JP5658399B1 - プリント配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波数帯においても伝送特性を高く維持しつつ信号線間の距離を短くする。【解決手段】液晶ポリマーからなる第１絶縁性基材１１と、第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａに形成された第１信号線１３１と、液晶ポリマーからなる第２絶縁性基材２１と、第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａに、第１信号線１３１の延在方向に沿って形成された第２信号線２３１と、第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａと第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａとを接着させる、変性ポリフェニレンエーテルからなる接着層３０と、を備え、第１信号線１３１の幅方向に沿う一方端部の位置から第２信号線２３１の幅方向に沿う一方端部の位置までの距離であるオフセット量Ｓは、第１信号線１３１の回路幅Ｌ１よりも長く、３００μｍ以下とする。【選択図】 図１

Description

本発明は、プリント配線板に関する。

高密度化を図りつつ高周波における伝送特性を向上させる観点から、積層される単位基板の間にエポキシ系の熱硬化型接着剤を用いた接着剤層が形成されたフレキシブルプリント回路が知られている（特許文献１）。

特開２０１２−２４３９２３号公報

しかしながら、エポキシ系熱硬化性接着材の誘電率は高いため、高周波の信号伝送時における伝送特性が不十分であるという問題がある。

本発明が解決しようとする課題は、高周波の信号伝送時における伝送特性が高く、配線密度の高いプリント配線板を提供することである。

[１]本発明は、液晶ポリマーからなる第１絶縁性基材と、前記第１絶縁性基材の一方主面に形成された第１信号線と、液晶ポリマーからなる第２絶縁性基材と、前記第２絶縁性基材の一方主面に、前記第１信号線の延在方向に沿って形成された第２信号線と、前記第１絶縁性基材の一方主面と前記第２絶縁性基材の一方主面とを接着させる、変性ポリフェニレンエーテルからなる接着層と、を備え、前記第１信号線の幅方向に沿い、前記第２信号線から最も遠い一方端部の位置から前記第２信号線の幅方向に沿い、前記第１信号線に最も近い一方端部の位置までの距離であるオフセット量が、前記第１信号線の回路幅よりも長く、３００［μｍ］以下であることを特徴とするプリント配線板を提供することにより、上記課題を解決する。

[２]上記発明において、前記オフセット量を、２００［μｍ］以下とすることにより上記課題を解決する。

[３] 上記発明において、前記第１信号線は、第１周波数の信号を伝達し、前記第２信号線は、第１周波数とは異なる第２周波数の信号を伝達することを特徴とするプリント配線板を提供することにより、上記課題を解決する。

本発明によれば、伝送特性を維持しつつ信号線間の距離を短くできるので、信号線間の累積ピッチの量を抑制できる。この結果、高周波の信号伝送時における伝送特性が高く、配線密度の高いプリント配線板を提供できる。

本発明の一実施形態におけるプリント配線板の断面図である。 図１に示すプリント配線板の製造方法を説明するための図である。 本実施形態の実施例に係るプリント配線板の構成を説明するための図である。 構造１においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数７００ＭＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造２においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数７００ＭＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造３においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数７００ＭＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造４においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数７００ＭＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造１においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数２．５ＧＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造２においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数２．５ＧＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造３においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数２．５ＧＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造４においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数２．５ＧＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造１においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数５ＧＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造２においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数５ＧＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造３においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数５ＧＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造４においてオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数５ＧＨｚにおけるクロストークＳ４１の測定結果を示す図である。 構造１におけるオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数７００ＭＨｚの伝送特性Ｓ３１の測定結果を示す図である。 構造１におけるオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数８００ＭＨｚの伝送特性Ｓ３１の測定結果を示す図である。 構造１におけるオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数９００ＭＨｚの伝送特性Ｓ３１の測定結果を示す図である。 構造１におけるオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数１．５ＧＨｚの伝送特性Ｓ３１の測定結果を示す図である。 構造１におけるオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数１．７ＧＨｚの伝送特性Ｓ３１の測定結果を示す図である。 構造１におけるオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数２ＧＨｚの伝送特性Ｓ３１の測定結果を示す図である。 構造１におけるオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数２．５ＧＨｚの伝送特性Ｓ３１の測定結果を示す図である。 構造１におけるオフセット量Ｓを変化させた場合の、周波数５ＧＨｚの伝送特性Ｓ３１の測定結果を示す図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本実施形態では、装置内部の回路間、回路と装置間、又は装置間を接続する伝送線路に、本発明に係るプリント配線板１を適用した例を説明する。本実施形態のプリント配線板１は、高速信号の伝送に適しており、ＬＶＤＳ、ＭＩＰＩ，ＨＤＭＩ（登録商標），ＵＳＢなどの各種規格に基づく伝送を行うことができる。

図１は、本実施形態におけるプリント配線板１の断面図である。図１に示すように、本実施形態のプリント配線板１は、第１基材１０と第２基材２０が積層された積層構造を有する。図1に示す例では、第２基材２０の上側に第１基材１０が積層される例を示すが、逆であってもよい。

第１基材１０は、第１絶縁性基材１１と、この第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａ（図中下側）に形成された第１信号線１３１、１３２、１３３（「第１信号線１３０」と総称することもある）と、第１絶縁性基材１１の他方主面（図中上側）に形成された第１グランド層１２とを備える。図１に示すプリント配線板１において、第１グランド層１２は、第１保護層４１により覆われている。

