JP5370371B2 - 圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法 - Google Patents
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Description
2 水晶振動板
20 振動部
23 励振電極
3 下蓋部材
4 上蓋部材
5 接合材
50 Auメッキ層
51 第1接合材
52 第2接合材
53 第3接合材
54 第4接合材
6 突部
7 窪み部
8 溝部
以下、本発明にかかる第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に示す第1の実施形態では、圧電振動デバイスとして水晶振動子を本発明に適用した場合を示す。図1は第1の実施形態を示す水晶振動板2の長辺方向に沿った水晶振動子1の断面図であり、図2は図1に示す水晶振動子1の各構成部材を示した概略構成図である。
本発明の第1の実施形態の変形例を図12に示す。図12に示す変形例では、粗面化処理の対象を下蓋部材3の接合領域や上蓋部材4の接合領域ではなく、水晶振動板2の接合領域とした例となっている。このような構造であっても水晶振動板2と接合材5との接合強度を向上させることができる。なお、本構成において粗面化させる接合領域を枠部28の両主面201、202全体に施してもよい。つまり、枠部28の金属膜(接合材5)が形成される領域だけでなく、その外側の領域も粗面化することにより、加熱溶融によって流動化した金属が振動部20に向かう方向に流出するのを防止することができる。このように、枠部28の両主面201、202全体が粗面化されているので、溶融した金属膜(接合材5)の移動に対して粗面が抵抗となって、振動部20に対して溶融する金属の流入を防止することができる。
本発明にかかる第2の実施形態を、上記の第1の実施形態と同様に圧電振動板として水晶振動板を用いた水晶振動子を例に挙げて図18を用いて説明する。図18は、第2の実施形態を示す水晶振動板2の長辺方向に沿った水晶振動子1の断面図である。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態と同様の構成部材については同番号を付して説明の一部を割愛する。また、第2の実施形態の構成のうち、第1の実施形態と同様の構成については同様の効果を有する。そのため、以下、第1の実施形態との相違点を中心に、第2の実施形態を説明する。
本発明にかかる第3の実施形態を、上記の第1の実施形態と同様に圧電振動板として水晶振動板を用いた水晶振動子を例に挙げて図19を用いて説明する。図19は、第3の実施形態を示す水晶振動板2の長辺方向に沿った水晶振動子1の断面図である。なお、第3の実施形態では、第1の実施形態と同様の構成部材については同番号を付して説明の一部を割愛する。また、第3の実施形態の構成のうち、第1の実施形態と同様の構成については同様の効果を有する。そのため、以下、第1の実施形態との相違点を中心に、第3の実施形態を説明する。
本発明にかかる第4の実施形態を、上記の第1の実施形態と同様に圧電振動板として水晶振動板を用いた水晶振動子を例に挙げて図21を用いて説明する。図21は、第4の実施形態を示す水晶振動板2の長辺方向に沿った水晶振動子1の断面図である。なお、第4の実施形態では、第1の実施形態と同様の構成部材については同番号を付して説明の一部を割愛する。また、第4の実施形態の構成のうち、第1の実施形態と同様の構成については同様の効果を有する。そのため、以下、第1の実施形態との相違点を中心に、第4の実施形態を説明する。
本発明にかかる第5の実施形態を、上記の第1の実施形態と同様に圧電振動板として水晶振動板を用いた水晶振動子を例に挙げて図22を用いて説明する。図22は、第5の実施形態を示す水晶振動板2の長辺方向に沿った水晶振動子1の断面図である。なお、第5の実施形態では、第1の実施形態と同様の構成部材については同番号を付して説明の一部を割愛する。また、第5の実施形態の構成のうち、第1の実施形態と同様の構成については同様の効果を有する。そのため、以下、第1の実施形態との相違点を中心に、第5の実施形態を説明する。
Claims (5)
- 圧電振動デバイスの製造方法において、
励振電極が形成された圧電振動板と、前記励振電極を気密封止する上蓋部材および下蓋部材と、が設けられ、前記圧電振動板の両主面に、前記上蓋部材および前記下蓋部材との各接合領域を有し、前記上蓋部材の一主面に、前記圧電振動板との接合領域を有し、前記下蓋部材の一主面に、前記圧電振動板との接合領域を有し、前記圧電振動板の接合領域と前記上蓋部材の接合領域とが接合材を介して接合され、前記圧電振動板の接合領域と前記下蓋部材の接合領域とが接合材を介して接合された前記圧電振動デバイスの製造方法であり、
前記圧電振動板の接合領域の素地と、前記上蓋部材の接合領域の素地と、前記下蓋部材の接合領域の素地との少なくとも1つに、少なくとも2種類の金属からなる金属膜を積層する金属膜形成工程と、
前記金属膜形成工程の後、加熱処理によって前記金属膜の内部の金属拡散を促す拡散工程と、
前記拡散工程後の前記金属膜にエッチング液を浸透させてウエットエッチングを行うことにより、前記素地表面に多数の微小孔を形成して前記素地を粗面化させるエッチング工程とを有することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。 - 圧電振動デバイスの製造方法において、
励振電極が形成された圧電振動板と、前記励振電極を気密封止する上蓋部材および下蓋部材と、が設けられ、前記圧電振動板の一主面に、前記下蓋部材との接合領域を有し、前記上蓋部材の一主面に、前記下蓋部材と接合する接合領域を有し、前記下蓋部材の一主面に、前記上蓋部材と接合する接合領域と、前記圧電振動板と接合する接合領域とを有し、前記上蓋部材の接合領域と、前記下蓋部材の前記上蓋部材との接合領域とが接合材を介して接合され、前記圧電振動板の接合領域と、前記下蓋部材の前記圧電振動板との接合領域とが接合材を介して接合された前記圧電振動デバイスの製造方法であり、
前記圧電振動板の接合領域の素地と、前記上蓋部材の接合領域の素地と、前記下蓋部材の接合領域の素地との少なくとも1つに、少なくとも2種類の金属からなる金属膜を積層する金属膜形成工程と、
前記金属膜形成工程の後、加熱処理によって前記金属膜の内部の金属拡散を促す拡散工程と、
前記拡散工程後の前記金属膜にエッチング液を浸透させてウエットエッチングを行うことにより、前記素地表面に多数の微小孔を形成して前記素地を粗面化させるエッチング工程とを有することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。 - 請求項1または2に記載の圧電振動デバイスの製造方法において、
前記上蓋部材と前記下蓋部材とは、水晶またはガラスからなり、
前記圧電振動板は、水晶からなり、
前記金属膜形成工程において、前記上蓋部材と前記下蓋部材と前記圧電振動板との少なくとも1つの前記素地上にCr層を形成し、前記Cr層上にAu層を積層して前記金属膜を形成して、前記Cr層と前記Au層とからなる2層構成を形成し、
前記拡散工程において、前記Cr層のCrを前記Au層のAuへ拡散させ、前記Crおよび前記水晶に対して腐食性を有するエッチング液を用いてウエットエッチングを行うことにより、前記素地の表面に多数の微小孔を形成して前記素地を粗面化させることを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。 - 圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法において、
少なくとも1つの主面に外部部材との各接合領域を有した前記構成部材のエッチング方法であり、
前記構成部材の接合領域の素地に、少なくとも2種類の金属からなる金属膜を積層する金属膜形成工程と、
前記金属膜形成工程の後、加熱処理によって前記金属膜の内部の金属拡散を促す拡散工程と、
前記拡散工程後の前記金属膜にエッチング液を浸透させてウエットエッチングを行うことにより、前記素地表面に多数の微小孔を形成して前記素地を粗面化させるエッチング工程と、を有することを特徴とするエッチング方法。 - 請求項4に記載のエッチング方法において、
前記2種類の金属は、Cu,Auであることを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010544113A JP5370371B2 (ja) | 2008-12-24 | 2009-12-24 | 圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008326851 | 2008-12-24 | ||
| JP2008326851 | 2008-12-24 | ||
| PCT/JP2009/071401 WO2010074127A1 (ja) | 2008-12-24 | 2009-12-24 | 圧電振動デバイス、圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法 |
| JP2010544113A JP5370371B2 (ja) | 2008-12-24 | 2009-12-24 | 圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2010074127A1 JPWO2010074127A1 (ja) | 2012-06-21 |
| JP5370371B2 true JP5370371B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=42287734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010544113A Expired - Fee Related JP5370371B2 (ja) | 2008-12-24 | 2009-12-24 | 圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20110215678A1 (ja) |
| EP (1) | EP2381575A4 (ja) |
| JP (1) | JP5370371B2 (ja) |
| CN (1) | CN102265514B (ja) |
| WO (1) | WO2010074127A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010079803A1 (ja) * | 2009-01-07 | 2012-06-28 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイスの製造方法 |
| JP5853702B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2016-02-09 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
| JP2012085253A (ja) * | 2010-03-25 | 2012-04-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装型の水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 |
| JP5148659B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2013-02-20 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
| JP2012074837A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
| JP2013051512A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| JP2015002414A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | セイコーインスツル株式会社 | 電子デバイス |
| JP2015018872A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 日機装株式会社 | 窓部材、半導体モジュールおよび窓部材の製造方法 |
| JP2015035453A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-19 | アズビル株式会社 | ウエハ |
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| CN107078714B (zh) * | 2014-10-17 | 2021-04-20 | 株式会社村田制作所 | 压电器件、压电器件的制造方法 |
| JP6164538B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2017-07-19 | 日立金属株式会社 | 気密封止用リッドおよびその製造方法、それを用いた電子部品収納パッケージ |
| US9374059B1 (en) * | 2015-01-06 | 2016-06-21 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. | Film bulk acoustic resonator filter |
| WO2016111044A1 (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-14 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動部品及びその製造方法 |
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| WO2016136009A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動デバイス |
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| TW201947114A (zh) * | 2018-05-03 | 2019-12-16 | 復盛精密工業股份有限公司 | 具有下沉式之蓄氣板結構 |
| WO2020241790A1 (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 株式会社大真空 | 圧電振動板および圧電振動デバイス |
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- 2009-12-24 WO PCT/JP2009/071401 patent/WO2010074127A1/ja not_active Ceased
- 2009-12-24 CN CN200980152643.5A patent/CN102265514B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-24 JP JP2010544113A patent/JP5370371B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-24 EP EP09834925.1A patent/EP2381575A4/en not_active Withdrawn
- 2009-12-24 US US13/129,182 patent/US20110215678A1/en not_active Abandoned
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|---|---|
| CN102265514A (zh) | 2011-11-30 |
| WO2010074127A1 (ja) | 2010-07-01 |
| US20140047687A1 (en) | 2014-02-20 |
| WO2010074127A9 (ja) | 2010-09-16 |
| US9406868B2 (en) | 2016-08-02 |
| JPWO2010074127A1 (ja) | 2012-06-21 |
| EP2381575A1 (en) | 2011-10-26 |
| EP2381575A4 (en) | 2018-03-28 |
| US20110215678A1 (en) | 2011-09-08 |
| CN102265514B (zh) | 2014-03-12 |
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Legal Events
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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