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JP4785465B2 - インタフェース回路及び半導体装置 - Google Patents

インタフェース回路及び半導体装置 Download PDF

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Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、信号と該信号をサンプリングするストローブ信号の位相が出力と入力で異なるインタフェースの高速テストに好適な構成に関する。
DDR(Double Data Rate) SDRAM(Synchronous DRAM)は、外部クロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジを用いて2倍の周波数でデータの入出力を行うため、SDR(Single Data Rate) SDRAMよりも確定データの幅が短くなる。DDR SDRAMでは、コントローラ側からDRAMのレシーバへのデータの転送のタイミング、DRAMからコントローラのレシーバに対してデータを転送するタイミングを知らせるため、双方向のデータストローブ信号DQSが用いられる。すなわち、このデータストローブ信号DQSは、リード/ライト時のデータの入出力の動作の基準クロックとして用いられている。
リード時には、DDR SDRAM内のDLL(Delay Lock Loop;同期遅延ループ)回路や内部制御により、図3に示すように、DDR SDRAMからのデータストローブ信号DQSのエッジとリードデータDQのエッジは一致する(クロック信号CK、/CKのエッジとほぼ一致する)。このため、不図示のインタフェース(コントローラ)は、DDR SDRAMからリードデータDQ、データストローブ信号DQSを受け取った場合、データストローブ信号DQSをリードデータDQの中央までコントローラ内部の位相シフト回路で遅らせてサンプルする(特許文献1参照)。なお、図3において、クロック信号CK、/CKの1周期(360度)に対して、データストローブ信号DQSのエッジ間の位相は180度となり、リード時には、インタフェース回路(コントローラ)では、データストローブ信号DQSを90度位相シフトしてリードデータDQをサンプルすることになる。
また、ライト時には、図3に示すように、不図示のインタフェース(コントローラ)側からDDR SDRAMに対して供給されるDQSの立ち上がりと立ち下がりエッジは、ライトデータDQの中央に位置している。図3に示すように、DQに対してDQSの位相は90度遅れてDDR SDRAMに供給される。DDR SDRAMのレシーバは、DQSの立ち上がりと立ち下がり遷移を基準に、データを取り込む。
図4に、従来のDDR SDRAMのインタフェースにおける、データDQ、データストローブ信号DQSの出力側と入力側の回路構成の概略を示す。図4を参照すると、出力側において、位相シフト回路20’は、データDQをクロック信号CLK(インタフェースに供給される同期用のクロック信号であり、DDR SDRAMにも供給される)に対して90度位相シフトして出力し、データストローブ信号DQSを該クロックCLKに対して180度位相シフトして出力し、ラッチ回路12、13は、位相シフト回路20’からのクロックでDQ、DQSをそれぞれラッチし、出力バッファ14、15を介して、出力端子にそれぞれ出力する。これにより、不図示のDDR SDRAMのレシーバにおけるセットアップタイム/ホールドタイムを確保している。
入力側では、DDR SDRAMからリードデータDQとデータストローブ信号DQSが同一タイミングで出力されるため、DDR SDRAMから出力されるリードデータDQとデータストローブ信号DQSを入力バッファ16、17でそれぞれ受け、このうちデータストローブ信号DQSは、位相シフト回路30’にて90度位相シフトさせて出力し、サンプリング回路40は、入力バッファ16からのリードデータDQを、位相シフト回路30’から出力される90度位相シフトしたデータストローブ信号でサンプリングする(特許文献1参照)。これにより、サンプリング回路40のセットアップタイム/ホールドタイムを確保している。
図4に示したインタフェースにおいて、例えば出力機能(DDR SDRAMへライトデータとデータストローブ信号DQSを、90度、180度位相にて出力する回路系統)のテスト時には、出力信号をテスタ(ATE; Automatic Test Equipment)で期待値と照合する。また、インタフェースの入力機能(DDR SDRAMからのリードデータとデータストローブ信号DQSを受け取りデータストローブ信号DQSを90度位相シフトしてリードデータをサンプルする回路系統)のテスト時は、テスタより信号を入力し、正常に動作することを確認する。
なお、インタフェースは、例えばFB(Fully Buffered)−DIMM(Dual Inline Memory Module)等のDIMMに搭載され、DIMM上のDRAMとデータの受け渡しを行い、チップ内部にデータをバッファし、後続のDIMMのAMB又はメモリコントローラとの間でポイントツーポイントでデータを送受するAMB(Advanced Memory Buffer)等へ適用される。
特開2005−78547号公報
図4を参照して説明したように、高速DDR SDRAM用のインタフェースの出力機能及び入力機能のテストを行う場合、高速テスタを必要とする。高速のテスタは高価であり、テストコストの増大を招く、という課題がある。そして、テストコストの増大は製品コストの上昇につながる。
上記したインタフェースをテストするにあたり、高速テスタのかわりに、例えば量産試験用の低速テスタでテストするため、自己ループバックテストの適用が考えられる。しかしながら、DDR SDRAM及びそのインタフェースにおいては、データDQとデータストローブ信号DQS間の位相が入力と出力で異なるため、インタフェースの出力バッファからのDQ、DQSの出力を、インタフェースのDQとDQSの入力バッファにそれぞれ折り返しループバック試験を行うことはできないことがわかる。
例えば図4において、出力側の位相シフト回路20’で90度、180度、それぞれ位相シフトし出力バッファ14、15から出力されたDQ、DQSを入力バッファ16、17に折り返し入力し、位相シフト回路30’でDQSを90度位相シフトしてDQをサンプルすると、結果として、入力側では、DQを180度位相シフトしたDQSでサンプルすることになり、DQとDQSのエッジが重なり、丁度DQの変化点をサンプルすることになる(DQのエッジとDQSのエッジが重なる)。このように、ループバック試験では、インタフェースの出力機能及び入力機能のテストを正しく行うことができない、という課題がある。
本願で開示される発明は、上記課題を解決するため概略以下の構成とされる。
本発明の1つのアスペクト(側面)に係る回路は、データ信号と、該データ信号のサンプリングのタイミングを規定するストローブ信号の入力と出力を行い、前記データ信号と前記ストローブ信号間の位相関係が、入力と出力とで異なる仕様のインタフェース回路であって、前記データ信号と前記ストローブ信号を出力する側の回路が、入力される位相切替制御信号に基づき、出力するデータ信号と出力するストローブ信号の少なくとも1方の位相シフト量を可変させ、前記出力するデータ信号とストローブ信号間の位相差を切替制御する回路を備え、前記データ信号と前記ストローブ信号を入力する側が、前記位相切替制御信号に基づき、入力されたデータ信号と入力されたストローブ信号の少なくとも1方の位相シフト量を可変させ、前記入力されたデータ信号とストローブ信号間の位相差を切替制御する回路を備えている。
本発明の他のアスペクトに係る回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号を出力する出力側回路が、入力される位相切替制御信号に基づき、少なくとも2つの位相シフト量の中から1つを選択して前記データ信号を位相シフトさせ、前記ストローブ信号を予め定められた位相シフト量にて位相シフトさせる第1の位相シフト回路を備えている。また、前記データ信号と前記ストローブ信号を入力する入力側回路が、前記位相切替制御信号に基づき、少なくとも2つの位相シフト量の中から1つを選択して、入力された前記ストローブ信号を位相シフトさせる第2の位相シフト回路と、前記第2の位相シフト回路から出力されるストローブ信号に応答して、入力されたデータ信号をサンプリングするサンプリング回路と、を備えている。
本発明に係るインタフェース回路において、前記第1及び第2の位相シフト回路は、通常動作時は、前記データ信号とストローブ信号の出力及び入力の位相関係に対応して2つの位相シフト量の一方をそれぞれ選択し、テスト時には、前記位相切替制御信号で指定される位相シフト量を選択し、前記出力側回路からのデータ信号とストローブ信号の前記入力側回路へのループバックにより、前記入力側回路におけるデータ信号とストローブ信号の位相関係が正しく動作するか、及び/又は、出力側回路におけるデータ信号とストローブ信号の位相関係が正しく動作するかを検証できるようにしている。
本発明に係るインタフェース回路において、通常動作時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号との間の位相が予め定められた第1の値となるように前記データ信号を位相シフトし、前記入力側回路において、前記第2の位相シフト回路は、前記ストローブ信号を前記第1の値で位相シフトし、
前記入力側回路のテスト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相を同一の位相とし、前記入力側回路において、前記出力側回路から出力された同一位相のデータ信号とストローブ信号を入力し、前記第2の位相シフト回路は、前記ストローブ信号を前記第1の値で位相シフトして前記サンプリング回路に出力する、構成としてもよい。
本発明に係るインタフェース回路において、前記出力側回路のテスト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号間の位相を前記第1の値とし、前記入力側回路において、前記第2の位相シフト回路は、前記ストローブ信号の位相シフトを零とする、構成としてもよい。
本発明に係るインタフェース回路において、前記データ信号と前記ストローブ信号は、DDR SDRAMのデータ信号DQとデータストローブ信号DQSとしてもよい。この場合、通常動作時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相差が90度となるように設定し、前記入力側回路において、前記第2の位相シフト回路は、入力されたストローブ信号の位相を90度位相シフトさせて前記サンプリング回路に出力し、前記入力側回路のテスト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相を同一の位相とし、前記入力側回路において、前記出力側回路から出力された同一位相のデータ信号とストローブ信号を入力し、前記第2の位相シフト回路において、前記入力されたストローブ信号を90度位相シフトさせる、構成としてもよい。
本発明に係るインタフェース回路において、前記出力側回路のテスト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相差が90度となるように設定し、前記入力側回路において、前記出力側回路から出力された同一位相のデータ信号とストローブ信号を入力し前記第2の位相シフト回路は、入力された前記ストローブ信号の位相シフトを零とする。
本発明によれば、DDR SDRAMのインタフェース等のように、データと該データをサンプリングするためのストローブ信号の位相関係が入力と出力で異なるインタフェースにおいて、入力と出力のデータとストローブ信号の位相を調整することで、ループバック試験を可能としている。
上記した本発明についてさらに詳細に説述すべく添付図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施の形態の構成を示す図である。図1を参照すると、本発明の一実施の形態に係る回路は、不図示のDDR SDRAMとデータの受け渡しを行うインタフェース回路であり、データDQ、データストローブ信号DQSの出力側において、位相シフト回路20は、制御回路10からの位相切替制御信号に基づき、出力データDQのサンプリングクロックの位相シフト量を90度又は180度に切替える機能を具備する。
例えばDDR SDRAMへのデータ出力時には、位相シフト回路20は、出力データDQのサンプリングクロックの位相シフト量を90度とし、データストローブ信号DQSのサンプリングクロックの位相シフト量を180度とし、DQSをDQよりも90度遅らせる。
ループバックテストによる出力側の機能テスト時にも、位相シフト回路20は、出力データDQのサンプリングクロックの位相シフト量を90度とする。位相シフト回路20において、データストローブ信号DQSのサンプリングクロックの位相シフト量は180度固定とされる。これにより、DQSをDQよりも90度遅らせる。
