JP6379640B2 - 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体 - Google Patents

Description

本発明は、封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体に関する。

半導体装置は、たとえば基板上に搭載された半導体素子を、封止用樹脂組成物を用いて封止成形することにより形成される。このような封止用樹脂組成物に関する技術としては、たとえば特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、および無機充填剤を必須成分とする封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。

特開２００５−１２０１６８号公報

半導体素子を封止用樹脂組成物により封止成形して得られる半導体装置については、反りの発生を抑制することが求められる。このような要求は、近年の半導体装置の薄型化に伴ってとくに顕著となっている。しかしながら、特許文献１に記載の技術では、半導体装置の反りを十分に抑制することは困難であった。

本発明によれば、
熱硬化性樹脂を含み、以下の条件（Ａ）および（Ｂ）を満たす封止用樹脂組成物が提供される。
（Ａ）１７５℃、３分で熱処理した際の収縮率Ｓ_１が、０．７％以上５％以下である
（Ｂ）１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}が０．５ＧＰａ以上３．０ＧＰａ以下である
（収縮率Ｓ _１ の測定方法）
トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分の条件下で、当該封止用樹脂組成物を金型キャビティ内に注入成形して円盤状の第１試験片を作製する。次いで、第１試験片を２５℃まで冷却する。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第１試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ _１ （％）を算出する。
収縮率Ｓ _１ ＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第１試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００

また、本発明によれば、
基材と、
前記基材の一面上に搭載された半導体素子と、
上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と、前記基材のうちの前記一面と、を封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置が提供される。

また、本発明によれば、
基材と、
前記基材の一面上に搭載された複数の半導体素子と、
上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記複数の半導体素子と、前記基材のうちの前記一面と、を封止する封止樹脂と、
を備える構造体が提供される。

本発明によれば、半導体装置の反りを抑制することが可能となる。

半導体装置の一例を示す断面図である。 構造体の一例を示す断面図である。

以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含んでいる。また、封止用樹脂組成物は、以下の条件（Ａ）および（Ｂ）を満たしている。
（Ａ）１７５℃、３分で熱処理した際の収縮率Ｓ_１が、０．７％以上である
（Ｂ）１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}が０．５ＧＰａ以上である

上述のように、基板上に搭載された半導体素子を封止して得られる半導体パッケージについて、反りの発生を抑制することへの要求が高まっている。とくに、プリント配線基板に対する半導体パッケージの接続信頼性等を向上させる観点からは、室温における半導体パッケージの反りを抑制することが望まれる。しかしながら、本発明者は、半導体パッケージの薄型化に伴って室温におけるクライ反りが生じ得ることを、新たな課題として見出した。クライ反りとは、半導体パッケージの中央部が、半導体素子を搭載する基板からみて半導体素子側へ凸となる反りを指す。このような反りは、基板の収縮により生じる応力の影響が大きくなることに起因するものと想定されている。

鋭意検討の結果、本発明者は、封止用樹脂組成物の成形時における収縮率と、熱処理して得られる硬化物の熱時曲げ弾性率と、を同時に制御することにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される半導体装置の、室温における反りを抑制することができることを知見した。本実施形態は、このような知見に基づいて、上記（Ａ）および（Ｂ）を満たす封止用樹脂組成物を実現するものである。したがって、本実施形態によれば、半導体装置の反りを抑制することが可能となる。

以下、本実施形態に係る封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体について詳細に説明する。

まず、封止用樹脂組成物について説明する。
封止用樹脂組成物は、基材上に搭載された半導体素子を封止する封止樹脂を形成するために用いられる。封止用樹脂組成物を用いた封止成形は、とくに限定されないが、たとえばトランスファー成形法、または圧縮成形法により行うことができる。基材は、たとえばインターポーザ等の有機基板、またはリードフレームである。また、半導体素子は、ワイヤボンディングまたはフリップチップ接続等により、基材に電気的に接続される。

封止用樹脂組成物を用いた封止成形により半導体素子を封止して得られる半導体装置としては、とくに限定されないが、たとえばＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＦ−ＢＧＡ（Ｌｅａｄ Ｆｌａｍｅ ＢＧＡ）が挙げられる。また、ＢＧＡやＣＳＰについては、半導体素子の上面が封止樹脂から露出したエクスポーズドタイプのパッケージであってもよい。また、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、近年これらのパッケージの成形に多く適用されるＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）成形により形成される構造体にも係るものである。この場合、基材上に搭載される複数の半導体素子を、封止用樹脂組成物を用いて一括して封止することにより上記構造体が得られる。なお、本実施形態における半導体装置の反りを抑制する効果は、ＢＧＡやＣＳＰの中でも、封止樹脂の厚さが基板の厚さよりも薄いタイプのＢＧＡやＣＳＰ、半導体素子の上面が封止樹脂から露出したエクスポーズドタイプのＢＧＡやＣＳＰ等の、封止樹脂が基板の膨張収縮による変形を抑制する力が十分に及ばないパッケージにおいて特に顕著となる。

封止用樹脂組成物は、たとえばモールドアンダーフィル材料として用いることができる。モールドアンダーフィル材料は、基板上に配置された半導体素子の封止と、基板と半導体素子との間の隙間の充填と、を一括して行う材料である。これにより、半導体装置の製造における工数の削減を図ることができる。また、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を基板と半導体素子の間にも充填できることから、半導体装置の反りをより効果的に抑制することも可能となる。

本実施形態においては、封止用樹脂組成物を用いて形成される半導体装置の一例として、有機基板の一面上に半導体素子を搭載した半導体パッケージが挙げられる。この場合、有機基板のうちの上記一面と、半導体素子と、が封止用樹脂組成物によって封止されることとなる。すなわち、片面封止型のパッケージとなる。また、有機基板の上記一面とは反対の他面には、たとえば外部接続端子として複数の半田ボールが形成される。なお、このような半導体パッケージにおいては、半導体素子の上面が封止樹脂により封止されていてもよく、封止樹脂から露出していてもよい。
このような半導体パッケージにおいては、たとえば封止樹脂の厚さを０．４ｍｍ以下とすることが好ましく、０．３ｍｍ以下とすることがより好ましい。これにより、半導体パッケージの薄型化を図ることができる。また、このような薄型の半導体パッケージであっても、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を用いることによって、パッケージ反りの発生を抑制することが可能となる。ここで、封止樹脂の厚さとは、有機基板の上記一面の法線方向における、上記一面を基準とした封止樹脂の厚さを指す。また、本実施形態においては、たとえば封止樹脂の厚さを、有機基板の厚さ以下とすることができる。これにより、半導体パッケージをより効率的に薄型化することができる。

封止用樹脂組成物は、たとえば粉粒体またはタブレット状である。これにより、トランスファー成形法や圧縮成形法等を用いて封止成形を行うことが可能となる。封止用樹脂組成物が粉粒体であるとは、粉末状または顆粒状のいずれかである場合を指す。また、封止用樹脂組成物がタブレット状であるとは、封止用樹脂組成物の粉砕物をタブレット形状へ成形したものである場合を指す。ここでは、封止用樹脂組成物を、たとえばＢステージ化されたタブレット状とすることができる。

本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、以下の条件（Ａ）および（Ｂ）を満たす。
（Ａ）１７５℃、３分で熱処理した際の収縮率Ｓ_１が、０．７％以上である
（Ｂ）１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}が０．５ＧＰａ以上である

封止用樹脂組成物が上記条件（Ａ）および（Ｂ）を満たすことにより、上述のとおり、封止用樹脂組成物を用いて形成される半導体装置の、室温における反りを抑制することが可能となる。この理由は定かではないが、以下の二つの理由が考えられ得る。一つ目は、封止用樹脂組成物の成形時における収縮率を一定以上とすることによって、有機基板等の基材の収縮量と樹脂組成物の硬化時の収縮量との整合がとれて半導体パッケージのクライ反りが抑制された形状に安定させることができることである。二つ目は、封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を一定以上とすることによって、後硬化工程後から室温へ冷却されるまでの間における封止樹脂の変形を抑制することができ、その後の半導体パッケージについてもクライ反りへの変形が抑制されることである。これら二つの効果が互いに作用しあうことにより、結果として、封止用樹脂組成物を用いて形成される半導体装置の室温における反りが抑制されるものと推測される。

また、封止用樹脂組成物が上記条件（Ｂ）を満たすことによって、高温時における半導体装置の反りを効果的に抑制することもできる。これにより、たとえば半導体装置をプリント配線板へ実装する際のリフロー処理によって半導体装置に反りが発生することを抑制し、安定的な実装を可能とすることができる。
このように、本実施形態に係る封止用樹脂組成物によれば、上記条件（Ａ）および（Ｂ）を満たすことによって、封止用樹脂組成物を用いて形成される半導体装置の、室温および高温時の双方における反りを抑制することが可能となる。

半導体装置の反りを抑制する観点からは、収縮率Ｓ_１が０．８％以上であることがより好ましく、０．８５％以上であることがとくに好ましい。一方で、収縮率Ｓ_１は、５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、２％以下であることがとくに好ましい。収縮率Ｓ_１を上記上限値以下とすることにより、半導体装置の反りや信頼性等を優れたものとすることができる。

半導体装置の反りを抑制する観点からは、曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}が０．５５ＧＰａ以上であることがより好ましい。一方で、曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}は、３．０ＧＰａ以下であることが好ましく、２．０ＧＰａ以下であることがより好ましく、１．５ＧＰａ以下であることがとくに好ましい。曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}を上記上限値以下とすることにより、外部からの応力や、熱応力を効果的に緩和して、耐半田性等を向上させて、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。

封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理した際の収縮率Ｓ_２が０．７％以上である。これにより、半導体装置の反りをより効果的に抑制することが可能となる。この理由は明らかではないが、後硬化後においても収縮率を一定以上に保つことができるため、クライ反りが抑制された成型品の形状を後硬化後も安定的に維持することができるためであると推測される。なお、半導体装置の反りを抑制する観点からは、収縮率Ｓ_２が０．９％以上であることがより好ましく、０．９５％以上であることがとくに好ましい。
一方で、収縮率Ｓ_２は、５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、２％以下であることがとくに好ましい。収縮率Ｓ_２を上記上限値以下とすることにより、半導体装置の反りや信頼性等を優れたものとすることができる。

封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２５℃における曲げ弾性率Ｅ_（２５）が、１．０ＧＰａ以上であることが好ましく、３．０ＧＰａ以上であることがより好ましく、５．０ＧＰａ以上であることがとくに好ましい。曲げ弾性率Ｅ_（２５）を上記下限値以上とすることにより、室温における半導体装置の反りをより効果的に抑制することが可能となる。一方で、曲げ弾性率Ｅ_（２５）は、５０ＧＰａ以下であることが好ましく、３０ＧＰａ以下であることがより好ましく、２０ＧＰａ以下であることがとくに好ましい。曲げ弾性率Ｅ_（２５）を上記上限値以下とすることにより、外部からの応力を効果的に緩和して、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。

封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２５℃における曲げ強度σ_（２５）が、３０ＭＰａ以上であることが好ましく、５０ＭＰａ以上であることがより好ましい。これにより、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。曲げ強度σ_（２５）の上限値は、とくに限定されないが、たとえば３００ＭＰａとすることができる。
また、封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ強度σ_{（２６０）}が、１ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましい。これにより、半導体装置の、とくに高温における信頼性を効果的に向上させることができる。曲げ強度σ_{（２６０）}の上限値は、とくに限定されないが、たとえば３００ＭＰａとすることができる。

上記収縮率Ｓ_１および上記収縮率Ｓ_２は、たとえば次のように測定することができる。まず、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分の条件下で封止用樹脂組成物を金型キャビティ内に注入成形して円盤状の第１試験片を作製する。次いで、第１試験片を２５℃まで冷却する。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第１試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ_１（％）を算出する。
Ｓ_１＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第１試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００
次いで、第１試験片に対し、１７５℃のオーブン中で４時間、熱処理して後硬化を行い、第２試験片を作製する。次いで、第２試験片を２５℃まで冷却する。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第２試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ_２（％）を算出する。
Ｓ_２＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第２試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００

上記曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}、上記曲げ弾性率Ｅ_（２５）、上記曲げ強度σ_{（２６０）}、および上記曲げ強度σ_（２５）は、たとえば次のように測定することができる。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、幅１０ｍｍ×厚さ４ｍｍ×長さ８０ｍｍの試験片を得る。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で熱処理して後硬化する。次いで、試験片の、２５℃における曲げ強度σ_（２５）および曲げ弾性率Ｅ_（２５）と、２６０℃における曲げ強度σ_{（２６０）}および曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}と、をＪＩＳ Ｋ ６９１１に準じて測定する。

封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理することにより得られる硬化物のガラス転移温度Ｔｇが１６０℃以上であることが好ましく、１６５℃以上であることがより好ましい。これにより、半導体装置の耐熱性を効果的に向上させることができる。なお、ガラス転移温度Ｔｇの上限値は、とくに限定されないが、たとえば２５０℃以下とすることができる。

封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理することにより得られる硬化物の、ガラス転移温度Ｔｇ以下における線膨張係数α_１が、３ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。これにより、基板と封止樹脂との線膨張係数の差に起因した半導体パッケージにおける反りの発生を抑制することが可能となる。
また、封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理することにより得られる硬化物の、ガラス転移温度Ｔｇ超過における線膨張係数α_２が５ｐｐｍ／℃以上１５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。これにより、とくに高温環境下において、基板と封止樹脂との線膨張係数の差に起因した半導体パッケージの反りの発生をより効果的に抑制することが可能となる。

上記ガラス転移温度Ｔｇ、上記線膨張係数α_１、および上記線膨張係数α_２は、たとえば次にように測定することができる。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、１５ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍの試験片を得る。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間の条件で熱処理して後硬化する。次いで、後硬化後の上記試験片に対し熱機械分析装置を用いた測定を行い、測定結果からガラス転移温度Ｔｇ、ガラス転移温度Ｔｇ以下における線膨張係数α_１、ガラス転移温度Ｔｇ超過における線膨張係数α_２を算出する。

なお、収縮率Ｓ_１、収縮率Ｓ_２、曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}、曲げ弾性率Ｅ_（２５）、曲げ強度σ_{（２６０）}、曲げ強度σ_（２５）、ガラス転移温度Ｔｇ、線膨張係数α_１、および線膨張係数α_２は、封止用樹脂組成物に含まれる各成分の種類や配合割合をそれぞれ調製することにより制御することが可能である。これらの中でも、収縮率Ｓ_１、収縮率Ｓ_２、曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}、および曲げ弾性率Ｅ_（２５）については、とくに後述する熱硬化性樹脂や硬化剤、無機充填剤による影響が大きいものと推測されている。本実施形態においては、たとえばレゾール樹脂またはジアリルフタレート樹脂等とともにエポキシ樹脂を含むこと、レゾール樹脂と他のフェノール樹脂とを併用すること、熱硬化性樹脂全体に対するレゾール樹脂の含有量を一定範囲内に制御すること、多種の無機充填剤を併用すること、無機充填剤の含有量を一定範囲内に制御すること等を、収縮率や曲げ弾性率へ影響し得る調製方法の例示として挙げることができるが、これに限定されるものではない。本実施形態は、このように調製方法を高度に制御することによって、これまで両立が困難であった上記条件（Ａ）と上記条件（Ｂ）をともに満たす封止用樹脂組成物を実現するものである。

封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂（Ａ）を含んでいる。

（熱硬化性樹脂（Ａ））
熱硬化性樹脂（Ａ）は、たとえばエポキシ樹脂、レゾール樹脂、およびジアリルフタレート樹脂から選択される一種または二種以上を含む。本実施形態においては、半導体装置の反りを抑制する観点から、レゾール樹脂およびジアリルフタレート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、レゾール樹脂およびジアリルフタレート樹脂のうちの少なくとも一方とエポキシ樹脂とを含むことがとくに好ましい。本実施形態における好ましい態様の一例としては、レゾール樹脂とエポキシ樹脂をともに封止用樹脂組成物中に含む場合が挙げられる。

レゾール樹脂は、フェノール類とアルデヒド類を、塩基性物質を触媒として反応させて得られるものであり、フェノール性水酸基およびメチロール基を有するモノマー、オリゴマー、およびポリマー、ならびにこれらの混合物全般を用いることができる。レゾール樹脂の原料となるフェノール類は、たとえばフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等のクレゾール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール等のキシレノール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール等のエチルフェノール、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等のブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｐ−クミルフェノール等のアルキルフェノール、フルオロフェノール、クロロフェノール、ブロモフェノール、ヨードフェノール等のハロゲン化フェノール、ｐ−フェニルフェノール、アミノフェノール、ニトロフェノール、ジニトロフェノール、トリニトロフェノール等の１価フェノール置換体、および１−ナフトール、２−ナフトール等の１価のフェノール類、レゾルシン、アルキルレゾルシン、ピロガロール、カテコール、アルキルカテコール、ハイドロキノン、アルキルハイドロキノン、フロログルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ジヒドロキシナフタリン等の多価フェノール類等から選択される一種または二種以上を含む。また、レゾール樹脂の原料となるアルデヒド類は、たとえばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ−ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ−トルアルデヒド、およびサリチルアルデヒド等から選択される一種または二種以上を含む。

また、レゾール樹脂を合成する際に用いられる塩基性物質としては、とくに限定されないが、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、カルシウム、マグネシウム、バリウム等のアルカリ土類金属の酸化物及び水酸化物、アンモニア、モノエタノールアミン等の第１級アミン、ジエタノールアミン等の第２級アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロウンデセン等の第３級アミン等のアミン系化合物、および炭酸ナトリウム、ヘキサメチレンテトラミン等のアルカリ性物質等が挙げられる。これらは、一種を単独で用いてもよく、二種類以上組み合わせて使用してもよい。

熱硬化性樹脂（Ａ）としてのレゾール樹脂は、たとえばメチロール型レゾール樹脂、もしくはジメチレンエーテル型レゾール樹脂、またはこれらを桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、半導体装置の反りを抑制する観点からはジメチレンエーテル型レゾール樹脂を用いることがより好ましく、２５℃で固形のジメチレンエーテル型レゾール樹脂を用いることがとくに好ましい。

熱硬化性樹脂（Ａ）がレゾール樹脂を含む場合、レゾール樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂（Ａ）全体に対して２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、４０質量％以上であることがとくに好ましい。これにより、半導体装置の反りをより効果的に抑制することが可能となる。一方で、レゾール樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂（Ａ）全体に対して１００質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることがとくに好ましい。これにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂の熱時曲げ弾性率を、所望の範囲内へ制御することが容易となる。このため、半導体装置の信頼性向上に寄与することが可能となる。

ジアリルフタレート樹脂としては、オルソタイプ、イソタイプもしくはパラタイプのジアリルフタレートモノマーを単独重合させたポリマー、およびこれらのモノマーのうちの二種以上を共重合させて得られるポリマーから選択される一種または二種以上を含むものを用いることができる。また、オルソタイプ、イソタイプおよびパラタイプのジアリルフタレートモノマーのうちの少なくとも一種を、低分子量成分として含んでいてもよい。

エポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。本実施形態においては、エポキシ樹脂として、とくに非ハロゲン化エポキシ樹脂を採用することが好ましい。これにより、ハロゲン化エポキシを含まない封止用樹脂組成物が実現される。

本実施形態において、エポキシ樹脂は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂から選択される一種類または二種類以上を含むものである。
これらのうち、耐湿信頼性と成形性のバランスを向上させる観点からは、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、およびトリフェノールメタン型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことがより好ましい。また、半導体装置の反りを抑制する観点からは、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことがとくに好ましい。さらに流動性を向上させるためにはビフェニル型エポキシ樹脂がとくに好ましく、高温の弾性率を制御するためにはフェノールアラルキル型エポキシ樹脂がとくに好ましい。

エポキシ樹脂としては、たとえば下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、下記式（２）で表されるエポキシ樹脂、下記式（３）で表されるエポキシ樹脂、下記式（４）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（５）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含有するものを用いることができる。これらの中でも、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（４）で表されるエポキシ樹脂から選択される一種以上を含むものがより好ましい態様の一つとして挙げられる。

（式（１）中、Ａｒ^１はフェニレン基またはナフチレン基を表し、Ａｒ^１がナフチレン基の場合、グリシジルエーテル基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ^２はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか１つの基を表す。Ｒ_ａおよびＲ_ｂは、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。ｇは０〜５の整数であり、ｈは０〜８の整数である。ｎ^３は重合度を表し、その平均値は１〜３である）

（式（２）中、複数存在するＲ_ｃは、それぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ^５は重合度を表し、その平均値は０〜４である）

（式（３）中、複数存在するＲ_ｄおよびＲ_ｅは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ^６は重合度を表し、その平均値は０〜４である）

（式（４）中、複数存在するＲ_ｆは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ^７は重合度を表し、その平均値は０〜４である）

（式（５）中、複数存在するＲ_ｇは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ^８は重合度を表し、その平均値は０〜４である）

封止用樹脂組成物中における熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して２質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましい。熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を向上させ、成形性のさらなる向上を図ることができる。一方で、封止用樹脂組成物中における熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましい。熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂を備える半導体装置について、耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。

（硬化剤（Ｂ））
封止用樹脂組成物は、たとえば硬化剤（Ｂ）を含むことができる。封止用樹脂組成物に含まれる硬化剤（Ｂ）としては、たとえば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の３タイプに大別することができる。

硬化剤（Ｂ）に用いられる重付加型の硬化剤としては、たとえばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、ポリビニルフェノールなどのフェノール樹脂系硬化剤；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などが挙げられる。

硬化剤（Ｂ）に用いられる触媒型の硬化剤としては、たとえばベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などが挙げられる。

硬化剤（Ｂ）に用いられる縮合型の硬化剤としては、たとえばメチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などが挙げられる。

これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、および保存安定性等についてのバランスを向上させる観点から、フェノール樹脂系硬化剤が好ましい。フェノール樹脂系硬化剤としては、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量、分子構造は特に限定されない。
硬化剤（Ｂ）に用いられるフェノール樹脂系硬化剤としては、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、封止用樹脂組成物の充填性を向上させる観点や、半導体装置の反りを低減させる観点からは、アラルキル型樹脂およびノボラック型樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましい。なお、硬化剤（Ｂ）として用いられるフェノール樹脂系硬化剤としては、熱硬化性樹脂（Ａ）において例示したレゾール樹脂を除く。

封止用樹脂組成物中における硬化剤（Ｂ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましい。硬化剤（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を向上させ、成形性のさらなる向上を図ることができる。一方で、封止用樹脂組成物中における硬化剤（Ｂ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましい。硬化剤（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂を備える半導体装置について、耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。

（硬化促進剤（Ｃ））
封止用樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤（Ｃ）をさらに含むことができる。硬化促進剤（Ｃ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）（たとえば、エポキシ樹脂のエポキシ基）と、硬化剤（Ｂ）（たとえば、フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基）と、の架橋反応を促進させるものであればよく、一般の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用するものを用いることができる。

本実施形態において、硬化促進剤（Ｃ）は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、前記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。また、成形性と硬化性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましい。

封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。

封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。

（上記一般式（６）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は芳香族基またはアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の数、ｚは０〜３の数であり、かつｘ＝ｙである。）

一般式（６）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（６）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（６）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。上記フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコールなどの単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノールなどの縮合多環式フェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノールなどの多環式フェノール類などが例示される。

封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば、下記一般式（７）で表される化合物等が挙げられる。

（上記一般式（７）において、Ｒ^８は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ^９はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の数であり、ｇは０〜３の数である。）

一般式（７）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。

封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記一般式（８）で表される化合物等が挙げられる。

（上記一般式（８）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ^１０、Ｒ^１１およびＲ^１２は炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^１４とＲ^１５が結合して環状構造となっていてもよい。）

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。

また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。

一般式（８）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ^１０、Ｒ^１１およびＲ^１２がフェニル基であり、かつＲ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。

封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（９）で表される化合物等が挙げられる。

（上記一般式（９）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８およびＲ^１９は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｒ^２０は、基Ｙ^２およびＹ^３と結合する有機基である。式中Ｒ^２１は、基Ｙ^４およびＹ^５と結合する有機基である。Ｙ^２およびＹ^３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ^２およびＹ^３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ^４およびＹ^５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ^４およびＹ^５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｒ^２０、およびＲ^２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４およびＹ^５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ^１は芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）

一般式（９）において、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８およびＲ^１９としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、水酸基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。

また、一般式（９）において、Ｒ^２０は、Ｙ^２およびＹ^３と結合する有機基である。同様に、Ｒ^２１は、基Ｙ^４およびＹ^５と結合する有機基である。Ｙ^２およびＹ^３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ^２およびＹ^３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ^４およびＹ^５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ^４およびＹ^５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｒ^２０およびＲ^２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、およびＹ^５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（９）中の−Ｙ^２−Ｒ^２０−Ｙ^３−、およびＹ^４−Ｒ^２１−Ｙ^５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、分子内にカルボキシル基、または水酸基を少なくとも２個有する有機酸が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素にカルボキシル基または水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物が好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素に水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物がより好ましく、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール、１，１'−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオールおよびグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。

また、一般式（９）中のＺ^１は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基およびビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。

ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。

本実施形態において、硬化促進剤（Ｃ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましく、０．１５質量％以上であることがとくに好ましい。硬化促進剤（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止成形時における硬化性を効果的に向上させることができる。
一方で、硬化促進剤（Ｃ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して２．０質量％以下であることが好ましく、１．０質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止成形時における流動性の向上を図ることができる。

（無機充填剤（Ｄ））
封止用樹脂組成物は、たとえば無機充填剤（Ｄ）を含むことができる。無機充填剤（Ｄ）の構成材料としては、とくに限定されないが、たとえば溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられ、これらのうちいずれか１種以上を使用できる。これらの中でも、汎用性に優れている観点から、シリカを用いることがより好ましく、溶融シリカを用いることがとくに好ましい。また、無機充填剤（Ｃ）は、球状であることが好ましく、さらには球状シリカであることが好ましい。これにより、封止成形時における封止用樹脂組成物の流動性を効果的に向上させることができる。

無機充填剤（Ｄ）は、たとえば異なる平均粒径（Ｄ_５０）の球状シリカを二種以上併用することができる。これにより、曲げ弾性率Ｅ_（２５）や、曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}、収縮率Ｓ_１、収縮率Ｓ_２の調製をさらに容易とすることができる。このため、半導体装置の反りの抑制に寄与することも可能となる。また、本実施形態においては、無機充填剤（Ｄ）が平均粒径１μｍ以下の微粉シリカを含むことが、封止用樹脂組成物の充填性を向上させる観点や、半導体装置の反りを抑制する観点から、好ましい態様の一つとして挙げられる。

無機充填剤（Ｄ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、３５質量％以上であることがとくに好ましい。無機充填剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂の低吸湿性および低熱膨張性を向上させ、耐湿信頼性や耐リフロー性をより効果的に向上させることができる。一方で、無機充填剤（Ｄ）の含有量は、９０質量％以下であることが好ましい。無機充填剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性の低下にともなう成形性の低下や、高粘度化に起因したボンディングワイヤ流れ等を抑制することが可能となる。なお、無機充填剤（Ｄ）の上記上限値については、上記に限られず、有機基板の線膨張係数等の物性や厚み等に合わせて適宜選択することが可能である。このような観点から、無機充填剤（Ｄ）の含有量は、有機基板の種類にあわせて８０質量％以下、または７０質量％以下とすることが可能である。
また、無機充填剤（Ｄ）の含有量をこのような範囲に制御することにより、曲げ弾性率Ｅ_（２５）や、曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}、収縮率Ｓ_１、収縮率Ｓ_２を所望の範囲とすることがより容易となる。このため、半導体装置の反りの抑制に寄与することが可能となる。

（カップリング剤（Ｅ））
封止用樹脂組成物は、たとえばカップリング剤（Ｅ）を含むことができる。カップリング剤（Ｅ）としては、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を用いることができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミンの加水分解物等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシランまたはビニルシランのシラン系化合物がより好ましい。また、充填性や成形性をより効果的に向上させる観点からは、フェニルアミノプロピルトリメトキシシランに代表される２級アミノシランを用いることがとくに好ましい。

カップリング剤（Ｅ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して０．１質量％以上であることが好ましく、０．１５質量％以上であることがより好ましい。カップリング剤（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、無機充填剤（Ｄ）の分散性を良好なものとすることができる。一方で、カップリング剤（Ｅ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。カップリング剤（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止成形時における封止用樹脂組成物流動性を向上させ、充填性や成形性の向上を図ることができる。

（低応力剤（Ｆ））
封止用樹脂組成物は、たとえば低応力剤（Ｆ）を含むことができる。低応力剤（Ｆ）は、たとえばシリコーンオイル、シリコーンゴム、ポリイソプレン、１，２−ポリブタジエン、１，４−ポリブタジエン等のポリブタジエン、スチレン−ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレン、ポリ（オキシプロピレン）、ポリ（オキシテトラメチレン）グリコール、ポリオレフィングリコール、ポリ−ε−カプロラクトン等の熱可塑性エラストマー、ポリスルフィドゴム、およびフッ素ゴムから選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、シリコーンゴム、シリコーンオイル、およびアクリロニトリル−ブタジエンゴムのうちの少なくとも一方を含むことが、曲げ弾性率や収縮率を所望の範囲に制御して、得られる半導体パッケージの反りの発生を抑える観点から、とくに好ましい態様として選択し得る。

低応力剤（Ｆ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１０質量％以上であることがより好ましい。一方で、低応力剤（Ｆ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。低応力剤（Ｆ）の含有量をこのような範囲に制御することにより、得られる半導体パッケージの反りをより確実に抑制することができる。

封止用樹脂組成物には、さらに必要に応じて、ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；カルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい

封止用樹脂組成物としては、たとえば前述の各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕したもの、粉砕後にタブレット状に打錠成型したもの、また必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したもの等を用いることができる。

次に、半導体装置１００について説明する。
図１は、半導体装置１００の一例を示す断面図である。半導体装置１００は、基材１０と、基材１０の一面上に搭載された半導体素子２０と、基材１０のうちの上記一面および半導体素子２０とを封止する封止樹脂３０と、を備えた半導体パッケージである。すなわち、半導体装置１００は、基材１０のうちの上記一面とは反対の他面が封止樹脂３０によって封止されない、片面封止型の半導体パッケージである。封止樹脂３０は、上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。これにより、半導体装置１００の反りを抑制することができる。なお、封止樹脂３０は、たとえば封止用樹脂組成物をトランスファー成形法または圧縮成形法等の公知の方法を用いて封止成形することにより形成される。また、本実施形態において、半導体素子２０の上面は、図１に示すように封止樹脂３０により封止されていてもよく、封止樹脂３０から露出していてもよい。

図１においては、基材１０が有機基板である場合が例示されている。この場合、基材１０のうち半導体素子２０を搭載する表面とは反対側の裏面には、たとえば複数の半田ボール１２が設けられる。また、半導体素子２０は、たとえば基材１０上にフリップチップ実装される。この場合、半導体素子２０は、たとえば複数のバンプ２２を介して基板１０へ電気的に接続される。一方で、半導体素子２０は、ボンディングワイヤを介して基材１０へ電気的に接続されていてもよい。

図１に示す例では、半導体素子２０が基材１０上にフリップチップ実装されている。本例において、半導体素子２０と基材１０との間の隙間は、たとえばアンダーフィル３２によって充填される。このアンダーフィル３２としては、たとえばフィルム状または液状のアンダーフィル材料を使用することができる。一方で、封止用樹脂組成物は、たとえばモールドアンダーフィル材料として用いることもできる。この場合、半導体素子２０の封止と、基材１０と半導体素子２０との間の隙間の充填と、が一括して行われることとなる。

本実施形態において、封止樹脂３０の厚さは、たとえば０．４ｍｍ以下であることが好ましく、０．３ｍｍ以下であることがより好ましい。これにより、半導体パッケージの薄型化を図ることができる。また、このような薄型の半導体パッケージであっても、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を用いて封止樹脂３０を形成することにより、半導体装置１００の反りを抑制することが可能となる。ここで、封止樹脂３０の厚さとは、基材１０のうちの半導体素子２０を搭載する一面の法線方向における、上記一面を基準とした封止樹脂３０の厚さを指す。また、本実施形態においては、たとえば封止樹脂３０の厚さを、基材１０の厚さ以下とすることができる。これにより、半導体装置１００をより効率的に薄型化することができる。

次に、構造体１０２について説明する。
図２は、構造体１０２の一例を示す断面図である。構造体１０２は、ＭＡＰ成形により形成された成形品である。このため、構造体１０２を半導体素子２０毎に個片化することにより、複数の半導体パッケージが得られることとなる。

構造体１０２は、基材１０と、複数の半導体素子２０と、封止樹脂３０と、を備えている。複数の半導体素子２０は、基材１０の一面上に配列されている。図２においては、各半導体素子２０が、基材１０に対してフリップチップ実装される場合が例示されている。この場合、各半導体素子２０は、複数のバンプ２２を介して基材１０へ電気的に接続される。一方で、各半導体素子２０は、ボンディングワイヤを介して基材１０に電気的に接続されていてもよい。なお、基材１０および半導体素子２０は、半導体装置１００において例示したものと同様のものを用いることができる。
図２に示す例では、各半導体素子２０と基材１０との間の隙間は、たとえばアンダーフィル３２によって充填される。アンダーフィル３２としては、たとえばフィルム状または液状のアンダーフィル材料を使用することができる。一方で、封止用樹脂組成物は、たとえばモールドアンダーフィル材料として用いることもできる。この場合、半導体素子２０の封止と、基材１０と半導体素子２０との間の隙間の充填と、が一括して行われる。

封止樹脂３０は、複数の半導体素子２０と、基材１０のうちの上記一面と、を封止している。この場合、基材１０のうちの上記一面とは反対の他面は、封止樹脂３０により封止されない。また、封止樹脂３０は、上述した封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。これにより、構造体１０２や、構造体１０２を個片化して得られる半導体パッケージの反りを抑制することができる。封止樹脂３０は、たとえば封止用樹脂組成物をトランスファー成形法または圧縮成形法等の公知の方法を用いて封止成形することにより形成される。また、本実施形態において、各半導体素子２０の上面は、図２に示すように封止樹脂３０により封止されていてもよく、封止樹脂３０から露出していてもよい。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 熱硬化性樹脂を含み、以下の条件（Ａ）および（Ｂ）を満たす封止用樹脂組成物。
（Ａ）１７５℃、３分で熱処理した際の収縮率Ｓ _１ が、０．７％以上である
（Ｂ）１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率Ｅ _{（２６０）} が０．５ＧＰａ以上である
２． １．に記載の封止用樹脂組成物において、
１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理した際の収縮率Ｓ _２ が０．７％以上である封止用樹脂組成物。
３． １．または２．に記載の封止用樹脂組成物において、
１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理することにより得られる硬化物のガラス転移温度Ｔｇが１６０℃以上である封止用樹脂組成物。
４． １．〜３いずれか一つに記載の封止用樹脂組成物において、
１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２５℃における曲げ弾性率Ｅ _（２５） が１．０ＧＰａ以上である封止用樹脂組成物。
５． １．〜４いずれか一つに記載の封止用樹脂組成物において、
１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率Ｅ _{（２６０）} が２．０ＧＰａ以下である封止用樹脂組成物。
６． １．〜５いずれか一つに記載の封止用樹脂組成物において、
モールドアンダーフィル材料として用いられる封止用樹脂組成物。
７． １．〜６いずれか一つに記載の封止用樹脂組成物において、
粉粒体またはタブレット状である封止用樹脂組成物。
８． 基材と、
前記基材の一面上に搭載された半導体素子と、
１．〜７いずれか一つに記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と、前記基材のうちの前記一面と、を封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置。
９． ８．に記載の半導体装置において、
前記基材は、有機基板である半導体装置。
１０． 基材と、
前記基材の一面上に搭載された複数の半導体素子と、
１．〜７いずれか一つに記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記複数の半導体素子と、前記基材のうちの前記一面と、を封止する封止樹脂と、
を備える構造体。

次に、本発明の実施例について説明する。

（封止用樹脂組成物の調製）
まず、表１に従い配合された各原材料を常温でミキサーを用いて混合した後、７０〜１００℃でロール混練した。次いで、得られた混練物を冷却した後、これを粉砕して封止用樹脂組成物を得た。表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。また、表１中の単位は、質量％である。

（Ａ）熱硬化性樹脂
熱硬化性樹脂１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ−３０００）
熱硬化性樹脂２：下記式（１０）で表される化合物においてａ＝０である化合物を主成分とするエポキシ樹脂２５質量％と、下記式（１１）で表される化合物においてｄ＝０である化合物を主成分とするエポキシ樹脂７５質量％と、の混合物（三菱化学（株）製、ＹＬ６６７７）
熱硬化性樹脂３：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、Ｎ−６６０）
熱硬化性樹脂４：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、ＹＸ４０００Ｋ）
熱硬化性樹脂５：ジメチルエーテル型レゾール樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３５２９）

（Ｂ）硬化剤
硬化剤１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（日本化薬（株）製、ＧＰＨ−６５）
硬化剤２：ホルムアルデヒドで変性したトリフェニルメタン型フェノール樹脂（エア・ウォーター（株）製、ＨＥ９１０−２０）
硬化剤３：フェノールアラルキル樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８００ＳＳ）
硬化剤４：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−ＨＦ−３）

（Ｃ）硬化促進剤
下記式（１３）で示される化合物

［上記式（１３）で示される化合物の合成方法］
撹拌装置付きのセパラブルフラスコに４，４'−ビスフェノールＳ３７．５ｇ（０．１５モル）、メタノール１００ｍｌを仕込み、室温で撹拌溶解し、更に攪拌しながら予め５０ｍｌのメタノールに水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１モル）を溶解した溶液を添加した。次いで予め１５０ｍｌのメタノールにテトラフェニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ（０．１モル）を溶解した溶液を加えた。しばらく攪拌を継続し、３００ｍｌのメタノールを追加した後、フラスコ内の溶液を大量の水に撹拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、白色結晶の上記式（１３）で示される化合物を得た。

（Ｄ）無機充填剤
無機充填剤１：球状シリカ（電気化学工業（株）製、ＦＢ−５ＳＤＣ、平均粒径（Ｄ_５０）４．５μｍ）
無機充填剤２：球状シリカ（（株）アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒径（Ｄ_５０）０．５μｍ）
無機充填剤３：球状シリカ（（株）アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ５、平均粒径（Ｄ_５０）１．６μｍ）

（Ｅ）カップリング剤
フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング（株）製、ＣＦ４０８３）

（Ｆ）低応力剤
低応力剤１：シリコーンオイル（ＦＺ―３７３０（東レダウコーニング））
低応力剤２：アクリロニトリル−ブタジエンゴム（ＣＴＢＮ１００８ＳＰ（宇部興産））

（Ｇ）その他の成分
離型剤：ＷＥ―４（クラリアントジャパン）
イオンキャッチャー：ＤＨＴ−４Ｈ（協和化学）
着色剤：カーボン＃５（三菱化学）
難燃剤：水酸化アルミニウム（ＣＬ−３０３（住友化学））

（収縮率）
各実施例および各比較例のそれぞれについて、得られた封止用樹脂組成物の収縮率を次のように測定した。まず、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分の条件下で封止用樹脂組成物を金型キャビティ内に注入成形して円盤状の第１試験片を作製した。次いで、第１試験片を２５℃まで冷却した。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第１試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ_１（％）を算出した。
Ｓ_１＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第１試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００

次いで、第１試験片に対し、１７５℃のオーブン中で４時間、後硬化を行い、第２試験片を作製した。次いで、第２試験片を２５℃まで冷却した。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第２試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ_２（％）を算出した。
Ｓ_２＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第２試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００
結果を表１に示す。

（ガラス転移温度、線膨張係数（α_１、α_２））
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度および線膨張係数を、次のように測定した。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、１５ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業（株）製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃〜３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行った。この測定結果から、ガラス転移温度、ガラス転移温度以下における線膨張係数（α_１）、ガラス転移温度超過における線膨張係数（α_２）を算出した。表１中、α_１とα_２の単位はｐｐｍ／℃であり、ガラス転移温度の単位は℃である。

