JP6184291B2 - シリコン基板の加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、シリコン基板の加工方法に関するものである。

シリコン基板に貫通穴を形成する方法として、ドライエッチングの一種である反応性イオンエッチングを用いた方法がある。反応性イオンエッチングを用いたシリコン基板の加工は、エッチングガスを用いてシリコン基板に貫通穴を開ける方法である。特に、インクジェットヘッドに代表される液体吐出ヘッドに用いるシリコン基板に、貫通穴である液体供給口を形成する場合には、反応性イオンエッチングを用いることが好ましい。反応性イオンエッチングによれば垂直な形状の穴を開けやすいので、貫通穴が横に広がりにくく、シリコン基板のサイズを小さくすることができる。

反応性イオンエッチングによってシリコン基板に貫通穴を形成する加工方法としては、片面加工と両面加工の２つの方法がある。シリコン基板のある面を第一面とし、第一面の反対側の面である第二面とする。このとき、片面加工であれば、シリコン基板の第一面からエッチングを開始し、そのままシリコン基板の第二面までエッチングを到達させ、シリコン基板を貫通する。これに対し、両面加工の場合には、例えばシリコン基板の第一面からエッチングを開始し、その後エッチングを途中で止める。これにより、シリコン基板に第一面から第二面側に向かって延びる未貫通穴を形成する。次に、反対側の第二面から、第一面側に向かってエッチングを行い、エッチングを未貫通穴に到達させる。これにより、シリコン基板が貫通する。両面加工によれば、貫通穴の形状を制御しやすく、複雑な形状、例えば途中で幅の長さが異なる形状の貫通穴であっても形成しやすい。

反応性イオンエッチングによってシリコン基板を加工する場合、オーバーエッチングという現象が発生することがある。上述のように、両面加工において第二面から反応性イオンエッチングを行い、シリコン基板が貫通すると、エッチング方向（穴の延在方向）にエッチングの対象物がなくなり、穴の延在方向と垂直方向に穴が形成されてしまう。これがオーバーエッチングであり、貫通穴の第一面側の開口が、所望の形状よりも広がってしまう。この様子を、図７を用いて具体的に説明する。図７では、シリコン基板１に貫通穴１１である液体供給口を形成する様子を示している。まず、図７（ａ）に示すように、第一面２及び第一面の反対側の面である第二面３を有するシリコン基板１を用意する。シリコン基板１は、第一面２側にエッチングマスク９を有する。次に、図７（ｂ）に示すように、エッチングマスク９の開口を通して、シリコン基板１の第一面２から反応性イオンエッチングを行う。このようにして、シリコン基板１に未貫通穴６を形成する。次に、第二面３側にもエッチングマスクを形成し、第二面３から反応性イオンエッチングを行う。エッチングが未貫通穴６に到達し、シリコン基板１が貫通すると、図７（ｃ）に示すように貫通穴１１が形成される。そのままエッチングが継続されると、シリコン基板１の第一面２側にはオーバーエッチングによって横方向に広がった穴１４が形成される。即ち、貫通穴１１の第一面２側の開口が、横方向に広がってしまう。液体吐出ヘッドの場合、オーバーエッチングによって形成される穴は、場合によってはエネルギー発生素子やその配線が形成された領域にまで広がり、液体吐出ヘッドとしての信頼性が低下することがある。また、反応性イオンエッチングを行う際に、エッチング方向に導電性の低い物体（絶縁体も含む）があると、ノッチングと呼ばれる現象が発生することもある。ノッチングもオーバーエッチングの一種であり、通常反応性イオンエッチングを行う場合にはエッチング方向に導電性の低い物体がある為、ノッチングも課題の１つである。

特許文献１には、シリコン基板の第一面から反応性イオンエッチングで未貫通穴を形成した後、未貫通穴に樹脂を埋め込むことが記載されている。この方法では、未貫通穴を樹脂で埋め込んだ後、第二面から反応性イオンエッチングを行ってエッチングを樹脂に到達させ、最終的に樹脂を除去し、シリコン基板に貫通穴を形成する。

