JP6029495B2 - インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント方法およびインプリント装置、ならびにそれを用いた物品の製造方法に関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板（ウエハ）上の未硬化樹脂を型（モールド）で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。このインプリント装置は、まず、基板上のインプリント領域であるショットに紫外線硬化樹脂（インプリント材、光硬化性樹脂）を塗布する。次に、この樹脂（未硬化樹脂）を型により成形する。そして、紫外線１０を照射して樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。特に、特許文献１に示すインプリント装置は、基板の周辺領域に存在するショット（周辺ショット）に対してパターンを形成する際、アライメント検出系により、予めそのショット内のアライメントマークのうち欠けていない部分に存在するものを検出する。

特開２００７−２８１０７２号公報

ここで、周辺ショットの形状は、周辺ショット毎に異なる。したがって、アライメント検出系で検出するアライメントマークの位置も周辺ショット毎に異なる。特許文献１に示すインプリント装置では、アライメント検出系を検出位置に移動させた（位置決めした）後に、アライメント計測を行いインプリント材と型とを接触させる動作を開始する。

このため、アライメントマークを検出するためにアライメント検出系を移動させる必要があり、その移動時間がスループットに影響を与えていた。

本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、スループットの向上に有利なインプリント方法を提供する目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、基板上のショット領域に形成されたアライメントマークを検出する検出器の位置を変更する工程と、型とショット領域上のインプリント材とを接触させる工程と、検出器の位置を変更する工程にて検出器の位置の変更が完了した後、検出器を用いてアライメントマークを検出する工程と、を含み、接触させる工程は、検出器の位置の変更が完了する前に開始されることを特徴とする。

本発明によれば、例えば、スループットの向上に有利なインプリント方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。 アライメントスコープの配置を示す図である。 ウエハ上の周辺ショットのアライメントを説明する図である。 ウエハ上のショットの配置を示す図である。 インプリント処理時の動作シーケンスを示すフローチャートである。

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。

まず、本発明の一実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理基板であるウエハ上（基板上）の未硬化の樹脂（インプリント材）をモールド（型）を用いて、ウエハ上に樹脂のパターンを形成する装置である。ここでは、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用したインプリント装置とする。インプリント装置１は、インプリントサイクルを繰り返すことによりウエハ上に形成された複数のショット（パターン形成領域）に順次パターンを形成する。ここで、インプリントサイクルとは、モールドとウエハ上の樹脂とを押し付けた状態（接触させた状態）で該樹脂を硬化させることによって、ウエハ上の１つのショットにパターンを形成するサイクルである。また、以下の図においては、ウエハ上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。インプリント装置１は、光照射部２と、モールド保持機構３と、ウエハステージ４と、塗布部５と、アライメント検出系６と、制御部７とを備える。

光照射部２は、モールドＭを介して樹脂Ｒに紫外線１０を照射して樹脂Ｒを硬化させる。樹脂Ｒは、本実施形態においては、紫外線硬化樹脂である。光照射部２は、光源部８と、光学系９とを含む。光源部８は、不図示であるが、紫外線１０（例えば、ｉ線、ｇ線）を発生するハロゲンランプなどの光源と、この光源から発生された光を集光する楕円鏡とを含む。光学系９は、不図示であるが、紫外線１０をショット上の樹脂Ｒに照射するためのレンズやアパーチャ、およびハーフミラー１１を含む。アパーチャは、画角制御や外周遮光制御のために使用される。画角制御によれば、目標とするショットのみを照明することができ、外周遮光制御によれば、紫外線１０がウエハＷの外形を超えて照射しないように紫外線１０を制限することができる。なお、光学系９は、モールドＭを均一に照明するためにオプティカルインテグレータを含む構成としてもよい。アパーチャによって範囲が規定された紫外線１０は、モールドＭを介してウエハＷ上の樹脂Ｒに入射する。さらに、本実施形態では、インプリント装置１は、ハーフミラー１１を介してショット全体を観察する観察スコープ１２を含む。この観察スコープ１２は、インプリントの処理状態（押し付け動作や充填の進み具合）の確認に使用される。

