JP4785415B2

JP4785415B2 - エレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法

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Publication number: JP4785415B2
Application number: JP2005137576A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎; 英人大沼; 光明納; 彩安西; 宏充郷戸; 智哉二村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2004-05-14
Filing date: 2005-05-10
Publication date: 2011-10-05
Anticipated expiration: 2025-05-10
Also published as: JP2005352465A

Description

本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置の作製方法に関し、特に発光素子を有する表示装置において、発光素子からの発光を取り出す部分の構造を作成する方法に関する。

エレクトロルミネッセンス素子（発光素子）からの発光を利用した表示装置は、高視野角、低消費電力の表示用装置として注目されている装置である。

主に表示用として利用されている表示装置の駆動方法には、アクティブマトリクス型と、パッシブマトリクス型とがある。アクティブマトリクス型の駆動方式の表示装置は、発光素子ごとに発光・非発光等を制御できる。そのため、パッシブマトリクス型の表示装置よりも低消費電力で駆動でき、携帯電話等の小型電化製品の表示部としてのみならず、大型のテレビ受像機等の表示部として実装するのにも適している。

また、アクティブマトリクス型の表示装置においては、発光素子ごとに、それぞれの発光素子の駆動を制御するための回路が設けられている。回路と発光素子とは、発光の外部への取り出しが当該回路によって妨げられないように、基板上に配置されている。また、発光素子と重畳する部分には透光性を有する絶縁層が積層して設けられており、発光は当該絶縁層中を通って外部に射出する。これらの絶縁層は、回路の構成要素であるトランジスタや容量素子等の回路素子、若しくは配線を形成するために設けられたものである。

ところで、積層された絶縁層中を発光が通るとき、それぞれの絶縁層の屈折率の違いに起因して、発光が多重干渉することがある。その結果、発光取り出し面を見る角度に依存して発光スペクトルが変わり、表示装置において表示した画像の視認性が悪くなるという問題が生じる。

また、各層の屈折率の違いに起因して生じる画像の視認性の低下は、パッシブマトリクス型の表示装置においても生じる。例えば特許文献１では、発光素子を構成する各層の屈折率の違いに起因して外光及び発光が界面で反射し、視認性が悪くなるといった問題を提起し、それを解決できるように素子構造を工夫した発光素子を提案している。
特開平７−２１１４５８号公報

本発明は、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減された表示装置の作製方法を提供することを課題とする。

発光素子を有する表示装置の作製方法において、基板上に下から第１の下地絶縁膜、第２の下地絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を形成する。そして、半導体層の少なくとも一部に重なるゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、画素部のゲート絶縁膜及び前記第２の下地絶縁膜に少なくとも一導電型の不純物を添加する。不純物を添加したゲート絶縁膜及び第２の下地絶縁膜を選択的にエッチングを行い、開口部を形成する。開口部の底面には第１の下地絶縁膜が露出する。続いて開口部、ゲート絶縁膜及びゲート電極を覆って絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、発光素子を前記開口部の少なくとも一部に重なって形成する。

本発明の表示装置の作製方法によって、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減された表示装置をスループット良く得ることができる。

また、本発明の表示装置の作製方法によって、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減された画像を提供できる表示装置等をスループット良く得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、記載された構成は適宜組み合わせて使用することが可能である。

（実施の形態１）
本発明の表示装置の作製方法について図１を参照しながら説明する。

基板１００上に第１の下地絶縁膜１０１とその上に第２の下地絶縁膜１０２を形成した後、さらに半導体層を第２の下地絶縁膜１０２上に形成する。（図１（Ａ））

基板１００の材料としては透光性を有するガラス、石英やプラスチック（ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンなど）等を用いることができる。これら基板は必要に応じてＣＭＰ等により研磨してから使用しても良い。本実施の形態においてはガラス基板を用いる。

第１の下地絶縁膜１０１及び第２の下地絶縁膜１０２は先に述べたように基板１００中のアルカリ金属やアルカリ土類金属など、半導体層の特性に悪影響を及ぼすような不純物元素（イオン）が半導体層中に拡散するのを防ぐ為に設けるが、これら不純物元素（イオン）のブロック効果が大きいのは窒化珪素系（本発明では、窒化珪素、酸化窒化珪素（原子数でＮ＞Ｏ）及びこれらに少量の添加物や不純物が含まれているもののことを言う。）の膜であることがわかっている。また、酸化珪素系（本発明では、酸化珪素、窒化酸化珪素（原子数でＯ＞Ｎ）及びこれらに少量の添加物や不純物が含まれているもののことを言う。）の膜は窒化珪素系の膜よりもバンドギャップが広く、絶縁性に優れ、トラップ順位も少ない長所を有している。

そこで、本実施の形態では、第１の下地絶縁膜１０１及びその上部に形成された第２の下地絶縁膜１０２の２層でもって下地絶縁膜を形成する。なお、第１の下地絶縁膜１０１は酸素を含む窒化珪素を５０ｎｍ、第２の下地絶縁膜１０２は窒素を含む酸化珪素を１００ｎｍ成膜することで形成し、高い不純物元素（イオン）のブロッキング効果と薄膜トランジスタの信頼性を同時に得ることができる構造とする。

続いて形成される半導体層は本実施の形態では非晶質珪素膜をレーザ結晶化して得る。第２の下地絶縁膜１０２上に非晶質珪素膜を２５〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の膜厚で形成する。作製方法としては公知の方法、例えばスパッタ法、減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法などが使用できる。その後、５００℃で１時間の加熱処理を行い水素出しをする。

続いてレーザ照射装置を用いて非晶質珪素膜を結晶化して結晶質珪素膜を形成する。本実施の形態のレーザ結晶化ではエキシマレーザを使用し、発振されたレーザビームを光学系を用いて線状のビームスポットに加工し非晶質珪素膜に照射することで結晶質珪素膜とし、半導体層として用いる。

非晶質珪素膜の他の結晶化の方法としては、他に、熱処理のみにより結晶化を行う方法や結晶化を促進する触媒元素を用い加熱処理を行う事によって行う方法もある。結晶化を促進する元素としてはニッケル、鉄、パラジウム、錫、鉛、コバルト、白金、銅、金などが挙げられ、このような元素を用いることによって熱処理のみで結晶化を行った場合に比べ、低温、短時間で結晶化が行われるため、ガラス基板などへのダメージが少ない。熱処理のみにより結晶化をする場合は、基板１００を熱に強い石英基板などにすると良い。

続いて、必要に応じて半導体層にしきい値をコントロールする為に微量の不純物添加、いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得る為にＮ型もしくはＰ型を呈する不純物（リン、ボロンなど）をイオンドーピング法などにより添加する。

その後、図１（Ａ）に示すように半導体層を所定の形状にパターニングし、所望の形状の半導体層１０３を得る。パターニングは半導体層にフォトレジストを塗布し、所定のマスク形状を露光し、焼成して、半導体層上にレジストマスクを形成し、このマスクを用いてエッチングをすることにより行われる。

続いて半導体層１０３を覆ってゲート絶縁膜１０４を形成する。ゲート絶縁膜１０４はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて珪素を含む絶縁層で形成する。膜厚は４０〜１５０ｎｍとすればよい。本実施の形態では、窒素を含む酸化珪素を１００ｎｍ成膜することでゲート絶縁膜１０４を形成する。また、本実施の形態において、ゲート絶縁膜１０４は単層で形成されているが、２以上の複数層から形成されていてもかまわない。その際の積層材料については適宜選択すれば良いが、下地絶縁膜と同様の理由から半導体層１０３に接する方の層には酸化珪素系の材料を使用することが望ましい。例えば、酸化珪素系の膜と窒化珪素系の膜の積層でゲート絶縁膜を作成する場合は、半導体層と直接接して酸化珪素系の材料を積層し、その上に窒化珪素系の膜を積層する順番が好ましい。また、ゲート電極の材料によっては、酸化膜に接して形成することによって劣化してしまう材料（Ｍｏ等）もある為、そのような材料でゲート電極を形成した場合は、ゲート電極に接する方のゲート絶縁膜を窒化珪素系の膜にすることによってゲート電極を安定に動作させることができる。

次いで、ゲート絶縁膜１０４上にゲート電極１０５を形成する。ゲート電極１０５はＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体層を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。本実施の形態では材料はＭｏを使用し、単層で形成する。

また、ゲート電極１０５は単層で形成しても、２以上の複数層で形成しても良い。また、本実施の形態では断面が長方形の形状をしているが、このような形状に限らない。例えば断面形状が台形であったり、ハットシェイプであったりしても良い。ゲート電極１０５の加工はフォトレジストを用いたマスクを利用し、エッチングをすることで行う。

続いて、ゲート電極１０５をマスクとして半導体層１０３に一導電型を付与する不純物（本実施の形態ではボロン）を半導体層１０３に添加すると同時にゲート絶縁膜１０４及び第２の下地絶縁膜１０２にも不純物を添加する。この際、第１の下地絶縁膜１０１には不純物を添加しない。（図１（Ｂ））

続いて、フォトレジストなどにより半導体層１０３の高濃度不純物領域となる部分と、発光素子の光が射出する光路上に当たる部分が開口されたマスク１０６を形成し、再度不純物を添加を行う。これにより半導体層１０３に高濃度不純物領域と低濃度不純物領域を形成する。また、同時にゲート絶縁膜１０４と第２の下地絶縁膜１０２における発光素子の光が射出する光路上に当たる部分にも高濃度に不純物を添加する。

なお、一導電型を付与する不純物としてはボロン以外の不純物でも良く、代表的にはこのほかにリン、ヒ素などが挙げられる。本実施の形態では、半導体層１０３は発光素子を駆動する駆動用トランジスタとして用いられるため、ボロンのみを添加した場合を示しているが、同一基板上で他の導電型を有する半導体層を形成する場合、発光素子の光が射出する光路上に当たる部分には重ねて不純物を添加するとなお良い。また、発光素子を駆動する駆動用トランジスタとして用いられる半導体層であってもリンを添加する場合もある。

次に、マスク１０６を剥離してから、ゲート電極１０５及びゲート絶縁膜１０４を覆って第１の層間絶縁膜１０７を形成する。第１の層間絶縁膜１０７は有機、無機の絶縁材料から形成する。本実施の形態では、窒素を含む酸化珪素膜で第１の層間絶縁膜１０７を形成する。（図１（Ｃ））

続いて、フォトレジストなどによるマスク１０８を用いて、半導体層１０３に達するコンタクトホールを第１の層間絶縁膜１０７及びゲート絶縁膜１０４に形成すると同時に、発光素子の光が射出する光路上に当たる部分における第１の層間絶縁膜１０７、ゲート絶縁膜１０４及び第２の下地絶縁膜１０２を除去して開口部１０９を形成する。エッチングはフッ酸系の薬液を用いたウエットエッチングを使用し、希フッ酸やバッファードフッ酸などを用いることができる。本実施の形態では０．５％の希フッ酸を用いてエッチングを行う。（図１（Ｄ））

発光素子からの発光は、表示装置内の様々な層を通過して表示装置外に射出される。ここで、通過する層の屈折率が異なると界面における反射や屈折の影響によって多重干渉が発生する。これにより定在波が起こると、表示装置の発光面を角度を変えて見た際に色調が変化してしまう、いわゆる視野角依存が発生してしまう。これは表示装置の表示の品質を著しく低下させる原因となっていた。

