JP6002101B2 - サセプタ - Google Patents
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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Description
実施形態に係るサセプタは、ウェハが載置される上面と、前記上面の反対側に設けられる下面とを有しており、鉛直方向に沿って延びるスピンドルを中心として回転するように構成される。前記下面には、前記スピンドルを受け入れる凹部である軸受けが設けられる。前記軸受けは、前記下面から前記上面に向けて先細りのテーパ形状を有する。前記軸受けの側壁には、前記鉛直方向に対して垂直な水平方向において、前記軸受けと前記スピンドルとの嵌合面よりも前記軸受けの外側に空隙が設けられている。
(サセプタの構成)
以下において、第1実施形態に係るサセプタについて説明する。図1及び図2は、第1実施形態に係るサセプタ10を示す図である。図1は、サセプタ10の主面(上面)を示す図である。図2は、サセプタ10の断面(A−A断面)の一部を模式的に示す図である。
第1実施形態では、軸受け12は、下面10Bから上面10Aに向けて先細りのテーパ形状を有する。従って、サセプタ10の軸受け12とスピンドル20との嵌合力の低下を抑制することができる。一方で、軸受け12の側壁12Aには、水平方向において軸受け12とスピンドル20との嵌合面12Xよりも軸受け12の外側に張り出す空隙12Bが設けられている。従って、軸受け12とスピンドル20との接触面積が小さくなり、サセプタ10からスピンドル20への熱の伝達が抑制され、軸受け12の近傍におけるサセプタ10の温度低下を抑制することができる。
以下において、第1実施形態の変更例1について説明する。以下においては、第1実施形態に対する相違点について主として説明する。
以下において、第1実施形態の変更例2について説明する。以下においては、第1実施形態に対する相違点について主として説明する。
以下において、第1実施形態の変更例3について説明する。以下においては、第1実施形態に対する相違点について主として説明する。
本発明は上述した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Claims (4)
- ウェハが載置される上面と、前記上面の反対側に設けられる下面とを有しており、鉛直方向に沿って延びるスピンドルを中心として回転するように構成されたサセプタであって、
前記下面には、前記スピンドルを受け入れる凹部である軸受けが設けられており、
前記軸受けは、前記下面から前記上面に向けて先細りのテーパ形状を有しており、
前記軸受けの側壁には、前記鉛直方向に対して垂直な水平方向において、前記軸受けと前記スピンドルとの嵌合面よりも前記軸受けの外側に空隙が設けられており、
前記軸受けと前記スピンドルとの前記嵌合面は、前記スピンドルの側面のうち、前記軸受け内に挿入される部分の面積に対して80%以上であることを特徴とするサセプタ。 - 前記空隙は、前記水平方向において前記軸受けの最下端に設けられる開口部分よりも前記軸受けの外側に張り出していることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記軸受けの底面は、下側に突出する凸形状を有することを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記軸受けの底面は、上側に窪む凹形状を有することを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
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