JP5569715B2 - Image sensor - Google Patents
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Description
この発明は撮像素子に関する。 The present invention relates to an image sensor.
近年、ビデオカメラ、電子スチルカメラ、デジタルカメラ等が広く普及しており、これらのカメラにはＣＣＤ型、ＣＭＯＳ型等の固体撮像素子が使用されている。 In recent years, video cameras, electronic still cameras, digital cameras, and the like have been widely used. For these cameras, solid-state image sensors such as CCD type and CMOS type are used.
固体撮像素子は、光電変換素子（フォトダイオードＰＤ）を有する複数の画素が１次元又は２次元のアレイ状に配列されたものである（下記公報参照）。 A solid-state imaging device is a pixel in which a plurality of pixels having photoelectric conversion elements (photodiodes PD) are arranged in a one-dimensional or two-dimensional array (see the following publication).
近年、撮像素子の画素数が増加する傾向がある。しかし、撮像素子全体の大きさはほとんど変わらないため、画素間のピッチを小さくしなければならない（例えば３．０μｍ、２．５μｍ、２．０μｍ、１．５μｍ以下等）。ピッチを小さくすると、隣接する画素間でリーク電流に起因するクロストークが発生し易くなる。 In recent years, the number of pixels of an image sensor tends to increase. However, since the overall size of the image pickup device hardly changes, the pitch between pixels must be reduced (for example, 3.0 μm, 2.5 μm, 2.0 μm, 1.5 μm or less, etc.). When the pitch is reduced, crosstalk due to leakage current is likely to occur between adjacent pixels.
従来、リーク電流を抑えてクロストークを減らすため、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ），ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）等の、フォトダイオードを電気的に分離するための分離層を形成している。しかし、分離層を形成すると暗電流が発生する。 Conventionally, in order to suppress leakage current and reduce crosstalk, an isolation layer for electrically isolating a photodiode, such as LOCOS (Local Oxidation of Silicon) or STI (Shallow Trench Isolation), is formed. However, when a separation layer is formed, dark current is generated.
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は微細な画素ピッチであってもリーク電流や暗電流をなくすことができる撮像素子を提供することである。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an imaging device capable of eliminating leakage current and dark current even with a fine pixel pitch.
上記課題を解決するため請求項１記載の発明は、第１分光特性を有する第１フィルタと前記第１フィルタを介して入射した光を光電変換する第１光電変換部とを含む第１画素と、第１方向に沿って前記第１画素の隣りに配置され、前記第１フィルタより長波長の光を透過させる第２分光特性を有する第２フィルタと前記第２フィルタを介して入射した光を光電変換する第２光電変換部とを含む第２画素と、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って前記第１画素の隣りに配置され、前記第１フィルタより短波長の光を透過させる第３分光特性を有する第３フィルタと前記第３フィルタを介して入射した光を光電変換する第３光電変換部とを含む第３画素と、を備え、前記第１方向及び前記第２方向と垂直な第３方向において、前記第１光電変換部から前記第１フィルタまでの距離は、前記第３光電変換部から前記第３フィルタまでの距離より短く、前記第３方向において、前記第２光電変換部から前記第２フィルタまでの距離は、前記第３光電変換部から前記第３フィルタまでの距離と同一であることを特徴とする撮像素子である。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is a first pixel including a first filter having a first spectral characteristic and a first photoelectric conversion unit that photoelectrically converts light incident through the first filter; A second filter disposed adjacent to the first pixel along the first direction and having a second spectral characteristic that transmits light having a longer wavelength than the first filter; and light incident through the second filter. A second pixel that includes a second photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion, and is disposed adjacent to the first pixel along a second direction perpendicular to the first direction, and transmits light having a shorter wavelength than the first filter. And a third pixel including a third filter having a third spectral characteristic and a third photoelectric conversion unit that photoelectrically converts light incident through the third filter, the first direction and the second direction In the third direction perpendicular to the first photoelectric conversion The distance from the first photoelectric converter to the first filter is shorter than the distance from the third photoelectric converter to the third filter, and in the third direction, the distance from the second photoelectric converter to the second filter is An imaging device having the same distance from a third photoelectric conversion unit to the third filter .
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の撮像素子において、前記第３方向において、前記第１光電変換部から前記第１フィルタまでの距離は、前記第２光電変換部から前記第２フィルタまでの距離より短いことを特徴とする撮像素子である。
According to a second aspect of the present invention, in the image pickup device according to the first aspect, in the third direction, a distance from the first photoelectric conversion unit to the first filter is from the second photoelectric conversion unit to the second. It is an image sensor characterized by being shorter than the distance to the filter .
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の撮像素子において、前記第１光電変換部で光電変換された電荷を転送する第１転送スイッチと、前記第２光電変換部で光電変換された電荷を転送する第２転送スイッチと、前記第３光電変換部で光電変換された電荷を転送する第３転送スイッチと、を更に備え、前記第１転送スイッチ、前記第２転送スイッチ及び前記第３転送スイッチは、前記第３方向において同一の位置にそれぞれ形成され、かつ前記第１方向及び前記第２方向において異なる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする撮像素子である。
According to a third aspect of the present invention, in the imaging device according to the first or second aspect, the first transfer switch that transfers the electric charge photoelectrically converted by the first photoelectric conversion unit, and the second photoelectric conversion unit A second transfer switch for transferring the photoelectrically converted charge; and a third transfer switch for transferring the charge photoelectrically converted by the third photoelectric conversion unit, the first transfer switch and the second transfer switch. And the third transfer switch is formed at the same position in the third direction, and is formed at different positions in the first direction and the second direction, respectively .
請求項４記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮像素子において、入射した光を前記第１光電変換部に集光する第１マイクロレンズと、入射した光を前記第２光電変換部に集光する第２マイクロレンズと、入射した光を前記第３光電変換部に集光する第３マイクロレンズと、を更に備え、前記第１マイクロレンズ、前記第２マイクロレンズ及び前記第３マイクロレンズは、前記第３方向において同一の位置にそれぞれ形成され、かつ前記第１方向及び前記第２方向において異なる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする撮像素子である。
According to a fourth aspect of the present invention, in the imaging device according to any one of the first to third aspects, the first microlens that collects the incident light on the first photoelectric conversion unit, and the incident light A second microlens for condensing the light onto the second photoelectric conversion unit, and a third microlens for condensing incident light onto the third photoelectric conversion unit, the first microlens and the second microlens The imaging device, wherein the microlens and the third microlens are formed at the same position in the third direction and are formed at different positions in the first direction and the second direction, respectively. is there.
請求項５記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮像素子において、入射した光を前記第１光電変換部に集光する第１マイクロレンズと、入射した光を前記第２光電変換部に集光する第２マイクロレンズと、入射した光を前記第３光電変換部に集光する第３マイクロレンズと、を更に備え、前記第１マイクロレンズ及び前記第３マイクロレンズは、前記第３方向において異なる位置にそれぞれ形成され、かつ前記第１方向及び前記第２方向において異なる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする撮像素子である。
According to a fifth aspect of the present invention, in the image pickup device according to any one of the first to third aspects, the first microlens that collects the incident light on the first photoelectric conversion unit, and the incident light A second microlens that condenses the second photoelectric conversion unit on the second photoelectric conversion unit, and a third microlens that collects incident light on the third photoelectric conversion unit, the first microlens and the third microlens The microlens is an image sensor formed at different positions in the third direction and at different positions in the first direction and the second direction .
請求項６記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮像素子において、入射した光を前記第１光電変換部に集光する第１マイクロレンズと、入射した光を前記第２光電変換部に集光する第２マイクロレンズと、入射した光を前記第３光電変換部に集光する第３マイクロレンズと、を更に備え、前記第１マイクロレンズ及び前記第２マイクロレンズは、前記第３方向において異なる位置にそれぞれ形成され、かつ前記第１方向及び前記第２方向において異なる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする撮像素子である。 According to a sixth aspect of the present invention, in the image pickup device according to any one of the first to third aspects, the first microlens that collects the incident light on the first photoelectric conversion unit, and the incident light The second microlens for condensing the second photoelectric conversion unit on the second photoelectric conversion unit, and the third microlens for condensing incident light on the third photoelectric conversion unit, the first microlens and the second microlens The microlens is an image sensor formed at different positions in the third direction and at different positions in the first direction and the second direction .
請求項７記載の発明は、請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の撮像素子において、前記第１マイクロレンズの形状と前記第３マイクロレンズの形状は、異なることを特徴とする撮像素子である。
According to a seventh aspect of the present invention, in the imaging device according to any one of the fourth to sixth aspects, the shape of the first microlens and the shape of the third microlens are different. It is an image sensor.
請求項８記載の発明は、請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の撮像素子において、前記第１マイクロレンズの形状と前記第２マイクロレンズの形状は、異なることを特徴とする撮像素子である。 According to an eighth aspect of the present invention, in the image pickup device according to any one of the fourth to sixth aspects, the shape of the first microlens and the shape of the second microlens are different. It is an image sensor.
この発明によれば微細な画素ピッチであってもリーク電流や暗電流をなくすことができる。 According to the present invention, leak current and dark current can be eliminated even with a fine pixel pitch.
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図１（ａ）はこの発明の第１実施形態に係る撮像素子の画素の一部の表面を示す概念図、図１（ｂ）は図１（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面を示す概念図、図１（ｃ）は図１（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面を示す概念図である。 FIG. 1A is a conceptual diagram showing the surface of a part of a pixel of an image sensor according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows a cross section taken along line bb in FIG. A conceptual diagram, FIG.1 (c) is a conceptual diagram which shows the cross section along the cc line of Fig.1 (a).
撮像素子は、シリコン基板（基板）１０に配置された光電変換部である複数のフォトダイオードＰＤと、複数のフォトダイオ−ドＰＤにそれぞれ対向配置されたカラーフィルタＣＦとを備えている。 The imaging device includes a plurality of photodiodes PD that are photoelectric conversion units disposed on a silicon substrate (substrate) 10 and a color filter CF that is disposed to face the plurality of photodiodes PD.
シリコン基板１０は例えばｎ型基板上にｐ型半導体層を設けたものであり、フォトダイオードＰＤはシリコン基板１０に埋め込まれている。
The
カラーフィルタＣＦは赤色カラーフィルタＲＣＦ、緑色カラーフィルタＧＣＦ及び青色カラーフィルタＢＣＦである。カラーフィルタＣＦは赤色カラーフィルタＲＣＦ、緑色カラーフィルタＧＣＦ及び青色カラーフィルタＢＣＦをＢａｙｅｒ配列してなる（図１（ａ）参照）。 The color filter CF is a red color filter RCF, a green color filter GCF, and a blue color filter BCF. The color filter CF includes a red color filter RCF, a green color filter GCF, and a blue color filter BCF arranged in a Bayer array (see FIG. 1A).
フォトダイオ−ドＰＤと赤色カラーフィルタＲＣＦとで赤色画素(第１色画素)が構成され、フォトダイオ−ドＰＤと緑色カラーフィルタＧＣＦとで緑色画素(第２色画素)が構成され、フォトダイオ−ドＰＤと青色カラーフィルタＢＣＦとで青色画素(第３色画素)が構成される。 The photodiode PD and the red color filter RCF constitute a red pixel (first color pixel), and the photodiode PD and the green color filter GCF constitute a green pixel (second color pixel). The blue pixel (third color pixel) is configured by the PD and the blue color filter BCF.
各画素の前方には画素毎に光を透過・集光するための半球状のマイクロレンズＭＬが配置されている。マイクロレンズＭＬの高さはｈ１である。 In front of each pixel, a hemispherical microlens ML for transmitting and condensing light is arranged for each pixel. The height of the microlens ML is h1.
シリコン基板１０の厚さ方向の表面位置は隣接する各色の画素間で異なる。この実施形態では、シリコン基板１０の厚さ方向の表面位置は青色画素、緑色画素、赤色画素の順番で低くなっている。換言すれば、シリコン基板１０の表面からマイクロレンズＭＬの下面までの距離が青色画素、緑色画素、赤色画素の順番で長くなっている。
The surface position in the thickness direction of the
この実施形態によれば、シリコン基板１０の厚さ方向の表面位置が隣接する各色の画素間で異なり、隣接するフォトダイオ−ドＰＤが３次元的に引き離され、しかもＬＯＣＯＳやＳＴＩによる分離層を形成していないので、微細な画素ピッチであってもＬＯＣＯＳやＳＴＩに起因するリーク電流や暗電流をなくすことができる。なお、マイクロレンズＭＬの高さを画素毎に変えてもよい。高さを変えることで、画素ごとに集光率をコントロールすることができるという効果を奏する。
According to this embodiment, the surface position in the thickness direction of the
図２（ａ）、（ｂ）はこの発明の第２実施形態に係る撮像素子の画素の一部の断面を示す概念図であり、第１実施形態と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。なお、カラーフィルタＣＦは図１（ａ）と同様に赤色カラーフィルタＲＣＦ、緑色カラーフィルタＧＣＦ及び青色カラーフィルタＢＣＦをＢａｙｅｒ配列している。 2 (a) and 2 (b) are conceptual diagrams showing a cross section of a part of a pixel of an image sensor according to the second embodiment of the present invention. The same reference numerals are given to portions common to the first embodiment. The description is omitted. In the color filter CF, as in FIG. 1A, a red color filter RCF, a green color filter GCF, and a blue color filter BCF are arranged in a Bayer array.
この実施形態では、青色画素のシリコン基板１０の厚さ方向の表面位置が第１実施形態と異なる。
In this embodiment, the surface position in the thickness direction of the
赤色画素のシリコン基板１０の厚さ方向の表面位置と青色画素のシリコン基板１０の厚さ方向の表面位置とは同じである。赤色画素及び青色画素のシリコン基板１０の厚さ方向の表面位置と緑色画素のシリコン基板１０の厚さ方向の表面位置とは異なる。
The surface position in the thickness direction of the
なお、この実施形態では、緑色画素に対向するマイクロレンズＭＬの高さはｈ１であるが、赤色画素、青色画素にそれぞれ対向するマイクロレンズＭＬの高さはｈ２（ｈ１＞ｈ２）である。 In this embodiment, the height of the microlens ML facing the green pixel is h1, but the height of the microlens ML facing the red pixel and the blue pixel is h2 (h1> h2).
この実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。 According to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
次に、画素構造の詳細を示す図３、４に基づいて第３実施形態及び第４実施形態を説明する。 Next, the third and fourth embodiments will be described based on FIGS. 3 and 4 showing details of the pixel structure.
図３はこの発明の第３実施形態に係る撮像素子の画素の一部の断面を示す概念図であり、第１実施形態と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。 FIG. 3 is a conceptual diagram showing a cross section of a part of a pixel of an image sensor according to a third embodiment of the present invention. The same reference numerals are given to the same parts as those in the first embodiment, and the description thereof is omitted.
シリコン基板１０には、フォトダイオードＰＤで蓄積された電荷を浮遊拡散領域ＦＤに転送する転送スイッチＴＸが形成されている。転送スイッチＴＸは電荷を電圧に変換する。転送スイッチＴＸはＭＯＳトランジスタで構成され、浮遊拡散領域ＦＤはコンデンサで構成されている。
A transfer switch TX is formed on the
撮像素子は、各画素に入射した光をフォトダイオードＰＤによって光電変換して信号電荷を生成し、この信号電荷をスイッチＴＸによってＦＤ領域に転送し、このＦＤ領域の電位変動を図示しない増幅トランジスタによって検出し、これを電気信号に変換・増幅することにより、画素毎に信号電荷を信号線から出力する。 The imaging device photoelectrically converts light incident on each pixel by a photodiode PD to generate a signal charge, transfers the signal charge to the FD region by a switch TX, and changes potential of the FD region by an amplification transistor (not shown). By detecting and converting / amplifying this into an electric signal, signal charges are output from the signal line for each pixel.
シリコン基板１０には隣接する画素間の境界部に段差３０が形成されている。シリコン基板１０の厚さ方向の表面位置が隣接画素間で異なっているため、隣接するフォトダイオ−ドＰＤへのリーク電流が抑制される（図３参照）。
In the
この実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。 According to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
図４はこの発明の第４実施形態に係る撮像素子の画素の断面を示す概念図であり、第３実施形態と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。 FIG. 4 is a conceptual diagram showing a cross section of a pixel of an image sensor according to the fourth embodiment of the present invention. The same reference numerals are given to the portions common to the third embodiment, and the description thereof is omitted.
この実施形態は転送スイッチＴＸのシリコン基板１０の厚さ方向の表面位置が隣接する画素間で同じである点で第３実施形態と相違する。
This embodiment is different from the third embodiment in that the surface position of the transfer switch TX in the thickness direction of the
この実施形態によれば、第３実施形態と同様の効果を奏するとともに、転送スイッチＴＸのシリコン基板１０の厚さ方向の表面位置が隣接する画素間で同じであるので、画素間の段差３０が深いときにＰｏｌｙ Ｓｉの回折の影響を低減することができる。また、フォトダイオ−ドＰＤと浮遊拡散領域ＦＤとの間にも段差２０を設けたので、横方向へのリーク電流を完全に遮断することができる。
According to this embodiment, the same effect as that of the third embodiment is obtained, and the surface position in the thickness direction of the
なお、上記第１実施形態〜第４実施形態において、段差の高さ（シリコン基板１０の厚さ方向の寸法）が０．１μｍ以上で、段差のテーパ角（θ）がシリコン基板１０の表面を基準として０度を超え且つ９０度以下であるとき、従来例に比較してリーク電流を低減することができる。
In the first to fourth embodiments, the height of the step (the dimension in the thickness direction of the silicon substrate 10) is 0.1 μm or more, and the taper angle (θ) of the step is on the surface of the
また、隣接画素間の段差の高さをＤ、画素間のピッチをＰとしたとき、隣接画素間の段差の高さＤと画素間のピッチＰとの間には、Ｄ/Ｐ＝０．０５以上であるという関係がある。 Further, when the height of the step between adjacent pixels is D and the pitch between the pixels is P, D / P = 0..0 between the height D of the step between adjacent pixels and the pitch P between the pixels. There is a relationship that it is 05 or more.
また、マイクロレンズＭＬの高さを撮像素子内で同一としてもよい。また、図２に示すように、緑色画素に対向するマイクロレンズＭＬの高さｈ１と、赤色画素、青色画素にそれぞれ対向するマイクロレンズＭＬの高さｈ２とを異ならせてもよい。更に、マイクロレンズＭＬの高さを画素毎に異ならせてもよい。また、マイクロレンズＭＬの形状（半球状、かまぼこ型等）を画素毎に異ならせてもよい。 Further, the height of the microlens ML may be the same in the image sensor. Also, as shown in FIG. 2, the height h1 of the microlens ML facing the green pixel may be different from the height h2 of the microlens ML facing the red pixel and the blue pixel. Further, the height of the microlens ML may be varied for each pixel. Further, the shape of the microlens ML (hemispherical, kamaboko type, etc.) may be different for each pixel.
１０：シリコン基板（基板）、ＣＦ：カラーフィルタ、Ｄ：シリコン基板の段差の高さ、ＦＤ：浮遊拡散領域、ＭＬ：マイクロレンズ、Ｐ：画素間のピッチ、ＰＤ：フォトダイオード（光電変換部）、ＴＸ：転送スイッチ。 10: silicon substrate (substrate), CF: color filter, D: height of step of silicon substrate, FD: floating diffusion region, ML: microlens, P: pitch between pixels, PD: photodiode (photoelectric conversion unit) , TX: Transfer switch.
Claims (8)
第１方向に沿って前記第１画素の隣りに配置され、前記第１フィルタより長波長の光を透過させる第２分光特性を有する第２フィルタと前記第２フィルタを介して入射した光を光電変換する第２光電変換部とを含む第２画素と、
前記第１方向と垂直な第２方向に沿って前記第１画素の隣りに配置され、前記第１フィルタより短波長の光を透過させる第３分光特性を有する第３フィルタと前記第３フィルタを介して入射した光を光電変換する第３光電変換部とを含む第３画素と、を備え、
前記第１方向及び前記第２方向と垂直な第３方向において、前記第１光電変換部から前記第１フィルタまでの距離は、前記第３光電変換部から前記第３フィルタまでの距離より短く、
前記第３方向において、前記第２光電変換部から前記第２フィルタまでの距離は、前記第３光電変換部から前記第３フィルタまでの距離と同一であることを特徴とする撮像素子。 A first pixel including a first filter having a first spectral characteristic and a first photoelectric conversion unit that photoelectrically converts light incident through the first filter;
A second filter having a second spectral characteristic that is arranged next to the first pixel along the first direction and transmits light having a wavelength longer than that of the first filter, and light incident through the second filter are photoelectrically converted. A second pixel including a second photoelectric conversion unit to convert;
A third filter disposed adjacent to the first pixel along a second direction perpendicular to the first direction and having a third spectral characteristic that transmits light having a shorter wavelength than the first filter; and the third filter. A third pixel including a third photoelectric conversion unit that photoelectrically converts light incident through
In the third direction perpendicular to the first direction and the second direction, the distance from the first photoelectric conversion unit to the first filter is shorter than the distance from the third photoelectric conversion unit to the third filter,
In the third direction, the distance from the second photoelectric conversion unit to the second filter is the same as the distance from the third photoelectric conversion unit to the third filter .
前記第３方向において、前記第１光電変換部から前記第１フィルタまでの距離は、前記第２光電変換部から前記第２フィルタまでの距離より短いことを特徴とする撮像素子。 The imaging device according to claim 1,
In the third direction, the distance from the first photoelectric conversion unit to the first filter is shorter than the distance from the second photoelectric conversion unit to the second filter .
前記第１光電変換部で光電変換された電荷を転送する第１転送スイッチと、
前記第２光電変換部で光電変換された電荷を転送する第２転送スイッチと、
前記第３光電変換部で光電変換された電荷を転送する第３転送スイッチと、を更に備え、
前記第１転送スイッチ、前記第２転送スイッチ及び前記第３転送スイッチは、前記第３方向において同一の位置にそれぞれ形成され、かつ前記第１方向及び前記第２方向において異なる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする撮像素子。 The imaging device according to claim 1 or 2,
A first transfer switch for transferring charges photoelectrically converted by the first photoelectric conversion unit;
A second transfer switch for transferring charges photoelectrically converted by the second photoelectric conversion unit;
A third transfer switch for transferring the charge photoelectrically converted by the third photoelectric conversion unit,
The first transfer switch, the second transfer switch, and the third transfer switch are formed at the same position in the third direction, and are formed at different positions in the first direction and the second direction, respectively. imaging device, characterized in that there.
入射した光を前記第１光電変換部に集光する第１マイクロレンズと、
入射した光を前記第２光電変換部に集光する第２マイクロレンズと、
入射した光を前記第３光電変換部に集光する第３マイクロレンズと、を更に備え、
前記第１マイクロレンズ、前記第２マイクロレンズ及び前記第３マイクロレンズは、前記第３方向において同一の位置にそれぞれ形成され、かつ前記第１方向及び前記第２方向において異なる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする撮像素子。 In the imaging device according to any one of claims 1 to 3,
A first microlens for condensing incident light on the first photoelectric conversion unit;
A second microlens for condensing incident light on the second photoelectric conversion unit;
A third microlens that condenses incident light on the third photoelectric conversion unit, and
The first microlens, the second microlens, and the third microlens are formed at the same position in the third direction, and are formed at different positions in the first direction and the second direction, respectively. imaging device, characterized in that there.
入射した光を前記第１光電変換部に集光する第１マイクロレンズと、
入射した光を前記第２光電変換部に集光する第２マイクロレンズと、
入射した光を前記第３光電変換部に集光する第３マイクロレンズと、を更に備え、
前記第１マイクロレンズ及び前記第３マイクロレンズは、前記第３方向において異なる位置にそれぞれ形成され、かつ前記第１方向及び前記第２方向において異なる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする撮像素子。 In the imaging device according to any one of claims 1 to 3,
A first microlens for condensing incident light on the first photoelectric conversion unit;
A second microlens for condensing incident light on the second photoelectric conversion unit;
A third microlens that condenses incident light on the third photoelectric conversion unit, and
The first microlens and the third microlens are formed at different positions in the third direction, and are formed at different positions in the first direction and the second direction, respectively. element.
入射した光を前記第１光電変換部に集光する第１マイクロレンズと、
入射した光を前記第２光電変換部に集光する第２マイクロレンズと、
入射した光を前記第３光電変換部に集光する第３マイクロレンズと、を更に備え、
前記第１マイクロレンズ及び前記第２マイクロレンズは、前記第３方向において異なる位置にそれぞれ形成され、かつ前記第１方向及び前記第２方向において異なる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする撮像素子。 In the imaging device according to any one of claims 1 to 3,
A first microlens for condensing incident light on the first photoelectric conversion unit;
A second microlens for condensing incident light on the second photoelectric conversion unit;
A third microlens that condenses incident light on the third photoelectric conversion unit, and
The first microlens and the second microlens are formed at different positions in the third direction, and are formed at different positions in the first direction and the second direction, respectively. element.
前記第１マイクロレンズの形状と前記第３マイクロレンズの形状は、異なることを特徴とする撮像素子。 The imaging device according to any one of claims 4 to 6,
The imaging device , wherein the shape of the first microlens and the shape of the third microlens are different .
前記第１マイクロレンズの形状と前記第２マイクロレンズの形状は、異なることを特徴とする撮像素子。 The imaging device according to any one of claims 4 to 6,
The shape of the said 1st micro lens and the shape of the said 2nd micro lens differ, The imaging device characterized by the above-mentioned .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009143796A JP5569715B2 (en) | 2009-06-17 | 2009-06-17 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
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