枠体11aに接続されている。
腕18aは、基部15と枠体11bとの間に、枠体11c(11d)に対向して、長手方向がY軸に平行になるように設けられている。腕18aは、一端が基部15の長辺15bにおいて基部15と接続しており、そこから長辺15bに対して略垂直、すなわち、Y軸方向に延びている。腕18aのX軸方向の中心を通る軸は、振動腕16a(16d)の中心線よりも内側に設けられることが望ましく、図3の例では、腕18aは、振動腕16aと16bとの間に設けられている。
また腕18aの他端は、その側面において、腕18bの一端と接続されている。腕18aは、X軸方向に規定される幅が20μm程度であり、Y軸方向に規定される長さが40μm程度である。
腕18bは、基部15と枠体11bとの間に、枠体11bに対向して、長手方向がX軸方向に平行になるように設けられている。腕18bは、一端が、腕18aの他端であって基部15に対して外側の側面に接続し、そこから腕18aに対して略垂直、すなわち、X軸方向に延びている。また、腕18bの他端は、腕18cの一端であって振動部120と対向する側の側面に接続している。腕18bは、例えばY軸方向に規定される幅が20μm程度であり、X軸方向に規定される長さが75μm程度である。
腕18cは、基部15と枠体11c(11d)との間に、枠体11c(11d)に対向して、長手方向がY軸方向に平行になるように設けられている。
腕18cの一端は、その側面において、腕18bの他端と接続されている。また腕18cの他端は、、振動部120と対向する位置よりも外側において枠体11aと接続しており、そこから枠体11aに対して略垂直、すなわち、Y軸方向に延びている。
腕18cは、例えばX軸方向に規定される幅が20μm程度、Y軸方向に規定される長さが680μm程度である。
このように、1対の保持腕18は、腕18aにおいて基部15と接続し、腕18aと腕18bとの接続箇所、及び腕18bと18cとの接続箇所で屈曲した後に、保持部11へと接続する構成となっている。
(4.積層構造)
図4を用いて共振装置1の積層構造について説明する。図4は、図1のAA´断面図である。
図4に示すように、本実施形態に係る共振装置1では、下蓋14の側壁20上に共振子10の保持部11が接合され、さらに共振子10の上に上蓋13が覆いかぶさって接合される。このように下蓋14と上蓋13との間に共振子10が保持され、下蓋14と上蓋13と共振子10の保持部11とによって、振動腕16a〜16dが振動する振動空間が形成される。
下蓋14の底板19及び側壁20は、Si(シリコン)により、一体的に形成されている。側壁20の上面にはSiO(二酸化ケイ素)膜22が形成されており、このSiO膜22によって、下蓋14と共振子10の保持部11と接合されている。Z軸方向に規定される下蓋14の厚みは例えば、150μm、凹部21の深さは例えば50μmである。
上蓋13は、所定の厚みのSi(シリコン)ウエハにより形成されている。図4に示すように、上蓋13はその周辺部で共振子10の保持部11と接合されている。上蓋13の周縁部と保持部11との間には、上蓋13と保持部11とを接合するために、例えばAu(金)膜27及びSn(錫)膜28が形成されている。
共振子10では、保持部11、基部15、振動腕16a〜16d、保持腕18は、同一プロセスで形成される。共振子10では、まず、Si(シリコン)層23の上に、金属層26が積層されている。そして、金属層26の上には、金属層26を覆うように圧電薄膜24が積層されており、さらに、圧電薄膜24の上には、金属層25が積層されている。
Si層23は、例えば、厚さ10μm程度の縮退したn型Si半導体から形成されており、n型ドーパントとしてP(リン)やAs(ヒ素)、Sb(アンチモン)などを含むことができる。なお、Si層23の下面には温度特性を向上させるためのSiO層が形成されてもよい。
また、金属層25、26は、例えば厚さ0.1μm程度のMo(モリブデン)やアルミニウム(Al)等を用いて形成される。なお、金属層26を形成せずに、縮退した半導体であるSi層23を金属層26として用いてもよい。
金属層25、26は、共振子10に積層された後、エッチング等の加工により望ましい形状となるように形成される。
金属層26は、例えば振動部120上においては、下部電極となるように、エッチング等によって加工される。また、保持腕18や保持部11上においては、例えば共振子10の外部に設けられた交流電源に下部電極を接続するための配線となるように、エッチング等によって加工される。
他方で、金属層25は、例えば振動部120上においては、上部電極となるように、エッチング等によって加工される。また、保持腕18や保持部11上においては、例えば共振子10の外部に設けられた交流電源に上部電極を接続するための配線となるように、エッチング等によって加工される。
なお、交流電源から下部配線または上部配線への接続にあたっては、上蓋13の外面に電極を形成して、当該電極が交流電源と下部配線または上部配線とを接続する構成や、上蓋13内にビアを形成し、当該ビアの内部に導電性材料を充填して配線を設け、当該配線が交流電源と下部配線または上部配線とを接続する構成が用いられてもよい。
