JP4739185B2 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。より詳しくは、異なる光学的距離を有する共振器構造を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子部を、同一基板上に並置することによって、多色発光を可能とした有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（以下、「エレクトロルミネッセンス」をＥＬと示すことがある。）を用いたフルカラー化技術としては、三色塗り分け法、白色ＥＬにカラーフィルタを組み合わせる方法、ＥＬ、色変換膜及びカラーフィルタを組み合わせて用いる方法等がある。

三色塗り分け法においては、材料のバランスを整えることと円偏光板のロスを小さくすることで、高効率化できる可能性がある。しかしながら、その塗り分け技術が困難であることから、高精細なディスプレイの実現は難しく、大画面化は困難とされている。

白色ＥＬにカラーフィルタを用いる方法では、白色エレクトロルミネッセンス発光自体の効率が低いことが問題として挙げられる。
また、エレクトロルミネッセンスに色変換膜を用いる方法では、様々な改良がなされているが、赤色への変換効率が低いこと等が問題として挙げられる。

フルカラーディスプレイの方式としては，ボトムエミッション構造とトップエミッション構造に分けられる。トップエミッション構造とは、従来、ＴＦＴガラス基板側から光を取り出していたものを、基板を通さずにその反対側から光を取り出す構造としたものである。これにより、発光部に対する開口率を向上させることが可能となり、高輝度化を可能としている。

ところで、上部電極に半透明の陰極を採用し、多重干渉効果によって、特定の波長の光のみをＥＬ素子の外部に取り出し、高い色再現性を実現することが検討されている。例えば、光反射材料からなる第１電極、有機発光層を備えた有機層、半透明反射層及び透明材料からなる第２電極が順次積層され、有機層が共振部となるように構成された有機ＥＬ素子において、取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとした場合、以下の式を満たすように構成した有機ＥＬ素子が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（Ｌは光学的距離、λは取り出したい光の波長、ｍは整数、Φは位相シフトであり、光学的距離Ｌが正の最小値となるように構成）

また、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素が、反射層と透明層の間に有機ＥＬ層が挟まれた構造であり、カラーフィルタを透明層の光出力側又は外光入射側に配置した表示装置が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
国際公開第ＷＯ０１／３９５５４号パンフレット 特開２００２−３７３７７６号公報

しかしながら、これらのＥＬ素子又は表示装置では以下に示す問題があった。
（１）フルカラーの表示装置を形成するには、各色に対応するＥＬ素子を作製する必要があるが、ＥＬ素子の膜厚を画素毎に、発色に応じた膜厚としなければならず製造が難しい。
（２)上記式のｍが小さい条件を利用するので、光の選別性が十分でない場合がある。

本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、有機ＥＬ素子の効率を低下させずに多色発光を可能とし、かつ製造が容易な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。

本発明者らは、この課題を解決するために鋭意研究したところ、同一基板上に形成する各有機ＥＬ素子の、共振部の光学膜厚を、無機化合物層により調整することによって、各素子を異なる色に発光させること（多色発光）ができ、さらに、発色の異なる有機ＥＬ素子（画素）であっても、有機発光媒体層、光反射層、透明電極等を、共通した同一層として形成することができるため、素子ごとに各層を形成する必要がなく、高効率な有機ＥＬ表示装置を容易な製造工程にて得られることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法が提供される。
１．基板と、前記基板の同一面上に並置した、第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部及び第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部と、を有し、前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルと、前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルとが異なる有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

２．基板と、前記基板の同一面上に並置した、第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部及び第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部と、を有し、前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、第二の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルと、前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルとが異なる有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

３．基板と、前記基板の同一面上に並置した、第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部、第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部及び第三の有機エレクトロルミネッセンス素子部と、を有し、前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、前記第三の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、第二の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、前記第一、第二及び第三の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルがそれぞれ異なる有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

４．前記第一の無機化合物又は第二の無機化合物層の少なくとも一層が結晶化処理された無機化合物層である１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
５．前記第一の無機化合物層及び／又は第二の無機化合物層が無機酸化物を含む１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
６．前記第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層が無機酸化物を含み、
前記第一の無機化合物層の結晶化度が、前記第二の無機化合物層の結晶化度よりも大きい、４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
７．前記第一の無機化合物層が結晶質であり、前記第二の無機化合物層が非結晶質である６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
８．前記第一の無機化合物層及び／又は第二の無機化合物層が、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｎｂ，Ｔｂ，Ｃｄ，Ｇａ，Ａｌ，Ｍｏ及びＷからなる群から選択される元素の酸化物を含む１〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
９．前記第一の無機化合物層及び／又は第二の無機化合物層が、Ｉｎ，Ｓｎ及びＺｎからなる群から選択される元素の酸化物を含む１〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

１０．前記光反射導電層が、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｅｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｎａ及びＫからなる群から選択される金属又は該群から選択される少なくとも１種以上の金属を含む合金である１〜９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
１１．前記光反射層が、Ａｌ、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｅｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｎａ及びＫからなる群から選択される一種又は二種以上の金属元素を含む１〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
１２．さらに、色変換部を有する１〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
１３．さらに、カラーフィルタを有する１〜１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
１４．前記色変換部が蛍光変換膜である１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
１５．前記第一の無機化合物層及び／又は第二の無機化合物層をウェットエッチング法で形成する工程を含む１〜１４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、異なる共振部を有する有機ＥＬ素子を同一基板上に形成することにより、有機ＥＬ素子の発光効率を低下させることなく、多色発光を実現できる。
また、光反射導電層の上部に無機化合物層を形成することによって、光共振部の光学膜厚を制御しているので、発光素子として最適値に設定した有機発光媒体層の厚さを変えることなく、各有機ＥＬ素子部の光学膜厚を自由に調整できる。
さらに、有機発光媒体層の厚さ等を、異なる発色をするＥＬ素子部ごとに調整する必要がないため、容易に製造できる。

第一の実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す図である。 第二の実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す図である。 第三の実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す図である。 光反射層の形成位置の例を示す図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図である。

［第一の実施形態］
図１は、本発明の第一の実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す図である。
有機ＥＬ表示装置１は、基板１１上に並置された第一の有機ＥＬ素子部１０と、第二の有機ＥＬ素子部２０とを有する。
第一の有機ＥＬ素子部１０は、基板１１上に、光反射導電層１２、有機発光媒体層１３、光反射層１４及び透明電極層１５をこの順に積層した構造を有している。
第二の有機ＥＬ素子部２０は、基板１１上に、光反射導電層１２、第一の無機化合物層２１、有機発光媒体層１３、光反射層１４及び透明電極層１５をこの順に積層した構造を有している。

光反射導電層１２は、正孔又は電子を供給する電極として機能するとともに、有機発光媒体層１３で発生した光を、光取り出し方向（図１における上方)に反射する層である。有機発光媒体１３は、有機発光層を含み、電子と正孔の再結合により光を発生する層である。光反射層１４は、有機発光媒体層１３で発生した光を反射及び透過する層である。透明電極層１５は、正孔又は電子を供給する電極であり、また、有機発光媒体１３で発生した光を透過し、外部に取り出す層である。
第二の有機ＥＬ素子部２０に形成される第一の無機化合物層２１は、第一の有機ＥＬ素子部１０と異なる色を発光させるために、光学膜厚を調整するための層である。

