JP6428839B2 - Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、マスク上のパターンをプレート上に投影露光する露光方法、露光装置及びデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure method for projection exposure of the pattern on the mask onto the plate, relates to an exposure apparatus and a device manufacturing how.
近年、情報表示装置として、液晶又は有機EL(Electro Luminescence)等の素子を用
いた薄型の表示パネルが多用されている。これらの表示パネルは、薄いガラス基板に透明
薄膜電極をフォトリソグラフィ手法でパターンニングすることにより製造されている。こ
のフォトリソグラフィ工程で、マスクに形成されたパターンを感光基板(以下、プレート
ともいう)に投影露光する装置として、MLA(Micro Lens Array)等のレンズアレイを
用いてパターンの像をプレートに投影する露光装置がある(例えば、特許文献1)。特許
文献1に記載の露光装置では、パターンの像をプレートに露光する際に、マスクおよびウ
ェハと、マスクを照明する照明光学系およびパターンの像を投影する投影光学系としての
MLAと、を相対移動させることが開示されている。
In recent years, thin display panels using elements such as liquid crystal or organic EL (Electro Luminescence) have been widely used as information display devices. These display panels are manufactured by patterning transparent thin film electrodes on a thin glass substrate by a photolithography technique. In this photolithography process, as an apparatus for projecting and exposing a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate (hereinafter also referred to as a plate), an image of the pattern is projected onto the plate using a lens array such as an MLA (Micro Lens Array). There exists an exposure apparatus (for example, patent document 1). In the exposure apparatus described in
例えば、表示パネルを製造する場合、1つのプレートに、パターンの露光と現像とを繰
り返すことで、プレート上に複数層のパターンを積層させる。この場合、露光装置は、同
じプレートにパターンを複数回露光する。ここで、露光する対象のプレートは、現像処理
などによって、伸縮する場合がある。露光装置は、MLAではなく、レンズやミラー等の
光学部材で光を透過、反射させる一般的な投影光学系を備える場合、投影光学系の一部に
プレートの伸縮で生じるパターンのずれに対応するため、投影倍率等を調整する機構を備
えているものもある。
For example, when a display panel is manufactured, a plurality of patterns are stacked on a plate by repeating pattern exposure and development on one plate. In this case, the exposure apparatus exposes the pattern multiple times on the same plate. Here, the plate to be exposed may expand and contract due to development processing or the like. When the exposure apparatus includes a general projection optical system that transmits and reflects light with an optical member such as a lens or a mirror instead of the MLA, the exposure apparatus copes with a pattern shift caused by expansion and contraction of a plate in a part of the projection optical system. Therefore, some have a mechanism for adjusting the projection magnification and the like.
しかしながら、特許文献1のようにレンズアレイを備える露光装置は、マスクと基板と
の間隔を狭くする構成であるため、投影倍率を調整する機構を設けることが困難である。
また、仮にマスクと基板との間にレンズアレイに加え、投影倍率を調整する機構を設ける
と、マスクと基板との間隔が広くなるため、レンズアレイを設けることで得られる効果が
著しく減少する。
However, since an exposure apparatus having a lens array as in
Further, if a mechanism for adjusting the projection magnification is provided between the mask and the substrate in addition to the lens array, the distance between the mask and the substrate is widened, so that the effect obtained by providing the lens array is significantly reduced.
本発明の態様は、レンズアレイを用いつつ、プレートのより適切な位置にマスクのパターンを露光することができる露光方法、露光装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
Aspect of the present invention, while using a lens array, an exposure method capable of exposing a more appropriate pattern of the mask on the position of the plate, and an object thereof is to provide an exposure apparatus and device manufacturing how.
本発明の第1の態様に従えば、照明光を照明光学系を介してマスクに照射し、前記マス
クに形成されたパターンをレンズアレイを介してプレートに転写する露光方法であって、
短冊形状の複数の前記マスクを走査方向が長手となる向きで、前記走査方向に直交する方
向である非走査方向に沿って配置し、前記照明光学系及び前記レンズアレイと前記マスク
及び前記プレートとを、前記マスク及び前記プレートに沿った前記走査方向に相対的に移
動させ、前記照明光学系から前記パターンに前記照明光を照射し、前記マスクに形成され
たパターンの像を前記レンズアレイを介して前記プレートに投影することと、前記照明光
学系及び前記レンズアレイと前記マスク及び前記プレートとの前記走査方向への相対的な
移動中に、前記走査方向に直交する方向である非走査方向における複数の前記マスクの間
隔を変化させることと、を含む露光方法が提供される。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an exposure method for irradiating a mask with illumination light through an illumination optical system, and transferring a pattern formed on the mask to a plate through a lens array,
A plurality of strip-shaped masks are arranged along a non-scanning direction that is a direction perpendicular to the scanning direction in a direction in which the scanning direction is a longitudinal direction, and the illumination optical system, the lens array, the mask, and the plate, Is moved relatively in the scanning direction along the mask and the plate, the illumination light is irradiated to the pattern from the illumination optical system, and an image of the pattern formed on the mask is passed through the lens array. Projecting onto the plate, and in a non-scanning direction that is perpendicular to the scanning direction during relative movement of the illumination optical system, the lens array, the mask, and the plate in the scanning direction. Changing an interval between the plurality of masks.
本発明の第2の態様に従えば、照明光をマスクに照射させる照明光学系と、前記照明光
学系によって照明される前記マスクに形成されているパターンの像をプレートに投影し、
前記マスクに形成されたパターンを前記プレートに転写するレンズアレイと、前記照明光
学系及び前記レンズアレイを、前記マスク及び前記プレートに沿った走査方向に相対的に
移動させる移動装置と、を備える露光装置であって、短冊形状の複数の前記マスクを走査
方向が長手となる向きで、前記走査方向に直交する方向である非走査方向に沿って配置し
、前記走査方向に直交する方向である非走査方向における複数の前記マスクの間隔を変化
させるマスク間隔調整機構と、前記マスク間隔調整機構を支持する支持台とを有するマス
ク支持機構と、前記プレートを支持するプレート支持機構と、前記移動装置による相対的
な移動中に、前記マスク間隔調整機構によって複数の前記マスクの間隔を調整する制御装
置と、を備える露光装置が提供される。
According to the second aspect of the present invention, an illumination optical system for irradiating the mask with illumination light, and an image of a pattern formed on the mask illuminated by the illumination optical system are projected onto the plate,
An exposure comprising: a lens array that transfers a pattern formed on the mask to the plate; and a moving device that relatively moves the illumination optical system and the lens array in a scanning direction along the mask and the plate. An apparatus, wherein a plurality of strip-shaped masks are arranged along a non-scanning direction that is a direction perpendicular to the scanning direction in a direction in which a scanning direction is a longitudinal direction, and a non-direction that is perpendicular to the scanning direction. By a mask support mechanism having a mask interval adjustment mechanism for changing the interval between the plurality of masks in the scanning direction, a support base for supporting the mask interval adjustment mechanism, a plate support mechanism for supporting the plate, and the moving device An exposure apparatus comprising: a control device that adjusts intervals of the plurality of masks by the mask interval adjustment mechanism during relative movement. It is.
本発明の第3の態様に従えば、上記の露光方法によって、前記マスクに形成されたパタ
ーンをプレートに転写することと、前記パターンが転写された前記プレートを、転写され
た前記パターンに基づいて加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
According to the third aspect of the present invention, the pattern formed on the mask is transferred to a plate by the above exposure method, and the plate to which the pattern is transferred is transferred to the plate based on the transferred pattern. And a device manufacturing method is provided.
本発明の第4の態様に従えば、プレートにパターンを投影し、当該プレートにパターン
を転写させる露光用マスクであって、一方が長辺となり他方が短辺となる短冊形状の基部
を有し、前記基部は、前記パターンが形成されたパターン領域が前記長辺に沿って複数形
成され、かつ、前記パターン領域の間に遮蔽領域が形成されたマスクが提供される。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure mask for projecting a pattern onto a plate and transferring the pattern onto the plate, and having a strip-shaped base portion with one long side and the other short side. The base is provided with a mask in which a plurality of pattern regions in which the pattern is formed are formed along the long side, and a shielding region is formed between the pattern regions.
本発明の態様によれば、走査方向に直交する非走査方向における複数のマスクの間隔を
変化させ、マスクとプレートとの相対位置を変化させることで、プレート上の投影するマ
スクのパターンの位置をプレートのパターンのズレに対応して調整することができる。こ
れにより、レンズアレイを用いつつ、プレートのより適切な位置にマスクのパターンを露
光することができる。
According to the aspect of the present invention, by changing the interval between the plurality of masks in the non-scanning direction orthogonal to the scanning direction and changing the relative position between the mask and the plate, the position of the mask pattern to be projected on the plate can be changed. It can be adjusted according to the deviation of the pattern of the plate. Thus, the mask pattern can be exposed to a more appropriate position on the plate while using the lens array.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。
以下に記載の実施形態により本発明が限定されるものではない。以下において、下は重力
が作用する方向(鉛直方向)側であり、上は重力が作用する方向とは反対方向側である。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
The present invention is not limited to the embodiments described below. In the following, the lower side is the direction (vertical direction) in which gravity acts, and the upper side is the direction opposite to the direction in which gravity acts.
(実施形態1)
以下、図1から図5を用いて、実施形態1の露光装置について説明する。図1は、実施
形態1に係る露光装置の側面図である。図2は、図1に示す露光装置のマスク支持機構の
上面図である。図3は、図2に示すマスク支持機構の側面図である。図4は、実施形態1
に係る露光装置を、投影光学系とマスクとの間から見た図である。図5は、実施形態1に
係る露光装置を照明光学系及び投影光学系が移動する方向側から見た図である。露光装置
1は、投影光学系にMLA(Micro Lens Array)を用いて、照明光学ユニット及び投影光
学系をマスク及びプレート(感光基板)に対して移動(走査)させることにより、プレー
トにマスクのパターン(マスクパターン)を露光する走査型の露光装置である。なお、本
実施形態の露光装置1は、複数のマスクを含むマスクユニットMを支持しており、複数の
マスクのパターンをそれぞれプレートに露光する。以下においては、投影光学系の光軸A
XL(図1参照)と平行な方向にZ軸をとり、照明光学系及び投影光学系の走査方向にX
軸をとり、Z軸とX軸とに直交する方向にY軸をとる。まず、露光装置1の概要を説明す
る。
(Embodiment 1)
The exposure apparatus according to the first embodiment will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a side view of the exposure apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is a top view of the mask support mechanism of the exposure apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a side view of the mask support mechanism shown in FIG. FIG. 4 shows the first embodiment.
It is the figure which looked at the exposure apparatus which concerns on from between the projection optical system and the mask. FIG. 5 is a view of the exposure apparatus according to the first embodiment when viewed from the direction in which the illumination optical system and the projection optical system move. The
The Z axis is taken in a direction parallel to XL (see FIG. 1), and X is set in the scanning direction of the illumination optical system and the projection optical system.
An axis is taken, and a Y axis is taken in a direction perpendicular to the Z axis and the X axis. First, the outline of the
<露光装置の概要>
露光装置1は、フレーム1Fと、照明光学系2と、投影光学系3と、移動装置21と、
を含む。露光装置1は、照明光学系2に向けて光を出力する光源6が配置されている。露
光装置1は、光源6から出射される光を照明光学系2でマスクユニットMまで案内し、マ
スクユニットMを通過した光を投影光学系3によって案内することでマスクユニットMの
パターンをプレートPに投影させる。露光装置1は、制御装置9によって制御される。ま
た、露光装置1は、マスクユニットMに形成されたパターンの位置とプレートに形成され
たパターンの位置を検出する位置検出装置を備えている。位置検出装置については後述す
る。
<Outline of exposure apparatus>
The
including. In the
フレーム1Fは、基部1Vと、基部1Vに取り付けられた側部1Wと、照明光学系2を
支持する一対の照明系ガイド5Lと、投影光学系3を支持する一対の投影系ガイド5Pと
を有する。基部1Vは、露光装置1の設置対象(例えば、基礎)に取り付けられて、露光
装置1の下部に位置することになる。基部1Vの上部には、側部1Wが取り付けられてい
る。側部1Wには、一対の照明系ガイド5Lと、一対の投影系ガイド5Pとが取り付けら
れている。照明系ガイド5Lと一対の投影系ガイド5Pとは、前者が後者よりも上側に配
置されて、側部1Wに支持される。
The
照明系ガイド5L及び投影系ガイド5Pは、X軸と平行な方向に向かって延在している
。一対の照明系ガイド5L及び一対の投影系ガイド5Pは、Y方向に所定の間隔を空けて
配置される。照明光学系2は、一対の照明系ガイド5Lを跨いでこれらに支持される。そ
して、照明光学系2は、一対の照明系ガイド5Lに沿ってX方向(図1の矢印xlで示す
方向)に移動する。投影光学系3は、一対の投影系ガイド5Pを跨いでこれらに支持され
る。そして、投影光学系3は、一対の投影系ガイド5Pに沿ってX方向(図1の矢印xp
で示す方向)に移動する。照明系ガイド5Lは投影系ガイド5Pよりも上に配置されるの
で、照明光学系2は投影光学系3よりも上に配置される。
The
Move in the direction indicated by Since the
<プレートステージ>
基部1Vの上部には、プレートステージ1Sが設けられている。プレートステージ1S
は、露光対象のプレートPを載置する。本実施形態において、プレートステージ1Sは、
プレートPをホルダに保持した状態で載置する。プレートステージ1Sは、プレートPを
支持する支持部32と移動可能な状態で支持部32を支持する土台34とを有する。土台
34は、基部1Vに固定されている。プレートステージ1Sは、プレートを支持する支持
部32を土台34に対して移動させることで、プレートPをフレーム1Fに対して移動さ
せることができる。プレートステージ1Sは、支持部32と土台34とがプレートPを移
動させる移動機構となる。プレートステージ1Sは、プレートPを走査方向に移動させる
ことができる。プレートステージ1Sは、つまり、支持部32を土台34に対して移動さ
せる機構として種々の直動アクチュエータを用いることができる。
<Plate stage>
A
Puts the plate P to be exposed. In the present embodiment, the
The plate P is placed while being held by the holder. The
<マスクステージ>
図1から図3を用いて、マスクステージ1Tについて説明する。マスクステージ1Tは
、マスクユニットMを支持する。マスクユニットMは、プレートステージ1Sの上方で、
側部1Wからフレーム1Fの内側に突出したマスクステージ1Tに支持される。本実施形
態において、プレートステージ1Sは、プレートPをホルダに保持した状態で載置し、支
持する。
<Mask stage>
The
It is supported by the
マスクステージ1Tが保持するマスクユニットMについて説明する。マスクユニットM
は、上述したように複数のマスク、本実施形態では、5つのマスクMa,Mb,Mc,M
d,Meを含む。マスクユニットMは、マスクMa,Mb,Mc,Md,Meは、マスク
ユニットMの表面において走査方向に直交する方向、つまりY方向(非走査方向ともいえ
る)に列状に配置されている。つまり、マスクMa,Mb,Mc,Md,Meは、Y方向
に隣接するマスクが配置されている。マスクMa,Mb,Mc,Md,Meは、配置位置
が異なるのみで、基本的に同様の構成であるので、以下、代表してマスクMaについて説
明する。マスクMaは、走査方向が長辺(長手方向)となり、Y方向が短辺(短手方向)
となる長方形状である。マスクMaは、長方形状の基部に複数のパターン領域50が形成
される。パターン領域50は、転写用のパターンが形成された領域であり、走査方向に列
状に配置されている。マスクMaは、基部上のパターン領域50とパターン領域の間に、
照明光を遮光するための遮蔽領域52が配置されている。このように、マスクMaは、基
部に走査方向にパターン領域50と遮蔽領域52とが交互に配置され、隣接するパターン
領域50の間に遮蔽領域52が配置される。遮蔽領域52は、転写用のパターンが形成さ
れていない領域であり、照明光が実質的に透過しない膜、例えばクロム膜が形成されてい
る。
The mask unit M held by the
As described above, a plurality of masks, in this embodiment, five masks Ma, Mb, Mc, M
Includes d and Me. In the mask unit M, the masks Ma, Mb, Mc, Md, and Me are arranged in a row on the surface of the mask unit M in a direction orthogonal to the scanning direction, that is, in the Y direction (also referred to as a non-scanning direction). That is, masks Ma, Mb, Mc, Md, and Me are arranged adjacent to each other in the Y direction. The masks Ma, Mb, Mc, Md, and Me have basically the same configuration except for the arrangement positions. Therefore, the mask Ma will be described below as a representative. The mask Ma has a long side (longitudinal direction) in the scanning direction and a short side (short direction) in the Y direction.
This is a rectangular shape. The mask Ma has a plurality of
A shielding
マスクユニットMは、走査方向に複数のパターン領域50が配置されたマスクMa〜M
eが、非走査方向に並列に配置されている。ここで、マスクMa〜Meに含まれる複数の
パターン領域50は、1つのパターン領域50を、小型用液晶表示パネルのTFTアレイ
基盤を構成するためのマスクパターンとすることが好ましい。マスクMa〜Meは、例え
ば中、小型用液晶表示パネルのTFTアレイ基盤を構成するためのパターンが描画されて
いる。中、小型液晶パネルとは、例えば10インチ(横205.2mm×縦153.9m
m)程度までの画面サイズの液晶パネルである。本実施形態の露光装置1は、後述するが
等倍露光されるため、1つの液晶パネルに相当するパターン領域50が同様のサイズであ
る。したがって、1つのパターン領域50は、横205.2mm×縦153.9mm以下
の大きさとなる。マスクMa〜Meは、これらの大きさのパターン領域50が走査方向に
複数配置されている。マスクMa〜Meの大きさとしては、例えば、幅160mm×長さ
700mm×厚さ10mmである。また、本実施形態のマスクMa〜Meは、パターン領
域に形成されるパターンが同じ形状である。これにより、マスクユニットMは、プレート
P上に同じパターンを複数個転写させることができる。
The mask unit M includes masks Ma to M in which a plurality of
e is arranged in parallel in the non-scanning direction. Here, in the plurality of
m) A liquid crystal panel having a screen size of up to about. Since the
マスクステージ1Tは、図1及び図2に示すように、支持台40と、複数のマスク間隔
調整機構41を備えている。支持台40は、側部1Wに固定されている。本実施形態の支
持台40は、側部1Wと繋がっている1つの部材である。マスク間隔調整機構41は、支
持台40に設置されている。マスク間隔調整機構41は、マスクユニットMに含まれるマ
スクMa〜Meのそれぞれに対して設置されている。また、マスク間隔調整機構41は、
それぞれのマスクMa〜Meの両端に設置されている。つまり、マスクステージ1Tは、
1つのマスクMa〜Meに対応してそれぞれ2つのマスク間隔調整機構41が設置されて
いる。したがって、本実施形態のマスクステージ1Tは、10個のマスク間隔調整機構4
1が設置されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
It is installed at both ends of each mask Ma-Me. That is, the
Two mask
1 is installed.
マスク間隔調整機構41は、マスクMa〜Meのうち対応するマスクを支持する支持部
42と、移動可能な状態で支持部42を支持する土台44と、を有する。土台44は、支
持台40に固定されている。マスク間隔調整機構41は、マスクを支持する支持部42を
土台44に対して移動させることで、マスクをフレーム1Fに対して移動させることがで
きる。マスク間隔調整機構41は、マスクをY方向、つまり矢印45の方向に移動させる
ことができる。ここで、Y方向は、マスクユニットM及びプレートPの表面に平行な面に
おいて、走査方向であるX方向に直交する方向であり、非走査方向とも言える。マスク間
隔調整機構41は、種々の直動アクチュエータを用いることができる。つまり、支持部4
2を土台44に対して移動させる機構としては種々の機構を用いることができる。なお、
本実施形態では、マスクMcがY方向におけるマスクユニットMの中心となる。このため
、マスクMcに対応して配置されたマスク間隔調整機構41は、マスクMcをY方向に移
動させない。なお、露光装置1は、Y方向におけるマスクユニットMの中心のマスクを移
動させるようにしてもよい。
The mask
Various mechanisms can be used as a mechanism for moving 2 with respect to the
In the present embodiment, the mask Mc is the center of the mask unit M in the Y direction. For this reason, the mask
マスクステージ1Tは、マスクMa〜Meに対応してマスク間隔調整機構41を設ける
ことで、マスクMa〜MeのY方向の位置をそれぞれ独立して調整することができる。こ
れにより、マスクステージ1Tは、マスクMa〜MeのそれぞれのY方向の位置を変える
ことができ、マスクMa〜Meの隣接するマスクとの間隔を変えることができる。
The
露光装置1は、マスクステージ1Tを用いてマスクユニットMを支持し、プレートステ
ージ1Sを用いてプレートPを支持することで、マスクステージ1Tに支持されたマスク
ユニットMに対向させた状態にプレートPを支持する。マスクパターンをプレートPに投
影露光している間、マスクユニットMはマスクステージ1Tに設けられた真空チャックに
よってエアー吸着され、固定されている。マスクユニットMを交換するときはエアー吸着
が開放され、所望のマスクユニットMに交換することができる。マスクユニットMは、プ
レートPよりも上に配置される。プレートPに露光する際には、プレートPが最も下に配
置され、上に向かって投影光学系3、マスクユニットM、照明光学系2の順に配置される
。照明光学系2及び投影光学系3は、同期してX方向に移動しながらマスクパターンをプ
レートPに投影露光する。
The
露光装置1は、移動装置21を備えている。移動装置21は、照明光学系2及び投影光
学系3を支持する支持部22を有し、支持部22を照明系ガイド5L及び投影系ガイド5
Pに沿ってX方向に移動させることで、照明光学系2及び投影光学系3を照明系ガイド5
L及び投影系ガイド5Pに沿ってX方向に移動させる。つまり、移動装置21は、マスク
ユニットM及びプレートPの表面に沿った方向に支持部22を移動させることで、照明光
学系2及び投影光学系3をX方向に移動させる。また、移動装置21は、支持部22によ
って光源6を支持し、光源6も照明光学系2及び投影光学系3とともに移動させる。
The
By moving in the X direction along P, the illumination
Move in the X direction along L and the
露光装置1は、マスクステージ1Tの支持台40及びプレートステージ1Sの土台34
がフレーム1Fに取り付けられ、固定されている。これにより、露光装置1は、マスクユ
ニットM及びプレートPのフレーム1Fに対する位置を所定の位置とすることができる。
照明光学系2及び投影光学系3は、マスクステージ1T及びプレートステージ1Sに対し
てX方向に移動しながらマスクパターンをプレートPに投影露光する。照明光学系2及び
投影光学系3は、マスクパターンをプレートPに投影露光するにあたって、マスクステー
ジ1T及びプレートステージ1Sに対してX方向へ移動する。
The
Is attached and fixed to the
The illumination
<照明光学系>
照明光学系2は、光源6から発された光を導光し、マスクユニットMを照明する光とし
て入射する。なお、露光装置1は、光源6を複数備えている。なお、露光装置
1は、光を出力する出力部を複数備えていればよく、複数の光源6を1つの装置で実現し
てもよい。本実施形態において、光源6は、レーザ光源であるが、これに限定されるもの
ではない。照明光学系2は、図4に示す照明視野SR、SLを形成する部分照明光学ユニ
ット10L、10Rと、照明視野SCを形成する部分照明光学ユニット10Cと、を有す
る。光源6から出力された光は、部分照明光学ユニット10L、10Rに入射し、リレー
光学系12によって光源6の出射端面をフライアイレンズ13の入射面に投影する。この
とき、リレー光学系12は、光源6の出射端面を所定の倍数に拡大して、フライアイレン
ズ13の入射面に投影する。フライアイレンズ13は、複数のエレメントレンズが配列し
、接合されている。本実施形態においては、列方向に8個、行方向に10個のエレメント
レンズが配列するとともに、合計80個のエレメントが接合されている。
<Illumination optics>
The illumination
フライアイレンズ13を射出した光は、σ絞り14を通過する。σ絞り14は、光の径
を制限して照明NAを定める。σ絞り14を通過した光は、2個のコンデンサレンズ15
及びミラー16を介してマスクユニットMの表面(照明光学系2側の表面)に集光されて
、照明視野を形成する。フライアイレンズ13の入射面とマスクユニットMの表面とは共
役関係になっており、フライアイレンズ13の入射面の照度分布がフライアイレンズ13
のエレメントレンズ毎に重なり合って平均化されて、マスクユニットMの表面では均一な
照度分布が得られる。このような部分照明光学ユニット10L、10Rにより、マスクユ
ニットMの表面には、図4に示す照明視野SR、SLが形成される。照明視野SCを形成
する部分照明光学ユニット10Cも、コンデンサレンズ15とミラー16との配置が異な
る以外は、部分照明光学ユニット10L、10Rと同様の構造である。
The light emitted from the fly-
Then, the light is condensed on the surface of the mask unit M (surface on the illumination
Each element lens is overlapped and averaged, and a uniform illuminance distribution is obtained on the surface of the mask unit M. The illumination fields SR and SL shown in FIG. 4 are formed on the surface of the mask unit M by such partial illumination