圧電薄膜24は、印加された電圧を振動に変換する圧電体の薄膜であり、例えば、AlN(窒化アルミニウム)等の窒化物や酸化物を主成分とすることができる。具体的には、圧電薄膜24は、ScAl(窒化スカンジウムアルミニウム)により形成することができる。ScANは、窒化アルミニウムにおけるアルミニウムの一部をスカンジウムに置換したものである。また、圧電薄膜24は、例えば、0.8μmの厚さを有する。
圧電薄膜24は、金属層25、26によって圧電薄膜24に印加される電界に応じて、XY平面の面内方向すなわちY軸方向に伸縮する。この圧電薄膜24の伸縮によって、振動腕16a〜16dは、下蓋14及び上蓋13の内面に向かってその自由端を変位させ、面外の屈曲振動モードで振動する。
本実施形態では、図4に示すように、外側の振動腕16a、16dに印加される電界の位相と、内側の振動腕16b、16cに印加される電界の位相とが互いに逆位相になるように設定される。これにより、外側の振動腕16a、16dと内側の振動腕16b、16cとが互いに逆方向に変位する。例えば、外側の振動腕16a、16dが上蓋13の内面に向かって自由端を変位すると、内側の振動腕16b、16cは下蓋14の内面に向かって自由端を変位する。
以上のような共振装置1では、逆位相の振動時、すなわち、図4に示す振動腕16aと振動腕16bとの間でY軸に平行に延びる中心軸r1回りに振動腕16aと振動腕16bとが上下逆方向に振動する。また、振動腕16cと振動腕16dとの間でY軸に平行に延びる中心軸r2回りに振動腕16cと振動腕16dとが上下逆方向に振動する。これによって、中心軸r1とr2とで互いに逆方向の捩れモーメントが生じ、基部15で屈曲振動が発生する。
次に、図5及び図6を用いて、保持腕18と基部15との接続位置について説明する。図5は、図3のBB´断面図である。
図5において、点線で示した面161a〜161dは、それぞれ振動腕16a〜16dが、基部15の前端の端面と接触する面(又は境界となる面)を表した仮想的な端面である。また、面181aは、保持腕18の腕18aが基部15の後端の端面と接触する面(又は境界となる面)を表した、腕18aの仮想的な端面である。また、面151aは、基部15における振動腕16a〜16dとの接触面(前端面)である。さらに、点q1〜q4は、それぞれ端面161a〜161dの中心を示し、また、点q5は、端面181aの中心を示し、点q6は前端面151aの中心を示している。なお、面の中心とは、例えば面の中央や重心をいう。さらに、面の中心は、少なくともその面においてX軸方向における中央であればよい。
図5に示すように保持腕18の端面181aの中心点q5は、基部15の最も外側において、基部15に接続された振動腕16a、16dよりも、内側の振動腕16b、16c側に位置する。より好ましくは、中心点q5から前端面151aの中心点q6までの距離が、基部15において、基部15の表面をとおり長辺15aに平行な直線のうち、最大長の直線の長さ(以下、「基部幅」とも呼ぶ。)の半分に対して0.6倍以下になるように、保持腕18は基部15に接続される。本実施形態においては、基部15は矩形であるため、基部幅は長辺15aの長さをいう。この場合、共振子10のDLD(Drive Level Dependency:励振レベル依存特性)を改善することができる。さらに好ましくは、保持腕18の一端は、基部15の振動の変位が最小となる領域において基部15に接続される。この場合、共振子10の振動周波数の変動を低減させることができる。
なお、基部幅は、次のように定義されても良い。すなわち、基部15の前端(図3においては長辺15上の点)から後端(図3においては長辺15b上の点)に向かう方向である長さ方向における、前端と後端との最長距離を基部長とした場合、前述の長さ方向に直交する幅方向における基部15の左端(図3においては短辺15c)と右端(図3においては短辺15)との最長距離を基部幅と定義することもできる。
図6は、保持腕18と基部15との接続位置に対するDLDの変化を示すグラフである。横軸は、基部幅の半分の値に対する中心点q5から中心点q6までの距離の割合を示し、縦軸は単位電力(μW)あたりの周波数の変位量(ppm)を示している。図6の例では、まず、インピーダンスアナライザ等を用いて、入力電力(μW)を変えて共振周波数の測定を行った。その後、測定した、入力電力に対する共振周波数の関係を直線近似し、その直線の傾き(入力電力の変化量に対する共振周波数の変化量)を単位電力当りの周波数変位量とした。
図6に示すように、DLDは、基部幅の半分の値に対する中心点q5から中心点q6までの距離の割合が0.6より大きい場合、ほぼ一定であるが、0.6の点を境界に漸進的に減少している。基部幅の半分の値に対する中心点q5から中心点q6までの距離の割合を0.6以下に設定することでDLDが大幅に向上することが分かる。
図7は、本実施形態における振動部120の振動による変位量の分布を模式的に示す図である。図7において、色の濃い箇所は、色の薄い箇所にくらべて、変位が少ない部位を示している。図7に示すように、中心軸r1、r2は、他の部位と比較して、変位が少ない部位の中心を通っている。
中心軸r1、r2で発生したモーメントは、基部15の振動腕16aと16bの間、及び振動腕16cと16dの間(図7の色の濃い箇所)から、基部15全体に伝搬する。本実施形態に係る共振装置1は、基部15を直接保持部11に固定せずに、保持腕18を介して接続されている。これによって、保持腕18において回転方向のモーメントを分散させることができ、共振子10の振動周波数の変動を低減させることができる。さらに、保持腕18を屈曲させることでこの効果をより向上させることができる。
