JP5193361B2 - 感光性樹脂組成物及びその積層体 - Google Patents
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Description
さらに詳しくは、本発明は、プリント配線板の製造、フレキシブルプリント配線板の製造、ICチップ搭載用リードフレーム(以下、リードフレームという)の製造、メタルマスク製造などの金属箔精密加工、BGA(ボールグリッドアレイ)やCSP(チップサイズパッケージ)等の半導体パッケージ製造、TAB(Tape Automated Bonding)やCOF(Chip On Film:半導体ICをフィルム状の微細配線板上に搭載したもの)に代表されるテープ基板の製造、半導体バンプの製造、フラットパネルディスプレイ分野におけるITO電極、アドレス電極、電磁波シールドなどの部材の製造に好適な、又はサンドブラスト工法によって基材を加工する際の保護マスク部材として好適な、レジストパターンを与える感光性樹脂組成物に関する。
まず、ドライフィルムレジストがポリエチレンフィルム等の保護層を有する場合には、感光性樹脂層からこれを剥離する。次いで、ラミネーターを用いて銅張り積層板等の基板上に、該基板、感光性樹脂層、支持体の順序になるよう、感光性樹脂層及び支持体を積層する。次いで、配線パターンを有するフォトマスクを介して、該感光性樹脂層を超高圧水銀灯が発するi線(365nm)を含む紫外線で露光することによって、露光部分を重合硬化させる。次いでポリエチレンテレフタレート等からなる支持体を剥離する。次いで、弱アルカリ性を有する水溶液等の現像液により感光性樹脂層の未露光部分を溶解又は分散除去して、基板上にレジストパターンを形成させる。次いで、形成されたレジストパターンを保護マスクとして公知のエッチング処理又はパターンめっき処理を行う。最後に、該レジストパターンを基板から剥離して導体パターンを有する基板、すなわちプリント配線板を製造する。
以下の特許文献1には、メタクリル酸/メチルメタクリレート/ブチルアクリレート/2−エチルヘキシルアクリレートの四元共重合体とトリシクロデカンジメタノールジメタクリレートを含有する感光性樹脂組成物の解像度について開示されているが、解像度に関しては現状に十分対応しているものとは言えなかった。
本発明の感光性樹脂組成物を露光・現像して得られた硬化物の水接触角が60°以上であり、かつ、そのヤングモジュラスが4GPa以上、好ましくは5GPa以上、さらに好ましくは6GPa以上であることが、高解像度を有するレジストパターンを取得するために必要である。
第一の単量体は、分子中に重合性不飽和基を一個有するカルボン酸又は酸無水物である。例えば、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステルが挙げられる。
本発明に用いられる(A)バインダーポリマー用の樹脂は、例えばスチレン、及びスチレン誘導体、例えば、α−メチルスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、p−クロロスチレン、ベンジル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、4−メトキシベンジル(メタ)アクリレート、4−メチルベンジル(メタ)アクリレート、4−クロロベンジル(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−ブトキシメチルアクリルアミド、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリル酸グリシジル等が挙げられ、それぞれ単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明に用いられる(A)バインダーポリマー用の樹脂としては、例えば、α−メチルスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、p−クロロスチレン、ベンジル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、4−メトキシベンジル(メタ)アクリレート、4−メチルベンジル(メタ)アクリレート、4−クロロベンジル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレートが好ましい。
D=(E1×F1×100)/(Mw1×G)+(E2×F2×100)/(Mw2×G)+・・・+(En×Fn×100)/(Mwn×G)
E:配合量
F:重合末端数
Mw:光重合性化合物の重量平均分子量
n:配合する光重合性化合物の数
G:感光性樹脂組成物の総重量
また(B)光重合性化合物は、硬化後の感光性樹脂組成物の水接触角を60°以上にするために下記一般式(II):
本発明に用いられる(C)光重合開始剤として、下記一般式(I):
{式中、X、Y及びZは、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜5のアルキル基及びアルコキシ基、並びにハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基を表し、p、q、及びrは、それぞれ独立に、1〜5の整数である。}で表される少なくとも一種の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体を含むことは高解像度の観点から好ましい。
また、上記で示された化合物以外に、他の光重合開始剤との併用も可能である。ここでの光重合開始剤とは、各種の活性光線、例えば紫外線等により活性化され、重合を開始する化合物である。
また、オキシムエステル類、例えば、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−O−ベンゾイルオキシム、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシムがある。また、N−アリール−α−アミノ酸化合物も用いることも可能であり、これらの中では、N−フェニルグリシンが特に好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物中には、露光後のコントラスト(露光部と未露光部の識別)を発現させる目的で、ロイコ染料を含有することができる。ロイコ染料を含有する場合の含有量は、0.1〜10質量%が好ましい。このようなロイコ染料としては、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン[ロイコクリスタルバイオレット]、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン[ロイコマラカイトグリーン]、フルオラン染料が挙げられる。中でも、ロイコクリスタルバイオレットを用いた場合、コントラストが良好であり好ましい。
ハロゲン化合物としては、例えば、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンザル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルホン、四臭化炭素、トリス(2,3−ジブロモプロピル)ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、1,1,1−トリクロロ−2,2−ビス(p−クロロフェニル)エタン、ヘキサクロロエタン、ハロゲン化トリアジン化合物が挙げられる。該ハロゲン化トリアジン化合物としては、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジンが挙げられる。
感光性樹脂組成物の取扱い性を向上させるために、前述のロイコ染料以外に下記着色物質を入れることも可能である。このような着色物質としては、例えばフクシン、フタロシアニングリーン、オーラミン塩基、パラマジエンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブルー2B、ビクトリアブルー、マラカイトグリーン(保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) MALACHITE GREEN)、ベイシックブルー20、ダイアモンドグリーン(保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) DIAMOND GREEN GH)が挙げられる。
中でも、トリブロモメチルフェニルスルフォンとロイコ染料との組み合わせや、トリアジン化合物とロイコ染料との組み合わせが有用である。
さらに、本発明の感光性樹脂組成物の熱安定性、保存安定性を向上させるために、感光性樹脂組成物にラジカル重合禁止剤、ベンゾトリアゾール類、及びカルボキシベンゾトリアゾール類からなる群から選ばれる少なくとも1種以上の化合物を含有させることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、溶媒を添加した感光性樹脂組成物調合液としてもよい。好適な溶媒としては、メチルエチルケトン(MEK)に代表されるケトン類、又はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類が挙げられる。感光性樹脂組成物調合液の粘度が25℃で500〜4,000mPa・secとなるように、溶媒を感光性樹脂組成物に添加することが好ましい。
本発明の感光性樹脂積層体は、感光性樹脂層とその層を支持する支持体からなるが、必要により、感光性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有していてもよい。
ここで用いられる支持体としては、露光光源から放射される光を透過する透明なものが望ましい。このような支持体としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、必要に応じ延伸されたものも使用可能である。ヘーズは5以下のものが好ましい。フィルムの厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要等から、10〜30μmのものが好ましく用いられる。
本発明の感光性樹脂積層体を用いたレジストパターンは、ラミネート工程、露光工程、及び現像工程を含む工程によって形成することができる。具体的な方法の一例を示す。
まず、ラミネーターを用いてラミネート工程を行う。感光性樹脂積層体が保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターで感光性樹脂層を基板表面に加熱圧着しラミネートする。この場合、感光性樹脂層は基板表面の片面だけにラミネートしてもよいし、必要に応じて両面にラミネートしてもよい。この時の加熱温度は一般的に40〜160℃である。また、該加熱圧着を二回以上行うことにより、得られるレジストパターンの基板に対する密着性が向上する。この時、圧着は二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用してもよいし、何回か繰り返してロールに通し圧着してもよい。
露光工程においては、マスクレス露光方法を用いてもよい。マスクレス露光はフォトマスクを使用せず基板上に直接描画装置によって露光する。光源としては波長350〜410nmの半導体レーザーや超高圧水銀灯などが用いられる。描画パターンはコンピューターによって制御され、この場合の露光量は、露光光源の照度および基板の移動速度によって決定される。
上述の工程によってレジストパターンが得られるが、場合によっては、さらに100〜300℃の加熱工程を行うこともできる。この加熱工程を実施することにより、更なる耐薬品性向上が可能となる。加熱には、熱風、赤外線、遠赤外線等の方式の加熱炉を用いることができる。
本発明のプリント配線板の製造方法は、基板として銅張り積層板又はフレキシブル基板に上述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した基板の銅面にエッチング法又はめっき法等の既知の方法を用いて導体パターンを形成する工程を行う。
その後、レジストパターンを、現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離する剥離工程を行って所望のプリント配線板を得る。剥離用のアルカリ水溶液(以下、「剥離液」ともいう。)についても特に制限はないが、2〜5質量%の濃度のNaOH又はKOHの水溶液が一般的に用いられる。剥離液にも、少量の水溶性溶媒を加えることは可能である。なお、剥離工程における該剥離液の温度は、40〜70℃の範囲であることが好ましい。
本発明のリードフレームの製造方法は、基板として銅、銅合金、鉄系合金等の金属板に前述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する工程を行う。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離する剥離工程を行って、所望のリードフレームを得る。
本発明の半導体パッケージの製造方法においては、LSIとしての回路形成が終了したチップを以下の工程により実装することにより半導体パッケージを製造する。
まず、現像により得られるレジストパターン付着基材における基材の金属が露出した部分に硫酸銅めっきを施して、導体パターンを形成する。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離する剥離工程を行って、更に、柱状めっき以外の部分については薄い金属層を除去するためにエッチングを行い、上記チップを実装し、所望の半導体パッケージを得る。
本発明のバンプの製造方法は、LSIとしての回路形成が終了したチップを実装するために行われ、下記工程によりバンプが製造される。
まず、現像により得られるレジストパターン付着基材における基材の金属が露出した部分に硫酸銅めっきを施して、導体パターンを形成する。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離する剥離工程を行って、更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去する工程を行うことにより、所望のバンプを得る。
前述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンをサンドブラスト工法により基板に加工を施す時の保護マスク部材として使用することができる。
基板としては、ガラス、シリコンウエハー、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、セラミック、サファイア、金属材料などが挙げられる。これらガラス等の基板上に、前述のレジストパターン形成方法と同様の方法によって、レジストパターンを形成する。その後、形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付けて目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、基板上に残存したレジストパターン部分をアルカリ剥離液等で基板から除去する剥離工程を経て、基板上に微細な凹凸パターンを有する基材とすることができる。上前記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材は公知のものが用いられ、例えばSiC、SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO、ガラス、ステンレス等の2〜100μm程度の微粒子が用いられる。
(参考例1、参考例2、実施例3、実施例4、参考例5、参考例6、実施例7、参考例8〜11、実施例12〜17、参考例18、比較例1〜6)
最初に、参考例、実施例及び比較例の評価用サンプルの作製方法を説明し、次いで、得られたサンプルについての評価方法およびその評価結果を示す。
実施例及び比較例における評価用サンプルは次の様にして作製した。
<感光性樹脂積層体の作製>
以下の表1に示す組成(但し、各成分の数字は固形分としての配合量(質量部)を示す。)の感光性樹脂組成物及び溶媒をよく攪拌、混合して感光性樹脂組成物調合液とし、支持体として16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの表面にバーコーターを用いて均一に塗布し、95℃の乾燥機中で2.5分間乾燥して感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の厚みは25μmであった。
次いで、感光性樹脂層のポリエチレンテレフタレートフィルムを積層していない表面上に、保護層として21μm厚のポリエチレンフィルムを張り合わせて感光性樹脂積層体を得た。
解像度評価用基板、接触角評価用基板、及び弾性率評価用基板としては、35μm圧延銅箔を積層した0.4mm厚の銅張積層板表面を(A)スプレー圧0.20MPaでジェットスクラブ研磨(日本カーリット(株)製、サクランダムR(登録商標)#220)したものを用意した。
感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、整面して60℃に予熱した銅張積層板に該感光性樹脂積層体をホットロールラミネーター(旭化成エレクトロニクス(株)製、AL−70)を用いてロール温度105℃でラミネートした。エアー圧力は0.35MPaとし、ラミネート速度は1.5m/minとした。
解像度評価用基板はクロムガラスフォトマスクを用いて、超高圧水銀ランプ超高圧水銀ランプ(オーク製作所製、HMW-201KB)により露光した。接触角評価用基板、及び弾性率評価用基板は、マスクを使用せず露光した。
ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、30℃の1質量%Na2CO3水溶液を所定時間スプレーし、感光性樹脂層の未露光部分を溶解除去した。この際、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要した最も短い時間を最小現像時間とした。
各評価手法は、以下の通りであった。
(1)解像度
ラミネート後15分経過した解像度評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:1の比率のラインパターンマスク(クロムガラスフォトマスク)を通して露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、硬化レジストラインが正常に形成されている最小マスクライン幅を解像度の値として以下のようにランク分けした:
◎:解像度の値が8μm以下;
○:解像度の値が8μmを超え、10μm以下;
×:解像度の値が10μmを超える。
ラミネート後15分経過した解像度評価用基板を、マスクなしで露光した。露光は解像度評価時の最小解像度の露光量で行った。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、接触角測定用の基板を得、接触角を測定した。
ラミネート後15分経過した解像度評価用基板を、マスクなしで露光した。露光は解像度評価時の最小解像度の露光量で行った。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、接触角測定用の基板を得、ヤングモジュラスを測定した。
参考例1、参考例2、実施例3、実施例4、参考例5、参考例6、実施例7、参考例8〜11、実施例12〜17、参考例18、及び比較例1〜6の評価結果を以下の表1に示す。
比較例1〜6においては、バインダーポリマー用樹脂、及び光重合性化合物の選択並びにそれらの配合比率の変化に依存して、水接触角、及びヤングモジュラスが本願発明の範囲外になった結果、解像度が優れてないことが分かる。
Claims (13)
- (A)バインダーポリマー:20〜90重量%、(B)光重合性化合物:5〜75重量%、及び(C)光重合開始剤:0.01〜30重量%を含有する感光性樹脂組成物であって、該(A)バインダーポリマーは、分子中に重合性不飽和基を1個有するカルボン酸又はカルボン酸無水物である第一単量体と分子中に重合性不飽和基を1個有し、かつ非酸性である第二単量体とを少なくとも共重合されることにより得られた重量平均分子量5,000〜100,000である共重合体であり、該(B)光重合性化合物は、分子中に少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマーであり、かつ、該感光性樹脂組成物を、21段ストウファーステップタブレットの5段の露光量で露光を行い、次いで1%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて最小現像時間の2倍の時間期間にわたり現像を行った後に得られた感光性樹脂層の水接触角が60°以上、かつ、ヤングモジュラスが6GPa以上であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
- 前記(A)バインダーポリマーは、フェニル基含有共重合体又はシクロヘキシル基含有共重合体である、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記感光性樹脂組成物のエチレン性不飽和結合濃度が0.1mol/100g以上である、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
- (C)光重合性開始剤が、2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体を含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物を支持体上に積層してなることを特徴とする感光性樹脂積層体。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物の層を基板上に形成するラミネート工程、露光工程、及び現像工程を含むことを特徴とする、レジストパターンの形成方法。
- 前記露光工程において、前記感光性樹脂組成物の層を直接描画して露光する、請求項6に記載のレジストパターンの形成方法。
- 請求項7に記載のレジストパターンの形成方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチング又はめっきすることを含む、プリント配線板の製造方法。
- 請求項7に記載のレジストパターンの形成方法によってレジストパターンが形成された基板を、サンドブラストによって加工することを含む、凹凸パターンを有する基材の製造方法。
- 請求項7に記載のレジストパターンの形成方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチング又はめっきすることを含む、半導体パッケージ又はバンプの製造方法。
- 請求項7に記載のレジストパターンの形成方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチング又はめっきすることを含む、リードフレームの製造方法。
- 請求項1〜4に記載の感光性樹脂組成物を硬化させてなる樹脂硬化物。
- 請求項12に記載の樹脂硬化物を支持体上に有する樹脂硬化物積層体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011508307A JP5193361B2 (ja) | 2009-03-30 | 2010-03-16 | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009083427 | 2009-03-30 | ||
| JP2009083427 | 2009-03-30 | ||
| PCT/JP2010/054452 WO2010116868A1 (ja) | 2009-03-30 | 2010-03-16 | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
| JP2011508307A JP5193361B2 (ja) | 2009-03-30 | 2010-03-16 | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2010116868A1 JPWO2010116868A1 (ja) | 2012-10-18 |
| JP5193361B2 true JP5193361B2 (ja) | 2013-05-08 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011508307A Active JP5193361B2 (ja) | 2009-03-30 | 2010-03-16 | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5193361B2 (ja) |
| KR (1) | KR101328840B1 (ja) |
| CN (1) | CN102378940A (ja) |
| TW (1) | TWI460537B (ja) |
| WO (1) | WO2010116868A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013084282A1 (ja) | 2011-12-05 | 2013-06-13 | 日立化成株式会社 | 樹脂硬化膜パターンの形成方法、感光性樹脂組成物及び感光性エレメント |
| WO2013084283A1 (ja) | 2011-12-05 | 2013-06-13 | 日立化成株式会社 | タッチパネル用電極の保護膜の形成方法、感光性樹脂組成物及び感光性エレメント |
| TWI541596B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-07-11 | Asahi Kasei E Materials Corp | A photosensitive resin composition and a photosensitive resin laminate |
| KR102630893B1 (ko) * | 2015-11-25 | 2024-01-31 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 |
| KR102730592B1 (ko) * | 2019-09-13 | 2024-11-14 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 및 감광성 엘리먼트 |
| WO2022138154A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 積層体の製造方法、回路配線の製造方法、転写フィルム |
| TWI820974B (zh) * | 2021-10-18 | 2023-11-01 | 日商旭化成股份有限公司 | 具備微通道之結構體及其製造方法、以及微通道元件 |
| TWI830425B (zh) * | 2021-10-25 | 2024-01-21 | 日商旭化成股份有限公司 | 感光性元件、及光阻圖案之形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101941A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびその積層体 |
| JP2007114452A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物及び積層体 |
| WO2007125992A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | 感光性樹脂積層体 |
| JP2008058636A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
| WO2009038082A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
-
2010
- 2010-03-16 CN CN2010800148668A patent/CN102378940A/zh active Pending
- 2010-03-16 WO PCT/JP2010/054452 patent/WO2010116868A1/ja not_active Ceased
- 2010-03-16 KR KR1020117012560A patent/KR101328840B1/ko active Active
- 2010-03-16 JP JP2011508307A patent/JP5193361B2/ja active Active
- 2010-03-18 TW TW099108061A patent/TWI460537B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101941A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびその積層体 |
| JP2007114452A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物及び積層体 |
| WO2007125992A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | 感光性樹脂積層体 |
| JP2008058636A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
| WO2009038082A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2010116868A1 (ja) | 2012-10-18 |
| TWI460537B (zh) | 2014-11-11 |
| TW201042373A (en) | 2010-12-01 |
| CN102378940A (zh) | 2012-03-14 |
| WO2010116868A1 (ja) | 2010-10-14 |
| KR101328840B1 (ko) | 2013-11-13 |
| KR20110089864A (ko) | 2011-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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