<投影光学系>
次に、投影光学系3についてより詳細に説明する。投影光学系3は、マスクパターンを
プレートPの表面に結像して投影するための光学系である。投影光学系3は、マスクステ
ージ1Tに支持されたマスクユニットMとプレートステージ1Sに支持されたプレートP
との間を移動可能に設けられたレンズアレイを含み、マスクユニットMに形成されたパタ
ーンの像をプレートPに投影する。本実施形態において、投影光学系3は、マイクロレン
ズアレイを用いた結像光学系を用いて、マスクパターンをプレートPの表面に結像して投
影する。マイクロレンズアレイとは、多数の要素レンズを2次元的に配置した結像素子の
ことである。投影光学系は、複数のマイクロレンズアレイ(MLA:Micro Lens Allay)
8を有している。図1及び図4に示すように、MLA8は、投影光学系3のステージ3S
に搭載される。ステージ3Sが投影系ガイド5Pに沿って移動することにより、MLA8
がX方向に移動する。本実施形態の投影光学系3はMLA8を用いたが、マイクロレンズ
アレイ以外のレンズアレイを用いることもできる。なお、投影光学系3を支持するステー
ジ3Sは、支持部22の一部となる。
<Projection optical system>
Next, the projection
The image of the pattern formed on the mask unit M is projected onto the plate P. In the present embodiment, the projection
8. As shown in FIGS. 1 and 4, the
Mounted on. As the
Moves in the X direction. Although the projection
本実施形態においては、照明光学系2が形成した照明視野SR、SC、SLに対応した
位置に、それぞれMLA8R、MLA8C、MLA8Lが配置されている。以下において
、MLA8R、MLA8C、MLA8Lを区別しない場合、単にMLA8という。本実施
形態において、照明視野SR、SC、SLは、Y方向に向かって互いにX方向に所定間隔
ずれて、千鳥状に配置されている。このようにすることで、MLA8R、MLA8C、M
LA8LもY方向に向かって千鳥状に配置されるので、これらの干渉を回避することがで
きる。その結果、Y方向の照明視野を拡大することが可能になる。MLA8は薄いため、
投影光学系3も薄くなる。
In the present embodiment, MLA8R, MLA8C, and MLA8L are arranged at positions corresponding to the illumination fields SR, SC, and SL formed by the illumination
Since LA8L is also arranged in a staggered pattern in the Y direction, these interferences can be avoided. As a result, the illumination visual field in the Y direction can be enlarged. Because MLA8 is thin,
The projection
また、露光装置1は、検出部としてマスクステージ1Tとプレートステージ1Sとの距
離を計測する距離計を備えている。露光装置1は、距離計でマスクステージ1Tとプレー
トステージ1Sとの距離を計測することで、マスクユニットMとプレートPとの距離を検
出することができる。露光装置1は、マスクパターンをプレートPに投影露光する場合、
距離計で計測したマスクユニットMとプレートPとの距離に基づいて、マスクステージ1
Tとプレートステージ1Sとの光軸方向の相対位置を調整する。これにより、露光装置1
は、投影レンズ(本実施形態では、投影光学系3が有するMLA8)の合焦位置にマスク
及びプレートを正しく配置させることができる。露光装置1は、プレートPの厚さがばら
つくことに起因したフォーカスのずれを補正することができ、露光性能の低下を抑制する
ことができる。
The
Based on the distance between the mask unit M and the plate P measured by the distance meter, the
The relative position of T and the
Can correctly arrange the mask and the plate at the in-focus position of the projection lens (in this embodiment, the
また、露光装置1は、各ステージの位置情報を計測する計測システムを備えている。な
お、計測システムとしては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位
置情報を計測する計測システムを用いてもよいし、各ステージに設けられるスケール(回
折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
The
次に、図6から図9を用いて、位置検出装置80について説明する。図6は、図1に示
す露光装置に位置検出装置が設置されている状態を示す側面図である。図7は、図1に示
す露光装置に位置検出装置が設置されている状態を示す上面図である。図8は、図6に示
す露光装置にマスクが配置されている状態を示す側面図である。図9は、図7に示す露光
装置のマスクが配置されている状態を示す上面図である。露光装置1は、上述したように
複数の位置検出装置80を備えている。露光装置1は、マスクMa〜Meのそれぞれに対
応して、位置検出装置80が配置されている。また、露光装置1は、マスクMa〜Meの
走査方向における両端の近傍に対面するそれぞれに位置検出装置80が配置されている。
つまり、露光装置1は、マスク間隔調整機構41と同様に5つのマスクMa〜Meに対し
てそれぞれ2つの位置検出装置80が配置されており、合計10個の位置検出装置80が
配置されている。
Next, the position detection device 80 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a side view showing a state in which the position detection device is installed in the exposure apparatus shown in FIG. FIG. 7 is a top view showing a state in which the position detection device is installed in the exposure apparatus shown in FIG. FIG. 8 is a side view showing a state in which a mask is arranged in the exposure apparatus shown in FIG. FIG. 9 is a top view showing a state in which the mask of the exposure apparatus shown in FIG. 7 is arranged. The
That is, in the
本実施形態の露光装置1は、マスクMa〜Meが配置されている領域の走査方向におけ
る一方の端部に配置された5つの位置検出装置80を、それぞれ位置検出装置80aとし
、他方の端部に配置された5つの位置検出装置80を、それぞれ位置検出装置80bとす
る。位置検出装置80a,80bは、マスクユニットMの対応するマスクMa〜Meのそ
れぞれに形成されたパターン領域50の位置や、プレートPにすでに露光、現像されてい
るパターンの位置を検出する装置である。位置検出装置80aは、マスクMa〜Meまた
はプレートPの検出領域89aにある部分が検出対象の領域となる。位置検出装置80b
は、マスクMa〜MeまたはプレートPの検出領域89bにある部分が検出対象の領域と
なる。
In the
In the masks Ma to Me or the portion of the plate P in the
5つの位置検出装置80aは、支持部86aに支持されている。支持部86aは、レー
ル87aに沿って走査方向に移動可能である。支持部86aは、レール87aに沿って移
動することで、XY平面上でマスクMa〜Meと対面する位置から、対面しない位置まで
移動することができる。5つの位置検出装置80bは、支持部86bに支持されている。
支持部86bは、レール87bに沿って走査方向に移動可能である。支持部86bは、レ
ール87bに沿って移動することで、XY平面上でマスクMa〜Meと対面する位置から
、対面しない位置まで移動することができる。露光装置1は、位置検出装置80a、80
bをマスクMa〜Meと対面しない位置まで移動させることで、マスクステージに対して
マスクMa〜Meを着脱することができる。これにより、露光装置1は、図8および図9
に示すようにマスクステージにマスクMa〜Meが配置されていない状態と、図6および
図7に示すようにマスクステージにマスクMa〜Meが配置されている状態とを切り換え
ることができる。
The five
The
By moving b to a position where it does not face the masks Ma to Me, the masks Ma to Me can be attached to and detached from the mask stage. As a result, the
It is possible to switch between a state where the masks Ma to Me are not arranged on the mask stage and a state where the masks Ma to Me are arranged on the mask stage as shown in FIGS.
位置検出装置80a,80bは、マスクMa〜Me、プレートPに形成された目印、い
わゆるアライメントマークを検出し、それぞれのパターンの位置を検出する。位置検出装
置80は、いわゆるアライメント顕微鏡であり、光源81と、画像検出部82と、指標8
3と、ビームスプリッタ84と、光学系85と、を有する。光源81は、光を出力する発
光源であり、プレートPが感光しない波長の光を出力する。画像検出部82は、CCD等
画像を読み取る装置である。指標83は、光源81から出力された光の光路上に配置され
ている。具体的には、光源81とビームスプリッタ84との間に配置されている。指標8
3は、光を透過する部分が所定の形状となっており、そのほかの部分が光を遮蔽する板状
の部材であり、光源81から出力された光を所定の形状の光とする。所定の形状は、比較
の基準となる形状であり、線分、曲線、円、十字等がある。ビームスプリッタ84は、一
部の光を反射させ、一部の光を透過させる。ビームスプリッタ84は、指標83を通過し
た光の一部を反射させ、検出領域89a,89bにあるマスクMa〜Meまたはプレート
Pで反射された光の一部を透過させる。光学系85は、ビームスプリッタ84と検出領域
89a、89bとの間に配置されている。光学系85は、ビームスプリッタ84で反射さ
れた光を検出領域89a,89bの所定位置に案内し、検出領域89a,89bで反射さ
れた光をビームスプリッタ84の所定位置に案内する。光学系85は、対物レンズ等を含
む。検出領域89a、89bにあるマスクMa〜MeまたはプレートPで反射され、光学
系85及びビームスプリッタ84を通過した光は画像検出部82に入射する。
The
3, a
光源81から出力された光は、指標83を通過して所定形状とされた後、ビームスプリ
ッタ84で反射され、光学系85を通過して検出領域89a、89bに到達する。検出領
域89a、89b到達した光は、検出領域89a、89bで反射され、光学系85、ビー
ムスプリッタ84を通過して画像検出部82に到達する。これにより、位置検出装置80
a,80bは、指標83で所定の形状に加工された光の形状と、検出領域89a、89b
にあるマスクMa〜MeまたはプレートPに形成された特定のパターン、つまりアライメ
ントマークの形状と、を比較することで、マスクMa〜MeまたはプレートPに形成され
たアライメントマークの位置を特定する。なお、位置検出装置80a、80bは、マスク
Ma〜MeまたはプレートPに形成されたパターンの位置を特定できればよく、その検出
機構としては種々の機構を用いることができる。
The light output from the
a and 80b are the shape of the light processed into a predetermined shape by the
The positions of the alignment marks formed on the masks Ma to Me or the plate P are specified by comparing the specific patterns formed on the masks Ma to Me or the plate P in FIG. The
ここで、位置検出装置80a、80bは、光学系85の光軸方向の位置を移動させ、フ
ォーカスをマスクの位置やプレートの位置に合わせる。位置検出装置80a、80bは、
検出領域89a、89bに指標83を投影させ、検出領域89a、89bのアライメント
マークの位置を指標83の位置を基準として検出する。これにより、光学系85の駆動誤
差による影響を避けることができる。光学系85の光軸方向の移動ストロークは、マスク
の表面(パターン面)とプレートの表面との距離と同距離またはそれ以上の距離とするこ
とが好ましい。これにより、フォーカスを適切な位置に調整することができる。
Here, the
The
<露光方法>
次に、図10から図17を用いて露光方法について説明する。本実施形態に係る露光方
法は、露光装置1によって実現できる。図10は、実施形態1に係る露光装置の動作の一
例を示すフローチャートである。なお、図10の処理の開始前は、マスクユニットMとプ
レートPのいずれも露光装置1に設置されていない。露光装置1は、制御装置9で各部の
動作を制御することで、図10に示す処理を実現することができる。
<Exposure method>
Next, an exposure method will be described with reference to FIGS. The exposure method according to the present embodiment can be realized by the
露光装置1は、ステップS110としてプレートを設置する。つまり、露光装置1は、
プレートステージ1Sに加工する対象のプレートPを設置する。露光装置1は、プレート
供給装置等により、プレートステージ1SにプレートPを設置する。これにより、露光装
置1は、上述した図8及び図9に示すように、プレートステージ1SにプレートPが設置
される。露光装置1は、プレートステージ1Sにプレートが設置されたら、ステップS1
12としてプレートPの位置を検出する。露光装置1は、位置検出装置80a、80bで
検出領域89a、89bに含まれるプレートPの部分の画像を取得し、プレートPに形成
されているアライメントマークの位置、形状を取得する。露光装置1は、取得したアライ
メントマークの位置、形状からプレートPに形成されているパターンの位置を検出する。
露光装置1は、アライメントマークとプレートPに投影された指標の像とを対比すること
で、アライメントマークの位置を検出することができる。
The
The target plate P to be processed is placed on the
12, the position of the plate P is detected. The
The
露光装置1は、ステップS112でプレートの位置を検出したら、ステップS114と
してマスクを設置する。具体的には、露光装置1は、位置検出装置80a、80bをマス
クユニットMが配置される領域から退避させる。その後、露光装置1は、マスク供給装置
等により、使用するマスクMa〜Meをマスクステージ1Tの対応する支持部42上に設
置する。露光装置1は、マスクMa〜Meが設置されたら、真空チャックによりエアー吸
着する。露光装置1は、マスクMa〜Meを1枚ずつ設置しても、マスクユニットMに含
まれるマスクMa〜Meを一体で移動させ、同時に設置してもよい。これにより、露光装
置1は、上述した図6及び図7に示すように、プレートステージ1SにプレートPが設置
され、マスクステージ1TにマスクユニットMが設置された状態となる。
When the position of the plate is detected in step S112, the
露光装置1は、ステップS114でマスクステージにマスクを設置したら、ステップS