また、本実施形態に係る共振装置1は、基部15と保持腕18とを、振動腕16a〜16dが接続されている長辺15aに対向する長辺15bにおいて接続することによって、振動漏れを抑制させることができ、Q値が向上する。さらに、長辺15bのうち、振動による変位が他の箇所と比較して小さい部位、好ましくは最小となる部位に、保持腕18との接続点を設けることで、振動特性をより向上させることができる。具体的には、保持腕18は、腕18aのX軸方向の中心を通る軸が中心軸r1、r2と一致するように、長辺15bと接続することが望ましい。
[第2の実施形態]
第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
図8は、本実施形態に係る、共振子10の平面図の一例を示す図である。以下に、本実施形態に係る共振装置1の詳細構成のうち、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。
本実施形態では、振動部120は、基部15に長辺15bに接続する保持腕18によって、枠体11c、11dにおいて保持部11に接続されている。
本実施形態では、保持腕18は、腕18a〜18cに加え、腕18dを有している。一対の保持腕18は、一端が基部15の長辺15bに接続されており、そこから枠体11bに向かって延びている。そして、一対の保持腕18は、それぞれ枠体11c又は11dに向かう方向(すなわち、X軸方向)に屈曲し、枠体11aに向かう方向(すなわち、Y軸方向)に屈曲し、さらに枠体11c又は11dに向かう方向に屈曲して、他端が枠体11c又は11dに接続されている。
腕18cは、基部15と枠体11c(11d)との間に、枠体11c(11d)に対向して、長手方向がY軸方向に平行になるように設けられている。
腕18cは、一端が、その側面において、腕18bに接続されている。また、腕18cの他端は、その側面において、腕18dの一端に接続されている。腕18cは、例えばX軸方向に規定される幅が20μm程度、Y軸方向に規定される長さが620μm程度である。
腕18dは、振動腕16a(16d)と枠体11c(11d)との間に、枠体11aに対向して、長手方向がX軸方向に平行になるように設けられている。腕18dの一端は、腕18cの他端であって枠体11c(11d)と対向する側の側面と接続されている。また、腕18dは、他端が、振動腕16a(16d)の自由端の端部に対向する位置において、枠体11c(11d)と接続しており、そこから枠体11c(11d)に対して略垂直、すなわち、X軸方向に延びている。腕18dは、例えばY軸方向に規定される幅が20μm程度、X軸方向に規定される長さが10μm程度である。
保持腕18のその他の腕については、第1の実施形態と同様である。
このように本実施形態では、振動部120は、保持腕18によって、枠体11c、11dに接続されている。保持腕18の屈曲箇所を増やすことによって、保持腕18におけるモーメントをより分散させ、共振周波数の抑制効果をより向上させることができる。
その他の構成、効果は第1の実施形態と同様である。
[第3の実施形態]
図9は、本実施形態に係る、共振子10の平面図の一例を示す図である。以下に、本実施形態に係る共振装置1の詳細構成のうち、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。
本実施形態では、振動部120は、基部15の長辺15bに接続する保持腕18によって、枠体11c、11dにおいて保持部11に接続されている。
本実施形態では、保持腕18は、腕18a〜18cに加え、腕18dを有している。一対の保持腕18は、一端が基部15の長辺15bに接続されており、そこから枠体11bに向かって延びている。そして、一対の保持腕18は、それぞれ枠体11c又は11dに向かう方向(すなわち、X軸方向)に屈曲し、枠体11aに向かう方向(すなわち、Y軸方向)に屈曲し、さらに枠体11c又は11dに向かう方向に屈曲して、他端が枠体11c又は11dに接続されている。
腕18cは、基部15と枠体11c(11d)との間に、枠体11c(11d)に対向して、Y軸方向に平行に設けられている。
腕18cは、一端が、その側面において、腕18bに接続されている。また、腕18cの他端は、その側面において、腕18dの一端と接続されている。腕18cは、例えばX軸方向に規定される幅が20μm程度、Y軸方向に規定される長さが140μm程度である。
腕18dは、振動腕16a(16d)と枠体11c(11d)との間に、枠体11aに対向して、長手方向がX軸方向に平行になるように設けられている。腕18dの一端は、腕18cの他端であって枠体11c(11d)と対向する側の側面と接続されている。また、腕18dは、他端が基部15の長辺15aと振動腕16a(16d)の接続箇所に対向する位置近傍において、枠体11c(11d)と接続しており、そこから枠体11c(11d)に対して略垂直、すなわち、X軸方向に延びている。腕18dは、例えばY軸方向に規定される幅が20μm程度である。
保持腕18のその他の腕については、第1の実施形態と同様である。