米国特許第７４８１９４３号明細書

特許文献１に記載の方法によれば、オーバーエッチングの発生位置を基板の表面から裏面側にずらすことができ、結果として貫通穴の開口の横広がりを抑制できると考えられる。

しかしながら、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載されたような方法では、第一面側から形成した未貫通穴、即ち樹脂を埋め込む穴が深くなるにつれて、樹脂の埋め込みが難しくなる。また、溶剤等による樹脂の除去が必要となってくるので、その分工程が増加する。

本発明は、かかる課題を解決するものであり、シリコン基板に両面加工を行って貫通穴を形成する際にも、オーバーエッチングによる貫通穴の開口の横広がりを容易に抑制することができるシリコン基板の加工方法を提供することを目的とする。

上記課題は、以下の本発明によって解決される。即ち本発明は、シリコン基板に貫通穴を形成するシリコン基板の加工方法であって、第一面及び該第一面の反対側の面である第二面を有するシリコン基板を用意する工程と、前記シリコン基板に、該シリコン基板の第一面から第二面側に向かって延びる未貫通穴を形成する工程と、前記シリコン基板の第一面に、支持部材及び粘着層を有するシールテープを貼り、前記未貫通穴の少なくとも一部を前記粘着層で充填する工程と、前記シリコン基板の第二面から第一面側に向かって反応性イオンエッチングを行い、前記反応性イオンエッチングを前記未貫通穴に充填させた粘着層に到達させ、該粘着層を露出させる工程と、前記シリコン基板から前記シールテープを剥離し、前記シリコン基板に貫通穴を形成する工程と、を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法である。

本発明によれば、シリコン基板に両面加工を行って貫通穴を形成する際にも、オーバーエッチングによる貫通穴の開口の横広がりを容易に抑制することができるシリコン基板の加工方法を提供することができる。

本発明のシリコン基板の加工方法の一例を示す図である。 本発明によって加工するシリコン基板の一例を示す図である。 本発明のシリコン基板の加工方法の一例を示す図である。 本発明のシリコン基板の加工方法の一例を示す図である。 本発明のシリコン基板の加工方法の一例を示す図である。 本発明によって加工したシリコン基板を有する液体吐出ヘッドの一例を示す図である。 従来のシリコン基板の加工方法を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。

本発明のシリコン基板の加工方法によって加工するシリコン基板は、様々な用途で用いることができる。その一例として液体吐出ヘッド用のシリコン基板が挙げられる。図６は、本発明によって加工したシリコン基板を有する液体吐出ヘッドの一例を示す図である。

図６に示すように、液体吐出ヘッド１８は、シリコン基板１を有する。シリコン基板１は、第一面２と、第一面２の反対側の面である第二面３とを有している。シリコン基板１の第一面２側には、エネルギー発生素子５が形成されている。エネルギー発生素子５としては、発熱抵抗体や圧電素子が挙げられる。エネルギー発生素子５は、シリコン基板１の第一面２に埋め込まれていてもよいし、第一面２に接触して設けられていてもよいし、第一面２と部材や空間を介して設けられていてもよい。また、シリコン基板１の第一面２側には、部材４が形成されている。部材４は、液体流路７や液体吐出口８を形成しており、例えば樹脂、特にはネガ型感光性樹脂や、ＳｉＮ、ＳｉＣ等の無機膜等で形成される。液体流路７には液体（例えばインク）が供給され、供給された液体はエネルギー発生素子５からエネルギーが与えられる。この結果、液体は液体吐出口８から吐出され、画像等が記録される。図６においては、液体供給口は、第二面３側の共通供給口と、共通供給口から独立して延在する複数の独立供給口とで構成されており、液体供給口はシリコン基板１を貫通する貫通穴となっている。

