JP4860481B2 - 大環状ケトン類の製造方法およびその中間体 - Google Patents

Description

本発明は、大環状ケトン類であるムスコンの製造方法、特に２−シクロペンタデセノンの１，４−共役メチル付加反応によるムスコンの製造方法、及びこの製造に用いられる新規中間体化合物に関する。

近年人々の自然志向が高まり、香料に関しても、自然環境を特徴的にイメージするような、嗜好性のより高いムスク様香料に関心が集まっている。また、安全性の面からも、天然化合物由来、若しくは天然化合物と同一若しくは類似した新しい香料材料の開発が強く望まれている。

ムスコンは、天然じゃ香の主香成分で、天然じゃ香には０．５〜２．０％含有されている。ムスコンは、１９０６年にＷａｌｂａｕｍによって発見され、１９２６年にＲｕｚｉｃｋａによって化学構造が決定された。天然ムスコンは（−）−（Ｒ）−３−メチルシクロペンタデカノンであるが、市販品は合成品で、ｄｌ−体である。（−）−（Ｒ）−体と（＋）−（Ｓ）−体の香気を比較すると、（Ｒ）−体は拡散性のある強いムスク香（閾値：３ｐｐｍ）であるのに対して、（Ｓ）−体はケミカルで広がりのない貧弱な弱いムスク香（閾値：１０ｐｐｍ）であり、この結果、匂いの強度についても（Ｒ）−体のほうが（Ｓ）−体より３倍強いことが知られている（例えば、下記非特許文献１及び非特許文献２参照）。
印藤元一著、合成香料 化学と商品知識、化学工業日報社、１９９６年３月６日発行、４９２〜４９７頁 「合成香料の最新技術」、株式会社シーエムシー、昭和５７年発行、第７２〜第９０頁

このようなことから、これまでにムスコン、特に（−）−（Ｒ）−ムスコンの製造方法の検討が数多く報告されてきた。その中でも２−シクロペンタデセノンの１，４−共役メチル付加反応による光学活性ムスコンの製造方法は有望なルートとされ、特に近年、光学活性配位子を用いた不斉メチル化反応による（−）−（Ｒ）−ムスコンの製造方法が幾つか報告されている。例えばその例を挙げると、ボルナン骨格を有するアミノアルコールキラル補助基を有する化合物を合成時に使用することにより、良好な結果が得られることが報告されている（下記非特許文献３参照）。しかし、報告されたこのキラル補助基による（−）−（Ｒ）−ムスコンの合成は、反応温度が−７８℃と極めて低く、反応時間が長くかかり、キラル補助基を1当量以上の過量で使用しなければならないという短所を持ち、商用化し難いものである。また、他の例としては、種々のキラルホスファイト配位子を触媒量で用いて実験を行ったところ、特定の化合物が中でも良かったことが報告されている（下記非特許文献４参照）。しかし、この報告では、溶媒／基質比が約５０倍の非効率な低濃度下でさえ、収率は５３％に留まるもので、満足できるものとはいえない。更に、他の例としては、４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピンあるいは４−（Ｒ，Ｒ−２，５−ジフェニルピロリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピンの銅複合体をキラル配位子として用いることにより、高収率でムスコンを製造できることが記載されている（下記特許文献１参照）が、この文献では高濃度で反応を行うことについての開示がない。従来の方法においては、高濃度で反応を行うと、高分子量の副生成物が生成し満足できる収率が得られないという問題がある。極低温や低濃度、あるいは長時間反応などの反応条件によっては、ムスコンの製造コストは高くなる。また、反応収率が低い場合にも製造コストは高くなる。したがって、極低温や低濃度、あるいは長時間反応などの反応条件を必要としないで、高収率でムスコンを製造するムスコンの経済的製造方法が強く求められている。

Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ． Ｉ，１１９３（１９９２） Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９９，Ｎｏ．１１，ｐｐ．１１８１−１１８３ 韓国公開特許２００１−４９８１１号公報

本発明は、上記状況に鑑みなされたもので、２−シクロペンタデセノンの１，４−共役メチル付加反応によるムスコンの製造方法において、極低温や低濃度の反応条件によることなく、実用的な条件下において高収率でムスコンを製造する方法を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、２−シクロペンタデセノンの１，４−共役メチル付加反応により生成するエノールアニオンを、適当な捕捉剤によりトラップすることで新規なエノール誘導体が形成され、これにより副生成物の生成を抑制でき、その後定法によりそのエノール誘導体を分解することで、高濃度下、高収率で目的のムスコンが製造できることを見出し、更に研究を重ねて本発明を完成した。

すなわち、本発明は下記１〜１３に記載のとおりのものである。
１． 一般式（III）：

（式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、１，４−共役付加反応を行い、一般式（II）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；波線は前記と同義である。）
で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式（Ｉ）：

で表わされるムスコンの製造方法。

２． 一般式（III）：

（式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、１，４−共役付加反応を行い、一般式（II−ａ）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は前記と同義である。）
で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式（Ｉ−ａ）：

で表わされる光学活性ムスコンの製造方法。

３． 一般式（III）：

（式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、１，４−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式（II）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し；波線は前記と同義である。）
で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。

４． 一般式（III）：

（式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、１，４−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式（II−ａ）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は前記と同義である。）
で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。

５． 一般式（II）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式（Ｉ）：

で表わされるムスコンの製造方法。

６． 一般式（II−ａ）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式（Ｉ−ａ）：

で表わされる光学活性ムスコンの製造方法。

７． 光学活性配位子が一般式（IV）：

（式中、Ｃ_ｎは２個の酸素原子及び燐原子と一緒になって２〜４個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を示し、Ｒ^１及びＲ^２は夫々独立して、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示すか、又はそれらが結合される窒素原子と一緒になって複素環を形成することができる基を示す。）
で表わされる光学活性配位子であることを特徴とする上記２又は４記載の製造方法。

８． 光学活性配位子が一般式（Ｖ）：

（式中、Ｃ_ｎは、２個の酸素原子及び燐原子と一緒になって２〜４個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を表し、Ｒ^３は、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示す。）
を表わされる光学活性配位子であることを特徴とする上記２又は４記載の製造方法。

９． 光学活性配位子が４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン、４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン、４−（（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジフェニルピロリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン、４−（（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジフェニルピロリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピンであることを特徴とする上記２又は４記載の製造方法。

エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式（ＶI）：
Ｒ^４−Ｘ （ＶI）
（式中、Ｒ^４は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し；Ｘは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、ＯＲ’（Ｒ’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。）を示す。）
で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする上記１、２、３、４、７又は８記載の製造方法。

１１． エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式（VII）：

Ｒ^５−Ｘ （VII）

（式中、Ｒ^５は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示し、；Ｘは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、ＯＲ’（Ｒ’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。）を示す。）
で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする上記１、２、３、４、７又は８記載の製造方法。

１２． 一般式（II）：

（式中、Ｒは、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基及びフェニル基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体。

１３． 一般式（II−ａ）：

（式中、Ｒは、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基及びフェニル基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体。

本発明は、２−シクロペンタデセノンの１，４−共役メチル付加反応により生成するエノールアニオンを捕捉することで新規なエノール誘導体を得ると共に、その後エノール部を加溶媒分解することで、高濃度下、高収率で目的とするムスコンを製造することができる。

発明の実施するための最良の形態

以下に本発明について詳細に説明する。
本発明では、上記の通り、まず一般式（III）：

（式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、１，４−共役付加反応を行い、一般式（II）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；波線は前記と同義である。）
で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を得るものである。

本反応において用いられる上記一般式（III）の２−シクロペンタデセノン類としては、（Ｅ）−２−シクロペンタデセノンを挙げることができるが、本反応で用いられる２−シクロペンタデセノン類はこれに限定されるものではなく、（Ｚ）−２−シクロペンタデセノンでも、幾何異性体の混合物でもよい。（Ｅ）−２−シクロペンタデセノンは、公知の方法（例えば、下記特許文献２、特許文献３、非特許文献５参照）及びこれに準ずる方法により製造することができる。本発明においては、２−シクロペンタデセノン類としては、これら公知方法あるいはこれに準ずる方法によって製造したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
特開平１−３２１５５６号公報 特開２００１−３６９４２２号公報 Ｊ．Ｋｏｒｅａｎ Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，４０，２４３（１９９６）

また、本反応において用いられる銅触媒としては、従来１，４−共役メチル付加反応において用いられている銅触媒の何れをも用いることができる。これら銅触媒を例示すると、例えば、銅（ＩＩ）トリフレート（Ｃｕ（ＯＴｆ）_２）、銅（Ｉ）トリフレート（ＣｕＯＴｆ）、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート（Ｃｕ（ａｃａｃ）_２）、銅（ＩＩ）トリフルオロ酢酸（Ｃｕ（ＯＣＯＣＦ_３）_２）、酢酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＯＡｃ）_２）、硫酸銅（ＩＩ）（ＣｕＳＯ_４）、塩化銅（ＣｕＣｌ）、塩化第二銅（ＣｕＣｌ_２）、臭化銅（ＣｕＢｒ）、臭化第二銅（ＣｕＢｒ_２）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ヨウ化第二銅（ＣｕＩ_２）、シアン化銅（ＣｕＣＮ）、過塩素酸銅（ＣｕＣｌＯ_４）、ナフテン酸銅（Ｃｕ（ＯＣＯＣ_１０Ｈ_９）_２）、テトラフルオロホウ酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＢＦ_４）_２）、テトラクロロ銅（ＩＩ）ジリチウム（Ｌｉ_２ＣｕＣｌ_４）などが挙げられ、好ましくは、銅（ＩＩ）トリフレート（Ｃｕ（ＯＴｆ）_２）、銅（Ｉ）トリフレート（ＣｕＯＴｆ）などである。

また、本反応において用いられるニッケル触媒としては、同じく従来１，４−共役メチル付加反応において用いられているニッケル触媒の何れをも用いることができる。これらニッケル触媒を例示すると、例えば、ニッケルアセチルアセトナート（Ｎｉ（ａｃａｃ）_２）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ_２）、臭化ニッケル（ＮｉＢｒ_２）、ヨウ化ニッケル（ＮｉＩ_２）、酢酸ニッケルＮｉ（ＯＣＯＣＨ_３）_２などが挙げられ、好ましくはニッケルアセチルアセトナート（Ｎｉ（ａｃａｃ）_２）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ₂）などである。

また、本反応において用いられるエノールアニオン捕捉剤としては、次の一般式（VI）：

Ｒ^４−Ｘ （VI）

（式中、Ｒ^４は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；Ｘは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、ＯＲ’（Ｒ’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。）を示す。）
で表されるエノールアニオン捕捉剤を挙げることができる。

上記一般式（VI）において、Ｒ^４のヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、バレリル基、イソバレリル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、ベンゾイル基、４−トリオイル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル基、４−アニソイル基、４−クロロベンゾイル基、４−ニトロベンゾイル基等の炭素数１乃至４の低級アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）及びニトロ基等でその水素原子の１乃至３個が置換されていてもよいアシル基などが挙げられる。

また、Ｒ^４のヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−クロロベンジルオキシカルボニル基、ｐ−ブロモベンジルオキシカルボニル基、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボニル基、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基等の炭素数１乃至の低級アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）及びニトロ基等でその水素原子の１乃至３個が置換されていてもよいアルキルオキシカルボニル基などが挙げられる。

また、Ｒ^４のヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などの炭素数１乃至８のアルキル基等が挙げられる。
上記アルキル基は、反応に関与しない置換基を有していてよく、ここで置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素１乃至４の低級アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１乃至４の低級アルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子及びニトロ基等が挙げられる。

また、Ｒ^４のヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキシルシリル基などのトリ−炭素数１乃至６アルキルシリル基；例えば、ジメチルクミルシリル基などのジ−炭素数１乃至５アルキル−炭素数６乃至１８アリールシリル基；例えば、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基などのジ−炭素数６乃至１８アリール−炭素数１〜６アルキルシリル基；例えば、トリフェニルシリル基などのトリ−炭素数６乃至１８アリールシリル基；例えば、トリベンジルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基などのトリ−炭素数７乃至１９アラルキルシリル基等のトリ置換シリル基等のシリル基などが挙げられる。

本発明においては、上記Ｒ^４のヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基の中では、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、及び、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基が好ましい。

本発明において用いられるエノールアニオン捕捉剤として好ましい化合物を例示すると、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水ブタン酸、無水ペンタン酸、無水安息香酸などの酸無水物、塩化アセチル、臭化アセチル、塩化プロピオニル、臭化プロピオニル、塩化ブチリル、臭化ブチリル、塩化ペンタノイル、臭化ペンタノイル、塩化ベンゾイル等の酸ハロゲン化物、ジメチルジカーボネート、ジエチルジカーボネート、ジプロピルジカーボネート、ジベンジルジカーボネート等のジカーボネート類、トリメチルシリルクロリド、トリメチルシリルトリフラートなどを挙げることができ、特に好ましくは、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水ブタン酸、無水ペンタン酸、無水安息香酸などの酸無水物、ジメチルジカーボネート、ジエチルジカーボネート、ジプロピルジカーボネート、ジベンジルジカーボネート等のジカーボネート類などを挙げることができる。

本反応において用いられるメチル化有機金属試薬の例としては、例えばジメチル亜鉛（ＺｎＭｅ_２）、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムヨージド、メチルリチウム、トリメチルアルミニウムなどが挙げられ、好ましくは、ジメチル亜鉛（ＺｎＭｅ_２）などを挙げることができる。

また、本反応において用いられる溶媒は、反応に関与しない不活性な溶媒であればいずれのものでもよく、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｔｅｒｔブチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、塩化メチレン、ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系溶媒などの有機溶媒或いはそれら溶媒の２種以上の混合溶媒が好適なものとして挙げられる。これらの中でも、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｔｅｒｔブチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル系溶媒が好ましい。溶媒の使用量は、一般式（III）で示される２−シクロペンタデセノン類１重量部に対し、通常１〜２００倍容量、好ましくは５〜１００倍容量、特に好ましくは、１０〜５０倍容量である。

本反応においては、銅触媒及びニッケル触媒は、２−シクロペンタデセノン類（III）１モルに対し、通常０．１〜２０モル％程度、好ましくは１．０〜１０モル％程度の量で用いられる。また、エノールアニオン捕捉剤は、２−シクロペンタデセノン類（III）１モルに対し、通常１．０〜５．０モル程度、好ましくは１．２〜３．０モル程度の量で用いられる。更に、メチル化有機金属試薬は、２−シクロペンタデセノン類（III）１モルに対し、通常１．０〜５．０モル、好ましくは１．２〜３．０モルの量で用いられる。

更に、本反応は、通常窒素ガスあるいはアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行われる。また、本反応は、通常−８０〜５０℃程度の温度、好ましくは、−３０〜３０℃程度の温度で、通常１０分から２０時間程度、好ましくは、３０分から１０時間程度の時間行われ、反応を終了するが、これらの条件は使用される反応物質や銅化合物などの量により適宜変更され得る。

また、本反応においてラセミ体の３−メチル−シクロペンタデセン誘導体を得る場合には、反応をより円滑に進行させるために、必要に応じてトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔブチルホスフィン、トリフェニルホスファイト、トリエチルホスファイト等のリン系配位子を添加することができる。これらは銅触媒及びニッケル触媒１モルに対し、通常１〜１０モル当量程度、好ましくは１．５〜５モル当量程度の量で用いられる。

反応終了後は通常の後処理を行なうことにより、また必要に応じ蒸留、再結晶あるいはカラムクロマトグラフィー等の方法を用いて、目的物を単離することができる。

本発明では、前記一般式（III）で表される２−シクロペンタデセノン類から一般式（II）で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を製造する方法において、光学活性配位子の存在下で反応を行うことにより、一般式（II−ａ）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を得ることができる。

ここで、光学活性配位子としては、目的とする光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン（II）を得られるものであれば特に制限されるものではない。本発明において用いられる光学活性配位子としては、例えば、一般式（IV）：

（式中、Ｃ_ｎは２個の酸素原子及び燐原子と一緒になって２〜４個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を示し、Ｒ^１及びＲ^２は夫々独立して、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示すか、又はそれらが結合される窒素原子と一緒になって複素環を形成することができる基を示す。）
で表わされる光学活性配位子、あるいは、一般式（Ｖ）：

（ここで、Ｃ_ｎは前記と同義であり、Ｒ^３は、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示す。）
などで表わされる光学活性配位子を例示することができる。

一般式（IV）及び一般式（Ｖ）の光学活性配位子において、Ｃ_ｎ及び／又はＲ^１及び／又はＲ^２及び／又はＲ^３は、光学活性であるか、又は光学活性構成要素の一部である。Ｃ_ｎは好ましくは、例えば、９５％より大きい、とりわけ９９％より大きい、よりとりわけ９９．５％より大きい鏡像体過剰率を持つ、支配的に一つの立体配置のキラル置換されたＣ_４鎖（４個の任意的に置換されていてもよいＣ原子を持つ鎖）を示す。好ましくはＣ_ｎは二つのＯ原子及びＰ原子と一緒になって４個のＣ原子を持つ７員環を形成し、かつ該４個のＣ原子は２個ずつでアリール基又はナフチル基の一部を形成するものである。本発明で好適に用いられる光学活性配位子である上記一般式（IV）で表される光学活性配位子の例としては、例えば次のものが挙げられる。しかし、一般式（IV）で表される光学活性配位子がこれら具体的に例示されたものに限られるものではないことは勿論である。また、それぞれの鏡像体関係の構造も含まれ、目的物の光学活性により適時選択されるものである。

また、本発明で好適に用いられる光学活性配位子である一般式（Ｖ）の具体例としては、上記にて一般式（IV）で示される化合物の例として挙げられた配位子化合物中のＮＲ^１Ｒ^２部位を、ＯＲ^３部位に置換した化合物が挙げられる。一般式（Ｖ）で示される光学活性配位子を例示すると、例えば下記のものが挙げられる。しかし、一般式（Ｖ）で示される光学活性配位子がこれら具体的に例示されたものに限られるものではないことは勿論である。また、それぞれの鏡像体関係の構造も含まれ、目的物の光学活性により適時選択されるものである。

一般式（IV）及び一般式（Ｖ）を有する光学活性配位子は、公知製造法（例えば、下記非特許文献６参照）により簡単に製造することができる。
Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ Ｍｅｔｈｏｄｅｎ ｄｅｒ Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ Ｂａｎｄ ＸＩＩ／２． Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅ ｐｈｏｓｐｈｏｒｖｅｒｂｉｎｄｕｎｇｅｎ． Ｇ．Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌａｇ、Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ、１９６４年、第２部（第４版）、第９９〜１０５頁

上記非特許文献６に記載された第一の好ましい製造方法は、ＨＯ−Ｃ_ｎ−ＯＨ化合物を、Ｐ（ＮＭｅ_２）_３又はＰ（ＮＥｔ_２）_３（Ｍｅ＝メチルであり、Ｅｔ＝エチルである）と反応させ、次いで、好ましくは、８０℃より高い沸点を有する溶媒、例えばトルエン中で、Ｒ^１Ｒ^２ＮＨ又はＲ^３ＯＨと反応させる方法である。後者の反応のために適切な触媒の例としては、塩化アンモニウム、テトラゾール又はベンゾイミダゾリウムトリフレートが挙げられる。ＨＯ−Ｃ_ｎ−ＯＨの例としては、キラルビスナフトール、例えば、（Ｒ）−または（Ｓ）−１，１’−ビ−（２−ナフトール）；キラルビスフェノール、例えば、（Ｒ）−または（Ｓ）−６，６’−ジメトキシ−２，２’−ビスフェノール；ジオール、例えば、（Ｒ，Ｒ）−または（Ｓ，Ｓ）−２，２’−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス−（１，１−ジフェニル）メタノール（ＴＡＤＤＯＬ）または（Ｓ，Ｒ）−または（Ｒ，Ｓ）−インダン−１，２−ジオール；糖に基づいた１，２−ジオール及び１，３−ジオール、例えば、下記式

を有するジオールが挙げられる。

Ｒ^１Ｒ^２ＮＨの例としては、例えば、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロへキシルアミン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、（Ｒ）−又は（Ｓ）−１−メチル−ベンジルアミン、ピペリジン、シス−２，６−ジメチルピペリジン、（Ｒ，Ｒ）−または（Ｓ，Ｓ）−２，５−ジフェニルピロリジン、（Ｒ，Ｒ）−または（Ｓ，Ｓ）−３，４−ジフェニルピロリジン、モルホリン、（Ｒ，Ｒ）−又は（Ｓ，Ｓ）−ビス−（１−メチルベンジル）アミン等が挙げられる。

Ｒ^３ＯＨの例としては、（１Ｓ，２Ｒ）−または（１Ｓ，２Ｓ）−または（１Ｒ，２Ｒ）−または（１Ｒ，２Ｒ）−２−フェニルシクロへキサノール、（１Ｓ，２Ｒ）−または（１Ｓ，２Ｓ）−または（１Ｒ，２Ｒ）−または（１Ｒ，２Ｒ）−２−（１−ナフチル）シクロへキサノール、（１Ｓ，２Ｒ）−または（１Ｓ，２Ｓ）−または（１Ｒ，２Ｒ）−または（１Ｒ，２Ｒ）−２−（２−ナフチル）シクロへキサノール、ｌ−またはｄ−メントール、ｌ−またはｄ−イソプレゴール、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−フェニルエタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、フェンコール、ボルネオール、（Ｓ）または（Ｒ）−２−ヒドロキシジメチル−４−ｔｅｒｔブチル−１，３−オキサゾリン、（Ｓ）または（Ｒ）−２−ヒドロキシジメチル−４−イソプロピル−１，３−オキサゾリン等が挙げられる。

また、光学活性配位子は、他の公知製造方法（例えば、下記非特許文献７及び８参照）によっても簡単に製造することができる。この第二の好ましい製造法は、ＨＯ−Ｃ_ｎ−ＯＨ化合物をＰＣｌ_３と塩基、例えば、Ｅｔ_３Ｎの存在下に反応させ、続いて、溶媒、例えば、トルエンの存在下にＲ^１Ｒ^２ＮＬｉまたは、塩基、例えば、Ｅｔ_３Ｎの存在下にＲ^１Ｒ^２ＮＨまたはＲ^３ＯＨと反応させるものである。ＨＯ−Ｃ_ｎ−ＯＨ、Ｒ^１Ｒ^２ＮＨおよびＲ^３ＯＨの例は、上記第一の好ましい製造法において示されたものと原則同じである。
Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５６，２８６５（２０００） Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ，９，１１７９（１９９８）

光学活性配位子は、更に他の公知製造方法（例えば、下記非特許文献９及び１０参照）によっても簡単に製造することができる。この第三の好ましい製造法は、Ｒ^１Ｒ^２ＮＬｉ、Ｒ^１Ｒ^２ＮＨまたはＲ^３ＯＨをＰＣｌ_３と反応させ、続いて、好ましくは、塩基、例えば、Ｅｔ_３Ｎの存在下に、かつ溶媒、例えば、トルエンの存在下にＨＯ−Ｃ_ｎ−ＯＨ化合物と反応させるものである。ＨＯ−Ｃ_ｎ−ＯＨ、Ｒ^１Ｒ^２ＮＨおよびＲ^３ＯＨの例は、上記第一の好ましい製造において示されたものと原則同じである。
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５８，７３１３（１９９３） Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ，１３，８０１（２００２）

前記反応において、一般式（IV）または一般式（Ｖ）で表される光学活性配位子は、２−シクロペンタデセノン類（III）１モルに対し、通常０．１〜２０モル％程度、好ましくは１．０〜１０モル％程度の量で用いられる。

前記したエノールアニオン捕捉反応で得られる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体（II）は、従来知られていない新規な化合物であり、安定で通常油状または粉末状を呈し、保存可能である。そのため前記エノールアニオン捕捉反応で得られる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体（II）は、例えば、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー処理によって精製するか、または精製処理を行わずに保存しておき、次工程の製造時に保存容器から取り出して用いてもよい。

なお、一般式（II）で表される化合物の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。しかし、これらは単に例示として挙げられているにすぎないもので、上記一般式（II）で表される化合物が下記のものに限られるものではない。

（エノールエステル類）
３−メチル−１−シクロペンタデセニル フォーメート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル アセテート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ブチレート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル イソブチレート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ｓｅｃ−ブチレート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ｔｅｒｔ−ブチレート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル バレレート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル イソバレレート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ヘキサノエート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ヘプタノエート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル オクタノエート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ノナネート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル デカノエート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ウンデカノエート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ドデカノエート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ベンゾエート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル クロロアセテート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル フェノキシアセテート。

（エノールカーボネート類）
３−メチル−１−シクロペンタデセニル メチルカーボネート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル エチルカーボネート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ｔｅｒｔ−ブチルカーボネート、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ベンジルカーボネート。

（エノールエーテル類）
３−メチル−１−シクロペンタデセニル メチルエーテル、３−メチル−１−シクロペンタデセニル エチルエーテル、３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピルエーテル、３−メチル−１−シクロペンタデセニル イソプロピルエーテル、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ブチルエーテル、３−メチル−１−シクロペンタデセニル イソブチルエーテル、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ベンジルエーテル。

（シリルエノールエーテル類）
３−メチル−１−シクロペンタデセニル トリメチルシリルエーテル、３−メチル−１−シクロペンタデセニル トリエチルシリルエーテル、３−メチル−１−シクロペンタデセニル ｔｅｒｔ−ブチルジエチルシリルエーテル。

上記化合物の例示においては幾何異性体および光学異性体について示されていないが、（Ｅ）−体、（Ｚ）−体および（Ｅ）−体と（Ｚ）−体の混合物ならびに（Ｒ）−体、（Ｓ）−体および（Ｒ）−体と（Ｓ）−体の混合物についても上記と同様のものが挙げられる。

本反応において、一般式（II）で表される３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体における幾何異性の立体配置は、一般式（III）で表される２−シクロペンタデセン類の幾何異性の立体配置により制御され、例えば、一般式（III）で表される２−シクロペンタデセンとして（Ｅ）−体を使用した場合は、一般式（II）で表される３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体としては（Ｚ）−３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体が主生成物として得られる。

本反応において、光学活性配位子の存在下に得られる、一般式（II−ａ）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体における３−位の不斉炭素原子上の立体配置は、反応中で使用する光学活性配位子の立体により制御される。
例えば、光学活性配位子として、式：

で表される４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピンが好ましいものとして挙げられるが、これを使用した場合、一般式（II−ａ）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体として、（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体が得られる。また、他の好ましい光学活性配位子の例として、４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン、４−（（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジフェニルピロリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン、４−（（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジフェニルピロリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン等も挙げられるが、これらを使用した際にも同様の結果が得られる。

本発明では、次に一般式（II）：

（式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；波線は前記と同義である。）
で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解させることにより、式（Ｉ）：

で表わされるムスコンが得られる。

上記加溶媒分解の方法としては、通常の公知あるいは周知のエノール類の加溶媒分解法を使用することができる。このような方法としては、例えば、エノールエステル類やエノールカーボネート類では、塩基性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法が挙げられる。本加溶媒分解において用いられる塩基性触媒としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リチウムアルコキシド（リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド、など）、ナトリウムアルコキシド（ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、など）、カリウムアルコキシド（カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、など）などが挙げられる。塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどが安価でしかも汎用性があり、反応の選択性および収率も高いことから好ましい。これらの塩基性触媒は、１種または２種以上を混合して使用することができるが、１種で使用する方法が好ましい。

また、例えば、エノールエーテル類では、酸性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法が挙げられる。本加溶媒分解において用いられる酸性触媒としては、例えば、フッ化水素酸、塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、酢酸、クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、酸性イオン交換樹脂などが挙げられる。好ましい酸性触媒としては、塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸などが安価でしかも汎用性があり、反応の選択性および収率も高いことから好ましい。これらの酸性触媒は１種または２種以上を混合して使用することができるが、１種で使用する方法が好ましい。

さらに、例えば、シリルエノールエーテル類では、上記酸性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法などが挙げられる他、三フッ化ホウ素、フッ化四級アンモニウム塩などのフッ素系化合物が挙げられる。

また、加溶媒分解の際に使用される溶媒は、加溶媒分解が進行する溶媒であれば何れのものでもよく、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類等およびこれらの混合溶媒が挙げられる。なかでもメタノールおよびエタノールが安価でしかも汎用性があり、反応の選択性および収率も高いことから好ましい。
さらに、必要に応じ助溶媒が使用されてもよい。助溶媒としては、反応に関与しない溶媒であれば何れのものを用いてもよく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等芳香族系溶媒等の有機溶媒が挙げられる。

溶媒の使用量は、３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体（II）１質量部に対し、通常０．５〜１００倍容量、好ましくは１〜３０倍容量である。また、反応は通常、０〜２５０℃程度の温度、好ましくは、２０〜１００℃程度の温度で行われ、通常１０分〜２０時間程度、好ましくは３０分から１０時間程度の時間反応させることにより終了するが、これらの条件は使用する溶媒や触媒などの量により適宜変更され得る。

反応終了後は通常の後処理を行うことにより、必要に応じて蒸留やカラムクロマトグラフィー等の方法を用いて、目的物を単離することができる。また、本発明における反応形式は、バッチ式においても連続的においても実施することができる。

これまで、一般式（II）で表される３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部の加溶媒分解について詳しく述べたが、触媒、溶媒、反応の条件などは、一般式（II−ａ）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体に関しても同様である。すなわち、上記と同様にして、一般式（II−ａ）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を加溶媒分解することにより、式（Ｉ−ａ）で表される光学活性ムスコンを製造することができる。

本反応において、式（Ｉ−ａ）で表される光学活性ムスコンにおける３−位の不斉炭素原子上の立体配置は、一般式（II−ａ）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の立体配置が維持され、例えば、一般式（II−ａ）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体として（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を使用した場合、式（Ｉ−ａ）で表されるムスコンとしては（Ｒ）−ムスコンが、光学純度を保持して得られる。すなわち、光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の立体配置は反応中使用される光学活性配位子の立体により制御されるのである。

以下、本発明を実施例及び比較例を用いて具体的に説明するが、本発明は、これらにより何ら限定されるものではなく、また、本発明の範囲を逸脱しない範囲で変化させてもよい。
なお、下記に記載する処方の単位は特に言及しない限り、％は質量％を意味するものとする。

本実施例および比較例中での分析においては、次の分析機器を用いて分析が行われた。
旋光度；
機器：Ｐ−１０２０（日本分光工業株式会社製）
プロトン核磁気共鳴スペクトル（ ^１ Ｈ−ＮＭＲ）；
機器：ＤＲＸ−５００型装置（ブルカー社製）
内部標準物質：テトラメチルシラン
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）；
機器：Ｎｉｃｏｌｅｔ ＡＶＡＴＡＲ ３６０ＦＴ−ＩＲ（ニコレジャパン株式会社製）
質量スペクトル（ＭＳ）；
機器：ＧＣＭＳ−ＱＰ２０１０（株式会社島津製作所製）
ガスクロマトグラフィー；
機器：ＧＣ−１４Ａ（株式会社島津製作所製）
カラム：Ｒｔｘ−１（０．２５ｍｍ×６０ｍ）（ＲＥＳＴＥＫ社製）
高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）：
機器：Ｗａｔｅｒｓ２６９５（日本ウォーターズ株式会社製）
カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ^ＴＭ ＡＳ−Ｈ（０．２５ｃｍψ×２５ｃｍ）(ダイセル化学工業株式会社)、

［実施例１］（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネートの合成
窒素雰囲気下、１０００ｍｌ反応フラスコに、光学活性配位子４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン１．３２ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２ ０．４７ｇ（１．３ｍｍｏｌ）、ジメチル亜鉛トルエン溶液（２．０ｍｏｌ／ｌ）１１５ｍｌ（２３０ｍｍｏｌ）、キシレン５２４ｇを入れ、−２０℃に冷却した。その後、無水プロピオン酸２０．６ｇ（１５８ｍｍｏｌ）と（２Ｅ）−シクロペンタデセノン３２ｇ（１４４ｍｍｏｌ）を３時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後５％硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗後、溶媒を減圧除去し、粗生成物４３．２ｇを得た。この濃縮液を蒸留（沸点１１２℃／３９．９Ｐａ）することにより、表題化合物を３９．４ｇ（１３４ｍｍｏｌ）、収率９３％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝１．０／９９．０であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）： ０．９０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．５Ｈｚ），１．０７〜１．１５（２Ｈ，ｍ），１．２０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．２６〜１．４０（１５Ｈ，ｍ），２．１４〜２．１６（１Ｈ，ｍ），２．３０〜２．３９（２Ｈ，ｍ），２．４０（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），４．７７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ）

ＭＳ m/z： ２９３（Ｍ^＋５），２６５（３），２３８（９０），２２０（３０），２０９（２７），１９５（１３），１８０（１１），１５８（７），１４２（７），１２５（３８），１１７（２８），９７（６０），８４（５５），６９（６２），５７（１００），４１（３７）

ＩＲ ν_max（ｃｍ^−１）： ２９２６，２８５６，１１５２

［α］_Ｄ＝７９．２°（ｃ＝１．０（ＣＨＣｌ_３中））

［実施例２］（Ｒ）−ムスコンの合成
２００ｍｌナスフラスコに、実施例１で得た（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネート２７．３ｇ（９３ｍｍｏｌ）、トルエン５４．６ｇを入れ、攪拌した。２０℃にてナトリウムメトキシド−メタノール２８％溶液１７．９ｇ（９３ｍｍｏｌ）を滴下後、１時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後５％硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し粗（Ｒ）−ムスコン２９．４ｇを得た。この濃縮液を蒸留（沸点１１０℃／５０．５Ｐａ）し、表題化合物を２１．４ｇ（９０ｍｍｏｌ）、収率９７％で得た。高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、８３％ｅｅであった。

［実施例３］（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル アセテートの合成
窒素雰囲気下、２０００ｍｌ反応フラスコに、光学活性配位子４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン３．３０ｇ（７．２５ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２ １．３１ｇ（３．６２ｍｍｏｌ）、ジメチル亜鉛トルエン溶液（２．０ｍｏｌ／ｌ）２１７ｍｌ（０．４３ｍｏｌ）、トルエン１４２０ｇを入れ攪拌した。−２０℃下無水酢酸３７．０ｇ（０．３６ｍｏｌ）を加えた後、（２Ｅ）−シクロペンタデセノン７９．８ｇ（０．３６ｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、６時間攪拌を続け、ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後５％硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物１５２ｇを得た。この濃縮液を蒸留（沸点１０３℃／０．３ｍｍＨｇ）することにより、表題化合物を９４．８ｇ（０．３４ｍｏｌ）、収率９４％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝０．３／９９．７であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）： ０．９３（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），１．０７〜１．１５（２Ｈ，ｍ），１．２０〜１．６０（２０Ｈ，ｍ），２．１５〜２．１８（１Ｈ，ｍ），２．１６（３Ｈ，ｓ），２．２８〜２．４０（２Ｈ，ｍ），４．７９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ）

ＭＳ m/z： ２８０（Ｍ^＋３），２６５（３），２３８（１００），２２０（３０），２０９（２５），１９５（１８），１８０（１０），１５６（９），１４２（９），１２５（４８），１１２（３０），９７（８５），８４（７２），６９（９８），５５（６０），４３（８２）

ＩＲ ν_max（ｃｍ^−１）： ２９２７，２８５６，１７５５，１４５８，１２１４

［α］_Ｄ＝８２．２°（ｃ＝１．０（ＣＨＣｌ_３中））

［実施例４］（Ｒ）−ムスコンの合成
実施例２の（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネートを、実施例３で得た（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル アセテートに替えることを除き実施例２と同条件下に加溶媒分解して、（Ｒ）−ムスコンを得た。収率は９７％であった。また、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、８２％ｅｅであった。

［実施例５］（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル アセテートおよび（Ｒ）−ムスコンの合成
窒素雰囲気下、３０ｍｌ反応フラスコに、光学活性配位子４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン５５ｍｇ（０．１２１ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２ １４．５ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、ジメチル亜鉛トルエン溶液（１．８８ｍｏｌ／ｌ）２．５５ｍｌ（４．８ｍｍｏｌ）、トルエン５ｍｌを入れ、−２０℃に冷却した。その後、無水酢酸４１０ｍｇ（４ｍｍｏｌ）と（２Ｅ）−シクロペンタデセノン ８８９ｍｇ（４ｍｍｏｌ）及びトルエン５ｍｌの混合液を５分間で滴下し、さらに４時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後５％硫酸水溶液で反応を停止し、（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル アセテートの粗生成物１．２ｇを得た。
得られた混合物をナトリウムメトキシド−メタノール２８％溶液で加溶媒分解することにより、０．８８ｇ（３．７ｍｍｏｌ）、収率９２％で（Ｒ）−ムスコンを得た。

［比較例１］（Ｒ）−ムスコンの合成
実施例５での無水酢酸を使用せずに、他は同様の条件で反応させることにより、直接（Ｒ）−ムスコンを合成した。収率は５３％であった。

実施例５及び比較例１より、エノールアニオン捕捉剤である無水酢酸を添加物として加えて反応させ、エノール体である３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体（II）を経由してムスコンを合成することにより、収率が明らかに向上した。

［実施例６］（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル ブチレートおよび（Ｒ）−ムスコンの合成
１００ｍｌ反応フラスコに、光学活性配位子４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン４５．８ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２ １６．４ｍｇ（０．０４５ｍｍｍｏｌ）、ジメチル亜鉛トルエン溶液（２．０ｍｏｌ／ｌ）８．０ｍｌ（１６ｍｍｏｌ）、キシレン３６ｇを入れ攪拌した。−２０℃下無水ｎ−ブタン酸１．７ｇ（１１ｍｍｏｌ）を加え、（２Ｅ）−シクロペンタデセノン２．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間攪拌を続けた。ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後５％硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物３．０ｇを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル ブチレートを２．８ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、収率９１％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝３．８／９６．２であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）： ０．９２（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），１．００（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），１．０９〜１．４３（２３Ｈ，ｍ），１．７１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），２．１３〜２．１７（１Ｈ，ｍ），２．２９〜２．３８（２Ｈ，ｍ），２．４０（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），４．７７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ）

ＭＳ m/z： ３０７（Ｍ^＋５），２６５（３），２３８（９５），２２０（２７），２０９（２３），１９５（１０），１８０（８），１５６（５），１４２（５），１２５（４５），１１７（３０），９７（５３），８４（５０），７１（１００），５５（４５），４３（９６）

ＩＲ ν_max（ｃｍ^−１）： ２９２８，２８５７，１２４０，１１５３，１１０３

得られた（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル ブチレートを加溶媒分解し、（Ｒ）−ムスコンに変換した後、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定したところ、８５．５％ｅｅであった。

［実施例７］（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル イソブチレートおよび（Ｒ）−ムスコンの合成
実施例６の無水ｎ−ブタン酸を無水イソブタン酸に替え、キシレンを１４ｇにして同条件下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離精製し、表題化合物２．５ｇ（８．１４ｍｍｏｌ）、収率８１％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝１．４／９８．６であった。

^１ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）： ０．９１（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），１．０６〜１．４０（３０Ｈ，ｍ），２．１３〜２．１６（１Ｈ，ｍ），２．３０〜２．４０（２Ｈ，ｍ），２．６３〜２．６９（２Ｈ，ｍ），４．７７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ）

ＭＳ m/z： ３０７（Ｍ^＋５），２６５（５），２３８（３５），２２０（２２），２０９（１２），１９５（１２），１８０（３），１５６（５），１４２（５），１２５（１５），１１７（８），９７（２０），８４（２０），７１（９５），５５（２３），４３（１００）

ＩＲ ν_max（ｃｍ^−１）： ２９２７，２８５７，１２３６，１１８１，１１３９，１０５８

その後同様に加溶媒分解し、（Ｒ）−ムスコンに変換した後、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、８５．７％ｅｅであった。

［実施例８］（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル メチルカーボネートおよび（Ｒ）−ムスコンの合成
実施例７の無水イソブタン酸をジメチルジカーボネートに替えて同条件下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離し、表題化合物２．３６ｇ（０．８０ｍｍｏｌ）、収率８０％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝１．２／９８．８であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）： ０．９４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），１．０５〜１．５３（２２Ｈ，ｍ），２．１２〜２．１９（１Ｈ，ｍ），２．３８〜２．３９（２Ｈ，ｍ），３．８２（３Ｈ，ｓ），４．７８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．７Ｈｚ）

ＭＳ m/z： ２９６（Ｍ^＋３），２８１（３），２６４（２），２３７（５），２２０（７０），２０５（８），１９１（８），１７８（１０），１６３（７），１４９（２０），１３５（２５），１２１（３２），１１１（７３），９４（１００），８０（８２），６９(９０)，５５（９０），４１(７８)，

ＩＲ ν_max（ｃｍ^−１）： ２９２８，２８５７，１７６０，１４５７，１４４０，１２４１

その後同様に加溶媒分解し、（Ｒ）−ムスコンに変換した後、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、８５．５％ｅｅであった。

［実施例９］３−メチル−１−シクロペンタデセニル トリメチルシリルエーテルの合成
窒素雰囲気下、１００ｍｌ反応フラスコに、トリフェニルホスファイト４７．８ｍｇ（０．１５４ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２ ２５．３ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）、ジメチル亜鉛トルエン溶液（２．０ｍｏｌ／ｌ）９．５ｍｌ（１９ｍｍｏｌ）、キシレン２０ｇを入れ攪拌した。−２０℃下塩化トリメチルシラン０．８４ｇ（７．７ｍｍｏｌ）を加え、トリエチルアミン０．７８ｇ（７．７ｍｍｏｌ）と（２Ｅ）−シクロペンタデセノン１．５６ｇ（７．０ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間攪拌を続けた。ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後５％硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物２．５ｇを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物を１．７４ｇ（５．５９ｍｍｏｌ）、収率８０％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝２５／７５であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）： ０．１８（９Ｈ，ｓ），０．９１（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），１．０３〜１．０９（２Ｈ，ｍ），１．１３〜１．６８（２０Ｈ，ｍ），１．９８〜２．０６（２Ｈ，ｍ），２．４３〜２．４６（１Ｈ，ｍ），４．２０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ）

ＭＳ m/z： ３１０（Ｍ^＋２８），２９５（４０），２８１（５），２６７（１３），２５３（５），２３９（３），２２５（５），２２１（１０），１９７（２０），１８３（５），１６９（６８），１５７（３８），１４３（２５），１３０（５７），１０９（２），９５（５），７３（１００），６９(１０)，５５（１３），４１(１２)，

ＩＲ ν_max（ｃｍ^−１）： ２９２６，２８５７，１６７０，１４５７，１２５１，８４３

［実施例１０］３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネートの合成
窒素雰囲気下、１００ｍｌ反応フラスコに、トリフェニルホスファイト４１．０ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２ ２１．７ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、ジメチル亜鉛トルエン溶液（２．０ｍｏｌ／ｌ）４．８４ｍｌ（９．６ｍｍｏｌ）、キシレン９ｇを入れ攪拌した。−２０℃下無水プロピオン酸０．８６ｇ（６．６ｍｍｏｌ）と（２Ｅ）−シクロペンタデセノン１．３３ｇ（６．０ｍｍｏｌ）を３時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間攪拌を続け、ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後５％硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物６３ｇを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物を１．５９ｇ（５．４ｍｍｏｌ）、収率９０％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝１．０／９９．０であった。

［実施例１１］（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネート及び（Ｒ）−ムスコンの合成
窒素雰囲気下、１００ｍｌ反応フラスコに、光学活性配位子４−（（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジフェニルピロリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン（非特許文献１０参照）０．１４ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、（ＣｕＯＴｆ）_２・トルエン４３．２ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）、ジメチル亜鉛トルエン溶液（２．０ｍｏｌ／ｌ）４．８４ｍｌ（９．６ｍｍｏｌ）、トルエン１５ｇを入れ攪拌した。−４０℃下無水プロピオン酸０．８６ｇ（６．６ｍｍｏｌ）と（２Ｅ）−シクロペンタデセノン１．３３ｇ（６．０ｍｍｏｌ）を３時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後５％硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物６３ｇを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネートを１．６３ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、収率９２％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝１．０／９９．０であった。
これを加溶媒分解し（Ｒ）−ムスコンに変換した後光学純度を測定したところ、９５．０％ｅｅであった。

［実施例１２］３−メチル−１−シクロペンタデセニル アセテート及び（Ｒ）−ムスコンの合成
実施例１１の光学活性配位子を当モルの４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン（特許文献１参照）に替え、無水プロピオン酸を当モルの無水酢酸に替えて−３０℃下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離し、（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル アセテートを収率９１％で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝０．３／９９．７であった。
これを加溶媒分解し（Ｒ）−ムスコンに変換した後高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定したところ、８９．０％ｅｅであった。

産業上の利用分野

本発明の製造法で得られるムスコンは、香料、医薬材料などとして有用な化合物である。

Claims (13)

1. 一般式（III）：
   

   

   （式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
   で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により１，４−共役付加反応を行い、一般式（II）：
   

   

   （式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；波線は前記と同義である。）
   で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式（Ｉ）：
   

   

   で表わされるムスコンの製造方法。
2. 一般式（III）：
   

   

   （式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
   で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、１，４−共役付加反応を行い、一般式（II−ａ）：
   

   

   （式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は前記と同義である。）
   で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式（Ｉ−ａ）：
   

   

   で表わされる光学活性ムスコンの製造方法。
3. 一般式（III）：
   

   

   （式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
   で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、１，４−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式（II）：
   

   

   （式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し；波線は前記と同義である。）
   で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
4. 一般式（III）：
   

   

   （式中、波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
   で表わされる２−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、１，４−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式（II−ａ）：
   

   

   （式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は前記と同義である。）
   で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
5. 一般式（II）：
   

   

   （式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
   で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式（Ｉ）：
   

   

   で表わされるムスコンの製造方法。
6. 一般式（II−ａ）：
   

   

   （式中、Ｒは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
   で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式（Ｉ−ａ）：
   

   

   で表わされる光学活性ムスコンの製造方法。
7. 光学活性配位子が一般式（IV）：
   

   

   （式中、Ｃ_ｎは２個の酸素原子及び燐原子と一緒になって２〜４個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を示し、Ｒ^１及びＲ^２は夫々独立して、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示すか、又はそれらが結合される窒素原子と一緒になって複素環を形成することができる基を示す。）
   で表わされる光学活性配位子であることを特徴とする請求項２又は４記載の製造方法。
8. 光学活性配位子が一般式（Ｖ）：
   

   

   （式中、Ｃ_ｎは２個の酸素原子及び燐原子と一緒になって２〜４個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を表し、Ｒ^３は、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示す。）
   を表わされる光学活性配位子であることを特徴とする請求項２又は４記載の製造方法。
9. 光学活性配位子が４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン、４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン、４−（（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジフェニルピロリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン、４−（（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジフェニルピロリジン）−（Ｒ）−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピンであることを特徴とする請求項２又は４記載の製造方法。
10. エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式（ＶI）：
    Ｒ^４−Ｘ （ＶI）
    （式中、Ｒ^４は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し；Ｘは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、ＯＲ’（Ｒ’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。）を示す。）
    で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする請求項１、２、３、４、７又は８記載の製造方法。
11. エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式（VII）：
    Ｒ^５−Ｘ （VII）
    （式中、Ｒ^５は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示し、；Ｘは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、ＯＲ’（Ｒ’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。）を示す。）
    で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする請求項１、２、３、４、７又は８記載の製造方法。
12. 一般式（II）：
    

    

    （式中、Ｒは、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基及びフェニル基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
    で表わされる３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体。
13. 一般式（II−ａ）：
    

    

    （式中、Ｒは、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基及びフェニル基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し；＊は、不斉炭素原子を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す。）
    で表わされる光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体。