ループバックテストによる入力側機能テスト時には、位相シフト回路20は、出力データDQのサンプリングクロックの位相シフト量を180度とする。位相シフト回路20において、データストローブ信号DQSのサンプリングクロックの位相シフト量は180度とされる。これにより、同一位相のDQ、DQSを出力する。
また、入力側において、位相シフト回路30は、制御回路10からの位相切替制御信号に基づき、入力バッファ17に入力されたデータストローブ信号DQSに対して90度位相シフトと0度(位相シフト無し)とを切替制御する。
例えば、通常動作時には、位相シフト回路30は、DDR SRDAMからのデータストローブ信号DQSを90度位相シフトしてサンプリング回路40に出力する。また、ループバックによる入力側の機能テスト時に、出力側から同一位相のDQ、DQSが出力され、これらをそれぞれ入力バッファ16、17で受ける場合、位相シフト回路30はDQSを90度位相シフトしてサンプリング回路40に出力する。
ループバックによる出力側の機能テストにおいて、DQと、DQよりも90度位相を遅らせたDQSが出力側から出力される場合、これらをそれぞれ入力バッファ16、17で受け、位相シフト回路30では、データストローブ信号DQSの位相シフト量を0としてサンプリング回路40に出力する。
なお、特に制限されないが、制御回路10は、パタンデータを生成するパタンジェネレータと、ループバックで入力したパタンデータを期待値と比較するチェッカを有し、ループバックによるセルフテストを行うBIST(Built-In Self Test)回路として構成してもよい。
また、特に制限されないが、図1において、ラッチ回路12、13に入力されるデータ信号DQ、データストローブ信号DQSは、インタフェースが接続する不図示のメモリコントローラ(不図示のCPUの制御を受ける)より供給されるものとする。あるいは、ラッチ回路12、13に入力されるDQ、DQSを、テスト時に、制御回路10から出力するようにしてもよい。
入力側の機能テストについて説明する。入力側の位相シフト回路30、サンプリング回路40等をテストするために、出力側の位相シフト回路20において、データ信号DQとデータストローブ信号DQSの位相をそろえて出力する。この場合、データ信号DQのサンプリング用クロックを180度位相シフトさせ、データストローブ信号DQSと同一位相として出力する。ラッチ回路12、13は、データ信号DQ、データストローブ信号DQSを、それぞれ、位相シフト回路20からの同一位相のサンプリングクロック(入力クロックからともに180度位相がシフトされている)でサンプルし、同相のデータ信号DQとデータストローブ信号DQSとは、出力バッファ14と出力バッファ15から、それぞれ入力側に折り返されて入力バッファ16と入力バッファ17とにそれぞれ入力され、データストローブ信号DQSは位相シフト回路30にて90度位相シフトされ、該90度位相シフトしたデータストローブ信号DQSを用いてサンプリング回路40にて、出力バッファ16からのデータ信号DQがサンプルされる。
次に、出力側の機能テストについて説明する。出力側機能をテストするために、制御回路10は、入力側のデータストローブ信号DQSの位相シフトをしないように、位相シフト回路30を制御する。位相シフト回路30での位相シフト量は0度とされる。
出力側の位相シフト回路20は、データサンプリングクロックの位相シフト量を90度に設定し、データストローブ信号DQSの位相シフト量は180度固定とされていることから、データ信号DQに対し予め90度位相をシフトされたデータストローブ信号DQSが出力バッファ15から出力される。出力バッファ14と出力バッファ15からそれぞれ出力されたデータ信号DQとデータストローブ信号DQSは、それぞれ、入力バッファ16と入力バッファ17に入力される。入力バッファ17から出力されるデータストローブ信号DQSは位相シフト回路30に入力されるが、その位相はシフトされずに、サンプリング回路40に出力される。サンプリング回路40では、ループバックされたデータ信号DQを、出力側の位相シフト回路20であらかじめ90度位相シフトされたデータストローブ信号DQSに応答してサンプルする。
このように、本発明においては、位相シフト回路30に、位相シフトさせないモードを追加し、入力側または出力側の位相機能のループバックテストを可能としている。このため、DDRのように、入力と出力でデータとストローブが異なる位相のインタフェースのテストにおいて、安価な低速テスタで、高速ループバック試験を行うことができる。以下実施例に即して説明する。
図2は、本発明の一実施例の半導体装置の構成を示す図であり、DDR SDRAMのインタフェース回路におけるDQ、DQSの出力側と入力側の構成が示されている。図2において、回路内に搭載されるBIST(Built-In Self Test)回路100は、擬似ランダムバイナリシーケンスを生成するPRBS(Pseudo Random Bit Sequence)発生回路(パタン・ジェネレータ)101と、ループバックで出力バッファから入力バッファに折り返し入力されたパタンを期待値パタンと比較するPRBS期待値照合回路(チェッカ)102を備え、PRBS発生回路101とPRBS期待値照合回路102とで、ループバックパスの検証を行う。
半導体装置の内部ロジックからのデータと、PRBS発生回路101からのパタンデータを受けるセレクタ111は、通常動作時は、半導体装置の内部ロジックからのデータを選択し、テスト時に、PRBS発生回路101からのパタンを選択する。
出力側において、WDLL(Write Delay Lock Loop)120は、システムクロック信号clk(「コアクロック」ともいう)を入力し(図3のDDR SDRAMのクロックCKはシステムクロック信号clkに同期している)、BIST回路100からの位相切替制御信号を受け、データDQとデータストローブ信号DQSのサンプリングクロックの位相を制御する。さらに、WDLL120からのクロック信号に応答して、セレクタ111から出力されるデータ信号をサンプルするラッチ回路112と、ラッチ回路112の出力を入力してデータ信号の入出力端子(DQ)105に出力する出力バッファ114と、WDLL120から出力されるクロック信号に応答してデータストローブ信号DQSをサンプルするラッチ回路113と、ラッチ回路113の出力を入力してデータストローブ信号の入出力端子(DQS)106に出力する出力バッファ115と、を備えている。なお、ラッチ回路113に入力されるデータストローブ信号DQSは、通常動作時は、図示されない、コントローラ側から供給されるが、テスト時には、BIST回路100で生成して供給するようにセレクタ(不図示)で切替制御する構成としてもよい。
入力側は、出力バッファ114の出力と端子105に入力端が接続された入力バッファ116と、出力バッファ115の出力と端子106に入力端が接続された入力バッファ117と、入力バッファ117の出力を入力するRDLL(Read Delay Lock Loop)130と、入力バッファ116の出力をRDLL130の出力クロックでサンプルするリードFIFO(First In First Out)140と、クロックclkを入力とし,基本位相調整信号を生成するMDLL(Master Delay Lock Loop)150と、を備えている。
なお、本実施例においては、図1の位相シフト回路20、30として、WDLL120、RDLL130のDLL回路を用いている。本実施例で用いられるDLL回路は、位相遅延量が選択可能な任意の公知の回路構成を用いることができ、例えば、出力信号の遅延時間が可変の遅延回路と、出力信号を帰還入力し遅延回路への入力信号との位相を比較する位相比較器と、位相比較器での位相比較結果に基づき出力信号と入力信号の位相が所定の関係(例えば90度、180度、あるいは遅延無し)となるように、遅延回路の出力タップを選択する等、出力信号の遅延を可変に制御する選択制御回路を備えて構成される。クロックの位相を所望の値に設定できる回路であれば、位相インタポレータ等、任意の回路構成を用いることができる。
RDLL130は、BIST回路100からの位相切替制御信号に基づき、位相90度/0度の切替を行う。RDLL130の加算器(Adder)は、MDLL150からの基本位相調整信号(RDLLに入力される基準クロック)と、装置外部から設定入力されるRDLL位相微調信号(微調整のための信号)とを加算し、加算結果に基づき、位相シフト量を同期制御する。位相シフト量が0の場合、RDLLは、入力される信号と同一位相の信号を出力するように帰還制御する。
WDLL120の加算器(Adder)は、WDLL位相微調信号(WDLLに入力される基準クロック)と、基本位相調整信号を加算する。
図2を参照して、本実施例の動作を説明する。まず、通常動作について説明する。
通常動作のライト時、セレクタ111は、内部ロジックからのデータを選択する。WDLL120は、データサンプル用のクロックとして90度位相シフトして出力する。WDLL120は、DQSサンプル用のクロックとして180度位相シフトして出力する。通常動作時に、書込みデータ信号DQと、この書込みデータ信号DQに対して、90度位相シフトしたデータストローブ信号DQSがDDR SDRAMに供給される。
また、通常動作のリード時、DDR SDRAMから、同相のデータ信号(リードデータ)DQと、データストローブ信号DQSが、入力バッファ116と入力バッファ117にそれぞれ入力される。RDLL130は、入力バッファ117から出力されたデータストローブ信号DQSを90度位相シフトして出力し、リードFIFO140は、RDLL130からのデータストローブ信号をサンプリングクロックとしてリードデータをサンプルする。サンプルされたデータは、コントローラ(不図示)を介してCPU(不図示)に供給される。
次に、BIST回路100によるループバックテストの動作について説明する。
入力側の機能テストを行う場合、入力側のRDLL130の90度シフト機能、リードFIFO140の機能をテストするために、BIST100は、位相切替制御信号を、WDLL120に出力し、WDLL120は、データDQとデータストローブ信号DQSの位相を揃えて出力するようにを制御する。
具体的には、WDLL120において、DQSの位相を180度(クロックに対して180度)、DQの位相を180度とする。そして、BIST回路100は、位相切替制御信号を、RDLL130に供給し、RDLL130の位相シフトを90度とする。同相のDQ/DQSは、出力バッファ114、115からそれぞれ入力バッファ116、117に入力され、RDLL130でDQSを90度シフトしたクロックでリードFIFO140にサンプルされる。リードFIFO140からのデータを受け取ったPRBS期待値照合回路102は、期待値パタンと比較し、一致する場合、正常(Pass)を出力する。
また、出力側の機能テストを行う場合、BIST回路100は、位相切替制御信号をRDLL130に出力し、RDLL130の位相シフトを0度として、入力バッファ117からのデータストローブ信号DQSの位相をシフトしないようにする。出力側であらかじめ、データ信号DQに対し90度位相をシフトされたデータストローブ信号DQSが、入力側にループバックされ、リードFIFO140にサンプルされる。
なお、上記実施例で説明したDQ、DQSの位相シフト量の出力側と入力側での切り替えはあくまで一例を示したものであり、本発明はかかる構成に制限されるものでないことは勿論である。例えば、出力側でDQ、DQSの位相をクロックCLKに対してともに180度として位相を揃えて出力しているが、180度以外の同一位相A(ただし、A>90)に設定してもよい。この場合、WDLL120において、データDQのサンプリング用のクロックの位相シフト量の切替えは、A−90とAとなる。
本実施例によれば、位相シフトを行うWDLL120に、位相の切替機能、RDLL130に位相シフトさせないモードを追加し、入力側、または出力側のみの位相機能のテストをループバックすることで可能としている。このため、DDR SDRAMのように、入力と出力でデータとストローブが異なる位相のインタフェースのテストにおいて、安価な低速テスタを用いて高速ループバック試験を行うことができる。なお、テストレートが低速なテスタを用いて、インタフェースの高速ループバック試験を行う場合、被試験デバイス(DUT)であるインタフェースの動作周波数は高速であることから、テスタから供給されるクロックを、テスタのロードボード上の試験治具に搭載された逓倍回路で周波数逓倍してから被試験デバイス(DUT)であるインタフェースに供給するようにしてもよい。
なお、上記実施例では、出力側において、データストローブ信号DQSの位相シフト量を180度固定とし、データDQの位相シフト量を90度又は180度に切替える構成としたが、データDQの位相シフト量を90度固定とし、データストローブ信号DQSを、90度又は180度に切替える構成としてもよい。また上記実施例では、入力側のRDLLにおいて、データストローブ信号DQSの位相シフト量を90度又は0度に切替える構成としたが、本発明はかかる構成にのみ制限されるものでない。例えばデータストローブ信号DQSの位相シフト量を固定値A(A>90)とし、データ信号の位相シフト量をA−90、Aとしてもよい。
そして、上記実施例では、リード時に、DQとDQSの位相が同一、ライト時に、DQ,DQSの位相差が90度のDDR SDRAMのインタフェース回路を例に説明したが、本発明は、DDR SDRAMのインタフェースに制限されるものでない。すなわち、データ信号と対向装置におけるデータのサンプルタイミングを規定するストローブ信号の位相が、入力と出力とで異なる任意の場合(入力:0度、出力:90度以外の場合)にも、同様にして適用できることは勿論である。また、図1の位相シフト回路20において、2つ以上の位相シフト量の中から1つを選択し、位相シフト回路30において、2つ以上の位相シフト量の中から1つを選択する構成にしてもよい。
以上、本発明を上記実施例に即して説明したが、本発明は上記実施例の構成にのみに制限されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
本発明の一実施形態の動作原理を説明するための図である。 本発明の一実施例の構成を示す図である。 DDR SDRAMのライト、リード時のDQ、DQSを例示するタイミング図である。 DDR SDRAMのインタフェース回路の従来の典型的な構成を示す図である。
符号の説明
10 制御回路
12、13 ラッチ回路
14、15 出力バッファ
16、17 入力バッファ
20、20’、30、30’ 位相シフト回路
40 サンプリング回路
100 BIST回路
101 PRBS発生回路
102 PRBS期待値照合回路
105 DQ端子
106 DQS端子
111 セレクタ
112、113 ラッチ回路(レジスタ)
114、115 出力バッファ
116、117 入力バッファ
120 WDLL
130 RDLL
140 リードFIFO
150 MDLL

Claims (10)

  1. データ信号と、該データ信号のサンプリングのタイミングを規定するストローブ信号の接続先回路からの入力と前記接続先回路への出力を行い、前記データ信号と前記ストローブ信号間の位相関係が、入力と出力とで互いに異なる仕様のインタフェース回路であって、
    前記データ信号と前記ストローブ信号とを出力する側に、
    入力される位相切替制御信号に基づき、出力するデータ信号と出力するストローブ信号の少なくとも1方の位相シフト量を可変させ、前記出力するデータ信号とストローブ信号間の位相差を切替制御する第1の回路を備え、
    前記データ信号と前記ストローブ信号とを入力する側に、
    前記位相切替制御信号に基づき、入力されたデータ信号と入力されたストローブ信号の少なくとも1方の位相シフト量を可変させ、前記入力されたデータ信号とストローブ信号間の位相差を切替制御する第2の回路を備え
    前記第1及び第2の回路により、ループバックテストによる前記出力側のテスト及び/又は前記入力側のテストと、通常動作のそれぞれに対応して、データ信号と前記ストローブ信号の位相差を調整する、ことを特徴とするインタフェース回路
  2. データ信号と、該データ信号のサンプリングのタイミングを規定するストローブ信号の接続先回路からの入力と前記接続先回路への出力を行い、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相関係が入力と出力とで互いに異なる仕様のインタフェース回路であって、
    前記データ信号と前記ストローブ信号とを出力する出力側回路が、
    入力される位相切替制御信号に基づき、少なくとも2つの位相シフト量の中から1つを選択して前記データ信号を位相シフトさせ、前記ストローブ信号を予め定められた位相シフト量にて位相シフトさせる第1の位相シフト回路を備え、
    前記データ信号と前記ストローブ信号とを入力する入力側回路が、
    前記位相切替制御信号に基づき、少なくとも2つの位相シフト量の中から1つを選択して、入力された前記ストローブ信号を位相シフトさせる第2の位相シフト回路と、
    前記第2の位相シフト回路から出力されるストローブ信号に応答して、入力されたデータ信号をサンプリングするサンプリング回路と、
    を備え、
    前記第1及び第2の位相シフト回路により、ループバックテストによる前記出力側のテスト及び/又は前記入力側のテストと、通常動作のそれぞれに対応して、データ信号と前記ストローブ信号の位相差を調整する、ことを特徴とするインタフェース回路
  3. 前記第1及び第2の位相シフト回路は、
    通常動作のライト及びリード時は、前記データ信号とストローブ信号の出力及び入力の予め定められた位相関係に対応して規定される位相シフト量をそれぞれ選択し、
    テスト時には、テスト内容に対応して前記位相切替制御信号で指定される位相シフト量を選択し、前記出力側回路からのデータ信号とストローブ信号の前記入力側回路へのループバックにより、前記入力側回路におけるデータ信号とストローブ信号の位相関係が正しく動作するか、及び/又は、前記出力側回路におけるデータ信号とストローブ信号の位相関係が正しく動作するかを検証できるようにした、ことを特徴とする請求項2記載のインタフェース回路。
  4. 通常動作のライト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号との間の位相が予め定められた第1の値となるように前記データ信号を位相シフトし、
    通常動作のリード時に、前記入力側回路において、前記第2の位相シフト回路は、入力された前記ストローブ信号を前記第1の値で位相シフトして前記サンプリング回路に出力し、
    前記入力側回路のテスト時には、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相を同一の位相とし、前記入力側回路において、前記出力側回路から出力された同一位相のデータ信号とストローブ信号を入力し、前記第2の位相シフト回路は、前記ストローブ信号を前記第1の値で位相シフトして前記サンプリング回路に出力する、ことを特徴とする請求項2記載のインタフェース回路。
  5. 前記出力側回路のテスト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号間の位相を前記第1の値とし、前記入力側回路において、前記第2の位相シフト回路は、入力された前記ストローブ信号の位相シフト量を零とする、ことを特徴とする請求項2又は4記載のインタフェース回路。
  6. 前記データ信号と前記ストローブ信号は、DDR SDRAMのデータ信号とデータ信号ストローブ信号であり、
    通常動作のライト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相差が90度となるように設定し、
    通常動作のリード時に、前記入力側回路において、前記第2の位相シフト回路は、入力されたストローブ信号の位相を90度位相シフトさせて前記サンプリング回路に出力し、
    前記入力側回路のテスト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相を同一の位相とし、前記入力側回路において、前記出力側回路から出力された同一位相のデータ信号とストローブ信号を入力し、前記第2の位相シフト回路は、前記入力されたストローブ信号を90度位相シフトさせる、ことを特徴とする請求項2記載のインタフェース回路。
  7. 前記出力側回路のテスト時に、前記出力側回路において、前記第1の位相シフト回路は、前記データ信号と前記ストローブ信号の位相差が90度となるように設定し、前記入力側回路において、前記出力側回路から出力された同一位相のデータ信号とストローブ信号を入力し、前記第2の位相シフト回路は、入力された前記ストローブ信号の位相シフトを零とする、ことを特徴とする請求項2又は6記載のインタフェース回路。
  8. 前記第1及び第2の位相シフト回路の少なくとも1つは、遅延同期ループ回路よりなる、ことを特徴とする請求項2記載のインタフェース回路。
  9. テストパタンを生成するパタン生成回路を備え、テスト時には、前記パタン生成回路からのテストパタンが、前記データ信号として位相シフトされ、前記出力側回路から前記入力側回路にループバックされ、
    前記入力側回路の前記サンプリング回路でサンプルされたデータを入力し、期待値パタンと比較する照合回路を備えている、ことを特徴とする請求項2記載のインタフェース回路。
  10. 請求項1乃至9のいずれか一に記載のインタフェース回路を備えた半導体装置。
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