そこでこのように、開口部１０９を発光素子の光が射出する光路上に当たる部分に形成することによって、発光素子で発光した光が表示装置外へ射出するまでに通過する膜の数が減る。このため、反射や屈折率などによる多重干渉の結果、定在波が発生する確率を大きく減少させることが可能となる。

この際、ゲート絶縁膜１０４、第２の下地絶縁膜１０２の発光素子の光が射出する光路上に当たる部分は、高濃度に不純物を添加しているため、エッチングされる速度が不純物を添加していない場合よりより早くなっている。同時に、第１の下地絶縁膜１０１には不純物を添加していない為、エッチング速度は通常のままである。このエッチング速度の差は添加されている不純物の量、種類によっても異なるが、約２〜３倍異ならしめることが可能である。すなわち、この第１の下地絶縁膜１０１を開口部１０９を形成するためのエッチングを行う際に実質的なエッチングストッパーとして用いることができるようになる。前述したように、下地絶縁膜は基板から発生する悪影響を及ぼす不純物元素（イオン）が拡散するのをブロックする為のものであるため、開口部１０９を形成した後も残存することが望ましく、本発明の作製方法を用いることによって、それが簡便に確実に実現することが可能となる。

また、本発明は不純物の添加を半導体層への不純物添加と同時に行うため、本実施の形態のようにコンタクトホールの開口と同時に開口部１０９を形成すれば、工程数やマスクの増加もない。

続いて、コンタクトホールを介して半導体層１０３に接続する配線１１０を形成する。配線１１０は当該コンタクトホールや第１の層間絶縁膜１０７を覆う導電層を形成し、当該導電層を所望の形状に加工し形成する。これらはアルミニウム、銅、モリブデン等の単層でも良いが、本実施の形態では基板側からモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層構造とする。積層配線としてはチタン／アルミニウム／チタンやチタン／窒化チタン／アルミニウム／チタン、若しくはこれらに用いられるアルミニウムに珪素を混入したものを用いた積層構造でも良い。導電層の加工はレジストを用いてドライエッチングもしくはウエットエッチングにより行えばよい。（図１（Ｅ））

次に、第１の層間絶縁膜１０７、開口部１０９及び配線１１０を覆って第２の層間絶縁膜１１１を形成する。第２の層間絶縁膜１１１は有機もしくは無機の絶縁材料を用いて形成すればよいが、自己平坦性を有する膜で形成すると下層の凹凸を緩和することができ開口率を向上させることができる為、好ましい。本実施の形態では珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含むまたは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料、いわゆるシロキサンを用いる。その他の材料としてはアクリル、ポリイミド等を使用することができる。（図２（Ａ））

第２の層間絶縁膜１１１には配線１１０に達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールはレジストなどによるマスクを使用し、ウエットエッチングもしくはドライエッチングにより形成すればよい。本実施の形態ではドライエッチングを使用してコンタクトホールを形成する。

コンタクトホールを形成した後、発光素子となる第１の電極１１２を形成する。第１の電極１１２は第２の層間絶縁膜１１１及びコンタクトホールを覆って透光性を有する導電膜を成膜し、レジストなどによるマスクを用いてエッチングして形成すればよい。第１の電極の材料としてはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）や酸化珪素を含有するＩＴＯ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）もしくは酸化亜鉛そのもの、そして酸化亜鉛にガリウムを含有したＧＺＯ（ＧａｌｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等を用いることができる。本実施の形態ではＩＴＳＯをスパッタ法を用いて成膜し、ドライエッチングにより成形して第１の電極１１２とする。

次に第２の層間絶縁膜１１１及び第１の電極１１２を覆って有機材料もしくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層を第１の電極１１２の端部を覆い且つ第１の電極１１２の一部が露出するように加工し、隔壁１１３を形成する。隔壁１１３の材料としては、感光性を有する有機材料（アクリル、ポリイミドなど）が好適に用いられるが、感光性を有さない有機材料や無機材料で形成してもかまわない。本実施の形態では感光性のポリイミドをもちいた。隔壁１１３の第１の電極１１２に面した端面は曲率を有し、さらに当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい。なお、隔壁１１３に顔料やカーボンなど黒色の物質を混入し、ブラックマトリクスとして用いても良い。

次に、隔壁１１３から露出した第１の電極１１２を覆う発光層１１４を形成する。発光層１１４は蒸着法やインクジェット法、スピンコート法などいずれの方法を用いて形成してもかまわない。続いて発光層１１４を覆う第２の電極１１５を形成する。これによって第１の電極１１２と発光層１１４と第２の電極１１５とからなる発光素子を作製することができる。

その後、プラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化珪素膜をパッシベーション膜として形成しても良い。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、ＮＨ₃から作製される酸化窒化珪素膜、またはＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化珪素膜、あるいはＳｉＨ₄、Ｎ₂ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸化窒化珪素膜を形成すれば良い。

また、パッシベーション膜としてＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂から作製される酸化窒化水素化珪素膜を適用しても良い。もちろん、パッシベーション膜は単層構造に限定されるものではなく、他の珪素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化炭素膜と窒化珪素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化珪素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化珪素膜の代わりに形成してもよい。

続いて表示部の封止を行う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出するように貼り合わせる。対向基板には凹部を作製して乾燥材を貼り付けても良い。対向基板と素子が形成された基板との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体を充填しても良いし、シール材を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を形成しても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥材やギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続いて外部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付けることによって、表示装置が完成する。

なお、表示機能を有する本発明の表示装置には、アナログのビデオ信号、デジタルのビデオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信号が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。発光素子の発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがあり、ビデオ信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発明の表示装置及びその駆動方法には、電圧のビデオ信号、電流のビデオ信号のどちらを用いてもよく、また定電圧駆動、定電流駆動のどちらを用いてもよい。

以上が本実施の形態における本発明の表示装置の作製方法である。本実施の形態に記載の作製方法により作成された表示装置は、開口部１０９が形成されることによって、発光素子からの発光が外部に射出するまでに通過する膜の数が減る。このため、反射や屈折率などによる多重干渉の結果、定在波が発生する確率を大きく減少させることが可能となる。

この際、ゲート絶縁膜１０４、第２の下地絶縁膜１０２の発光素子の光が射出する光路上に当たる部分は、高濃度に不純物が添加されているため、エッチングされる速度が通常より早くなっている。同時に、第１の下地絶縁膜１０１には不純物が達していない為、エッチング速度は通常のままである。このエッチング速度の差は添加されている不純物の量、種類によっても異なるが、約２〜３倍異ならしめることが可能である。すなわち、このエッチングを行う際に第１の下地絶縁膜１０１を開口部１０９を形成する際の実質的なエッチングストッパーとして用いることができるようになる。前述したように、下地絶縁膜は基板からの悪影響を及ぼす不純物元素（イオン）が拡散するのをブロックする為のものであるため、開口部１０９を形成した後も残存することが望ましく、本発明の作製方法を用いることによって、それが簡便に確実に実現することが可能となる。

また、本発明は様々なバリエーションを有しており、薄膜トランジスタの種類、形状や材料は上述したものに限らず、様々に変化させうる。また、積層構造も多くの態様を許容しうる。以下にその極一部を紹介する。

図２（Ｂ）は第２の層間絶縁膜１１１と第１の電極１１２との間にエッチングストッパー膜１１６を設けた構造である。エッチングストッパー膜１１６は主として窒化珪素系の膜により形成され、第１の電極１１２を成形する際のエッチングにおいて、第２の層間絶縁膜１１１までエッチングされてしまうのを防ぐ役割を有する。エッチングストッパー膜１１６は第２の層間絶縁膜１１１を形成した後に形成し、第２の層間絶縁膜１１１にコンタクトホールを形成すると同時にエッチングストッパー膜１１６にもコンタクトホールを形成する。その他の工程については同様であるので省略する。

図２（Ｃ）はゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０５と、第１の層間絶縁膜１０７との間に窒化珪素系の膜が形成されている構造である。これは半導体層１０３に不純物元素（イオン）が侵入するのをブロックする役割と、熱処理を行うことで含まれている水素によって半導体層１０３を水素化し、ダングリングボンドを終端する役割とを有する。この窒化珪素系の膜を便宜上水素化膜１１７と呼ぶことにする。なお、この水素化膜１１７は、モリブデンなど酸化膜に接すると酸化が進んでしまうような材料でゲート電極１０５を形成し、それに接して酸化珪素で層間絶縁膜を形成する場合に、ゲート電極の酸化を防ぐ役割も有する。

水素化膜１１７はゲート電極１０５を形成した後に、窒化珪素系の膜で形成する。膜は各ＣＶＤ法により成膜すると良い。半導体層１０３の水素化を行う場合、この後に熱処理を行うが、第１の層間絶縁膜１０７をシロキサンで形成した場合は、シロキサンの焼成と同時に水素化処理を行うことも可能である。その他の工程については同様であるので省略する。

図２（Ｄ）はエッチングストッパー膜１１８と水素化膜１１９とを両方設けた構造である。作製方法、その他は図２（Ａ）〜（Ｃ）と同様であるので省略する。

図３（Ａ）は図２（Ａ）と同様の構成であるが、配線１１０と直接第２の層間絶縁膜１１１に形成されたコンタクトホ−ルを介して発光素子の第１の電極１１２として用いられる透明導電膜が接続されるのではなく、第２の配線２００が配線１１０に接続され、さらにその第２の配線２００に発光素子の第１の電極２０１が透明導電膜によって形成されている構造である。

作製方法としては、第２の層間絶縁膜１１１に配線１１０に接続するコンタクトホールを形成した後、第２の層間絶縁膜１１１と当該コンタクトホールを覆って導電膜を形成する。導電膜の材料はＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ及びその他の金属単層でも良いし、それらの積層構造であっても良い。

続いて当該導電膜をエッチングして第２の配線２００を形成する。エッチングはレジスト等を使用したマスクを用いてドライエッチング、若しくはウエットエッチングにより行う。次に第２の層間絶縁膜１１１及び第２の配線２００を覆って透明導電膜を形成する。透明導電膜の材料は前述したのと同様、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）や酸化珪素を含有するＩＴＯ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）もしくは酸化亜鉛そのもの、そして酸化亜鉛にガリウムを含有したＧＺＯ（ＧａｌｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）若しくはＡｌ−Ｎｉ合金やＡｌ−Ｎｉ合金にカーボンを含む材料等を用いることができる。本実施の形態ではＩＴＳＯをスパッタ法を用いて成膜し、ドライエッチングにより成形して第１の電極２０１とした。その他の作製方法については図２（Ａ）と同様であるので省略する。

図３（Ｂ）は図３（Ａ）の構成にエッチングストッパー膜２０２を設けた構成である。エッチングストッパー膜２０２については図２（Ｂ）の説明を参照されたい。その他の作製方法については図３（Ａ）と同様である。

図３（Ｃ）は図３（Ａ）の構成に水素化膜２０３を設けた構成である。水素化膜については図２（Ｃ）の説明を参照されたい。その他の作製方法については図３（Ａ）と同様である。

