JP5622215B2 - 周期構造を有するマイクロプレート、並びに、それを用いた表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡、蛍光マイクロプレートリーダーおよび特異的な抗原抗体反応の検出方法 - Google Patents
周期構造を有するマイクロプレート、並びに、それを用いた表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡、蛍光マイクロプレートリーダーおよび特異的な抗原抗体反応の検出方法 Download PDFInfo
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Description
また、マイクロプレート界面の表面プラズモン共鳴光は入射光強度の100倍以上に増強されるので、高出力のレーザーを用いる必要がなく、ランプ光源でも既存のエピ蛍光顕微鏡よりも100倍程度明るい蛍光を観測することができる。
落射型正立顕微鏡の場合、照明光の入射方向がIN1であり、観測方向がTである
落射型倒立顕微鏡の場合、照明光の入射方向がIN2であり、観測方向がBである。
透過型正立顕微鏡の場合、照明光の入射方向がIN2であり、観測方向がTである。
透過型倒立顕微鏡の場合、照明光の入射方向がIN1であり、観測方向がBである。
本発明はこれら全てを対象とするが、以下では、説明を簡潔にするために、適宜これらの一部について説明する。
基板1:周期が480nm、溝部の深さが31nm、デューティ比が0.4
基板2:周期が480nm、溝部の深さが39nm、デューティ比が0.54
ここで、ベース基板表面の周期構造は、断面形状が図10に示した矩形状である。デューティ比は、周期に対する凸部の長さの割合をM%、周期に対する凹部の長さの割合をV%として、M/(M+V)である。
i) 図14のように表面がほぼ垂直なスロープ(傾斜角度αが90度)をもつ周期構造では、表面プラズモン共鳴はデューティ比に敏感に依存し、プラズモン共鳴場が発生する条件が制限されるが、図12のような表面にスロープ(高さ10〜50nm、且つSL=40〜100nm、即ち傾斜角度αが6〜50度)のある構造では、表面プラズモン共鳴発生のデューティ比への依存度が小さく、限られた一部の条件でプラズモン共鳴が発生しないことが分かった。特にスロープの傾斜が緩い程、表面プラズモン共鳴のデューティ比への依存度は小さくなる。
ii) 金属層表面にスロープをもたせた構造にすることで、表面プラズモン共鳴の溝部の深さへの依存度も軽減される。
iii) 表面プラズモン共鳴は周期にはあまり依存しない。
金属層表面にスロープが無く垂直な段差が形成されている(α=90°)場合、ベース基板の凹部の深さをd(nm)として、
d=10±5(5以上15未満)、且つ、15≦M<45、45<M<85、若しくは85<M<100、
d=20±5(15以上25未満)、且つ、10≦M<100、
d=30±5(25以上35未満)、且つ、10≦M≦40、60≦M≦70、若しくは75≦M≦95、
d=40±5(35以上45未満)、且つ、0<M≦40、45≦M≦55、若しくは60≦M≦70
である。
金属層表面がスロープを有し(α<90°)、SL=10±5の場合(ベース基板はα=90°)、ベース基板の凹部の深さをd(nm)として、
d=10±5(5nm以上15nm未満、即ちαが約12度)、且つ、0<M<70、または70<M<100
d=20±5(15nm以上25nm未満、即ちαが約23度)、且つ、0<M<80、または80<M<100
d=30±5(25nm以上35nm未満、即ちαが約32度)、且つ、0<M<60、または60<M<100
d=30±5(35nm以上55nm未満、即ちαが約40度)、且つ、0<M<60、または60<M<100
である。
(1)メルカプト−ポリエチレングリコール(末端ヒドロキシル基)
(2)メルカプト−ポリエチレングリコールカルボン酸(末端カルボキシル基)
(3)メルカプト−ウンデカノール(末端ヒドロキシル基)
(4)メルカプト−ドデカン(末端メチル基)
(5)メルカプト−アミノウンデカン(末端アミノ基)
(6)メルカプト−ビオチン化ポリエチレングリコール(末端ビオチン)
表面に数μMの蛋白質ストレプトアビジン溶液を注入して、その吸着量を図19に示すようなプリズムカップリング表面プラズモン共鳴法(クレッチマン型)により、評価した。その結果が図16である。
2 本体
3 ステージ
4 マイクロプレート
5、5’ ベース基板
6 金属層
7 消光抑制層
8 周期構造
9 溝部
10 凸部
IN1 消光抑制層側からの光の入射
IN2 ベース基板側からの光の入射
T 消光抑制層側からの蛍光の検出
B ベース基板側からの蛍光の検出
A 試料
Li 照明光
Lp 観測光(プラズモン励起増強蛍光)
L1、L2 入射光
V1 格子の方向
V2、V3 入射光のp偏光成分
V4 入射光のs偏光成分
φ 入射角度
U1、U2 入射平面
Claims (12)
- 蛍光顕微鏡または蛍光マイクロプレートリーダーにおいて、マイクロプレートを用いて、蛍光標識二次抗体を利用して特異的な抗原抗体反応を増強蛍光により検出する方法であって、
前記マイクロプレートが、
表面に周期構造を有するベース基板と、
前記周期構造の上に形成された非透光性の金属層と、
前記金属層の上に形成された消光抑制層とを備え、
前記周期構造が一方向に沿って形成された複数の溝部を備え、前記金属層が表面にスロープを有し、前記金属層が、伝播型の表面プラズモン共鳴光を発生し得る金属で形成され、前記消光抑制層の表面に抗体が吸着あるいは結合されており、
前記方法が、
前記マイクロプレートに光を入射させて、前記表面プラズモン共鳴光によって増強された電場を発生させるステップと、
発生させた前記電場を蛍光分子の励起場として、前記増強蛍光を、前記ベース基板側または前記消光抑制層側のいずれかから検出するステップとを含み、
前記ベース基板側から入射される前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす角度が、前記光が屈曲手段によって屈曲されなくても、前記マイクロプレートに入射可能な角度であり、かつ、前記表面プラズモン共鳴光を発生させて前記増強蛍光を供与する程度に小さい角度であることを特徴とする検出方法。 - 前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす前記角度が、5度から46度の範囲内であることを特徴とする、請求項1に記載の検出方法。
- 前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす前記角度が、5度から25度の範囲内であることを特徴とする、請求項2に記載の検出方法。
- 前記周期構造の周期が10nm以上1μm以下であり、
前記ベース基板の表面の前記周期構造が、矩形の周期構造であり、
前記金属層が、矩形の段差部分に対応する表面に前記スロープを有し、厚さ200nmに形成され、
前記周期に対する前記スロープの長さの割合が10±5%であり、
前記溝部の深さをdnmとし、前記周期に対する山の長さの割合をM%として、
5≦d<15、且つ、0<M<70、若しくは70<M<100、
15≦d<25、且つ、0<M<80、若しくは80<M<100、
25≦d<35、且つ、0<M<60、若しくは60<M<100、または、
35≦d<45、且つ、0<M<60、若しくは60<M<100
であることを特徴とする請求項1に記載の検出方法。 - 観測対象の試料を搭載し、蛍光標識二次抗体を利用して特異的な抗原抗体反応を増強蛍光により検出するためのマイクロプレートを有する蛍光顕微鏡であって、
前記マイクロプレートが、表面に周期構造を有するベース基板と、該ベース基板の前記周期構造の上に形成された非透光性の金属層と、該金属層の上に形成された消光抑制層とを備え、前記周期構造が一方向に沿って形成された複数の溝部を備え、前記金属層が表面にスロープを有し、前記金属層が、伝播型の表面プラズモン共鳴光を発生し得る金属で形成され、前記消光抑制層の表面に抗体が吸着あるいは結合されており、
前記蛍光顕微鏡が、
前記マイクロプレートに光を入射させて、前記表面プラズモン共鳴光によって増強された電場を発生させるステップと、発生させた該電場を蛍光分子の励起場として、前記増強蛍光を、前記ベース基板側または前記消光抑制層側のいずれかから検出するステップとを含む方法により、前記マイクロプレートからの前記増強蛍光を検出し、
前記ベース基板側から入射される前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす角度が、前記光が屈曲手段によって屈曲されなくても、前記マイクロプレートに入射可能な角度であり、かつ、前記表面プラズモン共鳴光を発生させて前記増強蛍光を供与する程度に小さい角度であることを特徴とする表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡。 - 前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす前記角度が、5度から46度の範囲内であることを特徴とする、請求項5に記載の表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡。
- 前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす前記角度が、5度から25度の範囲内であることを特徴とする、請求項6に記載の表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡。
- 前記周期構造の周期が10nm以上1μm以下であり、
前記ベース基板の表面の前記周期構造が、矩形の周期構造であり、
前記金属層が、矩形の段差部分に対応する表面に前記スロープを有し、厚さ200nmに形成され、
前記周期に対する前記スロープの長さの割合が10±5%であり、
前記溝部の深さをdnmとし、前記周期に対する山の長さの割合をM%として、
5≦d<15、且つ、0<M<70、若しくは70<M<100、
15≦d<25、且つ、0<M<80、若しくは80<M<100、
25≦d<35、且つ、0<M<60、若しくは60<M<100、または、
35≦d<45、且つ、0<M<60、若しくは60<M<100
であることを特徴とする請求項5に記載の表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡。 - 観測対象の試料を搭載し、蛍光標識二次抗体を利用して特異的な抗原抗体反応を増強蛍光により検出するためのマイクロプレートを有する蛍光マイクロプレートリーダーであって、
前記マイクロプレートが、表面に周期構造を有するベース基板と、該ベース基板の前記周期構造の上に形成された非透光性の金属層と、該金属層の上に形成された消光抑制層とを備え、前記周期構造が一方向に沿って形成された複数の溝部を備え、前記金属層が表面にスロープを有し、前記金属層が、伝播型の表面プラズモン共鳴光を発生し得る金属で形成され、前記消光抑制層の表面に抗体が吸着あるいは結合されており、
前記蛍光マイクロプレートリーダーが、
前記マイクロプレートに光を入射させて、前記表面プラズモン共鳴光によって増強された電場を発生させるステップと、発生させた該電場を蛍光分子の励起場として、前記増強蛍光を、前記ベース基板側または前記消光抑制層側のいずれかから検出するステップとを含む方法により、前記マイクロプレートからの前記増強蛍光を検出し、
前記ベース基板側から入射される前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす角度が、前記光が屈曲手段によって屈曲されなくても、前記マイクロプレートに入射可能な角度であり、かつ、前記表面プラズモン共鳴光を発生させて前記増強蛍光を供与する程度に小さい角度であることを特徴とする表面プラズモン励起増強蛍光マイクロプレートリーダー。 - 前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす前記角度が、5度から46度の範囲内であることを特徴とする、請求項9に記載の表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡。
- 前記光の入射方向と、前記ベース基板の前記光が入射される平面の垂線とがなす前記角度が、5度から25度の範囲内であることを特徴とする、請求項10に記載の表面プラズモン励起増強蛍光マイクロプレートリーダー。
- 前記周期構造の周期が10nm以上1μm以下であり、
前記ベース基板の表面の前記周期構造が、矩形の周期構造であり、
前記金属層が、矩形の段差部分に対応する表面に前記スロープを有し、厚さ200nmに形成され、
前記周期に対する前記スロープの長さの割合が10±5%であり、
前記溝部の深さをdnmとし、前記周期に対する山の長さの割合をM%として、
5≦d<15、且つ、0<M<70、若しくは70<M<100、
15≦d<25、且つ、0<M<80、若しくは80<M<100、
25≦d<35、且つ、0<M<60、若しくは60<M<100、または、
35≦d<45、且つ、0<M<60、若しくは60<M<100
であることを特徴とする請求項9に記載の表面プラズモン励起増強蛍光マイクロプレートリーダー。
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