JP5467792B2 - 可撓性基板 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の好ましい実施形態による可撓性基板の概略断面図である。この可撓性基板100は、基材20と、基材20の少なくとも片面に形成された無機薄膜12とを備える。基材20は、無機ガラス10と、無機ガラス10の両側それぞれに配置された樹脂層11,11’とを備える。無機薄膜12は、一方の樹脂層11の無機ガラス10が配置されていない側に配置されている。図2は、本発明の別の好ましい実施形態による可撓性基板の平面図である。この可撓性基板100では、無機薄膜12が、基材20の片面周縁部に形成されている。無機薄膜は、図2に示すように基材の片面周縁部にのみ形成されていてもよいし、図1に示すように基材の片面全面に形成されていてもよい。このような構成を有することにより、柔軟性に優れ、かつ、ガスバリア性に優れた可撓性基板が得られる。可撓性基板の有機EL素子を形成する側の樹脂層内に当該樹脂のモノマー、溶剤、水分、添加剤等のアウトガスの原因となる成分が含まれている場合には、無機薄膜は、基材の片面全面(実質的には、樹脂層表面)のみならず、基材全体を覆うように形成することが好ましい。
本発明の可撓性基板に用いられる無機ガラスの形状は、代表的には、板状である。無機ガラスは、組成による分類によれば、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウ酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、石英ガラス等が挙げられる。また、アルカリ成分による分類によれば、無アルカリガラス、低アルカリガラスが挙げられる。上記無機ガラスのアルカリ金属成分(例えば、Na2O、K2O、Li2O)の含有量は、好ましくは15重量%以下であり、さらに好ましくは10重量%以下である。
上記樹脂層の波長550nmにおける透過率は、好ましくは85%以上である。上記樹脂層の波長550nmにおける屈折率(nr)は、好ましくは1.3〜1.7である。上記樹脂層の屈折率(nr)と上記無機ガラスの屈折率(ng)との差は、好ましくは0.2以下であり、さらに好ましくは0.1以下である。このような範囲であれば、無機ガラスと樹脂層との屈折率差に起因する表示特性への悪影響が防止され得る。
はそれぞれ0又は1〜30の整数でその和が1〜100であり、zはRの活性水素基の数を表す1〜10の整数であり、Aは置換基Xを有するオキシシクロヘキサン骨格であり、次式(VI)で表される基である(式(VI)中、Xはエポキシ基を示す)。
上記無機薄膜は、任意の適切な無機化合物で形成される。無機薄膜は、好ましくは、酸化物、窒化物、水素化物およびその複合化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の無機化合物を含む。具体的には、無機化合物は、酸化物、窒化物または水素化物単体である場合だけでなく、酸化物、窒化物および/または水素化物の複合化合物であり得る。このような化合物を用いることにより、透明性にさらに優れ得る。無機薄膜を形成する無機化合物は、任意の適切な構造を有し得る。具体的には、完全な結晶構造を有していてもよいし、アモルファス構造を有していてもよい。
上記平滑化層の形成材としては、任意の適切な形成材で形成される。具体例としては、平滑化層は、任意の適切な樹脂組成物で形成される。当該樹脂組成物は、好ましくは、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂を含む。
本発明の可撓性基板は、代表的には、上記無機ガラスに樹脂組成物を塗工し、当該樹脂組成物を硬化または乾燥・熱処理させて樹脂層を形成する工程と、得られた樹脂層の表面に上記無機薄膜を形成する工程とを含む。また、平滑化層を設ける場合、無機薄膜表面に上記平滑化層を形成する工程をさらに含む。
本発明の可撓性基板は、代表的には、エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ、プラズマディスプレイ(PD)、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)のような自発光型表示装置や、液晶表示装置等に用いられ得る。これらの中でも、本発明の可撓性基板は、高いガスバリア性が求められる有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置に好適に用いられ得る。
<基材(樹脂層/無機ガラス/樹脂層)の作製>
厚み50μmで板状の無機ガラス(ショット社製、「D263」)をメチルエチルケトン(MEK)で洗浄し、その両面にコロナ処理を施した。その後、シランカップリング剤(信越化学工業社製、KBM−403)を無機ガラスの両面に塗布し、110℃で5分間熱処理した。
次に、下記式(a)で表わされるエポキシ樹脂1(ダイセル化学工業社製、セロキサイド2021P)とエポキシ樹脂2(2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物、ダイセル化学工業社製、EHPE3150)と下記式(5)で表わされるオキセタン樹脂(東亜合成社製、OXT221)と重合開始剤(アデカ製、SP−170)との混合液を調製した。得られた混合液を無機ガラス表面に塗工した後、UV光を300mJ/cm2以上照射して樹脂を硬化させて、厚み25μmの樹脂層を形成した。同様に、無機ガラス裏面にも厚み25μmの樹脂層を形成した後、150℃で30分間熱処理した。
このようにして厚み100μmの基材を作製した。
上記で得られた基材の片面に、SiNx膜(厚み100nm)をプラズマCVD法により形成した。SiNx膜の形成条件は以下のとおりである。このようにして可撓性基板を作製した。
真空度:0.3Pa(2.25×10−3Torr)
SiH4ガス流量:50sccm
窒素ガス流量:50sccm
周波数:13.56MHz
電力:700W
基材の片面に、SiOy膜(厚み100nm)をプラズマCVD法により形成したこと以外は、実施例1と同様にして可撓性基板を作製した。SiOx膜の形成条件は以下のとおりである。
真空度:0.3Pa(2.25×10−3Torr)
SiH4ガス流量:10sccm
酸素ガス流量:20sccm
窒素ガス流量:50sccm
周波数:13.56MHz
電力:500W
基材の片面に、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜(厚み100nm)をプラズマCVD法により形成したこと以外は、実施例1と同様にして可撓性基板を作製した。DLC膜の形成条件は以下のとおりである。
真空度:0.3Pa(2.25×10−3Torr)
CH4ガス流量:200sccm
周波数:13.56MHz
電力:1000W
電極直流電圧:300V
基材の片面に、SiOy膜(厚み100nm)、SiNx膜(厚み100nm)およびSiOy膜(厚み100nm)をこの順にプラズマCVD法により形成して、SiOy/SiNx/SiOyの積層体を形成したこと以外は、実施例1と同様にして可撓性基板を作製した。なお、SiOy膜およびSiNx膜の形成条件は上記のとおりである。
以下の基材を用いたこと以外は実施例1と同様にして可撓性基板を作製した。
(基材)
スチレン−無水マレイン酸コポリマー(Aldrich社製、重量平均分子量220000)をメチルイソブチルケトンに20重量%となるように溶解させた。
別途、厚み50μm、縦10cm×横4cmの無機ガラス(ショット社製、「D263」)の片面表面をメチルエチルケトンで洗浄後、コロナ処理を行い、続けてアミン基含有カップリング剤(KBM−603、信越化学工業社製)を塗布し、110℃で5分間熱処理した。カップリング処理した上記無機ガラス表面に上記スチレン−無水マレイン酸溶液を塗工し、160℃で10分間乾燥後、200℃で30分間熱処理を行った。同様の処理を無機ガラスのもう一方の表面にも行い、総厚み60μmの無機ガラス、アミン基含有カップリング剤層、および熱可塑性樹脂層の積層体を得た。
さらに、該積層体の片面表面に下記参考例1で合成した7重量%のポリアミドイミドのメチルイソブチルケトン溶液を塗工し、160℃で10分間乾燥後、200℃で30分間熱処理を行った。同様の処理を無機ガラスのもう一方の表面にも行い、総厚み120μmの基材を得た。
2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA)と、トリメリット酸無水物(TMA)と、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル(TFMB)によって、ポリアミドイミドを合成した。重量平均分子量は約110000であった。
実施例5で用いた基材に、実施例2と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
実施例5で用いた基材に、実施例3と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
実施例5で用いた基材に、実施例4と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
以下の基材を用いたこと以外は実施例1と同様にして可撓性基板を作製した。
(基材)
20重量%のポリアリレート(U−ポリマー U−100:ユニチカ社製)の塩化メチレン溶液とシクロペンタノンを混合し、14.5重量%のキャスティング溶液を得た。
別途、厚み50μmの無機ガラス(ショット社製、「D263」)の片面表面をメチルエチルケトンで洗浄後、コロナ処理を行い、続けてアミン基含有カップリング剤(KBM−603、信越化学工業社製)を塗布し、110℃で5分間熱処理した。カップリング処理した上記無機ガラス表面に上記キャスティング溶液を塗工し、160℃で10分間乾燥後、200℃で30分間熱処理を行った。同様の処理を無機ガラスのもう一方の表面にも行い、総厚み120μmの基材を得た。
実施例9で用いた基材に、実施例2と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
実施例9で用いた基材に、実施例3と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
実施例9で用いた基材に、実施例4と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
以下の基材を用いたこと以外は実施例1と同様にして可撓性基板を作製した。
(基材)
末端水酸基変性されたポリエーテルスルホン(スミカエクセル 5003P:住友化学社製)とシクロペンタノンとジメチルスルホキシドとレベリング剤(BYK−307:ビックケミー社製)とを重量比140:658:42:0.105の割合で混合し、キャスティング溶液とした。
別途、厚み50μm、縦10cm×横4cmの無機ガラス(ショット社製、「D263」)の片面表面をメチルエチルケトンで洗浄後、コロナ処理を行い、続けてエポキシ基末端カップリング剤(KBM−403:信越化学工業社製)を塗布した後、110℃で5分間熱処理をした。上記カップリング処理した無機ガラス表面に上記キャスティング溶液を塗工し、160℃で10分間乾燥後、200℃で30分間熱処理を行い、厚み35μmの樹脂層を形成した。
同様の処理を上記無機ガラスのもう一方の表面にも行い、総厚み120μmの基材を得た。
実施例13で用いた基材に、実施例2と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
実施例13で用いた基材に、実施例3と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
実施例13で用いた基材に、実施例4と同様に無機薄膜を形成して可撓性基板を作製した。
有機EL素子を以下の方法で作製し、実施例11の可撓性基板を用いて封止して、有機EL表示装置を得た。
インジウム錫複合酸化物(ITO)層を有するガラス基板(表面抵抗値:10Ω/□)のITO層表面をイソプロピルアルコールで洗浄した後、15分間UV−オゾン処理を行い、ITO層を透明電極(陽極)とした。真空蒸着法を用いて、陽極上に下記の有機化合物層を順次形成した:
第1正孔輸送層:銅フタロシアニン(膜厚:10nm)
第2正孔輸送層:N,N´−ジフェニル−N,N´−ジナフチルベンジジン(膜厚:40nm)
電子輸送層兼発光層:トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(膜厚:60nm)
次に、膜厚1nmのフッ化リチウムおよび膜厚100nmのアルミニウムを順次蒸着し、対向電極(陰極)を形成した。アルミニウム表面を、紫外線硬化型エポキシ系接着剤を介して、実施例11で得られた可撓性基板(110℃で15分間のアニール処理したもの)で封止し、紫外線を可撓性基板側から照射することにより接着剤を硬化させ、有機EL表示装置を得た。
実施例15で得られた可撓性基板(110℃で15分間のアニール処理したもの)を用いて封止したこと以外は実施例17と同様にして有機EL表示装置を作製した。
無機薄膜(DLC膜)を形成しなかったかったこと以外は実施例11と同様にして積層体を得た。
無機薄膜(DLC膜)を形成しなかったかったこと以外は実施例15と同様にして積層体を得た。
比較例1で得られた積層体(110℃で15分間のアニール処理したもの)を用いて封止したこと以外は実施例17と同様にして有機EL表示装置を作製した。
比較例2で得られた積層体(110℃で15分間のアニール処理したもの)を用いて封止したこと以外は実施例17と同様にして有機EL表示装置を作製した。
(1)水蒸気透過率
実施例1から16で得られた可撓性基板の水蒸気透過率をJIS K 7129Bに準拠したMOCON測定法により評価した。具体的には、MOCON社製の水蒸気透過度測定装置「PERMATRAN W3/33MG型(HRH−1D型高精密流量コントロール装置付)」を用いて測定した。湿度条件は40℃90%RH、ガス流量は10.0±0.5cc/min、測定時間は20時間以上で行った。
いずれにおいても、水蒸気透過率は測定限界(10−2g/m2・day)より少なかった。
実施例17および18、ならびに比較例3および4の有機EL表示装置に、直流電圧7Vを印加して発光させた。いずれの表示装置においても、ダークスポットは観察されず均一な発光状態であった。その後、常温常圧の大気下にて保存し、定期的に発光状態を観察した。7日後、30日後、60日後の発光状態を表1に示す。評価基準は以下のとおりである。
○:均一な発光状態
△:ダークスポット発生
×:非点灯
11、11’ 樹脂層
12 無機薄膜
13 平滑化層
20 基材
100 可撓性基板
200 有機EL表示装置
Claims (13)
- 厚みが1μm〜50μmの無機ガラスと、該無機ガラスの両側それぞれに配置された樹脂層とを備える基材と、
一方の該樹脂層の該無機ガラスが配置されていない側に配置された無機薄膜と、
該無機薄膜の該樹脂層が配置されていない側に配置された平滑化層とを備え、
該樹脂層の合計厚みd rsum と該無機ガラスの厚みd g との比d rsum /d g が、0.8〜10であり、
該無機薄膜が該基材の少なくとも片面周縁部に形成され、
該平滑化層が、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂を含む樹脂組成物から形成され、
湾曲させた際の破断直径が30mm以下である、可撓性基板。 - 前記無機薄膜が前記基材の片面全面に形成されている、請求項1に記載の可撓性基板。
- 別の無機薄膜をさらに備え、
該別の無機薄膜が、前記平滑化層の前記樹脂層が配置されていない側に配置されている、請求項1または2に記載の可撓性基板。 - 厚み(総厚)が600μm以下である、請求項1から3のいずれかに記載の可撓性基板。
- 前記樹脂層が、エポキシ系樹脂および/またはオキセタン系樹脂を主成分とする樹脂組成物から形成されている、請求項1から4のいずれかに記載の可撓性基板。
- 前記樹脂層が、一般式(X)および/または(Y)で表される繰り返し単位を有する熱可塑性樹脂を含む、請求項1から5のいずれかに記載の可撓性基板:
式(X)中、R1は炭素数6〜24の置換または非置換のアリール基、炭素数4〜14のシクロアルキレン基または炭素数1〜8の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、R2は炭素数6〜24の置換または非置換のアリール基、炭素数1〜8の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜8の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数5〜12のシクロアルキル基、炭素数5〜12のシクロアルキレン基または水素原子であり、式(Y)中、R3およびR4はそれぞれ独立して炭素数1〜8の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、水素原子、炭素数1〜8の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数5〜12のシクロアルキル基または炭素数5〜12のシクロアルキレン基であり、Aはカルボニル基または炭素数1〜8の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、mは0〜8の整数を表し、nは0〜4の整数を表す。 - 前記樹脂層が、ポリエーテルスルホン系樹脂を含む、請求項1から7のいずれかに記載の可撓性基板。
- 前記無機薄膜が、酸化物、窒化物、水素化物およびその複合化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の無機化合物を含む、請求項1から8のいずれかに記載の可撓性基板。
- 前記無機化合物がアモルファス構造を有する、請求項9に記載の可撓性基板。
- 前記無機薄膜が、無機酸化物層/無機窒化物層/無機酸化物層の3層構成である、請求項1から10のいずれかに記載の可撓性基板。
- 透明電極をさらに備え、
該透明電極が、前記無機薄膜の前記樹脂層が配置されていない側に配置されている、請求項1から11のいずれかに記載の可撓性基板。 - 請求項1から12のいずれかに記載の可撓性基板を備える、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2008114372 | 2008-04-24 | ||
| JP2008114372 | 2008-04-24 | ||
| JP2009099561A JP5467792B2 (ja) | 2008-04-24 | 2009-04-16 | 可撓性基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013171634A Division JP5828523B2 (ja) | 2008-04-24 | 2013-08-21 | 可撓性基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009279926A JP2009279926A (ja) | 2009-12-03 |
| JP5467792B2 true JP5467792B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=41216803
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009099561A Active JP5467792B2 (ja) | 2008-04-24 | 2009-04-16 | 可撓性基板 |
| JP2013171634A Expired - Fee Related JP5828523B2 (ja) | 2008-04-24 | 2013-08-21 | 可撓性基板 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013171634A Expired - Fee Related JP5828523B2 (ja) | 2008-04-24 | 2013-08-21 | 可撓性基板 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20110039097A1 (ja) |
| JP (2) | JP5467792B2 (ja) |
| KR (5) | KR20140141721A (ja) |
| CN (1) | CN102015287B (ja) |
| TW (2) | TWI483844B (ja) |
| WO (1) | WO2009131067A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011086500A2 (en) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Sealed thin-film device, oled and solar cell |
| JP2011181590A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Technology Research Association For Advanced Display Materials | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの製造方法 |