このように本実施形態では、振動部120は、保持腕18によって、枠体11c、11dに接続されている。保持腕18の屈曲箇所を増やすことによって、保持腕18におけるモーメントをより分散させ、共振周波数の抑制効果をより向上させることができる。 その他の構成、効果は第1の実施形態と同様である。
[第4の実施形態]
図10は、本実施形態に係る、共振子10の平面図の一例を示す図である。以下に、本実施形態に係る共振装置1の詳細構成のうち、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。
本実施形態では、保持腕18は、腕18a〜18cに加え、腕18d、18eを有している。一対の保持腕18は、一端が基部15の長辺15bに接続されており、そこから枠体11bに向かって延びている。そして、一対の保持腕18は、それぞれ枠体11c又は11dに向かう方向(すなわち、X軸方向)に屈曲し、枠体11aに向かう方向(すなわち、Y軸方向)に屈曲し、再度それぞれ枠体11d又は11cに向かう方向に屈曲し、さらに枠体11aに向かう方向に屈曲して、他端が枠体11aに接続されている。
腕18cは、一端が、その側面において、腕18bに接続されている。また、腕18cの他端は、その側面において、腕18dの一端と接続されている。腕18cは、例えばX軸方向に規定される幅が20μm程度、Y軸方向に規定される長さが660μm程度である。
腕18dは、振動腕16a(16d)と枠体11c(11d)との間に、枠体11aに対向して、長手方向がX軸方向に平行になるように設けられている。腕18dの一端は、腕18cの他端であって枠体11c(11d)と対向する側の側面と接続し、そこから枠体11c(11d)に対して略垂直、すなわち、X軸方向に延びている。また、腕18dの他端は、腕18eの一端であって、枠体11c(11d)と対向する側の側面と接続している。腕18dは、例えばY軸方向に規定される幅が20μm程度、X軸方向に規定される長さが20μm程度である。
腕18eは、振動腕16a(16d)と枠体11aとの間に、枠体11c(11d)に対向して、長手方向がY軸方向に平行になるように設けられている。腕18eの一端は、その側面において、腕18dの他端に接続されている。また、腕18eの他端は、振動腕16a(16d)と対向する位置において、枠体11aと接続し、そこから枠体11aに対して略垂直、すなわち、Y軸方向に延びている。腕18eは、例えばX軸方向に規定される幅が20μm程度、Y軸方向に規定される長さが40μm程度である。
保持腕18のその他の腕については、第1の実施形態と同様である。
このように本実施形態では、保持腕18の屈曲箇所を増やすことによって、保持腕18におけるモーメントをより分散させ、共振周波数の抑制効果をより向上させることができる。
その他の構成、効果は第1の実施形態と同様である。
[第5の実施形態]
図11は、本実施形態に係る、共振子10の平面図の一例を示す図である。以下に、本実施形態に係る共振装置1の詳細構成のうち、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。
本実施形態では、振動腕16a〜16dはそれぞれ自由端に錘Gを有している。錘Gは、例えば振動腕16a〜16dと同一プロセスによって一体形成される。振動腕16a〜16dが自由端側にそれぞれ錘Gを有することで、各振動腕における上下方向の振動の振幅を大きくすることができる。
図12は、本実施形態における振動部120の振動による変位量の分布を模式的に示す図である。図12において、色の濃い箇所は、色の薄い箇所にくらべて、変位が少ない部位を示している。本実施形態では、振動腕16a〜16dが自由端側に錘Gを有するため、他の部位と比較して、変位が少ない部位が、第1の実施形態よりも広くなっている。本実施形態では、腕18aのX軸方向の中心を通る軸は、他の部位と比較して、変位が少ない部位の中心を通るように設定されている。
その他の構成、効果は第1の実施形態と同様である。
[第6の実施形態]
図13は、本実施形態に係る、共振子10の平面図の一例を示す図である。以下に、本実施形態に係る共振装置1の詳細構成のうち、第3の実施形態との差異点を中心に説明する。
本実施形態において、基部15は後端において、第3実施形態における長辺15bに代えて、2つの短辺15e、15fを有している。即ち、本実施形態に係る基部15は、平面視において、長辺15a、及び短辺15c〜15fを備え、長辺15aの垂直二等分線に対して線対称な五角形の形状を有している。本実施形態では、保持腕18は、基部15の後端側の領域である短辺15e、15fに接続されている。その他の構成、効果は第3の実施形態と同様である。
[第7の実施形態]
図14は、本実施形態に係る、共振子10の平面図の一例を示す図である。以下に、本実施形態に係る共振装置1の詳細構成のうち、第3の実施形態との差異点を中心に説明する。
本実施形態において、基部15は後端において、第3実施形態における長辺15bに代えて、4つの短辺15g〜15を有している。即ち、本実施形態に係る基部15の後端は、平面視において、略円弧形状を有している。また、本実施形態では、保持腕18は、基部15の後端側の領域である短辺15g、15jに接続されている。その他の構成、効果は第3の実施形態と同様である。


[第8の実施形態]
図15は、本実施形態に係る、共振子10の平面図の一例を示す図である。以下に、本実施形態に係る共振装置1の詳細構成のうち、第3の実施形態との差異点を中心に説明する。
本実施形態において、基部15は前端の振動腕16bとの接続箇所と、16cとの接続箇所との間には、凹部151kが形成されている。具体的には、本実施形態において、前端の長辺15aは、短辺15cとの接続箇所から振動腕16bとの接続箇所まで、長辺15bに平行に延びる。そこから長辺15aは、長辺15b側へ略垂直に屈曲し、短辺15cに平行に延び、さらに短辺15cの中央付近において、短辺15d側へ略垂直に屈曲する。屈曲後、長辺15aは、再度、長辺15bに平行に延び、振動腕16cの延長線付近において、さらに振動腕16c側に略垂直に屈曲する。さらに長辺15aは、振動腕16cとの接続箇所において、短辺15d側に略垂直に屈曲し、短辺15dとの接続箇所まで延びている。これによって、基部15の前端に凹部151kが形成されている。その他の構成、効果は第3の実施形態と同様である。
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、既述の実施形態において、保持腕18は2回以上屈曲する構成として説明したが、これに限定されない。保持腕18は、例えば、1回も屈曲せず、基部15の長辺15bと枠体11bとを接続する構成であってもよい。また、保持腕18は、例えば、1回だけ屈曲して、基部15の長辺15bと枠体11c又は11dとを接続する構成であってもよい。この場合、共振装置1の小型化を図ることが可能になる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
1 共振装置
10 共振子
13 上蓋
14 下蓋
11 保持部
11a〜d 枠体
18 保持腕
18a〜e 腕
120 振動部
15 基部
15a、15b 長辺
15c 短辺
16a〜d 振動腕
22 SiO2膜
23 Si層
24 圧電薄膜
25、26 金属層