次に、シリコン基板の加工方法を説明する。図１は、図６のシリコン基板１のＢ−Ｂ’における断面に対応した部分を示した図である。尚、図１では、シリコン基板１として１つのチップ分のシリコン基板を例示しているが、複数チップ分のシリコン基板で構成されるシリコンウェハを用いることが好ましい。１枚のシリコンウェハを切断（ダイシング）することによって、１枚のシリコンウェハから複数チップ分のシリコン基板を得ることができる。

まず、図１（ａ）に示すように、第一面２と、第一面２の反対側の面である第二面３とを有するシリコン基板１を用意する。シリコン基板１は、第一面２側にエッチングマスク９を有する。エッチングマスク９は、例えばＳｉＯ_２やポジ型感光性樹脂で形成する。エッチングマスク９には開口が形成されている。開口には、シリコン基板１の第一面２の一部が露出している。

次に、図１（ｂ）に示すように、エッチングマスク９の開口を通して、シリコン基板１の第一面２から加工を行い、シリコン基板１に未貫通穴６を形成する。図１（ｂ）では、エッチングマスク９の開口から反応性イオンエッチングを行うことで未貫通穴６を形成した例を示している。反応性イオンエッチングは、エッチングガスをプラズマ化し、エッチング対象物がある陰極に高周波電圧を付加し、イオン種やラジカル種をエッチング対象物に衝突させるエッチング方法である。未貫通穴６の形成方法はこれに限られず、例えばレーザーによる加工や、エッチング液を用いたウェットエッチングによる加工で形成してもよい。ウェットエッチングは、結晶異方性エッチングであることが好ましい。エッチングマスク９は、必要でなければ設けなくてもよい。反応性イオンエッチングによって未貫通穴６を形成する場合、エッチング（例えばＳＦ_６を用いたエッチング）とデポジション（例えばＣ_４Ｆ_８を用いたデポジション）のプロセスを交互に繰り返すボッシュプロセスを行うことが好ましい。未貫通穴６は、第一面に開口し、第一面から第二面側へと延びている。

次に、図１（ｃ）に示すように、シリコン基板１の第一面２に、支持部材１９及び粘着層２０を有するシールテープを貼る。また、未貫通穴６の少なくとも一部を、シールテープの粘着層２０で充填する。本発明では、このような構成をとることで、未貫通穴６を充填している粘着層の深さ分、オーバーエッチングの発生箇所をシリコン基板１の第一面２及び第二面３から離れた位置とすることができる。さらに、シールテープの貼り付けである為、未貫通穴６の少なくとも一部を充填しやすく、また未貫通穴６からの粘着層２０の除去も容易である。

シールテープの支持部材１９は、例えばポリオレフィン、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート／イソフタレート共重合体）、ポリ塩化ビニル及びセルロースのような重合体等で形成することができる。また、ノッチングを抑制するという点では、導電性の材料で形成することが好ましい。一方、シールテープの粘着層２０は、未貫通穴６の少なくとも一部を充填するので、塑性変形することが好ましい。また、粘着層２０は、シリコン基板１よりも反応性イオンエッチングによってエッチングされにくいものであることが好ましい。このような点から、粘着層２０は、ポリビニルフェノール樹脂、ノボラック樹脂、ポリビニルポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂等で形成することが好ましい。

