JP4663285B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、視野角特性の改善された液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、液晶セルおよび偏光板を有する。前記偏光板は、一般的には、保護フイルムおよび偏光膜を有し、例えば、ポリビニルアルコールフイルムからなる偏光膜をヨウ素にて染色し、延伸を行い、その両面を保護フイルムにて積層して得られる。透過型液晶表示装置では、偏光板を液晶セルの両側に取り付け、さらには一枚以上の光学補償フイルムを配置することもある。反射型液晶表示装置では、通常、反射板、液晶セル、一枚以上の光学補償フイルム及び偏光板の順に配置する。液晶セルは、液晶性分子、それを封入するための二枚の基板および液晶性分子に電圧を加えるための電極層からなる。液晶セルは、液晶性分子の配向状態の違いで、ＯＮ、ＯＦＦ表示を行い、透過および反射型いずれにも適用できる、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードが提案されている。

この様なＬＣＤの中でも、高い表示品位が必要な用途については、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶分子を用い、薄膜トタンジスタにより駆動する９０度ねじれネマチック型液晶表示装置（以下、ＴＮモードという）が主に用いられている。しかしながら、ＴＮモードは正面から見た場合には優れた表示特性を有するものの、斜め方向から見た場合にコントラストが低下したり、階調表示で明るさが逆転する階調反転等が起こることにより表示特性が悪くなるという視野角特性を有しており、この改良が強く要望されている。

近年、この視野角特性を改良するＬＣＤの方式として、負の誘電率異方性を有するネマチック液晶分子を用い、電圧を印加しない状態で液晶分子の長軸を基板に略垂直な方向に配向させ、これを薄膜トランジスタにより駆動する垂直配向ネマチック型液晶表示装置（以下、ＶＡモードという）が提案されている（特許文献１参照）。このＶＡモードは、正面から見た場合の表示特性がＴＮモードと同様に優れているのみならず、視野角補償用位相差フイルムを適用することで広い視野角特性を発現する。ＶＡモードでは、フイルム面に垂直な方向に光学軸を有する負の一軸性位相差フイルムを２枚、液晶セルの上下に用いることでより広い視野角特性を得ることができ、このＬＣＤに更に面内のレターデーション値が５０ｎｍである正の屈折率異方性を有する一軸配向性位相差フイルムを用いることで、更により広い視野角特性を実現できることも知られている（非特許文献１参照）。

しかしながら、２枚の位相差フイルムを用いること（非特許文献１参照）は生産コストの上昇を伴うだけでなく、多数のフイルムを貼り合わせるために歩留まりの低下を引き起こし、さらには複数のフイルムを用いるために厚さが増し、表示装置の薄形化に不利となるなどの問題がある。また、延伸フイルムの積層には粘着層を用いるため、温湿度変化により粘着層が収縮してフイルム間の剥離や反りといった不良が発生することがある。これらを改善する方法として、位相差フイルムの枚数を減らす方法（特許文献２参照）やコレステリック液晶層を用いる方法（特許文献３、４参照）が開示されている。しかしながら、これらの方法でも複数のフイルムを貼り合わせる必要があり、薄層化、生産コスト低減という点では不十分であった。さらに、黒表示時の偏光板の斜め方向からの光漏れが可視光領域で完全に抑えられてはおらず、視野角が十分に拡大していないという問題があった。さらに重要なことには、黒表示の偏光板の斜め方向の入射光に対しては、可視光のすべての波長において完全な光漏れの補償をすることが難しく、そのため色ずれの方位角方向依存性が発生するという問題があった。また、位相差フイルムのレターデーションの波長分散を制御することで光漏れを防ぐという方法も提案されているが（特許文献５参照）、面内のレターデーションの波長分散と厚さ方向のレターデーション波長分散の違いについては考慮されておらず、光りぬけを抑える効果は不十分であるという問題があった。さらに、液晶層の複屈折率が変化したときの影響が十分考慮されておらず、液晶層の複屈折の値によっては十分な効果が得られないままでいた。

特開平２−１７６６２５号公報 特開平１１−９５２０８号公報 特開２００３−１５１３４号公報 特開平１１−９５２０８号公報 特開平２００２−２２１６２２号公報 ＳＩＤ ９７ ＤＩＧＥＳＴ ８４５頁〜８４８頁

本発明の課題は、液晶セルが正確に光学的に補償され、高いコントラストを有する液晶表示装置、特にＶＡモードの液晶表示装置を提供することである。特に本発明は、黒表示時の斜め方向の光抜けが軽減され、視野角コントラストが改善された液晶表示装置、特にＶＡモードの液晶表示装置を提供することを課題とする。

本発明の課題を解決する手段は以下の通りである。
［１］ 少なくとも一方に電極を有する対向配置された一対の基板と、該一対の基板間に挟持され、ネマチック液晶材料を含み、黒表示時に該ネマチック液晶材料の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して略垂直に配向する液晶層とを有する液晶セル、該液晶セルを挟持して配置された第一及び第二の偏光膜、及び前記液晶層と第一及び第二の偏光膜との間に、光学補償フイルムをそれぞれ有する液晶表示装置であって、
前記液晶層の厚さをｄ（単位：ｎｍ）、波長λ（単位：ｎｍ）における屈折率異方性をΔｎ（λ）とし、前記光学補償フイルムの波長λにおける面内のレターデーションをＲｅ（λ）、波長λにおける厚さ方向のレターデーションをＲｔｈ（λ）とする場合、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの間の少なくとも２つの異なる波長において、下記式（Ｉ）〜（IV）を満足する液晶表示装置：
（Ｉ）２００≦Δｎ（λ）×ｄ≦１０００、
（II）Ｒｔｈ（λ）／λ＝Ａ×Δｎ（λ）×ｄ／λ＋Ｂ、
（III）Ｒｅ（λ）／λ＝Ｃ×λ／｛Δｎ（λ）×ｄ｝＋Ｄ
（IV）０．４８８≦Ａ≦０．５６、
かつ Ｂ＝−０．０５６７、
かつ −０．０４１≦Ｃ≦０．０１６、
かつ Ｄ＝０．０９３９。
［２］ 前記光学補償フイルムの面内の遅相軸と、前記第一及び第二の偏光膜のうち前記光学補償フイルムのより近くに位置する偏光膜の透過軸とが、実質的に平行である［１］の液晶表示装置。
［３］ ５０ｎｍ以上の差がある少なくとも２つの波長において、前記式（Ｉ）〜（ＩＶ）を満足する［１］又は［２］の液晶表示装置。
［４］ ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍのすべての波長において、前記式（Ｉ）〜（IV）を満足する［１］〜［３］のいずれかの液晶表示装置。
［５］ 少なくとも一方に電極を有する対向配置された一対の基板と、該一対の基板間に挟持され、ネマチック液晶材料を含み、黒表示時に該ネマチック液晶材料の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して略垂直に配向する液晶層とを有する液晶セル、該液晶セルを挟持して配置された第一及び第二の偏光膜、及び前記液晶層と第一及び第二の偏光膜の一方との間に、光学補償フイルムを有する液晶表示装置であって、
前記液晶層の厚さをｄ（単位：ｎｍ）、波長λ（単位：ｎｍ）における屈折率異方性をΔｎ（λ）とし、前記光学補償フイルムの波長λにおける面内のレターデーションをＲｅ（λ）、波長λにおける厚さ方向のレターデーションをＲｔｈ（λ）とする場合、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの間の少なくとも２つの異なる波長において、下記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する液晶表示装置：
（Ｖ）２００≦Δｎ（λ）×ｄ≦１０００、
（VI）Ｒｔｈ（λ）／λ＝Ｅ×Δｎ（λ）×ｄ／λ、
（VII）Ｒｅ（λ）／λ＝Ｆ×λ／｛Δｎ（λ）×ｄ｝＋Ｇ、
（VIII）０．７２６≦Ｅ≦０．９５８、
かつ ０．０２０７≦Ｆ≦０．０７１６、
かつ Ｇ＝０．０３２。
［６］ 前記光学補償フイルムと隣接していない偏光膜と前記液晶セルとの間に、透明フイルムを有し、該透明フイルムの厚さ方向のレターデーションＲｔｈが０ｎｍ≦Ｒｔｈ＜６０ｎｍを満足する［５］の液晶表示装置。
［７］ 前記光学補償フイルムの面内の遅相軸と、前記第一及び第二の偏光膜のうち前記光学補償フイルムのより近くに位置する偏光膜の透過軸とが、実質的に平行である［５］又は［６］の液晶表示装置。
［８］ ５０ｎｍ以上の差がある少なくとも２つの波長において、前記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する［５］〜［７］のいずれかの液晶表示装置。
［９］ ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍのすべての波長において、前記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する［５］〜［８］のいずれかの液晶表示装置。

なお、本明細書において、「平行」あるいは「直交」とは、厳密な角度±５゜未満の範囲内であることを意味する。厳密な角度との誤差は、４゜未満であることが好ましく、３゜未満であることがより好ましい。また、角度について、「＋」は時計周り方向を意味し、「−」は反時計周り方向を意味するものとする。また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。また、「可視光領域」とは、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍのことをいう。さらに屈折率の測定波長は特別な記述がない限り、可視光域のλ＝５５０ｎｍでの値である。

本明細書において「偏光板」とは、特に断らない限り、長尺の偏光板および液晶装置に組み込まれる大きさに裁断された（本明細書において、「裁断」には「打ち抜き」および「切り出し」等も含むものとする）偏光板の両者を含む意味で用いられる。また、本明細書では、「偏光膜」及び「偏光板」を区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する透明保護膜を有する積層体のことを意味するものとする。

また、本明細書において、Ｒｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。本発明では、Ｒｅ(λ)は、波長λｎｍの光をフイルム法線方向に入射させて、KOBRA 21ADH（王子計測機器（株）製）を用いて測定される値とする。また、Ｒｔｈ(λ)は、前記Ｒｅ(λ)、遅相軸（KOBRA 21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフイルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフイルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にKOBRA 21ADHによって算出された値とする。ここで平均屈折率の仮定値は、ポリマーハンドブック（JOHN WILEY＆SONS，INC）、各種光学フイルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フイルムの平均屈折率の値を以下に例示する： セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。
これら平均屈折率の仮定値および膜厚を入力することで、KOBRA 21ADHはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。

本発明は、本発明者らの鋭意検討の結果得られた知見に基づいて完成されたものであり、素材や製造方法を適宜選択する等により、光学補償フイルムの面内のレターデーションと厚さ方向のレターデーションの波長分散を独立に制御し、その光学的な最適値を求め、液晶セル、特にＶＡモードの液晶セルの黒状態の視角補償を可視光領域のいずれの波長においても可能にするものである。その結果、本発明の液晶表示装置は、任意の波長において、黒表示時の斜め方向の光抜けが軽減され、視野角コントラストが著しく改善されている。また、本発明の液晶表示装置は、異なる液晶層の複屈折の場合においても、黒表示時の斜め方向の光抜けを任意の可視光波長領域で抑えることができる。

