JP4882261B2 - 高分子錯体化合物およびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Description

本発明は高分子錯体化合物、および高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤということがある。）に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体（以下、３重項発光錯体ということがある）を発光層に用いた素子が発光材料として有用であることが知られている。
そして、主鎖が芳香環から構成される高分子の分子内に三重項発光錯体の構造を含む高分子錯体化合物が開示されている（特許文献１）。

特開２００３−７３４８０号

本発明の目的は、発光材料として有用な、新規な高分子錯体化合物、該高分子錯体化合物を用いた高分子発光素子を提供することにある。

すなわち本発明は、下記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０³〜１×１０⁸である高分子錯体化合物を提供するものである。

（１）

〔式中、Ａ₁は、下式（２）

−（Ｘ）ｍ―（Ｙ₁）ｎ―（Ｚ）ｐ−Ｙ₂ （２）

（式中、Ｘは、―Ｒ₁−、−Ｏ―Ｒ₁−、−Ｒ₁−Ｏ−、−Ｒ₁−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₁−（Ｏ）ＣＯ−または−Ｒ₁−Ｎ（Ｒ₂₀）−を表し、Ｙ₁は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ｚは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−（Ｏ）ＣＯ−、―Ｒ₁−、−Ｏ―Ｒ₁−、−Ｒ₁−Ｏ−、−Ｒ₁−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₁−（Ｏ）ＣＯ−、−Ｒ₁−Ｎ（Ｒ₂₀）−、−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｙ₂は１価の金属錯体基を表す。ｍ，ｎおよびｐは、それぞれ独立に０または１であり、Ｒ₁は、アルキレン基またはアルケニレン基を表し、Ｒ₂₀は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−におけるＲ₂₀は、同一でも異なっていてもよい。）
で示される基を表し、
Ｂ₁は、上記式（２）で示される基、アリール基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルキル基、アリールオキシアルコキシ基、アリールアミノ基、置換シリルオキシ基、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基またはアルキルアミノ基を表す。〕

本発明の高分子錯体化合物は、発光材料として有用である。該高分子錯体化合物を用いた高分子発光素子は高性能であり、バックライトとしての面状光源，フラットパネルディスプレイ等の装置として使用できる。

本発明の高分子錯体化合物は、上記式（１）で示される繰り返し単位を１種類以上含む。

上記式（１）におけるＡ₁は、上記式（２）で表される基である。
上記式（２）において、Ｘは、―Ｒ₁−、−Ｏ―Ｒ₁−、−Ｒ₁−Ｏ−、−Ｒ₁−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₁−（Ｏ）ＣＯ−または−Ｒ₁−Ｎ（Ｒ₂₀）−を表す。
ここに、Ｒ₁は、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。
アルキレン基は、炭素数が通常１〜２０程度であり、その具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ｉ−プロピレン基、ブチレン基、 ｉ−ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、２−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ラウリレン基などが挙げられる。

アルケニレン基は、炭素数が通常１〜２０程度であり、その具体例としては、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、ヘキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基、２−エチルヘキセニレン基、ノニレン基、デセニレン基、３，７−ジメチルオクテニレン基などがあげられる。
また、Ｒ₁は、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。

また、Ｒ₂₀は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。
Ｒ₂₀における、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、 ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられる。

アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

また、１価の複素環基は、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が通常４〜６０程度であり、その具体例としては、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

上記式（２）において、Ｙ₁は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表す。該Ｙ₁は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基などの置換基を有していてもよい。
Ｙ₁が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。

ここに、アリーレン基は、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた残りの原子団であり、炭素数が、通常６〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。アリーレン基には縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。

アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセニレン基（下図の式１４〜１９）、ビフェニレン基（下図の式２０〜２５）、トリフェニレン基（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３８）、スチルベン−ジイル（下図ＡからＤ）、ジスチルベン−ジイル（下図Ｅ，Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル（下図Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）などが例示される。
中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレンージイル基（下図の式３６〜３８）、スチルベン−ジイル（下図ＡからＤ）、ジスチルベン−ジイル（下図Ｅ，Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル（下図Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）が好ましい。合成の容易さからは、フェニレン基がより好ましい。

上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋにおいて、Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。

ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、 ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、 ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、 ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、 ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、 ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜６０程度であり、その具体例としては、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、 ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、 ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げられ、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基が好ましい。

アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数が通常１〜４０程度であり、その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、 ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、 ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。

アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、 Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示され、 Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。

アリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルオキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルオキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

アリールアミノ基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。

１価の複素環基は、炭素数が通常４〜６０程度であり、その具体例としては、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。

上記置換基がアルキルを含む基の場合は、該アルキルは、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基としては、例えば、以下の基が挙げられる。

ここで、Ｒ’としては、例えば、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜６０の１価の複素環基が挙げられる。

本発明の高分子錯体化合物の溶媒への溶解性を高めるためには、Ｒのうちの１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。また、複数のＲが連結して環を形成していてもよい。 Ｒのうち、アルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよい。直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシクロヘキシル基などが例示される。

上記式（２）のＹ₁において、２価の複素環基は、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が通常４〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。２価の複素環基のなかでは２価の芳香族複素環基が好ましい。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいい、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む基；ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基：（下図の式９９〜１０８）が挙げられる。
ヘテロ原子として硫黄などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１０９〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１１〜１１７）が挙げられる。
中でも、ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）、ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１１〜１１７）が好ましい。

上記式３９〜１１７において、Ｒは、前記と同じ意味を表す。

上記式（２）のＹ₁において、２価の芳香族アミン基は、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が通常４〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。２価の芳香族アミン基としては、例えば、下記一般式（１１）で示される基が挙げられる。

式中、Ａｒ₂₀およびＡｒ₂₂はそれぞれ独立に置換基を有してもよいアリーレン基、一般式（１２）で表される基、または一般式（５）で表される基である。Ａｒ₂₁は、置換基を有してもよいアリール基、一般式（６）で表される基または一般式（７）で表される基を示す。また、Ａｒ₂₀とＡｒ₂₁の間、Ａｒ₂₁とＡｒ₂₂の間、またはＡｒ₂₀とＡｒ₂₂の間に環を形成していてもよい。

式中、Ａｒ₈およびＡｒ₉は、それぞれ独立に置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ｒ₇およびＲ₈は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｌは０または１である。

式中、Ａｒ₁₀およびＡｒ₁₁は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₂は、置換基を有してもよいアリール基である。また、Ａｒ₁₀とＡｒ₁₂の間、Ａｒ₁₀とＡｒ₁₁の間、またはＡｒ₁₁とＡｒ₁₂の間に環を形成していてもよい。

式中、Ａｒ₁₃は、置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₆およびＡｒ₁₇は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基である。また、Ａｒ₁₃とＡｒ₁₆の間、Ａｒ₁₃とＡｒ₁₇の間、またはＡｒ₁₆とＡｒ₁₇の間に環を形成していてもよい。

式中、Ａｒ₁₄は、置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₅は、置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒ₁₁およびＲ₁₂は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｒは０または１である。

上記式（１１）のＡｒ₂₀、Ａｒ₂₂、（１２）のＡｒ₈、Ａｒ₉、式（５）のＡｒ₁₀、Ａｒ₁₁、式（６）のＡｒ₁₃、式（７）のＡｒ₁₄は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
また上記式（１１）のＡｒ_21、上記式（５）のＡｒ₁₂、上記式（６）のＡｒ₁₆とＡｒ₁₇、上記式（７）のＡｒ₁₅はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。

２価の芳香族アミン基として、具体的には以下の基が例示される。

上記式１１８〜１２２において、Ｒは、前記と同じ意味を表す。

上記式（２）においてｎは、０または１を表し、
Ｚは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−（Ｏ）ＣＯ−、―Ｒ₁−、−Ｏ―Ｒ₁−、−Ｒ₁−Ｏ−、−Ｒ₁−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₁−（Ｏ）ＣＯ−、−Ｒ₁−Ｎ（Ｒ₂₀）−基、−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）− または −Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｒ₁、Ｒ₂₀は、前記と同じ意味を表し、ｐは、０または１を表す。

上記式（２）においてＹ₂は１価の金属錯体基を表す。

Ｙ₂で表される１価の金属錯体基としては、金属錯体の配位子から水素原子を除いた１価の残基があげられる。ここに、金属錯体としては、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体（三重項発光錯体）があげられる。
ここに三重項励起状態からの発光を示す金属錯体としては、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれる。

Ｙ₂としては、下記式（Ｘ−１）で示されるものがあげられる。

式中、Ｍは、原子番号５０以上の原子で、スピン−軌道相互作用により本高分子錯体化合物において１重項状態と３重項状態間の項間交差を起こし得る金属を示す。Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子または燐原子の１つ以上を含み、該原子の１つ以上を介してＭと結合する配位子である。Ｌ¹は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アルケン、アルキン、アミン、イミン、アミド基、酸イミド基、イソニトリル配位子、シアノ基、ホスフィン、ホスフィンオキシド配位子、亜リン酸エステル、スルホン配位子、スルホキシド配位子、スルホネート基、スルフィド、複素環配位子、カルボキシル基、カルボニル化合物およびエーテルが挙げられ、これらを組合わせた多座の配位子であってもよい。

ここにＭは、通常、原子番号５０以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、１重項状態と３重項状態間の項間交差を起こしうる金属である。好ましくは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウム、イットリビウム原子であり、より好ましくは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン原子であり、さらに好ましくは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム原子であり、もっとも好ましくは金、白金、イリジウム、レニウム原子である。

Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子の１つ以上を含み、該原子の１つ以上を介してＭと結合する配位子であり、Ｌ¹がＬ（ここで、Ｌは、上式（２）のｐ＝１のとき、Ｚであり、ｐ＝０のとき、Ｙ₁であり、ｐ＝ｎ＝０のとき、Ｘであり、ｐ＝ｎ＝ｍ＝０のとき、Ｓｉである。以下、同様の意味を表す。）と結合手をもたない場合、ＡｒのＭと結合しない任意の位置に、Ｌと結合する結合手を有する。

Ａｒとしてはたとえば、ピリジン環、チオフェン環、ベンゾオキサゾール環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子が挙げられる。
好ましいものとしては、Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる２つの原子で、Ｍと結合して５員環を形成する２座配位子である場合：
フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジンなど
Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか３つの原子でＭと結合する３座配位子である場合：
２，２’：６’，２”−ターピリジン、１，３−ジ（２−ピリジル）ベンゼンなどが挙げられる。
Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか４つの原子でＭと結合する４座配位子である場合：
４つのピロール環が環状につながった配位子である7,8,12,13,17,18-ヘキサキスエチル-21H,23H-ポルフィリンなどが挙げられる。
Ａｒは置換基を有していてもよく、その例として、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基が挙げられる。
Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる２つの原子で、Ｍと結合して５員環を形成する２座配位子である場合、Ｍが少なくとも１つの炭素原子と結合するとさらに好ましく、Ａｒが下記式（９）、（９−０）、（９−１）、（９−２）で示される２座配位子である時、より好ましい。

式（９）中、Ｒ^a〜Ｒ^hは、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a〜Ｒ^hのうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

式（９−０）中、Ｔ¹はＳまたはＯであり、Ｒⁱ〜Ｒⁿは、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。また、ＲⁱとＲ^jは環を形成していても良く、その場合、縮環したベンゼン環であってもよい。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒⁱ〜Ｒ^jのうち少なくとも１つはＬとの結合手である。また、ＲⁱとＲ^jは環を形成していても良く、その場合、縮環したベンゼン環であってもよい場合、縮環したベンゼン環上の置換基の少なくとも１つがＬとの結合手であってもよい。

式（９−１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^j1は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a1〜Ｒ^j1のうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

式（９−２）中、Ｒ^a2〜Ｒ^j2は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a2〜Ｒ^j2のうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか３つの原子でＭと結合する３座配位子である場合、Ａｒが下記式（９−３）または（９−４）で示される３座配位子である時、より好ましい。

式（９−３）中、Ｒ^a3〜Ｒ^k3は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a3〜Ｒ^k3のうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

式（９−４）中、Ｒ^a4〜Ｒ^k4は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a4〜Ｒ^k4のうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

Ａｒとしては、以下のものが例示される。

ここに、Ｒ’’は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｒ’’は互いに結合して環を形成してもよい。溶媒への溶解性を高めるために、Ｒ’’の少なくとも１つが長鎖のアルキル基を含むことが好ましい。但し、ＡｒがＬとの結合手をもつ場合、Ｒ"の少なくとも１つがＬとの結合手であってもよい。

Ｒ’’におけるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、よう素が例示される。

アルキル基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、 ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アルコキシ基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、 ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、 ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

アリール基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ペンタフルオロフェニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

アリールオキシ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、ピリジルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、ピリミジルオキシ基、ピラジルオキシ基、トリアジルオキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。

アリールチオ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基が好ましい。

アリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

アリールアルキルチオ基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が好ましい。

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。

具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。また、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基などが例示される。

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられ、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。

具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基等が挙げられ、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基が好ましい。また、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。

アシル基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。

アシルオキシ基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。

イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

アミド基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示され、スクシンイミド基、フタル酸イミド基などのイミド類も含まれる。

アリールアルケニル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

上記式（Ｘ−１）中、ｏは、０〜５の整数を示し、ｐは、１〜５の整数を示す。

上記置換基がアルキルを含む基の場合は、該アルキルは、不飽和結合を含有するものも含まれる。また、該アルキルは、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。

上記式（Ｘ−１）中、Ｌ¹は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アルケン配位子、アルキン配位子、アミン配位子、イミン配位子、アミド基、酸イミド基、イソニトリル配位子、シアノ基、ホスフィン配位子、ホスフィンオキシド配位子、亜リン酸エステル配位子、スルホン配位子、スルホキシド配位子、スルホネート基、スルフィド配位子、複素環配位子、カルボキシル基、カルボニル配位子、エーテル配位子が挙げられ、これらを組合わせた多座の配位子であってもよい。

Ｌ¹において、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基については、上記Ｒ''に記載の基が例示される。

アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等が挙げられる。

アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等が挙げられる。

アミン配位子としては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジメチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミンなどのモノアミン、１，１，２，２−テトラメチルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラフェニルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラメチル−ｏ−フェニレンジアミンなどのジアミンが例示される。

イミン配位子としては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、例えばベンジリデンアニリン、ベンジリデンベンジルアミン、ベンジリデンメチルアミンなどのモノイミン、ジベンジリデンエチレンジアミン、ジベンジリデン−ｏ−フェニレンジアミン、２，３−ビス（アニリノ）ブタンなどのジイミンが例示される。

アミド基としては特に限定されるものではないが、上記Ｒ''に記載の基が例示される。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基があげられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。具体的には以下に示す基が例示される。

イソニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ｔ−ブチルイソニトリルまたはフェニルイソニトリル等が挙げられる。

ホスフィン配位子としては、Ｍとリン原子で配位結合するものであって、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンが例示される。

ホスフィンオキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリブチルホスフィンオキシドまたはトリフェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。

亜リン酸エステル配位子としては、Ｍとリン原子で配位結合するものであって、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリベンジルホスファイトが例示される。

スルホン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホンまたはジブチルスルホン等が挙げられる。

スルホキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホキシドまたはジブチルスルホキシド等が挙げられる。

スルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。

スルフィド配位子としては、Ｍと硫黄原子と配位結合するものであって、ジメチルスルフィド、ジフェニルスルフィド、チオアニソールが例示される。

複素環配位子としては、０価でも１価でもよく、０価のものとしては例えば、２，２‘−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジンなどから水素原子１個を除いた原子団が例示され、１価のものとしては例えば、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾールなどから水素原子１個を除いた原子団が例示される。

カルボキシル基としては特に限定されるものではないが、例えば、アセトキシ基、ナフテネート基または２−エチルヘキサノエート基等が挙げられる。

カルボニル配位子としては、Ｍと酸素原子で配位結合するものであって、一酸化炭素やアセトン、ベンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類が例示される。

エーテル配位子としては、Ｍと酸素原子で配位結合するものであって、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどが例示される。

これらが結合した多座の配位子（２座以上の基）としてはフェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、１，３−ジ（２−ピリジル）ベンゼンなど、複素環とベンゼン環が結合した基、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン、２，２’：６’，２”−ターピリジン、2,3,７,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリンなど、２つ以上の複素環が結合した基、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート類が例示される。

ＡｒがＬとの結合手をもたない場合、Ｌ¹がＬとの結合手を有し、その場合、Ｌ¹としては、上記具体例から選ばれるものから水素原子１個を除いた原子団である。従って、Ｌ¹がＬとの結合手を有する場合には、Ｌ¹としては、水素原子、ハロゲン原子は除かれ、例えば、以下のものが挙げられる。

複素環配位子としては、０価でも１価でもよく、０価のものとしては例えば、２，２‘−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン、２，２’：６’，２”−ターピリジンなどから水素原子１個を除いた原子団が例示され、１価のものとしては例えば、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、１，３−ジ（２−ピリジル）ベンゼンなどから水素原子１個を除いた原子団が例示され、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート配位子などから水素原子１個を除いた原子団が例示される。アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等から水素原子１個を除いた原子団が挙げられる。アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等から水素原子１個を除いた原子団が挙げられる。

この配位子のＭとの結合は、配位結合でも、共有結合でもよい。また、これらを組合わせた多座配位子であってもよい。

また、上記式（Ｘ-１）の具体的な構造としては、下記構造式（ＰＬ−１）〜（ＰＬ−３７）で示す３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、１つのＲ’または、Ｒ’中の１つの水素を除いた残基があげられる。

ここで、Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が低いことが好ましい。

式（2）の基の具体例としては、例えば、ｍ、ｎ、ｐが０の場合、従来から３重項励起状態からの発光を示す金属錯体（三重項発光錯体：例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれる。）の配位子から１個の水素原子を除いた残基または配位子上の置換基から１個の水素原子を除いた残基であるものがあげられ。
ここに、３重項発光錯体としては、例えば、従来から低分子系のEL発光性材料として利用されてきたものがあげられる。これらは、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852等に開示されている。

上記（２）で表される基としては、具体的には、以下のような基が挙げられる。

式（1）において、Ｂ₁は、上記式（２）で示される基、アリール基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルキル基、アリールオキシアルコキシ基、アリールアミノ基、置換シリルオキシ基、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基またはアルキルアミノ基を表し、上記式（２）で示される基、アリール基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基が好ましい。

アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、 ｉ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基などが挙げられる。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、 ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、 ｉ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、フェニルプロピルオキシ基、フェニルブチルオキシ基などが挙げられる。

アルキルオキシカルボニル基は、炭素数が通常１〜４０程度であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、 ｉ−プロピルオキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、 ｉ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、フェニルプロピルオキシカルボニル基、フェニルブチルオキシカルボニル基などが挙げられる。

アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数が通常１〜４０程度であり、その具体例としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、 ｉ−ブチル基カルボニルオキシ、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、ヘプチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基、ノニルカルボニルオキシ基、デシルカルボニルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルカルボニルオキシ基、ラウリルカルボニルオキシ基、フェニルプロピルカルボニルオキシ基、フェニルブチルカルボニルオキシ基などが挙げられる。

置換シリルオキシ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基があげられ、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。アルキルシリルオキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、該アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。

具体的には、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリ−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ジメチル−ｉ−プロピリシリルオキシ基、ジエチル−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルオキシ基、ペンチルジメチルシリルオキシ基、ヘキシルジメチルシリルオキシ基、ヘプチルジメチルシリルオキシ基、オクチルジメチルシリルオキシ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルオキシ基、ノニルジメチルシリルオキシ基、デシルジメチルシリルオキシ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルオキシ基、ラウリルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等などが例示される。

アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数が通常１〜４０程度であり、その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、 ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、 ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基などが挙げられる。

また、アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基、トリフェニル基、ピレニル基、フルオレニル基、などが例示される。中でもフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基が好ましい。

１価の複素環基は、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が通常２〜６０程度である。1価の複素環基としては、例えば、以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む１価の複素環基；ピリジニル基、ジアザフェニル基、キノリニル基、キノキサリニル基、アクリジニル基、ビピリジニル基、フェナントロリンーイル基など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン、酸素などを含みフルオレン構造を有する基（前記式、７９〜９３で示された環を有する基）、
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン、酸素などを含む５員環複素環基（前記式、９４〜９８で示された環を有する基）ヘテロ原子として、けい素、窒素、硫黄、セレン、酸素などを含む５員環縮合複素環基（前記式、９９〜１０８で示された環を有する基）。
ヘテロ原子として、硫黄などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２両体やオリゴマーになっている基（前記式、１０９〜１１０で示された環を有する基）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン、酸素などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（前記式、１１１〜１１７で示された環を有する基）。

１価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンから水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。１価の芳香族アミン基としては、例えば、下記式１２３〜１２７に示す基が例示される。

上記式１２３〜１２７において、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基である。
上記の例において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なる基であってもよい。

上記置換基がアルキルを含む基の場合は、該アルキルは、不飽和結合を含有するものも含まれる。また、該アルキルは、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。

合成の容易さからは、Ｂ₁は、アルキル基、アリール基、水酸基、アルコキシ基であることが好ましい。安定性の観点からは、アルキル基、アリール基がより好ましい。

本発明の上記式（１）で示される繰り返し単位としては、具体的には、以下のような単位が例示される。

本発明の高分子錯体化合物は、式（１）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。この場合、式（１）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位は、全繰り返し単位の８０モル％以下が好ましい。

本発明の高分子錯体化合物の中では、さらに下記式（４０）および／または式（５０）で示される繰り返し単位を含むものが好ましい。

（４０）

上記式（４０）のＡｒ₁は、アリール基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルキル基、アリールオキシアルコキシ基、置換シリルオキシ基、アリールアミノ基またはメソゲン基を表す。

アリール基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアミノ基、置換シリルオキシ基としては、前記と同様の基が例示される。

アリールオキシアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールオキシアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルオキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

メソゲン基とは、ｍｅｓｏｇｅｎ（中間相形成分子＝液晶辞典、日本学術振興会情報科学用有機材料第１４２委員会・液晶部会編、１９８９年１２月５日発行、（株）培風館）の構造を有する基であり、その例としては、例えば、下記の基があげられる。

〔式中、Ｒ₃₁は、直接結合、―Ｒ₁−、−Ｏ―Ｒ₁−、−Ｒ₁−Ｏ−で表される基であり、Ｒ₃₂は、水素原子、ふっ素原子、アルキル基、アルコキシ基である。Ｗは、水素原子またはふっ素原子を表し、Ｒ₁は前記と同じ意味を表し、Ｘは、０から３の整数である。
また、式中、

は、１，４−シクロヘキシレンを表し、

は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセレン、４，１−シクロヘキセレン、２，５−シクロヘキセレン、５，２−シクロヘキセレン、３，６−シクロヘキセレン、６，３−シクロヘキセレンを表す。〕

〔式中、Ｒ₃₃は、直接結合、―Ｒ₁−、−Ｏ―Ｒ₁−、−Ｒ₁−Ｏ−で表される基であり、Ｒ₃₄は、水素原子、ふっ素原子、アルキル基、アルコキシ基またはシアノ基である。Ｒ₃₄には、光学活性の２−メチルブチル基、２−メチルブトキシ基、４−メチルヘキシル基などの構造を有するものも含まれる。Ｗは、水素原子またはふっ素原子を表し、Ｒ₁は前記と同じ意味を表す。
また、式中、

は、１，４−シクロヘキシレンを表す。｝

上記式（４０）のＡｒ₁の中では、メソゲン基、アリール基、アルキル基が好ましく、発光層を配向させ電荷の移動を容易にする観点からは、メソゲン基であることがさらに好ましい。

上記式（４０）において、Ｒ₂は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルキル基、アリールオキシアルコキシ基、アリールアミノ基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、置換シリルオキシ基、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表す。
合成の容易さからは、アリール基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、置換シリルオキシ基が好ましい。安定性の観点からは、アリール基、アルキル基がより好ましい。

上記置換基がアルキルを含む基の場合は、該アルキルは、不飽和結合を含有するものも含まれる。また、該アルキルは、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。

式（４０）で表される繰り返し単位の具体例を以下に示す。

ここで、Ｒ₃₃、Ｒ₃₄は、前記と同じ意味を表す。

上記式（５０）において、Ａｒ₅₀は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基である。ここでＡｒ₅₀としては、前記、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基と同じ基が例示される。

Ａｒ₅₀としては、フェニレン基（例えば、上図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（上図の式４〜１３）、アントラセニレン基（上図の式１４〜１９）、ビフェニレン基（上図の式２０〜２５）、トリフェニレン基（上図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（上図の式２９〜３８）、ジベンゾフランージイル基（上図の式８５〜８７）、ジベンゾチオフェンージイル基（上図の式８８〜９０）、スチルベン−ジイル基、ジスチルベン−ジイル基、２価の芳香族アミン基（上図の１１８〜１１９、１２２）、キノリンジイル基（上図の式４９〜６３）、ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（上図の式７９〜９３）、ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（上図の式１１１〜１１７）が挙げられる。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレンージイル基（上図の式３６〜３８）、ジベンゾフランージイル基（上図の式８５〜８７）、ジベンゾチオフェンージイル基（上図の式８８〜９０）、スチルベン−ジイル基、ジスチルベン−ジイル基、ジベンゾフルオレン基、２価の芳香族アミン基、キノリンジイル基（上図の式４９〜６３）、ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（上図の式７９〜９３）、ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（上図の式１１１〜１１７）が特に好ましい。

上記式（５０）において、Ａｒ₃₀およびＡｒ₄₀は、それぞれ独立にアリール基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルキル基、アリールオキシアルコキシ基、置換シリルオキシ基、アリールアミノ基、またはメソゲン基を表す。

アリール基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換シリルオキシ基、アリールアミノ基，メソゲン基としては、前記と同様の基が例示される。

アリールオキシアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールオキシアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルオキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

上記式（５０）のＡｒ₃₀、Ａｒ₄₀の中では、メソゲン基、アリール基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、置換シリルオキシ基が好ましい。合成の容易さからは、アリール基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基がより好ましい。安定性の観点からは、アリール基、アルキル基であることがさらに好ましい。

上記式（５０）において、Ｒ₄およびＲ₅は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルキル基、アリールオキシアルコキシ基、アリールアミノ基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表す。
合成の容易さからは、アリール基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、置換シリルオキシ基が好ましい。安定性の観点からは、アリール基、アルキル基がより好ましい。

上記式（５０）において、Ｒ₇₀，Ｒ₈₀は、それぞれ独立に、直接結合、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。アルキレン基、アルケニレン基としては、前記と同様な基が例示される。

上記置換基がアルキルを含む基の場合は、該アルキルは、不飽和結合を含有するものも含まれる。また、該アルキルは、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。

式（５０）で表される繰り返し単位の具体例を以下に示す。

ここで、Ａｒ₃₀，Ａｒ₄₀，Ｒ，Ｒ₄，Ｒ₅、Ｒ₇₀，Ｒ₈₀は、前記と同様の基を表す。

式（1）並びに式（４０）および／または式（５０）で示される繰り返し単位を含む高分子錯体化合物の中で、式（１）並びに式（４０）および／または式（５０）で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の５０モル％以上であり、かつ式（１）及び式（４０）および／または式（５０）で示される繰り返し単位の合計に対して、式（１）で示される繰り返し単位が、０．１モル％以上５０モル％以下であるものが発光効率の観点から好ましい。

上記式（１）および上記式（４０）で示される繰り返し単位からなるものとしては、具体的には、式（１）で示される繰り返し単位として、前記した、式（１）で表される繰り返し単位の具体例から選ばれる一種類以上と式（４０）で示される繰り返し単位として、前記した、式（４０）で表される繰り返し単位の具体例から選ばれる一種類以上との共重合体が例示される。
上記式（１）および上記式（５０）で示される繰り返し単位からなるものとしては、具体的には、式（１）で示される繰り返し単位として、前記した、式（１）で表される繰り返し単位の具体例から選ばれる一種類以上と式（５０）で示される繰り返し単位として、前記した、式（４０）で表される繰り返し単位の具体例から選ばれる一種類以上との共重合体が例示される。
上記式（１）、上記式（４０）および上記式（５０）で示される繰り返し単位からなるものとしては、具体的には、式（１）で示される繰り返し単位として、前記した、式（１）で表される繰り返し単位の具体例から選ばれる一種類以上と式（４０）で示される繰り返し単位として、前記した、式（４０）で表される繰り返し単位の具体例から選ばれる一種類以上と式（５０）で示される繰り返し単位として、前記した、式（５０）で表される繰り返し単位の具体例から選ばれる一種類以上との共重合体が例示される。

本発明の高分子錯体化合物は、典型的には、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸ 程度であり、２×１０³〜１０⁷であることが好ましい。

また、本発明の高分子錯体化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。

なお、本発明の高分子錯体化合物は、燐光、蛍光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で上記、式（１）並びに（４０）および／または（５０）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。

本発明の高分子錯体化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。燐光、蛍光の量子収率の高い高分子錯体化合物を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。

本発明の高分子錯体化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、薄膜からの蛍光やりん光を利用するので本発明の高分子錯体化合物としては、固体状態で蛍光またはりん光を有するものが好ましい。

本発明の高分子錯体化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

次に、本発明の高分子錯体化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子錯体化合物は、例えば、
〔１〕Ｘ₁−Ｇ−Ｘ₂並びにＸ₁−Ｄ−Ｘ₂および／またはＸ₁−Ｅ−Ｘ₂で示される単量体（ここにＸ₁、Ｘ₂はそれぞれ独立に水酸基、アルコキシ基を示す。−Ｇ−は、下記式（６０）、―Ｄ−は、下記式（７０）、―Ｅ−は、下記式（８０）で示される。）をアルカリ触媒の存在下反応させて得ることができる。

（ここで、Ａ₁，Ｂ₁、Ａｒ₁，Ａｒ₃₀，Ａｒ₄₀，Ａｒ₅₀、Ｒ₂，Ｒ₄，Ｒ₅、Ｒ₇₀，Ｒ₈₀は、前記と同じ意味を表す。）

高分子錯体化合物が例えば、式（１）および式（４０）で示される繰り返し単位を有する場合には、Ｘ₁−Ｇ−Ｘ₂およびＸ₁−Ｄ−Ｘ₂で示される単量体を共存させればよい。
また、式（１）および式（５０）で示される繰り返し単位を有する場合には、Ｘ₁−Ｇ−Ｘ₂およびＸ₁−Ｅ−Ｘ₂で示される単量体を共存させればよい。
さらに、式（１）および式（４０）および式（５０）で示される繰り返し単位を有する場合には、Ｘ₁−Ｇ−Ｘ₂およびＸ₁−Ｄ−Ｘ₂およびＸ₁−Ｅ−Ｘ₂で示される単量体を共存させればよい。

〔２〕また、本発明の高分子錯体化合物、例えば、式（１）および式（４０）で示される繰り返し単位を有するものは、例えば、式（９０）で示す繰り返し単位を有する重合体に、例えば、式（１００）および下記式（１１０）に示すようなオレフィン化合物を、白金触媒存在下反応させて得ることができる。
白金触媒としては、例えば、ヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物｛Ｈ₂ＰｔＣｌ₆・６Ｈ₂Ｏ｝、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）、ジクロロジシクロペンタジエン白金（ＩＩ）等が挙げられる。

（９０）
（ここで、Ｒ₂は、前記と同じ意味をあらわす。）

ＣＨ₂＝ＣＨ−Ｒ’−（Ｙ₁）ｎ−（Ｚ）ｐ−Ｙ₂ （１００）

（ここで、Ｒ’は、アルキレン基である。Ｙ₁、Ｚ、Ｙ₂、ｎ、ｐは、前記と同じ意味を表す。）
ＣＨ₂＝ＣＨ−Ｒ’−Ａｒ’ （１１０）

（ここで、Ｒ’は、アルキレン基であり、Ａｒ’は、メソゲンである。）

〔３〕また、本発明の高分子錯体化合物に含まれる、式（１）で示される繰り返し単位は、１価の金属錯体基Ｙ₂から金属部分を除いた構造Ｙ₂’を有する高分子化合物と、金属部分に対応する金属錯体化合物を反応させることにより製造できる。
すなわち、３重項発光錯体の配位子となる、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などを有する高分子化合物を得た後、該高分子化合物に金属化合物を反応させて、高分子錯体化合物を得ることができる。

Ｙ₂’としては、Ｙ₂に対応するものであれば特に限定されないが、例えば、ピリジン環、チオフェン環、ベンゾオキサゾール環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子となる基で、具体的には、４−（２−ピリジル）フェニレン、４−｛４−（２−ピリジル）フェニレン｝フェニレン、ベンゾ[ｈ]キノリン−２−イル、４−（２−ピリジル）チオフェン−２−イル、４−｛４−（２−ピリジル）フェニレン｝チオフェン−２−イル、４−（２−ベンゾオキサゾール）フェニレン、４−｛４−（２−ベンゾオキサゾール）フェニレン｝フェニレン、４−（２−ベンゾチアゾール）フェニレン、４−｛４−（２−ベンゾチアゾール）フェニレン｝フェニレン、５−（２−ピリジン）ベンゾチオフェン−２−イル、７,8,12,13,17,18-ヘキサキスエチル-21H,23H-ポルフィリンーイルなどが例示され、これらに置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリールチオ基、アリールアルケニル基、環状アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリール基、1価の複素環基が挙げられ、その定義、具体例は上記におけるそれと同様である。

具体的な基を下記に示す。

上記高分子化合物に、金属錯体化合物を反応させて、高分子錯体化合物中の式（１）で示される繰り返し単位を製造する。
具体的には、上記高分子化合物と、式（Ｘ−１）で示される金属錯体であって、その配位子の中心金属に対する配位能力が、高分子の配位部分の配位能力よりも低い配位子を構造単位として有する金属錯体を反応させ、配位子交換反応により、本発明の高分子錯体化合物を製造することができる。

具体的には、例えば、下記式（１２０）に示すような金属錯体構造部分を有する高分子化合物に、下記式（１３０）に示すような金属錯体化合物を反応させることにより、例えば、式（１）で示される繰り返し単位として、下記式（１４０）に示すような構造単位を有する、本発明の高分子錯体化合物を製造することができる。

反応は、例えば、不活性ガス雰囲気下、反応を阻害することがない溶媒、例えば、脱水グリセロール等の高沸点溶媒中行う。反応温度は、特に限定されないが、通常は、０から３００℃、好ましくは、６０から２５０℃、より好ましくは、７０から２００℃程度、反応時間は、特に限定されないが、通常は、０．５時間から１００時間、好ましくは、３から５０時間、より好ましくは、６から２４時間程度である。

本発明の高分子錯体化合物は、反応後、必要に応じ、変質しない範囲内で、酸洗浄、アルカリ洗浄、中和、水洗浄、有機溶媒洗浄、再沈殿、遠心分離、抽出、カラムクロマトグラフィーなどの慣用の分離操作、精製操作、乾燥その他の操作に供してもよい。

本発明の高分子錯体化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、本発明の製造方法においては、上記分離操作、精製操作を十分行い、未反応モノマー、副生成物、触媒残渣などを十分除いておくことが好ましい。
乾燥の際には、残存する溶媒が十分に除去される条件であればよい。高分子化合物の変質を防止するために、不活性な雰囲気で遮光して乾燥することが好ましい。また、高分子錯体化合物が熱的に変質しない温度で乾燥することが好ましい。

本発明の高分子錯体化合物は、発光材料の有効成分として用いることができる。さらに、電荷輸送性材料有機半導体材料、光学材料、あるいはドーピングにより導電性材料として用いることもできる。

次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が本発明の高分子錯体化合物を含むことを特徴とする。

また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。

本発明の高分子ＬＥＤには少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた高分子ＬＥＤ；少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤも含まれる。

例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のe)〜p）の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
u）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
v）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
w）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
x）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
y）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
z）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ab）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極

本発明の高分子ＬＥＤにおける 発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に上記高分子錯体化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、上記高分子錯体化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子錯体化合物を含む発光層と積層されていてもよい。
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。また、前記のような三重項発光錯体も使用可能である。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

発光層の成膜の方法に制限はないが、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

本発明において、陽極および陰極からなる電極の少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

また、陽極および陰極からなる電極間に、電荷輸送層と発光層とを有し、該電荷輸送層が本発明の高分子錯体化合物を含む高分子ＬＥＤも可能である。

本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。

本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる発光材料を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量については、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を求める。

実施例１
＜高分子錯体化合物１の合成＞
（重合体１） (CH₃)₃SiO［（CH₃）HＳiO］nSi(CH₃)₃ （アルドリッチ社製市販試薬）
（化合物Ａ）

（化合物Ｂ）

（重合体１） ０．１６ｇと（化合物Ａ） ０．２ｇと（化合物Ｂ） ０．６３ｇとを、トルエン（脱水）２０ｇに溶解した後、アルゴンガスをバブリングすることで、反応系内をアルゴンガス置換した。この溶液に、あらかじめヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸六水和物１１ｍｇをイソプロピルアルコール０．２ｍｌに溶解した溶液、を加え、８０℃で５時間反応した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した。次に、この溶液を静置し、生成したヘドロ状沈殿を回収した。このヘドロ状物をクロロホルムに溶解した後、この溶液をろ過して、不溶物を除去した。次に、この溶液をアルミナをつめたショートカラムを通すことで、精製した。
次に、この溶液を、減圧濃縮して、溶媒を留去した。得られた固形物をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥し、高分子錯体化合物１を得た。
高分子錯体化合物１のポリスチレン換算数平均分子量は、１．３ｘ１０⁴であった。
仕込みから推定される高分子錯体化合物１に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例２
＜単量体の合成＞
（化合物Ｃ）

（化合物Ａ） 0.2gとジメトキシメチルシラン0.１gとを、あらかじめアルゴンガスでバブリングして脱気したトルエン（脱水）１５ｇに溶解した後、反応系内をアルゴンガスで置換する。この溶液に、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）１０ｍｇを加え、７０℃で１２時間反応する。なお、反応はアルゴンガス雰囲気中で行う。
反応後、この溶液を冷却した後、ろ過して、不溶物を除去する。この溶液を、減圧濃縮し、溶媒を留去した後、得られた固形物を、トルエン（脱水）に溶解する。次に、この溶液をろ過し、不溶物を除去する。このトルエン溶液を、減圧濃縮し、トルエン溶媒を留去した後、減圧乾燥し、ジメトキシメチルシリル誘導体Ｄを得る。
仕込みから推定される誘導体Ｄの構造を下記に示す。

誘導体Ｄの合成とは別に、アルゴンガス雰囲気下、（化合物Ｃ） １．５ｇを、あらかじめアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）７５ｇに溶解した後、この溶液をー７８℃に冷却する。次に、−７８℃で、１．６モルｎ−ブチルリチウム／ｎ−ヘキサン溶液２．８ｍｌを加え、リチウム化し、化合物Ｃのリチウム誘導体の溶液を得る。
次に、これとは別に、アルゴンガス雰囲気下、ジメトキシメチルクロロシラン１．１３ｇを、あらかじめアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）７０ｇに溶解する。この溶液に、トリエチルアミン０．４５ｍｌを加えた後、この溶液を−７８℃に冷却する。この溶液に、前記した化合物Ｃのリチウム誘導体の溶液（−７８℃）を滴下する。引き続き、−７８℃で１時間反応する。次に、室温まで昇温する。次に、この溶液を減圧濃縮して、過剰のジメトキシメチルクロロシランと溶媒を留去する。得られた固形物に、乾燥トルエンを加え溶解、この溶液をろ過し、不溶物を除去した後、減圧濃縮して、溶媒を留去する。次に、これに、へキサン(脱水)を加え溶解した後、減圧濃縮して、溶媒を留去する。この操作を３回行い、未反応のジメトキシメチルクロロシランを完全に除去する。次に、これを減圧乾燥して、ジメトキシメチルシリル誘導体Ｅを得る。
仕込みから推定される誘導体Ｅの構造を下記に示す。

＜高分子錯体化合物２の合成＞
誘導体Ｄ ０．０８ｇと誘導体Ｅ ０．２８ｇとをテトラヒドロフラン（脱水）３０ｇに溶解した後、反応系内をアルゴンガスで置換する。次に、攪拌下、２０％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド溶液０．１５ｇを加え、室温で５時間反応する。反応後、反応液を酢酸で中和した後、減圧濃縮して、溶媒を留去する。得られた重合体をテトラヒドロフランに溶解した後、この溶液をメタノール中に滴下することにより、再沈精製する。生成した沈殿をろ過し、回収、これを減圧乾燥して、高分子錯体化合物２を得る。
仕込みから推定される高分子錯体化合物２の構造を下記に示す。

実施例３
＜薄膜の作成および薄膜のＰＬスペクトル＞
高分子錯体化合物１のクロロホルム溶液を、石英板上に１０００ｒｐｍで約４０秒間スピンコートし、得られた薄膜を、減圧下乾燥することで膜中の残存溶媒を除去した後、ＪＡＳＣＯ ＦＰ−６５００ ｓｐｅｃｔｒｏｆｌｕｏｒｏｍｅｔｅｒで薄膜のＰＬスペクトルを測定した。５２０ｎｍにピークを持つ、緑色の発光が観測された。

Claims (8)

1. 下記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０³〜１×１０⁸である高分子錯体化合物。
   

   

   （１）
   
   〔式中、Ａ₁は、下式（２）
   
   −（Ｘ）ｍ―（Ｙ₁）ｎ―（Ｚ）ｐ−Ｙ₂ （２）
   
   （式中、Ｘは、―Ｒ₁−、−Ｏ―Ｒ₁−、−Ｒ₁−Ｏ−、−Ｒ₁−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₁−（Ｏ）ＣＯ−または−Ｒ₁−Ｎ（Ｒ₂₀）−を表し、Ｙ₁は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ｚは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−（Ｏ）ＣＯ−、―Ｒ₁−、−Ｏ―Ｒ₁−、−Ｒ₁−Ｏ−、−Ｒ₁−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₁−（Ｏ）ＣＯ−、−Ｒ₁−Ｎ（Ｒ₂₀）−、−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｙ₂は下記式（ＰＬ−１）〜（ＰＬ−１６）で表される３重項発光錯体から１つのＲ’又はＲ’中の１つの水素原子を除いた１価の金属錯体基を表す。ｍ，ｎおよびｐは、それぞれ独立に０または１であり、Ｒ₁は、アルキレン基またはアルケニレン基を表し、Ｒ₂₀は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−におけるＲ₂₀は、同一でも異なっていてもよい。）
   で示される基を表し、
   Ｂ₁は、アリール基またはアルキル基を表す。〕
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   

   

   （Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、又は、１価の複素環基を示す。）
2. さらに下記式（４０）で示される繰り返し単位および／または式（５０）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１に記載の高分子錯体化合物。
   

   

   （４０）
   
   

   

   〔式中、Ａｒ₅₀は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ａｒ₁、Ａｒ₃₀およびＡｒ₄₀は、それぞれ独立にアリール基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルキル基、アリールオキシアルコキシ基、アリールアミノ基またはメソゲン基を表し、Ｒ₇₀およびＲ₈₀は、それぞれ独立に、直接結合、アルキレン基またはアルケニレン基を表し、Ｒ₂、Ｒ₄およびＲ₅は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルキル基、アリールオキシアルコキシ基、アリールアミノ基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表す。〕
3. 請求項１または２に記載の高分子錯体化合物を含有することを特徴とする発光材料。
4. 陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が請求項１または２のいずれかに記載の高分子錯体化合物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
5. 請求項４に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
6. 請求項４に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
7. 請求項４に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
8. 請求項４に記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。