Claims (5)

  1. 前端及び当該前端に対向する後端を有する基部と、固定端が前記基部の前記前端に接続され、前記前端から離れる方向に延びている複数の振動腕と、を有する振動部と、
    振動部の周囲の少なくとも一部に設けられた保持部と、
    振動部と保持部との間に設けられ、一端が前記基部に接続され、他端が前記保持部における、前記基部の前記後端よりも前記前端側の領域に接続された保持腕と、
    を備え
    前記保持部は、
    前記複数の振動腕の開放端に対向して設けられた第1固定部と、前記振動腕が延びる方向に沿って、当該複数の振動腕に対向して設けられた第2固定部と、を有し、
    前記保持腕の一端は、
    前記基部の前記後端側に接続され、前記他端が、前記第1固定部又は前記第2固定部に接続される、共振子。
  2. 前端及び当該前端に対向する後端を有する基部と、固定端が前記基部の前記前端に接続され、前記前端から離れる方向に延びている複数の振動腕と、を有する振動部と、
    振動部の周囲の少なくとも一部に設けられた保持部と、
    振動部と保持部との間に設けられ、一端が前記基部に接続され、他端が前記保持部における、前記基部の前記後端よりも前記前端側の領域に接続された保持腕と、
    を備え、
    前記保持腕の前記一端は、
    前記基部の振動の変位が最小となる領域において前記基部に接続される、共振子。
  3. 前記保持腕の前記一端は、
    当該一端の端面の中心が、前記複数の振動腕のうち、前記基部の前記前端の最も外側において前記基部に接続された第1振動腕よりも、前記第1振動腕に隣接して前記基部に接続された第2振動腕側に接続される、
    請求項又はに記載の共振子。
  4. 前記保持腕の前記一端は、
    当該一端の端面の中心から前記基部の前記前端の端面の中心までの距離が、前記基部の表面をとおり前記前端に平行な直線のうち、長さが最大となる直線の半分の長さに対して6割以下となる位置に接続される、
    請求項又はに記載の共振子。
  5. 請求項1〜のいずれか一項に記載の共振子を備える、共振装置。
JP2017515533A 2015-04-27 2016-04-25 共振子及び共振装置 Active JP6548149B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562153049P 2015-04-27 2015-04-27
US62/153,049 2015-04-27
PCT/JP2016/062873 WO2016175161A1 (ja) 2015-04-27 2016-04-25 共振子及び共振装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016175161A1 JPWO2016175161A1 (ja) 2018-02-08
JP6548149B2 true JP6548149B2 (ja) 2019-07-24

Family

ID=57198630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017515533A Active JP6548149B2 (ja) 2015-04-27 2016-04-25 共振子及び共振装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10790800B2 (ja)
JP (1) JP6548149B2 (ja)
CN (1) CN107431476B (ja)
WO (1) WO2016175161A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016043205A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 株式会社村田製作所 共振子及び共振装置
US10812046B2 (en) 2018-02-07 2020-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Micromechanical resonator having reduced size
WO2020049789A1 (ja) 2018-09-03 2020-03-12 株式会社村田製作所 共振子及びそれを備えた共振装置
WO2020067484A1 (ja) 2018-09-28 2020-04-02 株式会社村田製作所 共振子及び共振装置
WO2020261630A1 (ja) * 2019-06-26 2020-12-30 株式会社村田製作所 共振装置
US12426506B2 (en) 2019-07-19 2025-09-23 Evatec Ag Piezoelectric coating and deposition process

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5458395A (en) * 1977-10-19 1979-05-11 Matsushima Kogyo Kk Piezooelectric vibrator
JPS5685922A (en) * 1979-12-14 1981-07-13 Seiko Epson Corp Quartz oscillator
JPS5685921A (en) 1979-12-14 1981-07-13 Seiko Epson Corp Quartz oscillator
JPS58111515A (ja) 1981-12-25 1983-07-02 Citizen Watch Co Ltd 水晶振動子
US5986381A (en) 1997-03-14 1999-11-16 Hewlett-Packard Company Electrostatic actuator with spatially alternating voltage patterns
JP2004208237A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Seiko Epson Corp 圧電デバイスと圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器
JP2007123683A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜
US7975545B2 (en) 2006-12-08 2011-07-12 Tdk Corporation Angular velocity sensor and angular velocity sensor device
JP4792143B2 (ja) 2007-02-22 2011-10-12 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP5119839B2 (ja) 2007-10-02 2013-01-16 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子およびその製造方法
JP5071058B2 (ja) 2007-11-07 2012-11-14 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片
JP2009165006A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電振動片、圧電デバイス及び音叉型圧電振動子の周波数調整方法
JP4533934B2 (ja) 2008-01-15 2010-09-01 エプソントヨコム株式会社 振動片及び振動子の製造方法
JP4685910B2 (ja) 2008-09-29 2011-05-18 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
JP4934125B2 (ja) * 2008-12-02 2012-05-16 日本電波工業株式会社 圧電フレームおよび圧電デバイス
JP4763769B2 (ja) 2008-12-03 2011-08-31 日本電波工業株式会社 圧電デバイスの製造方法
JP4778548B2 (ja) * 2008-12-17 2011-09-21 日本電波工業株式会社 圧電フレーム、圧電デバイス及び圧電フレームの製造方法
JP2010147953A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電フレーム及び圧電デバイス
JP4851549B2 (ja) 2009-02-10 2012-01-11 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
JP5584500B2 (ja) * 2009-05-01 2014-09-03 日本電波工業株式会社 圧電フレーム及び圧電デバイス
JP6007541B2 (ja) 2012-03-28 2016-10-12 セイコーエプソン株式会社 振動片およびその製造方法並びにジャイロセンサーおよび電子機器および移動体
JP6160027B2 (ja) 2012-04-27 2017-07-12 セイコーエプソン株式会社 振動片およびジャイロセンサー並びに電子機器および移動体
JP6167494B2 (ja) 2012-09-26 2017-07-26 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス用容器の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器及び移動体機器
JP6127495B2 (ja) * 2012-12-19 2017-05-17 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動子、発振器、電子機器、移動体、および振動片の製造方法
JP6171475B2 (ja) * 2013-03-28 2017-08-02 セイコーエプソン株式会社 振動片の製造方法
JP2015033087A (ja) 2013-08-06 2015-02-16 日本電波工業株式会社 音叉型振動片及び振動デバイス
JP6245265B2 (ja) * 2013-09-20 2017-12-13 株式会社村田製作所 振動装置及びその製造方法
JP6331702B2 (ja) * 2014-05-29 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
WO2016043205A1 (ja) 2014-09-19 2016-03-24 株式会社村田製作所 共振子及び共振装置
JP6582501B2 (ja) 2015-04-02 2019-10-02 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動子、電子機器および移動体

Also Published As

Publication number Publication date
US10790800B2 (en) 2020-09-29
US20180048288A1 (en) 2018-02-15
JPWO2016175161A1 (ja) 2018-02-08
WO2016175161A1 (ja) 2016-11-03
CN107431476B (zh) 2020-06-12
CN107431476A (zh) 2017-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6551706B2 (ja) 共振子及び共振装置
JP6548149B2 (ja) 共振子及び共振装置
CN107431473B (zh) 共振装置
JP6536685B2 (ja) 共振子及び共振装置
JP6723526B2 (ja) 共振子及び共振装置
JP6742601B2 (ja) 共振子及び共振装置
JP6768206B2 (ja) 共振子及び共振装置
CN109075767B (zh) 谐振子以及谐振装置
JP6617891B2 (ja) 共振子及び共振装置
CN107408934A (zh) 谐振器
CN107431475B (zh) 谐振器
JP6517553B2 (ja) 角速度センサ
JP6829823B2 (ja) 共振子及び共振装置
JP7400955B2 (ja) 共振子および共振装置
CN103389083A (zh) 振动片及其制造方法以及陀螺传感器、电子设备、移动体
JP2016170074A (ja) 角速度センサ及びセンサ素子
JPWO2019035238A1 (ja) 共振子及び共振装置
JP2018074344A (ja) 水晶素子および水晶デバイス
JP2014057366A (ja) 振動片、振動子、発振器、及びセンサー

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171004

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171004

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190110

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6548149

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190616