粘着層２０は、未貫通穴６の少なくとも一部を充填する。次の工程で、反応性イオンエッチングが粘着層２０に到達すると、粘着層２０はエッチングされる。同時に、図１（ｄ）に示すように、オーバーエッチングによって横方向に広がった穴１７も形成される。未貫通穴の延在方向に関して、粘着層の未貫通穴の少なくとも一部を充填している部分の長さは、未貫通穴の延在方向と垂直な方向に関する穴１７の長さよりも長くすることが好ましい。オーバーエッチングは、未貫通穴の延在方向と垂直な方向に発生するが、それ以外の方向にも発生する。例えば、オーバーエッチングが発生する点を起点として、等方的にエッチングが発生することがある。この場合、未貫通穴の延在方向と平行な方向にもオーバーエッチングが発生する。オーバーエッチングが未貫通穴の延在方向と平行な方向に発生すると、穴１７が第一面２側へと進行し、いずれは第一面２に到達することになる。そうすると、シリコン基板の第一面２側に形成される開口は横広がりをしてしまうことになる。この為、未貫通穴の延在方向に関して、粘着層の未貫通穴の少なくとも一部を充填している部分の長さを、未貫通穴の延在方向と垂直な方向に関する穴１７の長さよりも長くするように設計することが好ましい。製造プロセスには多少マージンを持たせることが要求されることから、オーバーエッチング自体は少なからず発生する。オーバーエッチングの程度によるが、通常のオーバーエッチングを想定したとき、未貫通穴の延在方向に関して、粘着層の未貫通穴の少なくとも一部を充填している部分の長さは、具体的には３．０μｍ以上とすることが好ましい。より好ましくは５．０μｍ以上であり、さらに好ましくは１０．０μｍ以上である。上限は特にないが、シールテープの粘着層によって充填することを考慮すると、１００．０μｍ以下とすることが好ましい。

シリコン基板１の第一面２を上方からみたとき、粘着層２０は未貫通穴６の９０％以上を充填していることが好ましく、未貫通穴６の全てを充填していることがより好ましい。尚、充填しているとは、単に未貫通穴６を塞いでいるのみの状態ではなく、図１に示す断面において、第一面２よりも未貫通穴６側（第二面側）に入りこんでいる状態のことをいう。

未貫通穴６への粘着層２０の充填は、ローラーを用い、シールテープの少なくとも粘着層を加温して貼り付ける方法によって行うことが好ましい。加温温度を高くするに従って加圧時間を短くすることができる。貼り付けの際の圧力は、一定とすることが好ましい。ローラーとしては、例えば金属で形成した芯と、その最表面をゴムで覆ったローラーを用いることができる。貼り付けの際のシールテープの粘着層２０の温度は、７０℃以上とすることが好ましく、８０℃以上とすることがより好ましい。また、１４０℃以下とすることが好ましく、１３０℃以下とすることがより好ましい。また、シールテープにかける圧力は、０．１ＭＰａ以上とすることが好ましく、０．２ＭＰａ以上とすることがより好ましい。また、１．５ＭＰａ以下とすることが好ましく、１．０ＭＰａ以下とすることがより好ましい。

次に、図１（ｄ）に示すように、シリコン基板１の第二面３から第一面２側に向かって反応性イオンエッチングを行い、反応性イオンエッチングを未貫通穴６に充填させた粘着層に到達させ、粘着層を露出させる。第二面３から行う反応性イオンエッチングは、ボッシュプロセスで行うことが好ましい。反応性イオンエッチングが粘着層に到達するとは、反応性イオンエッチングのエッチングガスが粘着層に到達することをいう。粘着層が露出すると、穴１７が形成され始めるが、未貫通穴６には粘着層２０が充填されているので、穴１７が形成される位置は第一面２よりもやや第二面３側にずれた位置となる。

次に、図１（ｅ）に示すように、シリコン基板１からシールテープを剥離する。これによって、シリコン基板１に貫通穴が形成される。貫通穴は、シリコン基板１の第一面２から第二面３までを貫通している。シールテープの剥離なので、貫通穴の中に粘着層２０はほとんど残らず、貫通穴から粘着層２０を容易に除去することができる。また、樹脂によって未貫通穴のほとんどを充填する必要がなく、第一面側に粘着層を少し充填するだけで、貫通穴の開口の横広がりを抑制できる。この為、貫通穴が深くなっても十分に対応できる。

シリコンウェハから各チップ分のシリコン基板１を得るとき、シリコンウェハをダイシングブレード等で切断することになる。この際、シリコンウェハを固定する為にシールテープが用いられる。本発明では、このダイシング用のシールテープ（ダイシングテープ）を、上述の貫通穴の開口の横広がりを抑制する為のシールテープとして用いることが好ましい。このようにすることで、工程を増やさず、シリコン基板の加工が非常に容易になる。従って、シリコン基板１を切断した後にシールテープを剥離することが好ましい。

