[go: up one dir, main page]

JP5305495B1 - 三硫化アンチモンの製造方法 - Google Patents

三硫化アンチモンの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5305495B1
JP5305495B1 JP2013514486A JP2013514486A JP5305495B1 JP 5305495 B1 JP5305495 B1 JP 5305495B1 JP 2013514486 A JP2013514486 A JP 2013514486A JP 2013514486 A JP2013514486 A JP 2013514486A JP 5305495 B1 JP5305495 B1 JP 5305495B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antimony
sulfur
vessel
trisulfide
antimony trioxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013514486A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2014054112A1 (ja
Inventor
智 北薗
将大 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIHON SEIKO CO., LTD.
Original Assignee
NIHON SEIKO CO., LTD.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIHON SEIKO CO., LTD. filed Critical NIHON SEIKO CO., LTD.
Application granted granted Critical
Publication of JP5305495B1 publication Critical patent/JP5305495B1/ja
Publication of JPWO2014054112A1 publication Critical patent/JPWO2014054112A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G30/00Compounds of antimony
    • C01G30/008Sulfides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

不純物である鉛、ヒ素及び結晶性シリカが比較的少なく、しかも安価に製造できる三硫化アンチモンの製造方法を開発する。
反応容器内に三酸化アンチモン粉末及び硫黄を装入し、該容器内を加熱して三酸化アンチモンと硫黄を反応させる。三酸化アンチモンは、揮発酸化精錬で得られるため粒子径が小さくて反応性がよく、鉛、ヒ素及び結晶性シリカなどの不純物が少ない高純度ものが容易に手に入り、高純度の三酸化アンチモンを原料として使用することで、不純物の少ない三硫化アンチモンを安価に製造できる。

Description

本発明は、ブレーキパッドなどに使用される三硫化アンチモンの製造方法に関する。
市場に出ている三硫化アンチモンは、天然の三硫化アンチモン鉱石(輝安鉱)を加工したものがほとんどである。すなわち、天然の三硫化アンチモン鉱石を溶融すると、三硫化アンチモンが沈降し、脈石などの不純物が浮き上がって分離するので、三硫化アンチモンを回収することができる。
また、三硫化アンチモンは、金属アンチモン粉末と硫黄を混合して焼成することで製造することもできる。金属アンチモンは、例えば下記特許文献1によって製造できる。
また、三酸化アンチモンを硫化ナトリウム水溶液に加え、この溶液に硫化水素を通ずることで、三硫化アンチモンが析出するので、これを回収して得ることができる。三酸化アンチモンは、例えば下記特許文献2に示されるような揮発酸化精錬によって得ることができ、微細な粉末として市場に多く流通している。
特開平6−322455号公報 特開平6−329417号公報
前記の、三硫化アンチモンを天然の三硫化アンチモン鉱石から製造する方法は、製造した三硫化アンチモン中に鉛、ヒ素及び結晶性シリカ(石英)が不純物として比較的多く含まれるので、自然環境及び製造工程における作業環境への配慮から、これらの不純物を低減することが求められている。
前記の、金属アンチモン粉末から製造する方法は、金属粉末が溶けた硫黄の下に分離して沈殿するので反応性が悪い。比較的反応性を良くするためにはアンチモン塊を粉砕した粒径10μm以下の金属アンチモン粉末を用いるが、アンチモン塊を粉砕して得られる金属アンチモンの粒径は通常20〜30μmであり、10μm以下に粉砕するには非常にコストがかかる。
前記の三酸化アンチモン粉末を硫化ナトリウム水溶液に加え、硫化水素を通ずる製造方法は、前記の金属アンチモン粉末から製造する方法よりもコストがかかる。
本発明は、不純物である鉛、ヒ素及び結晶性シリカが比較的少なく、しかも安価に製造できる三硫化アンチモンの製造方法を提供することを課題とするものである。
本発明は、反応容器内に三酸化アンチモン粉末及び硫黄を装入し、該容器内を250〜700℃に加熱して三酸化アンチモンと硫黄を反応させることを特徴とする三硫化アンチモンの製造方法である。
反応容器内で三酸化アンチモン粉末と硫黄が加熱されると、硫黄が三酸化アンチモンの酸素を奪ってSOとなって気化し、SbとSが結合してSbが生成される。その反応式は次の通りである。
2Sb + 9S = 2Sb + 3SO
三酸化アンチモンは、揮発酸化精錬で得られるため、粒子径が小さく比表面積が大きく、反応性がよい。さらに、鉛、ヒ素及び結晶性シリカなどの不純物が少ない高純度ものが容易に手に入り、高純度の三酸化アンチモンを原料として使用することで、不純物の少ない三硫化アンチモンを安価に製造することができる。
本発明は、金属アンチモン粉末と硫黄粉末から三硫化アンチモンを製造する場合に比べて、反応効率が優れている。
図6は、従来の、金属アンチモン粉末と硫黄粉末からの三硫化アンチモン製造の説明図で、左側は反応容器20内に金属アンチモン粉末と硫黄粉末を混合した原料3’を装入した状態、右側は、これを加熱して硫黄が溶融した状態である。液体硫黄の比重(約1.8)は、金属アンチモンの比重(約6.7)に比べて非常に小さいので、金属アンチモンは液体硫黄の中に沈殿した状態となりやすく、その結果、反応容器20の下部に硫黄と接触しない未反応の金属アンチモンが残りやすくなる。
図7は、本発明の三酸化アンチモン粉末と硫黄粉末からの三硫化アンチモン製造の説明図で、左側は反応容器20内に三酸化アンチモン粉末と硫黄粉末を混合した原料3を装入した状態、右側は、これを加熱して硫黄が溶融した状態である。三酸化アンチモンの比重(約5.2)は液体硫黄の比重(約1.8)に比べて大きいが、金属アンチモンの比重(約6.7)よりも小さく、また、三酸化アンチモンと液体硫黄の反応により亜硫酸ガスの泡4が発生し撹拌するため液体硫黄のなかに三酸化アンチモンが沈殿しにくく、未反応の三酸化アンチモンが残りにくい。
本発明において、三酸化アンチモン粉末の平均粒径は2μm以下であることが望ましい。平均粒径が2μmを越えると、反応性が悪くなり、エネルギーコストが高くなり、製造した三硫化アンチモン中に未反応の三酸化アンチモンが残留するおそれがある。
本発明における平均粒径は、JIS Z8830 気体吸着法による粉体(固体)の比表面積測定方法によって求められた比表面積を基に求めた比表面積球相当径である。
本発明において、反応容器内の加熱温度250〜700℃である。加熱温度が250℃未満では硫黄が溶融して反応が開始されるのが遅くなり、700℃を越える温度は不必要でエネルギーの無駄になる。
本発明において、硫黄の量を、生成物の化学量論的量よりも多くし、反応容器内を不活性ガスで満たした後に該容器内を加熱することができる。
化学量論的量は、三酸化アンチモン2モルに対して硫黄9モルであるが、配合量は、三酸化アンチモン2モルに対して硫黄10〜11モル程度にすることが望ましい。
このようにすることで、製造した三硫化アンチモン中に未反応の三酸化アンチモンが残留するおそれがほとんどなくなる。
本発明において、反応容器にガス流入口とガス流出口を設けることができる。容器の加熱前に流入口から、窒素などの不活性ガスを流入させて該容器内を不活性ガスで満たす。そして、容器内を加熱して三硫化アンチモンを生成させ、完了した後に流入口から不活性ガスを流入させ、容器内の硫黄気化ガスを流出口から排出させることができる。
なお、容器内を加熱して三硫化アンチモンを生成させているときも、絶えず不活性ガスを容器内に流入させてパージを行ってもよい。
このようにすることで、アンチモンが空気中の酸素と反応するのを防ぐことができる。
本発明において、生成した三硫化アンチモンをその融点以上まで加熱して溶融させ、液体として該容器から排出し、排出した液体硫化アンチモンを冷却凝固させることができる。三硫化アンチモンの融点は550℃である。
このようにすることで、反応容器を用いて連続して三硫化アンチモンを製造することができる。
本発明によれば、不純物である鉛、ヒ素及び結晶性シリカが比較的少ない三硫化アンチモンを、低コストで容易に製造することができる。
本発明実施形態における製造設備1の平面図である。 製造設備1の側面図である。 製造設備1の容器部2の断面説明図である。 本発明実施形態における反応容器内温度の説明図である。 原料硫黄の量と反応率の関係の説明図である。 金属アンチモン粉末と硫黄粉末からの三硫化アンチモン製造の説明図である。 三酸化アンチモン粉末と硫黄粉末からの三硫化アンチモン製造の説明図である。
図1〜3は本発明実施形態における三硫化アンチモン製造設備1に関する。製造設備1は容器部2、台10、支持部11及びシリンダ12を有する。容器部2は、支持部11の回動軸11aに回動可能に支持され、シリンダ12によって回動する。
容器部2は反応容器(ルツボ)20、電気炉21、蓋22を有し、反応容器20は電気炉21内に装着され、ヒータ21aによって加熱される。蓋22は、例えばグラスウール製で、着脱自在である。蓋22を貫通して石英管23,24が設けられ、石英管23の先端が不活性ガス(窒素ガス)の流入口23a、石英管24の先端が反応容器内のガスの流出口24aとなっている。石英管24は脱硫装置(図示せず)に接続され、反応容器内から流出したガスは脱硫処理される。なお、図中符号20aは製造した三硫化アンチモンの排出口、符号3は原料である。
原料3は、三酸化アンチモン微粉末と硫黄粉末を重量比5:3(モル比2:10.9)で混合した。三酸化アンチモンは平均粒径1.17μmで、Sbが99.82wt%、Asが0.03wt%以下、Pbが0.001wt%以下、Feが0.001wt%未満のものを用いた。硫黄は粒径90μm未満のものを用いた。
反応容器20内に原料を装入した後、図3に示すように蓋22を装着し、石英管23から反応容器20内に窒素ガスを流入させ、容器20内の空気を完全に窒素ガスに置換した。その後、電気炉による加熱を開始した。反応容器20内の温度は、図4に示すように、400℃に達した後、反応熱により580℃程度まで急激に上昇した。加熱開始から約2時間経過した後、残った硫黄の気化がほぼ終了したので、石英管23から反応容器20内に窒素ガスを流入させ、容器内の硫黄ガスを完全に排出させた。その後、蓋23を取り外し、図2に破線で示すように容器部2を回動させて、排出口20aから内部の溶融状態の三硫化アンチモンを取り出し、自然冷却により凝固させた。
上記により製造した三硫化アンチモンを粉末状に破砕し、成分分析を行った。その結果を表1に示す。
Figure 0005305495
表1において、比較例は従来の天然の三硫化アンチモン鉱石から製造した三硫化アンチモンの例である。
表1に示されるように、本発明により製造した三硫化アンチモンは、比較例に比べて鉛、ヒ素、結晶性シリカなどの不純物が非常に少ない。また、反応性がよいので製品中に残留している三酸化アンチモン及び遊離硫黄の量も僅かである。
次に、平均粒径1.17μmの三酸化アンチモンと粒径90μm未満の硫黄を原料とし、硫黄の量を理論量(化学量論的量)の1.0倍、1.1倍、1.2倍、1.3倍に変化させて三硫化アンチモンを製造し、反応率(生成物中の三硫化アンチモンの質量%)を調べた。その結果を図5に示す。反応率は、1.1倍で約95%、1.2倍で98%を越え、1.2倍から1.3倍の間の反応率の上昇はきわめて僅かであるから、硫黄の量は1.2倍を中心として1.1倍〜1.3倍程度が適当である。
表2は、原料である三酸化アンチモンの平均粒径を0.4μm、1.2μm、及び7.1μmとした実施例と、金属アンチモンと硫黄粉末を原料とした比較例における反応率を比較したものである。硫黄の量は、全て、化学量論的量の約1.2倍とした。
同表に明らかなように、実施例は比較例よりも反応率が格段に優れている。
Figure 0005305495
1 製造設備
10 台
11 支持部
11a 回動軸
12 シリンダ
2 容器部
20 反応容器
21 電気炉
21a ヒータ
22 蓋
23 石英管
23a 流入口
24 石英管
24a 流出口
3 原料
4 亜硫酸ガスの泡

Claims (4)

  1. 反応容器内に三酸化アンチモン粉末及び硫黄を装入し、該容器内を250〜700℃に加熱して三酸化アンチモンと硫黄を反応させることを特徴とする三硫化アンチモンの製造方法。
  2. 反応容器内に三酸化アンチモン粉末及び硫黄を装入し、該容器内を加熱して三酸化アンチモンと硫黄を反応させる三硫化アンチモンの製造方法であって、
    前記硫黄の量を、生成物の化学量論的量よりも多くし、前記反応容器内を不活性ガスで満たした後に該容器内を加熱し、
    前記反応容器がガス流入口とガス流出口を有し、該容器の加熱前に該流入口から不活性ガスを流入させて該容器内を不活性ガスで満たし、該容器内で三硫化アンチモンの生成が完了した後に該流入口から不活性ガスを流入させ、該容器内のガスを該流出口から排出させることを特徴とする三硫化アンチモンの製造方法。

  3. 反応容器内に三酸化アンチモン粉末及び硫黄を装入し、該容器内を加熱して三酸化アンチモンと硫黄を反応させる三硫化アンチモンの製造方法であって、
    前記反応容器内において、生成した三硫化アンチモンをその融点以上まで加熱して溶融させ、液体として該容器から排出し、排出した液体硫化アンチモンを冷却凝固させることを特徴とする三硫化アンチモンの製造方法。
  4. 前記三酸化アンチモン粉末の平均粒径が2μm以下である請求項1〜3のいずれかに記載の三硫化アンチモンの製造方法。
JP2013514486A 2012-10-02 2012-10-02 三硫化アンチモンの製造方法 Active JP5305495B1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/075451 WO2014054112A1 (ja) 2012-10-02 2012-10-02 三硫化アンチモンの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5305495B1 true JP5305495B1 (ja) 2013-10-02
JPWO2014054112A1 JPWO2014054112A1 (ja) 2016-08-25

Family

ID=49529461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013514486A Active JP5305495B1 (ja) 2012-10-02 2012-10-02 三硫化アンチモンの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9926205B2 (ja)
JP (1) JP5305495B1 (ja)
WO (1) WO2014054112A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113277556A (zh) * 2021-05-31 2021-08-20 湖南娄底华星锑业有限公司 工业三氧化二锑生产装置
CN118685713A (zh) * 2024-07-30 2024-09-24 常熟市龙腾特种钢有限公司 一种均匀碳化的冷镦钢及其制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112079383B (zh) * 2020-09-24 2021-07-30 昆明理工大学 一种闪速热处理制备硫化锑粉体的方法
US20230312361A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Nihon Seiko Co., Ltd. Method Of Producing Antimony Trisulfide
CN114890471B (zh) * 2022-05-06 2023-08-01 锡矿山闪星锑业有限责任公司 一种制备金黄锑的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01203255A (ja) * 1988-02-10 1989-08-16 Poritoronikusu:Kk 超伝導用セラミクス
JPH03237018A (ja) * 1990-02-14 1991-10-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 三硫化アンチモン合成用原料の封入方法
CN101786661A (zh) * 2010-03-09 2010-07-28 湘潭大学 一种硫化锑纳米棒的制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU882934A1 (ru) * 1980-02-20 1981-11-23 Среднеазиатский Научно-Исследовательский И Проектный Институт Цветной Металлургии Способ получени трехсернистой сурьмы
JPH06322455A (ja) 1993-05-14 1994-11-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 金属アンチモンの製造方法
JPH06329417A (ja) 1993-05-26 1994-11-29 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 三酸化アンチモンの製造方法
CN1103895A (zh) * 1994-08-27 1995-06-21 周磊 一种用氧化锑矿、硫氧混合锑矿生产三氧化二锑粉的方法
JP3994435B2 (ja) * 2001-11-28 2007-10-17 ニプロ株式会社 照明用ガラスおよび着色ガラスバルブ、ならびにその製造方法
JP2009164215A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置および放射線画像検出器の製造方法
US8801979B2 (en) * 2010-06-10 2014-08-12 State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Apparatus and method for continuous production of materials
CN102126755A (zh) * 2011-05-05 2011-07-20 贵州正业工程技术投资有限公司 用高频等离子体法生产纳米三氧化二锑的方法和装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01203255A (ja) * 1988-02-10 1989-08-16 Poritoronikusu:Kk 超伝導用セラミクス
JPH03237018A (ja) * 1990-02-14 1991-10-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 三硫化アンチモン合成用原料の封入方法
CN101786661A (zh) * 2010-03-09 2010-07-28 湘潭大学 一种硫化锑纳米棒的制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113277556A (zh) * 2021-05-31 2021-08-20 湖南娄底华星锑业有限公司 工业三氧化二锑生产装置
CN113277556B (zh) * 2021-05-31 2022-04-15 湖南娄底华星锑业有限公司 工业三氧化二锑生产装置
CN118685713A (zh) * 2024-07-30 2024-09-24 常熟市龙腾特种钢有限公司 一种均匀碳化的冷镦钢及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014054112A1 (ja) 2014-04-10
US20150259216A1 (en) 2015-09-17
US9926205B2 (en) 2018-03-27
JPWO2014054112A1 (ja) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5305495B1 (ja) 三硫化アンチモンの製造方法
CN102605193B (zh) 一种铜及铜合金熔炼用精炼剂
CN102041398B (zh) 一种熔融还原碳热法制镁工艺及装置
JP7533443B2 (ja) カルコゲナイドガラスの製造方法
CN102312104A (zh) 铝及铝合金熔炼精炼剂
JPH044965B2 (ja)
TW201919999A (zh) 表面處理溶膠凝膠二氧化矽以及表面處理溶膠凝膠二氧化矽的製造方法、樹脂組成物、以及半導體封裝材料用填充劑
CA1194679A (en) Semicontinuous process for the production of pure silicon
JP6620953B2 (ja) 硫化リチウム製造装置
JP2013521214A (ja) アルミニウム含有シリコンの精製方法
CN104058405A (zh) 一种去除金属硅中杂质磷和硼的方法
EP2014617A2 (en) Process For Melting Silicon Powders
CN1648041A (zh) 从金属硅制备超纯硅的方法和装置
CN104099487B (zh) 硅钙合金的制备方法
JP6026210B2 (ja) 金属の還元精錬方法
JP5747648B2 (ja) 高純度シリカ粉末の製造方法
CN104525957A (zh) 一种利用镍残极制备合成羰基镍原料的方法
JP6180030B2 (ja) フェロニッケルの製造方法
US5490162A (en) Process and device for the continuous treatment of silicon
CN104755634B (zh) 叶轮及使用其的熔池处理方法
CN116891252B (zh) 三硫化锑的制造方法
JP7804853B2 (ja) 三硫化アンチモンの製造方法
JP5097427B2 (ja) 金属ケイ素粉末の製造方法、球状シリカ粉末の製造方法及び樹脂組成物の製造方法
JP5777981B2 (ja) 金属複合超微粒子の製造方法
CN101008053B (zh) 用高镁低钛精矿制取钛铁和硅钛铁的方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130621

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130621

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5305495

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250