116としてマスクの位置を検出する。露光装置1は、支持部86a、68bを移動させ
て、位置検出装置80a、80bをマスクMa〜Meと対面する位置に移動させる。露光
装置1は、位置検出装置80a、80bで検出領域89a、89bに含まれるマスクMa
〜Meの部分の画像を取得し、マスクMa〜Meに形成されているアライメントマークの
位置、形状を取得する。露光装置1は、取得したアライメントマークの位置、形状からマ
スクMa〜Meに形成されているパターン領域50の位置を検出する。露光装置1は、ア
ライメントマークとマスクMa〜Meに投影された指標の像とを対比することで、アライ
メントマークの位置を検出することができる。
When the
The position of the mask is detected as 116. The
The image of the part of ~ Me is acquired, and the position and shape of the alignment mark formed on the masks Ma to Me are acquired. The
露光装置1は、ステップS116でマスクの位置を検出したら、ステップS118とし
て、マスクとプレートの相対位置関係を検出する。具体的には、露光装置1は、位置検出
装置80a、80b検出したプレートのパターンの位置とマスクのパターン領域50の位
置との相対位置を検出する。露光装置1は、ステップS118で相対位置関係を検出した
ら、ステップS120として、相対位置関係に基づいて露光時の位置補正量を決定する。
具体的には、露光装置1は、プレートPに2回目以降のパターンを露光する場合、露光済
みのパターンにマスクのパターンが重なる位置となる、マスクとプレートの相対位置を検
出し、検出した相対位置に移動させる移動量を位置補正量とする。位置補正量は、少なく
ともマスク間隔調整機構41で調整できるマスクの非走査方向の間隔を含む。位置補正量
は、プレートステージ1Sで移動できるプレートPの走査方向の位置も含む。露光装置1
は、プレートステージ1SでプレートPを走査方向に移動させることで、走査方向におけ
るマスクとプレートとの相対位置を調整することができる。なお、露光時は、照明光学系
2及び投影光学系3とマスクまたはプレートとの相対位置毎、つまり本実施形態では支持
部22の位置毎に算出することが好ましい。これにより、マスクとプレートの相対位置を
プレートPの位置ごとに補正することができ、マスクのパターンをプレート上のより適切
な位置に投影することができる。
After detecting the position of the mask in step S116, the
Specifically, the
The
露光装置1は、ステップS120で位置補正量を決定したら、ステップS122として
、マスクの間隔を調整する。露光装置1は、マスク間隔調整機構41によって、マスクM
a〜Meを算出した位置補正量分、移動させる。このように、露光装置1は、設置したプ
レートPで最初に露光する位置に対応した位置にマスクを移動させることで、マスクの間
隔を変化させる。
After determining the position correction amount in step S120, the
A to Me are moved by the calculated position correction amount. Thus, the
露光装置1は、ステップS122でマスクの間隔を調整したら、ステップS124とし
て露光を行う。露光装置1は、位置検出装置80a、80bを露光処理の妨げにならない
位置に移動させる。露光装置1は、投影露光を開始すると、マスク及びプレートに対して
照明光学系2及び投影光学系3をX方向に移動(走査)させる。露光装置1は、例えば、
移動装置21により照明光学系2及び投影光学系3を移動させることで、マスクユニット
M及びプレートPに対して照明光学系2及び投影光学系3を走査させる。これにより、露
光装置1は、マスクユニットMに形成されたパターンをプレートPに転写させる。なお、
露光装置1は、照明光学系2及び投影光学系3をX方向の全域に移動させなくてもよい。
After adjusting the mask interval in step S122, the
By moving the illumination
The
次に、図11及び図12を用いて、露光装置1が露光時に実行するマスクの間隔を調整
する動作の一例を説明する。図11は、実施形態1に係る露光装置の動作の一例を示すフ
ローチャートである。図12は、実施形態1に係る露光装置の動作を説明するための説明
図である。
Next, an example of an operation for adjusting the mask interval performed by the
露光装置1は、ステップS130として、マスク及びプレートと照明光学系及び投影光
学系との相対移動を開始する。本実施形態の露光装置1は、移動装置21による照明光学
系2及び投影光学系3の走査方向の移動を開始する。露光装置1は、ステップS130で
相対移動を開始させたら、ステップS132として、照明位置が遮蔽領域であるかを判定
する。ここで、照明位置とは、照明視野となる位置である。つまり、露光装置1は、照明
光が照射されているマスクの領域がマスクの遮蔽領域52であるか、すなわち、照明視野
にパターン領域50を含んでいない状態であるかを判定する。
In step S130, the
露光装置1は、ステップS132で照明位置が遮蔽領域である(ステップS132でY
es)と判定した場合、ステップS134に進み、ステップS132で照明位置が遮蔽領
域ではない(ステップS132でNo)と判定した場合、ステップS136に進む。
In the
es), the process proceeds to step S134. If it is determined in step S132 that the illumination position is not a shielding area (No in step S132), the process proceeds to step S136.
露光装置1は、ステップS132でYesと判定した場合、ステップS134として、
マスクの間隔を調整する。露光装置1は、マスク間隔調整機構41によって、マスクMa
〜Meを算出した位置補正量分、移動させる。ここで、露光装置1は、照明視野(照明位
置)が現在通過している遮蔽領域52の次に通過するパターン領域50に対して算出され
ている位置補正量に基づいてマスクMa〜Meを移動させる。露光装置1は、マスクMa
〜Meを移動させることで、マスクの間隔を変化させる。露光装置1は、位置補正量が0
の場合、マスクを移動させない、つまりマスクの間隔を変化させない。露光装置1は、遮
蔽領域によっては、マスクの間隔を変化させない場合もある。なお、遮蔽領域を挟んだパ
ターン領域に対応するプレートに形成されているパターンの間隔が同じ場合、位置補正量
が0となる。このように、露光装置1は、マスクユニットMのマスクに形成されたパター
ンを転写する場合、マスクのパターン領域によっては、マスクの間隔を変化させない調整
を行うこともある。露光装置1は、ステップS134でマスクの間隔を調整したら、ステ
ップS136に進む。
If the
Adjust the mask spacing. The
-Me is moved by the calculated position correction amount. Here, the
The distance between the masks is changed by moving ~ Me. The
In this case, the mask is not moved, that is, the mask interval is not changed. The
露光装置1は、ステップS132でNoと判定した場合またはステップS134の処理
を実行した場合、ステップS136として、露光終了かを判定する。つまり露光装置1は
、プレートPに対するマスクMa〜Meのパターンの転写が終了したかを判定する。露光
装置1は、例えば、移動装置21で支持部22を移動範囲の端部まで移動させた場合や、
走査方向において、照明視野をマスクの端部まで移動させた場合、露光終了と判定する。
露光装置1は、ステップS136で露光終了ではない(S136でNo)と判定した場合
、ステップS132に戻り、ステップS132以降の処理を再び実行する。露光装置1は
、ステップS136で露光終了である(S136でYes)と判定した場合、本処理を終
了する。
When it is determined No in step S132 or when the process of step S134 is executed, the
When the illumination field of view is moved to the edge of the mask in the scanning direction, it is determined that the exposure is completed.
If the
図12に示すプレートP1は、マスクユニットMのパターンが転写された状態の一例を
示している。プレートP1は、1つのパターン領域50に対応するパターン60を「F」
で示している。露光装置1は、マスクユニットMの遮蔽領域52を通過する度にマスクと
マスクの間隔を広げでパターンを転写することで、プレートP1の配置のパターン60を
形成することができる。また、プレートP1上に形成される複数のパターン60は、走査
方向の一方の端部から走査方向の他方の端部に向かうに従って、非走査方向に隣接するパ
ターン60との間隔が大きくなる。プレートP1は、パターン60のうち、一方の端部に
形成されるパターン60aの間隔62が最も狭くなり、パターン60のうち、他方の端部
に形成されるパターン60bの間隔64が最も広くなる。なお、露光時のマスクの間隔は
、単純増加に限定されない。露光装置1は、検出したプレートのパターンの位置に基づい
て、プレートのパターンにマスクのパターンが重なるように調整すればよい。
The plate P1 shown in FIG. 12 shows an example of a state where the pattern of the mask unit M is transferred. In the plate P1, the
Is shown. The
露光装置1は、以上のように、マスク間隔調整機構41でマスクとマスクの間隔を調整
することができる。これにより、非走査方向において、パターン領域50のパターンが形
成されるプレートP上の位置を、プレートの走査方向の位置によって変化させることがで
きる。露光装置1は、マスクとマスクの間隔を調整することで、プレートP全体に対して
パターン領域が転写される領域の分布を変化させることができる。これにより、露光装置
1に生じるプレートに形成されているパターンとマスクに形成されるパターンと大きさの
ずれの影響を低減することができ、パターン領域50のパターンをプレートP上の適切な
位置に転写することができる。マスクに形成されているパターンの位置とは、マスクに形
成されているパターンがプレートに形成する像の位置でもある。
As described above, the
露光装置1は、例えば、プレートが基準の大きさに対して伸縮し、プレートに形成され
たパターンの大きさと、プレートに投影されるマスクのパターンの大きさとにズレが生じ
ている場合も、マスクの間隔を調整することで、パターンのズレを抑制することができる
。より具体的には、マスクユニットを1枚のマスクとした場合、プレートが伸縮すると、
プレートの非走査方向の端部に向かうに従って、プレートのパターンとマスクから投影さ
れるパターンとのズレ量が大きくなる。これに対して、露光装置1は、マスクユニットの
マスクの位置を個別に調整できる。これにより、マスクとプレートとズレ量を個別に調整
し、非走査方向のパターン領域も対応するプレートのパターンに対して少ないずれで投影
することができる。
The
The amount of deviation between the pattern of the plate and the pattern projected from the mask increases toward the end of the plate in the non-scanning direction. On the other hand, the
露光装置1は、図11の処理に限定されず、パターン領域50に照明光が照射されてい
る間に、マスク間隔調整機構41でマスクMa〜MeをY方向に移動させてもよい。この
場合、露光装置1は、設定した一定速度でマスクMa〜MeをY方向に移動させてもよい
し、マスクMa〜Meの移動速度を変化させてもよい。なお、マスク間隔調整機構41に
よるマスクMa〜MeのY方向への移動量(マスク間隔の調整量)は、30μm程度確保
することが好ましい。
The
露光装置1は、位置検出装置80a、80bをXY平面上で移動可能とし、マスクMの
配置領域から退避可能とすることで、マスクを設置しやすくすることができる。
The
次に、図13から図17を用いて、露光装置1が露光時に実行するマスクの間隔を調整
する動作の一例を説明する。図13は、実施形態1に係る露光装置の動作の一例を示すフ
ローチャートである。
Next, an example of an operation for adjusting the mask interval performed by the
露光装置1は、ステップS140として位置補正量に基づいて走査方向におけるマスク
とプレートとの相対移動速度を決定する。露光装置1は、ステップS140で相対移動速
度を決定したら、ステップS142として、マスク及びプレートと照明光学系及び投影光
学系との相対移動を開始する。本実施形態の露光装置1は、移動装置21による照明光学
系2及び投影光学系3の走査方向の移動を開始する。露光装置1は、ステップS142で
相対移動を開始させたら、ステップS144として、マスクとプレートとの相対移動を開
始する。具体的には、露光装置1は、プレートステージ1Sの支持部32を土台34に対
して走査方向に移動させることで、プレートPを走査方向に移動させる。マスクは、走査
方向に移動しない。これにより、露光装置1は、プレートPとマスクとを走査方向に相対
的に移動させることができる。また、プレートPの移動速度を上述した相対移動速度とす
ることで、プレートPとマスクとを走査方向に相対的に相対移動速度で移動させることが
できる。
In step S140, the
露光装置1は、ステップS144でマスクとプレートの相対移動を開始した場合、ステ
ップS146として、露光終了かを判定する。つまり露光装置1は、プレートPに対する
マスクMa〜Meのパターンの転写が終了したかを判定する。露光装置1は、ステップS
146で露光終了ではない(S146でNo)と判定した場合、ステップS146に戻り
、ステップS146の処理を再び実行する。露光装置1は、ステップS136で露光終了
である(S146でYes)と判定した場合、本処理を終了する。
When the relative movement between the mask and the plate is started in step S144, the
If it is determined in 146 that the exposure has not ended (No in S146), the process returns to step S146, and the process of step S146 is executed again. If it is determined in step S136 that the exposure is complete (Yes in S146), the
以下、図14から図17を用いて、マスクとプレートとを相対移動させた場合にプレー
トに転写されるパターンの一例について説明する。図14は、実施形態1に係る露光装置
の動作を説明するための説明図である。図15は、実施形態1に係る露光装置の動作を説
明するための説明図である。図16は、実施形態1に係る露光装置の動作を説明するため
の説明図である。図17は、実施形態1に係る露光装置の動作を説明するための説明図で
ある。
Hereinafter, an example of a pattern transferred to a plate when the mask and the plate are relatively moved will be described with reference to FIGS. FIG. 14 is an explanatory diagram for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. FIG. 16 is an explanatory diagram for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. FIG. 17 is an explanatory diagram for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment.
図14は、マスクとパターンとを相対的に移動させない場合を示している。図14に示
す矢印79は、本実施形態で基準とする位置にプレートPを配置した場合の配置領域を示
している。また、図14に示す露光装置は、移動装置21が照明光学系2及び投影光学系
3をX方向の正の方向、図中左から右側に移動させる。この点は、図15及び図16も同
様である。
FIG. 14 shows a case where the mask and the pattern are not moved relatively. An
この場合、露光装置1は、露光が開始されると移動装置21によって照明光学系2及び
投影光学系3をX方向の正の方向に移動させ、ステップS1の位置を通過する。露光装置
1は、ステップS1の位置の通過時に、走査方向においてプレートPの左側の一部にマス
クのパターンを投影する。プレートPは、マスクを通過した光が到達した領域70にパタ
ーンが転写される。
In this case, when the exposure is started, the
その後、露光装置1は、移動装置21によって照明光学系2及び投影光学系3をX方向
の正の方向に移動させ、ステップS1の位置からステップS2の位置まで移動させる。露
光装置1は、ステップS2の位置の通過時に走査方向においてプレートPの中央の一部に
マスクのパターンを投影する。プレートPは、マスクを通過した光が到達した領域72に
パターンが転写される。
Thereafter, the
その後、露光装置1は、移動装置21によって照明光学系2及び投影光学系3をX方向
の正の方向に移動させ、ステップS2の位置からステップS3の位置まで移動させる。露
光装置1は、ステップS3の位置の通過時に走査方向においてプレートPの右側の一部に
マスクのパターンを投影する。プレートPは、マスクを通過した光が到達した領域74に
パターンが転写される。
Thereafter, the
露光装置1は、ステップS1からステップS3のように照明光学系2及び投影光学系3
をX方向の正の方向に移動させ、プレートPにマスクユニットMのパターンを転写する。
図14に示すプレートP2は、マスクユニットMのパターンが転写された状態の一例を示
している。ここで、図14ではマスクとプレートPとを相対移動させない。このため、プ
レートP2は、領域70と領域72との間隔76、及び、領域72と領域74との間隔7
8が、当該対応する領域から領域を露光する際の照明光学系2及び投影光学系3の移動距
離と同じ距離となる。なお、図14では、ステップS1、S2、S3の際にパターンが転
写される領域70、72、74の関係を示すため領域70、72、74のみを示したが、
パターンが転写される領域は、照明光学系2及び投影光学系3の移動とともに走査方向に
移動し、走査された領域の全域にパターンが形成される。
The
Is moved in the positive direction of the X direction, and the pattern of the mask unit M is transferred to the plate P.
A plate P2 shown in FIG. 14 shows an example of a state where the pattern of the mask unit M is transferred. Here, in FIG. 14, the mask and the plate P are not moved relative to each other. For this reason, the plate P2 has an
8 is the same distance as the movement distance of the illumination
The area where the pattern is transferred moves in the scanning direction along with the movement of the illumination
図15は、パターンがマスクに対して走査方向に移動する場合を示している。この場合
、露光装置1は、露光が開始されると移動装置21によって照明光学系2及び投影光学系
3をX方向の正の方向に移動させ、ステップS11の位置を通過する。露光装置1は、ス
テップS11の位置の通過時に、走査方向においてプレートPの左側の一部にマスクのパ
ターンを投影する。このため、プレートPは、マスクを通過した光が到達した領域70a
にパターンが転写される。なお、ステップS11のプレートPは、図中左側の一部が矢印
79で示す範囲の外側にある。
FIG. 15 shows a case where the pattern moves in the scanning direction with respect to the mask. In this case, when the exposure is started, the
The pattern is transferred to. The plate P in step S11 is outside the range indicated by the
その後、露光装置1は、移動装置21によって照明光学系2及び投影光学系3をX方向
の正の方向に移動させ、ステップS11の位置からステップS12の位置まで移動させる
。また、露光装置1は、プレートステージ1SによってプレートPをX方向の正の方向に
移動させ、ステップS11の位置からステップS12の位置まで移動させる。これにより
、ステップS12のプレートPは、矢印79で示す範囲内に配置される。露光装置1は、
ステップS12の位置の通過時に走査方向においてプレートPの中央の一部にマスクのパ
ターンを投影する。プレートPは、マスクを通過した光が到達した領域72aにパターン
が転写される。
Thereafter, the
A mask pattern is projected onto a portion of the center of the plate P in the scanning direction when passing the position of step S12. On the plate P, the pattern is transferred to the
その後、露光装置1は、移動装置21によって照明光学系2及び投影光学系3をX方向
の正の方向に移動させ、ステップS12の位置からステップS13の位置まで移動させる
。また、露光装置1は、プレートステージ1SによってプレートPをX方向の正の方向に
移動させ、ステップS12の位置からステップS13の位置まで移動させる。これにより
、ステップS13のプレートPは、図中右側の一部が矢印79で示す範囲の外側にある。
露光装置1は、ステップS13の位置の通過時に走査方向においてプレートPの右側の一
部にマスクのパターンを投影する。プレートPは、マスクを通過した光が到達した領域7
4aにパターンが転写される。
Thereafter, the
The
The pattern is transferred to 4a.
露光装置1は、ステップS11からステップS13のように、プレートPをX方向の正
の方向に移動させつつ、照明光学系2及び投影光学系3をX方向の正の方向に移動させ、
プレートPにマスクユニットMのパターンを転写する。図15に示すプレートP3は、マ
スクユニットMのパターンが転写された状態の一例を示している。ここで、図15ではパ
ターンをマスクに対して走査方向に移動させる。これにより、プレートP3は、領域70
aと領域72aとの間隔76a、及び、領域72aと領域74aとの間隔78aが、当該
対応する領域から領域を露光する際の照明光学系2及び投影光学系3の移動距離よりも短
い距離となる。つまり、プレートP3は、マスクのパターンが投影される領域が短くなる
。
The
The pattern of the mask unit M is transferred to the plate P. A plate P3 shown in FIG. 15 shows an example of a state where the pattern of the mask unit M is transferred. In FIG. 15, the pattern is moved in the scanning direction with respect to the mask. As a result, the plate P3 becomes the
The
図16は、パターンがマスクに対して走査方向とは反対の方向に移動する場合を示して
いる。この場合、露光装置1は、露光が開始されると移動装置21によって照明光学系2
及び投影光学系3をX方向の正の方向に移動させ、ステップS21の位置を通過する。露
光装置1は、ステップS21の位置の通過時に、走査方向においてプレートPの左側の一
部にマスクのパターンを投影する。このため、プレートPは、マスクを通過した光が到達
した領域70bにパターンが転写される。なお、ステップS21のプレートPは、図中右
側の一部が矢印79で示す範囲の外側にある。
FIG. 16 shows a case where the pattern moves in the direction opposite to the scanning direction with respect to the mask. In this case, the
Then, the projection
その後、露光装置1は、移動装置21によって照明光学系2及び投影光学系3をX方向
の正の方向に移動させ、ステップS21の位置からステップS22の位置まで移動させる
。また、露光装置1は、プレートステージ1SによってプレートPをX方向の負の方向に
移動させ、ステップS21の位置からステップS22の位置まで移動させる。これにより
、ステップS22のプレートPは、矢印79で示す範囲内に配置される。露光装置1は、
ステップS22の位置の通過時に走査方向においてプレートPの中央の一部にマスクのパ
ターンを投影する。プレートPは、マスクを通過した光が到達した領域72bにパターン
が転写される。
Thereafter, the
A mask pattern is projected onto a part of the center of the plate P in the scanning direction when passing the position of step S22. On the plate P, the pattern is transferred to the
その後、露光装置1は、移動装置21によって照明光学系2及び投影光学系3をX方向
の正の方向に移動させ、ステップS22の位置からステップS23の位置まで移動させる
。また、露光装置1は、プレートステージ1SによってプレートPをX方向の負の方向に
移動させ、ステップS22の位置からステップS23の位置まで移動させる。これにより
、ステップS23のプレートPは、図中左側の一部が矢印79で示す範囲の外側にある。
露光装置1は、ステップS23の位置の通過時に走査方向においてプレートPの右側の一
部にマスクのパターンを投影する。プレートPは、マスクを通過した光が到達した領域7
4bにパターンが転写される。
Thereafter, the
The
The pattern is transferred to 4b.
露光装置1は、ステップS21からステップS23のように、プレートPをX方向の負
の方向に移動させつつ、照明光学系2及び投影光学系3をX方向の正の方向に移動させ、
プレートPにマスクユニットMのパターンを転写する。図16に示すプレートP4は、マ
スクユニットMのパターンが転写された状態の一例を示している。ここで、図16ではパ
ターンをマスクに対して走査方向とは反対側の方向に移動させる。これにより、プレート
P4は、領域70bと領域72bとの間隔76b、及び、領域72bと領域74bとの間
隔78bが、当該対応する領域から領域を露光する際の照明光学系2及び投影光学系3の
移動距離よりも長い距離となる。つまり、プレートP4は、マスクのパターンが投影され
る領域が長くなる。
The
The pattern of the mask unit M is transferred to the plate P. A plate P4 shown in FIG. 16 shows an example of a state where the pattern of the mask unit M is transferred. Here, in FIG. 16, the pattern is moved in the direction opposite to the scanning direction with respect to the mask. As a result, the plate P4 has a
図17は、図14から図16のそれぞれの露光方法でパターンを転写したプレートP2
,P3,P4を示している。図17に示すように、プレートPをX方向の正の方向に移動
させてパターンを形成したプレートP3は、プレートP2よりもパターン60のX方向の
長さが短くなる。つまり、露光装置1は、プレートPをX方向の正の方向に移動させるこ
とで、X方向に短くなる倍率分縮小したパターンをプレートPに転写することができる。
また、プレートPをX方向の負の方向に移動させてパターンを形成したプレートP4は、
プレートP2よりもパターン60のX方向の長さが長くなる。つまり、露光装置1は、プ
レートPをX方向の負の方向に移動させることでX方向に長くなった倍率分拡大したパタ
ーンをプレートPに転写することができる。
FIG. 17 shows a plate P2 onto which a pattern is transferred by the exposure methods shown in FIGS.
, P3, P4. As shown in FIG. 17, the plate P3 in which the pattern is formed by moving the plate P in the positive direction of the X direction is shorter in the X direction of the
Further, the plate P4 formed by moving the plate P in the negative direction of the X direction,
The length of the
以上のように、露光装置1は、プレートとマスクとを走査方向に相対的に移動させつつ
、露光を行うことで、X方向におけるプレートに形成されているパターンとマスクに形成
されているパターンとの相対位置を調整することができる。マスクに形成されているパタ
ーンの位置とは、マスクに形成されているパターンがプレートに形成する像の位置でもあ
る。これにより、露光装置1に生じる走査方向のプレートのパターンとマスクのパターン
と大きさのずれの影響を低減することができ、パターン領域50のパターンをプレートP
上の適切な位置に転写することができる。露光装置1は、例えば、プレートが基準の大き
さに対して伸縮し、プレートに形成されたパターンの大きさと、プレートに投影されるマ
スクのパターンの大きさとにズレが生じている場合も、マスクとプレートと露光時に相対
移動させることで、具体的にはマスクに対してプレートを走査方向に移動させることで、
パターンのズレを抑制することができる。これにより、マスクとプレートとズレ量を個別
に調整し、走査方向のパターン領域も対応するプレートのパターンに対して少ないずれで
投影することができる。
As described above, the
Can be transferred to the appropriate position above. The
Misalignment of the pattern can be suppressed. As a result, the amount of misalignment between the mask and the plate can be individually adjusted, and the pattern region in the scanning direction can be projected with a small shift to the corresponding plate pattern.
ここで、露光装置1は、投影光学系3の1回の走査露光の移動量に対して、プレートと
マスクとが走査方向に相対的に移動する移動距離を1mm以下とすることが好ましい。こ
れにより、走査方向における位置ずれを適正に抑制できる。また、装置構成を簡単にしつ
つ、露光の品質も維持することができる。
Here, it is preferable that the
露光装置1は、図13の処理に限定されず、図11と同様に、照明位置がマスクの遮蔽
領域52である間に、マスクとプレートの走査方向の相対位置を変化させるようにしても
よい。これにより、マスクに投影されるパターンをそのままで維持しつつ、プレート全体
に対する各パターン領域が投影されるパターンの位置を調整することができる。具体的に
は、パターン領域とパターン領域との間隔を変化させることができ、マスクから投影され
るパターン領域の位置と、基板のパターン領域に対応するパターンとの位置と、のずれを
より少なくすることができる。
The
露光装置1は、マスクのY方向の間隔と、マスクとプレートとのX方向の相対位置と、
の両方を調整してもよい。つまり、図11の処理と、図13の処理を並行して実行しても
よい。
The
Both of them may be adjusted. That is, the process of FIG. 11 and the process of FIG. 13 may be executed in parallel.
上記実施形態1の露光装置1は、1つのマスクの両端にそれぞれ配置されたマスク間隔
調整機構41の移動量を同じ移動量とし、マスクの長手方向がX軸に平行となる向きでY
方向に移動させたがこれに限定されない。マスクの両端にそれぞれ配置されたマスク間隔
調整機構41の移動量を異なる量として、マスクの長手方向をX軸に対して傾斜させても
よい。
In the
Although it moved to the direction, it is not limited to this. The longitudinal direction of the mask may be inclined with respect to the X axis by using different amounts of movement of the mask
<実施形態2>
以下、図18を用いて、実施形態2の露光装置について説明する。図18は、実施形態
2に係る露光装置の側面図である。図18に示す実施形態2の露光装置201は、照明光
学系202の構成以外は、露光装置1と同様の構成である。露光装置1と同様の構成につ
いての説明は省略し、露光装置201に特有の構成について、説明する。なお、露光装置
201は、照明光学系202の一部が支持部22に支持され、他の部分は、支持台220
に支持されている。本実施形態の照明光学系202は、支持部22に支持されていない部
分を有する案内光学ユニット230と、支持部22に支持される照明光学ユニット231
と、を有する。また、露光装置201は、案内光学ユニット230の一部を移動させる移
動機構240を有する。
<
Hereinafter, the exposure apparatus of
It is supported by. The illumination
And having. In addition, the
露光装置201は、照明光学系202の照明光学ユニット231に向けて光を出力する
光源206が配置されている。光源206は、露光時に移動しない支持台220に固定さ
れており、露光時に移動機構240の固定子側等と相対位置が変化しない。支持台220
は、フレーム1F等に連結されている。支持台220は、照明光学系2の一部及び投影光
学系3を支持する移動装置21の支持部22とは別体の部材であり、移動部に対して独立
している。つまり、移動装置21は、支持部22を支持台220に対して相対的に移動さ
せることができる。
The
Are connected to the
<照明光学系>
照明光学系202は、光源206から発された光を導光し、マスクユニットMを照明す
る光として入射する。照明光学系202は、案内光学ユニット230と照明光学ユニット
231とを有する。案内光学ユニット230は、光源206から出力された光を照明光学
ユニット231に案内する光学系である。案内光学ユニット230は、光源206側の一
部が支持台220に支持されている。また、案内光学ユニット230は、照明光学ユニッ
ト228側の一部が移動機構240に支持されている。移動機構240は、案内光学ユニ
ット230を移動させる機構であり、フレーム1F等の露光時に移動しない部材に固定さ
れている。照明光学ユニット231は、案内光学ユニット230で導光された光を、マス
クユニットMを照明する光として入射させる。照明光学ユニット231は、支持部により
支持され、移動装置により移動される。なお、露光装置201は、照明光学ユニット23
1を移動させる機構、つまり移動装置21も移動機構240の一部に含まれる。
<Illumination optics>
The illumination
The mechanism for moving 1, that is, the moving
<案内光学ユニット>
案内光学ユニット230は、光源206から出力されたレーザ光(光)を照明光学ユニ
ット231に案内する光学系である。案内光学ユニット230は、複数の集光レンズ20
6Lと複数の光ファイバ(導光ファイバ)207とバンドル232とを有する。案内光学
ユニット230は、集光レンズ206L及び光ファイバ207の光源206側の一部(第
1端部)が支持台220に支持されている。また、案内光学ユニット230は、光ファイ
バ207の照明光学ユニット231側の一部(第2端部)が移動機構240に支持されて
いる。なお、露光装置201は、光源6と同様に光源206を複数備えている。光源20
6の構成は特に限定されない。案内光学ユニット230は、光源206に対応して、それ
ぞれ集光レンズ206Lと光ファイバ207とが配置されている。案内光学ユニット23
0は、光源206から出力された光を集光レンズ206Lで集光し、光ファイバ207に
入射させる。本実施形態において、光ファイバ207は単一の石英ファイバである。光フ
ァイバ207は、一方の端部(第1端部)が集光レンズ206Lの焦点近傍に配置され、
他方の端部(第2端部)が照明光学ユニット231に対面して配置されている。また、光
ファイバ207は、他方の端部が照明光学ユニット231の移動機構の可動子に固定され
ており、照明光学ユニット231とともに移動する。光ファイバ207は、集光レンズ2
06Lで集光されたが一方の端部から入射される。光ファイバ207は、一方の端部から
入力された光を他方の端部から出力させる。バンドル232は、複数の光ファイバ207
の端部近傍以外の部分を1つにまとめている。なお、本実施形態の光ファイバ207は、
一方の端部(第1端部側の端部)が光源206に対して固定され、他方の端部(第2端部
側の端部)が照明光学ユニット231に対して固定されている。これにより、案内光学ユ
ニット230は、光源206及び照明光学ユニット231との相対関係にずれを生じにく
くすることができる。
<Guiding optical unit>
The guide
6L, a plurality of optical fibers (light guiding fibers) 207, and a
The configuration of 6 is not particularly limited. In the guide
In 0, the light output from the
The other end (second end) is disposed so as to face the illumination
Although condensed at 06L, it is incident from one end. The
The portions other than the vicinity of the end portions are combined into one. The
One end (the end on the first end side) is fixed to the
<移動機構>
移動機構240は、案内光学ユニット230の光源206側の端部(第1端部)から照
明光学ユニット231までの光路長を所定の範囲に維持しつつ、案内光学ユニット230
の位置を移動させる機構である。ここで、光路長を所定の範囲に維持するとは、案内光学
ユニット230の光源206側の端部(第1端部)から照明光学ユニット231までの光
路長を略一定の光路長に維持することである。つまり、移動機構240は、移動装置21
による照明光学ユニット231の移動に合わせて案内光学ユニット230を移動させて、
案内光学ユニット230の光源206側の端部から照明光学ユニット231までの光路長
の変化を所定のしきい値以下とする機構である。また、案内光学ユニット230の第1端
部が光源206に対して所定位置に支持され、案内光学ユニット230の第2端部が照明
光学ユニット231に対して所定位置に支持されている場合、案内光学ユニット230の
光源206側の端部から照明光学ユニット231までは、光源206から照明光学系20
2の支持部22に支持されていている部分までとも言える。
<Movement mechanism>
The moving
This is a mechanism for moving the position. Here, maintaining the optical path length within a predetermined range means that the optical path length from the end (first end) on the
The guide
In this mechanism, the change in the optical path length from the end of the guide
It can be said that the portion is supported by the two
移動機構240は、定滑車244とリニアアクチュエータ246とを有する。定滑車2
44は、フレーム1Fに図示しない保持機構により保持されており、バンドル232を移
動自在な状態で支持している。リニアアクチュエータ246は、可動子248と固定子2
50とを有する。リニアアクチュエータ246は、可動子248が固定子250に対して
、X方向に移動可能な状態で配置されている。固定子250は、フレーム1Fに図示しな
い保持機構により保持されている。可動子248は、例えば滑車であり、回転可能な状態
で支点がX方向に移動可能な状態で固定子250と連結している。可動子248は、バン
ドル232の移動とともに回転する。リニアアクチュエータ246は、可動子248の滑
車がバンドル232を支持している。
The moving
44 is held on the
50. The
移動機構240は、リニアアクチュエータ246の可動子248をX方向に移動させる
ことで、バンドル232の位置を移動させる。本実施形態の移動機構240は、定滑車2
44、固定子250が例えばフレーム1Fに固定されるものとしたが、露光装置201の
露光時に移動しない部分、つまり走査しない部分に固定されていればよい。
The moving
44, the
<照明光学ユニット>
照明光学ユニット231は、光源206から発され案内光学ユニット230で案内され
出力された光を導光し、マスクユニットMを照明する光として入射する。照明光学ユニッ
ト231は、照明視野SR、SLを形成する部分照明光学ユニット10L、10Rと、照
明視野SCを形成する部分照明光学ユニット10Cと、を有する。案内光学ユニット23
0の光ファイバ207から出力された光は、部分照明光学ユニット10L、10Rに入射
し、リレー光学系11、12によって案内光学ユニット230の光ファイバ207の出射
端面をフライアイレンズ13の入射面に投影する。なお、照明光学ユニット231は、光
学系としてリレー光学系11を備えている以外は、照明光学系2と同様の構成である。こ
のとき、リレー光学系11、12は、案内光学ユニット230の光ファイバ207の出射
端面を所定の倍数に拡大して、フライアイレンズ13の入射面に投影する。フライアイレ
ンズ13は、複数のエレメントレンズが配列し、接合されている。本実施形態においては
、列方向に8個、行方向に10個のエレメントレンズが配列するとともに、合計80個の
エレメントが接合されている。
<Illumination optical unit>
The illumination
The light output from the zero
フライアイレンズ13を射出した光は、σ絞り14を通過する。σ絞り14は、光の径
を制限して照明NAを定める。σ絞り14を通過した光は、2個のコンデンサレンズ15
及びミラー16を介してマスクユニットMの表面(照明光学系2側の表面)に集光されて
、照明視野を形成する。フライアイレンズ13の入射面とマスクユニットMの表面とは共
役関係になっており、フライアイレンズ13の入射面の照度分布がフライアイレンズ13
のエレメントレンズ毎に重なり合って平均化されて、マスクユニットMの表面では均一な
照度分布が得られる。このような部分照明光学ユニット10L、10Rにより、マスクユ
ニットMの表面には、照明視野SR、SLが形成される。照明視野SCを形成する部分照
明光学ユニット10Cも、コンデンサレンズ15とミラー16との配置が異なる以外は、
部分照明光学ユニット10L、10Rと同様の構造である。
The light emitted from the fly-
Then, the light is condensed on the surface of the mask unit M (surface on the illumination
Each element lens is overlapped and averaged, and a uniform illuminance distribution is obtained on the surface of the mask unit M. Illumination fields SR and SL are formed on the surface of the mask unit M by such partial illumination
The structure is the same as that of the partial illumination
以上の構成の露光装置201は、露光時に支持部22の移動に合わせて移動機構240
で案内光学ユニット230を移動させる。投影露光が開始されると、制御装置9は、ML
A8の移動方向側、すなわち投影光学系3の移動方向側で、照明光学ユニット231及び
投影光学系3をX方向に移動(走査)させる。露光装置201は、移動装置21により照
明光学ユニット231及び投影光学系3を移動させることで、マスクユニットM及びプレ
ートPに対して照明光学ユニット231及び投影光学系3を走査させる。これにより、露
光装置201は、マスクユニットMに形成されたパターンをプレートPに転写させる。
The
To move the guide
The illumination
露光装置201は、移動装置21で照明光学ユニット231及び投影光学系3を移動さ
せるとともに、移動機構240で案内光学ユニット230の光路長、つまり光源206側
の端部(第1端部)から照明光学ユニット231までの光路長を所定の範囲に維持、つま
り略同一にしたまま、光路の位置を移動させる。本実施形態の移動機構240は、リニア
アクチュエータ246の可動子248を、照明光学ユニット231及び投影光学系3のX
方向への移動と同じ方向に照明光学ユニット231及び投影光学系3と同じ距離、移動さ
せる。移動機構240の可動子248が移動すると、可動子248が支持しているバンド
ル232も移動する。可動子248が移動すると、可動子248と定滑車244との相対
位置が変化する。バンドル232は、可動子248と定滑車244との相対位置の変化に
対応して、定滑車244と接触している位置が移動する。定滑車244は、回転してバン
ドル232と接触する位置を変化し、接触位置を円滑に変化させることができる。
The
The same distance as the illumination
以上のように、光源206を支持部22とともに移動しない支持台220に設置し、照
明光学系202を案内光学ユニット230と照明光学ユニット231とを含む構成とした
場合も上記と同様に、マスクステージ1Tのマスク間隔調整機構41でマスクのY方向の
間隔を調整したり、プレートステージ1SでマスクユニットMとプレートPとの走査方向
の相対位置を調整したりすることで、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
As described above, when the
また、露光装置201は、光源206から出力される光を照明光学ユニット231に案
内する案内光学ユニット230が光ファイバ207を含み、当該光ファイバ207の一方
の端部を光源206に対して固定し、他方の端部を照明光学ユニット231に対して固定
する。これにより、露光装置201は、光源206から出力された光が照明光学ユニット
231に到達するまでの光路長を所定の範囲に維持とすることができる。つまり、露光時
に照明光学ユニット231がZ方向に移動しても、固定された光源206と移動する照明
光学ユニット231との間の光路長を所定の範囲に維持することができる。これにより、
露光装置201は、マスクユニットMを照明する光がマスクユニットMのX方向の位置に
よって変動することを抑制することができ、安定した光をマスクに照射することができ、
プレートPにマスクユニットMのパターンをより適切に転写させることができる。
In the
The
The pattern of the mask unit M can be more appropriately transferred to the plate P.
露光装置201は、案内光学ユニット230の光ファイバ207を、一方の端部(第1
端部側の端部)が光源206から出力された照明光の光路上に配置され、他方の端部(第
2端部側の端部)が照明光学ユニット231とともに移動機構240によって移動させて
もよい。つまり、露光装置201は、案内光学ユニット230の光源206側の端部を光
源206に対して固定しなくてもよい。この場合は、光源206と案内光学ユニット23
0の相対位置のずれに基づいて光路量を調整することで、光路長を所定範囲に維持するこ
とができる。これにより、光源6の位置を調整できる構成とした場合でも、上記と同様の
処理を実現することができる。
The
(The end on the end side) is arranged on the optical path of the illumination light output from the
The optical path length can be maintained within a predetermined range by adjusting the optical path amount based on the relative position shift of zero. Thereby, even when it is set as the structure which can adjust the position of the
また、露光装置201は、光源206をフレーム1F等の露光時に走査しない位置、本
実施形態では支持台220に固定することで、つまり、光源を走査光学系(照明光学ユニ
ットおよび投影光学系)と分離することで、露光時に走査する構成を軽量化することがで
きる。これにより、走査する構成を走査させる駆動源の大型化を抑制することができ、走
査する構成を支持する機構の大型化を抑制することができる。したがって、露光装置20
1は、走査露光系を小型化することができ、走査露光系の走査に必要なエネルギーを少な
くすることができる。
Further, the
1 can reduce the size of the scanning exposure system, and can reduce the energy required for scanning of the scanning exposure system.
また、露光装置201は、案内光学ユニット230で、光源206と照明光学ユニット
231との間の光路量を所定の範囲に維持することで、光源を走査光学系と分離しても、
走査光学系の位置によって露光条件が変動することを抑制することができ、光源を走査光
学系と一体とした場合と遜色のない性能で露光を行うことができる。また、露光装置20
1は、光源を走査光学系から分離した構成とすることで、走査する構成をそのままにして
、光源を大型化することができる。これにより、光源の出力を簡単に大きくすることがで
き、光の照度を向上させ、生産効率を向上させることができる。例えば、露光装置201
は、1つの光ファイバ207(または1つの部分照明光学ユニット)に対して、レーザ光
を出力する光源を複数設け、複数の光源から出力された光を1つの光ファイバ207に入
射させることで、照度を上げることができる。
Further, the
It is possible to suppress the exposure condition from fluctuating depending on the position of the scanning optical system, and it is possible to perform the exposure with the same performance as when the light source is integrated with the scanning optical system. Further, the exposure apparatus 20
1 is a configuration in which the light source is separated from the scanning optical system, so that the size of the light source can be increased without changing the scanning configuration. Thereby, the output of a light source can be enlarged easily, the illumination intensity of light can be improved, and production efficiency can be improved. For example, the
Is provided with a plurality of light sources that output laser light to one optical fiber 207 (or one partial illumination optical unit), and the light output from the plurality of light sources is incident on one
また、露光装置201は、移動機構240を用いて、案内光学ユニット230を照明光
学ユニット231及び投影光学系3の移動に合わせて移動させることで、光源206から
出力された光を案内する光ファイバ207を、円滑に移動させることができる。なお、露
光装置201は、光ファイバ207の他方の端部の一部が照明光学ユニット231を支持
する筐体に支持されている。このため、露光装置201は、照明光学ユニット231を支
持する筐体、照明光学ユニット231を移動させる移動機構も、移動機構240の一部と
なる。
Further, the
なお、露光装置201は、案内光学ユニット230として光ファイバ207を用いた光
学系を用いたがこれに限定されない。露光装置201は、光ファイバ207に代えて、ミ
ラーを含む光学系を用い、照明光学ユニット231等の移動に合わせてミラーを移動させ
、光路長を調整するようにしてもよい。
The
<実施形態3>
以下、図19から図21を用いて、実施形態3の露光装置501について説明する。図
19は、実施形態3に係る露光装置の側面図である。図20は、実施形態3に係る露光装
置を、投影光学系とプレートとの間から見た図である。図21は、実施形態3に係る露光
装置を照明光学ユニット及び投影光学系が移動する方向側から見た図である。
<
Hereinafter, the
露光装置501は、フレーム1Fと、照明光学係502と、投影光学系503と、移動
装置21と、を含む。また、露光装置501は、光源506から出力された光が照明光学
系502に入射される。上述した露光装置1(図1等参照)が備える投影光学系3は、複
数のMLA8を備えていたが、本変形例の露光装置501が備える投影光学系503は、
Y方向に延在した1個のMLA508を有する。また、照明光学ユニット550は、1個
の凹面ミラー516を用いて光を投影光学系503に出射する。露光装置501は、1つ
の光源506から出力された光を照明光学系502に入射させる。
The
It has one
照明光学系502は、光源506から出力された光を、マスクユニットMを照明する光
として出力する構成である。照明光学系502は、図20に示す照明視野Sを形成する光
学系を有する。照明光学系502は、光源506から射出された光が、リレー光学系51
1でコリメートされ、ミラー512で反射し、リレー光学系513を介してフライアイレ
ンズ514に入射する。このとき、リレー光学系511、513は、光ファイバ532の
出射端面を所定の倍数に拡大して、フライアイレンズ514の入射面に入射する。フライ
アイレンズ514は、複数のエレメントレンズが配列し、接合されている。本実施形態に
おいては、列方向に5個、行方向に17個のエレメントレンズが配列するとともに、合計
85個のエレメントが接合されている。フライアイレンズ514を射出した光は、σ絞り
515を通過する。σ絞り515は、通過する光の径を制限して照明NAを定める。σ絞
り515を通過した光は、凹面ミラー516によって、マスクユニットMの表面(照明光
学ユニット550側の表面)に集光され、照明視野Sを形成する。
The illumination
1 is collimated by 1, reflected by a
投影光学系503は、Y方向に向かって延在する1つのMLA508を有する。MLA
508は、照明光学系502が形成した照明視野Sに対応した位置に配置されている。M
LA508は、投影光学系503のステージ503Sに搭載される。ステージ503Sが
投影系ガイド5Pに沿って移動することにより、MLA508がX方向に移動する。
The projection
The
以上のように、1つの照明光学系502で、照明視野Sの全域を照明する構成の場合も
、上記と同様に、マスクステージ1Tのマスク間隔調整機構でマスクのY方向の間隔を調
整したり、プレートステージ1SでマスクユニットMとプレートPとの走査方向の相対位
置を調整したりすることで、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
As described above, even in the case where the entire illumination field S is illuminated by one illumination
<デバイス製造方法>
図22は、本実施形態に係るデバイス製造方法の各ステップを示すフローチャートであ
る。本実施形態に係るデバイス製造方法でデバイスを製造するにあたって、まず、デバイ
ス(電子デバイス)の機能及び性能の設計が行われる(ステップS201)。次に、ステ
ップS201における設計に基づいたマスクが製造される(ステップS202)。次に、
レジストが塗布されたプレートPに、ステップS202で製造されたマスクのマスクパタ
ーンが投影露光される工程、露光したプレートPを現像する工程、現像されたプレートP
の加熱工程及びエッチング工程等を含む基板処理が行われる(ステップS203)。
<Device manufacturing method>
FIG. 22 is a flowchart showing each step of the device manufacturing method according to the present embodiment. In manufacturing a device by the device manufacturing method according to the present embodiment, first, the function and performance of the device (electronic device) are designed (step S201). Next, a mask based on the design in step S201 is manufactured (step S202). next,
A process in which the mask pattern of the mask manufactured in step S202 is projected and exposed to the plate P coated with resist, a process in which the exposed plate P is developed, and a developed plate P
Substrate processing including the heating process, the etching process, and the like is performed (step S203).
基板処理においてマスクパターンがプレートPに投影露光される工程では、露光装置1
、201、501が本実施形態に係る露光方法を実行することにより、マスクに形成され
たパターン、すなわちマスクパターンと同形状のパターンがプレートPに転写される。な
お、基板処理においては、複数のマスクをマスクユニットMとして用い、マスクユニット
MのそれぞれのマスクのパターンをプレートPに転写させる。マスクパターンが転写され
たプレートPは、現像、加熱及びエッチングによって、転写されたパターンに基づいて加
工される。基板処理が終了したら、ダイシング工程、ボンディング工程及びパッケージ工
程等の加工プロセスを含むデバイスの組み立てが行われ(ステップS204)、その後の
検査(ステップS205)を経てデバイスが完成する。
In the process of projecting and exposing the mask pattern onto the plate P in the substrate processing, the
201, 501 execute the exposure method according to the present embodiment, whereby a pattern formed on the mask, that is, a pattern having the same shape as the mask pattern is transferred to the plate P. In the substrate processing, a plurality of masks are used as the mask unit M, and the pattern of each mask of the mask unit M is transferred to the plate P. The plate P to which the mask pattern is transferred is processed based on the transferred pattern by development, heating, and etching. When the substrate processing is completed, device assembly including processing processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process is performed (step S204), and the device is completed through subsequent inspection (step S205).
上記の実施形態の露光装置1、201、501の投影システム(主として投影光学系)
は、投影倍率を1として投影する場合として説明したがこれに限定されない。露光装置1
、201、501は、投影システムの光学系を構成するレンズの配置や焦点位置を変更す
ることで、投影倍率を任意の倍率とすることができる。露光装置1、201、501は、
投影倍率を1未満とし、マスクのパターンの線幅を投影倍率分縮小して、プレートPで結
像される構成、つまり、マスクのパターンの線幅がプレートPで結像されるパターンの線
幅の数倍(2倍、3倍)の大きさとなる構成としてもよい。また、露光装置1、201、
501は、投影倍率を1より大きくし、マスクのパターンの線幅を投影倍率分拡大して、
プレートPで結像される構成、つまり、マスクのパターンの線幅がプレートPで結像され
るパターンの線幅の数分の1(1/2、1/3)の大きさとなる構成としてもよい。
Projection system (mainly projection optical system) of
Has been described as a case where the projection magnification is 1, but the present invention is not limited to this.
, 201, 501 can change the projection magnification to an arbitrary magnification by changing the arrangement and focal position of the lenses constituting the optical system of the projection system. The
A configuration in which the projection magnification is less than 1 and the line width of the mask pattern is reduced by the projection magnification to form an image on the plate P, that is, the line width of the pattern on which the mask pattern is imaged on the plate P It is good also as a structure which becomes the magnitude | size (2 times, 3 times) of these. Also,
501 increases the projection magnification from 1 and enlarges the line width of the mask pattern by the projection magnification;
A configuration in which the image is formed on the plate P, that is, a configuration in which the line width of the mask pattern is a fraction (1/2, 1/3) of the line width of the pattern imaged on the plate P. Good.
なお、上述のプレートPとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、
半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは
露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)などを
用いることができる。
In addition, as the above-mentioned plate P, not only the glass substrate for display devices,
A semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask or reticle master (synthetic quartz, silicon wafer) used in an exposure apparatus can be used.
また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明
細書、米国特許第6262796号明細書などに開示されているような、複数のプレート
ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
The present invention also relates to a twin stage type exposure having a plurality of plate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to devices.
また、本発明は、米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第17131
13号明細書などに開示されているような、プレートを保持するプレートステージと、プ
レートを保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭
載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数のプレー
トステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
Further, the present invention relates to US Pat. No. 6,897,963 and European Patent Application Publication No. 17131.
A plate stage for holding a plate and a measurement stage on which a reference member on which a reference mark is formed and / or various photoelectric sensors are mounted without holding the plate, as disclosed in the specification of No. 13 etc. The present invention can also be applied to a provided exposure apparatus. An exposure apparatus including a plurality of plate stages and measurement stages can be employed.
露光装置1、201、501の種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製
造用の露光装置に限られず、プレートPに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造
用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DN
Aチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用
できる。
The types of
The present invention can be widely applied to an A-chip, an exposure apparatus for manufacturing a reticle, a mask, or the like.
なお、上記実施形態において、マスクMa〜Meは、パターン領域50の間に遮蔽領域
52が形成された構造としたがこれに限定されない。マスクMa〜Meは、パターン領域
50の間を光を透過する領域としてもよい。この場合、露光装置1、201、501の投
影光学系または照明光学系にシャッタを設け、シャッタの開閉を切り換えることで、プレ
ートに光が投影されるか否かを切り換えることができる。ここで、マスクMa〜Meに遮
蔽領域52が形成されている場合も、シャッタを設けてもよい。この場合、露光装置1、
201、501は、シャッタを閉じてプレートに光が投影されていない状態で、マスクM
a〜Meの非走査方向の間隔を変化させる。これにより、上述した遮蔽領域52でマスク
Ma〜Meの間隔を変化させる場合と同様の効果を得ることができる。
In the above embodiment, the masks Ma to Me have a structure in which the shielding
The interval in the non-scanning direction of a to Me is changed. Thereby, the same effect as the case where the space | interval of mask Ma-Me is changed in the shielding area |
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相
パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、
例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターン
の電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成す
る可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも
呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代え
て、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
In the above-described embodiment, a light transmissive mask in which a predetermined light shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light transmissive substrate is used.
For example, as disclosed in US Pat. No. 6,778,257, a variable shaping mask (an electronic mask, an active mask, or an image) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. (Also called a generator) may be used. Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element.
上述の実施形態の露光装置1、201、501は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成
要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つよう
に、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前
後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については
機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調
整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相
互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続などが含まれる。この各種
サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した
後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の
製造は温度及びクリーン度などが管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
The exposure apparatuses 1, 201, and 501 of the above-described embodiments maintain various mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy for various subsystems including the constituent elements recited in the claims of the present application. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. After the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room in which the temperature and cleanliness are controlled.
なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一
部の構成要素を用いない場合もある。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の
種々の省略、置換又は変更を行うことができる。また、法令で許容される限りにおいて、
上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許
の開示を援用して本文の記載の一部とする。このように、上記実施形態に基づいて当業者
等によりなされる他の実施形態及び運用技術等は、すべて本発明の範囲に含まれる。
Note that the requirements of the above-described embodiments and modifications can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, various omissions, substitutions, or changes of components can be made without departing from the scope of the present invention. In addition, as permitted by law,
The disclosures of all publications and US patents relating to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference. As described above, all other embodiments and operation techniques made by those skilled in the art based on the above-described embodiments are all included in the scope of the present invention.
1、201、501 露光装置
1S プレートステージ
1T マスクステージ
2 照明光学系
3 投影光学系
3S ステージ
6 光源
9 制御装置
10C、10L、10R 部分光学ユニット
12、511、513 リレー光学系
13、514 フライアイレンズ
15 コンデンサレンズ
16 ミラー
21 移動装置
22 支持部
32、42 支持部
34、44 土台
40 支持台
41 マスク間隔調整機構
50 パターン領域
52 遮蔽領域
230 案内光学ユニット
231 照明光学ユニット
516 凹面ミラー
M マスクユニット
Ma、Mb、Mc、Md、Me マスク
1, 201, 501
Claims (12)
走査方向に所定パターンが複数並んで形成された短冊形状の複数の前記マスクを走査方向が長手となる向きで、前記走査方向に直交する方向である非走査方向に沿って配置し、前記照明光学系及び前記レンズアレイを前記マスク及び前記プレートに対して、前記走査方向に相対的に移動させ、前記照明光学系から前記パターンに前記照明光を照射し、前記マスクに形成されたパターンの像を前記レンズアレイを介して前記プレートに投影することと、
前記照明光学系及び前記レンズアレイの前記マスク及び前記プレートに対する前記走査方向への相対的な移動中に、前記非走査方向における複数の前記マスクの間隔を変化させることと、
前記プレートに投影される前記所定パターンの前記走査方向の間隔が変更されるように、前記マスクに形成されたパターンと前記プレートに形成された前記パターンの像との前記走査方向における相対位置関係に基づいて、前記照明光学系及び前記レンズアレイの前記マスク及び前記プレートに対する前記走査方向への相対的な移動中に、前記プレートを前記マスクに対して前記走査方向へ相対的に移動させることとを含む露光方法。 An exposure method of irradiating a mask with illumination light through an illumination optical system and transferring a pattern formed on the mask to a plate through a lens array,
A plurality of strip-shaped masks formed by arranging a plurality of predetermined patterns in a scanning direction are arranged along a non-scanning direction that is a direction orthogonal to the scanning direction, with the scanning direction being a longitudinal direction, and the illumination optics The system and the lens array are moved relative to the mask and the plate in the scanning direction, the illumination optical system irradiates the pattern with the illumination light, and an image of the pattern formed on the mask is obtained. Projecting onto the plate via the lens array;
During relative movement of the said scanning direction with respect to the mask and the plate of the illumination optical system and the lens array, and varying the spacing of the plurality of the masks in the non-scanning direction,
The relative positional relationship in the scanning direction between the pattern formed on the mask and the image of the pattern formed on the plate is changed so that the interval in the scanning direction of the predetermined pattern projected onto the plate is changed. And moving the plate relative to the mask in the scanning direction during the relative movement of the illumination optical system and the lens array in the scanning direction with respect to the mask and the plate. Including an exposure method.
前記照明光が一の前記パターン領域を照明した後、当該一の前記パターン領域より前記走査方向の下流側の他の前記パターン領域を照明する前に、当該他の前記パターン領域のパターンと当該パターンが投影される前記プレートに形成されているパターンとの前記非走査方向における相対関係に関する情報に基づいて、前記非走査方向における複数の前記マスクの間隔を変化させる請求項1に記載の露光方法。 The mask has a plurality of pattern regions where the pattern is formed along the scanning direction,
After the illumination light illuminates one pattern area, before illuminating the other pattern area downstream in the scanning direction from the one pattern area, the pattern of the other pattern area and the pattern The exposure method according to claim 1, wherein an interval between the plurality of masks in the non-scanning direction is changed based on information on a relative relationship in the non-scanning direction with a pattern formed on the plate on which is projected.
前記検出した前記プレートに形成されているパターンの位置に基づいて、前記相対的な移動中の前記マスクと前記プレートの前記走査方向の相対位置を決定することと、を含む請求項1に記載の露光方法。 Detecting the position of the pattern formed on the plate;
The method according to claim 1 , further comprising: determining a relative position in the scanning direction of the relative movement of the mask and the plate based on the detected position of the pattern formed on the plate. Exposure method.
前記検出した前記プレートに形成されているパターンの位置に基づいて、前記相対的な移動中の前記非走査方向における複数の前記マスクの間隔を決定することと、を含む請求項1から6のいずれか一項に記載の露光方法。 Detecting the position of the pattern formed on the plate;
Based on the position of the pattern formed on the plates the detection, either determining a distance of the plurality of masks in the non-scanning direction of the relative moving from claim 1 comprising 6 The exposure method according to claim 1.
走査方向に所定パターンが複数並んで形成された短冊形状の複数の前記マスクを走査方向が長手となる向きで、前記走査方向に直交する方向である非走査方向に沿って配置し、前記非走査方向における複数の前記マスクの間隔を変化させるマスク間隔調整機構と、前記マスク間隔調整機構を支持する支持台と、を有するマスク支持機構と、
前記プレートを支持し、前記マスクに対して前記走査方向へ相対移動可能なるプレート支持機構と、
前記移動装置による前記照明光学系及び前記レンズアレイの前記マスク及び前記プレートに対する相対的な移動中に、前記マスク間隔調整機構によって複数の前記マスクの間隔を調整し、前記プレートに投影される前記所定パターンの前記走査方向の間隔が変更されるように、前記マスクに形成されたパターンと前記プレートに形成された前記パターンの像との前記走査方向における相対位置関係に基づいて、前記プレート支持機構により前記プレートを、少なくとも前記所定パターンの前記走査方向の長さ分、前記マスクに対して前記走査方向へ相対的に移動させる制御装置と、を備える露光装置。 An illumination optical system that irradiates a mask with illumination light, and a lens that projects an image of a pattern formed on the mask illuminated by the illumination optical system onto a plate and transfers the pattern formed on the mask onto the plate An exposure apparatus comprising: an array; and a moving device that moves the illumination optical system and the lens array relative to the mask and the plate in a scanning direction,
A plurality of strip-shaped masks formed by arranging a plurality of predetermined patterns in a scanning direction are arranged along a non-scanning direction that is perpendicular to the scanning direction in a direction in which the scanning direction is long, and the non-scanning A mask support mechanism comprising: a mask interval adjustment mechanism that changes the interval between the plurality of masks in the direction; and a support base that supports the mask interval adjustment mechanism;
A plate supporting mechanism the plate to the support, that can be moved relative to the scanning direction with respect to the mask,
During the relative movement of the illumination optical system and the lens array with respect to the mask and the plate by the moving device, the mask interval adjusting mechanism adjusts the intervals of the plurality of masks, and the predetermined image projected onto the plate Based on the relative positional relationship in the scanning direction between the pattern formed on the mask and the image of the pattern formed on the plate so that the interval in the scanning direction of the pattern is changed, the plate support mechanism An exposure apparatus comprising: a control device that moves the plate relative to the mask in the scanning direction by at least the length of the predetermined pattern in the scanning direction .
前記パターンが転写された前記プレートを、転写された前記パターンに基づいて加工することと、を含むデバイス製造方法。 Transferring the pattern formed on the mask to a plate by the exposure method according to any one of claims 1 to 10 ;
Processing the plate to which the pattern has been transferred based on the transferred pattern.
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