有機ＥＬ表示装置１において、第一の有機ＥＬ素子部１０及び第二の有機ＥＬ素子部２０は、光反射導電層１２と光反射層１４の間を共振部とする共振器構造を有している。共振器構造を有する素子では、有機発光媒体１３で発生した光は、二つの光反射面（光反射導電層１２と光反射層１４）の間で反射を繰り返し、下記式を満たす波長付近の光が強められ、結果として他の波長の光よりも強調されて素子の外に放出される。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（Ｌは光学的距離、λは取り出したい光の波長、ｍは整数、Φは光反射導電層１２、光反射層１４での位相シフトである。）
尚、光学的距離Ｌは、光の通過する媒体の屈折率ｎと実際の距離Ｌ_Ｒとの積（ｎＬ_Ｒ）である。

本実施形態において、第一の有機ＥＬ素子部１０では、光学的距離（光学膜厚)をＬ１としてあり、第二の有機ＥＬ素子部２０ではＬ２としてある。Ｌ１とＬ２では、第一の無機化合物層２１の膜厚に相当する分だけ光学的距離が異なっている。
即ち、第一の有機ＥＬ素子部１０では、ある波長λ１の光を強調して素子の外部に取出すように設定でき、第二の有機ＥＬ素子部２０では、λ１とは異なる波長λ２の光を強調して素子の外部に取出すように設定できる。これにより、これら２つの素子部から取り出される光の発光スペクトルをそれぞれ異なるものとすることができるので多色発光が可能となる。

また、第一の有機ＥＬ素子部１０及び第二の有機ＥＬ素子部２０において、有機発光媒体層１３、光反射層１４及び透明電極層１５は、共通した同一の膜として形成することができる。このため、製造工程が簡略化でき、工業生産上、極めて有利である。

［第二の実施形態］
図２は、本発明の第二の実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す図である。
有機ＥＬ表示装置２は、基板１１上に並置された第二の有機ＥＬ素子部２０と、第三の有機ＥＬ素子部３０とを有する。
第二の有機ＥＬ素子部２０は、上述した第一の実施形態と同様である。
第三の有機ＥＬ素子部３０は、基板１１上に、光反射導電層１２、第一の無機化合物層２１、第二の無機化合物層３１、有機発光媒体層１３、光反射層１４及び透明電極層１５をこの順に積層した構造を有している。即ち、第二の無機化合物層３１を形成した他は、第二の有機ＥＬ素子部２０と同様であり、各層の機能も同様である。

第三の有機ＥＬ素子部３０に形成される第二の無機化合物層３１は、第二の有機ＥＬ素子部２０と異なる色を発光させるために、光学膜厚を調整するための層である。
有機ＥＬ表示装置２において、第二の有機ＥＬ素子部２０及び第三の有機ＥＬ素子部３０は、光反射導電層１２と光反射層１４の間を共振部とする共振器構造を有している。第二の有機ＥＬ素子部２０では、光学的距離（光学膜厚)をＬ２としてあり、第三の有機ＥＬ素子部３０ではＬ３としてある。Ｌ２とＬ３では、第二の無機化合物層３１の膜厚に相当する分だけ光学的距離が異なっている。

即ち、第二の有機ＥＬ素子部２０では、ある波長λ２を強調して素子の外部に光を取出すように設定でき、第三の有機ＥＬ素子部３０では、λ２とは異なる波長λ３を強調して素子の外部に光を取出すように設定できる。これにより、これら２つの素子部から取り出される光の発光スペクトルをそれぞれ異なるものとすることができるので、多色発光が可能となる。
本実施形態では、第二の有機ＥＬ素子部２０及び第三の有機ＥＬ素子部３０の共振部の光学的距離を、有機発光媒体層１３の膜厚ではなく、無機化合物層２１，３１の膜厚で制御できる。このため、有機発光媒体層１３に使用する有機化合物が効率よく機能する最適な膜厚を保持しつつ、共振部の光学的距離を調整できる。従って、有機ＥＬ素子の発光効率を低下させることなく、多色発光が可能な有機ＥＬ表示装置を作製できる。

尚、本実施形態では、基板１１上に第二の有機ＥＬ素子部２０と第三の有機ＥＬ素子部３０の、二種のＥＬ素子部を並置した構成としているが、これに限らず、例えば、基板１１上に、無機化合物層を三層設けた第四の有機ＥＬ素子部を形成し、三種のＥＬ素子部を並置した構成とすることもできる。

［第三の実施形態］
図３は、本発明の第三の実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す図である。
有機ＥＬ表示装置３は、基板１１上に並置された第一の有機ＥＬ素子部１０、第二の有機ＥＬ素子部２０及び第三の有機ＥＬ素子部３０とを有する。
各有機ＥＬ素子部１０，２０，３０の構成は、上述した第一及び第二の実施形態と同様であり、各層の機能も同様である。

有機ＥＬ表示装置３において、各有機ＥＬ素子部１０，２０，３０は、それぞれ、光学的距離（光学膜厚)の異なる共振器構造を有している。即ち、光学的距離を第一の有機ＥＬ素子部１０ではＬ１とし、第二の有機ＥＬ素子部２０ではＬ２とし、第三の有機ＥＬ素子部３０ではＬ３としてある。
このため、各有機ＥＬ素子部１０，２０，３０では、それぞれ波長の異なる光（λ１，λ２，λ３）が強調されて素子の外部に取出されることになる。これにより、これら３つの素子部から取り出される光の発光スペクトルをそれぞれ異なるものとすることができるので、多色発光が可能となる。特に、各素子部において、それぞれ異なる三原色の１つを発光するように、共振部の光学的距離を設定することにより、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ表示装置とすることができる。

尚、図１〜図３に示した各有機ＥＬ素子部は、光を透明電極１５側から取り出すトップエミッションタイプであるが、光を基板１１側から取り出すボトムエミッションタイプとしてもよい。
また、光反射層を有機発光媒体と透明電極層の間に形成しているが、これに限られず、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に形成してもよい。図４に光反射層の形成位置の例を示す。

例えば、図４（ａ）に示すように、有機発光媒体の内部（有機発光媒体１３ａと１３ｂの間）に光反射層１４を設けてもよい。これにより、光反射導電層１２と光反射層１４で挟まれた有機発光媒体１３ａから発生した光は、共振部による調整を受けることになるが、光反射層１４より上部（光取り出し側）にある有機発光媒体１３ｂから発生した光は、共振部による調整を受けずに外部に放射することになる。
また、図４（ｂ）に示すように透明電極の内部（有機発光媒体１５ａと１５ｂの間）、又は図４（ｃ）に示すように透明電極の外部に、光反射層１４を設けてもよい。これにより透明電極の厚さによっても共振部の光学的距離を調整できる。

続いて、本発明の有機ＥＬ表示装置の構成部材について説明する。
（１）基板
基板としてはガラス板、ポリマー板等が好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が好ましい。ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等が好ましい。

（２）光反射導電層
光反射導電層を形成する材料としては、光反射性を有し、かつ電極としての機能を発揮できるものを使用する。光反射率は、２０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましい。
具体的には、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｅｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｎａ及びＫからなる群から選ばれる金属又はこれを含む合金等が好ましく、Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ及びＮｂが特に好ましい。

光反射導電層の膜厚は、使用する材料にもよるが、１００ｎｍ〜１μｍとするのが好ましい。１００ｎｍより小さいと光反射率が低下したり、電極層として用いる場合に電気抵抗が高くなるおそれがあり、１μｍより大きいと、成膜に時間がかかり好ましくない。