図２（ａ）に、シリコン基板１を第一面２の上面から見た図を示す。図２（ａ）は、第二面３からの反応性イオンエッチングを行う前の状態を示しており、シリコン基板１を液体吐出ヘッドの基板として用いる例を示す図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。図２（ａ）（ｂ）に示す実施形態では、エネルギー発生素子５の両側に未貫通穴６を形成し、エネルギー発生素子５に双方向から液体を供給する構成となっている。図２（ｂ）で示すように、第一面２側にはシールテープが貼られており、シールテープの粘着層２０が未貫通穴６の少なくとも一部を充填している。未貫通穴６は、後で貫通穴となり、液体供給口として用いられる。即ち、液体吐出ヘッドの信頼性を向上させるためには、特に未貫通穴６からエネルギー発生素子５の方向へのオーバーエッチングを抑制する必要がある。また、未貫通穴６の間には梁１５が形成されるが、梁１５上にエネルギー発生素子５へ電力を供給する配線（不図示）が配置されている場合、梁１５の方向へオーバーエッチングが広がることも抑制する必要がある。その為、未貫通穴６の少なくとも一部を粘着層２０で充填することで、液体吐出ヘッドの信頼性を向上させることができる。

以下、本発明を、実施例を用いて説明する。

＜実施例１＞
まず、図３（ａ）に示すように、第一面２と、第一面２の反対側の面である第二面３とを有するシリコン基板１を用意した。シリコン基板１としては、厚さ７２５．０μｍであり、第一面２及び第二面３の結晶方位が（１００）であるシリコン基板を用いた。シリコン基板１の第一面２側には、ＴａＳｉＮで形成されたエネルギー発生素子５と、ＯＦＰＲ（東京応化製）からなるポジ型感光性樹脂で形成されたエッチングマスク９が形成されており、エッチングマスク９には開口が形成されている。

次に、図３（ｂ）に示すように、エッチングマスク９の開口を通して、シリコン基板１の第一面２から反応性イオンエッチングを行い、シリコン基板１に未貫通穴６を形成した。未貫通穴６の第一面２からの深さは２２５．０μｍとした。また、１本の未貫通穴６の、深さ方向と垂直な方向の幅は５０．０μｍとした。反応性イオンエッチングは、ＩＣＰエッチング装置（アルカテル製、型式番号：８Ｅ）を用い、ボッシュプロセスとした。

次に、図３（ｃ）に示すように、シリコン基板１の第一面２に、支持部材１９及び粘着層２０を有するシールテープを貼った。シールテープの支持部材１９はポリオレフィンで形成されており、粘着層はノボラック樹脂で形成されている。ノボラック樹脂は、シリコン基板よりも反応性イオンエッチングによってエッチングされにくい。シールテープの貼り付けの際、シールテープ全体を加温することで、粘着層の温度を１２０℃とした。シールテープを貼り付ける際の圧力は０．５ＭＰａの一定とし、１０ｓｅｃ／ｃｍの条件で貼り付けた。この結果、未貫通穴６に粘着層２０が充填した。未貫通穴の延在方向に関して、粘着層の未貫通穴を充填している部分の長さは７．０μｍであった。また、シリコン基板１を第一面２の上方から見たときに、未貫通穴６は全て粘着層２０によって充填されていた。尚、オーバーエッチングで粘着層２０が削れる量は０．１μｍ／ｍｉｎ以下であった。

次に、図３（ｄ）に示すように、シリコン基板１の第二面３にＯＦＰＲ（東京応化製）からなるポジ型感光性樹脂でマスクを形成した。続いてシリコン基板１の第二面３から第一面２側に向かって反応性イオンエッチングを行い、反応性イオンエッチングを未貫通穴６に充填させた粘着層に到達させ、粘着層を露出させた。反応性イオンエッチングは、ＩＣＰエッチング装置（アルカテル製、型式番号：８Ｅ）を用い、ボッシュプロセスとした。

反応性イオンエッチングが粘着層に到達すると、粘着層２０はシリコン基板１よりエッチングレートが遅いため、オーバーエッチングが発生し、穴１４が形成された。未貫通穴の延在方向と垂直な方向に関して、穴１４の長さは０．２μｍであった。また、穴１４は、未貫通穴の延在方向と平行な方向に関して、シリコン基板１の第一面２から６．８μｍ離れた位置に形成された。

シリコン基板１の切断後、図３（ｅ）に示すように、シリコン基板１からシールテープを剥離した。これによって、シリコン基板１に貫通穴が形成された。貫通穴内を顕微鏡で確認したところ、シールテープの粘着層はほぼ残っていなかった。シリコン基板１の両面にあるエッチングマスクは、剥離液にて剥離した。

最後に、図３（ｆ）に示すように第一面側に液体吐出口８を形成する部材４を形成し、液体吐出ヘッドを得た。部材４は、ネガ型感光性樹脂としてエポキシ樹脂を用い、露光及び現像することによって、液体吐出口８や液体の流路を形成した。シリコン基板１に形成した貫通穴は、液体供給口として用いた。液体供給口は、第一面２側に独立供給口、第二面３側に共通供給口を有する構成となった。独立供給口の側壁に、穴１４が形成されたが、第一面２から６．８μｍ離れた位置であった。得られた液体吐出ヘッドは、シリコン基板１の第一面２側での液体供給口の開口の広がりが抑制され、信頼性の高いものであった。

＜実施例２＞
図４に示す方法で液体吐出ヘッドを製造した。基本的には実施例１と同様にしたが、図４（ａ）に示す通り、エネルギー発生素子５はシリコン基板１の第二面３側に形成されており、未貫通穴６を形成する反応性イオンエッチングは第一面２から行った。また、未貫通穴６の第一面２からの深さは５００．０μｍとした。また、未貫通穴６の幅は１０００．０μｍとした。これ以外は、実施例１と同様にした。

得られた液体吐出ヘッドは、図４（ｆ）に示す通りである。図４（ｆ）に示す通り、液体供給口は、第一面２側に共通供給口、第二面３側に独立供給口を有する構成となった。共通供給口の側壁に穴１４が形成されたが、第一面２から７１８．２μｍ離れた位置であった。得られた液体吐出ヘッドは、シリコン基板１の第一面２側での液体供給口の開口の広がりが抑制され、さらに穴１４の位置が独立供給口の部分ではなく、第一面２から７１８．２μｍ離れた共通供給口の部分に形成されており、信頼性のより高い液体吐出ヘッドを製造することができた。

＜実施例３＞
図５に示す方法で液体吐出ヘッドを製造した。基本的には実施例２と同様にしたが、未貫通穴６の形成は、エッチング液としてＴＭＡＨの２５質量％の溶液を用い、シリコン基板１の結晶異方性エッチングで行った。エッチングマスク９としては、ポリエーテルアミドを用いた。未貫通穴６の第一面２からの深さは５００．０μｍとした。また、未貫通穴６の第一面２側の開口幅は１０００．０μｍとした。これ以外は、実施例２と同様にした。

得られた液体吐出ヘッドは、図５（ｆ）に示す通りである。図５（ｆ）に示す通り、液体供給口は、第一面２側に共通供給口、第二面３側に独立供給口を有する構成となった。共通供給口の側壁に穴１４が形成されたが、第一面２から７１８．２μｍ離れた位置であった。実施例３で得られた液体吐出ヘッドは、実施例２と同様、信頼性の高いものであった。

Claims (15)

1. シリコン基板に貫通穴を形成するシリコン基板の加工方法であって、
   第一面及び該第一面の反対側の面である第二面を有するシリコン基板を用意する工程と、
   前記シリコン基板に、該シリコン基板の第一面から第二面側に向かって延びる未貫通穴を形成する工程と、
   前記シリコン基板の第一面に、支持部材及び粘着層を有するシールテープを貼り、前記未貫通穴の少なくとも一部を前記粘着層で充填する工程と、
   前記シリコン基板の第二面から第一面側に向かって反応性イオンエッチングを行い、前記反応性イオンエッチングを前記未貫通穴に充填させた粘着層に到達させ、該粘着層を露出させる工程と、
   前記シリコン基板から前記シールテープを剥離し、前記シリコン基板に貫通穴を形成する工程と、
   を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法。
2. 前記シリコン基板を切断する工程を有し、前記シリコン基板を切断する工程では、前記シールテープを、前記シリコン基板を固定するためのダイシング用のテープとして用いる請求項１に記載のシリコン基板の加工方法。
3. 前記未貫通穴の延在方向に関して、前記粘着層の前記未貫通穴を充填している部分の長さは、３．０μｍ以上である請求項１または２に記載のシリコン基板の加工方法。
4. 前記未貫通穴の延在方向に関して、前記粘着層の前記未貫通穴を充填している部分の長さは、５．０μｍ以上である請求項１または２に記載のシリコン基板の加工方法。
5. 前記シリコン基板の前記第一面を上方からみたとき、前記粘着層は前記未貫通穴の９０％以上を充填している請求項１乃至４のいずれかに記載のシリコン基板の加工方法。
6. 前記シールテープは、前記粘着層の温度を７０℃以上、１４０℃以下として前記シリコン基板の第一面に貼り付ける請求項１乃至５のいずれかに記載のシリコン基板の加工方法。
7. 前記シールテープは、０．１ＭＰａ以上、１．５ＭＰａ以下の圧力で前記シリコン基板の第一面に貼り付ける請求項１乃至６のいずれかに記載のシリコン基板の加工方法。
8. 前記未貫通穴は、反応性イオンエッチングによって形成される請求項１乃至７のいずれかに記載のシリコン基板の加工方法。
9. 前記未貫通穴は、エッチング液を用いた結晶異方性エッチングによって形成される請求項１乃至７のいずれかに記載のシリコン基板の加工方法。
10. シリコン基板を有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
    第一面及び該第一面の反対側の面である第二面を有するシリコン基板を用意する工程と、
    前記シリコン基板に、該シリコン基板の第一面から第二面側に向かって延びる未貫通穴を形成する工程と、
    前記シリコン基板の第一面に、支持部材及び粘着層を有するシールテープを貼り、前記未貫通穴の少なくとも一部を前記粘着層で充填する工程と、
    前記シリコン基板の第二面から第一面側に向かって反応性イオンエッチングを行い、前記反応性イオンエッチングを前記未貫通穴に充填させた粘着層に到達させ、該粘着層を露出させる工程と、
    前記シリコン基板から前記シールテープを剥離し、前記シリコン基板に貫通穴を形成する工程と、
    を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
11. 前記シリコン基板はエネルギー発生素子を有し、前記エネルギー発生素子は前記シリコン基板の第一面側に形成されている請求項１０に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
12. 前記シリコン基板はエネルギー発生素子を有し、前記エネルギー発生素子は前記シリコン基板の第二面側に形成されている請求項１０に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
13. 前記シリコン基板を切断する工程を有し、前記シリコン基板を切断する工程では、前記シールテープを、前記シリコン基板を固定するためのダイシング用のテープとして用いる請求項１０乃至１２のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
14. 前記未貫通穴の延在方向に関して、前記粘着層の前記未貫通穴を充填している部分の長さは、３．０μｍ以上である請求項１０乃至１３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
15. 前記未貫通穴の延在方向に関して、前記粘着層の前記未貫通穴を充填している部分の長さは、５．０μｍ以上である請求項１０乃至１３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。

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