モールドＭは、外周形状が多角形（好適には、矩形または正方形）であり、ウエハＷに対する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部を含む。このモールドＭは、樹脂Ｒを硬化するための紫外線１０を透過するために、紫外線１０の波長において透明な材料、例えば石英で形成される。

モールド保持機構３は、モールドＭを保持するモールドチャック１３と、モールドチャック１３（モールドＭ）を移動させるモールド駆動機構１４とを含む。なお、モールド駆動機構１４は、ブリッジ定盤１５に支持される。モールド駆動機構１４は、モールドＭの位置を６軸に関して制御する位置決め機構と、モールドＭとウエハＷ上の樹脂Ｒとを押し付けたり、モールドＭと硬化した樹脂Ｒとを分離したりする機構とを含む。ここで、６軸とは、モールドチャック１３の支持面（ウエハＷを支持する面）をＸＹ平面、それに直交する方向をＺ軸とするＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸およびそれらの各軸回りの回転である。さらに、モールド保持機構３は、モールドチャック１３に設置される倍率補正機構（形状補正機構）１６を含む。この倍率補正機構１６は、例えば、空気や油などの流体で作動するシリンダを用いてモールドＭを外周方向から加圧することによってモールドＭの形状を補正する。または、倍率補正機構１６は、モールドＭの温度を制御する温度制御部によってモールドＭの温度を制御し、モールドＭの形状を補正する。ウエハＷは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形（一般的には、膨張または収縮）する。そこで、倍率補正機構１６は、このようなウエハＷの変形に応じて、オーバーレイ誤差が許容範囲に収まるようにモールドＭの形状を補正する。

ウエハＷは、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、またはガラス基板である。このウエハＷ上の複数のショット（インプリント装置１に搬入される前に、前工程にて既にパターン（以下「ウエハＷ側パターン」という）が形成されている）には、パターン部により樹脂Ｒのパターン（パターンを含む層）が成形される。

ウエハステージ（基板保持部）４は、ウエハＷを真空吸着などにより引き付けて保持するウエハチャック１７と、ウエハチャック１７（ウエハＷ）を移動させるステージ駆動機構１８とを含む。ステージ駆動機構１８は、ウエハチャック１７の位置をモールド駆動機構１４と同様に６軸を制御することによってウエハＷの位置を制御する位置決め機構を含む。

塗布部５（ディスペンサ）は、ウエハＷ上のショットに対して樹脂Ｒを塗布する。この塗布部５は、不図示であるが、樹脂Ｒを収容するタンクと、このタンクから供給路を通して供給される樹脂ＲをウエハＷに対して吐出するノズルと、供給路に設けられたバルブと、供給量制御部とを含む。供給量制御部は、一般的には、１回の樹脂Ｒの吐出動作で１つのショットに樹脂Ｒが塗布されるようにバルブを制御し、ウエハＷへの樹脂Ｒの供給量を調整する。

アライメント検出系６は、複数（この場合、４つ）のアライメントスコープ（検出器）１９と、アライメントステージ機構２０とを含む。アライメントスコープ１９は、モールドＭとウエハＷとの位置合わせを行うために、モールドＭ上に形成されているアライメントマークＡＭＭとモールドＭを介してウエハＷに形成されているアライメントマークＡＭＷとを検出する。アライメントステージ機構２０は、ブリッジ定盤１５上に搭載され、複数のアライメントスコープ１９を個別に可動とし、アライメントスコープ１９による検出位置を変化させることができる。

図２は、アライメントスコープ１９の配置、およびモールドＭとウエハＷとにそれぞれ形成されているモールド側アライメントマークＡＭＭとウエハ側アライメントマークＡＭＷとを示す図である。特に、図２（ａ）は、アライメントスコープ１９、モールドＭ、樹脂Ｒ、およびウエハＷの配置を示す概略断面図である。また、図２（ｂ）は、アライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷをそれぞれ紫外線入射側から見たときの拡大図である。アライメントマークＡＭＭとアライメントマークＡＭＷとは、図２（ａ）に示す状態でモールドＭへの紫外線入射側から見たときに、互いに重ならないように配置される。さらに、図２（ｃ）は、紫外線入射側からモールドＭを見たときの複数のアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの配置を示す概略平面図である。特に、モールドＭの四隅にある領域１９ａ〜１９ｄは、アライメントスコープ１９の（特定の）検出対象の位置（検出位置）となる領域である。一方、図３は、ウエハＷ上のショットの配置を示す平面図である。ウエハＷは、その表面上に複数のショットＳを含み、各ショットＳ内に複数のアライメントマークＡＭＷが形成されている。

