[go: up one dir, main page]

JP4519955B2 - テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物 - Google Patents

テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP4519955B2
JP4519955B2 JP24119398A JP24119398A JP4519955B2 JP 4519955 B2 JP4519955 B2 JP 4519955B2 JP 24119398 A JP24119398 A JP 24119398A JP 24119398 A JP24119398 A JP 24119398A JP 4519955 B2 JP4519955 B2 JP 4519955B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dianion
trichlorosilane
containing compound
formula
pedeta
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP24119398A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11171528A (ja
Inventor
レイモンド ボードジョウク フィリップ
キュ キム ビオン
ペリー レミントン ミッチェル
チャウハン バヌ
Original Assignee
エヌディーエスユー リサーチ ファンデイション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/050,141 external-priority patent/US5942637A/en
Application filed by エヌディーエスユー リサーチ ファンデイション filed Critical エヌディーエスユー リサーチ ファンデイション
Publication of JPH11171528A publication Critical patent/JPH11171528A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4519955B2 publication Critical patent/JP4519955B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/025Silicon compounds without C-silicon linkages

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物、及びトリクロロシランのアミン促進カップリング反応による該化合物の製造法に関する。また、本発明は、シクロヘキサシラン及びドデカオルガノシクロヘキサシランの製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ハロシランのウルツ型カップリングがポリシランへの有用な合成ルートを与えることは、技術的に周知である。例えば、線状ポリシランはジクロロオルガノシランのアルカリ金属還元カップリングによって製造され、分枝ポリシランはトリクロロオルガノシランの還元カップリングによって製造される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、シランのアミン促進カップリング反応の限定された数のみしか知られていない。これらの反応は、一般にポリシランの製造には有用でない。例えば、Kaczmarczykらは、反応条件に依存して、トリメチルアミンの共存下で六塩化二ケイ素の不均化をしてヘキサシリコン・テトラデカクロリド(J.Amer.Chem.Soc.82,751,1960)又はペンタシリコン・ドデカクロリド(J.Inorg.Nucl.Chem.17,186−188,1961)の生成法を開示している。Wiberらは、ヘキサシリコン・テトラデカクロリドの製造のためにKaczmarczykらによって記載された反応条件を改良して、六塩化二ケイ素をトリメチルアミンでの処理によるペンタシリコン・ドデカクロリドの合成を教示している(Angew.Chem.Int.Ed.1,No.9,517,1962).我々は、テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物を生成するトリクロロシランのアミン促進カップリング反応を発見した。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物、及びその製造法に関する。該方法は、(A)トリクロロシランに第三級ポリアミンから成る試薬組成物を接触させる工程;及び(B)テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物を回収する工程から成る。
【0005】
本発明は、さらにテトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物に金属水素化物還元剤を接触させる工程から成るシクロヘキサシランの製造法に関する。
【0006】
また、本製造法は、Henggeらによって報告されている従来の方法にくらベて少ない工程で無定形シリコン膜の蒸着に有用な化合物であるシクロヘキサシランを生成する(Angew.Chem.Int.Ed.16,No.6,403,1997)。その上、シクロヘキサシランを製造する我々の方法は、従来の合成法におけるドデカフェニルシクロヘキサシラン中間体の単離に伴う困難を排除する。
【0007】
さらに、本発明は、テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物に、式RMgX(式中のRはアルキル又はアリールであり、Xはクロロ、ブロモ又はヨードである)を有する試薬を接触させる工程から成るドデカオルガノシクロヘキサシランの製造法に関する。
【0008】
本願における用語「ペデタ(pedeta)」はN、N、N´、N´´、N´´−ペンタエチルジエチレントリアミンを表わし、用語「テーダ(teeda)」はN、N、N´、N´−テトラエチルエチレンジアミンを表わす。
【0009】
本発明の化合物は、テトラデカクロロシクロヘキサシラン、ジアニオンを含有する。その化合物における対イオンは、テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンと安定な塩を形成するカチオンにすることができる。そのテトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物は、式[X+1[SiCl14 −2](式中のXはペデタ・SiHCl又はPhPであり、ペデタは前記定義の通りである)をもつことが望ましい。