（曲げ弾性率、曲げ強度）
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率および曲げ強度を、次のように測定した。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、幅１０ｍｍ×厚さ４ｍｍ×長さ８０ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した。次いで、試験片の、２５℃における曲げ強度σ_（２５）および曲げ弾性率Ｅ_（２５）と、２６０℃における曲げ強度σ_{（２６０）}および曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}と、をＪＩＳ Ｋ ６９１１に準じて測定した。曲げ強度と曲げ弾性率の単位はＭＰａである。結果を表１に示す。

（反り抑制の評価）
各実施例および各比較例について、次のように反り抑制の評価を行った。まず、次のタイプのパッケージ（以下、ＰＫＧと略す）をＭＡＰ成形用のトランスファー成形機を用いて準備した。１０×１０×０．１５mmのＳｉチップをマウントした基板に、ＰＫＧサイズが１４×１４×０．４８ｍｍ、基板厚みが０．２８ｍｍ、樹脂厚みが０．２０ｍｍになるように設計したＰＫＧを用いた。次いで、ＰＫＧの反りを測定した。反りの測定はＳｈａｄｏｗ ｍｏｉｒｅ（ａｋｒｏｍｅｔｒｉｘ製）を用いて、２５℃から２６０℃へ昇温して、２５℃、２６０℃でのＰＫＧ反りを測定することにより行った。そして、２５℃、２６０℃のそれぞれについて、ＰＫＧ反りが１００μｍ以内を○とし、１００μｍ以上を×として、反り抑制評価を行った。

（耐半田性の評価）
各実施例および各比較例のそれぞれについて、前記反り抑制の評価で使用したＰＫＧと同様の仕様のＰＫＧ１０個を、６０℃、相対湿度６０％の環境下に９６時間放置した。次いで、放置後のＰＫＧ１０個に対し、ＩＲリフロー処理（２６０℃）を行った。次いで、処理後のＰＫＧ内部を超音波探傷装置で観察し、封止樹脂と、チップや基板界面等と、において剥離が生じた面積を算出した。ここでは、１０個のＰＫＧにおける剥離面積の最大値が、封止樹脂の投影面積全体の５％未満であった場合を◎とし、５％以上１０％以下であった場合を○とし、１０％を超える場合を×とした。

１００ 半導体装置
１０２ 構造体
１０ 基板
１２ 半田ボール
２０ 半導体素子
２２ バンプ
３０ 封止樹脂
３２ アンダーフィル

Claims (20)

1. 熱硬化性樹脂を含み、以下の条件（Ａ）および（Ｂ）を満たす封止用樹脂組成物。
   （Ａ）１７５℃、３分で熱処理した際の収縮率Ｓ_１が、０．７％以上５％以下である
   （Ｂ）１７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}が０．５ＧＰａ以上３．０ＧＰａ以下である
   （収縮率Ｓ _１ の測定方法）
   トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分の条件下で、当該封止用樹脂組成物を金型キャビティ内に注入成形して円盤状の第１試験片を作製する。次いで、第１試験片を２５℃まで冷却する。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第１試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ _１ （％）を算出する。
   収縮率Ｓ _１ ＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第１試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００
2. 請求項１に記載の封止用樹脂組成物において、
   １７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理した際の収縮率Ｓ_２が０．７％以上である封止用樹脂組成物。
3. 請求項１または２に記載の封止用樹脂組成物において、
   １７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理することにより得られる硬化物のガラス転移温度Ｔｇが１６０℃以上である封止用樹脂組成物。
4. 請求項１〜３いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
   １７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２５℃における曲げ弾性率Ｅ_（２５）が１．０ＧＰａ以上である封止用樹脂組成物。
5. 請求項１〜４いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
   １７５℃、３分で熱処理した後、１７５℃、４時間で熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率Ｅ_{（２６０）}が２．０ＧＰａ以下である封止用樹脂組成物。
6. 請求項１〜５いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
   モールドアンダーフィル材料として用いられる封止用樹脂組成物。
7. 請求項１〜６いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
   粉粒体またはタブレット状である封止用樹脂組成物。
8. 請求項１〜７いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
   前記熱硬化性樹脂が、レゾール樹脂を含む、封止用樹脂組成物。
9. 請求項８に記載の封止用樹脂組成物において、
   前記レゾール樹脂の含有量は、前記熱硬化性樹脂全体に対して２０質量％以上９０質量％以下である、封止用樹脂組成物。
10. 請求項８または９に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂をさらに含む、封止用樹脂組成物。
11. 請求項１〜１０いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
    無機充填剤を含む、封止用樹脂組成物。
12. 請求項１１に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記無機充填剤は、シリカ、アルミナ、窒化珪素、および窒化アルミからなる群から選択される一種以上を含む、封止用樹脂組成物。
13. 請求項１１または１２に記載の封止用樹脂組成物において、
    無機充填剤の含有量は、当該封止用樹脂組成物全体に対して２０質量％以上７０質量％以下である、封止用樹脂組成物。
14. 請求項１１〜１３いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記無機充填剤は、二種以上の球状シリカを含む、封止用樹脂組成物。
15. 請求項１〜１４いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
    硬化剤を含む、封止用樹脂組成物。
16. 請求項１〜１５いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
    低応力剤を含む、封止用樹脂組成物。
17. 請求項１〜１６いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
    難燃剤を含む、封止用樹脂組成物。
18. 基材と、
    前記基材の一面上に搭載された半導体素子と、
    請求項１〜１７いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と、前記基材のうちの前記一面と、を封止する封止樹脂と、
    を備える半導体装置。
19. 請求項１８に記載の半導体装置において、
    前記基材は、有機基板である半導体装置。
20. 基材と、
    前記基材の一面上に搭載された複数の半導体素子と、
    請求項１〜１７いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記複数の半導体素子と、前記基材のうちの前記一面と、を封止する封止樹脂と、
    を備える構造体。

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