JP4572316B2

JP4572316B2 - Electro-optical panel drive circuit and method, electro-optical device, and electronic apparatus

Info

Publication number: JP4572316B2
Application number: JP2003155868A
Authority: JP
Inventors: 紳介藤川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-05-30
Filing date: 2003-05-30
Publication date: 2010-11-04
Anticipated expiration: 2023-05-30
Also published as: JP2004361427A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶パネル、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル等の電気光学パネルの駆動回路及び方法、及びこれらを用いた電気光学装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
この種の駆動回路は、電気光学パネルと共に電気光学装置を構成し、電気光学パネルを構成する基板上に内蔵又は後付けされ、電気光学パネルを駆動する。このような駆動回路におけるＲＧＢカラー表示用の一駆動方式として、マルチプレクサ方式がある（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
ここで、従来のマルチプレクサ方式の一例について説明する。このマルチプレクサ方式では、電気光学パネルにおける複数のデータ線が、例えば、３本のデータ線を含むデータ線群に分割される。各データ線群に含まれる３本のデータ線は、赤色用（Ｒ）データ線、緑色用（Ｇ）データ線、及び青色用（Ｂ）データ線の各々に割当てられる。他方で、画像信号に係る１水平期間が、赤色用（Ｒ）期間、緑色用（Ｇ）期間、及び青色用（Ｂ）期間に分割され、画像信号源から同一画像信号線に対して、１水平期間毎に、時間軸上でＲ用、Ｇ用及びＢ用の画像信号がマルチプレクスされたＲＧＢの画像信号が供給される。そして、係る同一画像信号線とＲＧＢの３本のデータ線との間に設けられた選択スイッチによる選択動作によって、Ｒ期間にはＲデータ線に画像信号が入力され、Ｇ期間にはＧデータ線に画像信号が入力され、Ｂ期間にはＢデータ線に画像信号が入力される。これらにより、Ｒ用の画素部に対してＲ用の画像信号が供給され、Ｇ用の画素部に対してＧ用の画像信号が供給され、Ｂ用の画素部に対してＢ用の画像信号が供給される。
【０００４】
このようにして、マルチプレクス方式によれば、画像信号源においてマルチプレクスされたＲＧＢ画像信号が、選択スイッチによってデマルチプレクスされることで、ＲＧＢのカラー画像の表示が可能となる。
【０００５】
他方、この種の電気光学パネルには、製造途中、製造完了時、出荷時、使用後の点検時や故障時等に検査を行うための検査回路が設けられている場合も多い。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６１−１４５５９７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したようなマルチプレクサ方式によれば、例えば、データ線群への画像信号の入力が、１フレームにおいてＲデータ線、Ｇデータ線、Ｂデータ線の順に行われるので、次のような問題が生じる。即ち、データ線においてリーク電流が生じる期間(ここではデータ線に所望の電圧が書きこまれてから書きこみ画素のスイッチング素子がオフするまでの期間をいう)をリーク期間とすると、Ｒデータ線に係るリーク期間と、Ｇデータ線に係るリーク期間と、Ｂデータ線に係るリーク期間のそれぞれについて時間的な長さを互いに比較すると、Ｒデータ線に係るリーク期間、Ｇデータ線に係るリーク期間、及びＢデータ線に係るリーク期間の順に短くなる。よって、データ線群に含まれる３本のデータ線のうち、Ｒデータ線においてリーク電荷量が最も多くなってしまう。従って、Ｒデータ線においてリーク電荷による書き込み電位変動は最も起こりやすくなり、電気光学パネルの表示領域におけるカラー表示の際、フリッカ或いはちらつき、明線などが発生するなどの技術的問題点がある。
【０００８】
さらに、電気光学パネルの駆動回路において、例えば消費電力節約等の理由からに積極的に駆動周波数を変化させた場合には、上述したリーク期間が相対的に長くなることで、前述したフリッカ或いはちらつき、明線などの発生が助長される恐れもある。
【０００９】
加えて、回路検査時に検査配線と接続するための選択スイッチがデータ線に設けられている場合、この選択スイッチを経由したリークパスが存在し上記問題を助長する問題点がある。
【００１０】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、マルチプレクス方式を採用しつつもカラー表示におけるフリッカ等の発生を抑制し得る電気光学パネルの駆動回路及び方法、電気光学パネルの検査回路及び方法、これらを用いた電気光学装置を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路は上記課題を解決するために、ｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）のデータ線を夫々含んでなるデータ線群を複数有する電気光学パネルを駆動する電気光学パネルの駆動回路であって、ｎ種類の画像信号を時間軸上でマルチプレクスすることで、前記データ線群別のマルチプレクス信号として前記複数のデータ線群の各々に対して出力する画像信号供給手段と、入力端側から入力される前記マルチプレクス信号を選択信号に応じてデマルチプレクスし、該デマルチプレクスにより得られた前記画像信号を出力端側から前記データ線に出力する選択用スイッチング素子と、該選択用スイッチング素子に前記選択信号を供給する選択信号供給手段とを備えており、前記選択用スイッチング素子は半導体素子を含んでなると共に前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応してｎ個設けられており、前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応するｎ個の半導体素子のうち、前記選択信号が相対的に先に供給される一の半導体素子と前記選択信号が相対的に後に供給される他の半導体素子について、前記一の半導体素子は、前記他の半導体素子と比べてオフ電流特性に優れる。
【００１２】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路によれば、その動作時には、画像信号供給手段は、時間軸上でマルチプレクスされたｎ種類の画像信号を含むマルチプレクス信号を、複数のデータ線群の夫々に対して出力する。これと並行して、選択信号供給手段は、データ線群毎にｎ本のデータ線に対応して設けられたｎ個の選択用スイッチング素子に夫々選択信号を供給する。これらの結果、選択用スイッチング素子は、選択信号の入力に応答して、その出力端側から、この選択用スイッチング素子と対応するデータ線群を構成するｎ本のデータ線のうち第ｊ本目（但し、ｊは１以上ｎ以下の自然数）のデータ線に対して、その入力端側から入力されるマルチプレクス信号に含まれる画像信号を出力する。
【００１３】
ここで、選択用スイッチング素子は半導体素子を含んでおり、データ線群におけるｎ個の選択用スイッチング素子の夫々に含まれる半導体素子のうち、一の半導体素子は、他の半導体素子に対して選択信号が先に供給される。よって、選択信号が相対的に先に供給される半導体素子を含む一の選択用スイッチング素子と対応するデータ線に係るリーク期間は、選択信号が相対的に後に供給される半導体素子を含む他の選択用スイッチング素子と対応するデータ線に係るリーク期間と比較して長くなる。このため、当該データ線におけるリーク電流量は、他の選択用スイッチング素子と対応するデータ線におけるリーク電流量と比較して多くなることが予想される。しかるに、本発明によれば、選択信号が相対的に先に供給される一の半導体素子は、選択信号が相対的に後に供給される他の半導体素子と比べてオフ電流特性に優れる。例えば、データ線群におけるｎ個の選択用スイッチング素子とについて、選択信号が最先に供給される一の半導体素子は他の半導体素子と比べてオフ電流特性に優れる、或いは、選択信号が最後に供給される一の半導体素子は他の半導体素子と比べてオフ電流特性に劣る。
【００１４】
以上の結果、本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路によれば、動作時にリーク電流が相対的に発生しやすいデータ線について、該リーク電流の悪影響を優先的に或いは積極的に低減するので、フリッカを効率的に低減できる。
【００１５】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路の一態様では、前記データ線群毎に前記ｎ個の半導体素子について、前記オフ電流特性の優れた順に前記選択信号が順次供給されるように構成されている。
【００１６】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路によれば、選択信号供給手段は、複数のデータ線群のうち一のデータ線群と対応する選択用スイッチング素子に対して、当該データ線群におけるｊ本目のデータ線にｊ番目の画像信号を順番に出力させるタイミングで選択信号を供給する。よって、このデータ線群において、順番に、ｊ本目のデータ線に係るリーク期間はｊ番目に長くなる。これに対して、データ線群における各選択用スイッチング素子に含まれる半導体素子は、各データ線に係るリーク期間の長さと対応して、リーク期間が長くなるほどオフ電流特性に優れるように構成されている。従って、データ線群内の複数のデータ線について、動作時にリーク電流が相対的に発生しやすい順番で、該リーク電流の悪影響を優先的に低減するので、フリッカを効率的に低減できる。
【００１７】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路の他の態様では、前記マルチプレクス信号において画像信号は、前記データ線群毎に一水平期間内でマルチプレクスされており、前記選択信号供給手段は、前記一水平期間内に、前記ｎ個の半導体素子に対して前記選択信号を順次供給する。
【００１８】
この態様によれば、一水平期間内に、選択用スイッチング素子は、選択信号の入力に応答して、対応するデータ線群を構成するｎ本のデータ線のうち第ｊ本目のデータ線に対して、マルチプレクス信号に含まれる画像信号を出力する。ここで特に、各選択用スイッチング素子に含まれる半導体素子は、リーク期間が長くなるほどオフ電流特性に優れるように構成されているので、各水平期間について、リーク電流の発生を効率的に抑制することができる。
【００１９】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路の他の態様では、前記半導体素子は、薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、”ＴＦＴ”と称する）を有し、前記オフ電流特性は、前記薄膜トランジスタのオフ電流の大小である。
【００２０】
この態様によれば、オフ電流特性として、各半導体素子に含まれるＴＦＴのオフ電流の値を変化させる。例えば、各データ線群について、選択信号が最先に供給される一のＴＦＴのオフ電流の値を、他のＴＦＴと比べて小さくするように構成する。
【００２１】
この態様では、前記データ線群毎に前記ｎ個の半導体素子のうち前記選択信号が相対的に先に供給される一の薄膜トランジスタは、前記選択信号が相対的に後に供給される他の薄膜トランジスタと比べて、チャネル幅が小さいか若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が大きいように構成してもよい。
【００２２】
このように構成すれば、チャネル幅やチャネル長さの調節という比較的簡単な方法によって、選択信号が相対的に先に供給される一のＴＦＴのオフ電流特性が、選択信号が相対的に後に供給される他のＴＦＴと比べて優れている構成を得ることが可能となる。
【００２３】
或いはこの態様では、前記半導体素子は、前記薄膜トランジスタとして相補型トランジスタを有し、前記データ線群毎に前記ｎ個の半導体素子のうち、前記選択信号が相対的に先に供給される一の相補型トランジスタは前記選択信号が相対的に後に供給される他の相補型トランジスタと比べて、該一又は他の相補型トランジスタを構成する相異なる導動型の薄膜トランジスタのうち少なくともオフ電流の大きい方の導動型の薄膜トランジスタについて、チャネル幅が小さいか若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が大きいように構成してもよい。
【００２４】
このように構成すれば、チャネル幅やチャネル長さの調節という比較的簡単な方法によって、選択信号が相対的に先に供給される一のＴＦＴのオフ電流特性が、選択信号が相対的に後に供給される他のＴＦＴと比べて優れている構成を得ることが可能となる。しかもこの場合、相補型トランジスタにおけるオフ電流或いはオフ電流特性を主に律則する、オフ電流の大きい方の導動型の薄膜トランジスタのオフ電流の値を調整している。言い換えれば、サンプリング能力或いは画像信号をサンプリングする際の供給電荷量を主に律則する方の薄膜トランジスタについては、リーク電流を低減させるための調整が不要である。これらの結果、オン時の供給電荷量を当該トランジスタのオフ電流特性を変化させない場合の値と概ね同等の値としたまま、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。
【００２５】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路の他の態様では、前記電気光学パネルの駆動検査時に用いられる検査用スイッチング素子を更に備えており、該検査用スイッチング素子は、検査用半導体素子を含んでなると共に、前記選択用スイッチング素子に対応させて前記データ線に設けられており、前記データ線群毎に前記ｎ個の半導体素子と対応するｎ個の検査用半導体素子のうち前記選択信号が相対的に先に供給される一の半導体素子と対応する前記検査用半導体素子は、前記選択信号が相対的に後に供給される他の半導体素子と対応する前記検査用半導体素子と比べてオフ電流特性に優れる。
【００２６】
この態様によれば、選択用スイッチング素子と対応させて設けられた検査用スイッチング素子は電気光学パネルの駆動時にはオフ状態となっており、データ線群毎にｎ個の検査用半導体素子のうち選択信号が相対的に先に供給される一の半導体素子と対応する検査用半導体素子は、選択信号が相対的に後に供給される他の半導体素子と対応する検査用半導体素子と比べてオフ電流特性に優れる。例えば、データ線群におけるｎ個の検査用スイッチング素子について、選択信号が最先に供給される一の半導体素子と対応する検査用半導体素子は他の検査用半導体素子と比べてオフ電流特性に優れる、或いは、選択信号が最後に供給される一の半導体素子と対応する検査用半導体素子は他の検査用半導体素子と比べてオフ電流特性に劣る。
【００２７】
よって、この態様によれば、検査時には、検査用スイッチング素子により駆動検査を行うことができ、動作時には、検査用スイッチング素子に含まれる検査用半導体素子によるリーク電流の悪影響を低減することが可能となる。
【００２８】
この態様では、前記ｎ個の検査用半導体素子は、前記選択信号が供給される順に対応する順で前記オフ電流特性に優れるように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、複数のデータ線群のうち一のデータ線群において、選択信号供給手段によって、ｎ個の検査用スイッチング素子と対応するｎ個の選択用スイッチング素子に対して、ｊ本目のデータ線にｊ番目の画像信号を順番に出力させるタイミングで、選択信号が供給される。よって、このデータ線群において、順番に、ｊ本目のデータ線に係るリーク期間はｊ番目に長くなる。これに対して、データ線群における各検査用スイッチング素子に含まれる検査用半導体素子は、各データ線に係るリーク期間の長さと対応して、リーク期間が長くなるほどオフ電流特性に優れるように構成されている。従って、データ線群内の複数のデータ線について、検査用スイッチング素子に含まれる検査用半導体素子におけるリーク電流の悪影響をより低減することが可能となる。
【００３０】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路の他の態様では、前記選択信号供給手段は、前記一の半導体素子が前記画像信号を出力する期間が、前記他の半導体素子が前記画像信号を出力する期間と比べて長くなるように前記選択信号を供給する。
【００３１】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路では、上述したように選択信号が相対的に先に供給される一の半導体素子がオフ電流特性に優れるが、この半導体素子と対応するデータ線では、該データ線への画像信号の書き込みが十分に行われない可能性がある。しかるにこの態様によれば、選択信号供給手段は、この優れたオフ電流特性を有する一の半導体素子が画像信号を出力する期間が、相対的に長くなるように選択信号を供給する。このため、オフ電流特性に優れる一の半導体素子と対応するデータ線において、このデータ線に対する画像データ信号の書き込みを十分に行うことが可能となる。
【００３２】
本発明の第２の電気光学パネルの駆動回路は上記課題を解決するために、ｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）のデータ線を夫々含んでなるデータ線群を複数有する電気光学パネルを駆動する電気光学パネルの駆動回路であって、ｎ種類の画像信号を時間軸上でマルチプレスすることで、前記データ線群別のマルチプレクス信号として前記複数のデータ線群の各々に対して出力する画像信号供給手段と、入力端側から入力される前記マルチプレクス信号を選択信号に応じてデマルチプレクスし、該デマルチプレクスにより得られた前記画像信号を出力端側から前記データ線に出力する選択用スイッチング素子と、該選択用スイッチング素子に前記選択信号を供給する選択信号供給手段とを備えており、前記選択用スイッチング素子は夫々半導体素子を含んでなると共に前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応してｎ個設けられており、前記選択信号供給手段は、前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応するｎ個の半導体素子のうち、前記選択信号が相対的に先に供給される一の半導体素子と前記選択信号が相対的に後に供給される他の半導体素子とについて、前記一の半導体素子が前記画像信号を出力する期間が、前記他の半導体素子が前記画像信号を出力する期間と比べて長くなるように前記選択信号を供給する
本発明の第２の電気光学パネルの駆動回路によれば、前述した第１の電気光学パネルの駆動回路における画像信号の出力期間に係る態様の場合と同様の作用及び効果を得ることができる。すなわち、選択信号供給手段は、この優れたオフ電流特性を有する一の半導体素子が画像信号を出力する期間が、相対的に長くなるように選択信号を供給する。このため、オフ電流特性に優れる一の半導体素子と対応するデータ線において、このデータ線に対する画像データ信号の書き込みを十分に行うことが可能となる。
【００３３】
本発明の第１及び第２の電気光学パネルの駆動回路の他の態様では、前記選択信号供給手段は、前記データ線群毎に前記ｎ個の半導体素子について、前記オフ電流特性の優れた順に前記画像信号を出力する期間が長くなるように前記選択信号を供給する。
【００３４】
この態様によれば、データ線群内の複数のデータ線について、動作時に画像信号を書き込み難い順番で、画像信号を出力する期間を長くするので、全体として各データ線に対する画像信号の書き込みを十分に行うことができる。
【００３５】
本発明の第１及び第２の電気光学パネルの駆動回路の他の態様では、当該電気光学パネルの駆動回路は、駆動周波数が可変であり、前記選択信号供給手段は、前記データ線群毎に前記ｎ種類の画像信号がマルチプレクスされる各期間内において、該各期間の終了時点を基準として前記選択信号の出力が終了する時点を定めて前記選択信号を出力する。
【００３６】
この態様によれば、例えば水平期間といったマルチプレクスされる各期間内で最後に供給される選択信号の出力の終了時点が該各期間の終了時点よりも僅かに以前に来るように、選択信号供給手段は、選択信号を出力する。この際、選択信号が出力される期間或いは各半導体素子が画像信号を出力する期間は固定するとよい。即ち、データ線に対する書き込み能力が同じであれば、例えば駆動周波数を落とした場合であっても、該各期間の終了時点寄りに集めてリーク期間を短くすることで、画像信号を出力する期間を長くする必要性は殆ど又は実践上全くない。このように、極めて効率的にリーク電流量が低減されることになる。
【００３７】
本発明の第３の電気光学パネルの駆動回路は上記課題を解決するために、ｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）のデータ線を夫々含んでなるデータ線群を複数有する電気光学パネルを駆動する電気光学パネルの駆動回路であって、ｎ種類の画像信号を時間軸上でマルチプレスすることで、前記データ線群別のマルチプレクス信号として前記複数のデータ線群の各々に対して出力する画像信号供給手段と、入力端側から入力される前記マルチプレクス信号を選択信号に応じてデマルチプレクスし、該デマルチプレクスにより得られた前記画像信号を出力端側から前記データ線に出力する選択用スイッチング素子と、前記選択用スイッチング素子に前記選択信号を供給する選択信号供給手段とを備えており、前記選択用スイッチング素子は夫々半導体素子を含んでなると共に前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応してｎ個設けられており、当該電気光学パネルの駆動回路は、駆動周波数が可変であり、前記選択信号供給手段は、前記データ線群毎に前記ｎ種類の画像信号がマルチプレクスされる各期間内において、該各期間の終了時点を基準として前記選択信号の出力が終了する時点を定めて前記選択信号を出力する。
【００３８】
本発明の第３の電気光学パネルの駆動回路によれば、前述した第１又は第２の電気光学パネルの駆動回路における選択信号の出力が終了する時点を定めることに係る態様の場合と同様の作用及び効果を得ることができる。すなわち、例えば水平期間といったマルチプレクスされる各期間内で最後に供給される選択信号の出力の終了時点が該各期間の終了時点よりも僅かに以前に来るように、選択信号供給手段は、選択信号を出力する。そして、データ線に対する書き込み能力が同じであれば、例えば駆動周波数を落とした場合であっても、該各期間の終了時点寄りに集めてリーク期間を短くすることで、画像信号を出力する期間を長くする必要性は殆ど又は実践上全くない。このように、極めて効率的にリーク電流量が低減されることになる。
【００３９】
本発明の第１、第２及び第３の電気光学パネルの駆動回路における他の態様では、前記選択信号供給手段は、前記各期間内において、前記各期間の終了時点を基準として前記選択信号の出力が終了する時点を、前記駆動周波数の変化によらずに固定して前記選択信号を出力する。
【００４０】
この態様によれば、例えば水平期間といったマルチプレクスされる各期間内で最後に供給される選択信号の出力の終了時点が該各期間の終了時点よりも、微小な固定時間だけ以前に来るように、選択信号供給手段は、選択信号を出力する。
これにより、比較的簡単にリーク期間を常に短く設定することが可能となる。
【００４１】
本発明の第１、第２、及び第３の電気光学パネルの駆動回路における他の態様によれば、前記選択信号供給手段は、前記各期間内において、前記各期間の終了時点を基準として前記選択信号の出力が終了する時点を、前記各期間の開始時点よりも前記終了時点に寄せるように、前記選択信号を出力する。
【００４２】
この態様によれば、例えば水平期間といったマルチプレクスされる各期間内で最後に供給される選択信号の出力の終了時点が、該各期間の開始時点よりも終了時点に寄せられる。この結果、該各期間内において、該各期間の半分よりリーク期間を常に短く設定することが可能となる。
【００４３】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学パネルの駆動回路（但し、その各種態様を含む）及び前記電気光学パネルを備える。
【００４４】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学パネルの駆動回路を備えるので、各データ線群におけるリーク電流を抑制することができる。よって、本発明の電気光学装置においてカラー表示を行う場合、フリッカ等の発生が抑制され、その結果、従来の電気光学装置と比較してカラー表示の際の表示品質を大幅に改善することができる。
【００４５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００４６】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の画像表示が可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置を実現することも可能である。
【００４７】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動方法は上記課題を解決するため、ｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）のデータ線を夫々含んでなるデータ線群を複数有する電気光学パネルを駆動する電気光学パネルの駆動方法であって、ｎ種類の画像信号を時間軸上でマルチプレスすることで、前記データ線群別のマルチプレクス信号として前記複数のデータ線群の各々に対して出力する画像信号供給工程と、入力端側から入力される前記マルチプレクス信号を選択信号に応じてデマルチプレクスし、該デマルチプレクスにより得られた前記画像信号を出力端側から前記データ線に出力する選択用スイッチング素子に前記選択信号を供給する選択信号供給工程とを備えており、前記選択用スイッチング素子は夫々半導体素子を含んでなると共に前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応してｎ個設けられており、前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応するｎ個の半導体素子のうち、前記選択信号が相対的に先に供給される一の半導体素子と前記選択信号が相対的に後に供給される他の半導体素子とについて、前記一の半導体素子は、前記他の半導体素子と比べてオフ電流特性に優れる。
【００４８】
本発明の第１の電気光学パネルの駆動方法によれば、上述した本発明の第１の電気光学パネルの駆動回路の場合と同様に、リーク電流が相対的に発生しやすいデータ線について、該リーク電流の悪影響を優先的に低減するので、フリッカを効率的に低減できる。
【００４９】
本発明の第２の電気光学パネルの駆動方法は上記課題を解決するため、ｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）のデータ線を夫々含んでなるデータ線群を複数有する電気光学パネルを駆動する電気光学パネルの駆動方法であって、ｎ種類の画像信号を時間軸上でマルチプレスすることで、前記データ線群別のマルチプレクス信号として前記複数のデータ線群の各々に対して出力する画像信号供給工程と、入力端側から入力される前記マルチプレクス信号を選択信号に応じてデマルチプレクスし、該デマルチプレクスにより得られた前記画像信号を出力端側から前記データ線に出力する選択用スイッチング素子に前記選択信号を供給する選択信号供給工程とを備えており、前記選択用スイッチング素子は夫々半導体素子を含んでなると共に前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応してｎ個設けられており、前記選択信号供給工程は、前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応するｎ個の半導体素子のうち、前記選択信号が相対的に先に供給される一の半導体素子と前記選択信号が相対的に後に供給される他の半導体素子とについて、前記一の半導体素子が前記画像信号を出力する期間が、前記他の半導体素子が前記画像信号を出力する期間と比べて長くなるように前記選択信号を供給する。
【００５０】
本発明の第２の電気光学パネルの駆動方法によれば、上述した本発明の第２の電気光学パネルの駆動回路の場合と同様に、オフ電流特性に優れる一の半導体素子と対応するデータ線において、このデータ線に対する画像データ信号の書き込みを十分に行うことが可能となる。
【００５１】
本発明の第３の電気光学パネルの駆動方法は上記課題を解決するため、ｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）のデータ線を夫々含んでなるデータ線群を複数有する電気光学パネルを駆動する電気光学パネルの駆動方法であって、ｎ種類の画像信号を時間軸上でマルチプレスすることで、前記データ線群別のマルチプレクス信号として前記複数のデータ線群の各々に対して出力する画像信号供給工程と、入力端側から入力される前記マルチプレクス信号を選択信号に応じてデマルチプレクスし、該デマルチプレクスにより得られた前記画像信号を出力端側から前記データ線に出力する選択用スイッチング素子に前記選択信号を供給する選択信号供給工程とを備えており、前記選択用スイッチング素子は夫々半導体素子を含んでなると共に前記データ線群毎に前記ｎ本のデータ線に対応してｎ個設けられており、当該電気光学パネルの駆動方法は、駆動周波数が可変であり、前記選択信号供給工程は、前記データ線群毎に前記ｎ種類の画像信号がマルチプレクスされる各期間内において、該各期間の終了時点を基準として前記選択信号の出力が終了する時点を定めて前記選択信号を出力する。
【００５２】
本発明の第３の電気光学パネルの駆動方法によれば、上述した本発明の第３の電気光学パネルの駆動回路の場合と同様に、例えば水平期間といったマルチプレクスされる各期間内で最後に供給される選択信号の出力の終了時点が該各期間の終了時点よりも僅かに以前に来るように、選択信号供給工程は、選択信号を出力する。そして、該各期間の終了時点寄りに集めてリーク期間を短くすることで、画像信号を出力する期間を長くする必要性は殆ど又は実践上全くなく、極めて効率的にリーク電流量が低減されることになる。
【００５３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置に適用したものである。
【００５５】
＜１；第１実施形態＞
本発明の電気光学装置に係る第１実施形態について、図１から図６を参照して説明する。
【００５６】
＜１−１；液晶装置の構成＞
先ず図１及び図２を参照して液晶装置の概略構成について説明する。ここに、図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図であり、図２は、このうち各画素部における回路構成を示す回路図である。
【００５７】
第１実施形態の液晶装置は、主要部として、本発明に係る「電気光学パネル」の一例たる液晶パネルを備える。液晶パネルは、画素用のスイッチング素子としてＴＦＴ、画素電極等を形成した素子基板と、対向電極等を形成した対向基板とを互いに電極形成面を対向させて且つ一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶を挟持することで構成されている。
【００５８】
図１において、液晶装置１は、液晶パネル１００、画像信号供給手段１２０、走査線駆動回路１３０、及び検査回路１５０を備えている。液晶装置１は更に、当該液晶装置１の駆動を制御する信号を生成する制御回路１４０を備えており、制御回路１４０内には選択信号供給手段１４２が設けられている。
【００５９】
液晶パネル１００は、その素子基板上に画像表示領域１１０が規定されており、画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域にデマルチプレクス回路１６０を備えている。
【００６０】
液晶パネル１００は、画像表示領域１１０に、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２を備え、それらの交点に対応する各画素に、マトリクス状に配列された画素電極１１８及び画素電極１１８をスイッチング制御するためのＴＦＴ１１６を備えている。
【００６１】
図２に、これら画素電極１１８及びＴＦＴ１１６と、走査線１１２及びデータ線１１４との接続関係について、具体的な構成例を示してある。
【００６２】
尚、図２には、ＴＦＴ１１６として、片チャネル型のＴＦＴを用いる場合の構成例を示してある。図２に示すように、ＴＦＴ１１６のソース電極には、データ線１１４が電気的に接続されている一方、ＴＦＴ１１６のゲート電極には、走査信号が供給される走査線１１２が電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ１１６のドレイン電極には、画素電極１１８が接続されている。そして、各画素は、画素電極１１８と、対向基板に形成された対向電極１０８と、これら両電極間に挟持された液晶１０５とによって構成される結果、走査線１１２とデータ線１１４との各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
【００６３】
尚、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量１１９が、画素電極１１８と対向電極１０８との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。例えば、画素電極１１８の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量１１９により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００６４】
また、図２に示すように、後述する対向電極電位ＬＣＣＯＭが対向電極１０８に印加されて、１水平期間毎にレベル反転する構成となっている。
【００６５】
デマルチプレクス回路１６０及び検査回路１５０は、ＴＦＴを用いて構成されるスイッチング素子を複数備える。デマルチプレクス回路１６０は、ｎ本のデータ線１１４を一群とし、これらｎ本のデータ線１１４の各々に設けられる選択用スイッチング素子１１１により構成されている。
【００６６】
尚、本実施形態では特に断らない限り、図１に示したようにｎ＝３として、即ちＲＧＢ用に夫々１本ずつである合計３本のデータ線１１４を、一群或いは一つのデータ線群として説明を行う。但し、例えばＲＧＢ用に夫々２本ずつである合計６本のデータ線１１４を、一群として構成することも可能である。
【００６７】
検査回路１５０は、データ線群における、ｎ個の選択用スイッチング素子１１１に夫々対応して設けられるｎ個の検査用スイッチング素子１１３を備えている。即ち、ｎ個の検査用スイッチング素子１１３はデータ線群におけるｎ本のデータ線１１４に対応して設けられており、検査用スイッチング１１３の出力端側は対応するデータ線１１４に接続されている。尚、デマルチプレクス回路１６０のより詳細な構成は後述する。
【００６８】
画像信号供給手段１２０は、例えば２４０個の出力端子を有しており、当該液晶装置１に供給される入力画像データに基づいて、各出力端子からマルチプレクス信号ＳＥＧ１〜ＳＥＧ２４０を出力する。本実施形態によれば、各マルチプレクス信号ＳＥＧ１〜ＳＥＧ２４０は時分割多重されている。
【００６９】
走査線駆動回路１３０は、例えば３２０個の走査信号Ｇ１〜Ｇ３２０を、画像表示領域１１０における各走査線１１２に対して順次出力するものである。
【００７０】
制御回路１４０における選択信号供給手段１４２は、１水平期間内において第１〜第ｎ選択信号を出力する。
【００７１】
検査回路１５０において、例えば電気光学パネルの駆動検査時、複数のデータ線群の各々におけるｎ個の検査用スイッチング素子１１３に夫々検査用選択信号が供給され、該検査用選択信号の入力に応じて検査用スイッチング素子１１３を介してデータ線１１４に出力される検査信号が供給される。
【００７２】
次に図３を参照して、デマルチプレクス回路１６０のより詳細な構成について説明する。図３には、デマルチプレクス回路１６０の構成及び検査回路１５０の概略的な構成を示してある。
【００７３】
本実施形態では、データ線群１１５には第１〜第ｎデータ線のｎ本のデータ線１１４が含まれている。ここで、本実施形態ではｎ＝３とし、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃを含むデータ線群１１５の構成例を図３に示してある。また、図１についても、図３と同様に、液晶装置１は、ｎ＝３としてあるデータ線群１１５を含む構成であるとする。
【００７４】
本実施形態の構成例によれば、画像表示領域１１０には、上述の２４０個のマルチプレクス信号ＳＥＧ１〜ＳＥＧ２４０の夫々と対応して、２４０群のデータ線群１１５が設けられている。また、各データ線群１１５に対する走査線１１２の本数は３２０本である。
【００７５】
よって、データ線群１１５における画素数は、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃと、走査線１１２との各交差に対応して、３×３２０となる。本実施形態では、これらの画素を、説明の便宜上サブ画素Ｐｓと適宜称する。
【００７６】
そして、この構成例では、第１データ線１１４ａと走査線１１２との各交差に対応する３２０画素は赤（Ｒ）を表示するサブ画素Ｐｓｒ、第２データ線１１４ｂと走査線１１２との各交差に対応する３２０画素は緑（Ｇ）を表示するサブ画素Ｐｓｇ、第３データ線１１４ｃと走査線１１２との各交差に対応する３２０画素は青（Ｂ）を表示するサブ画素Ｐｓｂとなっている。
【００７７】
また、データ線群１１５において、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃと、１本の走査線１１２との各交差に対応する各サブ画素Ｐｓを一組とするものを、メイン画素Ｐｍと適宜称する。上述したようなこの構成例によれば、液晶パネルの画像表示領域１１０におけるメイン画素Ｐｍの総数は、２４０×３２０となる。
【００７８】
デマルチプレクス回路１６０は、２４０群のデータ線群１１５の各々に対する第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃにより構成されている。
【００７９】
本実施形態では、データ線群１１５において、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃの一端側には、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃが設けられている。図３には、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃの夫々を構成するＴＦＴとして片チャネル型のＴＦＴを用いる場合の構成例を示してある。
【００８０】
第１データ線１１４ａに着目すれば、当該第１データ線１１４ａには第１選択用スイッチング素子１１１ａが、そのソース電極又はドレイン電極を第１データ線１１４ａと電気的に接続させることによって、設けられている。この第１択用スイッチング素子１１１ａと同様に、第２データ線１１４ｂには第２選択用スイッチング素子１１１ｂが設けられており、第３データ線１１４ｃには第３選択用スイッチング素子１１１ｃが設けられている。
【００８１】
検査回路１５０は、２４０群のデータ線群１１５の各々における第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃと対応する第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃを備えている。
【００８２】
データ線群１１５において、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃの他端側と、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃの出力端側は電気的に接続されている。尚、図３には、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃの夫々を構成するＴＦＴとして片チャネル型のＴＦＴを用いる場合の構成例を示してある。
【００８３】
第１データ線１１４ａに着目すれば、当該第１データ線１１４ａには第１検査用スイッチング素子１１３ａが、そのソース電極又はドレイン電極を第１データ線１１４ａと電気的に接続させることによって、設けられている。この第１検査用スイッチング素子１１３ａと同様に、第２データ線１１４ｂには第２検査用スイッチング素子１１３ｂが設けられており、第３データ線１１４ｃには第３検査用スイッチング素子１１３ｃが設けられている。
【００８４】
尚、電気光学パネルの駆動検査時、各データ線群１１５において、検査回路１５０において出力される検査用選択信号は、第１検査用スイッチング素子１１３ａ、第２検査用スイッチング素子１１３ｂ、及び第３検査用スイッチング素子１１３ｃのいずれかのゲート電極に入力される。
【００８５】
画像信号供給手段１２０から出力されるマルチプレクス信号ＳＥＧ１〜ＳＥＧ２４０は、２４０群のデータ線群１１５に入力される。本実施形態では、１水平期間において、一つのマルチプレクス信号ＳＥＧｊが一つのデータ線群１１５に入力される。
【００８６】
また、選択信号供給手段１４２は、１フレームの期間内において、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃに入力される第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、及びＢＳＥＬを出力する。第１選択信号ＲＳＥＬは、第１選択用スイッチング素子１１１ａのゲート電極に入力され、第２選択信号ＧＳＥＬは、第２選択用スイッチング素子１１１ｂのゲート電極に入力され、第３選択信号ＢＳＥＬは、第３選択用スイッチング素子１１１ｃのゲート電極に入力される。
【００８７】
データ線群１１５において、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃは、マルチプレクス信号ＳＥＧｊの第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃへの入力を、第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、及びＢＳＥＬに基づいてスイッチング制御する。
【００８８】
＜１−２；液晶装置の動作＞
次に図４を参照して、液晶装置１の動作について説明する。図４は、液晶装置１の動作に係る各種信号の経時的変化を示すタイミングチャートである。
【００８９】
図４に示すように、対向電極１０８の電位であるコモン電位ＬＣＣＯＭは、１水平期間毎に高電位と低電位との間で切り替わる。これは、液晶の焼付及び劣化を防止すると共にフリッカを防止するための反転駆動方式を採用していることによる。
【００９０】
ここで、本実施形態において、１水平期間は分割された４つの期間からなる。
また、既に説明したように、画像信号供給手段１２０から出力されるマルチプレクス信号ＳＥＧｊは時分割多重された信号であって、１水平期間にデータ線群１１５における各データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃに供給すべき第１〜第３画像信号を含んでいる。
【００９１】
第１画像信号は、第１期間に赤（Ｒ）を表示するサブ画素（Ｒ画素）Ｐｓｒに供給されるべき信号であり、第２画像信号は第２期間に緑（Ｇ）を表示するサブ画素（Ｇ画素）Ｐｓｇに供給されるべき信号であり、第３画像信号は第３期間に青（Ｂ）を表示するサブ画素（Ｂ画素）Ｐｓｂに供給されるべき信号である。
【００９２】
図４には、第１期間をＲ期間として示してあり、第２期間をＧ期間として示してあり、第３期間をＢ期間として示してある。また、図４において、マルチプレクス信号ＳＥＧｊに含まれる第１画像信号をＲデータ、第２画像信号をＧデータ、第３画像信号をＢデータとして示してある。
【００９３】
また、１水平期間においてＧ期間に続いてコモン電位が切り替わる反転期間が存在する。
【００９４】
図４に示すように、ａ（但し、ａは１以上の自然数）フレームにおいて、走査線駆動回路１３０から出力された走査信号Ｇｙが、図３に示す走査線１１２−ｙに印加される。走査信号Ｇｙが印加されると、この走査線１１２−ｙに電気的に接続されたメイン画素Ｐｍの、Ｒ画素Ｐｓｒ、Ｇ画素Ｐｓｇ、及びＢ画素Ｐｓｂを構成するＴＦＴ１１６がオン状態となる。
【００９５】
そして、本実施形態では、このメイン画素Ｐｍに対応するいずれかのデータ線群１１５において、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃは、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃへの第１画像信号（Ｒデータ）、第２画像信号（Ｇデータ）、及び第３画像信号（Ｂデータ）の入力をスイッチング制御する。
【００９６】
このスイッチング制御において、第１選択用スイッチング素子１１１ａは、第１選択信号ＲＳＥＬの入力に応答して、その出力端側から、第１データ線１１４ａに対して、その入力端側から入力されるマルチプレクス信号ＳＥＧｊに含まれる第１画像信号（Ｒデータ）を出力し、第２選択用スイッチング素子１１１ｂは、第２選択信号ＧＳＥＬの入力に応答して、その出力端側から、第２データ線１１４ｂに対して、その入力端側から入力されるマルチプレクス信号ＳＥＧｊに含まれる第２画像信号（Ｇデータ）を出力し、第３選択用スイッチング素子１１１ｃは、第３選択信号ＢＳＥＬの入力に応答して、その出力端側から、第３データ線１１４ｃに対して、その入力端側から入力されるマルチプレクス信号ＳＥＧｊに含まれる第３画像信号（Ｂデータ）を出力する。ここで、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの夫々の入力端側とは、これら第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの夫々のソース電極及びドレイン電極のいずれか一方の電極（例えば、ソース電極）であり、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの夫々の出力端側とは、これら第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの夫々のソース電極及びドレイン電極のうち他方の電極（例えば、ドレイン電極）である。
【００９７】
このようなスイッチング制御を行うため、選択信号供給手段１４２から出力される第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、及びＢＳＥＬは、次のように第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのそれぞれに入力される。
【００９８】
デマルチプレクス回路１６０において、選択信号供給手段１４２から第１期間（Ｒ期間）に出力される第１選択信号ＲＳＥＬは、第１選択用スイッチング素子１１１ａに入力される。第１選択信号ＲＳＥＬが入力された第１選択用スイッチング素子１１１ａはオン状態となり、第１データ線１１４ａに第１画像信号（Ｒデータ）が供給される。これに伴い、既に対応するＴＦＴ１１６が走査信号Ｇｙの供給によりオン状態とされているＲ画素Ｐｓｒへの、第１画像信号（Ｒデータ）の書き込みが開始される。
【００９９】
そして、時刻ｔ１において、選択信号供給手段１４２からの第１選択信号ＲＳＥＬの供給が終了されると、第１選択用スイッチング素子１１１ａはオフ状態となるとともに、時刻ｔ１においてＲ画素Ｐｓｒに取り込まれる電位が確定する。
【０１００】
次に、デマルチプレクス回路１６０において、選択信号供給手段１４２から第２期間（Ｇ期間）に出力される第２選択信号ＧＳＥＬは、第２選択用スイッチング素子１１１ｂに入力される。第２選択信号ＧＳＥＬが入力された第２選択用スイッチング素子１１１ｂはオン状態となり、第２データ線１１４ｂに第２画像信号（Ｇデータ）が供給される。これに伴い、既に対応するＴＦＴ１１６が走査信号Ｇｙの供給によりオン状態とされているＧ画素Ｐｓｇへの、第２画像信号（Ｇデータ）の書き込みが開始される。
【０１０１】
そして、時刻ｔ２において、選択信号供給手段１４２からの第２選択信号ＧＳＥＬの供給が終了されると、第２選択用スイッチング素子１１１ｂはオフ状態となるとともに、時刻ｔ２においてＧ画素Ｐｓｇに取り込まれる電位が確定する。
【０１０２】
続いて、デマルチプレクス回路１６０において、選択信号供給手段１４２から第３期間（Ｂ期間）に出力される第３選択信号ＢＳＥＬは、第３選択用スイッチング素子１１１ｃに入力される。第３選択信号ＢＳＥＬが入力された第３選択用スイッチング素子１１１ｃはオン状態となり、第３データ線１１４ｃに第３画像信号（Ｂデータ）が供給される。これに伴い、既に対応するＴＦＴ１１６が走査信号Ｇｙの供給によりオン状態とされているＢ画素Ｐｓｂへの、第３画像信号（Ｂデータ）の書き込みが開始される。
【０１０３】
そして、時刻ｔ３において、選択信号供給手段１４２からの第３選択信号ＢＳＥＬの供給が終了されると、第３選択用スイッチング素子１１１ｃはオフ状態となるとともに、時刻ｔ３においてＢ画素Ｐｓｂに取り込まれる電位が確定する。
【０１０４】
ここで、液晶装置１の駆動例によれば、第１データ線１１４ａに係るリーク期間は時刻ｔ１から走査信号Ｇｙがオフになるまでの期間であり、第２データ線１１４ｂに係るリーク期間は時刻ｔ２から走査信号Ｇｙがオフになるまでの期間であり、第３データ線１１４ｃに係るリーク期間は時刻ｔ３から走査信号Ｇｙがオフになるまでの期間である。図４には、第１データ線１１４ａに係るリーク期間をＲリーク期間として示してあり、第２データ線１１４ｂに係るリーク期間をＧリーク期間として示してあり、及び第３データ線１１４ｃに係るリーク期間をＢリーク期間として示してある。第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃの夫々に係るリーク期間の時間的な長さを互いに比較すると、Ｒリーク期間が最も長く、次いでＢリーク期間が長くなり、Ｇリーク期間は最も短くなる。従って、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃの夫々におけるリーク電流量は、三つの選択用スイッチング素子（即ち、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ〜１１１ｃ）のオフ電流特性に優劣がないと仮定すれば、第１データ線１１４ａが最大となり、次いで第２データ線１１４ｂが大きくなり、第３データ線１１４ｃが最小となる。
【０１０５】
ここで、本実施形態によれば、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃの夫々を構成するＴＦＴのうち、選択信号が相対的に先に供給される一のＴＦＴは、選択信号が相対的に後に供給される他のＴＦＴと比べてオフ電流特性に優れる。本実施形態では好ましくは、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのうち、第１選択用スイッチング素子１１１ａを構成するＴＦＴのオフ電流特性が最も優れており、この第１選択用スイッチング素子１１１ａの次に第２選択用スイッチング素子１１１ｂを構成するＴＦＴがオフ電流特性に優れている。そして、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのうち、第３選択用スイッチング素子１１１ｃを構成するＴＦＴが最もオフ電流特性に劣る。
【０１０６】
また、本実施形態によれば、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃの夫々を構成するＴＦＴのオフ電流特性とは、これらＴＦＴの夫々のオフ電流の大小である。即ち本実施形態では、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのうち、第１選択用スイッチング素子１１１ａを構成するＴＦＴのオフ電流は最小となり、第３選択用スイッチング素子１１１ｃを構成するＴＦＴのオフ電流は最大となる。第２選択用スイッチング素子１１１ｂのオフ電流は、第３選択用スイッチング素子１１１ｂの次に大きくなる。
【０１０７】
このようにオフ電流を調整するために、第１選択用スイッチング素子１１１ａを構成するＴＦＴのチャネル幅は、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのうち最小となっている、若しくはこれに代えて又は加えて第１選択用スイッチング素子１１１ａを構成するＴＦＴのチャネル長が第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのうち最大となっている。また、第３選択用スイッチング素子１１１ｃを構成するＴＦＴのチャネル幅は、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのうち最大となっている、若しくはこれに代えて又は加えて第３選択用スイッチング素子１１１ｃを構成するＴＦＴのチャネル長が第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのうち最小となっている。第２選択用スイッチング素子１１１ｂを構成するＴＦＴのチャネル幅は、第３選択用スイッチング素子１１１ｃの次に大きくなっている、若しくはこれに変えて又は加えて、第２選択用スイッチング素子１１１ｂを構成するＴＦＴのチャネル長は、第１選択用スイッチング素子１１１ａの次に大きくなっている。
【０１０８】
よって、本実施形態では、ゲート電極に選択信号が印加されていないリーク期間では、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃのうち、第１選択用スイッチング素子１１１ａの電気抵抗が最大となり、且つ第３選択用スイッチング素子１１１ｃの電気抵抗が最小となる。第２選択用スイッチング素子１１１ｂの電気抵抗は、第１選択用スイッチング素子１１１ａに次いで大きくなる。従って、本実施形態では、１フレームの期間内において、これら第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃにおけるリーク電流の発生を効率良く抑制することができる。
【０１０９】
従って、本実施形態によれば、液晶装置１を駆動させてカラー表示をおこなった場合、フリッカ等の発生が抑制され、その結果、従来の電気光学装置と比較してカラー表示の際の表示品質を大幅に改善することができる。
【０１１０】
尚、ａ水平期間に続くａ＋１水平期間では、ａ水平期間と同様に、データ線群１１５における第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、及び１１４ｃの選択及び第１〜第３画像データ信号のサンプリングが実行される。
【０１１１】
更に、本実施形態では好ましくは、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃに対応させて、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃは、夫々オフ電流特性を変化させて構成されている。より具体的には、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃのうち、第１検査用スイッチング素子１１３ａを構成するＴＦＴのオフ電流特性が最も優れており、この第１検査用スイッチング素子１１３ｂの次に第２検査用スイッチング素子１１３ｂを構成するＴＦＴがオフ電流特性に優れている。そして、第３検査用スイッチング素子１１３ｃを構成するＴＦＴが最もオフ電流特性に劣る。また、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃは電気光学パネルの駆動時にはオフ状態となっている。
【０１１２】
よって、本実施形態では、通常動作時、１水平期間の期間内において、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃにおけるリーク電流の悪影響をより低減することができる。
【０１１３】
＜１−３；変形例＞
＜１−３−１；データ線選択スイッチング素子及び検査用スイッチング素子＞次に図５を参照して、本実施形態の変形例について説明する。図５（Ａ）はデマルチプレクス回路における選択用スイッチング素子の変形例を示す回路図であり、図５（Ｂ）は、検査回路における検査用スイッチング素子の変形例を示す回路図である。
【０１１４】
本変形例では、選択用スイッチング素子１１１及び検査用スイッチング素子１１３を構成する薄膜トランジスタとして、本発明に係る相補型トランジスタの一例たるＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）を用いる。
【０１１５】
図５（Ａ）に示す変形例では、データ線群１１５において、第１〜第３データ線選択スイッチング素子１１１ａ’、１１１ｂ’、及び１１１ｃ’の夫々を構成するＴＦＴを、ＣＭＯＳとしている。図５（Ｂ）に示す変形例では、データ線群１１５において、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ’、１１３ｂ’、及び１１３ｃ’の夫々を構成するＴＦＴを、ＣＭＯＳとしている。尚、これらのＣＭＯＳは夫々、ｎチャネルＭＯＳ型トランジスタとｐチャネルＭＯＳ型トランジスタの２種類のトランジスタを含んでいる。
【０１１６】
図５（Ａ）において、第１データ線１１４ａに着目すれば、第１選択用スイッチング素子１１１ａ’に含まれる２種類のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は夫々第１データ線１１４ａに電気的に並列に接続される。また、第１選択用スイッチング素子１１１ａ’において一方の種類のトランジスタのゲート電極は第１選択信号ＲＳＥＬが供給される信号線に電気的に直列に接続してあり、他方の種類のトランジスタのゲート電極は第１選択信号ＲＳＥＬの反転信号が供給される信号線に電気的に直列に接続してある。この第１選択用スイッチング素子１１１ａ’と同様に、第２データ線１１４ｂに第２選択用スイッチング素子１１１ｂ’が設けられているとともに、第３データ線１１４ｃに第３選択用スイッチング素子１１１ｃ’が設けられている。
【０１１７】
また、図５（Ｂ）において、第１データ線１１４ａに着目すれば、第１検査用スイッチング素子１１３ａ’に含まれる２種類のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は夫々第１データ線１１４ａに電気的に並列に接続される。また、第１検査用スイッチング素子１１３ａ’において一方の種類のトランジスタのゲート電極は検査用選択信号ＴＲＳＥＬが供給される信号線に電気的に直列に接続してあり、他方の種類のトランジスタのゲート電極は検査用選択信号ＴＲＳＥＬの反転信号が供給される信号線に電気的に直列に接続してある。この第１検査用スイッチング素子１１３ａ’と同様に、第２データ線１１４ｂに第２検査用スイッチング素子１１３ｂ’が設けられているとともに、第３データ線１１４ｃに第３検査用スイッチング素子１１３ｃ’が設けられている。
【０１１８】
図５（Ａ）の変形例によれば、データ線群１１５において、第１選択用スイッチング素子１１１ａ’、第２選択用スイッチング素子１１１ｂ’、及び第３選択用スイッチング素子１１１ｃ’のうち、第１選択用スイッチング素子１１１ａ’がオフ電流特性に最も優れ、この第１選択用スイッチング素子１１１ａ’に次いで第２選択用スイッチング素子１１１ｂ’がオフ電流特性に優れ、第３選択用スイッチング素子１１１ｂ’がオフ電流特性に最も劣るようにするため、これら第１選択用スイッチング素子１１１ａ’、第２選択用スイッチング素子１１１ｂ’、及び第３選択用スイッチング素子１１１ｃ’は夫々以下のように構成されている。
【０１１９】
より具体的には、第１選択用スイッチング素子１１１ａ’、第２選択用スイッチング素子１１１ｂ’、及び第３選択用スイッチング素子１１１ｃ’の夫々を構成するＣＭＯＳのうち、選択信号が相対的に後に供給されるＣＭＯＳと比べて、該一又は他のＣＭＯＳを構成する相異なる導電型のトランジスタのうち少なくともオフ電流の大きい方の導電型のトランジスタについて、チャネル幅が小さいか若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が大きい。本変形例では好ましくは、第１選択用スイッチング素子１１１ａ’を構成するＣＭＯＳに含まれる相異なる導電型のトランジスタのうち少なくともオフ電流の大きい方の導電型のトランジスタのチャネル幅が、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ’、１１１ｂ’、１１１ｃ’のうち最小となり、若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ’、１１１ｂ’、１１１ｃ’のうち最大となる。また、第２選択用スイッチング素子１１１ｂ’を構成するＣＭＯＳに含まれる相異なる導電型のトランジスタのうち少なくともオフ電流の大きい方の導電型のトランジスタのチャネル幅は、第３選択用スイッチング素子１１１ｃ’に次いで大きくなり、若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が第１選択用スイッチング素子１１１ａ’に次いで大きくなる。更に、第３選択用スイッチング素子１１１ｃ’を構成するＣＭＯＳに含まれる相異なる導電型のトランジスタのうち少なくともオフ電流の大きい方の導電型のトランジスタのチャネル幅が、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ’、１１１ｂ’、１１１ｃ’のうち最大となり、若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ’、１１１ｂ’、１１１ｃ’のうち最小となる。
【０１２０】
よって、本変形例では、前述したように、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ’、１１１ｂ’、１１１ｃ’の夫々を構成するＣＭＯＳに含まれる相異なる導電型の薄膜トランジスタのうち、少なくとも一つのトランジスタの構成のみを変化させるため、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃにサンプリングされる第１〜第３画像信号の電荷量を、当該トランジスタの構成を変化させない場合の値と同等の値としたまま、前述した第１実施形態と同様、第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ〜ＢＳＥＬが印加されていないリーク期間では、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃにおけるリーク電流の発生を極めて効率的に抑制することができる。
【０１２１】
他方、図５（Ｂ）の変形例によれば、データ線群１１５において、第１検査用スイッチング素子１１３ａ’、第２検査用スイッチング素子１１３ｂ’、及び第３検査用スイッチング素子１１３ｃ’のうち、第１検査用スイッチング素子１１３ａ’がオフ電流特性に最も優れ、この第１検査用スイッチング素子１１３ａ’に次いで第２検査用スイッチング素子１１３ｂ’がオフ電流特性に優れ、第３検査用スイッチング素子１１３ｂ’がオフ電流特性に最も劣るようにするため、これら第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ’、１１３ｂ’、１１３ｃ’は夫々以下のように構成されている。
【０１２２】
より具体的には、第１検査用スイッチング素子１１３ａ’を構成するＣＭＯＳに含まれる相異なる導電型のトランジスタのうち少なくともオフ電流の大きい方の導電型のトランジスタのチャネル幅が、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ’、１１３ｂ’、１１３ｃ’のうち最小となり、若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ’、１１３ｂ’、１１３ｃ’のうち最大となる。また、第２検査用スイッチング素子１１３ｂ’を構成するＣＭＯＳに含まれる相異なる導電型のトランジスタのうち少なくともオフ電流の大きい方の導電型のトランジスタのチャネル幅は、第３検査用スイッチング素子１１３ｃ’に次いで大きくなり、若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が第１検査用スイッチング素子１１３ａ’に次いで大きくなる。更に、第３検査用スイッチング素子１１３ｃ’を構成するＣＭＯＳに含まれる相異なる導電型のトランジスタのうち少なくともオフ電流の大きい方の導電型のトランジスタのチャネル幅が、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ’、１１３ｂ’、１１３ｃ’のうち最大となり、若しくはこれに代えて又は加えてチャネル長が第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ’、１１３ｂ’、１１３ｃ’のうち最小となる。
【０１２３】
よって、本変形例では、前述した第１実施形態と同様、第１〜第３選択信号ＴＲＳＥＬ〜ＴＢＳＥＬが印加されていないリーク期間では、第１〜第３検査用スイッチング素子１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃにおけるリーク電流の悪影響をより低減することができる。
【０１２４】
＜１−３−２；１水平期間の構成＞
次に図６を参照して、本実施形態の他の変形例について説明する。
【０１２５】
前述した第１実施形態では、一のデータ線群１１５における第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃの夫々を構成するＴＦＴのオフ電流特性は上述したように設定されているため、第１〜第３選択用スイッチング素子１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃの夫々を構成するＴＦＴのうち、少なくとも２個について、他方のＴＦＴと比較してオフ電流特性に優れるＴＦＴと対応するデータ線では、逆にオン電流特性の劣化によって該データ線への画像信号の書き込みが十分に行われない可能性がある。即ち、各選択用スイッチング素子におけるオン電流特性の劣化によって書込能力或いはサンプリング能力が多少なりとも低下する懸念がある。より具体的には、前述した第１実施形態によれば、第１〜第３選択用スイッチング１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃの夫々について、第１選択用スイッチング１１１ａと対応する第１データ線１１４ａへの第１画像信号の書きこみが十分に行われなくなる可能性が最も大きくなる。
【０１２６】
本変形例では、図４に示すタイミングチャートにおける１水平期間の各期間の長さを次のように変化させて、液晶装置１の駆動を行う。
【０１２７】
図６は、図４に示す１水平期間の各期間の長さを変化させた場合の、同図における各信号の経時的変化を示すタイミングチャートである。尚、図６に示すタイミングチャートについて、図４と重複する説明は省略する。
【０１２８】
図６に示すように、選択信号供給手段１４２の第１選択信号ＲＳＥＬの供給期間の長さは時刻ｔ１’〜時刻ｔ２’の間の時間的な長さｌｒ、選択信号出力回路１４２の第２選択信号ＧＳＥＬの供給期間の長さは時刻ｔ３’〜時刻ｔ４’の間の時間的な長さｌｇ、及び選択信号出力回路１４２の第３選択信号ＢＳＥＬの供給期間の長さは時刻ｔ５’〜時刻ｔ６’の間の時間的な長さｌｂとなる。
【０１２９】
本変形例によれば、１水平期間において、第１〜第３期間のそれぞれの長さを第１期間、第２期間、第３期間の順に短くしてある。そして、選択信号供給手段１４２は、ｌｒ≧ｌｇ≧ｌｂとなるように、第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、及びＢＳＥＬのそれぞれを出力する。
【０１３０】
従って、このとき、第１〜第３選択用スイッチング１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃの夫々を構成するＴＦＴうち、少なくとも２個について、一のＴＦＴが画像信号を出力する期間は、他のＴＦＴが画像信号を出力する期間と比べて長くなる。また、第１〜第３選択用スイッチング１１１ａ、１１１ｂ、及び１１１ｃの夫々を構成するＴＦＴうち、第１選択用スイッチング１１１ａを構成するＴＦＴが第１画像信号を出力する期間が最も長くなり、この第１選択用スイッチング１１１ａの次に第２選択用スイッチング１１１ｂを構成するＴＦＴが第２画像信号を出力する期間が最も長くなり、第３選択用スイッチング１１１ｃを構成するＴＦＴが第３画像信号を出力する期間が最も短くなる。
【０１３１】
従って、この変形例によれば、仮にリーク電流低減のためにオフ電流特性を向上させるために、オン電流特性が多少劣化したとしても、データ線群１１５における、第１〜第３データ線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃに対して、第１〜第３画像信号の書き込みを十分に行うことができる。
【０１３２】
＜２；第２実施形態＞
本発明の電気光学装置に係る第２実施形態について、図７を参照して説明する。本実施形態に係る液晶装置の主要な構成は、第１実施形態の液晶装置１と同様の構成を含んでいる。すなわち、本実施形態の液晶装置は、主要部に本発明に係る「電気光学パネル」の一例たる液晶パネル、この液晶パネルの駆動に用いる各種信号を生成する、画像信号供給手段、走査線駆動回路、及び検査回路の他、選択信号供給手段を有する制御回路を備えている。そして、本実施形態によれば、液晶装置において、液晶パネルと前述した各回路及び各手段の構成は、第１実施形態の液晶装置１と同様の構成としてある。
【０１３３】
第２実施形態では、液晶パネルの画像表示領域における、デマルチプレクス回路を構成する各選択用スイッチング素子、及び検査回路に含まれる各検査用スイッチング素子は、第１実施形態で説明したオフ電流特性の調整を行ったものである必要はない。
【０１３４】
また、第２実施形態の液晶装置の駆動は、図４及び図６を参照して説明した第１実施形態の液晶装置１と同様の動作によって行われる。但し、第２実施形態では、液晶装置の駆動の際、駆動周波数を落とすことにより、この駆動に費やされる消費電力を低減させる省エネ動作に対して、画質を落とさぬように以下の如く適切に対処可能に構成されている。
【０１３５】
ここで、本実施形態の液晶装置の駆動について、図７の上段に基準周波数駆動時の、各種信号の経時的変化を示すタイミングチャートを示してあり、図７の下段には基準周波数の１／２の周波数で駆動する際の、各種信号の経時的変化を示すタイミングチャートを示してある。尚、図７には、コモン電位、第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、及びＢＳＥＬの各々の駆動波形が示してある。図７に示すタイミングチャートについて、図４及び図６と重複する説明は省略する。
【０１３６】
基準周波数駆動時と、基準周波数の１／２の周波数の駆動時とを比較すると、基準周波数の１／２の周波数の駆動時における１水平期間の長さは、基準周波数駆動時の２水平期間分の長さと同等の長さとなっている。よって、何らの手当てを施さなければ、基準周波数の１／２の周波数の駆動時、データ線群の第１〜第３データ線の各々に係るリーク期間も、基準周波数駆動時のこれらのリーク期間と比較して長くなる恐れがある。
【０１３７】
しかるに本実施形態によれば、選択信号供給手段は、データ線群毎にｎ種類の画像信号がマルチプレクスされる各期間内において、該各期間の終了時点を基準として選択信号の出力が終了する時点を定めて選択信号を出力する。
【０１３８】
本実施形態では、既に図４及び図６を参照して説明したように、ｎ＝３とした場合、マルチプレクス信号は、３種類の画像信号（Ｒデータ、Ｇデータ、Ｂデータ）が１水平期間の期間内において時分割多重された信号である。
【０１３９】
そして、本実施形態において、図７に示すように、選択信号供給手段は、１水平期間期間内で供給される第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、ＢＳＥＬのうち、最後に供給される第３選択信号ＢＳＥＬの出力の終了時点が、該１水平期間の終了時点よりも僅かに以前に来るように、第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、ＢＳＥＬの夫々を出力する。この際、第１〜第３選択信号ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、ＢＳＥＬの夫々が出力される期間、或いはデータ線群における各選択用スイッチング素子を構成するＴＦＴが画像信号を出力する期間は固定するとよい。即ち、データ線に対する書き込み能力が同じであれば、例えば駆動周波数を落とした場合であっても、これらＴＦＴが画像信号を出力する期間を長くする必要性は殆ど又は実践上全くない。他方で、この画像信号を出力する期間を固定したまま、駆動周波数を下げれば、相対的に短くなったこの画像信号を出力する期間を、該各期間の終了時点寄りに集めたことになる。これにより、データ線群における各データ線に係るリーク期間は、相対的に短くされたことになり、リーク電流量が低減されることになる。
【０１４０】
その結果、本実施形態の液晶装置では、駆動周波数の変化に起因する、各データ線群に含まれる各データ線のリーク電流量の増加が抑制されるため、このリーク電流量の増加によるフリッカ等の発生も抑制され、その結果、従来の電気光学装置と比較してカラー表示の際の表示品質を大幅に改善することができる。
【０１４１】
以上のように第２実施形態によれば、省エネ用に駆動周波数を低下させた場合であっても、画質を殆ど又は全く劣化させることなく表示動作を行えるという大きな利点が得られる。
【０１４２】
＜３；液晶装置の構成例＞
次に以上説明した第１及び第２実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、液晶装置１を上面から見た平面図であり、図９は、図８のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１４３】
液晶装置１は、上述したように主要部に液晶パネル１００を有している。液晶パネル１００は、その画像表示領域１１０に、スイッチング素子１１６、画素電極１１８等（図１参照）を形成した素子基板６０２と、対向電極１０８等を形成した対向基板６０４とを、互いに電極形成面を対向させて且つ一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶を挟持することで構成されている。尚、図８には、素子基板６０２をその上に形成された各構成要素と共に対向基板６０４の側から見た液晶装置１の構成を示してある。
【０１４４】
図８及び図９において、素子基板６０２の上には、画像表示領域１１０（即ち、実際に液晶層配向状態変化により画像が表示される液晶装置の領域）の周囲において、素子基板６０２と対向基板６０４の両基板を貼り合わせて液晶層を包囲する光硬化性樹脂からなるシール材６０６が、画像表示領域１１０に沿って設けられている。そして、対向基板６０４上における画像表示領域１１０とシール材６０６との間には、遮光性の額縁遮光膜６０８が設けられている。遮光性の額縁遮光膜６０８や遮光層６０９を素子基板６０２上に形成してもよい。
【０１４５】
また、図８において、画像表示領域１１０の左右２辺に沿った部分には、走査線駆動回路１３０が両側に設けられている。ここで、走査線１１２の駆動遅延が問題にならないような場合、走査線駆動回路１３０は走査線１１２に対して片側のみに形成しても良い。
【０１４６】
シール材６０６の外側の領域には、画像表示領域１１０の下辺に沿って画像信号供給手段１２０及び外部からの信号入力等を行う外部回路接続用端子６１０が設けられており、画像表示領域１１０の左右の２辺に沿って走査線駆動回路１３０が画像表示領域１１０の両側に設けられている。更に画像表示領域１１０の上辺には、走査線駆動回路１３０に電源や駆動信号を供給するための複数の配線６１２が設けられている。また、対向基板６０４のコーナー部の少なくとも一箇所で、素子基板６０２と対向基板６０４との間で電気的導通をとるための上下導通材６１４が設けられている。そして、シール材６０６とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板６０４が当該シール材６０６により素子基板６０２に固着されている。
【０１４７】
また、液晶装置１において、ＲＧＢのカラーフィルタは、遮光層６０９の形成されていない画素電極１１８に対向する所定領域にその保護膜と共に、対向基板６０４上に形成されている。このような構成を有する本発明に係る液晶装置１は、直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に適用することができる。
【０１４８】
また、液晶装置１に用いる各スイッチング素子は、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴでも良いし、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、本実施の形態は有効である。
【０１４９】
更に、液晶装置１において、液晶層を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いて構成すれば、配向膜、並びに前述の偏光フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まることによる液晶装置の高輝度化や低消費電力化の利点が得られる。
【０１５０】
尚、画像信号出力回路１２０及び走査線駆動回路１３０は、素子基板６０２の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、素子基板６０２の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
＜４；電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【０１５１】
＜４−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１５２】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶パネル１００と同等であり、画像信号処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１５３】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１５４】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１５５】
＜４−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、この液晶パネルを、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１１は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１５６】
＜４−３；携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１２は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶パネル１００５を備えるものである。この反射型の液晶パネル１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１５７】
尚、図１０〜図１２を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１５８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学パネルの駆動回路及び方法、電気光学パネルの検査回路及び方法、並びに該駆動回路や検査回路等を備えた電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】同液晶装置の画素の一態様を示すブロック図である。
【図３】同液晶装置におけるデマルチプレクス回路の構成を示すブロック図である。
【図４】同液晶装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図５】図５（Ａ）は、同液晶装置に係るデータ線選択スイッチング素子の変形例を示す回路図であり、図５（Ｂ）は、同液晶装置に係る検査用スイッチング素子の変形例を示す回路図である。
【図６】同液晶装置の変形例に係るタイミングチャートである。
【図７】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図８】液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図９】図８のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１０】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
【図１１】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す断面図である。
【図１２】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１１１…選択用スイッチング素子、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…トランジスタ（スイッチング素子）、１１８…画素電極、１２０…画像信号供給手段、１３０…走査線駆動回路、１４２…選択信号供給手段、１６０…デマルチプレクス回路、ＲＳＥＬ、ＧＳＥＬ、ＢＳＥＬ…選択信号[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a driving circuit and a method for an electro-optical panel such as a liquid crystal panel and an organic EL (Electro-Luminescence) panel, and an electro-optical device using them.
[0002]
[Background]
This type of driving circuit constitutes an electro-optical device together with the electro-optical panel, and is built in or retrofitted on a substrate constituting the electro-optical panel to drive the electro-optical panel. As one driving method for RGB color display in such a driving circuit, there is a multiplexer method (see, for example, Patent Document 1).
[0003]
Here, an example of a conventional multiplexer system will be described. In this multiplexer method, a plurality of data lines in the electro-optical panel are divided into data line groups including, for example, three data lines. Three data lines included in each data line group are allocated to a red (R) data line, a green (G) data line, and a blue (B) data line. On the other hand, one horizontal period related to the image signal is divided into a red (R) period, a green (G) period, and a blue (B) period, and 1 is applied to the same image signal line from the image signal source. For each horizontal period, RGB image signals obtained by multiplexing R, G, and B image signals on the time axis are supplied. Then, an image signal is input to the R data line in the R period and a G data line in the G period by a selection operation by a selection switch provided between the same image signal line and the three RGB data lines. An image signal is input to the B data line during the B period. As a result, an R image signal is supplied to the R pixel portion, a G image signal is supplied to the G pixel portion, and a B image signal is supplied to the B pixel portion. Is supplied.
[0004]
In this manner, according to the multiplex method, RGB color images can be displayed by demultiplexing the RGB image signals multiplexed in the image signal source by the selection switch.
[0005]
On the other hand, in many cases, this type of electro-optical panel is provided with an inspection circuit for performing an inspection during manufacture, at the completion of manufacture, at the time of shipment, at the time of inspection after use, or at the time of failure.
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-61-145597
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to the multiplexer system as described above, for example, the input of the image signal to the data line group is performed in the order of the R data line, the G data line, and the B data line in one frame. Occurs. That is, if a period in which a leakage current occurs in the data line (here, a period from when a desired voltage is written to the data line until the switching element of the writing pixel is turned off) is defined as a leakage period, the R data line Comparing the length of each of the leak period, the leak period related to the G data line, and the leak period related to the B data line, the leak period related to the R data line, the leak period related to the G data line, And the leakage period of the B data line becomes shorter in order. Therefore, among the three data lines included in the data line group, the leakage charge amount is the largest in the R data line. Therefore, the write potential fluctuation due to the leak charge is most likely to occur in the R data line, and there are technical problems such as flicker, flickering, bright lines, etc., occurring during color display in the display area of the electro-optical panel.
[0008]
Further, in the drive circuit of the electro-optical panel, for example, when the drive frequency is actively changed for the purpose of saving power consumption, the above-described flicker or flicker is caused by the relatively long leak period. The occurrence of bright lines may be promoted.
[0009]
In addition, when the data line is provided with a selection switch for connecting to the inspection wiring at the time of circuit inspection, there is a problem that a leakage path via this selection switch exists and promotes the above problem.
[0010]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an electro-optical panel drive circuit and method, an electro-optical panel inspection circuit, and an electro-optical panel that can suppress the occurrence of flicker and the like in color display while adopting a multiplex system. It is an object of the present invention to provide a method and an electro-optical device using them.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the drive circuit for the first electro-optical panel of the present invention has a plurality of data line groups each including n data lines (where n is a natural number of 2 or more). Is a driving circuit for an electro-optical panel that multiplexes n types of image signals on a time axis, thereby providing a multiplexed signal for each data line group to each of the plurality of data line groups. The image signal supply means for outputting and the multiplexed signal input from the input end side are demultiplexed according to the selection signal, and the image signal obtained by the demultiplexing is sent from the output end side to the data line. A switching element for selection to output, and a selection signal supply means for supplying the selection signal to the switching element for selection. The switching element for selection is a semiconductor element. N data lines are provided corresponding to the n data lines for each data line group, and each of the n semiconductor elements corresponding to the n data lines is provided for each data line group. , One semiconductor element to which the selection signal is supplied relatively earlier and another semiconductor element to which the selection signal is supplied relatively later than the other semiconductor element. Excellent off-current characteristics.
[0012]
According to the drive circuit for the first electro-optical panel of the present invention, during the operation, the image signal supply means outputs a multiplexed signal including n types of image signals multiplexed on the time axis to a plurality of data lines. Output for each group. In parallel with this, the selection signal supply means supplies a selection signal to each of the n selection switching elements provided corresponding to the n data lines for each data line group. As a result, in response to the input of the selection signal, the selection switching element starts from the output end side of the jth data line among the n data lines constituting the data line group corresponding to the selection switching element ( However, an image signal included in a multiplex signal input from the input end side is output to a data line (j is a natural number between 1 and n).
[0013]
Here, the switching element for selection includes a semiconductor element, and one of the semiconductor elements included in each of the n switching elements for selection in the data line group is selected with respect to another semiconductor element. The signal is supplied first. Therefore, the leakage period related to the data line corresponding to one selection switching element including the semiconductor element to which the selection signal is supplied earlier is the other period including the semiconductor element to which the selection signal is supplied later. This is longer than the leak period related to the data line corresponding to the selection switching element. For this reason, the amount of leakage current in the data line is expected to be larger than the amount of leakage current in the data line corresponding to the other selection switching elements. However, according to the present invention, one semiconductor element to which the selection signal is supplied relatively earlier has better off-current characteristics than other semiconductor elements to which the selection signal is supplied relatively later. For example, with respect to n selection switching elements in the data line group, one semiconductor element to which a selection signal is supplied first has superior off-current characteristics compared to other semiconductor elements, or the selection signal is last One supplied semiconductor element is inferior in off-state current characteristics compared to other semiconductor elements.
[0014]
As a result, according to the first electro-optical panel drive circuit of the present invention, the adverse effect of the leakage current is preferentially or actively reduced for the data lines that are likely to generate a leakage current during operation. Therefore, flicker can be reduced efficiently.
[0015]
In one aspect of the driving circuit of the first electro-optical panel of the present invention, the selection signal is sequentially supplied to the n semiconductor elements for each data line group in the order of excellent off-current characteristics. Has been.
[0016]
According to the drive circuit for the first electro-optical panel of the present invention, the selection signal supply unit is configured to select a switching element corresponding to one data line group among the plurality of data line groups in the data line group. A selection signal is supplied at a timing for sequentially outputting the j-th image signal to the j-th data line. Therefore, in this data line group, the leak period related to the j-th data line becomes jth long in order. On the other hand, the semiconductor element included in each selection switching element in the data line group is configured to have better off-current characteristics as the leakage period becomes longer, corresponding to the length of the leakage period related to each data line. Yes. Therefore, since the adverse effects of the leakage current are reduced preferentially in the order in which leakage currents are relatively likely to occur during operation for a plurality of data lines in the data line group, flicker can be reduced efficiently.
[0017]
In another aspect of the drive circuit for the first electro-optical panel of the present invention, the image signal in the multiplexed signal is multiplexed within one horizontal period for each data line group, and the selection signal supply means The selection signal is sequentially supplied to the n semiconductor elements within the one horizontal period.
[0018]
According to this aspect, in one horizontal period, the switching element for selection responds to the input of the selection signal with respect to the jth data line among the n data lines constituting the corresponding data line group. Thus, an image signal included in the multiplexed signal is output. Here, in particular, the semiconductor element included in each selection switching element is configured to have better off-current characteristics as the leakage period becomes longer, so that generation of leakage current can be efficiently suppressed for each horizontal period. Can do.
[0019]
In another aspect of the drive circuit for the first electro-optical panel of the present invention, the semiconductor element includes a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT” as appropriate), and the off-current characteristic is the thin film transistor. Of the off current.
[0020]
According to this aspect, the off-current value of the TFT included in each semiconductor element is changed as the off-current characteristic. For example, for each data line group, the off current value of one TFT to which the selection signal is supplied first is set to be smaller than that of the other TFTs.
[0021]
In this aspect, one thin film transistor to which the selection signal is supplied relatively first among the n semiconductor elements for each data line group is different from another thin film transistor to which the selection signal is supplied relatively later. In comparison, the channel width may be small, or alternatively, the channel length may be large.
[0022]
With this configuration, the off-current characteristics of one TFT to which the selection signal is supplied relatively earlier can be obtained relatively later by the relatively simple method of adjusting the channel width and the channel length. It is possible to obtain a configuration superior to other supplied TFTs.
[0023]
Alternatively, in this aspect, the semiconductor element has a complementary transistor as the thin film transistor, and one of the n semiconductor elements for each data line group is supplied with the selection signal relatively first. The type transistor has a larger off-current than at least one of the different conductive type thin film transistors constituting the one or the other complementary transistor as compared with the other complementary transistor to which the selection signal is supplied relatively later. The conductive thin film transistor may be configured such that the channel width is small, or instead of this, or in addition, the channel length is large.
[0024]
With this configuration, the off-current characteristics of one TFT to which the selection signal is supplied relatively earlier can be obtained relatively later by the relatively simple method of adjusting the channel width and the channel length. It is possible to obtain a configuration superior to other supplied TFTs. In addition, in this case, the off current value of the conductive thin film transistor having the larger off current, which mainly regulates the off current or off current characteristics of the complementary transistor, is adjusted. In other words, the adjustment for reducing the leakage current is unnecessary for the thin film transistor that mainly regulates the sampling capacity or the amount of charge supplied when sampling the image signal. As a result, it is possible to effectively suppress the occurrence of leakage current while keeping the supplied charge amount at the time of ON substantially equal to the value when the off-current characteristics of the transistor are not changed.
[0025]
In another aspect of the first electro-optical panel drive circuit of the present invention, the electro-optical panel driving test further includes an inspection switching element, and the inspection switching element includes an inspection semiconductor element. And the selection signal is provided on the data line in correspondence with the switching element for selection, and the selection signal is selected from the n semiconductor elements for inspection corresponding to the n semiconductor elements for each data line group. The inspection semiconductor element corresponding to one semiconductor element supplied relatively earlier is turned off than the inspection semiconductor element corresponding to another semiconductor element supplied relatively later with the selection signal. Excellent current characteristics.
[0026]
According to this aspect, the inspection switching element provided corresponding to the selection switching element is in an off state when the electro-optical panel is driven, and is selected from the n inspection semiconductor elements for each data line group. An inspection semiconductor element corresponding to one semiconductor element to which a signal is supplied relatively earlier has an off-current characteristic than an inspection semiconductor element corresponding to another semiconductor element to which a selection signal is supplied relatively later Excellent. For example, for n test switching elements in a data line group, a test semiconductor element corresponding to one semiconductor element to which a selection signal is supplied first has excellent off-current characteristics compared to other test semiconductor elements. Alternatively, an inspection semiconductor element corresponding to one semiconductor element to which a selection signal is supplied last is inferior in off-current characteristics compared to other inspection semiconductor elements.
[0027]
Therefore, according to this aspect, at the time of inspection, the driving inspection can be performed by the inspection switching element, and at the time of operation, it is possible to reduce the adverse effect of the leakage current due to the inspection semiconductor element included in the inspection switching element. Become.
[0028]
In this aspect, the n inspection semiconductor elements may be configured to have excellent off-current characteristics in an order corresponding to the order in which the selection signals are supplied.
[0029]
According to this configuration, in one data line group among the plurality of data line groups, the selection signal supply unit performs the j-th operation on the n selection switching elements corresponding to the n inspection switching elements. The selection signal is supplied at a timing for sequentially outputting the j-th image signal to the data line. Therefore, in this data line group, the leak period related to the j-th data line becomes jth long in order. On the other hand, the test semiconductor element included in each test switching element in the data line group is configured to have better off-current characteristics as the leak period becomes longer, corresponding to the length of the leak period related to each data line. Has been. Therefore, it is possible to further reduce the adverse effect of the leakage current in the inspection semiconductor element included in the inspection switching element for a plurality of data lines in the data line group.
[0030]
In another aspect of the drive circuit for the first electro-optical panel of the present invention, the selection signal supply means is configured so that the other semiconductor element outputs the image signal during a period in which the one semiconductor element outputs the image signal. The selection signal is supplied so as to be longer than the output period.
[0031]
In the first electro-optical panel drive circuit of the present invention, as described above, one semiconductor element to which the selection signal is supplied relatively first has excellent off-current characteristics. However, in the data line corresponding to this semiconductor element, There is a possibility that the image signal is not sufficiently written to the data line. However, according to this aspect, the selection signal supply means supplies the selection signal so that the period during which the one semiconductor element having this excellent off-current characteristic outputs the image signal becomes relatively long. Therefore, in the data line corresponding to one semiconductor element having excellent off-current characteristics, it is possible to sufficiently write the image data signal to the data line.
[0032]
In order to solve the above problems, the drive circuit for the second electro-optical panel of the present invention has a plurality of data line groups each including n (where n is a natural number of 2 or more) data lines. Is a drive circuit for an electro-optical panel that drives n, and multi-presses n types of image signals on a time axis, thereby providing a multiplexed signal for each data line group for each of the plurality of data line groups. The image signal supply means for outputting and the multiplexed signal input from the input end side are demultiplexed according to the selection signal, and the image signal obtained by the demultiplexing is sent from the output end side to the data line. A switching element for selection to output, and a selection signal supply means for supplying the selection signal to the switching element for selection, each of the switching elements for selection being a semiconductor N is provided corresponding to each of the n data lines for each data line group, and the selection signal supply means corresponds to the n data lines for each data line group. Of the n semiconductor elements, the one semiconductor element is about one semiconductor element to which the selection signal is supplied relatively earlier and the other semiconductor element to which the selection signal is supplied relatively later. The selection signal is supplied such that a period during which the image signal is output is longer than a period during which the other semiconductor element outputs the image signal.
According to the second electro-optical panel drive circuit of the present invention, it is possible to obtain the same operations and effects as those in the aspect related to the image signal output period in the first electro-optical panel drive circuit described above. That is, the selection signal supply means supplies the selection signal so that the period during which the one semiconductor element having this excellent off-current characteristic outputs the image signal becomes relatively long. Therefore, in the data line corresponding to one semiconductor element having excellent off-current characteristics, it is possible to sufficiently write the image data signal to the data line.
[0033]
In another aspect of the first and second electro-optical panel drive circuits of the present invention, the selection signal supply means is configured in the order of excellent off-current characteristics for the n semiconductor elements for each data line group. The selection signal is supplied so that a period for outputting the image signal becomes longer.
[0034]
According to this aspect, for a plurality of data lines in the data line group, the period for outputting the image signal is lengthened in an order in which it is difficult to write the image signal at the time of operation. Can be done.
[0035]
In another aspect of the first and second electro-optical panel drive circuits of the present invention, the drive circuit of the electro-optical panel has a variable drive frequency, and the selection signal supply means is provided for each data line group. Within each period in which the n types of image signals are multiplexed, the selection signal is output with a time point at which the output of the selection signal ends with the end point of each period as a reference.
[0036]
According to this aspect, the selection signal supply is performed so that the end point of the output of the selection signal that is supplied last in each multiplexed period such as the horizontal period comes slightly before the end point of each period. The means outputs a selection signal. At this time, the period during which the selection signal is output or the period during which each semiconductor element outputs the image signal is preferably fixed. That is, if the writing ability to the data line is the same, even when the drive frequency is lowered, for example, the period for outputting the image signal is shortened by collecting near the end of each period and shortening the leak period. There is little or no need to lengthen it. In this way, the amount of leakage current is reduced extremely efficiently.
[0037]
In order to solve the above-described problem, the third electro-optical panel drive circuit of the present invention has a plurality of data line groups each including n (where n is a natural number of 2 or more) data lines. Is a drive circuit for an electro-optical panel that drives n, and multi-presses n types of image signals on a time axis, thereby providing a multiplexed signal for each data line group for each of the plurality of data line groups. The image signal supply means for outputting and the multiplexed signal input from the input end side are demultiplexed according to the selection signal, and the image signal obtained by the demultiplexing is sent from the output end side to the data line. A switching element for selection to output, and a selection signal supply means for supplying the selection signal to the switching element for selection, each of the switching elements for selection being a semiconductor Each of the data line groups includes n elements corresponding to the n data lines, and the driving circuit of the electro-optical panel has a variable driving frequency, and the selection signal supply means Outputs the selection signal by determining when the output of the selection signal ends with reference to the end time of each period within each period in which the n types of image signals are multiplexed for each data line group To do.
[0038]
According to the third electro-optical panel drive circuit of the present invention, it is the same as in the case of determining the time point when the output of the selection signal in the first or second electro-optical panel drive circuit ends. Actions and effects can be obtained. That is, the selection signal supply means selects the selection signal supply means so that the end point of the output of the selection signal supplied last in each multiplexed period such as a horizontal period comes slightly before the end point of each period. Output a signal. If the writing ability to the data line is the same, for example, even when the drive frequency is lowered, the period for outputting the image signal is shortened by gathering near the end of each period and shortening the leak period. There is little or no need to lengthen it. In this way, the amount of leakage current is reduced extremely efficiently.
[0039]
In another aspect of the first, second, and third electro-optical panel drive circuits of the present invention, the selection signal supply means includes the selection signal in the period based on the end point of the period. The time point at which the output ends is fixed regardless of the change in the driving frequency, and the selection signal is output.
[0040]
According to this aspect, for example, the end point of the output of the selection signal that is supplied last in each multiplexed period such as a horizontal period comes before the end point of each period by a small fixed time. The selection signal supply means outputs a selection signal.
Thereby, it is possible to set the leak period to be always short relatively easily.
[0041]
According to another aspect of the first, second, and third electro-optical panel drive circuits of the present invention, the selection signal supply means includes the selection signal supply means in the respective periods on the basis of the end point of each period. The selection signal is output so that the time point when the output of the selection signal ends is closer to the end time than the start time of each period.
[0042]
According to this aspect, for example, the end point of output of the selection signal supplied last in each multiplexed period such as a horizontal period is brought closer to the end point than the start point of each period. As a result, within each period, it is possible to always set the leak period to be shorter than half of each period.
[0043]
In order to solve the above-described problems, an electro-optical device of the present invention includes the above-described electro-optical panel drive circuit of the present invention (including various aspects thereof) and the electro-optical panel.
[0044]
According to the electro-optical device of the present invention, since the above-described electro-optical panel drive circuit of the present invention is provided, the leakage current in each data line group can be suppressed. Therefore, when performing color display in the electro-optical device of the present invention, the occurrence of flicker or the like is suppressed, and as a result, the display quality at the time of color display can be greatly improved as compared with the conventional electro-optical device. .
[0045]
In order to solve the above-described problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention.
[0046]
Since the electronic apparatus of the present invention includes the above-described electro-optical device of the present invention, a projection display device, a liquid crystal television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, and a viewfinder type capable of displaying a high-quality image. Alternatively, various electronic devices such as a monitor direct-view video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. Further, as the electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper can be realized.
[0047]
In order to solve the above problems, the first electro-optical panel driving method of the present invention includes an electro-optical panel having a plurality of data line groups each including n data lines (where n is a natural number of 2 or more). A driving method of an electro-optical panel to be driven, wherein n types of image signals are multi-pressed on a time axis, and output to each of the plurality of data line groups as a multiplexed signal for each data line group Image signal supplying step, and demultiplexing the multiplexed signal input from the input end side according to the selection signal, and outputting the image signal obtained by the demultiplexing from the output end side to the data line And a selection signal supply step for supplying the selection signal to the selection switching element to be selected, each of the selection switching elements including a semiconductor element and the data. Each line group is provided with n corresponding to the n data lines, and among the n semiconductor elements corresponding to the n data lines for each data line group, the selection signal is relative. With respect to one semiconductor element supplied earlier and another semiconductor element supplied with the selection signal relatively later, the one semiconductor element has better off-current characteristics than the other semiconductor elements.
[0048]
According to the first electro-optical panel driving method of the present invention, as in the case of the above-described first electro-optical panel driving circuit of the present invention, the data line in which leakage current is relatively likely to occur Since the adverse effect of the leakage current is preferentially reduced, flicker can be reduced efficiently.
[0049]
In order to solve the above problems, the second electro-optical panel driving method of the present invention includes an electro-optical panel having a plurality of data line groups each including n (where n is a natural number of 2 or more) data lines. A driving method of an electro-optical panel to be driven, wherein n types of image signals are multi-pressed on a time axis, and output to each of the plurality of data line groups as a multiplexed signal for each data line group Image signal supplying step, and demultiplexing the multiplexed signal input from the input end side according to the selection signal, and outputting the image signal obtained by the demultiplexing from the output end side to the data line And a selection signal supply step for supplying the selection signal to the selection switching element to be selected, each of the selection switching elements including a semiconductor element and the data. N lines corresponding to the n data lines are provided for each line group, and the selection signal supplying step includes n semiconductor elements corresponding to the n data lines for each data line group. A period in which the one semiconductor element outputs the image signal with respect to one semiconductor element to which the selection signal is supplied relatively earlier and another semiconductor element to which the selection signal is supplied relatively later. The selection signal is supplied so as to be longer than a period in which the other semiconductor element outputs the image signal.
[0050]
According to the second electro-optical panel driving method of the present invention, similarly to the above-described driving circuit of the second electro-optical panel of the present invention, the data line corresponding to one semiconductor element having excellent off-current characteristics is provided. In this case, the image data signal can be sufficiently written to the data line.
[0051]
In order to solve the above problem, the third electro-optical panel driving method of the present invention includes an electro-optical panel having a plurality of data line groups each including n (where n is a natural number of 2 or more) data lines. A driving method of an electro-optical panel to be driven, wherein n types of image signals are multi-pressed on a time axis, and output to each of the plurality of data line groups as a multiplexed signal for each data line group Image signal supplying step, and demultiplexing the multiplexed signal input from the input end side according to the selection signal, and outputting the image signal obtained by the demultiplexing from the output end side to the data line And a selection signal supply step for supplying the selection signal to the selection switching element to be selected, each of the selection switching elements including a semiconductor element and the data. Each line group includes n data lines corresponding to the n data lines. The driving method of the electro-optical panel has a variable driving frequency, and the selection signal supplying step is performed for each data line group. Within each period in which the n types of image signals are multiplexed, the selection signal is output with a time point at which the output of the selection signal ends with the end point of each period as a reference.
[0052]
According to the third electro-optical panel drive method of the present invention, as in the case of the above-described third electro-optical panel drive circuit of the present invention, the last one in each multiplexed period such as a horizontal period, for example. The selection signal supply step outputs the selection signal so that the end point of the output of the supplied selection signal comes slightly before the end point of each period. Then, by collecting near the end of each period and shortening the leak period, there is little or no need to lengthen the period for outputting the image signal, and the amount of leak current can be reduced extremely efficiently. It will be.
[0053]
Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.
[0054]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the electro-optical device of the present invention is applied to a TFT active matrix driving type liquid crystal device.
[0055]
<1; First Embodiment>
A first embodiment of the electro-optical device according to the invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
[0056]
<1-1: Configuration of liquid crystal device>
First, a schematic configuration of the liquid crystal device will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment, and FIG. 2 is a circuit diagram showing the circuit configuration in each pixel unit.
[0057]
The liquid crystal device according to the first embodiment includes a liquid crystal panel as an example of an “electro-optical panel” according to the invention as a main part. The liquid crystal panel is attached with an element substrate on which TFTs, pixel electrodes, etc. are formed as switching elements for pixels, and a counter substrate, on which counter electrodes are formed, with the electrode formation surfaces facing each other and maintaining a certain gap, The liquid crystal is sandwiched between the gaps.
[0058]
In FIG. 1, the liquid crystal device 1 includes a liquid crystal panel 100, an image signal supply unit 120, a scanning line driving circuit 130, and an inspection circuit 150. The liquid crystal device 1 further includes a control circuit 140 that generates a signal for controlling the driving of the liquid crystal device 1, and a selection signal supply unit 142 is provided in the control circuit 140.
[0059]
The liquid crystal panel 100 has an image display area 110 defined on its element substrate, and the demultiplexing circuit 16 is provided in a peripheral area located around the image display area 110. 0 It has.
[0060]
The liquid crystal panel 100 includes data lines 114 and scanning lines 112 wired vertically and horizontally in an image display area 110, and pixel electrodes 118 and pixel electrodes 118 arranged in a matrix form at respective pixels corresponding to the intersections thereof. A TFT 116 for switching control is provided.
[0061]
FIG. 2 shows a specific configuration example of the connection relationship between the pixel electrode 118 and the TFT 116 and the scanning line 112 and the data line 114.
[0062]
Note that FIG. 2 shows a configuration example in the case where a single-channel TFT is used as the TFT 116. As shown in FIG. 2, the data line 114 is electrically connected to the source electrode of the TFT 116, while the scanning line 112 to which a scanning signal is supplied is electrically connected to the gate electrode of the TFT 116. In addition, a pixel electrode 118 is connected to the drain electrode of the TFT 116. Each pixel is constituted by the pixel electrode 118, the counter electrode 108 formed on the counter substrate, and the liquid crystal 105 sandwiched between the two electrodes. As a result, each intersection of the scanning line 112 and the data line 114 is obtained. Corresponding to the above, they are arranged in a matrix.
[0063]
Note that a storage capacitor 119 is added in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 118 and the counter electrode 108 in order to prevent the held image signal from leaking. For example, since the voltage of the pixel electrode 118 is held by the storage capacitor 119 for a time that is three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied, the holding characteristics are improved, resulting in a high contrast ratio. Become.
[0064]
Further, as shown in FIG. 2, a counter electrode potential LCCOM described later is applied to the counter electrode 108, and the level is inverted every horizontal period.
[0065]
The demultiplexing circuit 160 and the inspection circuit 150 include a plurality of switching elements configured using TFTs. The demultiplexing circuit 160 includes n data lines 114 as a group, and includes a selection switching element 111 provided on each of the n data lines 114.
[0066]
In the present embodiment, unless otherwise specified, n = 3 as shown in FIG. 1, that is, a total of three data lines 114, one for RGB, are grouped as one group or one data line group. Give an explanation. However, for example, a total of six data lines 114, two each for RGB, can be configured as a group.
[0067]
The inspection circuit 150 includes n inspection switching elements 113 provided corresponding to the n selection switching elements 111 in the data line group. That is, the n inspection switching elements 113 are provided corresponding to the n data lines 114 in the data line group, and the output end side of the inspection switching 113 is connected to the corresponding data line 114. A more detailed configuration of the demultiplexing circuit 160 will be described later.
[0068]
The image signal supply means 120 has, for example, 240 output terminals, and outputs multiplex signals SEG1 to SEG240 from each output terminal based on input image data supplied to the liquid crystal device 1. According to the present embodiment, the multiplex signals SEG1 to SEG240 are time division multiplexed.
[0069]
The scanning line driving circuit 130 sequentially outputs, for example, 320 scanning signals G1 to G320 to the scanning lines 112 in the image display area 110.
[0070]
The selection signal supply unit 142 in the control circuit 140 outputs the first to nth selection signals within one horizontal period.
[0071]
In the inspection circuit 150, for example, at the time of driving inspection of the electro-optical panel, an inspection selection signal is supplied to each of the n inspection switching elements 113 in each of the plurality of data line groups, and in response to the input of the inspection selection signal. An inspection signal output to the data line 114 is supplied via the inspection switching element 113.
[0072]
Next, a more detailed configuration of the demultiplexing circuit 160 will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows a configuration of the demultiplexing circuit 160 and a schematic configuration of the inspection circuit 150.
[0073]
In the present embodiment, the data line group 115 includes n data lines 114 of the first to nth data lines. Here, in this embodiment, n = 3, and a configuration example of the data line group 115 including the first to third data lines 114a, 114b, and 114c is shown in FIG. Also in FIG. 1, as in FIG. 3, the liquid crystal device 1 is configured to include a data line group 115 where n = 3.
[0074]
According to the configuration example of the present embodiment, 240 data line groups 115 are provided in the image display area 110 corresponding to each of the 240 multiplexed signals SEG1 to SEG240 described above. The number of scanning lines 112 for each data line group 115 is 320.
[0075]
Therefore, the number of pixels in the data line group 115 is 3 × 320 corresponding to each intersection of the first to third data lines 114a, 114b, and 114c and the scanning line 112. In the present embodiment, these pixels are appropriately referred to as sub-pixels Ps for convenience of explanation.
[0076]
In this configuration example, 320 pixels corresponding to each intersection of the first data line 114a and the scanning line 112 are sub-pixels Psr displaying red (R), and each intersection of the second data line 114b and the scanning line 112. 320 pixels corresponding to the sub pixels Psg displaying green (G), and 320 pixels corresponding to each intersection of the third data line 114c and the scanning line 112 are sub pixels Psb displaying blue (B). .
[0077]
Further, in the data line group 115, a set of sub-pixels Ps corresponding to each intersection of the first to third data lines 114a, 114b, and 114c and one scanning line 112 is a main pixel. It will be appropriately referred to as Pm. According to this configuration example as described above, the total number of main pixels Pm in the image display area 110 of the liquid crystal panel is 240 × 320.
[0078]
The demultiplexing circuit 160 includes first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c for each of the 240 data line groups 115.
[0079]
In the present embodiment, in the data line group 115, first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c are provided on one end side of the first to third data lines 114a, 114b, and 114c. . FIG. 3 shows a configuration example in the case where a single-channel TFT is used as the TFT constituting each of the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c.
[0080]
Focusing on the first data line 114a, the first data line 114a is provided with a first selection switching element 111a by electrically connecting the source electrode or the drain electrode to the first data line 114a. ing. Similarly to the first selection switching element 111a, the second data line 114b is provided with the second selection switching element 111b, and the third data line 114c is provided with the third selection switching element 111c. Yes.
[0081]
The inspection circuit 150 includes first to third inspection switching elements 113a, 113b, and 113c corresponding to the first to third data lines 114a, 114b, and 114c in each of the 240 data line groups 115. .
[0082]
In the data line group 115, the other end sides of the first to third data lines 114a, 114b, and 114c and the output end sides of the first to third inspection switching elements 113a, 113b, and 113c are electrically connected. ing. FIG. 3 shows a configuration example in the case where a single-channel TFT is used as the TFT constituting each of the first to third inspection switching elements 113a, 113b, and 113c.
[0083]
Focusing on the first data line 114a, the first data line 114a is provided with a first inspection switching element 113a by electrically connecting the source electrode or the drain electrode to the first data line 114a. ing. Similarly to the first inspection switching element 113a, the second data line 114b is provided with a second inspection switching element 113b, and the third data line 114c is provided with a third inspection switching element 113c. Yes.
[0084]
In the driving inspection of the electro-optical panel, in each data line group 115, the inspection selection signal output from the inspection circuit 150 is the first inspection switching element 113a, the second inspection switching element 113b, and the third inspection. Is input to one of the gate electrodes of the switching element 113c.
[0085]
Multiplex signals SEG <b> 1 to SEG <b> 240 output from the image signal supply unit 120 are input to the 240 data lines 115. In the present embodiment, one multiplex signal SEGj is input to one data line group 115 in one horizontal period.
[0086]
The selection signal supply unit 142 outputs the first to third selection signals RSEL, GSEL, and BSEL that are input to the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c within a period of one frame. To do. The first selection signal RSEL is input to the gate electrode of the first selection switching element 111a, the second selection signal GSEL is input to the gate electrode of the second selection switching element 111b, and the third selection signal BSEL is Input to the gate electrode of the switching element 111c for 3 selection.
[0087]
In the data line group 115, the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c receive the inputs of the multiplex signal SEGj to the first to third data lines 114a, 114b, and 114c, respectively. Switching control is performed based on the three selection signals RSEL, GSEL, and BSEL.
[0088]
<1-2: Operation of liquid crystal device>
Next, the operation of the liquid crystal device 1 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a timing chart showing temporal changes of various signals related to the operation of the liquid crystal device 1.
[0089]
As shown in FIG. 4, the common potential LCCOM that is the potential of the counter electrode 108 is switched between a high potential and a low potential every horizontal period. This is because the inversion driving method for preventing flickering as well as preventing the burning and deterioration of the liquid crystal is employed.
[0090]
Here, in this embodiment, one horizontal period consists of four divided periods.
Further, as already described, the multiplexed signal SEGj output from the image signal supply means 120 is a time-division multiplexed signal, and each data line 114a, 114b, and 114c in the data line group 115 in one horizontal period. The first to third image signals to be supplied to are included.
[0091]
The first image signal is a signal to be supplied to the sub pixel (R pixel) Psr that displays red (R) in the first period, and the second image signal is a sub signal that displays green (G) in the second period. The signal to be supplied to the pixel (G pixel) Psg, and the third image signal is a signal to be supplied to the sub-pixel (B pixel) Psb that displays blue (B) in the third period.
[0092]
In FIG. 4, the first period is shown as the R period, the second period is shown as the G period, and the third period is shown as the B period. In FIG. 4, the first image signal included in the multiplex signal SEGj is shown as R data, the second image signal as G data, and the third image signal as B data.
[0093]
In addition, there is an inversion period in which the common potential is switched following the G period in one horizontal period.
[0094]
As shown in FIG. 4, in a frame (where a is a natural number of 1 or more), the scanning signal Gy output from the scanning line driving circuit 130 is applied to the scanning line 112-y shown in FIG. When the scanning signal Gy is applied, the TFTs 116 constituting the R pixel Psr, G pixel Psg, and B pixel Psb of the main pixel Pm electrically connected to the scanning line 112-y are turned on.
[0095]
In this embodiment, in any data line group 115 corresponding to the main pixel Pm, the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c are connected to the first to third data lines 114a, 114b. , And 114c are subjected to switching control for input of the first image signal (R data), the second image signal (G data), and the third image signal (B data).
[0096]
In this switching control, the first selection switching element 111a responds to the input of the first selection signal RSEL from the output end side to the first data line 114a from the input end side. The first image signal (R data) included in the plex signal SEGj is output, and the second selection switching element 111b responds to the input of the second selection signal GSEL from the output end side of the second data line 114b. In response to this, the second image signal (G data) included in the multiplex signal SEGj input from the input end side is output, and the third selection switching element 111c responds to the input of the third selection signal BSEL. The third image signal included in the multiplex signal SEGj input from the input end side to the third data line 114c from the output end side. And it outputs the (B data). Here, the input end sides of the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c are the source and drain electrodes of the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c, respectively. Any one of the electrodes (for example, a source electrode), and the output end sides of the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c are the first to third selection switching elements 111a and 111b. 111c, the other electrode (for example, drain electrode) of the source electrode and the drain electrode.
[0097]
In order to perform such switching control, the first to third selection signals RSEL, GSEL, and BSEL output from the selection signal supply unit 142 are first to third selection switching elements 111a, 111b, And 111c.
[0098]
In the demultiplexing circuit 160, the first selection signal RSEL output from the selection signal supply unit 142 in the first period (R period) is input to the first selection switching element 111a. The first selection switching element 111a to which the first selection signal RSEL is input is turned on, and the first image signal (R data) is supplied to the first data line 114a. Accordingly, writing of the first image signal (R data) to the R pixel Psr in which the corresponding TFT 116 is already turned on by the supply of the scanning signal Gy is started.
[0099]
When the supply of the first selection signal RSEL from the selection signal supply unit 142 is terminated at time t1, the first selection switching element 111a is turned off and the potential taken into the R pixel Psr at time t1. Is fixed.
[0100]
Next, in the demultiplexing circuit 160, the second selection signal GSEL output from the selection signal supply unit 142 in the second period (G period) is input to the second selection switching element 111b. The second selection switching element 111b to which the second selection signal GSEL is input is turned on, and the second image signal (G data) is supplied to the second data line 114b. Accordingly, the writing of the second image signal (G data) to the G pixel Psg in which the corresponding TFT 116 is already turned on by the supply of the scanning signal Gy is started.
[0101]
When the supply of the second selection signal GSEL from the selection signal supply unit 142 is terminated at time t2, the second selection switching element 111b is turned off, and the potential taken into the G pixel Psg at time t2. Is fixed.
[0102]
Subsequently, in the demultiplexing circuit 160, the third selection signal BSEL output from the selection signal supply unit 142 in the third period (B period) is input to the third selection switching element 111c. The third selection switching element 111c to which the third selection signal BSEL is input is turned on, and the third image signal (B data) is supplied to the third data line 114c. Accordingly, the writing of the third image signal (B data) to the B pixel Psb in which the corresponding TFT 116 is already turned on by the supply of the scanning signal Gy is started.
[0103]
When the supply of the third selection signal BSEL from the selection signal supply unit 142 is terminated at time t3, the third selection switching element 111c is turned off, and the potential taken into the B pixel Psb at time t3. Is fixed.
[0104]
Here, according to the driving example of the liquid crystal device 1, the leak period related to the first data line 114a is a period from the time t1 until the scanning signal Gy is turned off, and the leak period related to the second data line 114b is the time. This is a period from t2 until the scanning signal Gy is turned off, and a leak period related to the third data line 114c is a period from time t3 until the scanning signal Gy is turned off. In FIG. 4, the leak period related to the first data line 114a is shown as an R leak period, the leak period related to the second data line 114b is shown as a G leak period, and the leak related to the third data line 114c. The period is shown as a B leak period. Comparing the lengths of the leak periods of the first to third data lines 114a, 114b, and 114c with each other, the R leak period is the longest, the B leak period is then long, and the G leak period is the shortest. Become. Therefore, the amount of leakage current in each of the first to third data lines 114a, 114b, and 114c is superior to the off-current characteristics of the three selection switching elements (that is, the first to third selection switching elements 111a to 111c). Assuming that there is no data, the first data line 114a is maximized, then the second data line 114b is enlarged, and the third data line 114c is minimized.
[0105]
Here, according to the present embodiment, of the TFTs constituting each of the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c, one TFT to which the selection signal is relatively supplied first is Compared with other TFTs to which a selection signal is supplied relatively later, the off-current characteristics are excellent. In the present embodiment, preferably, the first selection switching elements 111a, 111b, and 111c among the first selection switching elements 111a, 111c have the best off-current characteristics of the TFTs constituting the first selection switching elements 111a. The TFT constituting the second selection switching element 111b after the switching element 111a is excellent in off-current characteristics. Of the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c, the TFT that constitutes the third selection switching element 111c has the lowest off-current characteristics.
[0106]
Further, according to the present embodiment, the off-current characteristics of the TFTs constituting each of the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c are the magnitudes of the off-currents of the TFTs. In other words, in the present embodiment, among the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c, the off-state current of the TFT constituting the first selection switching element 111a is minimized, so that the third selection switching element 111c is The off-current of the constituent TFT is maximized. The off-current of the second selection switching element 111b is next to the third selection switching element 111b.
[0107]
In order to adjust the off current in this way, the channel width of the TFT constituting the first selection switching element 111a is the smallest among the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c. Alternatively or in addition, the channel length of the TFT constituting the first selection switching element 111a is the maximum among the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c. Further, the channel width of the TFT constituting the third selection switching element 111c is the maximum among the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c, or in place of or in addition to this. The channel length of the TFT constituting the 3-selection switching element 111c is the smallest among the first to third selection-switching elements 111a, 111b, and 111c. The channel width of the TFT constituting the second selection switching element 111b is the next largest after the third selection switching element 111c, or instead of or in addition to this, the second selection switching element 111b is constituted. The channel length of the TFT is next to the first selection switching element 111a.
[0108]
Therefore, in the present embodiment, the electrical resistance of the first selection switching element 111a out of the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c is the leakage period in which the selection signal is not applied to the gate electrode. The electrical resistance of the third selection switching element 111c is minimized. The electrical resistance of the second selection switching element 111b is next to that of the first selection switching element 111a. Therefore, in the present embodiment, it is possible to efficiently suppress the occurrence of leakage current in the first to third data lines 114a, 114b, and 114c within a period of one frame.
[0109]
Therefore, according to the present embodiment, when color display is performed by driving the liquid crystal device 1, the occurrence of flicker or the like is suppressed, and as a result, the display quality at the time of color display compared to the conventional electro-optical device is suppressed. Can be greatly improved.
[0110]
In the a + 1 horizontal period following the a horizontal period, the selection of the first to third data lines 114a, 114b, and 114c in the data line group 115 and the sampling of the first to third image data signals are performed as in the a horizontal period. Is executed.
[0111]
Furthermore, in the present embodiment, it is preferable that the first to third inspection switching elements 113a, 113b, and 113c correspond to the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c, respectively. It is configured by changing. More specifically, of the first to third inspection switching elements 113a, 113b, and 113c, the TFT constituting the first inspection switching element 113a has the most excellent off-current characteristics, and this first inspection switching element. The TFT constituting the second inspection switching element 113b next to the switching element 113b has excellent off-current characteristics. The TFT constituting the third inspection switching element 113c is inferior in the off-current characteristics. The first to third inspection switching elements 113a, 113b, and 113c are in an off state when the electro-optical panel is driven.
[0112]
Therefore, in this embodiment, the adverse effect of the leakage current in the first to third inspection switching elements 113a, 113b, and 113c can be further reduced during the normal operation and within one horizontal period.
[0113]
<1-3;Modification>
<1-3-1: Data Line Selection Switching Element and Inspection Switching Element> Next, a modification of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5A is a circuit diagram showing a modification of the selection switching element in the demultiplexing circuit, and FIG. 5B is a circuit diagram showing a modification of the inspection switching element in the inspection circuit.
[0114]
In this modification, a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) which is an example of a complementary transistor according to the present invention is used as the thin film transistors constituting the selection switching element 111 and the inspection switching element 113.
[0115]
In the modification shown in FIG. 5A, in the data line group 115, the TFTs constituting the first to third data line selection switching elements 111a ′, 111b ′, and 111c ′ are CMOS. In the modification shown in FIG. 5B, in the data line group 115, the TFTs constituting the first to third inspection switching elements 113a ′, 113b ′, and 113c ′ are CMOS. Each of these CMOSs includes two types of transistors, an n-channel MOS transistor and a p-channel MOS transistor.
[0116]
In FIG. 5A, focusing on the first data line 114a, the source electrode and the drain electrode of two types of transistors included in the first selection switching element 111a ′ are electrically parallel to the first data line 114a, respectively. Connected to. In the first selection switching element 111a ′, the gate electrode of one type of transistor is electrically connected in series to the signal line to which the first selection signal RSEL is supplied, and the gate electrode of the other type of transistor Is electrically connected in series to a signal line to which an inverted signal of the first selection signal RSEL is supplied. Similar to the first selection switching element 111a ′, the second data line 114b is provided with the second selection switching element 111b ′, and the third data line 114c is provided with the third selection switching element 111c ′. It has been.
[0117]
In FIG. 5B, when attention is paid to the first data line 114a, the source electrode and the drain electrode of the two types of transistors included in the first inspection switching element 113a ′ are electrically connected to the first data line 114a, respectively. Connected in parallel. In the first inspection switching element 113a ′, the gate electrode of one type of transistor is electrically connected in series to a signal line to which the inspection selection signal TRSEL is supplied, and the gate electrode of the other type of transistor is connected. Is electrically connected in series to a signal line to which an inverted signal of the inspection selection signal TRSEL is supplied. Similarly to the first inspection switching element 113a ′, the second data switching line 113b is provided with the second inspection switching element 113b ′, and the third data switching line 113c is provided with the third inspection switching element 113c ′. It has been.
[0118]
5A, in the data line group 115, the first selection switching element 111a ′, the second selection switching element 111b ′, and the third selection switching element 111c ′. The switching element 111a ′ for selection has the best off-current characteristics, the switching element 111b ′ for second selection next to the switching element 111a ′ for first selection has excellent off-current characteristics, and the switching element 111b ′ for third selection is off. In order to make the current characteristics inferior, the first selection switching element 111a ′, the second selection switching element 111b ′, and the third selection switching element 111c ′ are configured as follows.
[0119]
More specifically, a selection signal is supplied relatively later among CMOSs constituting the first selection switching element 111a ′, the second selection switching element 111b ′, and the third selection switching element 111c ′. Compared with a CMOS, a channel having a smaller channel width or at least one of the transistors having different off-state currents constituting the one or the other CMOS has a smaller channel width or instead of or in addition to this. The channel length is large. Preferably, in this modification, the channel width of at least one of the different conductivity type transistors included in the CMOS that constitutes the first selection switching element 111a ′ has a larger off-current. The minimum of the three selection switching elements 111a ′, 111b ′, and 111c ′, or instead of or in addition to the maximum of the first to third selection switching elements 111a ′, 111b ′, and 111c ′. Become. The channel width of at least one of the different conductivity type transistors included in the CMOS constituting the second selection switching element 111b ′ is larger than that of the third selection switching element 111c ′. Then, the channel length is increased, or instead of or in addition to this, the channel length is increased next to the first selection switching element 111a ′. Further, the channel width of at least one of the conductive transistors having different off-state current included in the CMOS constituting the third selecting switching element 111c ′ is the first to third selecting switching elements. The channel length is the maximum of 111a ′, 111b ′, and 111c ′, or instead of or in addition, the channel length is the minimum of the first to third selection switching elements 111a ′, 111b ′, and 111c ′.
[0120]
Therefore, in the present modification, as described above, at least one of the different conductivity type thin film transistors included in the CMOS constituting each of the first to third selection switching elements 111a ′, 111b ′, and 111c ′. Since only the configuration of the transistor is changed, the charge amount of the first to third image signals sampled on the first to third data lines 114a, 114b, and 114c is equal to the value when the configuration of the transistor is not changed. As in the first embodiment, the leakage current is generated in the first to third data lines 114a, 114b, and 114c during the leak period in which the first to third selection signals RSEL to BSEL are not applied. Can be suppressed very efficiently.
[0121]
On the other hand, according to the modification of FIG. 5B, in the data line group 115, among the first inspection switching element 113a ′, the second inspection switching element 113b ′, and the third inspection switching element 113c ′, The first inspection switching element 113a ′ is most excellent in off-current characteristics, and the second inspection switching element 113b ′ is excellent in off-current characteristics next to the first inspection switching element 113a ′, and the third inspection switching element 113b ′. Are made in the following manner so that the first to third inspection switching elements 113a ′, 113b ′, and 113c ′ are respectively inferior to the OFF current characteristics.
[0122]
More specifically, the channel width of at least one of the different conductivity type transistors included in the CMOS constituting the first inspection switching element 113a ′ having the larger off-current is first to third. The inspection switching elements 113a ′, 113b ′, and 113c ′ are the smallest, or instead of or in addition, the channel length is the maximum of the first to third inspection switching elements 113a ′, 113b ′, and 113c ′. . Further, the channel width of at least one of the conduction type transistors having a larger off-current among the different conduction type transistors included in the CMOS constituting the second inspection switching element 113b ′ is the same as that of the third inspection switching element 113c ′. The channel length then increases, or instead of or in addition, the channel length increases next to the first inspection switching element 113a ′. Further, the channel width of at least one of the conduction type transistors having larger off-current among the different conduction type transistors included in the CMOS constituting the third inspection switching element 113c ′ is the first to third inspection switching elements. 113a ′, 113b ′, and 113c ′ are the maximum, or instead of or in addition, the channel length is the minimum of the first to third inspection switching elements 113a ′, 113b ′, and 113c ′.
[0123]
Therefore, in the present modification, as in the first embodiment described above, the first to third inspection switching elements 113a, 113b, and 113c are used in the leak period in which the first to third selection signals TRSEL to TBSEL are not applied. The adverse effect of the leakage current can be further reduced.
[0124]
<1-3-2; Configuration of one horizontal period>
Next, another modification of the present embodiment will be described with reference to FIG.
[0125]
In the first embodiment described above, the off-current characteristics of the TFTs constituting the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c in one data line group 115 are set as described above. In the data lines corresponding to the TFTs having excellent off-current characteristics compared to the other TFTs, at least two of the TFTs constituting the first to third selection switching elements 111a, 111b, and 111c, On the contrary, there is a possibility that the image signal is not sufficiently written to the data line due to the deterioration of the on-current characteristics. That is, there is a concern that the writing ability or the sampling ability may be somewhat reduced due to the deterioration of the on-current characteristics in each selection switching element. More specifically, according to the first embodiment described above, each of the first to third selection switching 111a, 111b, and 111c is connected to the first data line 114a corresponding to the first selection switching 111a. The possibility that the first image signal is not sufficiently written becomes the greatest.
[0126]
In this modification, the liquid crystal device 1 is driven by changing the length of each horizontal period in the timing chart shown in FIG. 4 as follows.
[0127]
FIG. 6 is a timing chart showing the change with time of each signal in the figure when the length of each horizontal period shown in FIG. 4 is changed. Note that the description of the timing chart shown in FIG.
[0128]
As shown in FIG. 6, the length of the supply period of the first selection signal RSEL of the selection signal supply unit 142 is the time length lr between time t1 ′ and time t2 ′, and the second length of the selection signal output circuit 142 is second. The length of the supply period of the selection signal GSEL is the time length lg between time t3 ′ and time t4 ′, and the length of the supply period of the third selection signal BSEL of the selection signal output circuit 142 is from time t5 ′. The time length lb during the time t6 ′ is obtained.
[0129]
According to this modification, in one horizontal period, the lengths of the first to third periods are shortened in the order of the first period, the second period, and the third period. Then, the selection signal supply unit 142 outputs each of the first to third selection signals RSEL, GSEL, and BSEL so that lr ≧ lg ≧ lb.
[0130]
Therefore, at this time, among the TFTs constituting each of the first to third selection switches 111a, 111b, and 111c, during the period in which one TFT outputs an image signal, at least two TFTs output the image signal. Is longer than the period for outputting. Of the TFTs constituting each of the first to third selection switches 111a, 111b, and 111c, the period during which the TFTs constituting the first selection switch 111a output the first image signal is the longest. The period in which the TFT constituting the second selection switching 111b outputs the second image signal next to the first selection switching 111a is the longest, and the TFT constituting the third selection switching 111c outputs the third image signal. The period is the shortest.
[0131]
Therefore, according to this modification, in order to improve the off-current characteristic for reducing the leakage current, even if the on-current characteristic is somewhat deteriorated, the first to third data lines 114a in the data line group 115, The first to third image signals can be sufficiently written to 114b and 114c.
[0132]
<2; Second Embodiment>
A second embodiment according to the electro-optical device of the invention will be described with reference to FIG. The main configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment includes the same configuration as the liquid crystal device 1 of the first embodiment. That is, the liquid crystal device according to the present embodiment includes a liquid crystal panel as an example of an “electro-optical panel” according to the present invention, an image signal supply unit that generates various signals used for driving the liquid crystal panel, and a scanning line driving circuit. In addition to the inspection circuit, a control circuit having selection signal supply means is provided. According to the present embodiment, in the liquid crystal device, the configuration of the liquid crystal panel, each circuit and each means described above is the same as that of the liquid crystal device 1 of the first embodiment.
[0133]
In the second embodiment, each selection switching element constituting the demultiplexing circuit and each inspection switching element included in the inspection circuit in the image display region of the liquid crystal panel have the off-current characteristics described in the first embodiment. It is not necessary to have made adjustments.
[0134]
The liquid crystal device of the second embodiment is driven by the same operation as that of the liquid crystal device 1 of the first embodiment described with reference to FIGS. However, in the second embodiment, when the liquid crystal device is driven, the drive frequency is lowered to appropriately cope with the energy saving operation for reducing the power consumption consumed for the drive as follows so as not to deteriorate the image quality. It is configured to be possible.
[0135]
Here, regarding the driving of the liquid crystal device of the present embodiment, a timing chart showing changes with time of various signals at the time of driving the reference frequency is shown in the upper part of FIG. 7, and the lower part of FIG. 2 is a timing chart showing changes with time of various signals when driving at a frequency of 2; FIG. 7 shows driving waveforms of the common potential and the first to third selection signals RSEL, GSEL, and BSEL. Description of the timing chart shown in FIG. 7 that overlaps with FIGS. 4 and 6 is omitted.
[0136]
Comparing the driving at the reference frequency and the driving at a frequency that is ½ of the reference frequency, the length of one horizontal period when driving at a frequency that is ½ of the reference frequency is two horizontal periods at the time of driving the reference frequency. The length is equivalent to the minute length. Therefore, if no care is taken, the leakage period associated with each of the first to third data lines of the data line group when driving at half the reference frequency is also the leakage period during the reference frequency driving. There is a risk that it will be longer than.
[0137]
However, according to the present embodiment, the selection signal supply means ends the output of the selection signal based on the end point of each period within each period in which n types of image signals are multiplexed for each data line group. A time point is determined and a selection signal is output.
[0138]
In the present embodiment, as already described with reference to FIGS. 4 and 6, when n = 3, the multiplex signal includes three types of image signals (R data, G data, and B data) as one horizontal. The signal is time-division multiplexed within the period.
[0139]
In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the selection signal supply unit supplies the last one of the first to third selection signals RSEL, GSEL, and BSEL supplied within one horizontal period. The first to third selection signals RSEL, GSEL, and BSEL are output so that the end point of the output of the three selection signals BSEL comes slightly before the end point of the one horizontal period. At this time, the period during which each of the first to third selection signals RSEL, GSEL, and BSEL is output, or the period during which the TFTs constituting the selection switching elements in the data line group output image signals may be fixed. That is, if the writing ability to the data line is the same, even if the drive frequency is lowered, for example, there is little or no need to increase the period during which these TFTs output the image signal. On the other hand, if the drive frequency is lowered while the period for outputting the image signal is fixed, the period for outputting the relatively short image signal is gathered near the end point of the period. As a result, the leakage period for each data line in the data line group is relatively shortened, and the amount of leakage current is reduced.
[0140]
As a result, in the liquid crystal device according to the present embodiment, an increase in the leakage current amount of each data line included in each data line group due to a change in drive frequency is suppressed. As a result, the display quality during color display can be greatly improved as compared with the conventional electro-optical device.
[0141]
As described above, according to the second embodiment, even when the drive frequency is lowered for energy saving, a great advantage is obtained in that a display operation can be performed with little or no deterioration in image quality.
[0142]
<3: Configuration example of liquid crystal device>
Next, the overall configuration of the liquid crystal device according to the first and second embodiments described above will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a plan view of the liquid crystal device 1 as viewed from above, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG.
[0143]
As described above, the liquid crystal device 1 includes the liquid crystal panel 100 in the main part. In the liquid crystal panel 100, an element substrate 602 on which a switching element 116, a pixel electrode 118 and the like (see FIG. 1) are formed in an image display area 110, and a counter substrate 604 on which a counter electrode 108 and the like are formed are mutually connected to an electrode formation surface. Are attached to each other while maintaining a certain gap, and a liquid crystal is sandwiched between the gaps. FIG. 8 shows the configuration of the liquid crystal device 1 when the element substrate 602 is viewed from the counter substrate 604 side together with the components formed thereon.
[0144]
8 and 9, the element substrate 602 and the counter substrate are disposed on the element substrate 602 around the image display region 110 (that is, the region of the liquid crystal device in which an image is actually displayed by the change in the alignment state of the liquid crystal layer). A sealing material 606 made of a photocurable resin that surrounds the liquid crystal layer by bonding the two substrates 604 is provided along the image display region 110. A light-shielding frame light-shielding film 608 is provided between the image display region 110 and the sealing material 606 on the counter substrate 604. A light-shielding frame light-shielding film 608 and a light-shielding layer 609 may be formed over the element substrate 602.
[0145]
In FIG. 8, scanning line driving circuits 130 are provided on both sides of the portion along the left and right sides of the image display area 110. Here, when the driving delay of the scanning line 112 does not become a problem, the scanning line driving circuit 130 may be formed only on one side with respect to the scanning line 112.
[0146]
In the area outside the sealing material 606, an image signal supply unit 120 and an external circuit connection terminal 610 for inputting an external signal are provided along the lower side of the image display area 110. Scanning line driving circuits 130 are provided on both sides of the image display area 110 along the two left and right sides. Further, a plurality of wirings 612 for supplying power and driving signals to the scanning line driving circuit 130 are provided on the upper side of the image display area 110. In addition, at least one corner of the counter substrate 604 is provided with a vertical conductive material 614 for electrical conduction between the element substrate 602 and the counter substrate 604. A counter substrate 604 having substantially the same outline as the sealing material 606 is fixed to the element substrate 602 by the sealing material 606.
[0147]
In the liquid crystal device 1, the RGB color filters are formed on the counter substrate 604 together with the protective film in a predetermined region facing the pixel electrode 118 where the light shielding layer 609 is not formed. The liquid crystal device 1 according to the present invention having such a configuration can be applied to a color liquid crystal device such as a direct-view or reflective color liquid crystal television.
[0148]
Each switching element used in the liquid crystal device 1 may be a positive stagger type or coplanar type polysilicon TFT, or may be applied to other types of TFTs such as an inverted stagger type TFT or an amorphous silicon TFT. The form is effective.
[0149]
Further, in the liquid crystal device 1, if the liquid crystal layer is constituted by using a polymer dispersed liquid crystal in which fine particles are dispersed in a polymer, the alignment film, the polarizing film, the polarizing plate, etc. are not required, and light utilization is possible. Advantages of high brightness and low power consumption of the liquid crystal device due to increased efficiency can be obtained.
[0150]
The image signal output circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 are provided on the driving LSI mounted on, for example, a TAB (tape automated bonding substrate) instead of being provided on the element substrate 602. You may make it connect electrically and mechanically through the anisotropic conductive film provided in this.
<4; Electronic equipment>
Next, the case where the above-described liquid crystal device is applied to various electronic devices will be described.
[0151]
<4-1: Projector>
First, a projector using this liquid crystal device as a light valve will be described. FIG. 10 is a plan view showing a configuration example of the projector. As shown in this figure, a lamp unit 1102 made of a white light source such as a halogen lamp is provided inside the projector 1100. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide 1104, and serves as a light valve corresponding to each primary color. The light enters the liquid crystal panels 1110R, 1110B and 1110G.
[0152]
The configuration of the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G is the same as that of the liquid crystal panel 100 described above, and is driven by R, G, and B primary color signals supplied from an image signal processing circuit (not shown). The light modulated by these liquid crystal panels enters the dichroic prism 1112 from three directions. In this dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Accordingly, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.
[0153]
Here, paying attention to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G, the display image by the liquid crystal panel 1110G needs to be horizontally reversed with respect to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B.
[0154]
In addition, since light corresponding to each primary color of R, G, and B is incident on the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G by the dichroic mirror 1108, it is not necessary to provide a color filter.
[0155]
<4-2: Mobile computer>
Next, an example in which the liquid crystal panel is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 11 is a perspective view showing the configuration of the personal computer. In the figure, a computer 1200 includes a main body 1204 having a keyboard 1202 and a liquid crystal display unit 1206. The liquid crystal display unit 1206 is configured by adding a backlight to the back surface of the liquid crystal panel 1005 described above.
[0156]
<4-3; Mobile phone>
Further, an example in which this liquid crystal panel is applied to a mobile phone will be described. FIG. 12 is a perspective view showing the configuration of this mobile phone. In the figure, a cellular phone 1300 includes a reflective liquid crystal panel 1005 together with a plurality of operation buttons 1302. In the reflective liquid crystal panel 1005, a front light is provided on the front surface thereof as necessary.
[0157]
In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 10 to 12, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a work Examples include a station, a videophone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, and the like. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.
[0158]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. A driving circuit and method, an inspection circuit and method for an electro-optical panel, and an electro-optical device and an electronic apparatus including the driving circuit and the inspection circuit are also included in the technical scope of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing one mode of a pixel of the liquid crystal device.
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a demultiplexing circuit in the liquid crystal device.
FIG. 4 is a timing chart showing an operation of the liquid crystal device.
FIG. 5A is a circuit diagram showing a modification of the data line selection switching element according to the liquid crystal device, and FIG. 5B is a modification of the inspection switching element according to the liquid crystal device. FIG.
FIG. 6 is a timing chart according to a modification of the liquid crystal device.
FIG. 7 is a timing chart showing the operation of the liquid crystal device according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a plan view showing an overall configuration of a liquid crystal device.
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a projector as an example of an electronic apparatus to which a liquid crystal device is applied.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a personal computer as an example of an electronic apparatus to which a liquid crystal device is applied.
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a mobile phone as an example of an electronic apparatus to which a liquid crystal device is applied.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 111 ... Selection switching element, 112 ... Scan line, 114 ... Data line, 116 ... Transistor (switching element), 118 ... Pixel electrode, 120 ... Image signal supply means, 130 ... Scan line drive circuit, 142 ... Selection signal supply means , 160 ... demultiplexing circuit, RSEL, GSEL, BSEL ... selection signal

Claims

A drive circuit for an electro-optical panel for driving an electro-optical panel having a plurality of data line groups each including n data lines (where n is a natural number of 2 or more),
An image signal supply means for outputting to each of the plurality of data line groups as a multiplexed signal for each data line group by multiplexing n types of image signals on the time axis,
A switching element for selection that demultiplexes the multiplexed signal input from the input end side according to a selection signal, and outputs the image signal obtained by the demultiplexing to the data line from the output end side;
Selection signal supply means for supplying the selection signal to the selection switching element,
The selection switching element includes a thin film transistor and is provided for each of the data line groups corresponding to the n data lines.
Wherein among the n thin film transistors corresponding to the n data lines for each data line group, the other of said selection signal as one of the thin film transistor in which the selection signal is supplied to the relatively destination is supplied after relatively As for the thin film transistor , the one thin film transistor is superior to the other thin film transistor in the off current characteristics of the thin film transistor, and is excellent in off current characteristics.

2. The electro-optical panel according to claim 1, wherein the selection signal is sequentially supplied to the n thin film transistors for each data line group in the order of excellent off-current characteristics. Driving circuit.

In the multiplexed signal, the image signal is multiplexed within one horizontal period for each data line group,
3. The electro-optical panel driving circuit according to claim 1, wherein the selection signal supply unit sequentially supplies the selection signals to the n thin film transistors within the one horizontal period.

Among the n thin film transistors for each data line group, one thin film transistor to which the selection signal is supplied relatively earlier is more channel-wise than other thin film transistors to which the selection signal is supplied relatively later. electro-optical panel driving circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the width of the channel length or in addition in place of the small to or this large.

A complementary transistor as the thin film transistor;
Of the n thin film transistors for each data line group, one complementary transistor to which the selection signal is supplied relatively earlier is compared with another complementary transistor to which the selection signal is supplied relatively later. Among the different conductive thin film transistors constituting the one or the other complementary transistor, at least the conductive thin film transistor with the larger off-current has a small channel width, or instead of or in addition to the channel 5. The drive circuit for an electro-optical panel according to claim 1 , wherein the drive circuit has a large length.

It further comprises an inspection switching element used at the time of driving inspection of the electro-optical panel,
The inspection switching element includes an inspection thin film transistor, and is provided on the data line corresponding to the selection switching element.
The test TFT and the corresponding one of the thin film transistor in which the selection signal is supplied to the relatively destination of the n test thin film transistor corresponding to said n thin film transistors for each of the data line groups, the selection signal compared with the test thin film transistors corresponding to other thin film transistor to be supplied after relatively any of claims 1 to 5, characterized in that superior off current characteristics are the magnitude of the off-current of the test thin-film transistor The drive circuit for the electro-optical panel according to one item.

The electro-optical panel driving circuit according to claim 6 , wherein the n inspection thin film transistors are excellent in the off-current characteristics in an order corresponding to an order in which the selection signals are supplied.

It said selection signal supplying means includes a feature that the one of the thin film transistor period for outputting the image signal, the other of the thin film transistor supplies the selection signal to be longer than the period for outputting the image signal electro-optical panel driving circuit according to any one of claims 1 7.

The selection signal supply means supplies the selection signal for the n thin film transistors for each data line group so that a period in which the image signal is output becomes long in an order of excellent off-current characteristics. The drive circuit for an electro-optical panel according to claim 8 .

The drive circuit of the electro-optical panel has a variable drive frequency,
The selection signal supply means determines a time point at which the output of the selection signal ends with reference to an end time of each period within each period in which the n types of image signals are multiplexed for each data line group. electro-optical panel driving circuit according to any one of claims 1 9, characterized by outputting the selection signal.

The selection signal supply means outputs the selection signal within the respective periods by setting the time when the output of the selection signal is ended with reference to the end time of each period as substantially the same regardless of the change in the driving frequency. electro-optical panel driving circuit according to claim 1 0, characterized by.

The selection signal supply means is arranged so that, within each period, the time when the output of the selection signal ends with the end time of each period as a reference is closer to the end time than the start time of each period. electro-optical panel driving circuit according to claim 1 0 or 11, characterized by outputting a selection signal.

Electro-optical apparatus comprising the driving circuit and the electro-optical panel of the electro-optical panel according to any one of claims 1 1 2.

An electronic apparatus characterized by comprising an electro-optical device according to claim 1 3.

An electro-optical panel driving method for driving an electro-optical panel having a plurality of data line groups each including n data lines (where n is a natural number of 2 or more),
An image signal supply step of outputting to each of the plurality of data line groups as a multiplexed signal for each of the data line groups by multi-pressing n types of image signals on a time axis;
The multiplex signal input from the input end side is demultiplexed according to a selection signal, and the image signal obtained by the demultiplexing is output from the output end side to the data line to the selection switching element. A selection signal supply process for supplying a selection signal,
Each of the selection switching elements includes a thin film transistor, and n data lines are provided corresponding to the n data lines for each data line group.
Wherein among the n thin film transistors corresponding to the n data lines for each data line group, the other of said selection signal as one of the thin film transistor in which the selection signal is supplied to the relatively destination is supplied after relatively As for the thin film transistor , the one thin film transistor is superior to the other thin film transistor in the off current characteristics of the thin film transistor, which is superior in off current characteristics.