JP5560261B2 - 情報記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、光学的に情報を記録、消去、書き換え、及び／または再生する情報記録媒体に関するものである。

光学的に情報を記録、消去、書き換え、及び／または再生する情報記録媒体の基本的な構成の一例として、例えば、光の入射側から、第２誘電体層、記録層、第１誘電体層、及び反射層がこの順に配置した形態が挙げられる。従来、第１及び第２誘電体層の材料には、例えば（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）が用いられてきた。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導性が低く、高透明性及び高屈折率を有する。また、膜形成時の成膜速度が大きく、機械特性及び耐湿性にも優れているため、誘電体層を形成するのに適した材料として、実用化されてきた。

しかしながら、この材料を書換形の情報記録媒体の誘電体層に用いる場合、レーザ光を記録層に照射して繰り返し書き換えを実施すると（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）中のＳが記録層中に拡散し、繰り返し書き換え性能を著しく低下させるという課題があった。この課題を解決するために、第１誘電体層と記録層との間、及び、記録層と第２誘電体層との間に、それぞれ、５ｎｍ程度の厚さを有するもう１層の誘電体層（界面層）を設ける構成が採用されている（例えば、特許文献１参照）。

例えば、ハイビジョン画像の録画媒体として実用化したブルーレイ・ディスク（以下、ＢＤと略記する。）媒体の場合、界面層にＺｒＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃を含む材料（以下、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ）を用いており、１万回以上の優れた繰り返し書き換えを実現している（例えば、特許文献２参照）。この材料は、Ｓを含まず、高融点で耐熱性に優れ、さらに記録層との密着性も良好であるため、界面層に適した材料である。複数の情報層を備えたＢＤ媒体において、情報層を光入射側と反対側から順にＬ０、Ｌ１、…と表した場合、特に５０ギガバイト（ＧＢ）の２層ＢＤ媒体においては、光の入射側に位置する半透明な情報層（Ｌ１）は、記録層が約６ｎｍ、反射層が約１０ｎｍと非常に薄い層が積層された構成を有しているが、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏからなる界面層を採用することによって、１万回の繰り返し書き換え性能を達成することが可能となった。

特許第３７０７７９７号公報 特許第３９６１４１１号公報

近年、次世代ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）として、規格がＢＤに一本化されたことから、大容量ハードディスク内蔵のＢＤレコーダ、及びＢＤレコーダ内蔵の大型テレビが発売され、ＢＤレコーダ及びＢＤ媒体の普及が加速しつつある。そのような状況において、ＢＤ媒体の次のテーマは大容量化である。大容量化によって、ハイビジョン画像をより長時間ＢＤ媒体に録画できるようになり、あるいは、ＢＤ媒体をハードディスクの代わりの可換媒体としても使用できるようになる。

大容量化の方法としては、情報層１層あたりの記録容量を増やす方法と、層数（情報層数）を増やす方法とがあり、両者を組み合わせることによりさらなる大容量化が可能となる。本発明者は、両者を組み合わせて、１００ＧＢのＢＤ媒体の開発に取り組んだ。具体的には、１層あたり３３．４ＧＢ（従来２５ＧＢ）の情報層を開発し、これを３層積層する形態である。記録容量を２５ＧＢから３３．４ＧＢに増やすということは、記録密度が１．３４倍に増加することを意味し、記録するマーク自体が小さくなる。そこで、小さいマークから従来と同等以上の信号振幅を得ることが技術的課題となる。信号振幅を大きくするためには、記録層のアモルファス相（マーク）と結晶相（マーク間）の反射率比Ｒ_c／Ｒ_aを大きくすることが効果的である（Ｒ_c：記録層が結晶相である場合のＢＤ媒体の鏡面反射率、Ｒ_a：記録層がアモルファス相である場合のＢＤ媒体の鏡面反射率）。また、層数を２層から３層に増やすためには、最も光の入射側に位置する情報層（Ｌ２）の透過率を２層の場合よりも高めなければならない。２層の場合はＬ１の透過率を５０％で光学設計していたが、３層に対してはＬ２の透過率を５６％以上で光学設計しなければならない。そのためには、３層のＬ２について、光を吸収する層である記録層や反射層を２層のＬ１よりも薄くすればよいが、それはＲ_c／Ｒ_aを低下させる要因となる。このように、透過率とＲ_c／Ｒ_aとは、互いにトレードオフの関係にある。したがって、大容量化のためには、高透過率と高反射率比とが共に得られるような情報層の実現が要求される。すなわち、このような情報層が実現できるような膜構成の開発、具体的には、記録層に接して設けられる層に用いられる誘電体材料の開発が求められる。

また、情報層には、上記のような光学的な特性だけでなく、良好な耐湿性や繰り返し書き換え性能等も求められる。そのため、記録層に接して設けられる層には、記録層との良好な密着性も要求される。

本発明は、前記従来の問題を解決するもので、高透過率と高反射率比とを実現でき、さらに良好な耐湿性及び繰り返し書き換え性能も実現できる情報層を提供することによって、大容量化が可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。

本発明は、光の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、光の入射側から、第２界面層、記録層、及び第１界面層をこの順に備え、前記第１界面層及び前記第２界面層は、前記記録層に接して配置されており、前記第２界面層が、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、前記第１界面層が、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、前記第１界面層及び前記第２界面層は、酸化物（Ｃｒ₂Ｏ₃）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲でＣｒを含んでいる、情報記録媒体を提供する。

本発明の情報記録媒体によれば、例えば情報層１層あたり３３．４ＧＢ以上の容量を持つ、多層の書換形の情報記録媒体を実現できる。それにより、１００ＧＢ以上の大容量の情報記録媒体を実現することが可能となる。

図１は、本発明のＮ層の情報層を備えた情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図２は、本発明の３層の情報層を備えた情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図３は、本発明の４層の情報層を備えた情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図４は、本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の一例について、その構成の一部を模式的に示す図である。 図５は、本発明の情報記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置の一例について、その構成の一部を模式的に示す図である。

本発明の情報記録媒体は、高透過率と高反射率比とを実現でき、さらに良好な耐湿性及び繰り返し書き換え性能も実現できる情報層を提供することによって、大容量化が可能な情報記録媒体を提供することを目的としてなされた発明である。

上記目的のうち、高透過率及び高反射率比を達成するために、本発明者は、３層ＢＤ媒体において最も光の入射側に位置する情報層（Ｌ２）に着目し、光の入射側から、第２誘電体層、第２界面層、記録層、第１界面層、第１誘電体層、反射層、及び高屈折率層が順に配置された構成を有する情報層について、光学設計（計算）を行った。その結果、第２界面層及び第１界面層により透明な材料を適用すれば、Ｒ_c／Ｒ_aをより大きくできることがわかった。実際に、第１界面層及び第２界面層にＺｒ−Ｃｒ−Ｏを適用したＬ２と、第１界面層及び第２界面層に、より透明な材料を適用したＬ２とを試作して、Ｒ_c／Ｒ_aを比較したところ、より透明な材料を適用したＬ２のＲ_c／Ｒ_aが大きくなることが確かめられた。この結果から、例えばＬ２の第１界面層及び第２界面層には、消衰係数が小さい（好ましくは消衰係数が０．１未満の）、新規な透明界面層が必要であるということが確かめられた。

ここで、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏを用いた界面層は、耐湿性及び繰り返し書き換え性能に優れた界面層であり、ＺｒＯ₂が透明で熱的に安定した材料であり、Ｃｒ₂Ｏ₃がカルコゲン系の記録層との密着性に優れた材料である。しかしながら、Ｃｒ₂Ｏ₃の波長４０５ｎｍの光における消衰係数は約０．２と大きいため、密着性に優れていても単独では使えない。また、ＺｒＯ₂は透明な材料であるが、記録層との密着性が不足しているため、ある程度のＣｒ₂Ｏ₃を添加する必要がある。カルコゲン系の記録層との優れた密着性を示す誘電体材料は非常に少なく、本発明者の実験によれば、Ｃｒ₂Ｏ₃の他にＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇａ₂Ｏ₃及びＩｎ₂Ｏ₃が挙げられる。ただし、ＳｉＣは波長４０５ｎｍの光における消衰係数が０．３程度とＣｒ₂Ｏ₃よりも大きく、ＺｎＳは上述のようにＳの拡散が生じる。また、Ｇｅ−Ｎは分解温度が７００℃付近にあり、青紫色レーザでは繰り返し記録に耐えない。Ｇａ₂Ｏ₃及びＩｎ₂Ｏ₃は透明で密着性にも優れているが、価格が高い。よって、記録層との密着性を確保する材料としては、Ｃｒ₂Ｏ₃が最も好ましい材料である、との結論に至った。

上記の検討により、本発明者は、本発明の情報記録媒体の構成、すなわち、光の入射側から、第２界面層、記録層及び第１界面層をこの順に備え、第１界面層及び第２界面層が記録層に接して配置されており、前記第２界面層が、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、第１界面層が、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、第１界面層及び第２界面層が、酸化物（Ｃｒ₂Ｏ₃）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲でＣｒを含んでいる構成に到達した。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。

（実施の形態１）
実施の形態１として、本発明の情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態１の情報記録媒体９の一部断面図を図１に示す。情報記録媒体９は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な多層情報記録媒体である。

情報記録媒体９は、基板８と、基板８上に中間層６、５、３等を介して順次積層された、第１情報層７、…、第Ｎ−１情報層４、及び第Ｎ情報層１０を含むＮ層（ＮはＮ≧２を満たす整数）の情報層と、透明層２と、により構成されている。ここで、レーザビーム１の入射側である基板８側から数えて２番目からＮ番目までの情報層である、第２情報層（図示せず）、…、第Ｎ−１情報層４及び第Ｎ情報層１０（以下、基板８側から数えてＫ番目（１≦Ｋ≦Ｎ）に配置されている情報層を「第Ｋ情報層」と記す。）は、光透過形の情報層である。

透明層２の材料は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。透明層２の材料としては、特にアクリル系の樹脂が好ましい。また、透明層２は、透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）等の樹脂、またはガラスから成るシートもしくは板であってもよい。この場合、透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または粘着性のシート等によって第２誘電体層１０２に貼り合わせることが可能である。透明層２の厚さは、例えばＮＡ＝０．６の対物レンズを用いて記録再生を行う場合、０．５５ｍｍ〜０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、ＮＡ＝０．８５の対物レンズを用いて記録再生を行う場合、５０μｍ〜１２０μｍの範囲内であることが好ましい。

レーザビーム１の波長λは、高密度記録の場合、特に４５０ｎｍ以下であることが好ましい。レーザビーム１を集光した際のスポット径が、波長λによって決まってしまう（波長λが短いほど、より小さなスポット径に集光可能）ためである。また、λが３５０ｎｍ未満であると、透明層２等による光吸収が大きくなってしまう。よって、λは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

基板８は、透明な円盤状の基板である。基板８を構成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスを用いることができる。基板８の材料としては、転写性・量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。

基板８の第１情報層７側の表面には、必要に応じてレーザビーム１を導くための案内溝が形成されていてもよい。他方、基板８の第１情報層７側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板８の厚さは、十分な強度が確保され、且つ情報記録媒体９の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．５ｍｍ〜１．２ｍｍの範囲内であることが好ましい。なお、透明層２の厚さが０．６ｍｍ程度（ＮＡ＝０．６で良好な記録再生が可能な厚さ）の場合、０．５５ｍｍ〜０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、透明層２の厚さが０．１ｍｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録再生が可能）の場合、１．０５ｍｍ〜１．１５ｍｍの範囲内であることが好ましい。

中間層６、５、３等は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。中間層６、５、３等は、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。中間層６、５、３等の材料としては、特にアクリル系の樹脂が好ましい。

中間層６、５、３等は、情報記録媒体９の第Ｎ情報層１０、第Ｎ−１情報層４、…及び第１情報層７のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設ける層である。中間層６、５、３等の厚さは、対物レンズの開口数ＮＡとレーザビーム１の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦光点の強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）²｝で近似できる。λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のとき、ΔＺ＝０．２８０μｍとなり、±０．３μｍ以内は焦点深度内となる。そのため、この場合には、中間層６、５、３等の厚さは０．６μｍ以上であることが必要である。

隣接する２つの情報層間の距離、及び第Ｎ情報層１０とこれから最も離れた第１情報層７との間の距離は、対物レンズを用いてレーザビーム１を集光することが可能である範囲となるようにすることが望ましい。したがって、中間層６、５、３等の厚さの合計は、対物レンズが許容できる公差内（例えば６０μｍ以下）にすることが好ましい。

中間層６、５、３等において、レーザビーム１の入射側の表面には、必要に応じてレーザビーム１を導くための案内溝が形成されていてもよい。

この場合、片側からのレーザビーム１の照射のみにより、第Ｋ情報層（Ｋは１≦Ｋ＜Ｎの整数）を、第Ｎ〜第（Ｋ＋１）情報層を透過したレーザビーム１によって記録再生することが可能である。

なお、第１情報層から第Ｎ情報層のいずれかを、再生専用タイプの情報層（ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ））、あるいは１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ））としてもよい。

以下、第Ｎ情報層１０の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第Ｎ情報層１０が、本発明の特徴的な構成を有する情報層、すなわち本発明の情報記録媒体における第Ｌ情報層に相当する。

第Ｎ情報層１０は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９を備える。なお、第２誘電体層１０２及び／または第１誘電体層１０６は、必要に応じて省略することも可能である。

第２誘電体層１０２は、誘電体からなる。この第２誘電体層１０２は、記録層１０４の酸化、腐食、及び変形等を防止する働きと、光学距離を調整して記録層１０４の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きと、を有する。

第２誘電体層１０２を形成する材料として、例えばＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＨｆＯ₂、Ｚｎ
Ｏ、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｃ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｇｄ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ₂、及びＴｅＯ₂等から選ばれる１または複数の酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等から選ばれる１または複数の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ₃及びＣｅＦ₃等の弗化物、及びＣを、第２誘電体層１０２の材料として用いることもできる。また、上記材料から選ばれる１または複数の材料の混合物を用いて、第２誘電体層１０２を形成することもできる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ₂との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ₂は、第２誘電体層１０２の材料として特に優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ₂は、非晶質材料であり、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性及び耐湿性が良好であることによる。

第２誘電体層１０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録層１０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合との反射光量の変化が大きく、且つ記録層１０４での光吸収が大きく、且つ第Ｎ情報層１０の透過率が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。第２誘電体層１０２の膜厚は、２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが望ましく、３０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

本発明の情報記録媒体の必須の構成要素である第２界面層１０３は、繰り返し記録によって第２誘電体層１０２と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きをする。また、第２界面層１０３は、記録層１０４の結晶化を促進または抑制する、結晶化能を調整する働きもする。第２界面層１０３は、光の吸収が少なく、記録の際に溶けない高融点な材料で、且つ、記録層１０４との密着性が良い材料から成ることが好ましい。記録の際に溶けない高融点な材料であることは、高パワーのレーザビーム１を照射した際に、溶けて記録層１０４に混入しないために必要な特性である。第２界面層１０３の材料が混入すると、記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下する。また、記録層１０４と密着性が良い材料であることは、信頼性確保に必要な特性である。

第２界面層１０３は、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくともいずれか一つの元素である。本明細書において、以下に示すＭ１も同様である。）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含んでいる。Ｍ１、Ｃｒ、及びＯを含む材料を用いることにより、第２界面層１０３は、記録層１０４との優れた密着性と高透明性とを両立することができる。なお、第２界面層１０３は、Ｍ１、Ｃｒ、及びＯを含んでいればよいが、Ｍ１、Ｃｒ、及びＯを主成分として含んでいることが好ましい。本発明の効果をより確実に得るために、第２界面層１０３が、実質的にＭ１、Ｃｒ、及びＯから形成されていてもよい。本明細書において、第２界面層１０３が、Ｍ１、Ｃｒ、及びＯを主成分として含むとは、第２界面層１０３に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、Ｍ１、Ｃｒ、及びＯの原子の合計が８０原子％以上、好ましくは９０原子％以上であることをいう。また、第２界面層１０３が実質的にＭ１、Ｃｒ、及びＯから形成される場合であっても、これら以外の元素（例えばＳｎ）が微量に（例えば５原子％以下で）混入していてもよい。

ＣｒとＯとを含む材料は、記録層１０４の結晶化をより促進するため好ましく、その中でも、ＣｒとＯがＣｒ₂Ｏ₃を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｃｒ₂Ｏ₃は記録層１０４との密着性が良い材料である。また、Ｍ１とＯとを含む材料は、第２界面層１０３の透明性を高くすることができるため好ましく、その中でも、Ｍ１とＯとがＮｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃は、透明性が高い材料である。また、上記の酸化物を混合してもよいが、その中でも特にＴｉＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃とを１：１の割合で含むチタン酸アルミニウム（Ａｌ₂ＴｉＯ₅）は、複合酸化物であり、融点が１８６０℃と熱的に安定で、且つレーザビーム１の波長の光に対する屈折率を高くできるため、第２界面層１０３用の材料として好ましい。第２界面層１０３は、上記の化合物や複合酸化物以外に、低酸化物（化学量論組成よりも酸素が少ない酸化物）や混合物を含んでもよい。

第２界面層１０３は、下記式（１）：
Ｍ１_aＣｒ_bＯ_100-a-b（原子％） （１）
（但し、ａ及びｂは、１２＜ａ＜４０、０＜ｂ≦２５、且つ２５＜（ａ＋ｂ）≦４０）で表される材料を含んでもよく、実質的にこの材料から形成されていてもよい。実質的にＭ１_aＣｒ_bＯ_100-a-b（原子％）で表される材料から形成されるとは、第２界面層１０３に含まれるＭ１、Ｃｒ、及びＯの原子の合計が９５原子％以上、好ましくは９８原子％以上であることをいう。

また、第２界面層１０３は、下記式（３）：
（Ｄ１）_e（Ｃｒ₂Ｏ₃）_100-e（モル％） （３）
（但し、Ｄ１はＮｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃から選ばれる少なくとも一つの酸化物であり、ｅは、５０≦ｅ＜１００を満たす。）で表される材料を含んでもよく、実質的にこの材料から形成されていてもよい。実質的に（Ｄ１）_e（Ｃｒ₂Ｏ₃）_100-e（モル％）で表される材料から形成されるとは、第２界面層１０３に含まれるＤ１及びＣｒ₂Ｏ₃の酸化物の合計が９５モル％以上、好ましくは９８モル％以上であることをいう。これらの材料を含むことにより、記録層１０４との優れた密着性と高透明性とを両立した第２界面層１０３を提供でき、この第２界面層１０３を適用することにより、高反射率比と高透過率とを兼ね備えた第Ｎ情報層１０を提供することができる。

ただし、第２界面層１０３に含まれるＣｒ量は、酸化物（Ｃｒ₂Ｏ₃）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲とする。第２界面層１０３に含まれるＣｒ量が多すぎると第２界面層１０３の透明性が低下するため、Ｃｒ量の範囲がこのように設定される。

なお、本明細書において、「Ｍ１_aＣｒ_bＯ_100-a-b（原子％）」とは、「Ｍ１」原子、「Ｃｒ」原子及び「Ｏ」原子を合わせた数を基準（１００原子％）として表された組成式であることを示している。さらに、「（Ｄ１）_e（Ｃｒ₂Ｏ₃）_100-e（モル％）」とは、ｅモル％の化合物Ｄ１と１００−ｅモル％のＣｒ₂Ｏ₃との混合物であることを示している。以下、同様の表記方法を同様の意味で用いる。

第２界面層１０３が、ＣｒとＯとがＣｒ₂Ｏ₃を形成した酸化物を含む場合、記録層１０４との密着性を確保するため、第２界面層１０３中のＣｒ₂Ｏ₃の含有量は１０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。さらに、第２界面層１０３中のＣｒ₂Ｏ₃の含有量は、第２界面層１０３での透明性をより高く保つため、３０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。Ｃｒ₂Ｏ₃が多くなると光吸収が増加するため、上述のとおり透明性が低下する傾向にあるからである。

第２界面層１０３の膜厚は、第２界面層１０３での光吸収によって第Ｎ情報層１０の記録前後の反射光量の変化が小さくならないように、０．５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

記録層１０４は、レーザビーム１の照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化を起こす材料からなる。本実施の形態の情報記録媒体９において、記録層１０４が、Ｇｅ−Ｔｅを含み、且つＧｅを４０原子％以上含んでいてもよい。この場合、記録層１０４の材料として、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃、ＧｅＴｅ−Ｂｉ₂Ｔｅ₃、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ₂Ｔｅ₃、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）₂Ｔｅ₃、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）₂Ｔｅ₃、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）₂Ｔｅ₃、及び（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）₂Ｔｅ₃から選ばれるいずれか一つを含む材料を用いることができる。また、記録層１０４が、Ｓｂ−Ｇｅ及びＳｂ−Ｔｅから選ばれる少なくともいずれか一つの材料を含み、且つＳｂを７０原子％以上含んでいてもよい。この場合、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｍｎ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｍｎ−Ｓｎ−Ｇｅ、及び（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎから選ばれるいずれか一つを含む材料を用いることもできる。

第Ｎ情報層１０は、レーザビーム１の入射側から第Ｎ情報層１０より遠い側にある情報層に、記録再生の際に必要なレーザ光量を到達させるため、その透過率を高くする必要がある。このため、記録層１０４の膜厚は、９ｎｍ以下であることが好ましく、８ｎｍ以下であることがより好ましい。

また、記録層１０４は、Ｔｅを含む層、Ｂｉを含む層、Ｇｅを含む層、Ｓｂを含む層、Ｇｅ−Ｔｅを含む層、Ｓｂ−Ｇｅを含む層等から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる記録部として形成してもよい。例えば、結晶化速度が比較的速いＢｉを含む層と、アモルファス相が比較的安定なＧｅ−Ｔｅを含む層とを積層する構造を含むことにより、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を容易に調整することができる。なお、本明細書において、「（元素Ａ）−（元素Ｂ）」で表される材料とは、元素Ａと元素Ｂとを成分として含む材料のことであり、元素Ａ及び元素Ｂの混合物または合金であることを意味する。

積層構造の例としては、Ｂｉ₂Ｔｅ₃（３ｎｍ）／ＧｅＴｅ（４ｎｍ）、（Ｂｉ−Ｉｎ）₂Ｔｅ₃（３ｎｍ）／（ＧｅＳｎ）Ｔｅ（４ｎｍ）、ＧｅＴｅ−Ｂｉ₂Ｔｅ₃（５ｎｍ）／（ＧｅＳｎ）Ｔｅ（２ｎｍ）、Ｓｂ−Ｇｅ（４ｎｍ）／Ｓｂ−Ｔｅ（３ｎｍ）等が挙げられる。もちろん、ここに挙げた材料以外の材料から成る層を使用する、あるいは層の膜厚をここに例示した膜厚以外の膜厚にする構造や、積層順を入れ替えた構造を採用することは可能である。例えば、上記において例示した膜厚を好ましい膜厚比としてとらえ、記録部の所望の膜厚に応じて、各々、例えば２〜４倍にしてもよい。

また、記録層１０４は、不可逆な相変化を起こす材料を用いて構成してもよく、例えばＴｅ−Ｏ、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、またはＳｂ−Ｏで表される材料で形成することもできる。この場合、記録層１０４の膜厚は３０ｎｍ以下であることが好ましい。

また、記録層１０４は、不可逆な合金化を起こす材料の積層膜（例えば、Ｃｕ／Ｓｉ積層構造）としてもよい。

本発明の情報記録媒体の必須の構成要素である第１界面層１０５は、繰り返し記録によって第１誘電体層１０６と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きをする。また、第１界面層１０５は、記録層１０４の結晶化を促進または抑制する、結晶化能を調整する働きもする。第１界面層１０５は、光の吸収が少なく、記録の際に溶けない高融点な材料で、且つ、記録層１０４との密着性が良い材料から成ることが好ましい。記録の際に溶けない高融点な材料であることは、高パワーのレーザビーム１を照射した際に、溶けて記録層１０４に混入しないために必要な特性である。第１界面層１０５の材料が混入すると、記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下する。また、記録層１０４と密着性が良い材料であることは、信頼性確保に必要な特性である。

第１界面層１０５は、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素である。本明細書において、以下に示すＭ２も同様である。）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含んでいる。Ｍ２、Ｃｒ、及びＯを含む材料を用いることにより、第１界面層１０５は、記録層１０４との優れた密着性と高透明性とを両立することができる。なお、第１界面層１０５は、Ｍ２、Ｃｒ、及びＯを含んでいればよいが、Ｍ２、Ｃｒ、及びＯを主成分として含んでいることが好ましい。本発明の効果をより確実に得るために、第１界面層１０５が、実質的にＭ２、Ｃｒ、及びＯから形成されていてもよい。本明細書において、第１界面層１０５が、Ｍ２、Ｃｒ、及びＯを主成分として含むとは、第１界面層１０５に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、Ｍ２、Ｃｒ、及びＯの原子の合計が８０原子％以上、好ましくは９０原子％以上であることをいう。また、第１界面層１０５が実質的にＭ２、Ｃｒ、及びＯから形成される場合であっても、これら以外の元素（例えばＳｎ）が微量に（例えば５原子％以下で）混入していてもよい。

ＣｒとＯとを含む材料は、記録層１０４の結晶化をより促進するため好ましく、その中でも、ＣｒとＯとがＣｒ₂Ｏ₃を形成した酸化物が、好ましい材料である。また、Ｍ２とＯとを含む材料は、第１界面層１０５の透明性を高くすることができるため好ましく、その中でも、Ｍ２とＯとがＮｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂は、透明性が高い材料である。また、上記の酸化物を混合してもよいが、その中でも特にＳｉＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃とを２：３の割合で含むムライト（Ａｌ₆Ｓｉ₂Ｏ₁₃）は、複合酸化物であり、融点が１８５０℃と熱的に安定で、且つ屈折率を低くできるため、第１界面層１０５に好ましい材料である。また、上記の化合物や複合酸化物以外に、低酸化物（化学量論組成よりも酸素が少ない酸化物）や混合物を含んでもよい。

第１界面層１０５は、下記式（２）：
Ｍ２_cＣｒ_dＯ_100-c-d（原子％） （２）
（但し、ｃ及びｄは、１２＜ｃ＜４０、０＜ｄ≦２５、且つ２５＜（ｃ＋ｄ）≦４０）で表される材料を含んでもよく、実質的にこの材料から形成されていてもよい。実質的にＭ２_cＣｒ_dＯ_100-c-d（原子％）で表される材料から形成されるとは、第１界面層１０５に含まれるＭ２、Ｃｒ、及びＯの原子の合計が９５原子％以上、好ましくは９８原子％以上であることをいう。

また、第１界面層１０５は、下記式（４）：
（Ｄ２）_f（Ｃｒ₂Ｏ₃）_100-f（モル％） （４）
（但し、Ｄ２は、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂から選ばれる少なくとも一つの酸化物であり、ｆは、５０≦ｆ＜１００を満たす。）で表される材料を含んでもよく、実質的にこの材料から形成されていてもよい。実質的に（Ｄ２）_f（Ｃｒ₂Ｏ₃）_100-f（モル％）で表される材料から形成されるとは、第１界面層１０５に含まれるＤ２及びＣｒ₂Ｏ₃の酸化物の合計が９５モル％以上、好ましくは９８モル％以上であることをいう。これらの材料を含むことにより、記録層１０４との優れた密着性と高透明性とを両立した第１界面層１０５を提供でき、この第１界面層１０５を適用することにより、高反射率比と高透過率とを兼ね備えた第Ｎ情報層１０を提供することができる。

ただし、第１界面層１０５に含まれるＣｒ量は、酸化物（Ｃｒ₂Ｏ₃）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲とする。第１界面層１０５に含まれるＣｒ量が多すぎると第１界面層１０５の透明性が低下するため、Ｃｒ量の範囲がこのように設定される。

第１界面層１０５が、ＣｒとＯとがＣｒ₂Ｏ₃を形成した酸化物を含む場合、記録層１０４との密着性を確保するため、第１界面層１０５中のＣｒ₂Ｏ₃の含有量は１０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。さらに、第１界面層１０５中のＣｒ₂Ｏ₃の含有量は、第１界面層１０５での透明性を高く保つため、３０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。Ｃｒ₂Ｏ₃が多くなると光吸収が増加するため、上述のとおり透明性が低下する傾向にあるからである。

第１界面層１０５の膜厚は、第１界面層１０５での光吸収によって第Ｎ情報層１０の記録前後の反射光量の変化が小さくならないように、０．５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

ここで、レーザビーム１が有する波長λの光に対して第２界面層１０３の屈折率をｎ２、第１界面層１０５の屈折率をｎ１としたとき、ｎ１＜ｎ２の関係を満たすことが、第Ｎ情報層１０の高反射率比と高透過率とを両立するために好ましい。Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃及びＴｉＯ₂は屈折率が比較的高い材料であるため、第２界面層１０３にはこれらの材料が多く含まれることが好ましい。また、ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃は屈折率が比較的低い材料であるため、第１界面層１０５にはこれらの材料がより多く含まれることが好ましい。第１界面層１０５の屈折率ｎ１と第２界面層１０３の屈折率ｎ２との差は大きいことが好ましく、例えば０．２〜０．５の範囲であることが好ましい。

さらに、第２界面層１０３及び／または第１界面層１０５に含まれるＣｒの一部が、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換されていてもよい。ＣｒがＣｒ₂Ｏ₃の酸化物の状態で含まれる場合は、第２界面層１０３及び／または第１界面層１０５に含まれるＣｒ₂Ｏ₃の一部が、Ｇａ₂Ｏ₃及びＩｎ₂Ｏ₃から選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されていてもよい。これは、Ｇａ₂Ｏ₃及びＩｎ₂Ｏ₃が記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。置換元素（Ｇａ、Ｉｎ）の量が多くなりすぎると記録層１０４との密着性が低下する可能性があるため、置換元素の量はＣｒ量を超えない範囲であることが好ましい。

第１誘電体層１０６は、光学距離を調整して記録層１０４の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きとを有する。第１誘電体層１０６は、第２誘電体層１０２の材料と同様の系の材料を用いて形成することができる。また、第１誘電体層１０６の膜厚は、０．５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第１誘電体層１０６の膜厚をこの範囲内で選ぶことによって、記録層１０４で発生した熱を効果的に反射層１０８側に拡散させることができる。

反射層１０８は、記録層１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１０８は、記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能をも有する。さらに、反射層１０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。

反射層１０８の材料としては、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、及びＡｌといった、熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｂｉ、Ａｇ−Ｇａ、Ａｇ−Ｇａ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｎ、またはＣｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特に、Ａｇを５０原子％以上含むＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層１０８の材料として好ましい。反射層１０８の膜厚は、第Ｎ情報層１０の透過率をできるだけ高くするため、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。反射層１０８の膜厚がこの範囲内にあることにより、その熱拡散機能が十分で、且つ第Ｎ情報層１０の反射率を確保でき、さらに第Ｎ情報層１０の透過率も十分となる。

透過率調整層１０９は、誘電体からなり、第Ｎ情報層１０の透過率を調整する機能を有する。この透過率調整層１０９によって、記録層１０４が結晶相である場合の第Ｎ情報層１０の透過率Ｔ_c（％）と、記録層１０４が非晶質相である場合の第Ｎ情報層１０の透過率Ｔ_a（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層１０９を備える第Ｎ情報層１０の透過率は、透過率調整層１０９が無い場合に比べて、２％〜１０％程度上昇する。また、透過率調整層１０９は、記録層１０４で発生した熱を効果的に拡散させる機能も有する。

透過率調整層１０９の材料には、例えばＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＨｆＯ₂、ＺｎＯ、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、ＷＯ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃、及びＳｒ−Ｏ等の酸化物を用いることができる。また、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。これらの中でも、特にＴｉＯ₂、またはＴｉＯ₂を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈折率が大きく（屈折率ｎ＝２．６〜２．８）、消衰係数も小さい（消衰係数ｋ＝０．０〜０．０５）ため、第Ｎ情報層１０の透過率を高める作用が大きくなる。

レーザビーム１が有する波長λの光に対する透過率調整層１０９の屈折率ｎ_t及び消衰係数ｋ_tは、第Ｎ情報層１０の透過率Ｔ_c及びＴ_aを高める作用をより大きくするため、２．０≦ｎ_t且つｋ_t≦０．１を満たすことが好ましく、２．４≦ｎ_t≦３．０且つｋ_t≦０．０５を満たすことがより好ましい。

透過率調整層１０９の膜厚ｄ１は、（３／３２）λ／ｎ_t≦ｄ１≦（５／３２）λ／ｎ_tの範囲内であることが好ましい。レーザビーム１の波長λと透過率調整層１０９の屈折率ｎ_tとを、例えば３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、２．０≦ｎ_t≦３．０を満たすように選ぶと、ｄ１の好ましい範囲は、９ｎｍ≦ｄ１≦３０ｎｍとなる。ｄ１をこの範囲内で選ぶことによって、第Ｎ情報層１０の透過率Ｔ_c及びＴ_aを共に高くすることができる。

第Ｎ情報層１０の透過率Ｔ_c及びＴ_aは、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第Ｎ情報層１０より遠い側にある情報層に到達させるため、４５≦Ｔ_c且つ４５≦Ｔ_aを満たすことが好ましく、５０≦Ｔ_c且つ５０≦Ｔ_aを満たすことがより好ましい。

第Ｎ情報層１０の透過率Ｔ_c及びＴ_aは、−５≦（Ｔ_c−Ｔ_a）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔ_c−Ｔ_a）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔ_c及びＴ_aがこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第Ｎ情報層１０より遠い側にある情報層の記録再生の際、第Ｎ情報層１０の記録層１０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。

第Ｎ情報層１０において、記録層１０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_c（％）、及び記録層１０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_a（％）は、Ｒ_a＜Ｒ_cを満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒ_c−Ｒ_a）を大きくして良好な記録再生特性が得られるように、Ｒ_c、Ｒ_aは、０．１≦Ｒ_a≦１且つ１．５≦Ｒ_c≦５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒ_a≦０．７且つ１．５≦Ｒ_c≦３を満たすことがより好ましい。

情報記録媒体９は、以下に説明する方法によって製造できる。

まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）上に（Ｎ−１）個の情報層（第１情報層７から第Ｎ−１情報層４）を、中間層（中間層６、５等）を介して順次積層する。各情報層は、単層膜、または多層膜からなる。各情報層を構成する各層は、成膜装置内で、材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。また、中間層は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を情報層上に塗布して、その後、基板８を回転させて樹脂を均一に延ばした後（スピンコート）、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、基板８とかぶせた型（密着させた基板（型））とを回転させてスピンコートし、樹脂を硬化させた後、基板（型）をはがすことによって、中間層に案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。

このようにして、基板８上に（Ｎ−１）個の情報層を、中間層を介して積層した後、さらに、中間層３（厚さが例えば１０μｍ）を形成する。

続いて、中間層３上に第Ｎ情報層１０を形成する。具体的には、中間層を介して積層された（Ｎ−１）個の情報層上にさらに中間層３を形成した基板８を、成膜装置内に配置し、中間層３上に透過率調整層１０９を成膜する。透過率調整層１０９は、透過率調整層１０９を構成する誘電体からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス（特にＯ₂ガス）との混合ガス雰囲気中で高周波（ＲＦ）電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。なお、成膜速度を高めるため、透過率調整層１０９を構成する材料に導電性の材料を微量添加してスパッタリングターゲットに導電性を付加し、直流（ＤＣ）電源またはパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることもできる。また、透過率調整層１０９は、透過率調整層１０９を構成する金属からなるスパッタリングターゲットを、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でＤＣ電源、パルスＤＣ電源、またはＲＦ電源を用いて反応性スパッタリングすることによっても形成できる。

あるいは、透過率調整層１０９は、単独の誘電体の各々のスパッタリングターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、透過率調整層１０９は、２以上の誘電体を組み合わせた２元系スパッタリングターゲットや３元系スパッタリングターゲット等を、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのスパッタリングターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス（特にＯ₂ガス）との混合ガス雰囲気中で実施することができる。

続いて、透過率調整層１０９上に、反射層１０８を成膜する。反射層１０８は、反射層１０８を構成する金属または合金からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、Ｏ₂ガス及びＮ₂ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中で、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、またはＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。反射層１０８は金属または合金であるため、成膜速度を高められるＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることが好ましい。

続いて、反射層１０８上に、必要に応じて第１誘電体層１０６を成膜する。第１誘電体層１０６は、透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。

続いて、反射層１０８上（第１誘電体層１０６を設ける構成の場合は第１誘電体層１０６上）に、第１界面層１０５を成膜する。第１界面層１０５は、透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。第１界面層１０５は、上記式（２）、（４）のいずれかで表される材料を含む組成となるように、またはそれらの材料のみから成る組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。例えば、（Ａｌ₂Ｏ₃）₇₀（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀（モル％）の組成を有する第１界面層１０５を成膜する場合、（Ａｌ₂Ｏ₃）₇₀（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀（モル％）の組成を有するスパッタリングターゲットを用意して、Ａｒガス雰囲気中、或いはＡｒとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気中で成膜することにより、第１界面層１０５を形成することができる。実際に成膜した膜の組成が所望の組成になっているかは、例えばＸ線マイクロアナライザーによる組成分析により調べることが可能である。スパッタリング装置によって、膜中の酸化物の酸素が欠損しやすかったり、膜中の酸素が多くなったりして、所望の組成からずれることがある。このため、スパッタリングターゲットの組成をあらかじめ調整したり、Ａｒガスに混合するＯ₂ガスの量を調整したりすることで、所望の膜組成を得ることが可能である。

続いて、第１界面層１０５上に、記録層１０４を成膜する。記録層１０４は、例えば、Ｇｅ−Ｔｅを含み、且つＧｅを４０原子％以上含むスパッタリングターゲット、または、Ｓｂ−Ｇｅ及びＳｂ−Ｔｅから選ばれる少なくともいずれか一つの材料を含み、且つＳｂを７０原子％以上含むスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。また、記録層１０４は、例えばＴｅを含むスパッタリングターゲット、Ｂｉを含むスパッタリングターゲット、Ｇｅを含むスパッタリングターゲット、Ｓｂを含むスパッタリングターゲット、Ｇｅ−Ｔｅを含むスパッタリングターゲット、Ｓｂ−Ｇｅを含むスパッタリングターゲット、及び、Ｓｂ−Ｔｅを含むスパッタリングターゲット等から選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを、２個以上の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。その場合には、使用するスパッタリングターゲットの種類及び数、ならびに電源の出力等に応じて、得られる記録層の組成が決定されることとなるので、それらを適宜選択して、所望の組成の記録層１０４が得られるように記録層を構成することが好ましい。このように２種以上のスパッタリングターゲットを使用することは、例えば、混合物のスパッタリングターゲットを形成することが困難である場合に有用である。

また、記録層１０４が２種以上の層を積層してなる記録部として形成される場合、例えばＴｅを含むスパッタリングターゲット、Ｂｉを含むスパッタリングターゲット、Ｇｅを含むスパッタリングターゲット、Ｓｂを含むスパッタリングターゲット、Ｇｅ−Ｔｅを含むスパッタリングターゲット、Ｓｂ−Ｇｅを含むスパッタリングターゲット及びＳｂ−Ｔｅを含むスパッタリングターゲット等から選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを、２個以上の電源を用いて順次及び／または同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。即ち、記録部を成膜するために、２つ以上のスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを２回以上実施してもよく、または２つ以上のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングしてもよい。

スパッタリングの雰囲気ガスとしては、単層構造の記録層１０４を形成する場合、及び記録部としての記録層１０４を形成する場合のいずれにおいても、希ガス、または希ガスと反応ガス（例えば、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスから選ばれる少なくとも一種のガス）との混合ガスを用いることができる。また、スパッタリングに用いる電源も、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、またはＲＦ電源のいずれかを用いることが可能である。

続いて、記録層１０４上に、第２界面層１０３を成膜する。第２界面層１０３は、透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。第２界面層１０３は、上記式（１）、（３）のいずれかで表される材料を含む組成となるように、またはそれらの材料のみから成る組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。例えば、（Ｎｂ₂Ｏ₅）₇₀（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀（モル％）の組成を有する第２界面層１０３を成膜する場合、（Ｎｂ₂Ｏ₅）₇₀（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀（モル％）の組成を有するスパッタリングターゲットを用意して、Ａｒガス雰囲気中、或いはＡｒとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気中で成膜することにより、第２界面層１０３を形成することができる。実際に成膜した膜の組成が所望の組成になっているかは、例えばＸ線マイクロアナライザーによる組成分析により調べることが可能である。スパッタリング装置によって、膜中の酸化物の酸素が欠損しやすかったり、膜中の酸素が多くなったりして、所望の組成からずれることがある。このため、スパッタリングターゲットの組成をあらかじめ調整したり、Ａｒガスに混合するＯ₂ガスの量を調整したりすることで、所望の膜組成を得ることが可能である。

続いて、第２界面層１０３上に、必要に応じて第２誘電体層１０２を成膜する。第２誘電体層１０２は、透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。

最後に、第２界面層１０３上（第２誘電体層１０２を設ける構成の場合は第２誘電体層１０２上）に透明層２を形成する。透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を、第２界面層１０３（または第２誘電体層１０２）上に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層２として、透明な円盤状の基板を用いてもよく、基板は、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスから成る。この場合、透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２界面層１０３（または第２誘電体層１０２）上に塗布して、基板を第２誘電体層１０２上に密着させて、スピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、基板に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それを第２界面層１０３（または第２誘電体層１０２）に密着させることもできる。

なお、第２誘電体層１０２を成膜した後、または透明層２を形成した後、必要に応じて、記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。

以上のようにして、情報記録媒体９を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。また、第Ｎ情報層１０以外の情報層を第Ｎ情報層１０と同様に形成してもよい。

（実施の形態２）
実施の形態２として、実施の形態１の本発明の多層情報記録媒体において、Ｎ＝３、すなわち３層の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態２の情報記録媒体１４の一部断面図を図２に示す。情報記録媒体１４は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な３層情報記録媒体である。

情報記録媒体１４は、基板８と、基板８上に順次積層した、第１情報層１１、中間層５、第２情報層１２、中間層３、第３情報層１３、及び透明層２と、により構成されている。基板８、中間層３、５、及び透明層２は、実施の形態１で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。

以下、第１情報層１１、第２情報層１２、及び第３情報層１３の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第２情報層１２及び第３情報層１３が本発明の情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。ただし、第１情報層１１も、第１界面層及び第２界面層に実施の形態１で説明した第１界面層１０５及び第２界面層１０３の構成をそれぞれ適用すれば、第Ｌ情報層として機能する。

第１情報層１１は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層２０３、記録層２０４、第１界面層２０５、及び反射層２０８を備える。なお、中間層５と第２界面層２０３との間に、第２誘電体層２０２を備えてもよい。また、第１界面層２０５と反射層２０８との間に、第１誘電体層２０６を備えてもよい。さらに、第１界面層２０５と反射層２０８との間（第１誘電体層２０６を設ける構成の場合は、第１誘電体層２０６と反射層２０８との間）に、さらなる界面層２０７（図２には示されていないが、本明細書では便宜上「界面層２０７」として説明する）を備えてもよい。第１情報層１１について、情報の記録再生は、透明層２、第３情報層１３、中間層３、第２情報層１２、及び中間層５を透過したレーザビーム１によって行われる。

第２誘電体層２０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能についても、実施の形態１の第２誘電体層１０２と同様である。

第２誘電体層２０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録層２０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合との反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。第２誘電体層２０２の膜厚は、５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であることが望ましく、６０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

第２界面層２０３は、実施の形態１の第２界面層１０３と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２界面層１０３と同様である。また、第２界面層２０３は、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つを含む材料を用いて形成することもでき、その中でも、特にＣｒとＯを含む材料（その中でも、ＣｒとＯとがＣｒ₂Ｏ₃を形成した酸化物）、ＩｎとＯを含む材料（その中でも、ＩｎとＯとがＩｎ₂Ｏ₃を形成した酸化物）、及びＧａとＯを含む材料（その中でも、ＧａとＯとがＧａ₂Ｏ₃を形成した酸化物）を用いることが好ましい。また、第２界面層２０３は、これらの他に、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよく、当該元素は酸化物として含まれることがより好ましい。ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂は、透明で、融点が約２７００〜２８００℃と高く、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材料で、情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を良くする。また、Ｙ₂Ｏ₃は透明な材料で、且つＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂を安定化させる働きをする。また、この３種類の酸化物のいずれか１つまたは複数を混合することによって、第２界面層２０３を記録層２０４と部分的にまたは全体的に接して形成しても、繰り返し書き換え性能に優れ、信頼性の高い第１情報層１１を実現できる。また、第２界面層２０３には、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＯの他に、さらにＳｉを含む材料を用いてもよい。Ｓｉを例えばＳｉＯ₂として第２界面層２０３内に含ませることにより、透明性が高くなり、記録性能に優れた第１情報層１１を実現できる。

記録層２０４は、実施の形態１の記録層１０４と同様の材料で形成することができる。記録層２０４の膜厚は、その材料が可逆的な相変化を起こす材料の場合、第１情報層１１の記録感度を高くするために、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内においても、記録層２０４が厚い場合には、熱の面内方向での拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層２０４が薄い場合には、第１情報層１１の反射率が小さくなる。したがって、記録層２０４の膜厚は、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、記録層２０４を、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ）を用いて構成する場合は、記録層２０４の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

第１界面層２０５は、実施の形態１の第１界面層１０５の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０５と同様である。なお、第２界面層２０３と同様に、第１界面層２０５を、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つを含む材料を用いて形成することもでき、その中でも、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＨｆＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃及びＳｉＯ₂を含む材料を好適に用いることができる。

第１誘電体層２０６は、実施の形態１の第１誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１誘電体層１０６と同様である。

反射層２０８は、実施の形態１の反射層１０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能についても、実施の形態１の反射層１０８と同様である。反射層２０８の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射層２０８が２００ｎｍよりも厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて第１情報層１１の記録感度が低下する。したがって、反射層２０８の膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

反射層２０８と第１界面層２０５との間（第１誘電体層２０６を設ける構成の場合は反射層２０８と第１誘電体層２０６との間）に、さらなる界面層を配置してもよい。図２に示す情報記録媒体１４においてこのような界面層が設けられる場合、当該界面層は、符号２０８で示される層と符号２０６で示される層との間に、符号２０７で示される層として形成してよい。この場合、界面層２０７を形成する材料としては、反射層２０８について説明した材料よりも熱伝導率の低い材料を用いることができる。反射層２０８にＡｇ合金を用いた場合、界面層２０７の材料として、例えばＡｌ、またはＡｌ合金を用いることができる。

また、界面層２０７の材料としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ及びＣ等の元素や、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＨｆＯ₂、ＺｎＯ、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｃ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｇｄ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ₂、及びＴｅＯ₂等の酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ₃及びＣｅＦ₃等の弗化物、及びＣを用いることもできる。また、上記材料から選ばれる１または複数の材料の混合物を用いて、界面層２０７を構成することもできる。界面層２０７の膜厚は、３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第１情報層１１において、記録層２０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_c1（％）、及び記録層２０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_a1（％）は、Ｒ_a1＜Ｒ_c1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒ_c1−Ｒ_a1）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒ_c1、Ｒ_a1は、１≦Ｒ_a1≦１２且つ１６≦Ｒ_c1≦４８を満たすことが好ましく、１≦Ｒ_a1≦６且つ１６≦Ｒ_c1≦３２を満たすことがより好ましい。

第２情報層１２は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２誘電体層３０２、第２界面層３０３、記録層３０４、第１界面層３０５、第１誘電体層３０６、反射層３０８、及び透過率調整層３０９を備える。なお、第２誘電体層３０２及び第１誘電体層３０６は、必要に応じて省略することも可能である。第２情報層１２について、情報の記録再生は、透明層２、第３情報層１３、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。

第２情報層１２を構成する、第２誘電体層３０２、第２界面層３０３、記録層３０４、第１界面層３０５、第１誘電体層３０６、反射層３０８、及び透過率調整層３０９は、それぞれ実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。

第２情報層１２において、記録層３０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_c2（％）、及び第２記録層３０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_a2（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第２情報層１２より遠い側にある情報層に到達させるため、４５≦Ｔ_c2且つ４５≦Ｔ_a2を満たすことが好ましく、５０≦Ｔ_c2且つ５０≦Ｔ_a2を満たすことがより好ましい。

第２情報層１２の透過率Ｔ_c2及びＴ_a2は、−５≦（Ｔ_c2−Ｔ_a2）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔ_c2−Ｔ_a2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔ_c2及びＴ_a2がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第２情報層１２より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層１２の記録層３０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。

第２情報層１２において、記録層３０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_c2（％）、及び記録層３０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_a2（％）は、Ｒ_a2＜Ｒ_c2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒ_c2−Ｒ_a2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒ_c2、Ｒ_a2は、０．３≦Ｒ_a2≦４且つ５≦Ｒ_c2≦１５を満たすことが好ましく、０．３≦Ｒ_a2≦３且つ５≦Ｒ_c2≦９を満たすことがより好ましい。

第３情報層１３は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２誘電体層４０２、第２界面層４０３、記録層４０４、第１界面層４０５、第１誘電体層４０６、反射層４０８、及び透過率調整層４０９を備える。なお、第２誘電体層４０２及び第１誘電体層４０６は、必要に応じて省略することも可能である。

第３情報層１３を構成する、第２誘電体層４０２、第２界面層４０３、記録層４０４、第１界面層４０５、第１誘電体層４０６、反射層４０８、及び透過率調整層４０９は、それぞれ、実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。

第３情報層１３において、記録層４０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_c3（％）、及び記録層４０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_a3（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第３情報層１３より遠い側にある情報層に到達させるため、５０≦Ｔ_c3且つ５０≦Ｔ_a3を満たすことが好ましく、５５≦Ｔ_c3且つ５５≦Ｔ_a3を満たすことがより好ましい。

第３情報層１３の透過率Ｔ_c3及びＴ_a3は、−５≦（Ｔ_c3−Ｔ_a3）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔ_c3−Ｔ_a3）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔ_c3及びＴ_a3がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第３情報層１３より遠い側にある情報層の記録再生の際、第３情報層１３の記録層４０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。

第３情報層１３において、記録層４０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_c3（％）、及び第１記録層４０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_a3（％）は、Ｒ_a3＜Ｒ_c3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒ_c3−Ｒ_a3）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒ_c3、Ｒ_a3は、０．１≦Ｒ_a3≦１且つ１．５≦Ｒ_c3≦５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒ_a3≦０．７且つ１．５≦Ｒ_c3≦３を満たすことがより好ましい。

このようにＲ_c1、Ｒ_a1、Ｒ_c2、Ｒ_a2、Ｒ_c3、Ｒ_a3、Ｔ_c2、Ｔ_a2、Ｔ_c3、Ｔ_a3、を設計することにより、第１情報層１３、第２情報層１４、第３情報層１５からの実効反射光量を合わせる（例えば、実効反射率が２％）ことができる。

情報記録媒体１４は、以下に説明する方法によって製造できる。

まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。

続いて、基板８上に第１情報層を形成する。具体的には、まず、基板８上に、反射層２０８、第１界面層２０５、記録層２０４、及び第２界面層２０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層２０８と第１界面層２０５の間に界面層２０７を成膜してもよい。また、必要に応じて反射層２０８と第１界面層２０５との間に第１誘電体層２０６を成膜してもよい。さらに、必要に応じて中間層５と第２界面層２０３との間に第２誘電体層２０２を成膜してもよい。

基板８上に反射層２０８を成膜するとき、基板８にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に反射層２０８を成膜する。反射層２０８は、実施の形態１の反射層１０８と同様の方法で形成できる。

続いて、反射層２０８上に、必要に応じて界面層２０７を成膜する。界面層２０７は、実施の形態１の反射層１０８、または透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。

続いて、反射層２０８上（界面層２０７を設ける構成の場合は界面層２０７上）に、必要に応じて第１誘電体層２０６を成膜する。第１誘電体層２０６は、実施の形態１の透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。

続いて、反射層２０８上（第１誘電体層２０６を設ける構成の場合は第１誘電体層２０６上、第１誘電体層２０６を設けず且つ界面層２０７を設ける構成の場合は界面層２０７上）に、第１界面層２０５を成膜する。第１界面層２０５は、実施の形態１の第１界面層１０５と同様の方法で形成できる。

続いて、第１界面層２０５上に、記録層２０４を成膜する。記録層２０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１の記録層１０４と同様の方法で形成できる。

続いて、記録層２０４上に、第２界面層２０３を成膜する。第２界面層２０３は、実施の形態１の第２界面層１０３と同様の方法で形成できる。

続いて、第２界面層２０３上に、必要に応じて第２誘電体層２０２を成膜する。第２誘電体層２０２は、実施の形態１の透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。

このようにして、第１情報層１１を形成する。

続いて、第１情報層１１の第２界面層２０３上（第２誘電体層２０２を設ける構成の場合は第２誘電体層２０２上）に、中間層５（厚さが例えば２５μｍ）を形成する。中間層５は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を第２界面層２０３（または第２誘電体層２０２）上に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層５がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。

なお、第２界面層２０３または第２誘電体層２０２を成膜した後、または、中間層５を形成した後に、必要に応じて、記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。

続いて、中間層５上に第２情報層１２を形成する。具体的には、まず、中間層５上に、透過率調整層３０９、反射層３０８、第１界面層３０５、記録層３０４、及び第２界面層３０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層３０８と第１界面層３０５との間に第１誘電体層３０６を成膜してもよい。また、必要に応じて、第２界面層３０３を成膜した後、第２誘電体層３０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態１で説明した第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。

このようにして、第２情報層１２を形成する。

続いて、第２情報層１２の第２界面層３０３上（第２誘電体層３０２を設ける構成の場合は第２誘電体層３０２上）に、上述の中間層５と同様の方法により、中間層３（厚さが例えば１８μｍ）を形成する。

なお、第２界面層３０３または第２誘電体層３０２を成膜した後、または中間層３を形成した後に、必要に応じて、記録層２０４及び／または記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４及び／または記録層３０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。

続いて、中間層３上に第３情報層１３を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、透過率調整層４０９、反射層４０８、第１界面層４０５、記録層４０４、及び第２界面層４０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層４０８と第１界面層４０５との間に第１誘電体層４０６を成膜してもよい。また、必要に応じて第２界面層４０３を成膜した後、第２誘電体層４０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態１で説明した第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。

このようにして、第３情報層１３を形成する。

最後に、第３情報層１３の第２界面層４０３上（第２誘電体層４０２を設ける構成の場合は第２誘電体層４０２上）に、透明層２（厚さが例えば５７μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。

なお、第２界面層４０３または第２誘電体層４０２を成膜した後、または透明層２を形成した後に、必要に応じて、記録層２０４、記録層３０４、及び／または記録層４０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４、記録層３０４、及び／または記録層４０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。

以上のようにして、情報記録媒体１４を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。

（実施の形態３）
実施の形態３として、実施の形態１の多層情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４層の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態３の情報記録媒体１９の一部断面図を図３に示す。情報記録媒体１９は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な４層情報記録媒体である。

情報記録媒体１９は、基板８と、基板８上に順次積層した、第１情報層１５、中間層６、第２情報層１６、中間層５、第３情報層１７、中間層３、第４情報層１８、及び透明層２と、により構成されている。基板８、中間層３、５、６、及び透明層２は、実施の形態１及び２で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１及び２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。

以下、第１情報層１５、第２情報層１６、第３情報層１７及び第４情報層１８の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第２情報層１６、第３情報層１７及び第４情報層１８が本発明の情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。ただし、第１情報層１５も、第１界面層及び第２界面層に実施の形態１で説明した第１界面層１０５及び第２界面層１０３の構成をそれぞれ適用すれば、第Ｌ情報層として機能する。

第１情報層１５は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層５０３、記録層５０４、第１界面層５０５、及び反射層５０８を備える。なお、中間層６と第２界面層５０３との間に、第２誘電体層５０２をさらに備えてもよい。また、第１界面層５０５と反射層５０８との間に、第１誘電体層５０６をさらに備えてもよい。さらに、第１界面層５０５と反射層５０８との間（第１誘電体層５０６を設ける構成の場合は、第２誘電体層５０６と反射層５０８との間）に、さらなる界面層（図３には示されていないが、本明細書では便宜上「界面層５０７」として説明する）を備えてもよい。第１情報層１５について、情報の記録再生は、透明層２、第４情報層１８、中間層３、第３情報層１７、中間層５、第２情報層１６、及び中間層６を透過したレーザビーム１によって行われる。

第１情報層１５を構成する、第２誘電体層５０２、第２界面層５０３、記録層５０４、第１界面層５０５、第１誘電体層５０６、界面層５０７、及び反射層５０８は、それぞれ、実施の形態２の第１情報層１１の第２誘電体層２０２、第２界面層２０３、記録層２０４、第１界面層２０５、第１誘電体層２０６、界面層２０７、及び反射層２０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。

第１情報層１５において、記録層５０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_c1（％）、及び記録層５０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_a1（％）は、Ｒ_a1＜Ｒ_c1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒ_c1−Ｒ_a1）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒ_c1、Ｒ_a1は、１≦Ｒ_a1≦１２且つ１６≦Ｒ_c1≦４８を満たすことが好ましく、１≦Ｒ_a1≦６且つ１６≦Ｒ_c1≦３２を満たすことがより好ましい。

第２情報層１６は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層６０３、記録層６０４、第１界面層６０５、反射層６０８、及び透過率調整層６０９を備える。なお、中間層５と第２界面層６０３の間に、第２誘電体層６０２をさらに備えてもよい。また、第１界面層６０５と反射層６０８の間に、第１誘電体層６０６をさらに備えてもよい。第２情報層１６について、情報の記録再生は、透明層２、第４情報層１８、中間層３、第３情報層１７、及び中間層５を透過したレーザビーム１によって行われる。

第２情報層１６を構成する、第２誘電体層６０２、第２界面層６０３、記録層６０４、第１界面層６０５、第１誘電体層６０６、反射層６０８、及び透過率調整層６０９は、それぞれ、実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。

第２情報層１６において、記録層６０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_c2（％）、及び記録層６０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_a2（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第２情報層１６より遠い側にある情報層に到達させるため、５５≦Ｔ_c2且つ５５≦Ｔ_a2を満たすことが好ましく、６０≦Ｔ_c2且つ６０≦Ｔ_a2を満たすことがより好ましい。

第２情報層１６の透過率Ｔ_c2及びＴ_a2は、−５≦（Ｔ_c2−Ｔ_a2）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔ_c2−Ｔ_a2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔ_c2及びＴ_a2がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第２情報層１６より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層１６の記録層６０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。

第２情報層１６において、記録層６０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_c2（％）、及び記録層６０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_a2（％）は、Ｒ_a2＜Ｒ_c2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒ_c2−Ｒ_a2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒ_c2、Ｒ_a2は、０．３≦Ｒ_a2≦４且つ５≦Ｒ_c2≦１５を満たすことが好ましく、０．３≦Ｒ_a2≦３且つ５≦Ｒ_c2≦９を満たすことがより好ましい。

第３情報層１７は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層７０３、記録層７０４、第１界面層７０５、反射層７０８、及び透過率調整層７０９を備える。なお、中間層３と第２界面層７０３の間に、第２誘電体層７０２をさらに備えてもよい。また、第１界面層７０５と反射層７０８との間に、第１誘電体層７０６をさらに備えてもよい。第３情報層１７について、情報の記録再生は、透明層２、第４情報層１８、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。

第３情報層１７を構成する、第２誘電体層７０２、第２界面層７０３、記録層７０４、第１界面層７０５、第１誘電体層７０６、反射層７０８、及び透過率調整層７０９は、それぞれ、実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。

第３情報層１７において、記録層７０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_c3（％）、及び記録層７０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_a3（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第３情報層１７より遠い側にある情報層に到達させるため、６０≦Ｔ_c3且つ６０≦Ｔ_a3を満たすことが好ましく、６５≦Ｔ_c3且つ６５≦Ｔ_a3を満たすことがより好ましい。

第３情報層１７の透過率Ｔ_c3及びＴ_a3は、−５≦（Ｔ_c3−Ｔ_a3）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔ_c3−Ｔ_a3）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔ_c3及びＴ_a3がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第３情報層１７より遠い側にある情報層の記録再生の際、第３情報層１７の記録層７０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。

第３情報層１７において、記録層７０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_c3（％）、及び記録層７０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_a3（％）は、Ｒ_a3＜Ｒ_c3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒ_c3−Ｒ_a3）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒ_c3、Ｒ_a3は、０．１≦Ｒ_a3≦１且つ１．５≦Ｒ_c3≦６を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒ_a3≦０．７且つ１．５≦Ｒ_c3≦３．５を満たすことがより好ましい。

第４情報層１８は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層８０３、記録層８０４、第１界面層８０５、反射層８０８、及び透過率調整層８０９を備える。なお、透明層２と第２界面層８０３の間に、第２誘電体層８０２をさらに備えてもよい。また、第１界面層８０５と反射層８０８との間に、第１誘電体層８０６をさらに備えてもよい。

第４情報層１８を構成する、第２誘電体層８０２、第２界面層８０３、記録層８０４、第１界面層８０５、第１誘電体層８０６、反射層８０８、及び透過率調整層８０９は、それぞれ、実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。

第４情報層１８において、記録層８０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_c4（％）、及び記録層８０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔ_a4（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第４情報層１８より遠い側にある情報層に到達させるため、６０≦Ｔ_c4且つ６０≦Ｔ_a4を満たすことが好ましく、６５≦Ｔ_c4且つ６５≦Ｔ_a4を満たすことがより好ましい。

第４情報層１８の透過率Ｔ_c4及びＴ_a4は、−５≦（Ｔ_c4−Ｔ_a4）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔ_c4−Ｔ_a4）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔ_c4及びＴ_a4がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第４情報層１８より遠い側にある情報層の記録再生の際、第４情報層１８の記録層８０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。

第４情報層１８において、記録層８０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_c4（％）、及び記録層８０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒ_a4（％）は、Ｒ_a4＜Ｒ_c4を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒ_c4−Ｒ_a4）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒ_c4、Ｒ_a4は、０．１≦Ｒ_a4≦０．８且つ１．２≦Ｒ_c4≦３を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒ_a4≦０．５且つ１．２≦Ｒ_c4≦２を満たすことがより好ましい。

このようにＲ_c1、Ｒ_a1、Ｒ_c2、Ｒ_a2、Ｒ_c3、Ｒ_a3、Ｒ_c4、Ｒ_a4、Ｔ_c2、Ｔ_a2、Ｔ_c3、Ｔ_a3、Ｔ_c4、Ｔ_a4、を設計することにより、第１情報層１５、第２情報層１６、第３情報層１７、第４情報層１８からの実効反射光量を合わせる（例えば、実効反射率が１．５％）ことができる。

情報記録媒体１９は、以下に説明する方法によって製造できる。

まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。

続いて、基板８上に第１情報層１５を形成する。具体的には、まず、基板８上に、反射層５０８、第１界面層５０５、記録層５０４、及び第２界面層５０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層５０８と第１界面層５０５との間に界面層５０７を成膜してもよい。また、必要に応じて反射層５０８と第１界面層５０５との間に第１誘電体層５０６を成膜してもよい。さらに、必要に応じて中間層６と第２界面層５０３との間に第２誘電体層５０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態２で説明した、第１情報層１１の反射層２０８、界面層２０７、第１誘電体層２０６、第１界面層２０５、記録層２０４、第２界面層２０３、及び第２誘電体層２０２と同様の方法で形成できる。

このようにして、第１情報層１５を形成する。

続いて、第１情報層１５の第２界面層５０３上（第２誘電体層５０２を設ける構成の場合は第２誘電体層５０２上）に、中間層６（厚さが例えば１０μｍ）を形成する。中間層６は、光硬化性樹脂（特にアクリル系のに紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を第２界面層５０３上（または第２誘電体層５０２上）に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層６がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。

なお、第２界面層５０３または第２誘電体層５０２を成膜した後、または中間層６を形成した後、必要に応じて、記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。

続いて、中間層６上に第２情報層１６を形成する。具体的には、まず、中間層６上に、透過率調整層６０９、反射層６０８、第１界面層６０５、記録層６０４、及び第２界面層６０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層６０８と第１界面層６０５との間に第１誘電体層６０６を成膜してもよい。また、必要に応じて中間層５と第２界面層６０３との間に第２誘電体層６０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態１で説明した、第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。

このようにして、第２情報層１６を形成する。

続いて、第２情報層１６の第２界面層６０３上（第２誘電体層６０２を設ける構成の場合は第２誘電体層６０２上）に、上述の中間層６と同様の方法により、中間層５（厚さが例えば２０μｍ）を形成する。

なお、第２界面層６０３または第２誘電体層６０２を成膜した後、または中間層５を形成した後、必要に応じて、記録層５０４及び／または記録層６０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層５０４及び／または記録層６０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。

続いて、中間層５上に第３情報層１７を形成する。具体的には、まず、中間層５上に、透過率調整層７０９、反射層７０８、第１界面層７０５、記録層７０４、及び第２界面層７０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層７０８と第１界面層７０５との間に第１誘電体層７０６を成膜してもよい。また、必要に応じて中間層３と第２界面層７０３との間に第２誘電体層７０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態１で説明した、第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。

このようにして、第３情報層１７を形成する。

続いて、第３情報層１７の第２界面層７０３上（第２誘電体層７０２を設ける構成の場合は第２誘電体層７０２上）に、上述の中間層６と同様の方法により、中間層３（厚さが例えば１５μｍ）を形成する。

なお、第２界面層７０３または第２誘電体層７０２を成膜した後、または中間層３を形成した後、必要に応じて、記録層５０４、記録層６０４、及び／または記録層７０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層５０４、記録層６０４、及び／または記録層７０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。

続いて、中間層３上に第４情報層１８を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、透過率調整層８０９、反射層８０８、第１界面層８０５、記録層８０４、及び第２界面層８０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層８０８と第１界面層８０５との間に第１誘電体層８０６を成膜してもよい。また、必要に応じて透明層２と第２界面層８０３との間に第２誘電体層８０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。

このようにして、第４情報層１８を形成する。

最後に、第２界面層８０３上（第２誘電体層８０２を設ける構成の場合は第２誘電体層８０２上）に、透明層２（厚さが例えば５５μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。

なお、第２界面層８０３または第２誘電体層８０２を成膜した後、または透明層２を形成した後、必要に応じて、記録層５０４、記録層６０４、記録層７０４、及び／または記録層８０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層５０４、記録層６０４、記録層７０４、及び／または記録層８０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。

以上のようにして、情報記録媒体１９を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。

（実施の形態４）
実施の形態４では、実施の形態１、２及び３として説明した本発明の情報記録媒体の記録再生方法について説明する。

本発明の情報記録媒体の記録再生方法に用いられる記録再生装置３４の一例について、その一部の構成を図４に模式的に示す。図４に示す記録再生装置３４は、情報記録媒体３３を回転させるためのスピンドルモータ２９と、半導体レーザ３１、及び半導体レーザ３１から出射されるレーザビーム１を集光する対物レンズ３０を備える光学ヘッド３２とを備える。情報記録媒体３３は、実施の形態１〜３の情報記録媒体であり、複数の情報層（例えば第１情報層１１、第２情報層１２及び第３情報層１３）を備える。対物レンズ３０は、レーザビーム１を情報層上に集光する。

情報記録媒体への情報の記録、消去、及び上書き記録は、レーザビーム１のパワーを、高パワーのピークパワー（Ｐ_p（ｍＷ））と低パワーのバイアスパワー（Ｐ_b（ｍＷ））との間で変調させることによって行う。ピークパワーのレーザビーム１を照射することによって、記録層の局所的な一部分が非晶質相にされ、その非晶質相が記録マークとなる。記録マーク間では、バイアスパワーのレーザビーム１が照射され、結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワーのレーザビーム１を照射する場合には、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。なお、マルチパルスは、ピークパワー及びバイアスパワーのパワーレベルだけで２値変調されてもよいし、バイアスパワーよりさらに低パワーのクーリングパワー（Ｐ_c（ｍＷ））及びボトムパワー（Ｐ_B（ｍＷ））を加えて、０ｍＷ〜ピークパワーの範囲のパワーレベルによって３値変調、または４値変調されてもよい。

また、情報信号の再生は、再生パワーのレーザビーム１を照射することによって得られる情報記録媒体からの信号を検出器で読みとることにより実施する。再生パワー（Ｐ_r（ｍＷ））は、ピークパワー及びバイアスパワーのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザビーム１の照射によって、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体から記録マーク再生のための十分な反射光量が得られるパワーに設定される。

対物レンズ３０の開口数ＮＡは、レーザビーム１のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．１の範囲内であることが好ましく、０．６〜０．９の範囲内であることがより好ましい。レーザビーム１の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内）であることが好ましい。情報を記録する際の情報記録媒体の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去性能が得られる２ｍ／秒〜１５ｍ／秒の範囲内であることが好ましく、６ｍ／秒〜１０ｍ／秒の範囲内であることがより好ましい。情報記録媒体の種類等に応じて、ここで例示していない波長、対物レンズの開口数、及び線速度を使用してよいことはいうまでもない。例えば、レーザビーム１の波長は、６５０〜６７０ｎｍであってよい。また、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはソリッドイマージョンレンズ（ＳＩＬ）やソリッドイマージョンミラー（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間層と透明層は５μｍ以下で形成してよい。

３つの情報層を備えた情報記録媒体１４（図２参照）において、第１情報層１１で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を記録層２０４に合わせ、透明層２、第３情報層１３、中間層３、第２情報層１２及び中間層５を透過したレーザビーム１によって記録層２０４に情報を記録する。再生は、記録層２０４によって反射され、中間層５、第２情報層１２、中間層３、第３情報層１３及び透明層２を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。第２情報層１２で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を記録層３０４に合わせ、透明層２、第３情報層１３、中間層３を透過したレーザビーム１によって情報を記録する。再生は、記録層３０４によって反射され、中間層３、第３情報層１３及び透明層２を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。第３情報層１３で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を記録層４０４に合わせ、透明層２を透過したレーザビーム１によって情報を記録する。再生は、記録層４０４によって反射され、透明層２を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。

なお、基板８、中間層３、５、６に、レーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合、情報は、レーザビーム１の入射側から近い方の溝面（グルーブ）に行われてもよいし、遠い方の溝面（ランド）に行われてもよい。また、グルーブとランドの両方に情報を記録してもよい。この場合、グルーブのみに情報を記録することが好ましい。

この記録再生装置を用いて、情報記録媒体の性能を次のようにして評価できる。信号強度は、レーザビーム１を０〜Ｐ_p（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１６８μｍ（３Ｔ）と０．４４６μｍ（８Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、最後に３Ｔ信号を上書きした場合の３Ｔ信号の周波数での信号振幅（ｃａｒｒｉｅｒ ｌｅｖｅｌ）と雑音振幅（ｎｏｉｓｅ ｌｅｖｅｌ）の比（ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ））をスペクトラムアナライザーで測定することによって、評価できる。なお、ＣＮＲが大きいほど信号強度が強い。

また、消去性能は、レーザビーム１を０〜Ｐ_p（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１６８μｍ（３Ｔ）と０．４４６μｍ（８Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、１１回目に３Ｔ信号を上書きした場合の３Ｔ信号の信号振幅と、さらにその後８Ｔ信号を上書きした場合の３Ｔ信号の信号振幅の差を、３Ｔ信号の消去率としてスペクトラムアナライザーで測定することにより評価できる。なお、消去率が大きいほど、消去性能が良い。

なお、Ｐ_p、Ｐ_b、Ｐ_c、及びＰ_Bは、信号振幅と消去率が最も大きくなるように決定する。

（実施の形態５）
実施の形態５として、本発明の第２界面層及び第１界面層の成膜に用いられるスパッタリングターゲットの実施の形態について、以下に説明する。

第２界面層の成膜に用いられる本実施の形態のスパッタリングターゲットは、Ｍ１とＣｒとを含む。第１界面層の成膜に用いられる本実施の形態のスパッタリングターゲットは、Ｍ２とＣｒと含む。これらを用いると、希ガスと反応ガス（特にＯ₂ガス）とを導入することにより、Ｍ１とＣｒとＯとを含む第２界面層と、Ｍ２とＣｒとＯとを含む第１界面層とを形成することができる。さらに、上記のスパッタリングターゲットにさらにＯを含めるスパッタリングターゲットを用いることもできる。このようなスパッタリングターゲットを用いることにより、希ガスのみ、または希ガスと微量の反応ガス（特にＯ₂ガス）との混合ガスを導入することにより、第２界面層及び第１界面層が形成できる。

また、高速成膜において、情報記録媒体の、例えば反射率の個体ばらつきや、ジッタの媒体面内ばらつきを小さく抑えることができる。より高速な成膜を行い、ばらつきをより小さくするように、本スパッタリングターゲットは、密度（粉末の充填率を示し、全く隙間無く粉末が充填されている状態を１００％と定義する）が高いことが好ましい。好ましくは８０％以上で、より好ましくは９０％以上である。

次に、本実施の形態のスパッタリングターゲットの製造方法の一例を説明する。

例えば、Ｍ１とＣｒとを含むスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。所定の粒径を有する高純度な材料Ｍ１の粉末及び材料Ｃｒの粉末を準備し、これらを所定の混合比になるように秤量して混合し、ホットプレス装置に入れる。ホットプレス装置を必要に応じて真空にし、所定の高い圧力と高い温度の条件下で、所定時間保持して、混合粉末を焼結させる。混合を十分に行うことにより、スパッタリングターゲットの面内・厚み方向の組成が均一になる。また、圧力、温度及び時間の条件を最適化することにより、充填性が向上し、高密度なスパッタリングターゲットを製造することが可能になる。このようにして、Ｍ１とＣｒとを所定の組成比で含むスパッタリングターゲットが完成する。焼結後、必要に応じてＩｎ等の半田を用いて、例えば表面が平滑な銅板に接着してもよい。こうすることにより、スパッタリング装置に取り付けてスパッタリングすることができる。

同様に、Ｍ２とＣｒとを含むスパッタリングターゲットも、所定の粒径を有する高純度な材料Ｍ２の粉末、及び材料Ｃｒの粉末を準備して、上記の方法で製造することができる。

あるいは、上記のスパッタリングターゲットを製造する際には、所定の粒径を有する高純度な材料Ｍ１−Ｃｒの粉末、及び材料Ｍ２−Ｃｒの粉末を準備してもよく、いずれの粉末の組み合わせでも、上記の方法でスパッタリングターゲットを製造できる。

同様に、製造するスパッタリングターゲットがＯを含む場合には、所定の粒径を有する高純度な材料Ｍ１−Ｏの粉末、材料Ｍ２−Ｏの粉末、及び材料Ｃｒ−Ｏの粉末を準備して、上記の方法でスパッタリングターゲットを製造することができる。

第２界面層及び第１界面層を作製する方法としては、上記スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法を用いて成膜を行うことが望ましい。スパッタリング法を用いた場合、多層膜を積層するための量産用の成膜装置が既に市場に提供されており、比較的容易に良好な膜質の薄膜が得られるという利点がある。

ここで、本実施の形態において用いられるスパッタリング装置の一例について説明する。図５にはスパッタリング装置を用いて成膜する様子が示されている。図５に示すように、このスパッタリング装置では、真空容器３５に排気口３６を通して真空ポンプ（図示せず）が接続され、真空容器３５内を高真空に保つことができるようになっている。ガス供給口３７からは、一定流量のガスを供給できるようになっている。基板３９（ここでの基板とは、膜を堆積させるための基材のことである。）は陽極３８に載置されている。真空容器３５を接地することにより、真空容器３５及び基板３９が陽極に保たれている。スパッタリングターゲット４０は陰極４１に接続されており、スイッチ（図示せず）を介して電源４２に接続されている。陽極３８と陰極４１との間に所定の電圧を加えることにより、スパッタリングターゲット４０から放出された粒子により基板３９上に薄膜が形成できる。

本発明について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。

（実施例１）
実施例１では、図２の情報記録媒体１４を作製し、第３情報層１３の第１界面層４０５及び第２界面層４０３の材料と、第１界面層４０５及び第２界面層４０３の屈折率及び消衰係数と、第３情報層１３の反射率比Ｒ_c3／Ｒ_a3と、第３情報層１３の透過率Ｔ_c3と、第３情報層１３のＣＮＲと、第３情報層１３の消去率と、第３情報層１３の耐湿性との関係を調べた。具体的には、第１界面層４０５及び第２界面層４０３の材料が異なる第３情報層１３を含む情報記録媒体１４のサンプル１−１から１−６、サンプル２−１から２−６、サンプル３−１から３−６、サンプル４−１から４−６、サンプル５−１から５−６、サンプル６−１から６−６、サンプル７−１から７−３を作製し、第１界面層４０５及び第２界面層４０３の屈折率と消衰係数、第３情報層１３の反射率比Ｒ_c3／Ｒ_a3、第３情報層１３の透過率Ｔ_c3、第３情報層１３のＣＮＲ、第３情報層１３の消去率、及び第３情報層１３の耐湿性を確認した。

サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１情報層１１を積層した。反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第１誘電体層２０６として（ＳｉＯ₂）₂₅（Ｉｎ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₂₅層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層２０５として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₅₀層（厚さ：５ｎｍ）、記録層２０４としてＧｅ₄₅Ｓｂ₄Ｔｅ₅₁層（厚さ：１１ｎｍ）、第２界面層２０３として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₅₀層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層２０２として（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層２０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層２０６を成膜する（ＳｉＯ₂）₂₅（Ｉｎ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₂₅スパッタリングターゲット、第１界面層２０５を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₅₀スパッタリングターゲット、記録層２０４を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層２０３を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₅₀スパッタリングターゲット、第２誘電体層２０２を成膜する（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀スパッタリングターゲットを備えていた。なお、スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。

反射層２０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１誘電体層２０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層２０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層２０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層２０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層２０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。

次に、第２誘電体層２０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第２情報層１２側に形成された、厚さ２５μｍの中間層５を得た。

その後、中間層５の上に、第２情報層１２を積層した。透過率調整層３０９として（ＴｉＯ₂）₆₀（Ｂｉ₂Ｏ₃）₄₀層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：９ｎｍ）、第１誘電体層３０６としてＡｌ₂Ｏ₃層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層３０５として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀層（厚さ：５ｎｍ）、記録層３０４としてＧｅ₄₅Ｓｂ₃Ｉｎ₁Ｔｅ₅₁層（厚さ：７ｎｍ）、第２界面層３０３として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₇₀層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層３０２として（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層３０９を成膜する（ＴｉＯ₂）₆₀（Ｂｉ₂Ｏ₃）₄₀スパッタリングターゲット、反射層３０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層３０６を成膜するＡｌ₂Ｏ₃スパッタリングターゲット、第１界面層３０５を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀スパッタリングターゲット、記録層３０４を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｉｎ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層３０３を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₇₀スパッタリングターゲット、第１誘電体層３０２を成膜する（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。

透過率調整層３０９の成膜は、ＡｒとＯ₂の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合のＯ₂ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層３０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層３０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層３０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層３０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層３０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層３０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。

次に、第２誘電体層３０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第３情報層１３側に形成された、厚さ１８μｍの中間層３を得た。

その後、中間層３の上に、第３情報層１３を積層した。透過率調整層４０９として（ＴｉＯ₂）₆₀（Ｂｉ₂Ｏ₃）₄₀層（厚さ：１５ｎｍ）、反射層４０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第１誘電体層４０６としてＡｌ₂Ｏ₃層（厚さ：６ｎｍ）、第１界面層４０５（厚さ：５ｎｍ）、記録層４０４としてＧｅ₄₅Ｉｎ₁Ｂｉ₃Ｔｅ₅₁層（厚さ：６ｎｍ）、第２界面層４０３（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層４０２として（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４０９を成膜する（ＴｉＯ₂）₆₀（Ｂｉ₂Ｏ₃）₄₀スパッタリングターゲット、反射層４０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層４０６を成膜するＡｌ₂Ｏ₃スパッタリングターゲット、第１界面層４０５を成膜するスパッタリングターゲット、記録層４０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層４０３を成膜するスパッタリングターゲット、第２誘電体層４０２を成膜する（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。

透過率調整層４０９の成膜は、ＡｒとＯ₂の混合ガス雰囲気（全体に対して１％の割合のＯ₂ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層４０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層４０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層４０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層４０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層４０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層４０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。

最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第２誘電体層４０２上に塗布し回転させて、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ５７μｍの透明層２を形成した。その後、記録層２０４、記録層３０４、及び記録層４０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１界面層４０５、及び第２界面層４０３の材料が異なる複数のサンプルを製造した。

なお、第１界面層４０５及び第２界面層４０３の屈折率及び消衰係数を測定するサンプルは、ポリカーボネート基板上に屈折率及び消衰係数測定用の石英基板（長さ１２ｍｍ×幅１８ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を貼り付け、その石英基板を貼り付けたポリカーボネート基板上に、第１界面層４０５または第２界面層４０３となる材料を膜厚が２０ｎｍ程度となるように、スパッタリング法によって成膜することにより準備した。屈折率及び消衰係数の測定にはエリプソメータを用いた。

このようにして得られたサンプルについて、図４の記録再生装置３４を用いて、情報記録媒体１４の第１情報層１１、第２情報層１２、及び第３情報層１３の反射率を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は７．４ｍ／ｓ、再生パワーは１．０ｍＷとした。また、反射率はグルーブで測定した。

第３情報層１３の透過率（Ｔ_c3）については、第２情報層１２のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒ_c0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル１−１から１−６、サンプル２−１から２−６、サンプル３−１から３−６、サンプル４−１から４−６、サンプル５−１から５−６、サンプル６−１から６−６、サンプル７−１から７−３の第２情報層１２の反射率（Ｒ_c2）とから計算（Ｒ_c2＝Ｒ_c0×Ｔ_c3×Ｔ_c3）して求めた。

また、第３情報層１３のＣＮＲ及び消去率を測定する際の記録マーク長は、０．１６８μｍ（３Ｔ）及び０．４４６μｍ（８Ｔ）とした。

さらに、第３情報層１３の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。

各サンプルについて、第１界面層４０５の材料及び第２界面層４０３の材料を（表１−１）、（表２−１）、（表３−１）、（表４−１）、（表５−１）、（表６−１）及び（表７−１）に示す。また、各サンプルについて、第１界面層４０５の屈折率と消衰係数、第２界面層４０３の屈折率と消衰係数、第３情報層１３の反射率比Ｒ_c3／Ｒ_a3、第３情報層１３の透過率Ｔ_c3、第３情報層１３のＣＮＲ、第３情報層１３の消去率、第３情報層１３の耐湿性、及び総合評価を、（表１−２）、（表２−２）、（表３−２）、（表４−２）、（表５−２）、（表６−２）及び（表７−２）に示す。なお、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。総合評価は、透過率が５０％以上、ＣＮＲが５０ｄＢ以上、及び耐湿性が△〜○の全てを満たす場合を○、透過率が５０％未満、ＣＮＲが５０ｄＢ未満、または耐湿性が×のいずれかを満たす場合を×とした。

この結果、第１界面層４０５及び第２界面層４０３に、Ｃｒ₂Ｏ₃を含まないＮｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ａｌ₆Ｓｉ₂Ｏ₁₃及びＡｌ₂ＴｉＯ₅を用いた、比較例としてのサンプル１−１、２−１、３−１、４−１、５−１及び６−１では、消衰係数が０．０１程度と小さく、第３情報層１３の反射率比Ｒ_c3／Ｒ_a3も６以上と大きく、ＣＮＲも５０ｄＢ以上と良好であったが、耐湿性が悪く、総合評価も×であった。また、第１界面層４０５及び第２界面層４０３に、Ｃｒ₂Ｏ₃を６０モル％含む材料を用いた比較例としてのサンプル１−６、２−６、３−６、４−６、５−６及び６−６では、耐湿性は良好であったが、消衰係数が０．１以上と大きく、第３情報層１３の反射率比Ｒ_c3／Ｒ_a3も６以下と小さく、ＣＮＲも５０ｄＢ未満と悪く、総合評価も×であった。第１界面層４０５及び第２界面層４０３に、Ｃｒ₂Ｏ₃を５モル％から５０モル％含む材料を用いた、本発明の実施例としてのサンプル１−２から１−５、２−２から２−５、３−２から３−５、４−２から４−５、５−２から５−５及び６−２から６−５では、消衰係数が０．１未満と小さく、反射率比Ｒ_c3／Ｒ_a3も６以上と大きく、ＣＮＲも５０ｄＢ以上と良好で、且つ耐湿性も良好であり、総合評価も○であった。以上の結果から、第１界面層４０５及び第２界面層４０３に含まれるＣｒ₂Ｏ₃の量は、５０モル％以下とすることがわかった。

また、サンプル６−２から６−５では、第１界面層４０５の屈折率（ｎ１）が第２界面層４０３の屈折率（ｎ２）よりも小さいため、第３情報層１３の反射率比Ｒ_c3／Ｒ_a3を大きくすることができ、ＣＮＲを向上させることができた。同様に、サンプル７−１から７−３でも、Ｃｒ₂Ｏ₃の量が同じサンプル１−４、２−４、３−４、４−４及び５−４よりも、第３情報層１３の反射率比Ｒ_c3／Ｒ_a3を大きくすることができ、ＣＮＲを向上させることができた。以上の結果から、第１界面層４０５の屈折率（ｎ１）が第２界面層４０３の屈折率（ｎ２）よりも小さいことが好ましいことがわかった。

なお、第１情報層１１の第１界面層２０５及び第２界面層２０３、及び第２情報層１２の第１界面層３０５及び第２界面層３０３において、上記と同様の実験を行ったところ、第３情報層１３と同様の結果が得られた。

（実施例２）
実施例２では、図３の情報記録媒体１９を作製し、第４情報層１８の第１界面層８０５及び第２界面層８０３の材料と、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の屈折率及び消衰係数と、第４情報層１８の反射率比Ｒ_c4／Ｒ_a4と、第４情報層１８の透過率Ｔ_c4と、第４情報層１８のＣＮＲと、第４情報層１８の消去率と、第４情報層１８の耐湿性との関係を調べた。具体的には、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の材料が異なる第４情報層１８を含む情報記録媒体１９のサンプル８−１から８−１１を作製し、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の屈折率及び消衰係数と、第４情報層１８の反射率比Ｒ_c4／Ｒ_a4と、第４情報層１８の透過率Ｔ_c4と、第４情報層１８のＣＮＲと、第４情報層１８の消去率と、第４情報層１８の耐湿性とを確認した。

サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１情報層１５を積層した。反射層５０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第１誘電体層５０６として（ＳｉＯ₂）₂₅（Ｉｎ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₂₅層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層５０５として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₅₀層（厚さ：５ｎｍ）、記録層５０４としてＳｂ₇₇Ｔｅ₁₅Ｇｅ₈層（厚さ：１２ｎｍ）、第２界面層５０３として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₅₀層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層５０２として（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層（厚さ：４５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層５０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層５０６を成膜する（ＳｉＯ₂）₂₅（Ｉｎ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₂₅スパッタリングターゲット、第１界面層５０５を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₅₀スパッタリングターゲット、記録層５０４を成膜するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層５０３を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₅₀スパッタリングターゲット、第２誘電体層５０２を成膜する（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。

反射層５０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第１誘電体層５０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層５０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層５０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層５０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層５０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２５００Ｗで行った。

次に、第２誘電体層５０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第２情報層１６側に形成された、厚さ１０μｍの中間層６を得た。

その後、中間層６の上に、第２情報層１６を積層した。透過率調整層６０９としてＴｉＯ₂層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層６０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第１界面層６０５として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層６０４としてＧｅ₄₅Ｓｂ₄Ｔｅ₅₁層（厚さ：６ｎｍ）、第２界面層６０３として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層６０２として（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層６０９を成膜するＴｉＯ₂スパッタリングターゲット、反射層６０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１界面層６０５を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀スパッタリングターゲット、記録層６０４を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層６０３を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀スパッタリングターゲット、第２誘電体層６０２を成膜する（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。

透過率調整層６０９の成膜は、ＡｒとＯ₂の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合のＯ₂ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層６０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１界面層６０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー３０００Ｗで行った。記録層６０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層６０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層６０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。

次に、第２誘電体層６０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第３情報層１７側に形成された、厚さ２０μｍの中間層５を得た。

その後、中間層５の上に、第３情報層１７を積層した。透過率調整層７０９として（ＴｉＯ₂）₆₀（Ｂｉ₂Ｏ₃）₄₀層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層７０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第１界面層７０５として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層７０４としてＳｂ₈₆Ｇｅ₁₄層（厚さ：５ｎｍ）、第２界面層７０３として（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層７０２として（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層７０９を成膜する（ＴｉＯ₂）₆₀（Ｂｉ₂Ｏ₃）₄₀スパッタリングターゲット、反射層７０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１界面層７０５を成膜する（Ｃｒ₂Ｏ₃）₄₀（Ａｌ₂Ｏ₃）₆₀スパッタリングターゲット、記録層７０４を成膜するＳｂ−Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層７０３を成膜する（ＳｉＯ₂）₂₅（Ｃｒ₂Ｏ₃）₅₀（ＺｒＯ₂）₂₅スパッタリングターゲット、第２誘電体層７０２を成膜する（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。

透過率調整層７０９の成膜は、ＡｒとＯ₂の混合ガス雰囲気（全体に対して１％の割合のＯ₂ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層７０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１界面層７０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層７０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層７０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層７０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。

次に、第２誘電体層７０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第４情報層１８側に形成された、厚さ１５μｍの中間層３を得た。

その後、中間層３の上に、第４情報層１８を積層した。透過率調整層８０９として（ＴｉＯ₂）₆₀（Ｂｉ₂Ｏ₃）₄₀（厚さ：１５ｎｍ）、反射層８０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：６ｎｍ）、第１誘電体層８０６としてＡｌ₂Ｏ₃層（厚さ：６ｎｍ）、第１界面層８０５（厚さ：５ｎｍ）、記録層８０４としてＧｅ₄₅Ｉｎ₁Ｂｉ₃Ｔｅ₅₁層（厚さ：４．５ｎｍ）、第２界面層８０３（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層８０２として（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層（厚さ：３５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層８０９を成膜する（ＴｉＯ₂）₆₀（Ｂｉ₂Ｏ₃）₄₀スパッタリングターゲット、反射層８０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層８０６を成膜するＡｌ₂Ｏ₃スパッタリングターゲット、第１界面層８０５を成膜するスパッタリングターゲット、記録層８０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層８０３を成膜するスパッタリングターゲット、第２誘電体層８０２を成膜する（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。

透過率調整層８０９の成膜は、ＡｒとＯ₂の混合ガス雰囲気（全体に対して１％の割合のＯ₂ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層８０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層８０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層８０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層８０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層８０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層８０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。

最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第２誘電体層８０２上に塗布し回転させることによって、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、厚さ５５μｍの透明層２を形成した。その後、記録層５０４、記録層６０４、記録層７０４、及び記録層８０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の材料が異なる複数のサンプルを製造した。

なお、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の屈折率及び消衰係数については、実施例１で行った方法と同様の方法により測定した。

このようにして得られたサンプルについて、図４の記録再生装置３４を用いて、情報記録媒体１９の第１情報層１５、第２情報層１６、第３情報層１７、及び第４情報層１８の反射率を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は７．４ｍ／ｓ、再生パワーは１．０ｍＷとした。また、反射率はグルーブで測定した。

第４情報層１８の透過率（Ｔ_c4）については、第３情報層１７のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒ_c0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル８−１から８−１１の第３情報層１７の反射率（Ｒ_c3）とから計算（Ｒ_c3＝Ｒ_c0×Ｔ_c4×Ｔ_c4）して求めた。

また、第４情報層１８のＣＮＲ及び消去率を測定する際の記録マーク長は、０．１６８μｍ（３Ｔ）及び０．４４６μｍ（８Ｔ）とした。

また、第４情報層１８の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。

各サンプルについて、第１界面層８０５の材料及び第２界面層８０３の材料を、（表８−１）に示す。また、各サンプルについて、第１界面層８０５の屈折率及び消衰係数、第２界面層８０３の屈折率及び消衰係数、第４情報層１８の反射率比Ｒ_c4／Ｒ_a4、第４情報層１８の透過率Ｔ_c4、第４情報層１８のＣＮＲ、第４情報層１８の消去率、及び第４情報層１８の耐湿性を、（表８−２）に示す。なお、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。総合評価は、透過率が５０％以上、ＣＮＲが５０ｄＢ以上、及び耐湿性が△〜○の全てを満たす場合を○、透過率が５０％未満、ＣＮＲが５０ｄＢ未満、または耐湿性が×のいずれかを満たす場合を×とした。

この結果、第１界面層８０５において、Ｃｒ₂Ｏ₃の量が３０モル％程度で、残りがＮｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂から選ばれた混合物であり、且つ第２界面層８０３において、Ｃｒ₂Ｏ₃の量が３０モル％程度で、残りがＮｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃から選ばれた混合物であるサンプル８−１から８−８では、消衰係数が０．０３以下と小さく、反射率比Ｒ_c4／Ｒ_a4も７以上と大きく、ＣＮＲも５０ｄＢ以上と良好で、且つ耐湿性も良好であり、総合評価も○であった。また、Ｃｒ₂Ｏ₃の一部をＧａ₂Ｏ₃及び／またはＩｎ₂Ｏ₃で置き換えたサンプル８−９から８−１１においても、消衰係数が０．０３以下と小さく、反射率比Ｒ_c4／Ｒ_a4も７以上と大きく、ＣＮＲも５０ｄＢ以上と良好で、且つ耐湿性も良好であり総合評価も○であった。

以上の結果から、第１界面層８０５が、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂から選ばれる少なくとも一つの酸化物と５０モル％以下のＣｒ₂Ｏ₃とを含み、第２界面層８０３が、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃から選ばれる少なくとも一つの酸化物と５０モル％以下のＣｒ₂Ｏ₃とを含むことが好ましいことがわかった。また、Ｃｒ₂Ｏ₃の一部をＧａ₂Ｏ₃及び／またはＩｎ₂Ｏ₃で置き換えてもよいことがわかった。

なお、第１情報層１５の第１界面層５０５及び第２界面層５０３と、第２情報層１６の第１界面層６０５及び第２界面層６０３と、第３情報層１７の第１界面層７０５及び第２界面層７０３において、上記と同様の実験を行ったところ、第４情報層１８と同様の結果が得られた。

本発明の情報記録媒体は、記録層に接して設けられる層に優れた誘電体材料を用いることにより、大容量の光学的情報記録媒体を実現できるので、書換形多層Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ（ＢＤ−ＲＥ）、追記形多層Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ（ＢＤ−Ｒ）等に有用である。

また本発明の情報記録媒体は、優れた誘電体層を有し大容量な光学的情報記録媒体として、ＮＡ＞１の光学系、たとえばＳＩＬやＳＩＭを使った光学系で記録再生できる、次世代の書換形情報記録媒体、あるいは次世代の書換形多層情報記録媒体にも有用である。

Claims (14)

1. 波長４０５ｎｍの光の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、
   光の入射側から、第２界面層と、カルコゲン系材料を含み、且つ前記光の照射によって相変化を起こす記録層と、第１界面層とをこの順に備え、
   前記第１界面層及び前記第２界面層は、前記記録層に接して配置されており、
   前記第２界面層が、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ及びＡｌから選ばれるいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、
   前記第１界面層が、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ａｌ）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、
   前記光に対する前記第１界面層及び前記第２界面層の消衰係数は、０．１未満であり、
   前記第１界面層及び前記第２界面層は、酸化物（Ｃｒ₂Ｏ₃）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲でＣｒを含んでおり、
   前記光に対する前記第１界面層の屈折率ｎ１、前記第２界面層の屈折率をｎ２としたとき、ｎ１とｎ２とがｎ１＜ｎ２の関係を満たす、
   情報記録媒体。
2. 波長４０５ｎｍの光の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、
   光の入射側から、第２界面層と、カルコゲン系材料を含み、且つ前記光の照射によって相変化を起こす記録層と、第１界面層とをこの順に備え、
   前記第１界面層及び前記第２界面層は、前記記録層に接して配置されており、
   前記第２界面層が、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂと、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ及びＡｌから選ばれるいずれか一つの元素とを含む、または、Ｍ１は、ＴｉとＡｌとを含む）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、
   前記第１界面層が、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ａｌと、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｓｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素とを含む）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、
   前記光に対する前記第１界面層及び前記第２界面層の消衰係数は、０．１未満であり、
   前記Ｍ１と前記Ｍ２とは同一ではなく、
   前記第１界面層及び前記第２界面層は、酸化物（Ｃｒ ₂ Ｏ ₃ ）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲でＣｒを含んでおり、
   前記光に対する前記第１界面層の屈折率ｎ１、前記第２界面層の屈折率をｎ２としたとき、ｎ１とｎ２とがｎ１＜ｎ２の関係を満たす、
   情報記録媒体。
3. 前記第２界面層が、下記の式（１）：
   Ｍ１_aＣｒ_bＯ_100-a-b（原子％） （１）
   （但し、ａ及びｂは、１２＜ａ＜４０、０＜ｂ≦２５、且つ２５＜（ａ＋ｂ）≦４０）で表される材料を含む、
   請求項１または２に記載の情報記録媒体。
4. 前記第１界面層が、下記の式（２）：
   Ｍ２_cＣｒ_dＯ_100-c-d（原子％） （２）
   （但し、ｃ及びｄは、１２＜ｃ＜４０、０＜ｄ≦２５、且つ２５＜（ｃ＋ｄ）≦４０）で表される材料を含む、
   請求項１または２に記載の情報記録媒体。
5. 前記第２界面層が、Ｄ１（但し、Ｄ１は、Ｎｂ₂Ｏ₅ と、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ ₃ 及びＡｌ₂Ｏ₃から選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物とを含む、または、Ｄ１は、ＴｉＯ ₂ とＡｌ ₂ Ｏ ₃ とを含む）とＣｒ₂Ｏ₃とを含む、下記の式（３）：
   （Ｄ１）_e（Ｃｒ₂Ｏ₃）_100-e（モル％） （３）
   （但し、ｅは、５０≦ｅ＜１００を満たす。）で表される材料を含む、
   請求項２に記載の情報記録媒体。
6. 前記第１界面層が、Ｄ２（但し、Ｄ２は、Ａｌ ₂ Ｏ ₃ と、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂から選ばれる少なくとも一つの酸化物とを含む）とＣｒ₂Ｏ₃とを含む、下記の式（４）：
   （Ｄ２）_f（Ｃｒ₂Ｏ₃）_100-f（モル％） （４）
   （但し、ｆは、５０≦ｆ＜１００を満たす。）で表される材料を含む、
   請求項２に記載の情報記録媒体。
7. 前記第１界面層及び前記第２界面層から選ばれる少なくともいずれか一つに含まれるＣｒの一部が、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換されている、
   請求項１または２に記載の情報記録媒体。
8. 前記第２界面層に含まれるＣｒ₂Ｏ₃の一部が、Ｇａ₂Ｏ₃及びＩｎ₂Ｏ₃から選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されている、
   請求項５に記載の情報記録媒体。
9. 前記第１界面層に含まれるＣｒ₂Ｏ₃の一部が、Ｇａ₂Ｏ₃及びＩｎ₂Ｏ₃から選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されている、
   請求項６に記載の情報記録媒体。
10. Ｎ層の情報層を含み、前記Ｎは３以上の整数であって、前記Ｎ層の情報層を、光入射側と反対側から順に第１情報層から第Ｎ情報層としたとき、前記Ｎ層の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎを満たす少なくともいずれか１つの整数）が、前記光の入射側から、前記第２界面層、前記記録層及び前記第１界面層をこの順に備える、
    請求項１または２に記載の情報記録媒体。
11. 前記Ｎが３である、請求項１０に記載の情報記録媒体。
12. 前記記録層が、Ｇｅ−Ｔｅを含み、且つＧｅを４０原子％以上含む、
    請求項１または２に記載の情報記録媒体。
13. 前記記録層が、Ｓｂ−Ｇｅ及びＳｂ−Ｔｅから選ばれる少なくともいずれか一つの材料を含み、且つＳｂを７０原子％以上含む、
    請求項１または２に記載の情報記録媒体。
14. 第１誘電体層及び第２誘電体層をさらに備え、
    光の入射側から、前記第２誘電体層、前記第２界面層、前記記録層、前記第１界面層及び前記第１誘電体層がこの順に配置されている、
    請求項１または２に記載の情報記録媒体。

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