第２基材２０は、第２絶縁性基材２１と、この第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａ（図中上側）に形成された第２信号線２３１、２３２、２３３（「第２信号線２３０」と総称することもある）と、第２絶縁性基材２１の他方主面（図中下側）に形成された第２グランド層２２とを備える。図１に示すプリント配線板１において、第２グランド層２２は、第２保護層４２により覆われている。

図１に示す本実施形態の第２信号線２３１は、第１信号線１３１の延在方向に沿って形成されている。本実施形態の第１信号線１３１の延在方向と第２信号線２３１の延在方向とは略平行である。つまり、第１信号線１３１と第２信号線２３１とは並列の関係にある。また、図１に示す本実施形態の第１信号線１３１と第２信号線２３１とは、信号線の幅方向にずれた位置に配置される。本実施形態において、第１信号線１３１の幅方向（図中横方向）に沿い、第２信号線２３１の位置から最も遠い一方端部の位置（Ｘ１）から第２信号線２３１の幅方向（図中横方向）に沿い、第１信号線１３１に最も近い一方端部の位置（Ｘ２）までの距離であるオフセット量Ｓは、第１信号線１３１の回路幅Ｌ１よりも長い。つまり、図１に示すように、互いに積層される第１基材１０の第１信号線１３１と第２基材２０の第２信号線２３１とは、その積層方向において対向しないように、幅方向（図中横方向）の位置をずらして配置される。言い換えると、第１信号線１３１の幅方向に沿い、第２信号線２３１に最も近い他方端部の位置（Ｙ１）と、第２信号線２３１の幅方向に沿い、第１信号線１３１に最も近い他方端部の位置（Ｙ２）との距離は、０より大きい値である。

図１に示すプリント配線板１において、特に限定されないが、第１信号線１３１の幅方向に沿う一方端部の位置Ｘ１から第２信号線２３１の幅方向に沿う一方端部Ｘ２までの距離であるオフセット量Ｓは、３００［μｍ］以下であることが好ましい。第１信号線１３１の回路幅Ｌ１が１００［μｍ］である場合には、第１信号線１３１の幅方向に沿い、第１信号線に最も近い位置（Ｙ１）から第２信号線２３１の幅方向に沿い、第１信号線１３１に最も近い位置（Ｙ２）までの距離、つまり、第１信号線１３１と第２信号線２３１の回路幅方向の最短距離は２００［μｍ］である。また、本実施形態において、オフセット量は、２００［μｍ］以下であることが好ましい。この場合において、第１信号線１３１の回路幅Ｌ１が１００［μｍ］である場合には、第１信号線１３１の幅方向に沿い、第１信号線に最も近い位置（Ｙ１）から第２信号線２３１の幅方向に沿い、第１信号線１３１に最も近い位置（Ｙ２）までの距離、つまり、第１信号線１３１と第２信号線２３１の回路幅に沿う方向の最短距離は１００［μｍ］である。

第１信号線１３１の回路幅Ｌ１と第２信号線２３１の回路幅Ｌ２は同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。また、第１信号線１３１と第２信号線２３１の厚さは同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。ここでは、第１信号線１３０の一例としての第１信号線１３１と、第２信号線２３０としての第２信号線１３２との関係について説明したが、第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａに形成された、図示しない他の第１信号線１３０と、第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａに形成された、図示しない他の第２信号線２３０との関係についても適用できる。本実施形態のプリント配線板１は、図１に示す第１信号線１３１及び第２信号線２３０に相当する信号線を複数備えるように構成することができる。

特に限定されないが、本実施形態の第１信号線１３１は、第１周波数の信号を伝達し、第２信号線２３１は、第１周波数とは異なる第２周波数の信号を伝達する。近時、スマートフォンやタブレット端末において信号の処理速度の高速化の要請が高まっており、構成部品としてのプリント配線板１も高周波における伝送特性の向上が求められている。また、携帯電話の周波数帯は各キャリアによって異なるため、複数の周波数の信号を伝送ができることが求められている。本実施形態では、各信号線において安定した伝送特性を確保することにより、異なる周波数の信号を伝送する別個独立の複数の信号線を備えることができる。本実施形態では、高周波数を含む広い周波数帯において、複数の周波数の信号を高い特性で伝送できるプリント配線板１を提供する。

第１絶縁性基材１１及び第２絶縁性基材２１は、液晶ポリマー（以下、「ＬＣＰ」とも称する）を含む材料により構成される。本実施形態の第１絶縁性基材１１及び第２絶縁性基材２１は、液晶ポリマーから構成される。本実施形態の液晶ポリマーは、溶融状態において液晶性質を示す樹脂であれば特に限定されない。ポリエステル系の液晶ポリマーであってもよいし、アラミド系の液晶ポリマーであってもよい。

第１信号線１３０及び第２信号線２３０は、銅、銀、金などの導電性材料で構成される。同じく第１グランド層１２及び第２グランド層２２は、銅、銀、金などの導電性材料で構成される。第１グランド層１２と第２グランド層２２とは、異なる導電性材料で構成してもよい。

第１保護層４１及び第２保護層４２は、カバーレイや、感光性液状レジストなどのカバー材料である。材料としては、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステル（ＰＥ）などの絶縁性材料を用いることができる。

本実施形態の第１基材１０と第２基材２０との間には、接着層３０が介在する。接着層３０は、本実施形態の第１基材１０を構成する第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａと、第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａとを接着させる。第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａには、第１信号線１３０が形成され、第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａには第２信号線２３０が形成される。

本実施形態の接着層３０は、変性ポリフェニレンエーテル（以下「ｍ−ＰＰＥ」とも称する）を含む材料により構成される。本実施形態の接着層３０は、変性ポリフェニレンエーテルにより構成される。変性ポリフェニレンエーテルは、本願出願時において入手可能なものを適宜に選択して利用することができる。