| KR101374372B1 (ko) * | 2011-05-12 | 2014-03-17 | 한국생산기술연구원 | 복합시트 및 이를 이용한 디스플레이 기판 |
| JP5924344B2 (ja) * | 2011-10-18 | 2016-05-25 | 旭硝子株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法 |
| JP5907722B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP5883333B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-03-15 | 日東電工株式会社 | 透明シートおよびその製造方法 |
| US9403947B2 (en) * | 2012-06-19 | 2016-08-02 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing same, polyimide film for display device supporting bases, and method for producing polyimide film for display device supporting bases |
| CN102891115B (zh) * | 2012-10-11 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制备方法 |
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| US20150029681A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Evonik Industries Ag | Flexible composite, production thereof and use thereof |
| JP2015050143A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 積水化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤 |
| HK1222040A1 (zh) * | 2013-11-12 | 2017-06-16 | Ppg工业俄亥俄公司 | 光伏系统和用於生产光伏系统的喷涂方法 |
| JP2015195106A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及びその製造方法 |
| JP6288774B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-03-07 | トーカロ株式会社 | 防汚性に優れた高分子エラストマー部材およびそれを用いたロール部材 |
| JP6520497B2 (ja) * | 2014-07-09 | 2019-05-29 | Tdk株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極活物質、リチウムイオン二次電池用負極およびリチウムイオン二次電池 |
| JP6592883B2 (ja) * | 2014-08-06 | 2019-10-23 | 三菱ケミカル株式会社 | 有機el素子及びそれを用いた有機el照明装置 |
| KR102300025B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2021-09-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| JP2016159585A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 三菱化学株式会社 | フレキシブル基板、それを用いた有機el素子及び有機el照明装置 |
| JP6445358B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2018-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
| JP6743420B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2020-08-19 | 三菱ケミカル株式会社 | フレキシブル基板、電子デバイス製造用基板及び電子デバイス |
| US11374184B2 (en) | 2016-09-08 | 2022-06-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus |
| CN112289838A (zh) | 2016-09-08 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| TWI649205B (zh) * | 2016-10-14 | 2019-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 可撓性電子裝置 |
| US10275062B2 (en) * | 2016-10-14 | 2019-04-30 | Industrial Technology Research Institute | Flexible electronic device having barrier planarization layer including nitrogen-rich region and oxygen-rich region |
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| TWI692002B (zh) * | 2017-02-28 | 2020-04-21 | 財團法人國家實驗研究院 | 可撓式基板結構、可撓式電晶體及其製造方法 |
| CN106847832B (zh) * | 2017-03-23 | 2019-04-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性基板及柔性显示器 |
| TWI634468B (zh) * | 2017-08-18 | 2018-09-01 | Industrial Technology Research Institute | 透明顯示裝置 |
| CN109411417B (zh) | 2017-08-18 | 2020-09-11 | 财团法人工业技术研究院 | 电子组件封装体以及显示面板 |
| US10396256B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-08-27 | Industrial Technology Research Institute | Electronic device package |
| JP6782211B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-11 | 株式会社東芝 | 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法 |
| JP2018006351A (ja) * | 2017-09-11 | 2018-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| WO2019066078A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルムおよび画像表示装置 |
| JP6406413B2 (ja) * | 2017-11-01 | 2018-10-17 | 味の素株式会社 | シート材 |
| KR102429769B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2022-08-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 롤러블 디스플레이 시스템 |
| CN109192878B (zh) * | 2018-08-30 | 2019-11-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板 |
| CN109940948B (zh) * | 2019-03-29 | 2022-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性盖板、显示装置及柔性盖板的制备方法 |
| JP2020181833A (ja) * | 2020-08-05 | 2020-11-05 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| CN114843421B (zh) * | 2022-04-21 | 2023-10-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及移动终端 |
| WO2024116892A1 (ja) * | 2022-11-29 | 2024-06-06 | コニカミノルタ株式会社 | 積層体及び表示装置 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6287674B1 (en) * | 1997-10-24 | 2001-09-11 | Agfa-Gevaert | Laminate comprising a thin borosilicate glass substrate as a constituting layer |
| JPH11195487A (ja) * | 1997-12-27 | 1999-07-21 | Tdk Corp | 有機el素子 |
| GB2335884A (en) * | 1998-04-02 | 1999-10-06 | Cambridge Display Tech Ltd | Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices |
| JP4384356B2 (ja) | 1998-07-20 | 2009-12-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 可撓性基板 |
| US6689626B2 (en) | 1998-07-20 | 2004-02-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Flexible substrate |
| EP1048628A1 (de) | 1999-04-30 | 2000-11-02 | Schott Glas | Polymerbeschichtete Dünnglasfoliensubstrate |
| EP1149405A1 (de) * | 1999-01-11 | 2001-10-31 | Schott Glas | Flächenstrahler |
| CA2359366A1 (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Schott Display Glas Gmbh | Polymer-coated thin-glass film substrates |
| JP2002297054A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 表示素子用基板 |
| JP2002299041A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Hitachi Ltd | 有機el装置に用いるフィルム基材及び有機el素子 |
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| JP2004079432A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Nitto Denko Corp | 透明ガスバリア性部材及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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| US7229703B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-06-12 | Dai Nippon Printing Co. Ltd. | Gas barrier substrate |
| JP4363145B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2009-11-11 | Jsr株式会社 | 積層体および積層体の製造方法 |
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| JP4310786B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2009-08-12 | 恵和株式会社 | 高バリア性シート |
| US20050269943A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Michael Hack | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
| WO2006104078A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Three Bond Co., Ltd. | 有機el素子封止用フィルム及び有機el素子の封止構造体 |
| JP4911445B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機と無機のハイブリッド光電変換素子 |
| JP4982976B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2012-07-25 | 住友化学株式会社 | フレキシブル基板の製造方法及びディスプレイ素子 |
| US20070020451A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings |
| JP4906289B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2012-03-28 | 日本合成化学工業株式会社 | 樹脂成形体、及びその用途 |
| EP1953843B1 (en) * | 2005-10-31 | 2012-12-05 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
| JP4957002B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-06-20 | 住友ベークライト株式会社 | 透明樹脂積層シート |
| DE102006046196A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtmittel |
| JP2008107510A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Nitto Denko Corp | 表示素子用基板およびその製造方法 |
-
2009
- 2009-04-16 JP JP2009099561A patent/JP5467792B2/ja active Active
- 2009-04-17 KR KR20147031504A patent/KR20140141721A/ko not_active Ceased
- 2009-04-17 WO PCT/JP2009/057737 patent/WO2009131067A1/ja not_active Ceased
- 2009-04-17 KR KR1020107023521A patent/KR20100127289A/ko not_active Ceased
- 2009-04-17 KR KR1020167001414A patent/KR20160014769A/ko not_active Ceased
- 2009-04-17 CN CN2009801139574A patent/CN102015287B/zh active Active
- 2009-04-17 KR KR1020127021228A patent/KR101484381B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-17 KR KR1020147026647A patent/KR101490094B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-17 US US12/988,764 patent/US20110039097A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-23 TW TW098113522A patent/TWI483844B/zh active
- 2009-04-23 TW TW104111035A patent/TWI596007B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-08-21 JP JP2013171634A patent/JP5828523B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-04 US US14/987,596 patent/US20160120029A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-08-17 US US15/998,859 patent/US11260627B2/en active Active
- 2018-09-05 US US16/121,779 patent/US20190008043A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140141721A (ko) | 2014-12-10 |
| US11260627B2 (en) | 2022-03-01 |
| JP2009279926A (ja) | 2009-12-03 |
| CN102015287B (zh) | 2013-10-30 |
| TWI483844B (zh) | 2015-05-11 |
| KR101484381B1 (ko) | 2015-01-19 |
| TW201527090A (zh) | 2015-07-16 |
| WO2009131067A1 (ja) | 2009-10-29 |
| CN102015287A (zh) | 2011-04-13 |
| KR20140130194A (ko) | 2014-11-07 |
| KR101490094B1 (ko) | 2015-02-04 |
| US20160120029A1 (en) | 2016-04-28 |
| US20190008043A1 (en) | 2019-01-03 |
| KR20100127289A (ko) | 2010-12-03 |
| JP5828523B2 (ja) | 2015-12-09 |
| TWI596007B (zh) | 2017-08-21 |
| US20110039097A1 (en) | 2011-02-17 |
| KR20120104637A (ko) | 2012-09-21 |
| JP2013241023A (ja) | 2013-12-05 |
| TW201008768A (en) | 2010-03-01 |
| US20180368256A1 (en) | 2018-12-20 |
| KR20160014769A (ko) | 2016-02-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121031 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130626 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130821 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140122 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140128 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5467792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |