JP5098851B2 - 積層型封止用フィルム - Google Patents
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が積層されてなる積層型封止用フィルムであって、
前記熱可塑型樹脂層(B)がポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂を含有し、
前記熱硬化型樹脂層(C)が、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTgが−50〜50℃である高分子量成分(c1)15〜85重量%及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分(c2)15〜85重量%を含む樹脂(c3)100重量部に対し、フィラー(c4)1〜300重量部を含有することを特徴とする積層型封止用フィルムに関する。
前記熱可塑型樹脂層(B)がポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂を含有し、
前記熱硬化型樹脂層(C)が、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTgが−50〜50℃である高分子量成分(c1)15〜85重量%及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分(c2)15〜85重量%を含む樹脂(c3)100重量部に対し、フィラー(c4)1〜300重量部を含有することを特徴とする積層型封止用フィルムに関する。
また、本発明は、(5)前記基材層(A)の厚さが5〜300μmである前記(1)〜(4)のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルムに関する。
前記積層型封止用フィルム付き電子部品用基板から基材層(A)をはく離して、樹脂層付き電子部品用基板を得る工程、
前記樹脂層付き電子部品用基板の熱可塑性樹脂層(B)上あるいは電子部品用基板の回路面と反対の面上にダイシングテープをラミネートしてダイシングテープ付き電子部品用基板を得る工程、
前記ダイシングテープ付き電子部品用基板をダイシングして、所定の大きさのダイシングテープ付き電子部品を得る工程、
前記ダイシングテープ付き電子部品からダイシングテープをはく離して、樹脂層付き電子部品を得る工程
を含む電子部品の製造法に用いられる前記(1)〜(12)のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルムに関する。
前記熱可塑型樹脂層(B)がポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂を含有し、
前記熱硬化型樹脂層(C)が、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTgが−50〜50℃である高分子量成分(c1)15〜85重量%及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分(c2)15〜85重量%を含む樹脂(c3)100重量部に対し、フィラー(c4)1〜300重量部を含有することを特徴とする。
本発明において基材層(A)として使用し得る材料は特に制限が無く、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリエーテルアミドフィルム、ポリエーテルアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムが挙げられる。これらのなかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルムが好ましい。また、前記基材層(A)として用いるフィルムは必要に応じて、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。
本発明の熱可塑性樹脂(B)は、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂であり、なかでも、室温で極性溶媒に可溶なポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体が好ましく、室温で極性溶媒に可溶なポリアミドイミド樹脂又はその前駆体がより好ましく、室温で極性溶媒に可溶なポリアミドイミド樹脂が特に好ましい。なお、本発明における室温とは、25℃をいう。
前記熱可塑性樹脂は、ジアミン類と、ジカルボン酸、ジカルボン酸の反応性酸誘導体、トリカルボン酸、トリカルボン酸の反応性酸誘導体、テトラカルボン酸及びテトラカルボン酸の反応性酸誘導体から選ばれる少なくとも一種の酸化合物とを反応させて得られるものであり、室温での極性溶媒への溶解性を考慮すると、下記一般式(I)で表される芳香族ジアミンを含有するジアミン類と上記酸化合物とを反応させて得られるものであることが好ましい。
前記R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に水素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基などの炭素数1〜9のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ターシャリーブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基など炭素数1〜9のアルコキシ基;又は塩素、臭素、沃素、フッ素などのハロゲン原子のいずれかであり、Xは、化学結合(すなわちビフェニル)、−O−、−S−、−SO2−、−C(=O)−、−S(=O)−、あるいは前記式(Ia)で表される基のいずれかである。式(Ia)中、R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基などのアルキル基;トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、塩素、臭素、沃素、フッ素などのハロゲン原子又はフェニル基のいずれかである。前記一般式(I)で表される芳香族ジアミンの具体例としては、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕シクロヘキサン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕シクロペンタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、4,4’−カルボニルビス(p−フェニレンオキシ)ジアニリン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル等が挙げられるが、これらの中でも2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンが最も好ましい。
前記熱可塑性樹脂のうちポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体が、室温で可溶な極性溶媒としては、特に制限が無く、例えば、N−メチルピロリドン、ジメチルアセドアミド、ジメチルホルムアミド、1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン等の含窒素化合物;スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン等の含硫黄化合物;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン類;酢酸セロソルブなどのエステル類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類;エチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジプロピルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上組み合わせて使用することができる。
本発明の積層型封止用フィルムにおける熱硬化型樹脂層(C)は、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTg(ガラス転移温度)が−50〜50℃である高分子量成分(c1)15〜85重量%及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分(c2)15〜85重量%を含む樹脂(c3)100重量部に対し、フィラー(c4)1〜300重量部を含有するものである。
本発明における高分子量成分(c1)は、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTg(ガラス転移温度)が−50〜50℃である高分子量成分である。
−40〜50℃、より好ましくは−40〜40℃である。
Tgを前記範囲とすることで、樹脂層のBステージ状態でのタック性を適度に保つことができ、その取り扱い性も良好となる。
本発明における熱硬化性成分(c2)成分は、エポキシ樹脂を主成分とするものであり、熱により硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。熱硬化性成分(c2)中のエポキシ樹脂の含有量は、5〜70重量%であることが好ましい。
上記ビスフェノールF型エポキシ樹脂としては、東都化成株式会社製、商品名:YDF−8170Cなどが挙げられる。上記フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート152、154、日本化薬株式会社製、商品名:EPPN−201、ダウケミカル社製、商品名:DEN−438などが、また、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製、商品名:EOCN−102S、103S、104S、1012、1025、1027、東都化成株式会社製、商品名:YDCN701、702、703、704などが挙げられる。上記多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:Epon 1031S、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名:アラルダイト0163、ナガセ化成株式会社製、商品名:デナコールEX−611、614、614B、622、512、521、421、411、321などが挙げられる。上記アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート604、東都化成株式会社製、商品名:YH−434、三菱ガス化学株式会社製、商品名:TETRAD−X、TETRAD−C、住友化学株式会社製、商品名:ELM−120などが挙げられる。上記複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名:アラルダイトPT810等の、UCC社製、商品名:ERL4234、4299、4221、4206などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは2種類以上を組み合わせても、使用することができる。
フィラー(c4)
本発明におけるフィラー(c4)は、特に制限が無いが、無機フィラーであることが好ましく、例えば、結晶性シリカ、非晶性シリカ、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等を使用することができる。
本発明において保護層(D)として使用し得る材料は特に制限が無く、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリエーテルアミドフィルム、ポリエーテルアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムが挙げられる。これらのなかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルムが好ましい。また、前記保護層(D)として用いるフィルムは必要に応じて、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。
本発明における、熱硬化型樹脂層(C)及び熱可塑型樹脂層(B)には、必要に応じて着色剤やカップリング剤などの添加剤を含んでいても良い。
本発明の積層型封止用フィルムは、図1に示すような基材層(A)/熱可塑型樹脂層(B)/熱硬化型樹脂層(C)の順で積層されてなる3層構造であっても、図2に示すような基材層(A)/熱可塑型樹脂層(B)/熱硬化型樹脂層(C)/保護層(D)の順で積層されてなる4層構造であってもよい。
工程(I)では、電子部品用基板の回路面に、積層型封止用フィルムの熱硬化型樹脂層(C)が接するよう積層型封止用フィルムをラミネートして積層型封止用フィルム付き電子部品用基板を得る。この際、保護層(D)を有する積層型封止用フィルムを用いる場合は、保護層(D)をはく離除去した後、電子部品用基板の回路面に、積層型封止用フィルムの熱硬化型樹脂層(C)が接するようラミネートする。ラミネート温度は、180℃以下であることが好ましく、140℃以下であることがより好ましく、120℃以下であることが好ましい。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンを45.92g(112ミリモル)入れ、N−メチル−2−ピロリドンを50g加えて溶解した。次に20℃を超えない様に冷却しながら無水トリメリット酸クロライドを23.576g(112ミリモル)加えた。室温(25℃)で1時間撹拌した後、20℃を超えない様に冷却しながらトリエチルアミンを13.5744g(134.4ミリモル)を加えて、室温(25℃)で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスを更に190℃で脱水反応を6時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して一旦粉末化し、重量平均分子量60,000のポリアミドイミド樹脂(PAI−1)を得た。得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)は室温でシクロヘキサンに溶解し、真空脱泡して不揮発分約30重量%のワニスを得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDF−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製、商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製、商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)95重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製、商品名:A−189)0.25重量部及びγ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製、商品名:A−1160)0.25重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分約30重量%のワニスを得た。なお、不揮発分(NV)の測定方法は下記の通りとした。加熱乾燥は、170で1時間行なった。
得られたワニスを保護層(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名:ピューレックスA31B、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚:38μm)上に塗布し、90℃、5分及び110℃、5分間加熱乾燥して、膜厚が25μmの塗膜とし、Bステージ状態のフィルムA(熱硬化型樹脂層付き保護層)を得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDF−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製、商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製、商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)50重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製、商品名:A−189)0.25重量部及びγ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製、商品名:A−1160)0.25重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して、不揮発分約30重量%のワニスを得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDF−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製、商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製、商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)24重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製、商品名:A−189)0.25重量部及びγ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製、商品名:A−1160)0.25重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して、不揮発分約30重量%のワニスを得た。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDF−8170C、エポキシ当量:175)32.8重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製、商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製、商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)50重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製、商品名:A−189)0.25重量部及びγ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製、商品名:A−1160)0.25重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して、不揮発分約30重量%のワニスを得た。
合成例1で得られたワニスを基材層(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名:ピューレックスA53、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚:38μm)上に塗布し、90℃、5分及び110℃、5分間加熱乾燥して、膜厚が10μmの塗膜とし、フィルムE(熱可塑型樹脂層付き基材層)を得た。
得られたフィルムEの基材層を剥がした後、貯蔵弾性率(35℃、10Hz)及びガラス転移温度(周波数10Hz、昇温速度2℃/min)を動的粘弾性スペクトロメーター(レオロジー社製、DVE−4型)により測定した。
製造例1で得られたフィルムA(熱硬化型樹脂層付き保護層)の熱硬化型樹脂層と製造例5で得られたフィルムE(熱可塑型樹脂層付き基材層)の熱可塑型樹脂層とが接するように積層し、ホットロールラミネータ(大成ラミネーター株式会社製、商品名:ファーストラミネーター VA−400III型)を使用して貼付け(ラミネート条件:80℃、0.2MPa、0.5m/分)、基材層(A)/熱可塑型樹脂層(B)/熱硬化型樹脂層(C)/保護層(D)の順で積層されてなる4層構造の積層型封止用フィルムFを得た。
実施例1において、フィルムAに代えて製造例2で得られたフィルムBを用いること以外は、実施例1と全く同様の操作を行い、4層構造の積層型封止用フィルムGを得た。
実施例1において、フィルムAに代えて製造例3で得られたフィルムCを用いること以外は、実施例1と全く同様の操作を行い、4層構造の積層型封止用フィルムHを得た。
実施例1において、フィルムAに代えて製造例4で得られたフィルムDを用いること以外は、実施例1と全く同様の操作を行い、4層構造の積層型封止用フィルムIを得た。
(1)ダイシェア強度
積層型封止用フィルムの保護層をはく離し、熱硬化型樹脂層面が300μm厚のシリコンウエハ鏡面に接するようにホットロールラミネータ(大成ラミネーター株式会社製、商品名:VA−400III型)を使用して貼付け(ラミネート条件:80℃、0.2MPa、0.5m/分)、積層型封止用フィルム付きシリコンウエハを得た。その後、基材層をはく離して熱可塑性樹脂層側にダイシングテープ(古河電気工業株式会社製、商品名:UC−3004M−80)を貼付けた後、ダイシングカッターを用いて7×7mm角にダイシング後、洗浄、乾燥を行い、ダイシングテープをはく離して、樹脂層付き半導体素子を得た。
積層型封止用フィルム(5mm×5mm)の保護層をはく離し、熱硬化型樹脂層面が図6の(a)及び(b)に示す構造の実験基板の開口部面側に接するようにホットロールラミネータ(大成ラミネーター株式会社製、商品名:VA−400III型)を使用して貼付けて(ラミネート条件:80℃、0.2MPa、0.5m/分)、170℃で1時間硬化して積層型封止用フィルム付き基板を作製した。この積層型封止用フィルム付き基板をフラックス(太陽電気産業株式会社製、商品名:BS−10、無酸タイプ、グリース状、溶剤無し)に220℃で1時間浸漬し、積層型封止用フィルムのフラックス透過性を評価した。なお、上記基板50個で評価し、フラックスが封止用フィルムを透過した基板の個数によって下記のように判断した。実用上問題ないものは◎又は○である。
〇:フラックスが積層型封止用フィルムを透過した基板が1個以上10個未満
△:フラックスが積層型封止用フィルムを透過した基板が10個以上50個未満
×:フラックスが積層型封止用フィルムを透過した基板が50個
(3)耐PCT性
積層型封止用フィルム(5mm×5mm)の保護層をはく離し、熱硬化型樹脂層面が図6の(a)及び(b)に示す構造の実験基板の開口部面側に接するようにホットロールラミネータ(大成ラミネーター株式会社製、商品名:VA−400III型)を使用して貼付けて(ラミネート条件:80℃、0.2MPa、0.5m/分)、170℃で1時間硬化して積層型封止用フィルム付き基板を作製した。この積層型封止用フィルム付き基板10個を飽和PCT(121℃、0.2MPa、湿度100%)中に48時間投入し、積層型封止用フィルムが剥がれた基板の個数で高温高湿信頼性を評価した(例:封止用フィルムが剥がれた基板が5個の場合は、「5/10」と表す。)。
製造例1で得られたフィルムA(熱硬化型樹脂層付き保護層)の熱硬化型樹脂層面が300μm厚のシリコンウエハ鏡面に接するようにホットロールラミネータ(大成ラミネーター株式会社製、商品名:VA−400III型)を使用して貼付け(ラミネート条件:80℃、0.2MPa、0.5m/分)、フィルム付きシリコンウエハを得た。その後、保護層をはく離して熱硬化型樹脂層側にダイシングテープ(古河電気工業株式会社製、商品名:UC−3004M−80)を貼付けた後、ダイシングカッターを用いて7×7mm角にダイシング後、洗浄、乾燥を行い、ダイシングテープをはく離して、樹脂層付き半導体素子を得た。
比較例1において、フィルムAに代えて製造例2で得られたフィルムBを用いること以外は、比較例1と全く同様の操作を実施した。評価結果を表2に示す。
比較例1において、フィルムAに代えて製造例3で得られたフィルムCを用いること以外は、比較例1と全く同様の操作を実施した。評価結果を表2に示す。
比較例1において、フィルムAに代えて製造例4で得られたフィルムDを用いること以外は、比較例1と全く同様の操作を実施した。評価結果を表2に示す。
(B) 熱可塑型樹脂層
(C) 熱硬化型樹脂層
(D) 保護層
5 基材(基板)
6 半導体素子
7 樹脂層
8 基板(42アロイ)
9 ダイシェア強度測定装置
10 250℃の熱盤
Claims (12)
- 基材層(A)/熱可塑型樹脂層(B)/熱硬化型樹脂層(C)の順で積層されてなる積層型封止用フィルムであって、
前記熱可塑型樹脂層(B)がポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂を含有し、
前記熱硬化型樹脂層(C)が、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTgが−50〜50℃である高分子量成分(c1)15〜85重量%及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分(c2)15〜85重量%を含む樹脂(c3)100重量部に対し、フィラー(c4)1〜300重量部を含有することを特徴とする積層型封止用フィルム。 - 基材層(A)/熱可塑型樹脂層(B)/熱硬化型樹脂層(C)/保護層(D)の順で積層されてなる積層型封止用フィルムであって、
前記熱可塑型樹脂層(B)がポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂を含有し、
前記熱硬化型樹脂層(C)が、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTgが−50〜50℃である高分子量成分(c1)15〜85重量%及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分(c2)15〜85重量%を含む樹脂(c3)100重量部に対し、フィラー(c4)1〜300重量部を含有することを特徴とする積層型封止用フィルム。 - 前記(c4)フィラーが無機フィラーである請求項1又は2に記載の積層型封止用フィルム。
- 前記熱可塑性樹脂が、下記一般式(I)で表される芳香族ジアミンを含有するジアミン類と、ジカルボン酸、ジカルボン酸の反応性酸誘導体、トリカルボン酸、トリカルボン酸の反応性酸誘導体、テトラカルボン酸及びテトラカルボン酸の反応性酸誘導体から選ばれる少なくとも一種の酸化合物とを反応させて得られるものである請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層型封止用フィルム。
(式(I)中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜9のアルキル基、炭素数1〜9のアルコキシ基又はハロゲン原子のいずれかであり、Xは単結合、−O−、−S−、−SO2−、−C(=O)−、−S(=O)−、あるいは下記式(Ia)で表される基のいずれかである。)
(式(Ia)中、R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ハロゲン原子又はフェニル基のいずれかである。) - 前記基材層(A)の厚さが5〜300μmである請求項1〜4のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルム。
- 前記熱硬化型樹脂層(C)の厚さが1〜600μmである請求項1〜5のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルム。
- 前記熱可塑型樹脂層(B)の厚さが1〜200μmである請求項1〜6のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルム。
- 前記保護層(D)の厚さが5〜300μmである請求項2〜7のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルム。
- 前記熱硬化型樹脂層(C)の硬化後の35℃での動的粘弾性測定装置における貯蔵弾性率が、200〜6000MPaである請求項1〜8のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルム。
- 前記熱可塑型樹脂層(B)の35℃での動的粘弾性測定装置における貯蔵弾性率が、500〜5000MPaである請求項1〜9のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルム。
- 電子部品用基板の回路面に、積層型封止用フィルムの熱硬化型樹脂層(C)が接するよう積層型封止用フィルムをラミネートして積層型封止用フィルム付き電子部品用基板を得る工程、
前記積層型封止用フィルム付き電子部品用基板から基材層(A)をはく離して、樹脂層付き電子部品用基板を得る工程、
前記樹脂層付き電子部品用基板の熱可塑性樹脂層(B)上あるいは電子部品用基板の回路面と反対の面上にダイシングテープをラミネートしてダイシングテープ付き電子部品用基板を得る工程、
前記ダイシングテープ付き電子部品用基板をダイシングして、所定の大きさのダイシングテープ付き電子部品を得る工程、
前記ダイシングテープ付き電子部品からダイシングテープをはく離して、樹脂層付き電子部品を得る工程
を含む電子部品の製造法に用いられる請求項1〜10のいずれか1項に記載の積層型封止用フィルム。 - 前記電子部品用基板の回路面が中空構造を有していることを特徴とする請求項11記載の積層型封止用フィルム。
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