JP5352359B2 - Semiconductor device module cooling device - Google Patents
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Description
本発明は、冷却水通路を有する水冷型のヒートシンクに、前記冷却水通路での流通方向に並ぶ複数のチップを有する半導体素子モジュールが装着される半導体素子モジュールの冷却装置に関する。 The present invention relates to a cooling device for a semiconductor element module in which a semiconductor element module having a plurality of chips arranged in a flow direction in the cooling water passage is mounted on a water-cooled heat sink having a cooling water passage.
半導体素子モジュールが装着されたヒートシンクの冷却性能を高めるために、該ヒートシンクの冷却水通路内に冷却フィンが配設され、その冷却フィンが冷却水通路の流通方向に沿って延びるとともに、冷却水通路の全長にわたって一体に連なって形成されるようにしたものが、特許文献1で既に知られている。 In order to enhance the cooling performance of the heat sink on which the semiconductor element module is mounted, cooling fins are disposed in the cooling water passage of the heat sink, the cooling fins extend along the flow direction of the cooling water passage, and the cooling water passage Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228707 has already been known which is integrally formed over the entire length.
ところで冷却水通路を冷却水が流通する際に、その入口付近では流速分布の変化に伴う温度の助走区間があり、その助走区間では下流側に向かって熱伝達率が減少し、温度の助走区間を経過した後に流速分布が一定となる発達した領域での一定の熱伝達率に漸近することが知られている。このため上記特許文献1で開示されるように、冷却水通路の流通方向に沿って延びる冷却フィンが冷却水通路の全長にわたって一体に連なって形成されるようにしたものでは、冷却水通路の入口だけが温度の助走区間となり、冷却水通路全体で高い熱伝達効率を得ることが難しい。
By the way, when cooling water flows through the cooling water passage, there is a temperature run-up section in the vicinity of the entrance due to the change in flow velocity distribution, and in the run-up section, the heat transfer coefficient decreases toward the downstream side, and the temperature run-up section It is known that the heat flow rate gradually approaches a constant heat transfer coefficient in a developed region where the flow velocity distribution becomes constant after elapse of time. For this reason, as disclosed in
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、冷却フィンを有するヒートシンクでの冷却効率が向上するようにした半導体素子モジュールの冷却装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a cooling device for a semiconductor element module in which the cooling efficiency of a heat sink having cooling fins is improved.
上記目的を達成するために、本発明は、冷却水通路を有する水冷型のヒートシンクに、前記冷却水通路での流通方向に並ぶ複数のチップを有する半導体素子モジュールが装着される、半導体素子モジュールの冷却装置であって、前記冷却水通路内に、前記流通方向に沿って各チップ毎に分離して前記流通方向と直交する方向にオフセットした複数の冷却フィンが、前記流通方向に延びるようにして配設され、前記半導体素子モジュールが、前記冷却水通路の流通方向に沿って離隔した位置に配置される一対の半導体素子を備えたものにおいて、複数の前記半導体素子モジュールは、それら半導体素子モジュールのうち発熱量が高い半導体素子モジュールが前記ヒートシンクの下面側に配置されるようにして、前記ヒートシンクの上下両面に分かれて装着されることを第1の特徴とする。 To achieve the above object, the present invention is the water-cooled heat sink having a cooling water passage, a semiconductor element module having a plurality of chips arranged in flow direction in the cooling water passage is mounted, the semiconductor element module A cooling device , wherein a plurality of cooling fins separated into each chip along the flow direction and offset in a direction orthogonal to the flow direction extend in the flow direction in the cooling water passage. The semiconductor element module is provided with a pair of semiconductor elements arranged at positions separated from each other along the flow direction of the cooling water passage. Of these, the semiconductor element module having a high heat generation amount is arranged on the lower surface side of the heat sink so that it is distributed on both the upper and lower surfaces of the heat sink. It is in shall be the first feature to be mounted.
また本発明は、第1の特徴の構成に加えて、前記半導体素子モジュールが、複数の半導体素子を合成樹脂から成る被覆層内に封入した状態で前記ヒートシンクに装着されることを第2の特徴とする。 The present invention, in addition to the first feature, the semiconductor device module, the second, characterized in that in a state sealed in the coating layer composed of a plurality of semiconductor elements from a synthetic resin is attached to the heat sink And
さらに本発明は、第1または第2の特徴の構成に加えて、個々の前記冷却フィンは、前記流通方向に直交する断面で見て、U字状またはV字状の谷部と山部とが交互に並ぶ連続した波形に一体成形されることを第3の特徴とする。 Furthermore, in the present invention, in addition to the configuration of the first or second feature, each of the cooling fins has a U-shaped or V-shaped valley portion and a mountain portion when viewed in a cross section orthogonal to the flow direction. A third feature is that the two are integrally formed in a continuous waveform .
なお実施の形態の第1〜第8スイッチング素子モジュール27A,27B,27C,27D,27E,27F,27G,27Hが本発明の半導体素子モジュールに対応し、実施の形態の第1〜第8プラス側スイッチング素子31A,31B,31C,31D,31E,31F,31G,31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A,32B,32C,32D,32E,32F,32G,32Hが本発明の半導体素子に対応し、実施の形態の第1のヒートシンク40が本発明のヒートシンクに対応し、実施の形態の第1の冷却水通路43が本発明の冷却水通路に対応する。
The first to eighth
本発明の第1の特徴によれば、ヒートシンクが有する冷却水通路内に、その流通方向に沿って各チップ毎に分離して流通方向と直交する方向にオフセットした複数の冷却フィンが配設されるので、流通方向に並ぶ各チップに対応する部分毎に温度の助走区間が生じるようにして、冷却水通路全体での冷却効率を高めることができる。また、半導体素子モジュールを構成する一対の半導体素子を冷却水通路の流通方向に沿って離隔した位置に配置することで、各半導体素子毎に温度の助走区間が生じるようにして、より冷却効率を高めることができる。 According to the first feature of the present invention, a plurality of cooling fins that are separated for each chip along the flow direction and offset in a direction perpendicular to the flow direction are disposed in the cooling water passage of the heat sink. Therefore, the cooling efficiency in the whole cooling water passage can be improved by generating a temperature run-up section for each portion corresponding to each chip arranged in the flow direction . Further, by arranging the pair of semiconductor elements constituting the semiconductor element module at positions separated along the flow direction of the cooling water passage, a temperature run-up section is generated for each semiconductor element, thereby further improving the cooling efficiency. Can be increased .
更にヒートシンクの上下両面に分かれて複数の半導体素子モジュールが装着されるので、冷却装置全体をコンパクトに構成しつつ冷却性能を高めることができる。しかもその複数の半導体素子モジュールのうち、発熱量が高い半導体素子モジュールが、より冷却し易いヒートシンク下面側の方に配置される。 Furthermore, since a plurality of semiconductor element modules are mounted on the upper and lower surfaces of the heat sink, the cooling performance can be enhanced while the entire cooling device is compactly configured. In addition, among the plurality of semiconductor element modules, the semiconductor element module having a high calorific value is arranged on the lower surface side of the heat sink that is easier to cool.
本発明の第2の特徴によれば、半導体素子モジュールが、半導体素子を合成樹脂製の被覆層内に封入した状態でヒートシンクに装着されるので、被覆層からの放熱ならびにヒートシンクからの冷却によって、半導体素子モジュールをより効果的に冷却することができる。 According to the second feature of the present invention, the semiconductor element module is mounted on the heat sink in a state in which the semiconductor element is enclosed in the synthetic resin coating layer, so that the heat radiation from the coating layer and the cooling from the heat sink The semiconductor element module can be cooled more effectively.
さらに本発明の第3の特徴によれば、個々の前記冷却フィンは、前記流通方向に直交する断面で見て、U字状またはV字状の谷部と山部とが交互に並ぶ連続した波形に一体成形されており、下流側の冷却フィンの位置を上流側の冷却フィン間の中心位置に確実に配置することができるようになるので、下流側の冷却フィンの位置ずれによる冷却効果低減の不安がなくなり、設計どおりの冷却効果が得られるようになる。 Further, according to the third feature of the present invention, each of the cooling fins is continuously arranged with U-shaped or V-shaped valleys and peaks alternately arranged as viewed in a cross section perpendicular to the flow direction. It is integrally formed in a corrugated shape, so that the position of the downstream cooling fin can be reliably placed at the center position between the upstream cooling fins, reducing the cooling effect due to the displacement of the downstream cooling fin. The anxiety is eliminated and the designed cooling effect can be obtained.
以下、本発明の実施の形態を、添付の図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
本発明の実施例1について図1〜図22を参照しながら説明すると、先ず図1において、この電力変換装置は、第1の直流電源である燃料電池15で得られる直流電力と、第2の直流電源である蓄電池16で得られる直流電力とを、駆動輪を駆動する動力を発揮する電動モータ17に供給される三相交流電力に変換するようにして車両に搭載されるものであり、燃料電池15で得られる直流電圧を昇降圧する第1コンバータ18と、蓄電池16で得られる直流電圧を昇降圧する第2コンバータ19と、第1および第2コンバータ18,19からの直流電圧を交流電圧に変換して電動モータ17を駆動するインバータ20と、前記両コンバータ18,19および前記インバータ20間に設けられる直流リンクコンデンサユニット21とを備える。
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 22. First, in FIG. 1, the power conversion device includes a direct current power obtained by a
第1コンバータ18は、第1入力コンデンサ22と、第1インダクタ24と、一次巻線26A、二次巻線26Bおよび三次巻線26Cを有する三相トランス26と、第1、第2および第3スイッチング素子モジュール27A,27B,27Cとを備える。
The
燃料電池15のマイナス側端子には、第1コンバータ18、第2コンバータ19およびインバータ20に共通であるグランドライン28が接続されており、第1入力コンデンサ22は、燃料電池15のプラス側端子に接続される第1入力側プラスライン29および前記グランドライン28間に設けられ、第1インダクタ24の一端は第1入力側プラスライン29に接続される。また三相トランス26における一次巻線26A、二次巻線26Bおよび三次巻線26Cの一端は第1インダクタ24の他端に並列接続される。
A
第1スイッチング素子モジュール27Aは、第1コンバータ18、第2コンバータ19およびインバータ20に共通である共通プラスライン30および三相トランス26の一次巻線26A間に配設される第1プラス側スイッチング素子31Aと、前記一次巻線26Aおよび前記グランドライン28間に配設される第1マイナス側スイッチング素子32Aとを備え、第2スイッチング素子モジュール27Bは、前記共通プラスライン30および三相トランス26の二次巻線26B間に配設される第2プラス側スイッチング素子31Bと、前記二次巻線26Bおよび前記グランドライン28間に配設される第2マイナス側スイッチング素子32Bとを備え、第3スイッチング素子モジュール27Cは、前記共通プラスライン30および三相トランス26の三次巻線26C間に配設される第3プラス側スイッチング素子31Cと、前記三次巻線26Cおよび前記グランドライン28間に配設される第3マイナス側スイッチング素子32Cとを備える。
The first
第2コンバータ19は、第2入力コンデンサ23と、第2インダクタ25と、一次巻線33Aおよび二次巻線33Bを有する二相トランス33と、第4および第5スイッチング素子モジュール27D,27Eとを備える。
The
第2入力コンデンサ23は、蓄電池16のプラス側端子に接続される第2入力側プラスライン34と、蓄電池16のマイナス側端子に接続されるグランドライン28との間に設けられ、第2インダクタ25の一端は第2入力側プラスライン34に接続される。また二相トランス33における一次巻線33Aおよび二次巻線33Bの一端は第2インダクタ25の他端に並列接続される。
The
第4スイッチング素子モジュール27Dは、前記共通プラスライン30および二相トランス33の一次巻線33A間に配設される第4プラス側スイッチング素子31Dと、前記一次巻線33Aおよび前記グランドライン28間に配設される第4マイナス側スイッチング素子32Dとを備え、第5スイッチング素子モジュール27Eは、前記共通プラスライン30および二相トランス33の二次巻線33B間に配設される第5プラス側スイッチング素子31Eと、前記二次巻線33Bおよび前記グランドライン28間に配設される第5マイナス側スイッチング素子32Eとを備える。
The fourth
インバータ20は、第6、第7および第8スイッチング素子モジュール27F,27G,27Hを備える。
The
第6スイッチング素子モジュール27Fは、前記共通プラスライン30ならびに三相の交流モータである電動モータ17に連なるU相の電源ライン35U間に配設される第6プラス側スイッチング素子31Fと、U相の電源ライン35Uおよび前記グランドライン28間に配設される第6マイナス側スイッチング素子32Fとを備え、第7スイッチング素子モジュール27Gは、前記共通プラスライン30ならびに電動モータ17に連なるV相の電源ライン35V間に配設される第7プラス側スイッチング素子31Gと、V相の電源ライン35Vおよび前記グランドライン28間に配設される第7マイナス側スイッチング素子32Gとを備え、第8スイッチング素子モジュール27Hは、前記共通プラスライン30ならびに電動モータ17に連なるW相の電源ライン35W間に配設される第8プラス側スイッチング素子31Hと、W相の電源ライン35Wおよび前記グランドライン28間に配設される第8マイナス側スイッチング素子32Hとを備える。
The sixth
ところで第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hにおける第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hは、この実施の形態では、IGBT(Insulatead Gate Bipolar Transistor)と、エミッタからコレクタに向かう側を順方向として各IGBTに並列接続されるダイオードとから成るものである。
By the way, in this embodiment, the first to eighth plus
直流リンクコンデンサユニット21は、共通プラスライン30およびグランドライン28間に設けられる平滑コンデンサ36…を有する。なお図1では簡略化のために1個の平滑コンデンサ36しか図示されていないが、直流リンクコンデンサユニット21は、三相の交流モータである電動モータ17のU相、V相およびW相の各相にそれぞれ対応して共通プラスライン30およびグランドライン28間に設けられる平滑コンデンサ36…を有するものである。
The DC
また共通プラスライン30およびグランドライン28間には、一対の放電抵抗37,37から成る直列回路が接続される。
A series circuit including a pair of
図2〜図4を併せて参照して、第1コンバータ18が備える第1、第2および第3スイッチング素子モジュール27A,27B,27Cと、第2コンバータ19が備える第4および第5スイッチング素子モジュール27D,27Eと、インバータ20が備える第6、第7および第8スイッチング素子モジュール27F,27G,27Hとは、水冷型の第1のヒートシンク40の上下両面に配設される。
2 to 4, the first, second and third
さらに図5〜図7を併せて参照して、第1のヒートシンク40は、一方向に長く形成されるヒートシンク本体41と、該ヒートシンク本体41との間に第1の冷却水通路43を形成するようにしてヒートシンク本体41に上方から結合される蓋体42とから成る。而して第1の冷却水通路43は、第1のヒートシンク40の一端から他端側に向かって該ヒートシンク40の長手方向に延びる往路部43aと、第1のヒートシンク40の他端から一端側に向かって前記往路部43aと平行に延びる復路部43bとが、第1のヒートシンク40の他端側で相互に連通するように形成されるものであり、第1のヒートシンク40の一端には、第1の冷却水通路43における往路部43aに通じる冷却水入口管44と、第1の冷却水通路43における復路部43bに通じる冷却水出口管45とが設けられ、冷却水入口管44から第1の冷却水通路43内に導入された冷却水は、図7の矢印46で示す流通方向に沿って往路部43a内を第1のヒートシンク40の他端側に流れ、さらに第1のヒートシンク40の他端側で復路部43b側に反転して第1のヒートシンク40の一端側の冷却水出口管45から導出されることになる。
5 to 7 together, the
ところで、第1コンバータ18が3個の第1、第2および第3スイッチング素子モジュール27A,27B,27Cを備え、第2コンバータ19が2個の第4および第5スイッチング素子モジュール27D,27Eを備え、インバータ20が3個の第6、第7および第8スイッチング素子モジュール27F,27G,27Hを備えるので、第1のヒートシンク40の両表面に配設されるのは偶数個、この実施の形態では8個のスイッチング素子モジュール27A〜27Hであり、それらのスイッチング素子モジュール27A〜27Hは、第1のヒートシンク40の上下両面に略対称配置で装着される。
By the way, the
しかも第1〜第3スイッチング素子モジュール27A〜27Cの発熱量がたとえば700Wであるときに、第4および第5スイッチング素子モジュール27D,27Eの発熱量はたとえば500W、第6〜第8スイッチング素子モジュール27F〜27Hの発熱量はたとえば1100Wであるので、より冷却し易い第1のヒートシンク40の下面側の方に発熱量が高いスイッチング素子モジュールが配置されるようにしつつ、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hが第1のヒートシンク40の上下両面に略対称配置で装着されるものであり、この実施の形態では、第1のヒートシンク40の上面に第2および第3スイッチング素子モジュール27B,27Cと、第4および第5スイッチング素子モジュール27D,27Eとが配設され、第1のヒートシンク40の下面に第1スイッチング素子モジュール27Aと、第6、第7および第8スイッチング素子モジュール27F,27G,27Hとが配設される。
Moreover, when the heat generation amount of the first to third
図5に注目して、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hは、第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hを第1のヒートシンク40の幅方向一側、この実施の形態では第1の冷却水通路43の往路部43a側に配置するとともに、第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hを第1のヒートシンク40の幅方向他側、この実施の形態では第1の冷却水通路43の復路部43b側に配置するようにして、第1のヒーシンク40の上下両面に配設される。
Focusing on FIG. 5, the first to eighth switching element modules 27 </ b> A to 27 </ b> H replace the first to eighth plus-side switching elements 31 </ b> A to 31 </ b> H on one side in the width direction of the
第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hをそれぞれ構成する複数のチップ、この実施の形態では6個のチップ47,48,49,50,51,52は、図3および図4で示すように、第1の冷却水通路43における冷却水の流通方向46に沿う方向に2個ずつ並ぶように配置されるものであり、図5で示すように、銅電極53上にハンダ層54を介して配設され、絶縁基板55を前記銅電極53との間に挟む銅電極56がハンダ層57を介して銅ベースプレート58上に固着される。
A plurality of chips constituting the first to eighth plus
前記銅ベースプレート58上には、第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hを第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27H毎に配置する開口部59…をそれぞれ有して矩形の枠状に形成される合成樹脂製のケース60,60…が配置されるものであり、銅ベースプレート58…およびケース60…が第1のヒートシンク40に固定される。
On the
第1のヒートシンク40には、図6で明示するように、ねじ軸部63a,63aを両端部にそれぞれ有する複数のスタッドボルト63…が、前記各ケース60…の4つの隅角部にそれぞれ対応した位置で前記ねじ軸部63a…を第1のヒートシンク40の上下両面から突出させるようにして植設される。而して第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのケース60…および銅ベースプレート58…が、前記各スタッドボルト63…のうち選択されたスタッドボルト63…の前記ねじ軸部63a…に螺合するナット64…を締め付けて締結することで、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hが第1のヒートシンク40の上下両面に装着される。
In the
しかも前記ケース60…内には、前記各チップ47〜52、銅電極53、ハンダ層54、絶縁基板55、銅電極56およびハンダ層57を埋没させるようにして、合成樹脂から成る被覆層65…が形成されるものであり、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hの第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hは、前記被覆層65…内に封入されることになる。またケース60…には、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hにおける第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hの導通・遮断をそれぞれ切換制御する制御回路66…が、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hを覆うようにして取付けられる。
In addition, in the
第1のヒートシンク40と、第1のヒートシンク40の上下両面に装着される第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hとは、その制御回路66…を含んでスイッチング素子組立ユニット67を構成する。
The
ところで第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hは、三相トランス26、二相トランス33および電動モータ17に接続されるべき端子を第1のヒートシンク40の幅方向一側に配置するようにして第1のヒートシンク40に装着されるものであり、第1〜第3スイッチング素子モジュール27A〜27Cの三相トランス26に接続されるべき端子に連なる端子部材68A,68B,68Cと、第4および第5スイッチング素子モジュール27D,27Eの二相トランス33に接続されるべき端子に連なる端子部材68D,68Eと、第6〜第8スイッチング素子モジュール27F〜27Hの電動モータ17に接続されるべき端子に連なる端子部材68F,68G,68Hとが、第1のヒートシンク40の幅方向一側に配置されるようにして、前記ケース60…に取付けられる。
By the way, in the first to eighth
また前記各スイッチング素子モジュール27A〜27Hにおいて、共通プラスライン30に接続されるべきプラス側接続端子69,69…と、グランドライン28に接続されるべきマイナス側接続端子70,70…とは、第1のヒートシンク40の幅方向他側で各スイッチング素子モジュール27A〜27H毎に並列配置されるようにして、前記ケース60…に取付けられる。
In each of the
第1のヒートシンク40が有する第1の冷却水通路43内には、流通方向46に直交する断面をU字またはV字状の谷部と山部とが交互に並ぶ連続した波形として、アルミニウム合金等の軽金属で一体成形された複数の冷却フィン71A,71A…が、第1の冷却水通路43内を幅方向に複数に分割しつつ流通方向46に延びるようにして配設される。
In the first
一方、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hにおける第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hをそれぞれ構成する複数のチップ47〜52は、第1の冷却水通路43における冷却水の流通方向46に沿う方向に2個ずつ並ぶように、すなわちチップ47,48と、チップ49,50と、チップ51,52とが前記流通方向46に並ぶように配置される。
On the other hand, the plurality of
しかもチップ47,49,51が前記流通方向46に沿う上流側で該流通方向46に沿う位置を同一として配置され、チップ48,50,52が前記流通方向46に沿う下流側で該流通方向46に沿う位置を同一として配置されており、第1のヒートシンク40の上面側の第2〜第5スイッチング素子モジュール27B〜27Eにおける第2〜第5プラス側スイッチング素子31B〜31Eおよび第2〜第5マイナス側スイッチング素子32B〜32Eと、第1のヒートシンク40の下面側の第1、第6〜第8スイッチング素子モジュール27A,27F〜27Hにおける第1、第6〜第8プラス側スイッチング素子31A,31F〜31Hおよび第1、第6〜第8マイナス側スイッチング素子32A,32F〜32Hとでは、図3および図4で示すように、前記各チップ47〜52の前記流通方向46に沿う位置が同一に設定されている。
Moreover, the
それに対して前記冷却フィン71A,71A…は、図7および図8(a)で示すように、上流側のチップ47,49,51と、下流側のチップ48,50,52との間の前記流通方向46に沿う間隔に対応して流通方向46に沿う長さが定められるようにしつつ、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,49,51;48,50,52毎に分離するとともに、図7で明示するように、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,49,51;48,50,52毎に前記流通方向46と直交する方向にオフセットして配置される。
On the other hand, the cooling
ところで前記各冷却フィン71A,71A…に沿って冷却水が流通する際に、各冷却フィン71A,71A…の入口付近には流速分布の変化に伴う温度の助走区間があり、その区間では下流側に向かって熱伝達率が減少し、温度の助走区間を経過した後に流速分布が一定となる発達した領域での一定の熱伝達率に漸近することが知られており、助走区間では比較的高い熱伝達率が得られるものの、発達した領域では冷却フィン71A,71A…の表面との間の境界層が厚くなって熱伝達効率が低下してしまう。このため第1の冷却水通路43内に流通方向46に沿って長く連なるフィンを配設した場合には、第1の冷却水通路43全体で高い冷却効率を得ることが難しい。しかるに上述のように、冷却フィン71A…,71A…が、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,49,51;48,50,52毎に分離しつつ、各チップ47,49,51;48,50,52毎に流通方向46と直交する方向にオフセットして配置されるので、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,49,51;48,50,52毎に分離した冷却フィン71A,71A…の入口毎に、図8(b)で示すような温度助走区間を形成することができ、それによって第1の冷却水通路43全体で高い冷却効率を得ることが可能となる。
By the way, when cooling water flows along the
図9〜図12を併せて参照して、前記スイッチング素子組立ユニット67の一側方には、第1のヒートシンク40の幅方向一側に配置されるようにしてケース60…に取付けられる端子部材68A〜68Hを貫通せしめるようにして、電流センサ等を配設するための基板72が配置されており、該基板72は第1のヒートシンク40に固定される。また前記スイッチング素子組立ユニット67の上方には、第2のヒートシンク73が配置され、第1コンバータ18における第1インダクタ24および三相トランス26と、第2コンバータ19における第2インダクタ25および二相トランス33と、第1コンバータ18の第1入力コンデンサ22および第2コンバータ19の第2入力コンデンサ23が一体化されて成るコンデンサユニット38とが、第2のヒートシンク73を前記スイッチング素子組立ユニット67との間に介在させるようにして、第2のヒートシンク73の上方に配置される。
9 to 12 together, a terminal member attached to the
第2のヒートシンク73は、第1のヒートシンク40の長手方向と同方向に長く形成されるヒートシンク本体74と、該ヒートシンク本体74との間に第2の冷却水通路76を形成するようにしてヒートシンク本体74に下方から結合される蓋体75とから成り、第1のヒートシンク40よりも薄く形成される。
The
図13において、第2の冷却水通路76は、第2のヒートシンク73の一端から他端側に向かって該ヒートシンク73の長手方向に延びる往路部76aと、第2のヒートシンク73の他端から一端側に向かって前記往路部76aと平行に延びる復路部76bが、第2のヒートシンク73の他端側で相互に連通するようにして前記ヒートシンク本体74および蓋体75間に形成されるものであり、第2のヒートシンク73の一端には、前記往路部76aに通じる冷却水入口管78と、前記復路部76bに通じる冷却水出口管79とが設けられ、冷却水入口管78から第2の冷却水通路76内に導入された冷却水は、矢印77で示す流通方向に沿って第2の冷却水通路76の往路部76a内を第2のヒートシンク73の他端側に流れ、さらに第2のヒートシンク73の他端側で復路部76bb側に反転して第2のヒートシンク73の一端側の冷却水出口管79から導出されることになる。また第2のヒートシンク73におけるヒートシンク本体74には、第2の冷却水通路76の往路部76aに配置される整流壁部74aが前記流通方向77に沿って延びるようにして一体に設けられる。
In FIG. 13, the second
図14において、第1のヒートシンク40における第1の冷却水通路43と、第2のヒートシンク73における第2の冷却水通路76とには、冷却水供給源である冷却水ポンプ80の吐出口が並列に接続されており、第1および第2の冷却水通路43,76から導出された冷却水は電動モータ17を冷却した後、ラジエータ81で冷却されて冷却水ポンプ80の吸入口に戻る。
In FIG. 14, the first
第1コンバータ18の三相トランス26は、第1および第2のヒートシンク40,73の幅方向一側すなわち基板72が配置される側であって第1および第2のヒートシンク40,73の一端側すなわち冷却水入口管44,78および冷却水出口管45,79が設けられる側に配置されるようにして第2のヒートシンク73上に固定されており、この三相トランス26を覆う第1カバー84が第2のヒートシンク73に固定される。
The three-
また第2コンバータ19の二相トランス33は、第1および第2のヒートシンク40,73の幅方向一側で前記三相トランス26と並ぶ位置に配置され、第2コンバータ19の第2インダクタ25は、前記二相トランス33を前記三相トランス26との間に挟むようにして第1および第2のヒートシンク40,73の幅方向一側に配置され、第2のヒートシンク73上に固定される前記二相トランス33および第2インダクタ25は、第2のヒートシンク73に固定される第2カバー85で共通に覆われる。しかも第1カバー84には前記基板72の上方に位置する第1端子台86が固定され、第2カバー85には前記基板72の上方に位置する第2端子台87が固定される。
The two-
第1端子台86には、三相トランス26の各巻線26A,26B,26Cを第1インダクタ24に接続するための共通端子88と、各巻線26A,26B,26Cを第1〜第3スイッチング素子モジュール27A〜27Cに個別に接続するための個別端子89,90,91とが設けられており、各個別端子89〜91には、第1〜第3スイッチング素子モジュール27A〜27Cの三相トランス26に接続されるべき端子に連なって前記基板72を貫通する端子部材68A,68B,68Cが、基板72の外方に位置するバスバー92,93,94を介して接続される。
The first
第2端子台87には、二相トランス26の各巻線33A,33Bを第2インダクタ25に接続するための共通端子95と、各巻線33A,33Bを第4および第5スイッチング素子モジュール27D,27Eに接続するための個別端子96,97とが、共通端子95の下方に個別端子96が配置されるとともに共通端子95の上方に個別端子97が配置されるようにして設けられるとともに、第2インダクタ25の両端に連なる端子98,99とが設けられる。前記個別端子96,97には、第4および第5スイッチング素子モジュール27D,27Eの二相トランス33に接続されるべき端子に連なって前記基板72を貫通する端子部材68D,68Eが、基板72の外方に位置するバスバー100,101を介して接続される。また共通端子95および前記端子98はバスバー102を介して接続される。
The second
第1コンバータ18の第1インダクタ24は、第1および第2のヒートシンク40,73の幅方向他側すなわち基板72が配置される側と反対側であって第1および第2のヒートシンク40,73の一端側すなわち冷却水入口管44,78および冷却水出口管45,79が設けられる側に、三相トランス26と並ぶようにして配置されて第2のヒートシンク73上に固定されており、この第1インダクタ24を覆う第3カバー105が第2のヒートシンク73に固定される。しかも第3カバー105には、第1および第2のヒートシンク40,73の一端側に配置されるようにして第3端子台106が固定される。
The
また第3端子台106には、第1インダクタ24の両端に連なる端子107,108が設けられており、一方の端子107には、スイッチング素子組立ユニット67および第2のヒートシンク73間を、第2のヒートシンク73の長手方向他端側に延びるバスバー109が接続され、他方の端子108には、第1端子台86に設けられた前記共通端子88がバスバー110を介して接続される。
The third
コンデンサユニット38は、第1および第2のヒートシンク40,73の幅方向他側すなわち基板72が配置される側と反対側に、第1インダクタ24と並ぶように配置されて第2のヒートシンク73に固定されるものであり、このコンデンサユニット38は、第2のヒートシンク73に固定される第4カバー111で覆われる。
The
図15および図16において、コンデンサユニット38の一部を構成する第1入力コンデンサ22は、並列配置される複数個の第1コンデンサ素子112,112…が接続されて成り、コンデンサユニット38の残部を構成する第2入力コンデンサ23は、第1コンデンサ素子112,112…の配列方向に平行に並ぶ複数個の第2コンデンサ素子113,113…が接続されて成るものである。同一個数に設定される第1および第2コンデンサ素子112,112…;113,113…は、そのマイナス側を相互に対向させるようにして配列されており、第1および第2コンデンサ素子112,112…;113,113…のマイナス側にハンダで接続される複数のマイナス側接続片114a,114a…を有する共通バスバー114が第1および第2コンデンサ素子112,112…;113,113…を上方から覆うように配置され、第1コンデンサ素子112,112…のプラス側にハンダで接合される複数のプラス側接続片115a,115a…を有する第1個別バスバー115と、第2コンデンサ素子113,113…のプラス側にハンダで接続される複数のプラス側接続片116a,116a…を有する第2個別バスバー116とが、前記共通バスバー114との間に絶縁紙117を挟むようにして共通バスバー114上に配置される。而して共通バスバー114と第1および第2バスバー115,116とで第1および第2コンデンサ素子112,112…,113,113…が接続されて成るコンデンサユニット38は、合成樹脂から成る被覆層118に埋封されるようにしてケース119内に収容され、そのケース119が第4カバー111で覆われる。
15 and 16, the
しかも前記共通バスバー114には、第1および第2入力コンデンサ22,23に共通のアース端子120が前記被覆層118から突出するようにして一体に突設され、第1および第2個別バスバー115,116には、第1および第2入力コンデンサ22,23に個別に対応したプラス端子121,122が前記アース端子120を両側から挟むようにして一体に突設され、両プラス端子121,122も前記被覆層118から突出する。
In addition, the
前記コンデンサユニット38を第1インダクタ24との間に挟む位置で第2のヒートシンク73の他端部上には第4端子台123が固定されており、この第4端子台123には、燃料電池15を接続するための燃料電池用プラス側およびマイナス側端子124,125と、蓄電池16を接続するための蓄電池用プラス側およびマイナス側端子126,127が設けられる。
A fourth
而して前記コンデンサユニット38のプラス端子121と、第1インダクタ24に連なって第3端子台106に設けられた端子107に接続されたバスバー109とが、燃料電池用プラス側端子124に連なるように第4端子台123に接続され、前記コンデンサユニット38のプラス端子122と、第2インダクタ25に連なるようにして第2端子台87に設けられた端子99に連なるバスバー128とが、蓄電池用プラス側端子126に連なるように第4端子台123に接続される。
Thus, the
また第1のヒートシンク40の他端には、電動モータ17に連なるU相、V相およびW相の電源ライン35U,36V,35Wを接続するための第5端子台130が固定されており、第6〜第8スイッチング素子モジュール27F〜27Hの電動モータ17に接続されるべき端子に連なって前記基板72を貫通する端子部材68F〜68Hに一端がそれぞれ接続されるバスバー131,132,133が第5端子台130まで延設される。
A fifth
ところで前記基板72と反対側には、直流リンクコンデンサユニット21が配置されており、この直流リンクコンデンサユニット21は、ステイ135,135によって第1のヒートシンク40に支持され、第1のヒートシンク40および直流リンクコンデンサユニット21間には、外部バスバーユニット136が配置される。
By the way, the DC
図17において、前記直流リンクコンデンサユニット21において第1のヒートシンク40側の側面には、第1のヒートシンク40の上下両面に装着された第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hがそれぞれ備えるプラス側接続端子69…およびマイナス側接続端子70…に接続されるべきプラス側接続端子139…およびマイナス側接続端子140…が突出される。
In FIG. 17, on the side surface of the DC
図18において、前記外部バスバーユニット136は、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのプラス側接続端子69…および直流リンクコンデンサユニット21のプラス側接続端子139…に接続される複数のプラス側接続片141a,141a…を両側から突出せしめるプラス側外部バスバー141と、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのマイナス側接続端子70…および直流リンクコンデンサユニット21のマイナス側接続端子140…に接続される複数のマイナス側接続片142a,142a…を両側から突出せしめるマイナス側外部バスバー142とを備え、プラス側およびマイナス側外部バスバー141,142と、プラス側およびマイナス側外部バスバー141,142間に挟まれる平板状の絶縁部材143と、該絶縁部材143との間にプラス側およびマイナス側外部バスバー141,142を挟む平板状の絶縁部材144,145とが積層されることで、直流リンクコンデンサユニット21の外方に配置される外部バスバーユニット136が構成される。
18, the external
また外部バスバーユニット136におけるマイナス側外部バスバー142の一端には、プラス側外部バスバー141の一端よりも突出する取付け板部142bが一体に設けられており、この取付け板部142bが、ボルト146で第1のヒートシンク40に固定され、外部バスバーユニット136は、第1のヒートシンク40に直接当接される。
In addition, a mounting
而して直流リンクコンデンサユニット21のプラス側接続端子139…と、外部バスバーユニット136のプラス側接続片141a…と、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのプラス側接続端子69…とは、図12で示すように、プラス側接続端子139…,69…間にプラス側接続片141a…を挟むようにしてボルト147…で接続される。また直流リンクコンデンサユニット21のマイナス側接続端子140…と、外部バスバーユニット136のマイナス側接続片142a…と、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのマイナス側接続端子70…とは、マイナス側接続端子140…,70…間に、マイナス側接続片142a…を挟むようにしてボルト148…で接続される。
Thus, the plus
ところで第1コンバータ18もしくは第2コンバータ19で得られた直流電力は、インバータ20で交流電力に変換されて電動モータ17に供給されるのであるが、第1コンバータ18もしくは第2コンバータ19からの電力は、直流リンクコンデンサユニット21の平滑コンデンサ36…に一旦蓄えられ、その蓄えられた電力をインバータ20が取り出すことになる。このような電力の流れは電流の流れに置き換えることができ、外部バスバーユニット136が設けられていないときには、図19(a)の細線矢印で示すように、平滑コンデンサ36から供給される電流i1と、平滑コンデンサ36を通らずに第1コンバータ18もしくは第2コンバータ19から供給される電流i2とが、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線を通ってインバータ20に流れることになる。このように直流リンクコンデンサユニット21の内部配線が全ての電流を負担するような構成とすると、内部配線は発熱や肥大化を生じることになり、配線の発熱は平滑コンデンサ36に熱的悪影響を及ぼす。
By the way, the DC power obtained by the
それに対し、第1コンバータ18および第2コンバータ19と、直流リンクコンデンサユニット21との間に外部バスバーユニット136を介在せしめると、図19(b)の細線矢印で示すように、第1コンバータ18もしくは第2コンバータ19から供給される電流i2の一部i2′が、外部バスバーユニット136におけるプラス側外部バスバー141を通ってインバータ20側に直接流れるので、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線を流れる電流を少なく抑え、平滑コンデンサ36に与える熱影響を小さく抑えることができる。
On the other hand, when the external
またインバータ20の第6〜第8スイッチング素子モジュール27F〜27Hにおける第6〜第8プラス側スイッチング素子31F〜31Hおよび第6〜第8マイナス側スイッチング素子32F〜32Hの導通・遮断を切換えることによって直流リンクコンデンサユニット21内には転流電流が流れるものであり、簡略化のために、インバータ20のW相に対応する部分を省略して、第6および第7プラス側スイッチング素子31F,31Gならびに第6および第7マイナス側スイッチング素子32F,32Gの導通・遮断を切換えたときの直流リンクコンデンサユニット21内および外部バスバーユニット136を流れる転流電流の経路を図20〜図22を参照しながら説明する。
Further, the direct current is switched by switching conduction / cutoff of the sixth to eighth plus
先ず第6プラス側スイッチング素子31Fおよび第7マイナス側スイッチング素子32Gを導通し、第6マイナス側スイッチング素子32Fおよび第7プラス側スイッチング素子31Gを遮断したときには、図20の細線矢印で示すように、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線を流れる電流i3,i4に対応した電流i3′,i4′が外部バスバーユニット136のプラス側およびマイナス側バスバー141,142を流れることになり、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線に流れる電流を小さく抑えることができる。
First, when the sixth plus-
また第6および第7マイナス側スイッチング素子32F,32Gを導通し、第6および第7プラス側スイッチング素子31F,31Gを遮断したときには、図21の細線矢印で示すように、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線を流れる電流i5に対応した電流i5′が外部バスバーユニット136のマイナス側バスバー142を流れることになり、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線に流れる電流を小さく抑えることができる。
Further, when the sixth and seventh minus
さらに第6および第7プラス側スイッチング素子31F,31Gを導通し、第6および第7マイナス側スイッチング素子32F,32Gを遮断したときには、図22の細線矢印で示すように、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線を流れる電流i6に対応した電流i6′が外部バスバーユニット136のプラス側バスバー141を流れることになり、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線に流れる電流を小さく抑えることができる。
Further, when the sixth and seventh plus
すなわち第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのプラス側接続端子69…を外部バスバーユニット136によって直流リンクコンデンサユニット21の外方で共通に接続し、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのマイナス側接続端子70…を外部バスバーユニット136によって直流リンクコンデンサユニット21の外方で共通に接続することによって、第1コンバータ18もしくは第2コンバータ19からインバータ20に供給される電流の一部が直流リンクコンデンサユニット21の外方を通り、インバータ20での第6〜第8プラス側スイッチング素子31F〜31Hおよび第6〜第8マイナス側スイッチング素子32F〜32Hの導通・遮断切換えによって生じる転流電流の一部が直流リンクコンデンサユニット21の外方を通るようにすることができる。
That is, the positive
次にこの実施例1の作用について説明すると、水冷型の第1ヒートシンク40の上下両面に、第1コンバータ18、第2コンバータ19およびインバータ20の一部をそれぞれ構成しつつ第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hが装着されることでスイッチング素子組立ユニット67が構成され、そのスイッチング素子組立ユニット67の上方に、水冷型の第2のヒートシンク73をスイッチング素子組立ユニット67との間に介在させるようにして、第1コンバータ18における第1インダクタ24および三相トランス26と、第2コンバータ19における第2インダクタ25および二相トランス33とが配置されるので、コンパクト化を可能としつつ、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hと、第1インダクタ24、三相トランス26、第2インダクタ25および二相トランス33とを効率よく冷却することが可能であり、しかも第1インダクタ24、三相トランス26、第2インダクタ25および二相トランス33によるノイズの影響が第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hに及ぶことを第2のヒートシンク73で抑制することができる。
Next, the operation of the first embodiment will be described. First to eighth switching circuits are configured by forming a part of the
また第1コンバータ18が備える第1入力コンデンサ22と、第2コンバータ19が備える第2入力コンデンサ23とが一体化されて成るコンデンサユニット38が、第2のヒートシンク73をスイッチング素子組立ユニット67との間に介在させるようにして、スイッチング素子組立ユニット67の上方に配置されるので、第1および第2入力コンデンサ22,23のコンパクトな配置によって電力変換装置のコンパクト化が可能となるとともに、第1および第2入力コンデンサ22,23への第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hからの熱伝達を第2のヒートシンク73で抑制することができる。
The
しかもコンデンサユニット38は、第1および第2入力コンデンサ22,23に共通である単一のアース端子120を有するものであるので、コンデンサユニット38をより一層コンパクト化することが可能となるだけでなく、配線インダクタンスの低減が可能となる。
Moreover, since the
また偶数個である第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hは、第1のヒートシンク40の上下両面に略対称配置で装着されるので、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hの冷却性能を最適化することができる。
Further, since the even number of first to eighth
しかも第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hは接続端子の向きを同一として第1のヒートシンク40に装着されており、第1および第2コンバータ18,19の一部を構成して第1のヒートシンク40に装着される第1〜第5スイッチング素子モジュール27A〜27Eと、第1および第2コンバータ18,19の一部を構成して第2のヒートシンク73上に配設されるとともに第1〜第5スイッチング素子モジュール27A〜27Eに直接連なる三相トランス26および二相トランス33とが、バスバー92,93,94,100,101で接続されるので、バスバー92〜94,100,101の最短化を図ることができるとともに、組立を容易とすることができる。
Moreover, the first to eighth
ところで第1のヒートシンク40には、ねじ軸部63a,63aを両端部に有する複数のスタッドボルト63…が第1のヒートシンク40の上下両面から突出させるようにして植設されており、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのケース60…および銅ベースプレート58…が、前記各スタッドボルト63…のうち選択されたスタッドボルト63…の前記ねじ軸部63a…に螺合するナット64…を締め付けて締結することで、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hが第1のヒートシンク40の上下両面に装着されるので、第1のヒートシンク40の上下両面に、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hを少ない部品で容易に装着することができる。
Incidentally, a plurality of
また第1のヒートシンク40における第1の冷却水通路43および第2ヒートシンク73における第2の冷却水通路76に冷却水を供給する冷却水ポンプ80は、第1および第2の冷却水通路43,76に並列接続されており、冷却水ポンプ80からの冷却水が第1および第2のヒートシンク40,73に分配して供給されるので、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hならびに第1インダクタ24、三相トランス26、第2インダクタ25および二相トランス33の冷却にあたって最適な冷却性能が得られるようにすることができる。
The cooling
また第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hを構成する第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hは、複数のチップ47,48,49,50,51,52を有しており、それらのチップ47,48,49,50,51,52は、第1の冷却水通路43における冷却水の流通方向46に沿う方向に2個ずつ並ぶように第1のヒートシンク40に配設されており、第1のヒートシンク40が有する第1の冷却水通路43内には、図8(a)で示すように、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,49,51;48,50,52毎に分離して配置されるとともに、図7で明示するように、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,49,51;48,50,52毎に前記流通方向46と直交する方向にオフセットして配置される複数の冷却フィン71A,71A…が配設されている。
The first to eighth plus
これにより流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,49,51;48,50,52毎に分離した冷却フィン71A,71A…の入口毎に、図8(b)で示すような温度助走区間を形成して、第1の冷却水通路43全体で高い冷却効率を得ることが可能となる。
Thus, for each inlet of the
また第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hを構成する第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hと、第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hとは、第1の冷却水通路43の流通方向46に沿って離隔した位置に配置されるものであり、この実施の形態では、第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hが第1の冷却水通路43の往路部43aに対応する位置に配置されるのに対して、第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hは第1の冷却水通路43の復路部433bに対応する位置に配置されており、第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hならびに第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32H毎に温度の助走区間が生じるようにして、より冷却効率を高めることができる。
The first to eighth plus-
また第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hは、それを構成する第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hならびに第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hを合成樹脂から成る被覆層65…内に封入した状態で第1のヒートシンク40に装着されるものであり、被覆層65…からの放熱ならびに第1のヒートシンク40からの冷却によって、第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hをより効果的に冷却することができる。
Further, the first to eighth
しかも複数の前記冷却フィン71A…は一体で成形されており、下流側の冷却フィン71Aの位置を上流側の冷却フィン71A間の中心位置に確実に配置することができるようになるので、下流側の冷却フィン71Aの位置ずれによる冷却効果低減の不安がなくなり、設計どおりの冷却効果が得られるようになる。
In addition, the plurality of
ところで第1および第2コンバータ18,19と、インバータ20との間には、平滑コンデンサ36…を有する直流リンクコンデンサユニット21が設けられており、第1コンバータ18、第2コンバータ19およびインバータ20が備える第1〜第8スイッチング素子モジュール27A〜27Hのプラス側接続端子69…およびマイナス側接続端子70…は、前記直流リンクコンデンサユニット21が備えるプラス側接続端子139…およびマイナス側接続端子140…に接続されるのであるが、前記プラス側接続端子69…、139サ…にはプラス側外部バスバー141が共通に接続され、前記マイナス側接続端子70…、140…にはマイナス側外部バスバー142が共通に接続されており、直流リンクコンデンサユニット21の外方に配置されるプラス側およびマイナス側外部バスバー141,142が相互間に絶縁部材143を介在させて積層されることで外部バスバーユニット136として一体化されるので、直流リンクコンデンサユニット21の内部配線を通る電流を減少し、平滑コンデンサ36…に熱的悪影響を及ぼすような発熱が直流リンクコンデンサユニット21の内部配線で生じることを防止することができる。
Meanwhile, a DC
さらに外部バスバーユニット136が、第1のヒートシンク40に直接当接されるので、外部バスバーユニット136で生じた熱を第1のヒートシンク40側に直接伝達するようにして、直流リンクコンデンサユニット21の近傍の温度上昇を抑制することができる。
Further, since the external
本発明の実施例2について図23〜図27を参照しながら説明するが、実施例1に対応する部分には同一の参照符号を付して図示するのみとし、詳細な説明は省略する。 A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 23 to 27, but the portions corresponding to the first embodiment are only given the same reference numerals and are not illustrated in detail.
第1〜第8プラス側スイッチング素子31A〜31Hおよび第1〜第8マイナス側スイッチング素子32A〜32Hをそれぞれ構成する6個のチップ47,48,49,50,51,52は、図23および図24で示すように、第1の冷却水通路43における冷却水の流通方向46に沿う方向に2個ずつ並ぶように、すなわちチップ47,48と、チップ49,50と、チップ51,52とが前記流通方向46に並ぶように配置される。
The six
第1のヒートシンク40が有する第1の冷却水通路43内には、流通方向46に直交する断面を連続するU字またはV字状の波形としてアルミニウム合金等の軽金属で一体成形された複数の冷却フィン71B,71B…が、第1の冷却水通路43内を幅方向に複数に分割しつつ流通方向46に延びるようにして配設される。
In the first
しかも第1のヒートシンク40の上面側の第2〜第5スイッチング素子モジュール27B〜27Eにおける第2〜第5プラス側スイッチング素子31B〜31Eおよび第2〜第5マイナス側スイッチング素子32B〜32Eでは、図23で示すように、チップ47,50,51がチップ48,49,52に対して流通方向上流側に配置されるものの、各チップ47〜52の流通方向46に沿う方向での相対位置が、第2〜第5プラス側スイッチング素子31B〜31E(すなわち冷却水通路43における往路部43aに対応する部分)と、第2〜第5マイナス側スイッチング素子32B〜32E(すなわち冷却水通路43における復路部43bに対応する部分)とでは異なっている。
Moreover, in the second to fifth plus
一方、第1のヒートシンク40の下面側の第1および第6〜第8スイッチング素子モジュール27A,27F〜27Hにおける第1および第6〜第8プラス側スイッチング素子31A,31F〜31Hならびに第1および第6〜第8マイナス側スイッチング素子32A,32F〜32Hでは、図24で示すように、チップ48,49,52がチップ47,50,51に対して流通方向上流側に配置されるものの、各チップ47〜52の流通方向46に沿う方向での相対位置が、第1および第6〜第8プラス側スイッチング素子31A,31F〜31H(すなわち冷却水通路43における往路部43aに対応する部分)と、第1および第6〜第8マイナス側スイッチング素子32A,32F〜32H(すなわち冷却水通路43における復路部43bに対応する部分)とでは異なっている。
On the other hand, in the first and sixth to eighth
すなわち第1のヒートシンク40の上面側では冷却水通路43の往路部43aに対応する部分と、復路部43bに対応する部分とでは各チップ47〜52の流通方向46に沿う位置が異なり、第1のヒートシンク40の下面側でも冷却水通路43の往路部43aに対応する部分と、復路部43bに対応する部分とでは各チップ47〜52の流通方向46に沿う位置が異なり、第1のヒートシンク40の上面側と、下面側とでも各チップ47〜52の流通方向46に沿う位置が異なっている。
That is, on the upper surface side of the
このため図25で示すように、前記冷却水通路43の往路部43aおよび復路部43bをそれぞれ上下に分割する隔壁149,150が第1のヒートシンク40に設けられており、冷却水通路43内において隔壁149,150よりも上部には、図26および図27(a)で示すように、第1のヒートシンク40の上面側の第2〜第5スイッチング素子モジュール27B〜27Eにおける各チップ47〜52に個別に対応した長さを有する冷却フィン71B,71B…が、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,50,51;48,49,52毎に分離するとともに、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,50,51;48,49,52毎に前記流通方向46と直交する方向にオフセットして配置される。
Therefore, as shown in FIG. 25,
また冷却水通路43内において隔壁149,150よりも下部にも、図27(a)で示すように、第1のヒートシンク40の下面側の第1および第6〜第8スイッチング素子モジュール27A,27F〜27Hにおける各チップ47〜52に個別に対応した長さを有する冷却フィン71B,71B…が、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,50,51;48,49,52毎に分離するとともに、流通方向46に沿って並ぶ各チップ47,50,51;48,49,52毎に前記流通方向46と直交する方向にオフセットして配置される。
In addition, as shown in FIG. 27A, the first and sixth to eighth switching element modules 27 </ b> A and 27 </ b> F on the lower surface side of the
この実施例2によっても、図27(b)で示すような温度助走区間を形成して、第1の冷却水通路43全体で高い冷却効率を得ることが可能となる。
According to the second embodiment as well, it is possible to form a temperature run-up section as shown in FIG. 27B and obtain high cooling efficiency in the entire first
本発明のさらに他の実施例として、異なったピッチの複数の冷却フィンを一体に成形するようにしてもよい。 As still another embodiment of the present invention, a plurality of cooling fins having different pitches may be integrally formed.
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱することなく種々の設計変更を行うことが可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various design changes can be made without departing from the present invention described in the claims. Is possible.
27A,27B,27C,27D,27E,27F,27G,27H・・・半導体素子モジュールであるスイッチング素子モジュール
31A,31B,31C,31D,31E,31F,31G,31H,・・・半導体素子であるプラス側スイッチング素子
32A,32B,32C,32D,32E,32F,32G,32H・・・半導体素子であるマイナス側スイッチング素子
40・・・ヒートシンク
43・・・冷却水通路
46・・・流通方向
47,48,49,50,51,52・・・チップ
65・・・被覆層
71A,71B・・・冷却フィン
27A, 27B, 27C, 27D, 27E, 27F, 27G, 27H...
Claims (3)
前記冷却水通路(43)内に、前記流通方向(46)に沿って各チップ(47,49,51;48,50,52)毎に分離して前記流通方向(46)と直交する方向にオフセットした複数の冷却フィン(71A,71B)が、前記流通方向(46)に延びるようにして配設され、前記半導体素子モジュール(27A〜27H)が、前記冷却水通路(43)の流通方向(46)に沿って離隔した位置に配置される一対の半導体素子(31A,31B,31C,31D,31E,31F,31G,31H;32A,32B,32C,32D,32E,32F,32G,32H)を備えたものにおいて、
複数の前記半導体素子モジュール(27A〜27H)は、それら半導体素子モジュールのうち発熱量が高い半導体素子モジュール(27A,27F,27G,27H)が前記ヒートシンク(40)の下面側に配置されるようにして、前記ヒートシンク(40)の上下両面に分かれて装着されることを特徴とする、半導体素子モジュールの冷却装置。 A plurality of chips (47, 49, 51; 48, 50, 52) arranged in the flow direction (46) in the cooling water passage (43) are arranged on the water cooling type heat sink (40) having the cooling water passage (43). semiconductor element module having (27A, 27B, 27C, 27D , 27E, 27F, 27G, 27H) is mounted, a cooling apparatus for a semiconductor element module,
In the cooling water passage (43), the chips (47, 49, 51; 48, 50, 52) are separated along the flow direction (46) in a direction perpendicular to the flow direction (46). A plurality of offset cooling fins (71A, 71B) are arranged so as to extend in the flow direction (46), and the semiconductor element modules (27A to 27H) are arranged in the flow direction of the cooling water passage (43) ( 46) a pair of semiconductor elements (31A, 31B, 31C, 31D, 31E, 31F, 31G, 31H; 32A, 32B, 32C, 32D, 32E, 32F, 32G, 32H) disposed at positions separated from each other. In what we have,
The plurality of semiconductor element modules (27A to 27H) are arranged such that the semiconductor element modules (27A, 27F, 27G, 27H) having a high calorific value among the semiconductor element modules are arranged on the lower surface side of the heat sink (40). Te, characterized in that it is mounted is divided into upper and lower surfaces of the heat sink (40), the cooling equipment of the semiconductor element module.
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