JP5261851B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、封止部材によって封止された半導体素子を有する半導体装置の製造方法に関するものである。

インバータ等に用いられる半導体装置においては、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）またはフリーホイールダイオード（Free Wheel Diode）等の複数の半導体素子が、封止部材によって封止される。

特開２００９−５９９２３号公報（特許文献１）は、半導体素子を有する被封止部材と、封止部材（モールド樹脂および絶縁シート等）とを備えた半導体装置およびその製造方法を開示している。同公報によると、半導体素子を有する被封止部材は、封止部材によって封止されている。この封止部材は、金型を用いて成型されている。封止部材の表面にレーザ光を照射することによって、半導体素子が露出する開口部（コンタクトホール）を形成している。

特開平５−５５７２４号公報（特許文献２）は、ドリルを用いてプリント基板の絶縁材に窓穴を形成した後、上記窓穴を通してレーザパルスを照射することによって上記絶縁材に貫通穴を形成するという技術を開示している。

特開２００７−１６５５８５号公報（特許文献３）は、セラミック多層基板をモールド封止する際に、金型側にピン状の突起を設け貫通孔を形成するという技術を開示している。同公報は、モールド樹脂の成型後にレーザー等を用いて貫通孔を形成するという技術も開示している。

特開平４−２１３８４１号公報（特許文献４）は、半導体素子をモールド成型法で樹脂封止した後、リード周辺部分にはみ出した成型樹脂のバリに向かってレーザビームを照射してバリを除去するという技術を開示している。

特開２００９−５９９２３号公報 特開平５−５５７２４号公報 特開２００７−１６５５８５号公報 特開平４−２１３８４１号公報

特開２００９−５９９２３号公報（特許文献１）における半導体装置の製造方法によると、被封止部材の周囲に厚い封止部材（モールド樹脂）が成型される。封止部材の表面から被封止部材までの距離が遠く、開口部を形成するためにはレーザ光を長い時間照射しなければならない。同公報による半導体装置の製造方法を使用して半導体装置を製造した場合、長い時間が必要となる。

本発明は、半導体素子を封止する封止部材に開口部が形成された半導体装置を、より短い時間で製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に基づく半導体装置の製造方法は、次ぎの各工程を備えている。内周面に突起部が設けられた金型と、半導体素子を有する被封止部材とを準備する。上記突起部と上記半導体素子とが所定の間隔を空けて対向し、且つ上記金型の内部に上記半導体素子が封止されるように上記金型を上記被封止部材の周りに配置する。

そして、上記内周面により規定される上記金型の内部に、溶融した樹脂を充填する。硬化した上記樹脂から上記金型を取り外す。上記突起部により上記樹脂の表面に形成された凹部を通して、上記樹脂の上記表面側から上記半導体素子に向かってレーザ光を照射することによって、上記半導体素子の表面の一部が露出する複数のコンタクトホールを一つの上記凹部内に形成する。

本発明によれば、半導体素子を封止する封止部材に開口部が形成された半導体装置を、より短い時間で製造することができる半導体装置の製造方法を得ることが可能となる。

実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す第１斜視図であり、被封止部材が準備された様子を示す図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す第２斜視図であり、リードフレームに被封止部材が接合された様子を示す図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す第３斜視図であり、リードフレームと被封止部材とが電気的に接続された様子を示す図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す第４斜視図であり、金型が準備された様子を示す図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す第５斜視図であり、モールド樹脂が形成された様子を示す図である。 図５におけるＶＩ−ＶＩ線に関する矢視の一部を示す断面図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す第６斜視図であり、コンタクトホールが形成された様子を示す図である。 図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に関する矢視の一部を示す断面図である。 実施の形態２における半導体装置の製造方法の一部を示す第１斜視図であり、金型が準備された様子を示す図である。 実施の形態２における半導体装置の製造方法の一部を示す第２斜視図であり、モールド樹脂が形成された様子を示す図である。 実施の形態２における半導体装置の製造方法の一部を示す平面図であり、コンタクトホールが形成された様子を示す図である。 図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ線に関する矢視の一部を示す断面図である。 実施の形態３における半導体装置の製造方法の一部を示す斜視図であり、金型が準備された様子を示す図である。 実施の形態３における半導体装置の製造方法の一部を示す断面図であり、コンタクトホールが形成された様子を示す図である。 実施の形態４における半導体装置の製造方法の一部を示す平面図であり、アンカー部が形成された様子を示す図である。 図１５におけるＸＶＩ−ＸＶＩ線に関する矢視の一部を示す断面図である。 実施の形態５における半導体装置の製造方法の一部を示す斜視図であり、バリに向かってレーザ光が照射されている様子を示す図である。

本発明に基づいた各実施の形態における半導体装置の製造方法について、以下、図面を参照しながら説明する。各実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。各実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。

［実施の形態１］
図１〜図８を参照して、本実施の形態における半導体装置１００（図７および図８参照）の製造方法について説明する。図１を参照して、まず被封止部材２０を準備する。本実施の形態における被封止部材２０は、ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎ、ＩＧＢＴ素子２１Ｐ，２１Ｎ、およびダイオード素子２３Ｐ，２３Ｎを含んでいる。以下、ＩＧＢＴ素子２１Ｐ，２１Ｎ、およびダイオード素子２３Ｐ，２３Ｎを、各半導体素子２２と総称する場合がある。

ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎは、高い導電性および高い熱伝導性を有している。ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎは、たとえば平板状に形成された厚さ約３ｍｍの銅板である。ヒートスプレッダ２４Ｐの表面には、ＩＧＢＴ素子２１Ｐおよびダイオード素子２３Ｐがはんだ付けされている。ヒートスプレッダ２４Ｎの表面には、ＩＧＢＴ素子２１Ｎおよびダイオード素子２３Ｎがはんだ付けされている。

ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎは、配線経路の一部としての機能を有している。ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎは、各半導体素子２２からの熱を拡散させることにより、放熱を促進させる機能も有している。ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎの表面（後述するモールド樹脂１１と接する部分）は、モールド樹脂１１（図６参照）との密着性を高めるため、微細な凹凸が形成されているとよい。

図２を参照して、リードフレーム６０を準備する。リードフレーム６０はリード６１〜６３となる部分を有している。ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎと、リードフレーム６０とを、超音波接合法またははんだ付け等によってそれぞれ接合する。

図３を参照して、リード６２とダイオード素子２３Ｎとをアルミワイヤ４０によって電気的に接続する。ダイオード素子２３ＮとＩＧＢＴ素子２１Ｎとをアルミワイヤ４０によって電気的に接続する。リード６３とダイオード素子２３Ｐとを、アルミワイヤ４０によって電気的に接続する。ダイオード素子２３ＰとＩＧＢＴ素子２１Ｐとを、アルミワイヤ４０によって電気的に接続する。

ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎの下面に、絶縁シート１２を接着する。絶縁シート１２は、絶縁体（たとえばエポキシ樹脂）からなるシート状の部材である。絶縁シート１２は、後述するモールド樹脂１１よりも高い熱伝導性を有している。絶縁シート１２は、ヒートスプレッダ２４Ｐ，２４Ｎの下面に対向する表面に、金属（たとえば銅）からなる保護層（図示せず）を有していてもよい。

図４を参照して、金型３０を準備する。金型３０は、上部金型３１と下部金型３２とを有している。上部金型３１の内周面３３には、小径の複数の突起部３５が立設されている。各突起部３５は、上部金型３１の内周面３３に対して略垂直方向に延在しているとよい。上部金型３１の内周面３３には、小径の１つの突起部３５のみが立設されていてもよい。

各突起部３５の長さは、金型３０が被封止部材２０を封止するように被封止部材２０の周りに配置されたとき、各突起部３５の先端とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子とが所定の間隔を空けて対向するように設定されている。ここで言う所定の間隔とは、後述する凹部１３（図６参照）の底部とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間のモールド樹脂１１の厚さＬ３５に対応している。

図４を再び参照して、下部金型３２の周縁には、各リード６１〜６３に対応する形状を有する３つの切欠３６が設けられている。

被封止部材２０（図３参照）および絶縁シート１２（図３参照）の周りを覆うように、金型３０を配置する。被封止部材２０および絶縁シート１２は、金型３０の内部に封止される。金型３０の突起部３５と、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子とは、所定の間隔（図６における厚さＬ３５）を空けて対向する。

粉末状またはタブレット状の樹脂（たとえばエポキシ樹脂）を準備する。樹脂には、無機材料からなる充填材が含まれていてもよい。樹脂は、温度と圧力とを加えられることによって溶融する。溶融した樹脂を、金型３０に設けられた所定の開口部（図示せず）から金型３０の内部に充填する。

図５および図６を参照して、樹脂が硬化することによってモールド樹脂１１が形成される。モールド樹脂１１が形成された後、金型３０（図５および図６において図示せず）をモールド樹脂１１および絶縁シート１２から取り外す。

モールド樹脂１１および絶縁シート１２によって、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子を封止する封止部材１０が構成される。モールド樹脂１１の表面には、金型３０の突起部３５（図４参照）に対応した形状を有する凹部１３が形成される。本実施の形態においては、モールド樹脂１１の表面には、複数の凹部１３が形成されている。モールド樹脂１１の表面には、１つの凹部１３が形成されていもよい。

図６を参照して、凹部１３は、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子の表面の所定の部分に向かって延在している。モールド樹脂１１は、凹部１３の底部とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間において、所定の厚さＬ３５を有している。

図７および図８を参照して、リードフレーム６０を切断することによってリード６１〜６３が形成される。リード６１〜６３は、封止部材１０の内部から外部に突き出ている。

凹部１３（図６参照）にレーザ光１４を照射する。レーザ光１４の照射によって、凹部１３と、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間に位置するモールド樹脂１１が除去される。凹部１３内に、コンタクトホールＡ１Ｐ（またはコンタクトホールＡ１Ｎ）が形成される。コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎによって、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子の表面１５の一部が露出する。

所定のピン端子（図示せず）が、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのそれぞれに挿入される。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、所定のピン端子を通して所定の外部端子と接続される。なお、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのそれぞれには、はんだなどが充填されることによって配線部材が形成されてもよい。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、配線部材を通して所定の外部端子と接続される。以上のようにして、半導体装置１００が得られる。

（作用・効果）
本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、金型３０（図４参照）の内周面３３に、小径の突起部３５が立設されている。突起部３５によって、凹部１３（図６参照）が形成される。コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを形成するために、レーザ光１４が凹部１３に照射される。

図６を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、厚さＬ３５のモールド樹脂１１を除去することによって、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを得ることができる。冒頭に説明した特開２００９−５９９２３号公報（特許文献１）における半導体装置の製造方法によれば、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子とモールド樹脂１１の表面との間の厚さＬ１１のモールド樹脂１１を除去することによって、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを得ることができる。

厚さＬ３５は、厚さＬ１１より小さい。本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、冒頭に説明した特開２００９−５９９２３号公報（特許文献１）における半導体装置の製造方法に比べて、レーザ光１４の照射によって除去するべきモールド樹脂１１の厚さが薄い。本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、半導体装置１００をより短い時間で製造することが可能となる。

冒頭の説明のとおり、特開平５−５５７２４号公報（特許文献２）は、ドリルを用いてプリント基板の絶縁材に窓穴を形成した後、上記窓穴を通してレーザパルスを照射することによって上記絶縁材に貫通穴を形成する技術を開示している。

ドリルを用いて窓穴を形成すると、樹脂粉末が飛散する。ドリルを用いて窓穴を形成すると、半導体素子などの他の機器に損傷を与える場合もある。本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、突起部３５（図４参照）により凹部１３（図６参照）を形成しているため、樹脂粉末が飛散したり、他の機器が損傷したりすることがない。

冒頭の説明のとおり、特開２００７−１６５５８５号公報（特許文献３）は、セラミック多層基板をモールド封止する際に、金型側にピン状の突起を設け貫通孔を形成する旨を開示している。同公報によると、突起を用いることによってのみ貫通孔を形成している。

金型側に設けた突起によってのみ貫通孔を形成しているため、突起と、セラミック多層基板とが接触している。突起とセラミック多層基板との接触により、突起がセラミック多層基板を損傷させる場合がある。本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、突起部３５（図４参照）は、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子と所定の間隔（図６における厚さＬ３５）を空けて対向しているため、突起部３５がＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子を損傷させることがない。

［実施の形態２］
図９〜図１２を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態と上述の実施の形態１とは、準備する金型において相違している。

図９を参照して、本実施の形態においては金型３０Ａが準備される。金型３０Ａは、上部金型３１と下部金型３２とを有している。上部金型３１の内周面３３には、２つの突起部３５が立設されている。各突起部３５は、略直方体の形状を有している。

平面視において、一方の（図９紙面右側に位置する）突起部３５の面積は、後述するコンタクトホールＡ１Ｐの面積よりも大きい。本実施の形態における一方の突起部３５は、平面視において、複数のコンタクトホールＡ１Ｐが設けられる領域を含んでいる。同様に、平面視において、他方の（図９紙面左側に位置する）突起部３５の面積は、後述するコンタクトホールＡ１Ｎの面積よりも大きい。本実施の形態における他方の突起部３５は、平面視において、複数のコンタクトホールＡ１Ｎが設けられる領域を含んでいる。

各突起部３５の高さは、金型３０Ａが被封止部材２０を封止するように被封止部材２０の周りに配置されたとき、各突起部３５の先端とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子とが所定の間隔を空けて対向するように設定されている。ここで言う所定の間隔とは、後述する凹部１３（図１２参照）の底部とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間のモールド樹脂１１の厚さＬ３５に対応している。

被封止部材２０（図３参照）および絶縁シート１２（図６参照）の周りを覆うように、金型３０Ａを配置する。被封止部材２０および絶縁シート１２は、金型３０Ａの内部に封止される。金型３０Ａの突起部３５と、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子とは、所定の間隔（図１２における厚さＬ３５）を空けて対向する。溶融した樹脂を、金型３０Ａに設けられた所定の開口部（図示せず）から金型３０Ａの内部に充填する。

図１０を参照して、樹脂が硬化することによってモールド樹脂１１が形成される。モールド樹脂１１が形成された後、金型３０Ａ（図１０において図示せず）をモールド樹脂１１および絶縁シート１２（図１２参照）から取り外す。

モールド樹脂１１および絶縁シート１２によって、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子を封止する封止部材１０が構成される。モールド樹脂１１の表面には、金型３０Ａの各突起部３５（図９参照）に対応した形状を有する２つの凹部１３が形成される。

各凹部１３は、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子の表面の所定の部分に向かって延在している。モールド樹脂１１は、各凹部１３の底部とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間において、所定の厚さ（図１２における厚さＬ３５）を有している。

図１１および図１２を参照して、リードフレーム６０を切断することによってリード６１〜６３が形成される。リード６１〜６３は、封止部材１０の内部から外部に突き出ている。

凹部１３にレーザ光１４（図１２参照）を照射する。レーザ光１４の照射によって、凹部１３と、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間に位置するモールド樹脂１１が除去される。一方の（図９紙面右側に位置する）凹部１３内に、コンタクトホールＡ１Ｐが形成される。本実施の形態における一方の凹部１３内には、複数のコンタクトホールＡ１Ｐが形成される。同様に、他方の（図９紙面左側に位置する）凹部１３内に、コンタクトホールＡ１Ｎが形成される。本実施の形態における他方の凹部１３内には、複数のコンタクトホールＡ１Ｎが形成される。コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎによって、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子の表面１５の一部が露出する。

所定のピン端子（図示せず）が、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのそれぞれに挿入される。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、所定のピン端子を通して所定の外部端子と接続される。なお、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのそれぞれには、はんだなどが充填されることによって配線部材が形成されてもよい。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、配線部材を通して所定の外部端子と接続される。以上のようにして、半導体装置１００Ａが得られる。

（作用・効果）
本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、金型３０Ａ（図９参照）の内周面３３に、一方の突起部３５および他方の突起部３５が立設されている。図１１を参照して、一方の突起部３５によって一方の凹部１３が形成され、他方の突起部３５によって他方の凹部１３が形成される。コンタクトホールＡ１Ｐを形成するために、レーザ光１４が一方の凹部１３内に照射される。コンタクトホールＡ１Ｎを形成するために、レーザ光１４が他方の凹部１３内に照射される。

本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、厚さＬ３５のモールド樹脂１１を除去することによって、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを得ることができる。上述の実施の形態１と同様に、本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、半導体装置１００Ａをより短い時間で製造することが可能となる。

本実施の形態においては、平面視における一方の凹部１３の面積は、コンタクトホールＡ１Ｐの面積よりも大きい。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、所望の位置からずれた状態でモールド樹脂１１によって封止される場合がある。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子がずれた状態で封止された場合であっても、一方の凹部１３の範囲内であればコンタクトホールＡ１Ｐをより短い時間で形成することが可能となる。換言すると、コンタクトホールＡ１Ｐを形成する位置の自由度が向上する。

同様に、平面視における他方の凹部１３の面積は、コンタクトホールＡ１Ｎの面積よりも大きい。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子がずれた状態で封止された場合であっても、他方の凹部１３の範囲内であればコンタクトホールＡ１Ｎをより短い時間で形成することが可能となる。換言すると、コンタクトホールＡ１Ｎを形成する位置の自由度が向上する。

［実施の形態３］
図１３および図１４を参照して本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態と上述の実施の形態１とは、準備する金型において相違している。

図１３を参照して、本実施の形態においては金型３０Ｂが準備される。金型３０Ｂは、上部金型３１と下部金型３２とを有している。上部金型３１の内周面３３には、複数の突起部３５が立設されている。各突起部３５は、内周面３３側から突起部３５の先端に向かうにつれ徐々に径が小さくなるように略テーパ状に形成されている。

各突起部３５の高さは、金型３０Ｂが被封止部材２０を封止するように被封止部材２０の周りに配置されたとき、各突起部３５の先端とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子とが所定の間隔を空けて対向するように設定されている。ここで言う所定の間隔とは、後述する凹部１３（図１４参照）の底部とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間のモールド樹脂１１の厚さＬ３５に対応している。

被封止部材２０（図３参照）および絶縁シート１２（図６参照）の周りを覆うように、金型３０Ｂを配置する。被封止部材２０および絶縁シート１２は、金型３０Ｂの内部に封止される。金型３０Ｂの突起部３５と、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子とは、所定の間隔（図１４における厚さＬ３５）を空けて対向する。溶融した樹脂を、金型３０Ｂに設けられた所定の開口部（図示せず）から、金型３０Ｂの内部に充填する。

図１４を参照して、樹脂が硬化することによってモールド樹脂１１が形成される。モールド樹脂１１が形成された後、金型３０Ｂ（図１４において図示せず）をモールド樹脂１１および絶縁シート１２から取り外す。

モールド樹脂１１および絶縁シート１２によって、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子を封止する封止部材１０が構成される。モールド樹脂１１の表面には、金型３０Ｂの各突起部３５（図１３参照）に対応した形状を有する複数の凹部１３が形成される。

凹部１３は、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子の表面の所定の部分に向かって延在している。モールド樹脂１１は、各凹部１３の底部とＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間において、所定の厚さＬ３５を有している。

凹部１３にレーザ光１４を照射する。レーザ光１４の照射によって、凹部１３と、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子との間に位置するモールド樹脂１１が除去される。凹部１３内に、コンタクトホールＡ１Ｐ（またはコンタクトホールＡ１Ｎ）が形成される。コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎによって、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子の表面１５の一部が露出する。

所定のピン端子（図示せず）が、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのそれぞれに挿入される。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、所定のピン端子を通して所定の外部端子と接続される。なお、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのそれぞれには、はんだなどが充填されることによって配線部材が形成されてもよい。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、配線部材を通して所定の外部端子と接続される。以上のようにして、半導体装置１００Ｂが得られる。

（作用・効果）
本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、金型３０Ｂ（図１３参照）の内周面３３に、略テーパ状の複数の突起部３５が立設されている。突起部３５によって、凹部１３（図１４参照）が形成される。コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを形成するために、レーザ光１４が凹部１３に照射される。

本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、厚さＬ３５のモールド樹脂１１を除去することによって、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを得ることができる。上述の実施の形態１と同様に、本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、半導体装置１００Ｂをより短い時間で製造することが可能となる。

本実施の形態においては、突起部３５は略テーパ状に形成されている。樹脂が硬化することによって、モールド樹脂１１の表面には略テーパ状の複数の凹部１３が形成される。凹部１３は、モールド樹脂１１の表面側において開口面積が大きく、ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子側において開口面積が小さい。コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎの形成後、凹部１３を通した電気的接続の配線作業が容易になる。

［実施の形態４］
図１５および図１６を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。図１５を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、複数のコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎが、モールド樹脂１１の表面に形成されている。複数のコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎは、上述の実施の形態１における半導体装置の製造方法と同様に形成されている。

主として図１６を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、複数のコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎの内壁におけるモールド樹脂１１の表面寄りに位置する部分に向かって、レーザ光１４が斜めに照射される。さらに、各レーザ光１４は、一のコンタクトホールＡ１Ｐ（Ａ１Ｎ）に照射されたレーザ光１４と、他のコンタクトホールＡ１Ｐ（Ａ１Ｎ）に照射されたレーザ光１４とが平行な関係となるように、各コンタクトホールＡ１Ｐ（Ａ１Ｎ）における上記の各部分に照射される。

レーザ光１４の照射により、複数のコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎの内壁におけるモールド樹脂１１の表面寄りに位置する部分付近に位置するモールド樹脂１１が除去され、傾斜部ＡＰＲが形成される。傾斜部ＡＰＲの下端は、各コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎに連通している。傾斜部ＡＰＲは、モールド樹脂１１の表面側において開口面積が大きくなるように形成される。

レーザ光１４の照射により、複数のコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎの内壁からモールド樹脂１１の内部に向かって窪むアンカー部ＰＲが形成される。アンカー部ＰＲは、傾斜部ＡＰＲ側からモールド樹脂１１の内部に向かって所定の深さで延在するように形成される。

レーザ光１４が各コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎにおける上記の各部分に対して略平行に照射されることによって、複数のアンカー部ＰＲの窪む方向は、相互に略平行な位置関係となる。

本実施の形態においては、各コンタクトホールＡ１Ｐに形成されたアンカー部ＰＲは、図１５の紙面左側から紙面右側に向かって窪んで形成されている。各コンタクトホールＡ１Ｐに形成されたアンカー部ＰＲは、相互に並んで平行な位置関係となっている。各コンタクトホールＡ１Ｎに形成されたアンカー部ＰＲは、図１５の紙面右側から紙面左側に向かって窪んで形成されている。各コンタクトホールＡ１Ｎに形成されたアンカー部ＰＲも、相互に並んで平行な位置関係となっている。なお、各アンカー部ＰＲの窪む方向は、相互に平行な位置関係にあれば、逆向きであってもよい。

所定のピン端子（図示せず）が、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのそれぞれに挿入される。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、所定のピン端子を通して所定の外部端子と接続される。なお、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのそれぞれには、はんだなどが充填されることによって配線部材が形成されてもよい。ＩＧＢＴ素子２１Ｎなどの各半導体素子は、配線部材を通して所定の外部端子と接続される。以上のようにして、半導体装置１００Ｃが得られる。

（作用・効果）
本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、上述の実施の形態１と同様の作用効果を得ることができる。加えて、本実施の形態における半導体装置の製造方法により得られた半導体装置によれば、配線部材がコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎに形成された際に、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎのアンカー部ＰＲ内に位置する部分が、アンカーとして作用する。すなわち、配線部材を引き抜くような力が加わった際に、アンカーとなって配線部材が引き抜かれることを防止することができる。

レーザ光１４が各コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎにおける上記の各部分に対して略平行に照射されることによって、複数のアンカー部ＰＲの窪む方向は、相互に略平行な位置関係となる。隣接するコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを跨ぐように配線部材が形成されることを抑制することが可能となる。隣接するコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎが配線部材によって短絡されることを抑制することが可能となる。

［実施の形態５］
図１７を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎが各凹部１３内に形成される。コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎは、上述の実施の形態１〜４と同様に、レーザ光１４の照射によって各凹部１３内に形成される。

本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、レーザ光１４の照射によってコンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを形成することに続き、硬化したモールド樹脂１１周りに発生したバリ１８に向かって、さらにレーザ光１４を照射する。レーザ光１４の照射により、バリ１８が除去される。

バリ１８は、モールド樹脂１１を成型するための金型の経年劣化などに伴いモールド樹脂１１の周囲に発生する場合がある。レーザ光１４を、コンタクトホールＡ１Ｐ，Ａ１Ｎを形成するために凹部１３に向かって照射する工程に続いて（照射するついでに）、バリ１８に向かって照射する。バリ１８を効率良く除去できるため、製造時間の短縮を図ることが可能となる。

以上、本発明に基づいた各実施の形態における半導体装置の製造方法について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。したがって、本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１０ 封止部材、１１ モールド樹脂、１２ 絶縁シート、１３ 凹部、１４ レーザ光、１５ 表面、１８ バリ、２０ 被封止部材、２１Ｎ，２１Ｐ ＩＧＢＴ素子、２２ 各半導体素子、２３Ｎ，２３Ｐ ダイオード素子、２４Ｎ，２４Ｐ ヒートスプレッダ、３０，３０Ａ，３０Ｂ 金型、３１ 上部金型、３２ 下部金型、３３ 内周面、３５ 突起部、３６ 切欠、４０ アルミワイヤ、６０ リードフレーム、６１〜６３ リード、１００，１００Ａ〜１００Ｃ 半導体装置、Ａ１Ｎ，Ａ１Ｐ コンタクトホール、ＡＰＲ 傾斜部、ＰＲ アンカー部。

Claims (5)

1. 内周面に突起部が設けられた金型と、半導体素子を有する被封止部材とを準備する工程と、
   前記突起部と前記半導体素子とが所定の間隔を空けて対向し、且つ前記金型の内部に前記半導体素子が封止されるように前記金型を前記被封止部材の周りに配置する工程と、
   前記内周面により規定される前記金型の内部に、溶融した樹脂を充填する工程と、
   硬化した前記樹脂から前記金型を取り外す工程と、
   前記突起部により前記樹脂の表面に形成された凹部を通して、前記樹脂の前記表面側から前記半導体素子に向かってレーザ光を照射することによって、前記半導体素子の表面の一部が露出する複数のコンタクトホールを一つの前記凹部内に形成する工程と、を備える、
   半導体装置の製造方法。
2. 平面視において、前記突起部の面積は前記コンタクトホールの面積よりも大きい、
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記突起部は、前記内周面側から前記突起部の先端に向かうにつれ徐々に径が小さくなるように略テーパ状に形成されている、
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記コンタクトホールの内壁の、前記樹脂の前記表面寄りに位置する部分に向かってレーザ光を斜めに照射することによって、複数の前記コンタクトホールのそれぞれに、前記内壁から前記樹脂の内部に向かって窪むアンカー部を形成する工程をさらに備え、
   複数の前記アンカー部が窪む方向は、相互に略平行な位置関係にある、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記コンタクトホールを前記凹部内に形成する工程に続いて、硬化した前記樹脂周りに発生したバリに向かってレーザ光を照射することによって、前記バリを除去する工程をさらに備える、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

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