JP6403000B2 - 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、当該電気光学装置を搭載した電子機器、及び当該電気光学装置の製造方法に関する。

電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調手段（ライトバルブ）として用いられるアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。当該液晶装置の画素には、画素電極に書き込まれた画像信号を保持するための蓄積容量が設けられ、画素電極における画像信号の電位保持特性が高められている。

例えば、特許文献１に記載の電気光学装置（液晶装置）では、第１電極と、誘電体層と、第２電極とが順に積層された蓄積容量を有している。第１電極は、複数の画素に跨って形成され、共通電位が供給されている。つまり、第１電極は共通電位が供給される容量線である。第１電極は、アルミニウムと窒化チタンとが順に積層された２層構造を有し、下層側に配置されたアルミニウムによって低抵抗化が図られ、第１電極に供給される電位の変動が抑制されている。第２電極は、画素毎に島状に形成され、画素電極に供給される電位が供給されている。

さらに、第１電極と誘電体膜との間には、誘電体層や第２電極をエッチングする際に第１電極が侵されないように第１電極を保護する絶縁膜（エッチングストッパー）が形成されている。絶縁膜には、第１電極の表面（窒化チタンが配置された部分）を露出させる開口が形成されている。上述した蓄積容量は、絶縁膜の開口で露出された第１電極の表面に、誘電体層と第２電極が順に積層されて形成されている。このため、蓄積容量の容量値は、絶縁膜の開口面積（第１電極の表面の露出面積）に依存する。
絶縁膜の開口は、絶縁膜にドライエッチング処理を施して形成されている。絶縁膜をドライエッチングすると、エッチング面（開口で露出された第１電極の表面）に反応生成物（デポ物）が堆積する。当該反応生成物は、第１電極の表面の抵抗を増加させるので、絶縁膜のドライエッチング後にフッ酸を含む薬液に浸漬し、当該反応生成物を除去する必要がある。

特開２０１３−２５０６９号公報

ライトバルブ用途の液晶装置では、画素の微細化（高密度化）を図りつつ、高品位の画像を得るために蓄積容量を大容量化する必要がある。さらに、画素を微細化（高密度化）すると、蓄積容量の容量線（第１電極）が細くなるので、低抵抗材料のアルミニウムで容量線（第１電極）を形成し、容量線（第１電極）の抵抗（時定数）の増加を抑制する必要がある。ところが、特許文献１に記載の電気光学装置では、容量線（第１電極）を低抵抗材料のアルミニウムで形成した場合、蓄積容量の大容量化を図ることが難しいという課題があった。

詳しくは、低抵抗材料のアルミニウムは、フッ酸を含む薬液に対する耐性が弱い。蓄積容量を大容量化するために、絶縁膜の開口面積を大きくすると、第１電極のアルミニウムが配置された部分が露出するおそれがある。仮に、第１電極のアルミニウムが配置された部分が露出すると、反応生成物を除去するためのフッ酸を含む薬液処理（浸漬）で、アルミニウムが侵される（腐食される）という不具合が生じる。このため、絶縁膜の開口面積を大きくし、蓄積容量の大容量化を図ることが難しいという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の上方に設けられ、第１金属膜と前記第１金属膜に積層された第２金属膜とを有する下部容量電極と、前記第１金属膜の側壁を覆うとともに前記第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させるように設けられた第１保護絶縁膜と、前記第２金属膜上と、前記第１保護絶縁膜から露出された前記第２金属膜の側壁と、に亘って設けられた誘電体膜と、前記第２金属膜上の前記誘電体膜と、前記第１保護絶縁膜から露出された前記第２金属膜の側壁に設けられた前記誘電体膜上と、に亘って設けられた上部容量電極と、を備えることを特徴とする。

下部容量電極の側壁の一部（第２金属膜の側壁の少なくとも一部）、及び下部容量電極表面には、第１保護絶縁膜で覆われていなく、露出している。よって、蓄積容量は、下部容量電極の側壁の一部（第２金属膜の側壁の少なくとも一部）と誘電体膜と上部容量電極との間、及び下部容量電極の表面と誘電体膜と上部容量電極との間に形成されている。従って、下部容量電極の表面と誘電体膜と上部容量電極との間だけに蓄積容量を形成する場合と比べて、蓄積容量の大容量化を図ることができる。

さらに、下部容量電極を構成する第１金属膜は、第１保護絶縁膜と第２金属膜とで覆われている（保護されている）ので、薬液などで侵される（腐食される）おそれがない。このため、薬液に対する耐性が弱いアルミニウムなどの低抵抗材料で、第１金属膜を構成することができる。従って、第１金属膜をアルミニウムなどの低抵抗材料で構成し、下部容量電極を低抵抗化することができる。

［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記基板に沿った方向を第１方向とし、前記第１方向と前記第２金属膜の側壁とがなす角度は、前記第１方向と前記第１金属膜の側壁とがなす角度よりも大きいことが好ましい。

第１方向と第１金属膜の側壁とがなす角度を、第１方向と第２金属膜の側壁とがなす角度よりも小さくすると、つまり第２金属膜の側壁の勾配と比べて緩勾配の第１金属膜の側壁を形成すると、第１保護絶縁膜は第１金属膜の側壁を覆いやすくなるので、第１金属膜の側壁を覆う第１保護絶縁膜が形成されやすくなる。

第１方向と第２金属膜の側壁とがなす角度を、第１方向と第１金属膜の側壁とがなす角度よりも大きくすると、つまり第１金属膜の側壁の勾配と比べて急勾配の第２金属膜の側壁を形成すると、第１保護絶縁膜は第２金属膜の側壁を覆いにくくなるので、第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させる第１保護絶縁膜が形成されやすくなる。

［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２金属膜の膜厚は、前記第１金属膜の膜厚と同じ、または前記第１金属膜の膜厚よりも大きいことが好ましい。

第２金属膜の膜厚を、第１金属膜の膜厚と同じまたは第１金属膜の膜厚よりも大きくすると、第２金属膜の膜厚が第１金属膜の膜厚よりも小さい場合と比べて、下部容量電極の側壁の一部（第２金属膜の側壁の少なくとも一部）と誘電体膜と上部容量電極との間に形成される蓄積容量の容量値を大きくすることができる。

［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記下部容量電極と前記誘電体膜との間に配置され、平面視で前記上部容量電極に重なっていない部分の前記下部容量電極を覆う第２保護絶縁膜を有していることが好ましい。

平面視で上部容量電極に重なっていない部分の下部容量電極は、第２保護絶縁膜で覆われている（保護されている）ので、上部容量電極を形成するエッチング工程で侵されるおそれが抑制される。

［適用例５］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

上記適用例に記載の電気光学装置は、蓄積容量の大容量化が図られているので、画素の電位保持特性が高められ、高品位な表示を提供することができる。従って、上記適用例に記載の電気光学装置を備える電子機器は、高品位な表示を提供することができる。

例えば、投射型表示装置、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用させることで、高品位な表示を提供することができる。

［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上方に、第１金属膜及び第２金属膜を順に堆積する工程と、前記第２金属膜及び前記第１金属膜を順にエッチングし、下部容量電極を形成する工程と、前記下部容量電極を覆う絶縁膜を堆積する工程と、前記絶縁膜に前記基板の法線方向の異方性エッチングを施し、前記第１金属膜の側壁を覆うとともに前記第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させる第１保護絶縁膜を形成する工程と、前記第２金属膜上と、前記第１保護絶縁膜から露出された前記第２金属膜の側壁と、に亘って誘電体膜を堆積する工程と、導電膜を堆積する工程と、前記導電膜をエッチングし、前記第２金属膜上の前記誘電体膜と、前記第１保護絶縁膜から露出された前記第２金属膜の側壁に設けられた前記誘電体膜上と、に亘って上部容量電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする。

下部容量電極の側壁を覆う部分の絶縁膜の基板の法線方向の寸法（厚さ）は、下部容量電極の表面を覆う部分の絶縁膜の基板の法線方向の寸法（厚さ）よりも大きいので、絶縁膜に基板の法線方向の異方性エッチングを施すと、下部容量電極の表面を覆う部分の絶縁膜を除去し、下部容量電極の側壁を覆う部分の絶縁膜を残存させることができる。下部容量電極の側壁の一部に絶縁膜が残存するように絶縁膜に基板の法線方向の異方性エッチングを施すことで、第１金属膜の側壁を覆うとともに第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させる第１保護絶縁膜を形成することができる。

さらに、誘電体膜を堆積する工程と、上部容量電極を形成する工程とを経て、第２金属膜の側壁の少なくとも一部（下部容量電極の側壁の一部）と誘電体膜と上部容量電極との間、及び下部容量電極の表面と誘電体膜と上部容量電極との間の両方に、蓄積容量を形成することができる。

［適用例７］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１保護絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜に化学的機械的研磨処理を施す工程と、前記第１金属膜の側壁を覆うとともに前記第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させるように、前記絶縁膜に前記法線方向の異方性エッチングを施す工程と、を含むことが好ましい。

化学的機械的研磨処理によって、下部容量電極の表面を覆う部分の絶縁膜の基板の法線方向の寸法（厚さ）が小さくなるので、下部容量電極の表面を覆う部分の絶縁膜を除去し、下部容量電極の側壁の一部に絶縁膜が残存するように、絶縁膜に基板の法線方向の異方性エッチングを施すエッチング時間が短くなり、当該異方性エッチング工程の生産性を向上させることができる。
さらに、当該異方性エッチング工程のエッチング時間を短くし、エッチングされる絶縁膜の寸法を小さくすると、絶縁膜のエッチング寸法のバラツキが小さくなり、残存する絶縁膜（第１保護絶縁膜）の寸法（膜厚）の均一性を向上させることができる。

［適用例８］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記下部容量電極を形成する工程では、前記基板に沿った方向を第１方向とした場合に、前記第１方向と前記第２金属膜の側壁とがなす角度が、前記第１方向と前記第１金属膜の側壁とがなす角度よりも大きくなるように前記第２金属膜及び前記第１金属膜を順にエッチングすることが好ましい。

第１方向と第２金属膜の側壁とがなす角度が、第１方向と第１金属膜の側壁とがなす角度よりも大きくなるように第２金属膜及び第１金属膜を順にエッチングすると、第１金属膜の側壁の勾配と比べて急勾配の第２金属膜の側壁が形成され、第１保護絶縁膜は第２金属膜の側壁を覆いにくくなるので、第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させる第１保護絶縁膜を形成しやすくなる。

［適用例９］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１金属膜及び第２金属膜を順に堆積する工程では、第２金属膜の膜厚が、前記第１金属膜の膜厚と同じ、または前記第１金属膜の膜厚よりも大きくなるように、前記第１金属膜及び前記第２金属膜を順に堆積することが好ましい。

膜厚が、第１金属膜の膜厚と同じまたは第１金属膜の膜厚よりも大きくなるように、第２金属膜を形成すると、第２金属膜の膜厚が第１金属膜の膜厚よりも小さい場合と比べて、第２金属膜の側壁と誘電体膜と上部容量電極との間で形成される蓄積容量の容量値を大きくすることができる。

［適用例１０］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１保護絶縁膜を形成する工程と前記誘電体膜を堆積する工程との間に、平面視で前記上部容量電極に重なっていない部分の前記下部容量電極を覆う第２保護絶縁膜を形成する工程を含むことが好ましい。

平面視で上部容量電極に重なっていない部分の下部容量電極は、第２保護絶縁膜で覆われている（保護されている）ので、上部容量電極を形成するエッチング工程で、平面視で上部容量電極に重なっていない部分の下部容量電極が侵されるおそれを抑制することができる。

［適用例１１］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記上部容量電極を形成する工程以降に、前記上部容量電極から張り出した誘電体膜を除去する工程を含むことが好ましい。

上部容量電極から張り出した部分は、光が変調される表示領域となる。
蓄積容量を大容量化するためには、誘電体膜の誘電率（屈折率）は大きい方が好ましい。つまり、誘電体膜は高屈折率の材料で構成されることが好ましい。上部容量電極から張り出した部分（表示領域）に、高屈折率の誘電体膜が配置されると、屈折率が異なる他の絶縁膜との間で光の反射が生じ、表示領域における光の利用効率が低下する。従って、上部容量電極を形成する工程以降に、上部容量電極から張り出した誘電体膜を除去する工程を設け、上部容量電極から張り出した誘電体膜を除去することが好ましい。

実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。 図１のＪ−J’に沿った液晶装置の概略断面図。 実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 相隣接する複数の画素の概略平面図。 図４のＦ−Ｆ’線に沿った素子基板の概略断面図。 図４のＨ−Ｈ’線に沿った素子基板の概略断面図。 実施形態１に係る液晶装置の製造方法を示す工程フロー。 図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係る液晶装置の素子基板の概略断面図。 実施形態２に係る液晶装置の製造方法を示す工程フロー。 図１１に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本願の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本願の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１００は、電気光学装置の一例であり、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；以降ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型液晶装置である。液晶装置１００は、例えば後述する液晶プロジェクターの光変調素子として好適に用いることができる。

図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＪ−J’に沿った液晶装置の概略断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
最初に、図１乃至図３を参照し、本実施形態に係る液晶装置１００の概要について説明する。

図１及び図２に示すように、液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層６０とを有する。

素子基板１０は、対向基板２０よりも一回り大きい。素子基板１０と対向基板２０とは、額縁状に配置されたシール材６２を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層６０を構成している。シール材６２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材６２には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー６６が混入されている。

額縁状に配置されたシール材６２の内側には、同じく額縁状の遮光膜６３が設けられている。遮光膜６３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜６３の内側が表示領域Ｅとなる。表示領域Ｅには、画素Ｐがマトリックス状に複数配置されている。

素子基板１０の複数の外部接続用端子１０２が配列した１辺部と該１辺部に沿ったシール材６２との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材６２の内側に走査線駆動回路１０４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材６２の内側には、２つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０２に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向、及び素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ方向として説明する。また、Ｚ方向から見ることを平面視と称す。
なお、Ｘ方向は、「第１方向」の一例である。Ｚ方向は、「基板の法線方向」の一例である。

図２に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、並びに素子基板本体１１の液晶層６０側の面に形成されたＴＦＴ３０や画素電極９、及び画素電極９を覆う配向膜３９などを有している。素子基板本体１１は、例えば石英やガラスなどの透明材料で構成されている。また、ＴＦＴ３０や画素電極９は画素Ｐの構成要素であり、画素ＰはＸ方向及びＹ方向にマトリックス状に配列されている。
なお、素子基板本体１１は、「基板」の一例である。

対向基板２０は、対向基板本体２１、並びに対向基板本体２１の液晶層６０側の面に順に積層された遮光膜２４，６３、対向電極２２、及び配向膜２３などを有している。
対向基板本体２１は、例えば石英やガラスなどの透明材料で構成されている。

遮光膜２４，６３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。遮光膜６３は、平面的に走査線駆動回路１０４と重なる位置に額縁状に設けられている（図１参照）。遮光膜２４は、平面的にＴＦＴ３０と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０から素子基板１０に入射する光を遮光して、走査線駆動回路１０４やＴＦＴ３０の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

対向電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、表示領域Ｅに亘って形成される。対向電極２２は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている（図１参照）。

画素電極９を覆う配向膜３９及び対向電極２２を覆う配向膜２３は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）で構成されている。また、配向膜３９，２３は、ポリイミドなどの有機配向膜を使用してもよい。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線１２及び複数のデータ線６と、データ線６と同じ方向に延在する第１容量電極７１とを有する。なお、第１容量電極７１の配置はこれに限定されず、第１容量電極７１を走査線１２と同じ方向に延在するように配置してもよい。

走査線１２とデータ線６とにより区分された領域に、画素電極９と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量７０とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線１２はＴＦＴ３０のゲート（ゲート電極３７、図５参照）に電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソース（半導体層３１のソース領域３２、図５参照）に電気的に接続されている。画素電極９はＴＦＴ３０のドレイン（ドレイン電極３８、図５参照）に電気的に接続されている。

データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが各画素Ｐに供給される。走査線１２は走査線駆動回路１０４（図１）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが各画素Ｐに供給される。データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。
なお、第１容量電極７１には、固定電位（例えば、共通電位Ｖｃｏｍ）が供給されている。つまり、第１容量電極７１は、固定電位が供給される容量線である。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれる構成となっている。画素電極９に書き込まれる画像信号Ｓ１〜Ｓｎの電圧は、対向電極２２に対して−５Ｖ〜＋５Ｖの範囲で変化する。そして、画素電極９を介して液晶層６０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極９と液晶層６０を介して対向配置された共通電極として機能する対向電極２２との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリーク（劣化）するのを防止するために、画素電極９と対向電極２２との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が接続されている。詳細は後述するが、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレイン電極３８に電気的に接続された第２容量電極７７（図５参照）と、第１容量電極７１との間に形成されている。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。

「画素の構成」
図４は、相隣接する複数の画素の概略平面図である。図５は、図４のＦ−Ｆ’線に沿った素子基板の概略断面図である。図６は、図４のＨ−Ｈ’線に沿った素子基板の概略断面図である。つまり、図６は、第２容量電極７７と隣り合う第２容量電極７７との境界部分の概略断面図である。
図４では、走査線１２を細くて長い破線で示し、半導体層３１及び第２保護絶縁膜４７を細くて短い点線で示し、ゲート電極３７を細い実線で示し、ドレイン電極３８を一点鎖線で示し、第１容量電極７１を太い破線で示し、第２容量電極７７を太い実線で示し、画素電極９を二点鎖線で示している。また、画素電極９で挟まれＸ方向に沿った部分を領域９Ｘとし、画素電極９で挟まれＹ方向に沿った部分を領域９Ｙとする。
以下に、図４乃至図６を参照し、画素Ｐの構成を説明する。

図４に示すように、素子基板１０には、複数の画素Ｐの各々に矩形状の画素電極９が形成されている。
Ｘ方向に沿った領域９Ｘ（画素電極９が形成されていない領域）を覆うように走査線１２が形成されている。つまり、走査線１２は、画素電極９のＸ方向に沿った端部と平面視で重なり、Ｘ方向に延在している。

Ｙ方向に沿った領域９Ｙ（画素電極９が形成されていない領域）を覆うように第１容量電極７１が設けられている。第１容量電極７１は、複数の画素Ｐ（表示領域Ｅ）に跨って形成されている。第１容量電極７１は、Ｙ方向に沿って延びた部分と、Ｘ方向に張り出した部分とを有している。第１容量電極７１のＹ方向に沿って延びた部分は、画素電極９のＹ方向に沿った端部と平面視で重なり、Ｙ方向に延在している。
なお、第１容量電極７１は、「下部容量電極」の一例である。

図４では図示を省略するが、平面視で第１容量電極７１のＹ方向に沿って延びた部分と重なるように、データ線６（図５参照）が形成されている。つまり、平面視で画素電極９のＹ方向に沿った端部と重なり、Ｙ方向に延在したデータ線６が形成されている。

走査線１２とデータ線６（第１容量電極７１のＹ方向に沿って延びた部分）とが交差する領域に、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、Ｘ方向に長くなった半導体層３１と、Ｙ方向に長くなったゲート電極３７とを有している。半導体層３１のＸ（＋）方向側の端部を覆うように、Ｘ方向に長くなった矩形状のドレイン電極３８が形成されている。

半導体層３１において、平面視でゲート電極３７と重なった部分がチャネル領域３４となる。チャネル領域３４を挟んで、ドレイン電極３８側にドレイン領域３６が配置され、ドレイン電極３８と反対側にソース領域３２が配置されている。さらに、ソース領域３２とチャネル領域３４との間にソース側接合領域３３が配置され、ドレイン領域３６とチャネル領域３４との間にドレイン側接合領域３５が配置されている。すなわち、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の半導体層３１を有している。

第１容量電極７１のＹ方向に沿って延びた部分と、第１容量電極７１のＸ方向に張り出した部分とを覆うように、第２容量電極７７が形成されている。第２容量電極７７は、Ｌ字に近い形状をなし、画素Ｐのそれぞれに島状に形成されている。第２容量電極７７は、第１容量電極７１の表面と側壁とを覆うように、平面視で第１容量電極７１の端部から張り出して形成されている。平面視で第１容量電極７１と第２容量電極７７とが重なった部分に、蓄積容量７０が形成される。
なお、第２容量電極７７は、「上部容量電極」の一例である。

上述したように、第１容量電極７１は複数の画素Ｐに跨って形成され、第２容量電極７７は画素Ｐ毎に島状に形成されている。このため、一の画素Ｐに設けられた第２容量電極７７と、隣り合う画素Ｐに設けられた第２容量電極７７との間に、平面視で第２容量電極７７に重ならない第１容量電極７１が配置される。つまり、第１容量電極７１は、平面視で第２容量電極７７に重ならない部分と、平面視で第２容量電極７７に重なる部分とを有する。平面視で第２容量電極７７に重ならない部分の第１容量電極７１は、矩形状の第２保護絶縁膜４７で覆われている（保護されている）。

図５に示すように、素子基板本体１１と半導体層３１との間には、素子基板本体１１の側から走査線１２と下地絶縁膜４１とが順に設けられている。
走査線１２は、素子基板本体１１の上に形成され、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。走査線１２は、素子基板本体１１から入射する光に対してＴＦＴ３０の半導体層３１を遮光するように、ＴＦＴ３０の下側に配置された遮光膜である。

下地絶縁膜４１は、例えば酸化シリコンで構成され、走査線１２を覆って素子基板本体１１の全面に設けられ、走査線１２とＴＦＴ３０とを層間絶縁している。下地絶縁膜４１は、素子基板本体１１の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等でＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能も有する。

下地絶縁膜４１の上には、島状に半導体層３１が形成されている。半導体層３１は、例えば多結晶シリコンで構成され、下地絶縁膜４１を介して走査線１２に対向配置されている。半導体層３１には、不純物イオンが注入され、ソース領域（高濃度不純物領域）３２と、ソース側接合領域（低濃度不純物領域）３３と、チャネル領域３４と、ドレイン側接合領域（低濃度不純物領域）３５と、ドレイン領域（高濃度不純物領域）３６とが形成されている。

半導体層３１は、第１絶縁膜４２で覆われている。第１絶縁膜４２は、例えば酸化シリコンで構成され、ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜である。第１絶縁膜４２の上には、平面視で半導体層３１のチャネル領域３４に重なるゲート電極３７が形成されている。ゲート電極３７は、例えば導電性の多結晶シリコンから形成されており、第１絶縁膜４２と下地絶縁膜４１とを貫くコンタクトホール５１，５２（図４参照）を介して、走査線１２に電気的に接続されている。

第１絶縁膜４２及びゲート電極３７は、第２絶縁膜４３で覆われている。第２絶縁膜４３は、例えば酸化シリコンで構成される。さらに、第２絶縁膜４３の上には、データ線６とドレイン電極３８とが形成されている。データ線６及びドレイン電極３８は、走査線１２と同様の材料で形成され、遮光性を有している。

データ線６は、第１絶縁膜４２と第２絶縁膜４３とを貫くコンタクトホール５３を介して、半導体層３１のソース領域３２に電気的に接続されている。ドレイン電極３８は、第１絶縁膜４２と第２絶縁膜４３とを貫くコンタクトホール５４を介して、半導体層３１のドレイン領域３６に電気的に接続されている。

データ線６及びドレイン電極３８は、第３絶縁膜４４で覆われている。第３絶縁膜４４は、例えば酸化シリコンで構成される。第３絶縁膜４４には、例えば化学的機械的研磨による平坦化処理が施されている。

第３絶縁膜４４の上には、第１容量電極７１と、誘電体膜７５と、第２容量電極７７とが順に積層されている。
さらに、第３絶縁膜４４の上には、第１金属膜７２の側壁を覆うとともに第２金属膜７３の側壁の少なくとも一部を露出させる第１保護絶縁膜７４が形成されている。換言すれば、第１容量電極７１の側壁の一部を覆うように第１保護絶縁膜７４が形成されている。つまり、第１保護絶縁膜７４は、第１容量電極７１の側壁の一部を覆うように設けられたサイドウォールである。
第１保護絶縁膜７４は、例えば酸化シリコンで構成されている。

第１容量電極７１は、第１金属膜７２と、第１金属膜７２に積層された第２金属膜７３とで構成される。すなわち、第１容量電極７１は、素子基板本体１１の上方に設けられ、第１金属膜７２と、第１金属膜７２に積層された第２金属膜７３とを有する。第１金属膜７２は、例えば低抵抗材料のアルミニウムで構成され、第３絶縁膜４４の上に形成されている。第２金属膜７３は、例えば窒化チタンで構成され、第１金属膜７２の上に積層されている。
上述したように、第１容量電極７１は、複数の画素Ｐに跨って形成された容量線であり、固定電位（例えば、共通電位Ｖｃｏｍ）が供給されている。第１容量電極７１の電位変動を抑制するために、第１容量電極７１は低抵抗材料のアルミニウムで構成された第１金属膜７２を有し、低抵抗化が図られている。

第１容量電極７１は、蓄積容量７０を形成する一方の電極（固定電位側容量電極）である。さらに、第１容量電極７１は、平面視でデータ線６と重なり、データ線６の電界の影響を抑制するシールド層として機能する。つまり、画素電極９とデータ線６との間に、固定電位が供給された第１容量電極７１が設けられているので、データ線６の電界の影響、すなわちデータ線６と画素電極９とのカップリングが小さくなり、表示品位を高めることができる。

誘電体膜７５は、第１容量電極７１及び第３絶縁膜４４を覆うように形成されている。すなわち、誘電体膜７５は、第２金属膜７３上と、第１保護絶縁膜７４から露出された第２金属膜７３の側壁と、に亘って設けられている。
誘電体膜７５は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）と酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）とが積層された多層膜である。つまり、誘電体膜７５は、酸化シリコンよりも高誘電率（高屈折率）の材料で構成されている。誘電体膜７５と第３絶縁膜４４とが積層された部分には、ドレイン電極３８に至るコンタクトホール５５が形成されている。
なお、誘電体膜７５は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）などからなる単層膜、またはこれらの単層膜を積層した多層膜であってもよい。

第２容量電極７７は、第２金属膜７３上の誘電体膜７５（第１容量電極７１の表面を覆う誘電体膜７５）と、第１保護絶縁膜７４から露出された第２金属膜７３の側壁に設けられた誘電体膜７５上と、に亘って設けられている。第２容量電極７７は、例えば窒化チタンで構成される。

蓄積容量７０は、第１容量電極７１（固定電位側容量電極）と、誘電体膜７５と、第２容量電極７７（画素電位側容量電極）とで形成されている。第１容量電極７１の側壁の一部が第１保護絶縁膜７４で覆われていなく誘電体膜７５で覆われているので、蓄積容量７０は、第１容量電極７１の表面と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間に加えて、第１保護絶縁膜７４で覆われていない第１容量電極７１の側壁（第２金属膜７３の側壁）と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間にも形成される。従って、第１容量電極７１の表面と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間だけに蓄積容量７０を形成する場合と比べて、蓄積容量７０の容量値を大きくすることができる。

第２容量電極７７は、第４絶縁膜４５で覆われている。第４絶縁膜４５は、例えば酸化シリコンで構成され、化学的機械的研磨によって平坦化処理が施されている。
第４絶縁膜４５の上には、画素電極９と配向膜３９とが順に積層されている。画素電極９は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜で構成される。画素電極９は、第４絶縁膜４５を貫くコンタクトホール５６を介して、第２容量電極７７に電気的に接続されている。すなわち、画素電極９は、コンタクトホール５６と、第２容量電極７７と、コンタクトホール５５と、ドレイン電極３８と、コンタクトホール５４とを介して、半導体層３１のドレイン領域３６に電気的に接続されている。

図６に示すように、第１容量電極７１は、平面視で第２容量電極７７に重なる部分（第１容量電極７１Ａ）と、平面視で第２容量電極７７に重ならない部分（第１容量電極７１Ｂ）とを有している。

第１容量電極７１Ａの上には、誘電体膜７５と第２容量電極７７とが積層され、蓄積容量７０が形成されている。第１容量電極７１Ｂは、第２保護絶縁膜４７で覆われている（保護されている）。
第２保護絶縁膜４７は、第１容量電極７１Ｂに近接する部分の第１容量電極７１Ａと、誘電体膜７５との間にも形成されている。つまり、第２保護絶縁膜４７は、第１容量電極７１と誘電体膜７５との間に配置され、平面視で第２容量電極７７に重なっていない部分の第１容量電極７１を覆うように形成されている。

図５及び図６に示すように、走査線１２とデータ線６と第１容量電極７１と第２容量電極７７とドレイン電極３８とは遮光性を有しているので、走査線１２とデータ線６と第１容量電極７１と第２容量電極７７とドレイン電極３８とが配置された領域が、光の遮光領域Ｖ１となる。走査線１２とデータ線６と第１容量電極７１と第２容量電極７７とドレイン電極３８とが配置されていない領域が、光の透過領域Ｖ２となる。画素電極９は、平面視で光の透過領域Ｖ２を覆うように配置されている。光の透過領域Ｖ２において、画素電極９と対向電極２２との間で光が変調される。

光の透過領域Ｖ２には、素子基板本体１１と画素電極９との間に、下地絶縁膜４１と、第１絶縁膜４２と、第２絶縁膜４３と、第３絶縁膜４４と、第４絶縁膜４５とが素子基板本体１１の側から順に配置されている。つまり、素子基板本体１１と画素電極９との間には、酸化シリコンで構成され同じ屈折率の絶縁膜が配置されている。
仮に、素子基板本体１１と画素電極９との間に、酸化シリコンと異なる屈折率の絶縁膜が配置されると、酸化シリコンで構成された絶縁膜と、酸化シリコンと異なる屈折率の絶縁膜との間の界面で光の反射が生じ、液晶装置１００における光の利用効率が低下する。

このため、酸化シリコンよりも高屈折率の材料で構成された誘電体膜７５が光の透過領域Ｖ２に配置されないように、第２容量電極７７から張り出した誘電体膜７５はエッチング除去されている。つまり、誘電体膜７５は、光の遮光領域Ｖ１に配置され、光の透過領域Ｖ２に配置されていない。誘電体膜７５が光の透過領域Ｖ２に配置されていないので、誘電体膜７５が光の透過領域Ｖ２に配置される場合と比べて、異なる屈折率の絶縁膜が配置されたことによる光の反射が抑制され、液晶装置１００における光の利用効率を高めることができる。

さらに、上述したように、本実施形態に係る液晶装置１００では、蓄積容量７０が、第１容量電極７１の表面と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間に加えて、第１保護絶縁膜７４で覆われていない第１容量電極７１の側壁（第２金属膜７３の側壁）と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間にも形成され、第１容量電極７１の表面と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間だけに蓄積容量７０を形成する場合と比べて、蓄積容量７０の容量値が大きくなっている。従って、蓄積容量７０の容量値が小さい場合と比べて、画素電極９に書き込まれる画像信号の保持特性（画素Ｐの電位保持特性）が向上し、高品位の表示を提供することができる。

「液晶装置の製造方法」
図７は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法を示す工程フローである。図８及び図９は、図５に対応する図であり、図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
本実施形態の特徴を分かりやすくするために、図８及び図９では、図５と比べて蓄積容量７０（第１容量電極７１、誘電体膜７５、第２容量電極７７）が形成された部分を拡大して示している。さらに、図８及び図９では、素子基板本体１１と第１容量電極７１との間に配置された構成要素の図示が省略されている。
以下に、図７乃至図９を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法の概要を説明する。

図７に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法は、第１金属膜７２及び第２金属膜７３を順に堆積する工程（ステップＳ１）と、第２金属膜７３及び第１金属膜７２を順にエッチングし第１容量電極７１を形成する工程（ステップＳ２）と、絶縁膜７４Ａを堆積する工程（ステップＳ３）と、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施し第１保護絶縁膜７４を形成する工程（ステップＳ４）と、絶縁膜を堆積する工程（ステップＳ５）と、絶縁膜をエッチングし第２保護絶縁膜４７を形成する工程（ステップＳ６）と、誘電体膜７５を堆積する工程（ステップＳ７）と、誘電体膜７５をエッチングしコンタクトホール５５を形成する工程（ステップＳ８）と、導電膜７７Ａを堆積する工程（ステップＳ９）と、導電膜７７Ａをエッチングし第２容量電極７７を形成する工程（ステップＳ１０）と、第２容量電極７７から張り出した誘電体膜７５をエッチングし、除去する工程（ステップＳ１１）と、を含む。

図８（ａ）に示すように、ステップＳ１では、素子基板本体１１の上方に（第３絶縁膜４４の上に）、例えばスパッタ法で、アルミニムからなる第１金属膜７２と窒化チタンからなる第２金属膜７３とを順に堆積する。第１金属膜７２の膜厚Ｔ１は概略５０ｎｍ〜５００ｎｍであり、第２金属膜７３の膜厚Ｔ２は概略１００ｎｍ〜５００ｎｍである。第２金属膜７３の膜厚Ｔ２は、第１金属膜７２の膜厚Ｔ１と同じ、または第１金属膜７２の膜厚Ｔ１よりも大きい。
このように、ステップＳ１では、第２金属膜７３の膜厚Ｔ２が、第１金属膜７２の膜厚Ｔ１と同じ、または第１金属膜７２の膜厚Ｔ１よりも大きくなるように、第１金属膜７２及び第２金属膜７３を順に堆積する。

上述したように、第１容量電極７１は第１金属膜７２によって低抵抗化が図られているので、第１容量電極７１を低抵抗にするためには、第１金属膜７２の膜厚Ｔ１を大きくし、例えば第１金属膜７２の膜厚Ｔ１と第２金属膜７３の膜厚Ｔ２とが同じである構成が好ましい。
さらに、蓄積容量７０は、第２金属膜７３の側壁（第１容量電極７１の側壁）にも形成されるので、蓄積容量７０の大容量化を図るためには、第２金属膜７３の膜厚Ｔ２が第１金属膜７２の膜厚Ｔ１よりも大きい構成が好ましい。
本実施形態では、第２金属膜７３の膜厚Ｔ２が第１金属膜７２の膜厚Ｔ１よりも大きく、蓄積容量７０の大容量化を図るために好適な構成を有している。

図８（ｂ）に示すように、ステップＳ２では、例えばＲＩＥ（Reactive Ionic Etching）装置などの容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、第２金属膜７３及び第１金属膜７２を順にエッチングし、第１容量電極７１を形成する。
詳しくは、塩素系ガスを用いたドライエッチング法によって、第２金属膜７３をＺ（−）方向にエッチングする。詳細は後述するが、第２金属膜７３の側壁の少なくとも一部を露出させるように第１保護絶縁膜７４を安定して形成するためには、第２金属膜７３の側壁は、素子基板本体１１（第３絶縁膜４４）に対して切り立った形状を有することが好ましい。つまり、第２金属膜７３とＸ方向（素子基板本体１１の表面に沿った方向）とがなす角度θ２は、第１金属膜７２とＸ方向とがなす角度θ１よりも大きく、９０度に近いほうが好ましい。

続いて、塩素系ガスを用いたドライエッチング法によって、第１金属膜７２をＺ（−）方向にエッチングする。つまり、塩素系ガスを用いたドライエッチング法によって、第２金属膜７３をエッチングマスクとして、第１金属膜７２をエッチングする。ステップＳ３で堆積する絶縁膜７４Ａの第１容量電極７１に対するステップカバレッジ性（段差被覆性）を良くするためには、第１金属膜７２の側壁の傾斜は順テーパーであることが好ましい。すなわち、第１金属膜７２とＸ方向とがなす角度θ１は、第２金属膜７３とＸ方向とがなす角度θ２よりも小さい方が好ましい。

ステップＳ２では、第２金属膜７３をＺ（−）方向と交差する方向に後退させながら、第１金属膜７２をＺ（−）方向にエッチングし、Ｘ方向と第１金属膜７２の側壁とがなす角度θ１が、Ｘ方向と第２金属膜７３の側壁とがなす角度θ２よりも小さくなるように、第１金属膜７２を形成する。
なお、塩素系ガスを用いたドライエッチング法では、エッチングガスの組成、圧力、プラズマを発生させる高周波電源のパワー、温度などの条件を変化させることで、第２金属膜７３や第１金属膜７２のエッチング形状を制御することができる。

図８（ｃ）に示すように、ステップＳ３では、段差被覆性に優れた成膜法、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを堆積し、第１容量電極７１を覆う絶縁膜７４Ａを形成する。
第１容量電極７１の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚、及び第３絶縁膜４４の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚は、共にＨ１（概略２００ｎｍ〜１０００ｎｍ）である。第１容量電極７１の側壁（段差部分）を覆う絶縁膜７４Ａの膜厚は、Ｈ２であり、上記Ｈ１（概略２００ｎｍ〜１０００ｎｍ）よりも大きい。
第２金属膜７３の側壁が素子基板本体１１（第３絶縁膜４４）に対して切り立った形状であると、第１容量電極７１の側壁を覆う絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ２は、第１容量電極７１の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ１、及び第３絶縁膜４４の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ１よりも大きくなる。つまり、第１容量電極７１の側壁を覆う絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ２を、第１容量電極７１の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ１、及び第３絶縁膜４４の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ１よりも大きくするためには、第２金属膜７３の側壁は素子基板本体１１（第３絶縁膜４４）に対して切り立った形状であることが好ましい。

図８（ｄ）では、エッチング前の絶縁膜７４Ａの輪郭が二点鎖線で示され、エッチング後の絶縁膜７４Ａ（第１保護絶縁膜７４）の輪郭が実線で示されている。図８（ｄ）に示すように、ステップＳ４では、例えばフッ素系ガスを反応ガスとし、ＲＩＥ装置などの容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施し、第１保護絶縁膜７４を形成する。

ステップＳ４では、エッチング量（エッチング深さ）が、Ｈ１（第１容量電極７１の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚）よりも大きい条件で、絶縁膜７４Ａに対してＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。つまり、第１容量電極７１の表面に堆積された絶縁膜７４Ａと第３絶縁膜４４の表面に堆積された絶縁膜７４Ａとが除去され、第１容量電極７１の側壁を覆う絶縁膜７４Ａが残存するように、絶縁膜７４Ａに対してＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。
かかるＺ（−）方向の異方性エッチングによって、二点鎖線で示された絶縁膜７４Ａの輪郭を図中の矢印の方向に移動させて、第１金属膜７２の側壁を覆うとともに、第２金属膜７３の側壁の少なくとも一部が露出するように、第１保護絶縁膜７４を形成する。

第１金属膜７２は、アルミニウムで構成され、フッ酸などの薬液に対する耐性が弱い。第２金属膜７３は、窒化チタンで構成され、フッ酸などの薬液に対する耐性が強い。第１金属膜７２の側壁は第１保護絶縁膜７４で覆われ、第１金属膜７２の表面は第２金属膜７３で覆われている。すなわち、第１金属膜７２は、第１保護絶縁膜７４や第２金属膜７３で覆われている（保護されている）ので、フッ酸などの薬液に対する耐性が向上し、後述するステップＳ６で使用するフッ酸を含む薬液によって侵されることはない。

このように、第２金属膜７３の側壁が素子基板本体１１（第３絶縁膜４４）に対して切り立った形状であるので、第１容量電極７１の側壁を覆う絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ２は、第１容量電極７１の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ１、及び第３絶縁膜４４の表面に堆積された絶縁膜７４Ａの膜厚Ｈ１よりも大きくなる。さらに、絶縁膜７４Ａに対してＺ（−）方向の異方性エッチングを施すことによって、第１金属膜７２の側壁を覆うとともに、第２金属膜７３の側壁の少なくとも一部を露出させる第１保護絶縁膜７４を形成することができる。

従って、第１保護絶縁膜７４を安定して形成するためには、第２金属膜７３の側壁が素子基板本体１１（第３絶縁膜４４）に対して切り立った形状であること、すなわち第２金属膜７３とＸ方向とがなす角度θ２が、第１金属膜７２とＸ方向とがなす角度θ１よりも大きいことが好ましい。
なお、絶縁膜７４Ａに対してＺ（−）方向の異方性エッチングを施すためには、容量結合型ドライエッチング装置の他に、誘電結合型ドライエッチング装置（例えば、Inductive Coupled Plasmaドライエッチング装置）や電磁波入射型ドライエッチング装置（例えば、電子サイクロトロン共鳴式ドライエッチング装置）などを使用することができる。

ステップＳ５では、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンからなる絶縁膜を堆積する（図示省略）。

ステップＳ６では、例えばフッ素系ガスを反応ガスとし、容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、酸化シリコンからなる絶縁膜をエッチングし、平面視で第２容量電極７７に重ならない部分の第１容量電極７１（第１容量電極７１Ｂ）を覆う第２保護絶縁膜４７（図６参照）を形成する。
このように、第１保護絶縁膜７４を形成する工程（ステップＳ４）と、後述する誘電体膜７５を堆積する工程（ステップＳ７）との間に配置された、絶縁膜を堆積する工程（ステップＳ５）及び絶縁膜をエッチングする工程（ステップＳ６）によって、平面視で第２容量電極７７に重なっていない部分の第１容量電極７１（第１容量電極７１Ｂ）を覆う第２保護絶縁膜４７を形成する。

さらに、ステップＳ６では、第２保護絶縁膜４７で覆われていない第１容量電極７１Ａ（第２金属膜７３、図６参照）は、絶縁膜（酸化シリコン）をエッチングする反応ガス（フッ素系ガス）のプラズマに曝され、絶縁膜（酸化シリコン）をエッチングする過程で生成される炭素系ポリマーなどのデポ物（反応生成物）が堆積する。このため、第１容量電極７１Ａ（第２金属膜７３）に堆積した反応生成物を、フッ酸を含む薬液によって除去する必要がある。

上述したように、第１金属膜７２（アルミニウム）はフッ酸などの薬液に対する耐性が弱く、第２金属膜７３（窒化チタン）はフッ酸などの薬液に対する耐性が強い。
第１金属膜７２は、第１保護絶縁膜７４と第２金属膜７３とで覆われているので（保護されているので）、フッ酸を含む薬液によって侵されない。つまり、フッ酸を含む薬液によって、第１金属膜７２に腐食などの悪影響を及ぼさずに、第１容量電極７１Ａ（第２金属膜７３）に堆積した反応生成物を除去することができる。

図８（ｅ）に示すように、ステップＳ７では、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて酸化ハフニウム膜と酸化アルミニウム膜と順に積層し、第１容量電極７１を覆う誘電体膜７５を形成する。つまり、誘電体膜７５は酸化ハフニウム膜と酸化アルミニウム膜とからなる２層構造を有している。誘電体膜７５の膜厚は、概略２０ｎｍ〜５０ｎｍである。
誘電体膜７５は、酸化ハフニウム膜と酸化アルミニウム膜とが交互に積層された多層膜であればよく、上述した２層構造の他に、３層構造であってもよく、５層構造であってもよい。

ＡＬＤ法では、ハフニウムの供給源であるＴＥＭＡ−Ｈｆ（テトラエチルメチルアミノハフニウム）ガスを成膜チャンバー内に導入し、対象物（例えば、第１容量電極７１）の表面にＴＥＭＡ−Ｈｆまたはその活性種を化学吸着させる。次に、オゾンガスを成膜チャンバーに導入し、オゾンガスと対象物の表面に吸着したＴＥＭＡ−Ｈｆとが熱反応して、１原子層分の酸化ハフニウム膜が形成される。同様に、アルミニウムの供給源であるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガスを成膜チャンバー内に導入し、対象物（例えば、酸化ハフニウム膜）の表面にＴＭＡまたはその活性種を化学吸着させる。次にオゾンガスを成膜チャンバーに導入し、オゾンガスと対象物の表面に吸着したＴＭＡとが熱反応して、１原子層分の酸化アルミニウム膜が形成される。
上述した操作を繰り返すことで、所定の膜厚の酸化ハフニウム膜や酸化アルミニウム膜を形成する。ＡＬＤ法では、一原子層レベルで膜厚を制御することが可能であり、所定の膜厚の酸化ハフニウム膜や酸化アルミニウム膜を高精度に形成することができる。

図９（ａ）に示すように、ステップＳ８では、例えば、フッ素系ガスを反応ガスとし、容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、誘電体膜７５をエッチングし、誘電体膜７５を貫くコンタクトホール５５を形成する。詳しくは、ステップＳ８では、誘電体膜７５と第３絶縁膜４４とをエッチングし、誘電体膜７５と第３絶縁膜４４とを貫きドレイン電極３８に至るコンタクトホール５５（図５参照）を形成する。

図９（ｂ）に示すように、ステップＳ９では、誘電体膜７５の上に、例えばスパッタ法で窒化チタンからなる導電膜７７Ａを堆積する。導電膜７７Ａの膜厚は、概略１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
なお、導電膜７７Ａの構成材料は、窒化チタンの他に、例えばチタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデンなどの高融点金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものであってもよい。さらに、導電膜７７Ａの構成材料は、導電性の多結晶シリコンであってもよい。

図９（ｃ）に示すように、ステップＳ１０では、例えば、塩素系ガスを反応ガスとし、容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、導電膜７７Ａをエッチングし、第２容量電極７７を形成する。なお、第２容量電極７７の外側（図中のＸ（−）方向側）に、光の透過領域Ｖ２が配置される。

図９（ｄ）に示すように、ステップＳ１１では、例えば、フッ素系ガスを反応ガスとし、容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、第２容量電極７７をエッチングマスクとして、第２容量電極７７から張り出した誘電体膜７５をエッチングし、除去する。すなわち、誘電体膜７５が光の透過領域Ｖ２に配置されないように、第２容量電極７７から張り出した誘電体膜７５をエッチングし、除去する。

酸化シリコンで構成された絶縁膜（下地絶縁膜４１、第１絶縁膜４２、第２絶縁膜４３、第３絶縁膜４４、第４絶縁膜４５（図５参照））と比べて高屈折率の誘電体膜７５が、光の透過領域Ｖ２に配置されていないので、異なる屈折率の絶縁膜が配置された界面での光の反射が抑制され、液晶装置１００における光の利用効率を高めることができる。
さらに、第４絶縁膜４５を形成するステップと、画素電極９を形成するステップと、配向膜３９を形成するステップとを経て、図５に示す素子基板１０を形成する。

（実施形態２）
図１０は、図５に対応する図であり、実施形態２に係る液晶装置の素子基板の概略断面図である。図１１は、図７に対応する図であり、本実施形態に係る液晶装置の製造方法を示す工程フローである。図１２は、図８に対応する図であり、図１１に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
本実施形態では、第１保護絶縁膜７４の形状、及び第１保護絶縁膜７４を形成する工程が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
以下、図１０乃至図１２を参照して、実施形態１との相違点を中心に、本実施形態に係る液晶装置の概要を説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

「液晶装置の概要」
図１０に示すように、本実施形態に係る液晶装置の素子基板１０Ａにおいて、第１保護絶縁膜８４は、例えば酸化シリコンで構成され、第１金属膜７２の側壁を覆うとともに第２金属膜７３の側壁の少なくとも一部を露出させるように設けられている。換言すれば、第１保護絶縁膜８４は、第１容量電極７１の側壁の一部を覆うように設けられ、第１金属膜７２の側壁及び第２金属膜７３の側壁の一部を覆う部分と、第３絶縁膜４４の表面を覆う部分とを有している。つまり、第１保護絶縁膜８４は、第３絶縁膜４４の表面を覆うように形成され、この点が実施形態１の第１保護絶縁膜７４（図５参照）との相違点である。

第１保護絶縁膜８４の第３絶縁膜４４の表面を覆う部分と、第２容量電極７７と間には誘電体膜７５が配置されている。このため、ドレイン電極３８に至るコンタクトホール５５が、誘電体膜７５と第１保護絶縁膜８４と第３絶縁膜４４とを貫いて形成されている。

蓄積容量７０は、第１容量電極７１と、誘電体膜７５と、第２容量電極７７とで形成されている。第１容量電極７１（第２金属膜７３）の側壁の一部が第１保護絶縁膜８４で覆われていなく誘電体膜７５で覆われているので、蓄積容量７０は、第１容量電極７１の表面と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間に加えて、第１保護絶縁膜８４で覆われていない第１容量電極７１の側壁（第２金属膜７３の側壁）と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間にも形成される。よって、第１容量電極７１の表面と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間だけに蓄積容量７０を形成する場合と比べて、蓄積容量７０の容量値を大きくすることができる。
従って、蓄積容量７０の容量値が小さい場合と比べて、画素電極９に書き込まれる画像信号の保持特性（画素Ｐの電位保持特性）が向上し、高品位の表示を提供することができるという実施形態１と同じ効果を得ることができる。

光の透過領域Ｖ２には、素子基板本体１１と画素電極９との間に、下地絶縁膜４１と、第１絶縁膜４２と、第２絶縁膜４３と、第３絶縁膜４４と、第１保護絶縁膜８４と、第４絶縁膜４５とが素子基板本体１１の側から順に配置されている。つまり、光の透過領域Ｖ２には、同じ屈折率の材料（酸化シリコン）で構成される絶縁膜が配置されている。酸化シリコンよりも高屈折率の誘電体膜７５は、光の遮光領域Ｖ１に配置され、光の透過領域Ｖ２に配置されていない。
誘電体膜７５が光の透過領域Ｖ２に配置されていないので、誘電体膜７５が光の透過領域Ｖ２に配置される場合と比べて、異なる屈折率の絶縁膜が配置されたことによる光の反射が抑制され、液晶装置１００における光の利用効率を高めることができるという実施形態１と同じ効果を得ることができる。

図１１に示すように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法は、第１金属膜７２及び第２金属膜７３を順に堆積する工程（ステップＳ１）と、第２金属膜７３及び第１金属膜７２を順にエッチングし第１容量電極７１を形成する工程（ステップＳ２）と、絶縁膜７４Ａを堆積する工程（ステップＳ３）と、絶縁膜７４Ａに化学的機械的研磨処理を施す工程（ステップＳ４１）と、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施し第１保護絶縁膜８４を形成する工程（ステップＳ４２）と、絶縁膜を堆積する工程（ステップＳ５）と、絶縁膜をエッチングし第２保護絶縁膜４７を形成する工程（ステップＳ６）と、誘電体膜７５を堆積する工程（ステップＳ７）と、誘電体膜７５をエッチングしコンタクトホール５５を形成する工程（ステップＳ８）と、導電膜７７Ａを堆積する工程（ステップＳ９）と、導電膜７７Ａをエッチングし第２容量電極７７を形成する工程（ステップＳ１０）と、第２容量電極７７から張り出した誘電体膜７５をエッチングし、除去する工程（ステップＳ１１）と、を含む。

本実施形態のステップＳ１〜ステップＳ３は、実施形態１のステップＳ１〜ステップＳ３と同じである。本実施形態のステップＳ５〜ステップＳ１１は、実施形態１のステップＳ５〜ステップＳ１１と同じである。
第１保護絶縁膜８４を形成する工程は、絶縁膜７４Ａに化学的機械的研磨処理を施す工程（ステップＳ４１）と、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施す工程（ステップＳ４２）とで構成され、この点が実施形態１との主な相違点である。

図１２（ａ）に示すように、ステップＳ３では、段差被覆性に優れた成膜法、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを堆積し、第１容量電極７１を覆う絶縁膜７４Ａを形成する。
絶縁膜７４Ａは、第３絶縁膜４４の表面を覆う絶縁膜７４Ａ１と、第１容量電極７１の側壁（段差部分）を覆う絶縁膜７４Ａ２と、第１容量電極７１の表面を覆う絶縁膜７４Ａ３とで構成される。さらに、第３絶縁膜４４の表面を覆う絶縁膜７４Ａ１は、絶縁膜７４Ａの凹部を形成する。第１容量電極７１の表面を覆う絶縁膜７４Ａ３は、絶縁膜７４Ａの凸部を形成する。

凹部の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ１）の膜厚、及び凸部の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ３）の膜厚は、共にＨ１（概略２００ｎｍ〜１０００ｎｍ）である。凹部と凸部の境界の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ２）の膜厚は、Ｈ２であり、凹部及び凸部の絶縁膜７４Ａ３の膜厚Ｈ１よりも大きい。

図１２（ｂ）では、化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing、以下ＣＭＰと称す）を施す前の絶縁膜７４Ａの輪郭が二点鎖線で示され、ＣＭＰを施した後の絶縁膜７４Ａの輪郭が実線で示されている。なお、ＣＭＰは、研磨液に含まれる化学成分の化学的作用と、研磨剤と研磨対象物との相対移動による機械的作用との兼ね合いによって、研磨対象物の凸部の膜厚を小さくし、研磨対象物の表面凹凸を小さくする処理である。
図１２（ｂ）に示すように、ステップＳ４１では、絶縁膜７４ＡにＣＭＰを施し、絶縁膜７４Ａの輪郭を、二点鎖線の状態から実線の状態に変化させる。

詳しくは、ステップＳ４１のＣＭＰ処理によって、凸部の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ３）の膜厚がＨ１からＨ１Ａに減少し、凹部と凸部の境界の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ２）の膜厚がＨ２からＨ２Ａに減少する。一方、凹部の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ１）の膜厚は変化せず、Ｈ１の状態を維持する。
絶縁膜７４Ａの膜厚は、凸部の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ３）の膜厚Ｈ１Ａ、凹部の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ１）の膜厚Ｈ１、凹部と凸部の境界の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ２）の膜厚はＨ２Ａの順に大きくなる。

図１２（ｃ）では、異方性エッチングを施す前の絶縁膜７４Ａの輪郭が二点鎖線で示され、異方性エッチングを施した後の絶縁膜７４Ａ（第１保護絶縁膜８４）の輪郭が実線で示されている。図１２（ｃ）に示すように、ステップＳ４２では、例えばフッ素系ガスを反応ガスとし、容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。

詳しくは、ステップＳ４２では、エッチング量（エッチング深さ）が、Ｈ１Ａ（絶縁膜７４Ａ３の膜厚）よりも大きい条件で、絶縁膜７４Ａに対してＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。つまり、凸部の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ３）が除去され、凹部の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ１）、及び凹部と凸部の境界の絶縁膜７４Ａ（絶縁膜７４Ａ２）が残存するように、絶縁膜７４Ａに対してＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。
その結果、二点鎖線で示された絶縁膜７４Ａの輪郭が図中の矢印の方向に移動し、第１金属膜７２の側壁を覆うとともに、第２金属膜７３の側壁の少なくとも一部が露出するように、第１保護絶縁膜８４を形成する。

このように、第１保護絶縁膜８４を形成する工程は、絶縁膜７４ＡにＣＭＰを施す工程（ステップＳ４１）と、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施す工程（ステップＳ４２）とで構成される。

本実施形態のステップＳ４２と、実施形態１のステップＳ４との相違点は、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施すエッチング量にある。ステップＳ４２では、ＣＭＰによって第１容量電極７１の表面を覆う絶縁膜７４Ａ（凸部の絶縁膜７４Ａ３）が薄膜化されているので、実施形態１のステップＳ４と比べて、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施すエッチング量が小さくなり、エッチング時間が短くなる。従って、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施す工程の生産性を高めることができる。

さらに、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施すエッチング量が小さくなっているので、絶縁膜７４Ａのエッチング量のバラツキが小さくなり、当該エッチング量のバラツキによる第１保護絶縁膜８４の寸法（膜厚）のバラツキが小さくなり、第１保護絶縁膜８４の寸法（膜厚）の均一性を向上させることができる。

さらに、ステップＳ４２では、上述した図１２（ｃ）に対応するエッチング時間よりも長いエッチング時間で、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施し、図１２（ｄ）に示すように、第３絶縁膜４４の表面を覆う部分の絶縁膜７４Ａを除去し、第１金属膜７２の側壁を覆うとともに第２金属膜７３の側壁の少なくとも一部を露出させる第１保護絶縁膜８４を形成してもよい。つまり、実施形態１の第１保護絶縁膜７４と略同じ形状の第１保護絶縁膜８４を形成してもよい。

よって、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施すエッチング時間は、上述した図１２（ｃ）に対応するエッチング時間であってもよく、上述した図１２（ｄ）に対応するエッチング時間であってもよい。従って、ステップＳ４２では、実施形態１のステップＳ４と比べて、絶縁膜７４ＡにＺ（−）方向の異方性エッチングを施す工程における適正なエッチング時間（許容されるエッチング時間）の範囲を広くし、当該工程のプロセスマージンを大きくすることができる。

さらに、ステップＳ５（絶縁膜の堆積）とステップＳ６（絶縁膜のエッチング）とステップＳ７（誘電体膜７５の堆積）とを経た後に、ステップＳ８（誘電体膜７５のエッチング）を処理する。

図１２（ｅ）に示すように、ステップＳ８では、例えばフッ素系ガスを反応ガスとし、容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、誘電体膜７５をエッチングし、誘電体膜７５を貫くコンタクトホール５５を形成する。詳しくは、ステップＳ８では、誘電体膜７５と第１保護絶縁膜８４と第３絶縁膜４４とをエッチングし、誘電体膜７５と第１保護絶縁膜８４と第３絶縁膜４４とを貫きドレイン電極３８に至るコンタクトホール５５（図１０参照）を形成する。

さらに、ステップＳ９（導電膜７７Ａの堆積）と、ステップＳ１０（導電膜７７Ａのエッチング）と、ステップＳ１１（誘電体膜７５のエッチング）と、第４絶縁膜４５を形成するステップと、画素電極９を形成するステップと、配向膜３９を形成するステップとを経て、図１０に示す素子基板１０Ａを形成する。

＜電子機器＞
図１３は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。次に、本実施形態に係る電子機器について図１３を参照して説明する。

図１３に示すように、電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向するように配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０には、上述した本実施形態に係る液晶装置（実施形態１の液晶装置１００、または実施形態２の液晶装置）が適用されている。本実施形態に係る液晶装置は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

本実施形態に係る液晶装置では、蓄積容量７０が、第１容量電極７１の表面と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間に加えて、第１保護絶縁膜７４，８４で覆われていない第１容量電極７１の側壁の一部と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間にも形成され、第１容量電極７１の表面と誘電体膜７５と第２容量電極７７との間だけに蓄積容量７０を形成する場合と比べて、蓄積容量７０が大容量化されている。よって、本実施形態に係る液晶装置では、画素電極９に書き込まれる画像信号の保持特性（画素Ｐの電位保持特性）が向上し、高品位の表示を提供することができる。
従って、本実施形態に係る液晶装置が適用された投射型表示装置１０００も、高品位の表示を提供することができる。

また、電子機器としては、投射型表示装置１０００の他に、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラなどの各種電子機器に、本実施形態に係る液晶装置を適用させることができる。

６…データ線、９…画素電極、１０…素子基板、１１…素子基板本体、１２…走査線、２０…対向基板、２１…対向基板本体、２２…対向電極、２３，３９…配向膜、２４，６３…遮光膜、３０…ＴＦＴ、３１…半導体層、３２…ソース領域、３３…ソース側接合領域、３４…チャネル領域、３５…ドレイン側接合領域、３６…ドレイン領域、３７…ゲート電極、３８…ドレイン電極、４１…下地絶縁膜、４２…第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）、４３…第２絶縁膜、４４…第３絶縁膜、４５…第４絶縁膜、４７…第２保護絶縁膜、５１，５２，５３，５４，５５，５６…コンタクトホール、６０…液晶層、６２…シール材、６６…スペーサー、７０…蓄積容量、７１…第１容量電極、７１Ａ…平面視で第２容量電極に重なる部分の第１容量電極、７１Ｂ…平面視で第２容量電極に重ならない部分の第１容量電極、７２…第１金属膜、７３…第２金属膜、７４…第１保護絶縁膜、７４Ａ…絶縁膜、７４Ａ１…凹部の絶縁膜、７４Ａ２…凹部と凸部の境界の絶縁膜、７４Ａ３…凸部の絶縁膜７４Ａ、７５…誘電体膜、７７…第２容量電極、７７Ａ…導電膜、１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部接続用端子、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…上下導通部。

Claims (11)

1. 画素に、アルミニウムで構成される第１金属膜と前記第１金属膜に積層された窒化チタンで構成される第２金属膜とを有する下部容量電極と、
   前記第１金属膜の側壁を覆うとともに前記第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させるように設けられた第１保護絶縁膜と、
   前記第２金属膜上と、前記第１保護絶縁膜から露出された前記第２金属膜の側壁と、に亘って設けられた誘電体膜と、
   前記第２金属膜上の前記誘電体膜と、前記第１保護絶縁膜から露出された前記第２金属膜の側壁に設けられた前記誘電体膜上と、に亘って設けられた上部容量電極と、
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 基板に沿った方向を第１方向とし、
   前記第１方向と前記第２金属膜の側壁とがなす角度は、前記第１方向と前記第１金属膜の側壁とがなす角度よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第２金属膜の膜厚は、前記第１金属膜の膜厚と同じ、または前記第１金属膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記下部容量電極と前記誘電体膜との間に配置され、平面視で前記上部容量電極に重なっていない部分の前記下部容量電極を覆う第２保護絶縁膜を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
6. 画素に蓄積容量を備えた電気光学装置の製造方法であって、
   基板の上方に、アルミニウムで構成される第１金属膜及び窒化チタンで構成される第２金属膜を順に堆積する工程と、
   前記第２金属膜及び前記第１金属膜を順にエッチングし、下部容量電極を形成する工程と、
   前記下部容量電極を覆う絶縁膜を堆積する工程と、
   前記絶縁膜に前記基板の法線方向の異方性エッチングを施し、前記第１金属膜の側壁を覆うとともに前記第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させる第１保護絶縁膜を形成する工程と、
   前記第２金属膜上と、前記第１保護絶縁膜から露出された前記第２金属膜の側壁と、に亘って誘電体膜を堆積する工程と、
   導電膜を堆積する工程と、
   前記導電膜をエッチングし、前記第２金属膜上の前記誘電体膜と、前記第１保護絶縁膜から露出された前記第２金属膜の側壁に設けられた前記誘電体膜上と、に亘って上部容量電極を形成する工程と、
   を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 前記第１保護絶縁膜を形成する工程は、
   前記絶縁膜に化学的機械的研磨処理を施す工程と、
   前記第１金属膜の側壁を覆うとともに前記第２金属膜の側壁の少なくとも一部を露出させるように、前記絶縁膜に前記法線方向の異方性エッチングを施す工程と、
   を含むことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 前記下部容量電極を形成する工程では、
   前記基板に沿った方向を第１方向とした場合に、前記第１方向と前記第２金属膜の側壁とがなす角度が、前記第１方向と前記第１金属膜の側壁とがなす角度よりも大きくなるように前記第２金属膜及び前記第１金属膜を順にエッチングすることを特徴とする請求項６または７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記第１金属膜及び第２金属膜を順に堆積する工程では、
   第２金属膜の膜厚が、前記第１金属膜の膜厚と同じ、または前記第１金属膜の膜厚よりも大きくなるように、前記第１金属膜及び前記第２金属膜を順に堆積することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 前記第１保護絶縁膜を形成する工程と前記誘電体膜を堆積する工程との間に、平面視で前記上部容量電極に重なっていない部分の前記下部容量電極を覆う第２保護絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 前記上部容量電極を形成する工程以降に、前記上部容量電極から張り出した誘電体膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。

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