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JP5861551B2 - 磁気センサ装置 - Google Patents

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JP5861551B2
JP5861551B2 JP2012088501A JP2012088501A JP5861551B2 JP 5861551 B2 JP5861551 B2 JP 5861551B2 JP 2012088501 A JP2012088501 A JP 2012088501A JP 2012088501 A JP2012088501 A JP 2012088501A JP 5861551 B2 JP5861551 B2 JP 5861551B2
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智和 尾込
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賢司 下畑
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Description

この発明は、紙幣等の紙葉状媒体上に形成された微小磁性パターンを検出する磁気センサ装置に関する。
特開2008−145379号公報(特許文献1参照)には、永久磁石による検出用磁界が同時に付与する強磁性体薄膜磁気抵抗素子の感磁方向のバイアス磁界強度が飽和磁界以下の磁束量となるように永久磁石の位置を調整して配置した磁気センサが開示されている。
特開2008−145379号公報
しかしながら、特許文献1に記載の磁気センサでは、強磁性体薄膜磁気抵抗素子の感磁方向のバイアス磁界強度が飽和磁界以下の磁束量となるような永久磁石の具体的配置方法が開示されていない。また、強磁性体薄膜磁気抵抗素子は、感磁方向の磁界強度の変化が大きい領域に配置されており、最適なバイアス磁界が得られる範囲は狭く、調整が困難である問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされたものであり、磁気抵抗効果素子の感磁方向の磁場分布の勾配が小さく、磁気抵抗効果素子の設置可能領域が大きい磁気センサ装置を得る。
本発明に係る磁気センサ装置は、被検知物が搬送される搬送路と、
この搬送路の前記被検知物の搬送方向の一方の面に、前記被検知物から離間して前記被検知物の搬送方向に異なる磁極が交互に配置された磁石と、
この磁石の一方の磁極における前記被検知物の搬送方向に直交する側面に接合された第1のヨークと、
前記磁石の他方の磁極における前記被検知物の搬送方向に直交する側面に接合された第2のヨークと、
前記搬送路の前記被検知物の搬送方向の他方の面に、前記磁石に対向し、前記被検知物から離間して設けられた磁性体板と、
この磁性体板と前記被検知物との間に、前記被検知物から離間して設けられた磁気抵抗効果素子とを備え、
この磁気抵抗効果素子は、前記磁石と前記第1のヨークとの接合面よりも前記磁石の外側へ配置され、
前記磁性体板は、前記磁気抵抗効果素子が配置された方向の端部が、前記第1のヨークの外側へ延在しているものである。
本発明に依れば、磁性体キャリアを磁石とヨークとで構成される磁場発生手段から外側に延在したので、被検知物の搬送方向の磁場分布の変化を小さくし、磁気抵抗素子の設置可能領域が大きくなり、磁気抵抗効果素子の設置位置の自由度が増す効果がある。
本発明の実施の形態1における磁気センサ装置の被検出体(被検知物)の搬送方向から見た断面図である。 本発明の実施の形態1における磁気センサ装置の被検出体の挿排出方向から見た断面図である。 本発明の実施の形態1に関する磁気回路を構成する部品の配置を示す図である。 図3の構成における磁力線の分布を示している図である。 磁気抵抗効果素子への印加磁束密度と磁気抵抗効果素子の抵抗値の関係を示す図である。 図3の配置の場合のBxの分布を示す図である。 本発明の実施の形態2に関する磁気回路を構成する部品の配置を示す図である。 図7の配置の場合の磁力線分布図である。 図7の配置の場合のBxの分布を示す図である。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1における磁気センサ装置の被検出体(被検知物)の搬送方向から見た断面図である。図2は、本発明の実施の形態1における磁気センサ装置の被検出体の挿排出方向から見た断面図である。図1及び図2において、筐体1は内部に中空部2を有し、筐体1の一方の側面(側壁)に読取り幅(被検出体の搬送方向と直交する方向)に亘って第1のスリット部3を備え、他方の側面(側壁)に第1のスリット部3に平行に第2のスリット部4を備え、中空部2を介して第1のスリット部3と第2のスリット部4とが接続されており、例えば、被検出体である磁性パターンを含んだ紙幣5は第1のスリット部3から挿入され、中空部2を搬送経路として搬送され、第2のスリット部4から排出される。
中空部2における搬送方向の一方の面に搬送方向の両側面に磁界均一性を向上するための一対のヨーク7(7a、7b)が配置された搬送方向に沿ってS極N極を有する磁石6が筐体1に紙幣5から離間して設置され、対向する他方の面に磁性体キャリア8が筐体1に紙幣5から離間して設置されている。磁性体キャリア8は、搬送方向に沿ってヨーク7a、7bより外側へ延在している。
磁性体キャリア8の搬送路側表面に、紙幣5から離間して、非磁性体のキャリア15とガラスエポキシ等の樹脂で形成された基板9が設けられ、この非磁性体キャリア15に磁気抵抗効果素子10が実装されている。この磁気抵抗効果素子10はシリコンやガラス等の基板表面に抵抗体を備え、この抵抗体に流れる電流の方向に直交する磁界の変化に対応して抵抗値が変化する特性を有している。尚、磁性体キャリア8は鉄などの軟磁性体である。
本発明の実施の形態1の動作について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態1に関する磁気回路を構成する部品の配置を示す図であり、図1において動作の説明に必要な構成要素のみを抜き出したものであり、他は省略している。磁気抵抗効果素子10は、磁性体キャリア8から非磁性体のキャリア15の厚み分だけ離れており、この厚さは例えば0.4mm程度である。
図4は、図3の構成における磁力線の分布を示している。ヨーク7a、7bから密集して磁性体キャリア8に磁力線が分布している。破線6は磁性体キャリア8から0.4mm離れた位置を示しており、磁気抵抗効果素子10はこの破線30上においてヨーク7aと磁石6との接合部よりも磁石6の外側の位置に設置される。
磁気抵抗効果素子10は、破線30上においてヨーク7aと磁石6との接合部よりも磁石6の外側の位置に配置され、磁石6、ヨーク7a、7b、磁性体キャリア8で形成される磁場中に置かれている。ここに、紙幣5などの被検知物に塗布された磁性体材料を含むインクがこの磁場を通過すると、磁場分布が変化し、磁気抵抗素子に印加されている磁場が変化するため、これを抵抗の変化として電気的に検知することができる。
図5は、磁気抵抗効果素子10への印加磁束密度と磁気抵抗効果素子10の抵抗値の関係を示す図である。図5において、磁気抵抗効果素子10は、磁束密度0の状態から磁束密度を大きく、あるいは小さくすると抵抗値が変化し、ある値以上あるいは以下の磁束密度に達すると抵抗値はほぼ一定に落ち着く。この状態を飽和と呼ぶ。磁気抵抗効果素子が飽和の状態に達する磁束密度の大きさに対し、この磁気抵抗効果素子を使用して測定しようとする磁束密度の変化が小さい場合は、例えば図5の一点鎖線40で示す大きさの直流の磁束密度を与えておけば、測定しようとする磁束密度の変化による抵抗の変化が大きくなり、大きな電気信号を得ることが可能となる。この一点鎖線40で示した磁束密度をバイアス磁場と呼ぶ。
図4で示される磁場分布からも分かるように、磁力線20は磁性体キャリア8に対しては垂直に入射するため、磁性体キャリア8から僅かに離れた場所にある磁気抵抗効果素子10では、磁束密度のx軸方向成分(以下ではBxと書く。)はごく小さくなる。磁気抵抗効果素子10に必要なBxのバイアス磁場は小さいので、磁性体キャリア8から0.4mm程度の場所に磁気抵抗効果素子10を設置することで適切なBxのバイアス磁場が得られる。磁気抵抗効果素子10に与えるべきバイアス磁場は絶対値で例えば2±0.5mT程度が適切である。
図6は、図4における破線30上のBxの分布を示す図であり、図3において、A=10mm、P=2.3mm、B=19mm、Q=1mm、C=3.2mm、G=4.9mmとしたときのBxの分布である。図6において、横軸は磁性体キャリア8の左端をx=0とした距離、50はBx分布を示す曲線、51は−2±0.5mTを示す範囲、52は磁気抵抗効果素子10を設置可能な領域を示している。
図6において、Bx分布の曲線において、Bx=−2mTになる箇所付近では、Bxの勾配が小さく、磁気抵抗効果素子10の設置可能範囲は0.5mmくらいの大きさとなる。
このように、磁性体キャリア8のx方向の長さをヨーク7(7a)から外側に延在することにより、Bxの勾配が小さくなり、磁気抵抗効果素子10の設置位置の自由度が増す効果がある。
なお、N極、S極の並びは図1、図3と逆になっても良い。
実施の形態2.
次に実施の形態2を、図7用いて説明する。図7は、本発明の実施の形態2に関する磁気回路を構成する部品の配置を示す図であり、図7の構成部品は、本実施の形態1の場合と同じであるが、磁性体キャリア8の幅が実施の形態1の時より小さくなっており、ヨーク7a側はヨーク7aから外側に延在しているが、ヨーク7b側はヨーク7bよりも磁石6側に短くなっており、磁性体キャリア3の左右の中心60と、磁石6の左右の中心61が一致しない状態で配置されている。
このような場合の磁力線の分布を図8に示す。鉄板から0.4mm離れた位置(破線62で示す。)のBx分布は図9のようになる。図9は、図7において、C=3.2mm、D=2.8mmとしたときのBxの分布である。図9において、横軸は磁性体キャリア8の左端をx=0とした距離、50はBx分布を示す曲線、51は−2±0.5mTを示す範囲、52は磁気抵抗効果素子10を設置可能な領域を示している。
図9から、本発明の実施の形態2においても磁束密度の勾配を小さくできることが分かる。その結果、Bxの勾配が小さくなり、磁気抵抗効果素子10の設置位置の自由度が増す効果がある。
さらに、使用する鉄板などの磁性体キャリア8を小さくできるので、小型化や低コスト化に寄与する。
1 筐体
2 中空部
3 第1のスリット部
4 第2のスリット部
5 被検知物(紙幣)
6 磁石
7、7a、7b ヨーク
8 磁性体キャリア
9 基板
10 異方性磁気抵抗効果素子
11 金属ワイヤ(電気接続手段)
12 処理回路
13 電気シールド板
14 ケーブル
15 非磁性体キャリア
20 磁力線
30 破線
40 一点鎖線
50 Bx分布を示す曲線
51 −2±0.5mTを示す範囲
52 磁気抵抗素子を設置可能な領域
60 鉄板の中心
61 永久磁石の中心
62 破線

Claims (1)

  1. 被検知物が搬送される搬送路と、
    この搬送路の前記被検知物の搬送方向の一方の面に、前記被検知物から離間して前記被検知物の搬送方向に異なる磁極が交互に配置された磁石と、
    この磁石の一方の磁極における前記被検知物の搬送方向に直交する側面に接合された第1のヨークと、
    前記磁石の他方の磁極における前記被検知物の搬送方向に直交する側面に接合された第2のヨークと、
    前記搬送路の前記被検知物の搬送方向の他方の面に、前記磁石に対向し、前記被検知物から離間して設けられた磁性体板と、
    この磁性体板と前記被検知物との間に、前記被検知物から離間して設けられた磁気抵抗効果素子とを備え、
    この磁気抵抗効果素子は、前記磁石と前記第1のヨークとの接合面よりも前記磁石の外側へ配置され、
    前記磁性体板は、前記磁気抵抗効果素子が配置された方向の端部が、前記第1のヨークの外側へ延在している磁気センサ装置。
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