発明の実施の形態

以下、図面を用いて本発明の作用を説明する。
図１は、一般的なＶＡモードの液晶表示装置の構成を示す模式図である。ＶＡモードの液晶表示装置は、電圧無印加時、即ち黒表示時に、液晶が基板面に対して垂直配向する液晶層を有する液晶セル３と、該液晶セル３を挟持し、且つ互いの透過軸方向（図１では縞線で示した）を直交させて配置された偏光板１及び偏光板２とを有する。図１中、光は、偏光板１側から入射するものとする。電圧無印加時に、法線方向、即ち、ｚ軸方向に進む光が入射した場合、偏光板１を通過した光は、直線偏光状態を維持したまた、液晶セル３を通過し、偏光板２において完全に遮光される。その結果、コントラストの高い画像を表示できる。

しかし、図２に示す様に、射光入射の場合には状況が異なる。光が、ｚ軸方向でない斜め方向、即ち、偏光板１および２の偏光方向に対して斜めの方位（いわゆるＯＦＦ ＡＸＩＳ）から入射する場合、入射光は、液晶セル３の垂直配向した液晶層を通過する際に、斜め方向のレターデーションの影響を受け、その偏光状態が変化する。さらに、偏光板１と偏光板２の見かけの透過軸が直交配置からずれる。この２つの要因のため、ＯＦＦ ＡＸＩＳにおける斜め方向からの入射光は、偏光板２で完全に遮光されず、黒表示時に光抜けが生じ、コントラストを低下させることになる。

ここで、極角と方位角を定義する。極角はフイルム面の法線方向、即ち、図１及び図２中のｚ軸からの傾き角であり、例えば、フイルム面の法線方向は、極角＝０度の方向である。方位角は、ｘ軸の正の方向を基準に反時計回りに回転した方位を表しており、例えばｘ軸の正の方向は方位角＝０度の方向であり、ｙ軸の正の方向は方位角＝９０度の方向である。前述したＯＦＦ ＡＸＩＳにおける斜め方向とは、極角が０度ではない場合で、且つ方位角＝４５度、１３５度、２２５度、３１５度の場合を主に指す。

図３に、本発明の一態様の作用を説明するための構成例についての模式図を示す。図３に示す液晶表示装置は、図１の構成に、液晶セル３と偏光板１との間に光学補償フイルム４を、液晶セル３と偏光板２との間に光学補償フイルム５を配置した構成である。本態様の液晶表示装置では、液晶セルの液晶層の厚さｄ（単位：ｎｍ、以下同様である）、液晶層の波長λ（単位：ｎｍ、以下同様である）における屈折率異方性Δｎ（λ）、光学補償フイルム４及び５の波長λにおける面内レターデーションＲｅ(λ)、及び波長λにおける厚さ方向のレターデーションＲｔｈ(λ)が、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの間の少なくとも２つの異なる波長において下記式（Ｉ）〜（IV）を満足する。
（Ｉ）２００≦Δｎ（λ）×ｄ≦１０００、
（II）Ｒｔｈ（λ）／λ＝Ａ×Δｎ（λ）×ｄ／λ＋Ｂ、
（III）Ｒｅ（λ）／λ＝Ｃ×λ／｛Δｎ（λ）×ｄ｝＋Ｄ
（IV）０．４８８＝＜Ａ＝＜０．５６
かつ Ｂ＝−０．０５６７
かつ −０．０４１＝＜Ｃ＝＜０．０１６
かつ Ｄ＝０．０９３９

図４に、本発明の他の態様の作用を説明するための構成例についての模式図を示す。図４に示す液晶表示装置は、図１の構成に、液晶セル３と偏光板１との間に光学補償フイルム６を配置した構成である。光学補償フイルムは、液晶セル３と偏光板２との間に配置してもよい。本態様の液晶表示装置では、液晶セルの液晶層の厚さｄ（単位：ｎｍ、以下同様である）、液晶層の波長λ（単位：ｎｍ、以下同様である）における屈折率異方性Δｎ（λ）、光学補償フイルム６の波長λにおける面内レターデーションＲｅ(λ)、及び波長λにおける厚さ方向のレターデーションＲｔｈ(λ)が、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの間の少なくとも２つの異なる波長において下記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する。
（Ｖ）２００≦Δｎ（λ）×ｄ≦１０００、
（VI）Ｒｔｈ（λ）／λ＝Ｅ×Δｎ（λ）×ｄ／λ、
（VII）Ｒｅ（λ）／λ＝Ｆ×λ／｛Δｎ（λ）×ｄ｝＋Ｇ、
（VIII）０．７２６≦Ｅ≦０．９５８、
かつ ０．０２０７≦Ｆ≦０．０７１６、
かつ Ｇ＝０．０３２。

本発明では、前記式（Ｉ）〜（IV）、又は前記式（Ｖ）〜（VIII）のいずれかを満足する液晶層及び光学補償フイルムを組み合わせることにより、可視光域の所定の波長の光が斜め方向に入射した場合においても、該波長に適した遅相軸及びレターデーションで光学補償することを可能としている。その結果、従来の液晶表示装置と比較して、黒表示の視覚コントラストを格段に向上されるとともに、さらに黒表示の視角方向における色づきも格段に軽減される。本発明の液晶表示装置は、前記式（Ｉ）〜（IV）又は前記式（Ｖ）〜（VIII）を、少なくとも２つの異なる波長において満足する。５０ｎｍ以上の差がある２つの波長において、前記式（Ｉ）〜（IV）又は前記式（Ｖ）〜（VIII）を満足しているのが好ましい。いずれの波長において前記条件を満足するかについては、液晶表示装置の用途に応じて異なり、表示特性に最も影響を与える波長及び波長範囲が選ばれるであろう。一般的には、液晶表示装置は、三原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応する、６５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び４５０ｎｍの波長において、前記式（Ｉ）〜（IV）又は前記式（Ｖ）〜（VIII）を満足するのが好ましい。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂの波長は必ずしも前記波長で代表されるものではないが、本発明の効果を奏する光学特性を規定するのに適当な波長であると考えられる。

次に、本発明の補償原理について詳しく説明する。本発明では、特にレターデーションと波長の比であるＲｅ／λおよびＲｔｈ／λに着目している。なぜならば、Ｒｅ／λおよびＲｔｈ／λは、複屈折率を表す量であり、偏光状態が遷移する場合の位相を決める最も重要なパラメータだからである。さらに、Ｒｅ／λとＲｔｈ／λの比であるＲｅ／Ｒｔｈは、２軸性複屈折媒体を斜め方向に進む光の伝播における２つの固有偏光の軸を決定する。図５に、２軸性複屈折媒体に斜め方向に進む光が入射した場合における、２つある固有偏光の１つの軸の方向とＲｅ／Ｒｔｈの関係を計算した結果の一例を示す。なお、光の伝播方向を、方位角＝４５度、極角＝３４度と仮定した。図５に示す結果から、Ｒｅ／Ｒｔｈが決まれば、固有偏光の１つの軸が決まることがわかる。さらに、Ｒｅ／λ、Ｒｔｈ／λは、２つの固有偏光の位相を変化させる作用を持つ。

従来技術では、ＶＡモードを補償するためのフイルムの波長分散について、Ｒｅや、Ｒｔｈや、Ｒｅ／Ｒｔｈなどで規定していた。本発明では、Ｒｅ、Ｒｔｈ、Ｒｅ／Ｒｔｈなどの値ではなく、Ｒｅ／λ、Ｒｔｈ／λに注目してパラメータを無次元化することにより、波長λにおいてＶＡモードが補償できる原理を見出した。さらに、本発明者は、補償する対象の液晶層の複屈折Δｎｄに波長分散があることにも着目し、光学補償フイルムのＲｅ及びＲｔｈの波長分散と、光学補償の対象である液晶層の複屈折Δｎｄの波長分散との関係について鋭意検討し、上記（I）〜（IV）、又は前記式（Ｖ）〜（VIII）の関係を満足する場合に、液晶表示装置の視野角特性が格段に改善されるとの知見を得た。本発明の液晶表示装置は、上記（I）〜(IV) 又は前記式（Ｖ）〜（VIII）の関係を満足することにより、斜め方向から光が入射し、液晶層の斜め方向のレターデーションの影響を受け、且つ上下一対の偏光板の見かけの透過軸がずれているという２つの要因がある場合であっても、液晶セルが正確に光学補償され、コントラストの低下が軽減される。

なお、ＶＡモードは、電圧無印加時、即ち黒表示時に液晶が垂直配向しているので、黒表示時に、法線方向から入射した光の偏光状態が、光学補償フイルムのレターデーションによって影響されないように、光学補償フイルムの面内遅相軸は、より近くに位置する偏光板の偏光軸と垂直または平行にするのが好ましい。

図６に、図３に示した態様の補償機構について、ポアンカレ球を用いて説明した図を示す。ここで、光の伝播方向は方位角＝４５度、極角＝３４度である。図６中、Ｓ２軸は、紙面上から下に垂直に貫く軸であり、図６は、ポアンカレ球を、Ｓ２軸の正の方向から見た図である。また、図６は、平面的に示されているので、偏光状態の変化前と変化後の点の変位は、図中直線の矢印で示されているが、実際は、液晶層や光学補償フイルムを通過することによる偏光状態の変化は、ポアンカレ球上では、それぞれの光学特性に応じて決定される特定の軸の回りに、特定の角度回転させることで表される。

図３中の偏光板１を通過した入射光の偏光状態は、図６では点１に相当し、図３中の偏光板２の吸収軸によって遮光される偏光状態は、図６では点２に相当する。従来、ＶＡモードの液晶表示装置において、斜め方向におけるＯＦＦ ＡＸＩＳの光抜けは、この点１と点２がずれていることに起因する。光学補償フイルムは、一般的に、液晶層における偏光状態の変化も含めて、入射光の偏光状態を点１から点２に変化させるために用いられる。液晶セル３の液晶層は正の屈折率異方性を示し、垂直配向しているので、液晶層を通過することによる入射光の偏光状態の変化は、ポアンカレ球上では、図６中の上から下への矢印で示され、Ｓ１軸回りの回転（図中点Ａから点Ｂへの回転）として表される。その回転角度は、波長λにおける液晶層の斜め方向からの実効的なレターデーションΔｎ’ｄ’を波長で割った値Δｎ’ｄ’／λに比例する。この液晶層を補償するために、本態様では、光学補償フイルム４及び５を用いている。光学補償フイルム４及び５の上斜め向きの矢印の長さ（図中、点１から点Ａへの矢印の長さ及び点Ｂから点２への矢印の長さ）、すなわち回転角は、光学補償フイルム４及び５のそれぞれのＲｔｈ／λにほぼ比例し、矢印の回転軸は前述した様にＲｅ／Ｒｔｈによって決まる。図６に示した様に光学補償フイルム４及び５でＶＡモードの液晶セルを光学補償するためには、Δｎ’ｄ’／λが大きい液晶層を用いた場合は、光学補償フイルム４及び５のＲｔｈ／λを大きくして、点１から点Ａへの矢印の長さ及び点Ｂから点２への矢印の長さを長くする必要があり、また点１から点Ａへの上斜め向きの矢印及び点Ｂから点２への上斜め向きの矢印の方向をより立たせるためには、光学補償フイルム４及び５のＲｅ／Ｒｔｈを小さく、すなわちＲｅ／λを小さくする必要があることが考察できる。本態様では、前記（Ｉ）〜（ＩＶ）を満足することを条件として、液晶層のΔｎ’ｄ’／λに応じて、光学補償フイルムのＲｅ／λおよびＲｔｈ／λを決定し、正確に光学補償している。本態様では、光学補償する対象の液晶層の波長λにおける液晶層のΔｎｄと波長λが決まれば、Δｎ’ｄ’／λが決まり、それに応じて上記式を満足するＲｅ／λおよびＲｔｈ／λを示す光学補償フイルムを用いればよい。図３に示す態様では、光学補償フイルムを上下に１枚ずつ計２枚用いている。特に、上下の光学フイルムの特性が同じ場合、対称性から、液晶層の下向きの矢印はポアンカレ球上のＳ１＝０の上を遷移し、液晶層の下矢印の始点と終点は赤道を挟んで対称にポアンカレ球の上半球と下半球にあるのがわかる。

図７に、図４に示した態様の補償機構について、ポアンカレ球を用いて説明した図を示す。なお、図６中と同一の記号が付された点及び軸等は、上記と同義であるので、詳細な説明は省略する。図７に示す様に、光学補償フイルム６でＶＡモードの液晶セルを光学補償するためには、Δｎ’ｄ’／λが大きい液晶層を用いた場合は、光学補償フイルム６のＲｔｈ／λを大きくして、点１から点Ａへの矢印の長さを長くする必要があり、また点１から点Ａへの上斜め向きの矢印の方向をより立たせるためには、光学補償フイルム６のＲｅ／Ｒｔｈを小さく、すなわちＲｅ／λを小さくする必要があることが考察できる。本態様では、前記（Ｖ）〜（VIII）を満足することを条件として、液晶層のΔｎ’ｄ’／λに応じて、光学補償フイルムのＲｅ／λおよびＲｔｈ／λを決定し、正確に光学補償している。本態様では、光学補償する対象の液晶層の波長λにおける液晶層のΔｎｄと波長λが決まれば、Δｎ’ｄ’／λが決まり、それに応じて上記式を満足するＲｅ／λおよびＲｔｈ／λを示す光学補償フイルムを用いればよい。

図７では、偏光板２を構成している偏光膜の保護フイルムの光学特性について考慮していないが、偏光膜の保護フイルムとして用いられる高分子フイルム等が、所定の厚さ方向のレターデーションＲｔｈを示す場合は、かかるＲｔｈも光学補償に影響を与える場合がある。図８に、図４に示した態様の偏光板２中の保護フイルム（液晶セル３側に配置される保護フイルム）が、厚さ方向のレターデーションＲｔｈ＝３８ｎｍである場合の、光学補償機構を示す。保護フイルムを通過することによる偏光状態の遷移を示す上から下への回転（点Ｂ’から点２への回転）を考慮して、前記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する液晶セル３と光学補償フイルム６とを組み合わせることで、正確な光学補償が可能となる。なお、本態様において、偏光板２、即ち、光学補償フイルムに隣接していない偏光板の液晶セル側に配置される保護膜の厚み方向のレターデーションＲｔｈは、０〜６０ｎｍであるのが好ましく、０〜３０ｎｍであるのがより好ましい。

以上説明した様に、本発明は、ＶＡモードにおける液晶層のいわゆる複屈折率Δｎｄ／λと、それを補償するための光学フイルムのＲｅ／λ、Ｒｔｈ／λの関係を、使用する光源のスペクトル範囲あるいはスペクトル分布に応じて最適化している。その最適範囲を理論的に考察し、その最適範囲を明確に示している点で、ＶＡモードの光学補償に関する従来技術と異なる。前記式（Ｉ）〜（VI）、又は前記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する様に、液晶層と光学補償フイルムとを組み合わせれば、液晶層の波長分散を、光学補償フイルムの波長分散で補償することができる。その結果、ＶＡモードを用いるパネルの視角コントラストを大幅に軽減できる。また、任意の波長範囲にわたって黒状態での光りぬけを抑えることが出来るため、特定の波長にかたよって光りぬけることが原因で発生する視角色ずれも軽減できることになる。

本発明では、フイルムの最適値を表現するために上述した関係式で表し、その実施例で効果の確認を行っている。上記式ではＡ、Ｂ、Ｃ及びＤのパラメータ、又はＥ、Ｆ及びＧのパラメータで、本発明の効果を奏する範囲を規定した。但し、Ｂ及びＤ、又はＧは便宜上、フイルムの効果範囲を表現するために最も適した値の定数とし、Ａ及びＣ、又はＥ及びＦに範囲を与えることで本発明の効果を奏する範囲を表現することとした。

本発明は、任意の液晶の複屈折率、波長分散において、ＶＡモードを用いるパネルの視角コントラスト、視角色ずれを大幅に軽減できる波長分散をもった光学補償フイルムを提供するものであるが、同時に、Ｒ，Ｇ，Ｂの異なる波長を用いた液晶セルにおいても、本発明を適用できる。例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂを異なる液晶セルで構成する投射型液晶セルに本発明のフイルムを適用する場合においても、前述した条件式を用いて光学補償することができ、その結果、広い視角コントラストの効果が得られることになる。また、多数の波長が混合した通常の光源を用いた液晶パネルの場合でも、例えばＧの波長を用いて液晶パネルの特性を代表させ、本発明の条件式を用いた光学補償フイルムで広い視角コントラストの効果を得ることもできる。

本発明の範囲は、液晶層の表示モードによって限定されず、ＶＡモード、ＩＰＳモード、ＥＣＢモード、ＴＮモードおよびＯＣＢモード等、いずれの表示モードの液晶層を有する液晶表示装置にも用いることができる。

次に、本発明に使用可能な光学補償フイルムについて、光学特性、原料、製造方法等について、より詳細に説明する。
［光学補償フイルム］
本発明では、光学補償フイルムは、液晶表示装置、特にＶＡモードの液晶表示装置の視野角コントラストの拡大、及び視野角に依存した色ずれの軽減に寄与する。本発明において、前記光学補償フイルムは、観察者側の偏光板と液晶セルとの間に配置しても、背面側の偏光板と液晶セルとの間に配置してもよいし、双方に配置してもよい。例えば、独立の部材として液晶表示装置内部に組み込むこともできるし、また、偏光膜を保護する保護膜に、前記光学特性を付与して光学補償フイルムとしても機能させて、偏光板の一部材として、液晶表示装置内部に組み込むこともできる。

前記光学補償フイルムは、上記した様に、可視光領域の波長のうち光源あるいは観測者側で用いる任意の波長λにおけるＲｅ／λとＲｔｈ／λは、液晶層の態様および波長λによって好ましい範囲が異なる。例えば、波長λ＝５５０ｎｍにおいてＶＡモードの液晶セル（例えば、厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄが０．２〜１．０μｍである液晶層を有するＶＡモードの液晶セル）の光学補償に用いられる場合は、Ｒｅ／λは０．０４〜０．１３であるのが好ましく、０．０５〜０．１であるのがより好ましく、０．０６〜０．０９であるのがさらに好ましい。また、Ｒｔｈ／λについては、０．０５〜１．１であるのが好ましく、０．１〜１．０であるのがより好ましく、０．１３〜０．９１であるのがさらに好ましい。

光学補償フイルムは、それぞれ互いに直交するｘ、ｙおよびｚ軸方向に３つの平均屈折率ｎｘ、ｎｙおよびｎｚを有する。この３つの値が、光学補償フイルムの固有の屈折率であり、これらの値とフイルムの厚さｄ₁とで、Ｒｔｈ及びＲｅが決まる。原料、その配合量、製造条件などを選択し、これらの値を所望の範囲に調整することで、上記光学特性を満足する光学補償フイルムを作製することができる。ｎｘ、ｎｙ及びｎｚは波長によって異なるので、Ｒｔｈ及びＲｅも波長によって異なる。前記光学補償フイルムは、この特徴を利用することによって作製することができる。

本発明において、光学補償フイルムの素材については特に制限はない。例えば、延伸複屈折ポリマーフイルムであっても、液晶性化合物を特定の配向に固定することによって形成された光学異方性層であってもよい。また、光学補償フイルムは単層構造に限定されるものではなく、複数の層を積層した積層構造を有していてもよい。積層構造の態様では、各層の素材は同種でなくてもよく、例えば、ポリマーフイルムと液晶性化合物からなる光学異方性層との積層体であってもよい。積層構造の態様では、厚さを考慮すると、高分子の延伸フイルムの積層体よりも、塗布によって形成された層を含む塗布型の積層体が好ましい。

前記光学補償フイルムの作製に液晶性化合物を用いた場合は、液晶性化合物には多様な配向形態があるので、液晶性化合物を特定の配向状態に固定して作製した光学異方性層は、単層でまたは複数層の積層体により、所望の光学的性質を発現する。即ち、前記光学補償フイルムは、支持体と該支持体上に形成された１以上の光学異方性層とからなる態様であってもよい。かかる態様の光学補償フイルム全体のレターデーションは、光学異方性層の光学異方性によって調整することができる。液晶性化合物は、その分子の形状から、棒状液晶化合物と円盤状液晶化合物に分類できる。さらにそれぞれ低分子と高分子タイプがあり、いずれも使用することができる。前記光学補償フイルムの作製に液晶性化合物を使用する場合は、棒状液晶化合物または円盤状液晶性化合物を用いることが好ましく、重合性基を有する棒状液晶化合物または重合性基を有する円盤状液晶性化合物を用いるのがより好ましい。

また、光学補償フイルムは高分子フイルムからなっていてもよい。前記高分子フイルムは、延伸された高分子フイルムであっても、また塗布型の高分子層と高分子フイルムとの併用でもよい。高分子フイルムの材料は、一般に合成ポリマー（例、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ノルボルネン樹脂、トリアセチルセルロース）が用いられる。また、セルロースアシレートに、芳香環を有する棒状化合物（具体的には、二つの芳香族環を有する芳香族化合物）を添加した組成物をフイルムとした、セルロースアシレート系フイルムも好ましい。前記芳香族化合物の種類、添加量、フイルムの延伸条件を調整することによって、所望の光学特性を有する高分子フイルムを作製することができる。

《セルロースアシレートフイルム》
本発明に利用可能な、セルロースアシレートフイルムについてより詳細に説明する。
添加する芳香環を有する棒状化合物（具体的には、二つの芳香族環を有する芳香族化合物）の種類及びその量、又は製造条件（例えば、フイルムの延伸条件）を調節することによって、本発明において光学補償フイルムに要求される光学特性を満足するセルロースアシレートセテートフイルムを作製することができる。なお、偏光板の保護膜は、一般にセルロースアシレートフイルムからなる。上記のセルロースアシレートフイルムを偏光板の一方の保護膜として用いると、偏光板の構成要素の数を増加させることなく、偏光板に光学補償機能を追加することができる。

また、紫外線吸収スペクトルにおいて最大吸収波長（λｍａｘ）が２５０ｎｍより短波長である棒状化合物を二種類以上併用すると、波長によって異なったＲｅ／Ｒｔｈ比が得られる。

セルロースアシレートの原料綿は、公知の原料を用いることができる（例えば、発明協会公開技法２００１−１７４５参照）。また、セルロースアシレートの合成も公知の方法で行なうことができる（例えば、右田他、木材化学１８０〜１９０頁（共立出版、１９６８年）参照）。セルロースアシレートの粘度平均重合度は２００〜７００が好ましく２５０〜５００が更に好ましく２５０〜３５０が最も好ましい。また、本発明に使用するセルロースエステルは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．５〜５．０であることが好ましく、２．０〜４．５であることがさらに好ましく、３．０〜４．０であることが最も好ましい。

該セルロースアシレートフイルムのアシル基は、特に制限はないが、アセチル基、プロピオニル基を用いることが好ましく、特にアセチル基が好ましい。全アシル基の置換度は２．７〜３．０が好ましく、２．８〜２．９５がさらに好ましい。本明細書において、アシル基の置換度とは、ＡＳＴＭ Ｄ８１７に従って算出した値である。アシル基は、アセチル基であることが最も好ましく、アシル基がアセチル基であるセルロースアセテートを用いる場合には、酢化度が５９．０〜６２．５％が好ましく、５９．０〜６１．５％がさらに好ましい。酢化度がこの範囲にあると、流延時の搬送テンションによってＲｅが所望の値より大きくなることもなく、面内ばらつきも少なく、温湿度によってレターデーション値の変化も少ない。また、６位のアシル基の置換度は、Ｒｅ、Ｒｔｈのばらつきを抑制する観点から、０．９以上が好ましい。

また、酢化度が一定の範囲で異なる２種類のセルロースアセテートを混合すると、レターデーションの波長分散特性の調整ができることを利用し、波長分散特性を調整できる。この方法については、特開２００１−２５３９７１号公報に詳しく記載があるように、最大の酢化度（Ａｃ１）を有するセルロースアセテートと最小の酢化度（Ａｃ２）を有するセルロースアセテートとの酢化度の差（Ａｃ１−Ａｃ２）は、２．０乃至６．０％（２．０％≦Ａｃ１−Ａｃ２≦６．０％）が好ましい。セルロースアセテートの混合物全体の平均酢化度は、５５．０乃至６１．５％であることが好ましい。また、最大の粘度平均重合度（Ｐ１）を有するセルロースアセテートと最小の粘度平均重合度（Ｐ２）を有するセルロースアセテートとの粘度平均重合度の非（Ｐ１／Ｐ２）は、１以上２未満（１≦Ｐ１／Ｐ２＜２）であることが好ましい。セルロースアセテートの混合物全体の粘度平均重合度は、２５０乃至５００であることが好ましく、２５０乃至４００であることがさらに好ましい。

《レターデーション制御剤》
セルロースアシレートフイルムには、少なくとも二つの芳香族環を有する棒状化合物をレターデーション制御剤として含有させるのが好ましい。該棒状化合物は、直線的な分子構造を有することが好ましい。直線的な分子構造とは、熱力学的に最も安定な構造において棒状化合物の分子構造が直線的であることを意味する。熱力学的に最も安定な構造は、結晶構造解析または分子軌道計算によって求めることができる。例えば、分子軌道計算ソフト（例、ＷｉｎＭＯＰＡＣ２０００、富士通（株）製）を用いて分子軌道計算を行い、化合物の生成熱が最も小さくなるような分子の構造を求めることができる。分子構造が直線的であるとは、上記のように計算して求められる熱力学的に最も安定な構造において、分子構造で主鎖の構成する角度が１４０度以上であることを意味する。

少なくとも二つの芳香族環を有する棒状化合物としては、下記一般式（１）で表される化合物が好ましい。
一般式（１）：Ａｒ¹−Ｌ¹−Ａｒ²
上記一般式（１）において、Ａｒ¹およびＡｒ²は、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌ¹は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−およびそれらの組み合わせからなる基から選ばれる二価の連結基である。

本明細書において、芳香族基は、アリール基（芳香族性炭化水素基）、置換アリール基、芳香族性ヘテロ環基および置換芳香族性ヘテロ環基を含む。
アリール基および置換アリール基の方が、芳香族性ヘテロ環基および置換芳香族性ヘテロ環基よりも好ましい。芳香族性へテロ環基のヘテロ環は、一般には不飽和である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましい。芳香族性へテロ環は一般に最多の二重結合を有する。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましく、窒素原子または硫黄原子がさらに好ましい。芳香族性へテロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、および１，３，５−トリアジン環が含まれる。
芳香族基の芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環およびピラジン環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。

置換アリール基および置換芳香族性ヘテロ環基の置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノ、アミノ、アルキルアミノ基（例、メチルアミノ、エチルアミノ、ブチルアミノ、ジメチルアミノ）、ニトロ、スルホ、カルバモイル、アルキルカルバモイル基（例、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ−エチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル）、スルファモイル、アルキルスルファモイル基（例、Ｎ−メチルスルファモイル、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル）、ウレイド、アルキルウレイド基（例、Ｎ−メチルウレイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルウレイド）、アルキル基（例、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘプチル、オクチル、イソプロピル、ｓ−ブチル、ｔ−アミル、シクロヘキシル、シクロペンチル）、アルケニル基（例、ビニル、アリル、ヘキセニル）、アルキニル基（例、エチニル、ブチニル）、アシル基（例、ホルミル、アセチル、ブチリル、ヘキサノイル、ラウリル）、アシルオキシ基（例、アセトキシ、ブチリルオキシ、ヘキサノイルオキシ、ラウリルオキシ）、アルコキシ基（例、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ）、アリールオキシ基（例、フェノキシ）、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘプチルオキシカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（例、フェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニルアミノ基（例、ブトキシカルボニルアミノ、ヘキシルオキシカルボニルアミノ）、アルキルチオ基（例、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ）、アリールチオ基（例、フェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例、メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、ヘプチルスルホニル、オクチルスルホニル）、アミド基（例、アセトアミド、ブチルアミド基、ヘキシルアミド、ラウリルアミド）および非芳香族性複素環基（例、モルホリル、ピラジニル）が含まれる。

置換アリール基および置換芳香族性ヘテロ環基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ、カルボキシル、ヒドロキシル、アミノ、アルキル置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基およびアルキル基が好ましい。
アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基のアルキル部分とアルキル基とは、さらに置換基を有していてもよい。アルキル部分およびアルキル基の置換基の例には、ハロゲン原子、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノ、アミノ、アルキルアミノ基、ニトロ、スルホ、カルバモイル、アルキルカルバモイル基、スルファモイル、アルキルスルファモイル基、ウレイド、アルキルウレイド基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アミド基および非芳香族性複素環基が含まれる。アルキル部分およびアルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル、アミノ、アルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基およびアルコキシ基が好ましい。

Ｌ¹は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−およびそれらの組み合わせからなる基から選ばれる二価の連結基である。
アルキレン基は、環状構造を有していてもよい。環状アルキレン基としては、シクロヘキシレンが好ましく、１，４−シクロへキシレンが特に好ましい。鎖状アルキレン基としては、直鎖状アルキレン基の方が分岐を有するアルキレン基よりも好ましい。
アルキレン基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、より好ましくは１〜１５であり、さらに好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは１〜８であり、最も好ましくは１〜６である。

アルケニレン基およびアルキニレン基は、環状構造よりも鎖状構造を有することが好ましく、分岐を有する鎖状構造よりも直鎖状構造を有することがさらに好ましい。アルケニレン基およびアルキニレン基の炭素原子数は、好ましくは２〜１０であり、より好ましくは２〜８であり、さらに好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、最も好ましくは２（ビニレンまたはエチニレン）である。アリーレン基は、炭素原子数は６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１６であり、さらに好ましくは６〜１２である。

組み合わせからなる二価の連結基の例を示す。
Ｌ−１：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２：−ＣＯ−Ｏ−アルキレン基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−３：−Ｏ−ＣＯ−アルケニレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４：−ＣＯ−Ｏ−アルケニレン基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−５：−Ｏ−ＣＯ−アルキニレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６：−ＣＯ−Ｏ−アルキニレン基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−７：−Ｏ−ＣＯ−アリーレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−８：−ＣＯ−Ｏ−アリーレン基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−９：−Ｏ−ＣＯ−アリーレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１０：−ＣＯ−Ｏ−アリーレン基−Ｏ−ＣＯ−

一般式（１）の分子構造において、Ｌ¹を挟んで、Ａｒ¹とＡｒ²とが形成する角度は、１４０度以上であることが好ましい。棒状化合物としては、下記式一般式（２）で表される化合物がさらに好ましい。
一般式（２）：Ａｒ¹−Ｌ²−Ｘ−Ｌ³−Ａｒ²
上記一般式（２）において、Ａｒ¹およびＡｒ²はそれぞれ独立に、芳香族基である。芳香族基の定義および例は、一般式（１）のＡｒ¹およびＡｒ²と同様である。

一般式（２）において、Ｌ²およびＬ³は、それぞれ独立に、アルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−およびそれらの組み合わせからなる基より選ばれる二価の連結基である。アルキレン基は、環状構造よりも鎖状構造を有することが好ましく、分岐を有する鎖状構造よりも直鎖状構造を有することがさらに好ましい。
アルキレン基の炭素原子数は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１〜８であり、さらに好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４であり、１または２（メチレンまたはエチレン）であることが最も好ましい。Ｌ²およびＬ³は、−Ｏ−ＣＯ−または−ＣＯ−Ｏ−であることが特に好ましい。

一般式（２）において、Ｘは、１，４−シクロへキシレン、ビニレンまたはエチニレンである。

以下に、一般式（１）で表される化合物の具体例を示す。

具体例（１）〜（３４）、（４１）、（４２）は、シクロヘキサン環の１位と４位とに二つの不斉炭素原子を有する。ただし、具体例（１）、（４）〜（３４）、（４１）、（４２）は、対称なメソ型の分子構造を有するため光学異性体（光学活性）はなく、幾何異性体（トランス型とシス型）のみ存在する。具体例（１）のトランス型（１−ｔｒａｎｓ）とシス型（１−ｃｉｓ）とを、以下に示す。

前述したように、棒状化合物は直線的な分子構造を有することが好ましい。そのため、トランス型の方がシス型よりも好ましい。具体例（２）および（３）は、幾何異性体に加えて光学異性体（合計４種の異性体）を有する。幾何異性体については、同様にトランス型の方がシス型よりも好ましい。光学異性体については、特に優劣はなく、Ｄ、Ｌあるいはラセミ体のいずれでもよい。具体例（４３）〜（４５）では、中心のビニレン結合にトランス型とシス型とがある。上記と同様の理由で、トランス型の方がシス型よりも好ましい。

その他、レターデーション制御剤として使用可能な、好ましい化合物を以下に示す。

レターデーション制御剤として、溶液の紫外線吸収スペクトルにおいて最大吸収波長（λｍａｘ）が２５０ｎｍより短波長である棒状化合物を、二種類以上併用するのが好ましい。棒状化合物は、文献記載の方法を参照して合成できる。文献としては、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，５３巻、２２９ページ（１９７９年）、同８９巻、９３ページ（１９８２年）、同１４５巻、１１１ページ（１９８７年）、同１７０巻、４３ページ（１９８９年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１３巻、１３４９ページ（１９９１年）、同１１８巻、５３４６ページ（１９９６年）、同９２巻、１５８２ページ（１９７０年）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０巻、４２０ページ（１９７５年）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ、４８巻１６号、３４３７ページ（１９９２年）を挙げることができる。

レターデーション制御剤の添加量は、ポリマーの量の０．１〜３０質量％であることが好ましく、０．５〜２０質量％であることがさらに好ましい。

芳香族化合物は、セルロースアシレート１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部の範囲で使用する。芳香族化合物は、セルロースアシレート１００質量部に対して、０．０５〜１５質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１〜１０質量部の範囲で使用することがさらに好ましい。二種類以上の化合物を併用してもよい。

[波長分散調整剤]
セルロースアシレートフイルムの波長分散を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持たせる化合物を用いることによって、セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。添加量としては０．１〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。

セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフイルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物をセルロースアシレートフイルムに添加する場合、分光透過率が優れている要求される。本発明のセルロースアシレートフイルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフイルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０重量％であることが好ましく、０．１ないし２０重量％であることがより好ましく、０．２ないし１０重量％であることが特に好ましい。

（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。

ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（３）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。

一般式（３） Ｑ¹−Ｑ²−ＯＨ

（式中、Ｑ¹は含窒素芳香族ヘテロ環Ｑ²は芳香族環を表す。）

Ｑ¹は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは５乃至７員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等があげられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。Ｑ¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Ｑ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（３）として好ましくは下記一般式（３−Ａ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²、およびＲ⁴として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

一般式（３）としてより好ましくは下記一般式（３−Ｂ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は一般式（３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

以下に一般式（３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフイルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（４）で示されるものが好ましく用いられる。

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。XはNR（Rは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）

Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、4級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはＯであり、特に好ましくはＯである。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（４）として好ましくは下記一般式（４−Ａ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸およびＲ⁹として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。

一般式（４）としてより好ましくは下記一般式（４−Ｂ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）

Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ¹⁰として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（４）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（４）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（５）で示されるものが好ましく用いられる。

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。X¹およびX²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ¹およびＸ²はで表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（５）として好ましくは下記一般式（５−Ａ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ¹およびＸ²は一般式（５）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、およびＲ¹⁰として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³、およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

一般式（５）としてより好ましくは下記一般式（５−Ｂ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（５−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ³は水素原子、または置換基を表す。）

Ｘ³は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（５）として更に好ましくは一般式（５−Ｃ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（５−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ²¹は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が水素以外の場合には、一般式（５−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

本発明一般式（５）で表される化合物はJounal of American Chemical Society ６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（５）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

《セルロースアシレートフイルムの製造》
ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフイルムを製造することが好ましい。ソルベントキャスト法では、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフイルムを製造する。有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子数が３〜１２のエステルおよび炭素原子数が１〜６のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒を含むことが好ましい。エーテル、ケトンおよびエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトンおよびエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素原子数は、いずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが含まれる。炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが含まれる。炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含まれる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。ハロゲン化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている割合は、２５〜７５モル％であることが好ましく、３０〜７０モル％であることがより好ましく、３５〜６５モル％であることがさらに好ましく、４０〜６０モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリドが、代表的なハロゲン化炭化水素である。二種類以上の有機溶媒を混合して用いてもよい。

一般的な方法でセルロースアシレート溶液を調製できる。一般的な方法とは、０℃以上の温度（常温または高温）で、処理することを意味する。溶液の調製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調製方法および装置を用いて実施することができる。なお、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ましい。
セルロースアシレートの量は、得られる溶液中に１０〜４０質量％含まれるように調整する。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。溶液は、常温（０〜４０℃）でセルロースアシレートと有機溶媒とを攪拌することにより調製することができる。高濃度の溶液は、加圧および加熱条件下で攪拌してもよい。具体的には、セルロースアシレートと有機溶媒とを加圧容器に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪拌する。加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好ましくは６０〜２００℃であり、さらに好ましくは８０〜１１０℃である。

各成分は予め粗混合してから容器に入れてもよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の不活性気体を注入して容器を加圧することができる。また、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加してもよい。加熱する場合、容器の外部より加熱することが好ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いることができる。また、容器の外部にプレートヒーターを設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を加熱することもできる。容器内部に攪拌翼を設けて、これを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端には、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けることが好ましい。容器には、圧力計、温度計等の計器類を設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるいは、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。

冷却溶解法により、溶液を調製することもできる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させることが困難な有機溶媒中にもセルロースアシレートを溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセルロースアシレートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果がある。冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロースアシレートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロースアシレートの量は、この混合物中に１０〜４０質量％含まれるように調整することが好ましい。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。

次に、混合物を−１００〜−１０℃（好ましくは−８０〜−１０℃、さらに好ましくは−５０〜−２０℃、最も好ましくは−５０〜−３０℃）に冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液（−３０〜−２０℃）中で実施できる。このように冷却すると、セルロースアシレートと有機溶媒の混合物は固化する。
冷却速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を冷却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間で割った値である。

さらに、これを０〜２００℃（好ましくは０〜１５０℃、さらに好ましくは０〜１２０℃、最も好ましくは０〜５０℃）に加温すると、有機溶媒中にセルロースアシレートが溶解する。昇温は、室温中に放置するだけでもよし、温浴中で加温してもよい。
加温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始する時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始してから最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値である。
以上のようにして、均一な溶液が得られる。なお、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視により溶液の外観を観察するだけで判断することができる。

冷却溶解法においては、冷却時の結露による水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ましい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、加温時に減圧すると、溶解時間を短縮することができる。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を用いることが望ましい。
なお、セルロースアシレート（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０質量％の溶液は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によると、３３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移温度プラス１０℃程度の温度で保存する必要がある。ただし、この疑似相転移温度は、セルロースアシレートの酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒により異なる。

調製したセルロースアシレート溶液（ドープ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレテートフイルムを製造する。
ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１８〜３５％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ソルベントキャスト法における流延および乾燥方法については、米国特許２３３６３１０号、同２３６７６０３号、同２４９２０７８号、同２４９２９７７号、同２４９２９７８号、同２６０７７０４号、同２７３９０６９号、同２７３９０７０号、英国特許６４０７３１号、同７３６８９２号の各明細書、特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号、同６２−１１５０３５号の各公報に記載がある。
ドープは、表面温度が１０℃以下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。流延してから２秒以上風に当てて乾燥することが好ましい。得られたフイルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取り、さらに１００から１６０℃まで逐次温度を変えた高温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることもできる。以上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載がある。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮することが可能である。この方法を実施するためには、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてドープがゲル化することが必要である。

セルロースアシレートフイルムには、機械的物性を改良するため、または乾燥速度を向上するために、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ）およびトリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステルの例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用いられる。ＤＥＰおよびＤＰＰが特に好ましい。
可塑剤の添加量は、セルロースエステルの量の０．１〜２５質量％であることが好ましく、１〜２０質量％であることがさらに好ましく、３〜１５質量％であることが最も好ましい。

セルロースアシレートフイルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、劣化防止剤添加による効果が発現し、フイルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）を抑制する観点から、調製する溶液（ドープ）の０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げることができる。

《セルロースアシレートフイルムの延伸処理》
セルロースアシレートフイルムは、延伸処理によりレターデーションを調整することができる。延伸倍率は、３〜１００％であることが好ましい。
延伸方法については特に制限はなく、公知の方法を利用することができる。面内の均一性の観点から特にテンター延伸が好ましく用いられる。本発明に使用するセルロースアシレートフイルムは少なくとも１００ｃｍ以上の幅であることが好ましく、全幅のＲｅ値のばらつきが±５ｎｍであることが好ましく、±３ｎｍであることが更に好ましい。また、Ｒｔｈ値のバラツキは±１０ｎｍが好ましく、±５ｎｍであることが更に好ましい。また、長さ方向のＲｅ値、及びＲｔｈ値のバラツキも幅方向のバラツキの範囲内であることが好ましい。
また延伸処理は製膜工程の途中で行ってもよいし、製膜して巻き取った原反を延伸処理しても良い。前者の場合には残留溶剤量を含んだ状態で延伸を行っても良く、残留溶剤量が２〜３０％で好ましく延伸することができる。この際、フイルムを長手方向に搬送しながら長手方向と直交する方向に延伸して該フイルムの遅相軸が該フイルムの長尺方向に対して直交するようにすることが好ましい。
延伸温度は延伸時の残留溶剤量と膜厚によって適当な条件を選ぶことができる。残留溶剤を含む状態で延伸した場合には、延伸後に乾燥させることが好ましい。乾燥方法は前記フイルムの製膜に記載の方法に準じて行うことができる。
延伸後のセルロースアシレートフイルムの厚さは、１１０μｍ以下、好ましくは４０〜１１０μｍであり、より好ましくは６０〜１１０μｍであり、８０〜１１０μｍであることが好ましい。

《セルロースアシレートフイルムの表面処理》
セルロースアシレートフイルムからなる光学補償フイルムを、偏光板の透明保護膜として使用する場合、セルロースアシレートフイルムを表面処理することが好ましい。表面処理としては、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理または紫外線照射処理を実施する。酸処理またはアルカリ処理、すなわちセルロースアシレートに対するケン化処理を実施することが特に好ましい。

以上説明した少なくとも二つの芳香族環を有する直線的な構造を有する棒状化合物を含んで延伸され、膜厚が４０μｍ〜１１０μｍ程度のセルロースアシレートフイルムであって、本発明において光学補償フイルムが要求される光学特性を満足するフイルムは、光学補償フイルムとして本発明に用いることができる。

次に、図９を用いて、本発明をＶＡモードの液晶表示装置に適用した実施形態について説明する。
［液晶表示装置］
図９に示す液晶表示装置は、液晶セル（１６〜１８）を挟持して配置された上側偏光膜１１と下側偏光膜１０１とを有し、上側偏光膜１１と液晶セル（１６〜１８）の間に光学補償フイルム１５が、上側偏光膜１０１と液晶セル（１６〜１８）の間に光学補償フイルム１９が位置する。光学補償フイルム１５又は光学補償フイルム１９は、前述したように、構成によっては一方のみでもよい。偏光膜１１および１０１は、それぞれ一対の透明保護フイルムによって保護されているが、図９中では液晶セルに近い側に配置される透明保護フイルム１３および１０３のみを示し、液晶セルに遠い側に配置される透明保護フイルムについては省略する。また、光学補償フイルム１５と透明保護フイルム１３は１枚のフイルムで両方の機能をもたせることもできる。同様に、光学補償フイルム１９と透明保護フイルム１０３も１枚のフイルムで両方の機能をもたせることもできる。

液晶セルは、上側基板１６および下側基板１８と、これらに挟持される液晶分子１７から形成される液晶層からなる。基板１６および１８の液晶分子１７に接触する表面（以下、「内面」という場合がある）には、配向膜（不図示）が形成されていて、電圧無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子１７の配向が垂直方向に制御されている。また、基板１６および１８の内面には、液晶分子１７からなる液晶層に電圧を印加可能な透明電極（不図示）が形成されている。本発明では、液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄは、０．１〜１．０μｍとするのが好ましい。さらに、Δｎ・ｄの最適値は０．２〜１．０μｍとするのがより好ましく、０．２〜０．５μｍとするのがさらに好ましい。これらの範囲では白表示輝度が高く、黒表示輝度が小さいことから、明るくコントラストの高い表示装置が得られる。用いる液晶材料については特に制限されないが、上下基板１６および１８間に電界が印加される態様では、電界方向に垂直に液晶分子１７が応答するような、誘電率異方性が負の液晶材料を使用する。また電極を基板１６および１８のいずれか一方にのみ形成し、電界が基板面に平行の横方向に印加される場合は、液晶材料は正の誘電率異方性を有するものを使用することができる。

例えば、液晶セルをＶＡモードの液晶セルとする場合は、上下基板１６および１８間に、誘電異方性が負で、Δｎ＝０．０８１３、Δε＝−４．６程度のネマチック液晶材料などを用いることができる。液晶層の厚さｄについては特に制限されないが、前記範囲の特性の液晶を用いる場合、３．５μｍ程度に設定することができる。厚さｄと屈折率異方性Δｎの積Δｎ・ｄの大きさにより白表示時の明るさが変化するので、最大の明るさを得るためには、Δｎ・ｄは０．２〜０．５μｍの範囲になるように設定するのが好ましい。

なお、ＶＡモードの液晶表示装置では、ＴＮモードの液晶表示装置で一般的に使われているカイラル材の添加は、動的応答特性の劣化させるため用いることは少ないが、配向不良を低減するために添加されることもある。また、マルチドメイン構造とする場合には、各ドメイン間の境界領域の液晶分子の配向を調整するのに有利である。マルチドメイン構造とは、液晶表示装置の一画素を複数の領域に分割した構造をいう。例えば、ＶＡモードにおいて、白表示時には液晶分子１７が傾斜しているので、傾斜方向とその逆方向では、斜めから観察した時の液晶分子１７の複屈折の大きさが異なり、輝度や色調に差が生じるが、マルチドメイン構造にすると、輝度や色調の視野角特性が改善されるので好ましい。具体的には、画素のそれぞれを液晶分子の初期配向状態が互いに異なる２以上（好ましくは４または８）の領域で構成して平均化することで、視野角に依存した輝度や色調の偏りを低減することができる。また、それぞれの画素を、電圧印加状態において液晶分子の配向方向が連続的に変化する互いに異なる２以上の領域から構成しても同様の効果が得られる。

一画素内で液晶分子７の配向方向が異なる領域を複数形成するには、例えば、電極にスリットを設けたり、突起を設け、電界方向を変えたり、電界密度に偏りを持たせる等の方法を利用することができる。全方向で均等な視野角を得るにはこの分割数を多くすればよいが、４分割あるいは８分割以上とすることで、ほぼ均等な視野角が得られる。特に８分割時は偏光板吸収軸を任意の角度に設定できるので好ましい。各ドメインの領域境界では、液晶分子７が応答し難い傾向がある。ＶＡモード等のノーマリーブラックモードでは、黒表示が維持されるため、輝度低下が問題となる。そこで液晶材料にカイラル剤を添加してドメイン間の境界領域を小さくすることが可能である。一方、ノーマリーホワイトモードでは白表示状態が維持されるため、正面コントラストが低下する。そこで、その領域を覆うブラックマトリックスなどの遮光層を設けるとよい。

偏光膜１１と偏光膜１０１の前記液晶層に近い側の保護フイルムの遅相軸１３および１０３の遅相軸１３ａおよび１０３ａは、互いに実質的に平行もしくは直交しているのが好ましい。透明保護フイルム１３および１０３の遅相軸１３ａおよび１０３ａが互いに直交していると、それぞれの保護フイルムの複屈折を互いに打ち消すことにより、液晶表示装置に垂直入射した光の光学特性が劣化するのを低減することができる。また、遅相軸１３ａおよび１０３ａが互いに平行する態様では、液晶層に残留位相差がある場合には保護膜の複屈折でこの位相差を補償することができる。

偏光膜１１および１０１の吸収軸１２および１０２、保護フイルム１３および１０３の遅相軸方向１３ａおよび１０３ａ、ならびに液晶分子１７の配向方向については、各部材に用いられる材料、表示モード、部材の積層構造等に応じて最適な範囲に調整する。すなわち、偏光膜１１および１０１の吸収軸１２および偏光膜１０１の吸収軸１０２が、互いに実質的に直交しているように配置する。但し、本発明の液晶表示装置は、この構成に限定されるものではない。

偏光膜１１及び偏光膜１０１と、液晶セルとの間配置された光学補償フイルム１５及び１９は、光学補償フイルムであり、前述した様に、例えば、複屈折性の高分子フイルムや、透明支持体と該透明支持体上に形成された液晶分子からなる光学異方性層の積層体などからなる。なお、光学補償フイルム１５の面内遅相軸１５ａは、より近くに位置する偏光膜１１の吸収軸１２と実質的に直交するように配置するのが好ましい。同様に、光学補償フイルム１９の面内の遅相軸１９ａが、より近くに位置する偏光膜１０１の吸収軸１０２と実質的に直交するように配置するのが好ましい。かかる関係で配置すると、光学補償フイルム１５又は１９が、法線方向からの入射光に対してレターデーションを生じさせて、光漏れを生じさせることがなく、且つ斜め方向からの入射光に対しては本発明の効果を充分に奏することができる。

また、偏光板の保護フイルム１３または１５のＲｅ値とＲｔｈ値がともに０ｎｍでない場合、保護フイルムは光学補償能を示すこともできる。この場合、別途設ける光学補償フイルムのＲｅとＲｔｈの機能の不足分を補うこともできる。

液晶セル基板１６および１８のそれぞれの透明電極（不図示）に駆動電圧を印加しない非駆動状態では、液晶層中の液晶分子１７は、基板１６および１８の面に対して概略垂直に配向し、その結果、通過する光の偏光状態はほとんど変化しない。吸収軸１２と１０２は直交しているので、下側（例えば背面電極）から入射した光は、偏光膜１０１によって偏光され、偏光状態を維持したまま液晶セル１６〜１８を通過し、偏光膜１１によって遮断される。すなわち、図９の液晶表示装置では、非駆動状態において理想的な黒表示を実現する。これに対し、透明電極（不図示）に駆動電圧を印加した駆動状態では、液晶分子１７は基板１６および１８の面に平行な方向に傾斜し、通過する光はかかる傾斜した液晶分子１７により偏光状態を変化させる。従って、下側（例えば背面電極）から入射した光は、偏光膜１０１によって偏光され、さらに液晶セル１６〜１８を通過することによって偏光状態が変化し、偏光膜１１を通過する。すなわち、電圧印加した駆動状態において白表示が得られる。

ＶＡモードの特徴はコントラストが高いことである。しかし、従来のＶＡモードの液晶表示装置には、コントラストは正面では高いが、斜め方向では低下するという課題があった。黒表示時に、液晶分子１７は基板１６および１８の面に垂直に配向しているので、正面から観察すると、液晶分子１７の複屈折はほとんどないため透過率は低く、高コントラストが得られる。しかし、斜めから観察した場合は液晶分子１７に複屈折が生じる。さらに上下の偏光膜１１および１０１の吸収軸１２および１０２の交差角が、正面では９０°の直交であるが、斜めから見た場合は９０°より大きくなる。従来、この２つの要因のために斜め方向では漏れ光が生じ、コントラストが低下するという問題があった。図９に示す構成の本発明の液晶表示装置では、液晶層７の光学特性との関係で、特定の条件を満たした光学特性を有する光学補償フイルム１５及び１９を用いることによって、黒表示時の斜め方向における光漏れを軽減させ、コントラストを改善している。

本発明の液晶表示装置は、図８に示す構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶セルと偏光膜との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置することができる。

本発明の液晶表示装置には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。本発明は、ＴＦＴやＭＩＭのような３端子または２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置に適用した態様が特に有効である。勿論、時分割駆動と呼ばれるＳＴＮ型に代表されるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様も有効である。

以下、本発明の液晶表示装置に使用可能な他の種々の部材に用いられる材料、その製造方法等について説明する。
［偏光板］
本発明では、偏光膜と該偏光膜を挟持する一対の保護膜とからなる偏光板を用いることができる。例えば、ポリビニルアルコールフイルム等からなる偏光膜をヨウ素にて染色し、延伸を行い、その両面を保護フイルムにて積層して得られる偏光板を用いることができる。該偏光板は液晶セルの外側に配置される。偏光膜と該偏光膜を挟持する一対の保護膜とからなる一対の偏光板を、液晶セルを挟持して配置するのが好ましい。

《保護膜》
本発明に使用可能な偏光板は、偏光膜の両面に一対の保護膜（保護フイルムともいう）を積層したものであってもよい。保護膜の種類は特に限定されず、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースプロピオネート等のセルロースエステル類、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエステル等を用いることができる。上記した様に、光学補償フイルムとしての光学特性を満足する高分子フイルムを用い、光学補償フイルムと保護膜の双方の機能を持たせることもできる。

保護膜は、通常、ロール形態で供給され、長尺の偏光膜に対して、長手方向が一致するようにして連続して貼り合わされることが好ましい。ここで、保護膜の配向軸（遅相軸）は何れの方向であってもよく、操作上の簡便性から、保護膜の配向軸は、長手方向に平行であることが好ましい。

偏光膜を挟持する保護膜は、膜面の平均屈折率が最大となる方向と実質的に一致する遅相軸を有するものを用いてもよい。即ち、少なくとも一方の保護膜は、それぞれ互いに直交するｘ、ｙおよびｚ軸方向に３つの平均屈折率ｎｘ、ｎｙおよびｎｚを有し、面内の平均屈折率をｎｘおよびｎｙ、厚さ方向平均屈折率をｎｚとしたとき、ｎｘ、ｎｙ＝ｎｚ、ｎｘ＞ｎｙの関係が成立するフイルム；ｎｘ＝ｎｙ、ｎｚ、ｎｘ＞ｎｚが成立するフイルムなどからなる。前述した様に、保護膜に光学補償能を付与する場合は、可視光領域の波長４５０ｎｍにおけるＲｅとＲｔｈの比であるＲｅ／Ｒｔｈ（４５０ｎｍ）が、波長５５０ｎｍにおけるＲｅ／Ｒｔｈ（５５０ｎｍ）の０．４〜０．９５倍であり、且つ波長６５０ｎｍにおけるＲｅ／Ｒｔｈ（６５０ｎｍ）が、波長５５０ｎｍにおけるＲｅ／Ｒｔｈ（５５０ｎｍ）の１．０５〜１．９倍であるのが好ましく、波長５５０ｎｍにおける厚さ方向のレターデーションＲｔｈが、７０ｎｍ〜４００ｎｍであることが好ましい。

一方、保護膜に光学補償フイルムとして機能させない態様では、透明保護膜のレターデーションは低いことが好ましく、偏光膜の吸収軸と透明保護膜の配向軸が平行でない態様では、特に透明保護膜のレターデーション値が一定値以上であると、偏光軸と透明保護膜の配向軸（遅相軸）が斜めにずれているため、直線偏光が楕円偏光に変化し、好ましくないとされている。従って、透明保護膜のレターデーションは、例えば６３２．８ｎｍにおいて１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がさらに好ましい。レターデーションの低い高分子フイルムとしては、セルローストリアセテート、ゼオネックス、ゼオノア（共に日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ（株）製）のようなポリオレフィン類が好ましく用いられる。その他、例えば特開平８−１１０４０２号公報又は特開平１１−２９３１１６号公報に記載されているような非複屈折性光学樹脂材料が挙げられる。本態様において、支持体と、該支持体上に液晶性化合物からなる光学異方性層とからなる積層体を、光補償層として利用する場合は、保護膜が光学異方性層の支持体を兼ねていてもよい。

保護膜と偏光膜とを貼り合す際には、少なくとも一方の保護膜（液晶表示装置に組み込まれる際に液晶セルに近い側に配置される保護膜）の遅相軸（配向軸）と、前記偏光膜の吸収軸（延伸軸）とが交差する様に、保護膜と偏光膜とを積層するのが好ましい。具体的には、偏光膜の吸収軸と前記保護膜の遅相軸との角度は、好ましくは１０°〜９０°、より好ましくは２０°〜７０゜、更に好ましくは４０°〜５０゜、特に好ましくは４３〜４７゜である。他方の保護膜の遅相軸と偏光膜の吸収軸の角度については、特に限定されず、偏光板の目的に応じて適宜設定できるが、上記範囲であるのが好ましく、一対の保護膜の遅相軸が一致しているのが好ましい。

なお、保護膜の遅相軸と偏光膜の吸収軸が互いに平行であると、偏光板の寸法変化やカール防止といった偏光板の機械的安定性を向上させることができる。偏光膜および一対の保護膜の合計３つのフイルムの少なくとも２つの軸、一方の保護膜の遅相軸と偏光膜吸収軸、あるいは２枚の保護フイルムの遅相軸などが実質的に平行であれば同じ効果が得られる。

《接着剤》
偏光膜と保護膜との接着剤は特に限定されないが、ＰＶＡ系樹脂（アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等の変性ＰＶＡを含む）やホウ素化合物水溶液等が挙げられ、中でもＰＶＡ系樹脂が好ましい。接着剤層厚みは乾燥後に０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０５〜５μｍが特に好ましい。

《偏光膜と透明保護膜の一貫製造工程》
本発明に使用可能な偏光板は、偏光膜用フイルムを延伸後、収縮させ揮発分率を低下させる乾燥工程を有するが、乾燥後もしくは乾燥中に少なくとも片面に透明保護膜を貼り合わせた後、後加熱工程を有することが好ましい。前記透明保護膜が、光学補償フイルムとして機能する光学異方性層の支持体を兼ねている態様では、片面に透明保護膜、反対側に光学異方性層を有する透明支持体を貼り合わせた後、後加熱するのが好ましい。具体的な貼り付け方法として、フイルムの乾燥工程中、両端を保持した状態で接着剤を用いて偏光膜に透明保護膜を貼り付け、その後両端を耳きりする、もしくは乾燥後、両端保持部から偏光膜用フイルムを解除し、フイルム両端を耳きりした後、透明保護膜を貼り付けるなどの方法がある。耳きりの方法としては、刃物などのカッターで切る方法、レーザーを用いる方法など、一般的な技術を用いることができる。貼り合わせた後に、接着剤を乾燥させるため、および偏光性能を良化させるために、加熱することが好ましい。加熱の条件としては、接着剤により異なるが、水系の場合は、３０℃以上が好ましく、さらに好ましくは４０℃〜１００℃、さらに好ましくは５０℃〜９０℃である。これらの工程は一貫のラインで製造されることが、性能上及び生産効率上更に好ましい。

《偏光板の性能》
本発明に関連する透明保護膜、偏光子、透明支持体からなる偏光板の光学的性質及び耐久性（短期、長期での保存性）は、市販のスーパーハイコントラスト品（例えば、株式会社サンリッツ社製ＨＬＣ２−５６１８等）同等以上の性能を有することが好ましい。具体的には、可視光透過率が４２．５％以上で、偏光度｛（Ｔｐ−Ｔｃ）／（Ｔｐ＋Ｔｃ）｝１／２≧０．９９９５（但し、Ｔｐは平行透過率、Ｔｃは直交透過率）であり、６０℃、湿度９０％ＲＨ雰囲気下に５００時間および８０℃、ドライ雰囲気下に５００時間放置した場合のその前後における光透過率の変化率が絶対値に基づいて３％以下、更には１％以下、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。

［例１］
図９に示した構成と同様の構成の液晶表示装置を作製した。即ち、観察方向（上）から上側偏光板（保護膜（不図示）、偏光膜１１、保護膜１３）、光学補償フイルム１５（保護膜１３を兼ねている）、液晶セル（上基板１６、液晶層１７、下基板１８）、光学補償フイルム１９（保護膜１０３を兼ねている）、下偏光板（偏光膜１０１、保護膜（不図示））を積層し、さらにバックライト光源（不図示）を配置した構成の液晶表示装置について、光学シミュレーションを実施し、効果の確認を行った。光学計算には、シンテック社製のＬＣＤ Ｍａｓｔｅｒ Ｖｅｒ６．０８を用いた。液晶セルや電極、基板、偏光板等は、液晶ディスプレイ用に従来から用いられている材料の値をそのまま使用した。液晶材料には負の誘電率異方性を有する液晶材料でΔε＝−４．２を用いた。液晶セルの配向はプレチルト角８９．９度でほぼ垂直配向とし、基板のセルギャップを３．６ミクロンとし、液晶のレターデーション（即ち、記液晶層の厚さｄ（ミクロン）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄ）は、波長４５０ｎｍで３１８ｎｍ、波長５５０ｎｍで３００ｎｍ、波長６５０ｎｍで２９５ｎｍとした。光学補償フイルム１５及び１９の各波長におけるＲｅ及びＲｔｈの値は、表１にそれぞれ示した値に設定した。光源にはＬＣＤ Ｍａｓｔｅｒに付属のＣ光源を用いた。
なお、図９の構成の液晶表示装置では、バックライトと観測者との関係が上下入れ替わっても全く同様の結果が得られる。

また、比較例として、光学補償フイルム１５及び１９として、Ｒｅ及びＲｔｈの値が、波長によらず一定とした以外は、上記と全く同様の構成の液晶表示装置についても同様に光学シミュレーションを実施した。なお、従来の光学補償技術は、光学補償フイルムのＲｅ及びＲｔｈの波長分散を考慮していないので、この比較例は、従来技術と見なすことができる。

＜液晶表示装置の漏れ光の測定＞
上記値を用いて光学シミュレーションし、漏れ光を算出した結果を表１に示す。表１中、液晶表示装置Ｎｏ．１は、上記比較例のシミュレーション結果であり、液晶表示装置Ｎｏ．２〜６は実施例のシミュレーション結果である。

表１：方位角４５°、極角６０°方向視野角における黒表示透過率（％）

表１に示した結果から、波長４５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．７０７のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０５６〜０．１１３であり、且つＲｔｈ／λが０．２９１〜０．３２９であり、波長６５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．４５４のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０８９〜０．１２９であり、且つＲｔｈ／λが０．１６５〜０．１８９である、本発明の実施例の液晶表紙装置Ｎｏ．２〜Ｎｏ．６は、比較例である液晶表示装置Ｎｏ．１と比較していずれも、極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。表１の結果から、波長４５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０７３、Ｒｔｈ／λ＝０．３１１、波長５５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０９５、Ｒｔｈ／λ＝０．２３３、波長６５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１０８、Ｒｔｈ／λ＝０．１７７、のとき、透過率が最小になることが理解できる。
表１に示したシミュレーション結果から、上記式（Ｉ）〜（IV）を満足する液晶表示装置Ｎｏ．２〜６は、満足していない液晶表示装置Ｎｏ．１と比較して、いずれも極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。

［例２］
液晶層のレターデーションの値を、波長４５０ｎｍで３７１ｎｍ、波長５５０ｎｍで３５０ｎｍ、波長６５０ｎｍで３４４ｎｍに変更した以外は、例２と同様の条件で液晶表示装置の光学特性をＬＣＤ Ｍａｓｔｅｒにより計算して求めた。なお、光学補償フイルム１５及び１９のＲｅ及びＲｔｈは、表２に示す通りである。
また、比較例として、光学補償フイルム１５及び１９として、Ｒｅ及びＲｔｈの値が、波長によらず一定とした以外は、上記と全く同様の構成の液晶表示装置についても同様に光学シミュレーションを実施した。なお、従来の光学補償技術は、光学補償フイルムのＲｅ及びＲｔｈの波長分散を考慮していないので、この比較例は、従来技術と見なすことができる。

＜液晶表示装置の漏れ光の測定＞
上記値を用いて光学シミュレーションし、漏れ光を算出した結果を表２に示す。表２中、液晶表示装置Ｎｏ．７は、上記比較例のシミュレーション結果であり、液晶表示装置Ｎｏ．８〜１２は実施例のシミュレーション結果である。

表２：方位角４５°、極角６０°方向視野角における黒表示透過率（％）

表２に示した結果から、波長４５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．８２４のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０４４〜０．０８９であり、且つＲｔｈ／λが０．３５５〜０．４０５であり、波長６５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．５２９のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０７８〜０．１１５であり且つＲｔｈ／λが０．２１６〜０．２３３である、本発明の実施例の液晶表紙装置Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１２は、比較例である液晶表示装置Ｎｏ．７と比較していずれも、極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。表２に示した結果から、波長４５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０６７、Ｒｔｈ／λ＝０．３８、波長５５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０８２、Ｒｔｈ／λ＝０．２８、波長６５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０９７、Ｒｔｈ／λ＝０．２２５、のとき、透過率が最小になることが理解できる。
表２に示したシミュレーション結果から、上記式（Ｉ）〜（IV）を満足する液晶表示装置Ｎｏ．８〜１２は、満足していない液晶表示装置Ｎｏ．７と比較して、いずれも極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。

［例３］
図９に示す構成の液晶表示装置の光学特性をＬＣＤ Ｍａｓｔｅｒにより計算して求めた。ただし、例３では、光学フイルム１５は使用しなかった。すなわち、観察方向（上）から上側偏光板（保護膜（不図示）、偏光膜１１、保護膜１３）、液晶セル（上基板１６、液晶層１７、下基板１８）、光学補償フイルム１９（保護膜１０３を兼ねている）、下偏光板（、偏光膜１０１、保護膜（不図示））を積層し、さらにバックライト光源（不図示）を配置した。なお、光学補償フイルム１９のＲｅ及びＲｔｈは、表３に示す通りである。また、上側偏光板の保護膜３のＲｔｈは３８ｎｍ、Ｒｅは０ｎｍとした。なお、例３では光学補償フイルムはバックライト側にあるが、バックライトと観測者との関係を入れ替えても全く同様の結果が得られる。その他は例１と同様の条件である。
また、比較例として、光学補償フイルム１９として、Ｒｅ及びＲｔｈの値が、波長によらず一定とした以外は、上記と全く同様の構成の液晶表示装置についても同様に光学シミュレーションを実施した。なお、従来の光学補償技術は、光学補償フイルムのＲｅ及びＲｔｈの波長分散を考慮していないので、この比較例は、従来技術と見なすことができる。

＜液晶表示装置の漏れ光の測定＞
上記値を用いて光学シミュレーションし、漏れ光を算出した結果を表３に示す。表３中、液晶表示装置Ｎｏ．１３は、上記比較例のシミュレーション結果であり、液晶表示装置Ｎｏ．１４〜１８は実施例のシミュレーション結果である。

表３：方位角４５°、極角６０°方向視野角における黒表示透過率（％）

表３に示した結果から、波長４５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．７０７のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０８２〜０．１３３であり、且つＲｔｈ／λが０．５１３〜０．５３１であり、波長６５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．４５４のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．１２３〜０．１６３であり、且つＲｔｈ／λが０．３３２〜０．３５７である、本発明の実施例の液晶表紙装置Ｎｏ．１４〜Ｎｏ．１８は、比較例である液晶表示装置Ｎｏ．１３と比較していずれも、極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。表３の結果から、波長４５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１０７、Ｒｔｈ／λ＝０．５４、波長５５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１２５、Ｒｔｈ／λ＝０．４２４、波長６５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１４６、Ｒｔｈ／λ＝０．３５１、のとき、透過率が最小になることが理解できる。
表３に示したシミュレーション結果から、上記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する液晶表示装置Ｎｏ．１４〜１８は、満足していない液晶表示装置Ｎｏ．１３と比較して、いずれも極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。

［例４］
液晶層のレターデーションの値を、波長４５０ｎｍで３７１ｎｍ、波長５５０ｎｍで３５０ｎｍ、波長６５０ｎｍで３４４ｎｍに変更した以外は、例３と同様の条件で液晶表示装置の光学特性をＬＣＤ Ｍａｓｔｅｒにより計算して求めた。なお、光学補償フイルム９のＲｅ及びＲｔｈは、表４に示す通りである。
また、比較例として、光学補償フイルム１９として、Ｒｅ及びＲｔｈの値が、波長によらず一定とした以外は、上記と全く同様の構成の液晶表示装置についても同様に光学シミュレーションを実施した。なお、従来の光学補償技術は、光学補償フイルムのＲｅ及びＲｔｈの波長分散を考慮していないので、この比較例は、従来技術と見なすことができる。

＜液晶表示装置の漏れ光の測定＞
上記値を用いて光学シミュレーションし、漏れ光を算出した結果を表４に示す。表４中、液晶表示装置Ｎｏ．１９は、上記比較例のシミュレーション結果であり、液晶表示装置Ｎｏ．２０〜２４は実施例のシミュレーション結果である。

表４：方位角４５°、極角６０°方向視野角における黒表示透過率（％）

表４に示した結果から、波長４５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．８２４のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０５９〜０．１１５であり、且つＲｔｈ／λが０．６３４〜０．６９であり、波長６５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．５２９のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０９９〜０．１４１であり、且つＲｔｈ／λが０．４１６〜０．４２７である、本発明の実施例の液晶表紙装置Ｎｏ．２０〜Ｎｏ．２４は、比較例である液晶表示装置Ｎｏ．１９と比較していずれも、極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。表１の結果から、波長４５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０８７、Ｒｔｈ／λ＝０．６６２、波長５５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１０５、Ｒｔｈ／λ＝０．５０７、波長６５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１２、Ｒｔｈ／λ＝０．４２２、のとき、透過率が最小になることが理解できる。
表４に示したシミュレーション結果から、上記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する液晶表示装置Ｎｏ．２０〜２４は、満足していない液晶表示装置Ｎｏ．１９と比較して、いずれも極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。

［例５］
図８に示す構成の液晶表示装置の液晶表示装置の光学特性をＬＣＤ Ｍａｓｔｅｒにより計算して求めた。例５では光学補償フイルム１５を使用していない。観察方向（上）から上側偏光板（保護膜（不図示）、偏光膜１１、）、液晶セル（上基板１６、液晶層１７、下基板１８）、光学補償フイルム１９（保護膜１０３を兼ねている）、下偏光板（偏光膜１０１、保護膜（不図示））を積層し、さらにバックライト光源（不図示）を配置した。なお、光学補償フイルム１９のＲｅ及びＲｔｈは、表５に示す通りである。それ以外の部材は、例１と同様であるが、上側偏光板の保護膜３は、レターデーションが非常に小さいフイルムであり、そのＲｔｈ、Ｒｅはほぼ０ｎｍとした。
また、比較例として、光学補償フイルム１９として、Ｒｅ及びＲｔｈの値が、波長によらず一定とした以外は、上記と全く同様の構成の液晶表示装置についても同様に光学シミュレーションを実施した。なお、従来の光学補償技術は、光学補償フイルムのＲｅ及びＲｔｈの波長分散を考慮していないので、この比較例は、従来技術と見なすことができる。
＜液晶表示装置の漏れ光の測定＞
上記値を用いて光学シミュレーションし、漏れ光を算出した結果を表５に示す。表５中、液晶表示装置Ｎｏ．２５は、上記比較例のシミュレーション結果であり、液晶表示装置Ｎｏ．２６〜３０は実施例のシミュレーション結果である。

表５：方位角４５°、極角６０°方向視野角における黒表示透過率（％）

表５に示した結果から、波長４５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．７０７のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０６７〜０．１１６であり、且つＲｔｈ／λが０．６２４〜０．６６９であり、波長６５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．４５４のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０９８〜０．１４２であり、且つＲｔｈ／λが０．４１１〜０．４２２である、本発明の実施例の液晶表紙装置Ｎｏ．２６〜Ｎｏ．３０は、比較例である液晶表示装置Ｎｏ．２５と比較していずれも、極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。表１の結果から、波長４５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０８９、Ｒｔｈ／λ＝０．６５１、波長５５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１０４、Ｒｔｈ／λ＝０．５、波長６５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１２、Ｒｔｈ／λ＝０．４１５、のとき、透過率が最小になることが理解できる。
表５に示したシミュレーション結果から、上記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する液晶表示装置Ｎｏ．２６〜３０は、満足していない液晶表示装置Ｎｏ．２５と比較して、いずれも極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。

［例６］
液晶層のレターデーションの値を、波長４５０ｎｍで３７１ｎｍ、波長５５０ｎｍで３５０ｎｍ、波長６５０ｎｍで３４４ｎｍに変更した以外は、例５と同様の条件で液晶表示装置の光学特性をＬＣＤ Ｍａｓｔｅｒにより計算して求めた。なお、光学補償フイルム１９のＲｅ及びＲｔｈは、表６に示す通りである。
また、比較例として、光学補償フイルム１９として、Ｒｅ及びＲｔｈの値が、波長によらず一定とした以外は、上記と全く同様の構成の液晶表示装置についても同様に光学シミュレーションを実施した。なお、従来の光学補償技術は、光学補償フイルムのＲｅ及びＲｔｈの波長分散を考慮していないので、この比較例は、従来技術と見なすことができる。
＜液晶表示装置の漏れ光の測定＞
上記値を用いて光学シミュレーションし、漏れ光を算出した結果を表６に示す。表６中、液晶表示装置Ｎｏ．３１は、上記比較例のシミュレーション結果であり、液晶表示装置Ｎｏ．３２〜３６は実施例のシミュレーション結果である。

表６：方位角４５°、極角６０°方向視野角における黒表示透過率（％）

表６に示した結果から、波長４５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．８２４のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０５７〜０．１０４であり、且つＲｔｈ／λが０．７３〜０．７９であり、波長６５０ｎｍにおいて液晶のΔｎｄ／λ＝０．５２９のとき光学補償フイルムのＲｅ／λが０．０８９〜０．１２６であり、且つＲｔｈ／λが０．４８３〜０．４９３である、本発明の実施例の液晶表紙装置Ｎｏ．３２〜Ｎｏ．３６は、比較例である液晶表示装置Ｎｏ．３１と比較していずれも、極角６０°における黒表示時の透過率が低く、且つ正面との色ずれも小さいことがわかる。表６の結果から、波長４５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０８、Ｒｔｈ／λ＝０．７６、波長５５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．０９５、Ｒｔｈ／λ＝０．５８５、波長６５０ｎｍにおいてＲｅ／λ＝０．１０７、Ｒｔｈ／λ＝０．４８８、のとき、透過率が最小になることが理解できる。
表６に示したシミュレーション結果から、上記式（Ｖ）〜（VIII）を満足する液晶表示装置Ｎｏ．３２〜３６は、満足していない液晶表示装置Ｎｏ．３１と比較して、いずれも極角６０°における黒表示時の透過率が小さいことがわかる。

従来のＶＡモードの液晶表示装置の構成例を説明する概略模式図である。 従来のＶＡモードの液晶表示装置の構成例を説明する概略模式図である。 本発明の液晶表示装置の一態様の構成例を説明する概略模式図である。 本発明の液晶表示装置の他の態様の構成例を説明する概略模式図である。 本発明に用いられる光学補償フイルムの一例についての光学特性を示すグラフである。 本発明の液晶表示装置の一例における入射光の偏光状態の変化を説明するために用いたポアンカレ球の概略図である。 本発明の液晶表示装置の他の例における入射光の偏光状態の変化を説明するために用いたポアンカレ球の概略図である。 本発明の液晶表示装置の他の例における入射光の偏光状態の変化を説明するために用いたポアンカレ球の概略図である。 本発明の液晶表示装置の一例を示す概略模式図である。

符号の説明

１ 偏光板
２ 偏光板
３ 液晶セル
４，５，６ 光学補償フイルム
１１、１０１ 偏光膜
１２、１０２ 吸収軸
１３、１０３ 保護膜
１３ａ、１０３ａ 面内遅相軸
１５、１９ 光学補償フイルム
１５ａ、１９ａ 面内遅相軸
１６、１８ 基板
１７ 液晶性分子

Claims (3)

1. 少なくとも一方に電極を有する対向配置された一対の基板と、該一対の基板間に挟持され、ネマチック液晶材料を含み、黒表示時に該ネマチック液晶材料の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して略垂直に配向する液晶層とを有する液晶セル、該液晶セルを挟持して配置された第一及び第二の偏光膜、及び前記液晶層と第一及び第二の偏光膜との間に、光学補償フイルムをそれぞれ有する液晶表示装置であって、
   前記液晶層の厚さをｄ（単位：ｎｍ）、波長λ（単位：ｎｍ）における屈折率異方性をΔｎ（λ）とし、前記光学補償フイルムの波長λにおける面内のレターデーションをＲｅ（λ）、波長λにおける厚さ方向のレターデーションをＲｔｈ（λ）とする場合、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの間の少なくとも２つの異なる波長において、下記式（Ｉ）〜（IV）を満足し、
   （Ｉ）２００≦Δｎ（λ）×ｄ≦１０００、
   （II）Ｒｔｈ（λ）／λ＝Ａ×Δｎ（λ）×ｄ／λ＋Ｂ、
   （III）Ｒｅ（λ）／λ＝Ｃ×λ／｛Δｎ（λ）×ｄ｝＋Ｄ
   （IV）０．４８８≦Ａ≦０．５６、
   かつ Ｂ＝−０．０５６７、
   かつ −０．０４１≦Ｃ≦０．０１６、
   かつ Ｄ＝０．０９３９；
   Ｒｅ（λ）／λが０．０６〜０．０９であり、及び
   Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）を満足するであって、
   前記光学補償フイルムの面内の遅相軸と、前記第一及び第二の偏光膜のうち前記光学補償フイルムのより近くに位置する偏光膜の透過軸とが、実質的に平行である液晶表示装置。
2. ５０ｎｍ以上の差がある少なくとも２つの波長において、前記式（Ｉ）〜（ＩＶ）を満足する請求項１に記載の液晶表示装置。
3. ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍのすべての波長において、前記式（Ｉ）〜（IV）を満足する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。

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