（３）第一及び第二の無機化合物層
無機化合物層は、その可視光の波長領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における光透過度が５０％以上のものであれば特に限定なく使用できる。好ましくは、光透過度が８０％以上の透過度を有するものがよい。
無機化合物としては、電荷注入性、導電性又は半導電性であるものが好ましい。具体的には、（ａ）導電性ラジカル塩、（ｂ）遷移金属を含む導電性酸化物であるアクセプター成分と、アルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属であるドナー成分からなるもの、（ｃ）カルコゲナイド、カルコゲナイド及びアルカリ金属が挙げられる。

（ａ）導電性有機ラジカル塩としては、下記式で表されるものが挙げられる。
Ｄ_ｙＡ_ｚ
［式中、Ｄは、ドナー性の分子又は原子であり、Ａは、アクセプター性の分子又は原子であり、ｙは、１〜５の整数であり、ｚは、１〜５の整数である。］
Ｄとしては、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属、Ｃａ等のアルカリ土類金属、Ｌａ、ＮＨ_４等が好ましい。
Ａとしては、ＴａＦ_６、ＡｓＦ_６、ＰＦ_６、ＲｅＯ_４、ＣｌＯ_４、ＢＦ_４、Ａｕ（ＣＮ）_２、Ｎｉ（ＣＮ）_４、ＣｏＣｌ_４、ＣｏＢｒ、Ｉ_３、Ｉ_２Ｂｒ、ＩＢｒ_２、ＡｕＩ_２、ＡｕＢｒ_２、Ｃｕ_５Ｉ_６、ＣｕＣｌ_４、Ｃｕ（ＮＣＳ）_２、ＦｅＣｌ_４、ＦｅＢｒ_４、ＭｎＣｌ_４、ＫＨｇ（ＳＣＮ）_４、Ｈｇ（ＳＣＮ）_３、ＮＨ_４（ＳＣＮ）_４等が好ましい。

（ｂ）遷移金属を含む導電性酸化物であるアクセプター成分と、アルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属であるドナー成分からなるものの、アクセプター成分としては、Ｌｉ_ｘＴｉ_２Ｏ_４、Ｌｉ_ｘＶ_２Ｏ_４、Ｅｒ_ｘＮｂＯ_３、Ｌａ_ｘＴｉＯ_３、Ｓｒ_ｘＶＯ_３、Ｃａ_ｘＣｒＯ_３、Ｓｒ_ｘＣｒＯ_３、Ａ_ｘＭｏＯ_３、ＡＶ_２Ｏ_５（Ａ＝Ｋ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｃａ）（ｘ＝０．２〜５）からなる群から選択される少なくとも一つの酸化物が好適である。
また、アルカリ金属、アルカリ土類金属としては、上記Ｄと同様のものが好適である。

（ｃ）カルコゲナイドとしては、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＴａＳ、ＴａＳｅ、ＺｎＯ等が好ましい。さらに、カルコゲナイド及びアルカリ金属からなることも好ましい。好ましい例としては、ＬｉＺｎＳｅ、ＬｉＺｎＳｉ、ＬｉＺｎＯ、ＬｉＩｎＯ等が挙げられる。

また、無機酸化物も好ましく使用できる。例えば、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｎｂ，Ｔｂ，Ｃｄ，Ｇａ，Ａｌ，Ｍｏ及びＷ等の酸化物が挙げられ、好ましくは、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎを含む酸化物である。

表示装置の製造を容易にするために、光反射導電層、第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層に使用する材料は、そのエッチング特性に差があることが好ましい。即ち、光反射導電層、第一の無機化合物層、第二の無機化合物層の順に、エッチングがされやすい材料を選択することが好ましい。
例えば、第一の無機化合物層に、光反射導電層よりも弱酸でエッチングされやすい材料を選択し、第二の無機化合物層には、第一の無機化合物層よりも、さらに弱酸でエッチングされやすい材料を選択する。
尚、各層を選択的にエッチングできる、エッチング液を有する材料を選択することも考えられる。

第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層のエッチング特性を異なるものとするには、両化合物層を形成する無機酸化物の結晶化度を調整する方法がある。結晶化度が高いほど、酸によるエッチングがされにくくなる傾向がある。
本発明においては、第一の無機化合物層の結晶化度を第二の無機化合物層の結晶化度より大きくすることで、両化合物層のエッチング特性に差を設けることができる。

エッチング特性の違いを利用する例として、以下のようにウェットエッチング法で行なう例がある。
ガラス基板上にＣｒをスパッタリング製膜し、光反射導電層を形成する。この基板を硝酸セリウムアンモニウム塩−過酸化水素水（ＣＡＮ）の混合液にてエッチングし、所望のパターンの光反射導電層付き基板を得る。
次に、ＩＴＯをスパッタリング製膜し、蓚酸水溶液によりエッチングし、所望のパターンのアモルファス（非結晶性）ＩＴＯ膜付基板を得る。
この基板を２３０℃で３０分間加熱処理することで、第一の無機化合物層である結晶性ＩＴＯ膜付基板を得ることができる。結晶性ＩＴＯ膜とすることで、蓚酸水溶液でエッチングされない層を形成できる。
さらに、その上にＩＺＯをスパッタリング製膜し、蓚酸水溶液でエッチングして所望のパターンの第二の無機化合物層付基板を得る。尚、第二の無機化合物層として、非結晶性ＩＴＯを用いることもできる。

尚、結晶化度は、Ｘ線回折測定によって測定できる。即ち、試料表面にＸ線を照射し、回折線の角度（２θ）と強度を測定して、回折ピークの積分強度比から結晶化度を求める。

第一の無機化合物層が結晶質であり、第二の無機化合物層が非結晶質であることも好ましい。これにより、第二の無機化合物層を第一の無機化合物層よりも弱酸でエッチングされやすくできる。

最も弱酸でエッチングされやすい無機化合物の例としては、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、ＩＺＯにランタノイド系金属酸化物を添加したもの等が挙げられる。ランタノイド系金属酸化物としては、例えば、酸化セリウム、酸化プラセオジウム、酸化ネオジウム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、及び酸化ルテチウム等が挙げられる。
尚、ランタノイド系金属酸化物の含有割合は、金属酸化物層における金属酸化物の全金属原子に対して０．１〜１０原子％とするのが好ましい。
また、水素等の存在下で、酸化インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）をスパッタリングして得られる非結晶性のＩＴＯも好適である。

光反射導電層よりも弱酸でエッチングでき、上記の無機化合物よりもエッチングされにくいものとしては、ＩＴＯ，酸化インジウム−酸化セリウム化合物，酸化インジウム−酸化タングステン化合物，酸化インジウム−酸化モリブデン化合物等が挙げられる。非結晶性ＩＴＯ及び上記化合物の非結晶性物質も好ましい。上述したように、非結晶性ＩＴＯ及び上記化合物の非結晶性物質は、熱アニールにより結晶性化合物にできるため、第一の無機化合物層上に第二の無機化合物層を製膜する場合には特に好適である。

第一の無機化合物層をＩＴＯ、第二の無機化合物層をＩＺＯとすることが、エッチング時に下地となる層のダメージを低減できるため好ましい。

第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層の膜厚は、各ＥＬ素子部の共振部において、所望の波長の光が共振されるように適宜調整すればよい。好ましくは、５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲とする。

（４）有機発光媒体層
有機発光媒体層は、少なくとも発光層を含む単層又は積層体であり、例えば、以下のような構成がある。
（ｉ） 発光層／正孔注入層
（ii） 発光層／正孔輸送層／正孔注入層
（iii） 電子注入層／発光層／正孔注入層
（iv） 電子注入層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層
（v） 電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入層
（vi） 電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層

（４−１）発光層
発光層を形成する方法としては、蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
尚、発光層は発色の異なる層を複数形成してもよい。例えば、青色系発光層と橙色系発光層を積層することによって、白色発光を得ることができる。また、発光層に２種以上の発光材料を混合した層も使用できる。この場合、単層でも積層でも使用できる。

発光層に用いられる材料は、長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能であり、一般的に、蛍光性材料とリン光性材料が用いられる。発光効率の面ではリン光性が好ましいが、以下においては蛍光性材料を例に挙げて説明する。

発光材料としては、式（１）で示される材料を発光材料として用いることが望ましい。

（式中、Ａｒ^１は核炭素数６〜５０の芳香族環、Ｘは置換基、ｌは１〜５の整数、ｍは０〜６の整数である。）

Ａｒ^１は、具体的には、フェニル環、ナフチル環、アントラセン環、ビフェニレン環、アズレン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、アセフェナンスリレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、トリナフチレン環等が挙げられる。

好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環、トリナフチレン環等が挙げられる。

さらに好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環等が挙げられる。

Ｘは、具体的には、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のカルボキシル基、置換又は無置換のスチリル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である。

置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。

好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基は−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基の例としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基は−ＯＹ’と表され、Ｙ’の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基は−ＳＹ”と表され、Ｙ”の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のカルボキシル基は、−ＣＯＯＺと表され、Ｚの例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換又は無置換のスチリル基の例としては、２−フェニル−１−ビニル基、２，２−ジフェニル−１−ビニル基、１，２，２−トリフェニル−１−ビニル基等が挙げられる。

ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
ｌは、１〜５、好ましくは１〜２の整数である。ｍは、０〜６、好ましくは０〜４の整数である。

尚ｌ≧２の時、ｌ個のＡｒ¹はそれぞれ同じでも異なっていても良い。
またｍ≧２の時、ｍ個のＸはそれぞれ同じでも異なっていても良い。
式（１）で表わされる化合物の具体例を以下に示す。

発光層に蛍光性化合物をドーパントとし添加し、発光性能を向上させることができる。ドーパントは、それぞれ長寿命等パント材料として公知のものを用いることが可能であるが、式（２）で示される材料を発光材料のドーパント材料として用いることが好ましい。

（式中、Ａｒ^２〜Ａｒ^４は置換又は無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換又は無置換のスチリル基、ｐは１〜４の整数である。）

置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。

好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。

置換又は無置換のスチリル基の例としては、２−フェニル−１−ビニル基、２，２−ジフェニル−１−ビニル基、１，２，２−トリフェニル−１−ビニル基等が挙げられる。

ｐは１〜４の整数である。
尚、ｐ≧２の時、ｐ個のＡｒ^３、Ａｒ^４はそれぞれ同じでも異なっていても良い。
式（２）で表わされる化合物の具体例を以下に示す。

（４−２）正孔輸送層
本発明では、発光層と正孔注入層の間に正孔輸送層を設けることができる。
正孔輸送層は、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましい。即ち、正孔の移動度が、１０^４〜１０^６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、１０^−４ｃｍ^２／Ｖ・秒以上であると好ましい。

正孔輸送層を形成する材料としては、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、ＥＬ素子の正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。

具体例としては、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。

正孔輸送層は上述した化合物を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により形成することができる。正孔輸送層の膜厚は特に制限されないが、好ましくは５ｎｍ〜５μｍ、特に好ましくは５〜４０ｎｍである。正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよい。また、別種の化合物からなる正孔輸送層を積層したものであってもよい。

（４−３）正孔注入層
正孔注入層の材料としては正孔輸送層と同様の材料を使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

また米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。

また芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。また有機半導体層も正孔注入層の一部であるが、これは発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０^−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。

正孔注入層は上述した化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により形成することができる。
正孔注入層としての膜厚は、陽極の成膜時のダメージを回避するために、４０ｎｍ〜１０００ｎｍにすることが好ましい。より好ましくは６０〜３００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜２００ｎｍである。

正孔注入層は上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよい。又は、前記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。

（４−４）電子輸送層
本発明では、陰極と発光層の間に電子輸送層を設けることができる。
電子輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、１０^４〜１０^６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものが好ましい。

電子輸送層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。
上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられる。

例えば、発光材料の項で記載したＡｌｑを電子注入層として用いることができる。

一方、オキサジアゾール誘導体としては、下記の式で表される電子伝達化合物が挙げられる。

（式中、Ａｒ^５，Ａｒ^６，Ａｒ^７，Ａｒ^９，Ａｒ^１０，Ａｒ^１３はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またＡｒ^８，Ａｒ^１１，Ａｒ^１２は置換又は無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）

ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。またアリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。また置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。

上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。

下記式で表される含窒素複素環誘導体

（式中、Ａ^１〜Ａ^３は、窒素原子又は炭素原子である。
Ｒは、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０から５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲは互いに同一又は異なっていてもよい。
また、隣接する複数のＲ基同士で互いに結合して、置換又は未置換の炭素環式脂肪族環、あるいは、置換又は未置換の炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
Ａｒ^１４は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。
Ａｒ^１５は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。
ただし、Ａｒ^１４、Ａｒ^１５のいずれか一方は置換基を有していてもよい炭素数１０〜６０の縮合環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロ縮合環基である。
Ｌ^１、Ｌ^２は、それぞれ単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の縮合環、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロ縮合環又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基である。）

下記式で表される含窒素複素環誘導体
ＨＡｒ−Ｌ^３−Ａｒ^１６−Ａｒ^１７
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していても良い炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、
Ｌ^３は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、
Ａｒ^１６は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、
Ａｒ^１７は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は、
置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。）

特開平第０９−０８７６１６号公報に示されている、下記式で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を用いた電界発光素子

（式中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に炭素数１から６までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＱ^１とＱ^２が結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮合した構造である。）

特開平第０９−１９４４８７号公報に示されている下記式で表されるシラシクロペンタジエン誘導体

（式中、Ｑ^３及びＱ^４は、それぞれ独立に炭素数１から６までの飽和もしくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロ環又はＱ^３とＱ^４が結合して飽和もしくは不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ^５〜Ｒ^８は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、もしくはシアノ基又は隣接した場合には置換もしくは無置換の環が縮合した構造である（但し、Ｒ^５及びＲ^８がフェニル基の場合、Ｑ^３及びＱ^４は、アルキル基及びフェニル基ではなく、Ｒ^５及びＲ^８がチエニル基の場合、Ｑ^３及びＱ^４は、一価炭化水素基を、Ｒ^６及びＲ^７は、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はＲ^６とＲ^７が結合して環を形成する脂肪族基を同時に満たさない構造であり、Ｒ^５及びＲ^８がシリル基の場合、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｑ^３及びＱ^４は、それぞれ独立に、炭素数１から６の一価炭化水素基又は水素原子でなく、Ｒ^５及びＲ^６でベンゼン環が縮合した構造の場合、Ｑ^３及びＱ^４は、アルキル基及びフェニル基ではない。））

特再第２０００−０４０５８６号公報に示されている下記式で表されるボラン誘導体

（式中、Ｒ^９〜Ｒ^１６及びＱ^８は、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｑ^５、Ｑ^６及びＱ^７は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｑ^７とＱ^８の置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｒは１〜３の整数を示し、ｒが２以上の場合、Ｑ^７は異なってもよい。但し、ｒが１、Ｑ^５、Ｑ^６及びＲ^１０がメチル基であって、Ｒ^１６が水素原子又は置換ボリル基の場合、及びｒが３でＱ^７がメチル基の場合を含まない。）

特開平１０−０８８１２１に示されている下記式で示される化合物

［式中、Ｑ^９及びＱ^１０は、それぞれ独立に、下記式で示される配位子を表し、Ｌ^４は、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基、−ＯＲ^１７（Ｒ^１７は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基である。）又は−Ｏ−Ｇａ−Ｑ^１１（Ｑ^１２）（Ｑ^１１及びＱ^１２は、Ｑ^９及びＱ^１０と同じ意味を表す。）で示される配位子を表す。］

（式中、環Ａ^４およびＡ^５は、置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。）

この金属錯体はｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなっている。

上記式の配位子を形成する環Ａ^４及びＡ^５の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは未置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは未置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは未置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは未置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは未置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは未置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビスアセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、トリアチニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成しても良い。

（４−５）電子注入層
本発明においては陰極と電子注入層の間又は陰極と発光層の間に絶縁体や半導体からなる電子注入層を設けることができる。このような電子注入層を設けることで、電流のリークを有効に防止して、電子注入性の向上が図られる。
絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等の金属化合物を単独又は組み合わせて使用するのが好ましい。これらの金属化合物の中でもアルカリ金属カルコゲナイドやアルカリ土類金属のカルコゲナイドが電子注入性の点で好ましい。好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ及びＮａＯが挙げられる。好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、及びＣａＳｅが挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等を挙げることができる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２及びＢｅＦ_２等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。

電子注入層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。

電子注入層は、微結晶又は非結晶質であることが好ましい。均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができるからである。
尚、２種以上の電子注入層を積層して使用してもよい。

（４−６）還元性ドーパント
本発明では、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有させることができる。還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質をいう。従って、還元性を有するものであれば、様々なものが用いることができる。例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体等を好適に使用することができる。
好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）等のアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）等のルカリ土類金属が挙げられる。これらのなかで、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓが好く、より好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、さらに好ましいのは、Ｃｓである。尚、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせは特に好ましい。

上述した有機発光媒体を形成する各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

（５)光反射層
光反射層は、有機発光媒体層で発生した光の反射・透過し、上述した光反射導電層とともに光共振部を形成することのできるものを使用する。具体的には、金属、誘電体多層膜等が使用できる。
金属としては、Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｅｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｎａ及びＫ等の金属又はこれら金属からなる合金を挙げることができる。これらのうちで、Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ，Ｌｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃａ及びＢａが好ましい。
誘電体多層膜は、低屈折材料と高屈折材料を、それぞれの光学膜厚（屈折率と膜厚の積）が光の波長の４分の１となるように多層積層した膜である。低屈折材料の具体例としては、ＳｉＯｘ，ＮａＦ，ＬｉＦ，ＣａＦｘ，ＡｌＦｘ，ＭｇＦｘを挙げることができる。高屈折材料の具体例としては、ＡｌＯｘ，ＭｇＯｘ，ＮｄＯｘ，ＴｉＯｘ，ＣｅＯｘ，ＰｂＯｘ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＺｎＳｅを挙げることができる。尚、ｘの好適範囲は１＜ｘ＜３である。

光反射層の膜厚は、２ｎｍ〜５００ｎｍとすることが好ましい。２ｎｍより薄いと陰極として用いたときに電子注入性が低下するため、素子の発光効率が低下したり、素子の作製が困難になるおそれがあり、５００ｎｍより厚いと、光線透過率が低下するため光の取り出し効率が低下するおそれがある。
光反射層の膜厚は、特に５ｎｍ〜３００ｎｍとすることが好ましい。

（６)透明電極層
透明電極としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等があげられる。この中で、酸化インジウム亜鉛合金（ＩＺＯ）は室温で成膜できること、非結晶性が高いので剥離等が起きにくいことから特に好ましい。

透明電極層のシート抵抗は、１０００Ω／□以下が好ましい。より好ましくは、８００Ω／□、さらに好ましくは、５００Ω／□である。
発光を取出すため、電極の発光に対する透過率を１０％より大きくすることが好ましい。より好ましくは３０％以上、さらに好ましくは５０％以上である。
透過率及び抵抗値を考慮して、透明電極層の膜厚は、５ｎｍ〜１０００ｎｍとすることが好ましい。

（７)その他
上記の各層の他、例えば、色変換部及び／又はカラーフィルタを透明電極層の上部に形成してもよい。この場合、色変換部及び／又はカラーフィルタと透明電極層の間に平坦化膜を形成してもよい。色変換部やカラーフィルタを形成することにより、二種のＥＬ素子部からなる有機ＥＬ表示装置（第一及び第二実施形態を参照）でもフルカラー表示が可能となる。

色変換部は、有機ＥＬ素子部の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有しており、蛍光材料単独、あるいは蛍光材料と透明媒体との組合せから構成される。色変換部は、外光によるコントラストの低下を防止するため、後に述べるカラーフィルタと組み合せて構成してもよい。
蛍光材料としては、有機蛍光色素、有機蛍光顔料、金属錯体色素、無機蛍光体等を用いることができる。
また、透明媒体としては、ガラスなどの無機透明体や、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などの透明樹脂を用いることができる。

色変換部が、蛍光材料と樹脂からなる場合について、その具体的構成を述べる。
有機蛍光色素としては、所望の発光色に応じて、単独種類の有機蛍光色素を用いてもよいし、複数種類の有機蛍光色素を用いてもよい。例えば、青色〜青緑色の励起光を赤色光に変換する場合には、６００ｎｍ以上の波長領域に蛍光ピークを有するローダミン系色素を用いるとよい。さらに、励起光の波長領域に吸収帯を有し、かつ、ローダミン系色素へのエネルギー移動又は再吸収を誘起する蛍光色素も用いるのがより好ましい。
色変換部用樹脂組成物の全体に対する有機蛍光色素の含有率は、０．０１〜１重量％の範囲内であることが望ましい。含有率が０．０１重量％よりも低いと、色変換部材が十分に励起光を吸収することが困難となり、蛍光強度が小さくなることがある。また、含有率が１重量％よりも高いと、色変換部材中で、有機蛍光色素分子どうしの距離が近くなりすぎ、濃度消光のため蛍光強度が低くなる場合がある。

無機蛍光体としては、可視光を吸収し、吸収した光よりも長い蛍光を発する金属化合物等の無機化合物が挙げられる。微粒子化した無機蛍光体を透明樹脂媒体に分散したものを色変換部とする場合には、微粒子の樹脂への分散性向上のため、例えば、長鎖アルキル基や燐酸等の有機物で微粒子表面を修飾してあってもよい。具体的には、（ａ）金属酸化物に遷移金属イオンをドープしたもの（Ｙ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４等の金属酸化物に、Ｅｕ^２＋、Ｅｕ^３＋、Ｃｅ^３＋、Ｔｂ^３＋等の遷移金属イオンをドープしたもの等）、（ｂ）金属カルコゲナイド物に遷移金属イオンをドープしたもの（ＺｎＳ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等の金属カルコゲナイド化物に、Ｅｕ^２＋、Ｅｕ^３＋、Ｃｅ^３＋、Ｔｂ^３＋等の可視光を吸収する遷移金属イオンをドープしたもの等）、（ｃ）半導体のバンドギャップを利用し、可視光を吸収、発光する微粒子（特表２００２−５１０８６６号公報等の文献で知られているＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＩｎＰ等の半導体微粒子）が挙げられる。

色変換部が、蛍光材料と樹脂からなる場合は、蛍光材料と樹脂と適当な溶剤とを、混合、分散又は可溶化させて液状物とし、この液状物を、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォトリソグラフィー法で所望の色変換部材のパターンにパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望のパターンにパターニングして、色変換部を形成するのが好ましい。
色変換部の厚さは、有機ＥＬ素子の発光を十分に吸収するとともに、蛍光の発生機能を妨げるものでなければ、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．５μｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１μｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
蛍光材料を分散するための透明樹脂として、非硬化型樹脂や、光硬化型樹脂を用いることができる。また、透明樹脂は、一種類単独で用いてもよいし、複数種類を混合して用いてもよい。
尚、フルカラーディスプレイにおいては、マトリクス状に分離配置した色変換部を形成する。このため、透明樹脂としては、フォトリソグラフィー法を適用できる感光性樹脂を使用することが好ましい。

カラーフィルタは、素子から放射した光の所望の波長の光のみを透過し、他の発光を遮断する膜である。
本発明の表示装置では、各ＥＬ素子部で発光色が異なるため、カラーフィルタを用いることが好ましい。
色変換部及びカラーフィルタは、特に限定されるものではなく、公知のものが使用できる。

次に、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。ここでは、上述した実施形態のうち、第三の実施形態の有機ＥＬ表示装置を、ウェットエッチング法を含む方法にて製造した例を説明する。尚、他の実施形態についても本製造方法と同様にして製造できる。また、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、下記の方法に限定されるものではない。

図５及び図６は、基板上に、光反射導電層、第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層を形成する工程を示す図であり、図７は、有機発光媒体層等の形成工程を示す図である。尚、図５の基板の製造方法は、各層の成膜工程（乾式の工程）とエッチング工程（湿式の工程）を交互に行なう例であり、図６の基板の製造方法は、成膜工程を一括して行なった後にエッチング工程を行なう例である。以下、図面に沿って、有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。

図５の基板の製造方法では、基板１１上に、光反射導電層１２を形成する材料をスパッタリングし、製膜した後（図５（ａ））、フォトリソグラフィ等によって、所望の形状のパターンにエッチングする（図５（ｂ））。
続いて、第一の無機化合物層２１を形成する材料をスパッタリングし、製膜した後（図５（ｃ））、上記と同様にエッチング液によって不用部をエッチングし、第二及び第三の有機ＥＬ素子部の光反射導電層１２上に形成する（図５（ｄ））。
上述したように、光反射導電層、第一の無機化合物層、第二の無機化合物層の順に、エッチングがされやすい材料を選択することにより、先に形成した光反射導電層１２をエッチングすることなく、第一の無機化合物層２１を形成することができる。

さらに、第二の無機化合物層３１となる材料をスパッタリングし、製膜した後（図５（ｅ））、エッチング液によって不用部をエッチングし、第二の無機化合物層３１を第三の有機ＥＬ素子部の第一の無機化合物層２１上に形成することにより、有機層形成前の基板を得る（図５（ｆ））。

図６の基板の製造方法では、基板１１上に、光反射導電層１２、第一の無機化合物層２１及び第二の無機化合物層３１となる層を連続してスパッタリングで形成し、さらに第二の無機化合物層３１上にレジスト膜４１を形成する（図６（ａ））。
次に、レジスト膜４１のうち、各有機ＥＬ素子部間の間隙部となる部分のみ露光し、剥離する（図６（ｂ））。その後、相対的に強い条件にてエッチング処理を行い、間隙部にある層を全て除去する（図６（ｃ））。
次に、第一の有機ＥＬ素子部となる箇所のレジスト膜４１ａのみを露光し、除去した後、中間的な強さの条件でエッチングを行い、第一の有機ＥＬ素子部の光反射導電層１２を形成する（図６（ｄ））。
次に、第二の有機ＥＬ素子部となる箇所のレジスト膜４１ｂのみを露光し、除去した後、比較的弱い条件でエッチングを行い、第二の有機ＥＬ素子部の光反射導電層１２及び第一の無機化合物層２１を形成する（図６（ｅ））。
最後に、第三の有機ＥＬ素子部となる箇所のレジスト膜４１ｃを露光、除去することにより、有機層形成前の基板を得る（図６（ｆ））。
この方法では、乾式の工程と湿式の工程が混在しないため、スループットが大きく、また、異物管理がしやすい。さらに、フォトマスクの数が少なくてよいという利点がある。

尚、光学的距離が最も大きい有機ＥＬ素子部では、光反射導電層と無機化合物層を合わせた膜厚が大きくなるため、そのエッジ部分と、後で形成する対向透明電極層１５との間で電気的ショートが発生しやすい。これによる歩留まり低下を防止するため、各有機ＥＬ素子部の無機化合物層のエッジ部分を覆うように、各有機ＥＬ素子部間の間隙部に絶縁膜を設けてもよい。絶縁膜の材質としては、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘＮｙ等の無機化合物や、アクリル系感光性樹脂等の有機化合物を用いることができる。

上記にて得られた光反射導電層１２及び各無機化合物層を形成した基板上に、有機発光媒体層１３（図７（ａ））、光反射層１４（図７（ｂ））及び透明電極層１５（図７（ｃ））をこの順に製膜して、有機ＥＬ表示装置３を製造できる。
有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されず、従来公知のスパッタリング法、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法によって形成することができる。
［実施例］

本発明を実施例によってさらに具体的に説明する。
実施例１
図５に示す製造工程により、図３に示す有機ＥＬ表示装置を作製した。
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のガラス基板に、Ｃｒをスパッタ成膜し、膜厚３００ｎｍの光反射導電層を形成した（図５（ａ）参照）。この基板を硝酸セリウムアンモニウム塩−過酸化水素水の混合液にてエッチングし、パターン化した光反射導電層付き基板を得た（図５（ｂ）参照）。
この光反射導電層付き基板を、真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、ＩＴＯをスパッタ成膜し、１４５ｎｍの第一の無機化合物層を形成した（図５（ｃ）参照）。この時のスパッタ雰囲気は、スパッタ圧力の８％（分圧）の水素を添加して行った。その後、蓚酸水溶液（蓚酸：３．５ｗｔ％）によりエッチングし、パターン化した第一の無機化合物層付き基板を得た（図５（ｄ）参照）。
次に、この基板を２３０℃の加熱炉にて３０分間熱処理して、ＩＴＯを結晶化させた後、基板を基板ホルダーに装着し、非結晶性無機酸化物であるＩＺＯ（酸化亜鉛：１０ｗｔ％含有）をスパッタ成膜し、４５ｎｍの第二の無機化合物層を形成した（図５（ｅ）参照）。この基板を蓚酸水溶液（蓚酸：３．５ｗｔ％）によりエッチングし、パターン化した第二の無機化合物層が形成された基板を得た。（図５（ｆ）参照）

続いて、有機発光媒体層を以下のように形成した。
上記で形成した光反射導電層等を覆うように、真空蒸着法により、Ｎ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル膜（以下「ＴＰＤ２３２膜」と略記する。）を３５ｎｍ積層した。これは、正孔注入層として機能する。
次に、このＴＰＤ２３２膜上に、膜厚１０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル膜（以下「ＮＰＤ膜」と略記する。）を成膜した。このＮＰＤ膜は正孔輸送層として機能する。
さらに、下記に示す化合物（Ｈ１）と化合物（Ｂ１）を４０：１の重量比で蒸着し、膜厚５ｎｍに成膜した。これは青色発光層として機能する。
さらに、化合物（Ｈ１）と化合物（Ｏ１）を３７．５：１の重量比で蒸着し、膜厚１５ｎｍに成膜した。これは、橙色発光層として機能する。
この膜上に電子輸送層として、膜厚５ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下「Ａｌｑ」と略記する。）を成膜し、さらに、電子注入層として、Ｌｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着し、Ａｌｑ：Ｌｉ膜を５ｎｍ形成した。

続いて、Ａｌｑ：Ｌｉ膜上に、金属ＡｇとＭｇを成膜速度の比を１：９として５ｎｍ蒸着させた。これは光反射層として機能する。
さらに、光反射層の上にＩＺＯを１００ｎｍ成膜した。これは透明電極層として機能する。
以上の工程を経て、三種の有機ＥＬ素子部を有する（異なる共振部を有する）有機ＥＬ表示装置を作製した（図３参照）。

この有機ＥＬ表示装置の光反射導電層と透明電極層の間に、電圧を５．５Ｖ印加し、各有機ＥＬ素子部の発光スペクトルを測定した。
その結果、共振部の光学的距離が最も短い（１５１ｎｍ）有機ＥＬ素子部（図３で示す有機ＥＬ素子部１０）では、最大発光波長が４７０ｎｍであり、青色に発光した。
共振部の光学的距離が中間の長さ（４３３ｎｍ）である有機ＥＬ素子部（図３で示す有機ＥＬ素子部２０）では、最大発光波長５５０ｎｍであり、緑色に発光した。
共振部の光学的距離が最も長い（５２２ｎｍ）有機ＥＬ素子部（図３で示す有機ＥＬ素子部３０）では、最大発光波長が６２０ｎｍであり、赤色に発光した。
以上の結果、本発明の有機ＥＬ表示装置が多色発光可能であり、フルカラー表示もできることが確認された。

比較例１
実施例１において、光反射導電層であるＣｒの上に、第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層を形成しなかった他は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示装置を作製した。
その結果、光反射導電層であるＣｒ層と光反射層であるＭｇ：Ａｇ層の間の膜厚は８０ｎｍ（光学膜厚：１５１ｎｍ）となった。この素子からは最大発光波長４７０ｎｍを持つ青色発光が得られた。

実施例２
実施例１と同様にして、第二の無機化合物層までが形成された基板（下部電極基板）を作製した（図５（ａ）〜（ｆ））。
この基板を、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。洗浄後の基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着した。尚、予め、それぞれのモリブテン製の加熱ボートに、正孔注入材料として、下記化合物（ＨＩ）（以下「ＨＩ膜」と略記する）、正孔輸送材料として、下記化合物（ＨＴ）（以下「ＨＴ膜」と略記する）、発光材料のホストとして、下記化合物（ＢＨ）、青色発光ドーパントとして下記化合物（ＢＤ）、緑色発光ドーパントとして下記化合物（ＧＤ）、赤色発光ドーパントとして下記化合物（ＲＤ）、電子輸送材料として、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、電子注入材料としてＬｉＦ、光反射層（陰極）材料として、ＭｇおよびＡｇをそれぞれ仕込み、さらに正孔注入補助材料および陰極の取出し電極としてＩＺＯターゲットを別のスパッタリング槽に装着した。

まず、下部電極を覆うようにして、正孔注入補助層としてＩＺＯを１ｎｍスパッタリングした。次に、正孔注入層として機能するＨＩ膜を膜厚２５ｎｍで蒸着した。ＨＩ膜の成膜に続けて、正孔輸送層として機能するＨＴ膜を膜厚１０ｎｍで蒸着した。
ＨＴ膜の成膜に続けて、青色発光層として、化合物ＢＨと化合物ＢＤを１０：０．５の重量比になるように膜厚１０ｎｍで共蒸着した。次に、緑色発光層として、化合物ＢＨと化合物ＧＤを１０：０．８の重量比になるように膜厚１０ｎｍで共蒸着した。さらに、赤色発光層として、化合物ＢＨと化合物ＲＤを２０：０．５の重量比になるように膜厚２０ｎｍで共蒸着した。
この膜上に、電子輸送層として、Ａｌｑ膜を膜厚１０ｎｍで蒸着した。この後、電子注入層として、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで蒸着し、この膜上に、光反射層（陰極）としてＡｇとＭｇを成膜速度比１：９として１０ｎｍ蒸着した。さらに、透明電極層として、ＩＺＯを９０ｎｍスパッタリング成膜して、発光層を３層形成した有機ＥＬ表示装置を作製した。
尚、光反射導電層であるＣｒ層と光反射層であるＭｇ：Ａｇ層の間の膜厚は８５ｎｍ（光学膜厚：１６０ｎｍ）となった。

この有機ＥＬ表示装置の光反射導電層と透明電極の間に、電圧を７．２Ｖ印加し、各有機ＥＬ素子部の発光スペクトルを測定した。
その結果、共振部の光学的距離が最も短い（１６０ｎｍ）有機ＥＬ素子部では（図３で示す有機ＥＬ素子部１０）では、最大発光波長が４５４ｎｍであり、発光効率４．９ｃｄ／Ａ、色度（０．２１，０．２６）の青色発光を示した。
共振部の光学的距離が中間の長さ（４４２ｎｍ）である有機ＥＬ素子部（図３で示す有機ＥＬ素子部２０）では、最大発光波長５２０ｎｍであり、発光効率６．２ｃｄ／Ａ、色度（０．２３，０．４８）の緑色発光を示した。
共振部の光学的距離が最も長い（５３１ｎｍ）有機ＥＬ素子部（図３で示す有機ＥＬ素子部３０）では、最大発光波長５８８ｎｍであり、発光効率３．６ｃｄ／Ａ、色度（０．４１，０．３２）の赤紫色発光を示した。

実施例３
有機ＥＬ素子基板の作製
光反射導電層から有機発光媒体層、光反射層、透明電極の形成までは実施例２と同様にした。
次に、有機ＥＬ発光部全体を覆うように、封止層として、有機ＥＬ素子の透明電極層上に透明無機膜としてＳｉＯｘＮｙ（Ｏ／Ｏ＋Ｎ＝５０％：Ａｔｏｍｉｃ
ｒａｔｉｏ）を低温ＣＶＤにより３００ｎｍの厚さで成膜し、有機ＥＬ素子基板とした。

カラーフィルタ基板の作製
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のガラス基板上に、遮光層パターンを形成した。ここでは、遮光層として、酸化クロムを５０ｎｍ、クロムを３００ｎｍずつスパッタリングにより順次積層した。
次に、遮光層上に、ポジ型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士オーリン製）をスピンコートで成膜した。続いて、このレジスト膜を、フォトマスクを介して紫外線で露光する。そして、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像し、１３０℃でベークした。次に、硝酸セリウムアンモニウム／過塩素酸水溶液からなるクロムエッチャントで、露出しているクロム層及び酸化クロム層部分をエッチングした。続いて、エタノールアミンを主成分とする剥離液（Ｎ３０３：長瀬産業製）でレジストを除去して、３０μｍ幅の格子状の遮光層パターンを得た。

青色用（Ｂ）のカラーフィルタ層パターンの材料として、Ｖ２５９（新日鉄化学社製）を支持基板上にスピンコートして成膜した。続いて、フォトマスクを介して、遮光層に位置合わせして紫外線で露光した。そして、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークし、青色用のカラーフィルタ層パターン（膜厚１．５μｍ）を形成した。
次に、緑色用（Ｇ）のカラーフィルタ層パターンの材料として、顔料系緑色カラーフィルタ材料（ＣＧ−８５１０Ｌ，富士フィルムアーチ製）をスピンコートし、青色用で用いたフォトマスクを、青色用のカラーフィルタ層パターンの位置から１００μｍピッチずらし、このフォトマスクを介して紫外線で露光した。その後，２００℃でベークして，緑色カラーフィルタ層パターン（膜厚１．０μｍ）を形成した。
次に、赤色用（Ｒ）のカラーフィルタ層パターンの材料として、顔料系赤色カラーフィルタ材料（ＣＲＹ−Ｓ８４０Ｂ，富士フィルムアーチ製）をスピンコートし、青色用で用いたフォトマスクを、青色用のカラーフィルタ層パターンの位置から２００μｍピッチずらし、このフォトマスクを介して紫外線で露光した。その後、２００℃でベークして、赤色カラーフィルタ層パターン（膜厚１．２μｍ）を得た。このようにして、３色からなるカラーフィルタ基板を作製した。

上記の方法で作製したカラーフィルタ基板上に、液状シリコーンゴム（東芝シリコーン社製、ＸＥ１４−１２８）を、スピンコーターを用いて塗布し、その上に、上記有機ＥＬ素子基板を位置合せマークに合せて貼り合わせて、カラーフィルタを形成した有機ＥＬ表示装置を作製した。ガラス基板／カラーフィルタ／シリコーンゴム／透明無機膜／有機ＥＬ素子の構成とした。

この有機ＥＬ表示装置の光反射導電層と透明電極の間に、電圧を７．２Ｖ印加し、各有機ＥＬ素子部の発光スペクトルを測定した。
その結果、共振部の光学的距離が最も短い（１６０ｎｍ）有機ＥＬ素子部では（図３で示す有機ＥＬ素子部１０）では、最大発光波長が４５３ｎｍであり、発光効率０．９８ｃｄ／Ａ、色度（０．１３，０．０９）の青色発光を示した。
共振部の光学的距離が中間の長さ（４４２ｎｍ）である有機ＥＬ素子部（図３で示す有機ＥＬ素子部２０）では、最大発光波長５２０ｎｍであり、発光効率４．４ｃｄ／Ａ、色度（０．２０，０．６３）の緑色発光を示した。
共振部の光学的距離が最も長い（５３１ｎｍ）有機ＥＬ素子部（図３で示す有機ＥＬ素子部３０）では、最大発光波長５９９ｎｍであり、発光効率１．３６ｃｄ／Ａ、色度（０．６３，０．３６）の赤色発光を示した。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、民生用ＴＶ、大型表示ディスプレイ、携帯電話用表示画面等の各種表示装置の表示画面に用いることができる。

Claims (15)

1. 基板と、
   前記基板の同一面上に並置した、第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部及び第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部と、を有し、
   前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、
   前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、
   前記第一の無機化合物層の３８０ｎｍ〜７８０ｎｍにおける光透過度が５０％以上であり、
   前記第一及び第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部は、それぞれ、光反射導電層と光反射層の間に共振器構造を有し、下記式を満たす波長付近の光を強めて素子から発し、
   前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルと、前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルとが異なる有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
   （２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
   （Ｌは光反射導電層と光反射層の間の光学的距離、λは取り出したい光の波長、ｍは整数、Φは光反射導電層、光反射層での位相シフトである。）
2. 基板と、
   前記基板の同一面上に並置した、第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部及び第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部と、を有し、
   前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、
   前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、第二の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、
   前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部の第一の無機化合物層、並びに前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部の第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層の、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍにおける光透過度が、それぞれ、５０％以上であり、
   前記第一及び第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部は、それぞれ、光反射導電層と光反射層の間に共振器構造を有し、下記式を満たす波長付近の光を強めて素子から発し、
   前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルと、前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルとが異なる有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
   （２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
   （Ｌは光反射導電層と光反射層の間の光学的距離、λは取り出したい光の波長、ｍは整数、Φは光反射導電層、光反射層での位相シフトである。）
3. 基板と、
   前記基板の同一面上に並置した、第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部、第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部及び第三の有機エレクトロルミネッセンス素子部と、を有し、
   前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、
   前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、
   前記第三の有機エレクトロルミネッセンス素子部が、少なくとも光反射導電層、第一の無機化合物層、第二の無機化合物層、有機発光媒体層、及び透明電極層をこの順に含み、有機発光媒体層又は透明電極層の内部又は外部に、光反射層を有する素子であり、
   前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子部の第一の無機化合物層、並びに前記第三の有機エレクトロルミネッセンス素子部の第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層の、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍにおける光透過度が、それぞれ、５０％以上であり、
   前記第一、第二及び第三の有機エレクトロルミネッセンス素子部は、それぞれ、光反射導電層と光反射層の間に共振器構造を有し、下記式を満たす波長付近の光を強めて素子から発し、
   前記第一、第二及び第三の有機エレクトロルミネッセンス素子部から発せられる光の発光スペクトルがそれぞれ異なる有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
   （２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
   （Ｌは光反射導電層と光反射層の間の光学的距離、λは取り出したい光の波長、ｍは整数、Φは光反射導電層、光反射層での位相シフトである。）有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 前記第一の無機化合物又は第二の無機化合物層の少なくとも一層が結晶化処理された無機化合物層である請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 前記第一の無機化合物層及び／又は第二の無機化合物層が無機酸化物を含む請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 前記第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層が無機酸化物を含み、
   前記第一の無機化合物層の結晶化度が、前記第二の無機化合物層の結晶化度よりも大きい請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
7. 前記第一の無機化合物層が結晶質であり、前記第二の無機化合物層が非結晶質である請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
8. 前記第一の無機化合物層及び／又は第二の無機化合物層が、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｎｂ，Ｔｂ，Ｃｄ，Ｇａ，Ａｌ，Ｍｏ及びＷからなる群から選択される元素の酸化物を含む請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
9. 前記第一の無機化合物層及び／又は第二の無機化合物層が、Ｉｎ，Ｓｎ及びＺｎからなる群から選択される元素の酸化物を含む請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
10. 前記光反射導電層が、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｅｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｎａ及びＫからなる群から選択される金属又は該群から選択される少なくとも１種以上の金属を含む合金である請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
11. 前記光反射層が、Ａｌ、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｅｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｎａ及びＫからなる群から選択される一種又は二種以上の金属元素を含む請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
12. さらに、色変換部を有する請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
13. さらに、カラーフィルタを有する請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
14. 前記色変換部が蛍光変換膜である請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
15. 前記第一の無機化合物層及び／又は第二の無機化合物層をウェットエッチング法で形成する工程を含む請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。

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