【0010】
本発明の化合物は、トリクロロシランに第三級ポリアミンから成る試薬組成物を接触させ、次にテトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物を回収することによって製造される。その第三級ポリアミンは、少なくとも2つの第三級窒素原子、望ましくは2又は3つの第三級窒素原子を含有する。適当な第三級ポリアミンは、エチレンジアミン及びジエチレントリアミンの窒素置換誘導体(置換基は炭素原子数が1〜4のアルキル又はアリールである)を含む。
【0011】
本発明の好適実施態様におけるトリクロロシランはペデタと接触される、式 [ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2]を有するその化合物は次にその混合物から回収される。別の好適実施態様におけるトリクロロシランはテーダと塩化トリフェニルホスホニウムとの混合物と接触される、式[Ph+1[SiCl14 −2]を有するその化合物は次にその混合物から回収される。
【0012】
そのトリクロロシランは、クロロシラン別の反応物とを接触させるのに適当な標準反応容器内で試薬組成物と接触される。その反応器は、例えば、連続攪拌バッチ式反応器、半バッチ式反応器、又は連続式反応器である。本法は、実質的に無水条件下で行うことが望ましい。これは、反応器に窒素やアルゴンのような乾燥不活性ガスをパージして、反応器にかかるガスのブランケットを維持することによって容易にできる。
【0013】
テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物は希釈剤の不在下で調製されるが、トリクロロシランに試薬組成物を接触させる工程は有機溶媒の共存下で行うのが望ましい。テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアミンを生成するトリクロロシランのカップリング反応を妨げない有機溶媒又は有機溶媒の混合体が適当である。有機溶媒はクロロホルム、ジクロロメタン及び1、2−ジクロロエタンのような塩素化炭化水素が望ましいが、ジクロロメタンがさらに望ましい。存在時の有機溶媒の体積は、典型的にトリクロロシランと試薬組成物の合計体積の0.01〜100倍、望ましくは1〜10倍である。
【0014】
トリクロロシランは、典型的に試薬組成物と0〜120℃の温度で接触させる。高圧か又は還流条件下高沸点溶媒中ではさらに高温にできる。トリクロロシランは試薬組成物と15〜30℃の温度で接触させることが望ましい。
【0015】
トリクロロシランと試薬組成物とのモル比は広範囲に及ぶ。望ましい化合物、[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2]の調製におけるトリクロロシランとペデタとのモル比は、普通0.1:1〜10:1、望ましくは2:1〜4:1である。好適な化合物[Ph+1[SiCl14 −2]の調製におけるトリクロロシランとテーダとPh4PClとのモル比は普通は20:20:1〜1:1:1、望ましくは10:7:1〜2:2:1である。
【0016】
テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物は、結晶化又は析出によって反応混合物から回収する。例えば、テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物の回収は、化合物の結晶化をさせる十分な量の有機溶媒を添加することによって行う。結晶化は室温以下、例えば、−20℃で生じる。また、テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物は、化合物の析出をさせる十分な量の有機溶媒を添加することによって回収される。
反応混合物からテトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物の結晶化をさせ、かつ回収される化合物と反応しない有機溶媒または該溶媒の混合体が本法に有用である。適当な有機溶媒の例は、ペンタン、ヘキサン、ペプタン、オクタン及びノナンのような炭化水素;またはジエチルエーテル及びテトラヒドロフランのようなエーテルを含む。本発明の化合物の結晶化または析出をさせるのに使用される有機溶媒はペンタン、ヘキサン・ヘプタン、オクタン又はノナンが望ましいが、ペンタンがより望ましい。
【0017】
テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンはその後クロロヘキサシランに化学還元される。この還元反応は、有機溶媒中、−110〜150℃の温度でテトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物を金属水素化物還元剤と接触させることによって行われる。テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物は、式[X+1[SiCl14 −2](式中のXは前記定義の通りである)をもつことが望ましい。また、還元剤は水素化リチウムアルミニウム又は水素化ジイソブチルアルミニウムが望ましい。
【0018】
テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンは、グリニャール試薬と接触させてトデカオルガノシクロヘキサシランを形成させることもできる。グリニャール試薬は、式RMgX(式中のRはアルキル又はアリールであり、Xはクロロ、ブロモ又はヨードである)で表される。適当なR基はメチル、エチル、プロピル、t−ブチル及びペンチルである。テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物は、式[X+1[SiCl14 −2](式中のXは前記定義の通りである)をもつことが望ましい。テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物とグリニャール試薬との反応は、クロロシランとグリニャール試薬を反応させる既知の標準法で便利に行われる。
【0019】
【実施例】
反応は全て乾燥窒素のブランケット下のガラスフラスコ内で行った。トリクロロシランは使用前に蒸留した。用語「ペデタ(pedeta)」で表わすN、N、N´、N´´、N´´−ペンタエチルジエチレントリアミンは窒素雰囲気下でナトリウム金属から蒸留した。
用語テーダ(teeda)で表わすN、N、N´、N´−テトラエチルエチレンジアミンは、CaH上で還流し、次に窒素雰囲気下で蒸留した。ジクロロメタンは、使用直前に窒素雰囲気下でPから蒸留した。材料は、注射器によってゴム隔膜を通してフラスコに添加した。
【0020】
実施例1
この実施例は、「ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2]の調製を示す。ペデタ(4.0g;16mmol)のジクロロメタン(50ml)透明無色溶液にトリクロロシラン(5.52g;41.0mmol)を乾燥窒素ガスの雰囲気下で添加した。添加時に反応容器の内容物が少し温まった。室温で24時間攪拌後、その反応混合物にオレフィンを含まない乾燥ヘキサン(10ml)を添加した。その混合物は室温で3日間放置した、その時間中に白色の結晶が溶液から析出した。窒素雰囲気下のろ過によって結晶(1.8g,1.4mmol)を単離した。その反応は、HNMRで測定して出発材料の95%以上の転化率で進行した。IR(KBr)2202cm−1;mp102〜103℃;[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2]の計算した元素分析値C,26.22;H,5.50;N,6.55;実測値:C,26.20;H,5.47;N,6.49。
【0021】
元素分析、赤外分光及びX−線分析は、これらの結晶が式[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2]をもつ塩であることを確認した。その塩は、2つの同一カチオン部(Si原子がペデタからの3つの窒素原子に六配位される)、2つの水素原子及び1つの塩素原子から成る。その2つの水素原子は、軸位置を占め、4つの赤道位置が3つの窒素原子と塩素原子によって占めれている。その塩のジアニオン部において、6つのケイ素原子が平らな六員環を形成する。14個の塩素原子は2種類から成り:6個のSi原子の各々に対で結合した12個の等塩素原子の組と、六員環の六重軸に配置された2つの塩素原子の組から成る。SiCl14 −2の構造は図1に示す。1オングストロムの化学国際単位転換は0.1nmである。
【0022】
図1は、X−回折法によって測定したテトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンSiCl14 −2の分子構造を示す。
【0023】
実施例2
この実施例は、[Ph+1[SiCl14 −2]の調製を示す。テ−ダ(3.4g;20mmol)と塩化テトラフェニルホスホニウム(5.0g、13mmol)のジクロロメタン(50ml)の透明無色溶液にトリクロロシラン(5.4g;39mmol)を乾燥窒素ガスの雰囲気下で添加した。添加時に反応容器の内容物が少し温まった。室温24時間攪拌後、その反応混合物にオレフィンを含まない乾燥ヘキサン(10ml)を添加した。その混合物は室温で3日間放置した、その時間中に白色の結晶が溶液から析出した。窒素雰囲気下のろ過によって結晶(0.7g、0.52mmol)を単離した。その反応は、HNMRで測定したが、出発材料の95%以上の転化率で進行した。元素分析、赤外分光及びX−線分析は、これらの結晶が式「Ph+1[SiCl14 −2]をもつ塩であることを確認した。IR(KBr)3110,cm−1;mp(分解)250℃;[Ph+1[SiCl14 −2]の計算した元素分析値:C,42.91;H,3.00;実測値:C,43.89;H,3.20。
【0024】
実施例3
この実施例は、[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2]と水素化リチウムアルミニウムからシクロヘキサシランの調製を示す。[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2](7.31g,5.74mmol)と水素化リチウムアルミニウム(1.08g,28.5mmol)の混合物を電磁攪拌バーを含む乾燥、窒素充てん、丸底フラスコに入れた。ドライジエチルエ−テル(115mL)を添加して、生成したスラリーを3時間攪拌した、その間に反応はHNMRで測定したように完了した。反応の間中、SiHはガスとして生成し、水酸化カリウム脱ガス水溶液に捕捉された。その溶液は塩からデカントし、冷却し、ろ過して残留塩類を除去した。これらの操作は不活性ガス雰囲気下で行った。HNMR分光法による溶液の分析により、シクロヘキサシランが主Si含有生成物として80%以上の算出収率で生成することが解った。HNMR(270MHz,C)δ3.35,29SiNMR(C)δ−106.96;JSi−H=195Hz。
【0025】
実施例4
この実施例は、[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2]と水素化ジイソブチルアルミニウムからシクロヘキサシランの調製を示す。[ペデタSiHCl+1[SiCl14 −2](0.57g,0.44mmol)とベンゼン(20mL)の溶液を電磁攪拌バーを含む乾燥、窒素充てん、丸底フラスコに入れた。水素化ジイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液(1.0M溶液の7.12mL、7.12mmol)を添加した。HNMR分光法により測定したところ、90%以上の収率でシクロヘキサシランが生成された。HNMR(270MHz,C)δ3.33,29SiNMR(C)δ−107.55;JSi−H=200Hz。
【0026】
実施例5
この実施例は、[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2]からドデカメチルシクロヘキサシランの調製を示す。テトラヒドロフラン(15mL)と[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2](1.0g,0.78mmol)を電磁攪拌バーを含む乾燥、窒素充てん、丸底フラスコに入れた。この混合物に、臭化メチルマグネシウム(12.4mmol)を添加した。室温24時間攪拌後、反応混合物を加水分解させて、ヘキサンとエーテルで抽出した。混合抽出物を減圧下で濃縮した。残留物を高真空下で1晩排気して、ドテカメチルシクロヘキサシランを得た(0.23g,0.66mmol,85%収率)。HNMR(270MHz.C)δ0.22,13CNMR(C)δ−6.15;29SiNMR(C)δ−41.73。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、X−回折法によって測定したテトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンSiCl14 −2の分子構造を示す。

Claims (16)

  1. (A)トリクロロシランに第三級ポリアミンを含む試薬組成物を接触させる工程;及び
    (B)テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオンを含有する化合物を回収する工程;
    から成ることを特徴とする、テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物の製造法。
  2. 前記トリクロロシランに第三級ポリアミンを含む試薬組成物を接触させる工程が、有機溶媒の共存下で行われる請求項1記載の方法。
  3. 前記有機溶媒が、クロロホルム、ジクロロメタン及び1、2−ジクロロエタンから成る群から選択される請求項2記載の方法。
  4. 前記有機溶媒が、トリクロロシランと試薬組成物との合計体積の1〜10倍である請求項2記載の方法。
  5. 前記トリクロロシランに第三級ポリアミンを含む試薬組成物を接触させる工程が、0〜120℃の温度で行われる請求項2記載の方法。
  6. 前記テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物を回収する工程が、該化合物の晶出又は析出をさせる溶媒を添加することによって行われる請求項2記載の方法。
  7. 前記化合物の晶出有機溶媒が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン又はノナンである請求項6記載の方法。
  8. 前記試薬組成物がN、N、N′N′′、N′′−ペンタエチルジエチレントリアミンから成り、前記テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物が式[ペデタ・SiHCl+1[SiCl14 −2](ペデタはN、N、N′、N′′、N′′−ペンタエチルジエチレントリアミンである)を有する請求項1記載の方法。
  9. トリクロロシラン:N、N、N′N′′、N′′−ペンタエチルジエチレントリアミンのモル比が0:1〜10:1である請求項8記載の方法。
  10. 前記試薬組成物が、N、N、N´、N´−テトラエチルエチレンジアミンとテトラフェニルホスホニウム・クロリドの混合物から成り、前記テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物が式 [Ph+1][SiCl14 −2]を有する請求項1記載の方法。
  11. トリクロロシランとN、N、N´、N´−テトラエチルエチレンジアミンとテトラフェニルホスホニウム・クロリドとのモルが20:20:1〜1:1:1である請求項10記載の方法。
  12. テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物に金属水素化物還元剤を接触させる工程から成るシクロヘキサシランの製造法。
  13. 前記テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物が式[X+1[SiCl14 −2](式中のXはペデタ・SiHCl又はPhPであり、ペデタはN、N、N′、N′′、N′′−ペンタエチルジエチレントリアミンである)を有する請求項12記載の方法。
  14. 前記金属水素化物還元剤が、水素化リチウムアルミニウム又は水素化ジイソブチルアルミニウムである請求項12記載の方法。
  15. テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物に、式RMgX(式中のRはアルキル又はアリールであり、Xはクロロ、ブロモ又はヨードである)を有する試薬を接触させる工程から成るドデカオルガノシクロヘキサシランの製造法。
  16. 前記テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物が式[X+1[SiCl14 −2](式中のXはペデタ・SiHCl又はPhPである)を有し、ペデタはN、N、N′、N′′、N′′−ペンタエチルジエチレントリアミンである請求項15記載の方法。
JP24119398A 1997-08-27 1998-08-27 テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物 Expired - Fee Related JP4519955B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US5770497P 1997-08-27 1997-08-27
US60/057704 1998-03-30
US09/050141 1998-03-30
US09/050,141 US5942637A (en) 1998-03-30 1998-03-30 Compounds containing tetradecachlorocyclohexasilane dianion

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11171528A JPH11171528A (ja) 1999-06-29
JP4519955B2 true JP4519955B2 (ja) 2010-08-04

Family

ID=26727932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24119398A Expired - Fee Related JP4519955B2 (ja) 1997-08-27 1998-08-27 テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0902030B1 (ja)
JP (1) JP4519955B2 (ja)
DE (1) DE69808403T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013095697A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Nippon Shokubai Co Ltd 環状シラン中間体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
KR20140082938A (ko) 2012-12-25 2014-07-03 가부시기가이샤 닛뽕쇼꾸바이 사이클로헥사실란 및 그 제조방법
JP2014181145A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Nippon Shokubai Co Ltd 環状シランの製造方法
US9290525B2 (en) 2012-07-04 2016-03-22 Nippon Shokubai Co., Ltd. Method for producing cyclic silane compound or salt thereof, salt having cyclic silane dianion, and cyclic silane dianion salt-containing composition
US9682866B2 (en) 2013-12-20 2017-06-20 Nippon Shokubai Co., Ltd. Neutral complex of cyclic silane, manufacturing method therefor, and method for manufacturing cyclic hydrogenated silane or cyclic organic silane
US10544171B2 (en) 2018-03-13 2020-01-28 Nippon Shokubai Co., Ltd Process for producing cyclic hydrogenated silane compound

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7879696B2 (en) 2003-07-08 2011-02-01 Kovio, Inc. Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom
US7498015B1 (en) 2004-02-27 2009-03-03 Kovio, Inc. Method of making silane compositions
US7485691B1 (en) 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
KR101467412B1 (ko) 2006-10-06 2014-12-01 코비오 인코포레이티드 실리콘 폴리머, 실리콘 화합물 중합법 및 실리콘 폴리머 박막 형성법
KR101506136B1 (ko) * 2006-10-24 2015-03-26 다우 코닝 코포레이션 네오펜타실란을 포함하는 조성물 및 이의 제조 방법
KR101818272B1 (ko) * 2010-01-28 2018-02-21 엔디에스유 리서치 파운데이션 시클로헥사실란 화합물의 제조 방법
JP6014392B2 (ja) * 2012-07-04 2016-10-25 株式会社日本触媒 シクロヘキサシラン類の製造方法
US20140012029A1 (en) * 2012-07-04 2014-01-09 Nippon Shokubai Co., Ltd. Method for producing cyclohexasilane
DE102013021306A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Johann Wolfgang Goethe-Universität Verfahren zum Herstellen von linearen, cyclischen und/oder käfigartigen perhalogenierten Oligo- und Polysilyl-Anionen
JP6349246B2 (ja) * 2013-12-20 2018-06-27 株式会社日本触媒 環状シラン中性錯体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
DE102015105690B4 (de) 2015-04-14 2017-07-27 Johann Wolfgang Goethe-Universität Verfahren zum Herstellen einer cyclischen Silanverbindung
US10858260B2 (en) 2014-12-15 2020-12-08 Evonik Operations Gmbh Method for producing perhalogenated hexasilane anion and method for producing a cyclic silane compound
JP6588315B2 (ja) * 2015-11-26 2019-10-09 株式会社日本触媒 環状水素化シラン化合物の製造方法
JP7580983B2 (ja) * 2020-09-08 2024-11-12 株式会社日本触媒 環状水素化ポリシラン化合物の製造方法
JP7621162B2 (ja) * 2021-03-31 2025-01-24 株式会社日本触媒 環状水素化シラン化合物の製造方法
JP7580982B2 (ja) * 2020-09-08 2024-11-12 株式会社日本触媒 環状水素化シラン化合物の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54130541A (en) * 1978-03-31 1979-10-09 Kawaken Fine Chem Co Ltd Preparation of dodecamethylcyclohexasilane
JPH0753574B2 (ja) * 1985-06-11 1995-06-07 三井東圧化学株式会社 シラン類の不均化方法
JPH08119616A (ja) * 1994-10-17 1996-05-14 Fuji Electric Co Ltd 炭化ケイ素薄膜の形成方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013095697A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Nippon Shokubai Co Ltd 環状シラン中間体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
US9290525B2 (en) 2012-07-04 2016-03-22 Nippon Shokubai Co., Ltd. Method for producing cyclic silane compound or salt thereof, salt having cyclic silane dianion, and cyclic silane dianion salt-containing composition
KR20140082938A (ko) 2012-12-25 2014-07-03 가부시기가이샤 닛뽕쇼꾸바이 사이클로헥사실란 및 그 제조방법
US9764961B2 (en) 2012-12-25 2017-09-19 Nippon Shokubai Co., Ltd. Cyclohexasilane
JP2014181145A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Nippon Shokubai Co Ltd 環状シランの製造方法
US9682866B2 (en) 2013-12-20 2017-06-20 Nippon Shokubai Co., Ltd. Neutral complex of cyclic silane, manufacturing method therefor, and method for manufacturing cyclic hydrogenated silane or cyclic organic silane
US10544171B2 (en) 2018-03-13 2020-01-28 Nippon Shokubai Co., Ltd Process for producing cyclic hydrogenated silane compound

Also Published As

Publication number Publication date
DE69808403D1 (de) 2002-11-07
JPH11171528A (ja) 1999-06-29
DE69808403T2 (de) 2003-07-10
EP0902030A2 (en) 1999-03-17
EP0902030A3 (en) 1999-09-22
EP0902030B1 (en) 2002-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4519955B2 (ja) テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物
US5942637A (en) Compounds containing tetradecachlorocyclohexasilane dianion
US5455367A (en) Method for the synthesis of silanes or organosilicon hydrides by the reduction of the corresponding silicon halides or organosilicon halides
KR101818272B1 (ko) 시클로헥사실란 화합물의 제조 방법
TWI845919B (zh) 使用醯胺製備碳核苷之方法
US20180346494A1 (en) Novel chlorosilylarylgermanes, method for preparation thereof and use thereof
US4567286A (en) Preparation of hydrogenated silanes by redistribution of hydrosilanes
US2894012A (en) Grignard reactions in presence of cyclic ethers
JPS6348274B2 (ja)
US4542005A (en) Process for preparing silicon hydrides
JPH07116202B2 (ja) ゲルマニウム二ハロゲン化物−エーテル付加物の製造方法
JPS6222790A (ja) 第3級炭化水素シリル化合物の製造方法
JP2002507537A (ja) ハロゲン置換ケイ素の水素化法
US6114558A (en) Preparation of alkyl(amino)dialkoxysilanes
KR100371312B1 (ko) 알킬(아미노)디알콕시실란의 제조 방법
JPH0673072A (ja) オルガノオキシシラン水素化物の製造方法
US7030260B2 (en) Preparation of mixed-halogen halo-silanes
Poleschner et al. Reactions of RSe–EMe3 (E= Si, Ge, Sn, Pb) with XeF2—RSe–F Equivalents in the Fluoroselenenylation of Acetylenes [1]
JPS6182846A (ja) 有機リチウム化合物の製造用触媒
JPH101483A (ja) アリルシラン化合物の製造方法
US4855120A (en) Production of silane and useful coproducts
US3898256A (en) Method for the preparation of 1,1,3,3,-tetramethyldisiloxane
US4925963A (en) Process for reduction of organosilicon halides
JP2907046B2 (ja) クロロシラン類の炭化水素化方法
JPH11236388A (ja) 含ケイ素化合物および含ケイ素ポリマー製造における後処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081006

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20081008

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20081008

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090714

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100520

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees