JP5672695B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関するものである。

通電により発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）現象を利用した有機ＥＬ装置は表示装置としての利用が拡大している。そして、近年新たな用途として、表裏両面から同時に見るような使用方法が考えられている。かかる用途に対応する両面表示型の有機ＥＬ装置として、例えば特許文献１には、カソードの両側に少なくともＥＬ層を含む発光機能層を形成する態様が提案されている。また、特許文献２には、カソードの一部を透明部材で形成する態様が提案されており、特許文献３には、発光機能層を挟持する電極、すなわちアノードとカソードの双方を透明部材で形成する態様が提案されている。

特開２０００−５８２６０号公報 特開２００１−３３２３９２号公報 特開２００２−２５２０８９号公報

しかしながら、カソードの両側に発光機能層を形成する態様は、製造コストを上昇させ得る。また、カソードとアノードの双方を透明部材で形成することは電極材料の選択の幅を狭めることとなり、発光特性等に影響を及ぼし得る。また、さらに進んだ用途として、複数人が表示装置を挟んで向かい合って、該表示装置と相手の双方を見ながら会議等を行う使用方法も提案されている。かかる用途のためには、表示装置内に透明領域を設ける必要がある。そして、向かい合った複数人が左右反転していない画像を見るためには、該表示装置の一方の側の画像と他方の側の画像が夫々独立して形成される必要がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる表示装置は、第１の基板と第２の基板との一対の基板と該一対の基板間に挟持された発光機能層とを備え、上記第１の基板側に発光を射出する第２の画素が形成された第２の画素領域と上記第２の基板側に発光を射出する第１の画素が形成された第１の画素領域とが規則的に配置された表示装置であって、上記第１の画素は上記発光機能層の第１の基板側に形成された第１画素電極と上記発光機能層の第２の基板側に形成された共通電極と上記発光機能層の第１の基板側に形成された反射層とを備え、上記第２の画素は上記発光機能層の第１の基板側に形成された第２画素電極と上記発光機能層の第２の基板側に形成された共通電極と上記発光機能層の第２の基板側に形成された反射層とを備え、上記第１の基板の上記発光機能層側には上記第１画素電極と上記第２画素電極とを駆動する駆動素子が形成されていることを特徴とする。

このような構成であれば、反射層を２層形成することで、発光機能層内で生じる光を第１の基板側と第２の基板側の双方から射出させることができる。したがって、両面表示装置を、製造コストの増加を抑制しつつ実現できる。

［適用例２］上述の表示装置であって、平面視で上記反射層が形成されておらず、上記第１の基板及び上記第２の基板を介して光が透過可能な透明領域が形成されていることを特徴とする表示装置。

このような構成であれば、表示される画像を見つつ、該表示装置を介して反対側を視認できる。したがって、会議等において画像と相手の双方を視認可能な両面表示装置を実現できる。

［適用例３］上述の表示装置であって、上記透明領域は上記第１画素電極及び上記第２画素電極の双方が形成されていない領域であることを特徴とする表示装置。

このような構成であれば、透明領域において発光機能層が発光することを抑制でき、表示品質を向上できる。

［適用例４］上述の表示装置であって、上記第１の画素領域における上記共通電極及び上記発光機能層は上記第２の画素領域における上記共通電極及び上記発光機能層と同一の層であることを特徴とする表示装置。

このような構成であれば、共通電極の形成工程及び発光機能層の形成工程を増加させることなく、発光を第１の基板側と第２の基板側の双方から射出させることができる。したがって、両面表示装置を製造コストの増加を抑制しつつ実現できる。

［適用例５］上述の表示装置であって、上記第１画素電極と上記第２画素電極との２種類の画素電極の少なくとも一方は夫々が独立に駆動される赤色サブ画素電極と緑色サブ画素電極と青色サブ画素電極との３種類のサブ画素電極を有しており、上記一方の画素電極に対応する画素領域は、平面視で上記赤色サブ画素電極を含み赤色光を射出する赤色サブ画素領域と、平面視で上記緑色サブ画素電極を含み緑色光を射出する緑色サブ画素領域と、平面視で上記青色サブ画素電極を含み青色光を射出する青色サブ画素領域と、の３種類のサブ画素領域に区画されていることを特徴とする表示装置。

このような構成であれば、少なくとも一方の面にカラー画像を表示可能な両面表示装置を、製造コストの増加を抑制しつつ実現できる。

［適用例６］上述の表示装置であって、上記３種類のサブ画素領域における、上記発光機能層の上記反射層側の反対の側には、各々のサブ画素領域から射出される光の色に対応するカラーフィルターが形成されていることを特徴とする表示装置。

このような構成であれば、発光機能層をサブ画素間で共通のものを用いつつ、少なくとも一方の面にカラー画像を表示可能な両面表示装置を実現できる。

［適用例７］上述の表示装置であって、上記３種類のサブ画素電極は、上記発光機能層の上記反射層側の反対の側に半透過反射層を有しており、上記半透過反射層と上記反射層との間に特定の波長範囲の光を共振させる光共振器構造が形成されていることを特徴とする表示装置。

このような構成であれば、発光機能層をサブ画素間で共通のものを用いつつ、少なくとも一方の面にカラー画像を表示可能な両面表示装置を実現できる。

［適用例８］上述の表示装置であって、上記第１画素電極と上記第２画素電極との少なくとも一方は千鳥状に配置されていることを特徴とする表示装置。

このような構成であれば、表示領域内に筋状のムラが発生することを低減でき、表示品質を向上できる。

［適用例９］上述の表示装置であって、上記第１画素電極と上記第２画素電極との少なくとも一方は列状に配置されていることを特徴とする表示装置。

このような構成であれば、第２の基板側に形成される反射層を帯状にでき、マスク成膜を容易に実現できる。

第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の概要を示す斜視図。 有機ＥＬ装置の表示領域内における各領域の配置の態様を示す図。 表示領域内における画素領域の配置を示す図。 第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成図。 第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の表示領域における模式断面図。 第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成図。 第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の表示領域における模式断面図。 第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成図。 第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の表示領域における模式断面図。 第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成図。 第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の表示領域における模式断面図。

以下、本発明にかかる表示装置としての有機ＥＬ装置について、図面を参照しつつ述べる。なお、本発明はＥＬ装置であれば無機ＥＬ材料を用いたＥＬ装置を用いても実現可能であるが、本実施形態においては、ＥＬ材料に有機系のＥＬ材料を用いた有機ＥＬ装置を例にして説明する。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならしめてある。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１、及び後述する各実施形態にかかる有機ＥＬ装置の概要を示す斜視図である。有機ＥＬ装置９１は、上面と下面の双方に平面視でほぼ重なる表示領域１００を有している。左側の眼８０で見ている面が第１の面としての上面３であり、右側の眼８０で見ている面が第２の面としての下面４である。

上面３からは第１の表示光５が射出され、下面４からは該第１の表示光とは異なる表示光である第２の表示光６が射出される。「異なる表示光」とは異なる画像を形成する光ということである。したがって、有機ＥＬ装置９１は該有機ＥＬ装置を介して対向するように位置する２人の観察者に夫々異なる画像を表示できる。ここで、後述する発光機能層１５（図５参照）を透明材料からなる一対の電極で挟持して同一の表示光を表裏両面（上面と下面）から射出した場合、異なる画像は形成できない。すなわち、上述の２人の観察者に図示するような左右方向が正しい画像を表示できず、どちらか一方の観察者に左右が反転した画像を表示してしまう。したがって、少なくとも文字情報は正しく表示できない。

