JP5208208B2 - 製造方法および試験用ウエハユニット - Google Patents
製造方法および試験用ウエハユニット Download PDFInfo
- Publication number
- JP5208208B2 JP5208208B2 JP2010511830A JP2010511830A JP5208208B2 JP 5208208 B2 JP5208208 B2 JP 5208208B2 JP 2010511830 A JP2010511830 A JP 2010511830A JP 2010511830 A JP2010511830 A JP 2010511830A JP 5208208 B2 JP5208208 B2 JP 5208208B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- circuit
- test
- side pads
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
- G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/31917—Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
-
- H10P74/277—
-
- H10W20/20—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
Claims (10)
- 半導体ウエハに形成される複数の半導体チップを試験する複数の試験回路が設けられた試験用ウエハユニットを製造する製造方法であって、
回路用ウエハに前記複数の試験回路を形成し、
前記回路用ウエハよりウエハ厚が厚い接続用ウエハにおいて所定の面に、前記複数の試験回路と電気的に接続されるべき複数の回路側パッドを形成し、前記所定の面の裏面に、前記複数の半導体チップと電気的に接続されるべき複数のウエハ側パッドを形成し、前記複数の回路側パッドおよび前記複数のウエハ側パッドを電気的に接続する複数の長ビアホールを形成し、
それぞれの前記ウエハ側パッドと、対応する前記試験回路とを電気的に接続するか否かを切り替えるスイッチを、前記接続用ウエハに形成し、
前記回路用ウエハおよび前記接続用ウエハを重ねあわせることで、前記複数の試験回路と、前記複数の回路側パッドとを電気的に接続させて、前記試験用ウエハユニットを形成する製造方法。 - 半導体ウエハに形成される複数の半導体チップを試験する複数の試験回路が設けられた試験用ウエハユニットを製造する製造方法であって、
回路用ウエハに前記複数の試験回路を形成し、
前記回路用ウエハよりウエハ厚が厚い接続用ウエハにおいて所定の面に、前記複数の試験回路と電気的に接続されるべき複数の回路側パッドを形成し、前記所定の面の裏面に、前記複数の半導体チップと電気的に接続されるべき複数のウエハ側パッドを形成し、前記複数の回路側パッドおよび前記複数のウエハ側パッドを電気的に接続する複数の長ビアホールを形成し、
それぞれの前記ウエハ側パッドに、いずれの前記試験回路を電気的に接続するかを切り替えるスイッチを、前記接続用ウエハに形成し、
前記回路用ウエハおよび前記接続用ウエハを重ねあわせることで、前記複数の試験回路と、前記複数の回路側パッドとを電気的に接続させて、前記試験用ウエハユニットを形成する製造方法。 - 半導体ウエハに形成される複数の半導体チップを試験する複数の試験回路が設けられた試験用ウエハユニットを製造する製造方法であって、
回路用ウエハの所定の面に前記複数の試験回路を形成し、
前記回路用ウエハよりウエハ厚が厚い接続用ウエハにおいて所定の面に、前記複数の試験回路と電気的に接続されるべき複数の回路側パッドを形成し、前記接続用ウエハの前記所定の面の裏面に、前記複数の半導体チップと電気的に接続されるべき複数のウエハ側パッドを形成し、前記複数の回路側パッドおよび前記複数のウエハ側パッドを電気的に接続する複数の長ビアホールを形成し、
前記回路用ウエハおよび前記接続用ウエハを重ねあわせることで、前記複数の試験回路と、前記複数の回路側パッドとを電気的に接続させて、前記試験用ウエハユニットを形成し、
前記回路用ウエハの前記所定の面の裏面に設けられた複数のパッドと、前記複数の試験回路とを電気的に接続する複数の短ビアホールを、前記回路用ウエハに形成する製造方法。 - 前記短ビアホールに導電材料を成膜する時間は、前記長ビアホールに導電材料を成膜する時間よりも短い
請求項3に記載の製造方法。 - 前記回路用ウエハおよび前記接続用ウエハとして、基板材料が同一のウエハを用いる
請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記回路用ウエハおよび前記接続用ウエハとして、直径が略同一のウエハを用いる
請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記接続用ウエハの前記複数のウエハ側パッドを、前記複数の回路側パッドとは異なるパッド間隔で形成し、
それぞれの前記長ビアホールを、一端が対応する前記ウエハ側パッドに接続するように形成し、
それぞれの前記長ビアホールの他端を、対応する前記回路側パッドに電気的に接続するピッチ変換配線を、前記接続用ウエハに更に形成する
請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。 - 半導体ウエハに形成される複数の半導体チップを試験する複数の試験回路が設けられた試験用ウエハユニットであって、
前記複数の試験回路が形成された回路用ウエハと、
所定の面に、前記複数の試験回路と電気的に接続されるべき複数の回路側パッドが形成され、前記所定の面の裏面に、前記複数の半導体チップと電気的に接続されるべき複数のウエハ側パッドが形成され、前記複数の回路側パッドおよび前記複数のウエハ側パッドを電気的に接続する複数の長ビアホールが形成される、前記回路用ウエハよりウエハ厚が厚い接続用ウエハと
を備え、
前記接続用ウエハは、それぞれの前記ウエハ側パッドと、対応する前記試験回路とを電気的に接続するか否かを切り替えるスイッチを有し、
前記回路用ウエハおよび前記接続用ウエハを重ねあわせることで、前記複数の試験回路と、前記複数の回路側パッドとを電気的に接続された試験用ウエハユニット。 - 半導体ウエハに形成される複数の半導体チップを試験する複数の試験回路が設けられた試験用ウエハユニットであって、
前記複数の試験回路が形成された回路用ウエハと、
所定の面に、前記複数の試験回路と電気的に接続されるべき複数の回路側パッドが形成され、前記所定の面の裏面に、前記複数の半導体チップと電気的に接続されるべき複数のウエハ側パッドが形成され、前記複数の回路側パッドおよび前記複数のウエハ側パッドを電気的に接続する複数の長ビアホールが形成される、前記回路用ウエハよりウエハ厚が厚い接続用ウエハと
を備え、
前記接続用ウエハは、それぞれの前記ウエハ側パッドに、いずれの前記試験回路を電気的に接続するかを切り替えるスイッチを有し、
前記回路用ウエハおよび前記接続用ウエハを重ねあわせることで、前記複数の試験回路と、前記複数の回路側パッドとを電気的に接続された試験用ウエハユニット。 - 半導体ウエハに形成される複数の半導体チップを試験する複数の試験回路が設けられた試験用ウエハユニットであって、
前記複数の試験回路が所定の面に形成された回路用ウエハと、
所定の面に、前記複数の試験回路と電気的に接続されるべき複数の回路側パッドが形成され、前記所定の面の裏面に、前記複数の半導体チップと電気的に接続されるべき複数のウエハ側パッドが形成され、前記複数の回路側パッドおよび前記複数のウエハ側パッドを電気的に接続する複数の長ビアホールが形成される、前記回路用ウエハよりウエハ厚が厚い接続用ウエハと
を備え、
前記回路用ウエハは、
前記所定の面の裏面に設けられた複数のパッドと、前記複数の試験回路とを電気的に接続する複数の短ビアホールとを有し、
前記回路用ウエハおよび前記接続用ウエハを重ねあわせることで、前記複数の試験回路と、前記複数の回路側パッドとを電気的に接続された試験用ウエハユニット。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2008/059085 WO2009139070A1 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 製造方法および試験用ウエハユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009139070A1 JPWO2009139070A1 (ja) | 2011-09-15 |
| JP5208208B2 true JP5208208B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=41318452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010511830A Expired - Fee Related JP5208208B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 製造方法および試験用ウエハユニット |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8441274B2 (ja) |
| JP (1) | JP5208208B2 (ja) |
| KR (1) | KR101148917B1 (ja) |
| TW (1) | TWI382486B (ja) |
| WO (1) | WO2009139070A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5475674B2 (ja) * | 2008-10-14 | 2014-04-16 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置 |
| KR101123802B1 (ko) | 2010-04-15 | 2012-03-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 칩 |
| US20120286818A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Qualcomm Incorporated | Assembly for optical backside failure analysis of wire-bonded device during electrical testing |
| JP2013088288A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 検査装置及び検査システム |
| US9817029B2 (en) | 2011-12-07 | 2017-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Test probing structure |
| KR101977699B1 (ko) * | 2012-08-20 | 2019-08-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 멀티 칩 반도체 장치 및 그것의 테스트 방법 |
| JP6374642B2 (ja) * | 2012-11-28 | 2018-08-15 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブカード及び検査装置 |
| CN110911301B (zh) * | 2019-12-26 | 2024-12-31 | 苏州科阳半导体有限公司 | 一种晶圆级封装检测结构及方法 |
| CN113687206B (zh) * | 2021-10-21 | 2022-01-04 | 常州欣盛半导体技术股份有限公司 | 晶片测试板、晶片测试系统和晶片测试方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293934A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置 |
| JPH0286147A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH07231021A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-08-29 | Aging Tesuta Kaihatsu Kyodo Kumiai | ウエハーバーンイン装置 |
| JPH08316274A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Nec Corp | 異方導電フィルム及び異方導電フィルムを用いた半導体ウェハ測定治具 |
| JP2001210685A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | テストシステムおよび半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2006194620A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Ltd | プローブカード及び検査用接触構造体 |
| JP2007171140A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Apex Inc | プローブカード、インターポーザおよびインターポーザの製造方法 |
| JP2008089461A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Tohoku Univ | 半導体集積回路検査用プローバ |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04188863A (ja) | 1990-11-22 | 1992-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2948018B2 (ja) | 1992-03-17 | 1999-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH08335610A (ja) | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Advantest Corp | 半導体デバイス解析装置 |
| US6400173B1 (en) * | 1999-11-19 | 2002-06-04 | Hitachi, Ltd. | Test system and manufacturing of semiconductor device |
| JP2001153886A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | プローブカード、及びこれを備えたテスト装置 |
| JP2001338953A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験装置、半導体試験方法および半導体装置 |
| JP2002222839A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Advantest Corp | プローブカード |
| JP2003084047A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-03-19 | Sony Corp | 半導体装置の測定用治具 |
| JP2007134048A (ja) * | 2001-08-07 | 2007-05-31 | Shinozaki Seisakusho:Kk | バンプ付き薄膜シートの製造方法及びバンプ付き薄膜シート |
| JP2003133538A (ja) | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20030086042A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 테스트 장치 |
| KR101104287B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2012-01-13 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 프로브 카드 |
| JP4946110B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-06-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置試験方法、半導体装置試験装置および半導体装置試験プログラム |
| JP4708269B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2011-06-22 | シャープ株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の検査方法 |
| US7733102B2 (en) * | 2007-07-10 | 2010-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Ultra-fine area array pitch probe card |
-
2008
- 2008-05-16 JP JP2010511830A patent/JP5208208B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-16 KR KR1020107018692A patent/KR101148917B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-16 WO PCT/JP2008/059085 patent/WO2009139070A1/ja not_active Ceased
-
2009
- 2009-05-15 TW TW098116152A patent/TWI382486B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-11-12 US US12/945,742 patent/US8441274B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293934A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置 |
| JPH0286147A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH07231021A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-08-29 | Aging Tesuta Kaihatsu Kyodo Kumiai | ウエハーバーンイン装置 |
| JPH08316274A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Nec Corp | 異方導電フィルム及び異方導電フィルムを用いた半導体ウェハ測定治具 |
| JP2001210685A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | テストシステムおよび半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2006194620A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Ltd | プローブカード及び検査用接触構造体 |
| JP2007171140A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Apex Inc | プローブカード、インターポーザおよびインターポーザの製造方法 |
| JP2008089461A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Tohoku Univ | 半導体集積回路検査用プローバ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110084721A1 (en) | 2011-04-14 |
| KR101148917B1 (ko) | 2012-05-22 |
| KR20100112629A (ko) | 2010-10-19 |
| TWI382486B (zh) | 2013-01-11 |
| WO2009139070A1 (ja) | 2009-11-19 |
| US8441274B2 (en) | 2013-05-14 |
| JPWO2009139070A1 (ja) | 2011-09-15 |
| TW201001583A (en) | 2010-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5208208B2 (ja) | 製造方法および試験用ウエハユニット | |
| JP4722227B2 (ja) | 試験用ウエハユニットおよび試験システム | |
| US8427187B2 (en) | Probe wafer, probe device, and testing system | |
| US8410807B2 (en) | Test system and probe apparatus | |
| CN101154609B (zh) | 凸块测试单元、装置及测试方法 | |
| JPH10239372A (ja) | 基板検査装置および基板検査方法 | |
| JP4978779B2 (ja) | 半導体集積回路の試験方法及びicテスタ | |
| TWI743171B (zh) | 用於探針卡之空間轉換器及相關之系統及方法 | |
| JP2802849B2 (ja) | プローブカードの反り補正機構 | |
| JP5368440B2 (ja) | 試験システム | |
| JP5351151B2 (ja) | 試験システム | |
| JP2737774B2 (ja) | ウェハテスタ | |
| JP2008286657A (ja) | プローブカードおよびそれを備えた電子部品試験装置 | |
| JP2010122108A (ja) | プローブカード及びそれを用いたテスト方法半導体試験装置 | |
| JPH05281260A (ja) | ウエハの上の装置の検査装置 | |
| JP2004095802A (ja) | 半導体試験装置 | |
| JP2004031463A (ja) | 半導体集積回路の検査方法 | |
| CN106824832A (zh) | 一种检测装置及其使用方法 | |
| JPH0722478A (ja) | プローブテスト装置およびプローブテスト方法 | |
| JP2009229135A (ja) | テストチップを備えたモジュール | |
| JP2002071718A (ja) | 半導体検査装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2004193253A (ja) | 半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法 | |
| JPH04119647A (ja) | 検査装置 | |
| KR20080002506A (ko) | 패키지 에미션 분석 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130117 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130212 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130219 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |