JP5240059B2 - 排気還流装置の異常検出装置 - Google Patents
排気還流装置の異常検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5240059B2 JP5240059B2 JP2009117824A JP2009117824A JP5240059B2 JP 5240059 B2 JP5240059 B2 JP 5240059B2 JP 2009117824 A JP2009117824 A JP 2009117824A JP 2009117824 A JP2009117824 A JP 2009117824A JP 5240059 B2 JP5240059 B2 JP 5240059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- determination
- temperature
- time
- gas recirculation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/10—Internal combustion engine [ICE] based vehicles
- Y02T10/12—Improving ICE efficiencies
Landscapes
- Exhaust-Gas Circulating Devices (AREA)
Description
図1〜図4は、本発明の第1実施形態に係る排気還流装置の異常検出装置の概略の構成を示している。なお、図1中では直接噴射式のエンジンとして示すが、ポート噴射式あるいはデュアル噴射式のものであってもよい。
ここにいうEGRバルブ52の第1特定開度以上の開弁状態とは、例えば閉弁時をゼロとし開弁方向へのステップモータ52mのステップ数で与えられるバルブ開度値(図5、図6中のeegrrq)が予め設定されたステップ数okcndstep(例えば、10ステップ)以上である状態をいう。この場合、第1特定開度とは、後述する異常判定処理のための第2特定開度よりも小さい開度値となっている。また、第1判定部31は、正常判定時間t1中に吸気管7に還流する排気ガスの温度、すなわち還流ガス温度gamthgが低下し、第1設定温度thg1未満に低下してしまった場合でもその正常判定時間t1中であってその低下時点後に還流ガスの温度gamthgが第1設定温度thg1以上に達したときには、第1条件が成立するか否かの判定を実行するようになっている。
7 吸気管
8 スロットルバルブユニット
8m モータ部
11 インジェクタ
18 排気管
30 ECU
31 第1判定部(第1判定手段)
32 履歴保持部(保留履歴保持手段、更新履歴保持手段)
33 第2判定部(第2判定手段)
34 補正部(補正係数設定手段)
41 エアフローメータ
42 クランク角センサ
43 スロットル開度センサ
44 車速センサ
45 水温センサ
46 アクセルポジションセンサ
48 還流ガス温度センサ
50 EGR装置(排気還流装置)
51 EGRパイプ(排気還流管)
52 EGRバルブ(排気還流制御バルブ)
52m ステップモータ
Ct0、Ct1、Ct3、Ct4 カウント値
okcndstep 第1特定開度
ngcndstep 第2特定開度
t0 制限時間
t1 正常判定時間
t3 制限時間
t4 異常判定時間
thg1 第1設定温度
thg2 第2設定温度
tmd1、tmd2 分割検出時間
Δthgng 温度変化量(分割検出期間の総温度変化量)
Δthgok 正常温度変化量
Δthg1、Δthg2 分割検出時間ごとに検出された温度の変化量
Claims (11)
- 内燃機関の排気部と吸気部の間に介在する排気還流制御バルブを介して前記内燃機関の排気ガスの一部を前記吸気部側に還流させる排気還流装置に異常が発生したとき、前記排気還流制御バルブの作動状態と前記吸気部に還流する排気ガスの温度の変化とに基づいて前記異常を検出する排気還流装置の異常検出装置において、
前記排気還流制御バルブが開弁状態であって前記吸気部に還流する排気ガスの温度が第1設定温度以上であるとき、前記排気還流装置が正常であると判定するための第1条件が成立するか否かを判定し、該第1条件が成立しないときには保留と判定する第1判定手段と、
前記第1判定手段により前記保留と判定されたことを保留履歴として記憶保持する保留履歴保持手段と、
前記保留履歴保持手段に前記保留履歴が記憶保持され、かつ、前記排気還流制御バルブが閉弁状態から特定開度以上の開弁状態に切り替えられたとき、該切り替えの時点から予め定めた異常判定時間内に、前記排気還流装置が異常であるための第2条件が成立するか否かを判定する第2判定手段と、
前記特定開度を標準大気圧と現在地の気圧との差に応じて補正する補正係数を更新可能に設定する補正係数設定手段と、
前記補正係数設定手段により前記補正係数が更新されたことを更新履歴として記憶保持する更新履歴保持手段と、を備え、
前記第2判定手段は、前記切り替えの時点から前記異常判定時間内に、前記吸気部に還流する排気ガスに予め設定された温度変化量を超える温度変化が生じないとき、前記第2条件が成立すると判定することを特徴とする排気還流装置の異常検出装置。 - 前記第2判定手段は、前記排気還流制御バルブが前記閉弁状態から予め設定された制限時間内に前記特定開度以上の開弁状態に切り替えられたときにのみ、前記第2条件が成立するか否かを判定することを特徴とする請求項1に記載の排気還流装置の異常検出装置。
- 前記保留履歴保持手段は、前記第1判定手段により前記第1条件が成立するか否かの判定が実行される度に1回分の実行履歴データを記憶保持し、
前記第2判定手段は、前記保留履歴保持手段により複数回分の前記実行履歴データが記憶保持されているときに、前記第2条件が成立するか否かを判定することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の排気還流装置の異常検出装置。 - 前記第2判定手段は、前記吸気部に還流する排気ガスの温度が、前記第1設定温度より低い第2設定温度を超え、かつ、前記第1設定温度に達しない第2判定可能温度範囲内にあるときに、前記第2条件が成立するか否かを判定することを特徴とする請求項1ないし請求項3のうちいずれか1の請求項に記載の排気還流装置の異常検出装置。
- 前記第2判定手段は、前記異常判定時間を複数に分割した分割検出時間ごとに、前記吸気部に還流する排気ガスの温度を検出し、前記分割検出時間ごとに検出された温度の変化量を積算して、前記異常判定時間内における前記排気ガスの温度変化量を算出することを特徴とする請求項1ないし請求項4のうちいずれか1の請求項に記載の排気還流装置の異常検出装置。
- 前記内燃機関が燃料カット状態から通常の燃料噴射状態に復帰したときの該復帰時点から予め設定された禁止時間内においては、前記第2判定手段は、前記第2条件が成立するか否かの判定を禁止することを特徴とする請求項1ないし請求項5のうちいずれか1の請求項に記載の排気還流装置の異常検出装置。
- 前記内燃機関が特定空燃比よりリッチ側になるよう燃料噴射量を増量補正する第1の制御状態から前記特定空燃比に復帰する第2の制御状態に復帰したとき、該復帰時点から予め設定された禁止時間内においては、前記第2判定手段は、前記第2条件が成立するか否かの判定を禁止することを特徴とする請求項1ないし請求項6のうちいずれか1の請求項に記載の排気還流装置の異常検出装置。
- 前記第2判定手段が、前記内燃機関の完全暖機後に作動することを特徴とする請求項1ないし請求項7のうちいずれか1の請求項に記載の排気還流装置の異常検出装置。
- 前記第1判定手段は、前記排気還流制御バルブが開弁状態にあるとき、予め定めた正常判定時間ごとに前記吸気部に還流する排気ガスに予め設定された正常温度変化量を超える温度変化が生じたか否かを判定し、該正常温度変化量を超える温度変化が生じたとき、前記第1条件が成立すると判定することを特徴とする請求項1ないし請求項8のうちいずれか1の請求項に記載の排気還流装置の異常検出装置。
- 前記第1判定手段は、前記正常判定時間中に前記吸気部に還流する排気ガスの温度が第1設定温度未満に低下した場合でも、前記正常判定時間中の前記低下後に前記吸気部に還流する排気ガスの温度が前記第1設定温度以上に達したときには、前記第1条件が成立するか否かを判定することを特徴とする請求項9に記載の排気還流装置の異常検出装置。
- 前記第1判定手段は、前記正常判定時間を複数に分割した分割検出時間ごとに、前記吸気部に還流する排気ガスの温度を検出し、前記分割検出時間ごとに検出された温度の変化量を積算して、前記正常判定時間内における前記排気ガスの温度変化量を算出することを特徴とする請求項9または請求項10に記載の排気還流装置の異常検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009117824A JP5240059B2 (ja) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | 排気還流装置の異常検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009117824A JP5240059B2 (ja) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | 排気還流装置の異常検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010265818A JP2010265818A (ja) | 2010-11-25 |
| JP5240059B2 true JP5240059B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=43362999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009117824A Active JP5240059B2 (ja) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | 排気還流装置の異常検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5240059B2 (ja) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4989309B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US9041202B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US8314765B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, display device, and electronic device |
| WO2010032638A1 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR20180137606A (ko) | 2008-10-24 | 2018-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI589006B (zh) | 2008-11-07 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| US8232947B2 (en) | 2008-11-14 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8461582B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR101752640B1 (ko) | 2009-03-27 | 2017-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| KR101604577B1 (ko) | 2009-06-30 | 2016-03-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
| KR101772639B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| CN112447130B (zh) | 2009-10-21 | 2025-03-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置和包括显示装置的电子设备 |
| CN105206676B (zh) | 2009-11-06 | 2019-12-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| CN103219390B (zh) | 2009-12-18 | 2014-11-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备和电子设备 |
| KR102730170B1 (ko) | 2009-12-18 | 2024-11-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
| CN104022115B (zh) | 2009-12-25 | 2017-04-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR102542681B1 (ko) | 2010-01-20 | 2023-06-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
| WO2011089844A1 (en) | 2010-01-24 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US8947337B2 (en) | 2010-02-11 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR102139209B1 (ko) | 2010-02-18 | 2020-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 장치 |
| KR101874784B1 (ko) | 2010-03-08 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP2013093565A (ja) | 2011-10-07 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| KR20130043063A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US8962386B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102097171B1 (ko) | 2012-01-20 | 2020-04-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9312257B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| WO2013154195A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9153699B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers |
| TWI691084B (zh) | 2012-10-24 | 2020-04-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| CN105734493B (zh) | 2012-11-08 | 2018-11-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 |
| WO2014104265A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR102657220B1 (ko) | 2013-05-20 | 2024-04-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| TWI708981B (zh) | 2013-08-28 | 2020-11-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| JP2016001712A (ja) | 2013-11-29 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP6612056B2 (ja) | 2014-05-16 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、及び監視装置 |
| KR102259172B1 (ko) | 2014-05-30 | 2021-06-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치 |
| JP6736321B2 (ja) | 2015-03-27 | 2020-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| TW202416542A (zh) | 2015-03-30 | 2024-04-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| JP2017022377A (ja) | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| DE112016000146T5 (de) | 2015-10-23 | 2017-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und elektronische Vorrichtung |
| KR102296809B1 (ko) | 2016-06-03 | 2021-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 금속 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
| CN113586796B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-06-30 | 利晟(杭州)科技有限公司 | 一种废气处理管路中阀门控制系统 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0515564Y2 (ja) * | 1986-12-03 | 1993-04-23 | ||
| JP3602148B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2004-12-15 | 富士重工業株式会社 | エンジンの排気還流系の異常検出方法 |
| JPH08291770A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-05 | Fuji Heavy Ind Ltd | エンジンの排気還流系の異常検出方法 |
| JP3617240B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2005-02-02 | 日産自動車株式会社 | 内燃機関の排気還流制御装置 |
| JP2002147289A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Honda Motor Co Ltd | 排気ガス還流通路の故障検知装置 |
| JP4214518B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2009-01-28 | 三菱ふそうトラック・バス株式会社 | 排ガス還流システムの故障診断装置 |
-
2009
- 2009-05-14 JP JP2009117824A patent/JP5240059B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010265818A (ja) | 2010-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5240059B2 (ja) | 排気還流装置の異常検出装置 | |
| EP2888464B1 (en) | Control device and control method for internal combustion engine | |
| US20060101808A1 (en) | Engine self-diagnosis system | |
| JP4697201B2 (ja) | 内燃機関の異常検出装置 | |
| JP2006152955A (ja) | 多気筒エンジンの失火検出装置 | |
| WO2016088649A1 (ja) | エンジンの制御装置 | |
| JP2010156295A (ja) | 多気筒内燃機関の診断装置及び制御装置 | |
| US9429089B2 (en) | Control device of engine | |
| JP2001182602A (ja) | エンジン制御装置 | |
| JP7247955B2 (ja) | エンジン装置 | |
| JP2007056783A (ja) | ディーゼル内燃機関の制御装置 | |
| JPH06200833A (ja) | 排気ガス再循環装置の異常判定装置 | |
| JP2008280865A (ja) | 内燃機関の始動制御装置 | |
| JP4366602B2 (ja) | 内燃機関の始動時燃料制御装置 | |
| JP5398994B2 (ja) | 内燃機関の運転制御方法 | |
| JP6866040B2 (ja) | 内燃機関の制御装置 | |
| EP1674701A2 (en) | Air-fuel ratio feedback control apparatus for engines | |
| US6705288B2 (en) | Starting control apparatus for internal combustion engine | |
| JP5941077B2 (ja) | 燃料噴射装置 | |
| JP2007192081A (ja) | 内燃機関の制御装置 | |
| JP5126036B2 (ja) | 点火時期制御装置 | |
| JP2010209843A (ja) | 内燃機関の制御装置 | |
| JP4345853B2 (ja) | 吸気系センサの異常診断装置 | |
| JP4357388B2 (ja) | 内燃機関の制御方法 | |
| JP3966177B2 (ja) | 内燃機関の空燃比制御装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110924 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121004 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130318 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |