JP4976481B2 - 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体チップ等の半導体素子を基板やリードフレーム等の被着体上に接着固定する際に用いられる熱硬化型ダイボンドフィルムに関する。また本発明は、当該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムに関する。また、本発明は、当該該熱硬化型ダイボンドフィルム、又は、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造された半導体装置に関する。

従来、半導体装置の製造過程に於いてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行う。

しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。

このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシングフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

このダイシングフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して形成チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。

一方、近年、複数の半導体チップが多段に積層された半導体装置が製造されており、半導体チップにワイヤーボンディングを行うワイヤーボンディング工程や、ダイボンドフィルムを熱硬化させる工程等に費やされる時間が長時間化する傾向にある。そのため、高温に長時間晒された結果、ダイボンドフィルムを構成する熱硬化性樹脂の重合が過度に進行して固くなり、ダイボンドフィルムと被着体との境界において気泡（ボイド）が成長する場合があった。このボイドは、被着体から半導体チップが剥離する原因となり、接着信頼性に欠けるといった問題があった。

特開昭６０−５７６４２号公報

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、ダイボンドフィルムと被着体との境界においてボイドが発生した場合であっても、このボイドを消失させ易くすることができ、被着体と半導体チップとの接着信頼性を向上させることが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、当該該熱硬化型ダイボンドフィルム又は当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造された半導体装置を提供することにある。

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、熱硬化型ダイボンドフィルム、及び該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、高温に長時間晒されたとしても、ダイボンドフィルムと被着体との境界においてボイドが成長することを抑制し、被着体と半導体チップとの接着信頼性を向上させることが可能であることを見出して本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、半導体チップの被着体への固着に用いる、接着剤層を少なくとも有する熱硬化型ダイボンドフィルムであって、前記接着剤層は、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含有するとともに、熱可塑性樹脂としての重量平均分子量１０万以上のアクリル樹脂を含有し、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計重量をＸとし、前記アクリル樹脂の重量をＹとしたとき、Ｘ／Ｙが０．０７〜０．７であり、１７５℃で１時間加熱処理した後の、加熱処理前を基準としたエポキシ基の減少率が６０％以下であることを特徴とする。

前記構成によれば、１７５℃で１時間加熱処理した後の、加熱処理前を基準としたエポキシ基の減少率が６０％以下であり、熱硬化反応の進行が抑えられ、架橋の進行が抑えられている。従って、接着剤層と被着体との境界にボイドが発生した場合であっても、モールド時の熱と圧力によりこのボイドを消失させ易くすることができる。その結果、被着体と半導体チップとの接着信頼性を向上させることが可能となる。

なお、１７５℃で１時間加熱処理した後の、加熱処理前を基準としたエポキシ基の減少率（以下、単に「減少率」ともいう）は、以下の（１）〜（４）のようにして求める。
（１）熱硬化前の熱硬化型ダイボンドフィルムの表面をフーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）にて、ＡＴＲ（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ ｔｏｔａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）法により測定し、芳香環の吸収帯（１４９７±１０ｃｍ^−１）における最大赤外吸収強度（Ａ１）と、エポキシ基の吸収帯（９０５±１０ｃｍ^−１）における最大赤外吸収強度（Ｂ１）との比（Ｂ１／Ａ１）を求める。
（２）測定した熱硬化型ダイボンドフィルムを１７５℃の条件下で１時間、加熱処理する。
（３）加熱処理後の熱硬化型ダイボンドフィルムの表面をＦＴ−ＩＲにて、ＡＴＲ法により測定し、芳香環の吸収帯（１４９７±１０ｃｍ^−１）における最大赤外吸収強度（Ａ２）と、エポキシ基の吸収帯（９０５±１０ｃｍ^−１）における最大赤外吸収強度（Ｂ２）との比（Ｂ２／Ａ２）を求める。
（４）下記式により減少率を求める。
（減少率（％））＝（１−（Ｂ２／Ａ２）／（Ｂ１／Ａ１））×１００

また、上記構成によれば、Ｘ／Ｙが０．０７以上であり、熱可塑性樹脂の含有割合が一定以上であるため、熱硬化後にある程度の弾性を持たせることができ、半導体チップが被着体から剥離することを防止することができる。また、Ｘ／Ｙが０．７以下であり、熱可塑性樹脂の含有割合が一定以下であるため、高温での接着力を確保することが可能となる。

また、熱可塑性樹脂としてのアクリル樹脂の重量平均分子量が１０万以上であるため、接着性及び耐熱性を高く保つことができる。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値をいう。

また、前記構成においては、前記アクリル樹脂は、グリシジル基を含有するアクリル重合体を含むことが好ましい。アクリル重合体にグリシジル基を含有させることにより、アクリル重合体との架橋を進行させ、接着剤層全体としての熱硬化反応の進行を抑えることができるからである。そして、接着剤層全体としての熱硬化反応の進行を抑えることができるため、熱硬化後の接着剤層の引張貯蔵弾性率を高く保つことが可能となる。

また、前記構成においては、前記接着剤層が、熱硬化触媒を含有しないことが好ましい。熱硬化触媒を含有させないことにより、エポキシ樹脂の重合反応の進行が抑えられ、接着剤層と被着体との境界におけるボイドの成長をより抑制することができるからである。

また、前記構成においては、１７５℃で１時間加熱処理した後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であることが好ましい。加熱処理後の２６０℃での引張貯蔵弾性率を０．５ＭＰａ以上とすることにより、半導体チップの被着体からの剥離を起こり難くすることができるからである。

また、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、前記に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルム上に積層されていることを特徴とする。

また、本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決する為に、前記に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム、又は、ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造されていることを特徴とする。

本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 図１に示したダイシング・ダイボンドフィルムに於ける接着剤層を介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。 図１に示したダイシング・ダイボンドフィルムに於ける接着剤層を介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。 図１に示したダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介して接着剤層により３次元実装した例を示す断面模式図である。

（ダイシング・ダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。

図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１２のように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。

前記基材１は紫外線透過性を有し、かつダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。

また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。

前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシングフィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。

前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。即ち、図１に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。

この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層２に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層２の前記部分２ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２に於ける前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。

尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。

ダイボンドフィルム３、３’は、接着剤層の単層のみからなり、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含有するとともに、熱可塑性樹脂としての重量平均分子量１０万以上のアクリル樹脂を含有している。なお、本実施形態では、ダイボンドフィルム３、３’が接着剤層の単層のみからなる場合について説明するが、本発明において、ダイボンドフィルム３、３’の積層構造は特に限定されず、例えば、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等であってもよい。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のなかでも、エポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ以上５００ｇ／ｅｑ以下のものが好ましく、１５０ｇ／ｅｑ以上４００ｇ／ｅｑ以下のものがより好ましい。耐熱性、及び、反応コントロール性に優れるからである。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に規定された電位差滴定方法に従って測定される。

前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のなかでも、水酸基当量が１００ｇ／ｅｑ以上５００ｇ／ｅｑ以下のものが好ましく、１５０ｇ／ｅｑ以上４００ｇ／ｅｑ以下のものがより好ましい。耐熱性、及び、反応コントロール性に優れるからである。上記フェノール樹脂のなかでも、耐熱性及び反応コントロール性の点から、フェノールアラルキル樹脂、フェノールビフェニル樹脂が特に好ましい。なお、水酸基当量は、ＪＩＳ Ｋ００７０に規定された電位差滴定方法に従って測定される。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

前記アクリル樹脂は、重量平均分子量１０万以上であり、好ましくは、３０万〜１００万である。重量平均分子量が１０万以上であると、接着性及び耐熱性を高く保つことができるからである。

また、前記アクリル樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）は、−３０℃以上３０℃以下であることが好ましく、−２０℃以上１５℃以下であることがより好ましい。−３０℃以上とすることにより半導体ウェハへの接着性を充分なものとすることができるからである。また、３０℃以下とすることにより、タックを抑えて取り扱い性を向上させることができるからである。なお、ガラス転移点は、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）によって測定される損失正接（ｔａｎδ）の極大値により得られる。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等の様なグリシジル基含有モノマー、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー、スチレンモノマー、又は、アクリロニトリルが挙げられる。

前記アクリル樹脂中に含まれる、グリシジル基を含有するアクリル重合体の割合は、アクリル樹脂１００重量部に対して、８０〜１００重量部が好ましく、９０〜１００重量部がより好ましい。

前記グリシジル基を含有するアクリル重合体は、グリシジル基含有モノマーと、グリシジル基を含有しないモノマーとの共重合体とすることが好ましく、その混合比率は、例えば、共重合体のＴｇを考慮して適宜選択することができる。通常は、原料モノマー合計１００重量部に対して、グリシジル基含有モノマーを０．５〜１２．０重量部、グリシジル基を含有しないモノマーを８８．０〜９９．５重量部とするのが好ましい。この場合、グリシジル基を含有しないモノマーとして、エチル（メタ）アクリレート、及び／又は、ブチル（メタ）アクリレートを用いることが好ましい。また、グリシジル基を含有しないモノマーとして、凝集力向上の点からアクリロニトリルを用いることも好ましい。

前記アクリル樹脂は、エポキシ価が０．０３〜０．５ｅｑ／ｋｇであるものが好ましく、０．０５〜０．４５ｅｑ／ｋｇであるものがより好ましい。エポキシ価を０．０３ｅｑ／ｋｇ以上とすることにより、熱硬化後の高温条件下における弾性率を充分なものとすることができるからである。また、０．５ｅｑ／ｋｇ以下とすることにより、室温保存性を向上させることができるからである。なおエポキシ価は、以下のように測定される。
（エポキシ価の測定方法）
試料約３〜４ｇを１００ｍｌのコニカルフラスコに精秤し、クロロホルム１０ｍｌを加えて溶解する。さらに、酢酸３０ｍｌ、テトラエチルアンモニウムブロマイド溶液５ｍｌ及びクリスタルバイオレット指示薬４〜６滴を加え、マグネチックスターラーで攪拌しながら、０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酸酢酸規定液で滴定する。また、同様の方法でブランクテストを行う。そして、次式によりエポキシ価が得られる。
（エポキシ価）＝（（Ｖ−Ｂ）×０．１×Ｆ）／（Ｗ×Ｎ）
Ｗ：精秤した試料のｇ数
Ｂ：ブランクテストに要した０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酸酢酸規定液のｍｌ数
Ｖ：試料の滴定に要した０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酸酢酸規定液のｍｌ数
Ｆ：０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酸酢酸規定液のファクター
Ｎ：固形分（％）

前記アクリル樹脂の配合割合は、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計重量をＸとし、前記アクリル樹脂の重量をＹとしたときのＸ／Ｙが０．０７〜０．７である。前記Ｘ／Ｙは、０．０７〜０．６であることが好ましく、０．０７〜０．４５であることがより好ましい。前記Ｘ／Ｙを０．０７以上とすることにより、熱硬化後の２６０℃での引張貯蔵弾性率を０．５ＭＰａ以上とすることができるからである。また、前記Ｘ／Ｙを０．７以下とすることにより、高温条件下での接着力を確保することができるからである。

また、ダイボンドフィルム３、３’には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。

前記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍであることが好ましく、０．００１〜１μｍであることがより好ましい。前記フィラーの平均粒径を０．００５μｍ以上とすることにより、被着体への濡れ性、及び、接着性を良好とすることができるからである。また、１０μｍ以下とすることにより、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができるとともに、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。

前記フィラー配合量は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び、アクリル樹脂の合計１００重量部に対して、０〜８０重量％に設定することが好ましく、０〜７０重量％がより好ましい。

尚、ダイボンドフィルム３、３’には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

ダイボンドフィルム３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、１〜２００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍである。

前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２のダイボンドフィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

ダイボンドフィルム３、３’は、１７５℃で１時間加熱処理した後の、加熱処理前を基準としたエポキシ基の減少率が６０％以下である。前記減少率は、５５％以下が好ましく、５０％以下がより好ましい。減少率が５０％以下であり、熱硬化反応の進行が抑えられているため、熱硬化後であってもダイボンドフィルム３、３’がある程度の弾性を有することとなり、ダイボンドフィルム３、３’と被着体との境界においてボイドが成長することを抑制することができるからである。

また、ダイボンドフィルム３、３’は、１７５℃で１時間加熱処理した後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であることが好ましく、０．６ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることがより好ましい。加熱処理後の２６０℃での引張貯蔵弾性率を０．５ＭＰａ以上とすることにより、半導体チップ５の被着体からの剥離を起こり難くすることができるからである。尚、ダイボンドフィルム３、３’を加熱処理する際の加熱条件については、後段にて詳述する。

また、ダイボンドフィルム３、３’は、熱硬化触媒を含有しないことが好ましい。熱硬化触媒を含有させないことにより、エポキシ樹脂の重合反応の進行が抑えられ、ダイボンドフィルム３、３’と被着体との境界におけるボイドの成長をより抑制することができるからである。

本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。

ダイボンドフィルム３、３’は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイボンドフィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。

次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。

続いて、ダイシングフィルム１１及び接着剤層からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。

（半導体装置の製造方法）
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、ダイボンドフィルム３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図３を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。図３は、図１に示したダイシング・ダイボンドフィルムに於ける接着剤層を介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。

先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に於けるダイボンドフィルム３のワーク貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り付け工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。

次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。

ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である為、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。

ピックアップした半導体チップ５は、ダイボンドフィルム３を介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

ダイボンドフィルム３は熱硬化型であるので、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。尚、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。

熱硬化後のダイボンドフィルム３の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。

尚、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンドフィルム３の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップ５を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアしてもよい。この場合、ダイボンドフィルム３の仮固着時の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の仮固着時に於ける剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。

前記のワイヤーボンディングは、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である（図３参照）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行してもよい。

前記封止工程は、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する工程である（図３参照）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。

また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、図４に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、図１に示したダイシング・ダイボンドフィルムに於ける接着剤層を介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１つのダイボンドフィルム３を被着体６上にダイボンドした後、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、ダイボンドフィルム１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けてダイボンドする。更に、他の半導体チップ１５をダイボンドフィルム１３上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。

次に、ダイボンドフィルム３、１３の熱硬化を行い、その後、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。

半導体チップの３次元実装の場合、半導体チップ５、１５と、被着体６とを接続するボンディングワイヤー７の数が多くなるため、ワイヤーボンディング工程に費やされる時間が長時間化する傾向にあり、高温に長時間晒されることになる。しかしながら、ダイボンドフィルム３、１３によれば、高温に長時間晒された場合であっても、熱硬化反応の進行を抑えることが可能となる。

また、図５に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積層させた３次元実装としてもよい。図５は、図１に示したダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介して接着剤層により３次元実装した例を示す断面模式図である。

図５に示す３次元実装の場合、先ず被着体６上にダイボンドフィルム３、半導体チップ５及びダイボンドフィルム２１を順次積層してダイボンドする。更に、ダイボンドフィルム２１上に、スペーサ９、ダイボンドフィルム２１、ダイボンドフィルム３及び半導体チップ５を順次積層してダイボンドする。

次に、ダイボンドフィルム３、２１の熱硬化を行い、その後、図５に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ５側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ５を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂８を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば１７０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。

尚、前記スペーサ９としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。また、前記スペーサとしてコア材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等を使用できる。

次に、プリント配線板上に、前記の半導体パッケージを表面実装する。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めハンダを供給した後、温風等により加熱溶融しハンダ付けを行うリフローはんだ付けが挙げられる。加熱方法としては、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、全体加熱、局部加熱の何れの方式でもよい。加熱温度は２３０〜２８０℃、加熱時間は１〜３６０秒の範囲内であることが好ましい。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

（実施例１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−７２００Ｈ、エポキシ当量２８０）
９重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１７０） １３重量部
（ｃ）アクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、重量平均分子量３５万、エポキシ価０．０７、Ｔｇ１１℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６０重量部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。

（実施例２）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鉄化学（株）製、ＥＳＮ−１７５Ｓ、エポキシ当量２７０）
１５重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１７０） ２０重量部
（ｃ）アクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、重量平均分子量３５万、エポキシ価０．０７、Ｔｇ１１℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６０重量部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＢを作製した。

（実施例３）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−７２００Ｈ、エポキシ当量２８０）
３重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１７０） ５重量部
（ｃ）アクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、重量平均分子量３５万、エポキシ価０．０７、Ｔｇ１１℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６０重量部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＣを作製した。

（実施例４）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−７２００Ｈ、エポキシ当量２８０）
２０重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１７０） ３５重量部
（ｃ）アクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、重量平均分子量３５万、エポキシ価０．０７、Ｔｇ１１℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６０重量部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＤを作製した。

（比較例１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−７２００Ｈ、エポキシ当量２８０）
２重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１７０） ３重量部
（ｃ）アクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７ＣＭ、重量平均分子量４０万、エポキシ価０、Ｔｇ１８℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６０重量部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＥを作製した。

（比較例２）
下記（ａ）〜（ｅ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−７２００Ｈ、エポキシ当量２８０）
２０重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１７０） ３０重量部
（ｃ）アクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、重量平均分子量３５万、エポキシ価０．０７、Ｔｇ１１℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６０重量部
（ｅ）熱硬化触媒（トリフェニルフォスファイト、北興化学（株）製） ０．５重量部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＦを作製した。

（比較例３）
比較例３に於いては、上記（ｅ）の熱硬化触媒として（ｅ）熱硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ）を用い、添加量を２重量部としたこと以外は、前記比較例２と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＧを作製した。

（比較例４）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−７２００Ｈ、エポキシ当量２８０）
３５重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１７０） ４０重量部
（ｃ）アクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、重量平均分子量３５万、エポキシ価０．０７、Ｔｇ１１℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６０重量部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＨを作製した。

（減少率）
以下の（１）〜（４）のようにして求めた。
（１）ダイボンドフィルムＡ〜Ｈについて、その表面をＦＴ−ＩＲ（サーモフィッシャーサイエンティフィック（株）社製、Ｎｉｃｏｌｅｔ ＩＲ２００）にて、ＡＴＲ法により測定し、芳香環の吸収帯（１４９７±１０ｃｍ^−１）における最大赤外吸収強度（Ａ１）と、エポキシ基の吸収帯（９０５±１０ｃｍ^−１）における最大赤外吸収強度（Ｂ１）との比（Ｂ１／Ａ１）を求めた。
（２）次に、測定したダイボンドフィルムＡ〜Ｈを１７５℃の条件下で１時間、加熱処理した。
（３）加熱処理後のダイボンドフィルムＡ〜Ｈの表面を上記ＦＴ−ＩＲにて、ＡＴＲ法により測定し、芳香環の吸収帯における最大赤外吸収強度（Ａ２）と、エポキシ基の吸収帯における最大赤外吸収強度（Ｂ２）との比（Ｂ２／Ａ２）を求めた。
（４）下記式によりダイボンドフィルムＡ〜Ｈについてそれぞれ減少率を求めた。
（減少率（％））＝（１−（Ｂ２／Ａ２）／（Ｂ１／Ａ１））×１００
結果を表１に示す。

（加熱処理後の２６０℃での引張貯蔵弾性率の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｈについて、１７５℃の条件下で１時間、加熱処理した。その後、それぞれ幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、固定粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−５０〜３００℃での引張貯蔵弾性率を周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定した。その際の２６０℃における測定値を表１に示す。

（ボイド評価１）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｈをそれぞれ４０℃の条件下で５ｍｍ角の半導体チップに貼り付け、剥離ライナーを剥がした後、１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件下で、表面に凹凸のあるＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）基板にマウントした。次に、１２０℃にて１０時間の熱処理を施し、封止樹脂（ＧＥ−１００、日東電工社製）を用いて封止した。樹脂封止後、ボイドを超音波顕微鏡にて観察し、ボイドの面積を求めた。ボイドの面積は、二値化ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ ｖｅｒ．５．６）を使用して求めた。ボイドの面積がダイボンドフィルムの表面積に対して１０％未満であったものを○、１０％以上であったものを×として評価した。結果を表１に示す。なお、上記の表面に凹凸のあるＢＧＡ基板とは、基板上の任意に選択した３列について測定した表面粗さ（中心線平均粗さＲａ）が２μｍ以上であるＢＧＡ基板をいう。上記表面粗さは、卓上型表面プロファイラ（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、Ｐ−１５）にて測定した。

（ボイド評価２）
樹脂封止前の上記熱処理の条件を１７５℃にて１時間とした以外は、上記ボイド評価１と同様にして試料を作成し、ボイドの面積を求めた。ボイドの面積がダイボンドフィルムの表面積に対して１０％未満であったものを○、１０％以上であったものを×として評価した。結果を表１に示す。

（吸湿信頼性１）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｈをそれぞれ４０℃の条件下で５ｍｍ角の半導体チップに貼り付け、剥離ライナーを剥がした後、１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件下でＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）基板にマウントした。このような試料を、ダイボンドフィルムＡ〜Ｅについてそれぞれ９個作成した。次に、１２０℃にて１０時間の熱処理を施し、封止樹脂（ＧＥ−１００、日東電工社製）を用いて封止した。次に、８５℃、６０％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置した。その後、２６０℃以上の温度を１０秒保持するように温度設定したＩＲリフロー炉に通過させ、超音波顕微鏡にて半導体チップとＢＧＡ基板との界面に剥離が発生しているか否かを観察した。観察の結果、剥離が生じた確率を算出した。

（吸湿信頼性２）
樹脂封止前の上記熱処理の条件を１７５℃にて１時間とした以外は、上記吸湿信頼性１と同様にして試料を作成し、観察した。観察の結果、剥離が生じた確率を算出した。

（結果）
下記表１の結果から分かる通り、実施例１、２のダイボンドフィルムにおいては、ボイドの面積が少なく、吸湿信頼性に優れていた。一方、比較例１のダイボンドフィルムでは、ボイドの占める面積は少なかったが、吸湿信頼性に劣っていた。また、比較例２及び比較例３のダイボンドフィルムでは、ボイドの占める面積が多く、吸湿信頼性に劣っていた。

１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、１２ ダイシング・ダイボンドフィルム
１１ ダイシングフィルム
１３ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
１５ 半導体チップ
２１ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）

Claims (6)

1. 半導体チップの被着体への固着に用いる、接着剤層を少なくとも有する熱硬化型ダイボンドフィルムであって、
   前記接着剤層は、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含有するとともに、熱可塑性樹脂としての重量平均分子量１０万以上のアクリル樹脂を含有し、
   前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計重量をＸとし、前記アクリル樹脂の重量をＹとしたとき、Ｘ／Ｙが０．０７〜０．７であり、
   １７５℃で１時間加熱処理した後の、加熱処理前を基準としたエポキシ基の減少率が６０％以下であることを特徴とする熱硬化型ダイボンドフィルム。
2. 前記アクリル樹脂は、グリシジル基を含有するアクリル重合体を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
3. 前記接着剤層は、熱硬化触媒を含有しないことを特徴とする請求項１又は２に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
4. １７５℃で１時間加熱処理した後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
5. 請求項１〜４のいずれか１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルム上に積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。
6. 請求項１〜４のいずれか１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム、又は、請求項５に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。

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