JP5468018B2 - 有機el素子、有機el表示装置および有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Description
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4
を満たすことを特徴とする。
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4
を満たすことを特徴とする。
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4
を満たすことを特徴とする。
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4
を満たすことを特徴とする。
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4
を満たすことを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態に係る有機EL素子10のバンク形成前における構成の一例を示す断面図である。
d1=1/n1×c1×λ/4
d2=1/n2×c2×λ/4
d3=1/n3×c3×λ/4
d4=1/n4×c4×λ/4
なる第1の条件を設定した。ここで、屈折率n1〜n4には、各層に用いられる材料について一般的に知られている値を用いた。屈折率が波長λの関数であることを考慮して、感光性樹脂層16の露光に用いる波長を1つ定め、その波長に対応する屈折率を用いた。各層の屈折率の具体的な値については、後ほど詳しく述べる。
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4
なる第2の条件下で定数aの範囲を探索したところ、定数aが、1、2、3のいずれかである場合に反射率に望ましい極小値が現われることがわかった。各層の厚さの具体的な値については、後ほど詳しく述べる。
本発明の有機EL素子10は、透明電極層13、絶縁層14、正孔輸送層15、および感光性樹脂層16の厚さに特徴があり、有機EL素子10を構成する材料を限定するものではないが、一例を挙げれば、次のような材料が使用可能である。
次に、シミュレーションで各層の厚さを求め、求めた各層の厚さを設計値として、実際に図1に示される4層構造の光学多層膜18を基板11上に作製し、その光学多層膜18から図2(A)、図2(B)に示されるバンク16を作製した実施例について説明する。g線、h線、i線のそれぞれの光17に対応した異なる実施例においてバンク16を作製した。
次に、本発明の実施の形態に係る有機EL素子の他の例について説明する。
d1=1/n1×c1×λ/4
d2=1/n2×c2×λ/4
d4=1/n4×c4×λ/4
なる第3の条件を設定した。ここで、屈折率n1、n2、n4には、各層に用いられる材料について一般的に知られている値を用いた。屈折率が波長λの関数であることを考慮して、感光性樹脂層16の露光に用いる波長を1つ定め、その波長に対応する屈折率を用いた。各層の屈折率の具体的な値については、後ほど詳しく述べる。
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4
なる第4の条件下で定数aの範囲を探索したところ、定数aが、1、2、3のいずれかである場合に反射率に望ましい極小値が現われることがわかった。各層の厚さの具体的な値については、後ほど詳しく述べる。
10、23 有機EL素子
11 基板
12 光反射層
13 透明電極層
14 絶縁層
15 正孔輸送層
16 感光性樹脂層(バンク)
17 光
18 光学多層膜
19 発光機能層
20 電子輸送層
21 透明電極層
22 コンタクトホール
Claims (12)
- 基板上に積層された光反射層と、透明電極層と、正孔輸送層と、絶縁層と、
感光性樹脂層と、
前記感光性樹脂層によって隔離された発光機能層と、
前記発光機能層の上方に積層された第2の透明電極層と
を備え、
前記光反射層と、前記透明電極層と、前記正孔輸送層と、前記絶縁層とは、前記感光性樹脂層によって隔離された領域内において前記基板上に形成され、
前記感光性樹脂層は、特定の波長λである入射光を用いて前記感光性樹脂層を露光して前記発光機能層を隔離するバンクを形成するプロセスにおいて、前記特定の波長λを吸収する材質であって、
前記感光性樹脂層側から前記光反射層に向う前記特定の波長λである入射光に対する、前記入射光が前記光反射層において反射して前記感光性樹脂層に向う反射光の比率である反射率が、極小値乃至前記極小値の近傍値となるように、前記透明電極層と、前記正孔輸送層と、前記絶縁層と、前記感光性樹脂層とからなる光学多層膜の各層の厚さが設定され、
前記透明電極層の厚さがd1、前記正孔輸送層の厚さがd2、前記絶縁層の厚さがd3、前記感光性樹脂層の厚さがd4であり、
前記透明電極層の屈折率がn1、前記正孔輸送層の屈折率がn2、前記絶縁層の屈折率がn3、前記感光性樹脂層の屈折率がn4であり、
所定の定数をaとするとき、
前記特定の波長λについて
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4
を満たすことを特徴とする有機EL素子。 - 前記特定の波長λが、g線の波長の±5%の範囲内の波長、h線の波長の±5%の範囲内の波長、i線の波長の±5%の範囲内の波長のうちのいずれかの波長である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記特定の波長λである入射光は、前記感光性樹脂層から前記発光機能層を隔離するバンクを形成するプロセスにおいて、前記感光性樹脂層の露光に用いられる、
ことを特徴とする請求項1〜2のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 前記感光性樹脂層は、前記特定の波長λの入射光を吸収して硬化するか、または、前記特定の波長λの入射光を吸収して所定の溶媒に対して溶解性となる
ことを特徴とする請求項1〜3のいすれか1項に記載の有機EL素子。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL素子を複数個配置してなることを特徴とする有機EL表示装置。
- 基板上に積層された光反射層と、透明電極層と、正孔輸送層と、感光性樹脂層と、
前記感光性樹脂層によって隔離された発光機能層と、
前記発光機能層の上方に積層された第2の透明電極層と
を備え、
前記光反射層と、前記透明電極層と、前記正孔輸送層とは、前記感光性樹脂層によって隔離された領域内において前記基板上に形成され、
前記感光性樹脂層は、特定の波長λである入射光を用いて前記感光性樹脂層を露光して前記発光機能層を隔離するバンクを形成するプロセスにおいて、前記特定の波長λを吸収する材質であって、
前記感光性樹脂層側から前記光反射層に向う前記特定の波長λである入射光に対する、前記入射光が前記光反射層において反射して前記感光性樹脂層に向う反射光の比率である反射率が、極小値乃至前記極小値の近傍値となるように、前記透明電極層と、前記正孔輸送層と、前記感光性樹脂層とからなる光学多層膜の各層の厚さが設定され、
前記透明電極層の厚さがd1、前記正孔輸送層の厚さがd2、前記感光性樹脂層の厚さがd4であり、
前記透明電極層の屈折率がn1、前記正孔輸送層の屈折率がn2、前記感光性樹脂層の屈折率がn4であり、
所定の定数をaとするとき、
前記特定の波長λについて
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4
を満たすことを特徴とする有機EL素子。 - 前記特定の波長λは、g線の波長の±5%の範囲内の波長、h線の波長の±5%の範囲内の波長、i線の波長の±5%の範囲内の波長のうちのいずれかの波長である
ことを特徴とする請求項6に記載の有機EL素子。 - 前記特定の波長λである入射光は、前記感光性樹脂層から前記発光機能層を隔離するバンクを形成するプロセスにおいて、前記感光性樹脂層の露光に用いられる、
ことを特徴とする請求項6〜7のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 前記感光性樹脂層は、前記特定の波長λの入射光を吸収して硬化するか、または、前記特定の波長λの入射光を吸収して所定の溶媒に対して溶解性となる
ことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 請求項6〜9のいずれか1項に記載の有機EL素子を複数個配置してなることを特徴とする有機EL表示装置。
- 基板上に、光反射層と、透明電極層と、正孔輸送層と、絶縁層と、感光性樹脂層とを積層する工程と、
前記感光性樹脂層に特定の波長λの光を照射することによって前記感光性樹脂層の一部を除去する工程と、
前記感光性樹脂層が除去されてできたくぼみに発光機能層を形成する工程と、
前記発光機能層の上方に第2の透明電極層を積層する工程と
を含み、
前記光反射層と、前記透明電極層と、前記正孔輸送層と、前記絶縁層とは、前記感光性樹脂層によって隔離された領域内において前記基板上に形成され、
前記感光性樹脂層は、前記特定の波長λである入射光を用いて前記感光性樹脂層を露光して前記発光機能層を隔離するバンクを形成するプロセスにおいて、前記特定の波長λを吸収する材質であって、
前記感光性樹脂層側から前記光反射層に向う前記特定の波長λである入射光に対する、前記入射光が前記光反射層において反射して前記感光性樹脂層に向う反射光の比率である反射率が、極小値乃至前記極小値の近傍値となるように、前記透明電極層と、前記正孔輸送層と、前記絶縁層と、前記感光性樹脂層とからなる光学多層膜において、
前記透明電極層の厚さがd1、前記正孔輸送層の厚さがd2、前記絶縁層の厚さがd3、前記感光性樹脂層の厚さがd4であり、
前記透明電極層の屈折率がn1、前記正孔輸送層の屈折率がn2、前記絶縁層の屈折率がn3、前記感光性樹脂層の屈折率がn4であり、
所定の定数をaとするとき、
前記特定の波長λについて
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4
を満たすことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 基板上に、光反射層と、透明電極層と、正孔輸送層と、感光性樹脂層とを積層する工程と、
前記感光性樹脂層に特定の波長λの光を照射することによって前記感光性樹脂層の一部を除去する工程と、
前記感光性樹脂層が除去されてできたくぼみに発光機能層を形成する工程と、
前記発光機能層の上方に第2の透明電極層を積層する工程と
を含み、
前記光反射層と、前記透明電極層と、前記正孔輸送層とは、前記感光性樹脂層によって隔離された領域内において前記基板上に形成され、
前記感光性樹脂層は、前記特定の波長λである入射光を用いて前記感光性樹脂層を露光して前記発光機能層を隔離するバンクを形成するプロセスにおいて、前記特定の波長λを吸収する材質であって、
前記感光性樹脂層側から前記光反射層に向う前記特定の波長λである入射光に対する、前記入射光が前記光反射層において反射して前記感光性樹脂層に向う反射光の比率である反射率が、極小値乃至前記極小値の近傍値となるように、前記透明電極層と、前記正孔輸送層と、前記感光性樹脂層とからなる光学多層膜において、
前記透明電極層の厚さがd1、前記正孔輸送層の厚さがd2、前記感光性樹脂層の厚さがd4であり、
前記透明電極層の屈折率がn1、前記正孔輸送層の屈折率がn2、前記感光性樹脂層の屈折率がn4であり、
所定の定数をaとするとき、
前記特定の波長λについて
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4
を満たすことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
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Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677111A (en) * | 1991-12-20 | 1997-10-14 | Sony Corporation | Process for production of micropattern utilizing antireflection film |
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| US5670297A (en) * | 1991-12-30 | 1997-09-23 | Sony Corporation | Process for the formation of a metal pattern |
| JP2897569B2 (ja) | 1991-12-30 | 1999-05-31 | ソニー株式会社 | レジストパターン形成時に用いる反射防止膜の条件決定方法と、レジストパターン形成方法 |
| US5472827A (en) * | 1991-12-30 | 1995-12-05 | Sony Corporation | Method of forming a resist pattern using an anti-reflective layer |
| JPH09171952A (ja) | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH11288786A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-10-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光共振型有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| GB2351840A (en) | 1999-06-02 | 2001-01-10 | Seiko Epson Corp | Multicolour light emitting devices. |
| JP3989761B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
| JP2004127551A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 有機el装置とその製造方法、および電子機器 |
| JP4466096B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2010-05-26 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP4525536B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2010-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | El装置および電子機器 |
| JP2006216466A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2007273243A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 有機el装置の製造方法 |
| JP2008059791A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Canon Inc | 有機el素子アレイ |
| JP2008293798A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Toyota Industries Corp | 有機el素子の製造方法 |
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