本実施形態の有機ＥＬ装置９１は、後述するように共通の発光機能層１５を用いて表裏両面（上面３と下面４）に夫々異なる画像を表示することで、左右の反転を起こさずに、２人の観察者に共通の画像を表示できる。また、表示領域１００には、透明領域（外光７の一部を透過させることができる領域）が規則的に形成されている。したがって、該有機ＥＬ装置を介して向かい合う２人の観察者は、表示領域１００に形成される画像と共に相手の顔を見ることができる。そのため、会議等において、視線を変更することなく画像（画像情報）を見ながら、いわゆるフェイストゥフェイスの会話を行うことが可能である。

図２（ａ）及び（ｂ）は、有機ＥＬ装置９１、及び後述する各実施形態にかかる有機ＥＬ装置の表示領域１００内における各領域の配置の態様を示す図である。各領域とは、上面に向けて第１の表示光５を射出する第１の画素領域４１、下面に向けて第２の表示光６を射出する第２の画素領域４２、外光７の一部を透過させることができる透明領域４３の３種類の領域である。かかる３種類の領域が、表示領域１００内に規則的に形成されている。

図２（ａ）は、上述の各領域（４１，４２，４３）が夫々列状（図４等におけるＹ方向）に配置された態様を示している。かかる態様の配置は、千鳥状の配置に比べて後述する第２の反射層１４（図５参照）の形成が容易になるという利点を有している。また、同じく後述する第１の反射層１３（図５参照）を、複数の第１の画素領域４１にまたがる帯状に形成できるという利点も有している。さらには、各領域（４１，４２，４３）の面積が異なる場合にも有利である。なお、本図においては縦方向の列状に各領域が配置されているが、横方向の行状（図４等におけるＸ方向）に配置する態様も可能である。

図２（ｂ）は、上述の各領域（４１，４２，４３）が千鳥状に配置された態様を示している。かかる配置によれば、比較的滑らかな画像の表示が可能となる。有機ＥＬ装置９１及び後述する各実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、図２（ａ）に示す列状の配置を採用している。しかし、かかる配置に限定されるものではなく、全ての態様において図２（ｂ）に示す千鳥状の配置も採用可能である。

図３（ａ）〜（ｄ）は、上述の各領域（４１，４２，４３）内がさらに細かく区画された場合を示すものである。主として、後述の第２の実施形態以降の有機ＥＬ装置において、第１の画素領域４１と第２の画素領域４２とが、射出される光の色によりサブ画素領域として区画された場合を示している。図３（ａ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１における上述の各領域（４１，４２，４３）を示している。有機ＥＬ装置９１は白黒表示なので、第１の画素領域４１と第２の画素領域４２の双方ともサブ画素領域を有していない。すなわち、双方の画素領域（４１，４２）は白色光を任意の強度で射出できるが有色光は射出できない。なお、「白色光」とは純粋な白色の光のみではなく、若干の色度を有するが該色度を変更できない単色光も含んだ概念として用いている。

図４は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１の回路構成図である。有機ＥＬ装置９１は、表示領域１００と該表示領域の周辺部に形成された周辺領域（符号無し）とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０３と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の電源線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と電源線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０３で規定される方形の区画毎に、第１の有機ＥＬ画素（以下、「第１の画素」と称する。）３１と第２の有機ＥＬ画素（以下、「第２の画素」と称する。）３２が、上述の図２（ａ）に示す列状に形成されている。なお、以下の記載において、第１の画素３１と第２の画素３２の総称を「有機ＥＬ画素（３１，３２）」と表記する。後述する他の構成要素についても同様である。

第１の画素３１は上述の第１の画素領域４１に対応する画素であり、第１画素電極３５（図５参照）を備える有機ＥＬ素子２９と後述する他の構成要素とで構成されている。第２の画素３２は上述の第２の画素領域４２に対応する画素であり、第２画素電極３６（図５参照）を備える有機ＥＬ素子２９と後述する他の構成要素とで構成されている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１は白黒画像を表示する装置であるため、各画素の射出する光の色に区別は無い。ここで有機ＥＬ画素（３１，３２）とは、有機ＥＬ素子２９等の各要素で構成される機能的な概念である。画素領域（４１，４２）は表示光が射出される領域であり、平面的な概念である。なお、表示領域１００内には上述の透明領域４３も配置されているが、該透明領域は有機ＥＬ素子２９等が形成されていない領域であるため、回路図である本図では図示されていない。

有機ＥＬ装置９１はアクティブマトリクス型の表示装置であり、各々の有機ＥＬ画素（３１，３２）は、走査線１０３を介して走査信号がゲート電極２３（図５参照）に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスター）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画像信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画像信号がゲート電極２３に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子２９（図５参照）等からなる。

周辺領域には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線１０３に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は、信号線１０４に画像信号を供給する。電源線１０６には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。

走査線１０３が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から画素電極に駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２９は駆動電流の大きさに応じて発光して、各々の画素（３１，３２）に対応する画素領域（４１，４２）から表示光（５，６）として射出される。

図５は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１の、表示領域１００（図１及び２参照）における模式断面図である。図示するように、有機ＥＬ装置９１は、素子基板１０と対向基板１１、及びかかる一対の基板間に形成された各要素で構成されている。対向基板１１側、すなわち対向基板１１の後述する各要素が形成されている側の反対側の面が上面（第１の面）３である。素子基板１０側、すなわち素子基板１０の各要素が形成されている側の反対側の面が下面（第２の面）４である。

表示領域１００は、上述したように平面視で上面３から第１の表示光５を射出する第１の画素領域４１と下面４から第２の表示光６を射出する第２の画素領域４２と外光７の少なくとも一部を透過させることができる透明領域４３との計３種類の領域を備えている。そして、第１の画素領域４１には第１の画素３１が形成されており、第２の画素領域４２には第２の画素３２が形成されている。図示するように、第１の画素３１と第２の画素３２との違いは反射層（１３，１４）の、基板面の垂直方向における形成位置である。かかる形成位置の違いにより、表示光（５，６）が射出される方向を変えることができる。なお、上記のように括弧内に符号をカンマで区切って併記する場合、「第１の要素」と「第２の要素」の双方を示している。

透明領域４３は、垂直方向において上記一対の基板と表示領域１００の略全面に形成される各層で構成されており、上述の反射層（１３，１４）等は形成されていない。そして、かかる全面的に形成される各層は透明材料あるいは半透過性材料からなる。また、素子基板１０と対向基板１１はガラス等の透明材料からなる。したがって、透明領域４３は有機ＥＬ装置９１を介して外光７の少なくとも一部を透過させることができる。

なお、透明領域４３では後述する発光機能層１５に通電させる必要がないため、画素電極（３５，３６）は形成されていない。ただし、該画素電極が透明性を有する（後述する）ＩＴＯ等で形成されている場合、同一の材料層が該画素電極とは電気的に独立した態様で形成されていても良い。

以下、有機ＥＬ画素（３１，３２）を構成する各要素について、素子基板１０側から順に述べる。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置９１、及び後述する各実施形態の有機ＥＬ装置は、第１の画素３１と第２の画素３２とで表示光が射出される方向が異なることに特徴がある。そこで、本図では、上述の双方の画素（３１，３２）を構成する要素のうち、有機ＥＬ素子２９と該有機ＥＬ素子を駆動する駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）１１２を示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略している。

ＴＦＴ１１２は、素子基板１０の上層に形成されている。素子基板１０とＴＦＴ１１２との界面に、保護層を別途形成してもよい。なお、「上方」及び「上層」とは、対向基板１１側を意味している。ＴＦＴ１１２は、半導体層２１と、走査線１０３と同一の層をパターニングして形成されたゲート電極２３、及び、半導体層２１とゲート電極２３との間に形成されたゲート絶縁層７０等からなる。半導体層２１のうちゲート電極２３と平面視で重なる領域がチャネル領域２２であり、該チャネル領域の両側にソース領域２５とドレイン領域２６とが形成されている。なお、ゲート電極２３は、素子基板１０側から順にＴｉ（チタン）とＡｌＣｕ（アルミニウム・銅合金）とＴｉＮ（窒化チタン）とが積層された構造を有している。

ＴＦＴ１１２の上層には、窒化シリコン、又は酸化シリコン等の無機絶縁材料とアクリル樹脂等の有機系材料とを積層した層間絶縁層７１が形成されている。ドレイン領域２６には、層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール２７を介して、画素電極（３５，３６）が電気的に接続されている。画素電極（３５，３６）の形成材料は透明性と導電性とが必要であり、かつ、後述する共通電極としての陰極１９よりも仕事関数が高いことが必要である。そのため、有機ＥＬ装置９１では、画素電極（３５，３６）を透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）で形成している。ＩＴＯに代えてＩＺＯ（酸化インジウム・亜鉛合金）を用いてもよい。さらには、金属を含まない透明導電材料であるＰＥＤＯＴを用いてもよい。

第１画素電極３５の下層には、第１の反射層１３と該第１の反射層を覆う保護層２８が形成されている。第１の反射層１３（及び後述する第２の反射層１４）の形成材料は、反射率が高く加工性（パターニング性）に優れた材料が好ましい。したがって、有機ＥＬ装置９１の第１の反射層１３（及び後述する第２の反射層１４）は、Ａｌ（アルミニウム）等で形成されている。第１の反射層１３は厚さが略８０ｎｍであり、全面的に形成したＡｌ層をパターニングして形成されている。

保護層２８は窒化シリコンからなり、第１画素電極３５の形成時に第１の反射層１３を保護する機能を果たしている。また、窒化シリコンは絶縁材料であるため、第１画素電極３５と第１の反射層１３とを電気的に絶縁できる。したがって、第１の反射層１３を窒化シリコンからなる保護層２８で完全に覆う構成であれば、第１の反射層１３を島状ではなく、Ｙ方向（図４参照）に隣り合う第１の画素領域４１間にまたがる帯状に形成することもできる。すなわち、Ｙ方向においては、平面視で第１の反射層１３の形成領域内に島状にパターニングされた第１画素電極３５が配置された態様にできる。

また、Ｘ方向においても、第１の反射層１３の形成領域内に第１画素電極３５が配置された態様にすることができる。すなわち、第１の反射層１３は、コンタクトホール２７の形成領域以外では平面視で第１画素電極３５よりも広く、すなわち平面視で第１画素電極３５を覆うように形成することができる。

なお、第１画素電極３５は透明性が必須ではなく、Ａｇ（銀）等の反射性材料で形成することもできる。かかる場合、第１画素電極３５が第１の反射層１３を兼ねることとなる。そして、保護層２８は不要となる。また、第１の反射層１３（及び後述する第２の反射層１４）は、フォトリソグラフィー法等によりパターニングして形成するのではなく、マスク蒸着等のマスク成膜法で成膜とパターニングを一括して形成しても良い。

画素電極（３５，３６）が形成された素子基板１０の上層には発光機能層１５が全面的に、形成されている。したがって、第１の画素領域４１と第２の画素領域４２との２種類の領域において、発光機能層１５は共通の層である。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１（および後述する各実施形態にかかる有機ＥＬ装置）の製造において、発光機能層の形成工程は１回のみである。

発光機能層１５は総称であり、具体的には素子基板１０側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機ＥＬ層と電子輸送層との計４層が積層されて形成されている。電子輸送層の上層に形成される電子注入層を含めての計５層と考えてもよい。本実施形態の有機ＥＬ装置９１はカラーではなく白黒（モノクロ）の表示装置であるため、有機ＥＬ層は白色光を発光する層である。したがって、発光機能層１５は白色発光機能層である。なお、上述の有機ＥＬ層は、単一の材料からなる層に限定されない。夫々異なる色に発光する層を積層して、全体として白色光を射出できればよい。また、純粋な白色光を射出する必要は無く、若干の色を帯びた光でもよい。

発光機能層１５の上層には、共通電極としての陰極１９が、発光機能層１５と同様に全面的に形成されている。陰極１９と発光機能層１５と画素電極（３５，３６）との積層体が有機ＥＬ素子２９である。ＴＦＴ１１２を介して画素電極（３５，３６）に電圧が印加されると該画素電極と陰極１９との間に発光機能層１５を介して電流が流れ、発光機能層１５に含まれる有機ＥＬ層は電流量に応じて発光する。

上述したように、第１画素電極３５の素子基板１０側には第１の反射層１３が形成されている。したがって、第１の画素領域４１において、発光機能層１５と素子基板１０との間には第１の反射層１３が位置することとなり、該領域において素子基板１０側へ向かう発光は対向基板１１側へと反射される。また、該領域において対向基板１１側へ向かった発光は、そのまま、第１の表示光５として第１の面３側すなわち対向基板１１側から射出される。したがって、第１の画素３１で生じた発光は、全て第１の表示光５として第１の面３側すなわち対向基板１１側から第１の表示光５として射出される。

有機ＥＬ装置９１は白黒表示の有機ＥＬ装置であるため、有機ＥＬ素子２９は共振器構造を要しない。したがって陰極１９は、必ずしも半透過性を有する必要はなく、透明性（透光性）であっても良い。一方で、透明領域４３（図２参照）は外光７の一部を透過させれば良いので、陰極１９は、完全に透明である必要はない。したがって陰極１９は、透明性を有していても良く、半透過性を有していても良い。

また、陰極１９は、電極であるため導電性が必要であり、さらに、電子注入性を確保するために、画素電極（３５，３６）の形成材料よりも仕事関数が低い材料で形成される必要がある。有機ＥＬ装置９１においては、電子注入層としてＡｌを２ｎｍ、ＬｉＦ（フッ化リチウム）を１ｎｍ積層した上に陰極１９としてＩＴＯを積層して、透明性と電子注入性を確保している。

第２の画素領域４２における陰極１９の上層には、第２の反射層１４が形成されている。該第２の反射層は、第１の反射層１３と同じくＡｌからなり、層厚も同様に８０ｎｍである。ただし、形成方法は、下地となる陰極１９にダメージが及ぶことを抑制するためにも、マスク蒸着等のマスク成膜法によることが好ましい。第２の反射層１４は、第１の反射層１３とは異なり電気的に互いに独立している必要が無い。また、平面視でコンタクトホール２７と重なっても問題はない。したがって、本実施形態においてはＹ方向（図４参照）に延在する帯状に形成できる。

第２の反射層１４は、発光機能層１５内で生じた光を素子基板１０側に反射する機能の他に、陰極配線（補助配線）としての機能も果たしている。上述したよう、陰極１９は透明性を発揮させるために極めて薄く形成されている。したがって陰極１９は面抵抗が高く、有機ＥＬ装置の中央近傍では電圧降下のため有機ＥＬ層に流れる電流量が低下する傾向にある。第２の反射層１４は陰極１９の上層に何も介さずに積層されているため、該陰極と電気的に一体化している。

そして、第２の反射層１４は層厚が８０ｎｍと陰極１９の層厚に比べて充分に厚く、かつ表示領域１００内に規則的に形成されている。したがって、第２の反射層１４は透明性を要しない領域において実質的に陰極１９の層厚を増加させて、陰極１９の面抵抗を低下させている。かかる面抵抗の低下により、中央部近傍においてもかかる電圧降下が抑制されるため、有機ＥＬ装置９１は中央部と周辺部とで輝度等の差が少ない品質の向上した画像を表示できる。

第２の画素３２は第２画素電極３６の下層に反射層を有していないため、発光機能層１５内で生じた発光のうち、素子基板１０側へ向かう発光はそのまま第２の面４側から第２の表示光６として射出される。一方、発光機能層１５の上層には第２の反射層１４が位置しているため、対向基板１１側へ向かう発光は該第２の反射層で反射されて、素子基板１０側へ向かい第２の面４側から第２の表示光６として射出される。したがって、第２の画素領域４２で生じる発光の略全ては、第２の面４側から第２の表示光６として射出される。

第２の反射層１４が形成された陰極１９の上層、すなわち陰極１９と対向基板１１との間には、封止層７９が形成されている。封止層７９は、単層であるように図示されているが、実際には陰極１９の上層から順に形成された陰極保護層と有機緩衝層とガスバリア層の計３層からなる積層体と、該積層体と対向基板１１との間に充填された透明性を有する接着材層と、からなる。上述の封止層７９を構成する各層は全て透明材料からなるため、透明領域４３は外光７の少なくとも一部を透過させることができる。したがって、有機ＥＬ装置９１を介して向かい合う二人の人は互いに相手を視認できる。

上述してきたように、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１は、透明領域４３では外光７を少なくとも一部は透過させ、第１の画素領域４１では対向基板１１側に第１の表示光５を射出し、第２の画素領域４２では素子基板１０側に第２の表示光６を射出している。そのため、透明領域では反射層（１３，１４）のような遮光性の層を形成せず、一方画素領域（４１，４２）では反射層（１３，１４）により発光機能層１５内で生じた光を一方の側にのみ射出している。

ここで、画素電極（３５，３６）が形成されている領域では発光機能層１５内で発光が生じるため、反対側へ表示光（５，６）が射出されることを抑制するためには、平面視で画素電極（３５，３６）が反射層（１３，１４）内に含まれる必要がある。しかし、第１の画素領域４１ではコンタクトホール２７の形成領域に第１の反射層１３は形成できない。また、反射層（１３，１４）は外光を反射するため、該反射層が画素電極（３５，３６）と重ならない部分、すなわち平面視で該反射層が該画素電極からはみ出す部分を極端に広く形成すると、表示品質を低下させる可能性もある。

かかる現象を抑制するためには、透明領域４３以外の領域において、平面視で画素電極（３５，３６）を囲む領域に隔壁（不図示）を形成しても良い。上述の領域において画素電極（３５，３６）と発光機能層１５との間に遮光性の絶縁性材料からなる隔壁を形成することで、発光機能層１５の発光が好ましくない側へ射出されることと、外光７が反射されることの双方を抑制でき表示品質を向上できる。

（本実施形態の効果）
上述したように、有機ＥＬ装置９１は、第１の画素３１と第２の画素３２の２種類の画素を有している。双方の画素（３１，３２）は類似した構成を有しており、異なる点は反射層（１３，１４）の形成位置（垂直方向における位置）のみである。

ここで、一般の有機ＥＬ装置においても、表示光を素子基板１０側と対向基板１１側とのどちらか一方の側からのみ射出させるために反射層を形成することが一般的である。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１は、新たに１層の反射層を形成することのみで、第１の面３と第２の面４の双方の面から表示光を射出できる。また、有機ＥＬ装置９１はアクティブマトリクス型の表示装置であるため、隣り合う画素（３１，３２）間で異なる発光を生じさせることができる。したがって、有機ＥＬ装置９１は若干の工程数の増加すなわち製造コストの増加のみで、第１の面３と第２の面４の双方の面から表示光を射出して、双方の面（３，４）の表示領域１００に夫々異なる画像を形成できる。

ここで、上述の異なる画像とは、同一の文字情報を左右反転させたものを含んでいる。有機ＥＬ装置９１のような構成を用いずに、画素電極（３５，３６）と陰極１９の双方を透明材料で形成した場合にも、双方の面の表示領域１００に画像を形成できる。しかし、かかる画像は一方の面を基準とした場合、他方の面では左右が逆転してしまうため、少なくとも文字情報は正しく表示できない。

有機ＥＬ装置９１は、かかる文字情報も左右逆転させずに双方の面の表示領域１００に形成できるため、会議等において複数の人が該有機ＥＬ装置を介して共通の情報を視認しつつ会話を行うことができる。さらに、表示領域１００内に透明領域４３が形成されているため、画像と向かい合う相手の表情等を同時に視認できる。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１を用いることで、文字情報等の画像情報を資料にしつつ行う会議等を効率的に遂行できる。さらに、有機ＥＬ装置９１、及び後述する各実施形態の有機ＥＬ装置（９２，９３，９４）は、デジタルサイネージとして用いる場合においても、双方の面（３，４）に表示できるため死角の無い宣伝表示を行うことができる。

なお、図２及び図３（ａ）においては、表示領域１００内に形成された３種類の領域（４１，４２，４３）の面積比は、略１：１：１となるように図示されている。しかし、該面積比は上述の値に限定されるものではなく、任意に設定可能である。また、相手の顔、表情等を見る必要が無い場合には透明領域４３を形成せずに、第１の画素領域４１と第２の画素領域の２種類の領域のみにすることもできる。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について述べる。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９２は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１と使用の目的及び態様が共通しており、構成も類似している。すなわち、図１に示すように、第１の面３と第２の面４の双方に平面視でほぼ重なる表示領域１００を有しており、該双方の面（３，４）に夫々異なる画像を表示できる。そして、表示領域１００に形成された透明領域４３（図２等参照）により、該有機ＥＬ装置を介して対向する側（すなわち反対側）を視認できる。該透明領域を含む３種類の領域の配置の態様も共通している。すなわち、図２（ａ）に示すような列状の配置が採用されている。

有機ＥＬ装置９２は、白黒表示ではなくカラー表示である点で、第１の実施形態の有機ＥＬ装置９１とは異なっている。したがって、透明領域４３以外の２つの領域は、３原色光のいずれかを射出するサブ画素領域にさらに細かく区画されている。

図３（ｂ）に、有機ＥＬ装置９２における画素領域（４１，４２）内におけるサブ画素領域の配置の態様を示す。図示するように、第１の画素領域４１は、赤色光を射出する領域である第１赤色サブ画素領域５１ｒと緑色光を射出する領域である第１緑色サブ画素領域５１ｇと青色光を射出する領域である第１青色サブ画素領域５１ｂと、の３原色光のいずれかを射出するサブ画素領域に区画されている。

同様に第２の画素領域４２も、赤色光を射出する領域である第２赤色サブ画素領域５２ｒと緑色光を射出する領域である第２緑色サブ画素領域５２ｇと青色光を射出する領域である第２青色サブ画素領域５２ｂと、の３原色光のいずれかを射出するサブ画素領域に区画されている。したがって、双方の画素領域（４１，４２）は、かかる３原色光を任意の比で混合して得られる任意の色の光を射出できる。したがって、有機ＥＬ装置９２は、第１の面３と第２の面４の双方の側の表示領域１００にカラー画像を表示（形成）できる。
なお、以下の記載において、例えば第１サブ画素領域５１（ｒ，ｇ，ｂ）と表記した場合、第１の画素領域４１に図３（ｂ）に示すように含まれる上述の３種類のサブ画素領域を示すものとする。

