JP4510629B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体本体を備える光電子半導体素子、特に、固体画像センサを備える半導体デバイスに関する。かかる半導体本体は、その一つの面に光活性部と非光活性部を有し、非光活性部中に光電子半導体素子の電気接続素子が配置され、半導体本体の表面の光活性部の上方に光学部品を備える本体が配置される。この素子が画像センサである場合、かかるデバイスは、例えばカメラに適用される。本発明はまた、かかるデバイスを製造する方法に関する。

上記のデバイスは、１９９３年１１月１１日に公開された特許文献ＷＯ９３／２２７８７から公知である。この特許文献には、プリント基板（ＰＣＢ）に実装された固体画像センサが記載されている。ピンによってＰＣＢ上に実装されたレンズを有するレンズホルダは、センサの上方に配置される。これらのピンはフレキシブルフォイルを貫通する。このフレキシブルフォイル上には、センサの表面の光活性部の外側に配置されるセンサの電気接続領域に対して接続導体が取り付けられる。また、この構造の目的は、レンズに対してセンサを適切に位置合わせすることである。

この公知のデバイスの欠点は、低温での作動に影響されがちなことである。そのような条件下では、画像がフェードアウトすることがある。その上、この公知のデバイスの製造方法は比較的複雑である。

本発明の目的は、上述の欠点が無く、より低い温度での使用に適すると共に製造が簡単な、本明細書の冒頭部で定義した種類のデバイスを提供することである。

上記の目的のため、本発明によれば、冒頭部に記載した種類のデバイスは、本体が半導体本体の表面の光活性部上に配置され、それに接続される部品が内部に形成される光透過性フォイルを備えることを特徴とする。本発明は、まず第１に、低い温度で発生する画像のフェーディングが、素子と光学部品との間の空間中に充満する水分の凝結によって引き起こされるとの認識に基づく。センサの表面の活性部上の水分、又は排出されたガスによって引き起こされる他の蒸気の凝結は、活性領域をフォイルで被覆することによって回避される。このフォイルのために光透過性物質が選択されるため、画像センサのような光電子半導体素子からの放射に対する感度には悪影響が及ばない。水滴がフォイル上方の空間に存在することや、その水滴がフォイル上で凝結するかどうか、または塵埃粒子が存在することは、それらが焦点には存在する訳ではないため、画像の光学品質に実質的な影響は及ぼさない。センサの表面上での水分や不純物の凝結および沈降の少なくとも一方が回避されることで、センサの寿命が延び得る。更に、本発明のデバイスの重要な利点は、反射ロスが発生する表面の数が減少するため、本デバイスが最大１０％高い放射線感度を有することである。

本発明は更に、レンズのような光学部品が、例えば（加熱された）ダイでプレスすることによって、フォイルの中に容易に形成されるという認識に基づく。このことは、フォイルが素子に接着した後で実行され得る。次に、光学部品が表面の光活性部に対して位置合わせされているため、いかなる場合でも、半導体素子において、既に一般的に利用可能な位置合わせ機能を使用することができる。また、光学フォイルの適用とその中の部品の形成は、半導体素子が、まだ所謂接着段階にある時に行ってもよい。それらの要因の結果として、本発明によるデバイスの全ての製造は、その全てが非常に簡単である。

本発明による半導体デバイスの好適な実施形態において、フォイルは、光透過性接着剤層を介して半導体本体の表面に接続される。光透過性接着剤層の使用の利点は、かかる接着剤層を製造プロセス中に簡単な方法で付着させることができ、また全体的又は部分的に、フォイルの有意な効果を損なうこと無く、適切に接着できることである。

本発明による半導体デバイスの更に好適な実施形態において、更なる本体が半導体本体に取り付けられる。この更なる本体は、半導体本体の表面の活性部の上方に更なる光学部品を備え、この更なる光学部品は、中空スペースによってフォイルから分離されている。このように、例えば素子は、更なる光学部品のためにＩＲ放射を通過させないフィルタを選択することによって、赤外線放射（ＩＲ）の不利益な影響から保護することができる。かかる部品は、更なるレンズを備えることが有意な場合もある。例えば、更なる本体は、一端がフォイルに接着し、他端がかかる更なる光学部品を有する円筒状部分を備える。

半導体素子は、一方の側が導体パターンを有する電気絶縁フレキシブルフォイルに実装されることが好ましく、電気接続領域はワイヤリンクで導体パターンに接続され、ワイヤリンクは絶縁外装に包囲される。かかる外装は、更なる本体と同様に不透明であることが好ましい。それは、例えば可視光が更なる本体に反射、乃至は吸収されることを意味する。

本発明による半導体デバイスの製造方法は、半導体本体を有する光電子半導体素子を備え、この半導体本体の表面に光活性部と光非活性部とを有し、かかる光活性部と光非活性部の内部に光電子半導体素子の電気接続領域が存在し、半導体本体の表面の光活性部の上方には、光学部品を有する本体が設けられるとともに、前記本体のために光透過性フォイルが選択され、かかるフォイルは半導体本体の表面の光活性部上に設けられるように形成されることを特徴とする。

本発明による半導体デバイスの好適な実施形態において、フォイルは、光透過性接着剤層によって半導体本体の表面に接続される。光透過性接着剤層の使用の一つの利点は、かかる層を製造プロセス中に適用するのが容易であり、全体的又は部分的に、フォイルの有意な効果を損なうことなく、適切な接着を提供することである。

更なる好適な実施形態において、光学部品は、プロファイルダイを使用して、フォイル上でプレスすることによってフォイルに形成される。このことは、デバイスが、まだ所謂接着段階にある時に行われることが好ましい。

有意な変形例において、更なる本体は半導体本体に取り付けられる。この更なる本体は、更なる光学部品を備えるため、この更なる光学部品は、光透過性フォイルの上方に位置し、中空スペースによってそれから分離する。この更なる本体のために、一端がフォイルに接着し、他端がこの更なる光学部品を備える円筒状部が選択されることが好ましい。半導体素子は、一方の側が導体パターンを有する電気絶縁フレキシブルフォイルに適用するのが好ましく、電気接続領域はワイヤリンクによって導体パターンに接続され、ワイヤリンクは絶縁外装に包囲される。

極めて有意な実施形態において、当該キャリア本体から離れるような向きの側で接着剤層を受け入れる多数の帯状、又は矩形状の光透過性フォイルを有するキャリア本体は、多数の半導体素子を含むウエハの上方を移動し、フォイルを有するキャリア本体が半導体素子のウエハに対して位置合わせされた後、フォイルは、キャリア本体をウエハにプレスすることによって半導体素子に接着し、その後にキャリア本体が除去される。

ウエハに光透過性フォイルが一旦設けられ、光学部品が一旦その中に形成され、更なる光学部品を備える更なる本体がウエハ内の半導体素子の各々に取り付けられることが好ましく、それによって、この更なる部品が、半導体素子の表面の活性部上方に配置され、中空スペースによってフォイルから分離される。かかるウエハは、半導体素子の表面に面した側で膜に固定されることが好ましく、その膜はリングの内側に配置され、そのウエハは更なる光学素子が取り付けられた後に切断することによって、別個の半導体素子に分割される。

さらに有意な変形例では、個々の半導体素子は、一方の側に導体パターンを備える帯状電気絶縁フレキシブルフォイル上に付着し、電気接続部はワイヤリンクによって導体パターンにリンクされ、ワイヤリンクは絶縁外装に包囲され、その後、帯状フレキシブルフォイルは、各々が半導体素子からなる部分に分割される。

光学フォイルは、ＵＶ放射によって分離される接着剤で光透過性フィルムをＵＶ透過キャリアフィルムに接着し、レーザビームによる局所的な切断で帯状又は矩形上のフォイルを光透過性フィルムに形成することによって製造されることが好ましく、その後フィルムの余剰部分は、それから部分的に押圧除去、又は完全に除去される。フィルムの余剰部分が一旦除去され、フォイルがウエハに一旦接着されると、ＵＶ透過キャリアフィルムをＵＶ放射によって再び除去することができる。キャリア本体は、キャリアフォイルからなるＵＶ透過キャリアフィルムを取り出す板状のバキュームピンセットによって形成されるのが好ましく、その後、ＵＶ透過キャリアフィルムは、ＵＶ放射を介して除去される。

適切な光学操作に必要な許容範囲は、本発明の方法で非常に良好にもたらされ得ることが理解されよう。ｘｙ軸方向が＋／−５０μｍ、ｚ軸方向が＋／−１００μｍの光学部品の位置合わせ精度を容易に達成することができるが、＋／−５から１０μｍの許容範囲のような、より高い精度を達成することができる。傾き精度、即ち９０°に対する法線の角度変動は、容易に＋／−０．８°或いは更にそれ未満であり得る。

本発明を、実施形態の例示と図面を参照して更に説明する。

図面は、一定の割合の寸法では描かれておらず、厚み方向の寸法は、明瞭さを期すために誇張して示してある。同様の領域や構成要素には、異なる図面において、可能な限り同様の参照符号を付す。

図１は、本発明による半導体デバイスの実施形態を概略的に示す平面図であり、図２は、図１に示すデバイスを概略的厚み方向にＩＩ−ＩＩ線に沿って示す断面図である。デバイス１０は、光電子半導体素子１、ここではカメラ用のＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）固体画像センサを備える。これは、一面上に光活性部１Ａと非光活性部１Ｂとを有し、この非活性部１Ｂ内には素子１の電気接続領域２が存在する。半導体本体１１の表面の光活性部１Ａの上方には、光学部品３を備えた本体３を有する。また、ＣＭＯＳセンサの表面の真上であってその各画素上には、所謂マイクロレンズが存在する。かかるレンズは、図面には描かれていない。

本発明によれば、本体３は、半導体本体１１の表面の光活性部１Ａ上に位置し、接着剤層４によってこの光活性部１Ａに接続される光透過性フォイル３を備え、このフォイル内に部品３Ｂが形成される。この例では、光フォイル３はポリエチレンからなり、１００μｍの厚みを有する。このフォイルは、例えば３Ｍ社から提供される。また、このフォイル３は、ポリエステルのような異なる材料で作られてもよく、例えば２０μｍから２００μｍの間が、その適切な厚みである。横方向の寸法は、素子１の光活性部１Ａの寸法に適合し、この例では２ｍｍ×１．５ｍｍである。活性部１Ａは、ここでは約１．６ｍｍ×１．２ｍｍであるが、素子全体では１．４ｍｍ×４ｍｍの寸法となる。接着剤層４は、ここでは3M Optical Clear Adhesive（３Ｍ光透過性接着剤）の名称で３Ｍ社より入手可能な、所謂ＰＳＡ（感圧接着剤）からなるが、他の適切な接着剤を同様に使用してもよい。レンズ３Ｂは、活性領域１Ａの寸法に実質的に対応する側方寸法を有する。レンズ３Ｂの開口と焦点距離は、例えば１ｍｍと３ｍｍの間である。

この例では、デバイス１０は更なる本体５を備え、かかる本体５は半導体本体１１、この例ではフォイル３に固定され、半導体本体１１の表面の活性部１Ａの上方で、キャビティや中空スペースによってフォイル３から分離される更なる部品６、この例ではＩＲフィルタを備える。かかる更なる本体５は、その一端が、この例においてもＰＳＡ接着剤である接着剤層１９によってフォイル３に接着する円筒状部５Ａを有する。円筒状部５Ａの他端は、検出対象の放射線Ｓ、即ち可視光が素子１に入射可能であり、その更なる光学部品６、この例ではＩＲフィルタ６を有する。同様に、半導体素子１は、電気的絶縁フレキシブルフォイル１７上に固定されることが有意であり、このフォイルの一方の側は、導体パターン８を有する。電気接続領域２は、ワイヤリンク９、この例ではフォイル１７中のビアによって導体パターン８に接続され、ワイヤリンクは絶縁外装１２に包囲され、この絶縁外装は、この例ではエポキシ又はポリエチレンベースの所謂グロブトップ（glob-top）、又は黒いカプセル包からなり、可視光を透さない。外装１２はまた、この側から入射する光から、更なる本体５の大部分を保護する。この例のデバイス１０は、以下に示す本発明による方法で作成される。
図３から図９は、本発明による方法の実施形態による、図１のデバイスの製造の連続的な段階を、図２の断面図に対応して示す断面図である。ウエハ１１１は、従来の方法で製造される多数の半導体素子１，１’を備えるウエハ１１１は、（図３）から開始される。図３では単純さを期すため、半導体素子の内の１，１’の二つのみを示し、それらは光活性領域１Ａを備える。キャリア本体１４、ここではチャネル１４Ａを介してバキューム装置（図示せず）に接続される一対の板状バキュームピンセット１４は、ウエハ１１１の上方に移動される。このバキューム装置に対して、接着剤層４を備える光透過性フォイル３が存在する。それらのフォイルは、ウエハ１１１の活性領域１Ａに対して位置合わせされる。次に、ウエハ１１１上に存在する位置合わせ形状を使用してもよい。

光フォイル３は、ここでピンセット１４（図４参照）によって位置合わせされ、ウエハ上にプレスされ、接着効果によってウエハに接着する。ピンセット１４の真空をオフにして、ピンセット１４を除去する。次に（図５参照）、好ましくは加熱されたダイ１３によって、フォイル３上をダイ１３でプレスすることにより、レンズ３Ｂがフォイル３に形成される。これは、より多数のダイ１３の利用、又は単一のダイ１３、この例のように小さなマトリックス状のダイ１３を、ウエハ１１１の表面の上方を平行移動することによって、同時に実行できる。

次に（図６参照）、ウエハ１１１は、リング１６の内側に位置する膜１５上に配置される。これは、ウエハ１１１を副リング（図示せず）上に上下逆に配置することによって実行され、その後、リング１６がウエハ１１１の周囲に配置される。次に、膜１５は、ローラによってウエハ１１１の裏面とリング１６の裏とに接合される。その後、格子６を有する更なる本体５（図７参照）を、接着剤層１９との接合によってフォイルに固定する。このステップは、完全又は部分的に、逐次的乃至は同時に実行してもよい。

次に（図８参照）、個々の半導体本体１１は、図示しない切断機でウエハを二つの相互に垂直な方向に切断することにより、ウエハ１１１から素子１および１’を形成する。最後に（図９参照）、個々の半導体素子は、図示しない筒状のバキュームピンセットの対によって膜１５から取り出され、接着剤層１８によって導体パターン８を有する絶縁フレキシブルフォイル１７に固定される。この例の接着剤層１８は、エポテック（のような）接着剤のように、それ自体が通常の接着剤（導電性でも非導電性でもよい）を有する。その後、ワイヤリンク９と絶縁外装１２が設けられ、フォイル１７は各々が素子１を含む複数のピースに切断され、その結果、図１と図２に示す、すでに使用可能な状態のデバイス１０を得ることができる。

図１０から図１４は、製造の連続的な段階において図３から図９に示す方法で使用されるフォイルの製造を示す。ここでは、平面図である図１２を除き、厚み方向に対して垂直な断面図である。ＵＶ放射に対して透過性があり、約１００μｍの厚みを有するキャリアフィルム（図１０参照）は、から開始する。その上に、フォイル３のために使用する材料の光透過性フィルム３３が存在する。このフィルム３３は、ＵＶ放射によって溶解され得る接着剤からなる接着剤層２１によってキャリアフィルムに粘着する。フィルム３３は、レーザビーム２２によって切断され、この操作中にフォイル３が形成され、溝３４によってフィルム３３の残りの部分３Ａから分離される。レーザビーム２２の波長は、そのビームが実際にフィルム３３に吸収されるが、キャリアフィルム２０や接着剤層２１には、殆ど乃至全く吸収されないように選択される。フィルム３３の切断は、図１２では平面図、また図１１では平面図に対応する図１２中のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図で示す。図１２では、明瞭さを期すため、半導体ウエハ１１１の（将来の）位置を点線で示す。フィルム３３の余剰部分３Ａは、この時点でフィルム２０から剥離される。フィルム２０は、図３に示すようにフォイル３に接着剤層４が設けられた後で、ウエハ１１１上にフォイル３を提供するために図３におけるキャリア本体１４として機能し得る。フォイル３がウエハ１１１に付着した後、フィルム２０は、接着剤層２１のフィルム２０を介するＵＶ放射後に除去される。

この例では、パターン形成されたフィルム３３を備える（基板）フィルムは、バキュームピンセット１４によって取り出される（図１３参照）。接着剤層２１は、フィルム２０を介するＵＶ放射によって溶解され、その後、接着剤層２１とフィルム２０が適切な溶剤によって除去される。次に、図１４に示すようにキャリア本体１４が得られる。フィルム３３の余剰部分３Ａが一旦除去され、接着剤層４が浸漬によって一旦付着すると、図３に示す状況が得られる。その変形例では、バキュームピンセット１４の表面でプロファイルが実行されると共に、フィルム３３の余剰部分３Ａが位置するピンセット１４の部分は、キャリアプレート１４と同一面上に取り付けられる。そのようにする結果、余剰部分３Ａは、キャリアプレート１４の同一面上に取り付けられた部分で部分的にプレスされるため、除去される必要はない。

図１５は、図１０から図１４の製造の変形例である。図１２と同じ平面図において、図１５は、フォイル３と余剰部分３Ａにおけるフィルム３３の分布の変形例を示す。溝３４は、レーザビーム２２がたどる経路に対応する。次に、レーザビーム２２は、非中断経路をたどることができる。これらの部分の除去が論理的に実行されるため、余剰部分３Ａは、容易に除去され得る。ストリップは、ウエハ１１１の直径に実質的に対応する長さを有することから、ストリップ３は、ウエハ１１１中の多数の素子１上に延出する。その長手方向が図１に示す帯状フォイル１７の長手方向に対応するように、素子１上に配置される。この変形例は、素子１が互いに対向する２列のみの電気接続領域２を有する場合に、特に適している。ウエハ１１１およびその中の素子１の両方は、明瞭さを期すため、この図では点線で示す。図８に示すように、ウエハ１１１の切断中、帯状フォイル３は、図面の平面を貫通するように切断される。

当該技術における通常の技能を有する者であれば、本発明の範囲内で多くの変形及び変更をなし得るため、本発明は、実施形態において示した例には制限されない。例えば、異なる形状および異なる寸法の少なくとも一方を有するデバイスをも製造可能である。凸レンズの代わりに、凹レンズを光学素子として選択してもよい。また、製造の範囲内においても、多くの変形例を有し得る。デバイスに関する上述の記載事項は、その製造においても同様に保たれる。例えば、レーザビームでの切断の代わりに、フォイルの形成用の切断を使用することができ、また、例えば超音波やレーザ溶接技術によって、光透過性フォイルを半導体本体の表面に固定してもよい。

デバイスは、ダイオードおよびトランジスタの少なくとも一方、または抵抗器およびキャパシタンスの少なくとも一方のような、能動的及び受動的な半導体素子や電子部品を、集積回路の形態、或いは別の形態で備えることができることも更に理解されよう。タイマ、パルス発生器、ＤＡ（デジタル−アナログ）変換器や、画像処理手段ＤＳＰ（デジタル信号処理器）のような追加的な回路が効果的に形成され得る。最後に、デバイスは、フォトダイオードやＬＥＤ、或いは光プログラム可能又はデプログラマブルＲＯＭ（リードオンリーメモリ）のような、画像センサ以外のオプトエレクトロニクス部品と共に使用するのに適していることも理解されよう。

本発明による半導体デバイスの一実施形態を概略的に示す平面図。 図１に示すデバイスを、ＩＩ−ＩＩ線に沿った厚み方向で概略的に示す断面図。 本発明による方法の実施形態により、図１のデバイスの製造の連続的な段階を、図２の断面図に対応して示す断面図。 本発明による方法の実施形態により、図１のデバイスの製造の連続的な段階を、図２の断面図に対応して示す断面図。 本発明による方法の実施形態により、図１のデバイスの製造の連続的な段階を、図２の断面図に対応して示す断面図。 本発明による方法の実施形態により、図１のデバイスの製造の連続的な段階を、図２の断面図に対応して示す断面図。 本発明による方法の実施形態により、図１のデバイスの製造の連続的な段階を、図２の断面図に対応して示す断面図。 本発明による方法の実施形態により、図１のデバイスの製造の連続的な段階を、図２の断面図に対応して示す断面図。 本発明による方法の実施形態により、図１のデバイスの製造の連続的な段階を、図２の断面図に対応して示す断面図。 かかる製造の連続的な段階において、図３から図９に示す方法で使用するフォイルの製造を示す図。 かかる製造の連続的な段階において、図３から図９に示す方法で使用するフォイルの製造を示す図。 かかる製造の連続的な段階において、図３から図９に示す方法で使用するフォイルの製造を示す図。 かかる製造の連続的な段階において、図３から図９に示す方法で使用するフォイルの製造を示す図。 かかる製造の連続的な段階において、図３から図９に示す方法で使用するフォイルの製造を示す図。 図１０から図１４の製造の変形例を示す図。

符号の説明

１ 半導体素子
１Ａ 光活性部
１Ｂ 光非活性部
２ 電気接続領域
３ 本体（光透過フォイル）
４，１８，１９，２１ 接着剤層
５ 本体
６ 部品
８ 導体パターン
９ ワイヤリンク
１０ デバイス
１１ 半導体本体
１２ 絶縁外装
１３ ダイ
１４ キャリア本体（板状バキュームピンセット）
１５ 膜
１６ リング
１７ 電気絶縁フレキシブルフォイル
２０ キャリアフィルム
２２ レーザビーム
２４ ＵＶ放射
３３ 光透過性フィルム
３４ 溝
１１１ ウエハ

Claims (12)

1. 光電子半導体素子を有する半導体デバイスを製造する方法であって、前記光電子半導体素子は、一つの表面が光活性部と非光活性部とを有する半導体本体を有し、前記非光活性部は前記光電子半導体素子の電気接続領域を有し、当該方法は、
   前記半導体本体の前記表面の前記光活性部上に光透過性フォイルを配置する工程、
   前記光透過性フォイルを光透過性接着剤層によって前記半導体本体の前記表面に固定する工程、及び
   前記半導体本体の前記表面の前記光活性部上の前記光透過性フォイル内に、該フォイルをプロファイルダイでプレスすることによって、光学部品を形成する工程、
   を有する、方法。
2. 前記光透過性フォイル内に該フォイルを前記プロファイルダイでプレスすることによって光学部品が形成されるときに加熱する工程、を更に有する請求項１に記載の方法。
3. 更なる光学部品を備える更なる本体を前記半導体本体に固定する工程であり、前記更なる光学部品が前記光透過性フォイルの上方に位置し且つ中空スペースによって前記光透過性フォイルから隔てられるように固定する工程、を更に有する請求項１に記載の方法。
4. 前記更なる本体は、一端が前記フォイルに接着され且つ他端が前記更なる光学部品を備える円筒部を有する、請求項３に記載の方法。
5. 前記光電子半導体素子を、一方の側が導体パターンを備える電気絶縁フレキシブルフォイルに固定する工程、
   前記電気接続領域をワイヤリンクによって前記導体パターンに接続する工程、及び
   前記ワイヤリンクを絶縁外装で包囲する工程、
   を更に有する請求項１に記載の方法。
6. 帯状又は矩形状の多数の前記光透過性フォイルを有するキャリア本体を設ける工程、
   多数の前記光透過性フォイルの、前記キャリア本体とは反対側の面に、前記光透過性接着剤層を設ける工程、
   多数の前記光電子半導体素子を含むウエハの上方に前記キャリア本体を移動させる工程、
   多数の前記光透過性フォイルを有する前記キャリア本体を、多数の前記光電子半導体素子を含む前記ウエハに対して位置合わせする工程、
   前記キャリア本体を前記ウエハにプレスすることによって、多数の前記光透過性フォイルを多数の前記光電子半導体素子に接着する工程、及び
   前記キャリア本体を除去する工程、
   を更に有する請求項１に記載の方法。
7. 前記ウエハが前記光透過性フォイルを受け入れ且つ前記光学部品がその中に形成された後、当該方法は更に、
   前記ウエハ内の多数の前記光電子半導体素子の各々に、更なる光学部品を備える更なる本体を取り付ける工程であり、前記更なる光学部品が前記光電子半導体素子の前記表面の前記光活性部の上方に位置付けられ且つ中空スペースによって前記光透過性フォイルから隔てられるように取り付ける工程、
   を更に有する、請求項６に記載の方法。
8. 前記ウエハを、前記光電子半導体素子の前記表面に対向する側で膜に固定する工程、
   前記更なる光学部品が取り付けられた後、切断によって、前記ウエハを別個の前記光電子半導体素子に分割する工程、
   を更に有する請求項７に記載の方法。
9. 個々の前記光電子半導体素子を、一方の側が導体パターンを備える帯状電気絶縁フレキシブルフォイルに固定する工程、
   前記電気接続領域をワイヤリンクによって前記導体パターンに接続する工程、
   前記ワイヤリンクを外装で包囲する工程、及び
   前記帯状電気絶縁フレキシブルフォイルを、各々が前記光電子半導体素子を有する複数の部分に分割する工程、
   を更に有する請求項８に記載の方法。
10. 多数の前記光透過性フォイルは、
    ＵＶ放射によって分離され得る接着剤によってＵＶ透過性キャリアフィルム上に光透過性フィルムを接着すること、
    レーザビームによる切断によって前記光透過性フィルム内に多数の前記光透過性フォイルを形成すること、及び
    前記光透過性フィルムの余剰部分を除去すること、
    によって製造される、請求項６に記載の方法。
11. 前記キャリア本体は前記ＵＶ透過性キャリアフィルムによって形成され、前記キャリア本体は、前記光透過性フィルムの前記余剰部分が除去され且つ多数の前記光透過性フォイルが前記ウエハに固定された後に、ＵＶ放射に露光されることによって除去される、請求項１０に記載の方法。
12. 前記キャリア本体は、前記光透過性フォイルを備える前記ＵＶ透過性キャリアフィルムを取り出す板状のバキュームピンセットによって形成され、その後、前記ＵＶ透過性キャリアフィルムはＵＶ放射によって除去され、その後、前記光透過性フィルムの前記余剰部分は前記キャリア本体から剥離される、請求項１０に記載の方法。

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