図３（Ｄ）は図３（Ａ）の構成にエッチングストッパー膜２０４と水素化膜２０５を設け、さらに、ゲート絶縁膜を２層とした構成である。１層目のゲート絶縁膜２０６と２層目のゲート絶縁膜２０７は珪素を含むお互いに異なる絶縁膜を形成すればよいが、半導体層１０３に接して形成される１層目のゲート絶縁膜２０６を酸化珪素系の材料で形成し、ゲート電極１０５に接して形成される２層目のゲート絶縁膜２０７を窒化珪素系の材料で形成すると、モリブデンなど酸化膜上に形成すると酸化が進んでしまうような材料であっても安定にゲート電極１０５として用いることが可能となる。また、半導体層１０３に接している１層目のゲート絶縁膜２０６は酸化珪素系の材料で形成されている為、トラップ順位も少なく、作成された薄膜トランジスタは安定した動作を得ることができる。窒化珪素系の膜、酸化珪素膜は各ＣＶＤ法やスパッタ法など公知の方法により形成すればよい。これ以外の作成方法、効果、その他については図３（Ａ）〜図３（Ｃ）の記載を参照されたい。

図４（Ａ）は図３（Ａ）と同様の構成であるが、発光素子の第１の電極３００を第２の配線３０１より先に形成する。その他の作製方法については図３（Ａ）と同様であるので省略する。

図４（Ｂ）は図４（Ａ）の構成にエッチングストッパー膜３０２を設けた構成である。エッチングストッパー膜３０２については図２（Ｂ）の説明を参照されたい。その他の作製方法については図４（Ａ）と同様である。

図４（Ｃ）は図４（Ａ）の構成に水素化膜３０３を設けた構成である。水素化膜については図２（Ｃ）の説明を参照されたい。その他の作製方法については図４（Ａ）と同様である。

図４（Ｄ）は図４（Ａ）の構成にエッチングストッパー膜３０４と水素化膜３０５を設け、さらに、ゲート絶縁膜を２層とした構成である。１層目のゲート絶縁膜３０６と２層目のゲート絶縁膜３０７は珪素を含むお互いに異なる絶縁膜を形成すればよいが、半導体層１０３に接して形成される１層目のゲート絶縁膜３０６を酸化珪素系の材料で形成し、ゲート電極１０５に接して形成される２層目のゲート絶縁膜３０７を窒化珪素系の材料で形成すると、モリブデンなど酸化膜上に形成すると酸化が進んでしまうような材料であっても安定にゲート電極１０５として用いることが可能となる。また、半導体層１０３に接している１層目のゲート絶縁膜３０６は酸化珪素系の材料で形成されている為、トラップ順位も少なく、作成された薄膜トランジスタは安定した動作を得ることができる。窒化珪素系の膜、酸化珪素膜は各ＣＶＤ法やスパッタ法など公知の方法により形成すればよい。これ以外の作成方法、効果及びその他については図４（Ａ）〜図４（Ｃ）の記載を参照されたい。

（実施の形態２）
本発明の表示装置の作製方法について図５を参照しながら説明する。基板４００上に第１の下地絶縁膜４０１、第２の下地絶縁膜４０２、半導体層４０３、ゲート絶縁膜４０４及びゲート電極を形成し、低濃度に不純物をドーピング、その後マスク４０６を形成して半導体層４０３の高濃度不純物領域となる部分と、ゲート絶縁膜４０４と第２の下地絶縁膜４０２における発光素子からの発光が射出する光路に当たる部分に高濃度に不純物を添加する所までは図１（Ａ）（Ｂ）と同様であるため、説明を省略する。図１（Ａ）（Ｂ）の説明を参照されたい。（図５（Ａ）（Ｂ））

不純物のドーピングが終了した後、マスク４０６を除去せずに、ゲート絶縁膜４０４と第２の下地絶縁膜４０２における発光素子からの発光が射出する光路に当たる部分に開口部４０７を形成する。エッチングはフッ酸系の薬液を用いたウエットエッチングを使用し、希フッ酸やバッファードフッ酸などを用いることができる。本実施の形態では０．５％の希フッ酸を用いてエッチングを行う。（図５（Ｃ））

発光素子からの発光は、表示装置内の様々な層を通過して表示装置外に射出される。ここで、通過する層の屈折率が異なると界面における反射や屈折の影響によって多重干渉が発生する。これにより定在波が起こると、表示装置の発光面を角度を変えて見た際に色調が変化してしまう、いわゆる視野角依存が発生してしまう。これは表示装置の表示の品質を著しく低下させる原因となっていた。このように、開口部４０７を発光素子の光が射出する光路上に当たる部分に形成することによって、発光素子で発光した光が表示装置外へ射出するまでに通過する膜の数が減る。このため、反射や屈折率などによる多重干渉の結果、定在波が発生する確率を大きく減少させることが可能となる。

この際、ゲート絶縁膜４０４、第２の下地絶縁膜４０２の発光素子の光が射出する光路上に当たる部分は、高濃度に不純物を添加しているため、エッチングされる速度が通常より早くなっている。同時に、第１の下地絶縁膜４０１には不純物が達していない為、エッチング速度は通常のままである。このエッチング速度の差は添加されている不純物の量、種類によっても異なるが、約２〜３倍異ならしめることが可能である。すなわち、このエッチングを行う際に第１の下地絶縁膜４０１を開口部４０７を形成する際の実質的なエッチングストッパーとして用いることができるようになる。前述したように、下地絶縁膜は基板からの悪影響を及ぼす不純物元素（イオン）が拡散するのをブロックする為のものであるため、開口部４０７を形成した後も残存することが望ましく、本発明の作製方法を用いることによって、それが簡便に確実に実現することが可能となる。

続いて、マスク４０６を除去して、層間絶縁膜４０８を形成する（図５（Ｄ）（Ｅ））。層間絶縁膜４０８は有機、無機の絶縁材料を用いて形成すればよいが、自己平坦性を有する膜で形成すると下層の凹凸を緩和することができ開口率を向上させることができる為、好ましい。本実施の形態ではシロキサンを用いて層間絶縁膜４０８を形成した。その他の材料としてはアクリル、ポリイミド等の自己平坦性を有する塗布膜を好適に使用することができる。

次に、層間絶縁膜４０８にコンタクトホール形成し、当該コンタクトホールを介して半導体層４０３に接続する配線４０９を形成する。コンタクトホールはレジストなどをマスクとして、ドライエッチング、もしくはウエットエッチングにより形成する。配線４０９は当該コンタクトホールや層間絶縁膜４０８を覆う導電層を形成し、当該導電層を所望の形状に加工し形成する。これらはアルミニウム、銅、モリブデン等の単層でも良いが、本実施の形態では基板側からモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層構造とする。積層配線としてはチタン／アルミニウム／チタンやチタン／窒化チタン／アルミニウム／チタン、若しくはこれらに用いられるアルミニウムに珪素を混入したものを用いた積層構造でも良い。導電層の加工はレジストを用いてドライエッチングもしくはウエットエッチングにより行えばよい。（図６（Ａ））

続いて、発光素子となる第１の電極４１０を形成する。第１の電極４１０は透光性を有する導電膜を層間絶縁膜４０８及び配線４０９を覆って透光性を有する導電膜を成膜し、レジストなどによるマスクを用いてエッチングして形成すればよい。第１の電極４１０の材料としてはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）や酸化珪素を含有するＩＴＯ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）もしくは酸化亜鉛そのもの、そして酸化亜鉛にガリウムを含有したＧＺＯ（ＧａｌｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等を用いることができる。本実施の形態ではＩＴＳＯをスパッタ法を用いて成膜し、ドライエッチングにより成形して第１の電極４１０とする。

次に層間絶縁膜４０８及び第１の電極４１０を覆って有機材料もしくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層を第１の電極４１０の端部を覆い且つ第１の電極４１０の一部が露出するように加工し、隔壁４１１を形成する。隔壁４１１の材料としては、感光性を有する有機材料（アクリル、ポリイミドなど）が好適に用いられるが、感光性を有さない有機材料や無機材料で形成してもかまわない。本実施の形態では感光性のポリイミドをもちいた。隔壁４１１の第１の電極４１０に面した端面は曲率を有し、さらに当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい。なお、隔壁４１１に顔料やカーボンなど黒色の物質を混入し、ブラックマトリクスとして用いても良い。

次に、隔壁４１１から露出した第１の電極４１０を覆う発光層４１２を形成する。発光層４１２は蒸着法やインクジェット法、スピンコート法などいずれの方法を用いて形成してもかまわない。続いて発光層４１２を覆う第２の電極４１３を形成する。これによって第１の電極４１０と発光層４１２と第２の電極４１３とからなる発光素子を作製することができる。

以上が本実施の形態における本発明の表示装置の作製方法である。本実施の形態に記載の作製方法により作成された表示装置は、開口部４０７が形成されることによって、発光素子からの発光が外部に射出するまでに通過する膜の数が減る。このため、反射や屈折率などによる多重干渉の結果、定在波が発生する確率を大きく減少させることが可能となる。

この際、ゲート絶縁膜４０４、第２の下地絶縁膜４０２の発光素子の光が射出する光路上に当たる部分は、高濃度に不純物が添加されているため、エッチングされる速度が通常より早くなっている。同時に、第１の下地絶縁膜４０１には不純物が達していない為、エッチング速度は通常のままである。このエッチング速度の差は添加されている不純物の量、種類によっても異なるが、約２〜３倍異ならしめることが可能である。すなわち、このエッチングを行う際に第１の下地絶縁膜４０１を開口部４０７を形成する際の実質的なエッチングストッパーとして用いることができるようになる。前述したように、下地絶縁膜は基板からの悪影響を及ぼす不純物元素（イオン）が拡散するのをブロックする為のものであるため、開口部４０７を形成した後も残存することが望ましく、本発明の作製方法を用いることによって、それが簡便に確実に実現することが可能となる。

図６（Ｂ）は層間絶縁膜４０８と第１の電極４１０との間にエッチングストッパー膜４１４を設けた構造である。エッチングストッパー膜４１４は主として窒化珪素系の膜により形成され、第１の電極４１０を成形する際のエッチングにおいて、層間絶縁膜４０８までエッチングされてしまうのを防ぐ役割を有する。エッチングストッパー膜４１４は層間絶縁膜４０８を形成した後に形成し、層間絶縁膜４０８にコンタクトホールを形成すると同時にエッチングストッパー膜４１４にもコンタクトホールを形成する。その他の工程については図６（Ａ）と同様であるので省略する。

図６（Ｃ）はゲート絶縁膜４０４及びゲート電極４０５と、層間絶縁膜４０８との間に窒化珪素系の水素化膜４１５が形成されている構造である。これは半導体層４０３に不純物元素（イオン）が侵入するのをブロックする役割と、熱処理を行うことで含まれている水素によって半導体層４０３を水素化し、ダングリングボンドを終端する役割とを有する。水素化膜４１５はゲート電極４０５を形成した後に、窒化珪素系の膜で形成する。膜は各ＣＶＤ法により成膜すると良い。半導体層４０３の水素化を行う場合、この後に熱処理を行うが、層間絶縁膜４０８をシロキサンで形成した場合は、シロキサンの焼成と同時に水素化処理を行うことも可能である。その他の工程については図６（Ｂ）と同様であるので省略する。

図６（Ｄ）はエッチングストッパー膜４１６と水素化膜４１７とを両方設けた構造である。作製方法、その他は図６（Ａ）〜（Ｃ）と同様であるので省略する。

図７（Ａ）は図６（Ａ）と同様の構成であるが、発光素子の第１の電極５００を配線５０１より先に形成する。すなわち、層間絶縁膜４０８を形成した後、配線４０９を形成する前に透明導電膜を成膜し、エッチングして第１の電極５００を形成する。コンタクトホールは第１の電極５００を形成した後に形成しても良いし、第１の電極５００を形成する前に形成しても良い。その他の作製方法については図６（Ａ）と同様であるので省略する。

図７（Ｂ）は図７（Ａ）の構成にエッチングストッパー膜５０２を設けた構成である。エッチングストッパー膜５０２については図２（Ｂ）の説明を参照されたい。その他の作製方法については図７（Ａ）と同様である。

図７（Ｃ）は図７（Ａ）の構成に水素化膜５０３を設けた構成である。水素化膜については図２（Ｃ）の説明を参照されたい。その他の作製方法については図７（Ａ）と同様である。

図７（Ｄ）は図７（Ａ）の構成にエッチングストッパー膜５０４と水素化膜５０５を設けた構成である。作成方法、その他については図７（Ａ）〜図７（Ｃ）の記載を参照されたい。

（実施の形態３）
本発明の他の表示装置の作製方法について図８を参照しながら説明する。基板６００上に第１の下地絶縁膜６０１、第２の下地絶縁膜６０２、半導体層６０３、ゲート絶縁膜６０４及びゲート電極を形成し、低濃度に不純物をドーピング、その後マスク６０６を形成して半導体層６０３の高濃度不純物領域と、ゲート絶縁膜６０４と第２の下地絶縁膜６０２における発光素子からの発光が射出する光路に当たる部分に高濃度に不純物を添加する所までは図１（Ａ）（Ｂ）と同様であるため、説明を省略する。図１（Ａ）（Ｂ）の説明を参照されたい（図８（Ａ）（Ｂ））。

不純物のドーピングが終了した後、マスク６０６を除去してから、ゲート絶縁膜６０４と第２の下地絶縁膜６０２における発光素子からの発光が射出する光路に当たる部分に開口部６０７を形成する。エッチングはフッ酸系の薬液を用いたウエットエッチングを使用し、希フッ酸やバッファードフッ酸などを用いることができる。

本実施の形態では０．５％の希フッ酸を用いてエッチングを行う。本実施の形態では、ドーピングを行う際に使用したマスク６０６を除去してからエッチングを行っているが、この際、ゲート絶縁膜６０４、第２の下地絶縁膜６０２における発光素子の光が射出する光路上に当たる部分は、高濃度に不純物を添加しているため、エッチングされる速度が通常より早くなる。同時に、第１の下地絶縁膜６０１には不純物を添加していない為、エッチング速度は通常のままである。このエッチング速度の差は添加されている不純物の量、種類によっても異なるが、約２〜３倍異ならしめることが可能である。すなわち、このエッチングを行う際に第１の下地絶縁膜６０１を開口部６０７を形成する際の実質的なエッチングストッパーとして用いることができるようになる。

前述したように、下地絶縁膜は基板からの悪影響を及ぼす不純物元素（イオン）が拡散するのをブロックする為のものであるため、開口部６０７を形成した後も残存することが望ましく、本発明の作製方法を用いることによって、簡便に確実に実現することが可能となる。また、開口部６０７となる位置に存在するゲート絶縁膜６０４と第２の下地絶縁膜６０２はエッチング速度が速くなっているため、エッチングのためのマスクが無くても選択的に開口部６０７を形成することができる（図８（Ｃ）（Ｄ））。

続いて、層間絶縁膜６０８を形成し（図８（Ｅ））、当該層間絶縁膜６０８にコンタクトホールを設け、配線６０９、第１の電極６１０、隔壁６１１、発光層６１２及び第２の電極６１３を形成する（図９（Ａ））。これらの材料、作製方法については実施の形態２と同様であるので、実施の形態２の記載を参考にして作成することができる。

以上が本実施の形態における本発明の表示装置の作製方法である。本実施の形態に記載の作製方法により作成された表示装置は、開口部６０７が形成されることによって、発光素子からの発光が外部に射出するまでに通過する膜の数が減る。このため、反射や屈折率などによる多重干渉の結果、定在波が発生する確率を大きく減少させることが可能となる。

図９（Ｂ）は層間絶縁膜６０８と第１の電極６１０との間にエッチングストッパー膜６１４を設けた構造である。エッチングストッパー膜６１４は主として窒化珪素系の膜により形成され、第１の電極６１０を成形する際のエッチングにおいて、層間絶縁膜６０８までエッチングされてしまうのを防ぐ役割を有する。エッチングストッパー膜６１４は層間絶縁膜６０８を形成した後に形成し、層間絶縁膜６０８にコンタクトホールを形成すると同時にエッチングストッパー膜６１４にもコンタクトホールを形成する。その他の工程については図９（Ａ）と同様である。

図９（Ｃ）はゲート絶縁膜６０４及びゲート電極６０５と、層間絶縁膜６０８との間に窒化珪素系の水素化膜６１５が形成されている構造である。この水素化膜６１５は半導体層６０３に不純物元素（イオン）が侵入するのをブロックする役割と、熱処理を行うことで含まれている水素によって半導体層６０３を水素化し、ダングリングボンドを終端する役割とを有する。水素化膜６１５はゲート電極６０５を形成した後に、窒化珪素系の膜で形成する。膜はプラズマＣＶＤ法など各ＣＶＤ法により成膜すると良い。半導体層６０３の水素化を行う場合、この後に熱処理を行うが、層間絶縁膜６０８をシロキサンで形成した場合は、シロキサンの焼成と同時に水素化処理を行うことも可能である。その他の工程については図９（Ａ）の記載と同様である。

図９（Ｄ）はエッチングストッパー膜６１６と水素化膜６１７とを両方設けた構造である。作製方法、その他は図９（Ａ）〜（Ｃ）と同様である。

図１０（Ａ）は図９（Ａ）と同様の構成であるが、発光素子の第１の電極７００を配線７０１より先に形成する。すなわち、層間絶縁膜６０８を形成した後、配線７０９を形成する前に透明導電膜を成膜し、エッチングして第１の電極７００を形成する。コンタクトホールは第１の電極７００を形成した後に形成しても良いし、第１の電極７００を形成する前に形成しても良い。その他の作製方法については図９（Ａ）と同様である。

図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の構成にエッチングストッパー膜７０２を設けた構成である。エッチングストッパー膜７０２の作製方法、その他については図２（Ｂ）の説明を参照されたい。その他の作製方法については図１０（Ａ）と同様である。

図１０（Ｃ）は図１０（Ａ）の構成に水素化膜７０３を設けた構成である。水素化膜７０３の作成方法、その他については図２（Ｃ）の説明を参照されたい。その他の作製方法については図１０（Ａ）と同様である。

図１０（Ｄ）は図１０（Ａ）の構成にエッチングストッパー膜７０４と水素化膜７０５を設けた構成である。作成方法、その他については図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）の記載を参照されたい。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の他の実施の形態について図１１、図１２を参照しながら説明する。

基板９００上に第１の下地絶縁膜９０１、第２の下地絶縁膜９０２、半導体層９０３、９０４、ゲート絶縁膜９０５を形成するところまでは図１（Ａ）と同様であるため、説明を省略する。図１（Ａ）の説明を参照されたい。

続いて、ゲート電極９０６、９０７を形成するが、ゲート電極は第１の導電層９０８及び第２の導電層９０９の２層でもって形成する。第１の導電膜９０８は第２の導電膜９０９より薄く、且つその端部が第２の導電膜９０３より半導体層９０３、９０４の端部側に形成されており、断面図が帽子のような形状となっている。このような形状のゲート電極とし、ドーピングを行う際に適切に条件を設定するとゲート電極と重なる低濃度不純物領域（ＧａｔｅＯｖｅｒｌａｐｐｅｄＬｉｇｈｔＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ領域：ＧＯＬＤ領域）がセルフアラインで形成することが可能となる。

このような形状のゲート絶縁膜を作成する方法を簡単に説明する。ゲート絶縁膜上に第１の導電膜となる材料とその上に第２の導電膜となる材料を積層する。材料は先に挙げたゲート電極として用いることのできる材料を用いれば良いが、代表的には第１の導電膜９０８としてＴａＮやＭｏ、第２の導電膜９０９としてＷ、Ａｌなどを用いると良い。

次に、前記導電膜をエッチングして電極及び配線を形成するため、フォトリソグラフィーにより露光工程を経てレジストからなるマスクを形成する。第１のエッチング処理では第１のエッチング条件と第２のエッチング条件でエッチングを行う。レジストによるマスクを用い、エッチングし、ゲート電極及び配線を形成する。エッチング条件は適宜選択すれば良い。

本実施の形態では第１の導電膜としてＴａＮ、第２の導電膜としてＷを用いた場合のエッチング例を示す。この場合、ＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ：誘導結合プラズマ）エッチング法を使用すると良い。第１のエッチング条件として、エッチング用ガスにＣＦ₄、Ｃｌ₂とＯ₂を用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１．０Ｐａの圧力でコイル型電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも１５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電膜の端部をテーパー形状とする。

続いて、第２のエッチング条件に移ってエッチングを行う。レジストからなるマスクを除去せず、のこしたまま、エッチング用ガスにＣＦ₄とＣｌ₂を用い、それぞれのガス流量比を３０／３０（ｓｃｃｍ）、圧力１．０Ｐａでコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して約１５秒程度のエッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ₄とＣｌ₂を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。

上記の第１のエッチング処理においては、基板側に印加されたバイアス電圧の効果により第１の導電膜及び第２の導電膜の端部はテーパー状となる。

次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。第２のエッチング処理では、エッチング用のガスにＳＦ₆とＣｌ₂とＯ₂を用い、それぞれのガス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Ｐａの圧力でコイル側の電力に７００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを発生して２５秒程度エッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも１０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加した。このエッチング条件ではＷ膜が選択的にエッチングされ、第２形状の導電膜を形成した。このとき第１の導電膜はほとんどエッチングされない。第１、第２のエッチング処理によって第１の導電膜９０８、第２の導電膜９０９からなり、図１１（Ａ）のような形状を有するゲート電極９０６、９０７が形成される。

続いて半導体層９０３、９０４に不純物のドーピングを行う。まず、第１のドーピング処理では、半導体層にＮ型を付与する不純物を低濃度にドーピングする。第１のドーピング処理はイオンドープ法又はイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量が１×１０¹³〜５×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ²、加速電圧が４０〜８０ｋＶで行えばよい。本実施の形態では加速電圧を５０ｋＶとして行った。Ｎ型を付与する不純物元素としては１５族に属する元素を用いることができ、代表的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）が用いられ、本実施の形態ではリン（Ｐ）を使用し、第１の導電層をマスクとして自己整合的に、低濃度の不純物が添加されている第１の不純物領域（Ｎ^--領域）を形成する。このドーピングと同時にゲート絶縁膜９０５及び第２の下地絶縁膜９０２にも低濃度に不純物を添加する。なお、この際に第１の下地絶縁膜９０１に不純物が添加されないように加速電圧に設定する。

続き、レジストからなるマスク９１０を形成して第１のドーピング処理よりも高い加速電圧で、第２のドーピング処理を行う。第２のドーピング処理もＮ型を付与する不純物を添加する。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０¹³〜３×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ²、加速電圧を６０〜１２０ｋＶとすれば良い。本実施の形態ではドーズ量を３．０×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ²とし、加速電圧を６５ｋＶとして行った。第２のドーピング処理ではレジストからなるマスク９１０と第２の導電層を不純物元素に対するマスクとして用い、ドーピングを行う。なお、図１１には図示していないが、マスク９１０に覆われていないゲート電極及び半導体層もあり、そのような半導体層には第１の導電層の下方に位置する半導体層にも不純物元素が添加される。

なお、マスク９１０には、発光素子の発光が外部に射出する際の光路となる位置にも開口部が形成されており、その開口部が形成されている位置において、ゲート絶縁膜９０５、第２の下地絶縁膜９０２にも同時に不純物を添加する。また、この際にも第１の下地絶縁膜９０１に不純物が添加されないように加速電圧に設定する。

第２のドーピングを行うと、結晶性半導体層の第１の導電膜９０８と重なっている部分のうち、第２の導電層に重なっていない部分もしくはマスクに覆われていない部分（図示せず）に、第２の不純物領域（Ｎ−領域、Ｌｏｖ領域）が形成される。第２の不純物領域には１×１０¹⁸〜５×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度範囲でＮ型を付与する不純物が添加される。また、結晶性半導体層のうち、第１の導電膜９０８にもマスクにも覆われておらず、露出している部分（第３の不純物領域：Ｎ⁺領域）には１×１０¹⁹〜５×１０²¹ａｔｏｍ／ｃｍ³の範囲で高濃度にＮ型を付与する不純物が添加される。また、半導体層には第２のドーピングの際、マスクのみに覆われている部分がある。この部分のＮ型を付与する不純物の濃度は、第１のドーピング処理で添加された不純物濃度のままであるので、引き続き第１の不純物領域（Ｎ^--領域）と呼ぶことにする。

なお、本実施の形態では２回のドーピング処理により各不純物領域を形成したが、これに限定されることは無く、適宜条件を設定して、一回もしくは複数回のドーピングによって所望の不純物濃度を有する不純物領域を形成すれば良い。

次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスク９１２を形成し、第３のドーピング処理を行う。第３のドーピング処理により、Ｐチャネル型ＴＦＴとなる半導体層９０４に前記第１のドーピング及び前記第２のドーピングとは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された第４の不純物領域（Ｐ⁺領域）及び第５の不純物領域（Ｐ^-領域）が形成される。

第３のドーピング処理では、レジストからなるマスク９１２に覆われておらず、更に第１の導電膜９０８とも重なっていない部分に、第４の不純物領域（Ｐ＋領域）が形成され、レジストからなるマスクに覆われておらず、且つ第１の導電層と重なっており、第２の導電層と重なっていない部分に第５の不純物領域（Ｐ−領域）が形成される。Ｐ型を付与する不純物元素としては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など周期律表第１３族の元素が知られている。

本実施の形態では、第４の不純物領域及び第５の不純物領域を形成するＰ型の不純物元素としてはホウ素（Ｂ）を選択し、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法で形成した。イオンドープ法の条件としては、ドーズ量を１×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ²とし、加速電圧を８０ｋＶとした。

なお、第３のドーピング処理の際には、Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層９０３はレジストからなるマスク９１２に覆われている。なお、マスク９１２に、発光素子の発光の外部に射出する際の光路となる位置にも開口部を形成しておき、その開口部が形成されている位置において、再度、ゲート絶縁膜９０５、第２の下地絶縁膜９０２に同時に不純物を添加しても良い。また、この際にも第１の下地絶縁膜９０１に不純物が添加されないように加速電圧に設定する。

ここで、第１及び第２のドーピング処理によって、第４の不純物領域（Ｐ⁺領域）及び第５の不純物領域（Ｐ^-領域）にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されている。しかし、第４の不純物領域（Ｐ⁺領域）及び第５の不純物領域（Ｐ^-領域）のいずれの領域においても、第３のドーピング処理によって、Ｐ型を付与する不純物元素の濃度が１×１０¹⁹〜５×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ²となるようにドーピング処理される。そのため、第４の不純物領域（Ｐ⁺領域）及び第５の不純物領域（Ｐ^-領域）は、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域として問題無く機能する。

なお、本実施の形態では、第３のドーピング一回で、第４の不純物領域（Ｐ＋領域）及び第５の不純物領域（Ｐ−領域）を形成したが、これに限定はされない。ドーピング処理の条件によって適宜複数回のドーピング処理により第４の不純物領域（Ｐ＋領域）及び第５の不純物領域（Ｐ−領域）を形成してもよい。

次に、マスク９１２を剥離してから、ゲート電極９０６、９０７及びゲート絶縁膜９０５を覆って窒化珪素系の材料で水素化膜９１３を形成する。水素化膜９１３を形成した後、加熱処理を行うことによって半導体層９０３、９０４のダングリングボンドを終端することができ、薄膜トランジスタの特性向上に貢献する。（図１１（Ｄ））

続いて、第１の層間絶縁膜９１４を形成する。第１の層間絶縁膜９１４は有機、無機の絶縁材料から形成する。本実施の形態では、窒素を含む酸化珪素膜で第１の層間絶縁膜９１４を形成する。

続いて、フォトレジストなどによるマスク９１５を用いて、半導体層９０３、９０４に達するコンタクトホールを第１の層間絶縁膜９１４及びゲート絶縁膜９０５に形成すると同時に、発光素子の光が射出する光路上に当たる部分における第１の層間絶縁膜９１４、ゲート絶縁膜９０５及び第２の下地絶縁膜９０２を除去して開口部９１６を形成する。エッチングはフッ酸系の薬液を用いたウエットエッチングを使用し、希フッ酸やバッファードフッ酸などを用いることができる。本実施の形態では０．５％の希フッ酸を用いてエッチングを行う。（図１１（Ｅ））

ところで、発光素子からの発光は、表示装置内の様々な層を通過して表示装置外に射出される。ここで、通過する層の屈折率が異なると界面における反射や屈折の影響によって多重干渉が発生する。これにより定在波が起こると、表示装置の発光面を角度を変えて見た際に色調が変化してしまう、いわゆる視野角依存が発生してしまう。これは表示装置の表示の品質を著しく低下させる原因となっていた。

そこでこのように、開口部９１６を発光素子の光が射出する光路上に当たる部分に形成することによって、発光素子で発光した光が表示装置外へ射出するまでに通過する膜の数が減る。このため、反射や屈折率などによる多重干渉の結果、定在波が発生する確率を大きく減少させることが可能となる。

この際、ゲート絶縁膜９０５、第２の下地絶縁膜９０２の発光素子の光が射出する光路上に当たる部分は、高濃度に不純物を添加しているため、エッチングされる速度が通常より早くなっている。同時に、第１の下地絶縁膜９０１には不純物を添加しない為、エッチング速度は通常のままである。このエッチング速度の差は添加されている不純物の量、種類によっても異なるが、約２〜３倍異ならしめることが可能である。すなわち、このエッチングを行う際に第１の下地絶縁膜９０１を開口部９１６を形成する際の実質的なエッチングストッパーとして用いることができるようになる。前述したように、下地絶縁膜は基板からの悪影響を及ぼす不純物元素（イオン）が拡散するのをブロックする為のものであるため、開口部９１６を形成した後も残存することが望ましく、本発明の作製方法を用いることによって、簡便に確実に実現することが可能となる。

続いて、コンタクトホールを介して半導体層９０３、９０４に接続する配線９１７を形成する。配線９１７は当該コンタクトホールや第１の層間絶縁膜９１４を覆う導電層を形成し、当該導電層を所望の形状に加工し形成する。これらはアルミニウム、銅、モリブデン等の単層でも良いが、本実施の形態では基板側からモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層構造とする。積層配線としてはチタン／アルミニウム／チタンやチタン／窒化チタン／アルミニウム／チタン、若しくはこれらに用いられるアルミニウムに珪素を混入したものを用いた積層構造でも良い。導電層の加工はレジストを用いてドライエッチングもしくはウエットエッチングにより行えばよい。（図１２（Ａ））

その他の作製方法及び図１２（Ａ）の状態から図１２（Ｂ）の状態にする為の方法については図２（Ａ）〜（Ｃ）と同様であるので、図２（Ａ）〜（Ｃ）の説明を参照されたい。

図１２（Ｃ）は図２（Ｄ）とほぼ同じ構成を有するが、ゲート電極９２４の形状がその端部にテーパーを有する単層構造となっていることが異なっている。このような形状を有するゲート電極９２４が用いられていても良い。また、ゲート電極９２４の材料としてＭｏが用いられていたとしても、図１２（Ｃ）におけるゲート電極９２４は窒化珪素系の膜から形成される第２のゲート絶縁膜９２５、水素化膜９２６により周囲を全て囲まれているため、安定に動作させることができるようになっている。

（実施の形態５）
本実施の形態では図１３（Ａ）を参照しながらボトムゲートの薄膜トランジスタを用い、本発明の表示装置の作成方法を適用して作成された表示装置の説明を行う。なお、この説明において特に述べた事項以外は上述してきた作製方法に準ずることとする。

ボトムゲートの薄膜トランジスタの場合は基板９５０上にゲート電極９４９を形成し、それを覆って第１のゲート絶縁膜９５１、第２のゲート絶縁膜９５２を形成する。第１のゲート絶縁膜９５１は基板９５０からの不純物の侵入を阻む為に窒化珪素系の膜であることが望ましい。また、第２のゲート絶縁膜９５２は絶縁性が高く、トラップ順位も低い酸化珪素系の膜であることが望ましいが、ゲート絶縁膜は窒化珪素系の膜一枚でもかまわない。ゲート絶縁膜を窒化珪素系の膜一枚で形成した例は図１３（Ｂ）に説明する。

続いて、半導体層９５３を形成する。半導体層９５３は先に述べてきたようなトップゲート型の半導体層と同様に形成すれば良い。続いて半導体層９５３上に半導体層９５３のチャネル領域となる部分を覆うチャネル保護膜９５４を形成する。これは、この後行うドーピングの際にチャネル領域にまで一導電型を付与する不純物が導入されてしまうのを防ぐ役割がある。

次に半導体層に不純物を導入する。このとき、同時に第２のゲート絶縁膜９５２にも不純物を導入する。不純物は半導体層９５３に不純物が添加される程度の加速度で導入されるので、第２のゲート絶縁膜９５２まで不純物を導入することができる。また、この際、第１のゲート絶縁膜９５１に不純物が添加されないように加速電圧に設定する。

続いて、第２のゲート絶縁膜９５２及びチャネル保護膜９５４を覆って第１の層間絶縁膜９５５を形成する。続いて第１の層間絶縁膜９５５に半導体層９５３に達するコンタクトホールを形成する。さらに同時に発光素子からの発光が表示装置外に出て行く際の光路上に存在する第１の層間絶縁膜９５５、第２のゲート絶縁膜９５２に開口部９５６を形成する。コンタクトホール及び開口部９５６の形成はマスクを用いてウエットエッチングにより行う。エッチングの際に使用する薬液はフッ酸系のもの（希フッ酸やバッファードフッ酸など）を用いる。

この際、第２のゲート絶縁膜９５２には不純物を添加してあり、そのエッチング速度が高められている。その為、開口部９５６を形成する際のエッチングストッパーとして第１のゲート絶縁膜９５１を用いることができる。

この後の工程については図２（Ａ）の説明に準ずることとする。なお、本構成は実施の形態において述べてきた適応しうるパターン全てに対応させることが可能である。

図１３（Ｂ）はゲート絶縁膜９５７を窒化珪素系の膜１枚で形成した場合の例である。また、ドーピングは第１の層間絶縁膜９５５を形成してから行っていることが図１３（Ａ）と異なる部分であるが、図１３（Ｂ）においても、第１の層間絶縁膜９５５を形成する前にドーピングを行っても良い。

図１３（Ｂ）のようにゲート絶縁膜９５７を一層で形成する場合にはドーピングを行う際に第１のゲート絶縁膜９５７の膜厚の途中まで不純物が添加されていると考えられる。その為、不純物が添加されている部分までのエッチング速度は速められているが、添加されていない部分のエッチング速度は通常のままである。結果として、不純物が添加されていない部分のゲート絶縁膜９５７を実質的なエッチングストッパーとして用いることが可能となる。その他の作製方法などに関しては図１３（Ａ）に準ずる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一形態に相当する表示装置のパネルの外観について図１４を用いて説明する。図１４は本発明の表示装置の作製方法によって作成された表示装置を基板と対向基板４００６との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図である。

基板上に設けられた画素部４００２と信号処理回路４００３と信号線駆動回路４０２０と走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また、画素部４００２と信号処理回路４００３と信号線駆動回路４０２０と、走査線駆動回路４００４の上に対向基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と信号処理回路４００３と信号線駆動回路４０２０と、走査線駆動回路４００４とは基板４００１とシール剤４００５と対向基板４００６とによって充填材と共に密封されている。

また、基板４００１上に設けられた画素部４００２と信号処理回路４００３と信号線駆動回路４０２０と走査線駆動回路４００４とは薄膜トランジスタを複数有している。

また、引き回し配線は画素部４００２と信号処理回路４００３と信号線駆動回路４０２０と、走査線駆動回路４００４とに、信号、または電源電圧を層供給すると目の配線に相当する。引き回し配線は接続端子と接続されており、接続端子はフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）４０１８が有する端子と異方性導電膜を介して電気的に接続されている。

なお、充填材としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセテートを用いる事ができる。

なお、本発明の表示装置は発光素子を有する画素部が形成されたパネルと、該パネルにＩＣが実装されたモジュールとをその範疇に含む。

このようなパネルやモジュールは視野角依存が少なく、良好な表示を提供することが可能である。また、搭載されている薄膜トランジスタの信頼性も高い。本発明によってこのようなパネルやモジュールを簡便に精度良く作成することが可能となる。

（実施の形態７）
実施の形態６にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図１５に示す。

図１５（Ａ）は表示装置でありテレビ受像器やコンピュータのモニターなどがこれに当たる。筐体２００１、表示部２００３、スピーカー部２００４等を含む。本発明の作製方法により作成された表示装置は表示部２００３の発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減され、表示の品質が向上する。画素部にはコントランスを高めるため、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。例えば、封止基板へ１／４λ板、１／２λ板、偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さらに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。

図１５（Ｂ）は携帯電話であり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、音声入力部２１０４、音声出力部２１０５、操作キー２１０６、アンテナ２１０８等を含む。本発明の作製方法により作成された携帯電話は、表示部２１０３における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。

図１５（Ｃ）はコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の作製方法により作成されたコンピュータは表示部２２０３の発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減され、また、表示の品質が向上する。図１５（Ｃ）ではノート型のコンピュータを例示したが、ハードディスクと表示部が一体化したデスクトップ型のコンピュータなどにも適用することが可能である。

図１５（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の作製方法により作成されたモバイルコンピュータは、表示部２３０２における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。

図１５（Ｅ）は携帯型のゲーム機であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー部２４０３、操作キー２４０４、記録媒体挿入部２４０５等を含む。本発明の作製方法により作成された携帯型ゲーム機は表示部２４０２における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であり、良好な表示を提供し、信頼性の高い製品を簡便に精度良く作成することが可能となる。

（実施の形態８）
本実施の形態では発光層１１４、４１２及び６１２の構成について詳しく説明する。

発光層は、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送物質及び発光材料で形成し、その分子数から低分子系有機化合物、中分子系有機化合物（昇華性を有さず、且つ分子数が２０以下、又は連鎖する分子の長さが１０μｍ以下の有機化合物を指していう）、高分子系有機化合物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸送性又は正孔注入輸送性の無機化合物と組み合わせても良い。

電荷注入輸送物質のうち、特に電子輸送性の高い物質としては、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ₃）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また正孔輸送性の高い物質としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物が挙げられる。

また、電荷注入輸送物質のうち、特に電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。また、この他、Ａｌｑ₃のような電子輸送性の高い物質とマグネシウム（Ｍｇ）のようなアルカリ土類金属との混合物であってもよい。

電荷注入輸送物質のうち、正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）等の金属酸化物が挙げられる。また、この他、フタロシアニン（略称：Ｈ₂Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。

発光層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルター（着色層）を設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。そのため、フィルター（着色層）を設けることで、従来画素部の鏡面化（写り込み）を防止するために用いられていた円偏光板などを省略することが可能となり、偏光板を用いた事によって約半分となっていた光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減すことができる。

発光材料には様々な材料がある。低分子系有機発光材料では、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル） −４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル） −４Ｈ−ピラン（略称：ＤＰＡ）、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）等を用いることができる。また、この他の物質でもよい。

一方、高分子系有機発光材料は低分子系に比べて物理的強度が高く、素子の耐久性が高い。また塗布により成膜することが可能であるので、素子の作製が比較的容易である。高分子系有機発光材料を用いた発光素子の構造は、低分子系有機発光材料を用いたときと基本的には同じであり、陰極／有機発光層／陽極となる。しかし、高分子系有機発光材料を用いた発光層を形成する際には、低分子系有機発光材料を用いたときのような積層構造を形成させることは難しく、多くの場合２層構造となる。具体的には、陰極／発光層／正孔輸送層／陽極という構造である。

発光色は、発光層を形成する材料で決まるため、これらを選択することで所望の発光を示す発光素子を形成することができる。発光層の形成に用いることができる高分子系の電界発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。

ポリパラフェニレンビニレン系には、ポリ（パラフェニレンビニレン）［ＰＰＶ］の誘導体、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン）［ＲＯ−ＰＰＶ］、ポリ（２−（２’−エチル−ヘキソキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン）［ＭＥＨ−ＰＰＶ］、ポリ（２−（ジアルコキシフェニル）−１，４−フェニレンビニレン）［ＲＯＰｈ−ＰＰＶ］等が挙げられる。ポリパラフェニレン系には、ポリパラフェニレン［ＰＰＰ］の誘導体、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレン）［ＲＯ−ＰＰＰ］、ポリ（２，５−ジヘキソキシ−１，４−フェニレン）等が挙げられる。ポリチオフェン系には、ポリチオフェン［ＰＴ］の誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）［ＰＡＴ］、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）［ＰＨＴ］、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン）［ＰＣＨＴ］、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン）［ＰＣＨＭＴ］、ポリ（３，４−ジシクロヘキシルチオフェン）［ＰＤＣＨＴ］、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−チオフェン］［ＰＯＰＴ］、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−２，２ビチオフェン］［ＰＴＯＰＴ］等が挙げられる。ポリフルオレン系には、ポリフルオレン［ＰＦ］の誘導体、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）［ＰＤＡＦ］、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）［ＰＤＯＦ］等が挙げられる。

なお、正孔輸送性の高分子系有機発光材料を、陽極と発光性の高分子系有機発光材料の間に挟んで形成すると、陽極からの正孔注入性を向上させることができる。一般にアクセプター材料と共に水に溶解させたものをスピンコート法などで塗布する。また、有機溶媒には不溶であるため、上述した発光性の有機発光材料との積層が可能である。正孔輸送性の高分子系有機発光材料としては、ＰＥＤＯＴとアクセプター材料としてのショウノウスルホン酸（ＣＳＡ）の混合物、ポリアニリン［ＰＡＮＩ］とアクセプター材料としてのポリスチレンスルホン酸［ＰＳＳ］の混合物等が挙げられる。

また、発光層は単色又は白色の発光を呈する構成とすることができる。白色発光材料を用いる場合には、画素の光放射側に特定の波長の光を透過するフィルター（着色層）を設けた構成としてカラー表示を可能にすることができる。

白色に発光する発光層を形成するには、例えば、Ａｌｑ₃、部分的に赤色発光色素であるナイルレッドをドープしたＡｌｑ₃、Ａｌｑ₃、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミン）を蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。また、スピンコートを用いた塗布法によりＥＬを形成する場合には、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成すればよい。

発光層は単層で形成することもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。ここで示した白色発光が得られる発光素子の他にも、発光層の材料を適宜選択することによって、赤色発光、緑色発光、または青色発光が得られる発光素子を作製することができる。

さらに、発光層は、一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。

三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金属錯体などが知られている。三重項励起発光材料としては、これらの化合物に限られることはなく、上記構造を有し、且つ中心金属に周期表の８〜１０属に属する元素を有する化合物を用いることも可能である。

以上に掲げる発光層を形成する物質は一例であり、正孔注入輸送層、正孔輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層などの機能性の各層を適宜積層することで発光素子を形成することができる。また、これらの各層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。発光層の層構造は変化しうるものであり、特定の電子注入領域や発光領域を備えていない代わりに、もっぱらこの目的用の電極を備えたり、発光性の材料を分散させて備えたりする変形は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において許容されうるものである。

上記のような材料で形成した発光素子は、順方向にバイアスすることで発光する。発光素子を用いて形成する表示装置の画素は、単純マトリクス方式、若しくはアクティブマトリクス方式で駆動することができる。いずれにしても、個々の画素は、ある特定のタイミングで順方向バイアスを印加して発光させることとなるが、ある一定期間は非発光状態となっている。この非発光時間に逆方向のバイアスを印加することで発光素子の信頼性を向上させることができる。発光素子では、一定駆動条件下で発光強度が低下する劣化や、画素内で非発光領域が拡大して見かけ上輝度が低下する劣化モードがあるが、順方向及び逆方向にバイアスを印加する交流的な駆動を行うことで、劣化の進行を遅くすることができ、表示装置の信頼性を向上させることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では本発明を利用した表示装置の構成の１例を説明する。本実施の形態では、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタ８０９が薄膜トランジスタの電極８０８を介して発光素子８１４に接続している。また、本実施の形態の表示装置はゲート絶縁膜を形成し、ドーピングを行った後、新たに発光素子の光が表示装置外に出る際の光路上に形成する開口部を形成する為のマスクを形成してエッチングを行って得られる構成である。

図１６（Ａ）は第１の電極８１０が透光性を有する導電膜により形成されており、基板８００側に発光層８１２より発せられた光が取り出される構造である。なお８１５は対向基板であり、発光素子８１４が形成された後、シール剤などを用い、基板８００に固着される。対向基板８１５と素子との間に透光性を有する樹脂８１６等を充填し、封止することによって発光素子８１４が水分により劣化することをさらに低減させる事ができる。また、樹脂８１６が吸湿性を有していることが望ましい。さらに樹脂８１６中に透光性の高い乾燥剤を分散させるとさらに水分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形態である。

図１６（Ｂ）は第１の電極８１０と第２の電極８１３両方が透光性を有する導電膜により形成されており、基板８００及び対向基板８１５の両方に光を取り出すことが可能な構成となっている。また、この構成では基板８００と対向基板８１５の外側に偏光板８１７を設けることによって画面が透けてしまうことを防ぐことができ、視認性が向上する。偏光板８１７の外側には保護フィルム８１８を設けると良い。このような構成において多重干渉により視野角依存が発生すると、上方に射出した光と下方に射出した光の色がずれてしまう可能性もあるが、本発明の作製方法により作成すれば、このような問題を緩和することが可能な表示装置を簡便に精度良く作成することが可能となる。

本発明のを用いることで、良好な表示を提供し、信頼性の高い製品を簡便に精度良く作成することが可能となる。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、画素回路、保護回路及びそれらの動作について説明する。

図１７（Ａ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０及び電源線１４１１、１４１２、行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３、電流制御用ＴＦＴ１４０４、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有する。

図１７（Ｃ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０３のゲート電極が、行方向に配置された電源線１４１２に接続される点が異なっており、それ以外は図１７（Ａ）に示す画素と同じ構成である。つまり、図１７（Ａ）（Ｃ）に示す両画素は、同じ等価回路図を示す。しかしながら、行方向に電源線１４１２が配置される場合（図１７（Ａ））と、列方向に電源線１４１２が配置される場合（図１７（Ｃ））とでは、各電源線は異なるレイヤーの導電膜で形成される。ここでは、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が接続される配線に注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図１７（Ａ）（Ｃ）として分けて記載する。

図１７（Ａ）（Ｃ）に示す画素の特徴として、画素内にＴＦＴ１４０３、１４０４が直列に接続されており、ＴＦＴ１４０３のチャネル長Ｌ（１４０３）、チャネル幅Ｗ（１４０３）、ＴＦＴ１４０４のチャネル長Ｌ（１４０４）、チャネル幅Ｗ（１４０４）は、Ｌ（１４０３）／Ｗ（１４０３）：Ｌ（１４０４）／Ｗ（１４０４）＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。

なお、ＴＦＴ１４０３は、飽和領域で動作し発光素子１４０５に流れる電流値を制御する役目を有し、ＴＦＴ１４０４は線形領域で動作し発光素子１４０５に対する電流の供給を制御する役目を有する。両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工程上好ましく、本実施の形態ではｎチャネル型ＴＦＴとして形成する。またＴＦＴ１４０３には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いてもよい。上記構成を有する本発明は、ＴＦＴ１４０４が線形領域で動作するために、ＴＦＴ１４０４のＶｇｓの僅かな変動は、発光素子１４０５の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子１４０５の電流値は、飽和領域で動作するＴＦＴ１４０３により決定することができる。上記構成により、ＴＦＴの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた表示装置を提供することができる。

図１７（Ａ）〜（Ｄ）に示す画素において、ＴＦＴ１４０１は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、ＴＦＴ１４０１がオンとなると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子１４０２にそのビデオ信号の電圧が保持される。なお図１７（Ａ）（Ｃ）には、容量素子１４０２を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまかなうことが可能な場合には、容量素子１４０２を設けなくてもよい。

図１７（Ｂ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１７（Ａ）に示す画素構成と同じである。同様に、図１７（Ｄ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１７（Ｃ）に示す画素構成と同じである。

ＴＦＴ１４０６は、新たに配置された走査線１４１５によりオン又はオフが制御される。ＴＦＴ１４０６がオンとなると、容量素子１４０２に保持された電荷は放電し、ＴＦＴ１４０４がオフとなる。つまり、ＴＦＴ１４０６の配置により、強制的に発光素子１４０５に電流が流れない状態を作ることができる。そのためＴＦＴ１４０６を消去用ＴＦＴと呼ぶことができる。従って、図１７（Ｂ）（Ｄ）の構成は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。

図１７（Ｅ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０、電源線１４１１、行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有する。図１７（Ｆ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１７（Ｅ）に示す画素構成と同じである。なお、図１７（Ｆ）の構成も、ＴＦＴ１４０６の配置により、デューティ比を向上することが可能となる。

以上のように、多様な画素回路を採用することができる。特に、非晶質半導体層から薄膜トランジスタを形成する場合、駆動用ＴＦＴの半導体層を大きくすると好ましい。そのため、上記画素回路において、発光層からの光が封止基板側から射出する上面発光型とすると好ましい。

このようなアクティブマトリクス型の表示装置は、画素密度が増えた場合、各画素にＴＦＴが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。

本実施の形態では、一画素に各ＴＦＴが設けられるアクティブマトリクス型の表示装置について説明したが、一列毎にＴＦＴが設けられるパッシブマトリクス型の表示装置を形成することもできる。パッシブマトリクス型の表示装置は、各画素にＴＦＴが設けられていないため、高開口率となる。発光が発光層の両側へ射出する表示装置の場合、パッシブマトリクス型の表示装置を用いる透過率が高まる。

これらのような画素回路を有する表示装置は、視野角依存性が良好であり、薄膜トランジスタの特性を保つことができる上、各々の特徴を有する表示装置とすることができる。また、本発明の作製方法を適用することでこのような表示装置を簡便に精度良く作成することが可能となる。

続いて、図１７（Ｅ）に示す等価回路を用い、走査線及び信号線に保護回路としてダイオードを設ける場合について説明する。

図１８には、画素部１５００にＴＦＴ１４０１、１４０３、容量素子１４０２、発光素子１４０５が設けられている。信号線１４１０には、ダイオード１５６１と１５６２が設けられている。ダイオード１５６１と１５６２は、ＴＦＴ１４０１又は１４０３と同様に、上記実施の形態に基づき作製され、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード１５６１と１５６２は、ゲート電極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することによりダイオードとして動作させている。

ダイオードと接続する共通電位線１５５４、１５５５はゲート電極と同じレイヤーに形成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と接続するには、ゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成する必要がある。

走査線１４１４に設けられるダイオードも同様な構成である。

このように、入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成することができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、これに限定されず、駆動回路と画素との間に設けることもできる。

このような保護回路を有する本発明の表示装置は、視野角依存性が良好であり、薄膜トランジスタの特性を保つことができる上、表示装置としての信頼性も高めることが可能となる。また、本発明の作製方法を適用することでこのような表示装置を簡便に精度良く作成することが可能となる。

（実施の形態１１）
本発明により作成された表示装置の構成について図１９、図２０を参照して説明する。図１乃至図４の断面図は図１９、図２０のＢ−Ｃに相当する。本発明の表示装置は、ソース線Ｓｘ（ｘは自然数、１≦ｘ≦ｍ）と、ゲート線Ｇｙ（ｙは自然数、１≦ｙ≦ｎ）が絶縁体を介して交差する領域に複数の素子を含む画素１０を複数有する（図１９（Ａ）参照）。画素１０は、発光素子１３と、容量素子１６と、２つのトランジスタとを有する。２つのトランジスタのうち、１つは画素１０に対するビデオ信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ１１（以下ＴＦＴ１１と表記）であり、もう１つは発光素子１３の点灯と非点灯を制御する駆動用トランジスタ１２（以下ＴＦＴ１２と表記）である。ＴＦＴ１１、１２は電界効果トランジスタであり、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の３つの端子を有する。

ＴＦＴ１１のゲート電極はゲート線Ｇｙに接続し、ソース電極及びドレイン電極の一方はソース線Ｓｘに接続し、他方はＴＦＴ１２のゲート電極に接続する。ＴＦＴ１２のソース電極及びドレイン電極の一方は電源線Ｖｘ（ｘは自然数、１≦ｘ≦ｍ）を介して第１の電源１７に接続し、他方は発光素子１３の画素電極に接続する。発光素子１３の対向電極は第２の電源１８に接続する。容量素子１６はＴＦＴ１２のゲート電極とソース電極の間に設けられる。ＴＦＴ１１、１２の導電型は制約されず、Ｎ型とＰ型のどちらの導電型でもよいが、図示する構成では、ＴＦＴ１１はＮ型、ＴＦＴ１２がＰ型の場合を示す。第１の電源１７の電位と第２の電源１８の電位も特に制約されないが、発光素子１３に順方向バイアス又は逆方向バイアスの電圧が印加されるように、互いに異なる電位に設定する。

次に、上記構成を有する画素１０を図２０に示す。ＴＦＴ１１、１２、容量素子１６、発光素子１３の画素電極に相当する第１の電極１９、発光層３３が第１の電極１９に接している部分（隔壁開口部）１及び水素化膜、ゲート絶縁膜、第２の下地絶縁膜の３層に形成された開口部２を示す。なお、開口部２の内側端部は理想的には隔壁開口部１の内側端部より外側に設けられることが望ましいが、レイアウト上困難な場合には内側に設けられていても一定の効果をえることが可能である。

続いて、Ａ−Ｂ−Ｃに対応する断面構造を図１９（Ｂ）に示す。ガラスや石英などの絶縁表面を有する基板２０上にＴＦＴ１１、１２、発光素子１３、容量素子１６が設けられている。

発光素子１３は、第１の電極１９、発光層３３、第２の電極３４の積層体に相当する。第１の電極１９、第２の電極３４の両者が透光性を有する場合、発光素子１３は、第１の電極１９に向かう方向と、第２の電極３４に向かう方向に光を発する。つまり発光素子１３は両面出射を行う。また、第１の電極１９、第２の電極の一方が透光性を有し、他方が遮光性を有する場合、発光素子１３は第１の電極１９に向かう方向のみか、第２の電極３４に向かう方向のみに光を発する。つまり発光素子１３は上面出射又は下面出射を行う。図１９（Ｂ）は、発光素子１３が下面出射を行う場合の断面構造を示す。

容量素子１６は、ＴＦＴ１２のゲート電極とソース電極の間に配置され、当該ＴＦＴ１２のゲート・ソース間電圧を保持する。容量素子１６は、ＴＦＴ１１、１２が含む半導体層と同じ層に設けられた半導体層２１と、ＴＦＴ１１、１２のゲート電極と同じ層に設けられた導電層２２ａ、２２ｂ（以下総称して導電層２２と表記）と、半導体層２１と導電層２２の間の絶縁層により容量を形成する点を特徴とする。また、容量素子１６はＴＦＴ１１、１２のゲート電極と同じ層に設けられた導電層２２と、ＴＦＴ１１、１２のソース電極及びドレイン電極に接続する導電層２４〜２７と同じ層に設けられた導電層２３と、導電層２２と導電層２３の間の絶縁層により容量を形成する点を特徴とする。上記特徴により、容量素子１６はＴＦＴ１２のゲート・ソース間電圧を保持するのに十分な容量値を得ることができる。また、容量素子１６は、電源線を構成する導電層の下部に設けられており、そのために、容量素子１６の配置による開口率の減少は生じない。

また、ＴＦＴ１１、１２のソース・ドレイン配線に相当する導電層２３〜２７の厚さは、５００乃至２０００ｎｍ、好ましくは５００乃至１３００ｎｍである点を特徴とする。導電層２３〜２７は、ソース線Ｓｘや電源線Ｖｘを構成しているため、上記特徴のように、導電層２３〜２７の膜厚を厚くすることで、電圧降下による影響を抑制することができる。なお、導電層２３〜２７を厚くすると配線抵抗を小さくすることができるが、逆に、導電層２３〜２７を厚くしすぎると、パターン加工を正確に行うことが困難になったり、表面の凸凹が問題になったりする。つまり、導電層２３〜２７の厚さは、配線抵抗と、パターン加工のし易さと表面の凸凹の影響とを考慮して、上記の範囲内で決定するとよい。

酸化珪素に不純物をドーピングした際のエッチングレートの変化について図２１に示す。

図２１はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）／Ｏ₂の混合ガスを用いてプラズマＣＶＤにより形成した酸化珪素膜を、０．５％の希フッ酸によりエッチングした結果である。○が何もドーピングを行っていない酸化硅素膜、●がホウ素をドーピングした酸化硅素膜、■がリンをドーピングした酸化硅素膜の結果を表している。ドーピングを行った際のドーズ量は原子換算でリンが１．５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ²、ボロンが０．８〜１．６×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ²とした。また、リファレンスには不純物のドーピングは行っていない。

この結果、リンをドーピングした酸化珪素膜のエッチング速度は１６ｎｍ／ｍｉｎ、ボロンをドーピングした酸化珪素膜のエッチング速度は９ｎｍ／ｍｉｎ、不純物のドーピングを行っていないリファレンスの酸化珪素膜のエッチング速度は５ｎｍ／ｍｉｎとなり、リンをドーピングした酸化珪素膜のエッチング速度はリファレンスの酸化珪素膜の約３倍、ボロンをドーピングした酸化珪素膜のエッチング速度はリファレンスの酸化珪素膜の約２倍となった。

このように酸化珪素膜にこれらの不純物をドーピングすることによって、そのエッチング速度を大きく異ならせることが可能となる。

表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。表示装置の作成工程を示す図。本発明の表示装置の作製方法を用いて作成された表示装置の例示。本発明の表示装置の作製方法を用いて作成された表示装置の例示。本発明の表示装置の作製方法を用いて作成されたパネルモジュールの一例。本発明の表示装置の作製方法を用いて作成された電子機器の例示。本発明を使用して作成する表示装置の例示。画素回路の例示。保護回路の例示。本発明の表示装置の作製方法を用いて作成された表示装置の例示。本発明の表示装置の作製方法を用いて作成された表示装置の上面図の例示。ドープ量とエッチングレート

符号の説明

１００基板
１０１下地絶縁膜
１０２下地絶縁膜
１０３半導体層
１０４ゲート絶縁膜
１０５ゲート電極
１０６マスク
１０７層間絶縁膜
１０８マスク
１０９開口部
１１０配線
１１１層間絶縁膜
１１２電極
１１３隔壁
１１４発光層
１１５電極
１１６エッチングストッパー膜
１１７水素化膜
１１８エッチングストッパー膜
１１９水素化膜
２００配線
２０１電極
２０２エッチングストッパー膜
２０３水素化膜
２０４エッチングストッパー膜
２０５水素化膜
２０６ゲート絶縁膜
２０７ゲート絶縁膜
３００電極
３０１配線
３０２エッチングストッパー膜
３０３水素化膜
３０４エッチングストッパー膜
３０５水素化膜
３０６ゲート絶縁膜
３０７ゲート絶縁膜
４００基板
４０１下地絶縁膜
４０２下地絶縁膜
４０３半導体層
４０４ゲート絶縁膜
４０６マスク
４０７開口部
４０８層間絶縁膜
４０９配線
４１０電極
４１１隔壁
４１２発光層
４１３電極
４１４エッチングストッパー膜
４０５ゲート電極
４１５水素化膜
４１６エッチングストッパー膜
４１７水素化膜
５００電極
５０１配線
５０２エッチングストッパー膜
５０３水素化膜
５０４エッチングストッパー膜
５０５水素化膜
６００基板
６０１下地絶縁膜
６０２下地絶縁膜
６０３半導体層
６０４ゲート絶縁膜
６０６マスク
６０７開口部
２０９配線
６１０電極
６１１隔壁
６１２発光層
６１３電極
６０８層間絶縁膜
６１４エッチングストッパー膜
６０５ゲート電極
６１５水素化膜
６１６エッチングストッパー膜
６１７水素化膜
７００電極
７０１配線
７０９配線
７０２エッチングストッパー膜
７０３水素化膜
７０４エッチングストッパー膜
７０５水素化膜
９００基板
９０１下地絶縁膜
９０２下地絶縁膜
９０３半導体層
９０５ゲート絶縁膜
９０６ゲート電極
９０８導電膜
９０９導電膜
９１０マスク
９１２マスク
９０４半導体層
９１３水素化膜
９１４層間絶縁膜
９１５マスク
９１６開口部
９１７配線
９２４ゲート電極
９２５ゲート絶縁膜
９２６水素化膜
９５０基板
９４９ゲート電極
９５１ゲート絶縁膜
９５２ゲート絶縁膜
９５３半導体層
９５４チャネル保護膜
９５５層間絶縁膜
９５６開口部
９５７ゲート絶縁膜
４００６対向基板
４００１基板
４００２画素部
４００３信号処理回路
４００４走査線駆動回路
４００５シール剤
４０２０信号線駆動回路
４００１基板
４０１６接続端子
４０１８フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）
２００１筐体
２００３表示部
２００４スピーカー部
２１０１本体
２１０２筐体
２１０３表示部
２１０４音声入力部
２１０５音声出力部
２１０６操作キー
２１０８アンテナ
２２０１本体
２２０２筐体
２２０３表示部
２２０４キーボード
２２０５外部接続ポート
２２０６ポインティングマウス
２３０１本体
２３０２表示部
２３０３スイッチ
２３０４操作キー
２３０５赤外線ポート
２４０１筐体
２４０２表示部
２４０３スピーカー部
２４０４操作キー
２４０５記録媒体挿入部
８０９薄膜トランジスタ
８０８電極
８１４発光素子
８１０電極
８００基板
８１２発光層
８１５対向基板
８１６樹脂
８１３電極
８１７偏光板
８１８保護フィルム
１４１０信号線
１４１１電源線
１４１４走査線
１４０１スイッチング用ＴＦＴ
１４０３駆動用ＴＦＴ
１４０４電流制御用ＴＦＴ
１４０２容量素子
１４０５発光素子
１４１２電源線
１４０６発光素子
１４０１ＴＦＴ
１４０６ＴＦＴ
１４１５走査線
４０６ＴＦＴ
１５００画素部
１５６１ダイオード
１５５４共通電位線
１４１４走査線
１０画素
１３発光素子
１６容量素子
１１スイッチング用トランジスタ
１１ＴＦＴ
１２駆動用トランジスタ
１２ＴＦＴ
１１ＴＦＴ
１２ＴＦＴ
１７電源
１８電源
１９導電層
３３発光層
１部分（隔壁開口部）
２開口部
１隔壁開口部
２０基板
１３発光素子
１９電極
３３発光層
３４電極
１６容量素子
２１半導体層
２２ａ導電層
２２導電層
２４導電層
２３導電層

Claims

基板上に形成された第１の下地絶縁膜と、前記第１の下地絶縁膜上に形成された第２の下地絶縁膜と、を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法であって、
前記第２の下地絶縁膜上の第１の領域に、半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極が順次積層された積層構造を形成するとともに、前記第２の下地絶縁膜上の第２の領域に前記ゲート絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層と、前記第２の領域の前記ゲート絶縁膜及び前記第２の下地絶縁膜と、に一導電型を有する不純物を同時に添加し、
前記半導体層、前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート電極を覆う第１の層間絶縁膜を形成し、
エッチングをすることにより、前記第１の領域の前記第１の層間絶縁膜に前記半導体層に達する第１のコンタクトホールを形成するとともに、前記第２の領域の前記第１の層間絶縁膜に前記第１の下地絶縁膜に達する開口部を形成し、
前記第１の層間絶縁膜上に、前記第１のコンタクトホールを介して前記半導体層に電気的に接続される配線を形成し、
前記第１の層間絶縁膜、前記開口部、及び前記配線を覆う第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜に前記配線に達する第２のコンタクトホールを形成し、
前記第２の領域の前記第２の層間絶縁膜上に、前記第２のコンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続される画素電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
請求項１において、
前記第２の層間絶縁膜は、自己平坦性を有する材料からなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
請求項１において、
前記第２の層間絶縁膜は、アクリル、ポリイミド、又はシロキサンであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
基板上に形成された第１の下地絶縁膜と、前記第１の下地絶縁膜上に形成された第２の下地絶縁膜と、を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法であって、
前記第２の下地絶縁膜上の第１の領域に、半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極が順次積層された積層構造を形成するとともに、前記第２の下地絶縁膜上の第２の領域に前記ゲート絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層と、前記第２の領域の前記ゲート絶縁膜及び前記第２の下地絶縁膜と、に一導電型を有する不純物をマスクを用いて同時に添加し、
前記マスクを用いてエッチングをすることにより、前記第１の領域の前記ゲート絶縁膜と、前記第２の領域の前記ゲート絶縁膜及び前記第２の下地絶縁膜を除去し、
前記マスクを除去し、
前記半導体層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記第１の下地絶縁膜を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記層間絶縁膜に前記半導体層に達するコンタクトホールを形成し、
前記第２の領域の前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記半導体層に電気的に接続される画素電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
基板上に形成された第１の下地絶縁膜と、前記第１の下地絶縁膜上に形成された第２の下地絶縁膜と、を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法であって、
前記第２の下地絶縁膜上の第１の領域に、半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極が順次積層された積層構造を形成するとともに、前記第２の下地絶縁膜上の第２の領域に前記ゲート絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層と、前記第２の領域の前記ゲート絶縁膜及び前記第２の下地絶縁膜と、に一導電型を有する不純物をマスクを用いて同時に添加し、
前記マスクを除去し、
エッチングをすることにより、前記第１の領域の前記ゲート絶縁膜と、前記第２の領域の前記ゲート絶縁膜及び前記第２の下地絶縁膜を除去し、
前記半導体層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記第１の下地絶縁膜を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記層間絶縁膜に前記半導体層に達するコンタクトホールを形成し、
前記第２の領域の前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記半導体層に電気的に接続される画素電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
請求項４又は請求項５において、
前記層間絶縁膜は、自己平坦性を有する材料からなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
請求項４又は請求項５において、
前記層間絶縁膜は、アクリル、ポリイミド、又はシロキサンであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の下地絶縁膜は、窒化珪素系の膜であり、
前記第２の下地絶縁膜は、酸化珪素系の膜であり、
前記エッチングは、フッ酸系の薬液を用いて行われることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。