図６は、有機ＥＬ装置９２の回路構成図である。本図は上述の第１の実施形態における図４に相当する図であり、後述する図７は第１の実施形態における図５に相当する図である。上述したように、有機ＥＬ装置９２は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１と使用の目的等が共通している。構成も、白黒表示ではなくカラー表示である点を除くと類似している。そこで、本図、及び図７においては共通する構成要素には同一の符号を付与し説明の記載は一部省略する。

有機ＥＬ装置９２は、平面視において表示領域１００と該表示領域の周囲を囲む周辺領域に区分される。周辺領域には、走査線駆動回路１２０と信号線駆動回路１３０と、該双方の駆動回路の同期を図る同期信号線１４０が形成されている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０３と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の電源線１０６と、が形成されている。そして、表示領域１００内には、第１の画素３１と第２の画素３２が、上述の図２（ａ）に示す列状に形成されている。なお、上述したように列状ではなく千鳥状に形成することもできる。また、本図は回路図であるため透明領域４３（図２参照）は不図示である点も上述の有機ＥＬ装置９１と同様である。

有機ＥＬ装置９２は、上述の画素領域とサブ画素領域の関係に対応するように、画素（３１，３２）が、３種類のサブ画素で構成されている。すなわち、第１の画素３１は、第１赤色サブ画素３３ｒと第１緑色サブ画素３３ｇと第１青色サブ画素３３ｂとの３種類のサブ画素で構成されている。同様に、第２の画素３２も、第２赤色サブ画素３４ｒと第２緑色サブ画素３４ｇと第２青色サブ画素３４ｂとの３種類のサブ画素で構成されている。かかる各符号に含まれる各小文字のアルファベットは、各サブ画素（３３，３４）に対応する上述の各サブ画素領域（５１，５２）から射出される発光の色を示している。他の構成要素（後述するカラーフィルター等）においても、同様である。

各サブ画素（３３，３４）は、後述するカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）と共振器構造とにより、発光機能層１５内で生じる白色光を、赤色光、緑色光、青色光の３原色光のいずれかの光とした上で、各サブ画素領域（５１，５２）から射出できる。なお、「各サブ画素（３３，３４）」とは上述の６種類のサブ画素の総称であり「各サブ画素領域（５１，５２）」とは上述の６種類のサブ画素領域の総称である。

図示するように、上述の計６種類のサブ画素（３３，３４）はＸ方向が信号線１０４と電源線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０３で規定される方形の区画毎に形成されている。そして、各々のサブ画素（３３，３４）は、有機ＥＬ素子２９とスイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０と駆動用ＴＦＴ１１２とを備えている。そして、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１の各画素（３１，３２）と同様に駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から有機ＥＬ素子２９に駆動電流が流れ、該有機ＥＬ素子は駆動電流の大きさに応じて発光する。したがって、個々の有機ＥＬ素子２９毎に発光量は任意に制御できる。その結果、表示領域１００内にカラー画像が形成される。

図７は、有機ＥＬ装置９２の、表示領域１００における模式断面図である。図示するように有機ＥＬ装置９２の表示領域１００は、第１の面３から第１の表示光５を射出する第１の画素領域４１と第２の面４から第２の表示光６を射出する第２の画素領域４２と透明領域４３の計３種類の領域を含んでいる。そして、上述したように、第１の画素領域４１と第２の画素領域４２はさらに３種類のサブ画素領域を含んでいる。そして、各サブ画素領域（５１，５２）の夫々は、平面視でサブ画素（３３，３４）と１対１に対応している。

すなわち、第１赤色サブ画素領域５１ｒには第１赤色サブ画素３３ｒが対応し、第１緑色サブ画素領域５１ｇには第１緑色サブ画素３３ｇが対応し、第１青色サブ画素領域５１ｂには第１青色サブ画素３３ｂが対応している。同様に、第２赤色サブ画素領域５２ｒには第２赤色サブ画素３４ｒが対応し、第２緑色サブ画素領域５２ｇには第２緑色サブ画素３４ｇが対応し、第２青色サブ画素領域５２ｂには第２青色サブ画素３４ｂが対応している。

上述したように、各サブ画素（３３，３４）は有機ＥＬ装置９１の「画素」と同様な構成を有している。すなわち、（駆動用）ＴＦＴ１１２と有機ＥＬ素子２９と図示を省略したスイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０等で構成されている。したがって、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１と同様に、有機ＥＬ素子２９を構成する一対の電極間に印加する電圧を制御することで、任意の量の光を射出できる。なお、有機ＥＬ素子２９とは、本来は一対の電極（陰極１９と画素電極（３５，３６））と発光機能層１５の積層体であるが、本図では便宜的に反射層（１３，１４）あるいは半透過反射層１２も含めて有機ＥＬ素子２９として示している。また、本図では第１の反射層１３を覆う保護層２８（図５参照）の図示を省略している。

有機ＥＬ装置９２は、各画素電極（３５，３６）も、３種類のサブ画素電極で構成されている。すなわち、第１画素電極３５は、第１赤色サブ画素電極３７ｒと第１緑色サブ画素電極３７ｇと第１青色サブ画素電極３７ｂとで構成されており、第２画素電極３６は、第２赤色サブ画素電極３８ｒと第２緑色サブ画素電極３８ｇと第２青色サブ画素電極３８ｂとで構成されている。

有機ＥＬ装置９２の発光機能層１５は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置９１の発光機能層１５と同様に、白色光を発光する有機ＥＬ層を備える白色発光機能層である。そして、有機ＥＬ装置９２は、かかる白色光から特定の波長範囲の光を強調して有色光とした後に射出することで、カラー表示を可能にしている。そのため、有機ＥＬ装置９１と比べて、以下の点で異なっている。

まず、各々のサブ画素（３３，３４）に対応するカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）が形成されている。次に、陰極１９が、半透過性すなわち略５０％の光透過性を有する材料層で形成されている。そして次に、第２サブ画素３４（ｒ，ｇ，ｂ）における、第２サブ画素電極３８（ｒ，ｇ，ｂ）と素子基板１０の間には、半透過性を有する材料層である半透過反射層１２が形成されている。かかる半透過層（陰極１９又は半透過反射層１２）は、反射層（１３，１４）と組み合わされることで共振器構造を構成している。有機ＥＬ装置９２は、上述の各発光色を該共振器構造とカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）との機能によって得ている。

まず、第２の面４から射出される光について述べる。第２サブ画素３４（ｒ，ｇ，ｂ）は、上述したように第２サブ画素電極３８（ｒ，ｇ，ｂ）と層間絶縁層７１の間に半透過反射層１２を備えており、陰極１９の上層に第２の反射層１４を備えている。そして、第２サブ画素電極３８（ｒ，ｇ，ｂ）と素子基板１０との間にはカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）を備えている。なお、半透過反射層１２は、層厚略１０ｎｍのＡｌあるいはＭｇ・Ａｇ合金からなる。

発光機能層１５の発光のうちの略半分は対向基板１１側へと向かい、第２の反射層１４において反射されて素子基板１０側へ向かう。また、残りの略半分の光は直接素子基板１０側へと向かう。そして、かかる素子基板１０側へと向かった光の略５０％は半透過反射層１２、及び後述するカラーフィルター７５を透過して第２の面４から射出される。残りの略５０％の光は半透過反射層１２で反射されて対向基板１１側へ向かう。そして第２の反射層１４で反射されて再度半透過反射層１２側に向かう。発光機能層１５で発光した光が半透過反射層１２と第２の反射層１４との間で反射を繰り返すことが共振であり、その結果として、半透過反射層１２と第２の反射層１４との間の距離によって定まる特定の波長範囲の光が強調される。

上述の半透過反射層１２と第２の反射層１４との間の距離が共振長である。有機ＥＬ装置９２では、第２画素電極３６の厚さ、すなわちＩＴＯ層の厚さを第２サブ画素電極３８（ｒ，ｇ，ｂ）毎に変化させることで、各第２サブ画素３４（ｒ，ｇ，ｂ）の射出光の波長に合わせた共振長を形成している。したがって、半透過反射層１２を透過してくる光は、第２赤色サブ画素３４ｒにおいては赤色光が強調され、第２緑色サブ画素３４ｇにおいては緑色光が強調され、第２青色サブ画素３４ｂにおいては青色光が強調されている。

カラーフィルター７５は有色透明の樹脂層であり、特定の波長範囲の光を他の波長範囲の光に比べて高い比率で透過させることで、該特定の波長範囲の光を強調して色純度を向上させる機能を有している。具体的には、赤色カラーフィルター７５ｒは赤色光に相当する波長範囲の光を高い比率で透過させ、緑色カラーフィルター７５ｇは緑色光に相当する波長範囲の光を高い比率で透過させ、青色カラーフィルター７５ｂは青色光に相当する波長範囲の光を高い比率で透過させる機能を有している。上述の共振器構造で特定の波長範囲の光が強調された光は、該カラーフィルターによりさらに色純度が向上した光となって、第２の面４から射出される。

上述の共振器構造と該カラーフィルターにより、第２サブ画素３４（ｒ，ｇ，ｂ）は３原色光のいずれかの波長範囲の光を射出できる。したがって、かかるサブ画素を備える第２の画素３２は、３原色光を任意の比率で混合して得られる任意の色（色度）の光を、第２の表示光６として第２の面４から射出できる。したがって有機ＥＬ装置９２は、第２の面４側にカラー画像を形成できる。

次に、第１の面３から射出される光について述べる。第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）は、第１サブ画素電極３７（ｒ，ｇ，ｂ）と層間絶縁層７１との間に（図示しない保護層を介して）第１の反射層１３を備えている。そして上述したように、陰極１９は半透過性を有する材料層で形成されている。したがって、第１の反射層１３と陰極１９との間に共振器構造が形成されている。該共振器構造の共振長は、第２の画素３２における共振長と同様に、各第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）の射出光の波長に合わせた厚さに設定されている。なお、陰極１９の形成材料は半透過反射層１２と同様に、層厚略１０ｎｍのＡｌあるいはＭｇ・Ａｇ合金を用いることができる。

そして、第１の画素領域４１における対向基板１１の封止層７９側には、カラーフィルター層７６が形成されている。なおカラーフィルター層７６は、各発光色に対応するカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）と隣り合う該カラーフィルター間を遮光するブラックマトリクス７５ｋと該カラーフィルターを保護するオーバーコート層７７と、からなる。上述の共振器構造により特定の波長範囲の光が強調された光は、該カラーフィルター層によりさらに色純度が向上した光（有色光）となる。したがって、上述の共振器構造とカラーフィルター層７６とにより、第１の画素３１を構成する３種類の第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）は、３原色光のいずれかを第１の表示光５として第１の面３側から射出できる。したがって有機ＥＬ装置９２は、第１の面３にカラー画像を形成できる。

以上述べたように、有機ＥＬ装置９２は、両面すなわち第１の面３と第２の面４の双方の面にカラー画像を形成できる。また、透明領域４３は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１の該領域と同様に、外光７の一部を透過させることができる。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９２を会議等に用いる場合、向かい合う二人の人は、該有機ＥＬ装置を介して互いに相手を視認しつつ、夫々が必要とするカラー画像を見ることができる。
なお、上述の半透過層の、光を透過させる比率は略５０％に限定されるものではない。色純度の向上はカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）により一層依存することで、半透過層の透過率は増加させてもよい。

本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９２においても、反対側への表示光（５，６）の射出、すなわち第１の画素領域４１において下面４側に光が射出されること、及び第２の画素領域４２において上面３側に光が射出されることを抑制する必要がある点は、上述の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１と同様である。また、外光７の反射を抑制する必要がある点も同様である。有機ＥＬ装置９２はカラーフィルター層７６にブラックマトリクス７５ｋを備えているため、第１の画素領域４１ではかかる現象を抑制できるが第２の画素領域４２では問題となり得る。

かかる現象を抑制するために、有機ＥＬ装置９１と同様に、平面視で画素電極（３５，３６）が反射層（１３，１４）内に含まれるように形成することが好ましい。また隔壁の形成も、上述の現象を抑制するためには有効であるのも同様である。平面視で画素電極（３５，３６）を囲む遮光性の絶縁性材料からなる隔壁を画素電極（３５，３６）と発光機能層１５との間に形成することで、発光機能層１５の発光が好ましくない側へ射出されることと、外光７が反射されることの双方を抑制できる。また、双方の基板（１０，１１）の裏面、すなわち封止層７９側の反対側の面の所定の領域に遮光層を形成しても良い。第１の画素領域４１においては素子基板１０の裏面に遮光層を形成し、第２の画素領域４２においては対向基板１１の裏面に遮光層を形成すれば、外光７の反射を抑制して表示品質を向上できる。

（本実施形態の効果）
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９２は、第１の面３側に発光（表示光）を射出する第１の画素３１と、第２の面４側に発光（表示光）を射出する第２の画素３２と、を備えている。かかる２種類の画素を表示領域１００内に形成することで、双方の面に夫々異なる画像を形成できる。上述の双方の画素は、画素電極（３５，３６）、ＴＦＴ１１２をはじめとする駆動用の素子、及び発光機能層１５等の構成要素が共通している。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置９２は、従来の（一般の）カラー表示可能な有機ＥＬ装置に半透過層（１２か１９のいずれか）とカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）と反射層（１３，１４）とが新たに追加されて構成されている。すなわち、かかる構成要素の追加で第１の面３と第２の面４の双方の面から表示光を射出してそれぞれ異なる画像を形成することを可能にしている。また、本実施形態の有機ＥＬ装置９２は透明領域４３を有しているため、該有機ＥＬ装置を介して互いに視認することを可能にしている。したがって、会議等において有機ＥＬ装置９２を用いた場合、複数の人が共通のカラー画像と相手の双方を視認しつつ会話を行うことができる。

ここで、上述の効果は（透明領域４３も含めて）２台（２つ）の有機ＥＬ装置を貼り合せても得ることができる。しかし、そのような構成の装置は発光機能層１５等の構成要素を全て２組形成することが必要であり、コストの点で問題がある。本実施形態の有機ＥＬ装置９２は、わずかな工程の追加で上述の効果を得ることができる点に特徴がある。なお、表示領域１００内に形成された３種類の領域（４１，４２，４３）の面積比が１：１：１に限定されるものではなく任意に設定可能である点は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１と同様である。ただし、第１の画素領域４１と第２の画素領域４２とにおけるサブ画素領域の比は限定される。透明領域４３を備えない構成も可能である点も、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９１と同様である。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について述べる。第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９３は、上述の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置と同様の両面表示型の有機ＥＬ装置である。透明領域４３を有している点も共通している。異なる点は、一方の面（一方の側）ではカラー画像を表示して、他方の面（他方の側）では白黒画像を表示する点である。したがって、有機ＥＬ装置９１と有機ＥＬ装置９２の双方と使用の目的及び態様が共通しており、構成も類似している。そこで、以下の記載において、上述の各有機ＥＬ装置（９１，９２）の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与して、説明の記載は一部省略する。

図３（ｃ）は、有機ＥＬ装置９３の表示領域１００内における画素領域の配置の態様を示す図である。図示するように、第１の面３（後述する図９参照）側に表示光を射出する第１の画素領域４１は３種類の第１サブ画素領域５１（ｒ，ｇ，ｂ）で構成されている。一方、第２の面４（後述する図９参照）側に表示光を射出する第２の画素領域４２はサブ画素領域を有しておらず、上述３種類の第１サブ画素領域５１に対応する領域が夫々第２の画素領域４２となっている。そして、第１の画素領域４１と第２の画素領域４２との間には外光の少なくとも一部を透過させる透明領域４３が形成されている。上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（９１，９２）と同様に、隣り合う各サブ画素領域（ｒ，ｇ，ｂ）の間、及び各領域（４１，４２，４３）間は、外光７（図９等参照）を透過させ得る。

図８は、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９３の回路構成図である。上述の第１の実施形態における図４に相当する図であり、該図４と同様に透明領域４３（図２参照）は図示を省略している。図示するように、第１の画素３１は、第１赤色サブ画素３３ｒと第１緑色サブ画素３３ｇと第１青色サブ画素３３ｂとからなる。上述の図３（ｃ）と対応させた場合、第１赤色サブ画素領域５１ｒには第１赤色サブ画素３３ｒが対応し、第１緑色サブ画素領域５１ｇには第１緑色サブ画素３３ｇが対応し、第１青色サブ画素領域５１ｂには第１青色サブ画素３３ｂが対応している。そして、行方向に一列に配置された３つの第２の画素領域４２には、夫々第２の画素３２が対応している。

上述の各第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）及び第２の画素３２の双方は、有機ＥＬ素子２９とＴＦＴ１１２と保持容量１１０とスイッチング用ＴＦＴ１０８とを備えている。したがって、第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）と第２の画素３２は略同様の構成を有している。上述の各画素（３１，３２）及び上述の各第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）は、上述の有機ＥＬ装置９１及び有機ＥＬ装置９２と同様に列状に配置されている。すなわち、Ｙ方向に同一の画素（３１，３２）及び同一の第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）が配置されている。

図９は、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９３の、表示領域１００における模式断面図である。図示するように、断面構成すなわち基板面に垂直方向の構成も、図５に示す有機ＥＬ装置９１及び図７に示す有機ＥＬ装置９２の構成と類似している。すなわち、第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）が形成されている第１の画素領域４１にはカラーフィルター層７６が形成されている。そして、第２の画素３２が形成されている第２の画素領域４２には、陰極１９の上層に第２の反射層１４が形成されている。第１の画素領域４１と第２の画素領域４２との間は素子基板１０及び対向基板１１を介して外光７が透過可能な透明領域４３となっている。

第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）の画素電極、すなわち第１サブ画素電極３７（ｒ，ｇ，ｂ）は厚さ（層厚）が夫々異なっており、第１の反射層１３と半透過性を有する陰極１９との間に共振器構造が形成されている。なお、上述の有機ＥＬ装置９２と同様に、各第１サブ画素電極３７（ｒ，ｇ，ｂ）を合わせたものが第１画素電極３５となる。サブ画素は個々に制御されるため、夫々の第１の画素領域４１からは、任意の比率で混合した光が射出される。したがって、第１の面３側にはカラー画像が形成される。

第２の画素３２は、有機ＥＬ装置９１の該第２の画素と同様に、カラーフィルター層７６も共振器構造も備えていない。したがって、特定の波長範囲の光を強調する機能を有さず、発光機能層１５の発光を、波長分布を殆んど変化させることなく第２の表示光６として第２の面４側から射出する。

第１画素電極３５及び第２画素電極３６の双方共、ＩＴＯで形成されている。そして、第１青色サブ画素電極３７ｂと第２画素電極３６とは同一のＩＴＯ層をパターニングすることで形成されている。したがって、層厚は略同一である。しかし、第２の画素３２は発光機能層１５と素子基板１０との間に半透過層を有していないため、第２の反射層１４と素子基板１０との間には共振器構造が形成されてない。したがって、第２の画素３２においては、青色光に相当する波長範囲の光が強調されることは無い。したがって、第２の面４側には白黒の画像が形成される。

本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９３においても、上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（９１，９２）と同様に、反対側への表示光（５，６）の射出、及び外光７の反射を抑制することが好ましい。そのためには、平面視で画素電極（３５，３６）が反射層（１３，１４）内に含まれるように形成すること、そして平面視で画素電極（３５，３６）を囲む遮光性の絶縁性材料からなる隔壁を画素電極（３５，３６）と発光機能層１５との間に形成すること、さらには双方の基板（１０，１１）の裏面、すなわち封止層７９側の反対側の面の所定の領域に遮光層を形成することが好ましい点も上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（９１，９２）と同様である。

（本実施形態の効果）
以上述べたように、本実施形態の有機ＥＬ装置９３は一方の面（第１の面３）にカラー画像を形成し、他方の面（第２の面４）には上述のカラー画像とは異なる内容の白黒画像を形成できる。そして透明領域４３により該有機ＥＬ装置を介して反対側を視認できる。したがって、上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（９１，９２）と同様に、会議等において有機ＥＬ装置９３を用いた場合、複数の人が共通の画像と相手の双方を視認しつつ会話を行うことができる。

ここで、第１の画素領域４１における断面構成は、一般的な白色光を発光する有機ＥＬ層（すなわち該有機ＥＬ層を備える発光機能層）を用いて一方の面のみにカラー画像の表示を行う有機ＥＬ装置と略同一である。そして、かかる有機ＥＬ装置のもう一方の領域すなわち第２の画素領域４２に第２の反射層１４を新たに形成することのみで、他方の面にも白黒画像を表示（形成）している。

両面表示型の有機ＥＬ装置において、一方の面のみカラー画像が表示できれば充分な場合もあり得る。例えば会議等で用いる場合において、顧客側にのみにカラー画像を表示する場合である。本実施形態の有機ＥＬ装置９３は、最小限の工程の増加すなわち最小限の製造コストの増加で、かかる一方の面のみカラー画像が表示される両面表示型の有機ＥＬ装置を実現している。

（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について述べる。第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９４は、上述の第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９３と同様に一方の面にカラー画像が表示（形成）され、もう一方の面に白黒画像が表示される両面表示型の有機ＥＬ装置である。有機ＥＬ装置９３とは透明領域４３を有している点も共通しており、構成も類似している。そこで、以下の記載において、有機ＥＬ装置９３の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。

図３（ｄ）は、有機ＥＬ装置９４の表示領域１００内における画素領域の配置の態様を示す図である。図示するように、第１の面３（後述する図１１参照）側に表示光を射出する領域である第１の画素領域４１は有機ＥＬ装置９３の該領域と同様に３種類の第１サブ画素領域５１（ｒ，ｇ，ｂ）で構成されている。そして、透明領域４３を介して第１の画素領域４１と対向する位置（領域）には、第２の面４（後述する図１１参照）側に表示光を射出する領域である第２の画素領域４２が１つ形成されている。

図１０は、第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９４の回路構成図である。本図は上述の第１の実施形態における図４に相当する図である。本図は回路図であるため、図４と同様に上述の透明領域４３は不図示である。図示するように、第１の画素３１の構成は、有機ＥＬ装置９２及び有機ＥＬ装置９３における該画素の構成と同一であり、３つのサブ画素からなっている。第２の画素３２の構成も有機ＥＬ装置９３における該画素の構成と同一であり、サブ画素は有していない。第１の画素３１を構成する第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）の各々を１つの画素と仮定した場合、第１の面３に画像を表示するための画素の個数と第２の面４に画像を表示するための画素の個数との比が１対１ではなく３対１になっている。表示領域１００内における各画素（３１，３２）等の配置も、第２の画素３２の構成も有機ＥＬ装置９３における該配置と類似している。すなわち、第１の画素３１と第２の画素３２、そして第１の画素３１を構成する各第１サブ画素３３（ｒ，ｇ，ｂ）が、上述の図２（ａ）に示す列状に形成されている。

図１１は、第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置９４の、表示領域１００における模式断面図である。図示するように、第１の画素領域４１における断面構成と透明領域４３における断面構成は、図９に示す有機ＥＬ装置９３の該断面構成と同一である。第２の画素領域４２に形成されている第２の画素３２も有機ＥＬ素子２９とＴＦＴ１１２と図示しない保持容量等との組み合わせであることは、有機ＥＬ装置９３における第２の画素３２と共通している。ただし、他の実施形態における第２の画素３２に比べると、第２画素電極３６が若干大きく形成されている。そのため、第１の画素領域４１と第２の画素領域４２との比は、上述した画素の個数の比である３対１ではなく３：２程度が確保されている。かかる構成により、本実施形態の有機ＥＬ装置９４は第１の面３にはカラー画像が表示され、第２の面４には上述のカラー画像に比べて画素密度が低い白黒画像が表示されることとなる。

本実施形態にかかる有機ＥＬ装置９４においても、上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（９１，９２，９３）と同様に、反対側への表示光（５，６）の射出、及び外光７の反射を抑制することが好ましい。そのためには、平面視で画素電極（３５，３６）が反射層（１３，１４）内に含まれるように形成すること、そして平面視で画素電極（３５，３６）を囲む遮光性の絶縁性材料からなる隔壁を画素電極（３５，３６）と発光機能層１５との間に形成すること、さらには双方の基板（１０，１１）の裏面、すなわち封止層７９側の反対側の面の所定の領域に遮光層を形成することが好ましい点も上述の各実施形態の有機ＥＬ装置（９１，９２，９３）と同様である。

（本実施形態の効果）
以上述べたように、本実施形態の有機ＥＬ装置９４は、第３の実施形態の有機ＥＬ装置９３と同様に、一方の面のみカラー画像が表示され他方の面には白黒画像が表示される両面表示型の有機ＥＬ装置を実現している。上述したように、かかる構成の有機ＥＬ装置は、一般的な一方の面のみにカラー画像を表示する有機ＥＬ装置に若干のコストを加えることで実現できる。そして、本実施形態の有機ＥＬ装置９４は白黒画像の表示を、表示品質の若干の低下と引き換えにさらに低いコストで実現している。したがって、一方の面（第１の面３）に表示される画像と他方の面（第２の面４）に表示される画像との間でより一層の表示品質の差が許容される場合において好適であり、製造コストの増加をより一層抑制しつつ両面表示型の有機ＥＬ装置を実現できる。

本発明の実施の形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。

（変形例１）
上述の各実施形態において、発光機能層に含まれる有機ＥＬ層は白色光を射出する有機ＥＬ層である。カラー画像の表示は、各サブ画素毎に、かかる白色光に含まれる光のうちの特定の波長範囲の光を強調することで行っている。しかし、本発明の実施形態としては、有機ＥＬ層を各サブ画素が射出する表示光の色に合わせて個別に形成する構成も可能である。かかる構成であればカラーフィルターあるいは共振器構造を省くことが可能となる。なお、かかる個別の有機ＥＬ層は、インク吐出法あるいはマスク成膜法で形成できる。

（変形例２）
上述の（第１の実施形態を除く）各実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、特定の波長範囲の光を強調するために、カラーフィルターと共振器構造とを併用している。しかし、上述の強調はカラーフィルターと共振器構造との内のどちらか一方のみでも可能である。そして、第１の画素３１と第２の画素３２とで構成を変えてもよい。特に素子基板１０側にカラーフィルターを形成することはコストを上昇させるため、第２の面４側に光を射出する第２の画素３２は共振器構造のみで有色光を取り出す構造にすると若干の表示品質の低下と引き換えに製造コストを削減できる。

（変形例３）
上述の各実施形態では、有機ＥＬ装置９１〜９４はアクティブマトリクス型であるものとして説明してきたが、発光機能層を走査電極とデータ電極とで挟持するパッシブ（単純）マトリクス型であっても良い。かかる構成でも、反射層（１３，１４）を発光機能層１５の両側に形成することで、単一の発光機能層を用いての両面表示が可能となる。

３…第１の面としての上面、４…第２の面としての下面、５…第１の表示光、６…第２の表示光、７…外光、１０…素子基板、１１…対向基板、１２…半透過反射層、１３…反射層としての第１の反射層、１４…反射層としての第２の反射層、１５…発光機能層、１９…共通電極としての陰極、２１…半導体層、２２…チャネル領域、２３…ゲート電極、２５…ソース領域、２６…ドレイン領域、２７…コンタクトホール、２８…保護層、２９…有機ＥＬ素子、３１…第１の画素、３２…第２の画素、３３…第１サブ画素、３４…第２サブ画素、３５…第１画素電極、３６…第２画素電極、４１…第１の画素領域、４２…第２の画素領域、４３…透明領域、５１…第１サブ画素領域、５２…第２サブ画素領域、７０…ゲート絶縁層、７１…層間絶縁層、７５ｂ…青色カラーフィルター、７５ｇ…緑色カラーフィルター、７５ｋ…ブラックマトリクス、７５ｒ…赤色カラーフィルター、７６…カラーフィルター層、７７…オーバーコート層、７９…封止層、８０…眼、９１…第１の実施形態の表示装置としての有機ＥＬ装置、９２…第２の実施形態の表示装置としての有機ＥＬ装置、９３…第３の実施形態の表示装置としての有機ＥＬ装置、９４…第４の実施形態の表示装置としての有機ＥＬ装置、１００…表示領域、１０３…走査線、１０４…信号線、１０６…容量線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線。

Claims (9)

1. 第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に発光機能層を有する表示装置であって、
   前記発光機能層と前記第２基板との間に設けられた第１の反射層と第１の発光素子とを含む第１の画素領域と、前記発光機能層と前記第１基板との間に設けられた第２の反射層と第２の発光素子を含む第２の画素領域と、を有し、
   前記第１の画素領域において、前記発光機能層から発せられた光は前記第１の基板を介して出射され、
   前記第２の画素領域において、前記発光機能層から発せられた光は前記第２の基板を介して出射され、
   平面視で、前記第１の画素領域と前記第２の画素領域との間には、前記第１の基板および前記第２の基板を介して光が透過可能な透明領域が設けられていることを特徴とする表示装置。
2. 前記第１の画素領域には、カラーフィルターが設けられており、
   前記第２の画素領域には、カラーフィルターが設けられていないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１の発光素子は、第１の画素電極と、前記第１の画素電極と対向するように設けられた共通電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、第２の画素電極と、前記共通電極と、を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記第１の発光素子は、第１の駆動素子に電気的に接続され、
   前記第２の発光素子は、第２の駆動素子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記透明領域には、前記第１画素電極及び前記第２画素電極が形成されていないことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第１の画素領域には、前記第１の発光素子、第３の発光素子および第４の発光素子を含み、
   前記第２の画素領域には、前記第２の発光素子、第５の発光素子および第６の発光素子を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１の画素領域には、半透過反射層が設けられており、
   前記半透過反射層と前記第１の反射層との間に特定の波長範囲の光を共振させる光共振器構造が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第１の画素領域と前記第２の画素領域との少なくとも一方は千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第１の画素領域と前記第２の画素領域との少なくとも一方は列状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。

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