図４は、ウエハＷ上の周辺ショットのアライメントを説明する図である。ウエハＷ上に存在するショットＳは、図４中のショットＳ１のように基本的に矩形であるが、ウエハＷの周辺部では、１つのショット全体がウエハＷ内に入りきらないため、ショットＳ２はショットＳ１とは異なる形状をしている。そこで、本実施形態では、以下詳説するが、このようなウエハＷの周辺部に存在する周辺ショットＳ２に対しては、アライメントスコープ１９の位置を、領域１９ａ´〜１９ｄ´とする。

制御部７は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部７は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部７は、少なくとも、アライメント検出系６、およびウエハステージ４の動作を制御する。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。

さらに、インプリント装置１は、ウエハステージ４を載置し基準平面を形成する不図示の定盤と、モールド保持機構３を固定するブリッジ定盤１５と、定盤から延設され、床面からの振動を除去する除振器を介してブリッジ定盤１５を支持する支柱とを備える。さらに、インプリント装置１は、共に不図示であるが、モールドＭを装置外部とモールド保持機構３との間で搬入出させるモールド搬送機構や、ウエハＷを装置外部とウエハステージ４との間で搬入出させる基板搬送機構などを含み得る。

次に、インプリント装置１によるインプリント方法について説明する。図５は、インプリント装置１による一連のインプリント処理の動作シーケンスを示すフローチャートである。まず、制御部７は、モールド搬送機構によりモールドＭをモールドチャック１３に搬送させ、位置決め後、モールドチャック１３にモールドＭを保持させる（ステップＳ１００）。ここで、制御部７は、モールドＭの設置後、アライメントステージ機構２０によりアライメントスコープ１９を移動させる。特に本実施形態では、制御部７は、アライメントスコープ１９による検出位置が、図２（ｃ）に示すようなショット（図４に示すようなショットＳ１）の四隅（領域１９ａ〜１９ｄ）に存在するアライメントマークＡＭＷに位置するように動作させる。次に、制御部７は、基板搬送機構により、ウエハＷをウエハチャック１７に搬送し、ウエハチャック１７によりウエハＷを保持させる（ステップＳ１０１）。なお、ウエハＷ上の各ショットには、すでに少なくとも１層のパターンがアライメントマークＡＭＷとともに形成されているものとする。

次に、制御部７は、アライメント検出系６に、モールドＭのアライメントマークＡＭＭと、ウエハＷのアライメントマークＡＭＷとの相対位置を計測させる。このとき、制御部７は、モールドＭ上の各アライメントマークＡＭＭの検出位置に、すなわち対応する各領域１９ａ〜１９ｄの位置に、アライメントスコープ１９があるかどうかを判断する（ステップＳ１０２）。通常時、すなわちモールドＭの設置時に駆動した図４に示すようなショットＳ１に対する計測では、アライメントスコープ１９の位置は、各領域１９ａ〜１９ｄにそのまま合う。したがって、制御部７は、ステップＳ１０２にて、アライメントスコープ１９の位置が各領域１９ａ〜１９ｄ上にあると判定した場合には（ＹＥＳ）、位置を変化させることなくアライメント計測の動作に入れるため、以下のステップＳ１０４に移行する。これに対して、例えば図４に示すような周辺ショットＳ２に対する計測では、アライメントスコープ１９の位置がそのままであると、ショットＳ２上には２つの領域１９ａ、１９ｂに対応するアライメントマークＡＭＷが存在しないため、２カ所の計測ができない。そこで、制御部７は、ステップＳ１０２において、アライメントスコープ１９の位置が各領域１９ａ〜１９ｄ上にないと判定した場合には（ＮＯ）、アライメントステージ機構２０により、アライメントスコープ１９の移動を開始させる（ステップＳ１０３）。このとき、アライメントマークＡＭＷの検出位置が変更可能なので、制御部７は、周辺ショットＳ２内に存在する複数のアライメントマークＡＭＷの内、可能な限りマーク間隔が広くなるような位置に存在するアライメントマークＡＭＷを選択することが望ましい。例えば、図４に示す周辺ショットＳ２で言えば、領域１９ａ´〜１９ｄ´に対応する４つのアライメントマークＡＭＷが該当する。

次に、制御部７は、ステージ駆動機構１８により、今回の処理対象となるショットが塗布部５の塗布位置に位置するようにウエハＷを移動させ、塗布部５により樹脂Ｒを塗布させる（ステップＳ１０４：塗布工程）。ここで、ステップＳ１０３でのアライメントスコープ１９の移動があった場合には、制御部７は、塗布位置への移動と同時に、アライメントスコープ１９を移動させることが望ましい。

次に、制御部７は、ステージ駆動機構１８により、ショットがモールドＭの押し付け位置に位置するようにウエハＷを移動させる（ステップＳ１０５）。ここで、ステップＳ１０３でのアライメントスコープ１９の移動があった場合、この段階では、ステップＳ１０３で移動を開始したアライメントスコープ１９が移動中である可能性があるため、制御部７は、直ちにアライメント処理を実施させることができない。しかしながら、以下の押型工程におけるモールドＭとウエハＷ上の樹脂Ｒとの押し付け動作は、必ずしもアライメント処理を厳密に行ってから、すなわちモールドＭとウエハＷとの各アライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷ同士を厳密に合わせてから行う必要はない。これは、モールドＭとウエハＷ上の樹脂Ｒとの押し付け中でも、樹脂Ｒを硬化させる前であるならば、制御部７は、押し付け中に厳密なアライメント処理を実施させ、必要であれば、樹脂Ｒの形状をその時点で変形（補正）させることができるからである。そこで、本実施形態では、制御部７は、その前に処理対象であったショットに対してアライメント処理を実施した際のショット位置を基準としてウエハＷを移動させる。次に、制御部７は、押し付け動作を開始させる（ステップＳ１０６：押型工程）。具体的には、今回のショットＳ２にインプリント処理をする前にインプリント処理済みのショットＳ１がある場合、制御部７は、ショットＳ１のアライメント基準で、１ショットサイズ分ウエハＷをずらしたような位置で押し付けを開始すればよい。ここで、押し付け動作は、制御部７がモールド駆動機構１４によりモールドＭをウエハＷ上の樹脂Ｒに向かって降下させることで行われる。なお、制御部７は、モールドＭを駆動する代わりに、ウエハＷを上昇させることによって樹脂ＲにモールドＭを押し付けてもよい。また、制御部７は、例えば、モールド駆動機構１４に内蔵された荷重センサを使って、押し付けの荷重を制御し得る。

次に、制御部７は、ステップＳ１０３でのアライメントスコープ１９の移動があった場合、アライメントスコープ１９の移動が完了したかどうかの判断をする（ステップＳ１０７）。ここで、制御部７は、アライメントスコープ１９の移動が完了していないと判断した場合（ＮＯ）、このアライメントスコープ１９の移動が完了するまで判断を続ける。一方、制御部７は、アライメントスコープ１９の移動が完了したと判断した場合（ＹＥＳ）、およびステップＳ１０３でのアライメントスコープ１９の移動がなかった場合、ダイバイダイアライメント方式によりアライメント計測を実施させる（ステップＳ１０８）。ここで、制御部７は、アライメントスコープ１９によりモールドＭとウエハＷとの各アライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷを撮像し、画像処理装置（図示せず）により各アライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの相対位置を計測する。そして、制御部７は、領域１９ａ〜１９ｄ（または領域１９ａ´〜１９ｄ´）に対応した４つの位置における検出結果に基づいて、モールドＭとウエハＷとのショット形状の差（座標、回転、倍率、台形成分など）を計測する。

次に、制御部７は、位置合わせと同時に、必要に応じて、モールドＭに形成されているパターン部の形状と、ウエハＷのショット形状（ウエハＷ側パターンの形状）とを合わせるため、倍率補正機構１６によりモールドＭの形状を補正する（ステップＳ１０９）。次に、制御部７は、倍率補正機構１６の駆動誤差などにより、補正誤差が生じる可能性があるため、形状差のトレランス判定を行う（ステップＳ１１０）。ここで、制御部７は、形状差がトレランス以上と判定した場合には（ＮＯ）、ステップＳ１０８の戻り、アライメントの再計測を実施させ、形状差が予め定められたトレランス以下になるまでモールドＭの形状補正を実施させる。一方、制御部７は、ステップＳ１１０にて形状差がトレランス以下であると判定した場合（ＹＥＳ）、次に、押し付け動作が完了したか（モールドＭへの樹脂Ｒの充填が完了したか）を判定する（ステップＳ１１１）。ここで、制御部７は、充填が完了してない間、すなわち充填が完了していないと判定した場合（ＮＯ）、再度、ステップＳ１０８に戻り、アライメント計測を実施させる。

次に、制御部７は、充填が完了したら（ステップＳ１１１でのＹＥＳ）、光照射部２によりモールドＭを介してウエハＷ上の樹脂Ｒに紫外線１０を照射させ、樹脂Ｒを硬化させる（ステップＳ１１２：硬化工程）。樹脂Ｒの硬化後、制御部７は、モールド駆動機構１４によりモールドＭを上昇させ、モールドＭと硬化した樹脂Ｒとを引き離す（ステップＳ１１３：離型工程）。

次に、制御部７は、ウエハＷ上の全てのショットに対するインプリント処理（パターン形成工程）が終了したかどうかを判断する（ステップＳ１１４）。ここで、制御部７は、インプリント処理がなされていないショットがあると判定した場合には（ＮＯ）、ステップＳ１０２に戻り次のショットに対する処理を繰り返す。一方、制御部７は、ステップＳ１１４にて全てのショットに対するインプリント処理が完了していると判定した場合（ＹＥＳ）、基板搬送機構によりウエハＷをウエハチャック１７から回収し（ステップＳ１１５）、全ての処理を終了する。

このように、制御部７は、処理対象となるショットが周辺ショットである場合、その周辺ショットに対してアライメント処理を行う際には、アライメントスコープ１９を、検出可能なアライメントマークが存在する位置に移動させる。これにより、インプリント装置１は、処理対象が周辺ショットであっても、精度良くアライメント処理を実施することができる。しかしながら、このアライメントスコープ１９の移動が完了するのを待ってから押型工程（押し付け動作）に入ると、インプリント処理全体の処理時間が長くなり、スループットに影響を及ぼす。そこで、本実施形態では、制御部７は、アライメントスコープ１９の移動を開始させたら、塗布工程と、次工程である押型工程とを開始させる。したがって、アライメントスコープ１９の移動時間の少なくとも一部が、押し付け時間（樹脂Ｒの充填時間）と重なる、すなわち隠れるため、インプリント処理全体の処理時間を短縮させることができる。これにより、インプリント装置１は、スループットを向上させることができる。さらに、本実施形態では、制御部７は、塗布工程後に押し付け位置にショットを移動させる際、その前に処理対象であったショットに対してアライメント処理を実施した際のショット位置を基準としてウエハＷを移動させる。これにより、アライメントスコープ１９は、移動先の位置が正確に認識されていなくても、正確な位置に近い場所に位置を設定することができる。したがって、インプリント装置１は、この位置の設定も短時間で実施することができるので、さらにスループットを向上させることができる。

以上のように、本実施形態によれば、スループットの向上に有利なインプリント方法を提供することができる。

なお、上記実施形態では、制御部７は、インプリント処理が直前に済んでいるショットを基準として次のショットの押し付け動作を開始する。ここで、例えば、図４に示す例のようにショットＳ１の次にショットＳ２に対してインプリント処理を行う場合、２つの領域１９ｃ´、１９ｄ´は変化しない。すなわち、制御部７は、他の２つの領域１９ａ´、１９ｂ´に対応する２つのアライメントスコープ１９を移動させることになる。したがって、その間は、領域１９ａ´、１９ｂ´に対応するアライメントスコープ１９は使用することはできないが、領域１９ｃ´、１９ｄ´に対応するアライメントスコープ１９は使用可能である。このように、制御部７は、直前にインプリントを行ったショットの全ての位置を基準として押し付け動作を開始するとは限らず、移動しないアライメントスコープ１９を使用してアライメント処理を行い、押し付け動作を開始してもよい。そして、制御部７は、全てのアライメントスコープ１９の移動が完了した後、ステップＳ１０８にてダイバイダイアライメントを行えばよい。

さらに、上記実施形態では、制御部７は、インプリントサイクル中の樹脂Ｒの塗布工程（ステップＳ１０４）の前にアライメントスコープ１９の移動が必要かどうかを判断し、必要であれば、アライメントスコープ１９の移動を実施させた。しかしながら、制御部７は、形状差がトレランス以下になった後、および充填が完了した後に、次のショットの形状からアライメントスコープ１９の移動が必要かどうかを判断してもよい。制御部７は、このアライメントスコープ１９の移動を前倒しすることによって、アライメントスコープ１９の移動が完了するタイミングも早くなり、ウエハＷ上の全てのショットに対してインプリント処理を行う総処理時間をさらに短縮させることができる。

（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

Ｍ モールド
Ｗ ウエハ
Ｒ インプリント材
ＡＭＭ アライメントマーク
ＡＭＷ アライメントマーク
６ アライメント検出系

Claims (9)

1. 基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記基板上のショット領域に形成されたアライメントマークを検出する検出器の位置を変更する工程と、
   前記型と前記ショット領域上の前記インプリント材とを接触させる工程と、
   前記検出器の位置を変更する工程にて前記検出器の位置の変更が完了した後、前記検出器を用いて前記アライメントマークを検出する工程と、を含み、
   前記接触させる工程は、前記検出器の位置の変更が完了する前に開始されることを特徴とするインプリント方法。
2. 前記接触させる工程は、前記インプリント材のパターンが形成された他のショット領域に対して前記アライメントマークを検出した検出結果に基づいて開始されることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記インプリント方法は、前記基板上に形成された複数のショット領域に前記インプリント材のパターンの形成を繰り返し、
   前記検出器の位置を変更する工程は、前記基板上にパターンを形成するショット領域よりも前のショット領域にパターンを形成したときの前記検出器の位置から変更することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
4. 前記アライメントマークを検出する検出器に、位置が変更される前記検出器と、位置が変更されない前記検出器とがある場合に、
   前記位置が変更されない前記検出器が、前記アライメントマークを検出した後に、前記型を前記インプリント材に接触させる工程を開始し、
   前記位置が変更される前記検出器の位置の変更が完了した後、変更された前記検出器が前記アライメントマークを検出する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
5. 前記接触させる工程が完了した後に、前記インプリント材を硬化させる工程と、
   前記型と前記インプリント材とを引き離す工程と、
   前記型に形成されたパターンの形状と前記ショット領域の形状とを合わせる工程、または、前記型と前記基板とを位置合わせする工程の少なくとも一方が完了した後、前記引き離す工程の前に、次にパターンを形成するショット領域に形成されたアライメントマークを検出する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
6. 基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記基板上にインプリント材を供給する工程と、
   前記基板上のショット領域に形成されたアライメントマークを検出する検出器の位置を変更する工程と、
   前記型と前記ショット領域上の前記インプリント材とを接触させる工程と、
   前記検出器の位置を変更する工程にて前記検出器の位置の変更が完了した後、前記検出器を用いて前記アライメントマークを検出する工程と、を含み、
   前記検出器の位置を変更する工程が行われている際に、前記インプリント材を供給する工程が行われることを特徴とするインプリント方法。
7. 基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記基板上に形成されたアライメントマークを検出する検出器と、
   制御部を備え、
   前記制御部は前記検出器の位置を変更させ、前記位置の変更が完了する前に、前記基板上のインプリント材と前記型を接触させる
   ことを特徴とするインプリント装置。
8. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載のインプリント方法、または請求項７に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程
   を含むことを特徴とする物品の製造方法。
9. 請求項８に記載の物品の製造方法であって、前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程をさらに含むことを特徴とする物品の製造方法。

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