本実施形態において接着層３０に用いられるｍ−ＰＰＥは、例えば、スチレン系化合物とビニル系化合物とを共重合させて得られたスチレン−ビニル系化合物共重合体に、ポリエーテルイミドを加熱溶融ブレンドすることにより、溶融流動性と高耐熱性とが付与された材料である。接着剤のｍ−ＰＰＥは、例えば周波数２ＧＨｚにおける比誘電率が２．２〜２．６及び誘電正接が０．００２〜０．０１、引っ張り強度が３０〜５０ＭＰａ、引っ張り弾性率が３００〜４００ＭＰａの物性を備える。また、ｍ−ＰＰＥは、ガラス転移温度が２３０〜２５０℃で、熱膨張係数が１００〜３００ｐｐｍ／℃の物性を備える。

特に限定されないが、本実施形態において用いられるｍ−ＰＰＥは、以下の物性を備える。
（ａ）キュア条件：２００℃／１ｈｒ（６０分）
（ｂ）誘電率：２．４（２ＧＨｚ）［空洞共振器測定］
（ｃ）誘電正接：０．００２９（２ＧＨｚ）［空洞共振器測定］
（ｄ）銅引き剥がし強さ：７（Ｎ／ｃｍ）［ＪＩＳ Ｃ６４７１］
（ｅ）引っ張り強さ：４２（ＭＰａ）［ＩＳ Ｃ２３１８］
（ｆ）延び：２５０（％）［ＪＩＳ ２３１８］
（ｇ）引っ張り係数：３２５（ＭＰａ）［ＪＩＳ Ｋ７１１３］
（ｈ）ガラス転移温度：２３５（℃）［ＤＭＡ（Dynamic Mechanical Analysis）：弾性率を検出する動的粘弾性測定］ ＪＩＳ ６４８１］
（ｉ）熱膨張係数α１：１１０（ｐｐｍ／℃） ［ＴＭＡ（Thermal Mechanical Analysis）：熱膨張率を測定する熱機械分析 ＪＩＳ ６４８１］
（ｊ）体積抵抗：１（Ｅ１５Ωｃｍ）［ＪＩＳ ２１７０］
（ｋ）熱抵抗：３７０（℃）［ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱−熱重量同時測定）］
（ｌ）吸水率：０．１より小（％）［ＪＩＳ ２３１８］
（ｍ）塩素イオン：１０（ｐｐｍ）より小［１２１℃／１００％ＲＨ／２０ｈｒ経過後に水分を抽出して測定］
（ｎ）ナトリウムイオン：５（ｐｐｍ）より小［１２１℃／１００％ＲＨ／２０ｈｒ経過後に水分を抽出して測定］
（ｏ）カリウムイオン：５（ｐｐｍ）より小［１２１℃／１００％ＲＨ／２０ｈｒ経過後に水分を抽出して測定］

本実施形態のプリント配線板１は、いわゆるストリップライン構造を有する。第１グランド層１２と第１信号線１３１（１３０）との間には第１絶縁性基材１１が介在し、第２グランド層２２と第２信号線２３１（２３０）との間には第２絶縁性基材２１が介在する。第１信号線１３１（１３０）は、第１絶縁性基材１１を介した第１グランド層１２と、第２絶縁性基材２１を介した第２グランド層２２とに挟まれている。また、第２信号線２３１（２３０）は、第２絶縁性基材２１を介した第２グランド層２２と、第１絶縁性基材１１を介した第１グランド層１２とに挟まれている。

図示はしないが、第１信号線１３１（１３０）が形成されている第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａにグランド線を形成し、第２信号線２３１（２３０）が形成されている第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａにグランド線を形成した、いわゆるコプレーナライン構造としてもよい。

続いて、図２に基づいて、本実施形態のプリント配線板１の製造方法を説明する。

まず、図２（ａ）に示すように、第１信号線１３０が形成された第１基材１０と、第２信号線２３０が形成された第２基材２０と、接着層３０を構成する変性ポリフェニレンエーテル樹脂シート３０´とを準備する。第１基材１０は、例えば厚さ２５［μｍ］の液晶ポリマーからなる第１絶縁性基材１１の両主面に銅箔が形成された銅張基板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminated）を用いて作製される。特に限定されないが、本実施形態の第１基材１０は、厚さ１２．５［μｍ］の電解銅箔を有する。そして、サブトラクティブ法などの一般的なフォトリソグラフィー手法を用いて、第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａ側の銅箔の所定領域をエッチングして、所望の第１信号線１３０を形成する。第１絶縁性基材１１の他方主面側の銅箔についても、必要に応じて銅箔の所定領域をエッチングして、グランド層１２を形成する。

同様に、第２基材２０は、例えば厚さ２５［μｍ］の液晶ポリマーからなる第２絶縁性基材２１の両主面に銅箔が形成された銅張基板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminated）を用いて作製される。特に限定されないが、本実施形態の第２基材２０は、厚さ１２．５［μｍ］の電解銅箔を有する。そして、第１基材１０と同様に、サブトラクティブ法を用いて、第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａ側の銅箔の所定領域をエッチングして、所望の第２信号線２３０を形成する。第２絶縁性基材２１の他方主面側の銅箔についても、必要に応じて銅箔の所定領域をエッチングして、グランド層２２を形成する。

図２（ａ）に示すように、変性ポリフェニレンエーテル樹脂シート３０´を、第１基材１０と第２基材２０との間に介在させる。具体的には、具体的に第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａと第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａとの間に、変性ポリフェニレンエーテル樹脂シート３０´を配置する。そして、変性ポリフェニレンエーテル樹脂シート３０´を介在させた状態で、第１基材１０と第２基材２０とを重ねて積層ラミネートを行い、一括して積層プレスを行う。具体的に、第１基材１０を図２（ａ）の矢印Ｚ１方向に移動させて第２基材２０に接近させ、第２基材２０を矢印Ｚ２方向に移動させて第１基材１０に接近させる。そして、加熱状況下で第１基材１０、変性ポリフェニレンエーテル樹脂シート３０´及び第２基材２０を積層方向に沿って熱圧着する。これにより、第１信号線１３０が形成される第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａと、第２信号線２３０が形成される第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａとを接着させる、変性ポリフェニレンエーテルからなる接着層３０が形成される。

上記熱圧着の工程は、加熱温度１７０〜１９０℃、加圧圧力５〜２０ｋｇ／ｃｍ^２にて、３０〜６０分間、真空雰囲気下において行われる。ちなみに、本実施形態の接着層３０を構成する接着剤のｍ−ＰＰＥの加圧硬化温度は、例えば１８０℃±１０℃程度である。本実施形態では、温度：１８０℃±１０℃、時間：６０分程度のプレス条件で、真空雰囲気下において行う。これにより、接着層３０を構成するｍ−ＰＰＥの高分子がアロイ化して高耐熱性を備えた柔らかい特性を示す。本実施形態の接着層３０は柔軟性を備えるので、フレキシブルなプリント配線板１を得ることができる。本実施形態の第１絶縁性基材１１、第２絶縁性基材２１のガラス転移温度は、例えば３００℃以上である。接着層３０の加圧硬化温度は、第１絶縁性基材１１／第２絶縁性基材２１のガラス転移温度（３００℃以上）よりも低い。これにより、熱圧着工程において第１絶縁性基材１１、第２絶縁性基材２１に生じる変形などのダメージを最小限に抑制できる。

また、本実施形態の熱圧着工程では、高温での熱プレス処理が不要であるので、ポリイミド系樹脂を絶縁性基材として用いる既存のＦＰＣの製造設備を用いて本発明の実施形態に係るプリント配線板１を作製できる。本実施形態の熱圧着工程においては、例えば蒸気加熱タイプや熱溶媒過熱油タイプなどの安価なプレス装置を用いることができるので、プリント配線板１の製造コストを低減させることができる。

続いて、図２（ｃ）に示すように、第１基材１０と第２基材２０とを貫通する所定径のスルーホールＴＨを形成する。スルーホールＴＨの形成手法は特に限定されず、ＮＣドリルを用いて穿孔してもよいし、レーザー処理により穿孔してもよい。

その後、図２（ｄ）に示すように、第１基材１０及び第２基材２０にダイレクトプレーティングプロセスを施した後、スルーホールＴＨにめっき処理を行う。めっき処理により層間導通層５０を形成する。層間導通層５０により第１信号線１３０、第２信号線２３０、第１グランド層１２、及び第２グランド層２２を電気的に接続し、層間導通を図る。

そして、図２（ｅ）に示すように、第１グランド層１２、第２グランド層２２に所定の回路を形成する。

図１に示すように、第１グランド層１２を覆う保護層４１と、第２グランド層２２を覆う保護層４２を形成し、図１に示すプリント配線板１を得る。なお、第１グランド層１２、第２グランド層２２は、基準電位（電源電位、接地電位）が付与されているため、第１信号線１３２、第２信号線２３２も基準電位となる。

さらに、図示は省略するが、本実施形態では、同軸コネクタをプリント配線板１の表面に実装する。本実施形態において、信号の入出力は、プリント配線板１の上に表面実装された同軸コネクタを介して行う。同軸コネクタは、従来の実装ラインを用いて実装が可能であるので、新たな設備を導入することなく本実施形態に係るプリント配線板１を作製できる。また、信号の入出力に表面実装コネクタを使用することにより、部品着脱が容易になる。製品の小型化に応じて組み込みスペースが縮小された場合であても、効率よく製品の組み立てを行うことができる。この結果、作業工数の削減とプロセスコストの削減を実現できる。

なお、プリント配線板１の外形を枝分かれさせることにより、全方向にパターニングができ、設計の自由度が向上する。プリント配線板１の外形加工は、金型又はレーザーにより行うことができるので、寸法精度も高く維持できる。

本実施形態のプリント配線板１は、第１絶縁性基材１１及び第２絶縁性基材２１がＬＣＰからなると共に、接着層３０がｍ―ＰＰＥからなるため、誘電率及び誘電正接を低く抑えることができる。従来のポリイミド系の樹脂等を用いたものよりも高周波特性に優れ、柔軟性を損なわずに信号を高速で伝送できる構造を実現できる。

本実施形態のプリント配線板１は、液晶ポリマーからなる第１、第２絶縁性基材１１、２１と、変性ポリフェニレンエーテルの接着層３０との組み合わせにより、誘電率を低く抑制し、高周波での高速伝送を実現できる。また、本実施形態のプリント配線板１は、独立した複数の信号線を、多層基板を構成する接着層３０の内部に配線できるので、一つのプリント配線板１において異なる二種類以上の周波数の信号を伝送できる。

さらに、本実施形態のプリント配線板１は、第１信号線１３１（１３０）と第２信号線２３１（２３０）とが回路幅方向に沿ってずらして配置されているので、第１信号線１３１（１３０）と第２グランド層２２との距離及び第２信号線２３１（２３０）と第１グランド層１２との距離が確保されるので、信号線同士が互いに干渉せずに信号を伝送できる。このため、第１信号線１３１（１３０）及び第２信号線２３１（２３０）のいずれにおいても信頼性の高い信号伝送を実行できる。各信号線の特性インピーダンスをマッチングさせても、各信号線の回路幅を太く設計できるので、伝送特性を高く維持できる。また、プリント配線板１の厚さが厚くならないようにできるので、フレキシブル性、折り曲げ特性も損なわれない。

＜実施例＞
以下、本発明の本実施形態における実施例を説明する。以下に説明する実施例により、本実施形態のプリント配線板１のクロストークなどの伝送特性を検証する。

実施例として、図３に示す、所定の態様のプリント配線板１を得た。図３に示すように、本実施例に係るプリント配線板１は、１本の第１信号線１３１と１本の第２信号線２３１とを有する。第１信号線１３１の線幅を回路幅Ｌ１と定義し、第２信号線２３１の線幅を回路幅Ｌ２と定義した。実験の便宜のため、第１信号線１３１の回路幅Ｌ１と第２信号線２３１の回路幅Ｌ２とを共通する。第１基材１０と第２基材２０の積層方向に沿う第１信号線１３１の厚みを厚さｔ１と定義し、同じく積層方向に沿う第２信号線２３１の厚みを厚さｔ２と定義した。実験の便宜のため、第１信号線１３１の厚さｔ１と第２信号線２３１の厚さｔ２は同じ厚さとした。

また、第１信号線１３１の幅方向に沿い、第１信号線１３１の両側の端部のうち第２信号線２３１から最も遠い一方端部の位置Ｐ１から、第２信号線２３１の幅方向に沿い、第２信号線２３１の両側の端部のうち第１信号線１３１に最も近い一方端部の位置Ｐ２までの距離をオフセット量Ｓと定義した。さらに、第１絶縁性基材１１の主面に沿う第１信号線１３１の平面（第１絶縁性基材１１と接しない方の平面）の位置と、第２絶縁性基材２１の主面に沿う第２信号線２３１の平面（第２絶縁性基材２１と接しない方の平面）の位置との距離を導体間距離Ｄと定義した。

本実施例のプリント配線板１において、図３に示す基本的構造を有しつつ、回路幅Ｌの設計値を２５［μｍ］、５０［μｍ］、１００［μｍ］に変化させるとともに、及び導体間距離Ｄの設計値を３０［μｍ］、６０［μｍ］に変化させた構造１、構造２、構造４及び構造４を以下の表１のとおりに定義した。

また、比較例として、第１絶縁性基材１１´（相当の構成、以下同じ）及び第２絶縁性基材２１´（相当の構成、以下同じ）がポリイミドからなり、接着層３０´（相当の構成、以下同じ）がアクリルエポキシ系接着剤（誘電率３．６〜３．８（２ＧＨｚ）、誘電正接０．０３〜０．０４、銅引き剥がし強さ９Ｎ／ｃｍ、吸水率２．０％である）であるプリント配線板１´を作製した。この比較例に係るプリント配線板１´は、本実施例と同じ上記表１の構造１、構造２、構造３及び構造４を備える。

本実施例の第１絶縁性基材１１及び第２絶縁性基材２１において用いるＬＣＰフィルムと、比較例の第１絶縁性基材１１´及び第２絶縁性基材２１´において用いるＰＩフィルムの物性値を表２に示す。

本実施例の接着層３０において用いるｍ−ＰＰＥ樹脂フィルムは、誘電率２．２〜２．６（２ＧＨｚ）、誘電正接０．００２〜０．０１、銅引き剥がし強さ７Ｎ／ｃｍ、吸水率０．２％である。ｍ−ＰＰＥ樹脂フィルムにより接着層３０を構成するので、多層基板を作製する際の積層工程で１８０±（プラスマイナス）１０℃程度でプレスをすることができる。このように比較的低温で処理ができるので、既存のフレキシブルプリント基板の製造装置を用いて製造できる。また、比較的低温で処理ができるので、作製するプリント配線板１の寸法バラツキを抑制することができる。

また、ｍ−ＰＰＥ樹脂フィルムは柔らかく、低圧（０．１〜１ＭＰａ）においても回路への埋め込みが可能であるので、積層ラミネート処理を一括で行うことができる。このような材質のｍ−ＰＰＥ樹脂フィルムを接着層３０として用いることにより、製造に要する工程数を低減させ、積層プレスを行う際に用いる副資材を削減できる。ｍ−ＰＰＥ樹脂フィルムは吸湿耐性がある。また、ｍ−ＰＰＥ樹脂フィルムは誘電率が低いため、これを介在させることにより伝送特性を向上させる。

続いて、構造１〜４を備えた実施例及び構造１〜４を備えた比較例について、各周波数におけるオフセット量Ｓを変更させた場合のクロストークＳ４１［ｄＢ］を計測し、これを比較した。本実施形態において計測したクロストークＳ４１［ｄＢ］は、複数の信号線のうち、一の信号線（伝送路）における伝送信号が、他の信号線（伝送路）に漏れる程度を示す計測値である。本実施形態では、クロストークＳ４１の値が低い実施例は信号の漏れが少なく、良好な伝送特性を示すものとして評価する。

下掲の表３に、伝送する信号の周波数が７００ＭＨｚにおけるオフセット量Ｓを変更させた場合の実施例１−１〜１−４及び比較例１−１〜１−４のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果を示す。実施例１−１及び比較例１−１は構造１を備え、実施例１−２及び比較例１−２は構造２を備え、実施例１−３及び比較例１−３は構造３を備え、実施例１−４及び比較例１−４は構造４を備える。

構造１を備える実施例１−１及び比較例１−１について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図４Ａに示す。構造２を備える実施例１−２及び比較例１−２について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図４Ｂに示す。構造３を備える実施例１−３及び比較例１−３について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図４Ｃに示す。構造４を備える実施例１−４及び比較例１−４について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図４Ｄに示す。実施例は実線で示し、比較例は破線で示す。

下掲の表４に、伝送する信号の周波数が８００ＭＨｚにおけるオフセット量Ｓを変更させた場合の実施例２−１〜２−４及び比較例２−１〜２−４のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果を示す。実施例２−１及び比較例２−１は構造１を備え、実施例２−２及び比較例２−２は構造２を備え、実施例２−３及び比較例２−３は構造３を備え、実施例２−４及び比較例２−４は構造４を備える。本測定結果は、７００ＭＨｚと同じ傾向を示したので、図示は省略する。

下掲の表５に、伝送する信号の周波数が９００ＭＨｚにおけるオフセット量Ｓを変更させた場合の実施例３−１〜３−４及び比較例３−１〜３−４のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果を示す。実施例３−１及び比較例３−１は構造１を備え、実施例３−２及び比較例３−２は構造２を備え、実施例３−３及び比較例３−３は構造３を備え、実施例３−４及び比較例３−４は構造４を備える。本測定結果は、７００ＭＨｚと同じ傾向を示したので、図示は省略する。

下掲の表６に、伝送する信号の周波数が１．５ＧＨｚにおけるオフセット量Ｓを変更させた場合の実施例４−１〜４−４及び比較例４−１〜４−４のクロストークＳ４１［ｄＢ］の結果を示す。実施例４−１及び比較例４−１は構造１を備え、実施例４−２及び比較例４−２は構造２を備え、実施例４−３及び比較例４−３は構造３を備え、実施例４−４及び比較例４−４は構造４を備える。本測定結果は、７００ＭＨｚと同じ傾向を示したので、図示は省略する。

下掲の表７に、伝送する信号の周波数が１．７ＧＨｚにおけるオフセット量Ｓを変更させた場合の実施例５−１〜５−４及び比較例５−１〜５−４のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果を示す。実施例５−１及び比較例５−１は構造１を備え、実施例５−２及び比較例５−２は構造２を備え、実施例５−３及び比較例５−３は構造３を備え、実施例５−４及び比較例５−４は構造４を備える。本測定結果は、７００ＭＨｚと同じ傾向を示したので、図示は省略する。

下掲の表８に、伝送する信号の周波数が２．０ＧＨｚにおけるオフセット量Ｓを変更させた場合の実施例６−１〜６−４及び比較例６−１〜６−４のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果を示す。実施例６−１及び比較例６−１は構造１を備え、実施例６−２及び比較例６−２は構造２を備え、実施例６−３及び比較例６−３は構造３を備え、実施例６−４及び比較例６−４は構造４を備える。本測定結果は、７００ＭＨｚと同じ傾向を示したので、図示は省略する。

下掲の表９に、伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚにおけるオフセット量Ｓを変更させた場合の実施例７−１〜７−４及び比較例７−１〜７−４のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果を示す。実施例７−１及び比較例７−１は構造１を備え、実施例７−２及び比較例７−２は構造２を備え、実施例７−３及び比較例７−３は構造３を備え、実施例７−４及び比較例７−４は構造４を備える。

構造１を備える実施例７−１及び比較例７−１について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図５Ａに示す。構造２を備える実施例７−２及び比較例７−２について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図５Ｂに示す。構造３を備える実施例７−３及び比較例７−３について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図５Ｃに示す。構造４を備える実施例７−４及び比較例７−４について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図５Ｄに示す。実施例は実線で示し、比較例は破線で示す。図５Ａ〜図５Ｄに示すように、伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚのクロストークＳ４１のパターンは、７００ＭＨｚ〜２．０ＧＨｚのクロストークＳ４１のパターンとおおむね同様である。

下掲の表１０に、伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚにおけるオフセット量Ｓを変更させた場合の実施例８−１〜８−４及び比較例８−１〜８−４のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果を示す。実施例８−１及び比較例８−１は構造１を備え、実施例８−２及び比較例８−２は構造２を備え、実施例８−３及び比較例８−３は構造３を備え、実施例８−４及び比較例８−４は構造４を備える。

構造１を備える実施例８−１及び比較例８−１について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図６Ａに示す。構造２を備える実施例８−２及び比較例８−２について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図６Ｂに示す。構造３を備える実施例８−３及び比較例８−３について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図６Ｃに示す。構造４を備える実施例８−４及び比較例８−４について、オフセット量に対するクロストークＳ４１の測定結果を図６Ｄに示す。実施例は実線で示し、比較例は破線で示す。

表３乃至表１０、並びに図４Ａ〜図４Ｄ、図５Ａ〜図５Ｄ及び図６Ａ〜図６Ｄに示すように、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下において、実施例１−１〜１−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、比較例１−１〜１−４のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。実施例２−１〜２−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、比較例２−１〜２−４のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。実施例３−１〜３−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、比較例３−１〜３−４のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。実施例４−１〜４−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、比較例４−１〜４−４のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。実施例５−１〜５−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、比較例５−１〜５−４のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。実施例６−１〜６−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、比較例６−１〜６−４のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。実施例７−１〜７−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、比較例７−１〜７−４のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。実施例８−１〜８−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、比較例８−１〜８−４のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。さらに、オフセット量Ｓが３００［μｍ］以下である場合には、各実施例のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果に対して有利な差を示した。さらにまた、オフセット量Ｓが２００［μｍ］以下である場合には、各実施例のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果に対してより有利な差を示した。

特に、伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚ未満である場合に、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下において各実施例のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低い値を示す傾向が見られ、良好な結果を示した。同様に、伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚ未満である場合に、オフセット量Ｓが３００［μｍ］以下である場合には、各実施例のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低い値を示す傾向が見られた。同様に、伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚ未満である場合に、オフセット量Ｓが２００［μｍ］以下である場合には、各実施例のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果に対してさらに低い値を示す傾向が見られ、有利な差を示した。

少なくとも、伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚ未満である場合に、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下において各実施例のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果よりも低く、良好な値を示した。同様に、伝送する信号の周波数が２、５ＧＨｚ未満である場合に、オフセット量Ｓが３００［μｍ］以下である場合には、各実施例のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果に対して有利な差を示した。同様に、伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚ未満である場合に、オフセット量Ｓが２００［μｍ］以下である場合には、各実施例のプリント配線板１のクロストークＳ４１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´のクロストークＳ４１の測定結果に対してさらに有利な差を示した。

伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚである場合において、構造１を有する本実施例７−１のプリント配線板１のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果は、オフセット量Ｓが２２［μｍ］以上かつ４００［μｍ］以下である場合に、比較例７−１に係るプリント配線板１のクロストークＳ４１よりも良好な値を示した。伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚである場合において、構造２を有する本実施例７−２のプリント配線板１のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果は、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下であるときに、比較例７−２に係るプリント配線板１のクロストークＳ４１よりも良好な値を示した。伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚである場合において、構造３を有する本実施例７−３のプリント配線板１のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果は、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下であるときに、比較例７−３に係るプリント配線板１のクロストークＳ４１よりも良好な値を示した。構造４を有する本実施例７−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果は、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下であるときに、比較例７−４に係るプリント配線板１のクロストークＳ４１よりも良好な値を示した。

伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである場合において、構造１を有する本実施例８−１のプリント配線板１のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果は、オフセット量Ｓが１３０［μｍ］以上かつ４００［μｍ］以下であるときに、比較例８−１に係るプリント配線板１のクロストークＳ４１よりも良好な値を示した。伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである場合において、構造２を有する本実施例８−２のプリント配線板１のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果は、オフセット量Ｓが４２［μｍ］以上であるときに、比較例８−２に係るプリント配線板１のクロストークＳ４１よりも良好な値を示した。伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである場合において、構造３を有する本実施例８−３のプリント配線板１のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果は、オフセット量Ｓが２０［μｍ］以上であるときに、比較例８−３に係るプリント配線板１のクロストークＳ４１よりも良好な値を示した。構造４を有する本実施例８−４のプリント配線板１のクロストークＳ４１［ｄＢ］の測定結果は、オフセット量Ｓが７６［μｍ］以上であるときに、比較例８−４に係るプリント配線板１のクロストークＳ４１よりも良好な値を示した。

次に、各周波数における、構造１を備えた実施例１０−１〜１０−８及び構造１を備えた比較例１０−１〜１０−８について、オフセット量Ｓを変更させた場合の伝送特性Ｓ３１［ｄＢ］を計測し、これを比較した。本実施形態において計測した伝送特性Ｓ３１［ｄＢ］は、入力した信号がどれだけ出力されたかを示す計測値である。つまり、本実施形態における伝送特性Ｓ３１［ｄＢ］は、入力信号に対して信号がどれだけ流れたかを示す指標値である。本実施形態における伝送特性Ｓ３１は、０〜１の値をとる。本実施形態では、伝送特性Ｓ３１の値が１．０に近いもの（差が小さいもの）を良好な伝送特性を示すものとして評価する。

下掲の表１１に、伝送する信号の周波数が７００ＭＨｚ〜５．０ＧＨｚにおける伝送特性Ｓ３１［ｄＢ］の測定結果を示す。実施例１０−１〜実施例１０−８は構造１を備える。比較例１０−１〜１０−８も同様に構造１を備える。

伝送する信号の周波数が７００ＭＨｚである実施例１０−１及び比較例１０−１について、オフセット量に対する伝送特性Ｓ３１の測定結果を図７Ａに示す。伝送する信号の周波数が８００ＭＨｚである実施例１０−２及び比較例１０−２について、オフセット量に対する伝送特性Ｓ３１の測定結果を図７Ｂに示す。伝送する信号の周波数が９００ＭＨｚである実施例１０−３及び比較例１０−３について、オフセット量に対する伝送特性Ｓ３１の測定結果を図７Ｃに示す。伝送する信号の周波数が１．５ＧＨｚである実施例１０−４及び比較例１０−４について、オフセット量に対する伝送特性Ｓ３１の測定結果を図７Ｄに示す。伝送する信号の周波数が１．７ＧＨｚである実施例１０−５及び比較例１０−５について、オフセット量に対する伝送特性Ｓ３１の測定結果を図７Ｅに示す。伝送する信号の周波数が２．０ＧＨｚである実施例１０−６及び比較例１０−６について、オフセット量に対する伝送特性Ｓ３１の測定結果を図７Ｆに示す。伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚである実施例１０−７及び比較例１０−７について、オフセット量に対する伝送特性Ｓ３１の測定結果を図７Ｇに示す。伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである実施例１０−８及び比較例１０−８について、オフセット量に対する伝送特性Ｓ３１の測定結果を図７Ｈに示す。

実施例は実線で示し、比較例は破線で示す。図７Ａ〜図７Ｈに示すように、各実施例に係るプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、各比較例のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０に近く、良好な値を示した。なお、伝送する信号の周波数が７００ＭＨｚ〜２．５ＧＨｚの実施例の伝送特性Ｓ３１のパターンはおおむね同様である。

表１１、及び図７Ａ〜図７Ｈに示すように、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下である場合に、実施例１０−１〜１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−１〜１０−８のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１に近い値乃至同等の値を示した。さらに、オフセット量Ｓが３００［μｍ］以下である場合に、実施例１０−１〜１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−１〜１０−８のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０により近い値乃至同等の値を示した。特に、オフセット量Ｓが２００［μｍ］以下である場合に、実施例１０−１〜１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−１〜１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０に近い値を示した。

伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚ未満である場合には、オフセット量Ｓが２００［μｍ］以下において実施例１０−１〜１０−７のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−１〜１０−７のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０に近い値を示した。

少なくとも、伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚ以下である場合に、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下である場合において、実施例１０−１〜１０−７のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−１〜１０−７のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０に近い値乃至同等の値を示した。同様に、伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚ以下である場合に、オフセット量Ｓが３００［μｍ］以下において上記効果を確認できた。同様に、伝送する信号の周波数が２．５ＧＨｚ以下である場合に、オフセット量Ｓが２００［μｍ］以下において、実施例１０−１〜１０−７のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−１〜１０−７のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０に低い値を示した。

伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである場合には、オフセット量Ｓが４００［μｍ］以下において実施例１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−８のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０に近い値を示した。伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである場合には、オフセット量Ｓが３００［μｍ］以下において実施例１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−８のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０により近い値を示した。伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである場合には、オフセット量Ｓが２００［μｍ］以下において実施例１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−８のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０により近い値を示した。伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである場合には、オフセット量Ｓが６１［μｍ］以上において実施例１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１の測定結果は、比較例１０−８のプリント配線板１´の伝送特性Ｓ３１の測定結果よりも１．０により近い値を示した。

伝送する信号の周波数が５．０ＧＨｚである場合に、オフセット量Ｓが１５５［μｍ］以上において、本実施例１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１［ｄＢ］の測定結果が０．６以上という、高周波において比較例１０−８よりも良好な値を示した。オフセット量Ｓが１７４［μｍ］以上において、本実施例１０−８のプリント配線板１の伝送特性Ｓ３１［ｄＢ］の測定結果が０．８以上という、高周波において比較例１０−８よりも良好な値を示した。

本実施例のプリント配線板１は、液晶ポリマーからなる第１絶縁性基材１１と、第１絶縁性基材１１の一方主面に形成された第１信号線１３１と、液晶ポリマーからなる第２絶縁性基材２１と、第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａに、第１信号線１３１の延在方向に沿って形成された第２信号線２３２と、第１絶縁性基材１１の一方主面１１ａと第２絶縁性基材２１の一方主面２１ａとを接着させる変性ポリフェニレンエーテルからなる接着層３０を備える構成を備える。本構成において、第１信号線１３１の幅方向に沿い、第２信号線２３１から最も遠い一方端部の位置から第２信号線２３１の幅方向に沿い第１信号線１３１に最も近い一方端部の位置Ｐ２までの距離であるオフセット量Ｓを、第１信号線１３１の回路幅Ｌ１よりも長く、かつ３００［μｍ］以下とすることができるので、伝送特性を維持しつつ、薄型化及び小型化に対応可能なプリント配線板１を提供できる。特に、複数の信号線を備える場合には、ピッチ幅の累積量を小さくできるので、薄型化及び小型化に適したプリント配線板１を提供できる。

さらに、オフセット量を２００［μｍ］以下としても伝送特性を維持できるので、更なる薄型化及び小型化に寄与できる。特に、高周波の信号を伝送するプリント配線板１としては、オフセット量Ｓの縮小を図ることができる。

信号線間のオフセット量を小さくできるので、設計の自由度が向上し、様々な配線のパターンに対応できる。

各信号線の伝送特性を維持できるので、それぞれの信号線に異なる周波数の信号を伝達させることができる。つまり、第１信号線には第１周波数の信号を伝達させ、第２信号線には第２周波数の信号を伝達させることができる。これにより、一つの機器において複数の周波数の信号を伝達するという要請に応じることができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

１…プリント配線板
１１…第１絶縁性基材
１３１，１３２，１３３…第１信号線
１２…第１グランド層
２１…第２絶縁性基材
２３１，２３２，２３３…第２信号線
２０…保護層
２２…第２グランド層
３０…接着層
４１，４２…カバー部材
ＴＨ…スルーホール
５０…層間導通層

Claims (3)

1. 液晶ポリマーからなる第１絶縁性基材と、
   前記第１絶縁性基材の一方主面に形成された第１信号線と、
   液晶ポリマーからなる第２絶縁性基材と、
   前記第２絶縁性基材の一方主面に、前記第１信号線の延在方向に沿って形成された第２信号線と、
   前記第１絶縁性基材の一方主面と前記第２絶縁性基材の一方主面とを接着させる、変性ポリフェニレンエーテルからなる接着層と、を備え、
   前記第１信号線の幅方向に沿い、前記第２信号線から最も遠い一方端部の位置から前記第２信号線の幅方向に沿い、前記第１信号線に最も近い一方端部の位置までの距離であるオフセット量が、前記第１信号線及び前記第２信号線が伝達する信号の周波数が２．５ＧＨｚ以上かつ５．０ＧＨｚ以下である場合には、前記第１信号線の回路幅よりも長く、１３０μｍ以上かつ３００μｍ以下であることを特徴とするプリント配線板。
2. 前記オフセット量は、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
3. 前記第１信号線は、第１周波数の信号を伝達し、
   前記第２信号線は、第１周波数とは異なる第２周波数の信号を伝達することを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板。

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